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TEM和SEM的异同比较分析以及环境扫描电镜场知识交流

TEM和SEM的异同比较分析以及环境扫描电镜场知识交流
TEM和SEM的异同比较分析以及环境扫描电镜场知识交流

TEM和SEM的异同比较分析以及环境扫描电镜,场发射电镜与传统电镜相比较的技术特点和应用

xrd是x射线衍射,可以分析物相,SEM是扫描电镜,主要是观察显微组织,TEM是透射电镜,主要观察超限微结构。AES 是指能谱,主要分析浓度分布。STM扫描隧道显微镜,也是观察超微结构的。AFM是原子力显微镜,主要是观察表面形貌用的。

TEM:

透射电子显微镜(英语:Transmission electron microscope,缩写TEM),简称透射电镜,是把经加速和聚集的电子束投射到非常薄的样品上,电子与样品中的原子碰撞而改变方向,从而产生立体角散射。散射角的大小与样品的密度、厚度相关,因此可以形成明暗不同的影像。通常,透射电子显微镜的分辨率为0.1~0.2nm,放大倍数为几万~百万倍,用于观察超微结构,即小于0.2μm、光学显微镜下无法看清的结构,又称“亚显微结构”。TEM是德国科学家Ruskahe和Knoll在前人Garbor和Busch的基础上于1932年发明的。

编辑本段成像原理透射电子显微镜的成像原理可分为三种情况:

吸收像:当电子射到质量、密度大的样品时,主要的成相作用是散射作用。样品上质量厚度大的地方对电子的散射角大,通过的电子较少,像的亮度较暗。早期的透射电子显微镜都是基于这种原理TEM透射电镜

。衍射像:电子束被样品衍射后,样品不同位置的衍射波振幅分布对应于样品中晶体各部分不同的衍射能力,当出现晶体缺陷时,缺陷部分的衍射能力与完整区域不同,从而使衍射钵的振幅分布不均匀,反映出晶体缺陷的分布。相位像:当样品薄至100A以下时,电子可以穿过样品,波的振幅变化可以忽略,成像来自于相位的变化。

编辑本段组件电子枪:发射电子,由阴极、栅极、阳极组成。阴极管发射的电子通过栅极上的小孔形成射线束,经阳极电压加速后射向聚光镜,起到对电子束加速、加压的作用。聚光镜:将电子束聚集,可用于控制照明强度和孔径角。样品室:放置待观察的样品,并装有倾转台,用以改变试样的角度,还有装配加热

、冷却等设备。物镜:为放大率很高的短距透镜,作用是放大电子像。物镜是决定透射电子显微镜分辨能力和成像质量的关键。中间镜:为可变倍的弱透镜,作用是对电子像进行二次放大。通过调节中间镜的电流,可选择物体的像或电子衍射图来进行放大。透射镜:为高倍的强透镜,用来放大中间像后在荧光屏上成像。此外还有二级真空泵来对样品室抽真空、照相装置用以记录影像。

编辑本段应用透射电子显微镜在材料科学、生物学上应用较多。由于电子易散射或被物体吸收,故穿透力低,样品的密度、厚度等都会影响到最后

的成像质量,必须制备更薄的超薄切片,通常为50~100nm。所以用透

射电子显微镜观察时的样品需要处理得很薄。常用的方法有:超薄切片法、冷冻超薄切片法、冷冻蚀刻法、冷冻断裂法等。对于液体样品,通常是挂预处理过的铜网上进行观察。

编辑本段特点以电子束作光源,电磁场作透镜。电子束波长与加速电压(通常50~120KV)的平方根成反比。

由电子照明系统、电磁透镜成像系统、真空系统、记录系统、电源系统等5部分构成。

分辨力0.2nm,放大倍数可达百万倍。

TEM分析技术是以波长极短的电子束作照明源,用电磁透镜聚焦成像的一种高分辨率(1nm)、高放大倍数的电子光学分析技术;

用电镜(包括TEM)进行样品分析时,通常有两个目的:一个是获得高倍放大倍数的电子图像,另一个是得到电子衍射花样;

TEM常用于研究纳米材料的结晶情况,观察纳米粒子的形貌、分散情况及测量和评估纳米粒子的粒径。是常用的纳米复合材料微观结构的表征技术之一。

SEM:

扫描电子显微镜扫描电子显微镜的制造是依据电子与物质的相互作用。当一束高能的入射电子轰击物质表面时,被激发的区域将产生二次电子、俄歇电子、特征x射线和连续谱X射线、背散射电子、透射电子,以及在可见、紫外、红外光区域产生的电磁辐射。同时,也可产生电子-空穴对、晶格振动(声子)、电子振荡(等离子体)。原则上讲,利用电子和物质的相互作用,可以获取被测样品本身的各种物理、化学性质的信息,如形貌、组成、晶体结构、电子结构和内部电场或磁场等等。扫描电子显微镜是1965年发明的较现代的细胞生物学研究工具,主要是利用二次电子信号成像来观察样品的表面形态,即用极狭窄的电子束去扫描样品,通过电子束与样品的相互作用产生各种效应,其中主要是样品的二次电子发射。二次电子能够产生样品表面放大的形貌像,这个像是在样品被扫描时按时序建立起来的,即使用逐点成像的方法获得放大像。

