第八章 习题解答 题 8-1 试用相位平衡条件和幅度平衡条件，判断图中各电路是否可能产生正弦波振荡，简述理由。 解：(a)不能振荡，o o A F 18090~90o ??==+-因，而，故不能满足相位平衡条件。 (b) 不能振荡，虽然电路能够满足相位平衡条件，但当o F 0?=时，1 3 F = ，而电压跟随器的1A =，故不能同时满足幅度平衡条件。 (c) 不能振荡，o o o A F F 180RC 0~180180o ???==因，两节电路的，但当接近时，其输 出电压接近于零，故不能同时满足幅度平衡条件。 (d) 不能振荡，放大电路为同相接法，A 0o ?=，选频网络为三节RC 低通电路， o o F 0~270?=-，但欲达到o F 0?=，只能使频率f=0。 (e)可能振荡，差分放大电路从VT2的集电极输出时A 0o ?=，而选频网络为RC 串并联电 路，当f=f0时，o F 0?=，满足相位平衡条件。
① 判断电路是否满足正弦波振荡的相位平衡条件。如不满足，修改电路接线使之满足(画在图上)。 ② 在图示参数下能否保证起振荡条件？如不能，应调节哪个参数，调到什么值？ ③ 起掁以后，振荡频率f o =? ④ 如果希望提高振荡频率f o ，可以改变哪些参数，增大还是减小？ ⑤ 如果要求改善输出波形，减小非线性失真，应调节哪个参数，增大还是减小？ 本题意图是掌握文氏电桥RC 振荡电路的工作原理及其振荡频率和起振条件的估算方法。 解：①o o 0A F 0f f 0??===因，当时，，故满足相位平衡条件。 ②因F e 1F F e 1R 2R ,R R >2R =5.4k <Ω故不能满足起振条件，应调整，使。 ③038 11 Hz 5300Hz=5.3kHz 2231010f RC ππ-= =≈??? ④可减小R 或C 。 ⑤可减小R F 。 题 8-7 试用相位平衡条件判断图P8-7所示电路中，哪些可能产生正弦波振荡？哪些不能？简单说明理由。 解：本题的意图是掌握产生正弦振荡的相位平衡条件，并根据上述条件判断具有LC 选频网络的电路能否产生振荡。 (a) 不能振荡，o o A F 0180??==，，不满足相位平衡条件。 (b) 可能振荡，o o A F 180180??==，，满足相位平衡条件。 (c) 不能振荡，o o A F 1800??==，，不满足相位平衡条件。 (d) 可能振荡，o o A F 00??==，，满足相位平衡条件。 (e) 可能振荡，本电路实际上就是一个电容三点式振荡电路。 (f) 可能振荡，o o A F 00??==，，满足相位平衡条件。
第五章 信号运算电路 5-1推导题图5-43中各运放输出电压，假设各运放均为理想运放。 (a)该电路为同相比例电路，故输出为： ()0.36V V 3.02.01o =?+=U (b)该电路为反相比例放大电路，于是输出为： V 15.03.02 1 105i o -=?-=-=U U (c)设第一级运放的输出为1o U ，由第一级运放电路为反相比例电路可知： ()15.03.0*2/11-=-=o U 后一级电路中，由虚断虚短可知，V 5.0==+-U U ，则有： ()()k U U k U U o 50/10/1o -=--- 于是解得： V 63.0o =U (d)设第一级运放的输出为1o U ，由第一级运放电路为同相比例电路可知： ()V 45.03.010/511o =?+=U 后一级电路中，由虚断虚短可知，V 5.0==+-U U ，则有： ()()k U U k U U o 50/10/1o -=--- 于是解得： V 51.0o =U 5-211 图X5-1
5-3由理想放大器构成的反向求和电路如图5-44所示。 （1）推导其输入与输出间的函数关系()4321,,,u u u u f u o =； （2）如果有122R R =、134R R =、148R R =、Ω=k 101R 、Ω=k 20f R ，输入4321,,,u u u u 的范围是0到4V ，确定输出的变化范围，并画出o u 与输入的变化曲线。 （1）由运放的虚断虚短特性可知0==+-U U ，则有： f R u R u R u R u R u 0 44332211-=+++ 于是有： ??? ? ??+++-=44332211o U R R U R R U R R U R R U f f f f （2）将已知数据带入得到o U 表达式： ()4321o 25.05.02i i i i U U U U U +++-= 函数曲线可自行绘制。 5-4理想运放构成图5-45a 所示电路，其中Ω==k 10021R R 、uF 101=C 、uF 52=C 。图5-54b 为输入信号波形，分别画出1o u 和2o u 的输出波形。 前一级电路是一个微分电路，故()dt dU dt dU C R R i U i i o //*1111-=-=-= 输入已知，故曲线易绘制如图X5-2所示。 图X5-2 后一级电路是一个积分电路，故()??-=-=dt U dt U C R V o o 1122out 2/1 则曲线绘制如图X5-3所示。 图X5-3 U o1-
图论部分 第八章、一些特殊的图 8.1 二部图 二部图：定义设无向图G=
设M为G中一个匹配 v i与v j被M匹配: (v i,v j)∈M v为M饱和点: M中有边与v关联 v为M非饱和点: M中没有边与v关联 M为完美匹配: G的每个顶点都是M饱和点 定理(Hall定理) 设二部图G=
Hall定理中的条件称为“相异性条件”, 第二个定理中的条件称为t 条件. 满足t 条件的二部图一定满足相异性条件. 8.2 欧拉图 欧拉通路: 图中行遍所有顶点且恰好经过每条边一次的通路. 欧拉回路: 图中行遍所有顶点且恰好经过每条边一次的回路. 欧拉图: 有欧拉回路的图. 半欧拉图: 有欧拉通路而无欧拉回路的图. 几点说明： 上述定义对无向图和有向图都适用. 规定平凡图为欧拉图. 欧拉通路是简单通路, 欧拉回路是简单回路. 环不影响图的欧拉性.
