中南大学 模拟电子技术试卷（第1套） 一、一、填空题（20分，每空1分） 1．双极型三极管是控制器件，当其工作在放大区时发射结需要加偏置，集电结需要加偏置。场效应管是控制器件。 2．在有源滤波器中，运算放大器工作在区；在滞回比较器中，运算放大器工作在区。 3．在三极管多级放大电路中，已知A u1＝20，A u2＝－10，A u3＝1，则可知其接法分别为：A u1是放大器，A u2是放大器，A u3是放大器。 4．在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极R e公共电阻对信号的放大作用无影响，对信号具有抑制作用。差动放大器的共模抑制比K CMR ＝。 5．设某一阶有源滤波电路的电压放大倍数为200 1 200 f j A + = & ，则此滤波器为滤波器，其通带放大倍数为，截止频率为。 6．如图所示的功率放大电路处于类工作状态；其静态损耗为；电路的最大输出功率为；每个晶体管的管耗为最大输出功率的 倍。 二、基本题：（每题5分，共25分） 1．如图所示电路中D为理想元件，已知u i = 5sinωt V ，试对应u i画出u o的波形图。
2．测得电路中NPN型硅管的各级电位如图所示。试分析管子的工作状态（截止、饱和、放大）。 3．已知BJT管子两个电极的电流如图所示。求另一电极的电流，说明管子的类型（NPN 或PNP）并在圆圈中画出管子。 4．如图所示电路中，反馈元件R7构成级间负反馈，其组态为； 其作用是使输入电阻、放大电路的通频带变。 三、如图所示电路中，β＝100， Ω = ' 100 b b r，试计算：(15分) 1．放大电路的静态工作点；（6分）
1?在数据库设计中，用E-R图来描述信息结构但不涉及信息在计算机中的表示，它属于数据库设计的（）阶段。 A需求分析 B概念设计 C逻辑设计 D物理设计 参考答案 B 数据库设计步骤： （1）规划（必要性、可行性，总目标） （2）需求分析（分析用户活动，产生业务流程图；确定系统范围，产生系统范围图；分析用户活动涉及的数据，产生数据流程图；分析系统数据，产生数据字典。）（3）概念设计（设计出独立于计算机硬件和DBMS的概念模式。E-R模型是主要设计工具） （4）逻辑结构设计（把概念设计阶段设计好的全局E-R模式转换成与选用的具体机器上的DBMS所支持的数据模型相符合的逻辑结构，包括数据库模式和外模式）（5）数据库的物理设计（对于给定的数据模型选取一个垠适合应用环境的物理结构的过程。数据库的物理结构主要指数据库的存储记录格式、存储记录安排和存取方法）（6）数据库的实现（建立实际数据库结构；装入试验数据对应用程序进行调试；装入实际数据，进入试运行状态） （7）数据库的运行与维护（维护数据库的安全性与完整性；监测并改善数据库运行性能; 根据用户要求对数据库现有功能进行扩充；及时改正运行中发现的系统错误） 2.关于数据库概念设计阶段的工作目标，下列说法错谋的是 A定义和描述应用系统涉及的信息结构和范围 B定义和描述应用系统中数据的属性特征和数据之间的联系 C描述应用系统的数据需求 D描述需要存储的记录及其数量 参考答案 3. SQL Server 2000的字符型系统数据类型主要包括（）。 A int、money、char B char> varchar、text
C datetime、binary> int D char、varchar> int 参考答案 B 4. 具有联系的相关数据按一定的方式组织排列，并构成一定的结构，这种结构即（）。 A数据模型 B数据库 C关系模型 D数据库管理系统 参考答案 A 5. 在数据库系统中，下列哪个映像关系用于提供数据与应用程序间的逻辑独立性？ A外模式/模式 B模式/内模式 C外模式/内模式 D逻辑模式/内模式 参考答案 B 6. 关系模型的数据结构是 A树 B图 C表 D二维表 参考答案 D 7. 数据字典是数据库管理系统的重要组成部分，其中存储的各类信息通常由 A数据库管理员维护 B程序员维护 C数据库管理系统维护 D—般用户维护 参考答案 A 8. E-R图用于描述数据库的
《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章） 一.选择题 1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素,形成N 型半导体。A.二 B.三 C.四 D 五 ２、在P 型半导体中,自由电子浓度 Ｃ 空穴浓度。A ．大于 B.等于 C ．小于 ３、本征半导体温度升高以后， Ｃ 。 A.自由电子增多,空穴数基本不变 B ．空穴数增多,自由电子数基本不变 C ．自由电子数和空穴数都增多，且数目相同 Ｄ.自由电子数和空穴数都不变 4、空间电荷区是由 C 构成的。A ．电子 B.空穴 C.离子 D.分子 5、ＰN 结加正向电压时,空间电荷区将 Ａ 。 Ａ. 变窄 Ｂ． 基本不变 C. 变宽 D ． 无法确定 6、稳压管的稳压区是其工作在 Ｃ 。A. 正向导通 B ．反向截止 C.反向击穿 7、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 Ｂ. 前者正偏、后者反偏 Ｃ. 前者正偏、后者也正偏 D ． 