扫描电子显微镜的制造是依据电子与物质的相互作用。当一束高能的入射电子轰击物质表面时,被激发的区域将产生二次电子、俄歇电子、特征x 射线和连续谱X射线、背散射电子、透射电子,以及在可见、紫外、红外光区域产生的电磁辐射。同时,也可产生电子-空穴对、晶格振动(声子)、电子振荡(等离子体)。原则上讲,利用电子和物质的相互作用,可以获取被测样品本身的各种物理、化学性质的信息,如形貌、组成、晶体结构、电子结构和内部电场或磁场等等。扫描电子显微镜正是根据上述不同信息产生的机理,采用不同的信息检测器,使选择检测得以实现。如对二次电

子、背散射电子的采集,

可得到有关物质微观形貌的信息;对x射线的采集,可得到物质化学成分的信息。正因如此,根据不同需求,可制造出功能配置不同的扫描电子显微镜。

编辑本段功能介绍扫描电子显微镜的制造是依据电子与物质的相互作用。当一束高能的入射电子轰击物质表面时,被激发的区域将产生二次电子、俄歇电子、特征x射线和连续谱X射线、背散射电子、透射电子,以及在可见、紫外、红外光区域产生的电磁辐射。同时,也可产生电子-空穴对、晶格振动(声子)、电子振荡(等离子体)。原则上讲,利用电子和物质的相互作用,可以获取被测样品本身的各种物理、化学性质的信息,如形貌、组成、晶体结构、电子结构和内部电场或磁场等等。扫描电子显微镜正是根据上述不同信息产生的机理,采用不同的信息检测器,使选择检测得以实现。如对二次电子、背散射电子的采集,可得到有关物质微观形貌的信息;对x射线的采集,可得到物质化学成分的信息。正因如此,根据不同需求,可制造出功能配置不同的扫描电子显微镜。

编辑本段机构组成扫描电子显微镜由三大部分组成:真空系统,电子束系统以及成像系统。

以下提到扫描电子显微镜之处,均用SEM代替

真空系统

真空系统主要包括真空泵和真空柱两部分。真空柱是一个密封的柱形容器。真空泵用来在真空柱内产生真空。有机械泵、油扩散泵以及涡轮分子泵三大类,机械泵加油扩散泵的组合可以满足配置钨枪的SEM的真空要求,但对于装置了场致发射枪或六硼化镧枪的SEM,则需要机械泵加涡轮分子泵的组合。

成像系统和电子束系统均内置在真空柱中。真空柱底端即为右图所示的密封室,用于放置样品。

之所以要用真空,主要基于以下两点原因:

电子束系统中的灯丝在普通大气中会迅速氧化而失效,所以除了在使用SEM时需要用真空以外,平时还需要以纯氮气或惰性气体充满整个真空柱。为了增大电子的平均自由程,从而使得用于成像的电子更多。

电子束系统

电子束系统由电子枪和电磁透镜两部分组成,主要用于产生一束能量分布极窄的、电子能量确定的电子束用以扫描成像。

电子枪

电子枪用于产生电子,主要有两大类,共三种。

一类是利用场致发射效应产生电子,称为场致发射电子枪。这种电子枪极其昂贵,在十万美元以上,且需要小于10-10torr的极高真空。但它具有至少1000小时以上的寿命,且不需要电磁透镜系统。

另一类则是利用热发射效应产生电子,有钨枪和六硼化镧枪两种。钨枪寿命在30~100小时之间,价格便宜,但成像不如其他两种明亮,常作为廉价或标准SEM配置

。六硼化镧枪寿命介于场致发射电子枪与钨枪之间,为200~1000小时,价格约为钨枪的十倍,图像比钨枪明亮5~10倍,需要略高于钨枪的真空,一般在10-7torr以上;但比钨枪容易产生过度饱和和热激发问题。

电磁透镜

热发射电子需要电磁透镜来成束,所以在用热发射电子枪的SEM上,电磁透镜必不可少。通常会装配两组:

汇聚透镜:顾名思义,汇聚透镜用汇聚电子束,装配在真空柱中,位于电子枪之下。通常不止一个,并有一组汇聚光圈与之相配。但汇聚透镜仅仅用于汇聚电子束,与成像会焦无关。

物镜:物镜为真空柱中最下方的一个电磁透镜,它负责将电子束的焦点汇聚到样品表面。

成像系统

电子经过一系列电磁透镜成束后,打到样品上与样品相互作用,会产生次级电子、背散射电子、欧革电子以及X射线等一系列信号。所以需要不同的探测器譬如次级电子探测器、X射线能谱分析仪等来区分这些信号以获得所需要的信息。虽然X射线信号不能用于成像,但习惯上,仍然将X射线分析系统划分到成像系统中。

有些探测器造价昂贵,比如Robinsons式背散射电子探测器,这时,可以使用次级电子探测器代替,但需要设定一个偏压电场以筛除次级电子。编辑本段工作原理光学显微镜、TEM、SEM成像原理比较

SEM的工作原理是用一束极细的电子束扫描样品,在样品表面激发出次级电子,次级电子的多少与电子束入射角有关,也就是说与样品的表面结构有关,次级电子由探测体收集,并在那里被闪烁器转变为光信号,再经光电倍增管和放大器转变为电信号来控制荧光屏上电子束的强度,显示出与电子束同步的扫描图像。图像为立体形象,反映了标本的表面结构。为了使标本表面发射出次级电子,标本在固定、脱水后,要喷涂上一层重金属微粒,重金属在电子束的轰击下发出次级电子信号。

