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固体物理 第三章_ 晶体中的缺陷

固体物理 第三章_ 晶体中的缺陷
固体物理 第三章_ 晶体中的缺陷

第三章 晶体结构缺陷

第三章晶体结构缺陷 【例3-1】写出MgO形成肖特基缺陷得反应方程式。 【解】MgO形成肖特基缺陷时,表面得Mg2+与O2-离子迁到表面新位置上,在晶体内部留下空位,用方程式表示为: 该方程式中得表面位置与新表面位置无本质区别,故可以从方程两边消掉,以零O(naught)代表无缺陷 状态,则肖特基缺陷方程式可简化为: 【例3-2】写出AgBr形成弗伦克尔缺陷得反应方程式。 【解】AgBr中半径小得Ag+离子进入晶格间隙,在其格点上留下空位,方程式为: 【提示】一般规律:当晶体中剩余空隙比较小,如NaCl型结构,容易形成肖特基缺陷;当晶体中剩余空隙比较大时,如萤石CaF2型结构等,容易产生弗伦克尔缺陷。 【例3-3】写出NaF加入YF3中得缺陷反应方程式。 【解】首先以正离子为基准,Na+离子占据Y3+位置,该位置带有2个单位负电荷,同时,引入得1个F-离子位于基质晶体中F-离子得位置上。按照位置关系,基质YF3中正负离子格点数之比为1/3,现在只引入了1个F-离子,所以还有2个F-离子位置空着。反应方程式为:可以验证该方程式符合上述3个原则。 再以负离子为基准,假设引入3个F-离子位于基质中得F-离子位置上,与此同时,引入了3个Na+离子。根据基质晶体中得位置关系,只能有1个Na+离子占据Y3+离子位置,其余2个Na+位于晶格间隙,方程式为: 此方程亦满足上述3个原则。当然,也可以写出其她形式得缺陷反应方程式,但上述2个方程所代表得

缺陷就是最可能出现得。 【例3-4】写出CaCl2加入KCl中得缺陷反应方程式。 【解】以正离子为基准,缺陷反应方程式为: 以负离子为基准,则缺陷反应方程式为: 这也就是2个典型得缺陷反应方程式,与后边将要介绍得固溶体类型相对应。 【提示】通过上述2个实例,可以得出2条基本规律: (1)低价正离子占据高价正离子位置时,该位置带有负电荷。为了保持电中性,会产生负离子空位或间隙正离子。 (2)高价正离子占据低价正离子位置时,该位置带有正电荷。为了保持电中性,会产生正离子空位或间隙负离子。 【例3-5】TiO2在还原气氛下失去部分氧,生成非化学计量化合物TiO2-x,写出缺陷反应方程式。 【解】非化学计量缺陷得形成与浓度取决于气氛性质及其分压大小,即在一定气氛性质与压力下到达平衡。该过程得缺陷反应可用 或 方程式表示,晶体中得氧以电中性得氧分子得形式从TiO2中逸出,同时在晶体中产生带正电荷得氧空位与与其符号相反得带负电荷得来保持电中性,方程两边总有效电荷都等于零。可以瞧成就是Ti4+被还原为Ti3+,三价Ti占据了四价Ti得位置,因而带一个单位有效负电荷。而二个Ti3+替代了二个

固体物理题库 第一章 晶体的结构

第一章晶体的结构 一、填空体(每空1分) 1. 晶体具有的共同性质为长程有序、自限性、各向异性。 2. 对于简立方晶体,如果晶格常数为a,它的最近邻原子间距为 a ,次近邻原子间 ,原胞与晶胞的体积比1:1 ,配位数为 6 。 3. 对于体心立方晶体,如果晶格常数为a a2/,次近邻原子间距为 a ,原胞与晶胞的体积比1:2 ,配位数为8 。 4. 对于面心立方晶体,如果晶格常数为a 邻原子间距为 a ,原胞与晶胞的体积比1:4 ,配位数为12 。 5. 面指数(h1h2h3)所标志的晶面把原胞基矢a1,a2,a3分割,其中最靠近原点的平面在a1,a2,a3上的截距分别为__1/h1_,_1/h2__,__1/h3_。 6. 根据组成粒子在空间排列的有序度和对称性,固体可分为晶体、准晶体和非晶体。 7. 根据晶体内晶粒排列的特点,晶体可分为单晶和多晶。 8. 常见的晶体堆积结构有简立方(结构)、体心立方(结构)、面心立方(结构)和六角密排(结构)等,例如金属钠(Na)是体心立方(结构),铜(Cu)晶体属于面心立方结构,镁(Mg)晶体属于六角密排结构。 9. 对点阵而言,考虑其宏观对称性,他们可以分为7个晶系,如果还考虑其平移对称性,则共有14种布喇菲格子。 10.晶体结构的宏观对称只可能有下列10种元素:1 ,2 ,3 ,4 ,6 ,i ,m ,3,4,6,其中3和6不是独立对称素,由这10种对称素对应的对称操作只能组成32 个点群。 11. 晶体按照其基元中原子数的多少可分为复式晶格和简单晶格,其中简单晶格基元中有 1 个原子。 12. 晶体原胞中含有 1 个格点。 13. 魏格纳-塞茨原胞中含有 1 个格点。 二、基本概念 1. 原胞 原胞:晶格最小的周期性单元。 2. 晶胞 结晶学中把晶格中能反映晶体对称特征的周期性单元成为晶胞。 3. 散射因子 原子内所有电子在某一方向上引起的散射波的振幅的几何和,与某一电子在该方向上引起的散射波的振幅之比。 4. 几何结构因子 原胞内所有原子在某一方向上引起的散射波的总振幅与某一电子在该方向上所引起的散射

