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模拟电子技术基础试卷及参考答案

试卷五（本科）及其参考答案

试卷五

一、填空和选择题（每小题2分共16分）

1．半导体二极管的重要特性之一是。

（A）温度稳定性（B）单向导电性（C）放大作用（D）滤波特性2．在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生失真。

（A）截止失真（B）饱和v失真（C）双向失真（D）线性失真3．多级放大电路与组成它的任何一个单级放大电路相比，通频带。

（A）变宽（B）变窄（C）不变（D）与单级放大电路无关4．电流源电路的特点是输出电流恒定，交流等效电阻。

（A）等于零（B）比直流等效电阻小

（C）等于直流等效电阻（D）远远大于直流等效电阻

5．放大电路产生零点漂移的主要原因是。

（A）采用了直接耦合方式（B）采用了阻容耦合方式

（C）采用了正、负双电源供电（D）增益太大

6．二阶压控电压源低通有源滤波器通带外幅频响应曲线的斜率为。

（A）20dB/十倍频程（B）-20dB/十倍频程

（C）40dB十倍频程（D）-40dB/十倍频程

7．当有用信号的频率低于100Hz时，应采用滤波电路。

（A）低通（B）高通（C）带通（D）带阻

8．在图1-8所示电路中，稳压管D Z的稳定电压V Z = 6V，最小稳定电流I zmin = 5mA，输入电压V I = 12V，电阻R=100Ω，在稳定条件下I L的数值最大不应超过。

（A）40mA （B）45mA （C）55mA （D）60mA

图1-8

二、（14分）

分压式射极置共射放大电路如图2所示，已知BJT的β =100，V BE = 0.7V。电路处于正常放大状态。

（1）估算电路的静态工作点；

（2）画出简化的H参数小信号等效电路；

（3）求放大电路通带内的电压增益、输入电阻和输出电阻。

图2

三、（12分）

放大电路如图3 a、b、c、d所示。

（1）试分别说明4个放大电路所属的组态；

（2）当信号源为电压源，且内阻不为零时，最好采用图中哪一个电路作为输入级？

（3）为了使放大电路有较强的带负载能力，最好采用图中哪一个电路作为输出级？

（4）当信号的频率范围比较宽，肯包含较高的频率成分时，最好采用图中哪一个电路进行放大？

（5）假设图a放大电路的输入电阻和输出电阻均为4kΩ，图d的输入电阻为60kΩ，输出电阻为50Ω，当用图a和d构成两级放大电路，其输入信号取自内阻为200Ω的电压源信号，输出端带4kΩ负载时，试问：由图a作为第一级、图d为第二级时电压增益的值大，还是图d为第一级、图a为第二级时电压增益的值大？

图3

四、（10分）

电路如图4所示。

（1）R5、R6和T4构成的电路有什么作用？

（2）希望在不增加其它任何元器件情况下，通过图中反馈电阻R f引入负反馈，以稳定输出电压O v。试画出反馈通路的连线，并说明该反馈是什么组态；

（3）假设引入的负反馈为深度负反馈，可忽略T2、T3的饱和管压降。当电路输入幅值为300mV的正弦波信号时，若要求负载电阻R L上得到最大不失真输出电压，反馈电阻R f应取多大？此时负载获得的功率有多大？

图4

五、（15分）

1．（9分）电路如图5-1所示，试求出函数关系式)v (f v ),v (f v ),v (f v S O S S ===3O2O1。（设图中运放均匀理想运放，电容器的初始电压为零）

图5-1

2．（6分）图5-2 a 、b 、c 所示电路中，假设A 为理想运逄放大器，其工作电源电压为±15V ，最大输出电压±V v 13Om ax ±=。当t = 0时该时，输入端加入100mV 的阶跃电压，试分别求出1秒钟后图a 、b 、c 输出电压的绝对值。

(a) (b) (c)

图5-2

六、（15分）

1．（9分）放大电路如图6-1所示，已知集成运算放大器A 的开环增益大于105。（1）求静态电流I c4;

（2）放大电路处于静态时运放A 输入端的共模输入电压；

（3）要使电路引入的反馈为负反馈，试在图中标出运放A 输入端的“+”、“-”号；（4）电路中引入了什么组态（类型）的反馈？

（5）电路处于深度负反馈，求该电路的闭环电压增益。

图6-1

2．（6分）反馈放大电路如图6-2所示。（1）判断电路的反馈阻态（类型）；

（2）电路引入反馈后，对电路的输入电阻将产生什么影响？是稳定了输出电压，还是稳定了输出电流？

图6-2

七、（10分）

桥式RC 正弦波振荡电路如图7a 左侧所示。

（1）为使电路能产生振荡，根据相位平衡条件，正确连接a 、b 、c 、d 。（2）振荡频率是多少？

（3）若常温下（C ?25），热敏电阻R f =10k Ω,则R 1的应怎么样取值才能使电路起振？（4）当3

2O O 、v v 的波形如图7b 所示时，从下列答案中选择正确的答案填入图a 相应

的方框中：

A ．电压路随器 B. 正弦波振荡电路 C. 微分电路 D. 枳分电路 E ．单门限比较器 F. 同相输入迟滞比较器 G . 反相输入迟滞比较器

(a)

(b)

图7

八、（8分）

小功率直流稳压电源如图8所示。

（1）电路中存在错误，请指出错误之处，并改正之（可在图中改，也可用文字说明）（2）电路两输出端对地的直流电压是多少？

（3）若7815、7915输入与输出的最小电压差为2.5V，则V2的有效值不应小于多少？（4）一般情况下，C1、C2的电容值越大越好，还是越小越好？为什么？

图8

试卷五参考答案

一、

1.B

2.B

3.B

4.D

5.A

6.D

7.A

8.C

二、V B =V

79.212103310

=?+

R V V I I 2R e2

e1BE

B E

C =+-=

≈

A I I μβ20/C

B ==

R R R I V V 3.3)

(e2e1C C CC CE =++-=

r be =200+101Ω=?

