doi ：10.11799/ce201806014
收稿日期：2017-12-15
作者简介：王鹏越（1971-），男，安徽萧县人，硕士，教授级高级工程师，现任中煤第五建设有限公司副总工程师，长期从事各类矿井建设及深部岩土工程施工技术工作，E -mai1：wangpengyue@https://www.doczj.com/doc/5013744707.html,三
引用格式：王鹏越.超大直径深立井施工技术发展及展望[J].煤炭工程，2018，50（6）：47-50.
超大直径深立井施工技术发展及展望
王鹏越
（中煤第五建设有限公司，江苏徐州 221006）
摘 要：为了探讨深立井安全高效施工技术，分析研究了我国立井施工的历史发展和大直径二深立井施工的技术基础与发展状况，并对深立井施工的提升二凿岩二爆破二砌壁等关键工序进行了工艺二设备的优化与实践应用三最终总结出1200 1500m 深立井的安全高效施工的装备配套方案及工艺，实现综合月进尺可以达到90 110m ，并提出了下一步2000 3000m 深立井施工技术的发展思路和展望三
关键词：深立井；大直径；凿井提升机；吊盘；伞钻；深孔爆破
中图分类号：TD262 文献标识码：A 文章编号：1671-0959（2018）06-0047-04
Development and prospect of construction technique for
super -large diameter deep vertical shaft
WANG Peng -yue
（China Coa1No.5Construction Co.，Ltd.，Xuzhou 221006，China）
Abstract ：In order to discuss the safe and efficient construction techno1ogy for deep shafts，the author investigated the deve1opment of vertica1shaft construction and ana1yzed the techno1ogica1base and deve1opment status of 1arge diameter deep shaft construction in China.Optimizing as we11as practicing the techno1ogy and equipment in the key process of deep shafts construction，inc1uding hoisting，rock dri11ing，b1asting and 1ining.Fina11y，the safe and efficient construction techno1ogy for 1200 1500m deep shaft was achieved with a comprehensive month1y progress of 90 110m，the future deve1opment ideas and prospect were proposed for construction techno1ogy of 2000 3000m deep shaft.
Keywords ：deep vertica1shaft；1arge diameter；shaft hoist；hanging scaffo1d；umbre11a dri11；deep ho1e b1asting 我国立井施工技术经过60多年的发展，立井掘进直径逐级加大，掘进深度逐级加深三截至目前，煤炭系统施工完成的井筒最深为1342m，直径最大10.5m，掘进直径达到约15m
[1]
三随着井筒深度和直径的加大，井筒掘进二装岩
和提升等工作量急剧增加，传统的井筒施工方法需要创新，传统的施工工艺需要更新，传统的井筒施工装备需要研发，传统的井筒装备布置方式需要变革三因此，急需对大直径深立井施工关键技术及成套装备问题进行深入研究与实践三
1 超大直径深立井施工关键装备研发1.1 提升与悬吊关键装备
大直径深立井井筒安全高效施工急需新型和大型提升
装备三提升系统关键装备主要包括超大型井架二大型提升机；悬吊关键装备包括稳车二吊盘等三
1.1.1 提升关键装备
1）新型井架三大直径深立井施工对新型凿井井架研制
提出的参数需求主要包括井架载荷及井架跨度尺寸，包括天轮平台尺寸三同时根据井筒不同深度二不同直径需求，提出了研制VI 型和Ⅶ型两个井架型号的思路三VI 型凿井井架设计的出发点是满足掘进直径8.0 10.0m二掘进深度达到1200m 的立井井筒施工三该井架在门克庆煤矿二纳林河煤矿以及葫芦素煤矿等矿井立井井筒进行了实践检验并定型三该井架的主要优点是总重小，承载大，便于组装和运输三VII 型凿井井架的设计目标是适用于掘进直径9.0 14.0m二掘进深度1600m 的立井井筒施工三VII 型凿井井架的研制是为了适应更大直径和更深立井井筒施工，对其整体结构二天轮平台结构形式二井架高度等方面都有了更高的要求三VII 型凿井井架在鄂尔多斯市葫芦素煤矿副井井筒工程进行使用和现场实测，满足了设计目标需求三两种凿井井架参数见表1三
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4第50卷第6期
煤 炭 工 程
COAL ENGINEEＲING
Vo1.50，No.6
万方数据