前者反偏、后者正偏 ８、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。Ａ． 增大 B ． 不变 C. 减小 D. 都有可能 ９、工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12μA 增大到２2μA 时，I Ｃ从1m Ａ变为２mA ，那么它的β约为 C 。Ａ. 83 B. ９1 C. 10０ D ． 1０ １0、晶体管是 A 器件。Ａ.电流控制电流 B.电流控制电压 Ｃ．电压控制电压 D.电压控制电流 1１、在正常放大的电路中,测得晶体管三个电极的对地电位如图所示,试判断管子的类型和材料。图1为 Ｄ ；图２为 A 。[基极电位总是处于中间］ A.ＮＰN 硅管 B.P ＮP 硅管 C ．ＮP Ｎ锗管 D.P ＮP 锗管 12、场效应管是 Ｄ 器件。 A ．电流控制电流 B.电流控制电压 C ．电压控制电压 D.电压控制电流 13、基本共射放大电路中,基极电阻R ｂ的作用是 A 。 Ａ.限制基极电流,使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路 Ｂ.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C ．保护信号源 D.防止输出电压被短路 １4、基本共射放大电路中,集电极电阻Ｒc 的作用是 Ｂ 。 A ．限制集电极电流的大小 B.将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量 C.防止信号源被短路 D.保护直流电压源E Ｃ 15、基本共射放大电路中，输入正弦信号,现用示波器观察输出电压u o 和晶体管集电极电压u c 的波形,二者相位 A 。A.相同 B ．相反 C.相差90° Ｄ.相差270° 16、NP Ｎ管基本共射放大电路输出电压出现了非线性失真，通过减小R b 失真消除, 这种失真一定 ① 0V 5.7V 图 1 ① 9V 2.3V 图2
中南大学信息院《数字电子技术基础》 期终考试试题（110分钟）(第一套) 一、填空题：（每空1分，共15分） =+的两种标准形式分别为 1．逻辑函数Y AB C （）、（）。2．将2004个“1”异或起来得到的结果是（）。 3．半导体存储器的结构主要包含三个部分，分别是（）、（）、（）。 4．8位D/A转换器当输入数字量为5v。若只有最低位为高电平，则输出电压为（）v；当输入为，则输出电压为（）v。 5．就逐次逼近型和双积分型两种A/D转换器而言，（）的抗干扰能力强，（）的转换速度快。 6．由555定时器构成的三种电路中，（）和（）是脉冲的整形电路。 7．与PAL相比，GAL器件有可编程的输出结构，它是通过对（）进行编程设定其（）的工作模式来实现的，而且由于采用了（）的工艺结构，可以重复编程，使它的通用性很好，使用更为方便灵活。 二、根据要求作题：（共15分） 1．将逻辑函数P=AB+AC写成“与或非”表达式，并用“集电极开路与非门” 来实现。 2．图1、2中电路均由CMOS门电路构成，写出P、Q 的表达式，并画出对应A、 B、C的P、Q波形。
三、分析图3所示电路：（10分） 1）试写出8选1数据选择器的输出函数式； 2）画出A2、A1、A0从000~111连续变化时，Y的波形图； 3）说明电路的逻辑功能。 四、设计“一位十进制数”的四舍五入电路（采用8421BCD码）。要求只设定一个输出，并画出用最少“与非门”实现的逻辑电路图。（15分） 五、已知电路及CP、A的波形如图4(a) (b)所示，设触发器的初态均为“0”，试画出输出端B和C的波形。（8分）
中南大学内科学试题库 1 / 120 中南大学内科学题库 呼吸系统疾病 总 论 一、选择题 【 A1 型题】 １ 、吸入呼吸道的异物颗粒主要排出机制是: A. 巨噬细胞吞噬 B ． 粘液纤毛系统移送 C. 补体作用 Ｄ. 支气管收缩 Ｅ. 免疫球蛋白 2 、肺循环的特点是： Ａ. 低压、高阻、低容 B. 低压、低阻、高容 C. 低压、低阻、低容 D ． 高压、高阻、高容 E ． 低压、高阻、高容 ３ 、体位改变时咳嗽咳痰加重多见于： A. 急性支气管炎 B ． 支气管肺癌 Ｃ． 浸润型肺结核 D. 支气管扩张症 E. 慢性心功能不全 ４ 、正常成人总的呼吸膜面积约有: A ． 150m2 Ｂ. 8０m2 C. 1０0m ２ D ． 120m2 E. 2０0ｍ2 5 、国内院内获得性肺炎的病原菌最常见的是: A ． 绿脓杆菌 B. ＭＲＳA C. 肺炎克雷伯杆菌 Ｄ. 肺炎球菌 Ｅ． 鲁氏不动杆菌 ６ 、气管癌引起呼吸困难的特点为： A. 吸气性呼吸困难 B ． 呼气性呼吸困难 C. 呼气延长 D. 混合性呼吸困难 E. 夜间阵发性呼吸困难 ７ 、关于痰液的检查，哪项是错误的: A.痰培养定量培养菌量≥ 10 5ｃfu/m ｌ 可判定为致病菌 B ．痰涂片在低倍镜视野里上皮细胞＜ 1０ 个，白细胞> 25 个为相对污染少的标本 C.反复痰脱落细胞学检查有助于肺癌的诊断 Ｄ.经环甲膜穿刺气管内吸痰的所获得痰标本污染率较低 E ．痰培养对肺部微生物感染的病因诊断和药物选择有重要价值 ８ 、下列哪项不是影响肺换气的因素： Ａ. 呼吸膜面积减少 B ． 动 - 静脉短路增加 C. 呼吸膜厚度增加 Ｄ. 生理无效腔增加 E ． 