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模拟电路测验试题10套

模拟电路测验试题10套
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模拟电路测验试题10套

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试卷编号01

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一、填空(本题共20分,每空1分):

1.整流电路的任务是__________;滤波电路的任务是__________。

2.在PN结的形成过程中,载流子的扩散运动是由于__________而产生的,漂移运动是__________作用下产生的。

3.放大器有两种不同性质的失真,分别是__________失真和__________失真。

4.在共射阻容耦合放大电路中,使低频区电压增益下降的主要原因是__________的影响;使高频区电压增益下降的主要原因是__________的影响。

5.在交流放大电路中,引入直流负反馈的作用是__________;引入交流负反馈的作用是___________。

6.正弦波振荡电路一般由__________、__________、__________、__________这四个部分组成。

7.某多级放大器中各级电压增益为:第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ,放大器的总增益为__________,总的放大倍数为__________。

8.在双端输入、单端输出的差动放大电路中,发射极公共电阻R e对__________信号的放大无影响,对__________信号的放大具有很强的抑制作用。共模抑制比K CMR为__________之比。

9.某放大电路的对数幅频特性如图1(在第三页上)所示,当信号频率恰好为上限频率时,实际的电压增益为__________dB。

二、判断(本题共10分,每小题1分,正确的打√,错误的打×):

1、()构成各种半导体器件的基础是PN结,它具有单向导电和反向击穿特性。

2、()稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。

3、()在三极管的三种基本组态中,只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。

4、()若放大电路的放大倍数为负值,则引入的一定是负反馈。

5、()通常,甲类功放电路的效率最大只有40%,而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。

6、()一般情况下,差动电路的共模电压放大倍数越大越好,而差模电压放大倍数越小越好。

7、()根据负反馈自动调节原理,交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。

8、()要使放大电路的输出电流稳定并使输入电阻增大,则应引入电流串联负反馈。

9、()在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小,在放大电路中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。

10、()在正弦波振荡电路的应用中,通常,当要求振荡工作频率大于1MHz时,应选用RC正弦波振荡电路。

三、选择(本题共20分,每个选择2分):

1.在放大电路中,测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V,-10V,-9.3V,则此三极管是()

A. NPN型硅管;

B. NPN型锗管;

C. PNP型硅管;

D. PNP型锗管;

2.为了使放大电路Q点上移,应使基本放大电路中偏置电阻R b的值()。

A. 增大

B. 不变

C. 减小

3.典型的差分放大电路中Re()。

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A. 对差模信号起抑制作用

B. 对共模信号起抑制作用

C. 对差模信号和共模信号均无作用

4.在差动电路中,若单端输入的差模输入电压为20V,则其共模输入电压为()。

A. 40V

B. 20V

C. 10V

D. 5V

5.电流源的特点是()。

A . 交流电阻大,直流电阻小;

B . 交流电阻小,直流电阻大;

C. 交流电阻大,直流电阻大;

D. 交流电阻小,直流电阻小。

6.影响放大电路高频特性的主要因素是()。

A. 耦合电容和旁路电容的存在;

B. 放大电路的静态工作点不合适;

C. 半导体管的非线性特性;

D. 半导体管极间电容和分布电容的存在;

7.关于理想运算放大器的错误叙述是()。

A.输入阻抗为零,输出阻抗也为零;B.输入信号为零时,输出处于零电位;

C.频带宽度从零到无穷大;D.开环电压放大倍数无穷大

8.有T1 、T2和T3三只晶体管,T1的β=200,I CEO=200μA;T2的β=100,I CEO=10μA;T3的β=10,I CEO=100μA,其它参数基本相同,则实用中应选()

A. T1管;

B. T2管;

C. T3管

9.交流反馈是指()

A.只存在于阻容耦合电路中的负反馈;B.变压器耦合电路中的负反馈;

C.交流通路中的负反馈;D.放大正弦信号时才有的负反馈;

10.RC桥式正弦波振荡电路是由两部分组成,即RC串并联选频网络和()

A. 基本共射放大电路;

B. 基本共集放大电路;

C. 反相比例运算电路;

D. 同相比例运算电路;

四、分析与计算(本题共50分):

1.(本小题10分) 电路如图2所示,通过分析判断反馈组态,并近似计算其闭环电压增益A usf。

2.(本小题10分) 电路如图3所示,u2=10V,在下列情况下,测得输出电压平均值U o的数值各为多少?(1)正常情况时;(2)电容虚焊时;(3)R L开路时;(4)一只整流管和电容C同时开路时。

3.(本小题12分) 如图4所示电路中,A为理想运放,Vcc=16V,R L=8Ω,R1=10kΩ,R2=100kΩ,三极管的饱和管压降U CES=0V,U o=-10V。(1)合理连接反馈电阻R2;(2)设A输出电压幅值足够大,估算最大输出功率P om;(3)估算单个三极管的最大集电极耗散功率P CM值。

4.(本小题18分) 电路图5中,C1、C3和C E的容量足够大,晶体管的β=50,r bb’=200Ω,V BEQ=0.7V,R S=2kΩ,R B1=25kΩ,R B2=5kΩ,R C=5kΩ,R L=5kΩ,R E1=1.7kΩ,R E2=300Ω,V CC=12V。计算:(1)电路的静态工作点;(2)电压放大倍数A uS、输入电阻R i和输出电阻R O。

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图1 图2

图3 图4

图5

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试卷编号 02

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一、填空(本题共18分,每空1分):

1.本征半导体中,自由电子浓度________空穴浓度;在P 型半导体中,自由电子浓度________空穴浓度;在N 型半导体中,自由电子浓度________空穴浓度。

2.放大电路中,测得三极管三个电极1,2,3的电位为V U V U V U 12,8.2,5.3321===;则该三极管是________型,电极1为________,2为________,3为________。

3.射极输出器的特点是:电压放大倍数________,输入电阻________,输出电阻________。

4.半导体三极管属________控制器件,而场效应管属________控制器件。

5.正弦波振荡电路产生自激振荡的条件是=F A ________,φA +φB

=________。 6.若希望提高放大电路的输入电阻且稳定输出电流,应选用________反馈。

7.文氏电桥正弦波振荡器用________网络选频,当这种电路产生振荡时,该选频网络的反馈系数F =________,F

Φ=________。 二、简答(本题共10分,每小题5分):

1.什么是零点漂移,产生的原因是什么,抑制零点漂移最有效的方法是什么?

