1、样品名称：控制电路
背景：该芯片用于柜机室内电控盒组件上。生产线上检测的过程中，正版功能测试出现异常。故障集成电路程序教研室发生程序错乱。
失效模式：功能失效
失效原因：过压和闩锁
分析结论：过压或电压脉冲引起端口网络击穿和端口网络局部闩锁失效。
分析说明：样品端口游记不大电流过热的现象，但未见端口网络局部熔融，原因是失效样品端口有过电压或电压脉冲，引起端口网络击穿；电压脉冲也因其另一端口网络产生局部闩锁效应而产生大电流，从而导致金丝键合引线过热，芯片金属化过热和层间金属化短路的现象。
2、通信接口集成电路
背景：该电路作为信号通信接口，整机板有多只该型号样品，失效样品在班上具有特定的位置特征。是小样品在整机工艺线上的检测时发现信号通信异常。
失效模式：功能失效
失效原因：闩锁
分析结论：闩锁效应引起的过电流烧毁失效。
分析说明：失效样品封装塑料鼓起、破裂，并有焦黄的现象，说明是小样品曾经经过够电流而产生局部高温的过程；开封后可观察到芯片的大多数金丝、电源及多数段楼有大面积金属过热、烧焦或熔融现象，证明失效样品芯片时由于大电流导致过热烧毁。
3、频谱分析电路
背景;在温度循环试验中，多个频谱分析电路出现问题，是小钱累计工作时间120min。测量中使用了两个测控台，两个测控台不共地。在连续发生频谱分析电路失效后，后续的温度循环试验中，两个测控台采用了共地措施，并且将温度循环箱的接线口处进行了密封，清除了温箱内的结霜现象；采取这些措施以后，在进行温循环是没有再发生频谱分析电路的失效现象。
失效模式：参数异常
失效原因：静电和过电损伤
分析结论：失效是由静电击穿和电烧毁引起。
分析说明：测试证实了样品的失效模式，并排除水汽影响：是小样品均发现芯片上存在着不同程度的击穿和烧毁。失效部位主要集中在芯片中靠近Pad位置的防静电输入保护网部分，1只样品芯片上的PLN9端是该FPCA的I/O端口。多数为静电击穿。
4、单片机电路
背景：高速CMOS单片机电路装机前已进行过筛选。5只失效样品，1只良品。失效现象表现为：1只样品可以进行紫外线擦除，但写入程序后显示校验失败：2只样品内容为空，但不能写入：另外2只样品内容非空，但不能擦除干净。
失效模式：功能失效
失效原因：静电和过电损伤
分析结论：4只样品为静电脉冲导致端口保护网络电路损伤：另1只样品为过电造成芯片的端口保护电路烧毁。
分析说明：1只样品的2个端口存在明显的国电烧毁形貌，应为过电应力造成芯片端口保护电路烧毁：其余样品各有1到2个端口的保护网络电路元件有局部电压击穿形貌，为静电导致的电压击穿。端口电路保护网络电路损坏，导致器
件功能失效。
5、电流模式控制器
背景：固定频率电流模式控制器，偏执和驱动电压30V，采用DIP-8封装。两只失效器件是在使用过程中突然发生失效，在有输入的情况下期间没有输出。
失效模式：功能失效
失效原因：浪涌烧毁
分析结论：过大电源电压浪涌使器件端口电路发生过压击穿，由此形成的短路通路造成正常电压下的过大电流，导致了器件内部的过流、过功率烧毁。
分析说明：失效样品遭遇大能量的电源电压浪涌冲击，最先作用在器件的入口（端口电路），狗牙击穿并伴随金属化铝电迁移等现象造成端口电路严重损坏，由此形成的短路通路造成正常电压下的过大电流导致了内部电路的过流、过功率烧毁，芯片表面有多出国功率引起的大面积金属化铝电迁移现象。
6、大功率运算放大器
背景：失效样品是大功率双运算放大器。失效样品在进行样品鉴定检验的测试时发现双运房中的一路出现功能失效，表现为部分功能和参数异常。重新启动测试以进行第二次测试发现该路运放参数全部失效；测试合格样品亦出现输出信号振幅不足现象。已连续测试多只样品，之前未发生类似失效情况；等待一段时间后重新启动测试以进行测试，功能依然失败；再次测试合格样品，通过测试。参与该次测试的样品共有80只，仅有1只样品在测试中失效。
失效模式：功能失效
失效原因：过流热烧毁
失效结论：由于双发输出端在某种情况下引入瞬间高电压脉冲，导致输出端与正负电源发生过压击穿，引起过流烧毁。芯片的粘结结构存在较大面积粘结空洞，与发生的失效有一定的关系。
分析说明：OU/TA端与OU/TB端由于某种原因引入的高电压引起输出端与正电源之间的二极管发生过压击穿，并导致正电源与负电源之间的二极管发生过压击穿，击穿产生的短路通路使金属化条上瞬间通过极大电流，导致金属化熔融烧毁，另外，失效样品的芯片与陶瓷基板之间以及陶瓷基板和管壳之间存在较多的粘结空洞，影响器件散热，与此失效的发生有一定关系。
7、模数转换电路
背景：该可变精度单片模数转换电路在正常使用一段时间后，精度下降，功能失效。
失效模式：功能失效
失效原因：过压击穿
分析结论：所有失效样品的失效现象相同，样品在管脚的保护电路元件存在从扩散层PN结边缘到Pad的击穿。有一样品还存在有明显的现象，是过电击击穿后发生的过流烧毁和金属铝的热电迁移。
分析说明：从芯片内部观察分析看，一个样品存在有明显的过电的现象；1个管脚的保护电路地线铝条被烧断，与管脚相连的扩散电阻击穿和出现铝的热电迁移。
更进一步的分层解剖和观察发现，在2个失效样品的管脚保护电路元件扩散PN结发现了击穿痕迹，而且所有的击穿出现在相同的位置。对好品德管脚进行了静电放电敏感度测试，该管脚通过了电压5kV的人体模型静电放电试验，排除了静电击穿的可能。
8、检测放大集成电路
背景：样品经历了整机的各种试验。在整机上工作了将近400h，最后在常温常压实验室条件下，通过时发现样品有一输出端无输出。良品1只，失效样品2只。
失效模式：功能失效
失效原因：过压导致内部电容击穿
分析结论：外部过电压脉冲导致芯片内部MOS电容的击穿。由于电容的击穿短路，内部运放不能正常工作，从而导致输出端没有输出。
分析说明：失效样品开封后，2只样品都见到明显的MOS击穿点，有1只样品见到2个MOS电容有4个明显的击穿点，此电容是与地段相连的内部运放消振电容。整机中样品室通过继电器通电的，由于有电感，继电器在闭合的瞬间会出现一个高于输入电压很多倍的瞬间脉冲。将强的电压脉冲造成内部电容击穿短路，内部运放不能正常工作，从而导致输出端没有输出。
模拟实验证实，当芯片的地端有一个高于工作电压几倍的反向电压输入时，会导致芯片内部的MOS电容击穿，击穿形貌与失效样品相似；并导致芯片不能正常工作，输出端无输出。证实了内部电容击穿是由于电源地端有强电压脉冲进入引起的。
9、驱动集成电路
背景：驱动集成电路。
失效模式：功能失效
失效原因：过压击穿
分析结论：PIN3端口保护网路过压击穿，导致电源端和地端在PIN3端口附近导通，大电流导致局部金属布线电迁移和烧毁，造成线间电阻减小或短路失效。
分析说明：分析结果表明，失效样品PIN3端口的保护网络击穿失效，导致哦电源端和地端在PIN3端口附近导通形成大电流，产生了部分金属布线的电迁移和烧毁，造成了PIN3端口对地耐电压水平的下降，加电工作后损伤扩大，高温工作条件起到了加速作用。
10、接口电路——塑封层与芯片简界面离层
背景：接口电路失效现象为1个脚管无输出。失效品1只；良品1只。
失效模式：功能失效
失效原因：引线内键合点与焊盘间拉脱
分析结论：塑料与芯片间界面分层，使部分引线内键合点与焊盘间拉脱。分层的原因：在潮湿环境中水汽侵入样品，水汽沿着管脚界面进入内部，高温过程，汽化膨胀造成大面积分层。
分析说明：失效样品在塑料与芯片间的界面出现分层，这是由于样品在潮湿环境中吸附了水汽，水汽沿着管脚界面进入内部，当遇到较高的温变过程，汽化膨胀造成塑料与芯片之间发生大面积分离，造成内引线在焊盘的键合点拉脱，当温度恢复到常温时，内引线的键合点优惠接触到焊盘形成临时性的电连接，这种电连接是不稳定的，任何热的或机械应力都可能造成这种连接再次分离或接触。
11、接口电路——芯片分层破损
背景：接口电路是表面贴装塑封、144脚LQFP、工作温度范围-40℃—+85℃。接口电路在工程开始阶段，寄存器无法读数，只能读地址，输出全部呈现高阻状态。
失效模式：功能失效
失效原因：芯片破损
分析结沦:塑封材料与芯片存在严重的热匹配失调问题，在进行回流焊工艺时，施加的热应力使芯片和塑封材料发生膨胀，产生的界面剪切力导致芯片发生分层、剥离和芯片破损，导致器件失效。
分析说明:失效样品的塑封材料与芯片本身的热膨胀系数(CTE)存在很大的差异，前者（25×10-6/℃）比后者（2.3×10-6/℃）大一个数量级，相对于小
面积芯片来说这种差异对于大面积芯片是一个不可忽视的潜在可靠性问题。
当器件进行回流焊下艺时，由于两者的热膨胀系数差距较大，在受热发生膨胀时，塑封材料的形变量要大于芯片体的形变量，从而出现塑封材料和芯片之间分层，引线拉脱以及芯片表面钝化层、多层布线及其介质发生分层、剥离甚至芯片断裂、破碎等失效现象。
