晶体三极管的三极判断
类别：职教专业编号：（）
基极
②演示实验
实验结论：黑表笔接基极，红表笔接另外两个电极，两次测出的电阻大小相等，是NPN型三极管。（口诀：三颠倒，找基极，PN结，定管型）
（设计意图：通过利用虚拟仿真和真实演示，验证猜想，得出结论，调动学习
讨论结果：利用三极管放大特性测量,利用万用表和手的电阻连接电路放大时，电阻变小,C为集电极，E为发射极
观察实验现象
①仿真实验现象：
②演示真实实验
结论：我们的猜想与实验结果是一致，师生总结方法
附：
参评教学案例：晶体三极管的三极判断类别：职教专业
电子技术实验课教学案例 引言： 模拟电子技术基础是电子技术应用专业的一门核心课程，也是电子信息类专业整个知识和能力体系的重要支柱之一，由于教学内容存在基本概念抽象，知识点分散，分析方法多样，器件和电路类型复杂等问题，加上学生学习基础较差，理解能力较弱，学生学习兴趣不高，教学效率不高，教学效果欠佳。围绕任何处理号教和学的关系，笔者尝试从淡化理论教学，加强实践（试验）教学入手，激发学生学习兴趣，增强教学的互动性，从而提高教学效果。 背景 按照教学计划的安排，第四周应该进行固定偏置式三极管放大电路的静态与动态工作过程的观察这个实验。这个实验的目的主要是结合理论知识，用仪器和仪表去测量电路的静态工作点和对比观察输入输出波形的大小和相位关系，验证理论教学的正确性。授课对象是五年制高职三年级学生，53人，男女生几乎各占一半。由于理论教学任务完成得较好，课前布置了学生预习实验内容，笔者估计这次实验应该能够顺利完成。 问题 可是，等到学生实验正式开始后，很多意想不到的事情发生了，教师的教学组织受到了很大的干扰，致使实验教学受到了很大的影响。 教学课程 教师：今天，我们在实验室上课，同学们分组做实验，研究固定偏置式三极管放大电路的静态与动态工作过程，课前布置了大家预习，相信大家对实验的过程，所有仪器，仪表的使用和操作已经有了比较全面的认识，我在教师台再把一些关键词强调一下。 学生：部分学生点头表示明白，小部分学生低头在摆弄实验教材。 教师：在实验台上接搭号电路，提醒大家注意：本次实验原理难度并不大，但测量项目较多，仪器仪表的接线也比较复杂，请务必注意测量放大电路的静态工作点时，万用表测量项目和量程的装换，红黑表笔极性要注意，不然很容易造成万用表损坏，影响实验的正常进行，信号发生器，示波器首先按照要求调试号，接线关系要弄清楚，正确接入电路，不然看不到波形，实验无法成功，也就无法对理论教学进行验证了。 学生：有的在思考老师讲的话，有的在小声议论，有的用万用表测量自身电阻大小。
一、晶体三极管的命名方法及型号字母意义 晶体三极管的命名方法见图5-18，型号字母意义见表5-6 二、晶体三极管的种类 晶体三极管主要有NPN 型和PNP型两大类,一般我们可以从晶体管上标出的型号来识别。详见表5－6。晶体三极管的种类划分如下。 ①按设计结构分为 : 点接触型、面接触型。 ②按工作频率分为 : 高频管、低频管、开关管。 ③按功率大小分为 : 大功率、中功率、小功率。 ④从封装形式分为 : 金属封装、塑料封装。 三、三极管的主要参数 一般情况晶体管的参数可分为直流参数、交流参数、极限参数三大类。 ①直流参数 : 集电极 -基极反向电流 I CBO。此值越小说明晶体管温度稳定性越好。一般小功率管约 10μA左右,硅晶体管更小。 集电极－发射极反向电流I CEO, 也称穿透电流。此值越小说明晶体管稳定性越好。过大说明这个晶体管不宜使用。 ②极限参数:晶体管的极限参数有: 集电极最大允许电流I CM；集电极最大允许耗散功率I CM；集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO。 ③晶体管的电流放大系数:晶体管的直流放大系数和交流放大系数近似相等,在实际使用时一般不再区分,都用β表示,也可用h FE表示。 为了能直观地表明三极管的放大倍数 , 常在三极管的外壳上标注不同的色标。锗、硅开关管 , 高、低频小功率管 , 硅低频大功率管所用的色标标志如表 2-9-6 所示。 表5-7 部分三极管β值色标表示 ④特性频率f T：晶体三极管的β值随工作频率的升高而下降,三极管的特性频率f是当β下降到 1 时的频率值。也就是说 , 在这个频率下的三极管,己失去放大能力,因为晶体管的工作频率必须小于晶体管特性频率的一半以下。
《电子技术》培训项目 培训课题4 半导体三极管的识别与检测 1、培训目的和任务 ⑴、了解三极管的类型及型号。 ⑵、会用万用表识别三极管的极性。 2、培训课时：10课时 3、培训原理和技术 晶体三极管是应用最广的电子器件之一，它有NPN和PNP两种类型。材料上分为Ce和Si，但是其检测方法基本一致。 型号及外观的识别 第一部分为3，代表三极管，第二部分是A、B、C、D等字母，表示材料和特性，由此便可知其材料和类型。 如：3AX32 3BX75 锗材料 3CG25 3DG75 硅材料 封装形式有两种：塑料和金属封装 塑料封装一般都为低频三极管，金属封装的都为高频三极管。 4、培训仪器和器材 指针式万用表一只 数字万用表一只
