西南交通大学光电专业实验报告
学号：2015114XXX 姓名：XXX 班级：光电X班组号：X同组人(姓名/学号)：
实验名称：硅光电池特性测试及其变换电路本次实验是本学期你所做的第X 个实验实验日期：2018 年 6 月X 日讲指导教师/报告箱号：
实验目的：
1、学习掌握硅光电池的工作原理
2、学习掌握硅光电池的基本特性
3、掌握硅光电池基本特性制试方法
4、了解硅光电池的基本应用
实验仪器：
1、光电器件和光电技术综合设计平台 1台
2、光源驱动模块 1个
3、负载模块1个
4、光通路组件 1套
5、硅光电池及封装组件1套
6、2#迭插头对(红色，50cm) 10根
7、2#迭插头对(黑色，50cm) 10根
8、示波器1台
实验原理/实验电路图：
光电三极管与光电二极管的工作原理基本相同，工作原理都是基于内光电效应，和光敏电阻的差别仅在于光线照射在半导体PN结上，PN结参与了光电转换过程。
1、硅光电池的基本结构
目前半导体光电探测器在数码摄像、光通信。太阳能电池等领域得到广泛应用，硅光电池是半导体光电探测器的一个基本单元，深刻理解硅光电池的工作原理和具体使用特性可以进一步领会半导体PN结原理、光电效应和光伏电池产生机理。
图4-1是半导体PN结在零偏、反偏、正偏下的耗尽区，当P型和N型半导体材料结合时，由于P型材料空穴多电子少，而N型材料电子多空六少，结果P型材料中的空穴向N 型材料这边扩散，N型材料中的电子向P型材料这边扩散，扩散的结果使得结合区两侧的P 型区出现负电荷，N型区带正电荷，形成一个势垒，由此而产生的内电场将阻止扩散运动的继续进行，当两者达到平衡时，在PN结两侧形成一个耗尽区，耗尽区的特点是无自由载流
子、呈现高阻抗。当PN结反偏时，外加电场与内电场方向一致，耗尽区在外电场作用下变宽，使势垒加强，当界结正偏时，外加电场与内电场方向相反，耗尽区在外电场作用下变窄，势垒削弱，使载流子扩散运动继续形成电流，此即为所结的单向导电性，电流方向是从P 指向N。
2、硅光电池的工作原理，
硅光电池是一个大面积的光电二极管，它被设计用于把入时到它表面的光能转化为电能，因此，可用作光电探测器和光电池，被广泛用于太空和野外便携式仪器等的能源。
光电池的基本结构如图4-2，当半导体PN结处于零偏或反偏时，在它们的结合面耗尽区存在一内电场，当有光照时，入射光子将把处于介带中的束缚电子激发到导带，激发出的电子空穴对在内电场作用下分别漂移到N型区和P型区，当在PN结两端加负载时就有一光生电流流过负载。流过所结两端的电流可由式1确定：
式(1)中IS为饱和电流。V为PN结两端电压，T为绝对温度，IP为产生的光电流。从式中可以看到，当光电池处于零偏时，V=0，流过PN结的电流I=IP；当光电池处于反偏时(在本实验中取V=-5V)，流过PN结的电流上I=IP-IS，因此，当光电池用作光电转换器时，光电池必须处于零偏或反偏状态。光电池处于零偏或反偏状态时，产生的光电流IP与输入光功率Pi有以下关系：
(2)
式(2)中R为响应率，R值随入射光波长的不同而变化，对不同材料制作的光电池R值分别在短波长和长波长处存在一截止波长，在长波长处要求入射光子的能量大于材料的能级间隙Eg，以保证处于介带中的束缚电子得到足够的能量被激发到导带，对于硅光电池其长
波截止波长为=1.1um，在短波长处也由于材料有较大吸收系数使R值很小。
3、硅光电池的基本特性
(1) 短路电流
如图4-3所示，不同的光照作用下，毫安表若显示不同的电流值，那硅光电池短路时的电流值也不同，此即为硅光电池的短路电流特性。
(2)开路电压
如图4-4所示，不同的光照的作用下，电压表若显示不同的电压值。那硅光电池开路时的电压也不同，此即为硅光电池的开路电压特性。
(3)光照特性
光电池在不同光照度下，其光电流和光生电动势是不同的，它们之间的关系就是光照特性，如图4-5所示即为硅光电池光生电流和光生电压与光照度的特性曲线。在不同的偏压的作用下，硅光电池的光照特性也有所不同。
(4)伏安特性
如图4-6，硅光电池输入光强度不变，负载在一定的范围内变化时，光电池的输出电压及电流随负载电阻变化关系曲线称为硅光电池的伏安特性。其特性曲线如下图4-6所示:
检测电路图如下图4-7所示:
(5)负载特性(输出特性)
图4-7硅光电池的伏安特性测试
光电池作为电池使用，如图4-8所示。在内电场作用下，入射光于由于光电效应把处于介带中的束缚电子激发到导带，而产生光伏电压，在光电池两端加一个负载就会有电流流过，当负载很大时，电流较小而电压较大；当负载很小时，电流较大而电压较小。实验时可改变负载电阻R的值来确定硅光电池的负载特性。
在线性测量中，光电池通常以电流形式使用，故短路电流与光照度(光能量)呈线性关系，是光电池的重要光照特性。实际使用时都接有负载电阻RL,输出电流IL随照度(光通量)的增加而非线性缓慢地增加，并且随负载RL的增大线性范围也越来越小。因此，在要求输出的电流与光照度呈线性关系时，负载电阻在条件许可的情况下越小越好，并限制在光照范围内使用。光电池光照与负载特性曲线如图4-9所示。
(6)光谱特性
一般在光电池的光谱响应特性表示在入射光能量保持一定的条件下，硅光电池所产生光电流/电压与入射光波长之间的关系。
(7)时间响应特性
表示时间应特性的方法主要有两种，一种是脉冲特性法，另一种是幅频特性法。
脉冲响应
光敏晶体管受调制光照射时，相对灵敏度与调制频率的关系称为频率特性。减少负载电阻能提高响应频率，但输出降低。一般来说，光敏三极管的频响比光敏二极管差得多，锗光敏三极管的频响比硅管小一个数量级。
实验步骤：
1、硅光电池短路电流特性测试
实验装置原理框图如图4-10所示。
(1)组装好光通路组件，将照度计与照度计探头输出正负极对应相连(红为正极，黑为负极)，将光源驱动及信号处理模块上J2与光通路组件光源接口使用彩排数据线相连。
(2)将开关S2拨到“静态”。
(3)按图4-10所示的电路连接电路图。
(4)打开电源，顺时针调节光照度调节旋钮，使照度依次为表1所列值，分别读出电流表读数，填入表1，关闭电源。
(5)将“光照度调节”旋钮逆时针调节到最小值位置后关闭电源。
(6)表1中所测得的电压值即为硅光电池在相应光照度下的短路电流。
(7)实验完毕，关闭电源，拆除所有连线。
2、硅光电池开路电压特性测试
实验装置原理框图如图4-11所示。
(1)组装好光通路组件，将照度计与照度计探头输出正负极对应相连(红为正极，黑为负极)，将光源驱动及信号处理模块上J2与光通路组件光源接口使用彩排数据线相连。