呼吸道阻力增加 ９ 、下列哪项不符合限制性通气功能障碍： A ． 肺活量减低 Ｂ. 残气量增加 C. 第一秒用力呼气量 Ｄ. 肺总量减低 Ｅ. 最大呼气中期流速正常 10 、下列叙述哪项错误: A.潮气量是平静呼吸时，每次吸入或呼出的气量 Ｂ.肺总容量 = 潮气量 + 补吸气量 + 余气量 C.余气量是尽量呼气后,肺内气体的量 D.肺活量是最大吸气后,肺内所能呼出的最大气量 Ｅ.每分钟通气量 ＝ 潮气量×呼吸频率 【 Ｃ 型题 】 A. 气体交换的功能血管 B. 气道、胸膜的营养血管 Ｃ. 二者均是 D. 二者均无 １１ 、支气管动静脉 12 、肺动静脉 急性上呼吸道感染及急性气管-支气管炎 一、选择题 【 A1 型题 】 １. 疱疹性咽峡炎最常见的病原体是: Ａ. 埃可病毒 Ｂ． 鼻病毒 C ． 柯萨奇病毒 D. 副流感病毒 E. 流感嗜血杆菌 ２. 细菌性咽 - 扁桃体炎最常见的病原体是： Ａ. 肺炎链球菌 B. 奴卡菌 C. 葡萄球菌 D. 溶血性链球菌 Ｅ. 流感嗜血杆菌 3 、 病毒感染时外周血象表现为： A. 白细胞计数升高 Ｂ. 中性粒细胞比例升高 C ． 核左移 D. 淋巴细胞比例降低
模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 3．差分放大电路中，若u I1=100μV ，u I 2 =80μV 则差模输入电压u Id = 20μV ；共模输入电压 u Ic =90 μV 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有 交越 失真。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 a ．不用输出变压器 b ．不用输出端大电容 c ．效率高 d ．无交越失真 9．稳压二极管稳压时，其工作在( C )，发光二极管发光时，其工作在( A )。 a ．正向导通区 b ．反向截止区 c ．反向击穿区 三、放大电路如下图所示，已知：V CC 12V ，R S 10k Ω，R B1 120k Ω， R B2 39k Ω，R C 3.9k Ω ， R E 2.1k Ω， R L 3.9k Ω ， r bb’ Ω，电流放大系数β50，电路中电容容量足够 大，要求： 1．求静态值I BQ ，I CQ 和U CEQ (设U BEQ 0.6V )； 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 R L
中 南 大 学 模拟电子技术试卷（第1套） 一、一、填空题（20分，每空1分） 1．双极型三极管是 控制器件，当其工作在放大区时发射结需要加 偏置，集电结需要加 偏置。场效应管是 控制器件。 2． 在有源滤波器中，运算放大器工作在 区；在滞回比较器中，运算放大器工作在 区。 3． 在三极管多级放大电路中，已知A u1＝20，A u2＝－10，A u3＝1，则可知其接法分别为：A u1是 放大器，A u2是 放大器，A u3是 放大器。 4． 在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极R e 公共电阻对 信号的放大作用无影响，对 信号具有抑制作用。差动放大器的共模抑制比K CMR ＝ 。 5． 设某一阶有源滤波电路的电压放大倍数为 2001200f j A += ，则此滤波器为 滤波器， 其通带放大倍数为 ，截止频率为 。 6． 如图所示的功率放大电路处于 类工作状态；其静态损耗为 ；电路的最大输出功率为 ；每个晶体管的管耗为最大输出功率的 倍。 二、基本题：（每题5分，共25分） 1．如图所示电路中D 为理想元件，已知u i = 5sin ωt V ，试对应u i 画出u o 的波形图。
2．测得电路中NPN型硅管的各级电位如图所示。试分析管子的工作状态（截止、饱和、放大）。 3．已知BJT管子两个电极的电流如图所示。求另一电极的电流，说明管子的类型（NPN 或PNP）并在圆圈中画出管子。 4．如图所示电路中，反馈元件R7构成级间负反馈，其组态为； 其作用是使输入电阻、放大电路的通频带变。 三、如图所示电路中，β＝100， Ω = ' 100 b b r，试计算：(15分) 1．放大电路的静态工作点；（6分） 2．画出放大电路的微变等效电路；（3分） 3．求电压放大倍数A u、输入电阻R i和输出电阻R o；（6分）
中南大学试题 Company number：【WTUT-WT88Y-W8BBGB-BWYTT-19998】