通常情况下，芯片的两条对角线的形变量是最大的(一般芯片是矩形)，在对角线上的剪切作用力也是最大的，越容易发生剥离，两个失效样品的四个角落均已剥离脱落。当器件较长时间暴露在潮湿环境中，水汽侵入和高温突变，以上现象更加容易发生。
12、接口集成电路—钝化层破裂
背景：芯片采用塑封表面贴装、144脚LQFP。5只样品在单板电测通过，在经过涂三防漆、常温固化、潮热试验、高低温循环试验后，再次进行电测发现其中3块单板电性能不通过;更换芯片后正常无误码。此前对所有失效样品进行过扫描声学显微镜观察，1只芯片发现有分层现象，此次失效分析针对另外3只芯片进行。
失效模式:功能失效
失效原因:钟化层破裂导致芯片功能退化
分析结论:在再流焊过程中的热应力作用下，由于芯片内部各结构层存在热膨胀系数的差异，导致各层之间发生相对位移，造成芯片表面钝化层和多层布线间介质破裂，导致器件电性能退化，在进行热循环试验时这种过程反复进行，介质破裂更为严重，加电时介质击穿，最终导致芯片功能失效。
分析说明：热应力是导致此次样品失效的最主要原因，样品是在多次热应力作用下最终导致失效的。样品在再流焊过程中承受了巨大的热应力作用，由于芯片面积较大，由多层结构组成，再加上芯片表面覆盖的环氧材料包封，特别是环氧材料和硅的热膨胀系数相差一个数量级，当系统遇到高温时(尤其是像再流焊这样的温度骤升—一般都在230℃以上的情况)，各个材料层之间由于热膨胀系数的差别将产生相对位移。
这种位移发生在整个系统的所有层面之间，有些位移处于芯片内部(比如半导体材料与绝缘介质层之间)，即使在膨胀时也是很难观察到，但这种层间的细微移动足以导致集成电路内部产生电特性的改变(比如端口软特性)，严重的时候可造成芯片内部结构的破裂，反应到芯片表面就变成了所观察到的钝化层破裂之类的现象。
芯片热膨胀的程度与芯片的大小有直接关系。通常情况下，在发生膨胀的时候，芯片四角(对于矩形芯片也就是对角线方向)的膨胀程度是最大的，所产生的机械应力也是最大的，因此破裂一般从四个角开始，也是最容易观察到裂痕的部位。
13、三端稳压器—塑料封装与芯片分层
背景:三端稳压器为塑封器件，生产好的成品测试合格后人库，在正常环境下存放一个月后重新测试，发现有10%左右的样品失效，失效模式多为输出电压超出合格范围。
失效模式：电参数超差
失效原因：封装塑料与芯片分层
分析结论:失效样品铜基板与封装塑料界面分层，芯片与封装塑料界面分层，功能异常是由于样品内部界面分层引起水汽侵入，导致芯片表面漏电而引起稳压功能异常。
分析说明:样品失效与芯片的铝丝键合(内、外键合)无关;也可排除失效样品芯片表而钠离子沾污;样品失效与水汽侵人有关。
扫描声学检查发现，所有的分析样品(包括失效样品和良品)铜基板与封装塑料界面均大面积分层，证明该批样品普遍存在铜基板与封装塑料界面分层。该界面大面积分层，可引起塑料与铜基板的结合力差，样品抗机械应力差，尤其是该界面分层，水汽更容易沿该界面侵人，对芯片的性能构成影响。
所有样品芯片与封装塑料均在相同的部位发生界面分层，分层引起水汽的侵人和积聚，对芯片性能构成影响。另外，该分层具有固定部位的特征，说明分层具有固定工艺的某种特定的原因有关。
14、现场可编程门阵列电路(FPGA )—塑封料与PCB之间分层
背景:在整板测试时发现功能失效，但当对发生失效的芯片正面施加一定压力后，整板功能恢复:对功能失效板替换该FPGA芯片后。板子功能恢复正常。
为了分析界面分层与回流工艺的关系，制作3组样品开展试验验证:完好样品、回流样品、用水浸泡后的回流样品，分析样品塑料与PCB板之间的界面的分层情况。对失效样品，完好样品，回流的样品以及浸泡后回流的样品再次进行分析。
失效模式:功能不稳定
失效原因:PCB板与封装塑料界面分层引起金丝外键合点断开。
分析结论：1）原有失效样品PCB板与封装塑料界面分层引起金丝在PCB板上的键合点断开。导致样品失效。失效样品PCB板的绿油与其它批次的样品(良品)的绿油不同，失效样品的绿油有界面粘接力差的特征，失效样品界面分层与绿油界面粘接差有关。
2}验证试验样品:完好样品塑料与PCB板之间的界面未见分层，回流样品塑料与PCB板之间的界面在PCB板无绿油覆盖的铜布线发生分层，浸泡后回流样品塑料与PCB板之间的界面发生严重分层。
分析说明: PCB板与塑料的界面分层，引起了样品芯片金丝在PCB板上的键合点断升，导致样品失效。
PCB板与塑料界面的分析过程可见，该批样品PCB板上的绿油与良品批的绿油不同，绿油与其它材料的结合力小。样品在焊接工艺中的热应力、样品试验过程中产生的温升应力产生界面(PC B板与封装塑料之间的界面)剪切力，由于PCB 板绿油界面粘接力小而引起界面分层。
验证试验表明，三组样品塑料与PCB板之间的界面呈现不同的现象:完好样品的界面未见分层现象，回流样品在PCB板无绿油的铜布线上发生分层，浸泡后回流的样品界面分层最为严重。
15、通信集成电路—焊接应力过大
背景:通信系统集成电路，封装形式为BGA封装。在单板调试过程中出现了
失效。失效现象是加电后立即发烫，立即停电后测量发现3.3V或1.8V电源对地短路。
为了验证第一次分析结果，对新样品开展了工艺验证试验:样品装板直接采用流水线设备的焊接和采用手工焊接(手工焊接温度比工艺流水线的焊接温度高，温度均匀性比流水线差)。两种焊接条件的样品加电后表现不同，手上焊接样品在加电不长的时间出现失效，流水线焊接样品可安全工作。第二次分析针对经过手工焊接后的样品开展分析，其中有手工焊接后未加电样品、手工焊接后加电失效的样品以及全新样品。
失效模式:功能失效
失效原因:焊接应力过大
分析结论:焊接热和机械应力过大导致样品芯片钝化层甚至芯片破裂，在加电工作后发生失效。
分析说明:对第一批失效样品的分析结果失效样品的声扫图像证明了塑料与芯片界面以及芯片与粘接材料界面都存在严重分层；失效样品非电压击穿失效，无明显闩锁效应特征。样品失效具有机械应力引起芯片破裂，导致芯片层间金属化短路，或PN结因机械应力而引起电失效的特征。对验证试验中手工焊接失效样品的分析认为，失效由于焊接温度过高、应力过大造成钝化层破裂失效。从而芯片损伤，不宜采用；而应采用流水线焊接，控制焊接温度和应力，避免造成焊接损伤失效。
16、驱动器电路一一焊盘焊接不良
背景:失效品在整机外场使用中出现2个引出端带负载能力差，输出电压不对的故障现象。好品是未经焊接与使用。该型号驱动器电路采用LCC20正方形陶瓷无引线片式载体封装。
失效模式:参数退化
失效原因:焊盘焊接不良
分析结论:与故障输出端有关的4个输人、输出引出端焊盘焊接不良，导致样品在现场使用出现带负载能力差、输出电路不对的故障现象。
分析说明：失效品在开封前、后的多项检查中均无发现明显异常。经验证性电性能测试结果显示，失效品四路都有正常的驱动功能，输出高电平电压和输出低电平电压也无异常。经过多项测试试验证实样品无带负载能力差与输出电压不对的故障现象。
分析认为，由于样品与故障输出端有关的4个输人、输出引出端焊盘焊接不良，相关的连接通路接触电阻增大，最终导致样品在现场使用出现带负载能力差、输出电压不对的故障现象。焊盘焊接不良是这种封装形式在装配使用过程中的一种常见模式。
17、模数转换电路—金属化损伤
背景:失效的模数转换器电路表现为当输人信号增大到一定值时，量化编码未作相应变化。
失效模式:功能失效
失效原因:金属化损伤
分析结论:样品无过电损伤迹象;样品芯片铝丝键合工艺有明显缺陷;该样品模数转换功能异常与芯片金属化铝损伤有关。
分析说明:该样品各端日对电源的止、负端的I-V特性检测均未见异常。证明端口的保护网络无明显电损伤现象;开封后，经光学显微观察、扫描电子显微
观察，均未见芯片有电损伤的现象，证明芯片非过电失效。
芯片表而观察中，发现铝丝键合工艺存在缺陷，多个键合点附近均有键合丝擦伤芯片表面的现象，并在芯片金属化附近残存铝屑。芯片上金属化铝突起处钝化层被擦伤，摩擦时留下铝屑，跨于两金属化铝条之间，将产生漏电、击穿的潜在危险。局部金属化铝几乎开路、短路、导致样品功能失效。
18、脉宽调制器—钠离子沾污
背景:整机装配调试过程中脉宽调制器出现失效。失效现象为启动和关断电压发生变化，表现为参数漂移的特征，整机满载输出时输出电压偏低。整机使用过程中有相同的失效现象，而且失效现象特征比较一致。
失效模式:参数漂移
失效原因:钠离子沾污失效
分析结论:样品非过电失效;样品芯片表面的钠离子沾污引起参数漂移。
分析说明:失效样品的分析可以肯定，样品芯片无过电烧毁。SIMS分析结果证明该样品芯片有钠离子沾污，并且芯片表面存在钠离子聚集现象，样品失效是由于样品表面或钝化层存在钠离子沾污引起的。
