FF(设计点反力)
K0（安全系数）
P（极靴系数）
B0（磁感应强度）
L0（设计点气隙）
U0（真空磁导率）
KI（系数）,
PR（110度的导线电阻率）
N1（线圈厚度比值系数）
KC（线圈填充系数）,
KT（线圈外表面综合散热系数）,
T(允许温升),KB(),UN(额定电压),
DM(1)(标准线径),DM(2),DM(3),DM(4),DM(5),DM(6),DM(7),DM(8),DM(9),DM(10),DM(11),DM(12),DM(13),DM(14),DM(15),DM(16),DM(17),DM(18),DM(19),DM(20),DM(21),DM(22),DM(23),
L1(线圈内圆与铁心间隙间距的二倍),
L2(磁轭下端余长的二倍),
L3(线圈外经与磁轭间距),
L4(绝缘垫片厚度大二倍),
KE（磁轭截面积与铁心截面积比值系数）,
KX（衔铁截面积与铁心截面积比值系数）,
QT（通电持续率）
DC(铁心直径),
DP(极靴直径),
HP(极靴厚度),
HI(线圈高度),
BI(线圈厚度),
D1(线圈内径),
D2(线圈外径),
DM(导线直径),
N1(线圈匝数),
LC(铁心高度),
BE(磁轭宽度),
HE(磁轭厚度),
HX(衔铁宽度),
T1(温升),
S1(线圈散热面积),
PI(极靴系数),
RI(110度线圈电阻),
L(气隙长度),
G0(工作气隙磁导),
GA(棱角气隙磁导),
GB(非气隙磁导1),
GC(非气隙磁导2),
GF(等效漏磁导),
KG(漏磁系数),
Q0(工作气隙磁通的零次近似值),
Q1(工作气隙磁通),
IN1(电压下限对应的磁势),
F(吸力),
GG(气隙磁导的导数),
FL(拟定功)