电力电子填空
HUA system office room 【HUA16H-TTMS2A-HUAS8Q8-HUAH1688】
1、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在__开关_______状态。当器件的工作频率
较高时，_开关______损耗会成为主要的损耗。
2、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为___载波比__________，当它为常数时的调
制方式称为_同步________调制。在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为__分段同步调制__________调制。
3、面积等效原理指的是，_冲量________相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，
其效果基本相同。
4、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是__MOSFET_______，单管输出功率最大的是
_____________，应用最为广泛的是___IGBT________。
5、设三相电源的相电压为U
2
，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即根号6 ，其承受的最大正向电压为根号2 。
6、逆变电路的负载如果接到电源，则称为有源逆变逆变，如果接到负载，则称为无源
逆变。
7、___GTR______存在二次击穿现象，____IGBT________存在擎住现象。
8、功率因数由和这两个因素共同决定的。
9、晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是均压 _措施。
10、同一晶闸管，维持电流I
H 与掣住电流I
L
在数值大小上有I
L
_（2~4）I
H
。
11、电力变换通常可分为：AC-DC 、AC-AC、DC-DC 和DC-AC。
12、在下图中，_V1______和__VD1______构成降压斩波电路使直流电动机电动运行，工作于第1象
限；V2___和__VD2_____构成升压斩波电路，把直流电动机的动能转变成为电能反馈到
电源，使电动机作再生制动运行，工作于_第2___象限。
13、请在正确的空格内标出下面元件的简称：
电力晶体管GTR ；可关断晶闸管GTO ；功率场效应晶体管MOSFET ；绝缘栅双极型晶体管IGBT ；IGBT是MOSFET 和GTR 的复合管。
14、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与
晶闸管阳极电压同步。
15、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方是串专用均流电抗器。
16、在电流源型逆变器中，电机负载，输出电压波形为正弦波波，输出电流波形为矩形波
波。
17、三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个开关管间进行，称为_______°导
电型
18、当温度降低时，晶闸管的触发电流会减小、正反向漏电流会；
19、由波形系数可知，晶闸管在额定情况下的有效值电流为I
Tn 等于倍I
T（AV）
，如果I
T（AV）
=100安培，则它允许的有效电流为安培。通常在选择晶闸管时还要留出倍的裕量。20、三相桥式全控整流电路是由一组共极三只晶闸管和一组共极的三只晶闸管串联后构
成的，晶闸管的换相是在同一组内的元件进行的。每隔换一次相，在电流连续时每只晶闸管导通度。要使电路工作正常，必须任何时刻要有只晶闸管同时导通，一个是共极的，另一个是共极的元件，且要求不是的两个元件。
21、为了减小变流电路的开、关损耗，通常让元件工作在软开关状态，软开关电路种类很
多，但归纳起来可分为与两大类。
22、提高变流置的功率因数的常用方法有、、、几种。
23、三相半波可控整流电路电阻性负载时，电路的移相范围，三相全控桥电阻性负载
时，电路的移相范围。
24、晶闸管是硅晶体闸流管的简称，常用的外形有与。
25、选用晶闸管的额定电流时，根据实际最大电流计算后至少还要乘以。
26、晶闸管的导通条件是。
27、晶闸管的断态不重复峰值电压U
DSM 与转折电压U
BO
在数值大小上应为U
DSM
小于
U
BO
。
28、从晶闸管的伏安特性曲线可知，晶闸管具有的特性。
29、把晶闸管承受正压起到触发导通之间的电角度称为。
30、触发脉冲可采取宽脉冲触发与双窄脉冲触发两种方法，目前采用较多的是
触发方法。
31、可控整流电路，是三相可控整流电路最基本的组成形式。
33、三相桥式整流电路中，当控制角α＝300时，则在对应的线电压波形上触发脉冲距波形原点为。
34、考虑变压器漏抗的可控整流电路中，如与不考虑漏抗的相比，则使输出电压平均值。
35、有源逆变器是将直流电能转换为交流电能馈送回的逆变电路。
36、有源逆变产生的条件之一是：变流电路输出的直流平均电压U
d
的极性必须保证与直
流电源电势E
d 的极性成相连，且满足|U
d
|<|E
d
|。
38、载波比(又称频率比)K是PWM主要参数。设正弦调制波的频率为f
r
，三角波的频率
为f
c
，则载波比表达式为K= 。
39、抑制过电压的方法之一是用吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其
消耗。
40、斩波器的时间比控制方式分为、、三种方式。
41、晶闸管的内部结构具有端、层、个PN结。
42、在螺栓式晶闸管上有螺栓的一端是极。
43、晶闸管的关断条件是。
44、额定电流为100A的晶闸管，流过单向正弦全波时的最大可能平均电流
是。
45、当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极为何种极性触发电压，管子都将工作在
状态。
46、考虑变压器漏抗的可控整流电路中，在换相过程期间，两个相邻的晶闸管同时导
通，对应的电角度称为。
47、在三相全控桥中，接在同一相的两个晶闸管触发脉冲的相位应相差。
48、在三相半波可控整流电路中，电阻性负载，当控制角时，电流连续。
51、三相半波可控整流电路，供电变压器每相漏感折合到次级的Ｌ
B
为100μH，直流负
载电流I
d ＝150A，则换相压降△Ｕ
γ
= 。
52、将直流电逆变为某一频率或可变频率的交流电直接输出到的过程称
为无源逆变。
53、在单相全控桥式变流器控制直流电动机卷扬机拖动系统中，当a>π/2时，电流主
要是依靠电动势E
d
来维持的，所以总的能量是电动机回馈给。
55、在无源逆变与直接斩波电路中，都必须设置换流，强迫导通的晶闸管
可靠关断。
56、晶闸管元件并联时，要保证每一路元件所分担的电流。
58、晶闸管是三端器件，三个引出电极分别为：阳极、阴极和极。
