![[NSFC]碳基无掺杂纳电子器件和集成电路要点](https://img.doczj.com/img9b/1i7zi9v4z5ulvhgkjrw5gh4j11cjnsd1-b1.webp)
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项目名称：碳基无掺杂纳电子器件和集成电路首席科学家：xxx
起止年限：2011.1至2015.8
依托部门：教育部
二、预期目标
本项目的总体目标：
本项目的总体目标为发展有自主知识产权的低成本高性能碳基纳电子、光电子集成芯片，建设一支高水平的碳基纳米电子和光电子学的研究队伍，培养相关领域的优秀青年人才，将项目的主要支撑单位“纳米器件物理与化学教育部重点实验室”建设成为国际著名的纳米器件研究中心。在碳纳米管CMOS集成电路方面，制备出中等规模的碳纳米管CMOS集成电路，例如碳纳米管全加器。在高性能碳纳米管基光电器件方面，做到发光器件的室温电致发光光谱的半高宽和荧光光谱相当，即不大于30 meV，探测器的光电压不小于0.2 V，并初步实现纳电子电路的电信号与光通讯电路的光信号间的相互转换。
五年预期目标：
五年预期目标为探索碳基纳电子和光电子器件的极限性能，并利用这些器件构建成若干高性能电路，预计可以取得如下成果：
（1）集成电路用碳纳米管阵列的可控生长。在晶片尺寸绝缘基底上制备出直径大约在1.5 nm，管径分布不超过 0.3 nm的平行半导体性单壁碳
管，初步实现碳纳米管的间距和位置可控，半导体性碳纳米管含量高
于95%。
（2）适合于碳基电子学的高κ栅介质材料。在碳纳米管或石墨烯上生长出等效氧化层厚度(EOT)小于2纳米的栅介质薄膜，薄膜材料能隙在5
电子伏特以上，在1MV/cm的电场下，漏电流低于10mA/cm2，对器
件载流子迁移率和电导的损害在10%以下。
（3）碳基新型射频电路。测量高频下碳基纳米结构的动能电感，利用碳纳米结构搭建新型的碳基射频电路。
（4）纳米阻变存储器。利用碳基材料作为存储介质，结合传统硅基驱动电路，实现可工作的原型碳基纳米存储器。
（5）优秀人才培养。将年轻学者培养成为能够独当一面的学科带头人，项目执行期间培养出1-2名国家杰出青年基金获得者；将一线工作的优
秀学生培养成为具有独立工作能力的优秀科研工作者，项目执行期间
培养出2名以上的市级和国家级优秀博士论文获得者；毕业50名以上博士后和研究生。将本项目主要支撑实验室“纳米器件物理与化学”
教育部重点实验室建设成为国际著名的纳米电子和光电子器件研究
基地，每年在重要的学术会议上应邀做10个以上的特邀报告。（6）项目执行期间发表100篇以上高影响因子（大于3）论文，申请20个以上与纳米器件和电路相关的发明专利。
三、研究方案
（一）学术思路：
本项目是在前期项目“基于一维纳米材料的新原理器件：纳米碳管为基的纳米器件”（2010年结题）的基础上提出来的。在前期项目的实施过程中我们积累了大量平行碳纳米管阵列的生长经验和单个碳纳米管电子器件的研究经验（见如下项目发展路线图的第二列所示）。本项目的总体研究思路是一方面进一步完善碳基纳米材料的可控制备，另一方面争取从上一个项目主要是对于单个器件（晶体管）的研究发展至更复杂的中等规模集成电路，从单一的电子器件发展至电子-光电子集成电路，从数字电路延伸到模拟和射频电路，从简单的纳米器件到结合微电子的驱动电路与碳基纳米存储电路的完整系统（从如下项目发展路线图的第二列发展到第三列）。
（二）技术途径
本项目考虑的碳基纳米材料主要为碳纳米管材料。我们前期项目的结果表明半导体性的单壁碳纳米管可以用于制备高性能的CMOS器件，速度和功耗较相同尺寸的硅基器件都有很大优势。本项目在数字逻辑电路方面仍将主要考虑碳纳
米管基的CMOS集成电路。在光电器件方面，半导体性的碳纳米管有一个确定的能隙，以及很强的室温激子效应，可以用于高效红外光源的制备，同时也可以用来制备光探测器。在碳纳米管基的光源和探测器方面我们已经有了很好的基础。但是石墨烯是一个零带隙的半导体材料，可以在全光谱范围内有效地吸收，可能是一个比碳纳米管要灵敏得多的光探测材料。石墨烯和碳纳米管有许多相近之处，本项目将仔细比较碳纳米管和石墨烯光探测器的性能特征，将最适合于我们光互联方案的器件集成到我们最终的系统中。对于碳基阻变存储器件，我们前期的研究发现不论是石墨烯材料、碳纳米管，还是近非晶碳材料都可以观察到高达105-6的阻值变化。具体选择哪种材料需要综合考虑制备成本、最终器件的性能、稳定性和工艺的兼容性，但这几种碳基材料的制备对本项目组来讲都不陌生。存储器件单元拟首先采用结构紧密的1R1D(one resistor one diode)结构，外围的驱动电路采用硅基的传统读写电路。本项目在这个方向的研究重点在于探索硅基和碳基电路的有效结合。目前我们的小尺寸弹道器件的制备主要依赖电子束光刻设备。但碳基特别是碳纳米管器件的加工基本是一维的，一旦解决了材料可控生长的问题，传统的深紫外光刻和纳米压印设备都有望能够用于碳基器件的规模加工。此外Intel公司发展的用于加工10纳米以下器件的space gate technology也有可能被用于加工弹道碳基器件，摆脱对电子束光刻设备的依赖，达到增加效率、降低制备成本的目的。
（三）创新点与特色
虽然目前国际上碳基纳米电子学成为了倍受关注的研究方向，许多研究机构包括国际半导体路线图委员会也强烈推荐重点投资加强碳基纳米电子学的研究，但直到目前国际上尚没有一个成熟的后摩尔时代电子学发展的具体方案。我们研究方案的主要特色和创新性是无掺杂，无论前期提出的碳纳米管CMOS器件的集成方案还是本项目拟重点开展的碳基电子和光电子集成电路研究均将通过控制载流子的注入而不是掺杂来控制器件的性能。完全无掺杂的集成方案不但大大降低了整个工艺的复杂性和集成电路的加工成本，而且还可以避免传统半导体技术在纳米尺度由于掺杂而导致的一系列均匀性和稳定性等方面的问题，使得本项目的技术方案有很大的成功的可能性。相较于传统的半导体材料，碳纳米管不仅具有极为优秀的电学特性，还是直接带隙半导体，拥有很好的光电转换效率和电
致发光效率，因此是电子/光电子特性结合完美的半导体材料，本项目的另一个重要的特色就在于充分利用碳基材料（特别是碳纳米管）独特的能带结构，实现电子/光电子器件和电路的有效集成，从而将大大扩展系统的功能。
（四）可行性分析