光学显微镜(OM)、TEM、SEM成像原理比较

由电子枪发射的电子,以其交叉斑作为电子源,经二级聚光镜及物镜的缩

小形成能谱仪获得。具有一定能量、一定束流强度和束斑直径的微细电子束,在扫描线圈驱动下,于试样表面 2 材料形貌分析观察作栅网式扫描。聚焦电子束与试样相互作 2.1 表面分析用,产生二次电子发射(以及其它物理信号),二表面是指物体的尽端。表面分析是指用次电子发射量随试样表面形貌而变化。二次电子信号被探测器收集转换成电讯号,经视频放大后输入到显像管栅极,调制与入射电子束同步扫描的显像管亮度,得到反映试样表面形貌的二次电子像。

编辑本段基本参数放大率

与普通光学显微镜不同,在SEM中,是通过控制扫描

区域的大小来控制放大率的。如果需要更高的放大率,只需要扫描更小的一块面积就可以了。放大率由屏幕/照片面积除以扫描面积得到。

所以,SEM中,透镜与放大率无关。

场深

在SEM中,位于焦平面上下的一小层区域内的样品点都可以得到良好的会焦而成象。这一小层的厚度称为场深,通常为几纳米厚,所以,SEM可以

用于纳米级样品的三维成像。

作用体积

电子束不仅仅与样品表层原子发生作用,它实际上与一定厚度范围内的样品原子发生作用,所以存在一个作用“体积”。

作用体积的厚度因信号的不同而不同:

欧革电子:0.5~2纳米。

次级电子:5λ,对于导体,λ=1纳米;对于绝缘体,λ=10纳米。

背散射电子:10倍于次级电子。

特征X射线:微米级。

X射线连续谱:略大于特征X射线,也在微米级。

工作距离

工作距离指从物镜到样品最高点的垂直距离。

如果增加工作距离,可以在其他条件不变的情况下获得更大的场深。

如果减少工作距离,则可以在其他条件不变的情况下获得更高的分辨率。通常使用的工作距离在5毫米到10毫米之间。

成象

次级电子和背散射电子可以用于成象,但后者不如前者,所以通常使用次

级电子。

表面分析

欧革电子、特征X射线、背散射电子的产生过程均与样品原子性质有关,所以可以用于成分分析。但由于电子束只能穿透样品表面很浅的一层(参见作用体积),所以只能用于表面分析。

表面分析以特征X射线分析最常用,所用到的探测器有两种:能谱分析仪与波谱分析仪。前者速度快但精度不高,后者非常精确,可以检测到“痕迹元素”的存在但耗时太长。

编辑本段发展历史* 1873 Abbe 和Helmholfz 分别提出解像力与照射光的波长成反比。奠定了显微镜的理论基础。

1897 J.J. Thmson 发现电子

1924 Louis de Broglie (1929 年诺贝尔物理奖得主)提出电子本身具有波动的物理特性,进一步提供电子显微镜的理论基础。

* 1926 Busch 发现电子可像光线经过玻璃透镜偏折一般,由电磁场的改变而偏折。

1931 德国物理学家Knoll 及Ruska 首先发展出穿透式电子显微镜原型机。1937 首部商业原型机制造成功(Metropolitan Vickers 牌)。

* 1938 第一部扫描电子显微镜由Von Ardenne 发展成功。

1938~39 穿透式电子显微镜正式上市(西门子公司,50KV~100KV,解像

力20~30Å)。

1940~41 RCA 公司推出美国第一部穿透式电子显微镜(解像力50 nm)。*1941~63 解像力提升至2~3 Å (穿透式)及100Å (扫描式)

1960 Everhart and Thornley 发明二次电子侦测器。

1965 第一部商用SEM出现(Cambridge)

1966 JEOL 发表第一部商用SEM(JSM-1)

1958年中国科

学院组织研制

1959年第一台100KV电子显微镜1975年第一台扫描电子显微镜DX3 在中国科学院科学仪器厂(现北京中科科仪技术发展有限责任公司)研发成功

1980年中科科仪引进美国技术,开发KYKY1000扫描电镜

编辑本段SEM应用⑴生物:种子、花粉、细菌……

⑵医学:血球、病毒……

⑶动物:大肠、绒毛、细胞、纤维……

⑷材料:陶瓷、高分子、粉末、环氧树脂……

⑸化学、物理、地质、冶金、矿物、污泥(杆菌)、机械、电机及导电性样品,如半导体(IC、线宽量测、断面、结构观察……)电子材料等。

编辑本段三大组成真空系统,电子束系统以及成像系统。(以下提到扫描电子显微镜之处,均用SEM代替)

1、真空系统

真空系统主要包括真空泵和真空柱两部分。

真空柱是一个密封的柱形容器。

真空泵用来在真空柱内产生真空。有机械泵、油扩散泵以及涡轮分子泵三大类,机械泵加油扩散泵的组合可以满足配置钨枪的SEM的真空要求,但对于装置了场致发射枪或六硼化镧枪的SEM,则需要机械泵加涡轮分子泵的组合。成象系统和电子束系统均内置在真空柱中。真空柱底端即为右图所示的密封室,用于放置样品。之所以要用真空,主要基于以下两点原因:电子束系统中的灯丝在普通大气中会迅速氧化而失效,所以除了在使用SEM时需要用真空以外,平时还需要以纯氮气或惰性气体充满整个真空柱。为了增大电子的平均自由程,从而使得用于成象的电子更多。