;用汇编语言实现实现冒泡排序，并将排序后的数输出 DATAS SEGMENT A dw 3 10 8 56 22 36 1 43 31 3 N=$-A ;计算数字所占的字节数 DATAS ENDS CODES SEGMENT ASSUME CS:CODES,DS:DATAS START:MOV AX,DATAS MOV DS,AX MOV SI,0 ;SI遍历数字;前一个数的地址 MOV CX,N/2-1 ;设置循环次数，M(M=N/2)个数需要，循环M-1次 CALL BUBBLE ;调用BUBBLE将原来的数排序 ;输出排序后的数 MOV CX,N/2 ;循环M次输出排序后的M个数 MOV SI,0 ;SI遍历排序后的数 MOV DI,0 ;用DI记录数字的位数 MOV BP,N+5 ;BP用于遍历存储的转化后的字符的位置 SHOW: PUSH CX ;循环次数入栈 MOV DX,0 ;由于将要进行16位除需要置高16位为0 MOV AX,[SI] ;低16位为排序后的数 CALL DTOC ;调用DTOC将十进制数转换为字符串 CALL SHOW_STR ;调用SHOW_STR将一个数转化得到的字符串输出 ADD SI,2 ;下一个数 POP CX ;循环次数出栈栈 LOOP SHOW MOV AH,4CH INT 21H ;冒泡排序 BUBBLE PROC L1: PUSH CX ;将循环次数入栈 LEA SI,A ;SI遍历DATAS数据段的数字 L2: MOV AX,A[SI] ;将前一个数存于AX CMP AX,A[SI+2] ;比较前后两个数 JBE NEXT ;如果前一个数小于或等于后一个数则继续本轮的比较 XCHG AX,A[SI+2] ;否则，交换前后两个数的位置 MOV A[SI],AX NEXT:ADD SI,2 ;下一个数 LOOP L2 ;注意内层循环的次数已经确定了 POP CX ;将循环次数出栈 LOOP L1 ;下一轮比较 RET BUBBLE ENDP ; 将十进制数转换为字符串并储存起来
---○---○--- ---○---○--- 学 院 专业班级 学 号 姓 名 … … … … 评卷 密 封 线 … … … … …… 密 封线 内不 要答 题 ，密封 线外 不 准 填写 考 生信 息， 违 者 考试 成 绩 按0 分 处理 … … … ……… 评 卷 密封 线 … …… … 中南大学考试试卷(1) 20 ~20 学年 1 学期 电子技术 课程 时间110分钟 80学时， 5 学分，闭卷，总分100分，占总评成绩 70 % 20 年 月 日 题 号 一 二 三 四 五 六 七 八 合 计 满 分 10 19 16 12 8 15 10 10 100 得 分 评卷人 复查人 一、选择题(本题10分，每小题2分) 1．三极管工作在饱和状态时，发射结和集电结处于（ A ）。 A ．两者均正偏； B ．前者正偏，后者反偏； C ．两者均反偏； D ．前者反偏，后者正偏； 2．电路如图所示，所有二极管均为理想元件，则D1、D2、D3的工作状态为（ A ）。 A ．D1导通，D2、D3截止； B ．D1、D2截止，D3导通； C ．D1、D3截止，D2导通； D ．D1、D2、D3均截止； 3．欲使放大电路的输入电阻增加，带负载能力强，应引入（ B ）。 A ．电流串联负反馈； B ．电压串联负反馈； C ．电流并联负反馈； D ．电压并联负反馈； 4．能使逻辑函数F=A ⊕B ⊕C ⊕D 均为1的输入变量组合是（ A ）。 A ．1101，0001，0100，1000 B ．1100，1110，1010，1011 C ．1110，0110，0111，1111 D ．1111，1001，1010，0000 4．右图所示波形反映的逻辑函数是（ AB ）。 （其中A 、B 为输入波形，Y 为输出波形） A ．与非； B ．异或； C ．同或； D ．或； 5．对功率放大电路的基本要求是在不失真的情况下能有（ B ）。 A ．尽可能高的电压放大倍数 B.尽可能大的输出功率 C. 尽可能小的零点漂移 得 分 评卷人
中南大学大规模集成电路考试及答案合集
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---○---○ --- 学 院 专业班级 学 号 姓 名 ………… 评卷密封线 ……………… 密封线内不要答题，密封线外不准填写考生信息，违者考试成绩按0分处理 ……………… 评卷密封 中南大学考试试卷 时间110分钟 题 号 一 二 三 合 计 得 分 评卷人 2013 ~2014 学年一学期大规模集成电路设计课程试题 32 学时，开卷，总分100分，占总评成绩70 % 一、填空题(本题40分，每个空格1分) 1. 所谓集成电路，是指采用 ，把一个电路中 所需的二极管、 、电阻、电容和电感等元件连同它们之间的电气连线在一块或几块很小的 或介质基片上一同制作出来，形成完整电路，然后 在一个管壳内，成为具有特定电路功能的微型结构。 2. 请写出以下与集成电路相关的专业术语缩写的英文全称： ASIC ： ASSP ： LSI ： 3. 同时减小 、 与 ，可在保持漏源间电流不变的前提下减小器件面积，提高电路集成度。因此，缩短MOSFET 尺寸是VLSI 发展的趋势。 4. 大规模集成电路的设计流程包括：需求分析、 设计、体系结构设计、功能设计、 设计、可测性设计、 设计等。 5. 需求规格详细描述系统顾客或用户所关心的内容，包括 及必须满足的 。系统规格定义系统边界及系统与环境相互作用的信息，在这个规格中，系统以 的方式体现出来。 6. 根据硬件化的目的（高性能化、小型化、低功耗化、降低成本、知识产权保护等）、系统规模/性能、 、 、 等确定实现方法。 7. 体系结构设计的三要素为： 、 、 。 8. 高位综合是指从 描述自动生成 描述的过程。与人工设计相比，高位综合不仅可以尽可能地缩短 ，而且可以生成在面积、性能、功耗等方面表现出色的电路。 9. 逻辑综合就是将 变换为 ，根据 或 进行最优化，并进行特定工艺单元库 的过程。 10. 逻辑综合在推断RTL 部品时，将值的变化通过时钟触发的信号推断为 ， 得 分 评卷人