前期项目的实施使得我们在碳基纳米结构的可控生长和拟开展的4个从器件到电路的研究方向都有了一定的积累，为本项目下一步的具体实施打下了坚实的基础。前期项目的工作表明我们的无掺杂方案对于单个器件（包括n型FET、p型FET，发光二极管和光电二极管）是可行的，对于最简单的CMOS电路（反相器）也是可行的。对于更复杂的电路和系统，虽然我们已经遇到了一系列技术上的挑战，但从目前的经验来看，这些技术难点原则上都是可以克服的，在本项目5年的执行期内制备出中等规模的无掺杂碳基集成电路的可能性是很大的。
四、年度计划
一、研究内容
本项目最终的目标是低成本、高性能、低功耗、多功能碳基芯片。本项目将围绕着这个最终目标，在碳基及相关材料、器件制备及相关物理、系统集成等几个方向展开研究。主要研究内容包括：
（一）碳基纳电子材料
微电子产业的巨大成功在很大程度上应归功于硅材料近乎完美的制备和加工工艺。碳基纳米电子学发展的前提也是碳纳米材料，特别是碳纳米管材料的可控制备和加工。碳纳米管基集成电路的制备要求高质量的直径大约在1.5±0.3 nm 的半导体性单壁碳管在绝缘基底上的平行和间距可控的生长。对于纳米电子学器件研究同等重要的是合适的电极（包括接触电极和非接触的栅极）材料的探索，高效率和高性能的栅介质材料的研究。碳基器件的特殊性在于碳纳米管和石墨烯材料表面的化学活性都不太强，这保证了碳基器件的稳定性，但给高效栅介质材料的生长带来了很大的困难。适合于碳基器件的高效栅介质材料的探索也将构成本项目重要的材料研究内容。
（二）碳基纳电子器件及集成技术
我们前期的工作证明了对于碳纳米管器件，我们可以完全放弃掺杂，通过控制载流子的注入来实现n型和p型器件。这个无掺杂工艺极大地降低了碳纳米管CMOS集成工艺的复杂性。但直到目前为止我们仅仅制备出了最为简单的CMOS 电路-反相器。从单个器件到复杂电路将要面临巨大的技术挑战，其中最重要的就是单个器件的阈值电压，或工作点的控制问题。这个工作点受到了一系列因素的影响，其中包括栅介质的质量以及和碳纳米管的界面情况等。在纳电子器件和电路研究方面，本项目将重点解决这些器件规模集成所面临的问题，探索弹道对称CMOS电路在数字逻辑电路中的优势。量子电容和电感在高频下对碳基器件和互联的影响，利用量子电容和动能电感设计出新型的无源射频器件和电路也将是本项目拟开展的研究内容。
2011年NSFC医学科学部项目申请常见问题解答(New) 来源：Dept.of Health Sciences 作者：Dept.of Health Sciences日期：2011-01-17 一、概述 1、医学科学部资助哪些研究？ 医学科学部资助针对机体细胞、组织、器官和系统的形态、结构、功能、发育、遗传和免疫异常以及疾病发生、发展、转归、诊断、治疗和预防等开展的基础研究和应用基础研究。有关正常的结构、功能和发育等的项目申请等请参看生命科学部的项目指南。 2、医学科学部的申请代码体系有哪些特点？ 申请代码体系的基本特点是： (1) 一级申请代码是以器官系统为主线，从科学问题出发，将基础医学和临床医学相融合，把各“学科”共性的科学问题放在一个评审体系中，改变了传统的“学科”和“临床科室”的概念； (2) 二级申请代码按照从基础到临床，从结构、功能及发育异常到疾病状态的顺序进行设立，兼顾疾病相关的基础研究和应用基础研究，统筹考虑各系统内的结构、功能及发育异常与先天性疾病、遗传性疾病、免疫相关性疾病、炎症与感染、移植等各研究领域的科学问题。 3、医学科学部一级申请代码有哪些？ 答：医学科学部现共设31个一级申请代码及相应的二级申请代码。一级代码包括呼吸系统、循环系统、消化系统、生殖系统/围生医学/新生儿、泌尿系统、运动系统、内分泌系统/代谢和营养支持、血液系统、神经系统和精神疾病、皮肤及其附属器官、医学免疫学、眼科学、耳鼻咽喉头颈科学、口腔颅颌面科学、急重症医学/创伤/烧伤/整形、肿瘤学、康复医学、影像医学与生物医学工程、医学病原微生物与感染、检验医学、特种医学、放射医学、法医学、地方病学/职业病学、老年医学、预防医学、中医学、中药学、中西医结合、药物学和药理学。 4、申报医学科学部项目，在选择新的申请代码方面需要注意哪些问题？ 答：申请人应认真查询医学科学部一级申请代码并选择相应的二级申请代码。特别应注意一些新的学科申请代码，如新生儿疾病列入生殖系统/围生医学/新生儿(H04)申请代码，儿科其他科学问题请选择其相应系统的申请代码；医学科学部单独设立肿瘤学学科，各类肿瘤相关科学问题均请选择肿瘤学(H16)相应的二级申请代码〔白血病和肿瘤流行病学除外，白血病列入血液系统(H08)，肿瘤流行病学列入非传染病流行病学(H2610)〕，否则不予受理；性传播性疾病请选择病原微生物与感染(H19)相应的申请代码；老年医学(H25)仅受理涉及老年多器官衰老/疾病及病理生理过程等老年医学共性的科学问题，单一器官和系统的老年医学科学问题请选择其相应器官或系统的申请代码；放射医学(H22)主要涉及放射病理、放射防护及非肿瘤放射治疗领域，肿瘤放射治疗请选择肿瘤学(H16)的肿瘤物理治疗申请代码。各一级申请代码下所设置的“……其他科学问题”的二级申请代码，仅受理相应一级申请代码下其他二级申请代码不能涵盖的科学问题(不含肿瘤学)的申请。 5、医学科学部鼓励申请人进行哪些研究？
项目名称：高可靠性氮化镓基半导体发光二极管材料技术及应用 主要完成人：陆卫，张涛，张波，陈效双，王少伟，冯雅清完成单位：中国科学院上海技术物理研究所、上海蓝宝光电材料有限公司 奖种与等级：国家技术发明二等奖 本项目属于材料科学领域，所涉及的材料是近10 年来发展起来用于照明的新型发光材料，即氮化镓基发光二极管（LED）半导体材料，它在如空天和海上等特殊环境应用中面临的关键问题是材料的可靠性，包括来自材料缺陷影响问题、注入电流利用效率问题和应用中材料内部结温准确获取问题等。 本项目主要是通过一系列的技术发明解决这类材料在达到高可靠性特性方面的核心工艺与技术问题，特别是决定其发光效率的量子结构工艺优化途径提出，在特殊图形衬底上低缺陷外延材料制备工艺的实现，量子点结构模型提出及其对载流子注入效率量子结构改性工艺的实现，工艺评价的高精度材料特性检测方法突破等方面的系列性专利的有效实施，获得了高可靠性的氮化镓基发光二极管半导体材料及其应用。本项目的主要发明点是： 发明点1：发明了一种基于量子点效应进行氮化镓基半导体照明材料量子结构优化设计和离子注入热退火氮化镓基量子结构材料改性的新方法，与其他材料制备工艺方法的结合有效提升了这类材料的可靠性，解决了材料结构优化中模型准确性不足的普遍性难题，被国