2、电子束系统

电子束系统由电子枪和电磁透镜两部分组成,主要用于产生一束能量分布

极窄的、电子能量确定的电子束用以扫描成象。

电子枪

电子枪用于产生电子,主要有两大类,共三种。一类是利用场致发射效应产生电子,称为场致发射电子枪。这种电子枪极其昂贵,在十万美元以上,且需要小于10-10torr的极高真空。但它具有至少1000小时以上的寿命,且不需要电磁透镜系统。另一类则是利用热发射效应产生电子,有钨枪和六硼化镧枪两种。钨枪寿命在30~100小时之间,价格便宜,但成象不如其他两种明亮,常作为廉价或标准SEM配置。六硼化镧枪寿命介于场致发射电子枪与钨枪之间,为200~1000小时,价格约为钨枪的十倍,图像比钨枪明亮5~10倍,需要略高于钨枪的真空,一般在10-7torr以上;但比钨枪容易产生过度饱和和热激发问题。

电磁透镜

热发射电子需要电磁透镜来成束,所以在用热发射电子枪的SEM上,电磁透镜必不可少。通常会装配两组:

汇聚透镜:顾名思义,汇聚透镜用汇聚电子束,装配在真空柱中,位于电子枪之下。通常不止一个,并有一组汇聚光圈与之相配

。但汇聚透镜仅仅用于汇聚电子束,与成象会焦无关。

物镜:物镜为真空柱中最下方的一个电磁透镜,它负责将电子束的焦点汇聚到样品表面。

3、成像系统

电子经过一系列电磁透镜成束后,打到样品上与样品相互作用,会产生次级电子、背散射电子、欧革电子以及X射线等一系列信号。所以需要不同的探测器譬如次级电子探测器、X射线能谱分析仪等来区分这些信号以获得所需要的信息。虽然X射线信号不能用于成象,但习惯上,仍然将X射线分析系统划分到成象系统中。

有些探测器造价昂贵,比如Robinsons式背散射电子探测器,这时,可以使用次级电子探测器代替,但需要设定一个偏压电场以筛除次级电子。编辑本段应用情况扫描电子显微镜在新型陶瓷材料显微分析中的应用

1显微结构的分析

在陶瓷的制备过程中,原始材料及其制品的显微形貌、孔隙大小、晶界和团聚程度等将决定其最后的性能。扫描电子显微镜可以清楚地反映和记录这些微观特征,是观察分析样品微观结构方便、易行的有效方法,样品无需制备,只需直接放入样品室内即可放大观察;同时扫描电子显微镜可以实现试样从低倍到高倍的定位分析,在样品室中的试样不仅可以沿三维空间移动,还能够根据观察需要进行空间转动,以利于使用者对感兴趣的部

位进行连续、系统的观察分析。扫描电子显微镜拍出的图像真实、清晰,并富有立体感,在新型陶瓷材料的三维显微组织形态的观察研究方面获得了广泛地应用。

由于扫描电子显微镜可用多种物理信号对样品进行综合分析,并具有可以直接观察较大试样、放大倍数范围宽和景深大等特点,当陶瓷材料处于不同的外部条件和化学环境时,扫描电子显微镜在其微观结构分析研究方面同样显示出极大的优势。主要表现为:⑴力学加载下的微观动态(裂纹扩展)研究; ⑵加热

条件下的晶体合成、气化、聚合反应等研究; ⑶晶体生长机理、生长台阶、缺陷与位错的研究;⑷成分的非均匀性、壳芯结构、包裹结构的研究;⑸晶粒相成分在化学环境下差异性的研究等。

2纳米尺寸的研究

纳米材料是纳米科学技术最基本的组成部分,现在可以用物理、化学及生物学的方法制备出只有几个纳米的“颗粒”。纳米材料的应用非常广泛,比如通常陶瓷材料具有高硬度、耐磨、抗腐蚀等优点,纳米陶瓷在一定的程度上也可增加韧性、改善脆性等,新型陶瓷纳米材料如纳米称、纳米天平等亦是重要的应用领域。纳米材料的一切独特性主要源于它的纳米尺寸,因此必须首先确切地知道其尺寸,否则对纳米材料的

研究及应用便失

去了基础。纵观当今国内外的研究状况和最新成果,目前该领域的检测手段和表征方法可以使用透射电子显微镜、扫描隧道显微镜、原子力显微镜等技术,但高分辨率的扫描电子显微镜在纳米级别材料的形貌观察和尺寸检测方面因具有简便、可操作性强的优势被大量采用。另外如果将扫描电子显微

镜与扫描隧道显微镜结合起来,还可使普通的扫描电子显微镜升级改造为超高分辨率的扫描电子显微镜。图2所示是纳米钛酸钡陶瓷的扫描电镜照片,晶粒尺寸平均为20nm。

3铁电畴的观测

压电陶瓷由于具有较大的力电功能转换率及良好的性能可调控性等特点在多层陶瓷驱动器、微位移器、换能器以及机敏材料与器件等领域获得了广泛的应用。随着现代技术的发展,铁电和压电陶瓷材料与器件正向小型化、集成化、多功能化、智能化、高性能和复合结构发展,并在新型陶瓷材料的开发和研究中发挥重要作用。铁电畴(简称电畴)是其物理基础,电畴的结构及畴变规律直接决定了铁电体物理性质和应用方向。电子显微术是目前观测电畴的主要方法,其优点在于分辨率高,可直接观察电畴和畴壁的显微结构及相变的动态原位观察(电畴壁的迁移)。

