Technology & Efficiency
1. promote the development of
2. boost efficiency/productivity
3. widen the gap between the wealthy and the needy
4. be overly dependent on technology
Mind & Education
1. relax their bodies and ease their minds
2. relieve on e’s financial/academic/psychological burden
3. steam from their parents
4. stifle creativity/imagination
5. find A monotonous and unmotivating
Society & Crime
1. keep society safe and stable
2. curb the proliferation of crime
3. drive up the crime rate
Time & Space
1. be less time-consuming and more economical
2. diminish individual’s leisure time
Rights & Responsibility
1. have a duty/obligation to
2. pose a threat to
Employment & Competition
1. enrich one’s experience
2. generate employment opportunities
3. fulfill one’s professional potential
4. has the inherent advantages of competition
5. the competition is increasingly stiff
Environment & Healthy
1. raise people’s awareness of
2. have a definite link between A and B
3. spin out of control
4. have a detrimental influence of
Culture & Population
1. remove the barriers for cultures
2. promote the cultural communication and interaction between A and B
3. cause tension and conflicts between A and B
4. the population is booming
Money & Fun
1. be benefit from
2. invest in
3. live in poverty/misery/frustration/anxiety
1 在C语言代码(文本文件)形成可执行程序(二进制文件)，需要经过 预处理---编译—汇编—链接。 编译过程是把C语言文本文件生成汇编程序， 汇编过程是把汇编程序形成二进制机器代码， 链接则是将各个源文件生成的二进制代码文件组合成一个文件。 2 C语言的程序经过编译--------链接后，将形成一个统一文件，它由几个部分组成。在程序运行时又会产生其他几个部分，各个部分代表了不同的存储区域。 3 说明：C语言程序分为映像和运行时两种状态。在编译-----链接后形成映像中，将只包含代码段(Text)、只读数据段(RO Data)和读写数据段(RW Data)。在程序运行之前，将动态生成未初始化数据段BSS。在程序的运行时还将动态生成堆Heap区域和栈Stack区域。 C语言在编译链接后，将生成代码段(Text)、只读数据段(RO Data)和读写数据段(RW Data)。在运行时，除了上述三个区域外，还包括未初始化数据段BSS区域和栈Stack区域。 代码段(Text) 只读数据段(RO Data) -----const定义的变量常量 Static修饰符的变量不管在函数内部或外部全在静态区 全局变量----静态区 读写数据段(RW Data) ---已初始化的全局变量 未初始化数据段BSS ---直接定义的全局变量 堆Heap区域----malloc 栈Stack区域----主要存储以下三种：函数内部的动态变量函数参数函数返回值
int main() char *p=”tiger”,系统在栈上开辟了四个字节存储p的数值。, tiger”在只读存储区，因此tiger”的内容不能改变，*p= tiger”，char *p = “tiger” ; 表示地址赋值。因此，p指向了只读存储区，因此改变p指向p[1+=’l’; 的内容会引起段错误。但是因为P在存放在栈上，因此p的数p++ ; 值是可以改变的，因此p++是正确的。 p rintf(“%s\n”,p); } typedef char *pStr ; ----经过编译提示错误为：error:increment of read-only variable ‘p2’ int main() 1>const使用的基本形式为const char m ; 限定m不可变 { 2>替换const char *pm ; 限定*pm不可变,pm是可变的，因此c har string*6+ = “tiger” ;p1++是对的。 const char *p1 = string ; 3>替换const newType m;限定m不可变,所以p2是不可变的。const pStr p2 = string ; p2++是错误的。 p1 ++ ; const (char *) pContent;//pContent是const，*pContent是可变 p2 ++ ; p rintf(“p1=%s\np2=%s\n”,p1,p2); }