际Crosslight 公司采纳后"在美国、欧洲、日本、中国等国家和地区获得了广泛应用"。 发明点2：发明了基于图形衬底外延生长的特定生长工艺，有效地降低了材料刃型位错、螺旋型位错等各种缺陷密度，提升了LED 器件量子效率，适用于非良好散热环境下高可靠性工程应用，使得"该发光材料已经在可靠性上满足了恶劣环境中建筑照明工程应用需求"。 发明点3：发明了非接触式发光波长移动法实现的高精度结温测量方法，在国际上解决了材料封装在工程应用的灯具内结温高精度测量的难题，为获得高可靠性氮化镓基半导体照明材料提供了材料优化和筛选的必要手段。 上述发明点形成授权国家发明专利17 项，发表SCI 论文10 篇，他引30 次。 发明点的实际应用效果表明这些材料所具有的高可靠性使得我国成为在国际上首次成功实现氮化镓基LED 白光照明的空间应用，在实践卫星上成功完成白光照明的空间飞行任务，比美国公布的半导体照明空天应用研究状态在时间上至少提前了4 年，被认为"在可靠性上满足了航天应用需求，在国际上先行了一步"。 同时鉴于材料体系高可靠性技术突破，实现了中高端发光二极管年产量达1950KK 粒规模的生产能力，近3 年达到产值4.795 亿元人民币，推动了产能扩建投资项目总额约14.9 亿人民币。这些材料还成功地应用于多个市政工程，包括上海东海大桥照明、世博会新闻发
公共建设项目可行性研究报告 编制与审查要点 （试行）
1 总则 1.1为指导公共建设项目可行性研究报告的编制与审查，提高公共建设项目可行性研究报告的科学性和实用性，为初步设计及后续各个建设阶段的工作服务，有效控制项目规模和建设投资，发挥项目的经济效益和社会效益，特制定本要点。 1.2 本要点所称公共建设项目指：行政办公用房、文化娱乐场馆、体育场馆、医疗卫生设施、教育科研设计机构用房、文物古迹和革命纪念建筑、城市通信设施、外国使领馆等。 1.3 适用范围。 1.3.1 本要点适用于编制与审查人员进行公共建设项目可行性研究报告的政策性、完整性、技术性编制与审查；对于一般公共建设项目可行性研究报告的编制与审查，除应依据本要点的条款外，尚应依据有关行业标准、现行规范及具体工艺的要求进行； 1.3.2 本要点适用于咨询设计人员进行公共建设项目可行性研究报告的编制。 1.4承办单位报请公共建设项目可行性研究报告审查的资料应包括以下主要内容。 1.4.1经盟市、旗县发展和改革委员会（局）签发的申请报告； 1.4.2经业主签章的建筑方案设计确认单； 1.4.3 需审查的公共建设项目可行性研究报告应为标准A4#本一式八份； 1.4.4审查需要提供其他的批准文件、附件及资料等。 1.5 公共建设项目可行性研究报告编制与审查应满足以下要求： 1.5.1 文本格式规范，附图、附表、附件齐全； 1.5.2 文本结构完整，内容齐全；数据准确，论据充分；结论明确； 1.5.3 建设项目符合国家现行政策和其他有关工程建设强制性标准； 1.5.4 文本达到规定的编制深度要求；能够满足投资决策和编制初步设计的需要；1.5.5 编制依据可靠； 1.5.6 建设规模、装修标准及内容符合国家现行政策； 1.5.7 表述形式做到数字化、图表化； 1.5.8 建筑方案设计应节能、实用、经济、美观； 1.5.9 结构方案设计应安全、经济、合理； 1.5.10 设备方案设计应节能、经济、可行；
GaN基半导体材料发展历史和现状 20世纪90年代中期，日本日亚化学公司的Nakamura等人经过不懈努力突破了制造蓝光LED的关键技术。GaN基蓝色LED的出现，大大扩展了LED的应用领域，从此掀开了第三代半导体材料GaN基半导体照明的革命。 GaN材料具有许多Si基半导体材料所不具备的优异性能，具有禁带宽度大、高电子漂移饱和速度、导热性能好、化学稳定性高等优点,比较适合用于雷达、导弹、通信、潜艇、航空航天及石油、化工、钻探、核电站等领域的电子设备,对于抗辐射、耐高温、高频、微波、大功率器件,尤其是利用其大的禁带宽度制作的蓝色、绿色、紫外发光器件和光探测器件,具有极大地发展空间和广阔的应用市场GaN半导体材料。 衬底材料的选择 [1]结构特性好，外延材料与衬底的晶体结构相同或相近、晶格常数失配度小、结晶性能好、缺陷密度小； [2]界面特性好，有利于外延材料成核且黏附性强； [3]化学稳定性好，在外延生长的温度和气氛中不容易分解和腐蚀； [4]热学性能好，包括导热性好和热失配度小； [5]导电性好，能制成上下结构； [6]光学性能好，制作的器件所发出的光被衬底吸收小； [7]机械性能好，器件容易加工，包括减薄、抛光和切割等； [8]价格低廉； [9]大尺寸，一般要求直径不小于2英吋。 GaN器件目前存在的问题 GaN材料折射率（2.5），高于蓝宝石衬底（1.7）以及外部封装树脂（1.5） Snell定律è临界角23度 有源区产生的光子在GaN 上下界面发生多次全反射，严重降低器件的光提取效率。 大量不能出射的光转化为热能，提高节温，加剧晶格振动，影响内部量子效率，降低寿命。 提高外量子效率的方法 在p 型GaN材料或铟锡氧化物（ITO）层表面制作二维结构来提高器件的光提取效率； 在蓝宝石衬底的底面制作类似透镜阵列的结构来提高底面的光提取效率； 在蓝宝石衬底制作二维结构，然后生长GaN材料制作成器件。patterned sapphire substrates 研究表明，第三种方法同时具有提高内量子效率和提取效率的效果。 相对于普通蓝宝石衬底，在PSS衬底上生长氮化镓外延层可以减少外延缺陷，外延层晶体质量明显提高。另外，当光从外延层进入图形衬底时，会形成反射，从而改善GaN基发光二极管出光率。
第3章集成电路中的器件结构 3．1 电学隔离的必要性和方法 第2章中给出了二极管、双极型晶体管和MOS场效应晶体管的截面剖图(见图2—14、图2—19和图2—31)。图中显示了这些器件的主要特征，但这种结构不能直接用于集成电路之中，在集成电路中它们的结构要复杂得多。 一块集成电路中含有百万以至千万个二极管、晶体管以及电阻、电容等元件，而且它们都是做在一个硅芯片上，即共有同一个硅片衬底。因此，如果不把它们在电学上一一隔离起来，那么各个元器件就会通过半导体衬底相互影响和干扰，以至整个芯片无法正常工作，这是集成电路设计和制造时首先要考虑的问题。为此要引入隔离技术，然后在隔离的基础上根据电路要求把相关的各元器件端口连接起来，以实现电路的功能。 在现代集成电路技术中，通常采用以下两种电学隔离方法：①通过反向PN结进行隔离；②采用氧化物(二氧化硅)加以隔离。这两种方法能较好地实现直流隔离，其缺点是都会增加芯片面积并引入附加的电容。 现以MOS管为例说明反向PN结的隔离作用。如在一个硅片衬底上有两个N沟 MOS管，其结构与PN结的隔离作用见图3～1。 图3一l PN结隔离作用 在每个N沟MOS管的源与衬底之间加一负偏压或将两者直接短路后接地，就可防止电流流向衬底。同时由于两管的漏端总是处于正电压，漏与衬底结处于反向，沟道与衬底之间也形成一反向结，因此两个MOS管之间在电学上也就被隔离。 这是MOS场效应晶体管在结构上的一个固有优点，即可以利用MOS管本身的PN结实现隔离而不需增加新的PN结。 对于双极型晶体管常采用氧化物隔离方法，即在形成三极管区域的四周构筑一隔离环，该隔离环为二氧化硅绝缘体，因而集成电路中的各个三极管之间，以及各三极管与其他元件(如电阻、电容等)之间是完全电隔离的。氧化物隔离的示意图见图3—2。图中有两个三极管，每个三极管四周被二氧化硅所包围，因而这两个三极管在电学上完全被隔离，其横截面图将示于3．3节中
