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数据通信技术试卷-A卷

数据通信技术试卷-A卷
数据通信技术试卷-A卷

班 级 学 号 姓 名

20.1.1.0/30 Fei_0/2

Fei_0/1Fei_0/2 Fei_0/3

R1R2

班 级 学 号 姓 名

数据库原理期中试卷A_2017423

数据库原理期中考试试卷A 班级:学号:姓名:成绩: 一、根据以下关系描述,画出ER图,注意ER图的规范表达。(20分) 图书馆数据库对每个借阅者存有读者记录,包括读者号、姓名、地址、性别、年龄、单位。对每本书存有书号、书名、作者、出版社、库存位置编号。对每本被借出的书存有书号、读者号、借出日期和应还日期。画出ER图。 二、基于SQL SERVER软件,使用T-SQL语言在D盘根目录下创建一个名 为test_db的数据库,包含主文件和log文件,文件大小都为5MB,请写出相关语句。(10分) CREATE DATABASE test1_db ON (NAME=test, FILENAME='D:\test_db.mdf', SIZE=5, MAXSIZE=100) LOG ON (NAME=test_log, FILENAME='D:\test_db.ldf', SIZE=5, MAXSIZE=100) GO 三、根据第一题ER图的分析,使用SQL语言在test_db数据库中建立表单, 请写出相关语句,要求设置表单主键和外键约束。(20分)

USE test1_db GO CREATE TABLE reader (rno CHAR(6) NOT NULL, rname CHAR(10) NOT NULL, rsex CHAR(2) NOT NULL, rage INT NOT NULL, rdept CHAR(20), CONSTRAINT rno_PK PRIMARY KEY (rno) ) GO CREATE TABLE books (bno CHAR(6) NOT NULL, bname CHAR(20) NOT NULL, bauthorpno CHAR(20) NOT NULL, bpublish CHAR(20) NOT NULL, blocation CHAR(20) NOT NULL, CONSTRAINT bno_PK PRIMARY KEY (bno)) GO

模拟电子技术期末考试试卷及答案

《模拟电子技术》期末考试卷 一、填空题(20 分) 1、二极管最主要的特性是 。 2、当三极管处于放大状态时其放射结、集电结的偏置方式为 、 。 3、多级放大电路中,常见的级间的耦合方式有 、 、 。 4、负反馈放大电路中的四种组态为 、 、 、 。 5、正弦波振荡电路的振荡条件为 、 。 二、选择题(20分) 1、P 型半导体中的多数载流子是 ,N 型半导体中的多数载流子是 。A 、电子 B 、空穴 C 、正离子 2、杂质半导体中少数载流子的浓度 本征半导体载流子的浓度。A 、大于 B 、小于 C 、等于 3、温度升高,二极管在正向电流不变的情况下的正向电压 ,反向电流 。 A 、增大 B 、减小 C 、不变 4、如图所示复合管,已知V 1的1 = 30,V 2的 2 = 50,则复合后的 约为 ( )。 A .1500 .80 C 5、RC 串并联网络在f=f 0=1/2 RC 时呈 。 A 、感性 B 、阻性 C 、容性 三、判断题(10分)(对的打“√”,错的打“×”) 1、本征半导体温度升高后,两种载流子浓度还是相等。( ) 2、参数理想对称的双端输入双端输出差分放大电路只能放大差模信号,不能放大共模信号。( ) 3、放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。( ) 4、负反馈越深,电路的性能越稳定。( ) 5、集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。( ) 四、简答题:( 25分) 1.写出下图所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D =。 V 2 V 1

2、判断下图所示电路中是否引入了反馈,如果有反馈试判断反馈类型 ¥+ -+R S u o R L u i R F (b) R 1 R 2 R 4 R 5 R 3 u i + -+v cc -+ V 1 V 2 u o C 1 +- 3、 电路下图所示:请将图中左右两部分正确连接起来,使之能够产生正弦波振荡 五、计算题(25分) 1、电路如下图所示,试求出电路A U 、R i 、和R 0的表达式。

