单片机选型注意事项
一、单片机选型，主要应从单片机应用系统的技术性，实用性和要开发性三方面来考虑：
1、技术性：要从单片机的技术指标角度，对单片机芯片进行选择，以保证单片机应用系统在一定的技术指标下可靠运行；
2、实用性：要从单片机的供货渠道、信誉程序等角度，对单片机的生产厂家进行选择以保证单片机应用系统在能长期、可靠运行；
3、可开发性：选用的单片机要有可靠的可以开发手段，如程序开发工具、仿真调试手段等。
二、单片机选型需要注意的地方
一般来说，总的选型原则是：
（1）“芯片含有（功能或数量）略大于设计需求”，“设计需求尽可能（用）芯片完成（少用外围器件）”；
（2）“选大（大厂）不选小，选多（供应量多）不选少，选名（名牌）不选渺（飘渺，不知详情的厂子），选廉（廉价）但要好（质量保证）”。
具体要从单片机应用的技术性、实用性和开可发性等方面来考虑：
1、内存
单片机FLASH的容量根据程序的大小确定，FLASH容量必须大于代码量。举例来说，如果你的代码量大约50KB，那么建议你选择FLASH容量为64KB 或128KB的单片机。
2、速度
单片机的运行速度首先看时钟频率，一般情况对于同一种结构的单片机，时钟频率越高速度越快。如果设计对速度要求很高，那么要选择一个运行速度较快的单片机。例如，一般情况下，电机控制应用大多采用100ksps或更高的采样速率，因此当单片机用于电机控制时，时钟频率要足够高。总之，在选用单片机时要根据产品需要选择时钟频率，不要片面追求高速度，时钟频率越高功耗也就越大。此外，单片机的稳定性、抗干扰性等参数基本上跟单片机的运行速度成反比。因此，要尽量寻找可以在很高的时钟频率下运行而功耗又不高的单片机。3、外设需求
如果设计需要ADC、SPI、GPIO、USB等之类的外设，那么需要寻找一款集成所有这些外设的单片机。因为，使用一个具有上述外设的单片机显然比使用一个普通的单片机及外围加一个单独的ADC更为经济。此外，外设集成于单片机同时也意味着更低的功耗，因为没有可以产生功耗的外围电路，也没有用于连接外围电路的能产生功耗的敷铜，只有单片机本身产生功耗。
4、方便的开发工具
因为开发工具可以极大地影响所设计产品的功耗。很多公司都已经开发出了具有代码优化功能的编译器，所以当编译代码的时候，编译器会告知具体编译信息，可以根据编译信息优化代码以降低功耗。举例来说，如果设计需要用到ADC、UART和GPIO等外设，就需要初始化这些器件，但是设计中使用UART是有条件的（仅用于调试时显示结果），此时编译器会提示禁用这个外设以降低功耗。必须得说这种智能化的开发工具对开发者来说是一种福音。
5、未来需求和兼容性
设计者在设计产品时需要考虑产品未来可能需要升级等之类的问题。例如，
若需要给设计增加某些功能，那么可能需要增加内存、外设等，还可能需要加提高单片机的运行速度。因此，在单片机的选型上需要在当前设计需求以及未来设计上寻找平衡，以满足不同程度的要求。
6、成本
一个好的设计不仅要功能完善，而且要满足成本要求，如果无法控制成本，再好的设计也是枉然。因此，需要尽可能地降低单片机甚至整个产品的成本。7、工作电压（VCC）
单片机的工作电压是指可以让其正常工作所需要提供的电压。工作电压越高，单片机的功耗也就越大。因此，为了降低产品功耗，必须要尽可能地降低工作电压。
除此之外，设计者还要根据具体产品需求选择合适芯片架构。若仅是个简单的控制应用（如照明系统、电子玩具等），那么并不需要一个像ARM那样具有
复杂架构的芯片。此外，对于低功耗设计，单片机必须具有睡眠模式，基于中断操作的睡眠模式/低功耗模式的使用是降低功耗的一个标准的行业惯例。
三、在单片机选型时，主要注意以下几点：
1、仔细调查市场，尽量选用主流的，货源充足的单片机型号，这些器件使用的比较广泛，有许多设计资料供学习或参考。
2、尽量选择所需的硬件资源集成在单片机内部的型号，例如ADC，DAC，12C，SPI和USB等，这样便于整个控制系统的软件管理，减少外部硬件的投入，缩小整体电路板的面积，从而减少总体投资等。
3、对于手持式设备，移动设备或者其他需要低功耗的设备，尽量选择低电压，
低功耗的单片机型号，这样可以减少能量的消耗，延长设备的使用寿命。
4、在资金等条件允许的情况下，尽量选择功能丰富，扩展能力强的单片机，这样便于以后的功能升级和扩展。
5、对于体积有限制的产品，尽量选择贴片封装的单片机型号，这样可以减少电路板面积，从而降低硬件成本，同时也有助于电磁兼容设计。
1、根据电路或产品的设计需求选择合适电路的单片机型号。（需要单片机的哪些功能，如AD、PWM、SPI、串口等）
2、单片机的体积大小（封装）。
3、单片机的工作频率。
4、抗干扰能力。
5、AD/DA。
6、IO数量以及驱动能力。
7、单片机的程序容量。
8、单片机的功耗。
9、单片机的存储容量。
10、精度要求。
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如何看懂MOSFET规格书 作为一个电源方面的工程师、技术人员，相信大家对MOSFET 都不会陌生。在电源论坛中，关于MOSFET 的帖子也应有尽有：MOSFET 结构特点/工作原理、MOSFET 驱动技术、MOSFET 选型、MOSFET 损耗计算等，论坛高手、大侠们都发表过各种牛贴，我也不敢在这些方面再多说些什么了。 工程师们要选用某个型号的 MOSFET，首先要看的就是规格书/datasheet，拿到 MOSFET 的规格书/datasheet 时，我们要怎么去理解那十几页到几十页的内容呢？本帖的目的 就是为了和大家分享一下我对 MOSFET 规格书/datasheet 的理解和一些观点，有什么错误、不当的地方请大家指出，也希望大家分享一下自己的一些看法，大家一起学习。PS: 1. 后续内容中规格书/datasheet 统一称为 datasheet2. 本 帖中有关 MOSFET datasheet 的数据截图来自英飞凌 IPP60R190C6 datasheet1VDSDatasheet 上电气参数第一个就是 V(BR)DSS，即 DS 击穿电压，也就是我们关心的 MOSFET 的耐压 此处V(BR)DSS的最小值是600V，是不是表示设计中只要MOSFET上电压不超过600V MOSFET就能工作在安全状态?
