当前位置:文档之家› 电子技术基础知识考题

电子技术基础知识考题

电子技术基础知识考题
电子技术基础知识考题

《电子技术》考试试题

一、填空:(每空1分,共30分)

1、半导体的基本特性有_________、_________、___________。

2、PN结的主要特性是_______________性。

3、二极管的主要参数有_________________、________________。

4、三极管的主要功能是_____________________。

5、三极管有_________、_________、__________三种工作状态。

6、三极管工作在放大状态的外部条件是:发射结偏,集电结__ 偏。

7、三极管是_ _____控制器件;场效应管是___ ____控制器件。

8、静态工作点偏高,信号波形容易产生_______失真,偏低容易产生_ ___失真。

9、影响工作点稳定的主要因素是___________。

10、________是放大电路中稳定工作点常用的方法。

11、共射极单管放大电路输出电压与输入电压相位_____。射极输出器输出电压与输入电压相位________。

12、多级放大器常用的耦合方式由___ ____、__ _____、__ ______三种。

13、单相全波整流电路中,输出电压U0 =_____U2 ,URM = ____U2。加电容滤波后U0 =_____U2 。

14、串联型稳压电路由_____、_______、______、_____四部分组成。

二、名词解释:(每小题3分,共15分)

1、静态工作点:

2、零点漂移:

3、交越失真:

4、整流:

5、非线性失真:

三、简答:(每小题4分,共20分)

1、什么是三极管的电流放大作用?

2、放大器为什么要设置合适的静态工作点?

3、差动放大电路对差模信号、共模信号各有什么作用?

4、负反馈对放大器的性能有何影响?

5、什么是稳压管的稳压作用?

四、判断:(每小题3分,共9分)

三极管三个电极的对地电位如图所示,试判断各管处于什么状态?

五、计算、作图及其它

1、(10分)共射极单管放大电路如图。已知三极管电流放大系数

β= 50,Rb = 400KΩ,Rc = 4KΩ,rbe = 1KΩ,电源电压Ucc = 12V,忽略三极管发射结压降,试计算:

⑴放大电路的静态工作点;

⑵空载时的电压放大倍数;

⑶当放大电路输出端接入RL = 6KΩ的负载电阻时的电压放大倍数。

2、画出分压式共射极偏置电路:写出电路对工作点的稳定过程。(7分)

3、试画出与门、或门、非门电路的逻辑符号图,并写出它们相应的逻辑关系表达式。(9分)电子技术

一、填空:

1、半导体的基本特性有光敏特性、热敏特性和参杂特性。

2、PN结的主要特性是具有单向导电性。

3、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压。

4、三极管的主要功能是电流放大作用。

5、三极管有放大、截止、饱和三种工作状态。

6、三极管工作在放大状态的外部条件是:发射结正向偏、集电结反向偏。

7、三极管是电流控制器件;场效应管是电压控制器件。

8、静态工作点偏高,信号波形容易产生饱和失真,偏低容易产生截止失真。

9、影响工作点稳定的主要因素是环境温度的影响。

10、采用负反馈是放大电路中稳定工作点常用的方法。

11、共射极单管放大电路输出电压与输入电压相位相反,

射极输出器输出电压与输入电压相位相同。

12、多级放大器常用的耦合方式由直接耦合、阻容耦合、变压器耦合三种。

13、单相全波整流电路中,输出电压U0 = 0.9 U2 ,URM = U2。加电容滤波后U0 = 1.2 U2 。

14、串联型稳压电路由取样环节、基准电压环节、比较放大环节和电压调整环节四部分组成。

二、名词解释:

1、(放大电路的)静态工作点:

三极管放大电路在没有交流信号输入时,在其各极所施加的直流电压与直流电流值的大小就是三极管的静态工作点。

2、(放大电路的)零点漂移:

在运算放大器中,在没有信号输入时,输出信号偏离零点而不为零的现象

就叫放大器的零点飘移。

3、交越失真:

在乙类推挽功率放大电路中,两管交替工作,在波形交接处所出现的失真就叫交越失真。4、整流:

整流就是利用二极管的单向导电性将交流转变为直流的过程。

5、非线性失真:

三极管工作在非线性特性区域时,对信号所产生的波形失真就叫非线性失真。

三、简答:

1、什么是三极管的电流放大作用?

答:三极管基极电流有一微小变化能引起集电极电流产生较大变化,

就叫三极管的电流放大作用。

2、放大器为什么要设置合适的静态工作点?

答:因为不设置静态工作点,或静态工作点设置的位置不合适,放大器的输出信号会产生去失真,故放大器必须设置合适的静态工作点。

3、差动放大电路对差模信号、共模信号各有什么作用?

答:差动放大器对差模信号具有放大作用,对共模信号具有抑制作用。

4、负反馈对放大器的性能有何影响?

答:负反馈对放大器性能的影响有①使放大电路的放大倍数降低,

②放大倍数的稳定性提高,③能减小非线性失真。

5、什么是稳压管的稳压作用?

答:通过稳压管的电流在很大范围内变化时,而稳压管两端的电压基本保持不变

四、判断:

三极管三个电极的对地电位如图所示,试判断各管处于什么状态?