政府投资项目投资概算评审要点分析 发表时间：2019-04-25T10:30:09.407Z 来源：《建筑学研究前沿》2018年第36期作者：王丽娟[导读] 本文重点论述投资概算重要性，分析超概若干原因并提出几点建议，为相关单位提供一些借鉴。 中冶南方工程技术有限公司广州设计院广东广州 510730 摘要：当前，各地基础设施和公用事业建设项目基本由财政资金建设，一般列为政府投资项目。为了使政府投资项目取得预期经济社会效益，就要严控投资，特别是对投资概算进行优化控制，改善资金配置和利用方式，避免出现投资概算超额、超规模情况。本文重点论述投资概算重要性，分析超概若干原因并提出几点建议，为相关单位提供一些借鉴。 关键词：政府投资项目；投资概算；评审要点分析 引言 随着我国经济的不断发展和人民生活水平的不断提高，国家及当地政府部门支持建设项目也日益增多。这些项目具有共同的特点就是：体量大、功能复杂、工期长、投资高等。这些是给建设单位带来管理的不利因素。而现形势下，相关部门要求建设单位必须严格按照立项计划的资金及规模进行建设。坚决杜绝超概、超规模等现象发生！以上这些都给建设单位的管理工作带来严峻的考验！要想建设出符合投资及面积规定的优秀作品，必须要做好限额设计的工作！本文对投资概算在政府投资建设项目中重要性进行了阐述。 1投资概算在政府投资项目中的重要性 1.1从宏观看，有助于国家经济及投资管控 我国公共设施建设相对比较滞后，为了推动经济社会和生态文明建设同步发展，越来越多财政资金投向基础设施和公共服务建设领域。政府投资效益需要通过投资概算进行合理控制和评价。建设实施过程中，通过实际投资与投资概算的参照比对，可发现项目实施过程中的具体问题，深度剖析项目投资管控状态，从而综合形成政府投资项目整体绩效评价，提升经济和投资管控水平。 1.2从行业看，有助于促进概算行业水平提升和发展 一方面，与传统投资概算相比，现代化概算范围已延伸到经营管理概算层面，投资概算目的扩大到防护性和建设性概算编制。另一方面，随着计算机技术和信息水平提高，现代化概算手段也变得多样快速和高效快捷。这些趋势变化，符合政府投资项目管理的内在要求。政府投资项目概算要求越来越高，倒逼行业人员努力创新概算编制方法和理论体系，优化手段来提升投资项目概算水平，从而保障项目投资制约和监督作用。1.3从项目看，有助于确保项目实施合法合规和提升效益通过投资概算执行履行情况来评估政府投资项目建设成效、工期进度等，有助于提升政府投资项目的真实性和合法性，强化政府投资项目监督管理，推进项目依规依计划实施。从另一角度看，也是强化监督政府有关部门在投资项目中的履职行为，避免寻租行为，确保政府投资效益，提高项目经济效益和社会价值。 2政府投资项目概算评审的要点分析 2.1项目概算编制依据评审 项目概算编制的依据直接影响项目概算编制工作的质量，因此要提高项目概算编制的可靠性，就要对项目概算编制的依据进行评审，审查的内容主要包括国家相关部门的各种规定、办法以及地方投资主管、建设、财政等部门提出的取费标准、打折规定等。审查工作的重点包括合法性、时效性以及适应性。 2.2设计概算编制完整性评审 设计概算文件包括概算书封面、签章页、编制说明、建设项目总概算表、工程建设其他费用表、单项工程综合概算表、单位工程概算表等内容。概算完整性评审主要是审查概算文件各部分内容是否齐全，概算内容和设计是否一致，是否有漏项，提交的纸质资料是否打印齐全、无格式错误和漏页等。 2.3设计概算工程量评审 工程量计算是否准确是设计概算编制准确的重要前提，在评审过程中，工程量的计算至关重要。应按设计图纸、工程量计算规则以及分部分项工程项目的划分逐项进行，对照设计提报工程量，对比评审计算出的主要工程量，评审申报概算是否有遗漏和重算、多算的项目工程量。 2.4概预算定额子目的套用 定额子目的正确套用是审定工程造价的关键工作之一，评审的重点就是对照工程建设内容、建设工序，审查申报概算选用定额子目是否正确、适用，借用定额子目是否和实际相匹配。 2.5工程建设其他费用的评审 工程建设其他费用也是初步设计概算的重要组成部分，地位与作用不可忽视。评审时要针对不同项目结合工程具体情况、文件适用条件、计算标准取定，不发生不计算的原则进行。 比如：征地拆迁费。在概算阶段，部分工程涉及的入户摸底调查工作尚未开展，评估价格尚未确定，因此，概算阶段征地拆迁费用的评审重点应该是申报征地拆迁的工程量是否准确，征地费价格是否符合省、市、区政府提出的征地补偿费标准。 3如何做好设计阶段工程概算工作的分析 3.1?增强工程项目概算人员综合水平 概算工作要想取得好成效，就应对其编制者具有严格的要求，要求其具备强大责任意识，在具体操作期间如果编制人员不具备责任意识将导致失误返工现象出现，进而不但会造成人力、物力及财力资源的大量浪费，还会延长设计概算的提交时间，导致工期的延长。由于政府投资的建筑工程类型及可能对其产生影响因素是极其复杂多变的，即便是具有丰富概预算经验的编制者也难免出现一些无法解决问题，因而这就需要概算人员能够不断阅读了解最新概算方面知识内容，极大限度拓宽自身知识面掌握程度，并且还要积累宝贵实践经验，从而全面提升自身综合素质水平。 3.2?概算人员应当做好概算与估算的对照比较