第一章 晶体结构缺陷习题及解答

第一章 晶体结构缺陷习题与解答 1.1 名词解释(a )弗伦克尔缺陷与肖特基缺陷;(b )刃型位错和螺型位错 解:(a )当晶体热振动时,一些能量足够大的原子离开平衡位置而挤到晶格点的 间隙中,形成间隙原子,而原来位置上形成空位,这种缺陷称为弗伦克尔缺陷。如果正常格点上原子,热起伏后获得能量离开平衡位置,跃迁到晶体的表面,在原正常格点上留下空位,这种缺陷称为肖特基缺陷。(b )滑移方向与位错线垂直的位错称为刃型位错。位错线与滑移方向相互平行的位错称为螺型位错。 1.2试述晶体结构中点缺陷的类型。以通用的表示法写出晶体中各种点缺陷的表示符号。试举例写出CaCl 2中Ca 2+置换KCl 中K +或进入到KCl 间隙中去的两种点缺陷反应表示式。 解:晶体结构中的点缺陷类型共分:间隙原子、空位和杂质原子等三种。在MX 晶体中,间隙原子的表示符号为M I 或X I ;空位缺陷的表示符号为:V M 或V X 。如果进入MX 晶体的杂质原子是A ,则其表示符号可写成:A M 或A X (取代式)以及A i (间隙式)。 当CaCl 2中Ca 2+置换KCl 中K +而出现点缺陷,其缺陷反应式如下: CaCl 2?→?KCl ?K Ca +' k V +2Cl Cl CaCl 2中Ca 2+进入到KCl 间隙中而形成点缺陷的反应式为: CaCl 2?→?KCl ??i Ca +2'k V +2Cl Cl 1.3在缺陷反应方程式中,所谓位置平衡、电中性、质量平衡是指什么? 解:位置平衡是指在化合物M a X b 中,M 格点数与X 格点数保持正确的比例 关系,即M :X=a :b 。电中性是指在方程式两边应具有相同的有效电荷。质量平衡是指方程式两边应保持物质质量的守恒。 1.4(a )在MgO 晶体中,肖特基缺陷的生成能为6ev ,计算在25℃和1600℃时热缺陷的浓度。 (b )如果MgO 晶体中,含有百万分之一mol 的Al 2O 3杂质,则在1600℃时,MgO 晶体中是热缺陷占优势还是杂质缺陷占优势?说明原因。 解:(a )根据热缺陷浓度公式: =N n exp (- kT 2G ?) 由题意 △G=6ev=6×1.602×10-19=9.612×10-19J K=1.38×10-23 J/K T 1=25+273=298K T 2=1600+273=1873K 298K : =N n exp ??? ? ??????---2981038.1210612.92319=1.92×10-51

第三章 晶体缺陷1汇总

第三章晶体缺陷 第一节点缺陷 引言 ●完整晶体:原子规则地存在于应在的位置上。 ●晶体结构缺陷:实际晶体中偏离理想结构的区域。 晶体缺陷分类:(按几何特征分) ●1、点缺陷(零维缺陷)(Point defect) ●在各个方向上尺寸都很小的缺陷。如:空位、间隙原子、溶质原子等。 ●2、线缺陷(一维缺陷)(Line defects) ●在一个方向上尺寸较大,另两个方向上尺寸较小。如:位错。 ●3、面缺陷(二维缺陷)(Surface defects) ●在两个方向上尺寸较大,在另一个方向上尺寸较小。如:晶体表面、晶界、 相界、孪晶界等。 ●4、体缺陷(三维缺陷)(Body defects) ●在任意方向上尺寸较大。如:沉淀相、空洞、气泡等 ●研究缺陷的产生、运动、交互作用及转化,具有重要的理论和实际意义。 第一节点缺陷 一、晶体中点缺陷的结构及形成 二、点缺陷的平衡浓度 三、点缺陷的移动 四、点缺陷对金属性能的影响 1、点缺陷的形成 2、点缺陷的分类(离位原子的去处)

肖脱基(Schottky)缺陷——原子迁移到表面——仅形成空位 弗兰克(Franke)缺陷——原子迁移到间隙中—形成空位-间隙对 杂质或溶质原子——间隙式(小原子)或置换式(大原子) 迁移其它空位中,使空位发生移位,不增加空位数目。 3、点缺陷的弹性畸变和能量 ●点缺陷导致一定范围内的弹性畸变和能量增加 4、点缺陷与温度的关系 ●空位和间隙原子的形成与温度密切相关 ●随温度升高,点缺陷数目增加,称为热缺陷。 5、点缺陷的产生 ①原因:热运动 ②工艺:高温淬火、冷变形加工、高能粒子轰击也可产生点缺陷。(点缺陷并非都通过 原子的热振动产生)。 辐照对于材料性能所引起的一些特殊效应 ●电离 ●蜕变 ●离位(金属中最主要的辐照效应) 二、点缺陷的平衡浓度 ●点缺陷形成对晶体的影响: ●(1)点阵畸变,晶体内能增加,晶体不稳定; ●(2)原子排列混乱程度增加,改变周围原子振动频率,晶体熵增加,晶体稳定。 ●由于存在这两个互为矛盾的因素,所以,晶体中的点缺陷在一定温度下有一定的平 衡数目,这个平衡浓度可以借热力学求得 热力学平衡 ●当晶体中空位处于系统热力学平衡状态时,T 温度下系统的自由能F为: F=U–TS ●式中: ●U为内能; ●S为总熵,包括组态熵S c和振动熵S f。 ●设由N个原子组成的晶体中,含有n个空位。形成一个空位所需要的能量为△E v, 则n个空位使内能增加为△U=n△E v。n个空位将引起的总熵变为 △S=n△S f+ △S c。 ●自由能变化: △F= n△E v-T(n△S f+ △S c) ●根据统计热力学,组态熵可以表示为: S c=klnW

