晶体三极管的工作状态、管脚和类型的判别电子教案加入时间：2008-9-11 15:02:55 陈岳惠点击：104
摘要：晶体三极管三个工作状态的条件和特点，运用三种分析方法，判断管子工作状态。
关键词：工作状态；电位分析法；电流分析法；计算分析法。
晶体三极管是晶体管电子电路的核心器件，具有电流放大和开关作用。在模拟电子电路中，它起放大作用，基本放大电路、正弦波振荡器以及串联型稳压电源中的三极管均工作在放大状态；在脉冲和数字电路中，它起开关作用，脉冲振荡器、逻辑门电路、触发器中的三极管则工作在截止状态和饱和状态。正确理解三极管是学习电子技术入门的关键，而掌握三极管的三种工作状态是其主要内容。下表是NPN晶体三极管工作状态的特点、条件。
根据上述特点和条件设计合适题目供学生练习，以巩固知识，加深对三极管的理解。常见的题目便是晶体三极管的工作状态、类型和管脚的判别。
一、电位分析法
(一)、已知管子类型和各极电位判断三极管的工作状态。
先判断管子是否处于放大状态，如果满足，即对NPN：V C＞V B＞V E，对PNP：V C＜V B＜V E ，该管子处于放大状态。如果不满足，管子便处于截止状态或饱和状态，凡V C和V E接近便为饱和状态；凡V C和V E相差较大，管子处于截止状态。
例１、各三极管的每个电极对地的电位，如图1所示，试判断各三极管处于何种工作状态？（ＮＰＮ型为硅管，ＰＮＰ型为锗管）。
分析：先判断管子是否处于放大状态，仅a图符合PNP：V C＜V B＜V E，处于放大状态；b图和c图管子比较，前者V C和V E十分接近，处于饱和状态，后者V C和V E 相差较大，处于截止状态。
例２、判断图２三极管I B、I C和ＶCE。该三极管处于何种
状态？
分析：该管为ＮＰＮ型，由于V B＜V E，所以管子处于截止
状态，故I B≈0，I C≈0，V CE≈12V。
（二）、已知管子处于放大状态和各极电位，判断三极管各电极名称、类型。
例３、测得工作在放大电路中的三极管三个电极的电位分别为V1=3.5V、V2=2.8V、V3=15V。判断该三极管的e、b、c极，是NPN管还是PNP管?
分析：由于管子处于放大状态，V B和V E电位仅相差0.3V(锗管)或0.7V(硅管)。C 极排除于这两脚，剩下的定是C极。本题3脚是C极，又由于3脚电位最高，按NPN管放大时具有V C＞V B＞V E，所以1是b极，2是e极，3是c极,是NPN管。
二、电流分析法
三极管工作时各电极电流关系：I E=I B+I C，I E最大且接近I C，I B最小；对NPN 管，I E方向从管子流出，而I B和I C从外面流入；对PNP管，I E方向从外面流入，而I B和I C从管子流出。分析时既要考虑电流的大小，又要考虑电流的方向。
例４、测得工作在放大电路中的某三极管两个电极的电流如图3所示。求另一个电极的电流并标出实际方向。在图中标出e、b、c极。估算β。
分析：根据式I E=I B+I C，未知电流的那极的电流方向从管子流出，大小是0.03mA，其值最小，该极为b极；电流为1.23mA的电极电流最大，为e极，由于方向流入管子，该管为PNP型管；另一极为c极。由于放大电路中的三极管工作在放大状态，因而β=I C/I B=1.2mA/0.03mA=40。判别结果见图4。
三、计算分析法
在没有信号输入时，电路的工作状态取决于偏置电路和管子本身参数，有时必须通过计算才能确定管子的工作状态。先算出I BS和I B，再进行比较。如果I B=0，管子处于截止状态；I B≥I BS，管子处于饱和状态；I B＜I BS，管子处于放大状态。
例５、如图5所示，已知理想三极管的β=100，问当开关分别接通A、B、C三点时三极管处于何种状态？
分析：I BS=E C/βR C=5V/100×5kΩ=0.01mA。
开关位于A，I B=5V/50KΩ=0.1mA ，I B＞I BS，管子处于饱和状态。
开关位于B，I B=5V/1000 KΩ=0.005mA, 0＜I B＜I BS,管子处于放大状态。
开关位于C，发射结反偏，I B=0，管子处于截止状态。
三极管的工作状态、类型和管脚判别这三项要求中，一般是已知一项或二项并加其它条件求剩余项，如例3中，给出管子处于放大状态和各极电位的条件，判断管脚和类型。解题分析时，我们要充分运用已知条件，结合上述的三种分析方法，灵活选用，正确判断。
参考文献：微型计算机电路基础（第二版）电子工业出版社王道生
课题第一章晶体=极管和场效晶体管 2.1.1—2.1.3三极管的基本特性 课型 新课 投课班级17机电授课时数2课时 教学目标 1.掌握三极管的结构、分类和符号 2.理解三极管的工作电压和基本连接方式 3.理解三极管电流的分配和放大作用、掌握电流的放大作用 教学重点三极管结构、分类、电流分配和放大作用教学难点电流分配和放大作用 学情分析学生已经了解了PN结及特性学生已熟练掌握晶体二极管的基本特性 教学方法讲授法、引导法、图示法、对比法、多媒体演示法 教后记 通过对本次课的学习，学生了解了三极管的基本特性，了解三极管中的PN结与二极皆中PN结的区别，同时掌握了三极管的基本连接方式和放大倍数的讣算方法，并能进行实际应用，利用査表法说出三极管的型号
A.引入 在电子线路中，经常用的基本器件除二极管外，还有三引脚的三极管。B?新授课 2.1,1三极管的结构、分类和符号 一、晶体三极管的基本结构 1?观察外形 2.三极管的结构图 （1〉发射区掺杂浓度较大，以利于发射区向基区发肘载流子。（2）基区很薄，掺杂少，载流子易于通过。 <3）集电区比发射区体枳大且掺杂少，收集载流子。 注意：三极管并不是两个PN结的简单组合，不能用两个二极管代替。 二、图形符号 a. NPN 型 三.分类 1?内部三个区的半导体分类：NPN型、PNP型 2.工作频率分类：低频管和高频管 3.以半导体材料分：错、硅 2.1.2三极管的工作电压和基本连接方式 一、三极管的工作电压 1?三极笛工作时，发射结加正向电压?集电结加反向电压。 2?偏置电压：基极与发射极之间的电压。 二.三极管在电路中的基本连接方式 1?共发射极接法（讲解） 三极：发射极、 两结：发射结、基极、集电极 集电结 基区、集电区 （引导： 比较两种符 号，箭头说 明发射结导 通的方向） C b V e b. PNP 型 集 C电 极 集 C电 极 b V