集成电路中双极性和CMOS工艺流程 摘要：本文首先介绍了集成电路的发展，对集成电路制作过程中的主要操作进行了简要 讲述。双极性电路和MOS电路时集成电路发展的基础，双极型集成电路器件具有速度高、驱动能力强、模拟精度高的特点，但是随着集成电路发展到系统级的集成，其规模越来越大，却要求电路的功耗减少，而双极型器件在功耗和集成度方面无法满足这些方面的要求。CMOS电路具有功耗低、集成度高和抗干扰能力强的特点。文章主要介绍了双极性电路和CMOS电路的主要工艺流程，最后对集成电路发展过程中出现的新技术新工艺以及一些阻 碍集成电路发展的因素做了阐述。 关键词：集成电路，双极性工艺，CMOS工艺 ABSTRACT This paper first introduces the development of integrated circuits, mainly operating in the process of production for integrated circuits were briefly reviewed. Bipolar and MOS circuit Sas the basis for the development of integrated circuit. Bipolar integrated circuits with high speed, driving ability, simulated the characteristics of high precision, but with the development of integrated circuit to the system level integration, its scale is more and more big.So, reducing the power consumption of the circuit is in need, but bipolar devices in power consumption and integration can't meet these requirements. CMOS circuit with low power consumption, high integration and the characteristics of strong anti-interference ability. This paper mainly introduces the bipolar circuit and CMOS circuit the main technological process.finally, the integrated circuit appeared in the process of development of new technology and new technology as well as some factors hindering the development of the integrated circuit are done in this paper. KEY WORDS integrated circuit, Bipolar process, CMOS process
附件6 信息科学部重大项目指南 2019年信息科学部拟资助6个重大项目。项目申请人申请的直接费用预算不得超过2000万元/项。 - 1 -
“重大耗能设备智能系统基础理论与关键技术” 重大项目指南 面向节能减排国家重大需求，针对重大耗能设备异常工况频发、能耗高等难题，开展重大耗能设备智能系统基础理论与关键技术的研究及应用验证，取得具有国际影响力的创新性成果，在确保产品质量的同时显著降低能耗，为工业节能减排提供技术支撑，形成具有国际影响力的工业人工智能研究团队。 一、科学目标 围绕重大耗能设备运行工况感知、物质转化过程智能建模、智能决策与控制优化集成、智能系统设计等方向开展研究，提出多源异构数据与机理分析相结合的运行工况识别方法、重大耗能设备物质转化过程的智能建模方法、智能决策与控制集成优化方法和智能系统设计方法，建立重大耗能设备的智能系统基础理论和设计方法，在重大耗能设备进行应用验证，使单吨合格产品的能耗指标达到国际先进水平。 二、研究内容 （一）运行工况的智能感知。 针对重大耗能设备运行过程中异常工况复杂多变等问题，研究多传感器动态感知、基于机器学习的异常工况识别规则的提取，并提出基于多源异构信息动态感知的异常工况识别方法。 （二）重大耗能设备物质转化过程的智能建模。 - 2 -
针对重大耗能设备物质转化过程，研究机理建模与机器学习相结合的智能建模方法，并对物质转化过程进行动态仿真，进而预报单吨能耗。 （三）智能优化决策与过程控制一体化。 针对重大耗能设备运行优化问题，研究多冲突目标智能优化、自优化校正、高性能智能控制等关键技术，提出智能优化决策与控制一体化系统架构与设计方法。 （四）重大耗能设备智能系统研发与关键技术验证。 研发重大耗能设备智能系统，建立实验平台，并验证相关的关键技术，显著降低设备能耗，单吨能耗指标达到国际先进水平。 三、申请要求 申请书的附注说明选择“重大耗能设备智能系统基础理论与关键技术”，申请代码1选择F0310。 - 3 -
新型垂直结构氮化镓基半导体LED生产工艺 大功率半导体发光二极管具有取代白炽灯的巨大前途，但是，首先要解决技术上的问题。半导体发光二极管的几何结构包括两类：横向结构和垂直结构。以蓝宝石为生长衬底的横向结构的大功率氮化镓基半导体发光二极管的主要问题包括散热效率低，电流拥塞，电流密度低，和生产成本高。为解决横向结构的大功率氮化镓基半导体发光二极管的散热问题，倒装焊技术被提出。但是，倒装焊技术工艺复杂，生产成本高，以碳化硅晶片为原始生长衬底的传统的垂直结构的氮化镓基半导体发光二极管的两个电极分别在生长衬底的两侧，具备优良的散热效率，电流分布均匀，电流拥塞改善，电流密度增大，充分利用发光层的材料等优点。但是，碳化硅晶片成本极高。以蓝宝石为原始生长衬底的传统的垂直结构的氮化镓基半导体发光二极管的两个电极分别在支持衬底的两侧，该发光二极管具备散热效率高，电流分布均匀，电流拥塞改善，电流密度增大充分利用发光层的材料，光取出效率提高等优点。蓝宝石是电绝缘材料，因此需要剥离生长衬底。但是，剥离技术尚不成熟，有待进一步完善。因此，需要新型垂直结构的氮化镓基半导体发光二极管及其低成本的批量生产的工艺方法，同时避免上面提到的缺点。 新型垂直结构的氮化镓基半导体发光二极管的第一电极和第二电极分别层叠在氮化镓基外延层的两侧，因此具有传统的垂直结构的氮化镓基半导体发光二极管的优点。 新型垂直结构的氮化镓基半导体发光二极管的第一电极和第二电极层叠在生长衬底的同一侧，因此，不需要剥离生长衬底。 新型垂直结构的氮化镓基半导体发光二极管的低成本的批量生产的主要工艺步骤如下：在生长衬底上，层叠中间媒介层，生长氮化镓基外延层，在氮化