相信很多人的答案是“是!”，曾经我也是这么认为的，但这个正确答案是“不是!” 这个参数是有条件的，这个最小值600V是在Tj=25℃的值，也就是只有在Tj=25℃时，MOSFET上电压不超过600V 才算是工作在安全状态。 MOSFET V(BR)DSS是正温度系数的，其实datasheet上有一张 V(BR)DSS与Tj的关系图(Table 17)，如下：要是电源用在寒冷的地方，环境温度低到-40℃甚至更低的话，MOSFET V(BR)DSS值 所以在MOSFET使用中，我们都会保留一定的VDS的电压裕量，其中一点就是为了考虑到低温时MOSFET V(BR)DSS值变小了，另外一点是为了应对各种恶例条件下开关机的VDS电压尖峰。2ID相信大家都知道 MOSFET 最初都是按 xA, xV 的命名方式（比如 20N60~），慢慢的都转变成Rds(on)和电压的命名方式(比如 IPx60R190C6, 190 就是指Rds(on)~).其实从电流到 Rds(on)这种命名方式的转变就表明 ID 和 Rds(on)是有着直接联系的，那么它们之间有什么关系呢？在说明 ID 和 Rds(on)的关系之前，先得跟大家聊聊封装和结温：1). 封装：影响我们选择 MOSFET 的条件有哪些？a) 功耗跟散热性能 -->比如：体积大的封装相比
SN8F2250/2270 Series USB Type Part No. Program Memory RAM (8bit) Stack IO ADC DAC Timer PWM Buzzer SIO LCD Interrupt Int Ext Package Other Features SN8F22511B10K-Flash 512 8 8 - - 4 - 1 - 7/1 SSOP16 Full speed USB2.0,Support Control/3 Interrupt SN8F2251B10K-Flash 512 8 8 - - 4 - 1 - 7/0 QFN16 Full speed USB2.0,Support Control/3 Interrupt SN8F22521B10K-Flash 512 8 12 - - 4 2 1 - 7/2 SOP20/SSOP20 Full speed USB2.0,Support Control/3 Interrupt SN8F22531B10K-Flash 512 8 16 - - 4 2 1 - 7/2 QFN24 Full speed USB2.0,Support Control/3 Interrupt SN8F2253B10K-Flash 512 8 16 - - 4 2 1 - 7/2 SOP24 Full speed USB2.0,Support Control/3 Interrupt SN8F2255B10K-Flash 512 8 24 - - 4 2 1 - 7/2 LQFP32 Full speed USB2.0,Support Control/3 Interrupt SN8F2271B5K-Flash 192 8 10 - - 2 - 1 - 5/1 QFN16 Low speed USB2.0,Support Control/2 Interrupt SN8F22721B5K-Flash 192 8 14 - - 2 1 1 - 5/2 DIP20/SOP20/SSOP20 Low speed USB2.0,Support Control/2 Interrupt SN8F2280 Series USB Type Part No. Program Memory RAM (8bit) Stack IO ADC DAC Timer PWM Buzzer SIO LCD Interrupt Int Ext Package Other Features
标准件选用手册
目次 1紧固件产品分类 (1) 1.1按大类分 (1) 1.2螺栓连接的分类 (1) 1.2.1按受力形式分类 (1) 1.2.2根据安装状态分类 (1) 1.2.3按产品等级分类 (2) 1.3按采用产品的螺纹分类 (2) 1.4按螺栓材料与性能等级分类 (2) 1.5高强度螺栓简单分类 (2) 2紧固件常用螺纹 (2) 2.1基本尺寸 (2) 2.2普通螺纹公差与配合的选用 (2) 2.3普通螺纹的标记 (5) 2.4自攻（含锁紧）螺钉用螺纹、螺杆螺纹 (5) 2.4.1自攻螺钉用螺纹 (5) 2.4.2自攻锁紧螺钉的螺杆粗牙普通螺纹系列 (6) 3紧固件的机械性能 (6) 3.1螺栓、螺钉、螺柱的机械性能 (6) 3.1.1适用范围 (6) 3.1.2 螺栓、螺钉、螺柱的性能等级 (6) 3.1.3 材料和热处理、回火温度 (6) 3.1.4 螺栓、螺钉和螺柱的机械和物理性能 (7) 3.1.5 粗牙螺纹最小拉力载荷 (8) 3.1.6 粗牙螺纹保证载荷 (9) 3.1.7 细牙螺纹最小拉力载荷 (10) 3.1.8 细牙螺纹保证载荷 (11) 3.2螺母（粗牙、细牙）的机械性能 (12) 3.2.1 适用范围 (12) 3.2.2 螺母粗牙螺纹的性能等级 (12) 3.2.3 螺母细牙螺纹的性能等级 (17)
3.3 自攻螺钉 (20) 3.3.1金相与硬度 (20) 3.3.2机械性能 (21) 3.4抽芯铆钉 (21) 3.4.1机械性能等级 (21) 3.4.2机械性能 (22) 3.5 蝶形螺母保证扭矩 (22) 4 紧固件的连接方式选用 (22) 4.1紧固件的连接特性及基本要求 (22) 4.1.1紧固件连接的受力和传力方式 (22) 4.1.2紧固件连接的失效形式 (23) 4.1.3紧固件连接设计的基本要求 (23) 4.2螺栓连接的预紧 (23) 4.2.1预紧的目的 (23) 4.2.2预紧力的确定 (23) 4.2.3拧紧力矩 (24) 4.2.3.1拧紧力矩的计算 (24) 4.2.3.2紧固件的拧紧扭矩 (24) 4.2.4预紧力的控制方法 (27) 4.3螺纹连接的防松 (27) 5紧固件的选用原则 (27) 5.1正确选择紧固件的外形 (27) 5.2选用适合的精度等级 (28) 5.3选择适用的紧固件材料 (28) 5.4选用合适的表面处理方法 (29) 6标准件选用范围及标注 (29) 6.1标准件分类 (29) 6.2标准件明细 (29) 6.3标准件的选用范围 (29)
