九 ARM9(2440)对nand flash的读写操作
转载自：骨Zi里德骄傲
这篇文章转自别处，写的非常详细，让我们熟悉2440对nand flash 的整个操作过程：
s3c2440对nandflash的操作(K9F2G08)
nandflash在对大容量的数据存储中发挥着重要的作用。相对于norflash，它具有一些优势，但它的一个劣势是很容易产生坏块，因此在使用nandflash时，往往要利用校验算法发现坏块并标注出来，以便以后不再使用该坏块。nandflash 没有地址或数据总线，如果是8位nandflash，那么它只有8个IO口，这8个IO口用于传输命令、地址和数据。nandflash主要以page（页）为单位进行读写，以block（块）为单位进行擦除。每一页中又分为main区和spare区，main 区用于正常数据的存储，spare区用于存储一些附加信息，如块好坏的标记、块的逻辑地址、页内数据的ECC校验和等。
三星公司是最主要的nandflash供应商，因此在它所开发的各类处理器中，实现对nandflash的支持就不足为奇了。s3c2440不仅具有nandflash的接口，而且还可以利用某些机制实现直接从nandflash启动并运行程序。本文只介绍如何对nandflash实现读、写、擦除等基本操作，不涉及nandflash启动程序的问题。
在这里，我们使用的nandflash为K9F2G08U0A，它是8位的nandflash。不同型号的nandflash的操作会有所不同，但硬件引脚基本相同，这给产品的开发扩展带来了便利。因为不同型号的PCB板是一样的，只要更新一下软件就可以使用不同容量大小的nandflash。
K9F2G08U0A的一页为（2K＋64）字节（加号前面的2K表示的是main区容量，加号后面的64表示的是spare区容量），它的一块为64页，而整个设备包括了2048个块。这样算下来一共有2112M位容量，如果只算main区容量则有256M字节（即256M×8位）。要实现用8个IO口来要访问这么大的容量，K9F2G08U0A规定了用5个周期来实现。第一个周期访问的地址为A0~A7；第二个周期访问的地址为A8~A11，它作用在IO0~IO3上，而此时IO4~IO7必须为低电平；第三个周期访问的地址为A12~A19；第四个周期访问的地址为A20~A27；第五个周期访问的地址为A28，它作用在IO0上，而此时IO1~IO7必须为低电平。前两个周期传输的是列地址，后三个周期传输的是行地址。通过分析可知，列地址是用于寻址页内空间，行地址用于寻址页，如果要直接访问块，则需要从地址A18开始。
（2的12次方是4096，并不是2048，这是为什么？个人理解：为了兼容以后更大的NAND，NAND的地址序列可以把“列地址的长度”预留出来，虽说送的是A0-A7，A8-A11，实际取得是A0-A7，A8-A10；（页内地址空间））··········一共是2048*64=131072页，2的17次方
由于所有的命令、地址和数据全部从8位IO口传输，所以nandflash 定义了一个命令集来完成各种操作。有的操作只需要一个命令（即一个周期）即可，而有的操作则需要两个命令（即两个周期）来实现。下面的宏定义为K9F2G08U0A的常用命令：
#define CMD_READ1 0x00 //页读命令周期1
#define CMD_READ2 0x30 //页读命令周期2 #define CMD_READID 0x90 //读ID命令
#define CMD_WRITE1 0x80 //页写命令周期1
#define CMD_WRITE2 0x10 //页写命令周期2
#define CMD_ERASE1 0x60 //块擦除命令周期1 #define CMD_ERASE2 0xd0 //块擦除命令周期2 #define CMD_STATUS 0x70 //读状态命令
#define CMD_RESET 0xff //复位
#define CMD_RANDOMREAD1 0x05 //随意读命令周期1
#define CMD_RANDOMREAD2 0xE0 //随意读命令周期2
#define CMD_RANDOMWRITE 0x85 //随意写命令
在这里，随意读命令和随意写命令可以实现在一页内任意地址地读写。读状态命令可以实现读取设备内的状态寄存器，通过该命令可以获知写操作或擦除操作是否完成（判断第6位），以及是否成功完成（判断第0位）。
引脚配置：
OM[1:0] = 00: Enable NAND flash memory boot
NCON : NAND flash memory selection(Normal / Advance)
0: Normal NAND flash(256Words/512Bytes page size, 3/4 address cycle) 1: Advance NAND flash(1KWords/2KBytes page size, 4/5 address cycle) GPG13 : NAND flash memory page capacitance selection
0: Page=256Words(NCON = 0) or Page=1KWords(NCON = 1)
1: Page=512Bytes(NCON = 0) or Page=2KBytes(NCON = 1)
GPG14: NAND flash memory address cycle selection
0: 3 address cycle(NCON = 0) or 4 address cycle(NCON = 1)
1: 4 address cycle(NCON = 0) or 5 address cycle(NCON = 1)
（注：GPG13 GPG14 read only）
GPG15 : NAND flash memory bus width selection
0: 8-bit bus width
1: 16-bit bus width
与s3c2440的硬件连接：
下面介绍s3c2440的nandflash控制器。s3c2440支持8位或16位的每页大小为256字，512字节，1K字和2K字节的nandflash，这些配置是通过系统上电后相应引脚的高低电平来实现的。s3c2440还可以硬件产生ECC校验码，这为准确及时发现nandflash的坏块带来了方便。nandflash控制器的主要寄存器有NFCONF（nandflash配置寄存器），NFCONT（nandflash控制寄存器），NFCMMD （nandflash命令集寄存器），NFADDR（nandflash地址集寄存器），NFDATA （nandflash数据寄存器），NFMECCD0/1（nandflash的main区ECC寄存器），NFSECCD（nandflash的spare区ECC寄存器），NFSTAT（nandflash操作状态寄存器），NFESTAT0/1（nandflash的ECC状态寄存器），NFMECC0/1（nandflash 用于数据的ECC寄存器），以及NFSECC（nandflash用于IO的ECC寄存器）。
NFCMMD，NFADDR和NFDATA分别用于传输命令，地址和数据，为了方便起见，我们可以定义一些宏定义用于完成上述操作：
#define NF_CMD(data) {rNFCMD = (data); } //传输命令
#define NF_ADDR(addr) {rNFADDR = (addr); } //传输地址
#define
NF_RDDATA() (rNFDATA) //读32位数据
#define NF_RDDATA8() (rNFDATA8) //读8位数据
#define NF_WRDATA(data) {rNFDATA = (data); } //写32位数据
#define NF_WRDATA8(data) {rNFDATA8 = (data); } //写8位数据
其中rNFDATA8的定义为(*(volatile unsigned char *)0x4E000010) //0x4E000010此地址是NFDATA寄存器的地址