模拟电子技术基础知识点总结

模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路); 若V阳

2) 等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路); 若V阳

电子技术基础试题

电子技术基础(三)试题 一、单项选择题(本大题共15小题,每小题1分,共15分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个选项是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.以下关于脉动直流电压的描述中,正确的是() A.电压的大小和方向均不随时间变化 B.电压的大小随时间变化,但方向不随时间变化 C.电压的大小不随时间变化,但方向随时间变化 D.电压的大小和方向均随时间变化 2.以下关于理想电流源特性的描述中,正确的是() A.理想电流源的信号源内阻接近于零 B.理想电流源任何时候都可以串联在一起 C.理想电流源的输出电流与负载无关 D.理想电流源两端的电压与负载无关 3.电路如题3图所示,已知相量电流则向量电流I为() A.10∠90° (A) B.10∠-90° (A) C.2∠45° (A) D.2∠-45° (A) 4.N型半导体中的多数载流子是() A.自由电子B.空穴 C.五价杂质原子D.五价杂质离子 5.已知工作在放大区的某硅晶体三极管的三个电极电位 如题5图所示,则a、b、c三个电极分别为() A.发射极、基极、集电极 B.发射极、集电极、基极 C.基极、发射极、集电极 D.基极、集电极、发射极 6.理想运放的差模输入电阻R id和输出电阻R O分别为() A.R id=0,R O=0 B.R id=0,R O=∞ C.R id=∞,R O=0 D.R id=∞,R O=∞ 7.为避免集成运放因输入电压过高造成输入级损坏,在两输入端间应采取的措施是() A.串联两个同向的二极管B.串联两个反向的二极管 C.并联两个同向的二极管D.并联两个反向的二极管 8.在单相半波整流电路中,如变压器副方电压的有效值为U2,则二极管所承受的最高反向电压为()

电子技术基础-考试大纲

电子技术基础-考试大纲 参考书: 1.《电工学(下册)-电子技术》(第六版、第七版都可);秦曾煌主编,高教出版社 2.《模拟电子技术基础》(第三版或第四版);童诗白主编,高等教育出版社 3.《数字电子技术基础》(第四版);阎石主编,高等教育出版社 考试时间:2小时(满分100分)。 一、本课程的地位、作用和任务 《电子技术基础》是工科电气类的专业技术基础核心课程。课程任务是使学生获得电子技术的基本理论和基本技能,为学习后续课程和从事有关的工程技术工作打下基础。 二、基本内容 1、模拟电子技术基础 (1)掌握半导体二极管、稳压管、晶体三极管的基本概念和主要参数;尤其是掌握半导体二极管、稳压管、晶体三极管的计算方法及应 用。 (2)理解和掌握不同类型单级放大电路的工作原理和性能特点,掌握放大电路的静态分析及动态分析方法。能够分析计算基本共射放大电路中的实验现 象。 (3)了解深度负反馈的概念,掌握不同反馈类型的分析方法,理解负反馈对放大电路性能的影响,能够计算单级深度负反馈电路的电压放大倍数。 (4) 掌握集成运算放大器的基本组成和电压传输特性,掌握其基本分析方法。能分析和计算由理想运算放大器组成的基本运算电路及信号处理电 路。

(5)理解与掌握互补对称功率放大电路的基本概念与分析计算方法。 (6)了解不同类型的正弦波振荡电路的基本组成及工作原理,判断电路能否产生正弦波振荡,掌握分析计算电路振荡频率的方法。 (7)掌握单相直流稳压电路的基本组成、工作原理及电路参数的计算。 2、数字电子技术基础 (1)掌握组合逻辑电路中基本门电路的逻辑图、波形图、功能表及其应用。 (2)用逻辑代数法或卡诺图法化简,分析组合逻辑电路的作用。掌握组合逻辑电路的基本设计方 法。 (3)理解常用组合电路集成模块的应用。掌握不同类型的译码器、优先编码器的分析方法及简单应用。 (4)掌握时序逻辑电路中双稳态触发器的逻辑功能, 能够实现逻辑功能的转换。 (5)掌握用555集成定时器组成的多谐振荡器的分析与参数计算方 法。 (6)掌握同步时序电路、寄存器及计数器的基本分析和设计方法。

南京理工大学-研究生入学考试大纲-823电子技术基础

南京理工大学研究生入学考试大纲 科目名:《电子技术基础》 一. 考试内容 模拟电路部分 1半导体器件 (1)半导体的基本概念:本征半导体; PN结 (2)半导体二极管:①半导体二极管的伏安特性;半导体二极管的主要参数;半导体二极管电路的分析。 (3)稳压二极管:稳压二极管的伏安特性;稳压二极管的主要参数;稳压二极管电路的分析。 (4)半导体三极管:三极管的电流放大特性;三极管的特性曲线和主要参数 (5)场效应管: ①结型场效应管的工作原理;伏安特性;主要参数;输出特性曲线;转移特性曲线; ②绝缘栅型场效应管的工作原理;伏安特性;主要参数;输出特性曲线;转移特性曲线;输出特性曲线的三个区; 2基本放大电路 (1)三极管放大电路:固定偏置放大电路的组成和分析;分压偏置放大电路的组成和分析;有交流射极电阻的共射放大电路的组成和分析;共集放大电路的组成和分析; (2)场效应管放大电路:场效应管放大电路;场效应管的微变等效模型;场效应管的两种静态偏置电路:自给偏压电路与分压式偏置电路;基本共源电路的组成、静态分析、动态分析方法;基本共漏电路及其静态、动态分析。 3 多级放大电路 (1)多级放大电路的三种耦合方式: (2)阻容耦合放大电路及其分析方法; (3)直接耦合放大电路及其分析方法; (4)变压器耦合放大电路; 4差分放大电路 (1)差放电路的工作原理:差放电路的组成;抑制零漂的原理;信号的三种输入方式:差模、共模、任意输入方式;共模电压放大倍数;差模电压放大倍数;共模抑制比; (2)差放电路的四种输入输出方式;双端输入双端输出方式;双端输入单端输出方式;(3)长尾差分放大电路:电阻长尾差分放大电路的静态分析和动态分析;带恒流源长尾差放电路的组成和静态分析、动态分析; 5功率放大电路 (1)功率放大电路的特点; (2)功率放大电路的三种工作状态;甲类、乙类、甲乙类功率放大电路的特点。 (3)甲类功率放大电路的组成及分析方法( 甲类功率放大电路的工作原理,静态分析,动态分析。) (4)乙类功率放大电路的组成及分析方法(乙类功率放大电路的工作原理,静态分析,动态分析。) (5)甲乙类功率放大电路的组成及分析方法(甲乙类功率放大电路的工作原理,静态分析,