不同型号的三极管若干 5、培训内容和步骤 用数字万用表二极管档测量晶体三极管，判断管型方法： （1）先找b(基极)，测2次，2次都导通就为b，如果正（红）表笔接的为b，且是NPN型三极管；如果是负（黑）表笔接的为b，是PNP 型三极管。如果显示是0.4V（400mv）以上为硅材料，0.4V以下为锗。（2）找e（发射极），c（集电极），仔细对比基极和其它两个引脚之间的两次电压大小，电压大的一次为e脚，PNP型（负）黑表笔接的为B,NPN型（正）红表笔接的为B。 ⑴、根据测量所得相关数据，说明硅材料和锗材料三极管其正反向电
⑵、测试数据 6、考核评价 （1）三极管的读识法：（15分）（2）读法：（20分） （3）元件的读识：（20分）（4）万用表测试元件：（20分）
（5）操作总体效果：（15分）（6）使用设备和工具：（10分）
课题第一章晶体=极管和场效晶体管 2.1.1—2.1.3三极管的基本特性 课型 新课 投课班级17机电授课时数2课时 教学目标 1.掌握三极管的结构、分类和符号 2.理解三极管的工作电压和基本连接方式 3.理解三极管电流的分配和放大作用、掌握电流的放大作用 教学重点三极管结构、分类、电流分配和放大作用教学难点电流分配和放大作用 学情分析学生已经了解了PN结及特性学生已熟练掌握晶体二极管的基本特性 教学方法讲授法、引导法、图示法、对比法、多媒体演示法 教后记 通过对本次课的学习，学生了解了三极管的基本特性，了解三极管中的PN结与二极皆中PN结的区别，同时掌握了三极管的基本连接方式和放大倍数的讣算方法，并能进行实际应用，利用査表法说出三极管的型号
A.引入 在电子线路中，经常用的基本器件除二极管外，还有三引脚的三极管。B?新授课 2.1,1三极管的结构、分类和符号 一、晶体三极管的基本结构 1?观察外形 2.三极管的结构图 （1〉发射区掺杂浓度较大，以利于发射区向基区发肘载流子。（2）基区很薄，掺杂少，载流子易于通过。 <3）集电区比发射区体枳大且掺杂少，收集载流子。 注意：三极管并不是两个PN结的简单组合，不能用两个二极管代替。 二、图形符号 a. NPN 型 三.分类 1?内部三个区的半导体分类：NPN型、PNP型 2.工作频率分类：低频管和高频管 3.以半导体材料分：错、硅 2.1.2三极管的工作电压和基本连接方式 一、三极管的工作电压 1?三极笛工作时，发射结加正向电压?集电结加反向电压。 2?偏置电压：基极与发射极之间的电压。 二.三极管在电路中的基本连接方式 1?共发射极接法（讲解） 三极：发射极、 两结：发射结、基极、集电极 集电结 基区、集电区 （引导： 比较两种符 号，箭头说 明发射结导 通的方向） C b V e b. PNP 型 集 C电 极 集 C电 极 b V
半导体三极管——教学设计 一、教学目标 1、知识与技能： （1）知道半导体三极管的内部结构及类型； （2）了解半导体三极管的工作过程； （3）知道半导体三极管的三种工作状态并能分析简单的电路。 2、过程与方法： 培养学生自主、探究学习的能力。 3、情感态度价值观： 培养学生善于发现，仔细观察，勤于动脑，感受技术魅力。 二、教学方法 讲授法、讨论法 三、教学重点 三极管的三种工作状态 四、教学难点 三极管的内部工作原理 五、学情分析 学生在这之前学习过二极管，知道二极管的单向导电性，正向偏置与反向偏置的区别，也知道二极管的导通压降。但是对二极管的内部结构原理没有做深入的了解。所以学生对二极管尤其是三极管是非常陌生的，可以说重来没有接触过，所以在学习的过程中难免有惧怕的心理。而我上课的班级据我了解基础比较薄弱。所以在进行教学设计的难度必须要有所把控。 六、教学过程 1、引入 展示如图所示的电路图，让学生找图中一共有几种类型不同的电子元器件？考察学生的观察力 继续询问学生认识其中的哪几种？引出这堂课的主角——半导体三极管 2、正课 （1）回顾
二极管的相关知识：二极管的符号、单向导电性、导通压降、正向偏置、反向偏置等，最后指出二极管是由一个PN结，两个电极和管壳组成。导出三极管的内部结构。 （2）三极管的内部结构的介绍来总结三极管的特点 推出另一种三极管PNP，让学生观察二者的区别，进一步总结三极管的特点 （3）重点讲解三极管的三种工作状态 1、截止状态 2、放大状态 3、饱和状态 以NPN为例，从表面上看三极管可以简单的看出两个背靠背的二极管，但它并不具备放大功能，三级管若要实现放大功能，必须从三极管的内部结构和外部所加的电源极性来保证。
第四章晶体二极管与晶体三极管 本章概述：晶体管是采用半导体晶体材料（如硅、锗、砷化镓等）制成的，在 电子产品中应用十分广泛。本章从二、三极管的型号、分类、外形识别及检测等多个方面，对常用二、三极管进行了较为详细和系统的讲解。 第一节晶体二极管和晶体三极管的型号命名方法 一、中华人民共和国国家标准（GB249-74） 国标（GB249-74）半导体器件型号命名由五部分组成，见表4-1。 表4-1 国标半导体器件型号命名方法