59、晶闸管的额定电流是用在一定条件下的电流来标定。
60、为了保证晶闸管可靠与迅速地关断，通常在管子阳极电压下降为零之后，加
一段时间的电压。
61、同一晶闸管，维持电流I
H 与擎住电流I
L
的数值大小上有I
L
I
H
。
62、某晶闸管的型号为KP200-5，其中200表示，5表示。
63、从晶闸管开始承受正向电压的到晶闸管导通时刻的电度角称为。
64、为了保证三相全控桥电路能启动工作，触发脉冲必须采用或。
65、三相半波整流电路有和两种接法。
66、三相全控桥的共阴极组要求触发脉冲以120°为间隔，依次在半周触发共
阴极组的各晶闸管。
67、电阻性负载三相桥式可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压U
Fm
等于，设U
2
为相电压有效值。
68、在单相全控桥式变流器控制直流电动机卷扬机拖动系统中，若使变流器工作于有源
逆变状态时，需使控制角a>π/2，同时|E
d | |U
d
|。
70、电压型逆变器其中间直流环节以贮能。
71、晶闸管串联时，给每只管子并联相同的RC电路是措施。
72、晶闸管的三个电极分别是、、。
73、选用晶闸管的额定电压值应比实际工作时的最大电压大倍，使其有一定
的电压裕量。
74、当晶闸管加上正向后，门极加上适当的电压，使晶闸管导通
的过程，称为触发。
75、晶闸管和负载Ｒ串联，接在正弦交流电源上，晶闸管的额定电流为100A，如果导
电角为900,允许通过的最大电流平均值是。
76、晶闸管每周期导通的电度角称晶闸管的。
77、电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压U
等于
TM
为相电压有效值）。
（设U
2
78、在三相可控整流电路中，α＝00的地方（自然换相点）为相邻线电压的交点，它距
对应线电压波形的原点为。
79、三相桥式全控整流电路，电阻性负载，当控制角时，电流连续。
80、对于三相半波可控整流电路，换相重叠角的影响，将使输出电压平均
值。
81、逆变器可分为无源逆变器和逆变器两大类。
82、在晶闸管有源逆变电路中，绝对不允许两个电源势相连。
83、变流器换流的方式有和两种。
84、晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是措施。
85晶闸管除了在门极触发下可能导通之外，在以下几种情况下也可能被触发导通：阳极电压升高至相当高的数值造成效应；阳极电压过高；结温较高和光触发。但只有是最精确、迅速而可靠的控制手段。对于其它几种情况，在晶闸管的应用中要采取措施防止因其造成晶闸管误导通。
86、在PWM控制电路中，根据载波和信号波是否同步及载波比的变化情况，PWM调制方式可分
为__________调制和_______调制，______调制方法克服了以上二者的缺点。
87、设DC/DC变换器的Boost电路中，E=10V，α=0.5，则U
=________。
o
88、整流电路中变压器漏抗对电路的影响是________ 、______、_____ _、。
89、换流的方式有____________、_____________、____________、____________，全控型器件
用_______________方式换流
90、电力电子器件在实际应用中应采取的主要保护措施
有：、、。
91、防止单相桥式半控整流电路失控的最有效方法是。
92、电力电子器件的主要类型有，。
93、晶闸管导通必须同时具备的两个条件，在晶闸管阳极与阴极加足够，控
制极加适当的正向电压作为晶闸管导通的。
94、通态平均电流平均值也称。
95、KP600-20G表示额定电流为，管压降为0.9V的。
96、单相可控整流电路中，把晶闸管承受正压起到触发导通之间的电度角称
为。
97、三相半波整流电路电阻负载时的a移相范围为。
98、三相全控是整流电路在任何时刻必须有两个晶闸管同时导通，一个在共阴极组，一
个在共阳极组，才能保证有效的电流通路，其导通顺序为。
99、在晶闸管单相可控整流电路中“逆变”的含义是。
100、在可控整流电路中，最小逆变角的范围是。
101、晶闸管触发电路中，脉冲具有足够的移相范围，三相全控桥式整流电路电阻负载要求移相范围，电感性负载（电流连续），三相桥式可逆变线路在反电势负载下，要求移相范围为。
102、在半控型器件和全控型器件中，IGBT ，各代表的什么器件的晶体管。
103、逆变失败的原因有：触发电路工作不可靠，不能适时准确的发出触发脉
冲；；晶闸管质量不高或参数裕量不足；。
104、在晶闸管的电流额定中，通态平均电流I
Ta = ，I
T
= 。
105.三相半波可控整流电路电阻性负载时，电路的移相范围0o-150o，三相全控桥电阻性负载时，电路的移相范围0o-120o，三相半控桥电阻性负载时，电路的移相范围0o-
150o。
106、变流技术也称为电力电子器件的应用技术。
107、电力电子技术诞生于 1957 年，是以美国通用电气公司研制出第一个晶闸管为
标志的。
108、通常所用的电力有直流和交流两种。
109、 1947 年，美国着名的贝尔实验室发明了晶体管。
110、迄今为止，用于制造电力电子器件的半导体材料仍然是硅。
111、在电化学工业中，电解铝、电解实验室等都需要大容量的整流电源。112、经多年研究，能够制造电力电子器件的新材料，有碳化硅、氮化镓、
砷化镓、金刚石等。
113、在磁悬浮列车中，技术是一项关键技术。
114、相位控制方式和斩波控制方式分别简称为相控和斩控。115、目前，碳化硅二极管以其优越的性能已经获得了广泛的应用。
116、在电气机车中，直流机车采用装置，交流机车采用装置。117、通常把交流电变成直流电称为整流，而把直流电变成交流电称为逆变。
118、有源逆变和无源逆变的区别仅仅在于变流电路的交流侧是否与电网连接。119、以前的电梯大都采用直流调速系统，而近年来变频调速已成为主流。120、电力电子电路的换流方式可分为以下四种：换流、换流、换流、换流。
121、逆变电路根据直流侧电源的性质分类，可以分为电压型逆变电路和
电流型逆变电路。
122、变频空调器是家用电器中应用电力电子技术的典型例子。
123、软开关技术解决了电力电子电路中开关损耗和开关噪声问题。
124、电力电子器件按照被控制的程度可分为三类：不可控器件，半控型器件，
全控型器件。
125、超导储能是未来的一种储能方式，它需要你强大的直流电源供电。126、电力电子装置的发展趋势是小型化、轻量化。
127、在电气设备或电力系统中，直接承担电能的变换或控制任务的电路被称
为。
128、在电力电子电路中，器件的开关损耗和开关频率之间呈现线性关系。129、PWM控制技术在逆变电路中的应用最为广泛。
130、器件换流只适用于全控型器件，其余三种方式重要是针对晶闸管而言的。
131、晶闸管电路的主要控制方式是相控方式，而全控型器件电路的主要控制方式
是斩控方式。
132、不久的将来，采用碳化硅材料制成的IGBT压降低、损耗小、耐压高，而且耐高温