MOSFET选型注意事项及应用实例 MOSFET的选型基础MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻RDS(ON)。必须清楚MOSFET的栅极是个高阻抗端，因此，总是要在栅极加上一个电压。如果栅极为悬空，器件将不能按设计意图工作，并可能在不恰当的时刻导通或关闭，导致系统产生潜在的功率损耗。当源极和栅极间的电压为零时，开关关闭，而电流停止通过器件。虽然这时器件已经关闭，但仍然有微小电流存在，这称之为漏电流，即IDSS。作为电气系统中的基本部件，工程师如何根据参数做出正确选择呢？本文将讨论如何通过四步来选择正确的MOSFET。1）沟道的选择。为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOSFET。在典型的功率应用中，当一个MOSFET接地，而负载连接到干线电压上时，该MOSFET就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N 沟道MOSFET，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOSFET连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOSFET，这也是出于对电压驱动的考虑。 2）电压和电流的选择。额定电压越大，器件的成本就越高。根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使MOSFET不会失效。就选择MOSFET而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备(如电机或变压器)诱发的电压瞬变。不同应用的额定电压也有所不同；通常，便携式设备为20V、FPGA电源为20～30V、85～220V AC 应用为450～600V。在连续导通模式下，MOSFET处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。3）计算导通损耗。MOSFET器件的功率耗损可由Iload2×RDS(ON)计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变
光电传感器选型和使用注意事项 光电传感器的工作原理是通过对红外发射光的阻断和导通，在红外接收管感应出的电流变化来实现开和关的判断。槽型光耦通常也称作槽式光电开关通常是U型结构，其发射器和接收器分别位于U型槽的两边，并形成一光轴，当被检测物体经过U型槽且阻断光轴时，光电开关就产生了检测到的开关量信号。槽式光电开关比较安全可靠的适合检测高速变化，分辨透明与半透明物体。 一、选型 其选型主要考虑有三点：槽宽要多宽的;分辨率(光缝宽度);固定方式 1、槽宽，检测物体需通过槽型光耦的槽，才能对红外光实现阻断，所以光电传感器的槽宽要宽于检测物体，并要有一定的余量，便于安装。 2、槽型光耦的分辨率，如检测物是一个齿盘，其齿盘齿的宽度是d，齿盘齿槽的宽度是3，则槽型光耦的光缝宽度要求小于d，且小于f，这样才能保证能将红外光有效的阻断和导通，在满足上述条件下，选择光缝宽大的槽型光耦。 3、槽型光耦有带固定孔和不带固定空两种，根据实际情况选择。 4、安装位置。传感器安装时，应使检测齿盘的外径超过槽型光耦光轴1-2mm。这样才能有效阻断光线。 二、外围电路参数选择 1、在选择槽型光耦的外围电路时，先确定槽型光耦接收管的负
载电阻是多少，再根据槽型光耦的转换效率选择红外发射管的电流。 2、被测物体的运动速度越快(如1-2kHz),原则上红外接收管的负载电阻取值应小些。 三、使用注意事项 光电传感器在使用中出现问题了怎么办?要怎样才能减少光电传感器故障呢?这是很多用户在使用光电传感器的时候都会遇到的问题，那么要怎样解决这些问题呢，其实在日常生活中多注意光电传感器的的使用就可以减轻故障的发生，下面小编来介绍一下光电传感器使用注意事项吧。 1、使用中光电传感器的前端面与被检测的工件或物体表面必须保持平行，这样光电传感器的转换效率最高。 2、安装焊接时，光电传感器的引脚根部与焊盘的最小距离不得小于5mm，否则焊接时易损坏管芯。或引起管芯性能的变化。焊接时间应小于4秒。 3、对射式光电传感器最小可检测宽度为该种光电开关透镜宽度的80%。 4、当使用感性负载(如灯、电动机等)时，其瞬态冲击电流较大，可能劣化或损坏交流二线的光电传感器，在这种情况下，请将负载经过交流继电器来转换使用。 5、红外线光电传感器的透镜可用擦镜纸擦拭，禁用稀释溶剂等化学品，以免永久损坏塑料镜。 6、针对用户的现场实际要求，在一些较为恶劣的条件下，如灰
阀门选型及其注意事项 任意开度的控制阀和两位式开关阀在过程生产中使用很广，温度、压力、流量、液位、压差的控制和部分生产过程的实现，几乎都是通过控制阀来控制的。控制阀的性能对生产效率、产品质量、生产的安全性和连续性、环境保护等都起着决定性的作用。 安徽淮化集团有限公司新建的年产18万吨合成氨、30万吨尿素工程中使用了大量的控制阀，这些控制阀在开箱检查、安装和使用过程中，出现了不少问题，后来虽然都已解决，但是浪费了资金和时间，也花费了很多精力。其实，有很多问题，只要有关工程技术人员在设计选型、采购过程中加以注意，是完全可以避免的。 要保证控制阀拥有可靠的质量，自控系统设计人员应依据其应用场所及生产工艺对控制阀的要求进行选型，所选择的控制阀应能满足生产需要，性能适中。本文对在控制阀的采购选型中应注意的细节问题提出一些建议。 一以招标的方式采购控制阀 为采购到高性能价格比的控制阀，建议尽可能地采用招标的方式。招标采购有时是贷款提供方的要求，适合大批量的仪表采购。