扫描电子显微镜观测电畴是通过对样品表面预先进行化学腐蚀来实现的,

由于不同极性的畴被腐蚀的程度不一样,利用腐蚀剂可在铁电体表面形成凹凸不平的区域从而可在显微镜中进行观察。因此,可以将样品表面预先进行化学腐蚀后,利用扫描电子显微镜图像中的黑白衬度来判断不同取向的电畴结构。对不同的铁电晶体选择合适的腐蚀剂种类、浓度、腐蚀时间和温度都能显示良好的畴图样。图3是扫描电子显微镜观察到的PLZT材料的90°电畴。扫描电子显微镜与其他设备的组合以实现多种分析功能在实际分析工作中,往往在获得形貌放大像后,希望能在同一台仪器上进行原位化学成分或晶体结构分析,提供包括形貌、成分、晶体结构或位向在内的丰富资料,以便能够更全面、客观地进行判断分析。为了适应不同分析目的的要求,在扫描电子显微镜上相继安装了许多附件,实现了一机多用,成为一种快速、直观、综合性分析仪器。把扫描电子显微镜应用范围扩大到各种显微或微区分析方面,充分显示了扫描电镜的多

种性能及广泛的应用前景。

目前扫描电子显微镜的最主要组合分析功能有:X射线显微分析系统(即能谱仪,EDS),主要用于元素的定性和定量分析,并可分析样品微区的化学成分等信息;电子背散射系统(即结晶学分析系统),主要用于晶体和矿物的研究。随着现代技术的发展,其

他一些扫描电子显微镜组合分析功能也相继出现,例如显微热台和冷台系统,主要用于观察和分析材料在加热和冷冻过程中微观结构上的变化;拉伸台系统,主要用于观察和分析材料在受力过程中所发生的微观结构变化。扫描电子显微镜与其他设备组合而具有的新型分析功能为新材料、新工艺的探索和研究起到重要作用。

成像

次级电子和背散射电子可以用于成像,但后者不如前者,所以通常使用次级电子。

表面分析

欧革电子、特征X射线、背散射电子的产生过程均与样品原子性质有关,所以可以用于成分分析。但由于电子束只能穿透样品表面很浅的一层(参见作用体积),所以只能用于表面分析。

[1]表面分析以特征X射线分析最常用,所用到的探测器有两种:能谱分析仪与波谱分析仪。前者速度快但精度不高,后者非常精确,可以检测到“痕迹元素”的存在但耗时太长。

11-2 JY T 010-1996分析型扫描电子显微镜方法通则

MV_RR_CNJ_0010分析型扫描电子显微镜方法通则 1.分析型扫描电子显微镜方法通则的说明 编号JY/T 010—1996 名称(中文)分析型扫描电子显微镜方法通则 (英文)General rules for analytical scanning electron microscopy 归口单位国家教育委员会 起草单位国家教育委员会 主要起草人林承毅 万德锐 批准日期 1997年1月22日 实施日期 1997年4月1日 替代规程号无 适用范围本通则适用于各种类型的扫描电子显微镜和X射线能谱仪。 定义 主要技术要求 1. 2. 方法原理 3. 仪器 4. 样品 5. 分析步骤 6. 分析结果表述 是否分级无 检定周期(年) 附录数目无 出版单位科学技术文献出版社 检定用标准物质 相关技术文件 备注 2.分析型扫描电子显微镜方法通则的摘要 本通则适用于各种类型的扫描电子显微镜和X射线能谱仪。 2 定义 2.1二次电子 secondary electron 在入射电子的作用下,从固体样品中出射的,能量小于50eV的电子,通常以SE表示。 2.2背散射电子 backscattered electron 被固体样品中的原子反射回来的入射电子,包括弹性背散射电子和非弹性背散射电子,通常以BSE表示。它又称为反射电子(Reflected Electron),以RE表示。其中弹性背散射电子完全改变了入射电子的运动方向,但基本上没有改变入射电子的能量;而非弹性背散射电子不仅改变了入射电子的运动方向,在不同程度上还损失了部分能量。 2.3 放大倍数 magnification 扫描电镜的放大倍数是指其图像的线性放大倍数,以M表示。如果样品上长度为L s直线