例如：锗PNP高频小功率管为3AG11C，即 ３（三极管）Ａ（PNP型锗材料）Ｇ（高频小功率管）１１（序号）Ｃ（规格号）二、美国电子半导体协会半导体器件型号命名法 表4-2 美国电子半导体协会半导体器件型号命名法 三、日本半导体器件型号命名方法 表4-3 日本半导体器件型号命名方法 第二节半导体器件的外形识别
一、晶体二极管的外形识别 1.晶体二极管的结构与特性 定义：晶体二极管由一个PN结加上引出线和管壳构成。所以，二极管实际就是一个PN结。电路图中文字表示符号为用V表示。 基本结构：PN结加上管壳和引线，就成为了半导体二极管。 图4-1 二极管的结构和电路符号 二极管最主要的特性是单向导电性，其伏安特性曲线如图4-2所示。 1）正向特性 当加在二极管两端的正向电压（P为正、N为负）很小时（锗管小于0.1伏，硅管小于0.5伏），管子不导通，处于“截止”状态，当正向电压超过一定数值后，管子才导通，电压再稍微增大，电流急剧暗加（见曲线I段）。不同材料的二极管，起始电压不同，硅管为0.5-0.7伏左右，锗管为0.1-0.3左右。
三极管的判断方法一，三极管类型
1. 先判定基极b(一般中间的就是)：先假定一个管脚是b，把 红表笔接这个b，用黑表笔分别接触另两个管脚，测得或者都是高阻值时，说明假定正确。 2.因为红表笔实际是表电源的负极，所以 当测得都是低阻值时，b是N型材料， 两端是P型材料，就是PNP型。 3.所以当测得都是高阻值时，b是P型材料， 两端是N型材料，就是NPN型。 4.我们一般可以容易找到基极b，但另外两个电极哪个是集电极c，哪个是发射极e呢?这时我们可以用测穿透电流ICEO 的方法确定集电极c和发射极e。 (1) 对于NPN型三极管，用手指捏住b极与假设的c极，管脚间利用我们的手指充当电阻的作用，用黑表笔接假设的c 极，红表笔接假设的e极，万用表打到*1K档测量两极间的电阻 Rce；之 后将假 设的c ,e 极对调 再测一
次。虽然两次测量中万用表指针偏转角度都很小，但仔细观察，总会有一次偏转角度稍大，此时电流的流向一定是：黑表笔→c极→b极→e极→红表笔，所以此时黑表笔所接的一定是集电极c，红表笔所接的一定是发射极e。 (2) 对于PNP型的三极管，道理也类似于NPN型，其电流流向一定是：黑表笔→e极→b极→c极→红表笔，其电流流向也与三极 管符号中的 箭头方向一 致，所以此时 黑表笔所接 的一定是发 射极e，红表 笔所接的一定是集电极c。 4.直流放大倍数的hFE的测量：先转动开关至晶体管调节 Adj位置上，将红黑测试笔短接，调节欧姆调零电位器，使指针对准300hFE刻度线上，然后转动开关到hFE位置，将要测的晶体管脚分别插入晶体管测试座的ebc管座内，指针偏转所示数值约为晶体管的直流放大倍数?值。N型插入N型插座，P型插入P型插座。 5.
第三章 1．根据所采用的半导体器件不同，集成电路可分为哪两大类?各 自的主要优缺点是什么? 解答 双极型集成电路：采用双极型半导体器件作为元件.主要特点是速度快、 负载能力强，但功耗较大、集成度较低。 单极型集成电路：指MOS集成电路，采用金属-氧化物半导体场效应管 (Metel Oxide Semi- conductor Field Effect Transister,简写为MOSFET)作为元件.MOS型集成电 路的特点是结构简单、制造方便、集成度高、功耗低， 但速度较慢。 2.简述晶体二极管的静态特性? 解答 “正向导通（相当于开关闭合），反向截止（相当于开关断开）”,硅管正向压降约0.7伏，锗管正向压降约0.3伏。 3．晶体二极管的开关速度主要取决于什么? 解答 晶体二极管的开关速度主要取决于反向恢复时间（二极管从正向导通到反向截止所需要的时间）和 开通时间（二极管从反向截止到正向导通所需要的时间）。相比之下，开通时间很短，一般可以忽略不计。因此，影响二极管开关速度的主要因素是反向恢复时间。 4.数字电路中，晶体三极管一般工作在什么状态? 解答 数字电路中，晶体三极管一般工作在“截止状态”（相当于开关断开）
和“饱和导通状态”（相当于开关闭合）。 5．晶体三极管的开关速度取决于哪些因素? 解答 晶体三极管的开关速度主要取决于开通时间t on（三极管从截止状态到饱和状态所需要的时间）和关闭时间t off （三极管从饱和状态到截止状态所需要的时间），它们是影响电路工作速度的主要因素。 6. TTL与非门有哪些主要性能参数? 解答 TTL与非门的主要外部特性参数有输出逻辑电平、开门电平、关门电平、扇入系数、扇出系数、平均传输时延、输入短路电流和空载功耗等8项。 7.OC门和TS门的结构与一般TTL与非门有何不同?各有何主要应用? 解答 OC门:该电路在结构上把一般TTL与非门电路中的T3、D4去掉，令T4的集电极悬空，从而把一般TTL与非门电路的推拉式输出级改为三极管集电极开路输出。OC门可以用来实现“线与”逻辑、电平转换以及直接驱动发光二极管、干簧继电器等。 TS门: 该电路是在一般与非门的基础上，附加使能控制端EN和控制电路构成的。在EN有效时为正常 工作状态，在EN无效时输出端被悬空，即处于高阻状态。TS门主要应用于 数据与总线的连接，以实现总线传送控制，它既可用于单向数据传送，也可用于双向数据传送。 8.有两个相同型号的TTL与非门，对它们进行测试的结果如下：
