高端半导体项目
立项报告
规划设计/投资分析/实施方案
摘要
该高端半导体项目计划总投资3777.93万元，其中：固定资产投资2864.80万元，占项目总投资的75.83%；流动资金913.13万元，占项目总投资的24.17%。
达产年营业收入6566.00万元，总成本费用5176.57万元，税金及附加64.46万元，利润总额1389.43万元，利税总额1645.54万元，税后净利润1042.07万元，达产年纳税总额603.47万元；达产年投资利润率36.78%，投资利税率43.56%，投资回报率27.58%，全部投资回收期5.13年，提供就业职位98个。
充分依托项目承办单位现有的资源或社会公共设施，以降低投资，加快项目建设进度，采取切实可行的措施节约用水。贯彻主体工程与环境保护、劳动安全和工业卫生、消防工程“同时设计、同时建设、同时投产”的总体规划与建设要求。
随着半导体产业的发展，半导体的应用也越来越广泛，渗透于各个领域中。其中半导体在智能电网中的应用投入增速正保持一个较高的水平，相关行业呈现景气态势。
报告主要内容：概论、项目建设背景、市场调研、项目建设规模、项目选址说明、土建工程说明、项目工艺技术、环境保护可行性、项目安全管理、风险评估、节能情况分析、计划安排、项目投资规划、经济评价、项目结论等。
高端半导体项目立项报告目录
第一章概论
第二章项目建设背景
第三章项目建设规模
第四章项目选址说明
第五章土建工程说明
第六章项目工艺技术
第七章环境保护可行性
第八章项目安全管理
第九章风险评估
第十章节能情况分析
第十一章计划安排
第十二章项目投资规划
第十三章经济评价
第十四章项目招投标方案
第十五章项目结论
第一章概论
一、项目承办单位基本情况
（一）公司名称
xxx科技公司
（二）公司简介
公司始终坚持“人本、诚信、创新、共赢”的经营理念，以“市场为
导向、顾客为中心”的企业服务宗旨，竭诚为国内外客户提供优质产品和
一流服务，欢迎各界人士光临指导和洽谈业务。
公司认真落实科学发展观，在国家产业政策、环境保护政策以及相关
行业规范的指导下，在各级政府的强力领导和相关部门的大力支持下，将
建设“资源节约型、环境友好型”企业，作为企业科学发展的永恒目标和
责无旁贷的社会责任；公司始终坚持“源头消减、过程控制、资源综合利
用和必要的未端治理”的清洁生产方针；以淘汰落后及节能、降耗、清洁
生产和资源的循环利用为重点；以强化能源基础管理、推进节能减排技术
改造及淘汰落后装备、深化能源循环利用为措施，紧紧依靠技术创新、管
理创新，突出节能技术、节能工艺的应用与开发，实现企业的可持续发展；以细化管理、对标挖潜、能源稽查、动态分析、指标考核为手段，全面推
动全员能源管理及全员节能的管理思想；在项目承办单位全体职工中树立“人人要节能，人人会节能”的节能理念，达到了以精细管理促节能，以
精细操作降能耗的目的；为切实加快相关行业的技术改造，提升产品科技
含量等方面做了一定的工作，提高了能源利用效率，增强了企业的市场竞
争力，从而有力地促进了项目承办单位的高速、高效、健康发展。公司实
行董事会领导下的总经理负责制，推行现代企业制度，建立了科学灵活的
经营机制，完善了行之有效的管理制度。项目承办单位组织机构健全、管
理完善，遵循社会主义市场经济运行机制，严格按照《中华人民共和国公
司法》依法独立核算、自主开展生产经营活动；为了顺应国际化经济发展
的趋势，项目承办单位全面建立和实施计算机信息网络系统，建立起从产
品开发、设计、生产、销售、核算、库存到售后服务的物流电子网络管理
系统，使项目承办单位与全国各销售区域形成信息互通，有效提高工作效率，及时反馈市场信息，为项目承办单位的战略决策提供有利的支撑。
公司将加强人才的引进和培养，尤其是研发及业务方面的高级人才，
健全研发、管理和销售等各级人员的薪酬考核体系，完善激励制度，提高
公司员工创造力，为公司的持续快速发展提供强大保障。为实现公司的战
略目标，公司在未来三年将进一步坚持技术创新，加大研发投入，提升研
发设计能力，优化工艺制造流程；扩大产能，提升自动化水平，提高产品
品质；在巩固现有业务的同时，积极开拓新客户，不断提升产品的市场占
有率和公司市场地位；健全人才引进和培养体系，完善绩效考核机制和人
才激励政策，激发员工潜能；优化组织结构，提升管理效率，为公司稳定、快速、健康发展奠定坚实基础。
（三）公司经济效益分析
上一年度，xxx实业发展公司实现营业收入4928.95万元，同比增长24.51%（970.18万元）。其中，主营业业务高端半导体生产及销售收入为4117.68万元，占营业总收入的83.54%。