19、单片机集成电路一一钝化工艺不良
背景:样品装机前已进行过筛选，筛选项目为温度冲击试验和常温测试。样品失效发生在整机调试过程中，失效时表现为低温下性能不良，失效比例为20% 。
失效模式:性能退化
失效原因:钝化工艺不良导致低温环境下失效。
分析结论:由于芯片制造过程中的表面钝化下艺及铝金属化工艺不良，导致金属化层与表面钝化层质量不佳。器件在经历温度冲击试验后。表面钝化层破裂和多层布线层面结构劣化，在低温条件下，器件功能发牛异常、导致器件失效。
分析说明:由于样品在经历了温度冲击试验，钝化层形成大量裂纹。对失效样品端口进行I-V特性测试，多数端口I-V特性均表现出较大的漏电特性，因此，样品失效原因是:在低温环境中，由于钝化层表而存在大量裂纹，导致芯片表面形成漏电通路，使得样品性能退化。
20、运算放大器电路一一芯片粘接退化
背景:样品是4个相同高增益运算放大器集成在一起的单电源、低功耗运算放大器。该电路是为单电源或双电源丁作而设计。样品失效时已经在自然条件下储存多年，且上一年进行例行测试时已经发现参数超差，今年测试时功能失效。
失效模式:无功能
失效原因:芯片粘接退化脱落
分析结论:由于芯片用导电胶粘接，样品在自然条件下长期储存过程中，导电胶性能的退化引起导电胶与腔体底座表面的粘接力退化，造成粘有芯片的导电胶与底座完全分离，在之后过程中来自外界的各种机械力导致键合丝全部断开。
分析说明:端口特性测试任意两个端口之间都检测不到任何电特性。
X射线检查发现失效样品金属壳内(样品为空封器件》有可移动物体，并确定该物体是粘着导电胶的芯片。
内目检观察到所有键合丝的内外两个键合都已断裂，键合丝散落在腔体内。粘有导电胶的芯片可以在腔体内自由移动。在导电胶背面与腔体的粘结面，某些区域颜色较深，为粘接不良区域。
根据测试和观察得到的结果确定，由于芯片粘接导电胶工艺不佳，样品在自然环境的存储过程中，导电胶的性能退化造成粘有芯片的导电胶与底座分离。芯
片的位移又导致键合丝在键合处发生断裂，样品完全失效。
21、三端稳压器电路——片粘接质量差
背景:三端稳压器在整机调试、整机试验、外场使用过程中都有出现失效，失效现象为不能正常稳压或者无电压输出。
失效模式:功能失效
失效原因:芯片粘接质量差导致电热击穿。
分析结论:由于焊接芯片的焊料没有完全熔合和良好焊接，芯片与钢底座问的粘接底部焊料结构疏松，芯片产生的热量不能通过基板底座释放出去，造成主功耗区(输出主回路)的电压调整三极管热失控烧毁，末出现热失控的样品也由于芯片上输出主回路区和控制主回路区的大温差导致芯片破裂，由此造成三端稳压器模块失效。
分析说明:多个样品的输出电压调整功率管芯片的一发射极端头有局部击穿烧毁点，且其附近出现多条贯穿性裂纹二这种现象是典型的过热过流效应引起的热击穿的特征。对芯片与基板的粘接界面进行分析，芯片边缘外露焊料表面为褐色疏松物;揭开破裂芯片，可见到焊料都在底座一边。切片剖面观察分析表明，焊料与芯片未形成良好熔合焊接，焊料为相对孤立的颗粒，靠近} L`片一侧为较多的金属颗粒，其它是疏松的铅。
由于焊料和芯片没有良好的熔合焊接，粘接材料组织结构疏松。导致芯片与基板粘接不良，芯片产生的热量不能通过基板释放出去，芯片的发热区和不发热区出现较大的温差。这种温差达到一定的程度时，电压调整管出现热电失控的热击穿。由于铜底座和硅芯片的热膨胀系数相差很大，大的温差也造成了芯片的出现裂纹和开裂。芯片内部裂纹和电热击穿，导致三端稳压器模块失效。
22、I\O并口集成电路—机械应力引起管脚断裂
背景:2台整机作机械振动等试验后，发现各有I只集成电路失效，检查发现2只失效集成电路都为管脚断裂(2只集成电路位于2台整机相同板的相同位置)，其中1只集成电路1个管脚断裂，另1只集成电路3个管脚断裂。
失效模式:管脚断裂
失效原因:机械应力引起失效样品管脚断裂
分析结沦:机械应力引起失效样品管脚断裂。管脚断口具有韧性断裂的特征，又具有脆性断裂的特征。管脚断裂相关原因:失效样品在整机中所处的物理位置可能存在机械应力集中;断裂处有微裂纹机械损伤残存，机械损伤残存降低管脚的机械强度，由于整机振动试验等机械应力引起管脚微裂纹扩展;失效样品管脚具有一定程度的脆性。
分析说明:2只失效品的管脚断裂处都发生在样品同一端(如PIN 1 , PIN40 )，而且处于整机上。
相同的几何位置上，而其他位置上的同批样品未发生同样的失效，这说明样品管脚断裂有位置的特征，同时也说明失效样品在整机上的几何位置可能存在机械应力集中。
样品管脚断口形貌可观察到韧窝状形貌，具有韧性疲劳断裂的特征;断口形貌也有局部晶界微裂纹，无韧窝状特征，具有脆性断裂的特征。3只管脚的断裂面边缘处都能观察到铅、锡渗透到管脚里面的现象，这说明管脚在焊接前已经有微裂纹，这些微裂纹降低了材料抗机械应力的强度，在振动以及其它机械应力环境条件下，微裂纹扩展延伸。
23、陶瓷封装集成电路—盖板脱落
背景:经过二次筛选后的合格样品存放一段时间重新拿出来使用时，发现同一管装的样品有2只盖板脱落。
失效模式:盖板脱落
失效原因:盖板在热应力和机械应力冲击下脱落
分析结沦:样品盖板的脱落与热应力、外来机械应力有关〔有热应力的二次筛选试验(温度冲击、高温通电老化、高低温测试)导致样品内部玻璃釉粘封材料产生缺陷或原有缺陷扩大。在储存和运输过程中，如果出现外来机械应力(如掉到地卜或者其它冲击过程)，会导致内部玻璃釉材料缺陷(如裂纹、气泡集中的区域)集中的区域开裂，盖板脱落。
分析说明: 3只样品结盖板脱落都集中在同一个朔料管中、而其它塑料管没有发现样品盖板有脱落的现象〔不排除此塑料管经历过跌落或者其它冲击的过程。
样品自由跌落试验和扭矩试验都未见异常，这说明样品本身能承受一定的机械应力。玻璃釉材料具有一定的机械强度。
有2只良品分别在经过一定次数的温冲和高温老化后在高度为1000mm的自由跌落时盖板脱落。温度冲击后的样品会引起材料内部缺陷，高温老化和样品自由跌落时的机械冲击对温度冲击所产生的结构缺陷扩大有加速作用;因此产品在二次筛选后存放一段时间后出现陶瓷盖脱落的现象;另外二次筛选中的温度冲击条件对该黑陶瓷玻璃釉封装产品可能要求过高。
不管是好品还是坏品在玻璃釉粘接料断面都能见到气泡、通孔或者裂纹，气泡、通孔或者裂纹会降低材料的机械强度。
24、非易失性存储器电路一一塑封填料损伤芯片
背景:样品是SRAM，可替换512K x 8易失性静态RAM, EEPRDM或Flashmemory 使用该器件采用低功耗CMOS工艺，32PINDIP封装。失效样品1只，样品在现场使用时发生失效，累计工作时间150h。整机阶段曾做过高低温试验。发生失效时，整机故障现象表现为存储器存储的内部数据有部分发生错误。
失效模式:功能失效
失效原因:封装塑料中棱角尖锐的填料损伤芯片
分析结论:封装塑料中的填料是棱角尖锐的石英砂，组件又有较厚的塑料包封。当样品在进行温度循环试验时，芯片与塑料之间热膨胀系数的差异，造成塑封体对芯片表而产生挤压作用，这种挤压作用造成与芯片接触的石英砂尖锐边角刺伤了芯片表面钝化层及其下面的金属化连线，这些金属化连线在通电工作过程电阻增大甚至开路，引起芯片功能异常，并最终导致样品的功能出现异常。
分析说明:根据对失效样品端口测试的结果，样品端口特性正常，样品内置铿电池电压正常，供电回路测试正常。开封之后观察到芯片表面存在较多怀疑由尖锐硬物挤压造成的损伤，钝化层已经严重破裂并已经深人到芯片内的金属化布线，这些损伤将直接影响芯片的正常工作，会影响到静态存储器的存储数据。对塑封材料中填料的观察发现填料大多为尺寸较大，边角锋利的二氧化硅填料。因失效样品曾经进行过温度循环试验，芯片材料与外部两重塑封材料之间存在较大的热膨胀系数的差异，在温度循环试验中，就会因热膨胀系数的不同而造成环氧材料对芯片表面的挤压作用，而环氧材料中大量存在的尖锐二氧化硅填料会对芯片表面造成损伤，引起芯片功能异常。与这类有尖锐边角的二氧化硅填料相比，球状填料在温变过程对芯片产生的紧缩应力对芯片造成的损伤就较小。
25、电压比较器集成电路一一批次性质量问题
背景:该器件用于产品的保护电路中，失效样品为功能失效。生产130台产
品中发现有21台该IC发生失效。
失效模式:功能失效
失效原因:来料有严重质量问题
分析结论:产品中夹杂着一定数量存在严重质量问题的废品，这些废品主要有芯片无键合、键合缺损、版图错位等严重质量问题，芯片功能异常。
分析说明:通过非破坏性分析就可发现，在失效样品和未使用样品中，有的无任何键合，有的键合丝异常，还有的管脚键合丝遗失，或只能观察到外键合点而无内键合点;这些样品根本不具备正常功能。
通过扫描声学检测还发现，部分样品的塑封层和框架底座之间存在较为严重的分层现象，这种情况也会影响器件使用过程中的可靠性。