判断基极和三极管的类型 三极管的脚位判断，三极管的脚位有两种封装排列形式，如右图： 三极管是一种结型电阻器件，它的三个引脚都有明显的电阻数据，测试时（以数字万用表为例，红笔+，黒笔-）我们将测试档位切换至二极管档（蜂鸣档）标志符号如右图： 正常的NPN结构三极管的基极（B）对集电极（C）、发射极（E）的正向电阻是430Ω-680Ω（根据型号的不同，放大倍数的差异，这个值有所不同）反向电阻无穷大；正常的PNP 结构的三极管的基极（B）对集电极（C）、发射极（E）的反向电阻是430Ω-680Ω，正向电阻无穷大。集电极C对发射极E在不加偏流的情况下，电阻为无穷大。基极对集电极的测试电阻约等于基极对发射极的测试电阻，通常情况下，基极对集电极的测试电阻要比基极对发射极的测试电阻小5-100Ω左右（大功率管比较明显），如果超出这个值，这个元件的性能已经变坏，请不要再使用。如果误使用于电路中可能会导致整个或部分电路的工作点变坏，这个元件也可能不久就会损坏，大功率电路和高频电路对这种劣质元件反应比较明显。 尽管封装结构不同，但与同参数的其它型号的管子功能和性能是一样的，不同的封装结构只是应用于电路设计中特定的使用场合的需要。 要注意有些厂家生产一些不规范元件，例如C945正常的脚位是BCE，但有的厂家出的此元件脚位排列却是EBC，这会造成那些粗心的工作人员将新元件在未检测的情况下装入电路，导致电路不能工作，严重时烧毁相关联的元器件，比如电视机上用的开关电源。 在我们常用的万用表中，测试三极管的脚位排列图： 先假设三极管的某极为“基极”,将黑表笔接在假设基极上,再将红表笔依次接到其余两个电极上,若两次测得的电阻都大(约几K到几十K),或者都小(几百至几K),对换表
三极管的特性曲线 教学目标: 掌握共射级三极管的输入、输出特性曲线 掌握三极管输出特性曲线的分区及各区的特点 会判断三极管的工作状态 教学重点： 三极管输出特性曲线的分区及各区的特点 教学难点： 三极管的工作状态的判断 教学方法： 讲授、分析、练习法 教学过程： 一、新课引入 三极管在电路应用时，有三种组态（连接方式），以基极为公共端的共基极组态、以发射极为公共端的共发射极组态和以集电极为公共端的共集电极组态，如图所示。 共发射极 共集电极 共基极 由于三极管的接地方式不同，三极管的伏安特性也不同，其中共发射极（简称共射）特性曲线是最常用的。 u i
二、新课讲授 1．共射输入特性曲线 当U CE 为某一定值时，基极电流i B 和发射结电压 u BE 之间的关系曲线入下图所示。 当U CE =0时，输入特性曲线与二极管的正向伏安特性相似，存在死区电压U on （也称开启电压），硅管U on ≈0.5V ，锗管约0.1V 。只有当U BE 大于U on 时，基极电流i B 才会上升，三极管正常导通。硅管导通电压约0.7V ，锗管约0.3V 。 随着U CE 的增大输入特性曲线右移，但当U CE 超过一定数值（U CE >1）后，曲线不再明显右移而基本重合。 2．共射输出特性曲线 在基极电流I B 为一常量的情况下，集电极电流i C 和管压降u CE 之间的关系曲线入下图所示。 BE 0 40 输入特性曲线
1）截止区 I B =0曲线以下的区域称为截止区。 2）饱和区 u CE 较小的区域称为饱和区。三极管饱和时的u CE 值称为饱和电压降U CES ，小功率硅管约为0.3V ，锗管约为0.1V 。 3）放大区 一族与横轴平行的曲线，且各条曲线距离近似相等的区域称为放大区。此时，表现出三极管放大时的两个特性：①电流受控，即Δi C =βΔi B ；②恒流特性，只要I B 一定，i C 基本不随u CE 变化而变化。 例：如图说示是某三极管的输出特性曲线，从曲线上可以大致确定该三极管在U CE =6.5V ，I B =60μA （b 点）附近的β和β值。 解：在图示的输出特性曲线上作U CE =6.5V 的垂线，与I B =60μA 的 输出特性曲线交于 b 点，由此可得该点对应的4160 105.23 B C =?= =I I β 4020 10)7.15.2(3 B C =?-=??=i i β
晶体三极管的应用
第二章晶体三极管及其应用 教学重点 1．掌握晶体三极管的结构、工作电压、基本连接方式和电流分配关系。 2．熟练掌握晶体三极管的放大作用；共发射极电路的输入、输出特性曲线；主要 参数及温度对参数的影响。 教学难点 1．晶体三极管的放大作用 2．输入、输出特性曲线及主要参数 第一节晶体三极管 一、晶体三极管的结构、分类和符号 （一）、三极管的基本结构 1．三极管的外形：如图2-1所示。三极管通常有三个电极，功率大小不同的三极管体积和封装形式各不相同，近年来生产的小、中功率管多采用硅酮塑料封装，大功率三极管采用金属封装，通常做成扁平形状并有螺钉安装孔，有的大功率管干脆制成螺栓形状，这样能够使三极管的