(完整版)《电工电子技术基础》试题库(附有答案)

一、填空题 1.已知图中 U1=2V, U2=-8V,则U AB=-10。 2.电路的三种工作状态是通路、断路、短路。 3.有三个6Ω的电阻,若把它们串联,等效电阻是 18 Ω;若把它们并联,等效电阻 2Ω;若两个并联后再与第三个串联,等效电阻是 9 Ω。 4.用电流表测量电流时,应把电流表串联在被测电路中;用电压表测量电压时,应把电压表与被测电路并联。 5.电路中任意一个闭合路径称为回路;三条或三条以上支路的交点称为节点。 6.电路如图所示,设U=12V、I=2A、R=6Ω,则U AB= -24 V。 7.直流电路如图所示,R1所消耗的功率为2W,则R2的阻值应为 2 Ω。 8.电路中电位的参考点发生变化后,其他各点的电位均发生变化。 9.在直流电路中,电感可以看作短路,电容可以看作断路。 9.我国工业交流电采用的标准频率是 50 Hz。 10.三相对称负载作三角形联接时,线电流I L与相电流I P间的关系是:I P=3 I L。 11.电阻元件是耗能元件,电容元件是储能元件。

12.已知一正弦电压u=311sin(628t-60o)V ,则其最大值为 311 V ,频率为 100 Hz ,初相位为 -60o 。 13.在纯电阻交流电路中,已知电路端电压u=311sin(314t-60o)V ,电阻R=10Ω,则电流I=22A,电压与电流的相位差φ= 0o ,电阻消耗的功率P= 4840 W 。 14.三角形联结的三相对称负载,若线电压为380 V ,则相电压为 380 V ;若相电流为10 A ,则线电流为 17.32 A 。 15.式Q C =I 2X C 是表示电容元件在正弦电路中的 无功 功率计算公式。 16.正弦交流电压的最大值U m 与其有效值U 之比为 2 。 17.电感元件是一种储能元件,可将输入的电能转化为 磁场 能量储存起来。 18.若三相电动势依次达到最大值的次序为e 1—e 2—e 3,则称此种相序为 正序 。 19.在正弦交流电路中,电源的频率越高,电感元件的感抗越 大 。 20.已知正弦交流电压的有效值为200V ,频率为100Hz ,初相角为30o,则其瞬时值表达式u= 282.8sin (628t+30o) 。 21.正弦量的三要素是 最大值或有效值 、 频率 和 初相位 。 22.对称三相电源是指三个 幅值 相同、 频率 相同和 相位互差120o 的电动势电源。 23.电路有 通路 、 开路 和 短路 三种工作状态。当电路中电流0 R U I S 、端电压U =0时,此种状态称作 短路 ,这种情况下电源产生的功率全部消耗在 内阻 上。

电子技术基础考试必备(十套试题,答案)

电子技术基础试题(八) 一.填空题:(每题3分,共30分) 1、PN结具有__________性能。 2、一般情况下,晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而_______。 3、射极输出器放在中间级是兼用它的____________大和____________ 小的特点,起阻抗变换作用。 4、只有当负载电阻R L和信号源的内阻r s______时,负载获得的功率最 大,这种现象称为______________。 5、运算放大器的输出是一种具有__________________的多级直流放大器。 6、功率放大器按工作点在交流负载线上的位置分类有:______类功放, ______类功放和_______类功放电路。 7、甲乙推挽功放电路与乙类功放电路比较,前者加了偏置电路向功放 管提供少量__________,以减少__________失真。 8、带有放大环节的串联型晶体管稳压电路一般由__________ 、 和___________四个部分组成。 9.逻辑代数的三种基本运算是 _________ 、___________和___________。 10.主从触发器是一种能防止__________现象的实用触发器。 二.选择题(每题3分,共30分) 1.晶体管二极管的正极的电位是-10V,负极电位是-5V,则该晶体二极管处于:( )。

A.零偏 B.反偏 C.正偏 2.若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流减小时,使该三极管:()。 A.集电极电流减小 B.集电极与发射极电压V CE上升 C.集电极电流增大 3.某三级放大器中,每级电压放大倍数为Av,则总的电压放大倍数:()。 A.3A V B.A3V C.A V3/3 D.A V 4.正弦波振荡器中正反馈网络的作用是:()。 A.保证电路满足振幅平衡条件 B.提高放大器的放大倍数,使输出信号足够大 C.使某一频率的信号在放大器工作时满足相位平衡条件而产生自激 振荡 5.甲类单管功率放大电路中结构简单,但最大的缺点是:()。 A.有交越失真 B.易产生自激 C.效率低6.有两个2CW15稳压二极管,其中一个稳压值是8V,另一个稳压值为 7.5V,若把两管的正极并接,再将负极并接,组合成一个稳压管接 入电路,这时组合管的稳压值是:( )。 A.8V B.7.5V C.15.5V 7.为了减小开关时间,常在晶体管的基极回路中引入加速电容,它的主要作用是:()。

清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案

第一章 半导体基础知识 自测题 一、(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)× 二、(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C 三、U O1≈1.3V U O2=0 U O3≈-1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈-2V 四、U O1=6V U O2=5V 五、根据P CM =200mW 可得:U CE =40V 时I C =5mA ,U CE =30V 时I C ≈6.67mA ,U CE =20V 时I C =10mA ,U CE =10V 时I C =20mA ,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 A μ26V C C CC CE B C b BE BB B =-====-= R I U I I R U I β U O =U CE =2V 。 2、临界饱和时U CES =U BE =0.7V ,所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1:恒流区;T 2:夹断区;T 3:可变电阻区。 习题 1.1(1)A C (2)A (3)C (4)A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 t