这种现象在整机单位批量采购元器件时有发生，建议对大批量采购的电路进行非破坏性检验和筛选。
26、可编程中断控制器—铝迁移和硅铝渗透
背景:该控制芯片用于船用设备，连续工作I年后功能异常〕该芯片与8086、8888兼容，8位优先控制，可扩展至64位，+5 V电源供电、采用28PINDIP封装。失效样品1只。
失效模式:功能异常
失效原因:铝迁移和硅铝渗透
分析结论:样品因金属化布线铝迁移空洞的形成和接触孔硅铝渗透导致失效。
分析说明:采用反应离子刻蚀器件芯片钝化层后。SEM观察发现金属化布线上存在大量的铝迁移形成的空洞，这些空洞的形成，将造成布线的串联电阻增大。导致内部线路间阻抗的失配。同时，接触孔处出现硅铝渗透(图5-74)也会使接触孔电阻的增大，共至渗透YN结造成PN结漏电流增大和短路。这些空洞的形成和硅铝渗透的发生均与大电流密度有关甲温度越高、工作时间越长越显著。
典型电子元器件失效分析方法 纵观当今电子信息技术发展状况，自进入二十世纪后期以来发展尤为猛烈，而电子元器件作为发展电子信息技术的基础，一直扮演着十分重要的角色。于是，了解电子元器件失效分析是人们一直关心的问题，那么这次华强北IC代购网就为大家简要的介绍几种典型电子元器件失效分析方法。 1、微分析法 (1)肉眼观察是微分析技术的第一步，对电子元器件进行形貌观察、线系及其定位失准等，必要时还可以借助仪器，例如：扫描电镜和透射电子显微镜等进行观察； (2)其次，我们需要了解电子元器件制作所用的材料、成分的深度分布等信息。而AES、SIMS和XPS仪器都能帮助我们更好的了解以上信息。不过，在作AES测试时，电子束的焦斑要小，才能得到更高的横向分辨率； (3)最后，了解电子元器件衬底的晶体取向，探测薄膜是单晶还是多晶等对其结构进行分析是一个很重要的方面，这些信息主要由XRD结构探测仪来获取。 2、光学显微镜分析法 进行光辐射显微分析技术的仪器主要有立体显微镜和金相显微镜。将其两者的技术特点结合使用，便可观测到器件的外观、以及失效部位的表面形状、结构、组织、尺寸等。亦可用来检测芯片击穿和烧毁的现象。此外我们还可以借助具有可提供明场、暗场、微干涉相衬和偏振等观察手段的显微镜辅助装置，以适应各种电子元器件失效分析的需要。 3、红外显微分析法
与金相显微镜的结构相似，不同的是红外显微镜是利用近红外光源，并采用红外变像管成像，利用此工作原理不用对芯片进行剖切也能观察到芯片内部的缺陷及焊接情况。 红外显微分析法是针对微小面积的电子元器件，在对不影响器件电学特性和工作情况下，利用红外显微技术进行高精度非接触测温方法，对电子元器件失效分析都具有重要的意义。 4、声学显微镜分析法 电子元器件主要是由金属、陶瓷和塑料等材料制成的，因此声学显微镜分析法就是基于超声波可在以上这些均质传播的特点，进行电子元器件失效分析。此外，声学显微镜分析法最大的特点就是，能观察到光学显微镜无法看到的电子元器件内部情况并且能提供高衬度的检测图像。 以上是几种比较常见的典型电子元器件失效分析方法，电子元器件失效一直都是历久弥新的话题，而对电子元器件失效分析是确定其失效模式和失效机理的有效途径之一，对电子元器件的发展具有重要的意义。
元器件的失效模式总结 Beverly Chen 2016-2-4 一、失效分析的意义 失效分析（Failure Analysis）的意义在于通过对已失效器件进行事后检查，确定失效模式，找出失效机理，确定失效的原因或相互关系，在产品设计或生产工艺等方面进行纠正以消除失效的再次发生。 一般的失效原因如下： 二、失效分析的步骤 失效分析的步骤要遵循先无损，后有损的方法来一步步验证。比如先进行外观检查，再进行相关仪器的内部探查，然后再进行电气测试，最后才可以进行破坏性拆解分析。这样可以避免破坏性的拆解破坏证据。拿到失效样品，首先从外观检查开始。 1. 外观检查：收到失效样品后，首先拍照，记录器件表面Marking信息，观察器件颜色外观等有何异常。 2.根据器件类型开始分析：
2.1贴片电阻，电流采样电阻 A: 外观检查，顶面覆盖保护层有针状圆形鼓起或黑色击穿孔->内部电阻层烧坏可能->万用表测量阻值：测得开路或者阻抗偏大->内部电阻层烧毁可能->可能原因：过电压或过电流烧毁—>检查改电阻的稳态功率/电压或者瞬时功率/电压是否已超出spec要求。 Coating 鼓起并开裂黑色击穿点 ●可失效样品寄给供应商做开盖分析，查看供应商失效报告：如发现烧毁位置位于激光切 割线下端，可确定是过电压导致失效。需要考虑调整应用电路，降低电压应力，或者换成能承受更大应力的电阻。 激光切割线 去除coating保护层后，可以看到烧毁位置位于激光切割线旁边，该位置电应力最集中。 B: 外观检查，顶面底面均无异常->万用表测量阻值：测得开路或者阻抗偏大->内部电阻层烧毁或者电极因硫化断开或阻抗增大->检查改电阻的稳态功率或者瞬时功率是否已超出spec要求，如有可能是过电压或过功率烧毁；应力分析在范围内，考虑硫化->失效样品寄给供应商分析。查看供应商失效报告： ●如发现烧毁位置位于激光切割线下端，可确定是过电压导致失效。需要考虑降低应用电 路中的电压应力，或者换成能承受更大应力的电阻。 ●如果测试发现保护层附近电极硫元素含量高且电极沿保护层边缘发生断裂情况，可确认 是应用中硫化物污染导致银电极被硫化生成AgS而断开需确认应用环境是否硫含量比较高。如果有必要，更换为抗硫化电阻。
电子元器件失效性分析与应用 赵春平公安部第一研究所 摘要： 警用装备作为国内特种装备制造业之一，其可靠性、精确性要求非一般企业及产品所能满足，因其关系到现场使用者及人民的生命财产安全，故设备选材更是严之又严。电子元器件作为警用电子系统的基础及核心部件，它的失效及潜在缺陷都将对装备的可靠性产生重要影响；电子器件失效分析的目的是通过确定失效模式和失效机理，提出对策、采取措施，防止问题出现，失效分析对于查明元器件的失效原因并及时向设计者反馈信息是必须的。随着警用装备制造水平的不断进步，元器件的可靠性问题越来越受到重视，设备研制单位和器件生产厂家对失效分析技术及工程实践经验的需求也越来越迫切。 关键词：警用装备、可靠性、失效模式、失效机理。 一、失效分析的基本内容，定义和意义 1．1失效分析的基本内容 电子元器件失效分析的目的是借助各种测试分析技术和分析程序认定器件的失效现象，判断其失效模式和机理，从而确定失效原因，对后续设计提出建议，在生产过程中改进生产工艺，器件使用者在系统设计时改进电路设计，并对整机提出相应测试要求、完成测试。因此，失效分析对元器件的研制速度、整机的可靠性有着重要意义。 1.2失效的分类 在实际使用中，可以根据需要对失效做适当分类：按模式分为：开路、短路、无功能、特性退化、重测合格；按原因分为：误用失效、本质失效、早起失效、偶然失效、耗损失效、自然失效；按程度分为：完全失效、局部失效、按时间分为：突然失效、渐变失效、退化失效；按外部表现分为：明显失效、隐蔽失效等。 二、失效的机理、模式 2.1失效的机理 由于电子器件的失效主要来自于产品制造、实验、运输、存储、使用等一系列过程中发生的情况，与材料、设计、制造、使用密切相关。且电子元器件种类繁多，故失效机理也很多，失效机理是器件失效的实质原因，在此说明器件是如何失效，相当于器件失效的物理和化学过程，从而表现出来性能、性质（如腐蚀、疲劳、过应力等）。元器件主要失效机 理有： 2.1.1过应力（EOS）： 指元器件承受的电流、电压应力或功率超过了其允许的最大范围。 2.1.2静电损伤（ESD） 指电子器件在加工生产、组装、贮存、运输中与可能带静电的容器、测试及操作人员接触，所带经典经过器件引脚放电到地面，使器件收到损伤或失效。
《电子器件失效分析及可靠应用》-----学习心得 通过8月5日、6日两天的学习培训，结合我司的实际情况，总结以下几点学习体会。 一、电子器件失效的理念。 失效分析并不等同于维修，一般大公司的失效分析部包括物料的认证、生产问题的解决、硬件管理和设计评审，所以产品的失效包含很广的领域，并不是单纯的维修不良品。 二、失效分析的意义 失效分析是打开可靠性工程大门的钥匙。失效分析可以解决生产即时存在的问题，也为后续产品可靠性打下良好的基础，创造明显的价值。 三、电子器件失效的分类和控制 1、ESD控制 ESD失效的四个特征 隐蔽性：人体感知的静电放电电压2-3KV。 潜在性：损伤后性能没有明显的下降，往往是在产品到用户手里半年以上才发生问题。 随机性：从一个元件产生以后，一直到它失效以前的所有过程。 复杂性：分析困难，掩盖了失效的真正原因 结合我司的生产，首先应保证生产仪器的良好接地，工作台面的接地，特别是烙铁和测试仪器的接地，再就是防止人体放电，正确配戴静电