晶体三极管的电流放大作用 晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数，用符号“β”表示。电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值，但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。 晶体三极管的三种工作状态 截止状态：当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。 放大状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并处于某一恰当的值时，三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基极电流对集电极电流起着控制作用，使三极管具有电流放大作用，其电流放大倍数β＝ΔIc/ΔIb，这时三极管处放大状态。 饱和导通状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。根据三极管工作时各个电极的电位高低，就能判别三极管的工作状态，因此，电子维修人员在维修过程中，经常要拿多用电表测量三极管各脚的电压，从而判别三极管的工作情况和工作状态。三极管最基本的作用是放大作用，它可以把微弱的电信号变成一定强度的信号，当然这种转换仍然遵循能量守恒，它只是把电源的能量转换成信号的能量罢了。三极管有一个重要参数就是电流放大系数β。当三极管的基极上加一个微小的电流时，在集电极上可以得到一个是注入电流β倍的电流，即集电极电流。集电极电流随基极电流的变化而变化，并且基极电流很小的变化可以引起集电极电流很大的变化，这就是三极管的放大作用。三极管还可以作电子开关，配合其它元件还可以构成振荡器。半导体三极管除了构成放大器和作开关元件使用外，还能够做成一些可独立使用的两端或三端器件 （1）扩流。把一只小功率可控硅和一只大功率三极管组合，就可得到一只大功率可控硅，其最大输出电流由大功率三极管的特性决定，见附图9（a）。图9（b）为电容容量扩大电路。利用三极管的电流放大作用，将电容容量扩大若干倍。这种等效电容和一般电容器一样，可浮置工作，适用于在长延时电路中作定时电容。用稳压二极管构成的稳压电路虽具有简单、元件少、制作经济方便的优点，但由于稳压二极管稳定电流一般只有数十毫安，因而决定了它只能用在负载电流不太大的场合。图9（c）可使原稳压二极管的稳定电流及动态电阻范围得到较大的扩展，稳定性能可得到较大的改善。 （2）代换。图9（d）中的两只三极管串联可直接代换调光台灯中的双向触发二极管；图9（e）中的三极管可代用8V左右的稳压管。图9（f）中的三极管可代用30V左右的稳压管。上述应用时，三极管的基极均不使用。 （3）模拟。用三极管够成的电路还可以模拟其它元器件。大功率可变电阻价贵难觅，用图9（g）电路可作模拟品，调节510电阻的阻值，即可调节三极管C、E两极之间的阻抗，此阻抗变化即可代替可变电阻使用。图9（h）为用三极管模拟的稳压管。其稳压原理是：当加到A、B两端的输入电压上升时，因三极管的B、E结压降基本不变，故R2两端压降上升，经过R2的电流上升，三极管发射结正偏增强，其导通性也增强，C、E极间呈现的等效电阻减小，压降降低，从而使AB端的输入电压下降。调节R2即可调节此模拟稳压管的稳压值。
第四章晶体二极管与晶体三极管 本章概述：晶体管是采用半导体晶体材料（如硅、锗、砷化镓等）制成的，在 电子产品中应用十分广泛。本章从二、三极管的型号、分类、外形识别及检测等多个方面，对常用二、三极管进行了较为详细和系统的讲解。 第一节晶体二极管和晶体三极管的型号命名方法 一、中华人民共和国国家标准（GB249-74） 国标（GB249-74）半导体器件型号命名由五部分组成，见表4-1。 表4-1 国标半导体器件型号命名方法
例如：锗PNP高频小功率管为3AG11C，即 ３（三极管）Ａ（PNP型锗材料）Ｇ（高频小功率管）１１（序号）Ｃ（规格号）二、美国电子半导体协会半导体器件型号命名法 表4-2 美国电子半导体协会半导体器件型号命名法 三、日本半导体器件型号命名方法 表4-3 日本半导体器件型号命名方法 第二节半导体器件的外形识别
一、晶体二极管的外形识别 1.晶体二极管的结构与特性 定义：晶体二极管由一个PN结加上引出线和管壳构成。所以，二极管实际就是一个PN结。电路图中文字表示符号为用V表示。 基本结构：PN结加上管壳和引线，就成为了半导体二极管。 图4-1 二极管的结构和电路符号 二极管最主要的特性是单向导电性，其伏安特性曲线如图4-2所示。 1）正向特性 当加在二极管两端的正向电压（P为正、N为负）很小时（锗管小于0.1伏，硅管小于0.5伏），管子不导通，处于“截止”状态，当正向电压超过一定数值后，管子才导通，电压再稍微增大，电流急剧暗加（见曲线I段）。不同材料的二极管，起始电压不同，硅管为0.5-0.7伏左右，锗管为0.1-0.3左右。
三极管的判断方法一，三极管类型
