当前位置:文档之家› 隐身材料发展历史综述和应用前景展望

隐身材料发展历史综述和应用前景展望

隐身材料发展历史综述和应用前景展望
隐身材料发展历史综述和应用前景展望

1.绪论

1.1前言

随着无线电技术和雷达探测技术的迅速发展,电子和通信设备向着灵敏、密集、高频以及多样化的方向发展,这不仅引发电磁波干扰、电磁环境污染,更重要的是导致电磁信息泄漏,军用电子设备的电磁辐射有可能成为敌方侦察的线索。为消除或降低导弹阵地的电磁干扰、减少阵地的电磁泄漏,需要大大提高阵地在术来战争中的抗电磁干扰及生存能力。高放能、宽频带的电磁波吸波/屏蔽材料的研究开发意义重大。

吸波材料是一种重要的军事隐身功能材料,它的基本物理原理是,材料对入射电磁波进行有效吸收,将电磁波能量转化为热能或其他形式的能量而消耗掉。该材料应该具备两个特性,即波阻抗匹配性和衰减特性。波阻抗匹配特性即入射电磁波在材料介质表面的反射系数最小,从而尽可能的从表面进人介质内部;衰减特性指进入材料内部的电磁波被迅速吸收。损耗大小,可用电损耗因子和磁损耗因子来表征。对于单一组元的吸收体,阻抗匹配和强吸收之间存在矛盾,有必要进行材料多元复合,以便调节电磁参数,使它尽可能在匹配条件下,提高吸收损耗能力。吸波材料按材料的吸波损耗机理可分为电阻型、电介质和磁介质型。吸波材料的性能主要取决于吸波剂的损耗吸收能力,因此,吸波剂的研究一直是吸波材料的研究重点。

1.2隐身材料定义

随着人们生活水平的提高,各种电器的频繁使用,使我们周围的电磁辐射日益增强,电磁污染成为世界环境的第五害,严重的危害了人类的身体健康。电磁辐射对人的作用有5种:热效应、非热效应、致癌、致突变和致畸作用。因此,在建筑空间中,各类电子,电器以及各种无线通信设备的频繁使用,无时无刻不产生电磁辐射,电磁污染已经引起人们的广泛关注。

电磁吸波材料即隐身材料最早在军事上隐身技术中应用。隐身材料是实现武器隐身的物质基础。武器系统采用隐身材料可以降低被探测率,提高自身的生存率,增加攻击性,获得最直接的军事效益。因此隐身材料的发展及其在飞机、主战坦克、舰船、箭弹上应用,将成为国防高技术的重要组成部分。对于地面武器

装备,主要防止空中雷达或红外设备探测、雷达制导武器和激光制导炸弹的攻击;对于作战飞机,主要防止空中预警机雷达、机载火控雷达和红外设备的探测,主动和半主动雷达、空对空导弹和红外格斗导弹的攻击。为此,常需要雷达、红外和激光隐身技术。

1.3分类

根据材料隐身的原理吸波材料主要有吸波隐身材料、透波隐身材料两种。

按其功能的不同,隐身材料可以分为:雷达隐身材料、红外隐身材料、可见光隐身材料、激光隐身材料、声纳隐身材料和多功能隐身材料即同时具备多种隐身功能的材料,已经发展了红外/雷达、红外/激光雷达、可见光/红外等双重功能隐身材料和宽频带雷达隐身材料,正在研究可见光/红外/雷达、红外/雷达/激光雷达等多功能隐身材料。

根据吸收剂的不同,吸波材料一般有以下几类:铁氧体吸波材料、羰基铁吸波材料、金属超细粉末或金属氧化物磁性超细粉末吸波材料、陶瓷吸波材料、等离子体吸波材料、纳米吸波材料、放射性同位素吸波材料、导电高分子吸波材料、视黄基席夫碱盐类吸波材料、手征性吸波材料、掺杂高损物吸波材料、稀土元素吸波材料。

1.3.1雷达吸波材料

雷达吸波材料技术是指能有效地吸收入射雷达波从而使其目标回波强度显著衰减的技术。形隐身只能改变目标RCS的空间分布,使之在主要的威胁方向达到隐身的目的,而雷达吸波材料隐身则依靠材料的吸收性能,降低目标总的回波强度,在所有方向上达到同时减小RCS的隐身效果。雷达吸波材料按其功能或材料成型工艺和承载能力,雷达吸波材料可分为涂敷型吸波材料和结构型吸波材料两种。

材料的吸波性能主要由其微波频率下的复磁导率u和复介电常数e所决定,所以纯粹的磁损耗型吸波材料或电损耗型吸波材料都不是最理想的选择。只有兼具磁损耗和电损耗才有利于展宽频带和提高吸收率。

1.3.2纳米隐身材料

纳米材料是指材料组分的特征尺寸在纳米量级的材料。它独特的结构使其自

身在较宽的频率范围内显示出均匀的电磁波吸收特性,纳米材料之所以具有优异的吸收电磁波性能,其原因是:

(1)纳米材料的界面组元所占比例大,纳米颗粒表面原子比例高,不饱和键和悬挂键增多,大量悬挂键的存在使界面极化,吸收频带展宽。

(2)纳米微粒尺寸小,比表面积大,界面极化与多重散射成为纳米材料重要的吸波机制。纳米材料量子尺寸效应使电子能级分裂,分裂的能级间隔处于微波的能量范围(0.01eV ~0.0001eV)内,为纳米材料创造了新的吸波通道。

(3)纳米材料中的原子和电子在微波场中的辐照,材料的原子和电子运动加剧,促使磁化,使电磁能转化为热能,增加了对电磁波的吸收,使电磁能转化为热能的效率增加,从而提高了对电磁波的吸收性能。

(4)纳米隐身材料具有厚度薄、质量轻、吸收频带宽、兼容性好等特点。加人纳米材料的隐身涂料,具有吸波能力强、密度小、可实现薄层涂装的优点,还具有高的力学性能、良好的环境稳定性和理化性能。

(5)由于纳米微粒具有较高的矫顽力,可引起大的磁滞损耗,有利于将吸收的雷达波等转换成其它形式的能量(热能、电能或机械能)而消耗掉。

纳米吸波材料以其优异的吸波性能得到了广泛关注,目前的研究表明,纳米吸波材料的性能是频段多、频带宽、吸收强及质量轻等,具有重要的军事和民用意义。

1.4机理

电磁吸波材料能够吸收投射到它表面的电磁波能量,并通过材料的损耗转变成热能等其它形式的能量。材料吸收电磁波的基本条件:(1)电磁波射入材料时能最大限度的进入材料内部(匹配特性);(2)进入材料内部的电磁波能迅速衰减掉(衰减特性)。实现这两个条件的方法是:通过采取特殊的边界条件来达到,而且需要材料具有很高的电磁损耗。当雷达波通过自由空间时具有阻抗Z0,垂直投射到阻抗为Zl的半无限大的介质表面,发生反射,其反射系数由公式(1)决定,由公式(2)可知,物体表面反射波阻抗与其表面磁导率u和电容率之比的平方根成正比,因此,为使雷达波不被反射,R必须为0,即理想条件Z1=Z0种吸波材料由于其吸波机理、内部结构组成、外形及入射波、极化方式不同,其反射系数也不同。

1.4.1纳米吸波材料的隐身机理

根据吸波机理的不同,纳米隐身吸波材料主要可分为电损耗型和磁损耗型两大类。以纳米金属粉体(如 Fe 、Ni 等) 与纳米Si /C /N 粉体为例,分析磁损耗型与电损耗型纳米隐身材料的吸波机理。

金属粉体(如Fe 、Ni 等)随着颗粒尺寸的减小,特别是达到纳米级后,电导率很低,材料的比饱和磁化强度下降,但磁化率和矫顽力急剧上升。其在细化过程中,处于表面的原子数越来越多,增大了纳米材料的活性,因此在一定波段电磁波的辐射下,原子、电子运动加剧,促进磁化,使电磁能转化为热能,从而增加了材料的吸波性能。一般认为,其对电磁波能量的吸收由晶格电场热振动引起的电子散射、杂质和晶格缺陷引起的电子散射以及电子与电子之间的相互作用三种效应来决定。