上年度主要经济指标
根据初步统计测算，公司实现利润总额1044.65万元，较去年同期相比增长204.71万元，增长率24.37%；实现净利润783.49万元，较去年同期相比增长139.72万元，增长率21.70%。
上年度主要经济指标
二、项目建设符合性
（一）产业发展政策符合性
由xxx科技公司承办的“高端半导体项目”主要从事高端半导体项目投资经营，其不属于国家发展改革委《产业结构调整指导目录（2011年本）》（2013年修正）有关条款限制类及淘汰类项目。
（二）项目选址与用地规划相容性
高端半导体项目选址于xx经济合作区，项目所占用地为规划工业用地，符合用地规划要求，此外，项目建设前后，未改变项目建设区域环境功能
区划；在落实该项目提出的各项污染防治措施后，可确保污染物达标排放，满足xx经济合作区环境保护规划要求。因此，建设项目符合项目建设区域
用地规划、产业规划、环境保护规划等规划要求。
（三）“三线一单”符合性
1、生态保护红线：高端半导体项目用地性质为建设用地，不在主导生
态功能区范围内，且不在当地饮用水水源区、风景区、自然保护区等生态
保护区内，符合生态保护红线要求。
2、环境质量底线：该项目建设区域环境质量不低于项目所在地环境功
能区划要求，有一定的环境容量，符合环境质量底线要求。
3、资源利用上线：项目营运过程消耗一定的电能、水，资源消耗量相
对于区域资源利用总量较少，符合资源利用上线要求。
4、环境准入负面清单：该项目所在地无环境准入负面清单，项目采取
环境保护措施后，废气、废水、噪声均可达标排放，固体废物能够得到合
理处置，不会产生二次污染。
三、项目概况
（一）项目名称
高端半导体项目
（二）项目选址
xx经济合作区
（三）项目用地规模
项目总用地面积10365.18平方米（折合约15.54亩）。
（四）项目用地控制指标
该工程规划建筑系数51.59%，建筑容积率1.35，建设区域绿化覆盖率7.65%，固定资产投资强度184.35万元/亩。
（五）土建工程指标
项目净用地面积10365.18平方米，建筑物基底占地面积5347.40平方米，总建筑面积13992.99平方米，其中：规划建设主体工程10466.12平方米，项目规划绿化面积1070.12平方米。
（六）设备选型方案
项目计划购置设备共计42台（套），设备购置费1066.15万元。
（七）节能分析
1、项目年用电量919517.17千瓦时，折合113.01吨标准煤。
2、项目年总用水量4727.98立方米，折合0.40吨标准煤。
3、“高端半导体项目投资建设项目”，年用电量919517.17千瓦时，年总用水量4727.98立方米，项目年综合总耗能量（当量值）113.41吨标准煤/年。达产年综合节能量37.80吨标准煤/年，项目总节能率28.88%，能源利用效果良好。
（八）环境保护
项目符合xx经济合作区发展规划，符合xx经济合作区产业结构调整
规划和国家的产业发展政策；对产生的各类污染物都采取了切实可行的治
理措施，严格控制在国家规定的排放标准内，项目建设不会对区域生态环
境产生明显的影响。
（九）项目总投资及资金构成
项目预计总投资3777.93万元，其中：固定资产投资2864.80万元，
占项目总投资的75.83%；流动资金913.13万元，占项目总投资的24.17%。
（十）资金筹措
该项目现阶段投资均由企业自筹。
（十一）项目预期经济效益规划目标
预期达产年营业收入6566.00万元，总成本费用5176.57万元，税金
及附加64.46万元，利润总额1389.43万元，利税总额1645.54万元，税
后净利润1042.07万元，达产年纳税总额603.47万元；达产年投资利润率36.78%，投资利税率43.56%，投资回报率27.58%，全部投资回收期5.13年，提供就业职位98个。
（十二）进度规划
本期工程项目建设期限规划12个月。
在技术交流谈判同时，提前进行设计工作。对于制造周期长的设备，
提前设计，提前定货。融资计划应比资金投入计划超前，时间及资金数量
需有余地。项目建设单位要制定严密的工程施工进度计划，并以此为依据，详细编制周、月施工作业计划，以施工任务书的形式下达给参与工程施工
的施工队伍。
四、项目评价
1、本期工程项目符合国家产业发展政策和规划要求，符合xx经济合
作区及xx经济合作区高端半导体行业布局和结构调整政策；项目的建设对
促进xx经济合作区高端半导体产业结构、技术结构、组织结构、产品结构