中南大学《宏观经济学》课程试题（2）及参考答案 一、名词解释 1、国民生产净值 2、BP曲线 3、货币需求函数 4、.利率效应 5、消费价格指数（CPI）； 二、单项选择题 1、长期消费函数的特征是（）。 A.边际消费倾向小于平均消费倾向 B.边际消费倾向大于平均消费倾向 C.边际消费倾向等于平均消费倾向 D.两者关系不好判断 2、LM曲线在凯恩斯区域呈（）。 A.水平 B.垂直 C.向右上方倾斜 D.不一定 3、经济增长的标志是（）。 A.城市化步伐的加快 B.社会福利水平的提高 C.失业率的下降 D.社会生产能力的不断提高 4、下面能准确代表企业的投资需求曲线的是（）。 A.货币需求曲线 B.资本边际效率曲线 C.IS曲线 D.投资边际效率曲线 5、下列（）情况下货币政策将是有效的。 A.利率对货币需求变动不敏感，投资对利率变动不敏感 B.利率对货币需求变动敏感，投资对利率变动不敏感 C.利率对货币供给量变动敏感，投资对利率变动敏感 D.以上情况都是有效的。 6、在四部门经济中，一定有（）。 A.家庭储蓄等于净投资 B.家庭储蓄加折旧等于总投资加政府支出 C.家庭储蓄等于总投资 D.家庭储蓄加净税收再加进口等于投资加
政府购买再加出口 7、货币供给增加使LM曲线右移，若要使均衡收入变动幅度接近LM曲线的移动幅度，则需要（）。 A.IS曲线陡峭，LM曲线平缓 B.IS曲线与LM曲线一样平缓 C.IS曲线平缓，LM曲线陡峭 D.IS曲线与LM曲线一样平缓 8、根据哈罗德经济增长模型，若资本——产量比为5，储蓄率为30%，要使储蓄全部转化为投资，经济增长率应为（）。 A.6% B.25% C.35% D.5% 9、在国民收入统计中，社会保险税增加对（）有直接影响。 A.国内生产总值 B.国民生产净值 C.个人收入 D.国民收入 10、一般情况下，货币供给增长率快于国民经济增长所要求的货币需求增长率，利率会（）。 A.提高 B.降低 C.先下降再上升 D.先上升再下降 11、引起LM曲线变得平缓的原因可能是（）。 A.货币需求对收入变动的反应程度和货币需求对利率变动的反应程度同 比例增强。 B.货币需求对收入变动的反应程度和货币需求对利率变动的反应程度同 比例减弱。 C.货币需求对收入变动的反应程度增强，货币需求对利率变动的反应程 度减弱。 D.货币需求对收入变动的反应程度减弱，货币需求对利率变动的反应程 度增强。 12、在哈罗德增长模型中，已知合意的储蓄率大于实际储蓄率，合意的资本——产量比等于实际的资本——产量比，那么有保证的增长率（）。 A.小于实际增长率 B.大于实际增长率 C.等于实际增长率 D.不能确定 三、计算题 1、假设某经济体系的消费函数C=600+0.8Y，投资函数I=400-50r，政府购买G=200（亿美元），实际货币需求函数L=250+0.5Y-125r，货币供给Ms=1250（亿
.. 中南大学《微观经济学》课程试题（2）及参考答案 一、名词解释（每小题5分，共20分） 1．需求收入弹性 2．消费者剩余 3．短期边际产量 4．帕累托最优 二、选择题（每小题2分，共20分） 1.如果商品A和商品B是替代的，则A的价格下降将造成（）。 A. A的需求曲线向右移动； B. A的需求曲线向左移动； C. B的需求曲线向右移动； D. B的需求曲线向左移动 2.如果价格下降10%能使买者总支出增加1%；则这种商品的需求量对价格（）。 A. 富有弹性； B. 具有单元弹性； C. 缺乏弹性； D. 弹性不能确定 3.当总效用增加时，边际效用应该（）。 A. 为正值，且不断增加； B. 为正值，但不断减少； C. 为负值，但不断增加； D. 为负值，且不断减少。 4.正常物品价格上升导致需求量减少的原因在于（）。 A. 替代效应使需求量增加，收入效应使需求量减少； B. 替代效应使需求量增加，收入效应使需求量增加； C. 替代效应使需求量减少，收入效应使需求量减少； D. 替代效应使需求量减少，收入效应使需求量增加。 5.无差异曲线上任一点上商品X和Y的边际替代率等于它们的（）。 A. 价格之比； B. 数量之比； C. 边际效用之比； D. 边际成本之比 6.对应任何产量的LTC决不会大于该产量上由最优生产规模所决定的STC。这个说法（）。 A. 有可能对； B. 总是对的； C. 肯定错了； D. 视规模经济的具体情况而定。 7.在企业的停止营业点上，应该有（）。 A. AR = A VC； B. 总亏损等于TFC； C. P = A VC； D. 以上说法都对。 ;.. .. 8.完全竞争企业和垄断竞争企业在长期均衡时经济利润（）。