模拟电子技术期末试题

第四章 集成运算放大电路 自 测 题 一、选择合适答案填入空内。 (1)集成运放电路采用直接耦合方式是因为 C 。 A .可获得很大的放大倍数 B . 可使温漂小 C .集成工艺难于制造大容量电容 (2)通用型集成运放适用于放大 B 。 A .高频信号 B . 低频信号 C . 任何频率信号 (3)集成运放制造工艺使得同类半导体管的 C 。 A . 指标参数准确 B . 参数不受温度影响 C .参数一致性好 (4)集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以 A 。 A .减小温漂 B . 增大放大倍数 C . 提高输入电阻 (5)为增大电压放大倍数,集成运放的中间级多采用 A 。 A .共射放大电路 B . 共集放大电路 C .共基放大电路 解:(1)C (2)B (3)C (4)A (5)A 二、判断下列说法是否正确,用“√”或“×”表示判断结果填入括号内。 (1)运放的输入失调电压U I O 是两输入端电位之差。(×) (2)运放的输入失调电流I I O 是两端电流之差。(√) (3)运放的共模抑制比c d CMR A A K (√) (4)有源负载可以增大放大电路的输出电流。(√) (5)在输入信号作用时,偏置电路改变了各放大管的动态电流。(× )

习题 4.1 通用型集成运放一般由几部分电路组成,每一部分常采用哪种基本电路?通常对每一部分性能的要求分别是什么? 解:通用型集成运放由输入级、中间级、输出级和偏置电路等四个部分组成。 通常,输入级为差分放大电路,中间级为共射放大电路,输出级为互补电路,偏置电路为电流源电路。 对输入级的要求:输入电阻大,温漂小,放大倍数尽可能大。 对中间级的要求:放大倍数大,一切措施几乎都是为了增大放大倍数。 对输出级的要求:带负载能力强,最大不失真输出电压尽可能大。 对偏置电路的要求:提供的静态电流稳定。 第五章放大电路的频率响应 自测题 一、选择正确答案填入空内。 (1)测试放大电路输出电压幅值与相位的变化,可以得到它的频率响应,条件是 A 。 A.输入电压幅值不变,改变频率 B.输入电压频率不变,改变幅值 C.输入电压的幅值与频率同时变化 (2)放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 B ,而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 A 。 A.耦合电容和旁路电容的存在 B.半导体管极间电容和分布电容的存在。 C.半导体管的非线性特性 D.放大电路的静态工作点不合适 (3)当信号频率等于放大电路的f L或f H时,放大倍数的值约下降到中频时的 B 。 A.0.5倍 B.0.7倍 C.0.9倍 即增益下降 A 。 A.3dB B.4dB C.5dB

电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)

电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__,而当器件开关频率较高 时,功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统,一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成, 由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _ 双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基 二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 9.对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为,UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE(th)随温度升高而_略有下降__,开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数,在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属

《电子技术应用》期中考试试卷

一、 选择题(本题共5小题,每小题2分,共10分) 1、下列符号中表示发光二极管的为( )。 A B C D 2、硅管正偏导通时,其管压降约为( )。 A 0.1V B 0.3V C 0.5V D 0.7V 3、在三极管放大电路中,下列等式不正确的是( )。 A. C B E I I I += B. B C I I β= C. B E I I )1(β+= D. B E I I β= 4、当三极管的发射结和集电结都正偏时,工作于( )状态。 A. 放大 B. 截止 C. 饱和 D. 无法确定 5、NPN 型三极管要实现放大作用,c 、b 、e 三个电极的电位必须符合:( ) A. E B C U U U >> B. B E C U U U >> C. E B U U > D. B C U U > 二、填空题((本题共5小题,每空2分,共20分) 1、在本征半导体中掺入 元素得N 型半导体,掺入 元素则得 P 型半导体。 2、二极管P 区接电源 极,N 区接电源 极,称正向偏置,二极 管导通;反之,称反向偏置,二极管截止,所以二极管具有 性。 3、三极管电流放大作用的条件是:发射结加 电压,集电结 加 电压。 4、三极管电流放大系数β反映了放大电路中 极电流对 极电流的控制能力。 5、工作在放大区的一个三极管,如果基极电流从10微安变化到22微安 时,集电极电流从1毫安变为2.2毫安,则该三极管的β约为 。 三、计算题(本题共5小题,共70分) 1、二极管电路如图所示,判断图中二极管是导通还是截止,并确定各电 路的输出电压AB U 。(设二极管为硅管,导通压降为0.7V ) (15分) 2、已知三极管的发射极电流mA I E 24.3=,基极电流A I B μ40=,求集电极电流C I 的数值。 (10分)