的调整优化有着积极的推动意义。
2、xxx实业发展公司为适应国内外市场需求，拟建“高端半导体项目”，本期工程项目的建设能够有力促进xx经济合作区经济发展，为社会
提供就业职位98个，达产年纳税总额603.47万元，可以促进xx经济合作
区区域经济的繁荣发展和社会稳定，为地方财政收入做出积极的贡献。
3、项目达产年投资利润率36.78%，投资利税率43.56%，全部投资回
报率27.58%，全部投资回收期5.13年，固定资产投资回收期5.13年（含
建设期），项目具有较强的盈利能力和抗风险能力。
4、民营企业和民间资本是培育和发展战略性新兴产业的重要力量。鼓
励和引导民营企业发展战略性新兴产业，对于促进民营企业健康发展，增
强战略性新兴产业发展活力具有重要意义。统计数据显示，民营经济如今
已成为中国经济的中坚力量。截至2017年年底，我国实有个体工商户6579.4万户，私营企业2726.3万户，广义民营企业合计占全部市场主体的
94.8%。而且，民营经济解决了绝大部分就业，是技术进步和创新的巨大驱动力：创造了60%以上GDP，贡献了70%以上的技术创新和新产品开发，提供了80%以上的就业岗位。十九大报告提出，毫不动摇巩固和发展公有制经济，毫不动摇鼓励、支持、引导非公有制经济发展。
综上所述，项目的建设和实施无论是经济效益、社会效益还是环境保护、清洁生产都是积极可行的。
五、主要经济指标
主要经济指标一览表
第二章项目建设背景
随着半导体产业的发展，半导体的应用也越来越广泛，渗透于各
个领域中。其中半导体在智能电网中的应用投入增速正保持一个较高
的水平，相关行业呈现景气态势。
智能电网发展趋势不可逆，下游产业拉动上游各模块高速发展。
随着国家将进一步推进智能电网的建设，未来智能电网行业的总投入
将持续扩大，行业内的相关企业将充分的释放产能。
在宏观政策方面，智能电网领域是《国务院关于加快培育和发展
战略性新兴产业的决定》中规定的新一代信息技术产业中“重要基础
设施智能化改造”的组成部分，也是国民经济实现快速健康发展的重
点建设领域。同时，根据国家电网公司发布的《国家电网智能化规划
总报告》，规划2009-2020年国家电网智能化投资3,840亿元，其中：2009-2010年是规划试点阶段，重点开展坚强智能电网发展规划，制定技术和管理标准，开展关键技术研发和设备研制，本阶段预计投资341亿元；2011-2015年是全面建设阶段，将加快特高压电网和城乡配电网建设，初步形成智能电网运行控制和互动服务体系，关键技术和装备
实现重大突破和广泛应用，本阶段预计投资1,749亿元；2016-2020年
是引领提升阶段，将全面建成统一的坚强智能电网，技术和装备达到
国际先进水平，本阶段预计投资1,750亿。
电网信息化投资规模持续加大，投资增速将维持较高水平。近年
来我国在电力信息化领域的投资规模逐步增大，历年同比增速保持在20%左右。2018年国家总电力信息化投资规模将突破800亿，同比增速将维持20%的高速状态。在电网信息投资规模的持续加大下，智能电网的发展也将受其红利影响，行业内公司景气度有望进一步提高。
在半导体产业链闭环中，随着下游终端设备需求旺盛，终端应用
对集成电路的需求正逐步加大，进一步拉动了上游MCU产业的持续增长。同时，国家发布的相关文件意图打造国内集成电路品牌，降低对
进口的依赖。国内需求兼利好政策，将共同刺激集成电路行业市场规
模进一步扩张。
MCU国内市场规模呈现稳健的增长模式，从2011年到2017年，平均国内市场规模每年同比增加6%左右。同时随着智能终端的产能放量，将加大闭环产业链中对上游MCU产量的需求，刺激MCU行业的景气发展。智能家居需求旺盛将拉动MCU的快速发展：未来的智能家居将实
现以人为本的智慧生活，MCU作为其中至关重要的端点和中枢，需提供丰富的实时数据传感和连接，是智能家居发展的核心部件。全球智能
家居市场规模在2015年已达485亿美元，预计2018年市场规模将达到710亿美元。
据市场调研公司《MarketsAndMarkets》发布报告称，全球智能家居市场规模将在2022年达到1220亿美元，2016－2022年年均增长率预测为14％。同时根据GfK报告表明，超过半数人认为在未来几年智能家居会对他们的生活产生影响。随着智能概念持续推广，未来智能家居市场规模有望实现超高速的增长，尤其是近几年中国的智能家居市场逐渐成为全球智能家居市场增长重心，2018年占全球智能家居比重有望从2014年的11%提升到31%，发展空间巨大，有望拉动国内MCU 需求量的高速增长.