NFCONF主要用到了TACLS、TWRPH0、TWRPH1，这三个变量用于配置nandflash的时序。s3c2440的数据手册没有详细说明这三个变量的具体含义，但通过它所给出的时序图，我们可以看出，TACLS为CLE/ALE有效到nWE有效之间的持续时间，TWRPH0为nWE的有效持续时间，TWRPH1为nWE无效到CLE/ALE 无效之间的持续时间，这些时间都是以HCLK为单位的（本文程序中的HCLK=100MHz）。通过查阅K9F2G08U0A的数据手册，我们可以找到并计算该nandflash与s3c2440相对应的时序：K9F2G08U0A中的tWP与TWRPH0相对应，tCLH与TWRPH1相对应，（tCLS－tWP）与TACLS相对应。K9F2G08U0A给出的都是最小时间，s3c2440只要满足它的最小时间即可，因此TACLS、TWRPH0、TWRPH1这三个变量取值大一些会更保险。在这里，这三个值分别取1，2和0。NFCONF的第0位表示的是外接的nandflash是8位IO还是16位IO，这里当然要选择8位的IO。NFCONT寄存器是另一个需要事先初始化的寄存器。它的第13位和第12位用于锁定配置，第8位到第10位用于nandflash的中断，第4位到第6位用于ECC的配置，第1位用于nandflash芯片的选取，第0位用于nandflash 控制器的使能。另外，为了初始化nandflash，还需要配置GPACON寄存器，使它的第17位到第22位与nandflash芯片的控制引脚相对应。下面的程序实现了初始化nandflash控制器：
void NF_Init ( void )
{
rGPACON = (rGPACON &~(0x3f<<17)) | (0x3f<<17); //配置芯片引脚
//TACLS=1、TWRPH0=2、TWRPH1=0，8位IO，
rNFCONF = (TACLS<<12)|(TWRPH0<<8)|(TWRPH1<<4)|(0<<0);
//非锁定，屏蔽nandflash中断，初始化ECC及锁定main区和spare区ECC，使能nandflash片选及控制器
rNFCONT = (0<<13)|(0<<12)|(0<<10)|(0<<9)|(0<<8)|(1<<6)|(1<<5)|(1<<4)|(1<<1)|(1< <0);
}
为了更好地应用ECC和使能nandflash片选，我们还需要一些宏定义：#define NF_nFCE_L() {rNFCONT &= ~(1<<1); }
#define
NF_CE_L() NF_nFCE_L() //打开nandflash片选
#define NF_nFCE_H() {rNFCONT |= (1<<1); }
#define
NF_CE_H() NF_nFCE_H() //关闭nandflash片选
#define NF_RSTECC() {rNFCONT |= (1<<4); } //复位ECC
#define NF_MECC_UnLock() {rNFCONT &= ~(1<<5); } //解锁main区ECC
#define NF_MECC_Lock() {rNFCONT |= (1<<5); } //锁定main区ECC
#define NF_SECC_UnLock() {rNFCONT &= ~(1<<6); } //解锁spare区ECC
#define NF_SECC_Lock() {rNFCONT |= (1<<6); } //锁定spare区ECC
NFSTAT是另一个比较重要的寄存器，它的第0位可以用于判断nandflash 是否在忙，第2位用于检测RnB引脚信号：
#define
NF_WAITRB() {while(!(rNFSTAT&(1<<0)));} //等待nandflash不忙
#define NF_CLEAR_RB() {rNFSTAT |= (1<<2); } //清除RnB信号
#define
NF_DETECT_RB() {while(!(rNFSTAT&(1<<2)));} //等待RnB信号变高，即不忙
下面就详细介绍K9F2G08U0A的基本操作，包括复位，读ID，页读、写数据，随意读、写数据，块擦除等。
复位操作最简单，只需写入复位命令即可：
static void rNF_Reset()
{
NF_CE_L(); //打开nandflash片选 NF_CLEAR_RB(); //清除RnB信号
NF_CMD(CMD_RESET); //写入复位命令
NF_DETECT_RB(); //等待RnB信号变高，即不忙 NF_CE_H(); //关闭nandflash片选}
读取K9F2G08U0A芯片ID操作首先需要写入读ID命令，然后再写入0x00地址，就可以读取到一共五个周期的芯片ID，第一个周期为厂商ID，第二个周期为设备ID，第三个周期至第五个周期包括了一些具体的该芯片信息，这里就不多介绍：
static char rNF_ReadID()
{
char pMID;
char pDID;
char cyc3, cyc4, cyc5;
NF_nFCE_L(); //打开nandflash片选
NF_CLEAR_RB(); //清RnB信号
NF_CMD(CMD_READID); //读ID命令
NF_ADDR(0x0); //写0x00地址
//读五个周期的ID
pMID = NF_RDDATA8(); //厂商ID：0xEC
pDID = NF_RDDATA8(); //设备ID：0xDA
cyc3 = NF_RDDATA8(); //0x10
cyc4 = NF_RDDATA8(); //0x95
cyc5 = NF_RDDATA8(); //0x44
NF_nFCE_H(); //关闭nandflash片选
return (pDID);
}
下面介绍读操作，读操作是以页为单位进行的。如果在读取数据的过程中不进行ECC校验判断，则读操作比较简单，在写入读命令的两个周期之间写入要读取的页地址，然后读取数据即可。如果为了更准确地读取数据，则在读取完数据之后还要进行ECC校验判断，以确定所读取的数据是否正确。
在上文中我们已经介绍过，nandflash的每一页有两区：main区和spare区，main 区用于存储正常的数据，spare区用于存储其他附加信息，其中就包括ECC校验码。当我们在写入数据的时候，我们就计算这一页数据的ECC校验码，然后把校验码存储到spare区的特定位置中，在下次读取这一页数据的时候，同样我们也计算ECC校验码，然后与spare区中的ECC校验码比较，如果一致则说明读取的数据正确，如果不一致则不正确。ECC的算法较为复杂，好在s3c2440能够硬件产生ECC校验码，这样就省去了不少的麻烦事。s3c2440即可以产生main区的ECC校验码，也可以产生spare区的ECC校验码。因为K9F2G08U0A是8位IO口，因此s3c2440共产生4个字节的main区ECC码和2个字节的spare区ECC码。在这里我们规定，在每一页的spare区的第0个地址到第3个地址存储main区ECC，第4个地址和第5个地址存储spare区ECC。产生ECC校验码的过程为：在读取或写入哪个区的数据之前，先解锁该区的ECC，以便产生该区的ECC。在读取或写入完数据之后，再锁定该区的ECC，这样系统就会把产生的ECC码保存到相应的寄存器中。main区的ECC保存到NFMECC0/1中（因为K9F2G08U0A是8位IO口，因此这里只用到了NFMECC0），spare区的ECC保存到NFSECC中。对于读操作来说，我们还要继续读取spare区的相应地址内容，已得到上次写操作时所存储的main区和spare区的ECC，并把这些数据分别放入NFMECCD0/1和NFSECCD的相应位置中。最后我们就可以通过读取NFESTAT0/1（因为K9F2G08U0A 是8位IO口，因此这里只用到了NFESTAT0）中的低4位来判断读取的数据是否正确，其中第0位和第1位为main区指示错误，第2位和第3位为spare区指示错误。
下面就给出一段具体的页读操作程序：
U8 rNF_ReadPage(U32 page_number)
{
U32 i, mecc0, secc;
NF_RSTECC(); //复位ECC
NF_MECC_UnLock(); //解锁main区ECC
NF_nFCE_L(); //打开nandflash片选