1.4.2雷达隐身材料的隐身机理

雷达很早就成为军事上普遍使用的探测手段,因此它的隐身一直以来就受 到广泛的关注,而且相关专家对它的研究也从未停止。雷达探测主要是向一定空间方向发射高频雷达波,当该波碰到目标物时就会反射一部分波回去,通过接收反射的雷达波信号就能探测到目标物的方位 。如果能使反射回波的能量降低到一定程度,以至于接收到的信号弱得无法被雷达接收器所识别,那么目标物就达 到了雷达隐身的目的。表征目标雷达隐身效果的指标很多,而最常用的就是雷达波反射率 。假设从雷达发射器发射出来的雷达电磁波的功率为i P ,经过目标后反射回来的电磁波功率为r P ,那么功率反射率就为i r p P P R /=,很明显雷达隐身要求此反射率要小。为了便于比较,通常用以分贝(dB)为单位的反射率R 来表示,其中p R R lg 10=。这样,由于功率反射率都小于1,所以R 为负值。 因此,对于一定的目标物,希望其R 值越小越好。如果采用雷达隐身材料,那么这种材料

要能吸收或者透过雷达波,尽量减少用于探测的反射波。对于一般的目标物,通常很难透过大量雷达波,所以雷达隐身所用的材料以吸波材料为主。

1.5基本理论

电磁屏蔽材料是防止电子污染必需的防护性功能材料。屏蔽是利用屏蔽体阻 止或减少电磁能量传输的一种措施 。屏蔽按机理分为电屏蔽、磁屏蔽及电磁屏蔽。电屏蔽是利用屏蔽体束减小干扰源和感受器之间的分布电容,从而削弱干扰源对感受器的影响;磁屏蔽是依赖高磁导率材料所具有的小磁阻起到磁分路作用,减小屏蔽体内部空间的磁场;电磁屏蔽则是限制电磁波从屏蔽材料的一侧空 间向另一空间传递。电磁波到达屏蔽材料表面时,有三种衰减方式:一是在入射表面由阻抗突变引起的电磁波的反射衰减(R);二是电磁波在屏蔽体内部传播时,电磁能量被吸收的衰减(A);三是电磁波在屏蔽体内部界面间多次反射时的 反射衰减,也叫反射修正系数(B)。

吸波材料主要由粘结剂和吸收剂组成。粘结剂是材料的成膜物质,是使材层牢固的粘附于被材物的表面上形成连续膜的主要物质。而具有吸收特定电磁参数的吸收剂是吸波材料的关键,它决定了吸波材料的吸波性能。粘结剂的选取原则有:①对吸收剂纳入量大,比重轻;②附着力强,柔韧性、耐冲击;③耐温度变化、耐介质性能好;④具有与吸收剂相符的介电常数。在现有的研究进展中看,综合性能较好,工艺性能稳定的粘结基本体系有氯磺化聚乙烯、环氧树脂和聚氨酯。

吸波材料涂层一般通过损耗(磁损耗、介电损耗、涡流损耗)将入射的电磁波转化为热能而消耗掉,从而将反射波或透射波最大限度地被衰减。根据吸波机理,吸波材料一般 分为磁损耗型、介电损耗型、电阻型三类。达到实用要求的吸波材料需要具备频带宽、重量轻、涂层薄、易于加工和粘贴以及物理机械性能好等性能要求,其中,反射式吸波衰减:

)/()20log10Loss Reflection 00Z Z Z Z in in +-=(

(in Z 、0Z 分别为吸波材料和空气的特征阻抗),其 中,RL ≤-10dB 所 覆 盖 的频率范围称为有效频带。目前吸波材料设计主要建立在材料的复磁导率、复介 电常数和吸波涂层的厚度上。应用上,主要采用分层优化设计,尽可能发挥现有

吸收剂性能,设计难点主要在微波低频段。

图1.涂层吸收电磁波模型

1.6制备方法

要实现良好的吸波,必须具备两个条件:(1)入射来的电磁波要尽可能多地进入吸波材料而不被反射;(2)材料要能将电磁波损耗吸收掉。因此,具有阻抗渐变结构的多层吸波体,通过阻抗匹配层的匹配作用,使空间入射来的电磁波尽可能 多地进入吸波材料而被损耗吸收。

研究表明,带导电衬底薄层吸波材料能量密度分布如下:越靠近衬底,电场能量密度)e W (越低,而磁场能量密度

)Wm (越高。因此,底层采用强磁损耗吸收剂,中间层采用兼具电磁损耗的材料,面层为透波层,可望组成性能良好的三层吸波 材料。以下介绍采用磁性微粉与介电材料相结合,制备具有阻抗渐变结构的三层吸波体。

带导电衬底三层结构吸波体示意图如图2所示。

图2 三层吸波体结构示意图

各层材料组成与厚度如表1所示。磁性微粉(MMP)为本实验室生产,型号为HG6y3,采用铁、钴等原料经高能球磨制得。纳米二氧化钛(TiO2)毛球状碳纤维(cf)从市场上购买,无需提纯。氢化丁腈橡胶(HNBR)来自于日本,具有一定的机械强度、物理化学性能稳定、附着力耐候性强、耐热性高(可达175℃)等特点。

表1.材料组成与厚度

采用以二氧化钛为原料构成的匹配层(面层),实现了与自由空间波阻抗相匹配,使入射来的电磁波大部分进入吸波材料而被损耗。同时,面层材料具有耐磨、抗拉等特点,起到又一保护屏的作用。底层由磁性微粉组成,具有较大的磁导率和磁损耗,是强磁损耗层。根据带导电衬底薄层吸波材料能量密度分布,越靠近衬底,电场能量密度越底,磁场能量密度越高,因而底层形成对电磁波强烈的损耗。中间层由磁性微粉与碳纤维组成,兼具磁损耗与电损耗,构成从面层到底层的过渡结构。碳纤维作为介电材料,还可形成半波谐振子与入射电磁波谐振而产生谐振感应电流,形成较大的损耗。三层吸波体功率反射系数测量结果表明,在 (8-18)GHz频率范围内,反射率在-8dB以下。理论计算与实测结果存在一定的偏差,主要来自于对各层材料不能获得要求的厚度控制,以及各

层材料实际配比存在偏离的缘故。剥离强度测试表明,三层吸波体层间粘合牢固;拉伸强度测试表明,三层吸波体具有能够抵抗拉伸破坏的极限能力。

2.国内外研究现状

2.1国内研究现状

吸波材料的开发和应用是隐身技术发展的重要精髓,是军用建筑物实现隐身的基石。我国在吸波材料的发展方面与国外相比还有很大差距,还存在面密度高、柔韧性差、附着力低等问题【5】,因此,急需研究各种新的吸收剂,探讨新的吸波机理以满足吸波材料所追求的“轻、薄、强、宽”的目标。

2.2国外研究现状

国外隐身技术与材料的研究始于第二次世界大战期间,起源在德国,发展在美国并扩展到英、法、俄罗斯等先进国家。目前,美国在隐身技术和材料研究方面处于领先水平。在航空领域,许多国家都已成功地将隐身技术应用于飞机的隐身;在常规兵器方面,美国对坦克、导弹的隐身也已开展了不少工作,并陆续用于装备,如美国M1A1坦克上采用了雷达波和红外波隐身材料,前苏联T-80坦克也涂敷了隐身材料。

近年来,国外在提高与改进传统隐身材料的同时,正致力于多种新材料的探索。晶须材料、纳米材料、陶瓷材料、手性材料、导电高分子材料等逐步应用到雷达波和红外隐身材料,使涂层更加薄型化、轻量化。纳米材料因其具有极好的吸波特性,同时具备了宽频带、兼容性好、厚度薄等特点,发达国家均把纳米材料作为新一代隐身材料加以研究和开发;国内毫米波隐身材料的研究起步于80年代中期,研究单位主要集中在兵器系统。经过多年的努力,预研工作取得了较大进展,该项技术可用于各类地面武器系统的伪装和隐身,如主战坦克、155毫米先进加榴炮系统及水陆两用坦克。

目前,世界上正在研制的第四代超音速歼击机,其机体结构采用复合材料、翼身融合体和吸波涂层,使其真正具有了隐身功能,而电磁波吸收型涂料、电磁屏蔽型涂料已开始在隐身飞机上涂装;美国和俄罗斯的地对空导弹正在使用轻质、宽频带吸收、热稳定性好的隐身材料。可以预见,隐身技术的研究和应用已成为世界各国国防技术中最重要的课题之一。