k I 513.126

E 4

.25)1(//3e1

be L

E V -=++-

=R V R R A β

Ω=++=k R r R R R 6.3])1(//[//e1be b2b1i β

R O =R C =3.3Ωk

三、(1) (a) CE (b) CB (c) CS (d) CC （2）c （3）d （4）b （5）a —d

四、(1) 克服交越失真

（2）引入电压并联负反馈，电路如下图所示

（3）V 15omax =V

50=A

Ω=k 50f R

14821522

L 2

=?==R V P om

五、1. s v v 201=

s v v v 6)510

1(0102-=+=

??=-

=dt dt RC s 02

o v RC 6v v 1

2. （a ） V 11.010=?=O v

（b ） V

13=o v

（c ） V 0=o v

六、1. （1）

1C3

EE CC C4=-+=

R V V V I

（2）V

R I V 421

C C4CC N =?-==p v v

（3）运放A 输入端上端为同相端，下端为反向端（4）电压串联负反馈

（5）

131211b

=+=+

=R R A vf

2. （1）电流并联负反馈（2）减小R i ，稳定I o 七、（1）

（2）

796

（3）

八、（1）图中D3接反了

（2）±15V

（3）

1.1

5.2

)

(

（4）越大越好，滤波后o v波形平坦

模拟电子技术基础知识点总结

模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳

2) 等效电路法直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳

《电工电子技术基础》试题库38874

一、判断题 1．理想电流源输出恒定的电流，其输出端电压由内电阻决定。（错） 2．因为正弦量可以用相量来表示，所以说相量就是正弦量。（错） 3．自耦变压器由于原副边有电的联系，故不能作为安全变压器使用。（对） 4．电动机的额定功率是指电动机轴上输出的机械功率。（对） 5．一个1/4W,100Ω的金属膜电阻，能够接在50V 电源上使用。（错） 6．三相对称电路中，负载作星形联接时，P 3I I l 。（错） 7．电阻、电流和电压都是电路中的基本物理量。（错） 8. 电压是产生电流的根本原因。因此电路中有电压必有电流。（错） 9. 正弦量的三要素是指最大值、角频率和相位。（错） 10．负载作星形联接时，必有线电流等于相电流。（对） 11．一个实际的电感线圈，在任何情况下呈现的电特性都是感性。（错） 12．正弦交流电路的频率越高，阻抗越大；频率越低，阻抗越小。（错） 13．中线不允许断开，因此不能安装保险丝和开关。（对） 14．互感器既可用于交流电路又可用于直流电路。（错） 15．变压器是依据电磁感应原理工作的。（对） 16．电机、电器的铁心通常都是用软磁性材料制成。（对） 17．自耦变压器由于原副边有电的联系，所以不能作为安全变压器使用。（对） 18．电动机的转速与磁极对数有关，磁极对数越多转速越高。（错） 19．三相异步电动机在满载和空载下起动时，起动电流是一样的。（错） 20．二极管若工作在反向击穿区，一定会被击穿。（错） 21．晶体管可以把小电流放大成大电流。（对） 22．在P 型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。（对） 23．晶体管可以把小电压放大成大电压。（错） 24．在N 型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。（错） 25．二极管两端加上正向电压就一定会导通。（错）二、选择题 1．电位和电压相同之处是( C )。 A ．定义相同 B ．方向一致 C ．单位相同 D ．都与参考点有关 2．两个阻值相同的电阻器串联后的等效电阻与并联后的等效电阻之比是( A )

(完整版)《电工电子技术基础》试题库(附有答案)

一、填空题 1．已知图中 U1＝2V， U2＝-8V，则U AB＝-10。 2．电路的三种工作状态是通路、断路、短路。 3．有三个6Ω的电阻，若把它们串联，等效电阻是 18 Ω；若把它们并联，等效电阻 2Ω；若两个并联后再与第三个串联，等效电阻是 9 Ω。 4．用电流表测量电流时，应把电流表串联在被测电路中；用电压表测量电压时，应把电压表与被测电路并联。 5．电路中任意一个闭合路径称为回路；三条或三条以上支路的交点称为节点。 6．电路如图所示，设U=12V、I=2A、R=6Ω，则U AB= -24 V。 7．直流电路如图所示，R1所消耗的功率为2W，则R2的阻值应为 2 Ω。 8．电路中电位的参考点发生变化后，其他各点的电位均发生变化。 9．在直流电路中，电感可以看作短路，电容可以看作断路。 9．我国工业交流电采用的标准频率是 50 Hz。 10．三相对称负载作三角形联接时，线电流I L与相电流I P间的关系是：I P＝3 I L。 11．电阻元件是耗能元件，电容元件是储能元件。

12．已知一正弦电压u=311sin(628t-60o)V ，则其最大值为 311 V ，频率为 100 Hz ，初相位为 -60o 。 13．在纯电阻交流电路中，已知电路端电压u=311sin(314t-60o)V ，电阻R=10Ω，则电流I=22A,电压与电流的相位差φ= 0o ，电阻消耗的功率P= 4840 W 。 14．三角形联结的三相对称负载，若线电压为380 V ，则相电压为 380 V ；若相电流为10 A ，则线电流为 17.32 A 。 15．式Q C =I 2X C 是表示电容元件在正弦电路中的无功功率计算公式。 16．正弦交流电压的最大值U m 与其有效值U 之比为 2 。 17．电感元件是一种储能元件，可将输入的电能转化为磁场能量储存起来。 18．若三相电动势依次达到最大值的次序为e 1—e 2—e 3，则称此种相序为正序。 19．在正弦交流电路中，电源的频率越高，电感元件的感抗越大。 20．已知正弦交流电压的有效值为200V ，频率为100Hz ，初相角为30o，则其瞬时值表达式u= 282.8sin （628t+30o）。 21．正弦量的三要素是最大值或有效值、频率和初相位。 22．对称三相电源是指三个幅值相同、频率相同和相位互差120o 的电动势电源。 23．电路有通路、开路和短路三种工作状态。当电路中电流0 R U I S 、端电压U ＝0时，此种状态称作短路，这种情况下电源产生的功率全部消耗在内阻上。