雅思写作的论证方法 一方面，对于绝大多数考生而言，完成议论文正文的论证部分并不容易：他们的作文明显表现出论证单薄﹑内容空洞等问题。另一方面，写作的评分标准中有两项针对考生论证实力的检测，分别为写作任务的完成度和表达的连贯统一性。因此，如何全面掌握和正确使用各种论证方法是考生写作备考中亟待解决的问题。接下来介绍一些议论文的主要论证方法以及考生应该如何使用这些方法。 一．举例论证 举例论证是最有利于增强论述的可靠性与说服力的方法，同时，也是考官建议考生使用的。在雅思考题下方总会有这样一句话：“Give reasons for your answer and include any relevant examples from your own knowledge or experience.” 1. 常见表达方式 ①关联词 优势：关联词能够较为方便的引出例子，主要是因为用这种方法引出的例子多是独立的句子，语法上的束缚少些。 关联词：as a proof, as an illustration, as an example, for example, for instance, in particular, just as, namely, specifically, to illustrate, to demonstrate. ②句型 优势：句型引出例子，能够保证表达的书面度与学术性。但是在使用时，考生需要特别注意语法正确。 句型：A good case in point is that …. A typical example can be found in …. Take … for example. …, which may include …. 2. 使用注意事项 ①选择典型的例子
元素知识点总结
第四单元 物质构成的奥秘 课题1 原 子 1、原子的构成 （1）原子结构的认识 （2）在原子中由于原子核带正电，带的正电荷数（即核电荷数）与核外电子带的负电荷数（数值上等于核外电子数）相等,电性相反，所以原子不显电性 因此： 核电荷数 = 质子数 = 核外电子数 （3）原子的质量主要集中在原子核上 注意：①原子中质子数不一定等于中子数 ②并不是所有原子的原子核中都有中子。例如：氢原子核中无中子 2 、相对原子质量：⑴ ⑵相对原子质量与原子核内微粒的关系： 相对原子质量 = 质子数 + 中子数 课题2 元 素 一、 元素 1、含义：具有相同质子数（或核电荷数）的一类原子的总称。 注意：元素是一类原子的总称；这类原子的质子数相同 相对原子质
因此：元素的种类由原子的质子数决定，质子数不同，元素种类不同。 2、元素与原子的比较： 3、元素的分类：元素分为金属元素、非金属元素和稀有气体元素三种 4、元素的分布： ①地壳中含量前四位的元素：O、Si、Al、Fe ②生物细胞中含量前四位的元素：O、C、H、N ③空气中前二位的元素：N、O 注意：在化学反应前后元素种类不变 二、元素符号 1、书写原则：第一个字母大写，第二个字母小写。 2、表示的意义；表示某种元素、表示某种元素的一个原子。例如：O：表示氧 元素；表示一个氧原子。 3、原子个数的表示方法：在元素符号前面加系数。因此当元素符号前面有了系 数后，这个符号就只能表示原子的个数。例如：表示2个氢原子：2H； 2H：表示2个氢原子。 4、元素符号前面的数字的含义；表示原子的个数。例如：6．N：6表示6个氮原 子。
电子知识总结 电子知识总结 1、电路的各输入端不能直接与高于5.5V或低于-0.5V的低内阻 电源连接。因为低内阻电源能提供较大电流，会由于过流而烧坏电路。 2、加入上拉或下拉电阻后，可以大大减少总线受噪声的干扰， 使总线工作在所有三态总线驱动器全部处在三态时，也不会被悬浮 起来的状态。 3、低阻终端有利于减少噪声、减少瞬时扰动、减少过冲和串扰，低阻终端还可以更快地将信号传至接收终端，然而却加大了功耗。 4、ECL电路一般用于驱动传输线，因此通常设计成射极开路输 出的形式。此时，传输线的终端匹配电阻RL即为输出负载。 5、ECL电路的功耗基本上不随频率而变化，关于这一点在高频 领域是非常重要的。 6、ECL电路的主要缺点是直流功耗大，可以说，ECL电路开关速度的提高是以牺牲功耗换取的。 7、要知道在系统上复用模块节省的面积远比在代码上小打小闹 来的实惠得多。 8、由于CMOS电路通常驱动能力较弱，所以必须先进行TTL转换后再驱动ECL转换芯片。 9、锗材料的温度敏感性很好，其稳定性远远不如硅材料。 10、为了提高信噪比，RS-232C总线标准不得不采用比较大的电 压摆幅。 11、由于电荷泵转换器不使用电感器，因此其辐射EMI可以忽略。