2.什么是交越失真,如何克服交越失真?

三、分析与计算(本题共72分):

1.(本小题15分) 放大电路如图示1,Ω=Ω=k R k R b b 52,821,R C =8.7k Ω,e R =1.3K Ω,Ω='

300r b b ,+V CC =+15V ,β=20,U BE =0.7V ,电容容量足够大,求:

⑴静态工作点;⑵电压放大倍数u A ;⑶输入电阻i R 和R o ;⑷若S R =1k Ω,求us A ;⑸若e C 开路,求u A 。

2.(本小题12分) 电路如图2所示, ,k 20R ,k 30R R ,k 5R R e 2C 1C 2b 1b Ω=Ω==Ω==1T 和2T 的性能一致,V 15V ,V 15V EE CC -=-+=+;Ω==k 4r r 2be 1be ,5021=β=β;试求:

⑴:求ud A ,id R ;⑵:电路改成从2T 的集电极与地之间输出时ud A

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图1 图2

3.(本小题15分) 电路如图3所示,已知:V 20V ,V 20V CC CC -=-=,Ω=8R L ,输入电压)V (wt

sin 210u i =,1T 和2T 的性能一致,死区影响和CES U 均可忽略。试求:输出功率o P ,电源消耗功率V P 及能量转换效率η,每管功耗T P 。

4.(本小题15分) 反馈电路如图4所示,试回答:

⑴:该电路引入了何种反馈(极性和组态);

⑵:该反馈对输入和输出电阻有何影响(增大或减小);

⑶:在深度负反馈条件下,求电压增益uf A 。

图3

图4

5.(本小题15分) 电路如图5所示,集成运放均为理想运放,试写出输出电压o 2o 1o U ,U ,U 的表达式。

模拟电子电路仿真和实测实验方案的设计实验报告111-副本

课程专题实验报告 (1) 课程名称:模拟电子技术基础 小组成员:涛,敏 学号:0,0 学院:信息工程学院 班级:电子12-1班 指导教师:房建东 成绩: 2014年5月25日

工业大学信息工程学院课程专题设计任务书(1)课程名称:模拟电子技术专业班级:电子12-1 指导教师(签名): 学生/学号:涛 0敏0

实验观察R B 、R C 等参数变化对晶体管共射放大电路放大倍数的影响 一、实验目的 1. 学会放大器静态工作点的调式方法和测量方法。 2.掌握放大器电压放大倍数的测试方法及R B 、R C 等参数对放大倍数的影响。 3. 熟悉常用电子仪器及模拟电路实验设备的使用。 二、实验原理 图1为电阻分压式工作点稳定单管放大器实验电路图。偏置电阻R B1、R B2组成分压电路,并在发射极中接有电阻R E ,以稳定放大器的静态工作点。当在放大器的输入端加入输入信号后,在放大器的输出端便可得到一个与输入信号相位相反、幅值被放大了的输出信号,从而实现了电压放大。 三、实验设备 1、 信号发生器 2、 双踪示波器 SS —7802 3、 交流毫伏表 V76 4、 模拟电路实验箱 TPE —A4 5、 万用表 VC9205 四、实验容 1.测量静态工作点 实验电路如图1所示,它的静态工作点估算方法为: U B ≈ 2 11B B CC B R R U R +? I E =E BE B R U U -≈Ic U CE = U CC -I C (R C +R E )

图1 晶体管放大电路实验电路图 实验中测量放大器的静态工作点,应在输入信号为零的情况下进行。 根据实验结果可用:I C ≈I E = E E R U 或I C = C C CC R U U U BE =U B -U E U CE =U C -U E 计算出放大器的静态工作点。 五.晶体管共射放大电路Multisim仿真 在Multisim中构建单管共射放大电路如图1(a)所示,电路中晶体管采用FMMT5179 (1)测量静态工作点 可在仿真电路中接入虚拟数字万用表,分别设置为直流电流表或直流电压 表,以便测量I BQ 、I CQ 和U CEQ ,如图所示。

模拟电子技术基础试卷及答案

模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空(18分) 1.二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2.如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ,桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ,经过电容滤波后为 12 V ,二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3.差分放大电路,若两个输入信号u I1u I2,则输出电压,u O 0 ;若u I1 =100μV ,u I 2=80μV 则差模输入电压u Id = 20μV ;共模输入电压u Ic =90 μV 。 4.在信号处理电路中,当有用信号频率低于10 Hz 时,可选用 低通 滤波器;有用信号频率高于10 kHz 时,可选用 高通 滤波器;希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时,可选用 带阻 滤波器;有用信号频率为某一固定频率,可选用 带通 滤波器。 5.若三级放大电路中A u 1A u 230dB ,A u 320dB ,则其总电压增益为 80 dB ,折合为 104 倍。 6.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到 78.5% ,但这种功放有 交越 失真。 7.集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空(20分) 1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ,-10 V ,-9.3 V ,则这只三极管是( A )。 A .NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2.某场效应管的转移特性如图所示,该管为( D )。 A .P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( C )。 A .输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻,R S 为常数,为使下限频率f L 降低,应( D )。 A . 减小C ,减小R i B. 减小C ,增大R i C. 增大C ,减小 R i D. 增大C ,增大 R i 5.如图所示复合管,已知V 1的β1 = 30,V 2的β2 = 50,则复合后的β约为( A )。 A .1500 B.80 C.50 D.30 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和( D )。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是( A )。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8.与甲类功率放大方式相比,乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 V 2 V 1