竖井施工方案 1、工程概况 1.1编制依据 1.1.1上海电力设计院有限公司提供的《军营110千伏输变电工程（电 力隧道）工程》图纸，设计编号：S1490S-T02A-01 1.1.2《电力工程电缆设计规范》(GB50217-2007) 1.1.3《城市电力电缆线路设计技术规定》（DL/T5221-2005) 1.1.4《混凝土结构设计规范》(GB50001 0-2010) 1.1.5《地下工程防水技术规范》(GB50108-2008) 1.1.6《给水排水工程管道结构设计规范》GB(50332-2002) 1.1.7《锚杆喷射混凝土支护技术规范》GBJ(50086-2001) 1.1.8《地下工程质量验收规范》(GB50208-2002) 1.1.9《公路隧道设计规范》（JTGD70-2004) 1.1.11《铁路隧道喷锚构筑技术规则》（TB1018-2002) 1.1.12《混凝土结构耐久性设计规范》（GB/T50476-2008) 1.1.13《建筑结构荷载规范》（GB50009-2012） 1.1.14《锚建筑结构可靠度设计统一标准》（GB50068-2001） 1.1.15《建筑工程抗震设防分类标准》（GB50223-2008) 1.1.16《建筑结构荷载规范》GB50009-2012 1.1.17《建筑结构抗震设计规范》GB50011-2010 1.2路径及工程概况 本工程拟建电力沟位于北京市顺义区城区南部的铁东路。 为满足军营110kV输变电工程的电缆敷设需求，需新建两段电缆隧道L1线及L2线。本工程第四标段为L1线，起点桩号为1+676，沿规划铁东路（现状铁东路）向北至桩号2+754，采用2.0m×2.3m
微电子技术的发展历史与前景展望 姓名：张海洋班级：12电本一学号：1250720044 摘要：微电子是影响一个国家发展的重要因素,在国家的经济发展中占有举 足轻重的地位，本文简要介绍微电子的发展史，并且从光刻技术、氧化和扩散技术、多层布线技术和电容器材料技术等技术对微电子技术做前景展望。 关键词：微电子晶体管集成电路半导体。 微电子学是研究在固体（主要是半导体）材料上构成的微小型化电路、电路及系统的电子学分支，它主要研究电子或粒子在固体材料中的运动规律及其应用，并利用它实现信号处理功能的科学，以实现电路的系统和集成为目的，实用性强。微电子产业是基础性产业，是信息产业的核心技术，它之所以发展得如此之快，除了技术本身对国民经济的巨大贡献之外，还与它极强的渗透性有关。 微电子学兴起在现代，在1883年，爱迪生把一根钢丝电极封入灯泡，靠近灯丝，发现碳丝加热后，铜丝上有微弱的电流通过，这就是所谓的“爱迪生效应”。电子的发现，证实“爱迪生效应”是热电子发射效应。 英国另一位科学家弗莱明首先看到了它的实用价值，1904年，他进一步发现，有热电极和冷电极两个电极的真空管，对于从空气中传来的交变无线电波具有“检波器”的作用，他把这种管子称为“热离子管”，并在英国取得了专利。这就是“二极真空电子管”。自此，晶体管就有了一个雏形。 在1947年，临近圣诞节的时候，在贝尔实验室内，一个半导体材料与一个弯支架被堆放在了一起，世界上第一个晶体管就诞生了，由于晶体管有着比电子管更好的性能，所以在此后的10年内，晶体管飞速发展。 1958年，德州仪器的工程师Jack Kilby将三种电子元件结合到一片小小的硅片上，制出了世界上第一个集成电路（IC）。到1959年，就有人尝试着使用硅来制造集成电路，这个时期，实用硅平面IC制造飞速发展.。 第二年，也是在贝尔实验室，D. Kahng和Martin Atalla发明了MOSFET，因为MOSFET制造成本低廉与使用面积较小、高整合度的特点，集成电路可以变得很小。至此，微电子学已经发展到了一定的高度。 然后就是在1965年，摩尔对集成电路做出了一个大胆的预测：集成电路的芯片集成度将以四年翻两番，而成本却成比例的递减。在当时，这种预测看起来是不可思议，但是现在事实证明，摩尔的预测诗完全正确的。 接下来，就是Intel制造出了一系列的CPU芯片，将我们完全的带入了信息时代。 由上面我们可以看出，微电子技术是当代发展最快的技术之一，是电子信息产业的基础和心脏。时至今日，微电子技术变得更加重要，无论是在航天航空技术、遥测传感技术、通讯技术、计算机技术、网络技术或家用电器产业，都离不开微电子技术的发展。甚至是在现代战争中，微电子技术也是随处可见。在我国，已经把电子信息产业列为国民经济的支拄性产业，微电子信息技术在我国也正受到越来越多的关注，其重要性也不言而喻，如今，微电子技术已成为衡量一个国家科学技术进步和综合国力的重要标志，微电子科学技术的发展水平和产业规模是一个国家经济实力的重要标志。
立井井筒施工作业规程 第一章概况 第一节概述 一、巷道名称及施工目的 1.巷道名称：三河矿业天井井筒与井底车场连接处工程 2.工程范围：立井井筒设计图纸内的全部施工工程 3.施工目的：解决采煤工作面通风提升运输问题 4.巷道用途：用于采区工作面通风、提升、运输，质量要求必须严格、切实按照“安全生产、质量第一”的思想教育每一个职工。 二、井口位置：如巷道平面布置图所示。 第二节立井井筒特征 为了提高矿井生产力，现对五矿矿井井筒400m，直径6m，浇筑墙壁厚度0.5m，的井筒施工，施工用IV型井架，JT-2.5m绞车，提升3m3吊桶，进行人员下放与排矸，浇注混凝土用1.6m3底卸式吊桶输送砼，浇注高4m的无缝液压整体模板，钻眼用YT-28风钻,出矸采用HZ-6型中心回转式抓岩机。 第三节施工的工作量 临时施工项目包括：井架施工，排水设施，锁口，封口，临时支护系统施工，供风设施，供电设施，安全梯等施工项目。 主要施工项目包括：井筒开挖，排矸石和混凝土注浆， 第四节编写依据 本规程编写过程中用到以下主要依据：
1.《煤矿安全规程》及阳煤集团工种操作规程及各项补充规定。 2.根据井筒施工图及《矿山井巷工程施工及验收规范》进行编制。 第二章地面相对位置及水文地质概况 第一节通讯系统 本次施工井筒所采用的主要通讯设备为手机以。 第二节泥浆系统 本次施工所用泥浆主要是井筒开挖以后用泥浆充填井壁。 第三节供电系统 本次施工绞车所需电压为660/380v，用1680Kva变压器接线， 第四节通风系统 本次施工用一个局扇通风，但是需要备用一个 第五节供水系统 为满足本次施工用水，采用3DZ-SZ75/50水泵，每隔5-10米焊接50mm闸阀一个。 第六节废物，矸石处理 灌注混凝土以及其他施工废弃物运送至山顶进行处理或者掩埋，证将污染降到最小。 第七节瓦斯情况及水文地质 井筒在岩层中掘进无瓦斯，井筒无涌水量。裂隙含水性微弱，松散层沉积厚度偏小，含水条件较差，并依据邻近已贯通巷道的地次水文资料得出含水对本巷道无影响。故在掘进中应遵循“有疑必探，先探后掘”的原则。 第八节地质构造 根据工程勘察设计及相邻巷道提供的地质资料，在施工期间无断层、