NF_CLEAR_RB(); //清RnB信号
NF_CMD(CMD_READ1); //页读命令周期1
//写入5个地址周期
NF_ADDR(0x00); //列地址A0~A7
NF_ADDR(0x00); //列地址A8~A11
NF_ADDR((page_number) & 0xff); //行地址A12~A19
NF_ADDR((page_number >> 8) & 0xff); //行地址A20~A27 NF_ADDR((page_number >> 16) & 0xff); //行地址A28
NF_CMD(CMD_READ2); //页读命令周期2
NF_DETECT_RB(); //等待RnB信号变高，即不忙
//读取一页数据内容
for (i = 0; i < 2048; i++)
{
buffer[i] = NF_RDDATA8();
}
NF_MECC_Lock(); //锁定main区ECC值
NF_SECC_UnLock(); //解锁spare区ECC
mecc0=NF_RDDATA(); //读spare区的前4个地址内容，即第2048~2051地址，这4个字节为main区的ECC
//把读取到的main区的ECC校验码放入NFMECCD0/1的相应位置内
rNFMECCD0=((mecc0&0xff00)<<8)|(mecc0&0xff);
rNFMECCD1=((mecc0&0xff000000)>>8)|((mecc0&0xff0000)>>16);
NF_SECC_Lock(); //锁定spare区的ECC值
secc=NF_RDDATA(); //继续读spare区的4个地址内容，即第2052~2055地址，其中前2个字节为spare区的ECC值
//把读取到的spare区的ECC校验码放入NFSECCD的相应位置内
rNFSECCD=((secc&0xff00)<<8)|(secc&0xff);
NF_nFCE_H(); //关闭nandflash片选
//判断所读取到的数据是否正确
if ((rNFESTAT0&0xf) == 0x0)
return 0x66; //正确
else
return 0x44; //错误
}
这段程序是把某一页的内容读取到全局变量数组buffer中。该程序的输入参数直接就为K9F2G08U0A的第几页，例如我们要读取第128064页中的内容，可以调用该程序为：rNF_ReadPage(128064);。由于第128064页是第2001块中的第0页（128064＝2001×64＋0），所以为了更清楚地表示页与块之间的关系，也可以写为：rNF_ReadPage(2001*64);。
页写操作的大致流程为：在两个写命令周期之间分别写入页地址和数据，当然如果为了保证下次读取该数据时的正确性，还需要把main区的ECC值和spare区的ECC值写入到该页的spare区内。然后我们还需要读取状态寄存器，以判断这次写操作是否正确。下面就给出一段具体的页写操作程序，其中输入参数也是要写入数据到第几页：
U8 rNF_WritePage(U32 page_number)
{
U32 i, mecc0, secc;
U8 stat, temp;
temp = rNF_IsBadBlock(page_number>>6); //判断该块是否为坏块
if(temp == 0x33)
return 0x42; //是坏块，返回
NF_RSTECC(); //复位ECC
NF_MECC_UnLock(); //解锁main区的ECC
NF_nFCE_L(); //打开nandflash片选
NF_CLEAR_RB(); //清RnB信号
NF_CMD(CMD_WRITE1); //页写命令周期1
//写入5个地址周期
NF_ADDR(0x00); //列地址A0~A7
NF_ADDR(0x00); //列地址A8~A11
NF_ADDR((page_number) & 0xff); //行地址A12~A19
NF_ADDR((page_number >> 8) & 0xff); //行地址A20~A27
NF_ADDR((page_number >> 16) & 0xff); //行地址A28
//写入一页数据
for (i = 0; i < 2048; i++)
{
NF_WRDATA8((char)(i+6));
}
NF_MECC_Lock(); //锁定main区的ECC值
mecc0=rNFMECC0; //读取main区的ECC校验码 //把ECC校验码由字型转换为字节型，并保存到全局变量数组ECCBuf 中
ECCBuf[0]=(U8)(mecc0&0xff);
ECCBuf[1]=(U8)((mecc0>>8) & 0xff);
ECCBuf[2]=(U8)((mecc0>>16) & 0xff);
ECCBuf[3]=(U8)((mecc0>>24) & 0xff);
NF_SECC_UnLock(); //解锁spare区的ECC
//把main区的ECC值写入到spare区的前4个字节地址内，即第2048~2051地址
for(i=0;i<4;i++)
{
NF_WRDATA8(ECCBuf[i]);
}
NF_SECC_Lock(); //锁定spare区的ECC值
secc=rNFSECC; //读取spare区的ECC校验码
//把ECC校验码保存到全局变量数组ECCBuf中
ECCBuf[4]=(U8)(secc&0xff);
ECCBuf[5]=(U8)((secc>>8) & 0xff);
//把spare区的ECC值继续写入到spare区的第2052~2053地址内
for(i=4;i<6;i++)
{
NF_WRDATA8(ECCBuf[i]);
}
NF_CMD(CMD_WRITE2); //页写命令周期2
delay(1000); //延时一段时间，以等待写操作完成
NF_CMD(CMD_STATUS); //读状态命令
//判断状态值的第6位是否为1，即是否在忙，该语句的作用与NF_DETECT_RB();相同
do{
stat = NF_RDDATA8();
}while(!(stat&0x40));
NF_nFCE_H(); //关闭nandflash片选
//判断状态值的第0位是否为0，为0则写操作正确，否则错误
if (stat & 0x1)
{
temp = rNF_MarkBadBlock(page_number>>6); //标注该页所在的块为坏块
if (temp == 0x21)
return 0x43 //标注坏块失败
else
return 0x44; //写操作失败}
else
return 0x66; //写操作成功
}
NAND Flash 存储器 和 使用ELNEC编程器烧录NAND Flash 技术应用文档 Summer 翻译整理 深圳市浦洛电子科技有限公司 August 2006
目录 一． 简介 ----------------------------------------------------------------------------------- 1 二． NAND Flash与NOR Flash的区别 -------------------------------------------- 1 三． NAND Flash存储器结构描叙 --------------------------------------------------- 4 四． 备用单元结构描叙 ---------------------------------------------------------------- 6 五． Skip Block method（跳过坏块方式） ------------------------------------------ 8 六． Reserved Block Area method（保留块区域方式）----------------------------- 9 七． Error Checking and Correction（错误检测和纠正）-------------------------- 10 八． 文件系统 ------------------------------------------------------------------------------10 九． 