招标采购可以节约资金，确保产品质量，有利于工程进度，但对参与评标过程的专业工程技术人员的专业知识的广泛性、深入性有较高的要求；同时，应协调好仪表、控制、工艺、设备、管道、电气等各个专业之间的分工合作，这一点极为重要。 1. 做好招标前的准备工作 招标前的准备工作至关重要，企业的分管负责人应予以足够的重视，应做到：(1)选拔技术骨干，组成一个专业部门并指定负责人，进行有关知识的强化培训、职业道德及规章制度的教育，同时制订工作制度、处罚措施、评标工作细则。(2)有重点地组织有关人员到相同、相似规模或同类工艺装置企业进行考察，参加一些仪器仪表展览会，也可以邀请有关厂商进行技术讲座，应尽量避免参与评标的技术人员到有关仪器仪表生产厂进行技术活动。尽可能地搜集一些技术资料，为评标工作做好准备。 2. 招标文件的准备 招标文件包括商务文件和技术文件两部分。商务文件可自行编写或委托具有招标资格的单位组织编写；技术文件多由设计单位的专业设计人员负责编写或自行编写。若由设计单位编写技术文件，技术文件初稿应和用户一起进行讨论，根据达成的一致性修改意见进行补充完善，然后以登报的形式进行发标。招标文件的技术部分要采用国际通用的格式，内容尽可能的详细准确，避免使用模棱两可和容易引起误解的文字、数据、非通用缩写符号，各种缩写词应尽可能的加以注
松翰单片机问答集——IO口 Q322001. 当SONIX MCU的I/O口作OPEN DRAIN输出时，外接上拉电阻的供电电压比IC电源电压高，是否允许？ Ans: 我们IC 的open drain 是属于pseudo open drain, 外接上拉电阻的电压要小于等于MCU 的VDD, 主要目的是应用在多个output 并接bus 上(例如I2C), 或者是电压比VDD低的接口电压电平的转换。用户可以通过外接三极管来解决这个问题。 Q322002. 低功耗I/O口应如何设置？ Ans: 正确设定I/O口状态，可以避免I/O口的漏电流： 1.对空闲口的设置，空闲口一般设定为输入上拉或输出低电平。 2.对ADC I/O通道，应用P4CON的设定，可以避免I/O口的漏电流。 3.对于不同的外部硬件电路，考虑I/O的状态设置，设定不当，会有漏电流，特别注意上拉电阻的正确设定，若I/O 口外接低点平，又将pull-up enable会造成漏电，例如：VDD=5V 会有约5V / 100K = 50uA 漏电。 Q322003. SONIX MCU的I/O上拉电阻是多少？ Ans: 此点在芯片的规格书中（电气特性章节）有所描述。 Vdd＝3V时，上拉电阻典型值为200K欧姆。 Vdd＝5V时，上拉电阻典型值为100K欧姆。 Q322004. 独立按键与MCU如何连接能有效避免I/O口损伤？ Ans: 在产品开发时，按键是最常见的功能，由于考虑到成本等因素，很多客户都是将按键的两端分别与MCU和GND 相连，这种做法在大部分情况下是没有问题的。但是，当该产品的工作环境比较差时，比如静电、电源噪声等，此时若按键被按下，则相当于将MCU的一个I/O口直接与GND相连，此时就很可能会有瞬间大电流或高电压甚至负压灌入I/O口，造成I/O损坏。 减少这种问题的防范措施是：根据实际电路的需要，在按键与MCU的I/O之间串接100ohm ~ 1Kohm电阻，可有效避免上述问题带来的损伤。 Q322005. I/O外接下拉电阻，没有外接信号时芯片为何读不到低电平？ Ans: SONIX MCU的普通I/O口内建上拉电阻，其等效阻值大概是100 Kohm@5V、200 Kohm@3V。如果客户在程序中将某I/O的上拉电阻使能，同时又在该I/O的外围接有下拉电阻，在没有信号输入的情况下，相当于内置上拉电阻与外接下拉电阻串联分压，所以会导致I/O口读不到低电平。例如，在VDD=5V的情况下，内置上
车身用标准件选型规范
车身用标准件选型规范 1 范围 本标准主要介绍了车身所用标准件的常见类型，阐述了各类标准件在车身上的应用及选取则，包括螺栓长度的选用、螺栓和螺母公称直径的选用、螺纹牙距的选用、特殊螺栓、螺母的选用等，为以后车身标准件选用提供一个参考。 本标准适用于轿车、SUV等车型的设计。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是不注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T3098.1 紧固件机械性能螺栓、螺钉和螺柱 GB/T3098.2 紧固件机械性能螺母粗牙螺纹 GB/T3098.3 紧固件机械性能紧定螺钉 GB/T3098.4 紧固件机械性能螺母细牙螺纹 GB/T3098.5 紧固件机械性能自攻螺钉 GB/T5779.1 紧固件表面缺陷—螺栓、螺钉和螺柱 GB/T5779.2 紧固件表面缺陷—螺母 GB/T94.1 弹性垫圈技术条件弹簧垫圈 QC/T607 六角螺母和锥形弹性垫圈组合件 GB/T5783 六角头螺栓—全螺纹—A和B级 GB/T5789 六角法兰面螺栓—加大系列—B级 GB/T1664 六角法兰面螺栓 GB/T2673 内六角花形沉头螺钉 GB/T29.2 十字槽凹穴六角头螺栓 GB/T5782,GB/T5783 六角头螺栓—粗牙 GB/T5785,GB/T5786 六角头螺栓—较细牙 GB/T6177 六角法兰面螺母 GB/T6560 十字槽盘头自攻锁紧螺钉 GB/T70 内六角圆柱头螺钉 GB/T819 十字槽沉头螺钉 GB/T845 十字盘头自攻螺钉 GB/T847 十字槽半沉头自攻螺钉 QC/T613 六角法兰面自排屑螺母 GB/T9074.1 十字槽盘头螺钉和平垫圈组合件