也将远高于用硅材料制成的IGBT。
133、在交流—交流变流电路中，通过对晶闸管的控制，不改变其频率，而调节交流电压、电流或对
电路的通断进行控制，这样的电路称为交流电力控制电路。
134、如果在交流-交流变流电路中，通过对晶闸管的控制，只改变交流电的频率，这样的电路可称为
变频电路。
135、通过对晶闸管的控制，以交流电的周期通过对晶闸管的控制，可以调节输出电压的有效值，这种电路称为交流调压电路。
136、在每半个周波内，通过控制晶闸管的通断，则可以调节输出功率的平均值，这种电路称
交流调功电路。如果并不着意调节平均功率，只是接通或断开电路，则称串入
的晶闸管为交流电力电子开关。
137、晶闸管是晶体闸流管的简称，以前被简称为可控硅。
138、面积等效原理是PWM控制技术的重要理论基础。
139、变频器、不间断电源、感应加热电源等电力电子装置，其电路的核心部分都是逆变
电路。
140、随着电力电子器件开关频率的提高，器件在开关过程中的开关损耗和开关噪声
也随之增大。
电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高 时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成， 由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _ 双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基 二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 | 9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系， 其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以 上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属 于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双 极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET，属于电压驱动 的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 . 第2章整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续 流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ，其承受的最大正反向电压均为___，续流二极管承受的最大反向电压为___（设U2为相电压有效值）。 3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管 所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 和_；带阻感负载时，α角移相范围为_0-90O _， 单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为___和___；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 4.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角时，晶闸管的导通角=_π-α-_; 当控制角小于不导电角时，晶闸管的导通角=_π-2_。
第2章电力电子器件课后复习题 第1部分：填空题 1. 电力电子器件是直接用于主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。 2. 主电路是在电气设备或电力系统中，直接承担电能变换或控制任务的电路。 3. 电力电子器件一般工作在开关状态。 4. 电力电子器件组成的系统，一般由控制电路、驱动电路、主电路三部分组成， 由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加保护电路。 5. 按照器件能够被控制的程度，电力电子器件可分为以下三类：不可控器件、半控型器件 和全控型器件。 6．按照驱动电路信号的性质，电力电子器件可分为以下分为两类：电流驱动型和电压驱动型。 7. 电力二极管的工作特性可概括为单向导电性。 8. 电力二极管的主要类型有普通二极管、快恢复二极管、肖特基二极管。 9. 普通二极管又称整流二极管多用于开关频率不高,一般为1K Hz以下的整流电路。其 反向恢复时间较长，一般在5μs以上。 10.快恢复二极管简称快速二极管，其反向恢复时间较短，一般在5μs以下。 11.肖特基二极管的反向恢复时间很短,其范围一般在10～40ns之间。 12.晶闸管的基本工作特性可概括为：承受反向电压时，不论是否触发，晶闸管都不会导 通；承受正向电压时，仅在门极正确触发情况下，晶闸管才能导通；晶闸管一旦导通， 门极就失去控制作用。要使晶闸管关断，只能使晶闸管的电流降至维持电流以下。 13.通常取晶闸管的U DRM和U RRM中较小的标值作为该器件的额定电压。选用时，一般取 为正常工作时晶闸管所承受峰值电压2~3 倍。 14.使晶闸管维持导通所必需的最小电流称为维持电流。晶闸管刚从断态转入通态并移除 触发信号后，能维持导通所需的最小电流称为擎住电流。对同一晶闸管来说，通常I L约为I H的称为2~4 倍。 15.晶闸管的派生器件有：快速晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、光控晶闸管。 16. 普通晶闸管关断时间数百微秒，快速晶闸管数十微秒，高频晶闸管10微秒左右。 高频晶闸管的不足在于其电压和电流定额不易做高。 17.双向晶闸管可认为是一对反并联联接的普通晶闸管的集成。 18.逆导晶闸管是将晶闸管反并联一个二极管制作在同一管芯上的功率集成器件。 19. 光控晶闸管又称光触发晶闸管，是利用一定波长的光照信号触发导通的晶闸管。光触 发保证了主电路与控制电路之间的绝缘，且可避免电磁干扰的影响。