使用ELNEC系列编程器烧录NAND Flash -------------------------------- 10 十． Invalid Block Management drop-down menu -------------------------------- 12 十一． User Area Settings3 -------------------------------------------------------- 13 十二． Solid Area Settings --------------------------------------------------------- 15 十三． Quick Program Check-box ---------------------------------------------- 16 十四． Reserved Block Area Options --------------------------------------------17 十五． Spare Area Usage drop-down menu ------------------------------------18
C语言读写文件操作 #include
NOR-FLASH驱动文档(SST39VF1601)2012-03-30 00:57:33 NOR-FLASH是最早出现的Flash Memory，目前仍是多数供应商支持的技术架 构.NOR-FLASH在擦除和编程操作较少而直接执行代码的场合，尤其是纯代码存储的应用中广泛使用,但是由于NOR-FLASH只支持块擦除,其擦除和编程速度较慢，而块尺寸又较大，导致擦除和编程操作所花费的时间很长,所以在纯数据存储和文件存储的应用中显得力不从心. NOR-FLASH的特点是: 1. 程序和数据可存放在同一芯片上，FLASH芯片拥有独立的数据总线和地址总线，能快速随 机读取，并且允许系统直接从Flash中读取代码执行，而无需先将代码下载至RAM中再执行； 2. 可以单字节或单字读取，但不能单字节擦除，必须以部分或块为单位或对整片执行擦除操 作，在执行写操作之前,必需先根据需要对部分,块或整片进行擦除,然后才能写入数据。 以SST系列NOR-FLASH芯片为例介绍FLASH的使用方法及驱动. 首先,在驱动的头文件中,要根据芯片的具体情况和项目的要求作如下定义: 1. 定义操作的单位,如 typedef unsigned char BYTE; // BYTE is 8-bit in length typedef unsigned short int WORD; // WORD is 16-bit in length typedef unsigned long int Uint32; // Uint32 is 32-bit in length 在这里地址多是32位的,芯片写操作的最小数据单位为WORD,定义为16位,芯片读操作的最小数据单位是BYTE,定义为8位. 2. 因为芯片分为16位和32位的,所以对芯片的命令操作也分为16位操作和32位操作(命令 操作在介绍具体的读写过程中将详细介绍). #ifdef GE01 /*宏NorFlash_32Bit，若定义了为32位NorFlash，否则为16位NorFlash*/ #define NorFlash_32Bit #endif 3. 根据芯片的情况,定义部分(段)和块的大小. #define SECTOR_SIZE 2048 // Must be 2048 words for 39VF160X #define BLOCK_SIZE 32768 // Must be 32K words for 39VF160X
C#中的文件读写操作详解（摘自互动维客：https://www.doczj.com/doc/181542619.html,,更多内容 请访问互动维客！） C#中的文件操作详解 微软的.Net框架为我们提供了基于流的I/O操作方式，这样就大大简化了开发者的工作。因为我们可以对一系列的通用对象进行操作，而不必关心该I/O操作是和本机的文件有关还是和网络中的数据有关。.Net框架主要为我们提供了一个System.IO命名空间，该命名空间基本包含了所有和I/O操作相关的类。 本文将向大家介绍一些基本的文件操作方法，包括对文件系统中的目录和文件的操作，还有就是文件的读写操作等。通过运用System.IO.DirectoryInfo类和System.IO.FileInfo类我们可以轻易的完成与目录和文件相关的操作，而通过运用System.IO.StreamReader类和System.IO.StreamWriter类我们可以方便的完成与文件的读写相关的操作。 命名空间概览 下面的表格显示了System.IO命名空间中最重要的一些类，通过运用这些类我们就能完成基本的文件操作。 表1 类名功能和用途 BinaryReader、BinaryWriter 读写二进制数据 Directory、File、DirectoryInfo以及FileInfo 创建、删除并移动目录和文件，通过属性获取特定目录和文件的相关信息 FileStream 以随机方式访问文件 MemoryStream 访问存储在内存中的数据 StreamReader 、StreamWriter 读写文本数据信息 StringReader、StringWriter 运用字符串缓冲读写文本数据信息 运用DirectoryInfo类和FileInfo类 DirectoryInfo类和FileInfo类的基类都是FileSystemInfo类，这个类是一个抽象类，也就是说你不可以实例化该类，只能通过继承产生其子类并实例化其子类。然而你却可以运用由该类定义的各种属性，下面的表格显示了该类已经定义了的各种属性。 表2 属性功能和用途
浅谈NorFlash的原理及其应用 NOR Flash NOR Flash是现在市场上两种主要的非易失闪存技术之一。Intel 于1988年首先开发出NOR Flash 技术，彻底改变了原先由EPROM（Erasable Programmable Read-Only-Memory电可编程序只读存储器）和EEPROM（电可擦只读存储器Electrically Erasable Programmable Read - Only Memory）一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND Flash 结构，强调降低每比特的成本，有更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。NOR Flash 的特点是芯片内执行（XIP ，eXecute In Place），这样应用程序可以直接在Flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR 的传输效率很高，在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响到它的性能。NAND的结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于Flash的管理需要特殊的系统接口。性能比较 flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash 器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NAND之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作（尤其是更新小文件时），更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。 l 、NOR的读速度比NAND稍快一些。 2、NAND的写入速度比NOR快很多。 3 、NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。 4 、大多数写入操作需要先进行擦除操作。 5 、NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。此外，NAND 的实际应用方式要比NOR复杂的多。NOR可以直接使用，并可在上面直接运行代码；而NAND需要I/O接口，因此使用时需要驱动程序。不过当今流行的操作系统对NAND结构的Flash都有支持。此外，Linux内核也提供了对NAND结构的Flash的支持。详解 NOR