电子技术基础知识讲解学习

1.2电子技术基础知识一、填空 1、电容器的主要技术指标有Vmax、标称电容值、和允许误差范围四只200μF/50V的电容器串联，等效电容量为50μF。 2、三极管的极限参数有Pcm、Icm、BVceo。（集电极、发射极、击穿电压） 3、有一个稳压二极管稳压电路，焊接后挑食时发现其稳压输出端只有0.7伏的电压，经检查元件是好的，出现这种故障的原因是接反。 4、稳压管工作在反向击穿区，稳压管接入电路时，阴极应接电压的正极，阳极接负极，反映稳压管性能的参数时动态电阻。 6、晶闸管三个电极的名称是阳极、阴极和门极。 7、在晶体管放大电路中，反馈信号取自于输出电压，这种反馈叫做电压反馈。 8、三极管放大电路设置静态工作点的目的是获得最大不失真输出。 9、场效应管是通过改变栅源电压来改变漏极电流的，所以它是一个电压控制器件；根据结构的不同，场效应管可分为结型和绝缘栅型两种类型。 10、把集成运放接成负反馈组态是集成运放线性应用的必要条件。而在开环或正反馈时，集成运放工作在非线性工作状态。 11、已知某深度负反馈电路A Ud=100，F=0.1，则A Uf=9。 12、正弦波振荡电路一般由基本放大电路、反馈电路、选频网络和稳压电路等四个环节组成，而且缺一不可。 13、若采用市电供电，则通过变压、整流、滤波和稳压后可得到稳定的直流电。 14、理想运算放大器的开环放大倍数A od为∞，输入阻抗为∞，输出阻抗R od为0，共模抑制比K CMR为∞，频带宽度BW为∞。 15、串联型稳压电源电路包括调整输出、比较放大、采样和基准电位四个环节。 16、一个10位的DAC，输出电压满量程为10V，则它的分辨率为1/（210-1），能分辨的最小电压值为10/210V。 17、TTL电路多余管脚可以悬空，CMOS电路则不能悬空。 18、三极管放大器有共集、共射和共基三种基本组态。 19、多级放大器的级间耦合方式一般有直接耦合、光电耦合和变压器耦合三种。 20、为了抑制直流放大器中的零点漂移，最常采用的方法是差放、温度孔径和负反馈等措施。 21、集成运放按输入方式的不同可分为反相输入、同相输入和差放输入三种形式。 22、运算放大器是一种高增益的多级放大器，其输入级一般采用差分输入，输出级一般采用跟随。 23、RC电路最主要的应用包括耦合、微分和积分三种。 24、最基本的逻辑关系有与门、非门、或门三种。 25、七段数码显示器通常分为共阳和共阴。

清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案

第一章半导体基础知识自测题一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V 五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。六、1、 V 2V mA 6.2 A μ26V C C CC CE B C b BE BB B =-====-= R I U I I R U I β U O ＝U CE ＝2V 。 2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。习题 1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 t

1.5 u o 的波形如图所示。 1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝ 2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。 1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。（2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。 1.9 （1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流为4mA ，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I ＝15V 时，由于上述同样的原因，U O ＝5V 。当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝5V 。（2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 （1）S 闭合。（2）。，Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R 1.11 波形如图所示。 1.12 60℃时I CBO ≈32μA 。 1.13 选用β＝100、I CBO ＝10μA 的管子，其温度稳定性好。 1.14

电子技术基础知识

电子技术基础知识一、电流 1、电路一般就是有哪几部分组成的？答:电路一般由电源、开关、导线、负载四部分组成。 2、电流,就是指电荷的定向移动。 3、电流的大小称为电流强度(简称电流,符号为I),就是指单位时间内通过导线某一截面的电荷量,每秒通过1库仑的电量称为1「安培」(A)。 4、电流的方向,就是正电荷定向移动的方向。 5、电流的三大效应:热效应磁效应化学效应 6、换算方法: 1A=1000mA 1mA=1000μA 1μA=1000nA 1nA=1000pA 1KA=1000A 7、电流产生的条件: ①必须具有能够自由移动的电荷(金属中只有负电荷移动,电解液中为正负离子同时移动)。 ②导体两端存在电压差(要使闭合回路中得到持续电流,必须要有电源)。 ③电路必须为通路。 8、电流表与电压表在电路中如何连接？为什么？答:电流表在电路中应与被测电路串联相接,因为电流表内阻小,串在电路中对电路影响不大;电压表在电路中应与被测电路并联相接,因为电压表内阻大,并联相接分流作用对电路影响较小、二、电阻 1、电阻表示导体对电流阻碍作用的大小。

2、电阻在电路中通常起分压、分流的作用 3、换算方法:1MΩ=1000KΩ;1KΩ=1000Ω 4、导体的电阻的大小导体的长度、横截面积、材料与温度有关。 5、电阻元件就是对电流呈现阻碍作用的耗能元件,例如灯泡、电热炉等电器。电阻定律:R=ρL/S ρ——制成电阻的材料电阻率,国际单位制为欧姆·米(Ω·m) ; L——绕制成电阻的导线长度,国际单位制为米(m); S——绕制成电阻的导线横截面积,国际单位制为平方米(㎡) ; R ——电阻值,国际单位制为欧姆(Ω)。 6、使用万用表,应先关掉电路板路的电源以免烧坏万用表,若有其她电阻并在被测电阻上,应先断开其她电阻后再测,测时两手不应接触表棒或被测电阻的裸露导电部分,以免引起误差。 7、使用万用表,应先关掉电路板路的电源以免烧坏万用表,若有其她电阻并在被测电阻上,应先断开其她电阻后再测,测时两手不应接触表棒或被测电阻的裸露导电部分,以免引起误差。 8、什么叫电动势？它与电压有什么不同？在电路中,电压与电动势的方向就是如何规定的？答:电动势就是衡量电源力做功的量,它就是在电源内部把单位正电荷从电源的负极移动到电源的正极;而电压则就是在电源外部将单位正电荷从电源的正极移动到电源的负极。在电路中,电压的方向就是在外电路从电源的正极指向电源的负极;而电动势的方向则就是从在电源内部从电源的负极指向电源的正极。三、欧姆定律 1、定律:在同一电路中,导体中的电流跟导体两端的电压成正比,跟导体的电阻