电力电子技术试题填空 1、请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管 . 率场效应晶体管 ________________ ;绝缘栅双极型晶体管 的复合管。 2、晶闸管对触发脉冲的要求是 ____________ O 3、多个晶闸管相并联时必须考虑 的问题，解决的方法是 4、 在电流型逆变器中，输出电压波形为 5、 型号为KS100-8的元件表示 ___________ 有效电流为 安。 __________ 波，输出电流波形为 晶闸管、它的额定电压为 伏、额定 6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在 __________________________ 上的上、下二个元件 之间进行；而1200导电型三相桥式逆变电路， 晶闸管换相是在 ________________ 上的元件之 间进行的。 7、当温度降低时，晶闸管的触发电流会 __________________ 、正反向漏电流会 升高时，晶闸管的触发电流会 _______________ 、正反向漏电流会 _____________ 8、在有环流逆变系统中，环流指的是只流经 _____________________ 而不流经 __________________ 的电流。环流可在电路中加 来限制。为了减 小环流一般采用控制角a 9、常用的过电流保护措施有 B 的工作方式。 O （写出四种即 可） 10、 双向晶闸管的触发方式有 四种。 11、 双向晶闸管的触发方式有: 1+触发：第一阳极 T1接 电压，第二阳极 T 2接 电压；门极 G 接 电压， T2接 电压。 I-触发：第一阳极 T1接 电压，第二阳极 T2接 电压；门极G 接 电压，T2接 电压。 川+触发：第一阳极 T1接 电压，第二阳极 T2接 电压，门极G 接 电压，T2接 电压。 川-触发：第一阳极 T1接 电压，第二阳极 T2接 电压；门极G 接 电压，T2接 电压。 换流。 12、 由晶闸管构成的逆变器换流方式有 _________________ 换流和 13、 按逆变后能量馈送去向不同来分类，电力电子元件构成的逆变器可分为 _____ 逆变器与______________ 逆变器两大类。 ;可关断晶闸管_ ______ ; IGBT 是 ;功
电力电子技术期末考试 试题及答案 Coca-cola standardization office【ZZ5AB-ZZSYT-ZZ2C-ZZ682T-ZZT18】
电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。 7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。 9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_GTO 、GTR 、电力
一、填空题： 1、电力电子技术的两个分支是电力电子器件制造技术和 变流技术 。 2、举例说明一个电力电子技术的应用实例 变频器、 调光台灯等 。 3、电力电子承担电能的变换或控制任务，主要为①交流变直流（AC —DC ）、②直流变交流（DC —AC ）、③直流变直流（DC —DC ）、④交流变交流（AC —AC ）四种。 4、为了减小电力电子器件本身的损耗提高效率，电力电子器件一般都工作在 开关状态，但是其自身的功率损耗（开通损耗、关断损耗）通常任远大于信息电子器件，在其工作是一般都需要安装 散热器 。 5、电力电子技术的一个重要特征是为避免功率损耗过大，电力电子器件总是工作在开关状态，其损耗包括 三个方面：通态损耗、断态损耗和 开关损耗 。 6、通常取晶闸管的断态重复峰值电压UDRM 和反向重复峰值电压URRM 中较 小 标值作为该器件的额电电压。选用时，额定电压要留有一定的裕量，一般取额定电压为正常工作时晶闸管所承受峰值电压的2~3倍。 7、只有当阳极电流小于 维持 电流时，晶闸管才会由导通转为截止。导通：正向电压、触发电流 （移相触发方式） 8、半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中，电路可能会出现 失控 现象，为了避免单相桥式 半控整流电路的失控，可以在加入 续流二极管 来防止失控。 9、整流电路中，变压器的漏抗会产生换相重叠角，使整流输出的直流电压平均值 降低 。 10、从晶闸管开始承受正向阳极电压起到施加触发脉冲止的电角度称为 触发角 。 ☆从晶闸管导通到关断称为导通角。 ☆单相全控带电阻性负载触发角为180度 ☆三相全控带阻感性负载触发角为90度 11、单相全波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为 2√2U1 。（电源相电压为U1） 三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为 。（电源相电压为U 2） 12、四种换流方式分别为 器件换流 、电网换流 、 负载换流 、 强迫换流 。 13、强迫换流需要设置附加的换流电路，给与欲关断的晶闸管强迫施加反压或反电流而关断。 14、直流—直流变流电路，包括 直接直流变流电路 电路和 间接直流变流电路 。（是否有交流环节） 15、直流斩波电路只能实现直流 电压大小 或者极性反转的作用。 ☆6种斩波电路：电压大小变换：降压斩波电路（buck 变换器)、升压斩波电路、 Cuk 斩波电路、Sepic 斩波电路、Zeta 斩波电路 升压斩波电路输出电压的计算公式 U= 1E β=1- ɑ 。 降压斩波电路输出电压计算公式： U=ɑE ɑ=占空比，E=电源电压 ☆直流斩波电路的三种控制方式是PWM 、 频率调制型 、 混合型 。 16、交流电力控制电路包括 交流调压电路 ，即在没半个周波内通过对晶闸管开通相位的控制，调节输出电压有效值的电路， 调功电路 即以交流电的周期为单位控制晶闸管的通断，改变通态周期数和断态周期数的比，调节输出功率平均值的电路， 交流电力电子开关即控制串入电路中晶闸管根据需要接通或断开的电路。
1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。 7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。 9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有__ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET，属于
电力电子技术试题
第 1 章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力 MOSFET）、绝缘 栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力 MOSFET 、 IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力 MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力 MOSFET，属于电压驱动的是电力 MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、
GTO 、GTR _。2、可关断晶闸管的图形符号是 ；电力场效应晶体管的图形符号是
绝缘栅双极晶体管的图形符号是