根据《国家集成电路产业发展推进纲要》，国家明确提出到2020年，我国集成电路产业与国际先进水平的差距逐步缩小，全行业销售收入年均增速超过20%，预计像MCU等集成电路行业内企业的可持续发展能力将大幅增强。到2030年，集成电路产业链主要环节达到国际先进水平，一批企业进入国际第一梯队，实现跨越发展。国家的大力支持将进一步助推集成电路产业的发展。
第三章项目建设规模
一、产品规划
项目主要产品为高端半导体，根据市场情况，预计年产值6566.00万元。
进入二十一世纪以来，随着我国国民经济的快速持续发展，经济建设提出了走新型工业化发展道路的目标，国家出台并实施了加快经济发展的一系列政策，对于相关行业来说，调整产业结构、提高管理水平、筹措发展资金、参与国际分工，都将起到积极的推动作用，尤其是随着我国国民经济逐渐融入全球经济大循环，各行各业面临市场国际化，相应企业将面对极具技术优势、管理优势、品牌优势的竞争对手，市场份额将会形成新的分配格局。项目承办单位应建立良好的营销队伍，利用多媒体、广告、连锁等模式，不断拓展项目产品良好的营销渠道，提高企业的经济效益。通过对国内外市场需求预测可以看出，我国项目产品将以内销为主并扩大外销，随着产品宣传力度的加大，产品价格的降低，产品质量的提高和产品的多样化，项目产品必将更受欢迎；通过对市场需求预测分析，国内外市场对项目产品的需求量均呈逐年增加的趋势，市场销售前景非常看好。
二、建设规模
（一）用地规模
该项目总征地面积10365.18平方米（折合约15.54亩），其中：净用地面积10365.18平方米（红线范围折合约15.54亩）。项目规划总建筑面积13992.99平方米，其中：规划建设主体工程10466.12平方米，计容建筑面积13992.99平方米；预计建筑工程投资1214.04万元。
（二）设备购置
项目计划购置设备共计42台（套），设备购置费1066.15万元。
（三）产能规模
项目计划总投资3777.93万元；预计年实现营业收入6566.00万元。
第四章项目选址说明
一、项目选址原则
项目建设区域以城市总体规划为依据，布局相对独立，便于集中开展
科研、生产经营和管理活动，并且统筹考虑用地与城市发展的关系，与项
目建设地的建成区有较方便的联系。
二、项目选址
该项目选址位于xx经济合作区。
未来园区将依托自身优势，扩大对外合作，建设高端装备制造集群、
民生产业集群以及商贸物流为主的现代服务业”构成的“1+3+1”的现代产
业体系，预计到2020年，园区产值达到1000亿元以上，成为区域内有重
要影响的千亿级特色园区。2017年园区实现工业产值20亿元，利税2万元，分别比上年增长45%和63%。园区作为区域经济的龙头和现代化的新城区，
正上着新的目标奋进。园区不断坚持发展新产业新业态，加速结构优化和
动力转换。国家高新区不断发展新型产业组织，积极培育新兴业态，全面
构建高新技术转移转化通道和产业化平台，新兴产业生成能力和集聚效应
不断增强，已经成为支撑和引领区域产业结构调整的核心力量。
三、建设条件分析
项目投资环境优良，当地为招商引资出台了一系列优惠政策，为投资项目建设营造了良好的投资环境；项目建设地拥有完善的交通、通讯、供水、供电设施和工业配套条件，项目建设区域市场优势明显，对投资项目的顺利实施和建成后取得良好经济效益十分有利。
四、用地控制指标
投资项目办公及生活用地所占比重符合国土资源部发布的《工业项目建设用地控制指标》（国土资发【2008】24号）中规定的产品制造行业办公及生活用地所占比重≤7.00%的规定；同时，满足项目建设地确定的“办公及生活用地所占比重≤7.00%”的具体要求。
五、用地总体要求
本期工程项目建设规划建筑系数51.59%，建筑容积率1.35，建设区域绿化覆盖率7.65%，固定资产投资强度184.35万元/亩。
土建工程投资一览表