万科南站商务城一期（b-04 地块）综合机电工程 管井内风管吊装施工方案 编制人： 审核人： 审批人： 编制单位：万科南站商务城一期（b-04 地块）综合机电项目部编制日期： 2014 年 7月26日
目录 1.编制依据 (2) 2.工程概况 (3) 3.施工安排 (4) 3.1.施工部位及工期安排 (4) 3.2.劳动力组织和责任分工 (4) 3.3.施工程序 (4) 4.施工准备 (4) 4.1.技术准备 (4) 4.2.施工人员 (5) 4.3.现场准备 (5) 4.4.材料准备 (5) 4.5.机具准备 (6) 5.吊装方案 (6) 5.1.吊具固定 (7) 5.2.管道吊装 (7) 5.3.焊接 (7) 6.质量保证措施 (7) 7.安全保证措施 (8) 7.1.通用措施 (8) 7.2.吊装安全措施 (9) 7.3电焊作业安全措施 (9)
1.编制依据 本施工方案是上海万科南站商务城一期项目为保证本工程的风管吊装质量和施工安 全而编制的。施工方案要求技术上可靠、经济上合理，在确保安全施工的前提条件下， 便于管道安装，为整个项目管道安装按期顺利完成提供有利的保障。 序号主要编制依据编号 1《通风与空调工程施工质量验收规范》GB50234-2002. 2《通风与空调工程施工规范》GB50738-2011 3《通风管道技术规程》JGJ141-2004 4暖通专业施工图纸以及有关设计变更 5《万科实测实量验收标准》 2.工程概况 本工程建筑面积 141558.43m2 ，其中地上计容建筑面积为 105988m2，地下建筑面积 为 32287.3m2,。万科南站商务城一期包括：总体， T1， T2，T3，商业 1，商业 2，地下 室七个子项。地下室地下两层为汽车库及设备用房，其中T1地下室仅地下一层，T1 建筑面积为40330.82m2，建筑高度为97.55m；T2建筑面积为40580.89m2，建筑高度为97.55m；T3 建筑面积为22264.04m2，建筑高度为84.75m；商业 1 建筑面积为1089.66m2，建筑高度为 8.95m；商业 2 建筑面积为 1722.59m2，建筑高度为 8.95m。该工程质量等级 为白玉兰。 在本工程中， T1，T2，T3 塔楼内均有从地下室延伸至楼顶的六个风管井，包括新风井、排风井和加压送风井，且管井内操作空间较小，房间所在管井内光线较暗，这些因 素都给风管的施工带来了不便。
中国微电子技术发展现状及发展趋势 论文概要： 介绍了中国微电子技术的发展现状，并阐述对微电子技术发展趋势的展望。针对日前世界局势紧张，战争不断的状况，本文在最后浅析了微电子技术在未来轻兵器上的应用。 一．我国微电子技术发展状况 1956年7月，国务院科学专业化规划委员会正式成立，组织数百各科学家和技术专家编制了十二年（1965—1967年）科学技术远景规划，这个著名的《十二年规划》中，明确地把发展计算机技术、半导体技术、无线电电子学、自动化和遥感技术放到战略的重点上，我国半导体晶体管是1957年研制成功的，1960年开始形成生产；集成电路始于1962年，于1968年形成生产；大规模集成电路始于70年代初，80年代初形成生产。但是，同世界先进水平相比较，我们还存在较大的差距。在生产规模上，目前我国集成电路工业还没有实现高技术、低价格的工业化大生产，而国外的发展却很快，美国IBM 公司在日本的野洲工厂生产64K动态存贮器，1983年秋正式投产后，每日处理硅片几万片，月产量为上百万块电路，生产设备投资约8000万美元。日本三菱电机公司于1981年2月开始动土兴建工厂，1984年投产，计划生产64K动态存贮器，月产300万块，总投资约为1.2亿美元。 此外，在美国和日本，把半导体研究成果形成工业化生产的周期也比较短。在美国和日本，出现晶体观后，形成工业生产能力是3年；出现集成电路后形成工业生产能力是1—3年；出现大规模集成电路后形成工业生产能力是1—2年；出现超大规模集成电路后形成工业生产能力是4年。我国半导体集成电路工业长期以来也是停留在手工业和实验室的生产方式上。近几年引进了一些生产线，个别单位才开始有些改观，但与国外的差距还是相当大的。 从产品的产值和产量方面来看，目前，全世界半导体与微电子市场为美国和日本所垄断。这两国集成电路的产量约占体世界产量的百分之九十，早期是美国独占市场，而日本后起直追。1975年美国的半导体与集成电路的产值是66亿美元，分离器件产量为110多亿只，集成路为50多亿块；日本的半导体与集成电路的产值是30亿美元，分离器件产量为122亿只，集成电路为17亿块。1982年美国的半导体与集成电路的产值为75美元，分离器件产量为260多亿只，集成电路为90多亿块；日本的半导体与集成电路的产值为38亿美元，分离器件产量300多亿只，集成电路40多亿块。我国集成电路自1976年至1982年，产量一直在1200万块至3000万块之间波动，没有大幅度的提高，1982年我国半导体与集成电路的产值是0.75亿美元，产量为1313万块，相当于美国1965年和日本1968年的水平。（1965年美国的半导体与集成电路的产值是0.79亿美元，产量为950万块；1968年日本的半导体与集成电路的产值为0.47亿美元，产量为1988万块）。 在价格、成本、劳动生产率、成品率等方面，差距比几十倍还大得多，并且我国小规模集成电路的成品率比国外低1—3倍；中规模集成电路的成品率比国外低3—7倍。目前中、小规模集成电路成品率比日本1969年的水平还低。从经济效益和原材料消耗方面考虑，国外一般认为，进入工业生产的中、小规模集成电路成品率不应低于50%，大规模集成电路成品率不应低于30%。我国集成电路成品率的进一步提高，已迫在眉睫，这是使我国集成电路降低成本，进入工业化大生产、提高企业经济效益带有根本性的一环。从价格上来看，集成电路价格是当前我国集成电路工业中的重大问题，产品优质价廉，市场才有立足之地。我国半导体集成电路价格，长期以来，降价较缓慢，近两三年来，集成电路的平均价格为每块10元左右，这种价格水平均相当于美国和日本1965