固体物理中的晶体缺陷讲解

固体物理中的晶体缺陷 学院:化学化工与生物工程学院 班级:生物1301 学号: 131030114 姓名:李丹丹

固体物理中的晶体缺陷 1.国内外进展及研究意义 1.1 国内外对晶体缺陷的研究现状和发展动态 19世纪中叶布拉非发展了空间点阵,概括了点阵周期性的特征,1912年劳厄的晶体X 射线衍射实验成功后,证实了晶体中原子作规则排列,从理想晶体结构出发,人们发展了离子晶体的点阵理论和金属的电子理论,成功的计算了离子晶体的结合能,对于金属晶体的原子键能也有了初步了了解,并很好的解释了金属的电学性质。随后人们又认识到了晶体中原子并非静止排列,它在晶体中的平衡阵点位置作震动,甚至在绝对零度也不是凝固不动的,即还有所谓零点能的作用,从这个理论出发建立了点阵震动理论,从而建立了固体的比热理论。在20世纪20年代以后人们就发现晶体的许多性质很难用理想晶体结构来解释,提出晶体中有许多原子可能偏离规则排列,即存在有缺陷,并企图用此来解释许多用理想晶体结构无法解释的晶体性质。W.Schottky为了解释离子晶体的电介电导率问题,提出在晶体中可能由于热起伏而产生填隙离子和空位,而且发现食盐的电介导电率与这些缺陷的数目有关。随后为了解决晶体屈服强度的实验数据值与理论估计之间的巨大差别,又引进了位错这一晶体缺陷。今年来人们对晶体中各种缺陷有了更深刻的认识,建立了晶体缺陷理论。 理想晶体在实际中并不存在。实际晶体或多或少存在各种杂质和缺陷。国内外学者通过使用显微镜的对物质性能与缺陷的关系研究得相当多,也在一定意义上取得了可喜的进展。 1.2 晶体缺陷的研究意义 在晶体的生长及形成过程中,由于温度、压力、介质组分浓度等外界环境中各种复杂因素变化及质点热运动或受应力作用等其他条件的不同程度的影响会使粒子的排列并不完整和规则,可能存在空位、间隙粒子、位错、镶嵌结构等而偏离完整周期性点阵结构,形成偏离理想晶体结构的区域,我们称这样的区域为晶体缺陷,它们可以在晶格内迁移,以至消失,同时也可产生新的晶体缺陷。本文就晶体中所存在的各类缺陷做了详细说明,并且重点介绍了各类缺陷的成因及其特征。 偏离理想状态的不完整晶体,即有某些缺陷的晶体,在晶体中缺陷并不是静止地、稳定不变地存在着,而是随着各种条件的改变而不断变动的。它们可以产生、发展、运动和交互

第一章 晶体结构与晶体中的缺陷

第一章晶体结构与晶体中的缺陷 一、名词解释 1.正尖晶石与反尖晶石;2.弗伦克尔缺陷与肖特基缺陷; 3.刃位错与螺位错;4.固溶体;5.非化学计量化合物: 二、填空与选择 2.在硅酸盐结构分类中,下列矿物Ca[Al2Si2O8];CaMg[Si2O6];β-Ca2SiO4和Mg3[Si4O10](OH)2,分别属于;;;和四类。 3.在负离子作立方密堆的晶体中,为获得稳定的晶体结构,正离子将所有八面体空隙位置填满的晶体有,所有四面体空隙均填满的晶体有,填满一半八面体空隙的晶体有,填满一半四面体空隙的晶体有。 4.在尖晶石(MgAl2O4)型晶体中,O2-作面心立方最紧密堆积,Mg2+填入了;金红石晶体中,所有O2-作稍有变形的六方密堆,Ti4+填充了。(A全部四面体空隙;B 全部八面体空隙;C四面体空隙的半数;D八面体空隙的半数;E四面体空隙的八分之一;F八面体空隙的八分之一) 5.构成层状硅酸盐的[Si2O5]片中的Si4+,通常被一定数量的Al3+所取代,为满足鲍林第二规则(静电价规则),在层状结构中结合有(OH)-离子和各种二价正离子或三价正离子。这种以Al3+取代Si4+的现象,称为。( A同质多晶(同质多象);B类质同晶;C有序-无序转化;D同晶置换(同晶取代)) 6.高岭石与蒙脱石属于层状硅酸盐结构,前者的结构特征是,后者的结构特征是。(A二层型三八面体结构;B三层型三八面体结构;C二层型二八面体结构;D 三层型二八面体结构) 7.在石英的相变中,属于重建型相变的是,属于位移式相变的是。(A α-石英→α-鳞石英;B α-石英→β-石英;C α-鳞石英→α-方石英;D α方石英→β-方石英) 8.晶体结构中的热缺陷有和二类。 9.CaO掺杂到ZrO2中,其中置换了。由于电中性的要求,在上述置换同时产生一个空位。以上置换过程可用方程式表示。10.由于的结果,必然会在晶体结构中产生"组分缺陷",组分缺陷的浓度主要取决于:和。 11.晶体线缺陷中,位错线与和垂直的是位错;位错线与二者平行的是位错。