1. 先判定基极b(一般中间的就是)：先假定一个管脚是b，把 红表笔接这个b，用黑表笔分别接触另两个管脚，测得或者都是高阻值时，说明假定正确。 2.因为红表笔实际是表电源的负极，所以 当测得都是低阻值时，b是N型材料， 两端是P型材料，就是PNP型。 3.所以当测得都是高阻值时，b是P型材料， 两端是N型材料，就是NPN型。 4.我们一般可以容易找到基极b，但另外两个电极哪个是集电极c，哪个是发射极e呢?这时我们可以用测穿透电流ICEO 的方法确定集电极c和发射极e。 (1) 对于NPN型三极管，用手指捏住b极与假设的c极，管脚间利用我们的手指充当电阻的作用，用黑表笔接假设的c 极，红表笔接假设的e极，万用表打到*1K档测量两极间的电阻 Rce；之 后将假 设的c ,e 极对调 再测一
次。虽然两次测量中万用表指针偏转角度都很小，但仔细观察，总会有一次偏转角度稍大，此时电流的流向一定是：黑表笔→c极→b极→e极→红表笔，所以此时黑表笔所接的一定是集电极c，红表笔所接的一定是发射极e。 (2) 对于PNP型的三极管，道理也类似于NPN型，其电流流向一定是：黑表笔→e极→b极→c极→红表笔，其电流流向也与三极 管符号中的 箭头方向一 致，所以此时 黑表笔所接 的一定是发 射极e，红表 笔所接的一定是集电极c。 4.直流放大倍数的hFE的测量：先转动开关至晶体管调节 Adj位置上，将红黑测试笔短接，调节欧姆调零电位器，使指针对准300hFE刻度线上，然后转动开关到hFE位置，将要测的晶体管脚分别插入晶体管测试座的ebc管座内，指针偏转所示数值约为晶体管的直流放大倍数?值。N型插入N型插座，P型插入P型插座。 5.
半导体电子器件，有两个PN结组成，可以对电流起放大作用，有3个引脚，分别为集电极（c)，基极（b)，发射极（e）.有PNP和NPN型两种，以材料分有硅材料和锗材料两种。 晶体管，本名是半导体三极管，是内部含有两个PN结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。 可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。 ------------------------------------------------------------------ 1.概念: 半导体三极管也称双极型晶体管,晶体三极管,简称三极管,是一种电流控制电流的半导体器件. 作用:把微弱信号放大成辐值较大的电信号, 也用作无触点开关. 2.三极管的分类: a.按材质分: 硅管、锗管 b.按结构分: NPN 、PNP c.按功能分: 开关管、功率管、达林顿管、光敏管等. 3.三极管的主要参数: a. 特征频率fT:当f= fT时,三极管完全失去电流放大功能.如果工作频率大于fT,电路将不正常工作. b. 工作电压/电流:用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围. c. hFE:电流放大倍数. d. VCEO:集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压. e. PCM:最大允许耗散功率. f. 封装形式：指定该管的外观形状,如果其它参数都正确，封装不同将导致组件无法在. 4.判断基极和三极管的类型:
先假设三极管的某极为“基极”,将黑表笔接在假设基极上,再将红表笔依次接到其余两个电极上,若两次测得的电阻都大(约几K到几十K),或者都小(几百至几K),对换表笔重复上述测量,若测得两个阻值相反(都很小或都很大),则可确定假设的基极是正确的,否则另假设一极为“基极”,重复上述测试,以确定基极. 当基极确定后,将黑表笔接基极,红表笔笔接基它两极若测得电阻值都很少,则该 三极管为NPN,反之为PNP. 判断集电极C和发射极E,以NPN为例: 把黑表笔接至假充的集电极C,红表笔接到假设的发射极E,并用手捏住B和C极,读出表头所示C,E电阻值,然后将红,黑表笔反接重测.若第一次电阻比第二次小,说明原假设成立. 体三极管的结构和类型 晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种， 从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。 发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电极。基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。 三极管的封装形式和管脚识别 常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类，引脚的排列方式具有一定的规律， 底视图位置放置，使三个引脚构成等腰三角形的顶点上，从左向右依次为e b c；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c。 目前，国内各种类型的晶体三极管有许多种，管脚的排列不尽相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置，或查找晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。
第三章 1．根据所采用的半导体器件不同，集成电路可分为哪两大类?各 自的主要优缺点是什么? 解答 双极型集成电路：采用双极型半导体器件作为元件.主要特点是速度快、 负载能力强，但功耗较大、集成度较低。 单极型集成电路：指MOS集成电路，采用金属-氧化物半导体场效应管 (Metel Oxide Semi- conductor Field Effect Transister,简写为MOSFET)作为元件.MOS型集成电 路的特点是结构简单、制造方便、集成度高、功耗低， 但速度较慢。 2.简述晶体二极管的静态特性? 解答 “正向导通（相当于开关闭合），反向截止（相当于开关断开）”,硅管正向压降约0.7伏，锗管正向压降约0.3伏。 3．晶体二极管的开关速度主要取决于什么? 解答 晶体二极管的开关速度主要取决于反向恢复时间（二极管从正向导通到反向截止所需要的时间）和 开通时间（二极管从反向截止到正向导通所需要的时间）。相比之下，开通时间很短，一般可以忽略不计。因此，影响二极管开关速度的主要因素是反向恢复时间。 4.数字电路中，晶体三极管一般工作在什么状态? 解答 数字电路中，晶体三极管一般工作在“截止状态”（相当于开关断开）