《模拟电子技术》大学期末考试题及答案(七)

《模拟电子技术》模拟试题七 一、选择题(每空2分,共34分) 1、三端集成稳压器CXX7805的输出电压是() A 5v B 9v C 12v 2、测某电路中三极管各极电位分别是0 V、-6V、0.2V则三极管的三个电极分别是(),该管是()。 A (E、C、B) B(C、B、E) C(B、C、E) D(PNP) E(NPN) 3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为()失真。共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为()失真。 A 饱和 B 截止C交越D频率 4、差分放大电路是为了()而设置的。 A稳定Au B放大信号C抑制零点漂移 5、对功率放大器的主要要求有()()() A Uo高 B Po大C效率高 D Ri大 E 波形不失真 6、LM386是集成功率放大器,它可以使电压放大倍数在()变化。 A 0-20 B 20 -200 C 200-1000 7、单相桥式整流电容波电路输出电压平均在Uo=( )U2。 A 0.45 B 0.9 C 1.2 8、当集成运放线性工作时,在两条分析依据()()。 A U-=U+ B I-=I+=0 C Uo=Ui D Au=1 9、对功率放大器的主要要求有()()()。 A Uo高 B Po大C效率高 D Ri大 E 波形不失真 10、振荡器的输出信号最初是由()而来的。 A基本放大器 B 选频网络C干扰或噪声信号 二、填空题(每空1分,共32分) 1、自由电子为()载流子,空穴为()载流子的杂质半导体称为()半导体。 2、PN结的单向导电性,就是PN结正偏时(),反偏时()。 3、扩展运动形成的电流是()电流,漂移运动形成的电流是()。 4、所谓理想二极管就是当其正偏时,结电阻为(),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(),等效成开断。 5、场效应管的漏极电流ID=( ),所以它是()控制文件。 6、当温度升高时三极管的集电极电流IC(),电流放大系数β

数据库期中试卷及参考答案

《数据库原理与应用》 一.单项选择题(每题1分,共20分) 1.目前市场上常见的DBMS 90%以上都是基于( C )数据模型的。 A.层次B.网状C.关系D.面向对象 2.E-R图是在数据库设计中用来表示( A )的一种常用方法。 A.概念模型B.逻辑模型C.物理模型D.面向对象模型 3.( C )是数据库中全体数据的逻辑结构和特征的描述,是所有用户的公共数据视图。 A.外模式B.内模式C.模式D.概念模式 4.( B )也称存储模式,是数据库物理结构和存储方式的描述,是数据在数据库内部的表示方式。 A.外模式B.内模式C.模式D.概念模式 5.数据库的概念模型独立于( A )。 A.具体的机器和DBMS B.E-R图C.信息世界D.现实世界 6.在数据库中存储的是( C )。 A.数据B.数据库模型C.数据以及数据之间的联系D.信息 7.规范化理论是关系数据库进行逻辑设计的理论依据,根据这个理论,关系数据库中的关系必须满足:其每一个属性都是( B )。 A.互不相关的B.不可分解的C.长度可变得D.互相关联的 8.在数据模型中有“型”和“值(或实例)”两个对应的概念。其中数据库的模式是一个( D )的概念,是一个相对()的概念,而数据库在某一时刻的状态则是一个()的概念,是一个相对()的概念。 A.型;变化;值;不变B.值;不变;型;变化 C.值;变化;型;不变D.型;不变;值;变化 9.关系表A的属性个数为5,元组个数为10;关系表B的属性个数为6,元组个数为20. 则A与B的笛卡尔积A×B的属性有( D )个,元组个数有()个。 A.30;200B.11;30 C.30;30D.11;200 10.父亲和子女的亲生关系属于( B )的关系。 A.1:1B.1:n C.m:n D.不一定 11.在SQL语言中,删除关系表中的一个属性列,要用动词( D ),删除关系表中的一行或多行元组,要用动词()。 A.delete,delete B.drop,drop C.delete,drop D.drop,delete 12.在SQL语言中,为关系模式增加一个属性要用动词(B),为关系表增加一行或多行元组要用动词()。 A.insert,insert B.add,insert C.insert,add D.add,add 13.实体完整性约束和SQL语言中的( A )相对应。 A.primary key B.foreign key C.check D.都不是 14.参照完整性约束和SQL语言中的( B )相对应。 A.primary key B.foreign key C.check D.都不是 15.在我们的学生-课程数据库中,SC表上建立了两个外码约束,被参照表是Student表和Course表,则最适当的说法是: A.Student表中的学生号Sno不能随意取值B.Course表中的课程号Cno不能随意取值 C.SC表中学生号Sno不能随便D.SC表中学生号Sno、课程号Cno均不能随意取值 16.如果在学生-课程数据库中的SC表上建立了参照完整性约束: Foreign Key (Sno)References Student(Sno), Foreign Key (Cno)References Course(Cno), 则( D )操作可能会违背该完整性约束。 A.在Student表上增加一行记录B.在Course表上增加一行记录 C.在SC表上删除一行记录D.更新SC表上的记录 17.关系R(X,Y,Z),函数依赖集FD={Y→Z,XZ→Y},则关系R是( C )。 A.1NF B.2NF C.3NF D.BCNF 18、表之间一对多关系是指_B_____。 A.一张表与多张表之间的关系B.一张表中的一个记录对应另一张表中的多个记录 C.一张表中的一个记录对应多张表中的一个记录D.一张表中的一个记录对应多张表中的多个记录 19、SQL的SELECT语句中,“HAVING条件表达式”用来筛选满足条件的(D) A.列B.行C.关系D.分组 20、SQL语言中INSERT、DELETE、UPDA TE实现哪类功能 D 。 A.数据查询B.数据控制C.数据定义D.数据操纵 二.填空题(每空1分,共18分): 1.从历史发展看来,数据管理技术经历了人工管理、文件管理和数据库管理三个阶段。 2.在SQL语言中,用符号—代表单个字符,用符号% 代表0到多个字符。 3.在SQL语言中,为了使查询的结果表中不包含完全相同的两个元组,应在select的后面加上关键词distinct 。 4、在SQL语句中,与表达式“工资BETWEEN 1210 AND 1240”功能相同的表达式是工资>=1210 and 工资<=1240 。 第 1 页/共 4 页