12、只有相同发光电压的发光二极管才可以并联使用，且不同颜色的发光电压一般不同。 13、平衡放大器有2个优点： (1)如果两个放大器中有一个坏了，另一个仍然可以工作，但是 性能将有所降低。经常用于要求高可靠性和具有容错能力的环境中。 (2)平衡放大器能比普通的放大器提供更好的匹配。因为它们的 泄露很少，这就意味着有更好的性能。 14、如果阻带不允许射频能量通过，这些能量将发生什么情况呢?它转化为热量。 15、所有的振荡器都会是有源器件。 16、无线系统的带宽越宽(即频率范围越大)，在一定时间内所承载的数据就越多，所以数据速率就越高。 17、如今有两种阻抗匹配标准：射频用50欧姆和视频用75欧姆。 18、阻抗匹配电路有很多种，但是它们的目的相同：将某些射频器件的阻抗变为50欧姆。 19、“去耦”是指去掉联系，一般去耦电容多用一个容量大的和一个容量小的电容并联在电源正、负极。去耦电容的作用是为了消 除各电路因使用同一个电源相互之间产生的影响。 20、与满幅值的输出电压相比，地弹电压VGND通常很小。虽然 它不会严重地削弱发送信号，却严重干扰了接收。 21、大多数示波器采用的探头都是10pF的`输入电容和3~6in长的接地引线。这是由综合了信号完整性的多种因素而设计的。 22、对于PCB设计而言，最重要的数据是线宽与对地高度的比值。 23、对于任何电路，减小电阻阻值将消耗更多的功率，同时也减少了下降时间。
为了保证所保存的数据不丢失，DRAM必须定时进行刷新，DDR3也不例外。 为了最大的节省电力，DDR3采用了一种新型的自动自刷新设计（ASR，Automatic Self-Refresh）。当开始ASR之后，将通过一个内置于DRAM芯片的温度传感器来控制刷新的频率，因为刷新频率高的话，消电就大，温度也随之升高。而温度传感器则在保证数据不丢失的情况下，尽量减少刷新频率，降低工作温度。不过DDR3的ASR是可选设计，并不见得市场上的DDR3内存都支持这一功能，因此还有一个附加的功能就是自刷新温度范围（SRT，Self-Refresh Temperature）。通过模式寄存器，可以选择两个温度范围，一个是普通的的温度范围（例如0℃至85℃），另一个是扩展温度范围，比如最高到95℃。对于DRAM内部设定的这两种温度范围，DRAM将以恒定的频率和电流进行刷新操作。 局部自刷新（RASR，Partial Array Self-Refresh）这是DDR3的一个可选项，通过这一功能，DDR3内存芯片可以只刷新部分逻辑Bank，而不是全部刷新，从而最大限度的减少因自刷新产生的电力消耗。这一点与移动型内存（Mobile DRAM）的设计很相似 FBD、XDR、XDR2内存概述 来自(https://www.doczj.com/doc/6d10924686.html,/) 2009-07-14 1．FBD内存 FBD即Fully-buffer DIMM（全缓存模组技术），它是一种串行传输技术，可以提升内存的容量和传输带宽.是Intel在DDR2、DDR3的基础上发展出来的一种新型内存模组与互联架构，既可以搭配现在的DDR2内存芯片，也可以搭配未来的DDR3内存芯片。FB-DIMM可以极大地提升系统内存带宽并且极大地增加内存最大容量。 FB-DIMM与XDR相比较，虽然性能不及全新架构的XDR，但成本却比XDR要低廉得多。与现有的普通DDR2内存相比，FB-DIMM技术具有极大的优势:在内存频率相同的情况下目前能提供四倍于普通内存的带宽，并且能支持的最大内存容量也达到了普通内存的24倍，系统最大能支持192GB内存。FB-DIMM最大的特点就是采用已有的DDR2内存芯片(以后还将采用DDR3内存芯片)，但它借助内存PCB上的一个缓冲芯片AMB(Advanced Memory Buffer，高级内存缓冲)将并行数据转换为串行数据流，并经由类似PCI Express 的点对点高速串行总线将数据传输给处理器。 与普通的DIMM模块技术相比，FB-DIMM与内存控制器之间的数据与命令传输不再是传统设计的并行线路，而采用了类似于PCI-Express的串行接口多路并联的设计，以串行的方式进行数据传输。在这种新型架构中，每个DIMM上的缓冲区是互相串联的，之间是点对点的连接方式，数据会在经过第一个缓冲区后传向下一个缓冲区，这样，第一个缓冲区和内存控制器之间的连接阻抗就能始终保持稳定，从而有助于容量与频率的提升。 2．XDR内存 XDR就是“eXtreme Data Rate”的缩写，这是Rambus的黄石的最终名称。XDR将Rambus之前公布了一系列新技术集中到了一起，新技术不仅带来了新的内存控制器设计和DRAM模块设计，同时可以工作在相当高的频率，带来让人难以置信的带宽。 XDR内存比较有意思，这次架构同目前实际使用的DDR、DDR II并没有太大的差别，但XDR却依旧拥有自己的知识产权。XDR在今年年内会有样品出现，明年中后期正式推广，同原来一样三星依旧是RAMBUS
雅思写作如何举例子 雅思考试作为国际语言考试，其中的写作部分让不少烤鸭头疼，在备考雅思阶段，要注意正确理解词汇语法和逻辑的重要性。下面就和大家分享雅思写作如何看待词汇语法和逻辑，来欣赏一下吧。 雅思写作如何用举例子的办法使自己的作文高大上 1、举例时紧扣*脉络 不论你在写作时想到了什么样惊天地泣鬼神的好例子，还是得记住‘合适’才是最后得分的关键。换句话说，例子一般是对上一段论点的展开，也有时是作为下一段批判的靶子，整体需要按照*顺序依次列出，这样考官才能看懂你的举例。 2、例子****尽可能丰富，维度多元 尽管中国的烤鸭们自熟谙引经据典，但是在雅思考试当中引用的例子却往往受限于亚里士多德、哥白尼等等英文*里常见的人物，其实来自中国古代的不少文化和传统也是可以加入其中的。 毕竟在举例论证的时候例子的多元化非常影响考官对你的 评分：正反论证是不是都有?古今中外的维度够不够深?例子的位