3.市场与应用

隐身材料主要用于军事,但也有用于人们日常生活的,比如它在建筑上的应用就是接近平常人的。以下为介绍其在建筑上的应用。

建筑吸波材料延用了军事中吸波材料的概念,但是它们也存在显著的差异。军事上雷达的电磁波要求频率更高,频段更窄。在材料成本方面,军事领域的吸波材料成本较高。要将吸波材料运用于建筑领域,降低材料成本是必须考虑的因素之一。选择经济有效的吸波材料应用于建筑物防辐射,才是推广应用的前提。其中电磁波吸收混凝土的研究起始于高大建筑物对电磁波的影响,如高大建筑物的反射作用引起电视产生重影及其对直接波的遮蔽作用等等。若能开发并使用具有吸波功能的混凝土材料,就可以防止电磁干扰,利于人们的生活和工作【4】。吸波混凝土材料有其自身的优势,如价格低廉、易于施工、坚固耐用等,而且迎合了从传统混凝土材料向功能化和高新技术发展的方向。

混凝土吸波材料在工程上的应用前景广阔,它可以广泛应用于建筑物、桥、塔等处时,可以防止雷达伪像;在通信基地,可以用来改善通信质量;用于防电磁污染的环保型建筑领域。以尽量减轻电磁辐射对人们所造成的危害;在机场、航标、码头、电视台和接收站附近的高大建筑物上,可以用来消除反射干扰。另外,可用于军事隐身建筑领域、精密仪器厂、防电磁波干扰的科研部门以及国家保密单位的防信息泄露等部门。

4.研究发展趋势与展望

传统的电磁屏蔽材料着重强调强衰减,而新型的材料则大多采用复合技术,突出低成本、无污染、质量轻、频带宽和性能好的特点,能适应不同场合和环境的应用要求,因此需要研制和开发新一代电磁屏蔽材料,探索宽频带、电磁参数频散效应不敏感的新型损耗型介质,将成为今后研究发展的重点。

传统的吸波材料主要以强吸收为目标,但存在频带窄、效率低、密度大等缺点,应用范围受到一定的限制。新型的吸波材料要求满足“薄、轻、宽、强” 的特性,还要满足多频谱、耐高温、耐海洋气候和抗辐射等更高要求。为此,磁电的统一是吸波材料的发展方向。磁性高分子微球和导电聚合物的复合有可能获得磁电统一的、轻质、宽频带、高吸收的新型微波吸收剂,它将在隐身材料技术上有广阔的应用前景。

军事探测和制导技术的发展促使了隐身材料的发展,从最早的可见光隐身材

料到现在的激光隐身材料,隐身材料的研究和发展一直没有间断过。无论哪种隐身材料,今后的发展趋势都向着质轻、带宽、高效、耐久的方向发展。而且,随着多模技术的发展,传统具有单一隐身功能的材料已经无法同时躲避多种探测手段的围攻,因此多波段兼容的隐身材料也是未来的发展趋势。

参考文献

[1]邢丽英,蒋诗才,李斌太.复合材料学报, 2004,21(6):27—33.

[2]李洪瑞,刘长华,朱守中. 中国西部科技 2008,25(7):6—7.

[3]彭艳玲.飞机隐身技术及隐身材料[J].航空学报,2006, 20(3):287~288.

[4]张雄,习志臻.[J]'建筑材料学报,2006,6 (1) :72-75.

[5]秦嵘,陈雷.国外新型隐身材料的发展状况[J].宇航材料工艺,2007.(4):

17~l9.

[6]李密,吕钊.现代雷达的隐身与反隐身技术[J].中国雷达.2002,(4):29~33.

[7]钟华,李自力.隐身技术——军事高技术的“王牌”[M].北京:国防工业出

版社,2004.

[8]章成文,汪忠柱. 隐身材料的研究与展望[J].铜陵学院报,2006,(1):77~

79.

[9]史旭明,张军,许仲梓.隐身材料的研究进展[J],2007,(5):310~315

[10]叶敏,解挺,吴玉程等.纳米吸波材料及性能.合肥工业大学学报(自然科

学版),2007,30(1):1 ~5

[11]王少敏,高建平,于九皋等.宇航材料工艺,2000,30 (2):41

[12] Louis Brus.Difusion—controlled reactions:a variational formula for the

optimum reaction coordinate.J.Chem.Phys.1983,79(18):5563

[13]Chung Yeon-Choon,Kim Byung-Wook,Park Dong-Chu1.IEEE Transactions on

Magnetics,2000,36(4) 1188.

[14]Louis Brus.Electron—electron and electron—hole interactions in small

semiconductor crystallite:the side dependence of the lavest excited electronic state.J.Chem. Phys.,1984,80(16):4403

[15] Wildoer JWG,Venema LC, Rinzler AG.eta1.Electronic structure of atomically

resolved carbon nanotubes.Nature,1998,391:59~62

[16]Jiang P,Jona F,Marcus P M.Surface effects in metal microclus.ters.Physics

Review,1987(12):6336

机械振动发展史

公元前1000多年,中国商代铜铙已有十二音律中的九律,并有五度谐和音程的概念。在战国时期,《庄子·徐无鬼》中就记载了同频率共振现象。人们对与振动相关问题的研究起源于公元前6世纪毕达哥拉斯(Pythagoras)的工作,他通过试验观测得到弦线振动发出的声音与弦线的长度、直径和张力的关系。意大利天文学家、力学家、哲学家伽利略(Galileo Galilei)经过实验观察和数学推算,于 1 5 8 2年得到了单摆等时性定律。荷兰数学家、天文学家、物理学家惠更斯(c.Huygens)于1 6 7 3年著《关于钟摆的运动》,提出单摆大幅度摆动时并不具有等时性这一非线性现象,并研究了一种周期与振幅无关的等时摆。法国自然哲学家和科学家梅森(M.Mersenne)于1623年建立了弦振动的频率公式,梅森还比伽利略早一年发现单摆频率与摆长平方成反比的关系。英国物理学家胡克(R. Hooke)于1 6 7 8年发表的弹性定律和英国伟大的物理学家、数学家、天文学家牛顿(I. Newton)于1 6 8 7年发表的运动定律为振动力学的发 展奠定了基础。 在下面对振动发展史的简述中,主要是针对线性振动、非线性振动、随机振动以及振动信号采集和处理这三个方面进行的。而关于线性振动和非线性振动发展史的简介中,又分为理论研究和近似分析方法两个方面。

线性振动理论在1 8世纪迅速发展并趋于成熟。瑞士数学家、力学家欧拉(L. Euler)于1728年建立并求解了单摆在有阻尼介质中运动的微分方程;1 7 3 9年研究了无阻尼简谐受迫振动,并从理论上解释了共振现象;1 7 4 7年对九个等质量质点由等刚度弹簧连接的系统列出微分方程组并求出精确解,从而发现线性系统的振动是各阶简谐振动的叠加。法国数学家、力学家拉格朗日.Lagrange)于1 7 6 2年建立了离散系统振动的一般理论。最早被研究的连续系统是弦线,法国数学家、力学家、哲学家达朗伯(J. le R.d,Alembert)于1 7 4 6年发表的《弦振系统是弦线,法国数学家、力学家、哲学家达朗伯(J.1e R.d,Alem bert)于1 7 4 6年发表的《弦振动研究》将他发展的偏微分方程用于弦振动研究,得到了弦的波动方程并求出行波解。瑞士数 学家约翰第一·伯努利(J.Bernoulli)于1 7 2 8年对弦的振动进行了研究,认为弦的基本振型是正弦型的,但还不知道高阶振型的性质。与约翰第一·伯努利为同一家族的瑞士数学家、力学家丹尼尔第一·伯努利.Bernoulli)于1 7 3 5年得到了悬臂梁的振动方程,1 7 4 2年提出了弹性振动理论中的叠加原理,并用具体的振动实验进行验证。