电力电子技术期末考试试题及答案修订稿

电力电子技术期末考试 试题及答案 Coca-cola standardization office【ZZ5AB-ZZSYT-ZZ2C-ZZ682T-ZZT18】

电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统,一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。 7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。 9.对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为,UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE(th)随温度升高而_略有下降__,开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数,在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_GTO 、GTR 、电力

电力电子技术期末复习考卷综合

一、填空题: 1、电力电子技术的两个分支是电力电子器件制造技术和 变流技术 。 2、举例说明一个电力电子技术的应用实例 变频器、 调光台灯等 。 3、电力电子承担电能的变换或控制任务,主要为①交流变直流(AC —DC )、②直流变交流(DC —AC )、③直流变直流(DC —DC )、④交流变交流(AC —AC )四种。 4、为了减小电力电子器件本身的损耗提高效率,电力电子器件一般都工作在 开关状态,但是其自身的功率损耗(开通损耗、关断损耗)通常任远大于信息电子器件,在其工作是一般都需要安装 散热器 。 5、电力电子技术的一个重要特征是为避免功率损耗过大,电力电子器件总是工作在开关状态,其损耗包括 三个方面:通态损耗、断态损耗和 开关损耗 。 6、通常取晶闸管的断态重复峰值电压UDRM 和反向重复峰值电压URRM 中较 小 标值作为该器件的额电电压。选用时,额定电压要留有一定的裕量,一般取额定电压为正常工作时晶闸管所承受峰值电压的2~3倍。 7、只有当阳极电流小于 维持 电流时,晶闸管才会由导通转为截止。导通:正向电压、触发电流 (移相触发方式) 8、半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中,电路可能会出现 失控 现象,为了避免单相桥式 半控整流电路的失控,可以在加入 续流二极管 来防止失控。 9、整流电路中,变压器的漏抗会产生换相重叠角,使整流输出的直流电压平均值 降低 。 10、从晶闸管开始承受正向阳极电压起到施加触发脉冲止的电角度称为 触发角 。 ☆从晶闸管导通到关断称为导通角。 ☆单相全控带电阻性负载触发角为180度 ☆三相全控带阻感性负载触发角为90度 11、单相全波可控整流电路中,晶闸管承受的最大反向电压为 2√2U1 。(电源相电压为U1) 三相半波可控整流电路中,晶闸管承受的最大反向电压为 。(电源相电压为U 2) 12、四种换流方式分别为 器件换流 、电网换流 、 负载换流 、 强迫换流 。 13、强迫换流需要设置附加的换流电路,给与欲关断的晶闸管强迫施加反压或反电流而关断。 14、直流—直流变流电路,包括 直接直流变流电路 电路和 间接直流变流电路 。(是否有交流环节) 15、直流斩波电路只能实现直流 电压大小 或者极性反转的作用。 ☆6种斩波电路:电压大小变换:降压斩波电路(buck 变换器)、升压斩波电路、 Cuk 斩波电路、Sepic 斩波电路、Zeta 斩波电路 升压斩波电路输出电压的计算公式 U= 1E β=1- ɑ 。 降压斩波电路输出电压计算公式: U=ɑE ɑ=占空比,E=电源电压 ☆直流斩波电路的三种控制方式是PWM 、 频率调制型 、 混合型 。 16、交流电力控制电路包括 交流调压电路 ,即在没半个周波内通过对晶闸管开通相位的控制,调节输出电压有效值的电路, 调功电路 即以交流电的周期为单位控制晶闸管的通断,改变通态周期数和断态周期数的比,调节输出功率平均值的电路, 交流电力电子开关即控制串入电路中晶闸管根据需要接通或断开的电路。