置是不是结合了刚才的论点?如果生硬的例子在逻辑上不通顺，那么还不如采用报纸和电视上的报道，切不可为举例而举例。 3、对模板范文中的例子加以改造，再去背诵 对于烤鸭们来说，范文的作用不仅是背诵，更是学习和超越：所以切不可将范文里的例子直接搬过来使用。一来那么多烤鸭都在复习考试，难免有人同样看过了这篇范文，甚至写了相似的例子;二来范文本身的例子是配合他的观点展开的，与你自己的写作不一定能好好结合。所以在非常不建议大家生搬硬套，影响自己的得分。 总之举例这种论证方法虽然好用，本质上还是对逻辑核心的补充，不可能改变论点上欠缺的东西。为了更好地拿分，你应该从论点展开时就开始构思举例论证的因果链，平时也可以多精读些雅思*，利用它们来学习改进。 雅思写作Task2社会类考官范文 When people move to another country, some of them decide to follow the customs of the new country. Others prefer to keep their own customs. Compare these two choices. Which one do you prefer? Model Answer:
常温：生成白色固体（氧化钠) : 4Na ＋O 2＝2Na 2O 加热：淡黄色固体（过氧化钠）： 2Na ＋ O 2 Na 2O 2 Na 与水离子方程式：2Na ＋ 2H 2O ＝ 2Na - ＋ 2OH - ＋ H 2 ↑ 过氧化钠与水反应 2Na 2O 2 ＋ 2H 2O ＝ 4NaOH ＋ O 2 ↑ 过氧化钠与二氧化碳 2Na 2O 2 ＋ 2CO 2 ＝ 2Na 2CO 3 ＋ O 2 碱性氧化物：能与酸生成盐和水，无其他产物生成。氧化钠是，过氧化钠不是。 Na 2O 2中阳离子与阴离子个数之比为2：1 过氧化钠在潮湿的空气中放置一段时间，变成白色粘稠物：2Na 2O 2+2H 2O=4NaOH+O 2 碳酸钠的溶解性、碱性、热稳定性都大于碳酸氢钠的 Al 1、铝与碱的反应：2Al ＋2NaOH ＋2H 2O ＝ 2NaAlO 2 ＋3H 2↑ 2、在常温下，铁，铝遇浓硝酸，浓硫酸会在表面生成致密的氧化膜而发生钝化，从而组织内部金属的进一步发生反应。因此可以用铝制容器盛放和运输浓硫酸，浓硝酸 3、氧化铝熔点很高，可做耐火材料 4、Al 2O 3既能强酸反应，也能与强碱反应： ① 与酸反应：Al 2O 3 ＋ 6HCl 2AlCl 3＋3H 2O
② 与碱反应：Al 2O 3 ＋ 2NaOH 2NaAlO 2 ＋H 2O 5、“Al 三角”：根据电荷守恒写 ① Al 3+ →AlO 2— ： Al 3+ + 4OH - = AlO 2- + 2H 2O ②AlO 2— →Al 3+ ： AlO 2-+ 4H + = Al 3+ + 2H 2O ③Al 3+ →Al(OH)3： Al 3+ + 3OH - = Al(OH)3 ↓ ④Al(OH)3→AlO 2— ： Al(OH)3 + OH - = AlO 2- + 2H 2O ⑤Al(OH)3→Al 3+ ： Al(OH)3 + 3H + = Al 3+ + 3H 2O ⑥AlO 2— →Al(OH)3： AlO 2- + H + + H 2O = Al(OH)3↓ CO2不足时: 2AlO 2- + CO 2 +3H 2O =2Al(OH)3↓ + CO 3 2- CO2过量时：AlO 2-+ CO2 + 2H2O =Al(OH)3↓+ HCO 3 - ⑦ 3AlO 2-+Al 3+ + 6H2O =4Al(OH)3↓ 6、Al 图像： 1、向AlCl 3溶液中逐滴滴入NaOH 溶液至过量 有关反应：Al 3+ + 3OH — = Al(OH)3↓ Al(OH)3 + OH — = AlO 2— + 2H 2O 现象：先产生白色沉淀，后沉淀逐渐消失 2、向AlCl 3溶液中逐滴滴入氨水至过量 有关反应：Al 3+ + 3NH 3·H 2O = Al(OH)3↓ +3NH 4+ 现象：产生白色沉淀，继续加氨水，沉淀不消失。 3、向NaAlO 2溶液中逐滴滴入盐酸至过量 有关反应： AlO 2—+ H + + H 2O = Al(OH)3↓ Al(OH)3 + 3H + = Al 3+ +3 H 2O
1.标准链接库提供四个函数实现动态内存管理： （1）分配新的内存区域： void * malloc(size_t size); void *calloc(size_t count , size_t size); （2）调整以前分配的内存区域： void *realloc(void *ptr , size_t size); （3）释放以前分配的内存区域： void free(void *ptr); 2.void * malloc(size_t size); 该函数分配连续的内存空间，空间大小不小于size 个字节。但分配的空间中的内容是未知的。该函数空间分配失败则返回NULL。 3.void *calloc(size_t count , size_t size); 该函数也可以分配连续的内存空间，分配不少于count*size个字节的内存空间。