第八章 8.1、试将下列二进制数转换为十进制数。 10 2431010111）（））（（= 10 2625.13101.11012）（））（（= 1026875.01011.03）（））（（= 8.2、试将下列十进制数转换为二进制数。 2 101001011751）（））（（= 210110101.11100183.573）（））（（= 8.3、试将下列二进制数转换为十六进制数及八进制数。 8 16266.08.011011.01）（）（））（（==D 8 162275101111012）（）（））（（==BD 8 16236.6778.3701111.1101113）（）（））（（== 8.5试将下列十进制数表示为8421BCD 码。 BCD 8421100001.1010010011001.9321）（））（（= BCD 84211001011000.0110011158.672）（））（（= 8.7、用真值表证明下列各式相等。 )()()(2AC AB C B A ⊕=⊕）（ C B A C B A )(3+=+）（ 8.8、写出下列逻辑函数的对偶式'F 和反函数F 。 G E D C B A F ])[(2++=）（ 解：G E D C B A F +++=])[('
G E D C B A F +++=])[( BC A C B A F +++=)3( 解：C B A C B A F +?+=)(' C B A C B A F +?+=)( 8.10、用逻辑代数公式将下列逻辑函数化成最简与或表达式。 B C D C A ABD AB F +++=）（ 1 解： BCD C A ABD AB F +++= C A AB BCD C A AB +=++= D C B BC C A B A C B D C B A F ++++++=)(3）（ 解： D C B BC C A B A C B D C B A F ++++++=)( 1=++++=++++=+++++=+++++=++++++=D C A B D C D C A B A D AC C A D C A B D B A C B A C A B A D C B D B A C B A BC C A B A D C C B D B A C B A C B B A C B A F ++++=）（5 解： C B B A C B A F ++++= 1 ))((=+++=+++=++++++=+++++=++?=C B C A C B C B A C B C B C A AB B A A C B B A C B A C B B A C B A 8.11、用卡诺图将下列逻辑函数化成最简与或表达式。 D C A C B A D C ABD ABC F ++++=）（1
4.1 已知某放大器的幅频特性如题图4.1所示。 (1) 试说明该放大器的中频增益、上限频率f H 和下限频率f L 、通频带BW 。 (2) 当()()() ()mV t sin mV t sin u i 4 61022010410?+?=ππ和 ()()() ()mV t sin mV t sin u i 4102205210?+?=ππ时，输出信号有无失真？是何种性质 的失真？分别说明之。 解：(1)由题图4.1可得：中频增益为40dB ，即100倍，f H =106Hz, f L =10Hz （在f H 和f L 处，增益比中频增益下降30dB ），Hz BW 66101010≈-=。 (2)当()()() ()mV t sin mV t sin u i 4 61022010410?+?=ππ时，其中f =104Hz 的频率在中频 段，而Hz f 6102?=的频率在高频段，可见输出信号要产生失真，即高频失真。 当()()() ()mV t sin mV t sin u i 4 102205210?+?=ππ时，f =5Hz 的频率在低频段，f =104Hz 的 频率在中频段，所以输出要产生失真，即低频失真。 4.2 某放大电路电压增益的渐近波特图如题图4.2所示。设中频相移为零。 (1)写出A u (jf)频率特性的表达式。 (2)求f=107Hz 处的相移值。 (3)求下限频率f L 的值。 (4)求f=100Hz 处实际的dB 值。 (5)求f=10Hz 和f=105Hz 的相移值。 题图4.1
解: (1)中频放大倍数为103，高频有一个极点频率为105Hz ，一个零点频率为106Hz ，低频有两个极点频率均为102Hz ，两个零点频率均为10Hz 。所以 ) 101()101()10 1()101(10)(522623 f j f j f j f j jf A v +-+-= (2)f=107Hz 处的相移为零 o Hz f o Hz f Hz f v L dB A Hz f 45|,90|)5(54lg 20)4(15512/10)3(510101002 1 2 -====-≈===?? 4.3 已知某晶体管电流放大倍数的频率特性波特图如题图4.3所示，试写出β的频率特性表 达式，分别指出该管的ωβ、ωT 各为多少？并画出其相频特性的近似波特图。 (b) 题图4.2