电子科技大学集成电路原理实验CMOS模拟集成电路设计与仿真王向展

实验报告 课程名称:集成电路原理 实验名称: CMOS模拟集成电路设计与仿真 小组成员: 实验地点:科技实验大楼606 实验时间: 2017年6月12日 2017年6月12日 微电子与固体电子学院

一、实验名称:CMOS模拟集成电路设计与仿真 二、实验学时:4 三、实验原理 1、转换速率(SR):也称压摆率,单位是V/μs。运放接成闭环条件下,将一个阶跃信号输入到运放的输入端,从运放的输出端测得运放的输出上升速率。 2、开环增益:当放大器中没有加入负反馈电路时的放大增益称为开环增益。 3、增益带宽积:放大器带宽和带宽增益的乘积,即运放增益下降为1时所对应的频率。 4、相位裕度:使得增益降为1时对应的频率点的相位与-180相位的差值。 5、输入共模范围:在差分放大电路中,二个输入端所加的是大小相等,极性相同的输入信号叫共模信号,此信号的范围叫共模输入信号范围。 6、输出电压摆幅:一般指输出电压最大值和最小值的差。 图 1两级共源CMOS运放电路图 实验所用原理图如图1所示。图中有多个电流镜结构,M1、M2构成源耦合对,做差分输入;M3、M4构成电流镜做M1、M2的有源负载;M5、M8构成电流镜提供恒流源;M8、M9为偏置电路提供偏置。M6、M7为二级放大电路,Cc为引入的米勒补偿电容。 其中主要技术指标与电路的电气参数及几何尺寸的关系:

转换速率:SR=I5 I I 第一级增益:I I1=?I I2 I II2+I II4=?2I I1 I5(I2+I3) 第二级增益:I I2=?I I6 I II6+I II7=?2I I6 I6(I6+I7) 单位增益带宽:GB=I I2 I I 输出级极点:I2=?I I6 I I 零点:I1=I I6 I I 正CMR:I II,III=I II?√5 I3 ?|I II3|(III)+I II1,III 负CMR:I II,III=√I5 I1+I II5,饱和 +I II1,III+I II 饱和电压:I II,饱和=√2I II I 功耗:I IIII=(I8+I5+I7)(I II+I II) 四、实验目的 本实验是基于微电子技术应用背景和《集成电路原理与设计》课程设置及其特点而设置,为IC设计性实验。其目的在于: 根据实验任务要求,综合运用课程所学知识自主完成相应的模拟集成电路设计,掌握基本的IC设计技巧。 学习并掌握国际流行的EDA仿真软件Cadence的使用方法,并进行电路的模拟仿真。 五、实验内容 1、根据设计指标要求,针对CMOS两级共源运放结构,分析计算各器件尺寸。 2、电路的仿真与分析,重点进行直流工作点、交流AC和瞬态Trans分析,能熟练掌握各种分析的参数设置方法与仿真结果的查看方法。 3、电路性能的优化与器件参数调试,要求达到预定的技术指标。

模拟电路测验试题10套

模拟电路测验试题10套 1 / 34

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试卷编号01 ……………………………………………………………………………………………………………… 一、填空(本题共20分,每空1分): 1.整流电路的任务是__________;滤波电路的任务是__________。 2.在PN结的形成过程中,载流子的扩散运动是由于__________而产生的,漂移运动是__________作用下产生的。 3.放大器有两种不同性质的失真,分别是__________失真和__________失真。 4.在共射阻容耦合放大电路中,使低频区电压增益下降的主要原因是__________的影响;使高频区电压增益下降的主要原因是__________的影响。 5.在交流放大电路中,引入直流负反馈的作用是__________;引入交流负反馈的作用是___________。 6.正弦波振荡电路一般由__________、__________、__________、__________这四个部分组成。 7.某多级放大器中各级电压增益为:第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ,放大器的总增益为__________,总的放大倍数为__________。 8.在双端输入、单端输出的差动放大电路中,发射极公共电阻R e对__________信号的放大无影响,对__________信号的放大具有很强的抑制作用。共模抑制比K CMR为__________之比。 9.某放大电路的对数幅频特性如图1(在第三页上)所示,当信号频率恰好为上限频率时,实际的电压增益为__________dB。 二、判断(本题共10分,每小题1分,正确的打√,错误的打×): 1、()构成各种半导体器件的基础是PN结,它具有单向导电和反向击穿特性。 2、()稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。 3、()在三极管的三种基本组态中,只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。 4、()若放大电路的放大倍数为负值,则引入的一定是负反馈。 5、()通常,甲类功放电路的效率最大只有40%,而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。 6、()一般情况下,差动电路的共模电压放大倍数越大越好,而差模电压放大倍数越小越好。 7、()根据负反馈自动调节原理,交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。 8、()要使放大电路的输出电流稳定并使输入电阻增大,则应引入电流串联负反馈。 9、()在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小,在放大电路中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。 10、()在正弦波振荡电路的应用中,通常,当要求振荡工作频率大于1MHz时,应选用RC正弦波振荡电路。 三、选择(本题共20分,每个选择2分): 1.在放大电路中,测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V,-10V,-9.3V,则此三极管是() A. NPN型硅管; B. NPN型锗管; C. PNP型硅管; D. PNP型锗管; 2.为了使放大电路Q点上移,应使基本放大电路中偏置电阻R b的值()。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 3.典型的差分放大电路中Re()。 1 / 34