即可以为一个数组分配空间，该数组有count个元素，每个元素占size个字节。而且该函数会将分配来的内存空间中的内容全部初始化为0 。该函数空间分配失败则返回NULL。 4. 以上两个分配内存空间的函数都返回void * （空类型指针或无类型指针）返回的指针值是“分配的内存区域中”第一个字节的地址。当存取分配的内存位置时，你所使用的指针类型决定如何翻译该位置的数据。以上两种分配内存空间的方法相比较，calloc()函数的效果更好。原因是它将分配得来的内存空间按位全部置0 。 5. 若使用上述两种分配内存的函数分配一个空间大小为0 的内存，函数会返回一个空指针或返回一个没有定义的不寻常指针。因此绝不可以使用“指向0 字节区域”的指针。 6. void *realloc(void *ptr , size_t size); 该函数释放ptr所指向的内存区域，并分配一个大小为size字节的内存区域，并返回该区域的地址。新的内存区域可以和旧的内存区域一样，开始于相同的地址。且此函数也会保留原始内存内容。如果新的内存区域没有从原始区域的地址开始，那么此函数会将原始的内容复制到新的内存区域。如果新的内存区域比较大，那么多出来部分的值是没有意义的。 7. 可以把空指针传给realloc()函数，这样的话此函数类似于malloc()函数，并得到一块内存空间。如果内存空间不足以满足内存区域分配的请求，那么realloc()函数返回一个空指针，这种情况下，不会释放原始的内存区域，也不会改变它的内容。 8. void free(void *ptr); 该函数释放动态分配的内存区域，开始地址是ptr，ptr的值可以是空指针。若在调用此函数时传入空指针，则此函数不起任何作用。 9. 传入free() 和realloc()函数的指针（若不为空指针时）必须是“尚未被释放的动态分配内存区域的起始地址”。否则函数的行为未定义。Realloc()函数也可以释放内存空间，例如：Char *Ptr = (char *)malloc(20); 如只需要10个字节的内存空间，且保留前十个字节的内容，则可以使用realloc()函数。 Ptr = Realloc(ptr,10); // 后十个字节的内存空间便被释放
解读雅思大作文之问题解决类论证方法 在雅思写作中我相信，考生在遇到问题解决类题目时，如果只是想到原因，却提不出任何解决策略，那么这篇文章即使有了大体结构也终会散架。今天，前程百利小编为大家解读如何论证解读雅思大作文中的问题解决类题目。 问题解决类常见论证方法有两种，大体框架为：问题+原因+措施。 第一种段落框架： 第一段：背景句+引出话题 第二段：原因1+措施1 第三段：原因2+措施2….可以有更多段落 第四段：总结建议+预测 第二种段落框架： 第一段：背景句+引出话题 第二段：原因1;原因2;原因3 第三段：措施1;措施2;措施3….可以有更多段落 第四段：总结建议+预测 第一种结构条理较为清晰，提出原因后紧随着解决措施，而第二种是提出全部原因后再提出各自的解决方法。如果考生逻辑性不强的话，很容易混淆。因此，考生要
结合自身实际情况采取不同的写作方法。 备考雅思大作文之问题解决类需要考生在平时多积累一些相关素材，以免在考试中没有思路，无从下手。 接下来就让我们来练一练吧！ 例：It is said that people’s life now is becoming more and more stressful. What are the causes and how to solve it? 题目中的关键词为stressful。不管是学生还是职场人，或多或少都会有一定的压力，这就要看我们在面对压力的时候如何解决了。 因此，我们可以从以下角度去考虑原因以及解决策略。 Causes： 1. people's living rhythm has been promoted 2. social competition deprives their spare time 3. people have to shoulder the responsibility Solutions: 1. go in for some sports games 2. communicate with others frequently 3. find a balance between money and health
元素及其化合物 1、元素化合物知识包括金属和非金属两部分，是高中化学的基础知识之一。知识特点是作为化学基本概念、原理、实验和计算的载体，其信息量大，反应复杂，常作为综合试题的知识背景或突破思维的解题题眼。 2、注意处理好两个关系，必须先处理好元素化合物知识的内部关系，方法是：“抓重点，理关系，用规律，全考虑”。 ①抓重点：以每族典型元素为代表，以化学性质为抓手，依次学习其存在、制法、用途、检验等“一条龙”知识，做到牵一发而动全身 ②理关系：依据知识内在联系，按单质→氧化物→氧化物的水化物→盐的顺序，将零碎的知识编织成网络，建立起完整的知识结构，做到滴水不漏 ③用规律：用好化学反应特有的规律，如以强置弱等规律，弄清物质间相互反应。 ④全考虑：将元素化合物作为一个整体、一个系统理解，从而达到解综合试题时能将所需的元素化合物知识信手拈来。 另一方面是处理好元素化合物知识与本学科理论、计算或跨学科知识间的外部关系，采取的方法是“分析与综合、抽象与具体”。 ①分析：将综合试题拆分思考。 ②综合：将分散的“点”衔接到已有的元素化合物知识“块”中。 ③抽象：在分析综合基础上，提取相关信息。 ④具体：将提取出的信息具体化，衔接到综合试题中，从而完整解题。 (一)元素非金属性的强弱规律 ⑴常见非金属元素的非金属性由强到弱的顺序如下：F、O、Cl、N、Br、I、S、P、C、Si、H。 ⑵元素非金属性与非金属单质活泼性的区别： 元素的非金属性是元素的原子吸引电子的能力，影响其强弱的结构因素有：①原子半径：原子半径越小，吸引电子能力越强；②核电荷数：核电荷数越大，吸引电子能力越强；③最外层电子数：同周期元素，最外层电子越多，吸引电子能力越强。但由于某些非金属单质是双原子分子，原子是以强列的共价键相结合（如N N等），当参加化学反应时，必须消耗很大的能量才能形成原子，表现为单质的稳定性。这种现象不一定说明这种元素的非金属性弱。 ⑶非金属性强弱的判断依据及其应用 元素的非金属性的本质是元素的原子吸引电子的能力。这种能力的大小取决于原子半径、核
电子技术知识点总结 模拟电路处理模拟信号，数字电路处理数字信号 第14 章半导体器件 1.本征半导体概念 2.N 型和P 型半导体的元素、多数载流子和少数载流子、“复合”运动 3.PN 结的单向导电性，扩散运动，漂移运动 4.二极管的伏安特性、等效电阻 5.稳压二极管的工作区 6.三极管的放大电流特性（非放大电压）、输出特性曲线（放大区、截止 区、饱和区），判断硅管和锗管、PNP 型和NPN 型 第15 章基本放大电路 1.共发射极放大电路的组成、静态分析、动态分析，计算电压放大倍数（远 大于1，输入输出电压反相）、输入电阻（高）、输出电阻（低） 2.静态工作点的稳定：分压式偏置放大电路的组成 3.非线性失真：饱和失真（静态工作点高）、截止失真（静态工作点低） 4.射极输出器的组成、静态分析（估算法、图解法）、动态分析（微变等效 电路法、图解法），计算电压放大倍数（接近1，但小于1，输入输出电压同相）、输入电阻（高）、输出电阻（低） 5.多级放大电路的放大倍数，耦合方式三种：变压器耦合、阻容耦合（静态 工作点相对独立）、直接耦合（静态工作点相互影响，零点漂移）
6.差分（差动）放大电路：针对缓慢变化的信号，采用直接耦合，共模信 号，差模信号，抑制零点漂移，电路对称性要好 7.功率放大电路状态：甲类、甲乙类、乙类，为避免交越失真，需工作在甲 乙类状态下 第16 章集成运算放大器 1.理想运算放大器的理想化条件：开环电压放大倍数乂，差模输入电阻乂, 开 环输出电阻0,共模抑制比乂，工作区：线性区和饱和区 2.虚短、虚断 3.运算放大器的比例运算、加法运算和减法运算 4.电压比较器 第17章电子电路中的反馈 1.负反馈对放大电路工作性能的影响：降低放大倍数、提高放大倍数的稳 定性、改善波形失真 2.深度负反馈的条件（AF>>1 ） 第18章直流稳压电源 1.整流电路的作用 2.滤波器的作用 3.稳压环节的作用 第20 章门电路和组合逻辑电路 1.二进制、十六进制和十进制的转化 2.基本逻辑门电路概念：与、或、非
本文详细介绍了虚拟内存的设置和相关问题的解决方法。 内存在计算机中的作用很大，电脑中所有运行的程序都需要经过内存来执行，如果执行的程序很大或很多，就会导致内存消耗殆尽。为了解决这个问题，Windows中运用了虚拟内存技术，即拿出一部分硬盘空间来充当内存使用，当内存占用完时，电脑就会自动调用硬盘来充当内存，以缓解内存的紧张。举一个例子来说，如果电脑只有128MB 物理内存的话，当读取一个容量为200MB的文件时，就必须要用到比较大的虚拟内存，文件被内存读取之后就会先储存到虚拟内存，等待内存把文件全部储存到虚拟内存之后，跟着就会把虚拟内里储存的文件释放到原来的安装目录里了。 当系统运行时，先要将所需的指令和数据从外部存储器(如硬盘、软盘、光盘等)调入内存中，CPU再从内存中读取指令或数据进行运算，并将运算结果存入内存中，内存所起的作用就像一个“二传手”的作用。当运行一个程序需要大量数据、占用大量内存时，内存这个仓库就会被“塞满”，而在这个“仓库”中总有一部分暂时不用的数据占据着有限的空间，所以要将这部分“惰性”的数据“请”出去，以腾出地方给“活性”数据使用。这时就需要新建另一个后备“仓库”去存放“惰性”数据。由于硬盘的空间很大，所以微软Windows操作系统就将后备“仓库”的地址选在硬盘上，这个后备“仓库”就是虚拟内存。在默认情况下，虚拟内存是以名为Pagefile.sys的交换文件
保存在硬盘的系统分区中。 手动设置虚拟内存 在默认状态下，是让系统管理虚拟内存的，但是系统默认设置的管理方式通常比较保守，在自动调节时会造成页面文件不连续，而降低读写效率，工作效率就显得不高，于是经常会出现“内存不足”这样的提示，下面就让我们自已动手来设置它吧。 ①用右键点击桌面上的“我的电脑”图标，在出现的右键菜单中选择“属性”选项打开“系统属性”窗口。在窗口中点击“高级”选项卡，出现高级设置的对话框. ②点击“性能”区域的“设置”按钮，在出现的“性能选项”窗口中选择“高级”选项卡，打开其对话框。 ③在该对话框中可看到关于虚拟内存的区域，点击“更改”按钮进入“虚拟内存”的设置窗口。选择一个有较大空闲容量的分区，勾选“自定义大小”前的复选框，将具体数值填入“初始大小”、“最大值”栏中，而后依次点击“设置→确定”按钮即可，最后重新启动计算机使虚拟内存设置生效。