中南大学考试试卷带答案 2010 — 2011 学年上学期时间110分钟MATLAB程序设计与仿真课程 32 学时 2 学分考试形式：闭卷专业年级：电子信息工程2008级，总分100分，占总评成绩70% 一、填空题（本题42分，每空2分） 1．MATLAB中的显示所有内存变量的命令是：who ；清除内存变量的命令是：clear 。 2．在MA TLAB命令窗口中的“≥”标志表示MA TLAB处于准备状态。 3．把一个图形显示在一个图像窗口的m×n个子图像中的第p个位置的命令是subplot(m,n,p) 。 4．设A=reshape(1:9,3,3), 删除矩阵A的第7号元素后，A= 1 2 3 4 5 6 8 9 。 5.已知A=[1 2 3；4 5 0；7 8 9]；B=[1 0 3；1 5 0；0 1 2]；写出下列各指令运行的结果。 A+B ans=2 2 6;5 10 0;7 9 11 ； A.*B ans= 1 0 9;4 25 0;0 8 18 ； diag(A)/diag(B) ans= ； A(3)*B(4) ans= 0 。 6．假定变量A是5行4列的矩阵，则plot（A）将在图形窗口绘制 4 条折线。7．x=-2.65, 则fix(x)= -2 , floor(x)= -3 , ceil(x)= -2 。 8．假定将符号变量x,y定义“x=sym(…a?);y=sym(?5?); z=sym(?2?);”，则写出下列指令的运行结果： y+z ans= 7 ; x^z-y ans= a^2-5 ; 9．(超纲)MA TLAB中的读图像的函数是imread ；显示图像的函数是：imshow 。 10．MATLAB中，特殊变量…nargin?表示在函数体内判断输入变量个数；…nargout?表示在函数体内输出参数的个数。 ？11. 产生3行4列均值为1，方差为2的正态随机矩阵的命令是a=_____1+sqrt(2)*randn （3，4）_______。 12 w=[zeros(3,1) ,ones(1,3)?] 的结果是。 二、简答题（20,每题5分） 1. 用结构体矩阵来存储5名学生的基本情况数据，每名学生的数据包括学号、姓名、专业和5门课成绩？ 答：程序设计：
中南大学数字电子技术基础期末考试试卷四套 附答案 Document serial number【NL89WT-NY98YT-NC8CB-NNUUT-NUT108】
中南大学信息院《数字电子技术基础》 期终考试试题（110分钟）(第一套) 一、填空题：（每空1分，共15分） =+的两种标准形式分别为（）、（）。 1．逻辑函数Y AB C 2．将2004个“1”异或起来得到的结果是（）。 3．半导体存储器的结构主要包含三个部分，分别是（）、（）、（）。 4．8位D/A转换器当输入数字量为5v。若只有最低位为高电平，则输出电压为（）v；当输入为，则输出电压为（）v。 5．就逐次逼近型和双积分型两种A/D转换器而言，（）的抗干扰能力强，（）的转换速度快。 6．由555定时器构成的三种电路中，（）和（）是脉冲的整形电路。 7．与PAL相比，GAL器件有可编程的输出结构，它是通过对（）进行编程设定其（）的工作模式来实现的，而且由于采用了（）的工艺结构，可以重复编程，使它的通用性很好，使用更为方便灵活。 二、根据要求作题：（共15分） 1．将逻辑函数P=AB+AC写成“与或非”表达式，并用“集电极开路与非门”来实现。 2．图1、2中电路均由CMOS门电路构成，写出P、Q的表达式，并画出对应 A、B、C的P、Q波形。 三、分析图3所示电路：（10分） 1）试写出8选1数据选择器的输出函数式； 2）画出A2、A1、A0从000~111连续变化时，Y的波形图； 3）说明电路的逻辑功能。 四、设计“一位十进制数”的四舍五入电路（采用8421BCD码）。要求只设定一个输出，并画出用最少“与非门”实现的逻辑电路图。（15分） 五、已知电路及CP、A的波形如图4(a)(b)所示，设触发器的初态均为“0”，试画出输出端B和C的波形。（8分）
2.分别改正下图所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波信号。要求保留电路原 （a）静态时，发射结正偏，集电结反偏，-VCC改为+VCC (b) 没有RB发射结会烧坏，集电结不能反偏 （c）没有RB1当ui=0时发射结两端电压为零，VBB反过来。 （d）没有RB在交流通路中，VBB短路，交流信号加不进来。 3.放大电路及三极管输出特性如下图所示。 ①在输出特性曲线上画出直流负载线。如要求I CQ=2mA，确定此时的静态工作点，并确 定此时的R b的值； ②利用图解法分别求出R L=∞和R L=3kΩ时的最大不失真输出电压U om（有效值）； ③若R b调至150kΩ且i B的交流分量i b（t）=20sinωt(μA)，画出i C和u CE的波形图，这时出现什么失真？
解：（1）直流负载线 12 ,.4,0====-=Ce C c ce C c CC ce U O I I U R I V U 作负载线得：I CQ =40μA Ω =≈+=k R U R I V b CE b B CC 30004 .012 （2）R L =∞直流负载线与交流负载线重合Uom=6/1.414=4.23V R L =3K ?,R L //R C =1.5 K ? 当 U CEQ +1.5*I CQ =9 ,Uom=1.5*I CQ/1.414=2.12V
(3) 当RB=150K ?时，IBQ=80Ma 4.电路如图P2.7所示，晶体管的β=80 ，'100bb r =Ω。分别计算L R =∞和3L R k =Ω时的Q 点、u A 、i R 和o R 。 解：在空载和带负载情况下，电路的静态电流、be r 均相等，它们分别为：