功率MOSFET选型的几点经验 作者：Hugo Yu 使用功率MOSFET也有两年多时间了，这方面的技术文章看了不少，但实际应用选型方面的文章不是很多。在此，根据学到的理论知识和实际经验，和广大同行一起分享、探讨交流下功率MOSFET的选型。 由于相应理论技术文章有很多介绍MOSFET参数和性能的，这里不作赘述，只对实际选型用图解和简单公式作简单通俗的讲解。另外，这里的功率MOSFET应用选型为功率开关应用，对于功率放大应用不一定适用。不正之处，希望大家不吝指正。 功率MOSFET的分类及优缺点 和小功率MOSFET类似，功率MOSFET也有分为N沟道和P沟道两大类；每个大类又分为增强型和耗尽型两种。虽然耗尽型较之增强型有不少的优势（请查阅资料，不详述），但实际上大部分功率MOSFET都是增强型的。（可能因为实际的制作工艺无法达到理论要求吧，看来理论总是跟实际有差距的，哈哈） MOSFET是电压控制型器件，三极管是电流控制型器件，这里说的优缺点当然是要跟功率三极管(GTR)来做比较的：优点—开关速度快、输入阻抗高、驱动方便等；缺点—难以制成高电压、大电流型器件，这是因为耐压高的功率MOSFET的通态电阻较大的缘故。 言归正传，下面来看看具体如何选型— 功率MOSFET的选型 1. 我的应用该选择哪种类型的MOSFET？ 前面说了，实际应用主要使用增强型功率MOSFET，但到底该选择N沟道的还是P沟道的呢？如果你对这个问题有疑问，下面的图和注释会让你一目了然！ a) N沟道MOSFET b) P沟道MOSFET 负载（Load）的连接方式决定了所选MOSFET的类型，这是出于对驱动电压的考虑。当负载接地时，采用P沟道MOSFET；当负载连接电源电压时，选择N沟道MOSFET。
一选型要点 S7-300 PLC的选型原则是据生产工艺所需的功能和容量进行选型，并考虑维护的方便性、备件的通用性，以及是否易于扩展和有无特殊功能等要求。选型时具体注意以下几方面： (1)有关参数确定。一是输入/输出点数(I/O点数)确定。这是确定PLC规模的一个重要依据，一定要根据实际情况留出适当余量和扩展余地。二是PLC存储容量确定。注意当系统有模拟量信号存在或要进行大量数据处理时，其存储容量应选大一些。 (2)系统软硬件选择。一是扩展方式选择，S7-300 PLC有多种扩展方式，实际选用时，可通过控制系统接口模块扩展机架、Profibus-DP现场总线、通信模块、运程I/O及PLC子站等多种方式来扩展PLC或预留扩展口；二是PLC的联网，包括PLC与计算机联网和PLC之间相互联网两种方式。因S7-300 PLC的工业通信网络淡化了PLC与DCS的界限，联网的解决方案很多，用户可根据企业的要求选用；三是CPU的选择，CPU的选型是合理配置系统资源的关键，选择时必须根据控制系统对CPU的要求(包括系统集成功能、程序块数量限制、各种位资源、MPI接口能力、是否有PROFIBUS-DP主从接口、RAM容量、温度范围等)，并最好在西门子公司的技术支持下进行，以获得合理的选型；四是编程软件的选择，这主要考虑对CPU的支持状况，我们的体会是：STEP7 V4.0对有些型号的CPU不支持，硬件组态时会发生故障出错，而STEP7V5.0则不存在这种问题。 二设计及使用 1.设计注意事项 设计时主要应注意以下几方面： (1)PLC输出电路中没有保护，因此在外部电路中应设置串联熔断器等保护装置，以防止 负载短路造成PLC损坏。熔断器容量一般为0.5A。 (2)PLC存在I/O响应延迟问题，因此在快速响应设备中应加以注意。MPI通信协议虽简 单易行，但响应速度较慢。 (3)编制控制程序时，最好用模块式结构程序。这样既可增强程序的可读性，方便调试和 维护工作；又能使数据库结构统一，方便WinCC组态时变量标签的统一编制和设备状态的统一显示。 (4)硬件资源。要合理配置硬件资源，以提高系统可靠性。如PLC电源配电系统要配备冗 余的UPS不间断电源，以排除停电对全线运行的不利影响。又如对电机的控制回路要进行继电器隔离，以消除外部负载对I/O模块的可能损坏。另外，系统设备要采用独立的接地系统，以减少杂波干扰。 2. 使用要点 (1)抗干扰措施。来自电源线的杂波，能造成系统电压畸变，导致系统内电气设备的过电压、过负荷、过热甚至烧毁元器件，造成PLC等控制设备误动作。所以，在电源入口处最好应设置屏蔽变压器或电源滤波等防干扰设施。其中，电源滤波器的地要以最短线路接到中央保护地。对于直流电源，则可加装微分电容加以干扰抑制。 (2)保护接地。可采取用不小于10mm2的保护导线接好配电板的保护地；相邻的控制柜也应良好接触并与地可靠连接。同时要做好防雷保护接地，通常可采取总线电缆使用屏蔽电缆且屏蔽层两端接地，或模拟信号电缆采取两层屏蔽，外层屏蔽两端接地等措施。另外，为防止感应雷进入系统，可采用浪涌吸收器。 (3)做好信号屏蔽。信号的屏蔽非常关键，一般可采取屏蔽电缆传送模拟信号。注意对多个模拟信号共用一根多芯屏蔽电缆或用两种屏蔽电缆传送时，信号间一定要做好屏蔽。而
控制柜选型标准 本公司生产的系列控制柜按结构分为五种：轻型 GC 柜、重型GD 柜、防尘GF 柜、低压配电柜 GGD 及低压抽屉柜GCK 。 GC 柜采用标准KS 型钢为骨架，用标准件联接组装而成的控制柜适用于安装重量轻，如小容 量接触器等电器元件。安装较重的电器元件如容量较大的变压器、电抗器、 ME 开关、大容量接触 器时不许选用。 GD 柜采用2.5mm 厚钢板生产的以宽度为 80mm 的立柱和横梁为骨架，焊接而成的控制柜，适 用于安装重量大的电器元件。 GF 柜采用标准FA38型钢为骨架，用标准件连接组装而成的控制柜适用于防尘要求极高的场所， 出口产品必须选用此柜型。 GGD 柜和GCK 柜为国家标准的低压配电柜型号，设计低压配电柜时，必须选用此柜体。 设计时在项目计划，总装图中必须注明选用的柜体型号。柜体型号如下： GD . □ □口 □口 □口 -F-R 柜型- 柜特征 柜高- 柜特征号： A —前单门后板 B —前双门后板 GF —防尘柜 GDD —低压配电柜 GCK —低压抽屉柜 柜咼： 22 — 2200mm 20 —2000mm 18— 1800mm 16— 1600mm 14— 1400mm 柜宽： 06 — 600mm 08- 800mm 10 — 1000mm 柜深： 06 — 600mm 08- 800mm 10 — 1000mm 12— 1200mm GF 、GD 、GC 柜门采用如图所示形式，门锁用两个一点锁，门铰链采用三点式形式，一般为单门。 柜宽大于900mm 时可选用大小门或双门。柜体标志板采用钢板弯制，其外形尺寸为（柜宽 -10） *100。 GGD 柜体采用国家标准柜型。标志板采用铝合金标准件，其外型尺寸为（柜宽 -10）*60 GCK 柜体为抽屉柜，可根据器件容量选择相应的抽屉组合，标志板同 GGD 柜体。 GC —轻型柜 C —前后单门 D —前后双门 GD —重型柜