(2)将开关S2拨到“静态”。
(4)打开电源，顺时针调节光照度调节旋钮，使照度依次为表2所列值，分别读出电流表读数，填入表2，关闭电源。
(5)将“光照度调节”旋钮逆时针调节到最小值位置后关闭电源。
(6)表2中所测得的电压值即为硅光电池在相应光照度下的开路电压。
(7)实验完毕，关闭电源，拆除所有连线。
3、硅光电池光照特性
根据实验1和2所测试的实验数据，作出如图4-5所示的硅光电池的光照电流电压特性曲线。
4、硅光电池伏安特性
实验装置原理框图如图4-12所示。
(1)组装好光通路组件，将照度计与照度计探头输出正负极对应相连(红为正极，黑为负极)，将光源驱动及信号模块上J2与光通路组件光源接口使用彩排数据线相连。
(2)将开关S2拨到“静态”。
(3)电压表档位调节至2V档，电流表档位调至200uA档，将“光照度调节”旋钮逆时针调节至最小值位置。
(4)按图4-12所示的电路连接电路图，R取值为200欧，打开电源，顺时针调节照度调节旋钮，增大光照度值至5001x.记录下此时的电压表和电流表的读数填入表3。
(5)关闭电源，将R分别换为510，750, 1K, 2K, 5.1K，7.5K，10K,20K重复上述步骤，并记录电流表和电压表的读数，填入表3。
(6)改变光照度为300Lx、100Lx重复上述步骤，将实验结果填入表4,5。
(7)根据上述实验数据，在同一坐标轴中作出三种不同条件下的伏安特性曲线，并进行分析。
(8)实验完毕，关闭电源，拆除所有连线。
5.硅光电池负载特性测试实验
(1)组装好光通路组件，将照度计与照度计探头输出正负极对应相连(红为正极，黑为负极)，将光源驱动及信号处理模块上J2与光通路组件光源接口使用彩排数据线相连。
(2)将开关S2拨到“静态”。
(3)电压表档位调节至2V档，电流表档位调至200uA档，将“光照度调节”旋钮逆时针
硅光电池的特性及其应用 一、实验目的 1、初步了解硅光电池机理 2、测量硅光电池开路电动势、短路电流、内阻和光强之间关系 3、在恒定光照下测量光电流、输出功率与负载之间关系 二、实验原理 在P 型半导体上扩散一薄层施主杂质而形成的p-n 结（如右图），由于光照，在A 、B 电极之间出现一定的电动势。在有外电路时，只要光照不停止，就会源源不断地输出电流，这种现象称为光伏效应。 实验表明：当硅光电池外接负载电阻L R ，其输出电压和电流均随L R 变化而变化。只有当L R 取某一定值时输出功率才能达到最大值m P ，即所谓最佳匹配阻值LB L R R ，而LB R 则取决于硅光电池的内阻Ri= SC OC I V ，因此OC V 、SC I 和i R 都是太阳能电池的重要参数。 FF 是表征硅光电池性能优劣的指标，称为填充因子。 FF 越大，硅光电池的转换效率越高。 FF= VocIsc Pm (1) 图b 是硅光电池的等效电路，在一定负载电阻L R 范围内硅光电池可以近似地视为一个电流源PS I 与内阻i R 并联，和一个很小的电极电阻S R 串联的组合。 三、实验内容 图a 开路电动势、短路电流 与光强关系曲线 图b 太阳能电池等效电路
1、测量开路电动势OC V 与光强D I 的关系，将数据记录表1，并绘制并绘制D I ～OC V 曲线。(将功能开关切换到OC V ) 2、短路电流SC I 的测量 将功能开关切换到SC I ，调节DC 0-1V 电源S U 输出，使微安表读数0I 为10.00-18.00μA （建议取10.00μA ）。 在某一光强D I 下，改变可调电阻R ，使流过检流计（G ）的电流G I 为零。此时AB 两点之间和AC 两点之间的电压应相等,即AB V =AC V 。因而I R=00r I ,即短路电流 SC I =I = R r I 0 0 (r 0为微安计内阻，为10K Ω) 测量不同光强下，短路电流SC I 与光强D I 的关系，将数据记入表2，并绘制SC I ～D I 曲线。 测量开路电压OC V 线路图 测量短路电流SC I 线路图
硅光电池特性测试实验报告 系别：电子信息工程系 班级：光电08305班 组长：祝李 组员：贺义贵、何江武、占志武 实验时间：2010年4月2日 指导老师：王凌波 2010.4.6
目录 一、实验目的 二、实验内容 三、实验仪器 四、实验原理 五、注意事项 六、实验步骤 七、实验数据及分析 八、总结
一、实验目的 1、学习掌握硅光电池的工作原理 2、学习掌握硅光电池的基本特性 3、掌握硅光电池基本特性测试方法 4、了解硅光电池的基本应用 二、实验内容 1、硅光电池短路电路测试实验 2、硅光电池开路电压测试实验 3、硅光电池光电特性测试实验 4、硅光电池伏安特性测试实验 5、硅光电池负载特性测试实验 6、硅光电池时间响应测试实验 7、硅光电池光谱特性测试实验 设计实验1：硅光电池光控开关电路设计实验 设计实验2：简易光照度计设计实验 三、实验仪器 1、硅光电池综合实验仪 1个 2、光通路组件 1只 3、光照度计 1台 4、2#迭插头对（红色，50cm） 10根 5、2#迭插头对（黑色，50cm） 10根 6、三相电源线 1根 7、实验指导书 1本 8、20M 示波器 1台 四、实验原理 1、硅光电池的基本结构 目前半导体光电探测器在数码摄像﹑光通信﹑太阳电池等领域得到广泛应用，硅光电池是半导体光电探测器的一个基本单元，深刻理解硅光电池的工作原理和具体使用特性可以进一步领会半导体PN结原理﹑光电效应理论和光伏电池产生机理。 零偏反偏正偏 图 2-1. 半导体PN结在零偏﹑反偏﹑正偏下的耗尽区 图2-1是半导体PN结在零偏﹑反偏﹑正偏下的耗尽区，当P型和N型半导体材料结合
技术资料 [项目名称] 系统测试报告 1测试内容及方法 1.1测试内容 本次测试严格按照《软件系统测试计划》进行，包括单元测试、集成测试、系统测试、用户接受度测试等内容。 1.2测试方法 正确性测试策略、健壮性测试策略、接口测试策略、错误处理测试策略、安全性测试策略、界面测试策略 1.3测试工作环境 1.3.1硬件环境 服务端 数据服务器： 处理器：Inter(R) Xeon(R) CPU E5410 @2.33GHz×2 操作系统：Windows Server 2003 Enterprise Edition SP2 内存空间：8G 硬盘空间：500G×2，RAID0 应用服务器： 处理器：Inter(R) Xeon(R) CPU E5410 @2.33GHz×2 操作系统：Windows Server 2003 Enterprise Edition SP2 内存空间：8G 硬盘空间：500G×2，RAID0 客户端 处理器：Inter(R) Core?2 Quad CPU Q6600 @2.4GHz