【丙烯】 一、物化性质 丙烯propylene，CAS No.115-07-1、结构式CH2=CHCH3、无色气体、带有甜味。气体的相对密度1.46、液体的相对密度0.5139、熔点-185.2℃、沸点-47.7℃、自燃温度460℃、临界温度91.4~92.3℃、临界压力4.5~4.56MPa。化学性质很活泼，与空气形成爆炸性混合物，爆炸极限2.0%~11.1%（体积）。 丙烯是一种无色可燃气体，蒸气比空气重，能长距离移动到一个明火源并产生回火。工业上它通常以液体形式装卸，因此当皮肤和眼睛接触到液体丙烯时会造成冷灼伤。高浓度丙烯是一种窒息性气体。 二、技术进展 丙烯的生产工艺可分为联产/副产工艺和专门工艺两大类，目前丙烯生产以乙烯装置联产品和炼厂副产品路线为主，世界上约70%的丙烯来自于蒸汽裂解装置的联产品和炼油厂的常规催化裂化装置，丙烷脱氢等专门技术的比例正逐步提高。全球丙烯的来源如表1： 表1 全球丙烯的来源（单位：%） 2005年2010年2015年 蒸汽裂解65 58 43 催化裂化30 34 33 专用装置 5 8 24 合计100 100 100 IHS化学在2014世界石化大会上表示，2000年世界专产丙烯产量仅占丙烯总供应量的3%，但2013年专产丙烯产量已占丙烯总供应量的14%，预计到2018年将增加至总供应量的29%。 蒸汽裂解产品丙烯收率如表2： 表2 蒸汽裂解产品丙烯收率 裂解原料丙烯收率% 乙烷 2.6 丙烷16.2 正丁烷17.2 石脑油16.1 瓦斯油15.1
乙烯裂解装置联产丙烯是全球丙烯资源最传统和最主要的来源，占全球丙烯产能的40%以上，蒸汽裂解装置生产的丙烯纯度达99.6%，通常是聚合级丙烯。炼油厂常规催化裂化装置回收是丙烯的第二大来源，目前约占全球丙烯产能的30%以上，炼油厂生产的丙烯纯度约在70%左右，通常是炼厂级丙烯。 随着聚丙烯等下游产品需求的快速增长，以及以乙烷为原料的新建乙烯生产装置比例的增加，丙烯资源供应逐渐呈现出紧张态势。相应地，以丙烯为目的产物的生产技术研究越来越活跃，丙烯生产技术已成为当前炼油和化工重点研究方向之一。甲醇制烯烃（MTO）、甲醇制丙烯（MTP）、丙烷脱氢（PDH）生产丙烯、烯烃转化（易位转化）生产丙烯等专门生产丙烯的技术取得了较大发展，特别是在亚洲、中东和北美等具有资源优势的地区。目前增产丙烯的新技术主要集中在下列几个方面： 1.改进FCC（流化催化裂化）技术 全球FCC装置通过调整原料品种、催化剂、工况和操作条件来增产丙烯的发展潜力非常大，国内外许多公司都在积极开展这方面的研究。 典型的催化裂化（FCC）装置每生产1吨汽油大约副产0.03～0.06 吨丙烯。经过升级改造和采用合适的催化剂助剂之后，丙烯的产率可达到18%~20%。近年针对FCC装置发展了多种增产丙烯的工艺技术，主要有：中国石化石油化工科学研究院(RIPP)的深度催化裂化工艺(DCC)、凯洛格一布朗路特(KBR)公司的Maxofin工艺和Superflex工艺、UOP公司的催化裂化(Petro FCC)工艺、鲁姆斯公司的选择组分催化裂化(SCC)工艺。 与传统的FCC相比，这类技术操作条件更为苛刻，要求反应温度、剂油比更高，催化时间更短。 表3 主要改进FCC炼油技术比较表 技术所有者UOP公司Lummus公司中石化石科院KBR/美孚公司工艺Petro FCC SCC DCC Maxofin 催化剂ZSM-5加合物ZZSM-5加合物ZSM-5 ZSM-5 起始温度（℃）560 -- 530-590 565-620 压力（MpaG）0.1-0.2 -- 0.1-0.2 0.1 催化剂/油（wt/wt）-- -- 10-15 10-16 反应时间（秒）-- -- 5-10 1-2 丙烯收率（wt%）22 18-20 18-25 20 工业化装置有-- 有--