雅思议论文，不管是双边论证还是单边论证，论据的扩展是非常重要的，只有合理逻辑的对一个理由进行论证，才能说服考官相信你的论证是有理的。而合理的扩展有了素材后还需要一些方法的补充。常见的方法有列数据（raising figures）、比较说明（contrast & comparison）、举例子（exemplification）、让步（making concession）、引用（quotation）,解释说明（explanation）、等。议论文是雅思写作中比较困难的一部分,只有考前掌握了这些方法,才有可能考一个满意的分数。 1、列数据（raising figures） 句型： As is reported/ investigated/ researched, … It is reported that … A recent research conducted by …Bureau reveals that… 雅思写作中列数据的论证方法较讲道理更有说服力，我们要在平时生活中多做积累才能应付列举考试中出现的各个话题的一些相关数字。雅思考试中的数据其实可以分成两大类，一类是有科学依据的，明确记载的数据，如一些新闻事件，四川地震、公交车自燃等的死亡或受伤人数，这些都是可查询的，如若考生对这些数据没有切实的把握就不需列举。另一类是指一些调查报告的数据，如大学生平均一天花多少时间自习，初中生平均一天花多少时间玩电脑游戏等，这类数据无据可依，考生完全可以自己根据论证内容给出数据，但一定要符合逻辑。我们通过一例来使用列数据的论证方法： Eg. The retired people tend to offer service for the benefits of the family and the community. 要对这样一个topic sentence做列数据的扩展，我们首先要找到可列数据的点，此题有两处，一是退休老人的年龄，二是所花时间。结合上述句型，得出论证过程如下： As is reported, the average time that the retired within the age group above 65 spend on the family and the community is at its length of about 5 hours per day. 2、比较说明（contrast & comparison） 雅思考生可以拿相同或相反的事物做比较，相同关系叫对照（comparison），相反关系叫对比（contrast）。此类论证我们重点掌握一些对比对照关系的连词： In contrast, by contrast, on the contrary, while, whereas Likewise, similarly 3、举例子（exemplification） 句型：
模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳 2) 等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳 雅思写作步骤解析 对于雅思写作来说，范文是好东西，因为大部分人没有那种幸运，可以有一位老师从旁指点自己作文的不足，这个时候，一篇不会说法的好质量范文，就是一位沉默如金的好老师。所以，网络上不缺乏范文求分享的人，也不缺分享各种来路不明的范文的人。如何让9分的范文给你9分的启迪，7分的范文给你7分的助益? 怎么来学习一篇9分范文?如何最大化地利用它?先阅读，再评鉴. 雅思题目： More and more people are migrating to cities in search of a better life, but city life can be extremely difficult. Explain some of the difficulties of living in a city. How can governments make urban life better for everyone? 前考官9分范文： Cities are often seen as places of opportunity, but there are also some major drawbacks of living in a large metropolis. In my opinion, governments could do much more to improve city life for the average inhabitant. The main problem for anyone who hopes to migrate to a large city is that the cost of living is likely to be much higher than it is in a small town or village. Inhabitants of cities have to pay higher prices for housing, transport, and even food. Another issue is that urban areas tend to suffer from social problems such as high crime and poverty rates in comparison with rural areas. Furthermore, the air quality 第四单元 物质构成的奥秘 课题1 原 子 1、原子的构成 （1）原子结构的认识 （2）在原子中由于原子核带正电，带的正电荷数（即核电荷数）与核外电子带的负电荷数（数值上等于核外电子数）相等,电性相反，所以原子不显电性 因此： 核电荷数 = 质子数 = 核外电子数 （3）原子的质量主要集中在原子核上 注意：①原子中质子数不一定等于中子数 ②并不是所有原子的原子核中都有中子。