晶体中的缺陷

第三章晶体中的缺陷 第一节概述 一、缺陷的概念 大多数固体是晶体,晶体正是以其特殊的构型被人们最早认识。因此目前(至少在80年代以前>人们理解的“固体物理”主要是指晶体。当然这也是因为客观上晶体的理论相对成熟。在晶体理论发展中,空间点阵的概念非常重要。 空间点阵中,用几何上规则的点来描述晶体中的原子排列,并连成格子,这些点被称为格点,格子被称为点阵,这就是空间点阵的基本思想,它是对晶体原子排列的抽象。空间点阵在晶体学理论的发展中起到了重要作用。可以说,它是晶体学理论的基础。现代的晶体理论基于晶体具有宏观平移对称性,并因此发展了空间点阵学说。 严格地说对称性是一种数学上的操作,它与“空间群”的概念相联系,对它的描述不属本课程内容。但是,从另一个角度来理解晶体的平移对称性对我们今后的课程是有益的。 所谓平移对称性就是指对一空间点阵,任选一个最小基本单元,在空间三维方向进行平移,这个单元能够无一遗漏的完全复制所有空间格点。考虑二维实例,如图3-1所示。 图3-1 平移对称性的示意图 在上面的例子中,以一个基元在二维方向上平移完全能复制所有的点,无一遗漏。这种情况,我们说具有平移对称性。这样的晶体称为“理想晶体”或“完整晶体”。

图3-2 平移对称性的破坏 如果我们对上述的格点进行稍微局部破坏,那么情况如何?请注意以下的复制过程,如图3-2所示。从图中我们看出:因为局部地方格点的破坏导致平移操作无法完整地复制全部的二维点阵。这样的晶体,我们就称之为含缺陷的晶体,对称性破坏的局部区域称为晶体缺陷。 晶体缺陷的产生与晶体的生长条件,晶体中原子的热运动以及对晶体的加工工艺等有关。事实上,任何晶体即使在绝对零度都含有缺陷,自然界中理想晶体是不存在的。既然存在着对称性的缺陷,平移操作不能复制全部格点,那么空间点阵的概念似乎不能用到含有缺陷的晶体中,亦即晶体理论的基石不再牢固。 幸运的是,缺陷的存在只是晶体中局部的破坏。作为一种统计,一种近似,一种几何模型,我们仍然继承这种学说。因为缺陷存在的比例毕竟只是一个很小的量(这指的是通常的情况)。例如20℃时,Cu的空位浓度为3.8×10-17,充分退火后Fe 中的位错密度为1012m-2<空位、位错都是以后要介绍的缺陷形态)。现在你对这些数量级的概念可能难以接受,那没关系,你只须知道这样的事实:从占有原子百分数来说,晶体中的缺陷在数量上是微不足道的。 因此,整体上看,可以认为一般晶体是近乎完整的。因而对于实际晶体中存在的缺陷可以用确切的几何图形来描述,这一点非常重要。它是我们今后讨论缺陷形态的基本出发点。事实上,把晶体看成近乎完整的并不是一种凭空的假设,大量的实验事实

《固体物理学答案》第一章晶体的结构

第一章、晶体的结构 习题 1.以刚性原子球堆积模型,计算以下各结构的致密度分别为: (1)简立方, 6 π ; (2)体心立方, ; 8 3 π (3)面心立方,; 6 2 π(4)六角密积,; 6 2 π (5)金刚石结构,; 16 3 π [解答] 设想晶体是由刚性原子球堆积而成,一个晶胞中刚性原子球占据的体积与晶胞体积的比值称为结构的致密度, 设n为一个晶胞中的刚性原子球数,r表示刚性原子球半径,V表示晶胞体 积,则致密度ρ= V r n3 3 4 π (1)对简立方晶体,任一个原子有6个最近邻,若原子以刚性球堆积,如图 1.2所示,中心在1,2,3,4处的原子球将依次相 切,因为, , 4 33a V r a= = 面1.2 简立方晶胞 晶胞内包含1个原子,所以 ρ= 6 ) ( 3 3 2 3 4π π = a a (2)对体心立方晶体,任一个原子有8个最近邻,若原子刚性球堆积,如图1.3所示,体心位置O的原子8个角顶位置的原子球相切,因为晶胞空间对角线的长度为, , 4 33a V r a= =晶胞内包含2个原子,所以 ρ=π π 8 3 ) ( * 2 3 3 4 3 3 4 = a a

图1.3 体心立方晶胞 (3)对面心立方晶体,任一个原子有12个最近邻,若原子以刚性球堆积,如图1.4所示,中心位于角顶的原子与相邻的3个面心原子球相切,因为 3,42a V r a ==,1个晶胞内包含4个原子,所以 ρ= 6 2) ( *43 3 4 234ππ= a a . 图1.4面心立方晶胞 (4)对六角密积结构,任一个原子有12个最近邻,若原子以刚性球堆积,如图1。5所示,中心在1的原子与中心在2,3,4的原子相切,中心在5的原子与中心在6,7,8的原子相切, 图 1.5 六角晶胞 图 1.6 正四面体 晶胞内的原子O 与中心在1,3,4,5,7,8处的原子相切,即O 点与中心在5,7,8处的原子分布在正四面体的四个顶上,因为四面体的高 h =2 23 2 32c r a == 晶胞体积 V = 2 22 360sin ca ca = , 一个晶胞内包含两个原子,所以 ρ= ππ62)(*22 2 3 3 234= ca a .