外壳和散热器连成一体，便于散热。 2．三极管的结构：三极管的核心是两个 PN 结，按照两个PN 结的组合方式不同，可分为 PNP 型管和NPN 型两类，如图2-2所示。 3．晶体三极管有三个区――发射区、基区、 集电区； 发射区掺杂浓度较大；基区很薄且掺杂最 少；集电区比发射区体积大且掺杂少。两个PN 结――发射区和基区之间的PN 结称为发射结(BE 结)、集电区和基区之间的PN 结称为集电结(BC 结)；三个电极――发射极e (E )、基极b (B )和集电极c (C )； （二）、晶体三极管的符号 晶体三极管的符号如图2-3所示。 箭头：表示发射结加正向 电压时的电流方向。 文字符号：V (三)、晶体三极管的分类 图 2-3 三极管符号 图2-1 三极管外形 图2-2 三极管的结构图
1．三极管有多种分类方法。 按内部结构分：有NPN型和PNP型管； 按工作频率分：有低频和高频管； 按功率分：有小功率和大功率管； 按用途分：有普通管和开关管； 按半导体材料分：有锗管和硅管等等。 2．国产三极管命名法：例如：3DG表示高频小功率NPN型硅三极管；3CG表示高频小功率PNP型硅三极管；3AK表示PNP型开关锗三极管等。 二、三极管的基本连接方式 如图2-4所示，晶体三极管有三种基本连接方 (a) 共发射极接法 (b) 共基极接法 (c) 共集电极接法 式：共发射极、共基极和共集电极接法。最常用的是共发射极接法。 第二节晶体三极管的电流放大和分配作用 一、晶体三极管的电流放大作用
《晶体三极管的三极判断》说课稿 我说课的题目是：《晶体三极管的三极判断》。我主要从说教材、说教法、说学法、说教学过程从四个方面进行阐述。 一、说教材 1、教材分析 教材：中等职业教育规划教材 国防科技大学出版社《电子技术基础》 主编：侯寅珊教授 根据教育部颁发的中等职业教育《电子技术基础》教学大纲进行编写。同时参照电气类职业技能规范，同时从目前中等职业教育学生的实际出发，淡化了理论教学，着重培养学生的学习能力、问题的能力，应用知识解决问题的能力。本书作为中等职业学校电子技术的基础教材，将课程的理论知识与实践能力相结合。 2、教学重点与难点 重点：三极管类型、及用不同符号表示 难点：三极管的内部结构、如何判别三极管的三个极的极性 3、教学目标 知识目标：了解晶体三极管的分类、符号；明确三极管的三个极的判断方法； 能力目标：培养学生观察、分析等逻辑思维能力； 独立解决问题的能力； 培养和提高口头表达能力； 培养学生的团队意识； 锻炼学生的自学能力、设计能力、手工操作能力。 情感目标：培养学生参与、合作意识，激发学生学习兴趣和乐于探究的精神。 4、教学理念 摈弃简单的说教，以生为本，紧密联系生活，关注学生实际，引导学生积极参与学习实践，在合作学习中不断提升专业理论和专业技能。
二、说教法 1、灵活多样的教学方法 对基本要了解的知识点采用直观教学法（如：三极管的分类）。 为落实重点采用开放活动式教学，引导思考法教法（如：三极管的类型和符号）。 为突破难点采用启发式，课堂互动式，多媒体辅助教学法，实践操作巩固法教法等等（三极管的极性判断）。 2、教学手段 情境导入式、活动式教学，引导思考法、实践操作巩固法。利用多媒体教学手段的优势，借助元器件实物图及使用万用表来判断三极管的极性等直观形象的画面，设计丰富有趣的课堂实践，创设宽松活泼的情景，为学生提供丰富的想象、表现、创新的空间，使学生在这种情境教学中深刻体会增强集体凝聚力、加强团队合作的重要性。 导入 话筒是将声音信号转换为电信号，经放大电路放大后，变成大功率的电信号，推动扬声器，再将其还原为声音信号。 放大电路又称放大器，是指能把微弱的电信号转换为较强的电信号的电子线路。放大器的核心元件（即放大元件）是半导体三极管。 这节课我们就来学习三极管的基础知识。 塑封型三极管大功率三极管 调整管中功率三极管 声音 图 1 扩音器示意图
【教材分析】【教材重组】【教学方法】 本节内容是中等职业技术学校电工类专业通用教材《电子技术基础》第一早第四节的内谷，是本早的重点，也是难点。 1、本节内容可分为二个部分，其中第一部分既包括了二极管的构造、结构特点、图形符号、分类等基本内容，又有各种三极管的识别和测试方法，体现了内容多、面广、理论性和操作实践性强的特点，既需要教师的精心组织，更需要学生的互动，应采取一体化教学的模式。 2、这一部分内容处理好了将有利于激发学生学习电子技术的兴趣，努力提高动手能力，这也是学生刚接触电子实践，有较强的刺激效应。 我有机地把本节内容的顺序打乱，经过精心地处理后再重组，再补充相应的课外知识。 晶体三极管的结构、符号、类型一普通晶体三极管的识别和简单测试一特殊晶体三极管的检测-在路三极管的检测。 这样编排使得内容更具连贯性，符合教学大纲的同时也提咼了学生学习的主动性和积极性，使得学生的接受能力得到相应的提高。 1、用PN结特性来解释以帮助学生更好地理解晶体三极管的内部结构，同时对PN结特性具有复习和加深理解的作用。 2、坚持以学生活动为主，教师诱导为辅的教学方式，努力培养学生的创新意识和发散性思维。 3、坚决贯彻“学做合一”或“做、学、做”的双向程序模式，使学和做有机地结合在一起，培养学生的智力、思维力、想象力、注意力和实操能力，让学生学会在实验过程中获取新知识的乐趣和能力，使他们的实践能力和创新能力得到迅速提咼。 4、坚持采用多媒体课件演示的教学方法，丰富教学手段，并增强教学的直观性，能够起到事半功倍的效果。 5、大胆地米用各种行之有效的教学方法，如行为导向法、大脑风暴法、启发法、演示法、项目法等。运用知识迁移、组合的规律，积极引导学生自发的去认识、掌握新的知识。