操作系统：Windows Server 2003 R2 Enterprise Edition SP2 内存空间：2G 硬盘空间：200G 1.3.2软件环境 操作系统：Windows Server 2003 R2 Enterprise Edition SP2 客户端浏览器：Internet Explorer 6.0/7.0 GIS软件：ArcGIS Server 9.3 WEB服务：IIS6.0 2缺陷及处理约定 2.1缺陷及其处理 2.1.1缺陷严重级别分类 严重程度修改紧急 程度 评定准则实例 高必须立即 修改 系统崩溃、不稳定、 重要功能未实现 1、造成系统崩溃、死机并且不能通过其它方法实现功能； 2、系统不稳定，常规操作造成程序非法退出、死循环、通讯中断或异 常，数据破坏丢失或数据库异常、且不能通过其它方法实现功能。 3、用户需求中的重要功能未实现，包括：业务流程、主要功能、安全 认证等。 中必须修改系统运行基本正 常，次要功能未实 现 1、操作界面错误（包括数据窗口内列名定义、含义不一致）。 2、数据状态变化时，页面未及时刷新。 3、添加数据后，页面中的内容显示不正确或不完整。 4、修改信息后，数据保存失败。 5、删除信息时，系统未给出提示信息。 6、查询信息出错或未按照查询条件显示相应信息。 7、由于未对非法字符、非法操作做限制，导致系统报错等，如：文本 框输入长度未做限制；查询时，开始时间、结束时间未做约束等。 8、兼容性差导致系统运行不正常，如：使用不同浏览器导致系统部分 功能异常；使用不同版本的操作系统导致系统部分功能异常。 低可延期修 改 界面友好性、易用 性、交互性等不够 良好 1、界面风格不统一。 2、界面上存在文字错误。 3、辅助说明、提示信息等描述不清楚。 4、需要长时间处理的任务，没有及时反馈给用户任务的处理状态。 5、建议类问题。
XXXX软件项目系统测试报告
1．引言部分 1．1项目背景 本测试报告的具体编写目的，指出预期的读者范围。(3-4句) 本测试报告为（系统名称）系统测试报告；本报告目的在于总结测试阶段的测试及测试结果分析，描述系统是否达到需求的目的。 本报告预期参考人员包括测试人员、测试部门经理、项目管理人员、SQA人员和其他质量控制人员。 1．2参考资料 《XXXX需求说明书》 2．测试基本信息 2．1测试范围 2．2测试案例设计思路 根据上述测试范围测试点进行测试用例的设计。 3．测试结果及缺陷分析 3．1测试执行情况与记录 3．1．1测试组织 第 2 页共4 页
3．1．2测试时间 3．1．3冒烟情况 3．1．4测试用例统计 3．2缺陷的统计与分析 缺陷汇总： 列出本次实际发现缺陷数、解决的缺陷数、残留的缺陷数、未解决的缺陷数。 缺陷分析： 对测试中发现的缺陷按缺陷类型、严重程度进行分类统计： 对测试中发现的缺陷就其功能分布、测试阶段进行统计，分析软件缺陷倾向及其主要原因： 残留缺陷与未解决问题 对残留缺陷对系统功能的影响情况进行分析：对未解决问题对项目的影响(如有，列表说明) 4．测试结论与建议 4．1风险分析及建议 无 第 3 页共4 页
4．2测试结论 本项目根据业务需求及开发人员的反馈意见，覆盖了所有的测试需求及案例，均已在ST环境测试完成，有效案例一共xx个，执行率xx%,，成功率xx%，缺陷关闭率为xx%，目前缺陷均已修复并回归关闭； 综上所述，xx需求达到ST项目测试出口标准，本项目ST测试(通过/不通过)，可以进行验收测试 5．交付文档 《xxx需求_系统测试计划》 《xx需求_测试案例》 《xx需求_ST测试报告》 第 4 页共4 页
综合设计实验小论文 硅光电池特性研究
摘要:当今世界能源日益短缺，开发太阳能资源成为世界各国能源发展的主要课题。硅光电池可将太阳能转换为电能，实现太阳能的利用。本实验的目的主要是探讨太阳能电池的基本特性，测量太阳能电池下述特性：1、在没有光照时，太阳能电池主要结构为一个二极管，测量该二极管在正向偏压时的伏安特性曲线，并求得电压和电流关系的经验公式。2、测量太阳能电池在光照时的输出特性并求得它的短路电流( I SC)、开路电压( U OC)、最大输出功率 P m及填充因子 FF，填充因子是代表太阳能电池性能优劣的一个重要参数。3、光照效应：（1）测量短路电流 I SC和相对光强度J /J0之间关系，画出 I SC与相对光强J /J0之间的关系图。（2）测量开路电压U OC和相对光强度J /J0之间的关系，画出U OC与相对光强J /J0之间的关系图 关键字:硅光电池 PN结相对光强开路电压短路电流 1 实验原理 目前半导体光电探测器在数码摄像﹑光通信﹑太阳电池等领域得到广泛应用，硅光电池是半导体光电探测器的一个基本单元，深入学习硅光电池的工作原理和具体使用特性可以进一步领会半导体PN结原理﹑光电效应理论和光伏电池的机理。 1.1 PN结的形成及单向导电性 如果采用某种工艺，使一块硅片的一边成为P型半导体，另一边为N型半导体，由于P区有大量空穴（浓度大），而N区的空穴极少（浓度小），因此空穴要从浓度大的P区向浓度小的N区扩散，并与N区的电子复合，在交界面附近的空穴扩散到N区，在交界面附近一侧的P区留下一些带负电的三价杂质离子，形成负空间电荷区。同样，N区的自由电子也要向P区扩散，并与P区的空穴复合，在交界面附近一侧的N区留下一些带正电的五价杂质离子，形成正空间电荷区。这些离子是不能移动的，因而在P型半导体和N型半导体交界面两侧形成一层很薄的空间电荷区，也称为耗尽层，这个空间电荷区就是PN结。正负空间电荷在交界面两侧形成一个电场，称为内电场，其方向从带正电的N区指向带负电的P区，如图1所示。空间电荷区的内电场一个方面对多数载流子的扩散运动起阻挡作用，另一方面对少数载流子（P区的自由电子和N区的空穴）起推动作用，使它们越过空间电荷区进入对方区域。少数载流子在内电场作用下的定向运动称为漂移运动。在一定条
xxxxxxxxxxxxxxx 系统测试报告 xxxxxxxxxxx公司 20xx年xx月
版本修订记录