《固体物理学》房晓勇主编教材-习题解答参考04第四章 晶体结构中的缺陷

第四章 晶格结构中的缺陷 4.1 试证明,由N 个原子组成的晶体,其肖托基缺陷数为 s B k T s n Ne μ?= 其中s μ是形成一个空位所需要的能量。 证明:设由N 个原子组成的晶体,其肖托基缺陷数为s n ,则其微观状态数为 !()!s ! s s N P N n n =? 由于s μ个空位的出现,熵的改变 []!ln ln ln ()ln()ln ()!! B s B B s s s s s s N S k P k k N N N n N n n n N n n Δ===????? 晶体的自由能变化为 []ln ()ln()ln s s s s B s s s F n T S n k T N N N n N n n n μμ=?Δ=?????s 要使晶体的自由能最小 B ()ln 0s s s s T n F u k T n N ?????Δ=+=??????????n 整理得 s B k T s s n e N n μ ?=? 在实际晶体中,由于, s n N <

第一章 金属的晶体结构习题答案

第一章 金属的晶体结构 (一)填空题 3.金属晶体中常见的点缺陷是 空位、间隙原子和置换原子 ,最主要的面缺陷是 。 4.位错密度是指 单位体积中所包含的位错线的总长度 ,其数学表达式为V L =ρ。 5.表示晶体中原子排列形式的空间格子叫做 晶格 ,而晶胞是指 从晶格中选取一个能够完全反应晶格特征的最小几何单元 。 6.在常见金属晶格中,原子排列最密的晶向,体心立方晶格是 [111] ,而面心立方 晶格是 [110] 。 7 晶体在不同晶向上的性能是 不同的 ,这就是单晶体的 各向异性现象。一般结构用金属 为 多 晶体,在各个方向上性能 相同 ,这就是实际金属的 伪等向性 现象。 8 实际金属存在有 点缺陷 、 线缺陷 和 面缺陷 三种缺陷。位错是 线 缺陷。 9.常温下使用的金属材料以 细 晶粒为好。而高温下使用的金属材料在一定范围内以粗 晶粒为好。 10.金属常见的晶格类型是 面心立方、 体心立方 、 密排六方 。 11.在立方晶格中,各点坐标为:A (1,0,1),B (0,1,1),C (1,1,1/2),D(1/2,1,1/2), 那么AB 晶向指数为10]1[- ,OC 晶向指数为[221] ,OD 晶向指数为 [121] 。 12.铜是 面心 结构的金属,它的最密排面是 {111} ,若铜的晶格常数a=0.36nm, 那么最密排面上原子间距为 0.509nm 。 13 α-Fe 、γ-Fe 、Al 、Cu 、Ni 、Cr 、V 、Mg 、Zn 中属于体心立方晶格的有 α-Fe 、Cr 、 V ,属于面心立方晶格的有 γ-Fe 、Al 、Cu 、Ni 、 ,属于密排六方晶格的有 Mg 、 Zn 。 14.已知Cu 的原子直径为0.256nm ,那么铜的晶格常数为 。1mm 3Cu 中的原子数 为 。 15.晶面通过(0,0,0)、(1/2、1/4、0)和(1/2,0,1/2)三点,这个晶面的晶面指数为 . 16.在立方晶系中,某晶面在x 轴上的截距为2,在y 轴上的截距为1/2;与z 轴平行,则 该晶面指数为 (140) . 17.金属具有良好的导电性、导热性、塑性和金属光泽主要是因为金属原子具有 金属键 的 结合方式。 18.同素异构转变是指 当外部条件(如温度和压强)改变时,金属内部由一种金属内部由 一种晶体结构向另一种晶体结构的转变 。纯铁在 温度发生 和 多晶型转变。 19.在常温下铁的原子直径为0.256nm ,那么铁的晶格常数为 。 20.金属原子结构的特点是 。 21.物质的原子间结合键主要包括 离子键 、 共价键 和 金属键 三种。 (二)判断题 1.因为单晶体具有各向异性的特征,所以实际应用的金属晶体在各个方向上的性能也是不 相同的。 (N) 2.金属多晶体是由许多结晶位向相同的单晶体所构成。 ( N) 3.因为面心立方晶体与密排六方晶体的配位数相同,所以它们的原子排列密集程度也相同 4.体心立方晶格中最密原子面是{111}。 Y 5.金属理想晶体的强度比实际晶体的强度高得多。N 6.金属面心立方晶格的致密度比体心立方晶格的致密度高。 7.实际金属在不同方向上的性能是不一样的。N 8.纯铁加热到912℃时将发生α-Fe 向γ-Fe 的转变。 ( Y ) 9.面心立方晶格中最密的原子面是111},原子排列最密的方向也是<111>。 ( N ) 10.在室温下,金属的晶粒越细,则其强度愈高和塑性愈低。 ( Y ) 11.纯铁只可能是体心立方结构,而铜只可能是面心立方结构。 ( N ) 12.实际金属中存在着点、线和面缺陷,从而使得金属的强度和硬度均下降。 ( Y ) 13.金属具有美丽的金属光泽,而非金属则无此光泽,这是金属与非金属的根本区别。N

北京工业版第三章晶体缺陷习题答案

第三章晶体缺陷习题答案 3-1 解:纯金属晶体中主要点缺陷类型有肖脱基空位和弗兰克空位,还有和弗兰克空位等量的间隙原子。点缺陷附近金属晶格发生畸变,由此会引起金属的电阻增加,体积膨胀,密度减小;同时可以加速扩散,过饱和点缺陷还可以提高金属的屈服强度。 3-2 解:在一定温度下,晶体处于平衡状态时空位数和构成晶体的原子总数的比值称为晶体在该温度下的空位平衡浓度。在一定的温度下总是存在一定浓度的空位,这是热力学平衡条件所要求的,这种空位浓度即为空位平衡浓度。影响空位浓度的主要因素有空位形成能和温度。当温度一定时,空位形成能越高则空位平衡浓度越低;当空位形成能一定时,温度越高则空位平衡浓度越高。 3-3 解:由exp(/)E V C A E kT =- 138502201exp(/)111051000 exp[()] 6.9510exp(/)29311238.31 E V E V C A E kT C A E kT -?==-?=?- 3-4 解: 6002300112 exp(/)11 exp[()]exp(/)E V V E V C A E kT E C A E kT kT kT -==-?- 56600300121111 ln /()8.61710(ln10)/() 1.98573873 E V E C E eV C kT kT -=-=??-= 3-5 解:exp(/)e V C A E kT =- exp(/)i i C A E kT '=- 由题设,A A '=,0.76, 3.0v i E eV E eV ==, 所以当T=293K 时 538exp(/)exp()/exp[(3.00.76)/(8.61710293)] 3.3910exp(/) e V i V i i C A E kT E E kT C A E kT --==-=-??=?'-