三极管的检测及其管脚的判别 使用数字万用表判断三极管管脚(图解教程) 现在数字式的万用表已经是很普及的电工、电子测量工具了，它的使用方便和准确性受到得维修人员和电子爱好者的喜爱。但有朋友会说在测量某些无件时，它不如指针式的万用表，如测三极管。我倒认为数字万用表在测量三极管时更加的方便。以下就是我自己的一些使用经验，我是通常是这样去判断小型的三极管器件的。大家不妨试试看是否好用或是否正确，如有意见或问题可以发信给我。 手头上有一些BC337的三极管，假设不知它是PNP管还是NPN 管。 图1三极管 我们知道三极管的内部就像二个二极管组合而成的。其形式就像下图。中间的是基极（B极）。
图2三极管的内部形式 首先我们要先找到基极并判断是PNP还是NPN管。看上图可知，对于PNP管的基极是二个负极的共同点，NPN管的基极是二个正极的共同点。这时我们可以用数字万用表的二极管档去测基极，看图3。对于PNP管，当黑表笔（连表内电池负极）在基极上，红表笔去测另两个极时一般为相差不大的较小读数（一般0.5-0.8），如表笔反过来接则为一个较大的读数（一般为1）。对于NPN表来说则是红表笔（连表内电池正极）连在基极上。从图4，图5可以得知，手头上的BC337为NPN管，中间的管脚为基极。
图3万用表的二极管测量档 图4判断BC337的B极和管型(1)
图4判断BC337的B极和管型(2) 找到基极和知道是什么类型的管子后，就可以来判断发射极和集电极了。如果使用指针式万用表到了这个步可能就要用到两只手了，甚至有朋友会用到嘴舌，可以说是蛮麻烦的。而利用数字表的三伋管hFE档（hFE 测量三极管直流放大倍数）去测就方便多了，当然你也可以省去上面的步骤直接用hFE去测出三极管的管脚极性，我自己则认为还是加上上面的步骤方便准确一些。 把万用表打到hFE档上，BC337卑下到NPN的小孔上，B极对上面的B字母。读数，再把它的另二脚反转，再读数。读数较大的那次极性就对上表上所标的字母，这时就对着字母去认BC337的C，E 极。学会了，其它的三极管也就一样这样做了，方便快速。 图5万用表上的hFE档
三极管基础知识练习 (3)
晶体三极管与单级低频小信号放大器章节练习（2015.6） 一、判断题（对的打“√”，错的打“×”） 1、为使三极管处于放大工作状态，其发射结应加反向电压，集电结应加正向电压； （） 2、无论是哪种三极管，当处于放大工作状态时，b极电位总是高于e极电位，c极电位也总是高于b极电位；（） 3、三极管的发射区和集电区是由同一种类半导体（N型或P型）构成的，所以e极和c极可以互换使用；（） 4、三极管的穿透电流I CEO 的大小不随温度而变化；（） 5、三极管的电流放大系数β随温度的变化而变化，温度升高，β减小；（） 6、对于NPN型三极管，当V BE ﹥0时，V BE ﹥V CE ，则该管的工作状态是饱和状态；（） 7、已知某三极管的发射极电流I E ＝1.36mA，集电极电流I C ＝1.33mA，则基极电流I B ＝30μ A；（） 8、某三极管的I B ＝10μA时，I C ＝0.44mA；当I B ＝20μA时，I C ＝0.89mA，则它的电流放大系 数β＝45； 9、三极管无论工作在何种工作状态，电流I E ＝I B ＋I C ＝（1＋β）I B 总是成立；（） 10、由于三极管的核心是两个互相联系的PN结，因此可以用两个背靠背连接的二极管替换；（） 11、三极管是一种电流控制器件；（） 12、同一只三极管的β和 数值上很接近，在应用时可相互代替；（） 13、共发射极放大器的输出电压信号和输入电压信号反相；（） 14、交流放大电路之所以能实现小信号放大，是由于三极管提供了较大的输出信号能量；（）
15、放大器的静态工作点一经设定后，不会受外界因素的影响； （ ） 16、在单管放大电路中，若V G 不变，只要改变集电极电阻R C 的值 就可改变集电极电流I C 的值；（ ） 17、三极管放大电路工作时，电路中同时存在直流分量和交流分量，直流分量用来表示静态工作点，交流分量用来表示信号的变化情况；（ ） 二、选择题 1、万用表测得一PNP 型三极管三极电位分别有V C =3.3V ，V E =3V ，V B =3.7V ，则该管工作在（ ） A ．饱和区 B ．截止区 C ．放大区 D ．击穿区 2、测得某三极管三个极在放大电路中的对地电压分别为6V 、4V 、3.3V ， 则该三极管是 （ ） A ．硅材料的NPN 管 B ．硅材料的PNP 管 C ．锗材料的NPN 管 D ．锗材料的PNP 管 3、三极管放大器设置合适的静态工作点，以保证放大信号时，三极管（ ） A ．发射结为反向偏置 B ．集电结为正向偏置 C ．始终工作在放大区 4、在共发射极单管低频电压放大电路中，输出电压可表示为（ ） A ．0c c v i R = B ．0c c v i R =- C ．0c c v I R = D ．0c c v I R =- 5.已知工作在放大区的某硅晶体三极管的三个电极电位如题5图所示，则a 、b 、c 三个电极分别为( ) A 、集电极、发射极、基极 B 、集电极、基极、发射极 C 、发射极、集电极、基极 D 、基极、集电极、发射极 6、采用分压式偏置电路可以（ ）。