目录 1引言 (1) 1.1编写目的 (1) 1.2项目背景 (1) 1.3术语解释 (1) 1.4参考资料 (1) 2测试概要 (2) 2.1系统简介 (2) 2.2测试计划描述 (2) 2.3测试环境 (2) 3测试结果及分析 (4) 3.1测试执行情况 (4) 3.2功能测试报告 (4) 3.2.1xxxx模块测试报告单 (4) 3.2.2xxxxx模块测试报告单 (5) 3.2.3xxxxxxxx模块测试报告单 (5) 3.2.4xxxxxxx模块测试报告单 (5) 3.2.5xxxxx模块测试报告单 (5) 3.3系统性能测试报告 (6) 3.4不间断运行测试报告 (6) 3.5易用性测试报告 (7) 3.6安全性测试报告 (8) 3.7可靠性测试报告 (8) 3.8可维护性测试报告 (10) 4测试结论与建议 (11) 4.1测试人员对需求的理解 (11) 4.2测试准备和测试执行过程 (11) 4.3测试结果分析 (11) 4.4建议 (11)
1引言 1.1编写目的 本测试报告为xxxxxx软件项目的系统测试报告，目的在于对系统开发和实施后的的结果进行测试以及测试结果分析，发现系统中存在的问题，描述系统是否符合项目需求说明书中规定的功能和性能要求。 预期参考人员包括用户、测试人员、开发人员、项目管理者、其他质量管理人员和需要阅读本报告的高层领导。 1.2项目背景 项目名称：xxxxxxx系统 开发方： xxxxxxxxxx公司 1.3术语解释 系统测试：按照需求规格说明对系统整体功能进行的测试。 功能测试：测试软件各个功能模块是否正确，逻辑是否正确。 系统测试分析：对测试的结果进行分析，形成报告，便于交流和保存。 1.4参考资料 1)GB/T 8566—2001 《信息技术软件生存期过程》(原计算机软件开发规范) 2)GB/T 8567—1988 《计算机软件产品开发文件编制指南》 3)GB/T 11457—1995 《软件工程术语》 4)GB/T 12504—1990 《计算机软件质量保证计划规范》 5)GB/T 12505—1990 《计算机软件配置管理计划规范》
硅光电池基本特性的研究 太阳能是一种清洁能源、绿色能源，许多国家正投入大量人力物力对太阳能接收器进行研究和利用。硅光电池是一种典型的太阳能电池，在日光的照射下，可将太阳辐射能直接转换为电能，具有性能稳定，光谱范围宽，频率特性好，转换效率高，能耐高温辐射等一系列优点，是应用极其广泛的一种光电传感器。因此，在普通物理实验中开设硅光电池的特性研究实验，介绍硅光电池的电学性质和光学性质，并对两种性质进行测量，联系科技开发实际，有一定的新颖性和实用价值。 [实验目的] 1．测量太阳能电池在无光照时的伏安特性曲线； 2.测量太阳能电池在光照时的输出特性，并求其的短路电流I SC、开路电压 U OC、最大FF 3.测量太阳能电池的短路电流I及开路电压U与相对光强J /J0的关系，求出它们的近似函数关系； [实验原理] 1、硅光电池的基本结构 目前半导体光电探测器在数码摄像﹑光通信﹑太阳电池等领域得到广泛应用，硅光电池是半导体光电探测器的一个基本单元，深刻理解硅光电池的工作原理和具体使用特性可以进一步领会半导体PN结原理﹑光电效应理论和光伏电池产生机理。 零偏反偏正偏 图 2-1. 半导体PN结在零偏﹑反偏﹑正偏下的耗尽区 图2-1是半导体PN结在零偏﹑反偏﹑正偏下的耗尽区，当P型和N型半导体材料结合时，由于P型材料空穴多电子少，而N型材料电子多空穴少，结果P 型材料中的空穴向N型材料这边扩散，N型材料中的电子向P型材料这边扩散，扩散的结果使得结合区两侧的P型区出现负电荷，N型区带正电荷，形成一个势垒，由此而产生的内电场将阻止扩散运动的继续进行，当两者达到平衡时，在PN结两侧形成一个耗尽区，耗尽区的特点是无自由载流子，呈现高阻抗。当PN 结反偏时，外加电场与内电场方向一致，耗尽区在外电场作用下变宽，使势垒加强；当PN结正偏时，外加电场与内电场方向相反，耗尽区在外电场作用下变窄，
第三方软件测试报告（暂定） 1.引言 1.1.编写目的 本文档作为该系统测试的测试标准，内容关系到本次系统测试可能涉及到的测试内容和测试技术解决方案。 1.2.系统概述 略 2.测试描述 2.1.测试范围与内容 我方（北京圆规创新公司）对XX公司“XX”项目进行测试，保证使用方的功能正确，保证系统核心模块的稳定和安全，为项目的验收提供参考。以此，本计划列出了在此次功能测试过程中所要进行的内容和实施的方案及测试资源的安排，作为测试活动的依据和参考。 本次测试的对象为XX公司“XX”项目，测试范围为：略。 本次测试的主要内容有功能测试（含容错测试）、易用性测试。 2.2.测试依据 本次测试所依据的文档包含开发方提供的《需求规格说明书》、《操作手册》、《用户手册》，《维护手册》，《设计文档》等相关开发文档。
并依据IT行业项目的通用标准，包括功能测试标准、缺陷标准、易用性标准。 对于项目的易用性标准，原则上由测试方提出易用性问题修改的建议，由开发方对测试方提交的问题进行确认。 3.测试解决方案 我公司针对用户方提出的测试要求，根据以往项目的实际经验，撰写测试技术解决方案。该解决方案包含了本次系统测试可能涉及到的测试类型，并分别介绍不同测试类型的内容和相关标准。 3.1.系统功能测试 实施系统功能测试，完成对被测系统的功能确认。 采用黑盒测试方法，根据需求规格说明书和用户手册，将功能点转换为功能测试需求，根据测试需求编写测试用例，保证所有功能点必须被测试用例覆盖。 测试用例的编写采用基于场景的测试用例编写原则，便于以使用者的角度进行测试。用例设计上兼顾正常业务逻辑和异常业务逻辑。测试数据的选取可采用GUI测试，等价类划分、边界值分析、错误推测、比较测试等测试方法中的一种或者几种数据的组合，一般以等价类划分和边界值法为主。 3.1.1.系统功能项测试 对《软件需求规格说明书》中的所有功能项进行测试（列表）； 3.1.2.系统业务流程测试 对《软件需求规格说明书》中的典型业务流程进行测试（列表）； 3.1.3.系统功能测试标准 ?可测试的功能点100％作为测试需求（如未作为测试需求，必须在测试计划中标注原因并通知用户方负责人）；