什么是集成电路和微电子学 集成电路（Integrated Circuit，简称IC）：一半导体单晶片作为基片，采用平面工艺，将晶体管、电阻、电容等元器件及其连线所构成的电路制作在基片上所构成的一个微型化的电路或系统。 微电子技术 微电子是研究电子在半导体和集成电路中的物理现象、物理规律，病致力于这些物理现象、物理规律的应用，包括器件物理、器件结构、材料制备、集成工艺、电路与系统设计、自动测试以及封装、组装等一系列的理论和技术问题。微电子学研究的对象除了集成电路以外，还包括集成电子器件、集成超导器件等。 集成电路的优点：体积小、重量轻;功耗小、成本低；速度快、可靠性高； 微电子学是一门发展极为迅速的学科，高集成度、低功耗、高性能、高可靠性是微电子学发展的方向； 衡量微电子技术进步的标志要在三个方面：一是缩小芯片器件结构的尺寸，即缩小加工线条的宽度；而是增加芯片中所包含的元器件的数量，即扩大集成规模；三是开拓有针对性的设计应用。 微电子技术的发展历史 1947年晶体管的发明；到1958年前后已研究成功一这种组件为基础的混合组件； 1958年美国的杰克基尔比发明了第一个锗集成电路。1960年3月基尔比所在的德州仪器公司宣布了第一个集成电路产品，即多谐振荡器的诞生，它可用作二进制计数器、移位寄存器。它包括2个晶体管、4个二极管、6个电阻和4个电容，封装在0.25英寸*0.12英寸的管壳内，厚度为0.03英寸。这一发明具有划时代的意义，它掀开了半导体科学与技术史上全新的篇章。 1960年宣布发明了能实际应用的金属氧化物—半导体场效应晶体管（metal-oxide-semiconductor field effect transistor ，MOSFET）。 1962年生产出晶体管——晶体管逻辑电路和发射极耦合逻辑电路； 由于MOS电路在高度集成和功耗方面的优点，70年代，微电子技术进入了MOS电路时代；随着集成密度日益提高，集成电路正向集成系统发展，电路的设计也日益复杂、费事和昂贵。实际上如果没有计算机的辅助，较复杂的大规模集成电路的设计是不可能的。 微电子发展状态与趋势 微电子也就是集成电路，它是电子信息科学与技术的一门前沿学科。中国科学院王阳元院士曾经这样评价：微电子是最能体现知识经济特征的典型产品之一。在世界上，美国把微电子视为他们的战略性产业，日本则把它摆到了“电子立国”的高度。可以毫不夸张地说，微电子技术是当今信息社会和时代的核心竞争力。 在我国，电子信息产业已成为国民经济的支柱性产业，作为支撑信息产业的微电子技术，近年来在我国出现、崛起并以突飞猛进的速度发展起来。微电子技术已成为衡量一个国家科学技术进步和综合国力的重要标志。 1.微电子发展状态 1956年五校在北大联合创建半导体专业：北京大学、南京大学、复旦大学、
文件编号：TP-AR-L8187 In Terms Of Organization Management, It Is Necessary To Form A Certain Guiding And Planning Executable Plan, So As To Help Decision-Makers To Carry Out Better Production And Management From Multiple Perspectives. （示范文本） 编制：_______________ 审核：_______________ 单位：_______________ 矿井回风立井井口连接处施工技术安全措施正式 样本
矿井回风立井井口连接处施工技术 安全措施正式样本 使用注意：该解决方案资料可用在组织/机构/单位管理上，形成一定的具有指导性，规划性的可执行计划，从而实现多角度地帮助决策人员进行更好的生产与管理。材料内容可根据实际情况作相应修改，请在使用时认真阅读。 一、工程概况： 巴彦高勒矿井回风立井井筒设计净直径Φ7m，设 计净断面38.48m2，井筒全深624m。表土段深度 130.02m，冻结深度635m。井口设计标高为+1271.4m （实际），回风立井井口连接处设计深度13.4m，井 口连接处底口标高+1258m；内壁净直径7m，荒经 8m，外壁净直径8m，荒经9060mm，混凝土强度等级 内壁C30、外壁C35；壁厚1m（其中内、外壁厚度均 为500mm）。井壁结构：内、外壁均为双层钢筋混凝 土支护。井壁预留风道口、安全出口，技术特征如下
准隧道施工工艺标 城市隧道工程竖井施工工艺标准SGBZ-0906 适用范围1 本标准适用于采用盾构法施工的城市交通隧道。 施工准备2 技术准备2.1 盾构始发井是用于组装调试盾构，隧道施工期间作为管片、其他施工材料、2.1.1 设备、出碴的垂直运输及作业人员的出入通道。井的平面净尺寸必须满足上述各项 作为盾构安装作业的空间。盾构的前后应的要求。一般情况下在盾构两侧各留1.5m 留出洞口封门拆除、初期推进时出碴、管片运输和其他作业所需的空间，井的长度 以上。 3.0m应比盾构主机长 以上。2.0m1.5m以上，井的长度应比盾构主机长 2.1.2接收井宽应比盾构直径大 根据盾构的安装、拆除作业、洞口与隧道的接头处理作业等需要，确定洞口底至工 作井底板顶面的最小高度。 从理论上来说，井壁预留洞口大小略比盾构的外径大一些即可（盾构外径2.1.3 ，但考虑到井壁洞口的施工误差、隧道设计轴线与洞口轴线间的夹含外壳突出部分）
角、密封装置的需要，需留出足够的余量。 由于盾构始发、接收时拆除竖井封门，施工时间较长，临空面较大，这对土2.1.4 体的稳定极为不利，这就必须对盾构始发、接收前的土层进行加固，可合理选用降 水、注浆及其他土体加固法予以改良，切实有效地控制洞口周围土体变形，从而保 证盾构始发和接收的安全。 材料准备2.2 泥浆护壁材料：粘土、膨润土、添加剂、水等。2.2.1 注浆材料：砂浆、水泥浆、速凝剂。2.2.2 1． 准隧道施工工艺标 井筒结构材料：钢筋、水泥、砂、碎石、水。2.2.3 主要机具2.3 竖井开挖施工机械、装卸、运输机械等：2.3.1 构筑井筒结构的混凝土施工机械2.3.2 测量仪器与量测元件。2.3.3 作业条件2.4 前期调查。为防止资料与实际工况条件不符，施工前应进行工程环境的调查2.4.1 和实地踏勘，为制订施工组织设计提供足够的依据，进行核实的主要项目：