；电力晶体管的图形符号是
；
第 2 章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角 α 的最大移相范围是__0-180O
_ ，其承受的最大正反向电压均为_ 2U2 __，续流二极管承受的最大反向电压为__ 2U2 _（设 U2 为相电压有效值）。
3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α 角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 2 和_ 2U2 ；
带阻感负载时，α 角移相范围为_0-90O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 _和__ 2U2 _；带反电动势负载时，欲使电阻上的电
流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。
5.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压 UFm 等于__ 2U2 _，晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-150o_，使负载电流连
续的条件为__ 30o __(U2 为相电压有效值)。
6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _，当它带阻感负载时， 的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_
的相电压；这种电路
角的移相范围是_0-120o _，ud 波形连续的条件是_ 60o _。
8.对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使用输出电压平均值__下降_。
11.实际工作中，整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数，当
从 0°～90°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而 _增大_，
当
从 90°～180°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而_减小_。
12. 逆 变 电 路 中 ， 当 交 流 侧 和 电 网 连 结 时 ， 这 种 电 路 称 为 _ 有 源 逆 变 _ ， 欲 实 现 有 源 逆 变 ， 只 能 采 用 __ 全 控 _ 电 路 ； 对 于 单 相 全 波 电 路 ， 当 控制 角
0<
<
时，电路工作在__整流_状态；
时，电路工作在__逆变_状态。
13.在整流电路中，能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等（可控整流电路均可），其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势，
其极性和晶闸管导通方向一致，其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角 a > 90O，使输出平均电压 Ud 为负值_。 第 3 章 直流斩波电路
1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。
2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路 和_升压斩波电路_。
3.斩波电路有三种控制方式：_脉冲宽度调制（PWM）_、_频率调制_和_（ton 和 T 都可调，改变占空比）混合型。
6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。
7.Sepic 斩波电路和 Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系，所不同的是：_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续，_ Zeta 斩波电路_的输入、输
出电流均是断续的，但两种电路输出的电压都为__正_极性的 。
8.斩波电路用于拖动直流电动机时，降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限，升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限，_电流可逆斩波电路能
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第2章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在开关状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为通态损耗，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为开关损耗。 3.电力电子器件组成的系统，一般由控制电路、驱动电路、主电路三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加保护电路。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为单极型、双极型、复合型三类。 5、电力二极管的工作特性概括为单向导通。 6.电力二极管的主要类型有普通、快速恢复、肖特基。 7.肖特基二极管的开关损耗小于快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为门极正向有触发则导通、反向截止。 10.晶闸管断态不重复电压UDRM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDRM小于Ubo。 11.逆导晶闸管是将二极管与晶闸管反并联（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 12.GTO的阴极和门极并联结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 13.功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为击穿。 14.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的截止区、前者的饱和区对应后者的放大区、前者的非饱和区对应后者的饱和区。 18.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为电流驱动型和电压驱动型两类。 25.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、