第8章 滤波电路及放大电路的频率响应 习 题 8 设运放为理想器件。在下列几种情况下，他们分别属于哪种类型的滤波电路（低通、高通、带通、带阻）并定性画出其幅频特性。 （1）理想情况下，当0f =和f →∞时的电压增益相等，且不为零； （2）直流电压增益就是它的通带电压增益； （3）理想情况下，当f →∞时的电压增益就是它的通带电压增益； （4）在0f =和f →∞时，电压增益都等于零。 解：（1）带阻 （2）低通 （3）高通 （4）带通 V A (2)理理理理 (3)理理理理 (4)理理理理 (1)理理理理 H A A A A V A V A V A 在下列各种情况下，应分别采用哪种类型（低通、高通、带通、带阻）的滤波电路。 （1）希望抑制50Hz 交流电源的干扰； （2）希望抑制500Hz 以下的信号； （3）有用信号频率低于500Hz ； （4）有用信号频率为500 Hz 。 解：（1）带阻 （2）高通 （3）低通（4）带通 一个具有一阶低通特性的电压放大器，它的直流电压增益为60dB ，3dB 频率为1000Hz 。分别求频率为100Hz ，10KHz ，100KHz 和1MHz 时的增益。 解：H Z o 100H ,60dB f A ==，其幅频特性如图所示
3dB -20dB/理 理理理 20 40 60 f/Hz Z v 20lg /dB A ? ??(a)理理理理 u 100Hz,60dB f A == u H 10KHz,6020lg 40,40dB f f A f =-== u H 100KHz,6020lg 20,20dB f f A f =-== u H 10MHz,6020lg 0,0dB f f A f =-== 电路如图所示的，图中C=μF ，R=5K Ω。 （1）确定其截止频率； （2）画出幅频响应的渐进线和－3dB 点。 图 习题电路图 解：L 36 11 318.3(Hz)225100.110 f RC ππ--= ==????
E ） I R ：I R =100S 2 L ： |.：（1 ? ：） R R 四、电路如图T4.4所示。 第4章集成运算放大电路 自测题 一、选择合适答案填入空内。 (1) 集成运放电路采用直接耦合方式是因为 (c )。 A ?可获得很大的放大倍数 B ?可使温漂小 C.集成工艺难于制造大容量电容 (2) 通用型集成运放适用于放大 (B )。 A.高频信号 B.低频信号 C.任何频率信号 (3) 集成运放制造工艺使得同类半导体管的 (C )。 A.指标参数准确 B.参数不受温度影响 C.参数一直性好 (4) 集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以 (A )。 A.减小温漂 B.增大放大倍数 C.提高输入电阻 (5) 为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用(A )。 A.共射放大电路 B.共集放大电路 C.共基放大电路 二、判断下列说法是否正确，用 “用“X 表示判断结果。 (1) 运放的输入失调电压 U IO 是两输入端电位之差。(X (2) 运放的输入失调电流I IO 是两输入端电流之差。(V ) ⑶运放的共模抑制比 K CMR = 仝。(V) A c (4)有源负载可以增大放大电路的输出电流。 (V ) (5)在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。 (X 三、电路如图T4.3所示，已知31 = 分析估算如下： 二 V cc -U BE 2 —U BE1 =IOO 」A R 解: 1 B2 2I B0 ■ - I B0 1 ： I R = ' I B0 I B2 C2的 值。 图 T4.3 1 C2 八B2"2— I B0。比较上两式，得 1 C2
模电典型例题分析 第二章 题2．1 如图所示电路，已知集成运放开环差模电压增益为∞，其电源电压±VCC=±１４Ｖ，Ｕｉ=１V;R １＝10k,R ｗ=1０0k 。请问：当Rw 滑动端分别在最下端、最上端和中点时时，输出Ｕo=?V ； 解： 1４V ,1V ,6V 题２．2 在题图所示的放大电路中，已知Ω=====k R R R R R 1087521，Ω===k R R R 201096∶ ① 列出1O u 、2O u 和O u 的表达式； ② 设V u I 3.01=,V u I 1.02=,则输出电压?=O u 注：此图A 1的同相端、反相端标反。 解 分析:本题中,运放A １构成反相比例运用电路,A 2构成同相比例运用。而A ３则构成了一个减法电路，由于可将运放当作理想器件,又在线线场合下使用，所以可使用“虚短”及“虚断”的两个基本概念来对电路进行分析。 (1) 21111152221 610 10 10311202O I I I O I I I R u u u u R R u u u u R =- =-?=-???? =+=+?= ? ????? 对A 3,1032222 810202 10203O O O I R u u u u u R R +=?===++ 因为0133079u u u u R R ---=－ 332011 I I u u u u u -+===-