1.5 u o 的波形如图所示。 1.6 I D =(V -U D )/R = 2.6mA ,r D ≈U T /I D =10Ω,I d =U i /r D ≈1mA 。 1.7 (1)两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 (2)两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM =P ZM /U Z =25mA ,R =U Z /I DZ =0.24~1.2k Ω。 1.9 (1)当U I =10V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流为4mA ,小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I =15V 时,由于上述同样的原因,U O =5V 。 当U I =35V 时,U O =U Z =5V 。 (2)=-=R U U I )(Z I D Z 29mA >I ZM =25mA ,稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 (1)S 闭合。 (2)。,Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R 1.11 波形如图所示。 1.12 60℃时I CBO ≈32μA 。 1.13 选用β=100、I CBO =10μA 的管子,其温度稳定性好。 1.14

电子技术基础期末考试试题及答案

10.电路如下图所示,若初态都为0,则=1的是()

精品文档 注:将选择题和判断题答案填写在上面的表格里,否则该题不得分 三、填空题(本大题共5小题,每小题4分,共20分) 21.JK触发器可避免RS触发器状态出现。与RS触发器比较,JK触发器增加了功能; 22.寄存器存放数码的方式有和两种方式; 23.二极管的伏安特性曲线反映的是二极管的关系曲线; 24.常见的滤波器有、和; 25.现有稳压值为5V的锗稳压管两只,按右图所示方法接入电路,则V0= 。 四、应用题(本大题共3小题,共35分,要求写出演算过程) 26.(10分)某JK触发器的初态Q=1,CP的下降沿触发,试根据下图所示的CP、J、K的波形,画出输出Q和Q的波形。27.(9分)如下图所示电路,测得输出电压只有0.7V,原因可能是: (1)R开路;(2)R L开路;(3)稳压二极管V接反; (4)稳压二极管V短路。应该是那种原因,为什么? 28.(16分)分析下图所示电路的工作原理,要求: (1)列出状态表,状态转换图;(2)说明计数器类型。

精品文档 参考答案及评分标准 一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 二、判断题(本大题共5小题,每小题3分,共15分) 三、填空题(本大题共5小题,每小题4分,共20分) 21.不确定,翻转 22.并行和串行 23.V D -I D 24.电容、电感、复式 25.5.3V 四、应用题(本大题共3小题,共30分,要求写出演算过程) 26. 27.解:稳压二极管V 接反,变成正向偏置,稳压二极管正向导通时,压降是0.7V 28.解:计数前,各触发器置0,使Q 2Q 1Q 0=000 (1)第一个CP 作用后,Q 0=0→1,0Q =1→0=CP 1,对F 1触发无效,所以Q 1保持0态不变。而F 2没有接到任何触发信号,所以Q 2亦保持0态不变。第二个CP 作用后,Q 0=1→0,而0Q =0→1=CP 1,对F 1属有效触发,所以Q 1=0→1。而1Q =1→0=CP 2,对F 2无效,所以F 2仍为原态即0态。依次按规律分析,可得如下计数状态表为 (2)从状态表和电路结构可知,该计数电路为三位异步二进制加法计数电路。

电子技术基础考试必备十套试题,有答案

电子技术基础考试必备十套试题,有答案 TTA standardization office【TTA 5AB- TTAK 08- TTA 2C】

电子技术基础试题(八)一.填空题:(每题3分,共30分) 1、PN结具有__________性能。 2、一般情况下,晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而_______。 3、射极输出器放在中间级是兼用它的____________大和____________ 小的特点,起阻抗变换作用。 4、只有当负载电阻R L和信号源的内阻r s______时,负载获得的功率最 大,这种现象称为______________。 5、运算放大器的输出是一种具有__________________的多级直流放大器。 6、功率放大器按工作点在交流负载线上的位置分类有:______类功 放,______类功放和_______类功放电路。 7、甲乙推挽功放电路与乙类功放电路比较,前者加了偏置电路向功放 管提供少量__________,以减少__________失真。 8、带有放大环节的串联型晶体管稳压电路一般由__________ 、 和___________四个部分组成。 9.逻辑代数的三种基本运算是 _________ 、___________和 ___________。 10.主从触发器是一种能防止__________现象的实用触发器。 二.选择题(每题3分,共30分)

1.晶体管二极管的正极的电位是-10V,负极电位是-5V,则该晶体二极管处于:( )。 A.零偏 B.反偏 C.正偏 2.若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流减小时,使该三极管:()。 A.集电极电流减小 B.集电极与发射极电压V CE上升 C.集电极电流增大 3.某三级放大器中,每级电压放大倍数为Av,则总的电压放大倍数:()。 3 4.正弦波振荡器中正反馈网络的作用是:()。 A.保证电路满足振幅平衡条件 B.提高放大器的放大倍数,使输出信号足够大 C.使某一频率的信号在放大器工作时满足相位平衡条件而产生自激振 荡 5.甲类单管功率放大电路中结构简单,但最大的缺点是:()。 A.有交越失真 B.易产生自激 C.效率低6.有两个2CW15稳压二极管,其中一个稳压值是8V,另一个稳压值为,若把两管的正极并接,再将负极并接,组合成一个稳压管接入电路,这时组合管的稳压值是:( )。 7.为了减小开关时间,常在晶体管的基极回路中引入加速电容,它的主要作用是:()。