文献综述振动力学汇总

振动力学 1前言部分 振动力学在其发展过程中逐渐由基础科学转化为基础科学与技术科学的结合.工程问题的需要使振动力学的发展成为必需,而测试和计算技术的进步又为振动力学的发展和应用提供了可能性.除与技术问题的结合以外,学科的交叉不断为振动力学的发展注入新的活力.在数百年发展过程中,振动力学已形成为以物理概念为基础,以数学理论、计算方法和测试技术为工具,以解决工程中振动问题为主要目标的力学分支。 人类对振动现象的认识有悠久的历史。战国时期的古人已定量地总结出弦线发音与长度的关系。在振动力学研究兴起之前,有两个典型的振动问题引起注意,即弦线振动和单摆振动。对单摆摆动的研究起源于Galileo,他在1581年发现摆的等时性。1727年JohnBernoulli研究无重量弹性弦上等距分布等质量质点时,建立无阻尼自由振动系统模型并解出解析解。1728年Euler考察了摆在有阻尼介质中的运动建立并求解了相应的二阶常微分方程。1739年他研究了无阻尼简谐受迫振动,从理论上解释了共振现象。1834年Duhamel将任意外激励视为一系列冲量激励的叠加,从而建立了分析强迫振动的普遍公式.1849年Stokes发现了初位移激励与初速度激励两者响应的联系,并且由此对外激励得到与Duhamel相同的结果. 非线性振动的研究使得人们对振动机制有了新的认识.除自由振动、受迫振动和参数振动以外,还有一类广泛存在的振动,即自激振动.1925年Cartan父子研究了无线电技术中出现的一类二阶非线性微分方程的周期解.1926年vanderPol建立一类描述三极电子管振荡的方称为vanderPol方程,他用图解法证明孤立闭轨线的存在,又用慢变系数法得到闭轨线的近似方程.1928年Lienard证明以 Cartan 方程和vanderPol方程为特例的一类方程存在闭轨线,1929年Андронов阐明了vanderPol的自激振动对应于Poincaré研究过的极限环。 2主题部分

GaN基半导体材料发展历史和现状

GaN基半导体材料发展历史和现状 20世纪90年代中期,日本日亚化学公司的Nakamura等人经过不懈努力突破了制造蓝光LED的关键技术。GaN基蓝色LED的出现,大大扩展了LED的应用领域,从此掀开了第三代半导体材料GaN基半导体照明的革命。 GaN材料具有许多Si基半导体材料所不具备的优异性能,具有禁带宽度大、高电子漂移饱和速度、导热性能好、化学稳定性高等优点,比较适合用于雷达、导弹、通信、潜艇、航空航天及石油、化工、钻探、核电站等领域的电子设备,对于抗辐射、耐高温、高频、微波、大功率器件,尤其是利用其大的禁带宽度制作的蓝色、绿色、紫外发光器件和光探测器件,具有极大地发展空间和广阔的应用市场GaN半导体材料。 衬底材料的选择 [1]结构特性好,外延材料与衬底的晶体结构相同或相近、晶格常数失配度小、结晶性能好、缺陷密度小; [2]界面特性好,有利于外延材料成核且黏附性强; [3]化学稳定性好,在外延生长的温度和气氛中不容易分解和腐蚀; [4]热学性能好,包括导热性好和热失配度小; [5]导电性好,能制成上下结构; [6]光学性能好,制作的器件所发出的光被衬底吸收小; [7]机械性能好,器件容易加工,包括减薄、抛光和切割等; [8]价格低廉; [9]大尺寸,一般要求直径不小于2英吋。 GaN器件目前存在的问题 GaN材料折射率(2.5),高于蓝宝石衬底(1.7)以及外部封装树脂(1.5) Snell定律è临界角23度 有源区产生的光子在GaN 上下界面发生多次全反射,严重降低器件的光提取效率。 大量不能出射的光转化为热能,提高节温,加剧晶格振动,影响内部量子效率,降低寿命。 提高外量子效率的方法 在p 型GaN材料或铟锡氧化物(ITO)层表面制作二维结构来提高器件的光提取效率; 在蓝宝石衬底的底面制作类似透镜阵列的结构来提高底面的光提取效率; 在蓝宝石衬底制作二维结构,然后生长GaN材料制作成器件。patterned sapphire substrates 研究表明,第三种方法同时具有提高内量子效率和提取效率的效果。 相对于普通蓝宝石衬底,在PSS衬底上生长氮化镓外延层可以减少外延缺陷,外延层晶体质量明显提高。另外,当光从外延层进入图形衬底时,会形成反射,从而改善GaN基发光二极管出光率。

公司发展历程简介范文

公司发展简介范文 篇一 **旅游有限公司创建于1989年,公司主营入境、出境、客运、机票代理和旅游关联业务。为PATA(太平洋亚洲旅游协会)成员。自1993年以来,历年荣获国家旅游局评选的“全国国际旅行社百强”证书,多次被浙江省旅游局和**市旅委评为“浙江省国际旅行社10强”及“**市旅行社”,“百佳诚信旅游企业”。2009年荣获浙江省首批五星品质旅行社。公司拥有自置的办公楼宇耀江广厦三楼全层和西湖大道营业部营业用房。 公司以经营旅游业为主,“优质服务、信誉第一”为公司的立身之本,“严格管理、效益至上”为公司的经营理念。公司的主要经营范围: 1、出境旅游业务自1994年开展中国公民出境旅游业务以来,公司具有出境旅游五大优势:人员素质优势、营销网络优势、航空订位优势、地接服务优势、领馆送签优势。 2、入境旅游业务以招徕、接待世界各地的客人来中国旅游、商务考察。公司拥有一支精通多种语言的专业队伍。 3、国内旅游业务目前已成功运作国内上百条成熟的旅游线路,以满足高、中、低不等的消费层次。 4、出资参股公司 —**海顺客运有限公司,是涉外旅游用车定点单位,拥有各种类

型的高档旅游车辆50余辆,为公司组织的旅游客人和社会各界提供服务。 —**海外旅游航空服务有限公司,是IATA(国际航空运输协会)成员,是中国民航总局指定的客运销售代理人,具有一类代理资质。 篇二 **旅游社有限公司是以接待旅游为主并具有法人资格的股份制 企业,是上海最早成立的旅行社之一。自1984年建社以来本着“真诚、善良、精益求精,让每一位旅游者满意”的服务宗旨,热诚为旅游者服务,受到了上海市旅委和社会各界的好评,自1993年至2008年来连续被国家旅游局评为国内旅游“30强企业”、“50强企业”、“百强优胜企业”、“上海市服务行业达标规范企业”、“质量计量双信”单位。 篇三 **市度假国际旅行社有限公司东门南营业部,专门从事国内外旅游业务的国家特许经营出境旅游一类旅行社,公司秉承“品质第一,服务至上”的宗旨,凭借**、香港的口岸优势及多年的旅*业经营,提供丰富、高性价比、高品质旅游度假产品,丰富的旅游线路,优质的旅行服务,卓越的品质保证,包含海岛旅游,自由行,出境度假、欧美日韩出境旅游、国内旅游、邮轮旅游、港澳、台湾旅游等,客户群体遍布全国各地,成为业界知名的王牌品质旅游度假专家。 篇四 **外旅游有限公司成立于1989年,是经国家旅游局批准的具有经营出境、入境、国内旅游资格的国际旅行社,许可证编号为

集团公司发展史概要

新奥集团成立于1989年,经过创业者们的共同努力,经历了不同时期的曲折,已成长为一个多元化投资、专业化经营的综合性企业集团群体,主要投资领域是城市燃气、燃气机械、生命科技和地产开发,在国内和境外拥有2个上市公司。到2003年5月,拥有员工8000余人,总资产50多亿元。集团总部位于京津之间被誉为"金色走廊"的河北廊坊经济技术开发区,60多个全资、控股公司和分支机构分布在国内20多个省市及香港、悉尼、伦敦等国际都市。 新奥燃气以城市燃气为主业,自1992年开始投资城市燃气领域,至今已气化30多个城市,在气化城市开发、管网设计、安全运营和优质服务方面积累了丰富经验,形成了独特的运作模式,赢得用户的信赖与支持。2001年5月在香港上市,是国内目前规模最大的民营城市燃气专业运营商。2001年、2002年新奥燃气连续被美国《福布斯》评为"全球最佳小公司",并入选《亚洲周刊》"国际华商500强"。新奥置业经营领域集中在房地产开发、物业管理、社区服务、旅游酒店等。1994年以来,在廊坊、北京、蚌埠等地完成多处居民生活区、大型商业建筑和办公设施的建设,并开展了配套社区服务,成为中国北方颇具竞争力的地产开发商之一。 新奥燃机主要从事燃气机械设备的产品研发和生产销售,涉及燃气输配设备、压力容器、燃气计量器具产品,建有独立的研发中心、生产制造基地、营销中心及遍布全国的销售网络,形成了拥有知识产权的核心技术,燃气储运设备系列产品填补了国内行业空白,市场占有

率50%以上,改变了该类产品完全依赖进口的局面。 新奥集团将遵循以人为本、事求卓越、和谐共生的企业理念,致力于创造高品质公共服务,努力成为客户信赖、社会尊重、最有价值并具国际影响力的企业集团群体。

振动问题的发展简史

音乐是成为人类展示情感的最佳表达方式之一。人类对振动现象的了解和利用有着漫长的历史 0-1 振动力学发展简史 振动现象的“利”与“害” Tacoma吊桥探险者一号卫星振动落砂机