[键入公司名称] 浅谈我对微电子的认识 [键入文档副标题] X [选取日期] [在此处键入文档摘要。摘要通常为文档内容的简短概括。在此处键入文档摘要。摘要通常为文档内容的简短概括。]
我是电子信息科学与技术专业的学生，考虑到微电子对我们专业知识学习的重要性，我怀着极大的热情报了《微电子入门》这门选修课。希望通过这门课的学习，使我对微电子有更深入的认识，以便为以后的专业课学习打下基础。 微电子是一门新兴产业，它的发展关系着国计民生。它不仅应用于科学领域，也被广泛应用于国防、航天、民生等领域。它的广泛应用，使人们的生活更见方便。现代人的生活越来越离不开电子。因此，对电子的了解显得十分重要。微电子作为电子科学的一个分支，也发挥着日益重要的作用。通过几周的学习，我对微电子有了初步的认识。 首先，我了解了微电子的发展史，1947年晶体管的发明，后来又结合印刷电路组装使电子电路在小型化的方面前进了一大步。到1958年前后已研究成功以这种组件为基础的混合组件。集成电路的主要工艺技术，是在50年代后半期硅平面晶体管技术和更早的金属真空涂膜学技术基础上发展起来的。1964年出现了磁双极型集成电路产品。 1962年生产出晶体管——晶体管理逻辑电路和发射极藉合逻辑电路。MOS集成电路出现。由于MOS电路在高度集成方面的优点和集成电路对电子技术的影响，集成电路发展越来越快。 70年代，微电子技术进入了以大规模集成电路为中心的新阶段。随着集成密度日益提高，集成电路正向集成系统发展，电路的设计也日益复杂、费时和昂贵。实际上如果没有计算机的辅助，较复杂的大规模集成电路的设计是不可能的。70年代以来，集成电路利用计算机的设计有很大的进展。制版的计算机辅助设计、器件模拟、电路模拟、逻辑模拟、布局布线的计算辅助设计等程序，都先后研究成功，并发展成为包括校核、优化等算法在内的混合计算机辅助设计，乃至整套设备的计算机辅助设计系统。 微电子技术是随着集成电路，尤其是超大型规模集成电路而发展起来的一门新的技术。微电子技术包括系统电路设计、器件物理、工艺技术、材料制备、自动测试以及封装、组装等一系列专门的技术，微电子技术是微电子学中的各项工艺
竖井开挖施工测量技术 摘要：竖井开挖施工对测量而言，重要的工作有控制测量、反井钻机垂直度控制、过程测量控制、激光指向仪安装、日常开挖施工放样、贯通测量、资料整理等。本文以响水涧抽水蓄能电站施工测量为背景，探讨竖井控制测量、日常开挖测量放样、开挖竣工形体测量、满足规范精度等问题。 关键词：竖井开挖、垂直度控制、激光指向仪安装、放样、精度 1 、概述 安徽响水涧抽水蓄能电站位于安徽省芜湖市三山区峨桥镇境内，距繁昌县城约25 ，距芜湖市约45 。电站装机容量为1000 （4×250 ），为日调节纯抽水蓄能电站，电站由上水库、输水系统、地下厂房系统、开关站和下水库等建筑物组成，安装四台可逆式水泵水轮发电机组，电站属大(2) 型二等工程。 响水涧抽水蓄能电站引水竖井洞中心间距为24m ，洞径为Φ 7.4m ，引水竖井中心线分别与引水上平洞、引水下平洞中心线交点间的高度作为引水竖井的高度，1#、2#、3#、4#竖井分别为：220.62m 、219.5m 、218.38m 、217.26m 。四条引水下平洞中心线在同一平面高程-51.05m 。 施工局主要承担地下厂房及输水系统，输水系统主要有引水上平洞、引水竖井、引水下平洞、尾水洞等工程的施工。 2 、利用资料及测量设备 （ 1 ）地下厂房、引水竖井及上、下平洞，尾水洞施工开挖、支护图。 （ 2 ）华东测绘有限公司提供、监理公司审核的Ⅱ等控制复测成果( 电站独立坐标系、1956 年黄海高程系) ；施工局完成的加密控制成果。 （ 3 ）测量设备：采用702( 2 ″级) 全站仪，激光指向仪等辅助设备。 3 、控制测量 根据规范要求，本次洞内控制应满足四等导线精度要求。平面控制网相对于同级起始点的中误差小于±10 。 3.1 控制技术指标 埋点：控制点沿形成开挖洞室布置，采用Φ 24 长50 钢筋深埋基岩。仪器：702(2 ″级) 及配套附件。 技术要求：水平角左右角各三测回，边长往返观测各二测回，垂直角往返各三测回。 达到精度指标：按左右角闭合差计算的测角中误差为 1.5 ″；对向观测平均值测距中误差为1.4 ，平均边长相对中误差为1/64000 。 计算平距用垂直角经过两差改正，观测边经气象、加、乘常数改正，改正后观测边投影至测区选定高程面118.3m 。
本文由jschen63贡献 ppt文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT，或下载源文件到本机查看。 微电子技术的发展 主要内容 微电子技术概述；微电子发展历史及特点；微电子前沿技术；微电子技术在军事中的应用。 2010-11-26 北京理工大学微电子所 2 2010-11-26 北京理工大学微电子所 3 工艺流程图 厚膜、深刻蚀、次数少多次重复 去除 刻刻蚀 牺牲层，释放结构 多 工艺 工工艺 2010-11-26 工 5 微电子技术概述 微电子技术是随着集成电路，尤其是超大规模集成电路而发展起来的一门新的技术。微电子技术包括系统电路设计、器件物理、工艺技术、材料制备、自动测试以及封装、组装等一系列专门的技术，微电子技术是微电子学中的各项工艺技术的总和；微电子学是一门发展极为迅速的学科，高集成度、低功耗、高性能、高可靠性是微电子学发展的方向；衡量微电子技术进步的标志要在三个方面：一是缩小芯片中器件结构的尺寸，即缩小加工线条的宽度；二是增加芯片中所包含的元器件的数量，即扩大集成规模；三是开拓有针对性的设计应用。 2010-11-26 北京理工大学微电子所 6 微电子技术的发展历史 1947年晶体管的发明；到1958年前后已研究成功以这种组件为基础的混合组件； 1962年生产出晶体管——晶体管逻辑电路和发射极耦合逻辑电路；由于MOS电路在高度集成和功耗方面的优点，70 年代，微电子技术进入了MOS电路时代；随着集成密度日益提高，集成电路正向集成系统发展，电路的设计也日益复杂、费时和昂贵。实际上如果没有计算机的辅助，较复杂的大规模集成电路的设计是不可能的。 2010-11-26 北京理工大学微电子所 7 微电子技术的发展特点 超高速：从1958年TI研制出第一个集成电路触发器算起，到2003年Intel推出的奔腾4处理器（包含5500 万个晶体管）和512Mb DRAM（包含超过5亿个晶体管），集成电路年平均增长率达到45％；辐射面广：集成电路的快速发展，极大的影响了社会的方方面面，因此微电子产业被列为支柱产业。