电子技术基础考试大纲

《电子技术基础》考试大纲 (包括模拟电路、数字电路两部分) 一、参考书目 1.康华光,电子技术基础——模拟部分,第五版,高等教育出版社,2008 2.康华光,电子技术基础——数字部分,第五版,高等教育出版社,2008 二、考试内容与基本要求 《模拟电子技术》考试大纲 一、半导体器件 [考试内容] PN结、半导体二极管、稳压二极管的工作原理;晶体三极管与场效应管的放大原理; [考试要求] 1. 熟悉半导体二极管的伏安特性,主要参数及简单应用。 2. 熟悉稳压二极管的伏安特性,稳压原理及主要参数。 3. 理解双极性三极管的电流放大原理,伏安特性,熟悉主要参数。 二、放大器基础 [考试内容] 放大电路的性能指标和电路组成及静态分析;稳定静态工作点的偏置电路;放大电路的 动态分析,三种基本组态放大电路;场效应管放大电路性能指标分析;运算放大器放大 电路性能指标分析。 [考试要求] 1. 理解放大电路的组成原则。 2. 理解静态、动态、直流通路、交流通路的概念及放大电路主要动态指标的含义。 3. 熟悉放大电路的静态和动态分析方法。掌握调整静态工作点的方法。 4. 掌握计算三种组态放大电路的静态工作点和动态指标。 三、放大器的频率参数 [考试内容] 频率特性的基本概念与分析方法;放大器频率分析,三极管的频率参数;共射极接法放 大电路的频率特性;场效应高频等效电路,运算放大器的高频等效电路。 [考试要求] 1. 理解阻容耦合共射放大电路的频率特性。 2. 理解三极管的频率参数。 3. 了解多级放大电路频率特性的概念。 四、放大电路中的负反馈 [考试内容] 负反馈的基本概念;负反馈对放大器性能的影响;深度负反馈的计算;反馈放大电路的 稳定性分析。 [考试要求] 1. 理解反馈,正反馈,负反馈,直流反馈,交流反馈,开环,闭环,反馈系数,反馈 深度,电压反馈,电流反馈,串联反馈,并联反馈等概念。 2. 熟悉负反馈类型的判断。 3. 掌握各种基本组态负反馈对放大电路性能的影响。 4. 掌握深度负反馈放大电路增益的估算方法。

电工电子技术基础考试试卷答案

《电工电子技术基础》 一、填空题:(每题3分,共12题,合计 33 分) 1、用国家统一规定的图形符号画成的电路模型图称为,它只反映电路中电气方面相互联系的实际情况,便于对电路进行和。 2、在实际电路中,负载电阻往往不只一个,而且需要按照一定的连接方式把它们连接起来,最基本的连接方式是、、。 3、在直流电路的分析、计算中,基尔霍夫电流第一定律又称定律,它的数学表达式为。假若注入节点A的电流为5A和-6A,则流出节点的电流I 出= A 。 4、电路中常用的四个主要的物理量分别是、、、。 它们的代表符号分别是、、和; 5、在实际应用中,按电路结构的不同分为电路和电路。凡是能运用电阻串联或电阻并联的特点进行简化,然后运用_________求解的电路为_____;否则,就是复杂电路。 6、描述磁场的四个主要物理量是:___、_____、_______和_______;它们的代表符号分别是____、_____、______和____; 7、电磁力F的大小与导体中 ____的大小成正比,与导体在磁场中的有效 ________及导体所在位置的磁感应强度B成正比,即表达式为:________ ,其单位为:______ 。 8、凡大小和方向随时间做周期性变化的电流、电压和电动势交流电压、交流电流和交流电动势,统称交流电。而随时间按正弦规律变化的交流电称为正弦交流电。 9、______________、_______________和__________是表征正弦交流电的三个重要物理量,通常把它们称为正弦交流电的三要素。 10、已知一正弦交流电压为u=2202sin(314t+45°)V,该电压最大值为__________ V,角频率为__________ rad/s,初相位为________、频率是______ Hz周期是_______ s。 11、我国生产和生活所用交流电(即市电)电压为 _ V。其有效值为 _ V,最大值为____ V,工作频率f=____ __Hz,周期为T=_______s,其角速度ω=______rad/s,在1秒钟内电流的方向变化是________次。 二、判断下列说法的正确与错误:正确的打(√),错误的打(×),每小题1分,共 20 分 1、电路处于开路状态时,电路中既没有电流,也没有电压。(_) 2、理想的电压源和理想的电流源是不能进行等效变换。(_) 3、对于一个电源来说,在外部不接负载时,电源两端的电压大小等于电源电动势的大小,且 方向相同。(_) 4、在复杂电路中,各支路中元器件是串联的,流过它们的电流是相等的。(_) 5、用一个恒定的电动势E与内阻r串联表示的电源称为电压源。(_) 6、理想电流源输出恒定的电流,其输出端电压由内电阻决定。(_) 7、将一根条形磁铁截去一段仍为条形磁铁,它仍然具有两个磁极. (_ ) 8、磁场强度的大小只与电流的大小及导线的形状有关,与磁场媒介质的磁导率无关(_)