234 实验五十二 硅光电池特性的研究 一、实验目的 1．掌握PN 结形成原理及其工作机理； 2．了解LED 发光二极管的驱动电流 和输出光功率的关系； 3．掌握硅光电池的工作原理及其工 作特性。 二、仪器设备 1．TKGD ―1型硅光电池特性实验仪； 2．信号发生器； 3．双踪示波器。 三、实验原理 1．引言 目前半导体光电探测器在数码摄像﹑光通信﹑太 阳电池等领域得到广泛应用，硅光电池是半导体光电 探测器的一个基本单元，深刻理解硅光电池的工作原 理和具体使用特性可以进一步领会半导体PN 结原理 ﹑光电效应理论和光伏电池产生机理。 图1是半导体PN 结在零偏﹑反偏﹑正偏下的耗 尽区，当P 型和N 型半导体材料结合时，由于P 型材 料空穴多电子少，而N 型材料电子多空穴少，结果P 型材料中的空穴向N 型材料这边扩散，N 型材料中的 电子向P 型材料这边扩散，扩散的结果使得结合区两侧的P 型区出现负电荷，N 型区带正电荷，形成一个 势垒，由此而产生的内电场将阻止扩散运动的继续进行，当两者达到平衡时，在PN 结两侧形成一个耗尽区，耗尽区的特点是无自由载流子，呈现高阻抗。当PN 结反偏时，外加电场与内电场方向一致，耗尽区在外电场作用下变宽，使势垒加强；当PN 结正偏时，外加电场与内电场方向相反，耗尽区在外电场作用下变窄，势垒削弱，使载流子扩散运动继续形成电流，此即为PN 结的单向导电性,电流方向是从P 指向N 。 2.LED 的工作原理 当某些半导体材料形成的PN 结加正向电压时,空 穴与电子在PN 结复合时将产生特定波长的光，发光的 波长与半导体材料的能级间隙E g 有关。发光波长λp 可由下式确定： 式(1)中h 为普朗克常数，c 为光速。在实际的半导体 材料中能级间隙E g 有一个宽度，因此发光二极管发出 光的波长不是单一的，其发光波长半宽度一般在25～ 40nm 左右，随半导体材料的不同而有差别。发光二极 管输出光功率P 与驱动电流I 的关系由下式决定： 式(2)中，η为发光效率，E p 是光子能量，e 是电荷常数。 输出光功率与驱动电流呈线性关系，当电流较大时由于PN 结不能及时散热，输出光功率可能会趋向饱和。本实验用一个驱动电流可调的红色超高亮度发光二极管作为实验用光源。系统采用的发光二极管驱动（1） （2） g p E hc /=λe I E p p /η= 零偏 反偏 正偏 图 1. 半导体PN 结在零偏﹑反偏﹑正偏下的耗尽区 图 3. LED 发光二极管的正弦信号调制原理
XXX项目软件测试报告 编制： 审核： 批准：
目录 1概述..................................................... 错误!未定义书签。2测试概要................................................. 错误!未定义书签。 进度回顾.......................................... 错误!未定义书签。 测试环境.......................................... 错误!未定义书签。 软硬件环境.................................. 错误!未定义书签。 网络拓扑.................................... 错误!未定义书签。3测试结论................................................. 错误!未定义书签。 测试记录.......................................... 错误!未定义书签。 缺陷修改记录...................................... 错误!未定义书签。 功能性............................................ 错误!未定义书签。 易用性............................................ 错误!未定义书签。 可靠性............................................ 错误!未定义书签。 兼容性............................................ 错误!未定义书签。 安全性............................................ 错误!未定义书签。4缺陷分析................................................. 错误!未定义书签。 缺陷收敛趋势...................................... 错误!未定义书签。 缺陷统计分析...................................... 错误!未定义书签。5遗留问题分析............................................. 错误!未定义书签。 遗留问题统计...................................... 错误!未定义书签。
硅光电池特性的研究 一、实验目的 1．掌握PN 结形成原理及其工作机理； 2．掌握硅光电池的工作原理及其工作特性。 二、仪器设备 MD-GD-3型硅光电池特性实验仪； 三、实验原理 1．引言 目前半导体光电探测器在数码摄像﹑ 光通信﹑太阳电池等领域得到广泛应用，硅光电池是半导体光电探测器的一个基本单元，深刻理解硅光电池的工作原理和具体使用特性可以进一步领会半导体PN 结原理﹑光伏电池产生机理。 图1是半导体PN 结在零偏﹑反偏﹑正偏下的耗尽区，当P 型和N 型半导体材料结合时，由于P 型材料空穴多电子少，而N 型材料电子多空穴少，结果P 型材料中的空穴向N 型材料这边扩散，N 型材料中的电子向P 型材料这边扩散，扩散的结果使得结合区两侧的P 型区出现负电荷，N 型区带正电荷，形成一个势垒，由此而产生的内电场将阻止扩散运动的继续进行，当两者达到平衡时，在PN 结两侧形成一个耗尽区， 耗尽区的特点是无自由载流子，呈现高阻抗。当PN 结反 偏时，外加电场与内电场方向一致，耗尽区在外电场作用 下变宽，使势垒加强；当PN 结正偏时，外加电场与内电 场方向相反，耗尽区在外电场作用下变窄，势垒削弱，使 载流子扩散运动继续形成电流，此即为PN 结的单向导电 性,电流方向是从P 指向N 。 2．硅光电池的工作原理 硅光电池是一个大面积的光电二极管，它被设计用于 把入射到它表面的光能转化为电能，因此，可用作光电 探测器和光电池，被广泛用于太空和野外便携式仪器等 的能源。 光电池的基本结构如图2，当半导体PN 结处于零偏或反偏时，在它们的结合面耗尽区存在一内电场，硅光电池在没有光照时其特性可视为一个二极管，在没有光照时其正向偏压U 与通过电流I 零偏 反偏 正偏 图 1. 半导体PN 结在零偏﹑反偏﹑正偏下的耗尽区 图 2.光电池结构示意 硅光零偏 图 3.光电池光电信号接