模拟电路_Multisim软件仿真教程

第13章Multisim模拟电路仿真本章Multisim10电路仿真软件, 本章节讲解使用Multisim进行模拟电路仿真的基本方法。 目录 1. Multisim软件入门 2. 二极管电路 3. 基本放大电路 4. 差分放大电路 5. 负反馈放大电路 6. 集成运放信号运算和处理电路 7. 互补对称(OCL)功率放大电路 8. 信号产生和转换电路 9. 可调式三端集成直流稳压电源电路 13.1 Multisim用户界面及基本操作 13.1.1 Multisim用户界面 在众多的EDA仿真软件中,Multisim软件界面友好、功能强大、易学易用,受到电类设计开发人员的青睐。Multisim用软件方法虚拟电子元器件及仪器仪表,将元器件和仪器集合为一体,是原理图设计、电路测试的虚拟仿真软件。 Multisim来源于加拿大图像交互技术公司(Interactive Image Technologies,简称IIT公司)推出的以Windows为基础的仿真工具,原名EWB。 IIT公司于1988年推出一个用于电子电路仿真和设计的EDA工具软件Electronics Work Bench(电子工作台,简称EWB),以界面形象直观、操作方便、分析功能强大、易学易用而得到迅速推广使用。 1996年IIT推出了EWB5.0版本,在EWB5.x版本之后,从EWB6.0版本开始,IIT对EWB进行了较大变动,名称改为Multisim(多功能仿真软件)。 IIT后被美国国家仪器(NI,National Instruments)公司收购,软件更名为NI Multisim,Multisim经历了多个版本的升级,已经有Multisim2001、Multisim7、Multisim8、Multisim9 、Multisim10等版本,9版本之后增加了单片机和LabVIEW虚拟仪器的仿真和应用。 下面以Multisim10为例介绍其基本操作。图13.1-1是Multisim10的用户界面,包括菜单栏、标准工具栏、主工具栏、虚拟仪器工具栏、元器件工具栏、仿真按钮、状态栏、电路图编辑区等组成部分。

模拟电子技术基础试题汇总

模拟电子技术基础试题汇总 一.选择题 1.当温度升高时,二极管反向饱和电流将( )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示,由此可判断该三极管( ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0,则在静态时该三极管处于( ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( )。 ( A)温度稳定性( B)单向导电性( C)放大作用( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过高,容易产生 ( )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示,二极管导通电压U D=,关于输出电压的说法正确的是( )。 A:u I1=3V,u I2=时输出电压为。 B:u I1=3V,u I2=时输出电压为1V。 C:u I1=3V,u I2=3V时输出电压为5V。 D:只有当u I1=,u I2=时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线,静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。 A:集电极电源+V CC电压变高B:集电极负载电阻R C变高 C:基极电源+V BB电压变高D:基极回路电阻R b变高。

8. 直流负反馈是指( ) A. 存在于RC 耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中,A 为理想运放,则电路的输出电压约为( ) A. - B. -5V C. - D. - 11. 在图所示的单端输出差放电路中,若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV ,则差模输 入电压△υid 为( ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与低阻负载间接入 ( )。 A. 共射电路 B. 共基电路 C. 共集电路 D. 共集-共基串联电路 13. 在考虑放大电路的频率失真时,若i υ为正弦波,则o υ( ) A. 有可能产生相位失真 B. 有可能产生幅度失真和相位失真 C. 一定会产生非线性失真 D. 不会产生线性失真 14. 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是,前者的运 放通常工作在( )。 A. 开环或正反馈状态 B. 深度负反馈状态 C. 放大状态 D. 线性工作状态 15. 多级负反馈放大电路在( )情况下容易引起自激。 A. 回路增益F A &&大 B 反馈系数太小