电子技术基础考试试题及参考答案

电子技术基础考试试题及参考答案 试题 一、填空题(每空1分,共30分) 1.硅二极管的死区电压为_____V,锗二极管的死区电压为_____V。 2.常用的滤波电路主要有_____、_____和_____三种。 3.晶体三极管的三个极限参数为_____、_____和_____。 4.差模信号是指两输入端所施加的是对地大小_____,相位_____的信号电压。 5.互补对称推挽功率放大电路可分成两类:第一类是单电源供电的,称为_____电路,并有_____通过负载输出;第二类是双电源供电的,称为_____电路,输出直接连接负载,而不需要_____。 6.功率放大器主要用作_____,以供给负载_____。 7.集成稳压电源W7905的输出电压为_____伏。 8.异或门的逻辑功能是:当两个输入端一个为0,另一个为1时,输出为_____;而两个输入端均为0或均为1时,输出为_____。 9.(1111)2+(1001)2=( _____ )2(35)10=( _____ )2 (1010)2–(111)2=( _____ )2(11010)2=( _____ )10 (1110)2×(101)2=( _____ )2 10.逻辑函数可以用_____、_____、_____等形式来表示。 11.组合逻辑电路包括_____、_____、_____和加法器等。 二、判断题(下列各题中你认为正确的,请在题干后的括号内打“√”,错误的打“×”。全打“√”或全打“×”不给分。每小题1分,共10分) 1.放大器采用分压式偏置电路,主要目的是为了提高输入电阻。() 2.小信号交流放大器造成截止失直的原因是工作点选得太高,可以增大R B使I B减小,从而使工作点下降到所需要的位置。() 3.对共集电极电路而言,输出信号和输入信号同相。() 4.交流放大器也存在零点漂移,但它被限制在本级内部。() 5.同相运算放大器是一种电压串联负反馈放大器。() 6.只要有正反馈,电路就一定能产生正弦波振荡。() 7.多级放大器采用正反馈来提高电压放大倍数。() 8.TTL集成电路的电源电压一般为12伏。() 9.流过电感中的电流能够突变。() 10.将模拟信号转换成数字信号用A/D转换器,将数字信号转换成模拟信号用D/A转换器。() 三、单选题(在本题的每小题备选答案中,只有一个答案是正确的,请把你认为正确答案的代号填入题干后的括号内,多选不给分。每小题2分,共26分) 1.用万用表测得某电路中的硅二极管2CP的正极电压为2V,负极电压为1.3V,则此二极管所处的状态是() A.正偏B.反偏C.开路D.击穿 2.放大器的三种组态都具有() A.电流放大作用B.电压放大作用 C.功率放大作用D.储存能量作用 3.下列各图中,三极管处于饱和导通状态的是()

F1001电子技术基础考试大纲.doc

F1001《电子技术基础》考试大纲 一、复习资料 1.《电子线路(线性部分)》(第5版),冯军、谢嘉奎编,高等教育出版社,2010年8月。 2.《数字电子技术基础》(第6版),阎石、王红编,高等教育出版社,2016年4月。 二、考试内容及要求 (一)模拟电子线路 包括半导体器件及应用,基本组态放大电路,组合放大电路,反馈放大电路,差分放大电路,集成运算放大电路及其应用。 1.半导体器件及应用 考试内容: PN结,晶体二极管,晶体三极管,场效应管(MOSFET)。 考试要求: (1)掌握PN结的基本特性;掌握晶体二极管伏安特性、数学模型、简化电路模型、相关性能参数及基本应用;掌握晶体三极管在放大模式下的电流分配关系、伏安特性、数学模型、直流简化模型、小信号电路模型及基本应用;掌握MOSFET的伏安特性、数学模型、小信号电路模型及基本应用;掌握半导体器件应用电路的图解分析法、简化分析法和小信号等效电路分析法。 (2)理解半导体器件各模型中参数的物理意义;理解晶体二极管构成的整流、稳压、限幅等功能电路的结构、工作原理、技术指标;理解晶体三极管构成的电流源、放大器和跨导线性电路的结构和工作原理。

(3)了解MOSFET构成的有源电阻和模拟开关电路的结构和工作原理。 2.放大器基础 考试内容: 三极管和场效应管三种基本组态放大电路,差分放大电路,多级组合放大电路。 考试要求: (1)掌握三极管和场效应管偏置电路及其直流分析方法;掌握基本组态放大电路的增益、输入、输出电阻的分析方法。 (2)理解差分放大电路的性能特点;掌握差分电路直流偏置、差模增益、共模增益、共模抑制比、输入电阻、输出电阻的计算方法;理解差分放大器动态范围的概念;掌握差分放大器动态范围扩展的方法。 (3)理解放大电路频率响应的概念;理解传输函数与波特图的对应关系;掌握波特图的绘制方法;掌握器件与基本放大电路频率响应的分析方法。 (4)理解多级放大器的耦合方式;掌握多级放大器性能指标的计算方法。 3.电流源电路 考试内容:镜像电流源、比例电流源、微电流源,恒流源负载。 (1)理解镜像电流源、比例电流源、微电流源及其改进型电路的工作原理;掌握电流源电路的电流与输出电阻的分析方法。 (2)理解恒流源负载放电器的特点,掌握恒流源负载放大器与差分放大器性能的分析计算方法。 4.放大器中的负反馈 考试内容:

《电子技术基础》研究生入学考试大纲

《电子技术基础》研究生入学考试大纲 课程名称:模拟电子技术、数字电子技术 一、考试的总体要求 模拟电子技术主要考察学生对基本概念、基本理论及基本方法的掌握程度,要求学生能分析计算基本放大电路、集成运算放大电路等模拟电子电路并具有综合运用所学知识分析和解决实际问题的能力。 数字电子技术主要考察学生对基本概念、基本理论及基本方法的掌握程度,要求学生能够运用基本理论分析、设计组合逻辑电路及时序逻辑电路并具有综合运用所学知识分析和解决实际问题的能力。 二、考试内容及比例: 模拟部分: 1、半导体器件(5~10%) (1)理解二极管单向导电特性,掌握二极管伏安特性; (2)理解三极管放大原理,掌握三极管的输入、输出特性曲线; (3)掌握MOS管的转移特性曲线、漏极特性曲线。 2、放大电路的基本原理(20~25%) (1)掌握基本放大电路的结构、工作原理及静态工作点计算; (2)掌握放大电路微变等效电路分析法,理解放大电路的图解分析法。 3、放大电路的频率响应(5~10%) 放大电路的上限频率、下限频率、通频带的概念。正确理解Bode图。 4、集成运算放大器(10~20%) (1)理解零点漂移的概念,理解差动电路克服温漂的原理; (2)掌握差动电路的分析与计算。 5、放大电路中的反馈(5~10%) (1)理解反馈的概念,掌握反馈类型的判断方法,能根据要求引入负反馈; (2)理解反馈对放大器性能的影响; (3)掌握放大电路在深度负反馈条件下的分析计算; (4)理解自激的概念,能根据波特图判断负反馈放大电路是否自激。