电工电子技术基础试题库

《电工电子技术》课程复习资料一、填空题： 1.正弦交流电的相量表示具体有有效值相量和最大值相量两种形式。 2.一阶电路暂态过程三要素法的表达式。 3.变压器有三大作用，分别是变压_、_变流_和_变换阻抗_。结具有单向导电性，可描述为正偏导通、反偏截止。 5.以比较的风格分类，电压比较器有单限比较、滞回比较和窗口比较。 6.基本的逻辑关系是逻辑与、逻辑或和逻辑非。 7.“触发”是指给触发器或时序逻辑电路施加时钟（脉冲）信号。 8.电路的主要作用是传输、分配和控制电能和传送、处理电信号。 9.负载功率因数过低的后果是增大输电线路损耗和使供电设备不被充分利用。 10.三相同步发电机的基本构成是定子和转子。 11.电容和电感储能的数学表达式是和。 12.低压供电系统的接线方式主要有树干式和放射式。 13.实际变压器存在两种损耗，分别是铜耗和铁耗。 14.已知三相异步电动机的工频为50HZ，五对磁极，则同步转速为600r/min。 15.变压器的主要构成部件是绕组和铁芯。 16.已知三相异步电动机的工频为50HZ，四对磁极，则同步转速为750 r/min。 17.晶体三极管的两个PN结分别是发射结和集电结。 18.要使晶体三极管处于截止状态，其偏置方法是使发射结反偏集电结反偏。 19.反相比例运算关系是.，同相比例运算关系是。 20.多发射极管的作用是实现与运算、提高（逻辑）转换速度。 21.翻转是指触发器在时钟脉冲到达后形成与初态相反的次态。 22.我国规定的电力网特高压额定值有330kV、500kV和1000kV 。 23.理想变压器的变压公式是。 24.已知三相异步电动机的工频为50HZ，三对磁极，则同步转速为1000r/min。 25.晶体三极管有三种工作状态，分别为放大、截止和饱和。 26.放大电路的耦合方式有阻容耦合、变压器耦合和直接耦合。 27.负反馈对放大电路性能的影响有稳定电压放大倍数、拓展频宽、改善非线性失真和改变输入输出阻抗。 28.与时序电路相比，组合电路的特点是输出只与当前输入有关，而与初态无关。 29.理想变压器的变流公式是。 30.已知三相异步电动机的工频为50HZ，二对磁极，则同步转速为1500r/min

学习《电子技术基础》的一些心得体会

学习《电子技术基础》的一些心得体会 ZD8898 一.电子技术基础是通信、电子信息、自动控制、计算机等专业的专业基础课程电子技术基础包含了《模拟电子技术基础》和《数字电子技术基础》两门最重要的专业基础课程。是上述专业最底层，最基础的课程。首先要从思想上高度重视这两门基础课的学习，你才能学好这两门课。如果这两门基础课程学不好，可以肯定，其它的专业课程也学不好。因为没有扎实的电子技术方面的基础，就无法理解和掌握其它的专业课程的知识。例如高频电路、自动控制、计算机接口电路、微型计算机技术等等。假如你对放大、反馈、振荡、滤波电路都读不懂，你怎么能读懂彩色电视机电路图、DVD电路图？如果你对数字电路一窍不通，你怎么去学习计算机硬件和软件知识？你怎么能成为出色的电气工程师？二.培养对电子技术的兴趣，使你学好电子技术有充足的学习动力大家都知道，如果你想要学习某个方面的知识和技能，就必须对这方面有浓厚的兴趣才能学好。例如歌手，除了其本身有好的嗓子外，他（她）们肯定对唱歌有浓厚的兴趣，他（她）们才能如此刻苦去学习，才能成为百姓们喜爱的歌唱演员。中央电视台〈星光大道〉节目中出来的歌手，如李玉刚、阿宝、朱之文、石头、玖月奇迹、凤凰传奇、王二妮等等就是最好的例子。同样，学习电子技术基础也如此。只有对这门课程有兴趣，不是老师要我学，而是我要学。只有这样自己才能变被动学习为主动学习，才能学好电子技术基础。本人能从事电子技术工作数十年，其中一个非常重要的原因就是爱好电子技术，对电子技术有浓厚的兴趣。我在大学学的专业是物理专业，而不是电子专业。毕业后分配到三线的工厂，当时正是文化革命时期，到了工厂就接受工人阶级再教育，六、七年的时间，和其它工人师傅一样，一直在车间生产第一线。三班倒，干的是高温作业，又热又累的工作。尽管干的别的工种的活，但我热爱电子技术。到工厂之后，对电器、电子特别有兴趣。就自学电工、半导体以及电子方面的知识。自己组装收音机、电视机等。电子技术的水平得到提高。在车间实现了多项技术革新。如程序控制的熔结炉、涡流棒材探伤仪等。后来成为电气工程师。80年代，本人又从研究所调回学校，从事科研和教学工作。同时负责实验室的仪器设备的电器维修工作。所以说兴趣爱好是学习的动力和源泉。本人深有体会。三.电子技术基础是比较难学的课程。无论是〈模拟电子技术基础〉或〈数字电子技术基础〉课程都是难度较大的课程。

电工电子技术基础教材

电工电子技术基础教材（第一版）主编：马润渊张奋

目录第一章安全用电 (1) 第二章直流电路基础 (2) 第三章正弦交流电路 (21) 第四章三相电路 (27) 第五章变压器 (39) 第六章电动机 (54) 第七章常用半导体 (59) 第八章基本放大电路 (65) 第九章集成运算放大器 (72) 第十章直流稳压电源 (75) 第十一章数制与编码 (78) 第十二章逻辑代数基础 (81) 第十三章门电路和组合逻辑电路 (84)