和“饱和导通状态”（相当于开关闭合）。 5．晶体三极管的开关速度取决于哪些因素? 解答 晶体三极管的开关速度主要取决于开通时间t on（三极管从截止状态到饱和状态所需要的时间）和关闭时间t off （三极管从饱和状态到截止状态所需要的时间），它们是影响电路工作速度的主要因素。 6. TTL与非门有哪些主要性能参数? 解答 TTL与非门的主要外部特性参数有输出逻辑电平、开门电平、关门电平、扇入系数、扇出系数、平均传输时延、输入短路电流和空载功耗等8项。 7.OC门和TS门的结构与一般TTL与非门有何不同?各有何主要应用? 解答 OC门:该电路在结构上把一般TTL与非门电路中的T3、D4去掉，令T4的集电极悬空，从而把一般TTL与非门电路的推拉式输出级改为三极管集电极开路输出。OC门可以用来实现“线与”逻辑、电平转换以及直接驱动发光二极管、干簧继电器等。 TS门: 该电路是在一般与非门的基础上，附加使能控制端EN和控制电路构成的。在EN有效时为正常 工作状态，在EN无效时输出端被悬空，即处于高阻状态。TS门主要应用于 数据与总线的连接，以实现总线传送控制，它既可用于单向数据传送，也可用于双向数据传送。 8.有两个相同型号的TTL与非门，对它们进行测试的结果如下：
判断基极和三极管的类型 三极管的脚位判断，三极管的脚位有两种封装排列形式，如右图： 三极管是一种结型电阻器件，它的三个引脚都有明显的电阻数据，测试时（以数字万用表为例，红笔+，黒笔-）我们将测试档位切换至二极管档（蜂鸣档）标志符号如右图： 正常的NPN结构三极管的基极（B）对集电极（C）、发射极（E）的正向电阻是430Ω-680Ω（根据型号的不同，放大倍数的差异，这个值有所不同）反向电阻无穷大；正常的PNP 结构的三极管的基极（B）对集电极（C）、发射极（E）的反向电阻是430Ω-680Ω，正向电阻无穷大。集电极C对发射极E在不加偏流的情况下，电阻为无穷大。基极对集电极的测试电阻约等于基极对发射极的测试电阻，通常情况下，基极对集电极的测试电阻要比基极对发射极的测试电阻小5-100Ω左右（大功率管比较明显），如果超出这个值，这个元件的性能已经变坏，请不要再使用。如果误使用于电路中可能会导致整个或部分电路的工作点变坏，这个元件也可能不久就会损坏，大功率电路和高频电路对这种劣质元件反应比较明显。 尽管封装结构不同，但与同参数的其它型号的管子功能和性能是一样的，不同的封装结构只是应用于电路设计中特定的使用场合的需要。 要注意有些厂家生产一些不规范元件，例如C945正常的脚位是BCE，但有的厂家出的此元件脚位排列却是EBC，这会造成那些粗心的工作人员将新元件在未检测的情况下装入电路，导致电路不能工作，严重时烧毁相关联的元器件，比如电视机上用的开关电源。 在我们常用的万用表中，测试三极管的脚位排列图： 先假设三极管的某极为“基极”,将黑表笔接在假设基极上,再将红表笔依次接到其余两个电极上,若两次测得的电阻都大(约几K到几十K),或者都小(几百至几K),对换表
晶体三极管的应用
第二章晶体三极管及其应用 教学重点 1．掌握晶体三极管的结构、工作电压、基本连接方式和电流分配关系。 2．熟练掌握晶体三极管的放大作用；共发射极电路的输入、输出特性曲线；主要 参数及温度对参数的影响。 教学难点 1．晶体三极管的放大作用 2．输入、输出特性曲线及主要参数 第一节晶体三极管 一、晶体三极管的结构、分类和符号 （一）、三极管的基本结构 1．三极管的外形：如图2-1所示。三极管通常有三个电极，功率大小不同的三极管体积和封装形式各不相同，近年来生产的小、中功率管多采用硅酮塑料封装，大功率三极管采用金属封装，通常做成扁平形状并有螺钉安装孔，有的大功率管干脆制成螺栓形状，这样能够使三极管的
外壳和散热器连成一体，便于散热。 2．三极管的结构：三极管的核心是两个 PN 结，按照两个PN 结的组合方式不同，可分为 PNP 型管和NPN 型两类，如图2-2所示。 3．晶体三极管有三个区――发射区、基区、 集电区； 发射区掺杂浓度较大；基区很薄且掺杂最 少；集电区比发射区体积大且掺杂少。两个PN 结――发射区和基区之间的PN 结称为发射结(BE 结)、集电区和基区之间的PN 结称为集电结(BC 结)；三个电极――发射极e (E )、基极b (B )和集电极c (C )； （二）、晶体三极管的符号 晶体三极管的符号如图2-3所示。 箭头：表示发射结加正向 电压时的电流方向。 文字符号：V (三)、晶体三极管的分类 图 2-3 三极管符号 图2-1 三极管外形 图2-2 三极管的结构图
1．三极管有多种分类方法。 按内部结构分：有NPN型和PNP型管； 按工作频率分：有低频和高频管； 按功率分：有小功率和大功率管； 按用途分：有普通管和开关管； 按半导体材料分：有锗管和硅管等等。 2．国产三极管命名法：例如：3DG表示高频小功率NPN型硅三极管；3CG表示高频小功率PNP型硅三极管；3AK表示PNP型开关锗三极管等。 二、三极管的基本连接方式 如图2-4所示，晶体三极管有三种基本连接方 (a) 共发射极接法 (b) 共基极接法 (c) 共集电极接法 式：共发射极、共基极和共集电极接法。最常用的是共发射极接法。 第二节晶体三极管的电流放大和分配作用 一、晶体三极管的电流放大作用