模拟电子技术期中试卷a2

2018—2019电子技术基础期中试题 姓名总分 一、填空题(每空1分,共20分) 1.P型半导体又称为____________型半导体,它由本征半导体掺入____________价元素形成,其多数载流子是____________,少数载流子是____________。 2.在室温附近,温度升高,杂质半导体中__________的浓度将明显增加。3.在PN结的形成过程中,载流子扩散运动是____________作用下产生的,漂移运动是____________作用下产生的。 4.按照二极管的材料分,可分为_________二极管和锗二极管两种。5.稳压二极管稳压工作时,是工作在其特性曲线的___________区。6.三极管具有电流放大作用的外部条件是:发射结____________偏置,集电结____________偏置。 7.基本放大电路的非线性失真包括____________失真和____________失真。 8.图1所示电路,二极管VD1、VD2为理想元件,则U AB 为_______伏。图1图2 9.电路图如图2,已知R B = 240kΩ,R C = 3kΩ,晶体管β= 20,V CC = 12V。 现在该电路中的晶体管损坏,换上一个β= 40的新管子,若要保持原来的静态电流I C不变,且忽略U BE,应把R B调整为____________kΩ。10.在某放大电路中,晶体管三个电极的电流如图3所示。已量出I1= -1.2mA,I2 = -0.03mA,I3 = 1.23mA。由此可知: (1) 电极①是__________极,电极②是__________极,电极③是 __________极。 (2) 此晶体管的电流放大系数β约为__________。 (3) 此晶体管的类型是__________型(PNP或NPN)。 I1 I2 I3 二、选择题(每小题2分,共20分) 11.PN结加正向电压时,其空间电荷区会( ) A.不变B.变窄 C.变宽D.不定 12.在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于( ) A.本征半导体B.温度 ① ② ③ 第 1 页,共 4 页

2014级《数据库理论与技术》课程期中试卷

宁波工程学院2015–2016学年第2学期 《数据库理论与技术》课程期中考试卷 一、单项选择题(每小题1分,共20分) 1. ( B )是长期存储在计算机内、有组织的、可共享的数据集合。 A.数据库系统 B.数据库 C.关系数据库 D.数据库管理系统 2. 下面哪个不是数据库系统必须提供的数据控制功能(B )。 A.安全性 B.可移植性 C.完整性 D.并发控制 3. 通过修改( C )可以保证数据库的逻辑独立性。 A.模式 B.外模式 C.外模式/模式映射 D.模式/内模式映射 4. 学生社团可以接纳多名学生参加,但每个学生只能参加一个社团,从社团到学生之间的联系种类是( D )。 A.多对多 B.一对一 C.多对一 D. 5. 结构数据模型的三个组成部分中,不包括( C )。 A.完整性规则 B.数据结构 C.恢复 D.数据操作 6. SQL中,下列涉及空值的操作,不正确的是( C )。 A.AGE IS NULL B.AGE IS NOT NULL C.AGE=NULL D.NOT(AGE IS NULL)