第一章安全用电学习要点：了解电流对人体的危害掌握安全用电的基本知识掌握触点急救的方法 1.1 触电方式安全电压：36V和12V两种。一般情况下可采用36V的安全电压，在非常潮湿的场所或容易大面积触电的场所，如坑道内、锅炉内作业，应采用12V的安全电压。 1.1.1直接触电及其防护直接触电又可分为单相触电和两相触电。两相触电非常危险，单相触电在电源中性点接地的情况下也是很危险的。其防护方法主要是对带电导体加绝缘、变电所的带电设备加隔离栅栏或防护罩等设施。 1.1.2间接触电及其防护间接触电主要有跨步电压触电和接触电压触电。虽然危险程度不如直接触电的情况，但也应尽量避免。防护的方法是将设备正常时不带电的外露可导电部分接地，并装设接地保护等。 1.2 接地与接零电气设备的保护接地和保护接零是为了防止人体接触绝缘损坏的电气设备所引起的触电事故而采取的有效措施。 1.2.1保护接地电气设备的金属外壳或构架与土壤之间作良好的电气连接称为接地。可分为工作接地和保护接地两种。工作接地是为了保证电器设备在正常及事故情况下可靠工作而进行的接地，如三相四线制电源中性点的接地。保护接地是为了防止电器设备正常运行时，不带电的金属外壳或框架因漏电使人体接触时发生触电事故而进行的接地。适用于中性点不接地的低压电网。 1.2.2保护接零在中性点接地的电网中，由于单相对地电流较大，保护接地就不能完全避免人体触电的危险，而要采用保护接零。将电气设备的金属外壳或构架与电网的零线相连接的保护方式叫保护接零。

数字电子技术基础学习总结

数字电子技术基础学习总结光阴似箭，日月如梭。有到了这个学期的期末，对我来说又是一次对知识的大检查。这学期总共学习了4章，分别是数字逻辑基础、逻辑门电路基础、组合逻辑电路、触发器。在第一章学习数字逻辑基础包括模拟信号与数字信号、数字电路、数制、各种数制之间的转换和对应关系表、码制（BCD码、格雷码、ASCII码）、逻辑问题的描述（这个是重点）、逻辑函数的五种描述方法、逻辑函数的化简；在数制里学习四种进制十进制、二进制、八进制、十六进制；十进制是逢十进一，二进制是逢二进一，在八进制中只是二进制的一种简便表示方法而已，它的规律是逢八近一，而十六进制有09ABCDEF十六个数码这个要记住和一些算法。比如十进制的534，八进制为1026，过程为： 534/8=66,余数为6; 66/8=8,余数为2; 8/8=1,余数为0; 1/8=0,余数为1;

仍然是从下往上看这些余数，顺序写出，答案为1026 所以在数制的之间转换有5种转换，10和2转换（除2取余数法，如上题一样），10和8转换对整数除8取余，对小数点乘8取整。10和16转换对整数除16取余，对小数点乘16取整,2和8转换对应关系3位二进制对应1位八进制可看对应关系图。2和16转换4位二进制对应1位十六进制数，可看对应关系图。在码制的学习中学习了3种码BCD码、格雷码、ASCII码。 BCD码：用4位二进制数来表示1位十进制数中的0~9这10个数码，简称BCD码，还有几个常用的BCD码：8421（常用）、5421、2421、余3。如8421码321的8421码就是（查表） 3 2 1 0011 0010 0001 原因:0011=8x0+4x0+1x2+1x1=3 、 0010=8x0+4x0+2x1+1x0=2、0001=8x0+4x0+2x0+1x1=1；格雷码：有两个特点1相邻性2循环性。

《电工电子技术基础》试卷A及参考答案

华中师范大学成人专科学年第二学期《电工电子技术基础》试卷（A 卷）考试时间：90分钟闭卷任课老师：班级：学号：姓名：成绩：一、填空：(每空2分，共40分) 1、基尔霍夫电流定律：I= A 。； 2、欧姆定律：买了一个日光灯,功率P=40W ，电压220V ，I= A . 因为它的功率因数只有0.5，应该在它的两端并联可以其提高功率因数。 3、电路如图，其戴维南等效电路的参数： U AB = V ；R AB = Ω； 4、单相交流电路：已知：0220260)u t V =+；则有效值U= V ；频率是 HZ 。 5、对称三相四线制电路中，相电压是220V ，线电压为： V ； 6、三相交流异步电动机的转差率S= 。 7、三相交流异步电动机定子旋转磁场的转速是： 8、三极管的放大条件是： 9、判断R F 的反馈类型：。 10、组合电路如图，输出F= 。装订线

11、三端集成稳压器W7809能够输出 V电压。 12、三相四线制电路中，则中线的作用为。 13、能实现F=0 的逻辑门是。 14、可以实现Q Q n= +1的电路是：。 15、安全电压是： V。 16、热继电器的热元件应该连接到。 17、变压器铁心有：两种损耗。二、简答题：（每题4分，共20分） 1、交流电路的有功功率、无功功率及视在功率的表达式？其中cos?被称为什么？答： 2、三相异步电动机的调速方法有哪些？答： 3、画出接触器的线圈符号及触头的符号。答： 4、单相桥式整流电路，已知变压器副边电压U 2 =20V，则输出平均电压 U O =？若一个二极管开路，则输出平均电压U O =？

电子技能实训教学大纲

电子技能实训教学大纲一、实训课程概况：电子技能实训教学是以学生自己动手，掌握电子技术基础理论、一定操作技能和制作几种实际产品为特色的实训项目。它是电子产品生产基本技能和工艺知识入门的向导，又是创新实践的开始和创新精神的启蒙。电子技能实训教学体系的研究是为了在电子实训教学中使机电、电子专业的学生尽快掌握电子产品的生产工艺的理论，掌握技能、积累经验和提高能力共同发展。为机电、电子专业的学生毕业后尽快适应岗位的需要，改革现行的电子实训教学内容和教学方式，高起点的培养电子产品的设计制造人才，以满足制造业发展对人才的需要。二、实训课程安排：本课程分九个实训单元进行。 (一)电子基本技能实训（二）电子仪器与线路分析实训（三）EDA实训（四）电子综合技能（信号发生器制作）实训（五）电子综合技能（数字电子钟制作）实训（六）计算机仿真实训（七）家用电器维修实训《电子基本技能实训》教学大纲实训名称：电子基本技能实训实训课代码：实训周数：一周实训学分：1 适用专业：工科类修电子技术课程所有专业，适用于本科一、实训教学的性质和任务