SGBZ-0906 城市隧道工程竖井施工工艺标准 1 适用范围 本标准适用于采用盾构法施工的城市交通隧道。 2施工准备 2.1 技术准备 2.1.1 盾构始发井是用于组装调试盾构，隧道施工期间作为管片、其他施工材料、设备、出碴的垂直运输及作业人员的出入通道。井的平面净尺寸必须满足上述各项的要求。一般情况下在盾构两侧各留1.5m作为盾构安装作业的空间。盾构的前后应留出洞口封门拆除、初期推进时出碴、管片运输和其他作业所需的空间，井的长度应比盾构主机长 3.0m以上。 2.1.2 接收井宽应比盾构直径大1.5m以上，井的长度应比盾构主机长2.0m以上。根据盾构的安装、拆除作业、洞口与隧道的接头处理作业等需要，确定洞口底至工作井底板顶面的最小高度。 2.1.3 从理论上来说，井壁预留洞口大小略比盾构的外径大一些即可（盾构外径含外壳突出部分），但考虑到井壁洞口的施工误差、隧道设计轴线与洞口轴线间的夹角、密封装置的需要，需留出足够的余量。 2.1.4 由于盾构始发、接收时拆除竖井封门，施工时间较长，临空面较大，这对土体的稳定极为不利，这就必须对盾构始发、接收前的土层进行加固，可合理选用降水、注浆及其他土体加固法予以改良，切实有效地控制洞口周围土体变形，从而保证盾构始发和接收的安全。 2.2 材料准备 2.2.1 泥浆护壁材料：粘土、膨润土、添加剂、水等。 2.2.2 注浆材料：砂浆、水泥浆、速凝剂。
2.2.3 井筒结构材料：钢筋、水泥、砂、碎石、水。 2.3 主要机具 2.3.1 竖井开挖施工机械、装卸、运输机械等： 2.3.2 构筑井筒结构的混凝土施工机械 2.3.3 测量仪器与量测元件。 2.4 作业条件 2.4.1 前期调查。为防止资料与实际工况条件不符，施工前应进行工程环境的调查和实地踏勘，为制订施工组织设计提供足够的依据，进行核实的主要项目： 2.4.1.1土地使用情况——根据报告和附图，实地踏勘调查各种建筑物的使用功能、结构形式、基础类型及其与隧道的相对位置等； 2.4.1.2 道路种类和路面交通情况； 2.4.1.3 工程用地情况——主要对施工场地及材料堆放场地、弃土场地、运土路线等做必要的调查； 2.4.1.4 施工用电和给排水设施条件； 2.4.1.5 有关环境保护的法律和法规； 2.4.1.6 地下障碍物及管线。 2.4.2 根据工程特点、施工设备的技术性能及操作要领，对盾构司机及各类设备操作人员进行上岗前的技术培训并持证上岗。 2.4.3 竖井施工之前，应建立完整的测量和监控量测系统，以控制竖井的垂直精度，对地层及结构进行监测，并及时反馈信息。 2.4.4 盾构工作竖井与工程构筑物结合设置时，除按设计要求满足构筑物的功能外，还应满足盾构的相关施工作业的要求。 2.5 劳动力组织:根据竖井的实际施工方法需要安排劳动力，每工作班需要20人左
1 微电子技术发展方向 21世纪初微电子技术仍将以尺寸不断缩小的硅基CMOS工艺技术为主流；随着IC设计与工艺水平的不断提高，系统集成芯片将成为发展的重点；并且微电子技术与其他学科的结合将会产生新的技术和新的产业增长点。 1.1 主流工艺——硅基CMOS电路 硅半导体集成电路的发展，一方面是硅晶(圆)片的尺寸愈来愈大，另一方面是光刻加工线条（特征尺寸）愈来愈细。 从硅片尺寸来看，从最初的2英寸，经过3英寸、4英寸、5英寸、6英寸发展到当今主流的8英寸。据有关统计，目前世界上有252条8英寸生产线，月产片总数高达440万片，现在还在继续建线。近几年来又在兴建12英寸生产线，硅晶片直径达12英寸（300mm），它的面积为8英寸片（200mm）的2.25倍。1999年11月下旬，由Motorola与Infineon Technologies联合开发的全球首批300mm 晶片产品面市。该产品是64M DRAM，采用的是0.25μm工艺技术，为标准的TSOP 封装。据介绍，300mm晶片较200mm晶片，每个芯片的成本降低了30%～40%。到目前，已经达到量产的12英寸生产线已有6条，它们是： （1）Semiconductor 300公司，位于德国德累斯顿，开始月产1500片，由0.25μm进到0.18μm。 （2）Infineon公司，位于德国德累斯顿，0.14μm，开始月产4000片。 （3） TSMC公司，位于我国台湾新竹， Fab12工厂生产线，由0.18μm进到0.15μm以至0.13μm，开始月产4500片。 （4）三星公司，位于韩国，Line 11生产线，0.15/0.13μm，开始月产1500片。 （5）Trecenti公司，位于日本那珂N3厂，月产能7000片，0.15/0.13μm。 （6）Intel公司的D1C厂，开始月产4000片，0.13μm。 此外，已经建厂，开始试投的也已有9条线；正在建的有4条线。 采用12英寸晶片生产的IC产品，据报道已有：韩国三星公司批量生产512M 内存（DRAM）；美国Altera公司在台湾TSMC公司加工生产可编程逻辑器件（PLD），采用0.18μm技术；美国Intel公司在2001年3月份宣布，在当年采用0.13μm 技术建12英寸生产线量产CPU。其余各线主要做存储器电路,DRAM、SRAM或Flash。 在光刻加工线条（特征尺寸）方面，如前所述，在主流0.25μm技术之后，已有0.18μm、0.15μm以至0.13μm技术连续开发出来并投入使用。