()()90313212712 20 10 23O I I I I I R u u u u u u u R u u -=- -=---=+ (2）120.3,0.120.330.10.9I I O u V u V u V ===?+?= 题２.３ 加减运算电路如图所示，求输出电压O u 的值。 R u 分析:本题中运放Ａ构成了差分减法电路，由于运放可作理想器件,且工作在线性区,可用“虚短”和“虚断”的基本概念来分析电路。此电路的同相和反相端分别有两个输入信号,因此可用叠加原理来分析。 1s u 单独作用：2s u 、 3s u 、4s u 接地，此时输出为O1u F O11 1s R u u R =- 2s u 单独作用:1s u 、 3s u 、4s u 接地,此时输出为O2u F O222 s R u u R =- 3s u 单独作用：1s u 、 2s u 、4s u 接地，此时输出为O3u 45 p 3 453////s R R u u R R R =+ N P N O3N 12F //u u u u u R R R =-∴ = F O3N 12 (1)//R u u R R =+ 45F 3 12453//(1)////s R R R u R R R R R =++ 4s u 单独作用：1s u 、 2s u 、3s u 接地，此时输出为O4u 35F O44 12354 //(1)////s R R R u u R R R R R =+ +
第8章波形的发生和信号的转换 自测题 一、改错：改正图T8.1所示各电路中的错误，使电路可能产生正弦波振荡。要求不能改变放大电路的基本接法（共射、共基、共集）。 (a) (b) 图T8.1 解：(a)加集电极电阻R c及放大电路输入端的耦合电容。 (b)变压器副边与放大电路之间加耦合电容，改同名端。 二、试将图T8.2所示电路合理连线，组成RC桥式正弦波振荡电路。 图T8.2 解：④、⑤与⑨相连，③与⑧相连，①与⑥相连，②与⑦相连。如解图T8.2所示。 解图T8.2
三、已知图T8.3(a)所示方框图各点的波形如图(b)所示，填写各电路的名称。 电路1为正弦波振荡电路，电路2为同相输入过零比较器， 电路3为反相输入积分运算电路，电路4 为同相输入滞回比较器。 (a) (b) 图T8.3 四、试分别求出图T8.4所示各电路的电压传输特性。 (a) (b) 图T8.4 解：图(a)所示电路为同相输入的过零比较器；图(b)所示电路为同相输入的滞回比较器，两个阈值电压为±U T =±U Z。两个电路的电压传输特性如解图T8.5所示。
解图T8.4 五、电路如图T8.5所示。 图T8.5 (1)分别说明A 1和A 2各构成哪种基本电路； (2)求出u O1与u O 的关系曲线u O1=f (u O )； (3)求出u O 与u O1的运算关系式u O =f (u O1)； (4)定性画出u O1与u O 的波形； (5)说明若要提高振荡频率，则可以改变哪些电路参数，如何改变？ 解:(1)A 1：滞回比较器；A 2：积分运算电路。 (2)根据12111112121 ()02 P O O O O N R R u u u u u u R R R R = ?+?=+==++ 可得：8T U V ±=± u O1与u O 的关系曲线如解图T8.5 (a)所示。 (3) u O 与u O1的运算关系式 1211121141 ()()2000()()O O O O O u u t t u t u t t u t R C =- -+=--+ (4) u O1与u O 的波形如解图T8.5(b)所示。 (5)要提高振荡频率，可以减小R 4 、C 、R l 或增大R 2。 (a) (b) 解图T8.5
第四章功放 一．判断题： （1）功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。（√） （2）乙类推挽电路只可能存在交越失真，而不可能产生饱和或截止失真。（×） （3）功率放大电路，除要求其输出功率要大外，还要求功率损耗小，电源利用率高。（√） （4）在功率放大电路中，电路的输出功率要大和非线性失真要小是对矛盾。（√）（5）教材第173页习题4-8 二、选择题 1、功率放大电路的效率是指（ B ） A．不失真输出功率与输入功率之比 B．不失真输出功率与电源供给功率之比 C．不失真输出功率与管耗功率之比 D．管耗功率与电源供给功率之比 3、甲类功率放大电路比乙类功率放大电路（ D ） A．失真小、效率高 B．失真大、效率低 C．管耗大、效率高 D．失真小，效率低 4．已知电路如图所示，T1和T2管的饱和管压降│U CES│＝3V，U CC＝15V，R L＝8Ω，。选择正确答案填入空内。 （1）电路中D1和D2管的作用是消除_________ 。 A．饱和失真B．截止失真C．交越失真 （2）静态时，晶体管发射极电位U EQ。 A．大于0V B．等于0V C．小于0V （3）最大输出功率P OM。 A．约等于28W B．等于18W C．等于9W 解： （1）C 乙类功率放大电路存在交越失真，通过D1,D2克服交越失真。