中南大学考试Ａ试卷 2008--2009学年1 学期时间110分钟 《基础化学》课程56 学时3 学分考试形式：闭卷 专业年级：2008级医疗大类各专业总分100分，占总评成绩80 % 注：此页不作答题纸，请将答案写在答题纸上 一、填空题（每空1分，共30分） 1、在100ml 0.10mol?L-1 NaH2PO4 和50ml 0.10mol?L-1 NaOH的混合溶液中，抗酸成分是 抗碱成分是，该缓冲系的有效缓冲范围是。（H3PO4的pKa1=2.12，pKa2=7.21，pKa3=12.67） 2、催化剂能有效地降低_ __，提高__ 。 3、对于相变过程H2O(l) ? H2O(g)，已知20℃时的△rGΘm = 9.200kJ?mol-1，则在20℃时此相变反应的的标准平衡常数KΘ为。 4量子数n=4,l=2的原子轨道可以有_ _种空间取向，最多可容纳_ _个电子，亚层符号为_。 5、运用价层电子对互斥理论可知，CS2和NO2-中心原子的杂化轨道类型分别是和 。 6、一定温度下，向10ml 0.10 mol?L‐1 HCN溶液中加入10ml H2O，则HCN的解离度将，Ka将。 7、为提高测定的准确度，溶液的吸光度读数范围应调节在为好，可通过调节溶液的和来达到。 8、正常人血浆的渗透浓度在____________mmol / L的范围内。将红血球置于1.68%（g/L）的NaHCO3溶液中（M = 84）时，将会产生___________现象。 9、用0.1 mol? L–1 NaOH滴定0.1 mol? L–1某二元酸H2B (pKa1 = 2.00，pKa2 = 3.00 ), 滴定过程中有_ 个突跃, 终点产物是__ _____。 10、用AgNO3 (过量)和KI溶液制备的AgI 溶胶，其胶粒结构为，在外电场作用下，胶粒向极泳动，分别加入电解质[Fe(en)3]Cl3，Ｎa3PO4使其聚沉，聚沉能力强者为。 11、配合物[Co(NH3)4(NO2)Cl]NO3名称为配位数为。[Ni(CN)4]2+为内轨型配合物，其中心离子的电子排布式为，配离子属（顺、反）磁性物质。 12、pH = 11.40 ，其有效数字位数为位。 13、在298.15K时，有一原电池：（—）Cu|CuSO4（1mol/L）||AgNO3（1mol/L）|Ag（+）若增加CuSO4溶液的浓度，电池电动势将；若在AgNO3溶液中加入氨水，电池电动势将。 二、是非题（每题1分，共10分） 1、正常人体血浆中，碳酸缓冲系的缓冲比为20：1，所以该缓冲系无缓冲作用。( ) 2、某温度时标准平衡常数越大，表明反应在此温度时越能快速完成。( ) 3、电子在运动过程中吸收或放出的能量是量子化的。( ) 4、同一原子内，s轨道和p轨道在成键时可以杂化。( ) 5、已知Ksp(AgCl) ≈Ksp(CaF2)，则AgCl和CaF2在水中的溶解度也近似相等。( ) 6、有色物质的浓度越大，吸光系数也越大。( ) 7、相同外界条件下，某溶液沸腾时产生的蒸汽压与纯溶剂沸腾时产生的蒸汽压相等。( )
中 南 大 学 模拟电子技术试卷（第3套） 一. 填空题 (每空1分,共20分) （注：同一题中可能只给出部分“空”的选项） 1. U GS = 0时，能够工作在恒流区的场效应管有： 。 A. JFET ； B.增强型MOSFET ； C.耗尽型MOSFET ； 2. 测得放大电路中某BJT 各极直流电位V 1=12V ， V 2 =11.3V ， V 3 =0V ，则该BJT 的基极电位等于 ，由 材料制成，管型为 。 3. 现测得两个共射放大电路空载时的u A 均为 –100，将它们连成两级放大电路后，其电压放大倍数应 10000，且与级间耦合方式 。 A.大于； B. 等于； C.小于； E. 有关； F. 无关； 4. 差分放大电路的等效差模输入信号u d 等于两个输入信号u 1和u 2的 ， 等效共模输入信号u c 是两个输入u 1和u 2的 。 A.差； B.和； C.平均值； 5. 互补输出级通常采用 接法，是为了提高 。“互补”是指两个 类型三极管交替工作。 A. 负载能力； B.最大不失真输出电压； 6. 通用型集成运放通常采用 耦合方式；适合于放大 频率信号；输入级一般为 放大器，其目的是为了 。 7. 恒流源在集成运放中有两个作用： 一是为各级提供 ， 二是作为有源负载用来提高 。 8. 信号处理电路中，为了避免50Hz 电网电压的干扰进入放大器， 应该选用 滤波器；欲从输入信号中取出低于20kHz 的信号，应该选用 滤波器。 9. 由FET 构成的放大电路也有三种接法，与BJT 的三种接法相比，共源放大器相当于 放大器。 二. 放大电路及晶体管的输出特性如图所示。设U BEQ =U CES = 0.7V 。 (10分) 1．用图解法确定静态工作点I CQ ，U CEQ ； 2．确定放大电路最大不失真输出电压的有效值U om 。
1 习题1——直流电路 1、 解1： 结点a ：I 1+I 2=I 3 回路1：R 1I 1–R 2I 2+U S2–U S1=0 回路2：R 2I 2+ R 3I 3–U S2=0 图1 习题1的图 联立求解，得：I 1= –0.2A ，I 2= 1.6A ，I 3= 1.4A U s1起负载作用，其功率P 1= U s1 I 1= –2.4W U s2起电源作用，其功率P 2= U s2 I 2=24W 2、 解2：I 1 、I 2 、I 3 、I 4如图所示。 结点a ：I 1+I +I 2=0 结点b ：I 1+I =I 3+I 4 回路1：4I –8I 1=0 回路2：5I 2+9–4I 4–4I =0 回路3：2I 3=4I 4 图2 习题2的图 联立求解，得： I = 2/3A ，I 1= 1/3A ，I 2= –1A ，I 3= 2/3A ，I 4= 1/3A