7. 设有关系模式R (A ,B ,C ),其关系r 如右表所示: 下面叙述正确的是( B )。 A .函数依赖 A → B 在上述关系中成立 B .函数依赖 B C → A 在上述关系中成立 C .函数依赖 B → A 在上述关系中成立 D .函数依赖 A → BC 在上述关系中成立 8. 关系数据库规范化是为了解决关系数据库中( A )。 A .插入、删除和数据冗余问题而引入的 B .提高查询速度问题而引入的 C .减少数据操作的复杂性问题而引入的 D .保证数据的安全性和完整性问题而引入的 9. 实现关系代数选择运算的SQL 子句是( D )。 A .SELECT B .ORDER BY C .FROM D .WHERE 10.设关系R 和S 的属性个数分别为2和3,则与关系代数表示式 12R S >等价的是( B )。 A .12(R S)σ>? B .14(R S)σ>? C .14(R S)σ> D .12(R S)σ> 11.在关系模式R(A,B,C,D)中,有函数依赖集F={A→B,B→C,C→D},则R 能达到( B )。 A .1NF B .2NF C .3NF D .以上三者都不行 12.SQL 的视图是从( C )中导出的。 A .基本表 B .视图 C .基本表或视图 D .数据库 13.在关系数据库中,实现数据之间联系的是( B )。 A .主键码 B .外键码 C .域 D .指针 14.下面列出的选项,哪项是关系数据库的基本特征? ①.不同的列应有不同的数据类型;②.不同的列应有不同的列名;③.与行的次序无关;④.与列的次序无关。( C )

电力电子技术试题及答案(1)

《电力电子技术》试卷 一.填空(共15分,1分/空) 1.电力电子技术通常可分为()技术和()技术两个分支。 2.按驱动电路信号的性质可以将电力电子器件分为()型器件和()型器件两类,晶闸管属于其中的()型器件。 3.晶闸管单相桥式全控整流电路带反电动势负载E时(变压器二次侧电压有效值为U ,忽略主电路 2 各部分的电感),与电阻负载时相比,晶闸管提前了电角度δ停止导电,δ称为()角,数量关系为δ=()。 4.三相桥式全控整流电路的触发方式有()触发和()触发两种,常用的是()触发。 5.三相半波可控整流电路按联接方式可分为()组和()组两种。 6.在特定场合下,同一套整流电路即可工作在()状态,又可工作在()状态,故简称变流电路。 7.控制角α与逆变角β之间的关系为()。 二.单选(共10分,2分/题) 1.采用()是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施。 A.直流断路器 B. 快速熔断器 C.过电流继电器 2.晶闸管属于()。 A.不可控器件 B. 全控器件 C.半控器件 3.单相全控桥式整流电路,带阻感负载(L足够大)时的移相范围是()。 A.180O B.90O C.120O 4.对三相全控桥中共阴极组的三个晶闸管来说,正常工作时触发脉冲相位应依次差()度。 A.60 B. 180 C. 120 5.把交流电变成直流电的是()。 A. 逆变电路 B.整流电路 C.斩波电路 三.多选(共10分,2分/题) 1.电力电子器件一般具有的特征有。 A.所能处理电功率的大小是其最重要的参数 B.一般工作在开关状态 C.一般需要信息电子电路来控制 D.不仅讲究散热设计,工作时一般还需接散热器 2.下列电路中,不存在变压器直流磁化问题的有。 A.单相全控桥整流电路 B.单相全波可控整流电路 C.三相全控桥整流电路 D.三相半波可控整流电路 3.使晶闸管关断的方法有。 A.给门极施加反压 B.去掉阳极的正向电压 C.增大回路阻抗 D.给阳极施加反压 4.逆变失败的原因有。 A.触发电路不可靠 B.晶闸管发生故障 C.交流电源发生故障 D.换相裕量角不足 5.变压器漏抗对整流电路的影响有。 A.输出电压平均值降低 B.整流电路的工作状态增多 C.晶闸管的di/dt减小 D.换相时晶闸管电压出现缺口 四.判断(共5分,1分/题) 1.三相全控桥式整流电路带电阻负载时的移相范围是150O。() 2.晶闸管是一种四层三端器件。()