教你认识如何看懂集成电路的线路图 集成电路应用电路图功能集成电路应用电路图具有下列一些功能： ①它表达了集成电路各引脚外电路结构、元器件参数等，从而表示了某一集成电路的完整工作情况。 ②有些集成电路应用电路中，画出了集成电路的内电路方框图，这时对分析集成电路应用电路是相当方便的，但这种表示方式不多。 ③集成电路应用电路有典型应用电路和实用电路两种，前者在集成电路手册中可以查到，后者出现在实用电路中，这两种应用电路相差不大，根据这一特点，在没有实际应用电路图时可以用典型应用电路图作参考，这一方法修理中常常采用。 ④一般情况集成电路应用电路表达了一个完整的单元电路，或一个电路系统，但有些情况下一个完整的电路系统要用到两个或更多的集成电路。 .集成电路应用电路特点集成电路应用电路图具有下列一些特点： ①大部分应用电路不画出内电路方框图，这对识图不利，尤其对初学者进行电路工作分析时更为不利。 ②对初学者而言，分析集成电路的应用电路比分析分立元器件的电路更为困难，这是对集成电路内部电路不了解的原缘，实际上识图也好、修理也好，集成电路比分立元器件电路更为方便。 ③对集成电路应用电路而言，大致了解集成电路内部电路和详细了解各引脚作用的情况下，识图是比较方便的。这是因为同类型集成电路具有规律性，在掌握了它们的共性后，可以方便地分析许多同功能不同型号的集成电路应用电路。 .集成电路应用电路识图方法和注意事项分析集成电路的方法和注意事项主要有下列几点：(1)了解各引脚的作用是识图的关键了解各引脚的作用可以查阅有关集成电路应用手册。知道了各引脚作用之后，分析各引脚外电路工作原理和元器件作用就方便了。例如：知道①脚是输入引脚，那么与①脚所串联的电容是输入端耦合电路，与①脚相连的电路是输入电
GaN基材料特性、所制器件、器件研究及其研究发展 1.引言： （1）GaN是极稳定、坚硬的高熔点材料，熔点约为1700℃，GaN具有高的电离度，在Ⅲ—Ⅴ族化合物中是最高的（0.5或0.43）。在大气压力下，GaN晶体一般是六方纤锌矿结构。它在一个无胞中有4个原子，原子体积大约为GaAs的一半。是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SiC、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP 化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。因其硬度高，又是一种良好的涂层保护材料。下面我们来了解下GaN的化学特性、电学特性和光学特性。 （2）氮化镓（GaN）基半导体材料是继硅和砷化镓基材料后的新一代半导体材料，被称为第三代半导体材料，它具有宽的带隙，优异的物理性能和化学性能。氮化镓基激光器的波长可以覆盖从紫外光到可见光这样一个很宽的频谱范围，氮化镓基激光器在光信息存储、光显示、激光打印、激光全色显示、大气环境检测等领域有着重要的应用前景和巨大的市场需求。 （3）以GaN基半导体低维电子体系和光子体系为主要对象, 通过GaN基大失配异质结构的外延和精细微加工，探索和研究GaN基半导体中电子和光子的行为及其相互作用，解决国家经济建设和国防建设有重大需求的 GaN基光电子器件（包括短波长发光二极管(LED)、激光二极管(LD)和紫外光探测器）和微电子器件(主要为高温、高功率微波晶体管)研制与应用中的关键科学与技术问题，推动宽禁带半导体光电子学和微电子学的发展。 （4）GaN基LED以其寿命长、耐冲击、抗震、高效节能等优异特性在图像显示、信号指示、照明以及基础研究等方面有着极为广泛的应用前景，成为半导体领域的研究热点，国内外很多科研机构和企业先后开展了GaN基材料、器件的相关研究，在材料质量、器件指标等方面取得了重要进展。同时对GaN基LED的可靠性也进行了比较深入的研究。 2.正文： 一．GaN的材料特性 1、GaN的化学特性 在室温下，GaN不溶于水、酸和碱，而在热的碱溶液中以非常缓慢的速度溶解。NaOH、H2SO4和H3PO4能较快地腐蚀质量差的GaN，可用于这些质量不高的GaN晶体的缺陷检测。GaN在HCL或H2气下，在高温下呈现不稳定特性，而在N2气下最为稳定。 2、GaN的电学特性 GaN的电学特性是影响器件的主要因素。未有意掺杂的GaN在各种情况下都呈n型,最好的样品的电子浓度约为4×1016/cm3。一般情况下所制备的P型样品，都是高补偿的。据有关研究人员报告GaN最高迁移率资料在室温和液氮温度下分别为μn=600cm2/v?s和μn=1500cm2/v?s，相应的载流子浓度为n=4×1016/cm3和n=8×1015/cm3。近年报导的MOCVD沉积GaN层的电子浓度数值为4×1016/cm3、<1016/cm3；等离子启动MBE的结果为8×103/cm3、<1017/cm3。未掺杂载流子浓度可控制在1014～1020/cm3范围。另外，通过P型掺杂工艺和Mg的低能电子束辐照或热退火处理，已能将掺杂浓度控制在1011～1020/cm3范围。 3、GaN的光学特性
行业资料：________ 基建工程施工单位资质审查管理要点 单位：______________________ 部门：______________________ 日期：______年_____月_____日 第1 页共11 页
基建工程施工单位资质审查管理要点 1范围 本标准规定了华能xx电厂（以下简称“电厂”）电厂基建工程施工单位的资质审查管理工作、管理内容与要求。 本标准适用于电厂基建工程施工单位资质审查的安全管理。 2规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。 华能集团公司电力建设项目安全管理办法 华能集团公司外包工程安全管理办法 华能国际电力股份有限公司电力建设项目安全生产管理办法 3 术语和定义 3.1 施工单位：泛指承担电厂基建工程的土建、安装、调试等项目的单位。 3.2 分包 3.2.1 分(发)包企业将其依法承包的工程项目的一部分专业项目或该工程的建筑劳务发包给分(承)包企业，由该分(承)包企业负责完成其约定承包范围内的工作内容的行为; 第 2 页共 11 页