三极管状态判断 NPN管:放大状态Vc>Vb>Ve,饱和状态Vb>ve,Vb>vc,截止状态Vc=+V,Vb=0 PNP管:放大状态Ve>Vb>Vc,饱和状态Vb
晶体管分类及应用 摘要 晶体管是现代电子设备制造的基础,广泛出现在现代电子系统中。晶体管为电子领域带来了革命性的变化,使得电子设备体积更小、成本更低、更加高效。本文归纳了晶体管的分类以及各类晶体管在一些场景下的应用。 正文 一、绪论 晶体管是几乎所有现代电子产品中的关键活动组件,被许多人看作20世纪最伟大的发明之一。现代的半导体器件可以被大批量自动化生产,因此每个晶体管的的成本都很低廉。晶体管的低成本,灵活性和可靠性使其成为无处不在的器件。晶体管机电一体化电路已经成为机电设备控制设备来控制机器。相比于机械控制系统,微控制器和计算机程序用于控制系统显得更加便捷。 二、分类 1）按材料 锗晶体管: 1948年锗晶体管出现后,固态电子器件的应用开始。最早在1941年,锗二极管开始取代了电子装置里的真空管。但是锗晶体管有一个重大缺点,易产生热失控。 硅晶体管:硅的电子特性比锗优越,但是所需的纯度高,取代锗晶体管。 化合物半导体砷化镓晶体管:砷化镓拥有一些比硅还要好的电子特性,如高的饱和电子速率及高的电子迁移率。在高速器件中,化合物晶体管是一个不错的选择。用砷化镓制造的化合物晶体管可以达到很高的工作频率,原因在于化合物砷化镓的电子迁移率是单质硅的5倍。 碳化硅晶体管
硅锗合金晶体管：在CMOS工艺方面，SiGe工艺的成本和硅工艺相当，但在异质结技术方面，SiGe工艺的成本比砷化镓工艺还要低。SiGe材料可让异质结双极性晶体管整合进CMOS逻辑集成电路，达成混合信号电路的功能。 石墨烯晶体管等。 2）按结构 BJT、JFET、IGFET (MOSFET)、IGBT等。 3）按电极性 n–p–n及p–n–p（BJT），N沟道及P沟道（FET）。 4）按最大额定功率 低功率晶体管、中功率晶体管及高功率晶体管。 5）按最大工作频率 低频晶体管、中频晶体管、高频晶体管、无线电频率（RF）晶体管、微波频率晶体管。 6）按应用类型 开关晶体管、泛用晶体管、音频晶体管、高压晶体管等。 7）按封装技术 插入式金属封装或塑胶封装、表面黏着技术、球栅阵列封装、功率晶体等。 8）按增益系数 hfe、βF或gm（跨导）等。 三、应用 双极结型晶体管（BJT） 双极性晶体管可放大信号,并应用在功率控制和模拟信号处理等领域。使用双极性晶体管可通过已知的基极-发射极的偏置电压和其温度、电流关系来测量温度。现在人们不断认识到能源问题,而场效应管技术由于功耗更低,在数字集成电路中逐渐成为主流,双极性晶体管的使用相对较少。相比于金属氧化物半导体场效应晶体管,双极性晶体管提供了一定的跨导和输出电阻,在功率控制等方面能力突出,并具有高速和耐久的特性。因此,双极性晶体管仍在模拟电路中占据重要位置,特别是高频应用电路的重要配件。可将MOSFET用BiCMOS技术和双极性
晶体管工作的条件和晶体管工作状态的判断 晶体管是模拟电路中基础的器件，对于电子工程师来说，了解晶体管工作的条件和判断晶体管的工作状态都是非常基础的，本文将带大家一起学习或回顾一下。 一、晶体管工作的条件 1、集电极电阻Rc： 在共发射极电压放大器中，为了取出晶体管输出端的被放大信号电压Use（动态信号），需要在集电极串接一只电阻Rc。这样一来，当集电极电流Ic通过时，在Re上产生一电压降IcRc，输出电压由晶体管c-e之间取出，即Usc=Uce=Ec-IcRc，所以Use也和IcRc —样随输入电压Ui的发生而相应地变化。 2、集电极电源Ec（或Vcc）： Ec保证晶体管的集电结处于反向偏置，使管子工作在放大状态，使弱信号变为强信号。能量的来源是靠Ec的维持，而不是晶体管自身。 3、基极电源Eb： 为了使晶体管产生电流放大作用，除了保证集电结处于反向偏置外，还须使发射结处于正向偏置，Eb的作用就是向发射结提供正向偏置电压，并配合适当的基级电阻Rb，以建立起一定的静态基极电流Ib。当Vbe很小时，Ib=O，只有当Vbe超过某一值时（硅管约0.5V，锗管约0.2V，称为门槛电压），管子开始导通，出现Ib。随后，Ib将随Vbe增大而增大，但是，Vbe和Ib的关系不是线性关系：当Vbe大于0.7V后，Vbe再增加一点点，Ib就会增加很多。晶体管充分导通的Vbe近似等于一常数（硅管约0.5V，锗管约0.5V）。 4、基极偏流电阻Rb： 在电源Eb的大小已经确定的条件下，改变Rb的阻值就可以改变晶体管的静态电流Ib，从而也改变了集电极静态电流Ic和管压降Vce，使放大器建立起合适的直流工作状态。二、晶体管工作状态的判断 晶体三极管工作在放大区时，其发射结（b、e极之间）为正偏，集电结（b、c极之间）为反偏。对于小功率的NPN型硅，呈现为Vbe≈0.7V，Vbc《0V（具体数值视电源电压