大学模电最新最全题库模拟电路考试试题10套和答案

试卷编号01 ……………………………………………………………………………………………………………… 一、填空(本题共20分,每空1分): 1.整流电路的任务是__将交流电变成脉动直流电________;滤波电路的任务是_滤除脉动直流电中的交流成分_________。 2.在PN结的形成过程中,载流子的扩散运动是由于__载流子的浓度差________而产生的,漂移运动是_______内电场的电场力___作用下产生的。 3.放大器有两种不同性质的失真,分别是____线性______失真和非线性__________失真。 4.在共射阻容耦合放大电路中,使低频区电压增益下降的主要原因是_耦合电容__和旁路电容_______的影响;使高频区电压增益下降的主要原因是__三极管的级间电容________的影响。 5.在交流放大电路中,引入直流负反馈的作用是_稳定静态工作点_________;引入交流负反馈的作用是___稳定增益、抑制非线性失真、___改变输入输出电阻、展宽频带、抑制干扰和噪声__。 6.正弦波振荡电路一般由选频网络__________、__放大电路________、正反馈网络__________、__稳幅电路________这四个部分组成。 7.某多级放大器中各级电压增益为:第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ,放大器的总增益为__100________,总的放大倍数为__________。 8.在双端输入、单端输出的差动放大电路中,发射极公共电阻R e对__差模输入________信号的放大无影响,对_共模输入_________信号的放大具有很强的抑制作用。共模抑制比K CMR为_差模增益与共模增益_________之比。 9.某放大电路的对数幅频特性如图1(在第三页上)所示,当信号频率恰好为上限频率时,实际的电压增益为____37______dB。 二、判断(本题共10分,每小题1分,正确的打√,错误的打×): 1、(y )构成各种半导体器件的基础是PN结,它具有单向导电和反向击穿特性。 2、(y )稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。 3、(y )在三极管的三种基本组态中,只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。 4、(n )若放大电路的放大倍数为负值,则引入的一定是负反馈。 5、(yn )通常,甲类功放电路的效率最大只有40%,而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。 6、(n )一般情况下,差动电路的共模电压放大倍数越大越好,而差模电压放大倍数越小越好。 7、(y n)根据负反馈自动调节原理,交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。 8、(y)要使放大电路的输出电流稳定并使输入电阻增大,则应引入电流串联负反馈。 9、(y)在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小,在放大电路中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。 10、(y n)在正弦波振荡电路的应用中,通常,当要求振荡工作频率大于1MHz时,应选用RC正弦波振荡电路。 三、选择(本题共20分,每个选择2分): 1.在放大电路中,测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V,-10V,-9.3V,则此三极管是( A ) A. NPN型硅管; B. NPN型锗管; C. PNP型硅管; D. PNP型锗管; 2.为了使放大电路Q点上移,应使基本放大电路中偏置电阻R b的值(C )。 A. 增大 B.不变 C. 减小 3.典型的差分放大电路中Re( B )。 A.对差模信号起抑制作用 B. 对共模信号起抑制作用 C. 对差模信号和共模信号均无作用 4.在差动电路中,若单端输入的差模输入电压为20V,则其共模输入电压为(C )。 A. 40V B. 20V C. 10V D. 5V 5.电流源的特点是( A )。 A .交流电阻大,直流电阻小; B . 交流电阻小,直流电阻大; C. 交流电阻大,直流电阻大; D. 交流电阻小,直流电阻小。 6.影响放大电路高频特性的主要因素是( D )。 A. 耦合电容和旁路电容的存在; B. 放大电路的静态工作点不合适; C. 半导体管的非线性特性; D. 半导体管极间电容和分布电容的存在; 7.关于理想运算放大器的错误叙述是( A )。 A.输入阻抗为零,输出阻抗也为零;B.输入信号为零时,输出处于零电位; C.频带宽度从零到无穷大;D.开环电压放大倍数无穷大 8.有T1 、T2和T3三只晶体管,T1的β=200,I CEO=200μA;T2的β=100,I CEO=10μA;T3的β=10,I CEO=100μA,其它参数基本相同,则实用中应选( B ) A. T1管; B. T2管; C. T3管 9.交流反馈是指( C ) A.只存在于阻容耦合电路中的负反馈;B.变压器耦合电路中的负反馈; C.交流通路中的负反馈;D.放大正弦信号时才有的负反馈; 10.RC桥式正弦波振荡电路是由两部分组成,即RC串并联选频网络和( D ) A. 基本共射放大电路; B. 基本共集放大电路; C. 反相比例运算电路; D. 同相比例运算电路; 四、分析与计算(本题共50分): 1.(本小题10分) 电路如图2所示,通过分析判断反馈组态,并近似计算其闭环电压增益A usf。 2.(本小题10分) 电路如图3所示,u2=10V,在下列情况下,测得输出电压平均值U o的数值各为多少?(1)正常情况时;(2)电容虚焊时;(3)R L开路时;(4)一只整流管和电容C同时开路时。 3.(本小题12分) 如图4所示电路中,A为理想运放,Vcc=16V,R L=8Ω,R1=10kΩ,R2=100kΩ,三极管的饱和管压降U CES=0V,U o=-10V。(1)合理连接反馈电阻R2;(2)设A输出电压幅值足够大,估算最大输出功率P om;(3)估算单个三极管的最大集电极

怎样利用电路仿真软件进行模拟电路课程的学习

怎样利用电路仿真软件进行模拟电路课程的学习电路分析实验报告 实验二 学习用multisim软件对电路进行仿真 一.实验要求与目的 1.进一步熟悉multisim软件的各种功能。 2.巩固学习用multisim软件画电路图。 3.学会使用multisim里面的各种仪器分析模拟电路。 4.用multisim软件对电路进行仿真。 二、实验仪器 电脑一台及其仿真软件。 三.实验内容及步骤

(1)在电子仿真软件Multisim 基本界面的电子平台上组建如图所示的仿真电路。双击电位器图标,将弹出的对话框的“Valve”选项卡的“Increment”栏改成“1”,将“Label”选项卡的“RefDes”栏改成“RP。 ” 2)调节RP大约在35%左右时,利用直流工作点分析方法分析直 流工作点的值。直流工作点分析(DC Operating Point Analysis)是用来分析和计算电路静态工作点的,进行分析时,Multisim 自动将电路分析条件设为电感、交流电压源短路,电容断开。 单击Multisim 菜单“Simulate/Analyses/DC operating Point…”,在弹出的对话框中选择待分析的电路节点,如2图所示。单击Simulate 按钮进行直流工作点分析。分析结果如图3所示。列出了

单级阻容耦合放大电路各节点对地电压数据,根据各节点对地电压数据,可容易计算出直流工作点的值,依据分析结果,将测试结果填入表1中,比较理论估算与仿真分析结果。 表1 静态工作点数据 电压放大倍数测试 (1)关闭仿真开关,从电子仿真软件Multisim 10基本界面虚拟仪器工具条中,调出虚拟函数信号发生器和虚拟双踪示波器,将虚拟函数信号发生器接到电路输入端,将虚拟示波器两个通道分别接到电路的输入端和输出端,如图4所示。 (2)开启仿真开关,双击虚拟函数信号发生器图标“XFG1”,将打开虚拟函数信号发生器放大面板,首确认“Waveforms”栏下选取的是正弦信号,然后再确认频率为1kHZ”;再确认幅度为 10mVp,如图5所示。 四.仿真分析 动态测量仿真电路

模拟电子技术基础期末考试试题(B)

模拟电子技术基础期末考试试题(B ) 姓名 班级 学号 计分 1.电路如图P1.4所示,已知u i =5sin ωt (V),二极管导通电压U D =0.7V 。试画出u i 与u O 的波形,并标出幅值。 (5分) 2. 设图中A 为理想运放,请求出各电路的输出电压值。(12分) U 01 = U 02 = U 03 = U 04 = U 05 = U 06 = 3. 电路如图所示,设满足深度负反馈条件。 1.试判断级间反馈的极性和组态; 2.试求其闭环电压放大倍数A uf 。 (10分) (1) (2) 10 k Ω (3) 20 k Ω 2(5) 2 o5 (6) 2 20 k Ω