matlab文件操作及读txt文件(fopen,fseek,fread,fclose) matlab文件操作 文件操作是一种重要的输入输出方式，即从数据文件读取数据或将结果写入数据文件。MATLAB提供了一系列低层输入输出函数，专门用于文件操作。 1、文件的打开与关闭 1）打开文件 在读写文件之前，必须先用fopen函数打开或创建文件，并指定对该文件进行的操作方式。fopen函数的调用格式为： fid=fopen（文件名，‘打开方式’） 说明：其中fid用于存储文件句柄值，如果返回的句柄值大于0，则说明文件打开成功。文件名用字符串形式，表示待打开的数据文件。常见的打开方式如下：λ‘r’：只读方式打开文件（默认的方式），该文件必须已存在。 ‘r+’：读写方式打开文件，打开后先读后写。该文件必须已存在。λ λ‘w’：打开后写入数据。该文件已存在则更新；不存在则创建。 ‘w+’：读写方式打开文件。先读后写。该文件已存在则更新；不存在则创建。λ λ‘a’：在打开的文件末端添加数据。文件不存在则创建。 λ‘a+’：打开文件后，先读入数据再添加数据。文件不存在则创建。 另外，在这些字符串后添加一个“t”，如‘rt’或‘wt+’，则将该文件以文本方式打开；如果添加的是“b”，则以二进制格式打开，这也是fopen函数默认的打开方式。
2）关闭文件 文件在进行完读、写等操作后，应及时关闭，以免数据丢失。关闭文件用fclose 函数，调用格式为： sta＝fclose(fid) 说明：该函数关闭fid所表示的文件。sta表示关闭文件操作的返回代码，若关闭成功，返回0，否则返回-1。如果要关闭所有已打开的文件用fclose(‘all’)。 2、二进制文件的读写操作 1）写二进制文件 fwrite函数按照指定的数据精度将矩阵中的元素写入到文件中。其调用格式为：COUNT＝fwrite（fid，A，precision） 说明：其中COUNT返回所写的数据元素个数（可缺省），fid为文件句柄，A用来存放写入文件的数据，precision代表数据精度，常用的数据精度有：char、uchar、int、long、float、double等。缺省数据精度为uchar，即无符号字符格式。 例6.8 将一个二进制矩阵存入磁盘文件中。 >> a=[1 2 3 4 5 6 7 8 9]; >> fid=fopen('d:\test.bin','wb') %以二进制数据写入方式打开文件 fid =3 %其值大于0，表示打开成功 >> fwrite(fid,a,'double') ans = 9 %表示写入了9个数据 >> fclose(fid)
NAND FLASH相对于NOR FLASH而言，其容量大，价格低廉，读写速度都比较快，因而得到广泛应用。NOR FLASH的特点是XIP，可直接执行应用程序， 1～4MB时应用具有很高的成本效益。但是其写入和擦除的速度很低直接影响了其性能。 NAND FLASH不能直接执行程序，用于存储数据。在嵌入式ARM应用中，存储在其中的数据通常是读取到SDROM中执行。因为NAND FLASH主要接口包括 几个I/O口，对其中的数据都是串行访问，无法实现随机访问，故而没有执行程序。 NAND FLASH接口电路是通过NAND FLAH控制器与ARM处理器相接的，许多ARM处理器都提供NAND FLASH控制器，为使用NAND FLASH带来巨大方便。 K9F2G08U0B是三星公司的一款NAND FLASH产品。 K9F2G08U0B包含8个I/O，Vss、Vcc、以及控制端口（CLE、ALE、CE、RE、WE、WP、R/B）。其存储结构分块。 共2K 块 每块大小16 页 每页大小2K + 64BYTE 即容量=块数×页数×每页大小=2K×16×（2K + 64BYTE）=256M BYTE + 8M BYTE NAND FLASH控制器提供了OM[1:0]、NCON、GPG13、GPG14、GPG15共5个信号来选择NAND FLASH启动。 OM[1:0]=0b00时，选择从NAND FLASH启动。 NCON：NAND FLASH类型选择信号。 GPG13：NAND FLASH页容量选择信号。 GPG14：NAND FLASH地址周期选择信号。 GPG15:NAND FLASH接口线宽选择。0：8bit总线宽度；1：16bit总线宽度。 访问NAND FLASH 1）发生命令：读、写、还是擦除 2）发生地址：选择哪一页进行上述操作 3）发生数据：需要检测NAND FLASH内部忙状态 NAND FLASH支持的命令： #define CMD_READ1 0x00 //页读命令周期1 #define CMD_READ2 0x30 //页读命令周期2 #define CMD_READID 0x90 //读ID 命令 #define CMD_WRITE1 0x80 //页写命令周期1 #define CMD_WRITE2 0x10 //页写命令周期2 #define CMD_ERASE1 0x60 //块擦除命令周期1 #define CMD_ERASE2 0xd0 //块擦除命令周期2 #define CMD_STATUS 0x70 //读状态命令 #define CMD_RESET 0xff //复位 #define CMD_RANDOMREAD1 0x05 //随意读命令周期1
Matlab 的各种数据读取、文件读写等操作汇总 MATLAB 提供了多种方式从磁盘读入文件或将数据输入到工作空间，即读取数据，又叫导入数据；将工作空间的变量存储到磁盘文件中称为存写数据，又叫导出数据。至于选择哪种机制，则根据下面两个因素决定：?用户所执行的 操作是导入数据还是导出数据；?数据的格式为文本格式、 二进制格式还是如HDF 之类的标准格式。将数据导入MATLAB 中最容易的方法就是使用导入数据模板(Import Wizard) ，使用该模板时不需要知道数据的格式，只需指定包含这些数据的文件，然后导入模板会自动处理文件内容。本章重点内容如下：? 文件的打开和关闭? 文本文件的读取?存写ASCII数据?二进制数据的读取? 二进制数据的存写? 使用I/O文件函数进行数据读写?MAT 文件的读写 2.1 文件的打开和关闭2.1.1 文件的打开无论是要读写ASCII 码文件还是二进制文件，都必须先用fopen 函数将其打开，在默认情况下，fopen 以二进制格式打开文件，它的使用语法如下：fopen ('filename', 'mode') 其中filename 表示要读写的文件名称，mode 则表示要对文件进行的处理方式，如下：rt :以只读方式(Reading)打开文件wt:以只写方式(Writing)打开文件at:以追加方式(Appending)打开文件，新内容将从原文件后面续写r+t:以同时读写方式打开文件w+t ：以同时读写创建文件，原文件内容被清除
a+t ：以同时读和追加(Reading and Appdending) 方式，原文件内容被保留，新内容将从原文件的后面开始At ：以读写方式打开或创建文件，适用于对磁带介质文件的操作Wt ：以写入方式打 开或创建文件，原文件内容被清除，适用于磁带介质文件的操作fopen 函数有两个返回值，一个是返回一个文件标志(file Identifier) ，它会作为参数被传入其他对文件进行读写操作的命令，通常是一个非负的整数，可用此标识来对此文件进行各种处理。如果返回的文件标识是-1，则代表fopen无法打开文件，其原因可能是文件不存在，或是用户无法打开此文件权限。另一个返回值就是message ，用于返回无法打开文件的原因。为了安全起见，最好在每次使用fopen 函数时，都测试其返回值是否为有效值。下面以脚本m 文件为例来声明文件的打开。例 2-1 %exam1.m[f,message]=fopen('fileexam1', 'r')if f==-1disp (message); % 显示错误信息end 若文件fileexam1 不存在，则显示如下信息。Cannot open file.existence?permissions?memory?... 例2-2 %exam2.m[f,message]=fopen('fileexam2', 'r');if f==-1disp (message); % 显示错误信息else disp(f);end 若文件fileexam2 存在，则返回f值。 2.1.2 文件的关闭一旦完成文件的读写，最好关闭文件，以便对其进行其他操作。这时就可以使用fclose 函数来关闭文件，其适用语法如下：fclose(f) 。其中 f 为打开文件的标志，若fclose 函数返回值为0 ，则表示成功关闭 f 标志的文件；若返回值为-1，