电子探针、扫描电镜显微分析2

图8-12 电子探针结构的方框图 2.4.1 电子光学系统 电子光学系统包括电子枪、电磁透镜、消像散器和扫描线圈等。其功能是产生一定能量的电子束、足够大的电子束流、尽可能小的电子束直径,产生一个稳定的X 射线激发源。 2.4.1.1 电子枪 电子枪是由阴极(灯丝)、栅极和阳极组成。它的主要作用是产生具有一定能量的细聚焦电子束(探针)。从加热的钨灯丝发射电子,由栅极聚焦和阳极加速后,形成一个10μm ~100μm 交叉点(Crossover),再经过二级会聚透镜和物镜的聚焦作用,在试样表面形成一个小于1μm 的电子探针。电子束直径和束流随电子枪的加速电压而改变, 加速电压可变范围一般为1kV ~30kV 。 2.4.1.2 电磁透镜 电磁透镜分会聚透镜和物镜,靠近电子枪的透镜称会聚透镜,会聚透镜一般分两级,是把电子枪形成的10μm -100μm 的交叉点缩小1-100倍后,进入样品上方的物镜,物镜可将电子束再缩小并聚焦到样品上。为了挡掉大散射角的杂散电子,使入射到样品的电子束直径尽可能小,会聚透镜和物镜下方都有光阑。 为了在物镜和样品之间安置更多的信号探测器,如二次电子探测器、能谱仪等,必须有一定的工作距离( 物镜底面和样品之间的距离)。工作距离加长必然会使球差系数增大,从而使电子束直径变大,如果电子束几何直径为dg, 由于球差系数的影响,最终形成的电子束 直径d 应为:d 2=dg 2+ds 2 ,ds 为最小弥散圆直径,它和球差系数Cs 的关系为: ds = 2 1Cs 2 α (8·2) α为探针在试样表面的半张角。因此,增加工作距离受到球差的限制。为了解决这一矛盾,设计了一种小物镜,是这类仪器的一项重要改进。小物镜可以在不增加工作距离的情况下,在物镜和样品之间安放更多的信号探测器,如JCXA -733电子探针,工作距离为11mm ,可同时安装四道波谱仪(WDS),一个能谱仪,一个二次电子探测器和一个背散射电子探测器,并使X 射线出射角增加到40°。高出射角减小了试样对X 射线的吸收和样品表面粗糙所造成的影响,但小物镜要获得足够的磁场必须在其线圈内通以大电流,为了解决散热问题要进行强制冷却,一般用油冷却。

扫描电镜原理、方法及操作

一、分析测试步骤 开机 1、接通循环水(流速1.5~2.0L/min ) 2、打开主电源开关。 3、在主机上插入钥匙,旋至“Start ”位置。 松手后钥匙自动回到“on ”的位置,真空系统开始工作。 4、等待10秒钟,打开计算机运行。 5、点击桌面的开始程序。 6、点击[JEOL ·SEM ]及[JSM-5000主菜单]。 7、约20分钟仪器自动抽高真空,真空度达到后,电子枪自动加高压,进入工作状态。 8、通过计算机可以进行样品台的移动,改变放大倍数、聚焦、象散的调整, 直到获得满意的图像 9、对于满意的图像可以进行拍照、存盘和打印。 10、若需进行能谱分析,要提前1小时加入液氮,并使探测器进入工作状态。 11、打开能谱部分的计算机进行谱收集和相应的分析。 12、需观察背散射电子像时,工作距离调整为15mm ,然后插入背散射电子探测器,用完后 随时拔出。 更换样品 1、点击“HT on ”,出现“HT Ready ”。 2、点击“Sample ”,再点击“Vent ”。 3、50秒后拉出样品台,从样品台架上取出样品台. 4、更换样品后,关上样品室门,再点击“EVAC ”,真空系统开始工作,重复开机10.1.8、 10.1.9。 关机 1、点击[EXIT ],再点击[OK ],扫描电镜窗口关闭,回到视窗桌面上. 2、电击桌面上的[Start ]。 3、退出视窗,关闭计算机. 4、关闭控制面板上的电源开关. 5、等待15分钟后关掉循环水. 6、关掉总电源. 二. 方法原理 1、扫描电镜近况及其进展 扫描电子显微镜的设计思想和工作原理,早在1935年已经被提出来了,直到1956年才开始生产商品扫描电镜。商品扫描电镜的分辨率从第一台的25nm 提高到现在的0.8nm ,已经接近于透射电镜的分辨率,现在大多数扫描电镜都能同X 射线波谱仪、X 射线能谱仪和自动图像分析仪等组合,使得它是一种对表面微观世界能够进行全面分析的多功能的电子光学仪器。数十年来,扫描电镜已广泛地应用在材料学、冶金学、地矿学、生物学、医学以及地质勘探,机械制造、生产工艺控制、产品质量控制等学科和领域中,促进了各有关学科的发展。

扫描电镜在材料表面形貌观察及成分分析中应用

扫描电镜在材料表面形貌观察及成分分析中的应用 一、实验目的 1)了解扫描电镜的基本结构和工作原理,掌握扫描电镜的功能和用途; 2)了解能谱仪的基本结构、原理和用途; 3)了解扫描电镜对样品的要求以及如何制备样品。 二、实验原理 (一)扫描电镜的工作原理和结构 1. 扫描电镜的工作原理 扫描电镜是对样品表面形态进行测试的一种大型仪器。当具有一定能量的入射电子束轰击样品表面时,电子与元素的原子核及外层电子发生单次或多次弹性与非弹性碰撞,一些电子被反射出样品表面,而其余的电子则渗入样品中,逐渐失去其动能,最后停止运动,并被样品吸收。在此过程中有99%以上的入射电子能量转变成样品热能,而其余约1%的入射电子能量从样品中激发出各种信号。如图1所示,这些信号主要包括二次电子、背散射电子、吸收电子、透射电子、俄歇电子、电子电动势、阴极发光、X射线等。扫描电镜设备就是通过这些信号得到讯息,从而对样品进行分析的。 图1 入射电子束轰击样品产生的信息示意图