电子基本技能实训是电子、电气类职业技术教育的重要环节，是培养学生实践技能的重要途径之一。本课程从电子元器件识别、检测，通过万用表、电子测量仪器的使用，焊接元器件装配技术，手工设计印制电路板，使学生得到一个基本的实践技能训练机会，为以后的实验、实训课程打下基础。主要目的和任务：（一）、掌握电子技术应用过程中的一些基本技能。（二）、巩固、扩大已获得的理论知识。（三）、了解电子设备制作、装调的全过程，掌握查找及排除电子电路故障的常用方法。（四）、培养学生综合运用所学的理论知识和基本技能的能力，尤其是培养学生独立分析和解决问题的能力。二、实训教学的主要内容和基本要求 1、电子基本技能实训教学的主要内容及知识、能力、素质的基本要求：（一）、熟练掌握指针式万用表和数字式万用表的使用方法及注意事项。（二）、熟练识别各种电子元器件；了解各种元器件的作用、分类、性能及其参数。（三）、用万用表对各种元器件进行测试和判别。（四）、会查阅电子元器件相关手册。（五）、掌握各种仪器仪表的操作步骤；了解各种仪器仪表的使用注意事项（六）、掌握各种焊接工具的使用及维护。（七）、熟悉电子产品的安装及手工焊接技术，能独立完成电子元器件的拆、装、焊。（八）、能独立完成简单电子产品的安装与焊接。（九）、熟悉电路板的设计原则；了解印制电路板的制作过程。（十）、掌握简单电子产品（LC振荡器）原理图的绘制。 2、电子基本技能实训教学方法手段的基本要求：

模拟电子技术基础全套教案

《模拟电子技术基础》教案 1、本课程教学目的：本课程是电气信息类专业的主要技术基础课。其目的与任务是使学生掌握常用半导体器件和典型集成运放的特性与参数，掌握基本放大、负反馈放大、集成运放应用等低频电子线路的组成、工作原理、性能特点、基本分析方法和工程计算方法；使学生具有一定的实践技能和应用能力；培养学生分析问题和解决问题的能力，为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。 2、本课程教学要求： 1．掌握半导体器件的工作原理、外部特性、主要参数、等效电路、分析方法及应用原理。 2．掌握共射、共集、共基、差分、电流源、互补输出级六种基本电路的组成、工作原理、特点及分析，熟悉改进放大电路，理解多级放大电路的耦合方式及分析方法，理解场效应管放大电路的工作原理及分析方法，理解放大电路的频率特性概念及分析。 3．掌握反馈的基本概念和反馈类型的判断方法，理解负反馈对放大电路性能的影响，熟练掌握深度负反馈条件下闭环增益的近似估算，了解负反馈放大电路产生自激振荡的条件及其消除原则。 4．了解集成运算放大器的组成和典型电路，理解理想运放的概念，熟练掌握集成运放的线性和非线性应用原理及典型电路；掌握一般直流电源的组成，理解整流、滤波、稳压的工作原理，了解电路主要指标的估算。 3、使用的教材：杨栓科编，《模拟电子技术基础》，高教出版社主要参考书目：康华光编，《电子技术基础》（模拟部分）第四版，高教出版社童诗白编，《模拟电子技术基础》，高等教育出版社，张凤言编，《电子电路基础》第二版，高教出版社，谢嘉奎编，《电子线路》（线性部分）第四版，高教出版社，

陈大钦编，《模拟电子技术基础问答、例题、试题》，华中理工大学出版社，唐竞新编，《模拟电子技术基础解题指南》，清华大学出版社，孙肖子编，《电子线路辅导》，西安电子科技大学出版社，谢自美编，《电子线路设计、实验、测试》（二），华中理工大学出版社，绪论本章的教学目标和要求：要求学生了解放大电路的基本知识；要求了解放大电路的分类及主要性能指标。本章总体教学内容和学时安排：（采用多媒体教学） §1－1 电子系统与信号0.5 §1－2 放大电路的基本知识0.5 本章重点：放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。本章教学方式：课堂讲授本章课时安排： 1 本章的具体内容： 1节介绍本课程目的，教学参考书，本课程的特点以及在学习中应该注意的事项和学习方法；介绍放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。重点: 放大电路的分类及主要性能指标。

模拟电子技术基础_知识点总结

第一章半导体二极管 1.本征半导体 ?单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅Si和锗Ge。 ?导电能力介于导体和绝缘体之间。 ?特性：光敏、热敏和掺杂特性。 ?本征半导体：纯净的、具有完整晶体结构的半导体。在一定的温度下，本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发（又称热激发），产生两种带电性质相反的载流子（空穴和自由电子对），温度越高，本征激发越强。 ◆空穴是半导体中的一种等效+q的载流子。空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶体中空位，使局部显示+q电荷的空位宏观定向运动。 ◆在一定的温度下，自由电子和空穴在热运动中相遇，使一对自由电子和空穴消失的现象称为复合。当热激发和复合相等时，称为载流子处于动态平衡状态。 2．杂质半导体 ?在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 ◆P型半导体：在本征半导体中掺入微量的3价元素（多子是空穴，少子是电子）。 ◆N型半导体：在本征半导体中掺入微量的5价元素（多子是电子，少子是空穴）。 ?杂质半导体的特性 ◆载流子的浓度：多子浓度决定于杂质浓度，几乎与温度无关；少子浓度是温度的敏感函数。 ◆体电阻：通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 ◆在半导体中，存在因电场作用产生的载流子漂移电流（与金属导电一致），还才能在因载流子浓度差而产生的扩散电流。 3.PN结 ?在具有完整晶格的P型和N型半导体的物理界面附近，形成一个特殊的薄层（PN结）。 ?PN结中存在由N区指向P区的内建电场，阻止结外两区的多子的扩散，有利于少子的漂移。 ?PN结具有单向导电性：正偏导通，反偏截止，是构成半导体器件的核心元件。 ◆正偏PN结（P+，N-）：具有随电压指数增大的电流，硅材料约为0.6-0.8V，锗材料约为0.2-0.3V。 ◆反偏PN结（P-，N+）：在击穿前，只有很小的反向饱和电流Is。 ◆PN结的伏安（曲线）方程： 4.半导体二极管 ?普通的二极管内芯片就是一个PN结，P区引出正电极，N区引出负电极。