电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是电力二极管，属于半控型器件的是晶闸管，属于全控型器件的是GTO ,GTR, MOSFET, IGBT；属于单极型电力电子器件的有MOSFET，属于双极型器件的有GTO, GTR ,电力二极管,晶闸管，属于复合型电力电子器件得有IGBT；在可控的器件中，容量最大的是GTR，工作频率最高的是MOSFET，属于电压驱动的是MOSFET,IGBT，属于电流驱动的是GTO,GTR。 第3章整流电路 1.电阻负载的特点是电压与电流成正比，两者波形相同，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是180°。 2.阻感负载的特点是流过电感的电流不能发生突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是180°，其承受的最大正反向电压均为√2U2，续流二极管承受的最大反向电压为√2U2（设U2为相电压有效值）。 4.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角d时，晶闸管的导通角q =180°; 当控制角a小于不导电角d 时，晶闸管的导通角q=180°。 5.从输入输出上看，单相桥式全控整流电路的波形与单相全控桥的波形基本相同，只是后者适用于低输出电压的场合。 6.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFm等于√2U2，晶闸管控制角α的最大移相范围是0°~150，使负载电流连续的条件为α≤30°(U2为相电压有效值)。 7.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差120°，当它带阻感负载时，a的移相范围为0°~90°。
电力电子技术试题 第1章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode ）、晶闸管（SCR ）、门极可关断晶闸管（GTO ）、电力晶体管（GTR ）、电力场效应管（电力MOSFET ）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET ，属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 2、可关断晶闸管的图形符号是 ；电力场效应晶体管的图形符号是 绝缘栅双极晶体管的图形符号是 ；电力晶体管的图形符号是 ； 第2章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O _。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ，其承受的最大正反向电压均为_22U __，续流二极管承受的最大反向电压为__22U _（设U 2为相电压有效值）。 3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__222U 和_22U ； 带阻感负载时，α角移相范围为_0-90O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__22U _和__22U _；带反电动势负载时，欲使电阻上的 电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 5.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFm 等于__22U _，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-150o _，使负载电流连 续的条件为__o 30≤α__(U2为相电压有效值)。 6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _，当它带阻感负载时，α的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_ 的相电压；这种电路 α 角的移相范围是_0-120o _，u d 波形连续的条件是_o 60≤α_。 8.对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使用输出电压平均值__下降_。 11.实际工作中，整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数，当 α 从0°～90°变化时，整流输出的电压ud 的谐波幅值随 α 的增大而 _增大_，当 α 从90°～180°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随 α 的增大而_减小_。 12.逆变电路中，当交流侧和电网连结时，这种电路称为_有源逆变_，欲实现有源逆变，只能采用__全控_电路；对于单相全波电路，当控制角 0< α < π /2 时，电路工作在__整流_状态； π /2< α < π 时，电路工作在__逆变_状态。 13.在整流电路中，能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等（可控整流电路均可），其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势，其极性和晶闸管导通方向一致，其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角α > 90O ，使输出平均电压U d 为负值_。 第3章 直流斩波电路 1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。 2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路 和_升压斩波电路_。 3.斩波电路有三种控制方式：_脉冲宽度调制（PWM ）_、_频率调制_和_（t on 和T 都可调，改变占空比）混合型。 6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。 7.Sepic 斩波电路和Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系，所不同的是：_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续，_ Zeta 斩波电路_的输入、输出电流均是断续的，但两种电路输出的电压都为__正_极性的 。 8.斩波电路用于拖动直流电动机时，降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限，升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限，_电流可逆斩波电路能使电动机工作于第1和第2象限。 10.复合斩波电路中，电流可逆斩波电路可看作一个_升压_斩波电路和一个__降压_斩波电路的组合；