4. 试用相位平衡条件判断图示两个电路是否有可能产生正弦波振荡。如可能振荡,指出该振荡电路属于什么类型(如变压器反馈式、电感三点式、电容三点式等),并估算其振荡频率。已知这两个电路中的L=0,C 1,C 2=F 。(8分) 5. 在图示电路中,设A 1、A 2、A 3均为理想运算放大器,其最大输出电压幅值为±12V 。 1. 试说明A 1、A 2、A 3各组成什么电路? 2. A 1、A 2、A 3分别工作在线形区还是非线形区? 3. 若输入为1V 的直流电压,则各输出端u O1、u O2、u O3的电压为多大?(10分) V CC V CC (a ) C b (b )

r=100Ω。 6.电路如图所示,晶体管的 =100,' bb A 、R i和R o; (1)求电路的Q点、 u (2)若电容C e开路,则将引起电路的哪些动态参数发生变化?如何变化?(15分) r=100Ω,U B E Q≈0.7。试计算R W滑动端7.图所示电路参数理想对称,晶体管的β均为50,' bb 在中点时T1管和T2管的发射极静态电流I EQ,以及动态参数A d和R i。(15分)

Multisim模拟电路仿真实验

实验19 Multisim 数字电路仿真实验 1.实验目的 用Multisim 的仿真软件对数字电路进行仿真研究。 2.实验内容 实验19.1 交通灯报警电路仿真 交通灯故障报警电路工作要求如下:红、黄、绿三种颜色的指示灯在下 列情况下属正常工作,即单独的红灯指示、黄灯指示、绿灯指示及黄、绿灯 同时指示,而其他情况下均属于故障状态。出故障时报警灯亮。 设字母R 、Y 、G 分别表示红、黄、绿三个交通灯,高电平表示灯亮, 低电平表示灯灭。字母Z 表示报警灯,高电平表示报警。则真值表如表 19.1所示。 逻辑表达式为:RY RG G Y R Z ++= 若用与非门实现,则表达式可化为:RY RG G Y R Z ??= Multisim 仿真设计图如图19.1所示: 图19.1的电路图中分别用开关A 、B 、C 模拟控制红、黄、绿灯的亮暗,开关接向高电平时表示灯亮,接向低电平时表示灯灭。用发光二极管LED1的亮暗模拟报警灯的亮暗。另外用了一个5V 直流电源、一个7400四2输入与非门、一个7404六反相器、一个7420双4输入与非门、一个500 表19.1 LED_red LED1 图19.1

欧姆电阻。 在模拟实验中可以看出,当开关A、B、C中只有一个拨向高电平,以及B、C同时拨向高电平而A拨向低电平时报警灯不亮,其余情况下报警灯均亮。 实验19.2数字频率计电路仿真 数字频率计电路(实验13.3)的工作要求如下:能测出某一未知数字信号的频率,并用数码管显示测量结果。如果用2位数码管,则测量的最大频率是99Hz。 数字频率计电路Multisim仿真设计图如图19.2所示。其电路结构是: 用二片74LS90(U1和U2)组成BCD码100进制计数器,二个数码管U3和U4分别显示十位数和个位数。四D触发器74LS175(U5)与三输入与非门7410(U6B)组成可自启动的环形计数器,产生闸门控制信号和计数器清0信号。信号发生器XFG1产生频率为1Hz、占空比为50%的连续脉冲信号,信号发生器XFG2产生频率为1-99Hz(人为设置)、占空比为50%的连续脉冲信号作为被测脉冲。三输入与非门7410(U6A)为控制闸门。 运行后该频率计进行如下自动循环测量: 计数1秒→显示3秒→清零1秒→…… 改变被测脉冲频率,重新运行。

模拟电子技术习题10套与答案

《模拟电子技术》复习题一 一、填空题 1、在N型半导体中,多数载流子是;在P型半导体中,多数载流子是。 2、场效应管从结构上分为结型和两大类,它属于控制性器件。 3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与负载之间接入(共射、共集、共基)组态放大电路。 4、在多级放大器中,中间某一级的电阻是上一级的负载。 5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态,一般要引入____________。 6、根据下图中各三极管的电位,判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。 7、正弦波振荡电路通常由,,和 四部分组成。 二、选择题 1、利用二极管的()组成整流电路。 A 正向特性 B 单向导电性 C反向击穿特性 2、P型半导体是在本征半导体中加入()后形成的杂质半导体。 A空穴 B三价元素硼 C五价元素锑 3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为( )场效应管。 A P沟道增强型MOS型 B P沟道耗尽型MOS型 C N沟道增强型MOS型 D N沟道耗尽型MOS型 E N沟道结型 F P沟道结型

图2-10 4、有一晶体管接在放大电路中,今测得它的各极对地电位分别为V 1=-4V,V 2=-1.2V,V 3=-1.4V,试判别管子的三个管脚分别是( )。 A 1:e、2:b、3:c B 1:c、2:e 、3:b C 1:c、2:b、3:e D 其它情况 5、集成运放中间级的作用是( )。 A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件,判断图2-6所示振荡电路中( )发生振荡。 A 可能 B 不能 7、差模信号电压是两个输入信号电压( )的值。 A 差 B 和 C 算术平均 8、在单相桥式整流电容滤波电路中,已知变压器二次电压有效值U 2=24V ,设二极管为理想二极管,用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ,问电路的现象是( )。 A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况 9、某仪表放大电路,要求输入电阻大,输出电流稳定,应选( )负反馈。 A 电压串联 B 电压并联 C 电流串联 D 电流并联 10、设图2-10所示电路中二极管D1、D2为理想二极管,判断它们是导通还是截止?( ) A D1导通,D2导通 B D1导通,D2截止 C D1截止,D2导通 D D1截止,D2截止 三、判断题 ( )1、温度升高后,本征半导体中自由电子和空穴数目都增多,且增量相同。 ( )2、结型场效应管通常采用两种偏置方式,即(源极)自给偏压式和栅极分压与源极自偏相结合的偏置方式。 ( )3、共集电极电路没有电压和电流放大作用。 ( )4、用电流源代替R e 后电路的差模倍数增加。 ( )5、集成运放内部第一级是差分放大电路,因此它有两个输入端。 ( )6、只有两个晶体管的类型相同(都为NPN 管或都为PNP 管时)才能组成复合管。 ( )7、RC 桥式振荡电路只要R f≤2R 1就能产生自激振荡。 ( )8、一个理想的差分放大电路,只能放大差模信号,不能放大共模信号。 ( )9、电压负反馈可以稳定输出电压。 ( )10、直流电源是一种电能形式转换电路,将交流电变为直流电。 四、分析题 电路如图所示: (1)写出输入级、中间级、输出级的电路名称。 + + +++ +------Rb1 Rb2Re1Re2 Rc RL C1Ce C1C2L 15V 8V Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1-2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1+2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3 图2-6 图2-4 图2-5图3-1 + + ++++ ------D2R Rb1 Rb2Re1 Re2 Rc RL C1 Ce C1 C2 L 15V 8V B=50 Ui Rf Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1 -2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1 +2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3图2-6 图2-4图2-5图3-1