本文原创于观海听涛,原作者版权所有,转载请注明出处。 近几天开发项目需要用到STM32驱动NAND FLASH,但由于开发板例程以及固件库是用于小页(512B,我要用到的FLASH为1G bit的大页(2K,多走了两天弯路。以下笔记将说明如何将默认固件库修改为大页模式以驱动大容量NAND,并作驱动。 本文硬件:控制器:STM32F103ZET6,存储器:HY27UF081G2A 首先说一下NOR与NAND存储器的区别,此类区别网上有很多,在此仅大致说明: 1、Nor读取速度比NAND稍快 2、Nand写入速度比Nor快很多 3、NAND擦除速度(4ms远快于Nor(5s 4、Nor 带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很轻松的挂接到CPU 地址和数据总线上,对CPU要求低 5、NAND用八个(或十六个引脚串行读取数据,数据总线地址总线复用,通常需要CPU支持驱动,且较为复杂 6、Nor主要占据1-16M容量市场,并且可以片内执行,适合代码存储 7、NAND占据8-128M及以上市场,通常用来作数据存储 8、NAND便宜一些 9、NAND寿命比Nor长 10、NAND会产生坏块,需要做坏块处理和ECC 更详细区别请继续百度,以上内容部分摘自神舟三号开发板手册
下面是NAND的存储结构: 由此图可看出NAND存储结构为立体式 正如硬盘的盘片被分为磁道,每个磁道又分为若干扇区,一块nand flash也分为若干block,每个block分为如干page。一般而言,block、page之间的关系随着芯片的不同而不同。 需要注意的是,对于flash的读写都是以一个page开始的,但是在读写之前必须进行flash 的擦写,而擦写则是以一个block为单位的。 我们这次使用的HY27UF081G2A其PDF介绍: Memory Cell Array = (2K+64 Bytes x 64 Pages x 1,024 Blocks 由此可见,该NAND每页2K,共64页,1024块。其中:每页中的2K为主容量Data Field, 64bit为额外容量Spare Field。Spare Field用于存贮检验码和其他信息用的,并不能存放实际的数据。由此可算出系统总容量为2K*64*1024=134217728个byte,即1Gbit。NAND闪存颗粒硬件接口: 由此图可见,此颗粒为八位总线,地址数据复用,芯片为SOP48封装。 软件驱动:(此部分写的是伪码,仅用于解释含义,可用代码参见附件 主程序: 1. #define BUFFER_SIZE 0x2000 //此部分定义缓冲区大小,即一次写入的数据 2. #define NAND_HY_MakerID 0xAD //NAND厂商号 3. #define NAND_HY_DeviceID 0xF1 //NAND器件号 4. /*配置与SRAM连接的FSMC BANK2 NAND*/
Java流 一、流的分类 ?按数据流动方向 –输入流：只能从中读取字节数据，而不能向其写出数据 –输出流：只能向其写入字节数据，而不能从中读取数据?按照流所处理的数据类型 –字节流：用于处理字节数据。 –字符流：用于处理Unicode字符数据。 ?按照流所处理的源 –节点流:从/向一个特定的IO设备读/写数据的流。（低级流）–处理流:对已存在的流进行连接和封装的流。（高级流）二、缓冲流 ?缓冲流要“套接”在相应的节点流之上，对读写的数据提供了缓冲的功能，提高了读写的效率，同时增加了一些新的方法。 ?J2SDK提供了四种缓存流： –BufferedReader –BufferedWriter –BufferedInputStream s –BufferedOutputStream
?缓冲输入流支持其父类的mark()和reset()方法： –mark()用于“标记”当前位置，就像加入了一个书签，可以使用reset()方法返回这个标记重新读取数据。?BufferedReader提供了readLine()方法用于读取一行字符串（以\r 或\n分隔）。 ?BufferedWriter提供了newLine()用于写入一个行分隔符。 ?对于输出的缓冲流，写出的数据会先在内存中缓存，使用flush()方法将会使内存中的数据立刻写出。 三、类层次 3.1、InputStream类层次
3.2、OutputStream类层次 3.3、Reader类层次
3.4、Writer类层次 四、常用的字符流与字节流的转化 说明： 1.字节流用于读写诸如图像数据之类的原始字节流。 2.字符流用于读写诸如文件数据之类的字符流。 3.低级流能和外设交流。 4.高级流能提高效率。 5.InputStreamReader 是字节流通向字符流的桥梁。 6.OutputStreamWriter 是字符流通向字节流的桥梁。
NAND FLASH在储存测试系统中的应用(3) 2009-11-09 22:35:43 来源:王文杰马游春李锦明 关键字：NAND FLASH 储存测试K9K8G08UOM 2 NAND FLASkI Memory的硬件部分 本设计当中，FLASH的数据输入输出口、控制端口通过调理电路与FPGA的端口相连，图4所示是其硬件连接电路。 从图4中可知，FLASH的数据输入输出端口I／00～7、控制端口／CE、是通过芯片SN54LV245与FPGA相连；FLASH的控制端口cLE、ALE、／WE、／RE通过芯片SN54LV245和芯片74HCl4与ITGA相连。其中F-CLE、F-ALE、F—WE、F-RE、F—CE、F- R／Bur是FPGA的I／O口，是FPGA逻辑的输入输出口。CLE、ALE信号是FLASH存储器命令、地址锁存使能信号,／WE是保证命令、地址、数据能否及时正确的写入FLASH 的信号，／RE信号控制着数据的读取，这些信号的精确度关系着FLASH存储、读数功能的实现。所以，这些信号的好坏直接关系着FLASH的正常工作。经实践的电路调试，这些信号在传输过程中受到了其它因素的干扰，信号明显失真，在电路中加入74HCl4(非门)以后，信号会变得光滑，准确。 芯片SN54LV245是八进制三态总线收发器，DIR=1时，总线传输方向从A→B；DIR=0时，总线传输方向从B→A。／OE是片选信号。／0E，DIR信号是由FPGA内部编程逻辑控制的。 FL,ASH接口中，为了保证／wE、／RE、／CE、R／B控制信号初始状态无效，由硬件电路实现端口值拉高。本设计中不使用写保护功能，所以／WP端口也接上了上拉电阻。 3 结束语 基于闪存技术的固态存储器存储密度大，功耗小，可靠性高，体积小重量轻且成本也在不断降f氐，在航空应用中有良好的应用前景。在设计储存测试系统时选用大容量的NAIXD FLASH存储器大大提高了储存、读取速度，并且设计电路结构简单，易于修改。 (本文转自电子工程世界：http://www.eewo
文本文件的读写 正确的文本文件读写过程 1.定义文件变量； 2.打开指定的文件； 3.向从文本文件中写入信息； 4.从文本文件中读取信息； 5.关闭文件 1、定义文件变量 定义文件变量格式：CStdioFile 文件变量； 例如，定义一个名称为f1的文件变量，语句如下：CStdioFile f1; 2、打开指定文件 可以直接通过CStdioFile的构造函数来打开磁盘文件，同时可以用标志位指定打开方式（只读、只写、读写等）： CStdioFile(LPCTSTR lpszFileName,UINT nOpenFlags); 其中，lpszFileName表示要打开的文件名，可以是相对路径或绝对路径 nOpenFlags设置文件打开方式标志位，可以指定用“|”连接多个标志位。下面是常用的打开标志： CFile::typeText：以文本文件的形式打开文件 CFile::typeBinary：以二进制文件的形式打开文件 CFile::modeCreate：如果指定文件名的文件不存在，则新建文件；如果文件存在并且没有设置CFile::modeNoTruncate标志，则清空文件。 CFile::modeNoTruncate：如果文件存在，不把它的长度删除为0（即不清空文件中的数据）。