电力电子技术复习2011 一、选择题（每小题10分,共20分） 1、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差A度。 A、180°， B、60°， c、360°， D、120° 2、α为C度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。 A，0度， B，60度， C，30度， D，120度， 3、晶闸管触发电路中，若改变 B 的大小，则输出脉冲产生相位移动，达到移相控制的目的。 A、同步电压， B、控制电压， C、脉冲变压器变比。 4、可实现有源逆变的电路为A。 A、三相半波可控整流电路， B、三相半控桥整流桥电路， C、单相全控桥接续流二极管电路， D、单相半控桥整流电路。 5、在一般可逆电路中，最小逆变角βmin选在下面那一种围合理A。 A、30o-35o， B、10o-15o， C、0o-10o， D、0o。 6、在下面几种电路中，不能实现有源逆变的电路有哪几种BCD。 A、三相半波可控整流电路。 B、三相半控整流桥电 路。 C、单相全控桥接续流二极管电路。 D、单相半控桥整流电路。 7、在有源逆变电路中，逆变角的移相围应选B为最好。 A、=90o∽180o， B、=35o∽90o， C、 =0o∽90o， 8、晶闸管整流装置在换相时刻（例如：从U相换到V相时）的输出电压等于C。
A、U相换相时刻电压u U ， B、V相换相时刻电 压u V ， C、等于u U +u V 的一半即： 9、三相全控整流桥电路，如采用双窄脉冲触发晶闸管时，下图中哪一种双窄脉 冲间距相隔角度符合要求。请选择B。 10、晶闸管触发电路中，若使控制电压U C =0，改变C的大小，可使 直流电动机负载电压U d =0，使触发角α=90o。达到调定移相控制围，实现整流、逆变的控制要求。 B、同步电压， B、控制电压， C、偏移 调正电压。 11、下面哪种功能不属于变流的功能（C） A、有源逆变 B、交流调压 C、变压器降压 D、直流斩波 12、三相半波可控整流电路的自然换相点是( B ) A、交流相电压的过零点； B、本相相电压与相邻相电压正、负半周的交点处； C、比三相不控整流电路的自然换相点超前30°； D、比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°。 13、如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V， 则该晶闸管的额定电压应为（B） A、700V B、750V C、800V D、850V 14、单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相围是( D )
填空 1、请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR；可关断晶闸管GTO ；功率场效应晶体管MOSFET ；绝缘栅双极型晶体管IGBT ；IGBT是MOSFET 和GTR的复合管。 2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步 3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是串专用均流电抗器。 4、在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦，输出电流波形为方波。 5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管、它的额定电压为800伏、额定有效电流为100安。 6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_ 同一桥臂上的上、下二个元件之间进行；而120o导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_ 不同桥臂上的元件之间进行的。 7、当温度降低时，晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降；当温度升高时，晶闸管的触发电流会下降、正反向漏电流会增加。 8、在有环流逆变系统中，环流指的是只流经逆变 电源、逆变桥 而不流经负载的电流。环流可在电路中加电抗器来限制。为了减小环流一般采用控制角α大于β的工作方式。 9、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、 接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。（写出四种即可）
10、双向晶闸管的触发方式有 Ⅰ+ 、 Ⅰ- 、 Ⅲ＋ Ⅲ- 四种 。 11、双向晶闸管的触发方式有： I+ 触发：第一阳极T1接 正 电压，第二阳极T 2接 负 电压；门极G 接 正 电压，T2接 负 电压。 I- 触发：第一阳极T1接 正 电压，第二阳极T2接 负 电压；门极G 接 负 电压，T2接 正 电压。 Ⅲ+触发：第一阳极T1接 负 电压，第二阳极T2接 正 电 压,门极G 接 正 电压，T2接 负 电压。 Ⅲ-触发：第一阳极T1接 负 电压，第二阳极T2接 正 电压；门极G 接 负 电压，T2接 正 电压。 12、由晶闸管构成的逆变器换流方式有 负载 换流和 强迫（脉冲） 换流。 13、按逆变后能量馈送去向不同来分类，电力电子元件构成的逆变器可分为 有源 逆变器与 无源 逆变器两大类。 14、有一晶闸管的型号为KK200－9，请说明KK 快速晶闸管 ； 200 表示表示 200A ，9表示 900V 。 15、单结晶体管产生的触发脉冲是 尖脉冲 脉冲；主要用 于驱动 小 功率的晶闸管；锯齿波同步触发电路产生的脉冲为 强触发脉冲 脉冲；可以触发 大 功率的晶闸管。 16、一个单相全控桥式整流电路，交流电压有效值为220V ，流过晶闸管的电流 有效值为15A ，则这个电路中晶闸管的额定电压可选为 ()V 220225.1倍- ；晶闸管的额定电流可选 为 ()A 57.115 25.1倍- 。