一、三极管的结构类型与工作原理 半导体三极管又称为晶体管、三极管、双极型晶体管、BJT 。它由2个背靠背的PN结组成，分为NPN型、PNP型。由制造的材料又分为硅三极管、锗三极管。 NPN型三极管：c：collector 集电极；b：base 基极；e：emitter 发射极 采用平面管制造工艺，在N＋型底层上形成两个PN结。 工艺特点：三个区，二个结，引出三根电极杂质浓度(e区掺杂浓度最高，b区较高，c 区最低)；面积大小( c区最大，e区大，b区窄)。 PNP型三极管：在P＋型底层上形成两个PN结。
NPN管的工作原理：为使NPN管正常放大时的条件：射结正偏(VBE＞0)，集电结反偏(VCB＞0)。 发射区向基区大量发射电子(多子)，进入基区的电子成为基区的少子，其中小部分与基区的多子( 空穴)复合，形成IB电流，绝大部分继续向集电结扩散并达到集电结边缘。因集电结反偏，这些少子将非常容易漂移到集电区，形成集电集电流的一部分ICN。而基区和集电区本身的少子也要漂移到对方，形成反向饱和电流ICBO。 ，， 晶体管的四种工作状态： 1、发射结正偏，集电结反偏：放大工作状态用在模拟电子电路 2、发射结反偏，集电结反偏：截止工作状态 3、发射结正偏，集电结正偏：饱和工作状态用在开关电路中 4、发射结反偏，集电结正偏：倒置工作状态较少应用 三种基本组态：集电极不能作为输入端，基极不能作为输出端。
1、共基组态(CB) 输入：发射极端：基极公共(此处接地) 。输出：集电极。 VBE＞0，发射结正偏，VCB＞0(∵VCC＞VBB)，集电结反偏。所以三极管工作在放大状态。 发射极组态(CE)： 共集电极组态(CC)：
《晶体三极管的三极判断》说课稿 我说课的题目是：《晶体三极管的三极判断》。我主要从说教材、说教法、说学法、说教学过程从四个方面进行阐述。 一、说教材 1、教材分析 教材：中等职业教育规划教材 国防科技大学出版社《电子技术基础》 主编：侯寅珊教授 根据教育部颁发的中等职业教育《电子技术基础》教学大纲进行编写。同时参照电气类职业技能规范，同时从目前中等职业教育学生的实际出发，淡化了理论教学，着重培养学生的学习能力、问题的能力，应用知识解决问题的能力。本书作为中等职业学校电子技术的基础教材，将课程的理论知识与实践能力相结合。 2、教学重点与难点 重点：三极管类型、及用不同符号表示 难点：三极管的内部结构、如何判别三极管的三个极的极性 3、教学目标 知识目标：了解晶体三极管的分类、符号；明确三极管的三个极的判断方法； 能力目标：培养学生观察、分析等逻辑思维能力； 独立解决问题的能力； 培养和提高口头表达能力； 培养学生的团队意识； 锻炼学生的自学能力、设计能力、手工操作能力。 情感目标：培养学生参与、合作意识，激发学生学习兴趣和乐于探究的精神。 4、教学理念 摈弃简单的说教，以生为本，紧密联系生活，关注学生实际，引导学生积极参与学习实践，在合作学习中不断提升专业理论和专业技能。
二、说教法 1、灵活多样的教学方法 对基本要了解的知识点采用直观教学法（如：三极管的分类）。 为落实重点采用开放活动式教学，引导思考法教法（如：三极管的类型和符号）。 为突破难点采用启发式，课堂互动式，多媒体辅助教学法，实践操作巩固法教法等等（三极管的极性判断）。 2、教学手段 情境导入式、活动式教学，引导思考法、实践操作巩固法。利用多媒体教学手段的优势，借助元器件实物图及使用万用表来判断三极管的极性等直观形象的画面，设计丰富有趣的课堂实践，创设宽松活泼的情景，为学生提供丰富的想象、表现、创新的空间，使学生在这种情境教学中深刻体会增强集体凝聚力、加强团队合作的重要性。 导入 话筒是将声音信号转换为电信号，经放大电路放大后，变成大功率的电信号，推动扬声器，再将其还原为声音信号。 放大电路又称放大器，是指能把微弱的电信号转换为较强的电信号的电子线路。放大器的核心元件（即放大元件）是半导体三极管。 这节课我们就来学习三极管的基础知识。 塑封型三极管大功率三极管 调整管中功率三极管 声音 图 1 扩音器示意图
晶体管分类及应用 摘要 晶体管是现代电子设备制造的基础,广泛出现在现代电子系统中。晶体管为电子领域带来了革命性的变化,使得电子设备体积更小、成本更低、更加高效。本文归纳了晶体管的分类以及各类晶体管在一些场景下的应用。 正文 一、绪论 晶体管是几乎所有现代电子产品中的关键活动组件,被许多人看作20世纪最伟大的发明之一。现代的半导体器件可以被大批量自动化生产,因此每个晶体管的的成本都很低廉。晶体管的低成本,灵活性和可靠性使其成为无处不在的器件。晶体管机电一体化电路已经成为机电设备控制设备来控制机器。相比于机械控制系统,微控制器和计算机程序用于控制系统显得更加便捷。 二、分类 1）按材料 锗晶体管: 1948年锗晶体管出现后,固态电子器件的应用开始。最早在1941年,锗二极管开始取代了电子装置里的真空管。但是锗晶体管有一个重大缺点,易产生热失控。 硅晶体管:硅的电子特性比锗优越,但是所需的纯度高,取代锗晶体管。 化合物半导体砷化镓晶体管:砷化镓拥有一些比硅还要好的电子特性,如高的饱和电子速率及高的电子迁移率。在高速器件中,化合物晶体管是一个不错的选择。用砷化镓制造的化合物晶体管可以达到很高的工作频率,原因在于化合物砷化镓的电子迁移率是单质硅的5倍。 碳化硅晶体管
硅锗合金晶体管：在CMOS工艺方面，SiGe工艺的成本和硅工艺相当，但在异质结技术方面，SiGe工艺的成本比砷化镓工艺还要低。SiGe材料可让异质结双极性晶体管整合进CMOS逻辑集成电路，达成混合信号电路的功能。 石墨烯晶体管等。 2）按结构 BJT、JFET、IGFET (MOSFET)、IGBT等。 3）按电极性 n–p–n及p–n–p（BJT），N沟道及P沟道（FET）。 4）按最大额定功率 低功率晶体管、中功率晶体管及高功率晶体管。 5）按最大工作频率 低频晶体管、中频晶体管、高频晶体管、无线电频率（RF）晶体管、微波频率晶体管。 6）按应用类型 开关晶体管、泛用晶体管、音频晶体管、高压晶体管等。 7）按封装技术 插入式金属封装或塑胶封装、表面黏着技术、球栅阵列封装、功率晶体等。 8）按增益系数 hfe、βF或gm（跨导）等。 三、应用 双极结型晶体管（BJT） 双极性晶体管可放大信号,并应用在功率控制和模拟信号处理等领域。使用双极性晶体管可通过已知的基极-发射极的偏置电压和其温度、电流关系来测量温度。现在人们不断认识到能源问题,而场效应管技术由于功耗更低,在数字集成电路中逐渐成为主流,双极性晶体管的使用相对较少。相比于金属氧化物半导体场效应晶体管,双极性晶体管提供了一定的跨导和输出电阻,在功率控制等方面能力突出,并具有高速和耐久的特性。因此,双极性晶体管仍在模拟电路中占据重要位置,特别是高频应用电路的重要配件。可将MOSFET用BiCMOS技术和双极性