（2）B 静态时，由于电路对称，0=EQ U (3)C W R U U P L CES cc OM 98 *2)315(2)(22=-=-= 5、选择合适的答案，填入空内。只需填入A 、B 或C 。 （1）功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时，输出基 本不失真情况下，负载上可能获得的最大 。 A ．交流功率 B ．直流功率 C ．平均功率 （2）功率放大电路的转换效率是指 。 A ．输出功率与晶体管所消耗的功率之比 B ．最大输出功率与电源提供的平均功率之比 C ．晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比 （3）在OCL 乙类功放电路中，若最大输出功率为1W ，则电路中功放管的集电极最大功耗约为 。 A ．1W B ．0.5W C ．0.2W （4）在选择功放电路中的晶体管时，应当特别注意的参数有 。 A ．β B ．I C M C ．I C B O D ．B U C E O E ．P C M F ．f T （5）若图T1所示电路中晶体管饱和管压降的数值为│U C E S │，则最大输出功率P O M ＝ 。 A ．L 2 CES CC 2) (R U V - B ．L 2CES CC )21(R U V - C ．L 2 CES CC 2)2 1(R U V - 图T1 解：（1）A （2）B （3）C （4）B D E （5）C 6、 已知电路如图T2所示，T 1和T 2管的饱和管压降│U C E S │＝3V ，V C C ＝ 15V ， R L ＝8Ω，。选择正确答案填入空内。
第一章 1、ＫＣＬ、KVL 基尔霍夫定律 2、受控电源 CC ＣＳ 、CCVS 、VCVS 、ＶC ＣS 第二章 1、电阻电路的等效变换 电阻的Ｙ行联接与△形联接的等效变换 R １、Ｒ2、Ｒ3为星形联接的三个电阻，R12、R13、R ２３为△形联接的三个电阻 公式: 形电阻之和形相邻电阻的乘积形电阻??= Y 形不相邻电阻形电阻两两乘积之和形电阻Y Y =? 如： 31231231121R R R R R R ++?= 3 31322112R R R R R R R R ++= 2、电压源、电流源的串并联 电压源串联,电流源并联可以合成为一个激励为其加和的电压源或电流源; 只有激励电压相等且极性一致的电压源才允许并联,否则违背K ＶL; 只有激励电流相等且方向一致的电流源才允许串联,否则违背KCL 。 第三章 1、KCL 独立方程数：n-1 ；KV Ｌ独立方程数: b-n ＋１ 其中,(n 为节点数,ｂ为分支数） 2、支路分流法，网孔电流法，回路电流法； 节点电压法 3、电压源电阻很小,电导很大；电流源电阻很大,电导很小;
第四章 １、叠加定理：在线性电阻电路中,某处电压或电流都是电路中各个独立电源单独作用时,在该处分别产生的电压或电流的叠加 2、齐性定理：线性电路中，当所有的激励（电压源或电流源)都同时增大或缩小K 倍时，响应(电压或电流）也将同样增大或缩小K 倍 ３、替代定理: ４、戴维宁定理：一个含独立电源、线性电阻和受控源的一端口,对外电路来说，可以用一个电压源和电阻的串联组合等效替代，此电压源的激励电压等于一端口的开路电压，电阻等于一端口内全部独立电源置零后的输入电阻； 诺顿定理:一个含独立电源、线性电阻和受控源的一端口,对外电路来说,可以用一个电流源和电阻的并联组合等效置换，电流源的激励电流等于一端口的短路电流,电阻等于一端口中全部独立源置零后的输入电阻。 5、最大功率传输定理:eq 24R U P OC LMAX , 负载电阻R Ｌ=含源一端口的输入电阻Re ｑ 第五章
2013-2014二学期图论与抽象代数复习 第一部分 1.第三篇总复习题1，2，3题 2.第四篇总复习题1，4，6题 3.习题9 9.1题 4. *运算如下表所示，哪个能使({a,b},*)成为单元半群？（） 5. Q 是有理集，（Q，*）（其中*为普通乘法）不能构成（）。 A．群B．单元半群C．半群D．交换半群 6.设Z 是整数集，＋，·分别是普通加法和乘法，则（Z，＋，·）是（）。 A．域B．整环和域C．整环D．含零因子环 7. 在代数系统中，整环和域的关系为（）。 A．整环一定是域B．域不一定是整环 C．域一定是整环D．域一定不是整环 8. 设D =< V,E >为有向图，V = {a, b, c, d, e, f }，E = {( a,b),(b,c),(a, d), ( d, e),(f, e)}是（）。A．强连通图B．单向连通图C．弱连通图D．不连通图 9. 在有n 个结点的连通图中，其边数（）。 A．最多有n?1 条B．至少有n?1 条 C．最多有n 条D．至少有n 条 10设G = (n,m)为无向简单图，可构成邻接矩阵的数目为（）。 A．n! B．m! C．D． 11. 欧拉回路是（）。 A．通路B．简单回路 C．既是基本回路也是简单回路D．既非基本回路也非简单回路 12. 哈密尔顿回路是（）。 A．通路B．简单回路 C．既是基本回路也是简单回路D．既非基本回路也非简单回路 13. 下面哪一种图不一定是树?（） A．无回路的连通图B．有n 个结点n ?1条边的连通图 C．每对结点间都有通路的图D．连通但删去一条边则不连通的图 下述偏序集（见下图）中能构成格的是（） 下述偏序集中哪一个不构成格？（）