庄子》 记载了共振现象 振动理论的发展简况 毕达哥拉斯(Pythagoras ) 实验观测到弦线振动发出的声音与弦线长度、直径和张力的关系公元前6世纪 公元16世纪 伽利略(Galilei,G ) 发现了单摆的等时性并利用其自由落体公式计算单摆的周期 注意到单摆大幅摆动对等时性的偏离 两只频率接近时钟的同步化两类非线性现象 公元17世纪 惠更斯(Huygens,C)

.梅森(Mersenne,M) 在实验基础上系统地总结了弦线振动的频率特征 公元18世纪欧拉(Euler,L) ☆建立并求解了单摆在有阻尼介质中运动的微分方程 ☆研究无阻尼简谐受迫振动,从理论上解释了共振现象 ☆对n 个等质量质点由等刚度弹簧的连接系统列出微分方程并求出精确解,从而发现系统振动时各界简谐振动的叠加 1728年1739年1747年 1678年1687年奠定了振动力学的物性和物理基础 牛顿(Newton,I)发表的运动定律 胡克(Hooke,R)发表的弹性定律

(Lagrange,J.L.) ☆从驻波解推得行波解(严格的数学证明在1811年Fourier 提出函数的级数展开理论后完成)☆建立了离散系统振动一般理论1759年 1762年伯努利(Bernoulli,D.I) 采用无穷阶模态叠加方法得到弦线振动的驻波解 1759年 欧拉(Euler,L.)研究梁的横向振动,导出不同边界条件量的频率方程和模态函数 1744年1751年 伯努利(Bernoulli,D.I) 达朗贝尔(d ’Alembert,J.le R) 采用偏微分方程描述弦线振动而得到波动方程并求出行波解 1746年

半导体材料的发展现状与趋势

半导体材料与器件发展趋势总结 材料是人类社会发展的物质基础与先导。每一种重大新材料的发现和应用都把人类支配自然的能力提高到一个全新的高度。材料已成为人类发晨的里程碑。本世纪中期单晶硅材料和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研究成功,导致了电子工业大革命。使微电子技术和计算机技术得到飞速发展。从20世纪70年代的初期,石英光纤材料和光学纤维的研制成功,以及GaAs等Ⅲ-Ⅴ族化合物的材料的研制成功与半导体激光器的发明,使光纤通信成为可能,目前光纤已四通八达。我们知道,每一束光纤,可以传输成千上万甚至上百万路电话,这与激光器的发明以及石英光纤材料、光纤技术的发展是密不可分的。超晶格概念的提出MBE、MOCVD先进生长技术发展和完善以及超品格量子阱材料包括一维量子线、零维量子点材料的研制成功。彻底改变了光电器件的设计思想。使半导体器件的设计与制造从过去的杂质工程发展到能带工程。出现了以“电学特性和光学特性的剪裁”为特征的新范畴,使人类跨入到以量子效应为基础和低维结构为特征的固态量子器件和电路的新时代,并极有可能触发新的技术革命。半导体微电子和光电子材料已成为21世纪信息社会的二大支柱高技术产业的基础材料。它的发展对高速计算、大容量信息通信、存储、处理、电子对抗、武器装备的微型化与智能化和国民经济的发展以及国家的安全等都具有非常重要的意义。 一、几种重要的半导体材料的发展现状与趋势 1.硅单晶材料 硅单晶材料是现代半导体器件、集成电路和微电子工业的基础。目前微电子的器件和电路,其中有90%到95%都是用硅材料来制作的。那么随着硅单晶材料的进一步发展,还存在着一些问题亟待解决。硅单晶材料是从石英的坩埚里面拉出来的,它用石墨作为加热器。所以,来自石英里的二氧化硅中氧以及加热器的碳的污染,使硅材料里面包含着大量的过饱和氧和碳杂质。过饱和氧的污染,随着硅单晶直径的增大,长度的加长,它的分布也变得不均匀;这就是说材料的均匀性就会遇到问题。杂质和缺陷分布的不均匀,会使硅材料在进一步提高电路集成度应用的时候遇到困难。特别是过饱和的氧,在器件和电路的制作过程中,它要发生沉淀,沉淀时的体积要增大,会导致缺陷产生,这将直接影响器件和电路的性能。因此,为了克服这个困难,满足超大规模集成电路的集成度的进一步提高,人们不得不采用硅外延片,就是说在硅的衬底上外延生长的硅薄膜。这样,可以有效地避免氧和碳等杂质的污染,同时也会提高材料的纯度以及掺杂的均匀性。利用外延方法,还可以获得界面非常陡、过渡区非常窄的结,这样对功率器件的研制和集成电路集成度进一步提高都是非常有好处的。这种材料现在的研究现状是6英寸的硅外延片已用于工业的生产,8英寸的硅外延片,也正在从实验室走向工业生产;更大直径的外延设备也正在研制过程中。 除此之外,还有一些大功率器件,一些抗辐照的器件和电路等,也需要高纯区熔硅单晶。区熔硅单晶与直拉硅单晶拉制条件是不一样的,它在生长时,不与石英容器接触,材料的纯度可以很高;利用这种材料,采用中子掺杂的办法,制成N或P型材料,用于大功率器件及电路的研制,特别是在空间用的抗辐照器件和电路方面,它有着很好的应用前景。当然还有以硅材料为基础的SOI材料,也就是半导体/氧化物/绝缘体之意,这种材料在空间得到了广泛的应用。总之,从提高集成电路的成品率,降低成本来看的话,增大硅单晶的直径,仍然是一个大趋势;因为,只有材料的直径增大,电路的成本才会下降。我们知道硅技术有个摩尔定律,每隔18个月它的集成度就翻一番,它的价格就掉一半,价格下降是同硅的直径的增大密切相关的。在一个大圆片上跟一个小圆片上,工艺加工条件相同,但出的芯片数量则不同;所以说,增大硅的直径,仍然是硅单晶材料发展的一个大趋势。那我们从提高硅的

半导体材料的历史现状及研究进展(精)

半导体材料的研究进展 摘要:随着全球科技的快速发展,当今世界已经进入了信息时代,作为信息领域的命脉,光电子技术和微电子技术无疑成为了科技发展的焦点。半导体材料凭借着自身的性能特点也在迅速地扩大着它的使用领域。本文重点对半导体材料的发展历程、性能、种类和主要的半导体材料进行了讨论,并对半导体硅材料应用概况及其发展趋势作了概述。 关键词:半导体材料、性能、种类、应用概况、发展趋势 一、半导体材料的发展历程 半导体材料从发现到发展,从使用到创新,拥有这一段长久的历史。宰二十世纪初,就曾出现过点接触矿石检波器。1930年,氧化亚铜整流器制造成功并得到广泛应用,是半导体材料开始受到重视。1947年锗点接触三极管制成,成为半导体的研究成果的重大突破。50年代末,薄膜生长激素的开发和集成电路的发明,是的微电子技术得到进一步发展。60年代,砷化镓材料制成半导体激光器,固溶体半导体此阿里奥在红外线方面的研究发展,半导体材料的应用得到扩展。1969年超晶格概念的提出和超晶格量子阱的研制成功,是的半导体器件的设计与制造从杂志工程发展到能带工程,将半导体材料的研究和应用推向了一个新的领域。90年代以来随着移动通信技术的飞速发展,砷化镓和磷化烟等半导体材料成为焦点,用于制作高速高频大功率激发光电子器件等;近些年,新型半导体材料的研究得到突破,以氮化镓为代表的先进半导体材料开始体现出超强优越性,被称为IT产业的新发动机。 新型半导体材料的研究和突破,常常导致新的技术革命和新兴产业的发展.以氮化镓为代表的第三代半导体材料,是继第一代半导体材料(以硅基半导体为代表和第二代半导体材料(以砷化镓和磷化铟为代表之后,在近10年发展起来的新型宽带半导体材料.作为第一代半导体材料,硅基半导体材料及其集成电路的发展导致了微型计算机的出现和整个计算机产业的飞跃,并广泛应用于信息处理、自动控制等领域,对人类社会的发展起了极大的促进作用.硅基半导体材料虽然在微电子领域得到广泛应用,但硅材料本身间接能带结构的特点限制了其在光电子领域的应用.随着以光

全面质量管理发展历史概述(DOC 64页)

全面质量管理发展历史概述(DOC 64页)