1、学习掌握硅光电池的工作原理 2 3、掌握硅光电池基本特性测试方法 4 二、实验内容 1、硅光电池短路电路测试实验 2 3、硅光电池光电特性测试实验 4 5、硅光电池负载特性测试实验 6 7、硅光电池光谱特性测试实验 三、实验仪 器 、学习掌握硅光电池的基本特 性 1 、硅光电池综合实验仪 1 个 2、光通路组件 1 只 3、光照度计 1 台 4、 2#迭插头对（红色， 50cm) 10 根 四、 实验原理 1、硅光电池的基本结构 零偏 反偏 、硅光电池伏安特性测试实验 、硅光电池时间响应测试实验 5 、 2#迭插头对（黑色， 50cm) 10 根 6、 三相电源线 1 根 7、 实验指导书 1 本 8、 20M 示波器 1 台 正偏 实验系列四、硅光电池特性测试 实验 光通路组件 功能说明： 分光镜： 50%透过 50%反射镜，将平行光一半给照度计探头，一半给等测光器件，实验测试 方便简单，照度计可实时检测出等测器件所接收的光照度。 一、实验目的 光调制控制输入端 图 2 硅光电池光通路组件 图 2-1. 半导体 PN 结在零偏﹑反偏﹑正偏下 、硅光电池开路电压测试实验
2、硅光电池的工作原理 硅光电池是一个大面积的光电二极管， 它被设计用于把入射到它表面的光能转化为电能， 因此，可用作光电探测器和光电池，被广泛用于太空和野外便携式仪器等的能源。 当半导体 PN 结处于零偏或反偏时，在它们的结合面耗尽区存在一内电场，当有光照时，入 射光子将把处于介带中的束缚电子激发到导带， 激发出的电子空穴对在内电场作用下分别飘 移到 N 型区和 P 型区， 当在 PN 结两端加负载时就有一光生电流流过负载。 流过 PN 结两端的 电流可由式 1 确定 eV I I s (e kT 1) I p 式( 1)中 Is 为饱和电流， V 为 PN 结两端电压， 从式中可以看到，当光电池处于零偏时， V=0，流过 时(在本实验中取 V=-5V)，流过 PN 结的电流 I=Ip-Is 光电池必须处于零偏或反偏状态。光电池处于零偏或反偏状态时，产生的光电流 光功率 Pi 有以下关系： I p RP i 电压表如显示不( b 同) 的电压值。即为硅光电池的开路电压特性。 (4) 伏安特性 在硅光电池输入光强度不变时， 测量当负载一定 的范围内变化时， 光电池的输出电压及 电流随负载电阻变化关系曲线称为硅光电池的伏安特性。 (5) 负载特性 ( 输出特性 ) 在内电场作用下， 入射光子由于内光电效应把处于介带中的束缚电子激发到导带， 而产 生光伏电压， 在光电池两端加一个负载就会有电流流过， 当负载很小时， 电流较小而电压较 大；当负载很大时，电流较大而电压较小。实验时可改变负载电阻 RL 的值来测定硅光电池 的负载特性。 (5) 光谱特性 一般光电池的光谱响应特性表示在入射光能量保持一定的条件下， 光电池所产生短路电 流与入射光波长之间的关系。一般用相对响应表示，实验中硅光电池的响应范围为 400~1100nm ，峰值波长为 800~900nm ，由于实验仪器所提供的波长范围为 400~650nm ，因此， 实验所测出的光谱响应曲线呈上升趋势 五、实验步骤 1、硅光电池短路电流特性测试 (1) T 为绝对温度， Ip PN 结的电流 I=Ip ； ，因此，当光电池用作光电转 换器时， 为产生的光电流。 当光电池处Ip 与输入 (2) 3、硅光电池的基本特 性 (1) (2) 短路电流 不同的光照的作用下， 开路电压 毫安表如显示不同的电流值。即为硅光电池的短路电流特性。 (3) 不同的光照的作用下， 光照特性 光电池在不同 光照度下， 其光电流和光生电动势是不同的， 硼扩散层 N 型硅片
(OA号：OA号/无)XXX产品名称XX版本（提测日期：YYYY.MM.dd） 第XX轮 功能/性能/稳定性/兼容性测试报告
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1.概述 (4) 1.1 测试目的 (4) 1.2 测试背景 (4) 1.3 测试资源投入 (4) 1.4 测试功能 (5) 1.5 术语和缩略词 (5) 1.6 测试范围............................................................................................ 错误!未定义书签。 2.测试环境 (6) 2.1 测试软件环境 (6) 2.2 测试硬件资源 (7) 2.3 测试组网图 (6) 3.测试用例执行情况 (7) 4.测试结果分析（大项目） (8) 4.1 Bug趋势图 (8) 4.2 Bug严重程度 (9) 4.3 Bug模块分布 (9) 4.4 Bug来源............................................................................................ 错误!未定义书签。 5.测试结果与建议 (10) 5.1 测试结果 (10) 5.2 建议 (11) 5.3 测试差异分析 (11) 6.测试缺陷分析 (11) 7.未实现需求列表 (11) 8.测试风险 (12) 9.缺陷列表 (12)
1.概述 1.1 测试目的 本报告编写目的，指出预期读者范围。 1.2 测试背景 对项目目标和目的进行简要说明，必要时包括该项目历史做一些简介。 1.3 测试资源投入 //针对本轮测试的一个分析 //测试项：功能测试、性能测试、稳定性测试等
硅光电池特性研究实验 【实验原理】 在p 型硅片上扩散一层极薄的n 型层，形成pn 结，再在该硅片的上下两面各制一个电极(其中光照面的电极成“梳状”，并在整个光照面镀上增透膜，利于光的入射)，这样就构成了硅光电池，如图5.7.1(a)所示。光电池的符号见图5.7.1(b)。 当光照射在硅光电池的光照面上时，若入射光子能量大于硅的能隙时，光子能量将被半导体吸收，产生电子一空穴对。它们在运动中一部分重新复合，其余部分在到达pn 结附近时受pn 结内电场的作用，空穴向p 区迁移，使p 区显示正电性，电子向n 区迁移，使n 区带负电，因此在pn 结上产生电动势。如果在硅光电池两端连接电阻，回路内就形成电流，这是硅光电池发生光电转换的原理。 硅光电池(以下简称光电池)的简化等效电路如图5.7.2所示。 (1)在无光照时，光(生)电流0ph I =，光电池可以简化为二极管如图5.7.3。根据半导体理论，流 经二极管的电流d I 与其两端电压的关系符合以下经验公式 0(1)V d I I I e β==- （5.7.1） 式中：β和0I 是常数。 (2)有光照时，ph I >o ，光电池端电压与电流的关系为