6、摸拟信号运算电路(20~25%) (1)理解集成运放电路中“虚短”、“虚断”概念。 (2)掌握基本运算电路的工作原理及分析计算。 7、信号处理电路(10~15%) 掌握信号处理电路原理及分析计算。 8、波形发生电路(10~20%) (1)掌握正弦波振荡电路的工作原理、起振条件、稳幅措施及分析计算; (2)能用相位平衡条件判断各种振荡电路能否起振。 9、功率放大电路(15~20%) OCL、OTL电路的工作原理及分析计算。 10、直流稳压电源(0~10%) (1)整流电路的工作原理及分析计算; (2)电容滤波电路的工作原理及分析计算; (3)稳压电路的工作原理及分析计算。 数字部分: 一、逻辑代数基础(5~10%) (1)逻辑代数基本概念、公式和定理; (2)逻辑函数的化简方法。 二、门电路(15~20%) (1)掌握分立器件门电路的分析方法; (2)理解TTL集成门电路的结构特点,掌握其外特性; (3)理解COMS集成门电路的结构特点,掌握其外特性。 三、组合逻辑电路(30~40%) (1)掌握组合逻辑电路的分析方法及设计方法; (2)熟悉典型组合逻辑电路的设计及逻辑功能表示方法; (3)掌握用中规模集成芯片MSI(译码器、数据选择器等)实现组合逻辑函数。 四、触发器(15~20%) (1)熟悉触发器电路的结构特点; (2)掌握各种结构触发器的功能特点、功能表示方法及应用。

模拟电子技术基础全套教案

《模拟电子技术基础》教案 1、本课程教学目的: 本课程是电气信息类专业的主要技术基础课。其目的与任务是使学生掌握常用半导体器件和典型集成运放的特性与参数,掌握基本放大、负反馈放大、集成运放应用等低频电子线路的组成、工作原理、性能特点、基本分析方法和工程计算方法;使学生具有一定的实践技能和应用能力;培养学生分析问题和解决问题的能力,为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。 2、本课程教学要求: 1.掌握半导体器件的工作原理、外部特性、主要参数、等效电路、分析方法及应用原理。 2.掌握共射、共集、共基、差分、电流源、互补输出级六种基本电路的组成、工作原理、特点及分析,熟悉改进放大电路,理解多级放大电路的耦合方式及分析方法,理解场效应管放大电路的工作原理及分析方法,理解放大电路的频率特性概念及分析。 3.掌握反馈的基本概念和反馈类型的判断方法,理解负反馈对放大电路性能的影响,熟练掌握深度负反馈条件下闭环增益的近似估算,了解负反馈放大电路产生自激振荡的条件及其消除原则。 4.了解集成运算放大器的组成和典型电路,理解理想运放的概念,熟练掌握集成运放的线性和非线性应用原理及典型电路;掌握一般直流电源的组成,理解整流、滤波、稳压的工作原理,了解电路主要指标的估算。 3、使用的教材: 杨栓科编,《模拟电子技术基础》,高教出版社 主要参考书目: 康华光编,《电子技术基础》(模拟部分)第四版,高教出版社 童诗白编,《模拟电子技术基础》,高等教育出版社, 张凤言编,《电子电路基础》第二版,高教出版社, 谢嘉奎编,《电子线路》(线性部分)第四版,高教出版社,

陈大钦编,《模拟电子技术基础问答、例题、试题》,华中理工大学出版社,唐竞新编,《模拟电子技术基础解题指南》,清华大学出版社, 孙肖子编,《电子线路辅导》,西安电子科技大学出版社, 谢自美编,《电子线路设计、实验、测试》(二),华中理工大学出版社, 绪论 本章的教学目标和要求: 要求学生了解放大电路的基本知识;要求了解放大电路的分类及主要性能指标。 本章总体教学内容和学时安排:(采用多媒体教学) §1-1 电子系统与信号0.5 §1-2 放大电路的基本知识0.5 本章重点: 放大电路的基本认识;放大电路的分类及主要性能指标。 本章教学方式:课堂讲授 本章课时安排: 1 本章的具体内容: 1节 介绍本课程目的,教学参考书,本课程的特点以及在学习中应该注意的事项和学习方法; 介绍放大电路的基本认识;放大电路的分类及主要性能指标。 重点: 放大电路的分类及主要性能指标。

电子技术基础考试必备(十套试题-有答案)

电子技术基础试题(八) 一.填空题:(每题3分,共30分) 1、PN结具有________ 性能。 2、一般情况下,晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而 ______ 。 3、射极输出器放在中间级是兼用它的____________ 和 _____________ 小的特点,起阻抗变换作用。 4、只有当负载电阻R L和信号源的内阻rs ______ 时,负载获得的功率最 大,这种现象称为_______________ 。 5、运算放大器的输出是一种具有___________________ ■勺多级直流放大 6、功率放大器按工作点在交流负载线上的位置分类有: ______ 功放, ______ 类功放和 ______ 功放电路。 7、甲乙推挽功放电路与乙类功放电路比较,前者加了偏置电路向功放 管提供少量___________ 以减少____________ 真。 8带有放大环节的串联型晶体管稳压电路一般由_______________ 、—和___________ 个部分组成。 9 .逻辑代数的三种基本运算是_____________________ 、 ___________ 和 10.主从触发器是一种能防止___________ 象的实用触发器。 二.选择题(每题3分,共30分) 1. 晶体管二极管的正极的电位是—10V,负极电位是一5V,则该晶体二极管