第1章安全用电基本知识-电工电子技术基础教学文稿

第1章安全用电基本知识本章要点：本章主要介绍安全用电的基本知识，包括电流对人体的危害，安全电压，触电的预防，触电后急救；雷电的防护与静电的防护知识。教学目标： 1）了解电流对人体的危害 2）掌握安全用电基本知识 3）掌握触电急救的方法 4）了解雷电、静电的防护基本知识 1.1电流对人体的危害电气危害有两个方面：一方面是对系统自身的危害，如短路、过电压、绝缘老化等；另一方面是对用电设备、环境和人员的危害，如触电、电气火灾、电压异常升高造成用电设备损坏等，其中幼以触电和电气火灾危害最为严重。触电它可直接导致人员伤残、死亡。另外，静电产生的危害也不能忽视，它是电气火灾的原因之一，对电子设备的危害也很大。 1. 电流对人体的危害电流对人体伤害的严重程度一般与下面几个因素有关。 (1)通过人体电流的大小， (2)电流通过人体时间的长短， (3)电流通过人体的部位， (4)通过人体电流的频率， (5)触电者的身体状况。一般来说，通过人体的电流越大，时间越长，危险越大；触电时间超过人的心脏搏动周期(约为750ms)，或者触电正好开始于搏动周期的易损伤期时，危险最大；电流通过人体脑部和心脏时最为危险；40--60Hz的交流电对人体的危害最大，直流电流与较高频率电流的危险性则小些；男性、成年人、身体健康者受电流伤害的程度相对要轻一些以工频电流为例，实验资料表明：lmA左右的电流通过人体，就会使人体产生麻刺等不舒服的感觉；10～30mA 的电流通过人体，便会使人体产生麻痹、剧痛、痉挛、血压升高、呼吸困难等症状，触电者已不能自主摆脱带电体，但通常不致有生命危险；电流达到50mA以上，就会引起触电者心室颤动而有生命危险；100mA以上的电流，足以致人于死地。 2. 人体电阻及安全电压通过人体电流的大小与触电电压和人体电阻有关。人体电阻不仅与身体自然状况和人体部位有关，而且还与环境条件等因素以及接触电压有很大关系。通常人体电阻可按1000～2000欧姆，人体电阻越大，受电流伤害越轻。细嫩潮湿的皮肤，电阻可降至800欧姆以下。接触的电压升高时，人体电阻会大幅度下降。电流通过人体时，人体承受的电压越低，触电伤害越轻。当电压低于某一定值后，就不会造成触电了。这种不带任何防护设备，对人体各部分组织均不造成伤害的电压值，称为安全电压。世界各国对于安全电压的规定不尽相同。有50V，40V，36V，25V，24V等，其中50V，25V居多。国际电工委员会(1EC)规定安全电压限定值为50V，25V以下电压可不考虑防护电击的安全措施。我国规定12V，24V，36V三个电压等级为安全电压级别，不同场所选用安全电压等级不同。在湿度大、狭窄、行动不便、周围有大面积接地导体的场所(如金属容器内、矿井内、隧道内等)使用的手提照明，应采用12V安全电压。凡手提照明器具，在危险环境、特别危险环境的局部照明灯，高度不足2．5M的一般照明灯，携带式电动工具等，若无特殊的安全防护装置或安全措施，均应采用24V或36V安全

电子技术基础培训教材

7.存储器、复杂可编程逻辑器和现场可编程门阵列 7.1只读存储器 7.2随机存取存储器 7.3复杂可编程逻辑器件 *7.4现场可编程门阵列 *7.5用EDA技术和可编程器件的设计例题

教学基本要求: ?掌握半导体存储器字、位.存储容量.地址.等基本概念。 ?掌握RAM. ROM的工作原理及典型应用。?了解存储器的存储单元的组成及工作原理。 ?了解CPLD. FPGA的结构及实现逻辑功能的编程原理。概述半导体存贮器能存放大量二值信息的半导体器件。存储器的主要性能指

标存储数据量大一^储容量大取快速度——存储时间短可编程逻辑器件是一种通用器件,其逻辑功能是由用户通过对器件的编程来设定的。它具有集成度高、结构灵活、处理速度快、可靠性高等优点。 7.1只读存储器7.1.1 ROM的定义与基本结构7.1.2两维译码

7.1.3可编程ROM 7.1.4集成电路ROM 7.1.5ROM的读操作与时序图7.1.6ROM的应用举例

7?1只读存储器 SRAM (Static RAM):静态RAM DRAM (Dynamic RAM):动态RAM 定ROM PROM EPROM E 2PROM RAM （随机存取存储器）:在运行状态可以随时逬行读或写操作。存储的数据必须有电源供应才能保存，一旦掉电，数据全部丢失。 ROM （只读存储器）:在正常工作状态只能读出信息。断电后信息不会丢失,常用于存放固定信息（如程序、常数等）。 RAM (Random-Access Memory) ROM J (Read-Only 可编程ROM

模拟电子技术基础知识讲解

常用半导体器件一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。（1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（√）（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（×）（3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（×）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（×）（5）若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零，则其输入电阻会明显变小。（√）二、选择正确答案填入空内。（1）PN结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽（2）稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿（3）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏（4）U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A C 。 A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管（5）在本征半导体中加入A 元素可形成N型半导体，加入 C 元素可形成P型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价（6）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将A 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小（7）工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为 C 。 A. 83 B. 91 C. 100 三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。图T1.3 四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA。求图T1.4