例如：氢原子核中无中子 2 ⑴ ⑵相对原子质量与原子核内微粒的关系： 相对原子质量 = 质子数 + 中子数 课题2 元 素 一、元素 1、 含义：具有相同质子数（或核电荷数）的一类原子的总称。 注意：元素是一类原子的总称；这类原子的质子数相同 因此：元素的种类由原子的质子数决定，质子数不同，元素种类不同。 4、元素的分布： ①地壳中含量前四位的元素：O 、Si 、Al 、Fe ②生物细胞中含量前四位的元素：O 、C 、H 、N 相对原子质量= ③空气中前二位的元素：N 、O 注意：在化学反应前后元素种类不变 二、元素符号 1、 书写原则：第一个字母大写，第二个字母小写。 2、 表示的意义；表示某种元素、表示某种元素的一个原子。例如：O ：表示氧元素；表示 一个氧原子。 3、 原子个数的表示方法：在元素符号前面加系数。因此当元素符号前面有了系数后，这个 符号就只能表示原子的个数。例如：表示2个氢原子：2H ；2H ：表示2个氢原子。 4、 元素符号前面的数字的含义；表示原子的个数。例如：6．N ：6表示6个氮原子。 三、元素周期表 1、 发现者：俄国科学家门捷列夫 2、 结构：7个周期16个族 3、 元素周期表与原子结构的关系： ①同一周期的元素原子的电子层数相同，电子层数＝周期数 ②同一族的元素原子的最外层电子数相同，最外层电子数＝主族数 4、 原子序数＝质子数＝核电荷数=电子数 5、 元素周期表中每一方格提供的信息： 课题3 离子 一、核外电子的排布 1、原子结构图： ①圆圈内的数字：表示原子的质子数 ②+：表示原子核的电性 ③弧线：表示电子层 ④弧线上的数字：表示该电子层上的电子数 1、 核外电子排布的规律： ①第一层最多容纳2个电子； ②第二层最多容纳8个电子； ③最外层最多容纳8个电子（若第一层为最外层时，最多容纳2个电子） 3、元素周期表与原子结构的关系： ①同一周期的元素，原子的电子层数相同，电子层数＝周期数 ②同一族的元素，原子的最外层电子数相同，最外层电子数＝主族数 4、元素最外层电子数与元素性质的关系 金属元素：最外层电子数＜4 易失电子 非金属元素：最外层电子数≥4 易得电子 稀有气体元素：最外层电子数为8（He 为2） 不易得失电子 最外层电子数为8（若第一层为最外层时，电子数为2）的结构叫相对稳定结构 因此元素的化学性质由原子的最外层电子数决定。当两种原子的最外层电子数相同，则这两种元素的化学性质相似。（注意：氦原子与镁原子虽然最外层电子数相同，但是氦原子最外 质子数 电子电路基础知识点总结 1、 纯净的单晶半导体又称本征半导体，其内部载流子自由电子空 穴的数量相等的。 2、 射极输出器属共集电极放大电路，由于其电压放大位数约等于 1，且输出电压与输入电压同相位，故又称为电压跟随器 （ 射极跟随器 ）。 3、理想差动放大器其共模电压放大倍数为 0,其共模抑制比为乂。 般情况下，在模拟电器中，晶体三极管工作在放大状态，在 数字电器中晶体三极管工作在饱和、截止状态。 限幅电路是一种波形整形电路， 因它削去波形的部位不同分为 4、 5、 上限幅、 下限幅和双向限幅电路。 6、 主从 JK 触发器的功能有保持、计数、置 0、置 1 。 7、 多级放大器的级间耦合有阻容耦合、直接耦合、变压器耦合。 8、 带有放大环节串联稳压电路由调整电路、基准电路、取样电路 和比较放大电路分组成。 9、 时序逻辑电路的特点是输出状态不仅取决于当时输入状态，还 与输出端的原状态有关。 10、 当PN 结外加反向电压时，空间电荷区将变宽。反向电流是由 少数载流子形成的。 11、 半导体具有热敏性、光敏性、力敏性和掺杂性等独特的导电 特性。 12、 利用二极管的单向导电性，可将交流电变成脉动的直流电。 13、 硅稳压管正常工作在反向击穿区。在此区内，当流过硅稳压 管的电流在较大范围变化时，硅稳压管两端的电压基本不变。 电容滤波只适用于电压较大，电流较小的情况，对半波整流 电路来说，电容滤波后，负载两端的直流电压为变压级次级电压的 倍，对全波整流电路而言较为倍。 15、处于放大状态的NPN 管，三个电极上的电位的分布必须符合 UC>UB>UE 而PNP 管处于放大状态时，三个电极上的电位分布须符合 UE>UE>UC 总之，使三极管起放大作用的条件是：集电结反偏，发射 结正偏。 16、 在 P 型半导体中，多数载流子是空穴，而 N 型半导体中，多 数载流子是自由电子。 晶体管放大器设置合适的静态工作点，以保证放大信号时， 三极管应始终工作在放大区。 般来说，硅晶体二极管的死区电压大于锗管的死区电压。 14、 17、 二极管在反向截止区的反向电流基本保持不变。 18、 当环境温度升高时，二极管的反向电流将增大。 19、 20、雅思写作步骤解析
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