三极管的检测及其管脚的判别 使用数字万用表判断三极管管脚(图解教程) 现在数字式的万用表已经是很普及的电工、电子测量工具了，它的使用方便和准确性受到得维修人员和电子爱好者的喜爱。但有朋友会说在测量某些无件时，它不如指针式的万用表，如测三极管。我倒认为数字万用表在测量三极管时更加的方便。以下就是我自己的一些使用经验，我是通常是这样去判断小型的三极管器件的。大家不妨试试看是否好用或是否正确，如有意见或问题可以发信给我。 手头上有一些BC337的三极管，假设不知它是PNP管还是NPN 管。 图1三极管 我们知道三极管的内部就像二个二极管组合而成的。其形式就像下图。中间的是基极（B极）。
图2三极管的内部形式 首先我们要先找到基极并判断是PNP还是NPN管。看上图可知，对于PNP管的基极是二个负极的共同点，NPN管的基极是二个正极的共同点。这时我们可以用数字万用表的二极管档去测基极，看图3。对于PNP管，当黑表笔（连表内电池负极）在基极上，红表笔去测另两个极时一般为相差不大的较小读数（一般0.5-0.8），如表笔反过来接则为一个较大的读数（一般为1）。对于NPN表来说则是红表笔（连表内电池正极）连在基极上。从图4，图5可以得知，手头上的BC337为NPN管，中间的管脚为基极。
图3万用表的二极管测量档 图4判断BC337的B极和管型(1)
图4判断BC337的B极和管型(2) 找到基极和知道是什么类型的管子后，就可以来判断发射极和集电极了。如果使用指针式万用表到了这个步可能就要用到两只手了，甚至有朋友会用到嘴舌，可以说是蛮麻烦的。而利用数字表的三伋管hFE档（hFE 测量三极管直流放大倍数）去测就方便多了，当然你也可以省去上面的步骤直接用hFE去测出三极管的管脚极性，我自己则认为还是加上上面的步骤方便准确一些。 把万用表打到hFE档上，BC337卑下到NPN的小孔上，B极对上面的B字母。读数，再把它的另二脚反转，再读数。读数较大的那次极性就对上表上所标的字母，这时就对着字母去认BC337的C，E 极。学会了，其它的三极管也就一样这样做了，方便快速。 图5万用表上的hFE档
晶体三极管的结构及封装 晶体三极管是各种电子设备中的核心器件。其突出特点是在一定条件下具有电流放大作用，可用做电子开关，在电子电路中被广泛应用。 晶体三极管由两个PN结和三个电极构成，用途及功率不同，封装尺寸也不同。常用的有平面型小功率、中功率及大功率三极管。 小功率三极管的封装尺寸及实物图如下图(a)所示。 中功率三极管的封装尺寸及实物图如下图(b)所示。 大功率三极管的封装尺寸及实物图如下图（c）所示。 贴片式三极管的封装尺寸及实物图如下图(d)所示。 常用的合金型小功率、中功率、大功率三极管有以下几种： 小功率合金型三极管实物图如下图(e）所示。 中功率合金型三极管实物图如下图(f)所示。 大功率合金型三极管实物图如下图(g）所示。
常见的三极管结构有平面型和合金型两类，分别如图5-15(a)和(b)所示。硅管主要是平面型，锗管主要是合金型。 不同类型的三极管虽然制造方法不同，但在结构上都分成PNP或NPN三层。因此又将三极管分为NPN型和PNP型两种。国产硅三极管主要是NPN型，锗管主要是PNP型下图是它们的结构示意图和电路符号。晶体三极管在电路中的表示方法有：国内最早用BG表示，彩色电视机电路中用Q和V表示。目前的电子电路中用VT来表示。 各种三极管都分为发射区、基区和集电区等三个区域。三个区域的引出线分别称为发射极、基极和集电极，并分别用E,B和C表示。发射区与基区之间的PN结称为发射结，基区与集电区之间的P-N结称为集电结。 NPN型三极管和PNP型三极管的工作原理相同，不同的只是使用连接电源的极性不同，管子各极之间的电流方向也不同。下面以NPN晶体三极管为例进行介绍。
晶体管放大器结构原理图解 功率放大器的作用是将来自前置放大器的信号放大到足够能推动相应扬声器系统所需的功率。就其功率来说远比前置放大器简单，就其消耗的电功率来说远比前置放大器为大，因为功率放大器的本质就是将交流电能“转化”为音频信号，当然其中不可避免地会有能量损失，其中尤以甲类放大和电子管放大器为甚。 一、功率放大器的结构 功率放大器的方框图如图1-1所示。 1、差分对管输入级 输入级主要起缓冲作用。输入输入阻抗较高时，通常引入一定量的负反馈，增加整个功放电路的稳定性和降低噪声。 前置激励级的作用是控制其后的激励级和功劳输出级两推挽管的直流平衡，并提供足够的电压增益。 激励级则给功率输出级提供足够大的激励电流及稳定的静态偏压。激励级和功率输出级则向扬声器提供足够的激励电流，以保证扬声器正确放音。此外，功率输出级还向保护电路、指示电路提供控制信号和向输入级提供负反馈信号（有必要时）。 一、放大器的输入级功率放大器的输入级几乎一律都采用差分对管放大电路。由于它处理的信号很弱，由电压差分输入给出的是与输入端口处电压基本上无关的电流输出，加之他的直流失调量很小，固定电流不再必须通过反馈网络，所以其线性问题容易处理。事实上，它的线性远比单管输入级为好。图1-2示出了3 种最常用的差分对管输入级电路图。