：以只读方式打开文件 CFile::modeReadWrite：以可读可写方式打开文件 CFile::modeWrite：以只写方式打开文件 CFile::shareDenyNone：文件打开后，不禁止其他进程对文件的读写操作CFile::shareExclusive：文件打开后，禁止其他进程对文件的读写操作CFile::shareDenyRead：文件打开后，禁止其他进程对文件的读操作
6 NAND FLASH CONTORLLER OVERVIEW In recent times, NOR flash memory gets high in price while an SDRAM and a NAND flash memory is comparatively economical , motivating some users to execute the boot code on a NAND flash and execute the main code on an SDRAM. S3C2440A boot code can be executed on an external NAND flash memory. In order to support NAND flash boot loader, the S3C2440A is equipped with an internal SRAM buffer called ‘Steppingstone’. When booting, the first 4K Bytes of the NAND flash memory will be loaded into Steppingstone and the boot code loaded into Steppingstone will be executed. Generally, the boot code will copy NAND flash content to SDRAM. Using hardware ECC, the NAND flash data validity will be checked. Upon the completion of the copy, the main program will be executed on the SDRAM. comparatively 比较地、相当地 motivating v. 激励；刺激；调动…的积极性（motivate的ing形式） execute vt. 实行；执行；处死 internal n. 内脏；本质adj. 内部的；里面的；体内的；（机构）内部的 Steppingstone n. 踏脚石；进身之阶；达到目的的手段 validity n. [计] 有效性；正确；正确性 content n. 内容，目录；满足；容量adj. 满意的；vt. 使满足 FEATURES 1. Auto boot: The boot code is transferred into 4-kbytes Steppingstone during reset. After the transfer, the boot code will be executed on the Steppingstone. 2. NAND Flash memory I/F: Support 256Words, 512Bytes, 1KWords and 2KBytes Page. 3. Software mode: User can directly access NAND flash memory, for example this feature can be used in read/erase/program NAND flash memory. 4. Interface: 8 / 16-bit NAND flash memory interface bus. 5. Hardware ECC generation, detection and indication (Software correction). 6. SFR I/F: Support Little Endian Mode, Byte/half word/word access to Data and ECC Data register, and Word access to other registers 7. SteppingStone I/F: Support Little/Big Endian, Byte/half word/word access. 8. The Steppingstone 4-KB internal SRAM buffer can be used for another purpose after NAND flash booting. 特性 1。自动引导:在复位时，引导代码写入4-k字节的中转区，在转移后启动 代码将在中转区上执行。 2。NAND闪存接口:支持256字，512字节，1k字和2KB字节页。 3。软件模式:用户可以直接访问NAND闪存，例如这个特性可以用于 读/写/擦除NAND闪存。
C语言文件操作之----文件的读写 当文件按指定的工作方式打开以后，就可以执行对文件的读和写。下面按文件的性质分类进行操作。针对文本文件和二进制文件的不同性质，对文本文件来说，可按字符读写或按字符串读写；对二进制文件来说，可进行成块的读写或格式化的读写。 1. 读写字符 C提供fgetc和fputc函数对文本文件进行字符的读写，其函数的原型存于stdio.h头文件中，格式为： int fgetc(FILE *stream) fgetc( )函数从输入流的当前位置返回一个字符，并将文件指针指示器移到下一个字符处，如果已到文件尾，函数返回EOF，此时表示本次操作结束，若读写文件完成，则应关闭文件。 int fputc(int ch,FILE *stream) fputc（）函数完成将字符c h的值写入所指定的流文件的当前位置处，并将文件指针后移一位。fputc()函数的返回值是所写入字符的值，出错时返回EOF。 [例8-2] 将存放于磁盘的指定文本文件按读写字符方式逐个地从文件读出，然后再将其显示到屏幕上。采用带参数的main( )，指定的磁盘文件名由命令行方式通过键盘给定。 ＃i nclude
int argc; char *argv[]; { char ch; FILE *fp; int i; if((fp=fopen(argv[1],"r"))==NULL) /* 打开一个由argv[1]所指的文件*/ { printf("not open"); exit(0); } while ((ch=fgetc(fp))!=EOF) /* 从文件读一字符，显示到屏幕*/ putchar(ch); fclose(fp); } 程序是一带参数的main( )函数，要求以命令行方式运行，其参数argc是用于记录输入参数的个数，argv是指针数组，用于存放输入参数的字符串，串的个数由argc描述。假设我们指定读取的文件名为L8-2.c，并且列表文件内容就是源程序。经过编译和连接生成可执行的文件L8-2.exe。运行程序l8-2.exe，输入的命令行方式为：c:\tc>l8-2 L8-2.c
目录 1．概述 (2) 2．功能框图 (3) 3．管脚 (3) 4．寻址 (4) 5．总线操作 (5) 6．命令表 (6) 7．PAGE READ，0x00-0x30 (7) 8．RANDOM DATA READ，0x05-0xE0 (7) 9．PAGE READ CACHE MODE START，0x31；PAGE READ CACHE MODE START LAST，0x3F (8) 10．READ ID，0x90 (8) 11．READ STATUS，0x70 (9) 12．编程操作 (9) 13．内部数据搬移 (11) 14．块擦除操作，0x60-0xD0 (12) 15．复位操作，0xFF (13) 16．写保护操作 (13) 17．错误管理 (14)