材料科学基础第三章答案

习题:第一章第二章第三章第四章第五章第六章第七章第八章第九章第十章第十一章答案:第一章第二章第三章第四章第五章第六章第七章第八章第九章第十章第十一章 3-2 略。 3-2试述位错的基本类型及其特点。 解:位错主要有两种:刃型位错和螺型位错。刃型位错特点:滑移方向与位错线垂直,符号⊥,有多余半片原子面。螺型位错特点:滑移方向与位错线平行,与位错线垂直的面不是平面,呈螺施状,称螺型位错。 3-3非化学计量化合物有何特点?为什么非化学计量化合物都是n型或p型半导体材料? 解:非化学计量化合物的特点:非化学计量化合物产生及缺陷浓度与气氛性质、压力有关;可以看作是高价化合物与低价化合物的固溶体;缺陷浓度与温度有关,这点可以从平衡常数看出;非化学计量化合物都是半导体。由于负离子缺位和间隙正离子使金属离子过剩产生金属离子过剩(n型)半导体,正离子缺位和间隙负离子使负离子过剩产生负离子过剩(p型)半导体。 3-4影响置换型固溶体和间隙型固溶体形成的因素有哪些? 解:影响形成置换型固溶体影响因素:(1)离子尺寸:15%规律:1.(R1-R2)/R1>15%不连续。 2.<15%连续。 3.>40%不能形成固熔体。(2)离子价:电价相同,形成连续固熔体。( 3)晶体结构因素:基质,杂质结构相同,形成连续固熔体。(4)场强因素。(5)电负性:差值小,形成固熔体。差值大形成化合物。 影响形成间隙型固溶体影响因素:(1)杂质质点大小:即添加的原子愈小,易形成固溶体,反之亦然。(2)晶体(基质)结构:离子尺寸是与晶体结构的关系密切相关的,在一定程度上来说,结构中间隙的大小起了决定性的作用。一般晶体中空隙愈大,结构愈疏松,易形成固溶体。(3)电价因素:外来杂质原子进人间隙时,必然引起晶体结构中电价的不平衡,这时可以通过生成空位,产生部分取代或离子的价态变化来保持电价平衡。 3-5试分析形成固溶体后对晶体性质的影响。 解:影响有:(1)稳定晶格,阻止某些晶型转变的发生;(2)活化晶格,形成固溶体后,晶格结构有一定畸变,处于高能量的活化状态,有利于进行化学反应;(3)固溶强化,溶质原子的溶入,使固溶体的强度、硬度升高;(4)形成固溶体后对材料物理性质的影响:固溶体的电学、热学、磁学等物理性质也随成分而连续变化,但一般都不是线性关系。固溶体的强度与硬度往往高于各组元,而塑性则较低, 3-6说明下列符号的含义:V Na,V Na',V Cl˙,(V Na'V Cl˙),Ca K˙,Ca Ca,Ca i˙˙解:钠原子空位;钠离子空位,带一个单位负电荷;氯离子空位,带一个单位正电荷;最邻近的Na+空位、Cl-空位形成的缔合中心;Ca2+占据K.位置,带一个单位正电荷;Ca原子位于Ca原子位置上;Ca2+处于晶格间隙位置。 3-7写出下列缺陷反应式:(l)NaCl溶入CaCl2中形成空位型固溶体;(2)CaCl2溶入NaCl中形成空位型固溶体;(3)NaCl形成肖特基缺陷;(4)Agl形成弗伦克尔缺陷(Ag+进入间隙)。