从结构上看,扫描电镜主要由七大系统组成,即电子光学系统、探测、信号处理、显示系统、图像记录系统、样品室、真空系统、冷却循环水系统、电源供给系统。 由图2我们可以看出,从灯丝发射出来的热电子,受2-30KV电压加速,经两个聚光镜和一个物镜聚焦后,形成一个具有一定能量,强度和斑点直径的入射电子束,在扫描线圈产生的磁场作用下,入射电子束按一定时间、空间顺序做光栅式扫描。由于入射电子与样品之间的相互作用,从样品中激发出的二次电子通过收集极的收集,可将向各个方向发射的二次电子收集起来。这些二次电子经加速并射到闪烁体上,使二次电子信息转变成光信号,经过光导管进入光电倍增管,使光信号再转变成电信号。这个电信号又经视频放大器放大,并将其输入到显像管的栅极中,调制荧光屏的亮度,在荧光屏上就会出现与试样上一一对应的相同图像。入射电子束在样品表面上扫描时,因二次电子发射量随样品表面起伏程度(形貌)变化而变化。 故视频放大器放大的二次电子信号是一个交流信号,用这个交流信号调制显像管栅极电,其结果在显像管荧光屏上呈现的是一幅亮暗程度不同的,并反映样品表面起伏程度(形貌)的二次电子像。应该特别指出的是:入射电子束在样品表面上扫描和在荧光屏上的扫描必须是“同步”,即必须用同一个扫描发生器来控制,这样就能保证样品上任一“物点”样品A点,在显像管荧光屏上的电子束恰好在A’点即“物点”A与“像点” A’在时间上和空间上一一对应。通常称“像点”A’为图像单元。显然,一幅图像是由很多图像单元构成的。 扫描电镜除能检测二次电子图像以外,还能检测背散射电子、透射电子、特征x射线、阴极发光等信号图像。其成像原理与二次电子像相同。 在进行扫描电镜观察前,要对样品作相应的处理。扫描电镜样品制备的主要要求是:尽可能使样品的表面结构保存好,没有变形和污染,样品干燥并且有良好导电性能。

三硫化二砷纳米微球的扫描电镜观察和图像分析

三硫化二砷纳米微球的扫描电镜观察和图像 分析 【摘要】目的:对制备的砷类中药雌黄(三硫化二砷)纳米微球进行表征,为进一步探索纳米雌黄的抗癌机理提供实验基础。方法:(1)以砒霜、硫代乙酰胺、盐酸为原料,采用化学法制备雌黄纳米微球;(2)用扫描电镜、X射线能谱、图像分析系统对雌黄纳米微球进行分析表征。结果:实验制备的雌黄纳米微球电镜下呈圆形或椭圆形,分散性较好,图像分析系统示平均粒径为440 nm。结论:采用化学法可制备雌黄纳米微球。 【关键词】雌黄纳米微球表征 砷制剂对肿瘤的治疗是近年来的研究热点,特别是对白血病的治疗为人们所关注。近年来,国内外学者在砷剂抗癌研究方面取得了可喜的成就[13],大量的临床实践和基础研究已证明含砷类中药在肿瘤治疗方面有广阔的应用前景。但传统砷制剂的临床应用目前仍存在不少问题,如毒副作用大、颗粒偏大、生物利用度较低等。本研究采用化学合成法制备三硫化二砷(As2S3,雌黄)纳米微球,并对其相关特性进行扫描电镜观察、能谱和图像分析。 1 材料与方法 1.1 主要试剂与仪器 As2O3(Sigma公司);传统As2S3粉末(上海化学试剂采购公司,纯度为97%);硫代乙酰胺(TAA,国药集团化学试剂有限公司,分析纯);37%盐酸(南京化学试剂一厂,分析纯);无水乙醇(上海宏图化

学试剂厂,分析纯);扫描电镜(JEOL JSM6360LV,日本);能谱仪(Thermo NORAN,vantage,美国);CMIAS98A图像分析系统(北京航空航天大学)。 1.2 As2S3 纳米微球制备 配制一定浓度的As2O3盐酸溶液。量取一个体积去离子水,在磁力搅拌下分别向其中加入等量的上述As2O3盐酸溶液。精确称取配方量的TAA,使之溶于适量的水中,在磁力搅拌下取TAA溶液滴加至上述反应体系中,滴加完毕后继续搅拌数分钟,分别水浴至溶液变浑浊。次日滴铜网1张后离心,弃上清,去离子水洗涤,适当温度烘干。 1.3 As2S3 纳米微球的电镜形态学观察和能谱表征 取出少量自行研制的As2S3纳米粒胶体溶液,滴有膜铜网,晾干,制得电镜样品,在JEM2010扫描电镜下随机选几个视野观察拍照,同时用X射线能谱仪(EDS)对自制的As2S3纳米粒进行元素成分及其含量分析,以检测As2S3纳米粒的组成。检测条件为Accelerating voltage: 200 keV; Take off angle: 3.94519°; Live time:174 seconds; Dead time: 66.23 seconds。同时对传统的雌黄粉末进行观察比对。 1.4 As2S3 纳米微球平均粒径的图像分析 制备的As2S3纳米微球经无水乙醇超声分散后用扫描电镜拍照,而后将照片用图像扫描仪扫描并输入计算机中,CMIAS98A图像分析系统进行图像分析,计算平均粒径和圆度等指标。 2 结果 传统的As2S3粉末在扫描电镜下呈多边形或不规则晶体状,直径

影响扫描电镜图像质量的因素分析(复旦,周广荣)