国内外丙烯腈生产现状与发展趋势 丙烯腈(AN)是三大合成材料的重要原料之一，在合成树脂、合成纤维、合成橡胶等高分子材料中占有显著的地位并有着广阔的应用前景。目前世界丙烯腈产品用于腈纶生产约占50%。随着西方国家腈纶产量逐年减少，丙烯腈在纤维中的消耗比例正在呈逐年下降趋势。丙烯腈用于ABS、丁睛橡胶生产约占30%，用于生产己二腈约占10%。丙烯腈还应用于己内酞胺、多元醇聚合物等生产中，消耗量占10%左右。 丙烯的主要来源有两个，一是由炼油厂裂化装置的炼厂气回收；二是在石油烃裂解制乙烯时联产所得。丙烯大部分一直来自炼油厂，近年来，由于裂解装置建设较快，丙烯产量相应提高较快。和世界市场一样，近年来我国丙烯的发展速度也逐渐超过了乙烯。2000年，我国乙烯需求量478.89万吨，而丙烯的需求量却达到498.85万吨，首次超过乙烯，之后丙烯的需求量一种保持在乙烯之上。与乙烯相似，由于丙烯分子中含有双键和α-活泼氢，所以具有很高的化学反应活性。在工业生产中，利用丙烯的加成反应、氧化反应，羧基化、烷基化及其聚合反应等，可得一系列有价值的衍生物。 丙烯腈在常温下是无色透明液体，味甜，微臭，沸点77.5℃，凝固点-83.3℃，闪点0℃，自燃点481℃。可溶于有机溶剂如丙酮、苯、四氯化碳、乙醚和乙醇中，与水部分互溶，20℃时在水中的溶解度为7.3％(w)，水在丙烯腈中的溶解度为3.1％(w)。其蒸气与空气形成爆炸混合物，爆炸极限为3.05～17.5％(v)。丙烯腈和水、苯、四氯化碳、甲醇、异丙醇等会形成二元共沸混合物，和水的共沸点为71℃，共沸物中丙烯腈的含量为88％(w)，在有苯乙烯存在下，还能形成丙烯腈-苯乙烯-水三元共沸混合物。丙烯腈剧毒，其毒性大约为氢氰酸毒性的十分之一，能灼伤皮肤，低浓度时刺激粘膜，长时间吸入其蒸气能引起恶心，呕吐、头晕、疲倦等，因此在生产、贮存和运输中，应采取严格的安全防护措施，工作场所内丙烯腈允许浓度为0.002mg/L。 丙烯腈分子中有双键(c=c)和氰基(C N)两种不饱和键，化学性质很 活泼，能发生聚合、加成、水解、醇解等反应。 聚合反应发生在丙烯腈的C=C双键上，纯丙烯腈在光的作用下就能自行聚合，所以在成品丙烯腈中，通常要加入少量阻聚剂，如对苯二酚甲基醚(阻聚剂MEHQ)、对苯二酚、氯化亚铜和胺类化合物等。除自聚外，丙烯腈还能与苯乙烯、丁二烯、乙酸乙烯、氯乙烯、丙烯酰胺等中的一种或几种发生共聚反应，由此可制得各种合成纤维、合成橡胶、塑料、涂料和粘合剂等。 丙烯腈是三大合成的重要单体，目前主要用它生产聚丙烯腈纤维(商品名叫“腈纶”)。其次用于生产ABS树脂(丙烯腈—丁二烯—苯乙烯的共聚物)，和合成橡胶(丙烯腈—丁二烯共聚物)。丙烯腈水解所得的丙烯酸是合成丙烯酸树脂的单体。丙烯腈电解加氢，偶联制得的己二腈，是生产尼龙—66的原料。 一世界丙烯腈产能和市场需求分析 2005年世界丙烯腈产能为614万吨/年，2006年全球丙烯腈产能为617万吨/年。截至2009年，全球丙烯腈能力为623.7万吨/年。
第三章习题和答案 1. 计算能量在E=E c 到2 *n 2 C L 2m 100E E 之间单位体积中的量子态数。 解： 2. 试证明实际硅、锗中导带底附近状态密度公式为式（3-6）。 3 22 23 3*28100E 21 23 3 *22100E 002 1 233*231000L 8100)(3 222)(22)(1Z V Z Z )(Z )(22)(23 22 C 22 C L E m h E E E m V dE E E m V dE E g V d dE E g d E E m V E g c n c C n l m h E C n l m E C n n c n c ）（） （单位体积内的量子态数） （) (21)(,)"(2)()(,)(,)()(2~.2'2 1 3'' ''''2'21'21'21' 2 2222 22C a a l t t z y x a c c z l a z y t a y x t a x z t y x C C e E E m h k V m m m m k g k k k k k m h E k E k m m k k m m k k m m k ml k m k k h E k E K IC E G si ? 