引言 【本讲重点】 全面质量管理发展历史概述 世界范围内TQM的实施状况和代表人物 TQM八大原则 全面质量管理发展历史概述 最早提出全面质量管理概念(Total Quality Management)的是美国通用电器公司质量管理部的部长菲根堡姆(A.V.Feigenbaum)博士。1961年,他出版了一本著作,该书强调执行质量只能是公司全体人员的责任,应该使全体人员都具有质量的概念和承担质量的责任。因此,全面质量管理的核心思想是在一个企业内各部门中做出质量发展、质量保持、质量改进计划,从而以最为经济的水平进行生产与服务,使用户或消费者获得最大的满意。 全面质量管理(TQM)的四个发展阶段 从1961年菲根堡姆提出全面质量管理的概念开始,世界各国对它进行了全面深入的研究,使全面质量管理的思想、方法、理论在实践中不断得到应用和发展。概括地讲,全面质量管理的发展经历了以下四个阶段: ◆日本从美国引入全面质量管理 1950年,戴明博士在日本开展质量管理讲座,日本人从中学习到了这种全新的质量管理的思想和方法。当时,全面质量管理的思路和概念

并没有像如今一样被完整地提出来,但是它对日本经济的发展起到了极大的促进作用。到1970年,质量管理已经逐步渗透到了全日本企业的基层。 ◆质量管理中广泛采用统计技术和计算机技术 从20世纪70年代开始,日本企业从质量管理中获得巨大的收益,充分认识到了全面质量管理的好处。日本人开始将质量管理当作一门科学来对待,并广泛采用统计技术和计算机技术进行推广和应用,全面质量管理在这一阶段获得了新的发展。 ◆全面质量管理的内容和要求得到标准化 随着全面质量管理理念的普及,越来越多的企业开始采用这种管理方法。1986年,国际标准化组织ISO把全面质量管理的内容和要求进行了标准化,并于1987年3月正式颁布了ISO 9000系列标准,这是全面质量管理发展的第三个阶段。因此,我们通常所熟悉的ISO 9000系列标准实际上是对原来全面质量管理研究成果的标准化。 ◆质量管理上升到经营管理层面 随着质量管理思想和方法往更高层次发展,企业的生产管理和质量管理被提升到经营管理的层次。无论是学术界还是企业界,很多知名学者如朱兰、石川馨、久米均等人,都提出了很多

振动力学课程论文

振动力学课程读书报告 学号: 姓名:

一、历史演变的简述 结构动力学作为振动理论在工程结构中的应用,是与振动理论的研究同时开始的,在这个领域内早期有影响的著作是德国K-Hohenemser和W-Prager的《结构动力学》,土建工程地震研究和飞机结构动力学是结构动力学早期应用的领域,后来这方面的论文和著作犹如雨后春笋,非常广泛和丰富。近几十年来结构动力学经过了深刻的变化,形成了现代结构动力学。 土木工程中历史上多次桥梁的重大事故使工程界很早就开始了桥梁的振动研究,建筑工程中地震灾害的惨痛教训迫使工程界一开始就把注意力集中到建筑物地震响应的预估上。航海事业的发展导致船舶结构动力学的形成,使人们开始研究板壳的振动。航空和航天工程中由于超声速高空飞行、导弹和航天器的特殊要求,已经把结构动力学作为飞机、火箭和航天器动力设计的基础。对于“结构”的概念,原来指土建的结构如梁、板、刚架、连续梁、拱、烟囱、水塔、厂房排架及筒仓等弹性体和塑性体构成的结构系统。接着扩展到航空的飞机结构、航海的船舶结构,包括了板壳及组合结构。后来又扩展到机械结构,例如轴、齿轮、连杆、支架及机架等三维元式的结构。随着振动理论在工程中应用的日益深入,在分析系统的动力学时把机器的机构以至整个机组系统都作为一个广义的结构系统来进行研究。此外,结构的概念也扩展到地质结构和岩石结构,甚至包括了各种接触问题。所以从现代结构动力学的观汽来看,只要可以从数学形式上可以抽象为弹性力学中一维元、二维元或三维元的系统都可以看作广义的结构系统。 组成结构的材料可以是弹性、塑性及脆性材料,如钢铁、有色金属、木材、橡胶、混凝土、钢筋混凝土、岩石、泥土、高分子聚合物及复合材料等。这些材料,有线性的也有非线性的,另外结构系统的组合特性也就是装配特性也有非线性和线性的差别,因此结构系统由其材料和装配特性决定可以是线性系统也可以是非线性系统,描述结构系统的微分方程也就有线性微分方程和非线性微分方程。结构动力学应包括线性振动和非线性振动。严格地说,工程结构系统的响应都是随机的,只是当随机的因素很微弱时才当作确定性振动来分析。

半导体材料的发展现状与趋势

半导体材料的发展现状与趋势

半导体材料与器件发展趋势总结 材料是人类社会发展的物质基础与先导。每一种重大新材料的发现和应用都把人类支配自然的能力提高到一个全新的高度。材料已成为人类发晨的里程碑。本世纪中期单晶硅材料和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研究成功,导致了电子工业大革命。使微电子技术和计算机技术得到飞速发展。从20世纪70年代的初期,石英光纤材料和光学纤维的研制成功,以及GaAs 等Ⅲ-Ⅴ族化合物的材料的研制成功与半导体激光器的发明,使光纤通信成为可能,目前光纤已四通八达。我们知道,每一束光纤,可以传输成千上万甚至上百万路电话,这与激光器的发明以及石英光纤材料、光纤技术的发展是密不可分的。超晶格概念的提出MBE、MOCVD先进生长技术发展和完善以及超品格量子阱材料包括一维量子线、零维量子点材料的研制成功。彻底改变了光电器件的设计思想。使半导体器件的设计与制造从过去的杂质工程发展到能带工程。出现了以“电学特性和光学特性的剪裁”为特征的新范畴,使人类跨入到以量子效应为基础和低维结构

的制作过程中,它要发生沉淀,沉淀时的体积要增大,会导致缺陷产生,这将直接影响器件和电路的性能。因此,为了克服这个困难,满足超大规模集成电路的集成度的进一步提高,人们不得不采用硅外延片,就是说在硅的衬底上外延生长的硅薄膜。这样,可以有效地避免氧和碳等杂质的污染,同时也会提高材料的纯度以及掺杂的均匀性。利用外延方法,还可以获得界面非常陡、过渡区非常窄的结,这样对功率器件的研制和集成电路集成度进一步提高都是非常有好处的。这种材料现在的研究现状是6英寸的硅外延片已用于工业的生产,8英寸的硅外延片,也正在从实验室走向工业生产;更大直径的外延设备也正在研制过程中。 除此之外,还有一些大功率器件,一些抗辐照的器件和电路等,也需要高纯区熔硅单晶。区熔硅单晶与直拉硅单晶拉制条件是不一样的,它在生长时,不与石英容器接触,材料的纯度可以很高;利用这种材料,采用中子掺杂的办法,制成N或P型材料,用于大功率器件及电路的研制,特别是在空间用的抗辐照器件和电路方面,