以Micron公司的MT29F2G08为例介绍NAND Flash原理和使用。 1．概述 MT29F2G08使用一个高度复用的8-bit总线（I/O[7:0]）来传输数据、地址、指令。5个命令脚（CLE、ALE、CE#、WE#）实现NAND命令总线接口规程。3个附加的脚用作: 控制硬件写保护（WP#）、监视芯片状态（R/B#），和发起上电自动读特征（PRE-仅3V芯片支持）。注意, PRE功能不支持宽温芯片。 MT29F2G08内部有2048个可擦除的块，每个块分为64个可编程的页，每个页包含2112字节（2048个字节作为数据存储区，64个备用字节一般作为错误管理使用）。 每个2112个字节的页可以在300us内编程，每个块（64x2112=132K）可以在2ms内被擦除。片上控制逻辑自动进行PROGRAM和ERASE操作。 NAND的内部存储阵列是以页为基本单位进行存取的。读的时候，一页数据从内部存储阵列copy到数据寄存器，之后从数据寄存器按字节依次输出。写（编程）的时候，也是以页为基本单位的：起始地址装载到内部地址寄存器之后，数据被依次写入到内部数据寄存器，在页数据写入之后，阵列编程过程启动。 为了增加编程的速度，芯片有一个CACHE寄存器。在CACHE编程模式，数据先写入到CACHE寄存器，然后再写入到数据寄存器，一旦数据copy进数据寄存器后，编程就开始。在数据寄存器被装载及编程开始之后，CACHE寄存器变为空，可以继续装载下一个数据，这样内部的编程和数据的装载并行进行，提高了编程速度。 内部数据搬移命令（INTERNAL DATA MOVE）也使用内部CAHCE寄存器，通常搬移数据需要很长时间，通过使用内部CACHE寄存器和数据寄存器，数据的搬移速度大大增加，且不需要使用外部内存。
fortran文件操作 From: 《Fortran 95 程序设计》彭国伦 1.文件读取的概念： 读取：“顺序读取”和“直接读取”。 保存：“文本文件”和“二进制文件”。 二进制文件：读取快，因为保存格式和数据在内存中的保存方法一样，同时也节省空间。 －－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－ 2. 文件的操作： －－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－ open的使用：使用open命令打开文件之后，就可以对文件来做输入输出。 example: program ex0901 impicit none open(unit=10, file='hello.txt') ! 打开hello.txt文件, unit指定文件代码，file 指定文件名称。 write(10, *) "hello" !在代码为10的文件中写入hello stop end program ex0901 open中有很多参数可以使用，详细如下： OPEN(UNIT=number, FILE='filename', FORM='...', STATUS='...', ACCESS='...', RECL=length, ERR=label, IOSTAT=iostat, BLANK='...', POSITION='...', ACTION=action, PAD='...', DELIM='...') UNIT='number'： number必须是一个正整数，它可以使用变量或是常量来赋值。number最好避开1,2,5,6。因为2,6是默认的输出位置，也就是屏幕。1，5则是默认的输入位置，键盘。 FILE='filename'：指定要打开的文件名称，文件名要符合系统规定。windows下不区分大小写，unix下则会区分大小写，最好不要使用中文文件名。 FORM='FORMATTED' OR 'UNFORMATTED' FORM字段只有两个值可以设置： FORM='FORMATTED' “文本文件”格式来保存 FORM='UNFORMATTED' “二进制文件”格式保存 这一栏不给定时候的默认值是: FORM='FORMATTED' STATUS='NEW' or 'OLD' or 'SCRATCH' or 'UNKNOWN' 用来说明打开一个新的文件或已经存在的旧文件。 STATUS='NEW' 打开一个原本不存在的新文件 STATUS='OLD' 打开一个原来已经存在的文件 STATUS='REPLACE' 若文件已经存在则重新创建一次，原来的内容消失；若不存在则会创建新文件。 STATUS='SCRATCH' 表示要打开一个暂存文盘，这个时候可以不需要指定文件名称，也就是FILE这个一栏可以忽略。因为程序本身会自动取一个文件名，至于文件名是啥也不重要，因为暂存盘会在程序结束后自动删除。 STATUS='UNKNOWN' 由各编译器自定义。通常会同REPLACE的效果。 ！这一栏不给定时，默认为STATUS='UNKNOWN'。 ACCESS='SEQUENTIAL' or 'DIRECT' 设置读写文件的方法：
本文原创于观海听涛，原作者版权所有，转载请注明出处。 近几天开发项目需要用到STM32驱动NAND FLASH，但由于开发板例程以及固件库是用于小页（512B），我要用到的FLASH为1G bit的大页（2K），多走了两天弯路。以下笔记将说明如何将默认固件库修改为大页模式以驱动大容量NAND，并作驱动。 本文硬件：控制器：STM32F103ZET6，存储器：HY27UF081G2A 首先说一下NOR与NAND存储器的区别，此类区别网上有很多，在此仅大致说明： 1、Nor读取速度比NAND稍快 2、Nand写入速度比Nor快很多 3、NAND擦除速度（4ms）远快于Nor（5s） 4、Nor 带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很轻松的挂接到CPU地址和数据总线上，对CPU要求低 5、NAND用八个（或十六个）引脚串行读取数据，数据总线地址总线复用，通常需要CPU支持驱动，且较为复杂 6、Nor主要占据1-16M容量市场，并且可以片内执行，适合代码存储 7、NAND占据8-128M及以上市场，通常用来作数据存储 8、NAND便宜一些 9、NAND寿命比Nor长 10、NAND会产生坏块，需要做坏块处理和ECC 更详细区别请继续百度，以上内容部分摘自神舟三号开发板手册 下面是NAND的存储结构： 由此图可看出NAND存储结构为立体式 正如硬盘的盘片被分为磁道，每个磁道又分为若干扇区，一块nand flash也分为若干block，每个block分为如干page。一般而言，block、page之间的关系随着芯片的不同而不同。 需要注意的是，对于flash的读写都是以一个page开始的，但是在读写之前必须进行flash 的擦写，而擦写则是以一个block为单位的。 我们这次使用的HY27UF081G2A其PDF介绍： Memory Cell Array = (2K+64) Bytes x 64 Pages x 1,024 Blocks 由此可见，该NAND每页2K，共64页，1024块。其中：每页中的2K为主容量Data Field，64bit为额外容量Spare Field。Spare Field用于存贮检验码和其他信息用的，并不能存放实际的数据。由此可算出系统总容量为2K*64*1024=134217728个byte，即1Gbit。NAND闪存颗粒硬件接口： 由此图可见，此颗粒为八位总线，地址数据复用，芯片为SOP48封装。 软件驱动：（此部分写的是伪码，仅用于解释含义，可用代码参见附件） 主程序： 1. #define BUFFER_SIZE 0x2000 //此部分定义缓冲区大小，即一次写入的数据 2. #define NAND_HY_MakerID 0xAD //NAND厂商号 3. #define NAND_HY_DeviceID 0xF1 //NAND器件号