手环。 举例：LED不允许插在泡沫上，因泡沫上的静电可达1000V以上，而LED要求静电等级红光、绿光大概在500-1000V,蓝光大概为100-300V.根据这一实例，对于我司的IC供应商，我们可以要求其出具IC规格书中的一个静电等级，以便于有效判断IC失效是否为静电损伤的可能性。最后，最好能在生产线配一个静电测试仪。 2、MSD的控制 器件的潮湿敏感等级分为1-6级，当大于3级(即只允许暴露168H)时，必须要经过烘烤后使用; 当大于5级或5A级（即只允许暴露24-48H）以上时，建议不使用,否则就会出现“爆米花”效应（即当电子零件吸入湿汽时，由于外表温度的急剧升高，就会导致元件的外封装出现裂纹）。 结合我司，以后在电子来料检验时，注意供应商来料的暴露期限等级。在零件加工及成品生产的全过程注意防潮，注意关窗，成品任何时候不允许直接放在地面上，必须加隔板，避免靠墙堆放。 3、DFM，即可生产性设计 根据新产品的特点，对PCB布局设计，元件选择，制造工艺流程选择，可生产性等进行审核。提出改进建议，并确定工艺难点。在PCB投板之前就预计到可能产生的工艺问题，提前消除可生产性设计缺陷对产品造成的影响。 举例：0805以下的表贴器件，在过波峰时会出现器件的“立碑”现象，即表贴件在焊盘上立起来。造成这种现象的主要原因就是设计时
常见的电子元器件失效机理与分析 电子元器件的主要失效模式包括但不限于开路、短路、烧毁、爆炸、漏电、功能失效、电参数漂移、非稳定失效等。对于硬件工程师来讲电子元器件失效是个非常麻烦的事情，比如某个半导体器件外表完好但实际上已经半失效或者全失效会在硬件电路调试上花费大把的时间，有时甚至炸机。 硬件工程师调试爆炸现场 所以掌握各类电子元器件的实效机理与特性是硬件工程师比不可少的知识。下面分类细叙一下各类电子元器件的失效模式与机理。 电阻器失效 失效模式：各种失效的现象及其表现的形式。失效机理：是导致失效的物理、化学、热力学或其他过程。 电阻器的失效模式与机理 ?开路：主要失效机理为电阻膜烧毁或大面积脱落，基体断裂，引线帽与电阻体脱落。 ?阻值漂移超规范：电阻膜有缺陷或退化，基体有可动钠离子，保护涂层不良。?引线断裂：电阻体焊接工艺缺陷，焊点污染，引线机械应力损伤。 ?短路：银的迁移，电晕放电。 失效模式占失效总比例表 ?线绕电阻： ?非线绕电阻：
失效模式机理分析电阻器失效机理是多方面的，工作条件或环境条件下所发生的各种理化过程是引起电阻器老化的原因。 ?导电材料的结构变化： 薄膜电阻器的导电膜层一般用汽相淀积方法获得，在一定程度上存在无定型结构。按热力学观点，无定型结构均有结晶化趋势。在工作条件或环境条件下，导电膜层中的无定型结构均以一定的速度趋向结晶化，也即导电材料内部结构趋于致密化，能常会引起电阻值的下降。结晶化速度随温度升高而加快。 电阻线或电阻膜在制备过程中都会承受机械应力，使其内部结构发生畸变，线径愈小或膜层愈薄，应力影响愈显著。一般可采用热处理方法消除内应力，残余内应力则可能在长时间使用过程中逐步消除，电阻器的阻值则可能因此发生变化。结晶化过程和内应力清除过程均随时间推移而减缓，但不可能在电阻器使用期间终止。可以认为在电阻器工作期内这两个过程以近似恒定的速度进行。与它们有关的阻值变化约占原阻值的千分之几。 电负荷高温老化：任何情况，电负荷均会加速电阻器老化进程，并且电负荷对加速电阻器老化的作用比升高温度的加速老化后果更显著，原因是电阻体与引线帽接触部分的温升超过了电阻体的平均温升。通常温度每升高10℃，寿命缩短一
案例一： 1 产品名称：单片机 MD87C51/B 2 商标：Intel 3 分析依据：MIL-STD-883E 微电子器件试验方法和程序微电路的失效分析程序 MIL-STD-883E 方法2010 内部目检（单片电路） 4 样品数量及编号：失效样品1＃～6＃，良品7＃～12＃ 5 样品概述及失效背景：MD87C51/B 是一高速CMOS 单片机。委托方一共提供四种批次的此类样品。1＃、5＃、10＃、11＃、12＃属9724 批次，其中1＃样品已做过二次筛选和环境应力试验，是在整机测试过程中失效，5＃样品在第一次通电工作不正常，须断电后重新通电可以正常工作，10＃～12＃样品是良品；2＃、3＃、4＃样品属9731 批次，这三个样品在第一次上机时便无法写入程序，多次长时间擦除，内容显示为空，但仍不能写入；6＃样品属9931 批次，失效情况同5＃样品；7＃～9＃样品属9713 批次，为良品。 6 分析仪器 序号仪器、设备名称型号编号 1 立体显微镜LEICA ZM6 011701145 2 金相显微镜OPTIPHOT200 011701120 3 图示仪TYPE576 B349533 仪4 数字式示波器TDS3012 B018857 5 内部气氛分析仪IVA110S 011701141 器 设 6 静电放电测试系统ZAPMASTER7/2 470501389 备 7 等离子刻蚀仪ES 371 011701174 8 程控直流电源Agilent 6633B 660105754 9 波形发生器AFG320 610106387 10 电子扫描电镜（S E M）XL－30FEG 011701122 11 串行编程器Superpro/580 730103920 7 分析过程 1）样品外观分析：1＃～6＃进行外目检均未发生异常； 2）编程器读写试验：能对坏品进行内部程序存储器读取，但无法完成写操作，良品读写操作均正常； 3）内部水汽含量测试：应委托方要求，8＃与12＃样品进行内部水汽含量测试，结果符合要求；
２００６年１月 第１卷第１期 失效分析与预防创刊号电子元器件失效分析及技术发展 恩云飞，罗宏伟，来萍 （元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室，广州５１０６１０） ［关键词］元器件；集成电路；失效分析 ［摘要】本文以集成电路为代表介绍了元器件失效分析方法、流程、技术及发展，失效分析是元器件质量、可靠性保证的 重要环节，随着元器件设计与制造技术的提高以及失效分析技术及分析工具水平的提高，对元器件失效模式及失效机理的 认识逐步加深，失效分析工作将发挥更大的作用。 ［中图分类号］７烈０［文献标识码】Ａ ＤｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｏｆｅｌｅｃｔｒｏｎＣｏｍｐｏｎｅｎｔＦａｉｌｕｒｅ加１ａｌｙｓｉｓ ＥＮＹｕｎ—ｆｅｉ，ＬＵＯＨｏｎｇ－ｗｅｉ，ＬＡＩＰｉｎｇ （舭砌ｎ４比６Ｄ砌叮如ｒ删嘶确筘如＆却彬咄面忆‰妞ｙ，国口ｎｇｚｂｕ５１０６１０，吼抛） Ｋｅｙｗｏ“ｋ：ｃｏｒｒｌｐｏｎｅｍ；ｉｎｔｅ黜ｄｃｉｎ面ｔ；ｆａｉｌｕｒｅａｎ由ｓｉｓ Ａｌ玲恻：蹦ｌｕｒｅａＩｌａｌｙｓｉｓｍｅ山０ｄ，ｎｏｗ粕ｄｔｅｃｌｌＴｌｏｌｏｇ）ｒｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ“ｎⅡＤｄｕｃｅｄｉｎｔｅｎＩｌｓｏｆｉｍｅｇｒａｔｅｄｃｉｒｃｕｉｔｉｎｔｈｉｓｐａｐｅｒ．Ｆ灿ｒｅ锄ａｌｙｓｉｓｉｓｉＩＩｌｐｏｎａｍｆ研ｃｏｍｐｏｎｅｍｑ１１ａｌｉｔ）ｒａｎｄｒｅｌｉａ：ｂｉＨ哆鹊㈣ｅ．ＡｓｔＩｌｅｄｅｖｅｌ叩Ｈｌｅｍ０ｆｃｏⅡｌｐｏｎｅｎｔｄｅｓｉ印ａｎｄｐｒｏｃｅｓｓ乜ｅｃｌｌＩｌ０１０舒，ｔ１１ｅｄｅｖｅｌ叩Ⅱ把ｍｏｆｆａｉｌｕｒｅａＩ】ｌａｌｙｓｉｓｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ锄ｄ黼ｌｕｒｅａＩｌａｌｙｓｉｓｅｑｕｉｐｍｅｎｔ，ｆ越ｌｕｒｅａｎａｌｙｓｉｓｗｉⅡｂｅｍｏｒ｜ｅ粕ｄｍｏＩｅｕｓｅｆｍ． １前言 失效分析的目的是通过失效机理、失效原因分析获得产品改进的建议，避免类似失效的发生，提高产品可靠性。电子元器件的失效分析是借助各种测试技术和分析方法明确元器件的失效过程，分辨失效模式或机理，确定其最终的失效原因。失效分析是元器件可靠性工程中的一个重要组成部分。开展电子元器件失效分析工作需要具备相应的测试与分析手段、元器件失效机理等专业基础知识，并需要逐步积累失效分析经验。用于失效分析的设备很多且各有特点，应根据失效分析的要求，选用适当的分析技术和设备，充分利用其功能与特点，降低电子元器件失效分析成本，加快失效分析进度，提高失效分析成功率。 电子元器件是电子系统的重要及关键部件，元器件种类繁多，发展迅速，尤其是以集成电路为代表的微电子器件，其设计和制造技术正以惊人的速度向着规模更大、速度更快、集成度更高的方向发展。集成电路失效分析难度大，需要采用诸多先进的分析技术，涉及失效分析的各个环节与过程。本文以集成电路失效分析为代表介绍元器件失效分析的工作流程、分析技术方法以及未来发展所面临的挑战。 ２集成电路失效分析主要流程及分析方法 ２．１失效分析流程 典型的集成电路失效分析流程如图ｌ。 ２．２失效分析技术方法 ２．２．１外部目检 外部目检在集成电路失效分析中十分重要，它将为后续的分析提供重要的信息。外部目检可以通过肉眼、放大倍数在４倍～８０倍的立体显微镜、放大倍数在５０倍。２０００倍的金相显微镜、甚至是扫描电子显微镜（ＳＥＭ）来检查失效器件与好器件之间的差异，确定各种尘化物、沾污、引脚腐蚀、引脚断裂、机械损伤、封装裂纹、晶须、金属迁移等缺陷，必要时利用ＥＤｘ、原子吸收光谱等获得元素信息。 ［收稿日期］２００５—０８—０２［修订日期］２００６一ｌＯ一２７ ［作者简介］恩云飞（１９６８一），女，硕士，高级工程师，从事集成电路失效机理及分析评价技术研究。