SN8F2250/2270 Series USB Type Part No. Program Memory RAM (8bit) Stack IO ADC DAC Timer PWM Buzzer SIO LCD Interrupt Int Ext Package Other Features SN8F22511B10K-Flash 512 8 8 - - 4 - 1 - 7/1 SSOP16 Full speed USB2.0,Support Control/3 Interrupt SN8F2251B10K-Flash 512 8 8 - - 4 - 1 - 7/0 QFN16 Full speed USB2.0,Support Control/3 Interrupt SN8F22521B10K-Flash 512 8 12 - - 4 2 1 - 7/2 SOP20/SSOP20 Full speed USB2.0,Support Control/3 Interrupt SN8F22531B10K-Flash 512 8 16 - - 4 2 1 - 7/2 QFN24 Full speed USB2.0,Support Control/3 Interrupt SN8F2253B10K-Flash 512 8 16 - - 4 2 1 - 7/2 SOP24 Full speed USB2.0,Support Control/3 Interrupt SN8F2255B10K-Flash 512 8 24 - - 4 2 1 - 7/2 LQFP32 Full speed USB2.0,Support Control/3 Interrupt SN8F2271B5K-Flash 192 8 10 - - 2 - 1 - 5/1 QFN16 Low speed USB2.0,Support Control/2 Interrupt SN8F22721B5K-Flash 192 8 14 - - 2 1 1 - 5/2 DIP20/SOP20/SSOP20 Low speed USB2.0,Support Control/2 Interrupt SN8F2280 Series USB Type Part No. Program Memory RAM (8bit) Stack IO ADC DAC Timer PWM Buzzer SIO LCD Interrupt Int Ext Package Other Features 1 / 11
紧固件(标准件)的选用原则 选择紧固件时，应优先确定类别，再确定其品种和规格。 1. 确定类别 标准紧固件共分十二大类，选用时按紧固件的使用场合和其使用功能进行确定。 (1) 螺栓螺栓再机械制造中广泛应用于可拆连接，一般与螺母(通常再加上一个垫圈或两个垫圈)配套使用。 (2) 螺母螺母与螺栓相配使用。 (3) 螺钉螺钉通常是单独(有时加垫圈)使用，一般起紧固或紧定作用，应拧入机体的内螺纹。 (4) 螺柱螺柱多用于连接被连接件之一厚度大，需使用结构紧凑或因拆卸频繁而不宜采用螺栓连接的地方。螺 柱一般为两端都带有螺纹(单头螺柱为单端带螺纹)，通常将一头螺纹牢固拧入部件机体中，另一端与螺母相配， 起连接和紧固的作用，但在很大程度上还具有定距的作用。 (5) 木螺钉木螺钉用于拧入木材，起连接或紧固作用。 (6) 自攻螺钉与自攻螺钉相配的工作螺孔不需预先攻丝，在拧入自攻螺钉的同时，使内螺纹成型。 (7) 垫圈垫圈放在螺栓、螺钉和螺母等的支承面与工件支承面之间使用，起防松和减小支承面应力的作用。 (8) 挡圈挡圈主要用来将零件在轴上或孔中定位、锁紧或止退。 (9) 销销通常用于定位，也可用于连接或锁定零件，还可作为安全装置中的过载剪断元件。 (10) 铆钉铆钉一端有头部，且杆部无螺纹。使用时将杆部插入被连接件的孔内，然后将杆的端部铆紧，起连接或 紧固作用。 (11)连接副连接副即螺钉或螺栓或自攻螺钉和垫圈的组合。垫圈装于螺钉后，必须能在螺钉(或螺栓)上自由转 动而不脱落。主要起紧固或紧定作用。 (12)其他主要包括焊钉等内容。 2.确定品种
(1) 品种的选择原则 ①从加工、装配的工作效率考虑，在同一机械或工程内，应尽量减少使用紧固件的品种; ②从经济考虑，应优先选用商品紧固件品种。 ③根据紧固件预期的使用要求，按型式、机械性能、精度和螺纹等方面确定选用品种。 (2) 型式 ①螺栓 a) 一般用途螺栓：品种很多，有六角头和方头之分。六角头螺栓应用最普通，按制造精度和产品质 量分为A、B、C等产品等级，以A和B级应用最多，并且主要用于重要的、装配精度高以及受较大冲击、振动或变载荷 的地方。六角头螺栓按其头部支承面积大小及安装位置尺寸，可分为六角头与大六角头两种;头部或螺杆有带孔的 品种供需要锁紧时采用。方头螺栓的方头有较大的尺寸和受力表面，便于扳手口卡住或靠住其他零件起止转作用， 常用在比较粗糙的结构上，有时也用于T型槽中，便于螺栓在槽中松动调整位置。见GB8、GB5780～5790等。 b) 铰制孔用螺栓：使用时将螺栓紧密镶入铰制孔内，以防止工件错位，见GB27等。 c) 止转螺栓：有方颈、带榫之分，见GB12～15等; d) 特殊用途螺栓：包括T型槽用螺栓、活节螺栓和地脚螺栓。T型槽用螺栓多用于需经常拆开连接的 地方;地脚螺栓用于水泥基础中固定机架或电机底座。见GB798、GB799等; e) 钢结构用高强度螺栓连接副：一般用于建筑、桥梁、塔架、管道支架及起重机械等钢结构的摩擦 型连接的场合，见GB3632等。 ②螺母 a) 一般用途螺母：品种很多，有六角螺母，方螺母等。六角螺母配合六角螺栓应用最普遍，按制造 精度和产品质量分为A、B、C级等产品等级。六角薄螺母在防松装置中用作副螺母，起锁紧作用，或用于螺纹连接副