电力电子技术试题 第1章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 9.对同一晶闸管，维持电流IH 与擎住电流I L 在数值大小上有I L __大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM 与转折电压Ubo 数值大小上应为，UDSM _大于__Ubo 。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 12.GTO 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 13.MOSFET 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR 共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET 的通态电阻具有__正__温度系数。 15.IGBT 的开启电压UGE （th ）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 17.IGBT 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数， 在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode ）、晶闸管（SCR ）、门极可关断晶闸管（GTO ）、电力晶体管（GTR ）、电力场效应管（电力MOSFET ）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET ，属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 第2章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O _。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ， 2__，续流二极管承受的最大反向电压为2_（设U 2为相电压有效值）。 3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为22 和2；带 阻感负载时，α角移相范围为_0-90O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为2_和2_；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出 现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 4.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角δ时，晶闸管的导通角θ =_π-α-δ_; 当控制角α小于不导电角 δ 时，晶闸管的导通角 θ =_π-2δ_。 5.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFm 2_，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-150o _，使负载电流连续的条 件为__o 30≤α__(U2为相电压有效值)。 6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _，当它带阻感负载时，α的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_的相电压；这种电路 α 角的移相范围是_0-120o _，u d 波形连续的条件是_o 60≤α_。 8.对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使用输出电压平均值__下降_。 9.电容滤波单相不可控整流带电阻负载电路中，空载时，输出电压为2_，随负载加重Ud 逐渐趋近于_0.9 U 2_，通常设计时，应取RC ≥_1.5-2.5_T ，此 时输出电压为Ud ≈__1.2_U 2(U 2为相电压有效值，T 为交流电源的周期)。 10.电容滤波三相不可控整流带电阻负载电路中，电流 id 断续和连续的临界条件是_=RC ω。 11.实际工作中，整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数，当 α 从0°～90°变化时，整流输出的电压ud 的谐波幅值随 α 的增大而 _增大_，当 α 从90°～180°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随 α 的增大而_减小_。
大连理工大学网络教育学院 2014年8月份《电力电子技术》开卷考试期末复习题 一、单项选择题 1、下列哪个方法不能使晶闸管关断？（） A．去掉阳极所加的正向电压 B．给阳极施加反压 C．给阳极施压 D．设法使流过晶闸管的电流降低到接近于零的某一数值以下 2、公共交流母线进线方式的三相交-交变频电路主要用于（）容量的交流调速系统。A．大型B．中等 C．小型D．大中型 3、带有电阻负载的单相交流调压电路中触发延迟角的移相范围为（）。 A．0～π/2 B．0～π C．π/2～πD．π～2π 4、电压型PWM整流电路是（）整流电路。 A．降压型B．恒压型 C．升压型D．以上均不正确 5、（）是软开关技术在逆变电路中的典型应用。 A．零电压开关准谐振电路B．零电压开关PWM电路 C．零电压转换PWM电路D．谐振直流环电路 6、下列哪项不是晶闸管的别称？（） A.电力二极管 B.晶体闸流管 C.可控硅整流器 D.可控硅 7、电流型三相桥式逆变电路的基本工作方式为（）导电方式。 A. 60° B. 90° C. 120° D. 180° 8、全桥电路工作过程中，逆变电路中（）的两个开关同时导通。 A.相邻 B.互为对角
C.任意 D.以上都不正确 9、采用滞环比较方式的电流跟踪型PWM变流电路属于（）控制方式。 A.超前 B.实时 C.滞后 D.定时 10、（）是电流驱动型器件。 ①GTO ②GTR ③MOSFET ④IGBT A.①和② B.①和③ C.②和③ D.②和④ 11、单相桥式全控整流电路带阻感负载工作情况下，晶闸管导通角为（）。 A. 60° B. 90° C. 120° D. 180° 12、三相桥整流电路中，当控制角α在以下哪个范围时，电路工作在逆变状态？（） A. 0<α<π/2 B. 0<α<π C. π/2<α<π D. π<α<2π 13、三相交流调压电路星形联结带电阻负载时，同一相的两个反并联晶闸管触发脉冲应相差（）。 A. 60° B. 90° C. 120° D. 180° 14、下列哪项是软开关电路？（） A. 全桥电路 B. PWM整流电路 C. 谐振直流环 D. 推挽电路 15、晶闸管直流电动机系统在电流连续时，电动机的机械特性是一组（）。 A. 平行的直线 B. 相交的直线 C. 互相垂直的直线 D. 曲线 U为16、下图中阴影部分为某负载上的电压波形，其最大值为141V，则输出电压平均值d （）。