电子元器件可靠性试验、失效分析、故障复现及筛选技术培训 讲讲师师介介绍绍:: 费老师 男，原信息产业部电子五所高级工程师,理学硕士,“电子产品可靠性与环境试验”杂志编委，长期从事电子元器件的失效机理、失效分析技术和可靠性技术研究。分别于1989年、1992－1993年、2001年由联合国、原国家教委和中国国家留学基金管理委员会资助赴联邦德国、加拿大和美国作访问学者。曾在国内外刊物和学术会议上发表论文三十余篇。他领导的“VLSI 失效分析技术”课题组荣获2003年度“国防科技二等奖”。他领导的“VLSI 失效分析与可靠性评价技术”课题组荣获2006年度“国防科技二等奖”。2001年起多次应邀外出讲学,获得广大学员的一致好评。 【培训对象】系统总质量师、产品质量师、设计师、工艺师、研究员，质量可靠性管理和从事电子元器件（包括集成电路）失效分析工程师 【主办单位】中 国 电 子 标 准 协 会 培 训 中 心 【协办单位】深 圳 市 威 硕 企 业 管 理 咨 询 有 限 公 司 为了满足广大元器件生产企业对产品质量及可靠性方面的要求，我司决定在全国组织召开“电子元器件可靠性试验、失效分析、故障复现及筛选技术”高级研修班。研修班将由具有工程实践和教学丰富经验的教师主讲，通过讲解大量实例,帮助学员了解各种主要电子元器件的可靠性试验方法和试验结果的分析方法．
课程提纲： 第一部分电子元器件的可靠性试验 1 可靠性试验的基本概念 1．1 概率论基础 1．2 可靠性特征量 1．3 寿命分布函数 1．4 可靠性试验的目的和分类 1．5 可靠性试验设计的关键问题 2 寿命试验技术 2．1 加速寿命试验 2．2 定性寿命保证试验 2．3 截尾寿命试验 2．4 抽样寿命试验 3 试验结果的分析方法：威布尔分布的图估法 4 可靠性测定试验 4．1 点估计法 4．2 置信区间 5 可靠性验证试验 5．1 失效率等级和置信度 5．2 试验程序和抽样表 5．3 标准和应用 6 电子元器件可靠性培训试验案例
MOS 器件及其集成电路的可靠性与失效分析（提要） 作者：Xie M. X. (UESTC ，成都市) 影响MOS 器件及其集成电路可靠性的因素很多，有设计方面的，如材料、器件和工艺等的选取；有工艺方面的，如物理、化学等工艺的不稳定性；也有使用方面的，如电、热、机械等的应力和水汽等的侵入等。 从器件和工艺方面来考虑，影响MOS 集成电路可靠性的主要因素有三个：一是栅极氧化层性能退化；二是热电子效应；三是电极布线的退化。 由于器件和电路存在有一定失效的可能性，所以为了保证器件和电路能够正常工作一定的年限（例如，对于集成电路一般要求在10年以上），在出厂前就需要进行所谓可靠性评估，即事先预测出器件或者IC 的寿命或者失效率。 （1）可靠性评估： 对于各种元器件进行可靠性评估，实际上也就是根据检测到的元器件失效的数据来估算出元器件的有效使用寿命——能够正常工作的平均时间（MTTF ，mean time to failure ）的一种处理过程。 因为对于元器件通过可靠性试验而获得的失效数据，往往遵从某种规律的分布，因此根据这些数据，由一定的分布规律出发，即可估算出MTTF 和失效率。 比较符合实际情况、使用最广泛的分布规律有两种，即对数正态分布和Weibull 分布。 ①对数正态分布： 若一个随机变量x 的对数服从正态分布，则该随机变量x 就服从对数正态分布；对数正态分布的概率密度函数为 222/)(ln 21 )(σμπσ--?=x e x x f 该分布函数的形式如图1所示。 对数正态分布是对数为正态分布的任 意随机变量的概率分布；如果x 是正态分布 的随机变量，则exp(x)为对数分布；同样， 如果y 是对数正态分布，则log(y)为正态分 布。 ②Weibull 分布： 由于Weibull 分布是根据最弱环节模型 或串联模型得到的，能充分反映材料缺陷和 应力集中源对材料疲劳寿命的影响，而且具 有递增的失效率，所以，将它作为材料或零件的寿命分布模型或给定寿命下的疲劳强 度模型是合适的；而且尤其适用于机电类产品的磨损累计失效的分布形式。由于它可以根据失效概率密度来容易地推断出其分布参数，故被广泛地应用于各种寿命试验的数据处理。与对数正态分布相比，Weibull 分布具有更大的适用性。 Weibull 分布的失效概率密度函数为 m t m t m e t m t f )/()(ηη--?= 图1 对数正态分布
电子元器件失效分析 1.失效分析的目的和意义 电子元件失效分折的目的是借助各种测试分析技术和分析程序确认电子元器件的失效现象.分辨其失效模式和失效机理.确定其最终的失效原因，提出改进设计和制造工艺的建议。防止失效的重复出现，提高元器件可靠性。失效分折是产品可靠性工程的一个重要组成部分，失效分析广泛应用于确定研制生产过程中产生问题的原因，鉴别测试过程中与可靠性相关的失效，确认使用过程中的现场失效机理。 在电子元器件的研制阶段。失效分折可纠正设计和研制中的错误，缩短研制周期；在电子器件的生产，测试和试用阶段，失效分析可找出电子元器件的失效原因和引起电子元件失效的责任方。根据失效分析结果。元器件生产厂改进器件的设计和生产工艺。元器件使用方改进电路板设汁。改进元器件和整机的测试，试验条件及程序，甚至以此更换不合格的元器件供货商。因而，失效分析对加快电子元器件的研制速度.提高器件和整机的成品率和可靠性有重要意义。 失效分折对元器件的生产和使用都有重要的意义.如图所列。 元器件的失效可能发生在其生命周期的各个阶段.发生在产品研制阶段，生产阶段到使用阶段的各个环节，通过分析工艺废次品，早期失效，实验失效及现场失效的失效产品明确失效模式、分折失效机理，最终找出失效原因，因此元器件的使用方在元器件的选择、整机计划等方面，元器件生产方在产品的可靠性方案设计过程，都必须参考失效分折的结果。通过失效分折，可鉴别失效模式，弄清失效机理，提出改进措施，并反馈到使用、生产中，将提高元器件和设备的可靠性。 2.失效分析的基本内容 对电子元器件失效机理，原因的诊断过程叫失效分析。进行失效分析往往需要进行电测量并采 用先进的物理、冶金及化学的分析手段。失效分析的任务是确定失效模式和失效机理.提出纠正措
电子元器件失效分析技术与案例 费庆学 二站开始使用电子器件当时电子元器件的寿命20h. American from 1959 开始：1。可靠性评价，预估产品寿命 2。可靠性增长。不一定知道产品寿命，通过方法延长寿命。通过恶裂环境的试验。通过改进提高寿命。―――后来叫a.可靠性物理—实效分析的实例b.可靠数学 第一部分：电子元器件失效分析技术（方法） 1．失效分析的基本的概念和一般程序。 A 定义： 对电子元器件的失效的原因的诊断过程 b.目的：0000000 c．失效模式――》失效结果――》失效的表现形式――》通过电测的形式取得 d．失效机理：失效的物理化学根源 ――》失效的原因 1）开路的可能失效机理 日本的失效机理分类：变形变质外来异物 很多的芯片都有保护电路，保护电路很多都是由二极管组成正反向都不通为内部断开。 漏电和短路的可能的失效机理 接触面积越小，电流密度就大，就会发热，而烧毁 例：人造卫星的发射，因工人误操作装螺丝时掉了一个渣于继电器 局部缺陷导致电流易集中导入产生热击穿（si 和 al 互熔成为合金合金熔点更低） 塑封器件烘烤效果好当开封后特性变好，说明器件受潮或有杂质 失效机理 环境应力：温度温度过低易使焊锡脆化而导致焊点脱落。 ， 2．失效机理的内容 I失效模式与环境应力的关系 任何产品都有一定的应力。