3Ω 6 V 3Ω 1Ω 5Ω I 1 + - I 1a I 1b 3、 解3：①电压源单独作用时， I 1= –(I 1a + I 1b )= –(1+1) = –2A ②电流源单独作用时， I 2= –(I 2a + I 2b )= –(–1+3) = –2A 由叠加定理，I = I 1+ I 2= –4A 电压源单独作用 电流源单独作用 4、 图4 习题4的图 解4：①当开关在位置1时，电流源I S 单独作用时，毫安表读数I=K 1I S = 40mA ； ②当开关在位置2时，电流源I S 和电压源U S1同时作用，利用叠加定理有： I=K 1I S +K 2U S1 代入数据有：-60=40+ 10K 2 解得: K 2= -10 ③当开关在位置3时，电流源I S 和电压源U S2同时作用， U S1 I 1 S 2 3 U S2 R 5 + - - + U S2 I S R 4 R 3 R 2 R 1 A 3Ω 6 A 3Ω 1Ω 5Ω I 2 I 2a I 2b
中南大学考试试卷 2012 -- 2013学年上学期时间120分钟 2013 年1 月4日算法分析与设计课程 48 学时 3 学分考试形式：闭卷 专业年级：10级计算机、信安、物联本科生，总分100分，占总评成绩70 % 注：此页不作答题纸，请将答案写在答题纸上 1. (15分)本期学了很多类算法，请针对以下几类设计策略，举出相应的例子，详细描述算法细节，以说明它们为什么是属于相应的设计策略？ （1）分治法 （2）动态规划 （3）贪心策略 2. （30分）请判断下列陈述是否正确。 （1）根据Master定理，可得到递归式T(n)=4T(n/2)+n2的解为T(n)=O(n2logn). （2）归并排序在最好情况下的时间复杂度为O(nlogn). （3）具有n个结点的二叉排序树的树高均为O(logn)。 （4）如果一个问题是NP完全问题，它肯定也是NP问题。 （5）给定n个数，可以在O（n）的时间内找到10个最大数与10个最小数之间的中间数。 （6）Kruskal算法利用了动态规划思想寻找给定图中的最小生成树。 （7）n!=O(2n)。 （8）回溯法借鉴了广度优先的策略得到问题的最优解。 （9）对于一个有n个顶点m条边的无向图G，有两个不同的顶点s t，则在O(m+n)的时间内可以找到s与t之间的最短路径。 （10）在最坏情况下，快速排序耗费O(N2)。 （11）如果图中包含负权值的边，则Dijkstra算法不可适用。 （12）分治法是属于自底向上的算法策略；动态规划是属于自顶向下的算法策略。（13）有一个算法，将n个整数a1,...,a n作为输入，算法的时间复杂度是O(a1+a2+......+a n)。它是一个多项式时间算法。 （14）有一个图G=(V,E) ，每条边e∈E的权W e>0, 如果一棵生成树T 最小化Σe∈T W e，那么T 也最小化Σe∈T W e2，反之也成立（即图中边的权值都平方后，生成树T仍是这个图的最小生成树）。 （15）给定两个判定性问题Q1、Q2，如果Q1可以在多项式时间内规约到Q2，
1 + j A 中 南 大 学 模拟电子技术试卷（第 1 套） 一、一、填空题（20 分，每空 1 分） 1．双极型三极管是 控制器件，当其工作在放大区时发射结需要加 偏置，集电结需要加 偏置。场效应管是 控制器件。 2． 在有源滤波器中，运算放大器工作在 区；在滞回比较器中，运算放大器工 作在 区。 3． 在三极管多级放大电路中，已知 A u1＝20，A u2＝－10，A u3＝1，则可知其接法分别为： A u1 是 放大器，A u2 是 放大器，A u3 是 放大器。 4． 在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极 R e 公共电阻对 信号 的放大作用无影响，对 信号具有抑制作用。差动放大器的共模抑制比 K CMR ＝ 。 5． 设某一阶有源滤波电路的电压放大倍数为 &= 200 f 200 ，则此滤波器为 滤波器， 其通带放大倍数为 ，截止频率为 。 6． 如图所示的功率放大电路处于 类工作状态；其静态损耗为 ；电路的 最大输出功率为 ；每个晶体管的管耗为最大输出功率的 倍。 二、基本题：（每题 5 分，共 25 分） 1．如图所示电路中 D 为理想元件，已知 u i = 5sin ωt V ，试对应 u i 画出 u o 的波形图。
2．测得电路中NPN型硅管的各级电位如图所示。试分析管子的工作状态（截止、饱和、放大）。 3．已知BJT管子两个电极的电流如图所示。求另一电极的电流，说明管子的类型（NPN 或PNP）并在圆圈中画出管子。 4．如图所示电路中，反馈元件R7构成级间负反馈，其组态为； 其作用是使输入电阻、放大电路的通频带变。 三、如图所示电路中，β＝100，r bb'=100Ω，试计算：(15分) 1．放大电路的静态工作点；（6分） 2．画出放大电路的微变等效电路；（3分） 3．求电压放大倍数A u、输入电阻R i和输出电阻R o；（6分）