微电子行业前景与就业形势 当前，我们正在经历新的技术革命时期，虽然它包含了新材料、新能源、生物工程、海洋工程、航空航天技术和电子信息技术等等，但是影响最大，渗透性最强，最具有新技术革命代表性的乃是以微电子技术为核心的电子信息技术。 自然界和人类社会的一切活动都在产生信息，信息是客观事物状态和运动特征的一种普通形式，它是为了维持人类的社会、经济活动所需的第三种资源（材料、能源和信息）。社会信息化的基础结构，是使社会的各个部分通过计算机网络系统，连结成为一个整体。在这个信息系统中由通讯卫星和高速大容量光纤通讯将各个信息交换站联结，快速、多路地传输各种信息。在各信息交换站中，有多个信息处理中心，例如图形图像处理中心、文字处理中心等等；有若干信息系统，例如企事业单位信息系统，工厂和办公室自动化系统，军队连队信息系统等等；在处理中心或信息系统中还包含有许多终端，这些终端直接与办公室、车间、连队的班排、家庭和个人相连系。像人的神经系统运行于人体一样，信息网络系统把社会各个部分连结在信息网中，从而使社会信息化。海湾战争中，以美国为首的多国部队的通讯和指挥系统基本上也是这样一个网络结构，它的终端是直接武装到班的膝上（legtop）计算机，今后将发展到个人携带的PDA（Person-al Date Assistant）。 实现社会信息化的关键部件是各种计算机和通讯机，但是它的基础都是微电子。当1946年2月在美国莫尔学院研制成功第一台名为电子数值积分器和计算器（Electronic Numlerical Inte-grator and Computer）即ENIAC问世的时候，是一个庞然大物，由18000个电子管组成，占地150平方米，重30吨，耗电140KW，足以发动一辆机车，然而不仅运行速度只有每秒5000次，存储容量只有千位，而且平均稳定运行时间才7分钟。试设想一下，这样的计算机能够进入办公室、企业车间和连队吗所以当时曾有人认为，全世界只要有4台ENIAC就够了。可是现在全世界计算机不包括微机在内就有几百万台。造成这个巨大变革的技术基础是微电子技术，只有在1948年Bell实验室的科学家们发明了晶体管（这可以认为是微电子技术发展史上的第一个里程碑），特别是1959年硅平面工艺的发展和集成电路的发明（这可以认为是微电子技术第二个里程碑），才出现了今天这样的以集成电路技术为基础的电子信息技术和产业。而1971年微机的问世（这可以认为是微电子技术第三个里程碑），使全世界微机现在的拥有率达到％，在美国每年由计算机完成的工作量超过4000亿人年的手工工作量。美国欧特泰克公司总裁认为：微处理器、宽频道连接和智能软件将是下世纪改变人类社会和经济的三大技术创新。 当前，微电子技术发展已进入“System on Chip”的时代，不仅可以将一个电子子系统或整个电子系统“集成”在一个硅芯片上，完成信息加工与处理的功能，而且随着微电子技术的成熟与延拓，可以将各种物理的、化学的敏感器（执行信息获取的功能）和执行器与信息处理系统“集成”在一起，从而完成信息获取、处理与执行的系统功能，一般称这种系统为微机电系统（MEMS：Micro Electronics Machinery System），可以认为这是微电子技术又一次革命性变革。集成化芯片不仅具有“系统”功能，并且可以以低成本、高效率的大批量生产，可靠性好，耗能少，从而使电子信息技术广泛地应用于国民经济、国防建设乃至家庭生活的各个方面。在日本每个家庭平均约有100个芯片，它已如同细胞组成人体一样，成为现代工农业、国防装备和家庭耐用消费品的细胞。集成电路产业产值以年增长率≥13％，在技术上，集成度年增长率46％的速率持续发展，世界上还没有一个产业能以这样高的速度持续地增长。1990年日本以微电子为基础的电子工业产值已超过号称为第一产业的汽车工业而成为第一大产业。2000年电子信息产业，将成为世界第一产业。集成电路的原料主
竖井施工技术 3.2技术准备 3.2.1机电设备选型 1）竖井提绞设备的组成 竖井提升设备的主要组成部分有：提升容器、提升钢丝绳、提升机（包括拖动装置）、井架和天轮，以及装载、卸载装置等。 中条山隧道竖井提升设备的主要组成部分有： (1)、主提升绞车、副提升绞车为JK系列，主要由机械部分和电气部分两部分组成。机械部分主要包括主轴装置（滚筒）、变速箱、液压站（一用一备）、润滑站（一用一备）、两组双闸制动器、深度指示器、一个齿轮联轴器、一个弹簧联轴器等。电气部分主要包括磁力站、高压开关柜、高压换向器、操纵台（主令）、电动机、箱式电阻等。 (2)、凿井绞车部分主要包括吊盘稳车4台、风水管稳车1台、吊泵稳车1台、抓岩机稳车1台、溜灰管稳车2台、稳绳稳车2台、安全梯稳车1台、滑模稳车3台以及放炮电缆、通讯讯号电缆稳车各1台。 2）凿井提升机的选择与计算 建井用的提升机，根据井筒开凿、巷道开拓、井筒安装等不同时期的提升方式及提升量进行选择。由于巷道开拓时临时罐笼都采用双钩提升，按以下方面进行了计算，确定主提升设备以选用双卷筒提升机。
提升机的选择与计算
3）凿井绞车的选择 凿井绞车的选择主要根据所悬吊设备的重量和悬吊方法选择。一般单绳悬吊用单卷筒凿井绞车，双绳悬吊用一台双卷筒凿井绞车，如无条件亦可用两台单卷筒凿井绞车。 凿井绞车的能力是根据钢丝绳的最大静张力来标定的，因此所选用的凿井绞车的最大静张力大于或等于钢丝绳悬吊的终端荷重与钢丝绳自重之和。选用的凿井绞车卷筒容绳量要大于或等于凿井绞车的悬吊深度。 竖井提升系统主要设备选型及技术特征 (1)、主、副提升绞车选型为JK系列，其主要由机械部分和电气部分两部分组成。机械部分主要包括主轴装置（滚筒）、变速箱、液压站（一用一备）、润滑站（一用一备）、两组双闸制动器、深度指示器、一个齿轮联轴器、一个弹簧联轴器等。电气部分主要包括磁力站、高压开关柜、高压换向器、操纵台（主令）、电动机、箱式电阻等。 A：主提升绞车的主要技术特征： 型号：2JK-3.5/15.5 卷筒直径：3500mm 宽度：1700mm
地铁15号线顺向隧道（香江北路）工程 （第二标段） 竖井施工方案 审批： 审核： 编制： 北京久安建设投资集团有限公司 香江北路项目部 2012年4月