第一章 金属的晶体结构作业 答案

第一章金属的晶体结构 1、试用金属键的结合方式,解释金属具有良好的导电性、正的电阻温度系数、导热性、塑性和金属光泽等基本特性. 答:(1)导电性:在外电场的作用下,自由电子沿电场方向作定向运动。 (2)正的电阻温度系数:随着温度升高,正离子振动的振幅要加大,对自由电子通过的阻碍作用也加大,即金属的电阻是随温度的升高而增加的。 (3)导热性:自由电子的运动和正离子的振动可以传递热能。 (4) 延展性:金属键没有饱和性和方向性,经变形不断裂。 (5)金属光泽:自由电子易吸收可见光能量,被激发到较高能量级,当跳回到原位时辐射所吸收能量,从而使金属不透明具有金属光泽。 2、填空: 1)金属常见的晶格类型是面心立方、体心立方、密排六方。 2)金属具有良好的导电性、导热性、塑性和金属光泽主要是因为金属原子具有金属键的结合方式。 3)物质的原子间结合键主要包括金属键、离子键和共价键三种。 4)大部分陶瓷材料的结合键为共价键。 5)高分子材料的结合键是范德瓦尔键。 6)在立方晶系中,某晶面在x轴上的截距为2,在y轴上的截距为1/2;与z轴平行,则该晶面指数为(( 140 )). 7)在立方晶格中,各点坐标为:A (1,0,1),B (0,1,1),C (1,1,1/2),D(1/2,1,1/2),那么AB晶向指数为(ī10),OC晶向指数为(221),OD晶向指数为(121)。 8)铜是(面心)结构的金属,它的最密排面是(111 )。 9) α-Fe、γ-Fe、Al、Cu、Ni、Cr、V、Mg、Zn中属于体心立方晶格的有(α-Fe 、 Cr、V ),属于面心立方晶格的有(γ-Fe、Al、Cu、Ni ),属于密排六方晶格的有( Mg、Zn )。 3、判断 1)正的电阻温度系数就是指电阻随温度的升高而增大。(√) 2)金属具有美丽的金属光泽,而非金属则无此光泽,这是金属与非金属的根本区别。(×) 3) 晶体中原子偏离平衡位置,就会使晶体的能量升高,因此能增加晶体的强度。(× ) 4) 在室温下,金属的晶粒越细,则其强度愈高和塑性愈低。(×) 5) 实际金属中存在着点、线和面缺陷,从而使得金属的强度和硬度均下降。 (×) 6)体心立方晶格中最密原子面是{110},原子排列最密的方向也是<111> .(对) 7)面心立方晶格中最密的原子面是{111},原子排列最密的方向是<110>。 ( 对 ) 8)纯铁加热到912℃时将发生α-Fe向γ-Fe的转变,体积会发生膨胀。 ( 错 ) 9)晶胞是从晶格中任意截取的一个小单元。(错) 10)纯铁只可能是体心立方结构,而铜只可能是面心立方结构。 (错) 4、选择题 1)金属原子的结合方式是( C )

固体物理知识点总结

一、考试重点 晶体结构、晶体结合、晶格振动、能带论的基本概念和基本理论和知识 二、复习内容 第一章晶体结构 基本概念 1、晶体分类及其特点: 单晶粒子在整个固体中周期性排列 非晶粒子在几个原子范围排列有序(短程有序) 多晶粒子在微米尺度内有序排列形成晶粒,晶粒随机堆积 准晶体粒子有序排列介于晶体和非晶体之间 2、晶体的共性: 解理性沿某些晶面方位容易劈裂的性质 各向异性晶体的性质与方向有关 旋转对称性 平移对称性 3、晶体平移对称性描述: 基元构成实际晶体的一个最小重复结构单元 格点用几何点代表基元,该几何点称为格点 晶格、 平移矢量基矢确定后,一个点阵可以用一个矢量表示,称为晶格平移矢量 基矢 元胞以一个格点为顶点,以某一方向上相邻格点的距离为该方向的周期,以三个不同方向的周期为边长,构成的最小体积平行六面体。原胞是晶体结构的最小体积重复单元,可以平行、无交叠、无空隙地堆积构成整个晶体。每个原胞含1个格点,原胞选择不是唯一的 晶胞以一格点为原点,以晶体三个不共面对称轴(晶轴)为坐标轴,坐标轴上原点到相邻格点距离为边长,构成的平行六面体称为晶胞。

晶格常数 WS元胞以一格点为中心,作该点与最邻近格点连线的中垂面,中垂面围成的多面体称为WS原胞。WS原胞含一个格点 复式格子不同原子构成的若干相同结构的简单晶格相互套构形成的晶格 简单格子 点阵格点的集合称为点阵 布拉菲格子全同原子构成的晶体结构称为布拉菲晶格子。 4、常见晶体结构:简单立方、体心立方、面心立方、 金刚石 闪锌矿 铅锌矿

氯化铯 氯化钠 钙钛矿结构

5、密排面将原子看成同种等大刚球,在同一平面上,一个球最多与六个球相切,形成密排面 密堆积密排面按最紧密方式叠起来形成的三维结构称为密堆积。 六脚密堆积密排面按AB\AB\AB…堆积 立方密堆积密排面按ABC\ABC\ABC…排列 5、晶体对称性及分类: 对称性的定义晶体绕某轴旋转或对某点反演后能自身重合的性质 对称面 对称中心 旋转反演轴

第一章晶体结构习题

第一章晶体结构习题 1、概念: 晶体,晶体结构,空间点阵,离子半径,离子极化,配位数,固溶体,合金 2、在正交简单点阵、底心点阵、体心点阵、面心点阵中分别画出(110)、(001两组晶面,并指出每个晶面上的结点数? 3、设有某一晶面在x、y、z三个坐标轴上的截距分别为1a,2b,3c,求该晶面符号? 4、在立方晶系中,一晶面在x轴的截距为1,在y轴的截距为1/2,且平行于z 轴,一晶向上某点坐标为x=1/2,y=0,z=1,求出其晶面指数和晶向指数,并绘图示之? 答:根据晶面和晶向指数的标定方法可知,题中晶面指数为(120),如图中ABCD,晶向指数为[102]如图中OP。 6、画出立方晶系中下列晶面和晶向:(010),(011),(111),(231),(321),[010],[011], [111],[231],[321]

7、什么叫离子极化?极化对晶体结构有什么影响? 在离子紧密堆积时,带电荷的离子所产生的电场必然要对另一离子的电子云发生作用(吸引或排斥),因而使这个离子的大小和形状发生了改变,这种现象叫离子极化。 极化会对晶体结构产生显著影响,主要表现为极化会导致离子间距离缩短,离子配位数降低,同时变形的电子云相互重叠,使键性由离子键向共价键过渡,最终使晶体结构类型发生变化. 8、氧化镁(MgO )与氯化钠(NaCl )具有相同结构。 求(1) MgO 的晶格常数;(2) MgO 的密度?(Ar(Mg)=24, Ar(O)=16) 解:(1) (2)每一个单位晶胞中含有4个Mg 2+及4个O 2-,1mol 的Mg 2+具有24g 的质量,1mol 的O 2-具有16g 的质量。 9、已知MgO 晶体中Mg 2+和O 2-在三维空间有规律地相间排列,其晶体结构相当于两套面心立方点阵互相套叠在一起,晶胞常数a=b=c=4.20, α=β=γ=90℃,请回 20.078Mg r nm +=20.132O r nm -=222()2(0.0780.132)0.396Mg O a r r nm +-=+=+=23233 3 7323 24164()4(2416) 6.0210 6.0210 4.28/(0.39610) 6.0210g g g cm a ρ-++??= = =???