三极管的识别与检测——教学设计方案教学内容三极管的识别与检测授课教材电子技术基础 授课类型新授 授课班级情 况年级一年级 授课课时 1课时专业机电授课时间学生数 教学背景分析前期教学 学生已掌握二极管的检测方法，已学过三极管的结构类 型及符号等基础知识。 学情分析 优点：思维活跃，热爱新鲜事物，动手能力强，喜欢形式简单的竞赛，关注现实生活。 不足：注意力集中的时间短，不喜欢理论课程。 应对方法：将一节课分为多个片段，并在教学过程中使用一 些激发学生兴趣的小手段，比如观察元件，观看视频，小组 实验等；多使用语言或其他方式鼓励学生。使学生学在其中， 乐在其中。 学法指导1．观察分析法，2.实验操作法、3.合作学习法等。 课前准备 学生预习教材内容和课前所发实验报告及学案； 教师准备PPT课件、学生实验器材，在课前连接并检查好示多媒体，并将学生合理分组。 实验器材 序号名称型号与规格数量 1 万用表VC9205A 1 2 三极管8050 1 9014 1 9015 1 教 学 方 法 任务驱动法、探究式教学法教 学目标知识目标 1、学会从封装及外形上判别管脚 2、学会用万用表检测三极管
能力目标 1、培养学生观察电子元件的能力； 2、培养学生进行简单元件检测的能力。 情感目标 逐步培养学生善于发现、勤于动脑的良好实验素质，培养学生仔细观察认真分析实事求是的科学态度和团队合作意识。 重难关键点 重点 1、三极管管脚的判别。 2、万用表的使用。 难点 三极管集电极、发射极的判别关键点用万用表正确测量 教学理念 我根据教学大纲、教材内容和学生的实际情况，在教学过程中我摒弃传统的教学方法和理念，而是以降低理论知识的难度、提高学生的实践能力和应用能力为目标，体现“做中学、做中教”的职教特色，将课堂的“主体”地位还给学生，自己则立足于“主导”的位置。通过将理论和实践有机结合，充分调动学生的积极性，让学生在教师的引导下，分组实验、从实验中得到感性认识。 教材的处理 教材在阐述了三极管的概念之后，把三极管的检测放到了后面的实验中，把实践和理论分开上了，让学生觉得前面纯理论的教学有些枯燥乏味，从而开始丧失学习积极性。故我投其所好，把前面的理论知识和后面的实验结合在一起，实现了“做中学、做中教”的职教特色。
晶体三极管的电流放大作用 晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数，用符号“β”表示。电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值，但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。 晶体三极管的三种工作状态 截止状态：当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。 放大状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并处于某一恰当的值时，三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基极电流对集电极电流起着控制作用，使三极管具有电流放大作用，其电流放大倍数β＝ΔIc/ΔIb，这时三极管处放大状态。 饱和导通状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。 根据三极管工作时各个电极的电位高低，就能判别三极管的工作状态，因此，电子维修人员在维修过程中，经常要拿多用电表测量三极管各脚的电压，从而判别三极管的工作情况和工作状态。 使用多用电表检测三极管 三极管基极的判别：根据三极管的结构示意图，我们知道三极管的基极是三极管中两个PN结的公共极，因此，在判别三极管的基极时，只要找出两个PN结的公共极，即为三极管的基极。具体方法是将多用电表调至电阻挡的R×1k挡，先用红表笔放在三极管的一只脚上，用黑表笔去碰三极管的另两只脚，如果两次全通，则红表笔所放的脚就是三极管的基极。如果一次没找到，则红表笔换到三极管的另一个脚，再测两次；如还没找到，则红表笔再换一下，再测两次。如果还没找到，则改用黑表笔放在三极管的一个脚上，用红表笔去测两次看是否全通，若一次没成功再换。这样最多没量12次，总可以找到基极。 三极管类型的判别：三极管只有两种类型，即ＰＮＰ型和ＮＰＮ型。判别时只要知道基极是Ｐ型材料还Ｎ型材料即可。当用多用电表R×1k挡时，黑表笔代表电源正极，如果黑表笔接基极时导通，则说明三极管的基极为Ｐ型材料，三极管即为ＮＰＮ型。如果红表笔接基极导通，则说明三极管基极为Ｎ型材料，三极管即为ＰＮＰ型。