地铁15号线顺向隧道（香江北路）工程（第二标段） 竖井施工方案 一、编制依据 1.1《地铁15号线顺向隧道(朝阳区香江北路电力隧道)工程(第二标 段)》招标文件。 1.2北京电力设计院2010年10月20日编制的《地铁15号线顺向隧 道（香江北路）工程施工图设计》SH655S-T11。 1.3《地铁15号线顺向隧道(朝阳区香江北路电力隧道)工程(第二标 段)》施工承包合同。 1.4文件、设计指定的相关规范、规程和标准。 1）《建筑结构荷载规范》 GB50009-2001 2）《混凝土结构设计规范》 GB50010-2002 3）《建筑施工扣件式钢管脚手架安全技术规范》JGJ130-2001 4）《钢筋焊接及验收规程》JGJ18-2003 5）《北京市市政工程施工安全操作规程》DBJ01-56-2001 6）《建筑机械使用安全技术规程》JGJ33-2001 7)基建[2011]109号《国家电网公司基建安全管理规定》 8)《建筑施工计算手册》江正荣著中国建筑工业出版社； 9）北京市建设工程施工现场管理办法；
10）北京市建设工程施工现场消防安全管理规定； 1.5北京市政委、建委发布的工程建设等规章制度；
二、工程概况
三、设计概况 3.2竖井设计 1)竖井结构尺寸及功能： a.φ4.0m竖井为2.0×2.3m单孔暗挖隧道直线竖井。 b.6.0×6.0m竖井为单孔暗挖电缆隧道四通竖井。 2)竖井结构设计 a.圆竖井：为保证井筒结构稳定，在井口设现浇钢筋混凝土锁口圈梁，在锁口 圈梁下采用“喷射混凝土＋网构钢架＋钢筋网支护”＋“防水膜”＋“现浇钢 筋砼”，支护衬砌厚0.25m，钢架竖向间距0.6m。二衬厚0.25m，采用现浇钢 筋混凝土结构形式。竖井初衬底板采用喷射C20混凝土，厚0.3m；再施做0.35m 厚C30现浇钢筋混凝土，钢筋与二衬侧墙钢筋连接。竖井内底与隧道内底标高 一致。埋管二层小室采用MU15普通烧结砖墙砌筑, 1:2.5水泥砂浆抹面厚15mm，预留埋管窗口用砂袋封堵。 初衬受力钢筋Φ18，其间用Φ12钢筋冷压成形的“8”字加强筋焊接而成 受力好的钢架。拱架内侧、外侧用Φ20钢筋连接，纵向连接筋间距1m，内外 错开布置。拱架内外侧附设φ6-100×100网片筋。 b.方竖井：井口设现浇钢筋混凝土锁口圈梁，在锁口圈梁下采用“喷射混凝土 ＋网构钢架＋钢筋网支护”＋“防水膜”＋“现浇钢筋砼”，支护衬砌厚0.30m，钢架竖向间距0.6m。二衬厚0.30m，采用钢筋混凝土结构形式。竖井初衬底 板采用喷射混凝土，厚0.30m；再施做0.35m厚现浇钢筋混凝土，钢筋与二 衬侧墙钢筋连接。 初衬受力钢筋Φ22，其间用Φ12钢筋冷压成形的“8”字加强筋焊接而 成受力好的钢架。拱架内侧、外侧用Φ20钢筋连接，纵向连接筋间距1m， 内外错开布置。拱架内外侧附设φ6网片筋。 c.竖井环向锚杆，竖直方向两榀一打，上下错开，角度15～20度，锚杆直径32mm，长2.5m，水平间距1m。打设纵向锚杆时不得破环现有地下建筑及构筑物。通过
微 电子技术的发展 摘要：微电子技术是科技发展到一定阶段的时代产物，是对当今社会经济最具影响力的高新技术之一。本文主要对微电子技术的概念、发展及其在社会各大产业中的应用进行了浅析的探讨。 【关键词】微电子技术发展应用 微电子技术的核心技术是半导体集成电路，微电子技术的发展及应用影响我们生产生活的方方面面。对促使经济发展，人类的进步有着巨大的影响力。随着社会经济的发展，为了达到社会经济的发展对微电子技术的需求，实现社会经济在技术支持下快捷稳定发展，我们必须要不断地对微电子技术进行优化和改进，积极地探索更深层次的微电子技术知识，使微电子技术更好地服务于社会经济发展。相信微电子技术不仅是在当今，乃至未来社会发展中微电子技术必将是促使社会发展进步的主导产业。 1微电子技术的概念 微电子技术是信息化时代最具代表性的高新技术之一，它的核心技术半导体集成电路技，术由电路设计、工艺技术、检测技术、材料配置以及物理组装等购置技术体系。微电子技术基于自身集成化程度高，反应敏捷、占用空间较小等优势特点目前在有关涉及电子产业中得以广泛的应用。 2 微电子技术的发展现状 国外微电子的发展 自1965年发明第一块集成电路以来，特别是过去的十年中，全球微电子产业一直处于高速发展的时期，推动着信息产业的高速发展。集成电路产业及其产品是带动整个经济增长的重要因素。集成电路已发展到超大规模和甚大规模、深亚微米μ
m)精度和可集成数百万晶体管的水平，现在已把整个电子系统集成在一个芯片上。人们认为：微电子技术的发展和应用使全球发生了第三次工业革命。1965年，Intel 公司创始人之一的董事长Gorden Moore在研究存贮器芯片上晶体管增长数的时间关系时发现，每过18～24个月，芯片集成度提高一倍。这一关系被称为穆尔定律(Moores Law)，一直沿用至今。自从20 世纪50 年代后期集成电路问世以来, 就一直追求在芯片上有更多的晶体管, 能够完成更多的功能, 从一代到下一代芯片的基本价格变化却很小, 这是由于较高的集成度导致完成每项功能的价格降低。这是驱动芯片发展的最基本动力。现在还在向更小的工艺发展。技术飞速的进步, 促使人们不断探究现代半导体器件最终的物理极限。 国内微电子发展 早在1965年，我国的集成电路就开始起步，而此时世界上最著名的芯片制造商英特尔还没有成立。由于体制等众多的原因，我国在这一领域与国外差距越来越大。目前，我国集成电路产业已具备了一定的发展规模，形成了从电路设计、芯片制造和电路封装三业并举，与集成电路有关的主要材料、测试设备、仪器等支持业也相继配套发展，在地域上呈现相对集中的格局，京津、苏浙沪、粤闽地区成为集成电路产业较为发达的区域。。我国集成电路设计业在过去的几年中有了长足的进步，高等院校、科研院所、企业从事集成电路设计的单位越来越多。然而国内集成电路设计企业规模，设计人员的平均数量还未达到国际同类公司的水平。随着信息时代的到来，微电子技术得以快速发展，在信息时代中扮演中重要角色，是影响时代发展的关键技术之一。从微电子技术的发展历程来看，上世纪五十年代贝尔实验室发明了晶体管，晶体管的面世标志着微电子技术的诞生。在随后的几年内经过科学家的不断努力，又发明了集成电路。集成电路的发明为后来的微型计算机的发明奠定了坚实的技术基础。直至上世纪七十年代，集成电路在微型计算机中的成功应用，标志着微电子技术的发展达到了空前的高度。随着微电子技术的进一步发展，以集成电路为核心的微电子技术经过科学家的优化和改进，较上世界刚诞生的微电子技术集成化程度足足提高了近500 万倍，另外在微电子技术产品体积方面也大大地缩小。一个微小的单独的集成片就能集成几千万个集体管。自改革开发以来，国家对微电