3.2.2 建筑施工企业使用非本企业的成建制劳务人员完成建筑劳务活动的行为。 4职责 4.1施工单位的职责 4.1.1应当依法取得相应等级的资质证书，并在其资质等级许可的范围内承揽工程。 4.1.2禁止施工单位超越本单位资质等级承揽工程或者以其他施工企业的名义承揽工程，禁止施工单位允许其他单位或者个人以本单位的名义承揽工程。 4.1.3施工单位不得转包或者违法分包工程。 4.2电厂的职责 4.2.1根据工程项目审查相关施工单位的施工资质等级和主要负责人、项目责任人、技术人员和作业人员技术素质应符合项目的要求，不得降低标准，简化手续，逾期不办； 4.2.2监督审核施工承包单位施工机械（包括租用、借用、雇用、外协等）安装(拆除)资质证、操作许可证及安全设施的合格证和检测、验收、准用手续。 4.2.3监督审核施工单位上报的允许分包的项目和劳务分包是否符合相关规定。 5管理内容与要求 5.1施工单位需提供下列资料 5.1.1有关部门颁发的营业执照和施工资质证书原件； 5.1.2法人代表授权委托书； 第 3 页共 11 页
电子元件基础认识第三章：各种集成电路简介 电子元件基础认识(三) ［作者：华益转贴自：本站原创点击数：7832 更新时间：2005-3-27 文章录入：华益］ 第三章：各种集成电路简介 第一节三端稳压IC ? ? 电子产品中常见到的三端稳压集成电路有正电压输出的78××系列和负电压输出的79××系列。故名思义，三端IC是指这种稳压用的集成电路只有三条引脚输出，分别是输入端、接地端和输出端。它的样子象是普通的三极管，TO-220的标准封装，也有9013样子的TO-92封装。 ? ? 用78/79系列三端稳压IC来组成稳压电源所需的外围元件极少，电路内部还有过流、过热及调整管的保护电路，使用起来可靠、方便，而且价格便宜。该系列集成稳压IC型号中的78或79后面的数字代表该三端集成稳压电路的输出电压，如7806表示输出电压为正6V，790 9表示输出电压为负9V。 ? ? 78/79系列三端稳压IC有很多电子厂家生产，80年代就有了，通常前缀为生产厂家的代号，如TA7805是东芝的产品，AN7909是松下的产品。（点击这里，查看有关看前缀识别集成电路的知识） ? ? 有时在数字78或79后面还有一个M或L，如78M12或79L24，用来区别输出电流和封装形式等，其中78L调系列的最大输出电流为10 0mA， 78M系列最大输出电流为1A，78系列最大输出电流为1．5A。它的封装也有多种，详见图。塑料封装的稳压电路具有安装容易、价格低廉等优点，因此用得比较多。 79系列除了输出电压为负。引出脚排列不同以外，命名方法、外形等均与78系列的相同。 ? ? 因为三端固定集成稳压电路的使用方便，电子制作中经常采用，可以用来改装分立元件的稳压电源，也经常用作电子设备的工作电源。电路图如图所示。 ? ? 注意三端集成稳压电路的输入、输出和接地端绝不能接错，不然容易烧坏。一般三端集成稳压电路的最小输入、输出电压差约为2V，否则不能输出稳定的电压，一般应使电压差保持在4-5V，即经变压器变压，二极管整流，电容器滤波后的电压应比稳压值高一些。 ? ? 在实际应用中，应在三端集成稳压电路上安装足够大的散热器（当然小功率的条件下不用）。当稳压管温度过高时，稳压性能将变差，
1.绪论 20世纪90年代以来，由于异质外延缓冲层技术的采用和GaN的P型掺杂技术的突破，从而开辟了GaN通向实际应用的光辉大道，引发了全世界GaN研究的热潮，并已取得了辉煌的成绩。GaN超高亮度蓝、绿光LED已实现商品化。目前研发竞争的焦点主要集中在蓝光LD方面，以及大功率高温半导体器件和微波器件用的材料研制和器件制备技术方面。以GaN为代表的第三代半导体材料被誉为IT产业新的发动机。GaN材料具有许多硅基材料所不具备的优异性能，包括能够满足大功率、高温、高频和高速半导体器件的工作要求。它最重要的物理特点是具有比第一、二代半导体材料更宽的禁带，可以发射波长更短的蓝光和紫光，因此，GaN器件可以广泛地应用于光显示、光存储、激光打印、光照明以及医疗和军事等领域。因此，近几年世界各国政府有关机构、相关企业以及风险投资公司都纷纷加大了对GaN基半导体材料及器件的研发投入。 1.1氮化镓材料的发展历程 自从1928年GaN首次合成，到1969年成功制备出了GaN单晶晶体薄膜，都一度给这种材料带来了新的希望。很长的一段时间以来，人们一直在寻求和研究GaN体单晶材料和其外延薄膜晶体的生长方法。由于氮化镓体单晶生长极其困难，且单晶直径太小，不能达到实用化的目的，而其薄膜晶体又因缺陷密度和本体施主浓度过高等原因，使Ⅲ族氮化物半导体材料和器件的进展缓慢，一直落后于SiC和ZnSe带隙半导体材料和器件的发展。进入20世纪90年代以后，随着异质外延技术的不断进步，采用缓冲层技术，现在已经可以在一些特定的衬底材料上外延生长得到质量较好的GaN外延层。另外，制备P型GaN的技术难题，也通过对搀入P型杂质的GaN进行低能电子束辐射或进行热处理得以解决。目前，对GaN及其相关Ⅲ族氮化物半导体研究的焦点已集中在蓝光LD及大功率高温半导体器件和微波用材料的研制和器件的制备方面。 1.2氮化镓材料的优势和应用 GaN材料具有许多硅基材料所不具备的优异性能，包括能够满足大功率、高温、高频和高速半导体器件的工作要求。由于具有优越性的特性，GaN材料以及基于GaN材料的各种器件在近十年中得到了系统和深入的研究。GaN材料主要应用于光学器件如发光二极管(LED)、半导体激光器(LD)、光探测器(PD)；电子器件如高电子迁移率晶体管(HEMT)、肖特基势垒场效应晶体管(MESFET)。
第一节三端稳压IC 电子产品中常见到的三端稳压集成电路有正电压输出的78××系列和负电压输出的79××系列。故名思义，三端IC是指这种稳压用的集成电路只有三条引脚输出，分别是输入端、接地端和输出端。它的样子象是普通的三极管，TO-220的标准封装，也有9013样子的TO-92封装。 用78/79系列三端稳压IC来组成稳压电源所需的外围元件极少，电路内部还有过流、过热及调整管的保护电路，使用起来可靠、方便，而且价格便宜。该系列集成稳压IC型号中的78或79后面的数字代表该三端集成稳压电路的输出电压，如7806表示输出电压为正6V，7909表示输出电压为负9V。 78/79系列三端稳压IC有很多电子厂家生产，80年代就有了，通常前缀为生产厂家的代号，如TA7805是东芝的产品，AN7909是松下的产品。（点击这里，查看有关看前缀识别集成电路的知识） 有时在数字78或79后面还有一个M或L，如78M12或79L24，用来区别输出电流和封装形式等，其中78L调系列的最大输出电流为100mA，78M系列最大输出电流为1A，78系列最大输出电流为1．5A。它的封装也有多种，详见图。