MOS管选型指导 正确选择MOS管是很重要的一个环节，MOS管选择不好有可能影响到整个电路的效率和成本，了解不同的MOS管部件的细微差别及不同开关电路中的应力能够帮助工程师避免诸多问题，下面我们来学习下MOS管的正确的选择方法。 第一步：选用N沟道还是P沟道 为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P 沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。 要选择适合应用的器件，必须确定驱动器件所需的电压，以及在设计中最简易执行的方法。下一步是确定所需的额定电压，或者器件所能承受的最大电压。额定电压越大，器件的成本就越高。根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。就选择MOS管而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。知道MOS管能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备(如
电机或变压器)诱发的电压瞬变。不同应用的额定电压也有所不同；通常，便携式设备为20V、FPGA电源为20～30V、85～220VAC应用为450～600V。 第二步：确定额定电流 第二步是选择MOS管的额定电流。视电路结构而定，该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOS管处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。 选好额定电流后，还必须计算导通损耗。在实际情况下，MOS管并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。MOS管在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS(ON)所确定，并随温度而显著变化。器件的功率耗损可由Iload2×RDS(ON)计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOS管施加的电压VGS越高，RDS(ON)就会越小；反之RDS(ON)就会越高。对系统设计人员来说，这就是取决于系统电压而需要折中权衡的地方。对便携式设计来说，采用较低的电压比较容易(较为普遍)，而对于工业设计，可采用较高的电压。注意RDS(ON)电阻会随着电流轻微上升。关于RDS(ON)电阻的各种电气参数变化可在制造商提供的技术资料表中查到。 技术对器件的特性有着重大影响，因为有些技术在提高最大VDS时往往会使RDS(ON)增大。对于这样的技术，如果打算降低VDS和RDS(ON)，那么就得增加晶片尺寸，从而增加与之配套的封装尺寸及相关的开发成本。业界现有好几种试图控制晶片尺寸增加的技术，其中最主要的是沟道和电荷平衡技术。 在沟道技术中，晶片中嵌入了一个深沟，通常是为低电压预留的，用于降低导通电阻RDS(ON)。为了减少最大VDS对RDS(ON)的影响，开发过程中采用了外延生长柱/蚀刻柱工艺。例如，飞兆半导体开发了称为SupeRFET的技术，针对RDS(ON)的降低而增加了额外的制造步骤。这种对RDS(ON)的关注十分重要，因为当标准MOSFET的击穿电压升高时，RDS(ON)会随之呈指数级增加，并且导致晶片尺寸增大。SuperFET工艺将RDS(ON)与晶片尺寸间的指数关系变成了线性关系。这样，SuperFET器件便可在小晶片尺寸，甚至在击穿电压达到600V的情况下，实现理想的低RDS(ON)。结果是晶片尺寸可减小达35%。而对于最终用户来说，这意味着封装尺寸的大幅减小。 第三步：确定热要求 选择MOS管的下一步是计算系统的散热要求。设计人员必须考虑两种不同的情况，即最坏情况和真实情况。建议采用针对最坏情况的计算结果，因为这个结果提供更大的安全余量，能确保系统不会失效。在MOS管的资料表上还有一些需要注意的测量数据；比如封装器件的半导体结与环境之间的热阻，以及最大的结温。
ERP系统选型的七大注意事项 2014-02-08 21:01 ERP系统选型的做法 工欲善其事，必先利其器。ERP的理论必须有一套好的软件体统作为载体才能在企业中得到应用。所以，ERP软件系统选型的问题是非常重要的。 1.先行教育 在开始选择商品软件之前，企业领导和参与软件选择的人员首先应当参加关于ERP的先行教育，了解什么是ERP、成本如何、效益如何、如何实施、如何管理等一系列的问题。通过先行教育，统一软件选型的思想。 2.成立ERP项目筹备小组负责软件选型 在软件选型阶段，要成立ERP项目的筹备小组负责软件选型。ERP项目筹备小组的成员应当包括有决策权的企业高层领导及各部门的业务人员和财务管理人员，企业的CIO和IT 技术人员应该是ERP项目的重要成员，他们可以在选择软件的过程中对不同意见起到平衡的作用。 3.做好需求分析 需求分析既要考虑企业的当前需求，也要考虑未来的发展。通过需求分析，明确企业的规模、生产类型，以及存在的问题，为ERP系统的选型提供依据。 4.做好资金准备 购买ERP商品软件系统需要一笔较大的投资，在开始选择软件产品之前，应当先做好预算并得到批准，以保证选购商品软件的活动正常进行。 5.考察ERP软件产品 根据企业的需求和ERP的标准逻辑，考察软件产品的功能。不同的软件产品往往有不同的功能、性能、可选特征，也有不同的价格，因此必须综合考虑。