《电子技术》期中考试试卷

2012~2013年第二学期《电子技术》期中考试试卷 总分:100分时量:60分钟 班级:姓名:学号: 一、填空题(37×1分=37分) 1、能够将变成的电路称为整流电路,能够将变成比较平滑的的电路称为滤波电路。 2、PN结正偏时,P区接电源的极,N区接电源的极;PN 结反偏时,P区接电源的极,N区接电源的极。 3、硅二极管的正向压降约为V,锗二极管的正向压降约为V。 4、利用半导体二极管的特性,将变成的过程称做整流。 5、交流电经过变成脉动直流电后,仍有变化,滤波电路能够脉动直流电中的成分。 6、半导体三极管有两个PN结,即结和结;有三个电极,即极、 极和极,分别用、、和表示。 7、晶体管有型和型,前者的图形符号是,后者的图形符号是。 8、半导体三极管的输出特性曲线可分为三个区域,即区、区和区。 9、放大电路设置静态工作点的目的是。 10、在纯净的硅晶体中掺入三价元素,就成为型半导体,它的多数载流子量是,少数载流子是。 二、选择题(6×4分=21分) 1、在纯净半导体硅中,掺入微量的()价元素就成了N型半导体。 A. 三价 B. 四价 C. 五价 2、性能良好的二极管正向电阻()反向电阻。A. 大于 B. 等于 C. 小于 D. 不确定 3、稳压二级管的稳压性能是利用二极管的()特性实现的。 A. 单向导电 B.反向击穿 C.正向导通 D.反向截止 4、整流的目的是()。 A. 将高频变为低频 B. 将低频变为高频 C. 将正弦波变为方波 D. 将交流变为直流 5、整流电路后面接入滤波电路的目的是()。 A. 去除直流电中的脉动成份 B. 将高频变成低频 C. 将正弦交流信号变成矩形脉冲 D. 将直流电变成交流电 6、三极管的发射结正偏、集电路反偏时,三极管处于()。 A. 放大状态 B. 饱和状态 C.截止状态 三、判断题(5×2分=10分) 1、PN结正向偏置时导通,反向偏置时截止。() 2、在P型半导体中,多数载流子是电子。() 3、二极管加反向电压不一琯是导通状态。() 4、稳压二极管是工作在反向击穿状态。() 5、单相半波整流电路的特点是:电路简单、成本低,输出电压高、脉动小。() 四、综合题(14分+15分=29分) 1、试画出单相半波整流的电路图,并说明它的整流过程。 2、请画出共射放大电路的原理图,并写出静态工作点的计算公式。(I BQ、I CQ、V CEQ)

模拟电子技术基础试卷及答案(期末)

模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空(18分) 1.二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2.如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ,桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ,经过电容滤波后为 12 V ,二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3.差分放大电路,若两个输入信号u I1u I2,则输出电压,u O 0 ;若u I1=100 V ,u I 2 =80V 则差模输入电压u Id = 20 V ;共模输入电压u Ic = 90 V 。 4.在信号处理电路中,当有用信号频率低于10 Hz 时,可选用 低通 滤波器;有用信号频率高于10 kHz 时,可选用 高通 滤波器;希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时,可选用 带阻 滤波器;有用信号频率为某一固定频率,可选用 带通 滤波器。 5.若三级放大电路中A u 1 A u 230d B ,A u 320dB ,则其总电压增益为 80 dB ,折合为 104 倍。 6.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能 量转换效率在理想情况下,可达到 % ,但这种功放有 交越 失真。 7.集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空(20分) 1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ,-10 V , V ,则这只三极管是( A )。 A .NPN 型硅管 型锗管 型硅管 型锗管 2.某场效应管的转移特性如图所示,该管为( D )。 A .P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( C )。 A .输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻,R S 为常数,为使下限频率f L 降低,应( D )。 A . 减小C ,减小R i B. 减小C ,增大R i C. 增大C ,减小 R i D. 增大C ,增大 R i 5.如图所示复合管,已知V 1的1 = 30,V 2的 2 = 50,则复合后的约为( A )。 A .1500 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和( D )。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 i D /mA -4 u GS /V 5 V 2 V 1