塑料封装的稳压电路具有安装容易、价格低廉等优点，因此用得比较多。79系列除了输出电压为负。引出脚排列不同以外，命名方法、外形等均与78系列的相同。 因为三端固定集成稳压电路的使用方便，电子制作中经常采用，可以用来改装分立元件的稳压电源，也经常用作电子设备的工作电源。电路图如图所示。 注意三端集成稳压电路的输入、输出和接地端绝不能接错，不然容易烧坏。一般三端集成稳压电路的最小输入、输出电压差约为2V，否则不能输出稳定的电压，一般应使电压差保持在4-5V，即经变压器变压，二极管整流，电容器滤波后的电压应比稳压值高一些。 在实际应用中，应在三端集成稳压电路上安装足够大的散热器（当然小功率的条件下不用）。当稳压管温度过高时，稳压性能将变差，甚至损坏。 当制作中需要一个能输出1．5A以上电流的稳压电源，通常采用几块三端稳压电路并联起来，使其最大输出电流为N个1．5A，但应用时需注意：并联使用的集成稳压电路应采用同一厂家、同一批号的产品，以保证参数的一致。另外在输出电流上留有一定的余量，以避免个别集成稳压电路失效时导致其他电路的连锁烧毁。 第二节语音集成电路 电子制作中经常用到音乐集成电路和语言集成电路，一般称为语言片和音乐片。它们一般都是软包封，即芯片直接用黑胶封装在一小块电路板上。语音IC一般还需要少量外围元件才能工作，它们可直接焊到这块电路板上。
建设单位申报项目审核要点 1、是否已完成勘察报告审查： 如选择：已完成勘察审查：请注意看下勘察报告审查完成情况：勘察报告审查机构填写的是否为审查机构，如果填写的是勘察单位，请打回建设单位修改。 2、申请免于审查机构遴选：如果选择项目的后续期工程、主体中的专项或配套工程，请建设单位提供证明文件，并至上传至经审查机构确认要递交的政府有关部门文件中。（前期或主体项目的备案表或审查合格书等）； 3、是否由本市审查机构审查，不参与遴选：选择“否”。（如果选择“是”请打回建设单位修改）；(重点) 4、是否实现政府购买施工图审查服务：如果实行政府购买并使用省厅的定点入围库，选择“是”；(重点)（由建设主管部门填写） 5、是否特殊项目：(重点)（由建设主管部门填写） （1）如未实行政府购买，统一选“否”； （2）如实行政府购买并使用省厅的库，并是以下三种情况中任何一种：①含绿色建筑的房屋建筑工程或②超限高层房屋建筑工程或③建筑面积≥10万平方米的房屋建筑工程，选择“是”，其他情况选“否”； 6、建设主管部门：请核实是否为管辖范围之内的项目，如果不是，请填写意见打回建设单位修改； 7、工程项目类别：房建工程或市政工程 工程项目类型：房建工程下面的类型可以多选； 市政工程下面的类型只能选择一项，不能多选（即有城市道路又有城市桥梁的项目类型只选择城市桥梁）； 请检查建设单位填写的类型是否有错。（具体审核标准请见附表1、
2）；(重点) 8、本次送审面积：请检查下是否和建筑单体之和相等，不相等可以打回建设单位修改； 9、房建工程规模或市政工程规模：请大家仔细对照附表1、2审核；(重点)
GaN基磁性半导体材料研究 摘要：磁性半导体材料与器件研究是自旋电子学研究中的一个重要方向，Mn掺杂GaN以及Fe掺杂GaN材料是磁性半导体材料研究领域的两个重要分支，本文中我们对这两个研究方向做了简要的分析与综述，同时我们用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）技术生长出Mn掺杂GaN材料以及Fe掺杂GaN材料，并对其结构以及磁学性能等进行了分析和讨论。 关键词：氮化镓室温铁磁性MOCVD 电荷是电子最基本的一个内禀属性，以电荷自由度为基础的传统电子学造就了现代半导体工业的辉煌。然而除了电荷，电子还具有另外一个内禀属性——自旋。在传统的电子学技术当中，电子的自旋特性并没有被充分利用。随着科学技术的进步，怎样有效的操控电子自旋从而设计新型的器件引起了科学家们的广泛关注，同时也促进了一门新的交叉学科——自旋电子学（Spintronics）的发展。作为自旋电子学材料的一个重要组成分类，磁性半导体是指由磁性过渡族金属元素或稀土金属元素部分替代半导体材料中的非磁性元素后所形成的一类新型化合物半导体材料。相对于传统的磁性材料而言，其磁性元素的含量比较少，所以又称之为稀释磁性半导体。稀释磁性半导体在自旋电子器件的实现上有着很大的优势，在晶体结构上，稀释磁性半导体的制备完全可以借鉴现有的半导体制备工艺技术，在材料生长过程中进行同质外延，生长出高质量的薄膜，足以满足器件要求；另一方面，晶格中磁性离子介入后，能带结构由于塞曼分裂而产生巨大的自旋劈裂，从而产生自旋极化电流，所以完全可以充当自旋极化电流的源层应用到自旋电子学器件当中去。 目前关于稀释磁性半导体磁性起源的理论主要可以分为两类。第一类理论立足于平均场近似的前提之上。该理论认为，磁性离子均匀随机的以替位形式进入半导体晶格当中，并通过某种均匀场的形式相互耦合，从而对外显现出宏观铁磁性。第二类理论把磁性的产生归功于晶格中磁性原子集结成的纳米团簇，主要是指含量极少的磁性金属颗粒以及其他相化合物。而对于不同方法制备的稀释磁性半导体材料，其结构相对有所不同，也就导致了其磁学、光学以及输运性质的不同。在第一类理论之中，由Dietl等人提出的基于Zerner模型的平均场理论[1，2]被普遍接受用以解释稀释磁性半导体的磁性来源。Zerner模型最初被用来解释稀土金属的磁性起源问题，该模型认为磁性的产生来源于巡游电子与局域自旋之间的交换作用。Dietl等人发现基于该模型并结合考虑等效平均场、以及极化载流子诱导的离子间交换耦合作用的各向异性之后，可以很好的解释GaMnAs、InMnAs等DMS材料的磁学行为，并能相对准确的验证此类DMS材料的居里温度。尤为重要的是，该理论结果指出，当材料中Mn离子浓度达到5%、空穴浓度达到1020cm-3之后，ZnO、GaN以及其他一些半导体材料可以表现出室温铁磁性。虽然相对于目前的实验技术，这些条件比较难以达到，但该理论仍然掀起了ZnO、GaN基等稀磁半导体的研究热潮。N化物半导体材料具有比较小的晶格常数，从而使得价带轨道与磁性离子之间产生很强的杂化效应。所以，在N 化物稀磁半导体材料内部，价带空穴和局域磁性离子间的自旋相关耦合相对比较大，而这种自旋相关的耦合效应正是载流子诱导的铁磁耦合的关键。 目前，GaN薄膜的制备方法主要有分子束外延技术（MBE，Molecular Beam Epitaxy），金属有机物化学气相外延技术（MOCVD，Metal Organic Chemical Vapor