影响扫描电镜图像质量的因素分析(复旦,周广荣) 2011-06-20 13:35:59| 分类:SEM基础 | 标签:空间电荷加速电压扫描速度阈电流象散校正|字号订阅 作者:周广荣 (聚合物分子工程教育部重点实验室复旦大学高分子科学系上海200433) COXEM(酷塞目)有限公司Beijing Office驰奔 摘要:本文介绍影响扫描电镜图像质量的因素及其对图像质量的影响,分别从加速电压、扫描速度和信噪比、束斑直径、探针电流、消像散校正、工作距离以及反差对比等分析图像质量的变化原因,提出提高图像质量的方法。 关键词: 扫描电子显微镜SEM 图像质量 扫描电子显微镜是(Scanning Electron Microscope,SEM)是20 世纪30 年代中期发展起来的一种多功能的电子显微分析仪器。SEM 以其样品制备简单、图像视野大、景深长、图像立体感强,且能接收和分析电子与样品相互作用后产生的大部分信息,因而在科研和工业等各个领域得到广泛应用。 但是扫描电镜是非常精密的仪器,结构复杂,要想得到能充分反映物质形貌、层次清晰、立体感强和分辨率高的高质量图像仍然是一件非常艰难的事情,本文针对工作中出现的问题,分析影响图像质量的因素,讨论如何根据样品选择最佳观察条件。 1 加速电压 扫描电镜的电子束是由灯丝通电发热温度升高,当钨丝达到白热化,电子的动能增加到大于阳离子对它的吸引力( 逸出功) 时,电子就逃逸出去。在紧靠灯丝处装上有孔的栅极

( 也叫韦氏盖),灯丝尖处于栅孔中心。栅极上100~1000V 的负电场,使灯丝的电子发射达到一定程度时,不再能继续随温度增加而增加,即达到空间电荷的饱和(这种提法是错误的)。离开栅极一定距离有一个中心有孔的阳极,在阳极和阴极间加有一个很高的正电压称为加速电压[1],它使电子束加速而获得能量。加速电压的范围在1~30kV,其值越大电子束能量越大,反之亦然。 加速电压的选用视样品的性质( 含导电性) 和倍率等来选定。当样品导电性好且不易受电子束损伤时可选用高加速电压,这时电子束能量大对样品穿透深(尤其是低原子序数的材料)使材料衬度减小图像分辨率高。但加速电压过高会产生不利因素,电子束对样品的穿透能力增大,在样品中的扩散区也加大,会发射二次电子和散射电子甚至二次电子也被散射,过多的散射电子存在信号里会出现叠加的虚影从而降低分辨率,目前我所用的扫描电子显微镜(TESCAN TS 5136MM) 的加速电压可在1~30kV 内任意调节,采用加速电压1~30 kV (见图1)。 图1 分别加速电压为1kV,10kV,30kV 的SEM 像, 当样品导电性差时,又不便喷碳喷金, 还需保存样品原貌的这类样品容易产生充放电效应,样品充电区的微小电位差会造成电子束散开使束斑扩大从而损害分辨率。同时表面负电

扫描电镜在材料表面形貌观察及成分分析中应用修订稿

扫描电镜在材料表面形貌观察及成分分析中应 用 WEIHUA system office room 【WEIHUA 16H-WEIHUA WEIHUA8Q8-

扫描电镜在材料表面形貌观察及成分分析中的应用 一、实验目的 1)了解扫描电镜的基本结构和工作原理,掌握扫描电镜的功能和用途; 2)了解能谱仪的基本结构、原理和用途; 3)了解扫描电镜对样品的要求以及如何制备样品。 二、实验原理 (一)扫描电镜的工作原理和结构 1. 扫描电镜的工作原理 扫描电镜是对样品表面形态进行测试的一种大型仪器。当具有一定能量的入射电子束轰击样品表面时,电子与元素的原子核及外层电子发生单次或多次弹性与非弹性碰撞,一些电子被反射出样品表面,而其余的电子则渗入样品中,逐渐失去其动能,最后停止运动,并被样品吸收。在此过程中有99%以上的入射电子能量转变成样品热能,而其余约1%的入射电子能量从样品中激发出各种信号。如图1所示,这些信号主要包括二次电子、背散射电子、吸收电子、透射电子、俄歇电子、电子电动势、阴极发光、X 射线等。扫描电镜设备就是通过这些信号得到讯息,从而对样品进行分析的。 图1入射电子束轰击样品产生的信息示意图 从结构上看,扫描电镜主要由七大系统组成,即电子光学系统、探测、信号处理、显示系统、图像记录系统、样品室、真空系统、冷却循环水系统、电源供给系统。 由图2我们可以看出,从灯丝发射出来的热电子,受2-30KV电压加速,经两个聚光镜和一个物镜聚焦后,形成一个具有一定能量,强度和斑点直径的入射电子束,在扫描线圈产生的磁场作用下,入射电子束按一定时间、空间顺序做光栅式扫描。由于入射电子与样品之间的相互作用,从样品中激发出的二次电子通过收集极的收集,可将向各个方向发射的二次电子收集起来。这些二次电子经加速并射到闪烁体上,使二次电子信息转变成光信号,经过光导管进入光电倍增管,使光信号再转变成电信号。这个电信号又经视频放大器放大,并将其输入到显像管的栅极中,调制荧光屏的亮度,在荧光屏上就会出现与试样上一一对应的相同图像。入射电子束在样品表面上扫描时,因二次电子发射量随样品表面起伏程度(形貌)变化而变化。 故视频放大器放大的二次电子信号是一个交流信号,用这个交流信号调制显像管栅极电,其结果在显像管荧光屏上呈现的是一幅亮暗程度不同的,并反映样品表面起伏程度(形貌)的二次电子像。应该特别指出的是:入射电子束在样品表面上扫描和在荧光

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