a当应力>强度就会失效 如过电/静电：外加电压超过产品本身的额定值会失效 b应力与时间应力虽没有超过额定值，但持续累计的发生 故：如何增强强度&减少应力能延长产品的寿命 c.一切正常，正常的应力，在时间的累计下，终止寿命 特性随时间存在变化 e机械应力如主板受热变形对零件的应力认为用力 塑封的抗振动好应力好陶瓷的差。 f重复应力如：冷热冲击是很好的零件筛选方法 重复应力易导致产品老化，存在不可靠性 故使用其器件：不要过载；温湿度要适当 II如何做失效分析 例：一个EPROM在使用后不能读写 1) 先不要相信委托人的话，一定要复判。 2) 快始失效分析： 取NG&OK品，DataSheet， 查找电源断地开始测试首先做待机电流测试（IV测试） 电源对地的待机电流下降 开封发现电源端线中间断（因为中间散热慢，两端散热快，有端子帮助散热）因为断开，相当于并联电阻少了一个电 阻，电流减小。 原因：闩锁效应应力大于产品本身强度 责任：确定失效责任方：模拟试验－>测抗闩锁的能力 看触发的电流值（第一个拐点的电流值），越大越好，至少要大于datasheet或近似良品的值在标准范围内的。看维持电压（第二个拐点的电 压），若大于标准值，则很难回到原值。若多片良品抽测都OK， 说明使用者使用不当导致。 改善措施：改善供电，加保护电路。 III失效分析技术的延伸 失效分析的关键是打开样品 进货分析：不同的封装厂，在 芯片面积越小（扫描声学检测器，红的部分为空气，可用于辨别尺寸的大小），受应力越小。版本过新的产品也有可能存在可靠性问 题。可能存在设计的问题。 良品分析的作用：可以采取一层一层的分解拍照，找捷径
常用的电子元器件失效机理与故障分析 电子元器件在使用过程中，常常会出现失效和故障，从而影响设备的正常工作。文本分析了常见元器件的失效原因和常见故障。 电子设备中绝大部分故障最终都是由于电子元器件故障引起的。如果熟悉了元器件的故障类型，有时通过直觉就可迅速的找出故障元件，有时只要通过简单的电阻、电压测量即可找出故障。 1 电阻器类 电阻器类元件包括电阻元件和可变电阻元件，固定电阻通常称为电阻，可变电阻通常称为电位器。电阻器类元件在电子设备中使用的数量很大，并且是一种消耗功率的元件，由电阻器失效导致电子设备故障的比率比较高，据统计约占15% 。电阻器的失效模式和原因与产品的结构、工艺特点、使用条件等有密切关系。电阻器失效可分为两大类，即致命失效和参数漂移失效。现场使用统计表明，电阻器失效的85%~90% 属于致命失效，如断路、机械损伤、接触损坏、短路、绝缘、击穿等，只有1 0 % 左右的是由阻值漂移导致失效。电阻器电位器失效机理视类型不同而不同。非线形电阻器和电位器主要失效模式为开路、阻值漂移、引线机械损伤和接触损坏；线绕电阻器和电位器主要失效模式为开路、引线机械损伤和接触损坏。主要有以下四类： （1 ）碳膜电阻器。引线断裂、基体缺陷、膜层均匀性差、膜层刻槽缺陷、膜材料与引线端接触不良、膜与基体污染等。 （ 2 ）金属膜电阻器。电阻膜不均匀、电阻膜破裂、引线不牢、电阻膜分解、银迁移、电阻膜氧化物还原、静电荷作用、引线断裂、电晕放电等。 （3 ）线绕电阻器。接触不良、电流腐蚀、引线不牢、线材绝缘不好、焊点熔解等。 （4 ）可变电阻器。接触不良、焊接不良、接触簧片破裂或引线脱落、杂质污染、环氧胶不好、轴倾斜等。 电阻容易产生变质和开路故障。电阻变质后往往是阻值变大的漂移。电阻一般不进行修理，
1、样品名称：控制电路 背景：该芯片用于柜机室内电控盒组件上。生产线上检测的过程中，正版功能测试出现异常。故障集成电路程序教研室发生程序错乱。 失效模式：功能失效 失效原因：过压和闩锁 分析结论：过压或电压脉冲引起端口网络击穿和端口网络局部闩锁失效。 分析说明：样品端口游记不大电流过热的现象，但未见端口网络局部熔融，原因是失效样品端口有过电压或电压脉冲，引起端口网络击穿；电压脉冲也因其另一端口网络产生局部闩锁效应而产生大电流，从而导致金丝键合引线过热，芯片金属化过热和层间金属化短路的现象。 2、通信接口集成电路 背景：该电路作为信号通信接口，整机板有多只该型号样品，失效样品在班上具有特定的位置特征。是小样品在整机工艺线上的检测时发现信号通信异常。 失效模式：功能失效 失效原因：闩锁 分析结论：闩锁效应引起的过电流烧毁失效。 分析说明：失效样品封装塑料鼓起、破裂，并有焦黄的现象，说明是小样品曾经经过够电流而产生局部高温的过程；开封后可观察到芯片的大多数金丝、电源及多数段楼有大面积金属过热、烧焦或熔融现象，证明失效样品芯片时由于大电流导致过热烧毁。 3、频谱分析电路 背景;在温度循环试验中，多个频谱分析电路出现问题，是小钱累计工作时间120min。测量中使用了两个测控台，两个测控台不共地。在连续发生频谱分析电路失效后，后续的温度循环试验中，两个测控台采用了共地措施，并且将温度循环箱的接线口处进行了密封，清除了温箱内的结霜现象；采取这些措施以后，在进行温循环是没有再发生频谱分析电路的失效现象。 失效模式：参数异常 失效原因：静电和过电损伤 分析结论：失效是由静电击穿和电烧毁引起。 分析说明：测试证实了样品的失效模式，并排除水汽影响：是小样品均发现芯片上存在着不同程度的击穿和烧毁。失效部位主要集中在芯片中靠近Pad位置的防静电输入保护网部分，1只样品芯片上的PLN9端是该FPCA的I/O端口。多数为静电击穿。 4、单片机电路 背景：高速CMOS单片机电路装机前已进行过筛选。5只失效样品，1只良品。失效现象表现为：1只样品可以进行紫外线擦除，但写入程序后显示校验失败：2只样品内容为空，但不能写入：另外2只样品内容非空，但不能擦除干净。 失效模式：功能失效 失效原因：静电和过电损伤 分析结论：4只样品为静电脉冲导致端口保护网络电路损伤：另1只样品为过电造成芯片的端口保护电路烧毁。 分析说明：1只样品的2个端口存在明显的国电烧毁形貌，应为过电应力造成芯片端口保护电路烧毁：其余样品各有1到2个端口的保护网络电路元件有局部电压击穿形貌，为静电导致的电压击穿。端口电路保护网络电路损坏，导致器
电子元器件失效分析技术汇总 来源：大比特半导体器件应用网 摘要：电子信息技术是当今新技术革命的核心，电子元器件是发展电子信息技术的基础。了解造成元器件失效的因素，以提高可靠性，是电子信息技术应用的必要保证。 关键字：电子元器件,失效分析,分析测试技术,光学显微镜 电子信息技术是当今新技术革命的核心，电子元器件是发展电子信息技术的基础。了解造成元器件失效的因素，以提高可靠性，是电子信息技术应用的必要保证。 开展电子元器件失效分析，需要采用一些先进的分析测试技术和仪器。 1光学显微镜分析技术 光学显微镜分析技术主要有立体显微镜和金相显微镜。 立体显微镜放大倍数小，但景深大;金相显微镜放大倍数大，从几十倍到一千多倍，但景深小。把这两种显微镜结合使用，可观测到器件的外观，以及失效部位的表面形状、分布、尺寸、组织、结构和应力等。如用来观察到芯片的烧毁和击穿现象、引线键合情况、基片裂缝、沾污、划伤、氧化层的缺陷、金属层的腐蚀情况等。显微镜还可配有一些辅助装置，可提供明场、暗场、微分干涉相衬和偏振等观察手段，以适应各种需要。 2红外分析技术 红外显微镜的结构和金相显微镜相似。但它采用的是近红外(波长为01 75~3微米)光源，并用红外变像管成像。由于锗、硅等半导体材料及薄金属层对红外辐射是透明的。利用它，不剖切器件的芯片也能观察芯片内部的缺陷及焊接情况等。它还特别适于作塑料封装半导体器件的失效分析。 红外显微分析法是利用红外显微技术对微电子器件的微小面积进行高精度非接触测温的方法。器件的工作情况及失效会通过热效应反映出来。器件设计不当，材料有缺陷，工艺差错等都会造成局部温度升高。发热点可能小到微米以下，所以测温必须针对微小面积。为了不影响器件的工作情况和电学特性，测量又必须是非接触的。找出热点，并用非接触方式高
各类电子元器件失效机理分析 电子元器件的主要失效模式包括但不限于开路、短路、烧毁、爆炸、漏电、功能失效、电参数漂移、非稳定失效等。对于硬件工程师来讲电子元器件失效是个非常麻烦的事情，比如某个半导体器件外表完好但实际上已经半失效或者全失效会在硬件电路调试上花费大把的时间，有时甚至炸机。 硬件工程师调试爆炸现场 所以掌握各类电子元器件的实效机理与特性是硬件工程师比不可少的知识。下面分类细叙一下各类电子元器件的失效模式与机理。 电阻器失效模式与机理 失效模式：各种失效的现象及其表现的形式。 失效机理：是导致失效的物理、化学、热力学或其他过程。 1、电阻器的主要失效模式与失效机理为 1) 开路：主要失效机理为电阻膜烧毁或大面积脱落，基体断裂，引线帽与电阻体脱落。 2) 阻值漂移超规范：电阻膜有缺陷或退化，基体有可动钠离子，保护涂层不良。 3) 引线断裂：电阻体焊接工艺缺陷，焊点污染，引线机械应力损伤。 4) 短路：银的迁移，电晕放电。