Matlab第五章 Simulink模拟电路仿真

第五章Simulink模拟电路仿真 武汉大学物理科学与技术学院微电子系常胜

§5.1 电路仿真概要 5.1.1 MATLAB仿真V.S. Simulink仿真 利用MATLAB编写M文件和利用Simulink搭建仿真模型均可实现对电路的仿真,在实现电路仿真的过程中和仿真结果输出中,它们分别具有各自的优缺点。 武汉大学物理科学与技术学院微电子系常胜

ex5_1.m clear; V=40;R=5;Ra=25;Rb=100;Rc=125;Rd=40;Re=37.5; R1=(Rb*Rc)/(Ra+Rb+Rc); R2=(Rc*Ra)/(Ra+Rb+Rc); R3=(Ra*Rb)/(Ra+Rb+Rc); Req=R+R1+1/(1/(R2+Re)+1/(R3+Rd)); I=V/Req 武汉大学物理科学与技术学院微电子系常胜

ex5_1 武汉大学物理科学与技术学院微电子系常胜

武汉大学物理科学与技术学院微电子系常胜

注意Simulink仿真中imeasurement模块 /vmeasurement模块和Display模块/Scope模块的联合使用 Series RLC Branch模块中R、C、L的确定方式 R:Resistance设置为真实值Capacitance设置为inf(无穷大)Inductance设置为0 C:Resistance设置为0 Capacitance设置为真实值Inductance设置为0 L:Resistance设置为0Capacitance设置为inf Inductance设置为真实值 武汉大学物理科学与技术学院微电子系常胜

模拟电子技术基础试题汇总附有答案.

模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1.当温度升高时,二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示,由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0,则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工 作点过高,容易产生

( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示,二极管导通电压U D=0.7V,关于输出电压的说法正确的是( B )。 A:u I1=3V,u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B:u I1=3V,u I2=0.3V时输出电压为1V。 C:u I1=3V,u I2=3V时输出电压为5V。 D:只有当u I1=0.3V,u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线,静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A:集电极电源+V CC电压变高B:集电极负载电阻R C变高 C:基极电源+V BB电压变高D:基极回路电阻 R b变高。

8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中,A为理想运放,则电路的输出电压约为( A ) A. -2.5V B. -5V C. -6.5V D. -7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中,若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路

模拟电路仿真实验

模拟电路仿真实验 实验报告 班级: 学号: 姓名:

多级负反馈放大器的研究 一、实验目的 (1)掌握用仿真软件研究多级负反馈放大电路。 (2)学习集成运算放大器的应用,掌握多级集成运放电路的工作特点。 (3)研究负反馈对放大器性能的影响,掌握负反馈放大器性能指标的测试方法。 1.测试开环和闭环的电压放大倍数、输入电阻、反馈网络的电压反馈系数的通频带; 2.比较电压放大倍数、输入电阻、输出电阻和通频带在开环和闭环时的差别; 3.观察负反馈对非线性失真的改善。 二、实验原理及电路 (1)基本概念: 1.在电子电路中,将输出量(输出电压或输出电流)的一部分或全部通过一定的电路形式作用到输入回路,用来影响其输入量(放大电路的输入电压或输入电流)的措施称为反馈。 若反馈的结果使净输入量减小,则称之为负反馈;反之,称之为正反馈。若反馈存在于直流通路,则称为直流反馈;若反馈存在于交流通路,则称为交流反馈。 2.交流负反馈有四种组态:电压串联负反馈;电压并联负反馈;电流串联负反馈;电流并联负反馈。若反馈量取自输出电压,则称之为电压反馈;若反馈量取自输出电流,则称之为电流反馈。输入量、反馈量和净输入量以电压形式相叠加,称为串联反馈;以电流形式相叠加,称为并联反馈。 3.在分析反馈放大电路时,“有无反馈”决定于输出回路和输入回路是否存在反馈支路。“直流反馈或交流反馈”决定于反馈支路存在于直流通路还是交流通路;“正负反馈”的判断可采用瞬时极性法,反馈的结果使净输入量减小的为负反馈,使净输入量增大的为正反馈;“电压反馈或电流反馈”的判断可以看反馈支路与输出支路是否有直接接点,如果反馈支路与输出支路有直接接点则为电压反馈,否则为电流反馈;“串联反馈或并联反馈”的判断可以看反馈支路与输入支路是否有直接接点,如果反馈支路与输入支路有直接接点则为并联反馈,否则为串联反馈。 4.引入交流负反馈后,可以改善放大电路多方面的性能:提高放大倍数的稳定性、改变输入电阻和输出电阻、展宽通频带、减小非线性失真等。实验电路如图所示。该放大电路由两级运放构成的反相比例器组成,在末级的输出端引入了反馈网路C f 、R f2和R f1,构成了交流电压串联负反馈电路。 R110kΩ R2100kΩ R3 10kΩ R43.9kΩ R53.9kΩ R63.9kΩ R7200kΩ R81kΩ R94.7kΩR10300kΩ U1A LM324N 3 2 11 41 U1C LM324N 10 9 11 4 8 C110uF C210uF C3 10uF J1 Key = Space J2 Key = A VCC 10V VEE -10V 1 4 10 8 11 12 13 7 3 6 5VEE VCC 2 9