电路答案 ——本资料由张纪光编辑整理（C2-241内部专用） 第一章 电路模型和电路定律 【题1】：由U A B =5V 可得：I AC .=-25A ：U D B =0：U S .=125V 。 【题2】：D 。 【题3】：300；-100。 【题4】：D 。 【题5】：()a i i i =-12；()b u u u =-12；()c ()u u i i R =--S S S ；()d ()i i R u u =--S S S 1 。 【题6】：3；-5；-8。 【题7】：D 。 【题8】：P US1 =50 W ；P U S 26=- W ；P U S 3=0；P I S 115=- W ；P I S 2 W =-14；P I S 315= - W 。 【题9】：C 。 【题10】：3；-3。 【题11】：-5；-13。 【题12】：4（吸收）；25。 【题13】：0.4。 【题14】：3123 I +?=；I =1 3 A 。 【题15】：I 43=A ；I 23=-A ；I 31=-A ；I 54=-A 。 【题16】：I =-7A ；U =-35V ；X 元件吸收的功率为P U I =-=-245 W 。 【题17】：由图可得U E B =4V ；流过2 Ω电阻的电流I E B =2A ；由回路ADEBCA 列KVL 得 U I A C =-23；又由节点D 列KCL 得I I C D =-4；由回路CDEC 列KVL 解得；I =3；代入上 式，得U A C =-7V 。 【题18】： P P I I 121 2 2 222==；故I I 1222=；I I 12=； ⑴ KCL ：43211-= I I ；I 185=A ；U I I S =-?=218 511V 或16.V ；或I I 12=-。 ⑵ KCL ：43 2 11-=-I I ；I 18=-A ；U S = -24V 。
绪论 一. 符号约定 大写字母、大写下标表示直流量。如: V CE、I C等。 小写字母、大写下标表示总量( 含交、直流) 。如: v CE、i B 等。 小写字母、小写下标表示纯交流量。如: v ce、i b等。 上方有圆点的大写字母、小写下标表示相量。如: 等。二．信号 ( 1) 模型的转换 ( 2) 分类 ( 3) 频谱
二.放大电路( 1) 模型 ( 2) 增益
如何确定电路的输出电阻r o ? 三．频率响应以及带宽 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称
为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素( 多子是空穴, 少子是电子) 。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素( 多子是电子, 少子是空穴) 。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度, 少子浓度与温度有关。 *体电阻---一般把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---经过改变掺杂浓度, 一种杂质半导体能够改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V, 锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通, 反偏截止。 8. PN结的伏安特性
第四章 电路定理 4-1应用叠加定理求图示电路中电压ab u 。 2Ω 1Ω ＋－ ab u a b 题4-1图 解：画出两个电源单独作用时的分电路如题解4-1图所示。 对(a)图应用结点电压法可得： 1 1 15sin 13211n t u ??++= ?+?? 解得： 13sin n u tV = ()1 1 1sin 21 n ab u u tV = ?=+ 题解4-1图 ＋－ (a) () 1ab u ＋ － (b) ()2ab u 对(b)图，应用电阻分流公式有 11 11351321 t t e i e A --=?=+++ 所以 ()21 15 t ab u i e V -=?= ()()121 sin 5 t ab ab ab u u u t e V -=+=+
4-2应用叠加定理求图示电路中电压u 。 题4-2图 － V 解：画出电源分别作用的分电路图 ①(a) (b) 题解4-2图 － V u 对(a)图应用结点电压法有 1 111136508240108210n u ??++=+ ?++?? 解得： ()1 182.667n u u V == 对(b)图，应用电阻串并联化简方法，可得： 104028161040310403821040si u V ??? ?+ ? +??=?=??? ++ ?+?? ()28 23 si u u V -= =- 所以，由叠加定理得原电路的u 为 ()()1280u u u V =+=
4-3应用叠加定理求图示电路中电压2u 。 3Ω 题4-3图 2u 解：根据叠加定理，作出电压源和电流源单独作用时的分电路，受控源均保留在分电路中。 (a) (b) 3 Ω 题解4-3图 () 123 Ω A (a) 图中 ()112 0.54 i A = = 所以根据KVL 有 ()()1 1 213221u i V =-?+=- (b) 图中 ()2 10i = ()2 2339u V =?= 故原电路电压 ()()1 2 2228u u u V =+= 4-4图示电路中，当电流源1s i 和电压源1s u 反向时(2s u 不变)，电压ab u 是原来的倍；当电流源1s i 和电压源1s u 反向时(1s u 不变)，电压ab u 是原来的倍。问：仅1s i 反向时(1s u ，2s u 不变)，电压ab u 应为原来的多少倍