半导体的发展历程

半导体的发展历程 半导体(semiconductor),指常温下导电性能介于导体(conductor)与绝缘体(insulator)之间的材料。材料的导电性是由“传导带”(conduction band)中含有的电子数量决定。当电子从“价带”(valence band)获得能量而跳跃至“导电带”时,电子就可以在带间任意移动而导电。一般半导体材料的能隙约为1至3电子伏特,通过电子传导或空穴传导的方式传输电流。基本简介 半导体(semiconductor),指常温下导电性能介于导体(conductor)与绝缘体(insulator)之间的材料。半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。 无线-潜力大 由于智能型手机消费者需求的增加,无线市场目前是半导体应用中,成长扩大速度最快的一个领域。随着智能型手机需求的增加,而朝向无线基地台的普及及网路基本设备的扩展发展。Databeans在该报告中指出,通讯应用的各部门均分成无线市场与有线市场两大类。分类为「无线」的产品包含行动电话(功能型手机,智能型手机)、无线基本设备(行动电话基地台等)、短距离无线(802.11、蓝牙,ZigBee,NFC)、及其他无线(无线电芯片等)部门。将无线市场视为单一部门来看,则该市场规模在半导体领域上,是仅次于计算机市场的第二大市场。2012年预计全球市场的销售额将比前一年增加6%,达到约755亿美金。这是约占半导体全球市场的25%市占率的水准。更进一步来看,无线市场是半导体消费整体市场中成长率最高的部门,预计接下来的五年间,成长率将大于整体市场的成长率。 主要特点 半导体五大特性∶掺杂性,热敏性,光敏性,负电阻率温度特性,整流特性。 ★在形成晶体结构的半导体中,人为地掺入特定的杂质元素,导电性能具有可控性。 ★在光照和热辐射条件下,其导电性有明显的变化。 晶格:晶体中的原子在空间形成排列整齐的点阵,称为晶格。 共价键结构:相邻的两个原子的一对最外层电子(即价电子)不但各自围绕自身所属的原子核运动,而且出现在相邻原子所属的轨道上,成为共用电子,构成共价键。 电子-模型图自由电子的形成:在常温下,少数的价电子由于热运动获得足够的能量,挣脱共价键的束缚变成为自由电子。 空穴:价电子挣脱共价键的束缚变成为自由电子而留下一个空位置称空穴。 电子电流:在外加电场的作用下,自由电子产生定向移动,形成电子电流。 空穴电流:价电子按一定的方向依次填补空穴(即空穴也产生定向移动),形成空穴电流。本征半导体的电流:电子电流+空穴电流。自由电子和空穴所带电荷极性不同,它们运动方向相反。 载流子:运载电荷的粒子称为载流子。 导体电的特点:导体导电只有一种载流子,即自由电子导电。 本征半导体电的特点:本征半导体有两种载流子,即自由电子和空穴均参与导电。 本征激发:半导体在热激发下产生自由电子和空穴的现象称为本征激发。 复合:自由电子在运动的过程中如果与空穴相遇就会填补空穴,使两者同时消失,这种现象称为复合。 动态平衡:在一定的温度下,本征激发所产生的自由电子与空穴对,与复合的自由电子与空穴对数目相等,达到动态平衡。 载流子的浓度与温度的关系:温度一定,本征半导体中载流子的浓度是一定的,并且自由电子与空穴的浓度相等。当温度升高时,热运动加剧,挣脱共价键束缚的自由电子增多,空穴

中国诗歌发展史概述

中国诗歌发展史概述 中国的诗歌产生于文字发明之前,它是在人们的劳动、歌舞中渐渐形成和发展起来的。 《诗经》是公元前11世纪至公元前6世纪的诗歌总集,也是中国第一部诗歌总集,共305篇,按音乐的不同,分为“风”、“雅”、“颂”三类。“颂”诗是统治者祭祀的乐歌,有祭祖先的,有祭天地山川的,也有祭农神的。“雅”分大雅和小雅,都是用于宴会的典礼,内容主要是对从前英雄的歌颂和对现时政治的讽刺。“风”是《诗经》中的精华,内容包括15个地方的民歌。 公元前4世纪,战国时期的楚国以其自身独特的文化基础,加上北方文化的影响,孕育出了伟大的诗人屈原。屈原以及深受他影响的宋玉等人创造了一种新的诗体棗楚辞。屈原的《离骚》是楚辞杰出的代表作。 楚辞发展了诗歌的形式。它打破了《诗经》的四言形式,从三、四言发展到五、七言。在创作方法上,楚辞吸收了神话的浪漫主义精神,开辟了中国文学浪漫主义的创作道路。 诗经、楚辞之后,诗歌在汉代又出现了一种新的形式,即汉乐府民歌。汉乐府民歌流传到现在的共有100多首,其中很多是用五言形式写成,后来经文人的有意模仿,在魏、晋时代成为主要的诗歌形式。 汉乐府中著名的篇章有揭露战争灾难的《十五从军征》,有表现女性不慕富贵的《陌上桑》、《羽林郎》,当然最为著名的还是长篇叙事诗《孔雀东南飞》。这首诗讲述了一个凄婉的爱情故事。焦仲卿与刘兰芝相爱至深,因为焦母与刘家的逼迫而分手,以致酿成生离死别的人间惨剧。汉乐府民歌最重要的艺术特色是它的叙事性,《孔雀东南飞》是汉乐府叙事诗的最高峰。汉乐府民歌多采用口语化的朴素语言表现人物的性格,故人物形象生动,感情真挚。汉乐府民歌中虽然多数为现实主义的描绘,但许多地方都有着程度不一的浪漫主义色彩,如《孔雀东南飞》的最后一段文字,即表现出浪漫主义与现实主义的巧妙结合。 五言诗是中国古典诗歌的主要形式,它从民间歌谣到文人写作,经过了很长的时间,到东汉末年,文人五言诗日趋成熟。五言诗达到成熟阶段的标志是《古诗十九首》的出现。《古诗十九首》不是一时一人的作品,诗的内容多叙离别、相思以及对人生短促的感触。长于抒情,善用比、兴手法是《古诗十九首》最大的艺术特色。 汉末建安时期,“三曹”(曹操、曹丕、曹植)、“七子”(孔融、陈琳、王粲、徐干、阮籍、应旸、刘桢)继承汉乐府民歌的现实主义传统,并普遍采用五言形式,第一次掀起了文人诗歌的高潮。他们的诗作表现了时代精神,具有慷慨悲凉的阳刚气派,形成为后世称作“建安风骨”的独特风格。七子中成就最高的是王粲,其代表作《七哀诗》三首是汉末战乱现实的写照。曹氏父子是建安文坛的风云人物,其中曹植所取得的艺术成就最高。曹植(19--232)的诗歌内容富于气势和力量,描写细致、词藻华丽、善用比喻,因而具有“骨气奇高、词采华茂”的艺术风格,代表诗作为《赠白马王彪》。建安时代的诗,是从汉乐府发展到五言诗的转变关键,曹植是当时的代表诗人。他的诗受汉乐府的影响,但却比汉乐府有更多的抒情成份。 建安时代之后的阮籍(210--263)是正始时代的代表诗人,他的《咏怀诗》进一步为抒情的五言诗打下基础,他常用曲折的诗句表达忧国、惧祸、避世之意。与阮籍同期的还有嵇康(224--263),他的诗愤世嫉俗,锋芒直指黑暗的现实。他们俩人的诗风基本继承了“建安风骨”的传统。 两晋时期的诗歌创作逐渐走上形式主义道路,诗歌内容空泛。继承和发扬“建安风骨”传统,作品内容充实的诗人是左思(250左右--305左右)。他的《咏史诗》八首,借古事讽喻时事,思想性很强,但这类诗作毕竟不是主流,而且越来越少,直到东晋末年的陶渊明才给诗坛带来接近现实的作品。 隐居不仕的陶渊明把田园生活作为重要的创作题材,因此历来人们将他称作“田园诗人”。在当时崇尚骈骊、重形式而轻内容的时代气氛中,陶渊明继承乐府的现实主义传统,

论文分类号查询

论文分类号查询 中图法分类号与中图分类法查询 生物科学属于Q类,医学类属于R类,可以直接转至Q或R类查询 A 马克思主义、列宁主义、毛泽东思想 A1 马克思、恩格斯着作 A2 列宁着作 A3 斯大林着作 A4 毛泽东着作 A49 邓小平着作 A5 马克思、恩格斯、列宁、斯大林、毛泽东、邓小平着作汇编 A7 马克思、恩格斯、列宁、斯大林、毛泽东、邓小平生平和传记 A8 马克思主义、列宁主义、毛泽东思想邓小平理论的学习和研究 -------------------------------------------------------------------------------- B 哲学 B0 哲学理论 B1 世界哲学 B2 中国哲学 B3 亚洲哲学 B4 非洲哲学 B5 欧洲哲学 B6 大洋洲哲学 B7 美洲哲学 B80 逻辑科学(总论) B81 逻辑学 B82 伦理学 B83 美学 B84 心理学 B9 无神论、宗教 -------------------------------------------------------------------------------- C 社会科学总论 C0 社会科学理论与方法论 C1 社会科学现状及发展 C2 社会科学机构、团体、会议 C3 社会科学研究方法 C4 社会科学教育与普及 C5 社会科学丛书、文集、连续性出版物 C6 社会科学参考工具书

C8 统计学 C91 社会学 C92 人口学 C93 管理学 C[94] 系统科学 C95 民族学 C96 人才学 C97 劳动科学 -------------------------------------------------------------------------------- D 政治、法律 D0 政治理论 D1 共产主义运动 D2 中国共产党 D3 各国共产党 D4 工人、农民、青年、妇女运动与组织 D5 世界政治 D6 中国政治 D73/77 各国政治 D8 外交、国际关系 D9 法律 -------------------------------------------------------------------------------- E 军事 E0 军事理论 E1 世界军事 E2 中国军事 E3/7各国军事 E8 战略学、战役学、战术学 E9 军事技术 E99 军事地形学、军事地理学 -------------------------------------------------------------------------------- F 经济 F0 政治经济学 F0-0 马克思主义政治经济学(总论) F01 经济学基本问题 F02 前资本主义社会生产方式 F03 资本主义社会生产方式 F04 社会主义社会生产方式 F05 共产主义社会生产方式 F06 经济学分支学科