模拟电路期末考试题A卷

模拟电路试题B卷 一.(24分) 1)射极输出器的特性归纳为:电压增益,电压跟随性好,输入阻抗,输出阻抗,而且具有一定的放大能力和功率放大能力,射极输出器的反馈类型是。 2)电压负反馈可以使放大器的输出稳定,电流负反馈可以使放大器的输出稳定。 3)在差分放大电路中,大小相等、极性或相位一致的两个输入信号称为信号;大小相等,极性 或相位相反的两个输入信号称为信号。 4)在导体中导电的是,在半导体中导电的不仅有,而且有,这是半导体区别于导 体导电的重要特征。 5)PN结正向偏置时,反向偏置时,这种特性称为PN结的。 6)晶体三极管有两个PN结,即结和结,在放大电路中结必须正偏, 结必须反偏。 7)晶体三极管有型和型两种类型。 8)画放大器的直流通路时,将视为开路,画交流通路时,将和视为短;.

路。 二.(1.9分,2.9分,3.6分,共24分) 1.放大电路如图所示,T为锗NPN管. (1)设V cc=12V,R c=3kΩ,β=70,如果要将静态工作点电流I c调至1.5mA,问R b要取多大? (2)电路参数同上,如果要将静态工作点的电压V CE调至3.3V,问R b应多大? (3)在调整静态工作点时,如稍不小心把R b调至零,这时三极管是否会损坏,为什么?为避免损坏,电路上可 采取什么措施? 得分 ;.

2.已知电路参数如图所示,R g1=300kΩ,R g2=100kΩ,R g3=2MΩ,R d=10kΩ,R2=10kΩ,+V DD=+20V,场效应 管工作点的互导g m=1ms,设r d>>R d (1)画出小信号等效电路; (2)求电压增益A v; (3)求放大器的输入电阻R i 3.下面电路其输入,输出波形如图所示 试问: a)此电路产生何种类型失真? (饱和?截止?) b)为消除此失真,应如何调节电阻R b? ;.

模拟电子技术基础试题及复习资料

一、在括号内用“√”或“×”表明下列说法是否正确。 (1I)只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用;( ) (2)可以说任何放大电路都有功率放大作用;( ) (3)放大电路中输出的电流和电压都是有由有源元件提供的;( ) (4)电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的;( ) (5)放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作;( ) (6)由于放大的对象象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都豪无变化;( ) (7)只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。( ) 【解答】(1)×。放大的特征是功率的放大,电压电流其中一个或两个都放大都可称放大,但放大的前提条件是不能失真。 (2) √。放大的特征就是功率的放大。 (3)×。应该是由有源元件通过对输入信号的控制和转换得到的,而不是直接提供。 (4)×。. (5) √。设置合适的静态工作点。 (6)×。任何稳态信号都可分解为若干正弦波的叠加。 (7)×。 二、试分析图T2.2所示各电路是否能够放大正弦交流信号,简述理由。设图中所有电对交流信号均可视为短路。, 【解答1 (a)不能。因为输人信号被VBB所影响。 (a)

例1--3 为什么结型场效应管没有增强型的工作方式?能否用判别晶体管的简易方法 来判别结型和绝缘栅型场效应管的三个电极? 【解答】所谓增强型,即N沟道的场效应管必须在UGs>0的情况下才可能有导电沟道,P沟道的场效应管,必须在UGs<0的情况下才有导电沟道,在这两种情况下结型场效应管都将出现栅流,它不仅使场效应管失去了高输入电阻的特点,而且会造成管子损坏。 ‘而对于绝缘栅型效应管,由于宦容易积累电荷形成高电压,以致造成击穿现象,所以不能 用测晶体管的办法来检测。对于结型场效应管,则可以用判定晶体管基极的方法判定它的栅极,但不能用判定集电极和发射极的方法来判断源极和漏极。 自测题分析与解答 一、判断下列说法是否正确,用“√’’和“×’’表示判断结果填人空内。 (1)在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。( ) (2)因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。( ) (3)PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。( ) (4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。( ) (5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其 R大的特点。( ) GS u大于零,则其输入电阻会明显变小。( ) (6)若耗尽型N沟道MOS管的 GS 【解答】(1) √。三价元素产生空穴正好中和五价元素的自由电子,当空穴足够多时就能将N型半导体转变为P型半导体。,. (2)×。N型半导体内的多子,电子在没有受到激发的状态下,不能变成自由电子。 (3) √。由于扩散作用在空间形成空间电荷区,空间电荷区内电场的加强正好阻止扩散作用,所以在没有外加能量的作用下,结电流为零。 (4)×。在外加反向电压的作用下,基区的非平衡少子,在外电场作用下越过集电极到达 集电区形成漂移电流。 (5)√。当、|UGs l增大时,耗尽层加宽,沟道变窄,沟道电阻增大。当沟道消失时,RGs趋于无穷大。 4 (6)×。因为在制作MOS管子时,在Si02中渗人大量正离子,在正离子的作用下,P型衬 底表层形成反型层,因为反型层的存在,所以输入电阻不会明显变小。 二、选择正确答案填人空内。 (1)PN结加正向电压时,空间电荷区将。. A.变窄 B.基本不变 C.变宽 (2)稳压管的稳压区是其工作在。 A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为。 A.前者反偏、后者也反偏 B.前者正偏、后者反偏

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