系中的态密度在等能面仍为球形等能面 系中在则：令） （关系为 ）（半导体的、证明： 3 1 23 2212 32' 2123 2 31'2 '''')()2(4)()(111100)()(24)(4)()(~l t n c n c l t t z m m s m V E E h m E sg E g si V E E h m m m dE dz E g dk k k g Vk k g d k dE E E ?? ? ? ）方向有四个， 锗在（旋转椭球，个方向，有六个对称的导带底在对于即状态数。 空间所包含的空间的状态数等于在
丙烯腈生产现状及前景分析 摘要：丙烯腈是一种重要的有机化工原料，主要应用于合成树脂、合成纤维及合成橡胶的 生产。目前，国内十多家丙烯腈生产商基本采用丙烯氨氧化法来生产丙烯腈。近年，国内丙烯腈的产能和产量稳步增加。丙烯腈以其在ABS 合成树脂方面等的应用及我国未来一段时间ABS 的迅猛需求将有较好的市场前景。 关键词：三大合成材料原料 丙烯氨氧化法 产能 产量 ABS 前言：丙烯腈是丙烯的第二大下游产品。丙烯是源自石油、煤、天然气的重要基础有机化 工原料，全球丙烯的产能已超1亿吨/年，其中约60%用于生产聚丙烯，其余部分用于生产丙烯腈、环氧丙烷、丙烯酸、异丙苯/苯酚/丙酮、羰基合成醇等基本有机原料。而我国2012年的丙烯产能1800万吨/年，产量1500万吨，其中约75%用于生产聚丙烯，基于丙烯原料的有机化工产业明显低于全球平均水平。随着我国今后几年中丙烯产能的快速增长，加快除聚丙烯以外的丙烯化工的综合发展已成为我国烯烃化工可持续发展的一项重要课题。而丙烯腈是丙烯的第二大下游产品。认清丙烯腈的生产现状及发展前景对于开发丙烯下游产品具有重要的意义。 1.丙烯腈的介绍及应用 丙烯腈是丙烯的第二大下游产品。虽然世界各国消费构成不同,但是从总体上来说,世界上大约有61 %的丙烯腈用于生产腈纶纤维,年需求量以2 %～3 %的速率增长;ABS 是丙烯腈的第二大用户,因该产品具有高强度、耐热、耐光和耐溶剂性能好等特点,今后10 年其需求量将以4. 5 %的速度增长;丁腈橡胶应用比例大约占4 % ,年增长率在1 %以上,主要用在汽车行业上;近年来己二腈用量增多,年增长率为4 % ,主要用于生产乌洛托品;丙烯酰胺的需求量亦以年均2 %的速率增长,主要用于纸张、废水处理、矿石处理、油品回收、三次采油化学品等方面。丙烯腈在其它方面应用也较多,如生产碳纤维、水处理树脂、防腐剂、涂料等,需求量将以年均3 %的速率增长。见下图。国内丙烯腈主要应用于合成纤维、合成橡胶、合成树脂等领域，其中，腈纶约占丙烯腈总需求的40％，ABS 树脂占35％，其它占25％。 丁腈橡胶 皮革、纺织品 纸张、处理剂 丙烯酸树脂 ABS 塑料 ABS 树脂 丁腈乳胶 丙烯酸 AS 树脂 丙烯腈 丙烯酰胺 抗水剂 己二醇 聚丙烯腈纤维 a-氯化丙烯腈 尼龙66 合成羊毛 （腈纶） 合成纤维
实验指导书 院系：机电工程学院 专业：微电子 课程：半导体物理与器件编者：孙玮
目录 实验一四探针法测量半导体电阻率和方块电阻 (1) 实验二半导体非平衡少子寿命测试 (10)