习题 1. 设2AX81的I CM =200mA ，P CM =200mW ，U (BR)CEO =15V ；3AD6的P CM =10W （加散热板），I CM =2A ，U (BR)CEO =24V 。求它们在变压器耦合单管甲类功放中的最佳交流负载电阻值。 解：当静态工作点Q 确定后，适当选取交流负载电阻值L R '，使Q 点位于交流负载线位于放大区部分的中点，则可输出最大不失真功率，此时的L R '称为最佳交流负载电阻。 忽略三极管的饱和压降和截止区，则有L CQ CC R I U '=。 同时应满足以下限制：CM CQ CC P I U ≤?，2 (BR)CEO CC U U ≤ ，2 CM CQ I I ≤ 。 (1)对2AX81而言，应满足mW 200CQ CC ≤?I U ，V 5.7CC ≤U ，mA 100CQ ≤I 。取 mW 200CQ CC =?I U 。 当V 5.7CC =U 时，mA 7.26CQ =I ，此时L R '最大，Ω=='k 28.07 .265 .7L(max)R ； 当mA 100CQ =I ，V 2CC =U 时，此时L R '最小，Ω=='k 02.0100 2 L(min)R ； 故最佳交流负载电阻值L R '为：ΩΩk 28.0~k 02.0。 (2)对3AD6而言，应满足W 10CQ CC ≤?I U ，V 12CC ≤U ，A 1CQ ≤I 。取 W 10CQ CC =?I U 。 当V 12CC =U 时，A 83.0CQ =I ，此时L R '最大，Ω=='46.1483.012 L(max)R ； 当A 1CQ =I 时， V 10CC =U ，此时L R '最小，Ω=='101 10L(min)R ； 故最佳交流负载电阻值L R '为：ΩΩ46.14~10。 2. 图题8-2为理想乙类互补推挽功放电路，设U CC =15V ，U EE =－15V ，R L =4Ω，U CE(sat)=0，输入为正弦信号。试求 (1) 输出信号的最大功率； (2) 输出最大信号功率时电源的功率、集电极功耗（单管）和效率； (3) 每个晶体管的最大耗散功率P Tm 是多少在此条件下的效率是多少
第4章 集成运算放大电路 自测题 一、选择合适答案填入空内。 (1)集成运放电路采用直接耦合方式是因为( C )。 A.可获得很大的放大倍数 B.可使温漂小 C.集成工艺难于制造大容量电容 (2)通用型集成运放适用于放大( B )。 A.高频信号 B.低频信号 C.任何频率信号 (3)集成运放制造工艺使得同类半导体管的( C )。 A.指标参数准确 B.参数不受温度影响 C.参数一直性好 (4)集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以( A )。 A.减小温漂 B.增大放大倍数 C.提高输入电阻 (5)为增大电压放大倍数,集成运放的中间级多采用( A )。 A.共射放大电路 B.共集放大电路 C.共基放大电路 二、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果。 (1)运放的输入失调电压U IO 是两输入端电位之差。( × ) (2)运放的输入失调电流I IO 是两输入端电流之差。( √ ) (3)运放的共模抑制比c d CMR A A K = 。( √ ) (4)有源负载可以增大放大电路的输出电流。( √ ) (5)在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。( × ) 三、电路如图 所示，已知β1＝β2＝β3= 100 。各管的U BE 均为 , 试求I C 2的值。 解：分析估算如下： 21 100CC BE BE R V U U I A R μ--= = 00202211B B B B I I I I ββ ββ ++= =++； 020 2( )1R B B B I I I I β βββ+=+=++ 图 22021C B B I I I β ββ β +==?+。比较上两式，得 2(2) 1002(1) C R R I I I A ββμβββ+= ?≈=+++ 四、电路如图所示。
第5章 含有运算放大器的电阻电路 ● 本章重点 1、理想运算放大器的两个特性； 2、节点法分析含理想运算放大器的电阻电路。 ● 本章难点 分析电路时理解虚断、虚短的含义。 ● 教学方法 本章是通过一些典型电路讲述了含运算放大器的电阻电路的分析方法。采用讲授为主，自学为辅的教学方法。共用2课时。通过讲例题加以分析，深入浅出，举一反三，理论联系实际，使学生能学会学懂。 ● 授课内容 运算放大器是一种电压放大倍数很高的放大器，不仅可用来实现交流信号放大，而且可以实现直流信号放大，还能与其他元件组合来完成微分、积分等数学运算，因而称为运算放大器。目前它的应用已远远超出了这些范围，是获得最广泛应用的多端元件之一。 5.1运算放大器的电路模型 一、电路符号 a 端—－反相输入端：在o 端输出时相位相反。 b 端—－同相输入端：在o 端输出时相位相同。 o 端—－输出端 A —－放大倍数，也称作“增益”（开环放大倍数：输入端不受o 端影响）。 ''' ''' ()o a o b o o o b a u Au u Au u u u A u u =-=?=+=-差动输入方式 二、端口方程：()o b a u A u u =- 三、电路模型： i o i o R R R R ---- 输入电阻输出电阻 高输入，低输出电阻， o b a a 0u _ + + _ _ a u b u a i i R R 0u