图1-2种差分对管输入级电路 1、加有电流反射镜的输入级 在输入级电路中，输入对管的直流平衡是极其重要的。为了取得精确的平衡，在输入级中加上一个电流反射镜结构，如图1-3所示。它能够迫使对管两集电极电流近于相等，从而可以对二次谐波准确地加以抵消。此外，流经输入电阻与反馈电阻的两基极电流因不相等所造成的直流失调也变得更小了，三次谐波失真 也降为不加电流反射镜时的四分之一。 在平衡良好的输入级中，加上一个电流反射镜，至少可把总的开环增益提高6Db。而对于事先未能取得足够好平衡的输入级，加上电流反射镜后，则提高量最大可达15dB。另一个结果是，起转换速度在加电流反射镜后，大致提高了一倍。 2、改进输入级线性的方法 在输入级中，即使是差分对管采用了电流反射镜结构，也仍然有必要采取一定措施，以见效她的高频失真。下面简述几钟常用的方法。 1）、恒顶互导负反馈法 图1-4示出了标准输入级（a）和加有恒定互导（gm）负反馈输入级（b）的电路原理图。经计算，各管加入的负反馈电阻值为22Ω当输入电压级为-40dB条件下,经测试失真由0.32%减小到了0.032%。同时，在保持gm为恒定的情况下，电流增大两倍,并可提高转换速率(10~20)V/us。
第三章双极型三极管基本放大电路 3-1 选择填空 1.晶体管工作在放大区时，具有如下特点______________。 a. 发射结正偏，集电结反偏。 b. 发射结反偏，集电结正偏。 c. 发射结正偏，集电结正偏。 d. 发射结反偏，集电结反偏。 2．晶体管工作在饱和区时，具有如下特点______________。 a. 发射结正偏，集电结反偏。 b. 发射结反偏，集电结正偏。 c. 发射结正偏，集电结正偏。 d. 发射结反偏，集电结反偏。 3．在共射、共集、共基三种基本组态放大电路中，电压放大倍数小于1的是______组态。 a. 共射 b. 共集 c. 共基 d. 不确定 4．对于题3-1图所示放大电路中，当用直流电压表测得U CE ≈V CC 时，有可能是因为______，测得U CE ≈0时，有可能是因为________。 题3-1图 cc R L a.R B 开路 b. R C 开路 c. R B 短路 d. R B 过小 5．对于题3-1图所示放大电路中，当V CC =12V ，R C =2k Ω，集电极电流I C 计算值为1mA 。用直流电压表测时U CE =8V ，这说明______。 a.电路工作正常 b. 三极管工作不正常 c. 电容C i 短路 d. 电容C o 短路 6.对于题3-1图所示放大电路中，若其他电路参数不变，仅当R B 增大时，U CEQ 将______；若仅当R C 减小时，U CEQ 将______；若仅当R L 增大时，U CEQ 将______；若仅更换一个β较小的三极管时，U CEQ 将______； a.增大 b. 减小 c . 不变 d. 不确定 7.对于题3-1图所示放大电路中，输入电压u i 为余弦信号，若输入耦合电容C i 短路，则该电路______。 a.正常放大 b. 出现饱和失真 c. 出现截止失真 d. 不确定 8. 对于NPN 组成的基本共射放大电路，若产生饱和失真，则输出电压_______失真；若产生截止失真，则输出电压_______失真。 a.顶部 b. 低部 9. 当输入电压为余弦信号时，如果PNP 管共射放大电路发生饱和失真，则基极电流i b 的波形将___________，集电极电流i c 的波形将__________，输出电压u o 的波形将________。 a.正半波消波 b. 负半波消波 c . 双向消波 d. 不消波 10. 当输入电压为余弦信号时，如果NPN 管共射放大电路发生饱和失真，则基极电流i b 的
晶体三极管的结构和类型 晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN 结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种， 从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。 发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电极。基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。 三极管的封装形式和管脚识别 常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类，引脚的排列方式具有一定的规律， 底视图位置放置，使三个引脚构成等腰三角形的顶点上，从左向右依次为e b c；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c。 目前，国内各种类型的晶体三极管有许多种，管脚的排列不尽相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置，或查找晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。 晶体三极管的电流放大作用 晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数，用符号“β”表示。电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值，但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。
晶体三极管可以组成三种基本放大电路，如图5-38所示。的三种放大电路外图（a)是共发射极电路，信号从基极发射极输人，从集电极发射极输出，发射极是公共端。这是最常用的放大电路，图（b)是共基极电路，信号从发射极基极输入，从集电极基极输出，基极是公共端。图（c）是共集电极电路，信号从基极集电极输人，从发射极集电极输出，集电极是公共端。必须指出，电源对交流信号来说可以看成短路，三种电路的比较见表5-23.