0(1)V d ph ph I I I I e I β=-=-- (5.7.2) 由式(5.7.2)，可以得到以下结论： ①当外电路短路时，短路电流sc ph I I =-，光电流全部流向外电路。 ②当外电路开路时，开路电压1ln 1ph oc o I V I β??= +????即1ln 1sc oc o I V I β??=+????，开路电压oc V 与短路电流sc I 满足对数关系；如果sc I 与光通量(或照度)有线性关系，则oc V 与光通量也满足对数关系。 由于二极管的分流作用，负载电阻愈大，光电池的输出电流愈小，实验可以证明这时输出电压却愈大。因此，在入射光能量不变化的情况下，要从光电池获取最大功率，负载电阻要取恰当的值。 【预习要求】 (1)通过预习，了解硅光电池的工作原理，大致了解实验内容。 (2)写预习报告，按要求在数据记录纸上画好待填表格。 【实验报告要求】 (1) 记录实验过程，包括实验步骤、各种实验现象和数据处理等。 (2)分析各实验结果并要得到结论。可就实验中涉及的、你感兴趣的1～2个问题作较深入讨论。 (3)实验曲线可用计算机绘制(推荐用Excel 软件)，也可手画。 ①用原始数据表5.7.1的数据，画出InI~v 曲线。如果是直线，计算β和O I (利用条件I>>O I )，写出在没有光照情况下光电池的端电压(正向偏压)与电流之间的经验公式，由此可以间接验证经验公式(5.7.1)。 ②利用数据表5.7.2的数据，作出Isc 与光通量?的关系曲线，设?与1/L2的比系数等于1，由曲线得到什么结论? ③根据表5.7.3，画出sc I α-曲线，它是什么曲线? ④根据表5.7.4、5.7.5，在一张图上分别画出光电池输出电压与负载电阻、输出电流与负载电阻的关系曲线，并由此在同一图上得到负载电阻与输出功率的关系；确定光电池的最大输出功率Pm 以及最大输出功率时的负载电阻Re(最佳匹配电阻)。 ⑤利用表5.7.6、5.7.7、5.7.8、5.7.9，在一张图上分别画出上下两片光电池的伏安特性以及它们串、并联后的伏安特性，从四条曲线能得到什么结论? ⑥根据表5.7.10，画出sc I λ-关系图，此图说明什么? 【思考题】 (1)光电流与短路电流有什么关系? (2)对实验中所用滤光片的透射曲线应有什么要求? (3)严格地说，本实验得到的光电池光谱特性并不能准确描述光电池对入射光中各频率分量的响应特性，或者说，这样得到的光谱特性，还包含了其他因素的影响，这些影响因素是什么? (4)通过实验，对光电池总体有什么认识? (5)硅光电池是一种半导体元件，人们在研究半导体元件的外特性时，通常要研究它们的温度
国信嘉宁数据技术有限公司 XXX系统 安全测试报告 创建人：xxx 创建时间：xxxx年xx月xx日 确认时间： 当前版本：V1.0
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目录 1.简介 (4) 1.1.编写目的 (4) 1.2.项目背景 (4) 1.3.系统简介 (4) 1.4.术语定义和缩写词 (4) 1.5.参考资料 (4) 2.测试概要 (5) 2.1.测试范围 (5) 2.2.测试方法和测试工具 (5) 2.3.测试环境与配置 (8) 3.测试组织 (8) 3.1.测试人员 (8) 3.2.测试时间细分及投入人力 (8) 4.测试结果及缺陷分析 (9) 4.1.测试执行情况统计分析 (9) 4.2.遗留缺陷列表 (9) 5.测试结论 (9) 6.测试建议 (10)
1.简介 1.1.编写目的 描述编写本测试报告需要说明的内容。 如：本报告为XX项目的安全测试报告，目的在考察系统安全性、测试结论以及测试建议。 1.2.项目背景 对项目背景进行简要说明，可从需求文档或测试方案中获取。 1.3.系统简介 对所测试项目进行简要的介绍，如果有设计说明书可以参考设计说明书，最好添加上架构图和拓扑图。 1.4.术语定义和缩写词 列出设计本系统/项目的专用术语和缩写语约定。对于技术相关的名词和与多义词一定要注明清楚，以便阅读时不会产生歧义。 如： 漏洞扫描： SQL注入： 1.5.参考资料 请列出编写测试报告时所参考的资料、文档。 需求、设计、测试案例、手册以及其他项目文档都是范围内可参考的资料。 测试使用的国家标准、行业指标、公司规范和质量手册等等。
硅光电池特性测试实验 一、实验目的 1、学习掌握硅光电池的工作原理 2、学习掌握硅光电池的基本特性 3、掌握硅光电池基本特性测试方法 4、了解硅光电池的基本应用 二、实验内容 1、硅光电池短路电路测试实验 2、硅光电池开路电压测试实验 3、硅光电池光电特性测试实验 4、硅光电池伏安特性测试实验 5、硅光电池负.载特性测试实验 6、硅光电池时间响应测试实验 7、硅光电池光谱特性测试实验 三、实验仪器 1、光电探测综合实验仪 1个 2、光通路组件 1只 3、硅光电池封装组件 1套 4、光照度计 1台 5、2#迭插头对（红色，50cm） 10根 6、2#迭插头对（黑色，50cm） 10根 7、三相电源线 1根 8、实验指导书 1本 9、20M 示波器 1台 四、实验原理 1、硅光电池的基本结构目前半导体光电探测器在数码摄像﹑光通信﹑太阳电池等领域得到广泛应用，硅光电池是半导体光电探测器的一个基本单元，深刻理解硅光电池的工作原理和具体使用特性可以进一步领会半导体PN结原理﹑光电效应理论和光伏电池产生机理。 零偏反偏正偏
图4-1是半导体PN结在零偏﹑反偏﹑正偏下的耗尽区，当P型和N型半导体材料结合时，由于P型材料空穴多电子少，而N型材料电子多空穴少，结果P型材料中的空穴向N型材料这边扩散，N型材料中的电子向P型材料这边扩散，扩散的结果使得结合区两侧的P型区出现负电荷，N型区带正电荷，形成一个势垒，由此而产生的内电场将阻止扩散运动的继续进行，当两者达到平衡时，在PN结两侧形成一个耗尽区，耗尽区的特点是无自由载流子，呈现高阻抗。当PN结反偏时，外加电场与内电场方向一致，耗尽区在外电场作用下变宽，使势垒加强；当PN结正偏时，外加电场与内电场方向相反，耗尽区在外电场作用下变窄，势垒削弱，使载流子扩散运动继续形成电流，此即为PN结的单向导电性,电流方向是从P指向N。 2、硅光电池的工作原理 硅光电池是一个大面积的光电二极管，它被设计用于把入射到它表面的光能转化为电能，因此，可用作光电探测器和光电池，被广泛用于太空和野外便携式仪器等的能源。 光电池的基本结构如图3，当半导体PN结处于零偏或反偏时，在它们的结合面耗尽区存在一内电场，当有光照时，入射光子将把处于价带中的束缚电子激发到导带，激发出的电子空穴对在内电场作用下分别飘移到N型区和P 型区，当在PN结两端加负载时就有一光生电流流过负载。流过PN结两端的电流可由式1确定