处于:()。

A.零偏 B. 反偏 C. 正偏 2.若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流减小时,使该三极管:()。 A. 集电极电流减小 B.集电极与发射极电压V C E上升 C.集电极电 流增大 3. 某三级放大器中,每级电压放大倍数为Av,则总的电压放大倍数:()。 A. 3A V B.A 3V C.A V3/3 D.A V 4. 正弦波振荡器中正反馈网络的作用是:()。 A. 保证电路满足振幅平衡条件 B. 提高放大器的放大倍数,使输出信号足够大 C. 使某一频率的信号在放大器工作时满足相位平衡条件而产生自激振荡 5. 甲类单管功率放大电路中结构简单,但最大的缺点是:()。 A. 有交越失真 B. 易产生自激 C. 效率低 6 .有两个2CW15急压二极管,其中一个稳压值是8V,另一个稳压值为

学习《电子技术基础》的一些心得体会

学习《电子技术基础》的一些心得体会 ZD8898 一.电子技术基础是通信、电子信息、自动控制、计算机等专业的 专业基础课程 电子技术基础包含了《模拟电子技术基础》和《数字电子技术基础》两门最重要的专业基础课程。是上述专业最底层,最基础的课程。首先要从思想上高度重视这两门基础课的学习,你才能学好这两门课。如果这两门基础课程学不好,可以肯定,其它的专业课程也学不好。因为没有扎实的电子技术方面的基础,就无法理解和掌握其它的专业课程的知识。例如高频电路、自动控制、计算机接口电路、微型计算机技术等等。假如你对放大、反馈、振荡、滤波电路都读不懂,你怎么能读懂彩色电视机电路图、DVD电路图?如果你对数字电路一窍不通,你怎么去学习计算机硬件和软件知识?你怎么能成为出色的电气工程师? 二.培养对电子技术的兴趣,使你学好电子技术有充足的学习动力 大家都知道,如果你想要学习某个方面的知识和技能,就必须对这方面有浓厚的兴趣才能学好。 例如歌手,除了其本身有好的嗓子外,他(她)们肯定对唱歌有浓厚的兴趣,他(她)们才能如此刻苦去学习,才能成为百姓们喜爱的歌唱演员。中央电视台〈星光大道〉节目中出来的歌手,如李玉刚、阿宝、朱之文、石头、玖月奇迹、凤凰传奇、王二妮等等就是最好的例子。 同样,学习电子技术基础也如此。只有对这门课程有兴趣,不是老师要我学,而是我要学。只有这样自己才能变被动学习为主动学习,才能学好电子技术基础。 本人能从事电子技术工作数十年,其中一个非常重要的原因就是爱好电子技术,对电子技术有浓厚的兴趣。我在大学学的专业是物理专业,而不是电子专业。毕业后分配到三线的工厂,当时正是文化革命时期,到了工厂就接受工人阶级再教育,六、七年的时间,和其它工人师傅一样,一直在车间生产第一线。三班倒,干的是高温作业,又热又累的工作。尽管干的别的工种的活,但我热爱电子技术。到工厂之后,对电器、电子特别有兴趣。就自学电工、半导体以及电子方面的知识。自己组装收音机、电视机等。电子技术的水平得到提高。在车间实现了多项技术革新。如程序控制的熔结炉、涡流棒材探伤仪等。后来成为电气工程师。80年代,本人又从研究所调回学校,从事科研和教学工作。同时负责实验室的仪器设备的电器维修工作。所以说兴趣爱好是学习的动力和源泉。本人深有体会。 三.电子技术基础是比较难学的课程。 无论是〈模拟电子技术基础〉或〈数字电子技术基础〉课程都是难度较大的课程。

电子技术基础试题

。电子技术基础试题库(第四版) 第一章:半导体二极管 一、填空题 1、根据导电能力来衡量,自然界的物质可以分为______________、__________和__________三类。 导体、绝缘体、半导体 2、PN节具有__________特性,即加正向压时__________,加反向压时__________。 单向导电特性、导通、截止 3、硅二极管导通时的正向管压降约__________V,锗二极管导通时的正向管压降约__________V。 、 4、使用二极管时,应考虑的主要参数是__________、__________。 最大整流电流、最高反向工作电压 5、在相同的反向电压作用下,硅二极管的反向饱和电流常__________于锗二极管的反向饱和电流,所以硅二极管的热稳定性较__________ 小、好 6、根据导电能力来衡量,自然界的物质可分为_______ 、_________和__________三类。导体, 绝缘体,半导体 7、PN结具有_____________性能,即加正向电压时PN结________,加反向电压时的PN结 _________。单向导电性,导通,截止 二,判断题 1、半导体随温度的升高,电阻会增大。()N 2、二极管是线性元件。()N 3、不论是哪种类型的半导体二极管,其正向电压都为0.3V左右。()N 4、二极管具有单向导电性。()Y 5、二极管的反向饱和电流越大,二极管的质量越好。()N 6、二极管加正向压时一定导通()N 7、晶体二极管是线性元件。()N 8、一般来说,硅晶体二极管的死区电压小于锗晶体二极管的死区电压。()Y 三、选择题 1、PN结的最大特点是具有()C A、导电性B、绝缘性C、单相导电性 2、当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时,硅二极管()C A、立即导通B、到0.3V才开始导通C、超过死区压才开始导通D、不导通 3、当环境温度升高时,二极管的反向电流将()A A、增大B、减少C、不变D、先变大后变小 4、半导体中传导电流的载流子是()。C A、电子 B、空穴 C、电子和空穴 5、P型半导体是()B A、纯净半导体 B、掺杂半导体 C、带正电的 四、综合题

相关主题
文本预览
相关文档 最新文档