详细讲解MOSFET管驱动电路 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。 下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。 1，MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。 至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。 对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电
阻小，且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。下面的介绍中，也多以NMOS为主。 MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有办法避免，后边再详细介绍。 在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载（如马达），这个二极管很重要。顺便说一句，体二极管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。 2，MOS管导通特性 导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。 NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。 PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC 时的情况（高端驱动）。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。 3，MOS开关管损失 不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。 MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越快，损失也越大。
三极管的发展与应用 摘要 三极管至从出现以来，以简单的构造，广泛的运用，为集成电路的高速发展做出 了卓越的贡献。并为计算机的诞生铺平了道路。真空三极管的发明，不仅成为真 空电子学的开端，也是电子学历史的开端，推动了人类文明的进程。 关键词:三极管，集成电路，计算机技术。 Thetriodetosincehasappeared,takethesimplestructure,thewidespreadutiliza tion,makesasintegratedcircuit'shighspeeddevelopmenttheremarkablecontrib ution，andpavedthewayforcomputer'sbirth.Vacuumtriode'sinvention,notonlybecomes thevacuumelectronicsthebeginning,butalsoelectronicshistorybeginning,pro motedthehumancultureadvancement. Keyword:triode,integratedcircuit,computertechnology 目录： 诸论 第一章，三极管的历史 第二章，三极管的概念及主要分类 第三章，三极管的工作原理 1．工作原理： 2．三极管的特性曲线： a．输入特性b、输出特性 3.工作特性及参数：
4.判断基极和三极管的类型 第四章，三极管的应用及发展 1，三极管的应用 2，三极管的发展趋势 结论 正文 诸论： 三极管发明于20世纪初期，它的出现产生了第三次工业革命的契机，至从它广泛运用于社会生活以来，在计算机发明问世以来，短短半个世纪，人类文明迅速又电气时代走向自动化时代，三极管在计算机技术力的广泛运用，才又了集成技术的空前发展，计算机迅速走向社会大众，为人民的生活飞速发展产生了不可磨灭的贡献，而三极管的特性使其仍然具有广泛的发展前景，因此研究三极管的发展与应用不仅有极为重要的学术意义还有广泛的社会意义，本文将从三极管的历史以及其工作原理及应用上详细系统的论证其广阔的前景以及重要的发展意义。 第一页 第一章： 三极管的发明历史 1906年10月25日，美国科学家德·福雷斯特申请了真空三极管放大器的专利，第二天又向美国电气工程师协会提交了关于三级管放大器的论文。他的专利于1907年1月15日被批准。 福雷斯特的真空三级管建立在前人发明的真空二极管的技术基础之上。1904年，英国伦敦大学的弗莱明发明了真空二极管（VacuumDiodeTube）。真空二极管只能单向导电，
第三章基本放大电路 一、是非题 1、为使晶体管处于放大工作状态，其发射结应加反向电压，集电结应加正向电压。（） 2、晶体三极管的穿透电流的大小随温度而变化。（） 3、晶体三极管的电流放大系数β随温度的变化而变化，温度升高，β减小。（） 4、某三极管的发射极电流为1.36毫安，集电极电流表为1.33毫安，则基极电流为30微安。（） 5、放大电路的静态工作点一经设定，不会受外界因素的影响。（） 6、单管放大电路中，若VG不变，只要变化集电极电阻的阻值就可改变集电极电流值。（） 7、放大器常采用分压式偏置电路，主要目的是为了提高输入阻抗。（） 8、放大器的放大倍数与信号频率无关，即无论信号是高、中、低任一频段，放大倍数是相同的。（） 9、晶体三极管出现饱和失真是由于静态电流表ICQ选得太低。（） 10、共发射放大器的输出信号和输入信号反相。（） 11、晶体管放大器接有负载时，电压放大倍数将比空载时高。（） 12、交流放大器工作时，电路中同时存在直流分量和交流分量，直流分量表示静态要作点，交流分量表示信号的变化情况。（） 二、选择题 1、晶体三极管放大器设置合适的静态工作点，以保证放大信号时，三极管（）。 A、发射结反偏 B、集电结正偏 C、始终工作在放大区 2、NPN型三极管放大器中，若三极管的基极与发射极短路，则（）。 A、三极管集电结正偏 B、三极管处于截止状态 C、三极管将深度饱和 3、在单管放大电路中，为了使工作于饱和状态的晶体三极管进入放大状态，可采用的办法是（） A、减小IB B、提高VG的绝对值 C、减小IC的值 4、共发射极放大器的输出电压和输入电压在相位上的关系是（） A、同相位 B、相位差90度 C、相位差180度 5、放大电路空载是指（） A、RL=0 B、RL=∞ C、RC=0 D、RC=∞ 6、画放大电路的直流通路时，电容视为（） A、短路 B、开路 C、不变 D、不作任何处理 7、三极管共集电极放大电路具有以下特点（）