电子技术发展史概述-首次

电子技术发展史概述电子技术是十九世纪末、二十世纪初发展起来的新兴技术。由于物理学的重大突破,电子技术在二十世纪发展最为迅速,应用最为广泛,成为近代科学技术发展的一个重要标志。 从20世纪60年代开始,电子器件出现了飞速的发展,而且随着微电子和半导体制造工艺的进步,集成度不断提高。CPLD/FPGA、ARM、DSP、A/D、D/A、RAM和ROM等器件之间的物理和功能界限正日趋模糊,嵌入式系统和片上系统(SOC)得已实现。以大规模可编程集成电路为物质基础的EDA技术打破了软硬件之间的设计界限,使硬件系统软件化。这已成为现代电子设计的发展趋势。 现在,人们已经掌握了大量的电子技术方面的知识,而且电子技术还在不断的发展着。这些知识是人们长期劳动的结晶。 我国很早就已经发现电和磁的现象,在古籍中曾有“磁石召铁”和“琥珀拾芥”的记载。磁石首先应用于指示方向和校正时间,在《韩非子》和东汉王充着《论衡》两书中提到的“司南”就是指此。以后由于航海事业发展的需要,我国在十一世纪就发明了指南针。在宋代沈括所着的《梦溪笔谈》中有“方家以磁石磨针锋,则能指南,然常微偏东,不全南也”的记载。这不仅说明了指南针的制造,而且已经发现了磁偏角。直到十二世纪,指南针才由阿拉伯人传入欧洲。 在十八世纪末和十九世纪初的这个时期,由于生产发展的需要,在电磁现象方面的研究工作发展的很快。库仑在1785年首先从实验室确定了电荷间的相互作用力,电荷的概念开始有了定量的意义。1820年,奥斯特从实验时发现了电流对磁针有力的作用,揭开了电学理论的新的一页。同年,安培确定了通有电流的线圈的作用与磁铁相似,这就指出了此现象的本质问题。有名的欧姆定律是欧姆在1826年通过实验而得出的。法拉第对电磁现象的研究有特殊贡献,他在1831年发现的电磁感应现

半导体材料的发展及应用

半导体材料的发展及应用 摘要 众所周知,半导体材料应用是非常广泛的。从电子管到晶体管再到大规模和超大规模集成电路的应用中全部有半导体材料。而半导体材料从十八世纪以来也是飞速的发展着。因此,此篇论文是简介一下半导体的发展及应用。 关键词:半导体材料;应用;发展

Development and application of semiconductor materials Abstract As we all know, the semiconductor material application is very extensive. From tubes to transistors and then to large-scale and ultra large scale integrated circuit applications, all with a semiconductor material. The semiconductor material since the eighteenth century is rapidly developing. So, this post is a brief look at the paper the development and application of semiconductors. Keywords: Semiconductor Material; Application; Development

目录 摘要......................................................................................................I Abstract....................................................................................................II 第一章绪论 (1) 第二章半导体材料 (2) 2.1什么是半导体材料 (2) 2.2半导体材料的种类 (2) 2.3半导体材料的基本特征 (3) 第三章半导体材料的发展及应用 (4) 3.1半导体在微电子领域的发展及应用 (4) 3.2半导体在太阳能电池方面的发展及应用 (5) 结论 (6) 参考文献 (7)

半导体材料发展史

1833年,英国巴拉迪最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属,一般情况下,金属的电阻随温度升高而增加,但巴拉迪发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。这是半导体现象的首次发现。 不久, 1839年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结,在光照下会产生一个电压,这就是后来人们熟知的光生伏特效应,这是被发现的半导体的第二个特征。 在1874年,德国的布劳恩观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关,即它的导电有方向性,在它两端加一个正向电压,它是导通的;如果把电压极性反过来,它就不导电,这就是半导体的整流效应,也是半导体所特有的第三种特性。同年,舒斯特又发现了铜与氧化铜的整流效应。 1873年,英国的史密斯发现硒晶体材料在光照下电导增加的光电导效应,这是半导体又一个特有的性质。半导体的这四个效应,(jianxia霍尔效应的余绩──四个伴生效应的发现)虽在1880年以前就先后被发现了,但半导体这个名词大概到1911年才被考尼白格和维斯首次使用。而总结出半导体的这四个特性一直到1947年12月才由贝尔实验室完成。 前言 自从有人类以来,已经过了上百万年的岁月。社会的进步可以用当时人类使用的器物来代表,从远古的石器时代、到铜器,再进步到铁器时代。现今,以硅为原料的电子元件产值,则超过了以钢为原料的产值,人类的历史因而正式进入了一个新的时代,也就是硅的时代。硅所代表的正是半导体元件,包括记忆元件、微处理机、逻辑元件、光电元件与侦测器等等在内,举凡电视、电话、电脑、电冰箱、汽车,这些半导体元件无时无刻都在为我们服务。 硅是地壳中最常见的元素,许多石头的主要成分都是二氧化硅,然而,经过数百道制程做出的积体电路,其价值可达上万美金;把石头变成硅晶片的过程是一项点石成金的成就,也是近代科学的奇蹟! 在日本,有人把半导体比喻为工业社会的稻米,是近代社会一日不可或缺的。在国防上,惟有扎实的电子工业基础,才有强大的国防能力,1991年的波斯湾战争中,美国已经把新一代电子武器发挥得淋漓尽致。从1970年代以来,美国与日本间发生多次贸易摩擦,但最后在许多项目美国都妥协了,但是为了半导体,双方均不肯轻易让步,最后两国政府慎重其事地签订了协议,足证对此事的重视程度,这是因为半导体工业发展的成败,关系着国家的命脉,不可不慎。在台湾,半导体工业是新竹科学园区的主要支柱,半导体公司也是最赚钱的企业,台湾如果要成为明日的科技硅岛,半导体工业是我们必经的途径。

5.6中国历史发展概述

春秋战国时期为奴隶制向封建制过渡的时期。 三、封建社会 (一)秦朝和汉朝为中国封建社会第一个鼎盛时期 ◆前221年,秦王嬴政建立中国第一个中央集权制封建王朝,称始皇帝(统一度量衡、文字等) ◆前206年,秦被农民起义推;楚汉之争 ◆刘邦建汉(前202年,四汉:文景之治:汉武帝罢黜百家独尊儒术)→王莽改制 ◆公元25年,刘秀建东汉 ◆汉族、汉字、汉人由汉朝而来 (二)三国两晋南北朝封建国家的分裂和民族大融合

(三)隋唐时期为封建社会的第二个鼎盛时期 ◆581年,北周杨坚夺权,建立隋(科举制;京杭大运河) ◆618年,李渊建唐(“贞观之治”“开元盛世”) (四)五代十国、宋元 ◆907年,朱温废掉唐朝皇帝,建立梁朝(后梁)→后唐→后晋→后汉→后周,合称五代。 ◆960年,赵匡胤发动“陈桥兵变”,建立宋朝,史称“北宋”;辽、西夏; ◆金灭辽、北宋;南宋 ◆成吉思汗灭西夏:1271年,忽必烈建元:灭辽、南宋 (五)明清 ◆1368年朱元璋在应天府(南京)称帝,建立明朝:1421年明成祖朱棣迁都北京。(郑和七下西洋) ◆1644年,李自成在西安建立大顺政权,推翻了明朝的统治。 ◆努尔哈赤于1616年建立后金,其子皇太极于1636年称帝,国号为清:1644年清军入关。 (六)民国时期(1912) (七)中华人民共和国(1949) 中国朝代顺序如下:夏、商、周[西周、东周(春秋、战国)]、秦、西汉、新朝、玄汉、东汉、三国时期(魏、蜀、吴)、晋(西晋、东晋)、南北朝[南朝(宋、齐、梁、陈)、北朝(北魏、东魏、西魏、北齐、北周)]、隋、唐、五代(后梁、后唐、后晋、后汉、后周)、十国[前蜀、后蜀、吴、南唐、吴越、闽、楚、南汉、南平(荆南)、北汉]、宋(北宋、南宋)、辽、西夏、金、元、明、清、中华民国、

相关主题
文本预览
相关文档 最新文档