软件测试报告模板
秘密XXXXXX 软件项目 系统测试报告 软件测试部 200X/ XX/XX
1. 引言 ......................................... 2. 测试参考文档 (2) 3. 测试设计简介 ...................................... 3.1 测试用例设计.................................... 3.2 测试环境与配置.................................. 3.3 测试方法..................................... 4. 测试情况 ....................................... 4.1 测试执行情况.................................... 4.2 测试覆盖..................................... 4.3 缺陷的统计................................... 4.3.1 缺陷汇总和分析 ............................. 4.3.2 具体的测试缺陷 .................... 错误!未定义书签。 5. 测试结论和建议...................................... 5.1 结论....................................... 6. 附录 ......................................... 6.1 缺陷状态定义.................................... 6.2 缺陷严重程度定义................................. 6.3 缺陷类型定义....................................
XX项目系统测试报告 编写：日期： 检查：日期： 审核：日期： 批准：日期：
目录 1前言 (4) 1.1测试目标 (4) 1.2测试范围 (4) 1.3术语解释（可选） (4) 1.4参考文档 (4) 2测试结果 (4) 2.1测试结论 (4) 2.2影响产品发布的缺陷（可选） (4) 2.3测试项目概述 (5) 2.4测试过程概述 (5) 2.4.1测试进度-成本 (5) 2.4.2测试质量 (6) 2.5产品改进意见（可选） (6) 2.6注意事项（可选） (6) 3测试环境 (6) 3.1基本信息 (6) 3.2测试组网 (6) 3.3测试设备 (7) 3.4外围设备（可选） (7) 3.5测试工具（可选） (7) 4测试项目 (7) 4.1.1功能项 (8) 4.1.1.1安装测试 (8) 4.1.1.2功能测试 (8) 4.1.1.3UI-UE测试（可选） (9) 4.1.1.4接口测试（可选） (9) 4.1.1.5卸载测试 (9) 4.1.1.6协议测试（可选） (10) 4.1.2非功能项目 (10) 4.1.2.1兼容性测试 (10) 4.1.2.2可靠性测试 (10) 4.1.2.3性能测试 (10) 4.1.2.4安全性测试 (10) 4.1.2.5专项测试（可选） (11) 5过程分析 (11) 5.1测试用例分析 (11) 5.1.1用例执行情况 (11) 5.1.2用例有效性统计（可选） (12) 5.1.3 测试覆盖率分析（可选） (12) 5.2缺陷分析 (12) 5.2.1重要缺陷分析 (12)
5.2.2未解决缺陷清单 (12) 5.2.3缺陷发现趋势图（可选） (12) 5.2.4缺陷关闭趋势图（可选） (13) 5.2.5缺陷版本分布（可选） (13) 5.2.6缺陷模块分布 (13) 5.2.7缺陷等级分布 (13) 6经验总结(可选) (13)
硅光电池特性测试实验报 告 系别：电子信息工程系班级：光电08305 班组长：祝李组员：贺义贵、何江武、占志武实验时间：2010年4月2日指导老师：王凌波 目录
一、实验目的 二、实验内容 三、实验仪器 四、实验原理 五、注意事项 六、实验步骤 七、实验数据及分析 八、总结
一、实验目的 1学习掌握硅光电池的工作原理 2、 学习掌握硅光电池的基本特性 3、 掌握硅光电池基本特性测试方法 4、 了解硅光电池的基本应用 二、实验内容 1硅光电池短路电路测试实验 2、 硅光电池开路电压测试实验 3、 硅光电池光电特性测试实验 4、 硅光电池伏安特性测试实验 5、 硅光电池负载特性测试实验 6、 硅光电池时间响应测试实验 7、 硅光电池光谱特性测试实验 设计实验1硅光电池光控开关电路设计实验 设计实验2:简易光照度计设计实验 三、实验仪器 1 硅光电池综合实验仪 1 个 2、 光通路组件 1 只 3、 光照度计 1 台 4、 2#迭插头对（红色， 50cm ) 10 根 5、 2#迭插头对（黑色， 50cm ) 10 根 6、 三相电源线 1 根 7、 实验指导书 1 本 8 20M 示波器 1 台 四、实验原理 1硅光电池的基本结构 目前半导体光电探测器在数码摄像、光通信、太阳电池等领域得到广泛应用， 硅光电池 是半导体光电探测器的一个基本单元， 深刻理解硅光电池的工作原理和具体使用特性可以进 一步领会半导体 PN 结原理、光电效应理论和光伏电池产生机理。 图2-1.半导体PN 结在零偏、反偏、正偏下的耗尽区 图2-1是半导体PN 结在零偏、反偏、正偏下的耗尽区，当 P 型和N 型半导体材料结合 时，由于P 型材料空穴多电子少，而 N 型材料电子多空穴少，结果 P 型材料中的空穴向 N 型材料这边扩散，N 型材料中的电子向 P 型材料这边扩散，扩散的结果使得结合区两侧的 P 型区出现负电荷，N 型区带正电荷，形成一个势垒，由此而产生的内电场将阻止扩散运动的 继续进行， 当两者达到平衡时，在 PN 结两侧形成一个耗尽区，耗尽区的特点是无自由载流 零偏 反偏 正偏