数据库管理技术期末试卷A卷

上海学院课程考试试卷 2012––2013 学年第1学期期末(√)补考()重考(√)课程名称数据库管理技术试卷编号 A 年级11 专业计算机班级姓名学号 一、单项选择题(10*2=20%) 1、Microsoft SQL Server是一种基于客户机/服务器的关系型数据库管理系统,它使用()语言在服务器和客户机之间传递请求。 A. TCP/IP B. Transact-SQL C. C D. ASP 2、()是一个图形界面的查询工具,用它可以提交Transact-SQL语言,然后发送到服务器,并返回执行结果,该工具支持基于任何服务器的任何数据库连接。 A. SQL Server Management Studio B. 事件探测器 C. SQL 管理对象 D. DTS 3、一个关系中,能唯一标识元组的属性集称为关系的()键。 A. 副键 B. 主键 C. 从键 D. 参数 4、下面哪些字符可以用于Transact-SQL的注释()。 A. -- B. @@ C. ** D. /*…*/ 5、利用T—SQL语言创建表时,语句是()。 A. Delete Table B. Create Table C. Add Table D. Drop Table 6、在数据库标准语言SQL中,关于NULL值叙述正确选项是()。 A. NULL 表示空格 B. NULL表示0 C. NULL既可以表示0,也可以表示是空格 D. NULL表示空值 7、下列函数中,返回值数据类型为 int 的是()。 A. LEFT B. LEN C. LTRIM D. SUNSTRING 8、下列关于ALTER TABLE语句叙述错误的是()。 A.可以添加字段 B.可以删除字段 C.可以修改字段名称 D.可以修改字段数据类型 9、在一个表上,最多可以定义多少个聚集索引()。 A. 1 B. 2 C. 3 D.4 10、在Transact-SQL的模式匹配中,使用()符号表示匹配任意长度的字符串。 A. * B. - C. % D. #

电力电子技术期末考试试题及答案最新版本

电力电子技术试题
第 1 章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力 MOSFET)、绝缘 栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力 MOSFET 、 IGBT _;属于单极型电力电子器件的有_电力 MOSFET _,属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _,属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _;在可控的器件中,容量最大的是_晶闸管_,工作频率最高的是_电力 MOSFET,属于电压驱动的是电力 MOSFET 、IGBT _,属于电流驱动的是_晶闸管、
GTO 、GTR _。2、可关断晶闸管的图形符号是 ;电力场效应晶体管的图形符号是
绝缘栅双极晶体管的图形符号是
;电力晶体管的图形符号是

第 2 章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中,晶闸管控制角 α 的最大移相范围是__0-180O
_ ,其承受的最大正反向电压均为_ 2U2 __,续流二极管承受的最大反向电压为__ 2U2 _(设 U2 为相电压有效值)。
3.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α 角移相范围为__0-180O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 2 和_ 2U2 ;
带阻感负载时,α 角移相范围为_0-90O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 _和__ 2U2 _;带反电动势负载时,欲使电阻上的电
流不出现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。
5.电阻性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压 UFm 等于__ 2U2 _,晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-150o_,使负载电流连
续的条件为__ 30o __(U2 为相电压有效值)。
6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _,当它带阻感负载时, 的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中,共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压,而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_
的相电压;这种电路
角的移相范围是_0-120o _,ud 波形连续的条件是_ 60o _。
8.对于三相半波可控整流电路,换相重迭角的影响,将使用输出电压平均值__下降_。
11.实际工作中,整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数,当
从 0°~90°变化时,整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而 _增大_,

从 90°~180°变化时,整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而_减小_。
12. 逆 变 电 路 中 , 当 交 流 侧 和 电 网 连 结 时 , 这 种 电 路 称 为 _ 有 源 逆 变 _ , 欲 实 现 有 源 逆 变 , 只 能 采 用 __ 全 控 _ 电 路 ; 对 于 单 相 全 波 电 路 , 当 控制 角
0<
<
时,电路工作在__整流_状态;
时,电路工作在__逆变_状态。
13.在整流电路中,能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等(可控整流电路均可),其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势,
其极性和晶闸管导通方向一致,其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角 a > 90O,使输出平均电压 Ud 为负值_。 第 3 章 直流斩波电路
1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。
2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路 和_升压斩波电路_。
3.斩波电路有三种控制方式:_脉冲宽度调制(PWM)_、_频率调制_和_(ton 和 T 都可调,改变占空比)混合型。
6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。
7.Sepic 斩波电路和 Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系,所不同的是:_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续,_ Zeta 斩波电路_的输入、输
出电流均是断续的,但两种电路输出的电压都为__正_极性的 。
8.斩波电路用于拖动直流电动机时,降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限,升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限,_电流可逆斩波电路能
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