固体物理——缺陷

班级成绩 学号第十二章晶体中的缺陷(crystal defect) 姓名 一、简要回答下列问题(answer the following questions): 1、为什么形成一个肖特基缺陷所需能量比形成一个弗仑克尔缺陷所需能量低? [答]形成一个肖特基缺陷时,晶体内留下一个空位,晶体表面多一个原子。因此形成一个肖特基缺陷所需的能量,可以看成晶体表面一个原子与其他原子的相互作用能,和晶体内部一个原子与其他原子的相互作用能的差值。 形成一个弗仑克尔缺陷时,晶体内留下一个空位,多一个填隙原子。因此形成一个弗仑克尔缺陷所需的能量,可以看成晶体内部一个填隙原子与其他原子的相互作用能,和晶体内部一个原子与其他原子的相互作用能的差值。 填隙原子与相邻原子的距离非常小,它与其他原子的排斥能比正常原子间的排斥能大得多。由于排斥能是正值,包括吸引能和排斥能的相互作用能是负值,所以填隙原子与其他原子的相互作用能的绝对值,比晶体表面一个原子与其他原子的相互作用能的绝对值要小。 也就是说,形成一个肖特基缺陷所需能量比形成一个弗仑克尔缺陷所需能量要低。 2、什么是刃位错与螺位错?它们各有什么特征? [答]当晶格周期性的破坏发生在晶体内部一条线的周围则称为线缺陷,通常又称之为位错。 刃位错: 亦称棱位错。其特点是: (1)原子的滑移方向与位错线的方向相垂直。 (2)晶体中有中断的原子面。 螺位错的特点是: (1)原子的滑移方向与位错线平行,且晶体内没有多余的半个晶面。 (2)垂直于位错线的各个晶面可以看成由一个晶面以螺旋阶梯的形式构成。 3、何为小角晶界?这种缺陷是面缺陷还是线缺陷? [答]具有完整结构的晶体两部分彼此之间的取向有着小角度θ的倾斜,在角θ里的部分是由少数几个多余的半晶面所组成的过渡区,这个区域称小角晶界。 这种缺陷是面缺陷。 二、解释下列物理概念(explain the following physics concepts): 1、缺陷 缺陷――晶体中的缺陷表征对晶体理想的周期结构的任何形式的偏离。

材料科学基础习题库第一章-晶体结构

(一).填空题 1.同非金属相比,金属的主要特性是__________ 2.晶体与非晶体的最根本区别是__________ 3.金属晶体中常见的点缺陷是__________ ,最主要的面缺陷是__________ 。4.位错密度是指__________ ,其数学表达式为__________ 。 5.表示晶体中原子排列形式的空间格子叫做__________ ,而晶胞是指__________ 。 6.在常见金属晶格中,原子排列最密的晶向,体心立方晶格是__________ ,而面心立方晶格是__________ 。 7.晶体在不同晶向上的性能是__________,这就是单晶体的__________现象。 一般结构用金属为__________ 晶体,在各个方向上性能__________ ,这就是实际金属的__________现象。 8.实际金属存在有__________ 、__________ 和__________ 三种缺陷。位错是__________ 缺陷。实际晶体的强度比理想晶体的强度__________ 得多。。9.常温下使用的金属材料以__________ 晶粒为好。而高温下使用的金属材料在一定范围内以__________ 晶粒为好。‘ 10.金属常见的晶格类型是__________、__________ 、__________ 。 11.在立方晶格中,各点坐标为:A (1,0,1),B (0,1,1),C (1,1,1/2),D(1/2,1,1/2),那么AB晶向指数为__________ ,OC晶向指数为__________ ,OD晶向指数为__________ 。 12.铜是__________ 结构的金属,它的最密排面是__________ ,若铜的晶格常数a=0.36nm,那么最密排面上原子间距为__________ 。 13 α-Fe、γ-Fe、Al、Cu、Ni、Pb、Cr、V、Mg、Zn中属于体心立方晶格的有 __________ ,属于面心立方晶格的有__________ ,属于密排六方晶格的有__________ 。 14.已知Cu的原子直径为0.256nm,那么铜的晶格常数为__________ 。1mm3Cu 中的原子数为__________ 。 15.晶面通过(0,0,0)、(1/2、1/4、0)和(1/2,0,1/2)三点,这个晶面的晶面指数为() 16.在立方晶系中,某晶面在x轴上的截距为2,在y轴上的截距为1/2;与z轴平行,则该晶面指数为__________ . 17.金属具有良好的导电性、导热性、塑性和金属光泽主要是因为金属原子具有__________ 的结合方式。 18.同素异构转变是指__________ 。纯铁在__________ 温度发生__________ 和__________ 多晶型转变。 19.在常温下铁的原子直径为0.256nm,那么铁的晶格常数为__________ 。20.金属原子结构的特点是______________________________________。21.物质的原子间结合键主要包括__________ 、__________ 和__________ 三种。 22.大部分陶瓷材料的结合键为__________ 。 23.高分子材料的结合键是__________ 。 25.位错线与柏氏矢量垂直,该位错为_________,位错线与柏氏矢量平行时为_______位错。

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