2、失效模式占失效总比例表 3、失效机理分析 电阻器失效机理是多方面的，工作条件或环境条件下所发生的各种理化过程是引起电阻器老化的原因。 (1) 导电材料的结构变化 薄膜电阻器的导电膜层一般用汽相淀积方法获得，在一定程度上存在无定型结构。按热力学观点，无定型结构均有结晶化趋势。在工作条件或环境条件下，导电膜层中的无定型结构均以一定的速度趋向结晶化，也即导电材料内部结构趋于致密化，能常会引起电阻值的下降。结晶化速度随温度升高而加快。 电阻线或电阻膜在制备过程中都会承受机械应力，使其内部结构发生畸变，线径愈小或膜层愈薄，应力影响愈显著。一般可采用热处理方法消除内应力，残余内应力则可能在长时间使用过程中逐步消除，电阻器的阻值则可能因此发生变化。 结晶化过程和内应力清除过程均随时间推移而减缓，但不可能在电阻器使用期间终止。可以认为在电阻器工作期内这两个过程以近似恒定的速度进行。与它们有关的阻值变化约占原阻值的千分之几。
电子元器件电应力失效分析 【摘要】为了对电应力失效现象进行深层次的认识和理解,本文对电应力失效的现象特征、失效机理、检测方法和分析结论进行了总结,总结出了电应力的失效分析结论共有三类5种情况。通过详细的分析对比,可以分析出电子器件电应力失效的根本原因及形成过程。 【关键词】静电损伤过电应力电迁移失效机理失效分析 随着现代社会科技化程度的不断提高,电子器件的使用范围不断扩大,电子器件在我们的生活和工作中随处可见。由于电子器件应用范围的广泛,电子器件的失效现象也是多种多样,随处可见。电应力失效作为电子器件失效的重要方面,电气器件电应力失效的分析与研究,对电子器件的生产、使用和研发等具有深远的意义。 1 电应力的失效现象特征 (1)电应力失效是指由于使用了超出或违背了器件规范规定的电压和电流的电应力,造成封装器件的失效。电应力失效的主要表现形式有:ESD静电损伤、EOS 过电损伤、电迁移。 (2)静电(ESD)损伤的主要特征有:晶格熔化或金属与硅共熔,使P-N结受损短路;氧化层汽化产生空洞使器件短路、开路;金属联线挥发造成器件之间短路、开路。 过电应力(EOS)失效的主要特征:在失效分析的实践中,过电应力损伤还经常指有明显可见熔蚀痕迹的损伤,特别是封装材料有碳化现象:一般表现为键合丝熔断,造成开路;芯片表面金属布线熔融蒸发,造成开路、短路或漏电;硅材料熔融蒸发键合丝的熔断可以发生在任何管脚上。 (3)电迁移主要失效特征:银离子爬升呈树枝状晶或絮状晶,造成晶圆短路或漏电;当元器件工作时,金属互联线的铝条内有一定强度的电流通过,在电流的作用下,金属离子沿导体移动,产生质量的传输,导致到体内某些部位产生空洞或晶须(小丘),造成开路或漏电。 2 失效机理特征 2.1 ESD (1)ESD产生的模式:1)人体模式:静电放电的人体模式(Human Body Model),简称HBM。主要是人体静电放电对敏感电子器件产生的作用,导致封装器件的失效;2)机器模式:机器模式(Machine Model),简称MM。主要是导体带静电后对器件产生的作用,导致封装器件的失效。比如在自动装配线上的元器件遭受到带电金
摘要：电子元器件被广泛的应用于人们的生产和生活的各种装置中，是社会进步发展必不可少，具有极为重要的作用。然而各类电子元器件在使用过程中不可避免地会出现失效现象。因此分析元器件失效原因和老化机理，并提出可行的老化方法就显得尤为重要。 关键字：老化机理，失效原因 Abstract：Electronic components are widely used in people's production and life, is essential for social progress and development, an extremely important role. However, the use of various electronic components will inevitably occur during the failure phenomenon. Therefore, the aging analysis of the causes and mechanisms of component failure, and put forward feasible method of aging is particularly important. Keyword：Aging mechanisms，failure causes 1引言 电子元器件在各种电子产品中有广泛的应用。电子产品都有一定的使用寿命，这与电子元器件的寿命密切相关。电子元器件在使用的过程有可能出现故障，即失去了原有的功能，从而使电子产品失效。电子产品的应用十分的广泛，是生产生活所不能缺少的重要部分。因此研究电子元器件的失效原因和老化机理，并提出可行的老化方法就具有重要意义。老化是一种方法，即给电子元器件施加环境应力试验。若了解电子元器件的老化机理就能提出可靠的老化，就可以剔除产生出有缺陷将会早期失效的元器件，因而保证了出产产品的使用寿命。一个有效的老化方法能降低生产成本，提高收益，减少不必要的损失和麻烦。 2 研究电子元器件失效的意义 电子元器件的失效即为特性的改变，表现为激烈或缓慢变化，不能正常工作。 在文献[1]中介绍了电子元器件的失效原因。 其主要分为： 1致命性失效：如过电应力损伤 2缓慢退化：如MESFET（金属—半导体场效应晶体管）的IDSS（饱和漏源电流）下降 3间歇失效:如塑封器件随温度变化间歇失效 在文献[1]中也介绍了研究电子元器件失效的实验方法。 其主要可分为： 1应力----强度模型即保持元器件所在的环境不发生任何变化只改变应力的大小。从一个低的应力下缓慢增加直至应力超过元器件的强度承受范围（如过电应力（EOS）静电放电（ESD）闩锁等等），纪录下在各种应力的电子元器件的各种电气特性的数据，用来在实验结束后进行数据处理和分析。 2应力----时间模型即保持元器件所处的环境下各种应力是保证不发生变化的，在某一特定的应力下随着时间的积累效应，特性变化超差（如金属电迁移，腐蚀，热疲劳等等）。同样也要纪录下在各个时间段内元器件的各种电气特性数据，用来在实验结束后进行数据处理和分析。 研究电子元器件的失效原理能确定它的失效模式、失效机理，研究分析老化机理，防止失效重复出现，并提出可行的老化方法。 3 各种电子元器件失效原因和老化机理 3.1电容器的失效原理
电子产品失效模式分析 失效分析是一门发展中的新兴学科，近年开始从军工向普通企业普及，它一般根据失效模式和现象，通过分析和验证，模拟重现失效的现象，找出失效的原因，挖掘出失效的机理的活动。在提高产品质量，技术开发、改进，产品修复及仲裁失效事故等方面具有很强的实际意义。 01、失效分析流程 图1 失效分析流程 02、各种材料失效分析检测方法 1、PCB/PCBA失效分析 PCB作为各种元器件的载体与电路信号传输的枢纽已经成为电子信息产品的最为重要而关键的部分，其质量的好坏与可靠性水平决定了整机设备的质量与可靠性。
图2 PCB/PCBA 失效模式 爆板、分层、短路、起泡，焊接不良，腐蚀迁移等。 常用手段 无损检测：外观检查，X射线透视检测，三维CT检测，C-SAM检测，红外热成像 表面元素分析： ?扫描电镜及能谱分析(SEM/EDS) ?显微红外分析(FTIR) ?俄歇电子能谱分析(AES) ?X射线光电子能谱分析(XPS) ?二次离子质谱分析(TOF-SIMS) 热分析： ?差示扫描量热法(DSC) ?热机械分析(TMA) ?热重分析(TGA) ?动态热机械分析(DMA) ?导热系数(稳态热流法、激光散射法) 电性能测试： ?击穿电压、耐电压、介电常数、电迁移 ?破坏性能测试： ?染色及渗透检测
2、电子元器件失效分析 电子元器件技术的快速发展和可靠性的提高奠定了现代电子装备的基础，元器件可靠性工作的根本任务是提高元器件的可靠性。 图3 电子元器件 失效模式开路，短路，漏电，功能失效，电参数漂移，非稳定失效等 常用手段电测：连接性测试电参数测试功能测试 无损检测： ?技术(机械、化学、激光) ?去钝化层技术(化学腐蚀去钝化层、等离子腐蚀去钝化层、机械研磨去钝化层) ?微区分析技术(FIB、CP) 制样技术： ?技术(机械、化学、激光) ?去钝化层技术(化学腐蚀去钝化层、等离子腐蚀去钝化层、机械研磨去钝化层) ?微区分析技术(FIB、CP) 显微形貌分析： ?光学显微分析技术 ?扫描电子显微镜二次电子像技术 表面元素分析： ?扫描电镜及能谱分析(SEM/EDS) ?俄歇电子能谱分析(AES) ?X射线光电子能谱分析(XPS) ?二次离子质谱分析(SIMS) 无损分析技术： ?X射线透视技术 ?三维透视技术