0,""0000,""a i b o b a b a i R i R u u u u a b A ≈? →∞?≈? →? -≈≈?→∞? 理想状态下，虚断电流可以为，但不能把支路从电路里断开。 虚短，但不能在电路中将、两点短接。 四、常用接法 理想化：u a ≈0。 “虚地”：可把a 点电位用0代入，但不能直接作接地处理。 5.2含理想运放的电路分析 分析方法：节点电压法。采用概念：“虚短”，“虚断”，“虚地”。 避免问题：对含有运放输出端的节点不予列方程。 例1：. 2. 1 v U K U = 求传输电压比，。 解：. . . . . . 12 0,0, 0,a b a I I U I I ====由“虚断” 由“虚地”则 ..... . . 1212 22 . 1212 1 1 a a v U U U U U U U Z K Z Z Z Z Z U --= =-= =- ∴即 则 _ o a o u a o 2 。+ _ _ a u b u 0i ≈ i R R 0u
第四章参考答案 4.1 根据图4.39所示的场效应管转移特性曲线，判断场效应管的类型，并标出夹断电压G S(off)U 或开启电压G S(th)U 和漏极饱和电流D SS I 的位置。 D i GS v 0 D i GS v 0 D i GS v （a ） （b ） （c ） 图4.39 习题4.1的图 解： D i GS v 0 D i GS v 0 D i GS v GS(off) U GS(off) U GS(off) U （a ） （b ） （c ） 图题4.1 答案 （a ）P 沟道耗尽型MOS 管；（b ）N 沟道耗尽型MOS 管；（c ）P 沟道结型FET 。 4.2 根据图4.40所示的场效应管输出特性曲线，判断场效应管的类型，并确定夹断电压G S(off)U 或开启电压G S(th)U 的大小。 i D /mA u DS /V 0 u GS = 3V u GS = 2V u GS = 4V u GS =5V i D /mA u DS /V u GS = -2V u GS = -3V u GS = -1V u GS =0V i D /mA u DS /V 0u GS = -5V u GS = -6V u GS = -4V u GS =-3V （a ） （b ） （c ） 图4.40 习题4.2的图 解：（a ）N 沟道增强型MOS 管，GS(th)2V U =；（b ）P 沟道增强型MOS 管，GS(th)3V U =-；（c ）N 沟道结型FET ，GS(off)3V U =-。
4.3 在场效应管组成的电路中，其各极的电位如图4.41所示，已知G S(off)G S(th)3V U U ==，确定管子的工作状态。 3V 1V 8V 1V 1V 8V -5V 0V -1V 0V 4V 4V （a ） （b ） （c ） （d ） 图4.41 习题4.3的图 解：（a ）截止区；（b ）饱和区；（c ）可变电阻区；（d ）饱和区。 4.4 已知N 沟道增强型MOS 管的参数为G S (t h ) 1V U =，100m W =μ，5m L =μ，2 n 650cm /V s μ= ，9 2 ox 76.710F /cm C -=?。当GS GS(th)2U U =，管子工作在饱和区，试计算此 时的漏极电流D I 。 解： 22 n ox D n GS GS(th)GS(th)()(2)1mA 2μC W I K u U U L =-= ?≈ 4.5判断图4.42中的各电路能否放大交流信号，并说明理由。 D R + - i u + -o u G R R 1 C S C 2C + + + DD V -G1R G2 R D R + - i u + - o u G R R 1 C S C 2 C + + + DD V （a ） （b ）（b ）不能，GS 0 U =没 有形成导电沟道，所以不能正常放大； D R + - i u + -o u G R R 1 C S C 2C + + + DD V + - i u + - o u G R R 1 C S C 2 C + + + DD V （c ） c ）不能，因为GS 0U >；（ ）不能，因为缺少漏极电阻D R 图4.42 习题4.5电路图 解：（a ）能；（d 。 4.6 电路如图 4.43所示，已知DSS 4mA I =，GS(off)4V U =-，G 1M R =Ω，1K R =Ω， D 2K R =Ω， DD 12V V =。电容的容量足够大，求静态工作点 Q （GSQ U 、DSQ U 、D Q I ）。