6.考察ERP软件供应商 实施应用ERP，就要和软件供应商进行长时间的合作，所以，在进行软件选型时要考察ERP软件供应商的实力，包括经济实力、技术支持力量和它的用户。 7.与软件供应商签订合同 签订合同须注意以下事项： （1）这类生意的合同常常是由软件供应商起草的，但是，一般不要签软件供应商提供的现成的合同。在所签的合同中，一定要反映本企业对软件产品的要求。 （2）要有准备，企业的谈判代表在软件评价和选择阶段就应尽早阅读供应商起草的合同。 （3）在合同中一定要包括处理故障隐患的条款，应该尽可能详细、清楚的规定排除故障的责任、时间以及惩罚方式等。 （4）避免模棱两可或含糊不清的语言，关于供应商的义务及相关的日期，一定要通过明确的语言在合同中表述清楚。 （5）不要相信任何口头承诺，任何未经书面形式在合同中表达的，都不是生意的一部分。 （6）要有一个合理的付款日程表，不要把财务控制杠杆轻易地交到供应商手中。 （7）如果合同中包括惩罚条款，则必须和付款日程表相结合。 （8）不要签长期的软件网维护的合同。关于软件的维护，一般一次只签订一年的合同，以便确定供应商的服务质量，并做好自行维护的准备。
常用MOS管选型参考如下表所示: IRFU020 50V 15A 42W * * NmOS场效应IRFPG42 1000V 4A 150W * * NmOS场效应IRFPF40 900V 4.7A 150W * * NmOS场效应IRFP9240 200V 12A 150W * * PmOS场效应IRFP9140 100V 19A 150W * * PmOS场效应IRFP460 500V 20A 250W * * NmOS场效应IRFP450 500V 14A 180W * * NmOS场效应IRFP440 500V 8A 150W * * NmOS场效应IRFP353 350V 14A 180W * * NmOS场效应IRFP350 400V 16A 180W * * NmOS场效应IRFP340 400V 10A 150W * * NmOS场效应IRFP250 200V 33A 180W * * NmOS场效应IRFP240 200V 19A 150W * * NmOS场效应IRFP150 100V 40A 180W * * NmOS场效应IRFP140 100V 30A 150W * * NmOS场效应IRFP054 60V 65A 180W * * NmOS场效应IRFI744 400V 4A 32W * * NmOS场效应IRFI730 400V 4A 32W * * NmOS场效应IRFD9120 100V 1A 1W * * NmOS场效应IRFD123 80V 1.1A 1W * * NmOS场效应IRFD120 100V 1.3A 1W * * NmOS场效应IRFD113 60V 0.8A 1W * * NmOS场效应IRFBE30 800V 2.8A 75W * * NmOS场效应IRFBC40 600V 6.2A 125W * * NmOS场效应IRFBC30 600V 3.6A 74W * * NmOS场效应IRFBC20 600V 2.5A 50W * * NmOS场效应IRFS9630 200V 6.5A 75W * * PmOS场效应IRF9630 200V 6.5A 75W * * PmOS场效应IRF9610 200V 1A 20W * * PmOS场效应IRF9541 60V 19A 125W * * PmOS场效应IRF9531 60V 12A 75W * * PmOS场效应IRF9530 100V 12A 75W * * PmOS场效应IRF840 500V 8A 125W * * NmOS场效应IRF830 500V 4.5A 75W * * NmOS场效应IRF740 400V 10A 125W * * NmOS场效应IRF730 400V 5.5A 75W * * NmOS场效应IRF720 400V 3.3A 50W * * NmOS场效应IRF640 200V 18A 125W * * NmOS场效应
熔断器的选型及注意事项
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熔断器的选型及注意事项 (一) 熔断器类型的选择 应根据使用场合选择熔断器的类型.电网配电一般用刀型触头熔断器；电动机保护一般用螺旋式熔断器;照明电路一般用圆筒帽形熔断器;保护可控硅元件则应选择半导体保护用快速式熔断器。 (二) 熔断器规格的选择 １.熔体额定电流的选择
(1) 对于变压器、电炉和照明等负载，熔体的额定电流应略大于或等于负载电流． （２) 对于输配电线路,熔体的额定电流应略大于或等于线路的安全电流（线路电流,非负载电流) (3) 在电动机回路中用作短路保护时,应考虑电动机的启动条件,按电动机启动时间的长短来选择熔体的额定电流. a):对启动时间不长的电动机,可按下式决定熔体的额定电流ＩN熔体=Ist/ (2.５~3) ；式中Ｉｓt——电动机的启动电流,单位:A ｂ）:对启动时间较长或启动频繁的电动机，按下式决定熔体的额定电流; IN熔体＝Ｉst/(1.６~2) c):对于多台电动机供电的主干母线处的熔断器的额定电流可按下式计算: In=(2．0~2.５)Iｍｅmax＋∑Ime 注:In熔断器的额定电流;Ime电动机的额定电流；Iｍeｍａx多台电动机容量最大的一台电动机的额定电流；∑Iｍｅ其余电动机的额定电流之和． 电动机末端回路的保护,选用aM型熔断器,熔断体的额定电流I ｎ稍大于电动机的额定电流;
(４）电容补偿柜主回路的保护,如选用gG型熔断器,熔断体的额定电流Ｉn约等于线路计算电流1．８~2．5倍;如选用aM 型熔断器，熔断体的额定电流In 约等于线路电流的1～２.5倍. (５) 线路上下级间的选择性保护,上级熔断器与下级熔断器的额定电流In的比等于或大于１.6,就能满足防止发生越级 动作而扩大故障停电范围的需要. (６) 保护半导体器件用熔断器，熔断器与半导体器件串联,而熔断器熔体的额定电流用有效值表示,半导体器件的额定电流用正向平均电流表示,因此,应按下式计算熔体的额定电流: IRN≥１.57 IRN ≈1.6 ＩRN 式中 IRＮ表示半导体器件的正向平均电流. （7) 降容使用 在2０℃环境温度下,我们推荐熔断体的实际工作电流不应超过额定电流值.选用熔断体时应考虑到环境及工作条件,如封闭程 度空气流动连接电缆尺寸（长度及截面) 瞬时峰值等方面的变化;熔断体的电流承载能力试验是在２0℃环境温度下进行的，实际使用时受环境温度变化的影响.环境温度越高，熔断体的工作温