数字电子技术基础第五版期末知识点总结新

数字电子技术基础第五版期末知识点总结数电课程各章重点第一、二章逻辑代数基础知识要点各种进制间的转换，逻辑函数的化简。一、二进制、十进制、十六进制数之间的转换；二进制数的原码、反码和补码 .8421码二、逻辑代数的三种基本运算以及5种复合运算的图形符号、表达式和真值表：与、或、非三、逻辑代数的基本公式和常用公式、基本规则逻辑代数的基本公式逻辑代数常用公式：吸收律：A AB A =+ 消去律：B A B A A +=+ A B A AB =+ 多余项定律：C A AB BC C A AB +=++ 反演定律：B A AB += B A B A ?=+ B A AB B A B A +=+ 基本规则：反演规则和对偶规则，例1-5 四、逻辑函数的三种表示方法及其互相转换逻辑函数的三种表示方法为：真值表、函数式、逻辑图会从这三种中任一种推出其它二种，详见例1-7 五、逻辑函数的最小项表示法：最小项的性质；例1-8 六、逻辑函数的化简：要求按步骤解答 1、利用公式法对逻辑函数进行化简 2、利用卡诺图对逻辑函数化简 3、具有约束条件的逻辑函数化简例1.1 利用公式法化简 BD C D A B A C B A ABCD F ++++=)( 解：BD C D A B A C B A ABCD F ++++=)( BD C D A B A B A ++++= )(C B A C C B A +=+

BD C D A B +++= )(B B A B A =+ C D A D B +++= )(D B BD B +=+ C D B ++= )(D D A D =+ 例1.2 利用卡诺图化简逻辑函数 ∑= )107653()(、、、、m ABCD Y 约束条件为∑8)4210(、、、、 m 解：函数Y 的卡诺图如下： 00 01 11 10000111 10AB CD 11 1× 11×××× D B A Y += 第三章门电路知识要点各种门的符号，逻辑功能。一、三极管开、关状态 1、饱和、截止条件：截止：T be V V <，饱和：βCS BS B I I i = > 2、反相器饱和、截止判断二、基本门电路及其逻辑符号与门、或非门、非门、与非门、OC 门、三态门、异或；传输门、OC/OD 门及三态门的应用三、门电路的外特性 1、输入端电阻特性：对TTL 门电路而言，输入端通过电阻接地或低电平时，由于输入电流流过该电阻，会在电阻上产生压降，当电阻大于开门电阻时，相当于逻辑高电平。习题2-7 5、输出低电平负载电流I OL 6、扇出系数N O 一个门电路驱动同类门的最大数目第四章组合逻辑电路知识要点

《电子技术基础》课程教学大纲..

《电子技术》课程教学大纲 (Electronic Technology) 适用于（电类）各专业参考学时：120学时一、本课程的目的和任务本课程是电气自动化专业的一门重要的技术基础课，是实践性很强的课程。本课程目的是使学生获得电子技术方面的基本理论、基本知识和基本技能；任务是培养学生分析问题和解决问题的能力，并为学习后续课程和电子技术在专业中的应用打下良好的基础。二、本课程的基本要求本课程应通过各教学环节达到下列基本要求：（一）器件方面： 1．掌握常用半导体器件的基本工作原理、特性和主要参数，并能合理选择和正确使用； 2．了解线性和数字集成电路的结构和工作原理，掌握其主要性能和使用方法。（二）电路方面： 1．掌握共射与共集放大器、差动放大器、基本运算放大器、基本逻辑门和触发器等的基本性能、电路结构和工作原理； 2．掌握负反馈的基本类型及负反馈对电路性能的影响； 3．熟悉功率放大器、振荡器、稳压器、寄存器、计数器及由运算器组成的某些功能电路的工作原理、性能及应用； 4．熟悉阻容耦合放大器的频率响应； 5．熟悉中小规模集成电路组成的逻辑电路； 6．熟悉A/D、D/A转换的原理。（三）分析方法方面： 1．掌握放大电路的微变等效电路分析方法和图解分析法； 2．能对放大、脉冲电路进行近似计算； 3．熟悉逻辑代数的基本运算关系、基本定律和卡诺图；

4．掌握逻辑电路的分析方法。（四）基本技能方面： 1．熟悉实验中常用电子仪器的正确使用方法； 2．掌握基本的电子器件及电子电路的测试方法，初步具有一定的检测故障的能力； 3．进一步提高编写实验报告的能力； 4．具有查阅半导体器件和集成电路手册的能力； 5．初步掌握阅读和分析电子电路原理图的一般规律。三、课程内容绪论电子技术的发展及其应用概况。本课程的性质、任务和要求，以及本内容和学习方法。 (一) 模拟电子技术 1.半导体二极管、三极管、场效应管： (1)半导体物理基础本征半导体：半导体的导电载流子——电子和空穴，空穴导电的特点。杂质半导体：P型半导体，N型半导体，半导体中载流子的产生与复合的概念。 (2)PN结：PN结的形成，势垒的建立，半导体中载流子的漂移运动和扩散运动。PN 结的单向导电性。伏安特性曲线与主要参数。用万用表测量二极管。使用注意事项。 (3)半导体三极管：原理结构，电流分配和放大作用，共射极连接方式。三极管的特性曲线。三极管的主要参数，使用注意事项。 (4)效应管：结型场效应管的结构、工作原理、特性曲线、主要参数、特点及使用注意点。金属氧化物半导体(MOS)场效应管。N沟道增强型MOS管的结构、工作原理、特性曲线、主要参数、特点及使用注意点。 * N沟道耗尽型MOS管及P沟道MOS管。 2.基本放大电路 (1)放大电路的用途、分类、主要技术指标。 (2)基本放大电路的组成，放大的基本原理，各元件的作用． (3)放大电路图解分析法：静态情况：直流负载线、静态工作点的确定。

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