实验一 四探针法测量半导体电阻率 一、实验目的： 硅单晶的电阻率与半导体器件的性能有着十分密切的关系，半导体电阻率的测量是半导体材料常规参数测量项目之一。测量电阻率的方法很多，如三探针法、电容—电压法、扩展电阻法等。四探针法则是一种广泛采用的标准方法，在半导体工艺中最为常用，其主要优点在于设备简单，操作方便，精确度高，对样品的几何尺寸无严格要求。四探针法除了用来测量半导体材料的电阻率以外，在半导体器件生产中还广泛用来测量扩散层薄层电阻，以判断扩散层质量是否符合设计要求。因此，薄层电阻是工艺中最常需要检测的工艺参数之一。 本实验的目的是掌握四探针法测量电阻率和薄层电阻的原理及测量方法，针对不同几何尺寸的样品，掌握其修正方法；了解影响电阻率测量的各种因素和改进措施。 二、实验内容： 1. 对所给的各种样品分别测量其电阻率； 2. 对同一样品，测量五个不同的点，由此求出单晶断面电阻率不均匀度； 三、实验原理与方法： 1．半导体材料电阻率的测量 将四根探针加在待测半导体材料样品表面，由外面两根探针接恒流源，电流为I ，由中间两根探针测电压，从而求出材料的电阻率，它在很大程度上消除了探针的接触势垒及注入效应对测量的影响。 设样品为半无穷大，若样品的电阻率ρ均匀，引入点电流源的探针其电流强度为I ，则所产生的电力线具有球面的对称性，即等位面为一系列以点电流为中心的半球面，如图1.1所示。在以r 为半径的半球面上，电流密度j 的分布是均匀的。 2 2r I j π= (1-1） 若E 为r 处的电场强度，则 图1.1
第一章习题 1.设晶格常数为a 的一维晶格,导带极小值附近能量E c (k)与价带极大值附近 能量E V (k)分别为: E c =0 2 20122021202236)(,)(3m k h m k h k E m k k h m k h V -=-+ 0m 。试求： 为电子惯性质量，nm a a k 314.0,1==π (1)禁带宽度; （2） 导带底电子有效质量; （3）价带顶电子有效质量; (4)价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化 解:(1) eV m k E k E E E k m dk E d k m k dk dE Ec k k m m m dk E d k k m k k m k V C g V V V c 64.012)0()43(0,060064 30382324 30)(2320212102 2 20 202 02022210 1202==-==<-===-== >=+== =-+ηηηηηηηη因此：取极大值处，所以又因为得价带： 取极小值处，所以：在又因为：得：由导带： 04 3222* 83)2(1m dk E d m k k C nC ===η
s N k k k p k p m dk E d m k k k k V nV /1095.704 3)()()4(6 )3(25104300222* 11-===?=-=-=?=-==ηηηηη所以：准动量的定义： 2、 晶格常数为0、25nm 的一维晶格,当外加102V/m,107 V/m 的电场时,试分别计 算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。 解:根据:t k h qE f ??== 得qE k t -?=?η s a t s a t 13719282 1911027.810106.1) 0(1027.810106.1) 0(----?=??--= ??=??-- =?π πηη 补充题1 分别计算Si(100),(110),(111)面每平方厘米内的原子个数,即原子面密度(提示:先 画出各晶面内原子的位置与分布图) Si 在(100),(110)与(111)面上的原子分布如图1所示: (a)(100)晶面 (b)(110)晶面
丙烯腈项目可行性研究报告 15万吨丙烯腈合成工艺项目 安徽工业大学
目录 第一章总论 1.1 项目概况 1.1.1 项目名称 1.1.2 项目拟建地区 1.1.3 项目规模 1.1.4 项目分析—我国丙烯腈现状 1.2 项目设计依据、标准及原则 1.2.1 项目设计依据 1.2.2 项目使用的专业标准规范 1.2.3 项目设计原则 1.3 项目背景及意义 1.3.1 供需情况 1.3.2 供需预测 1.3.3 丙烯腈产业链价值分析及发展建议 1.3.4 丙烯腈下游主要产业链价值分析 1.4 研究范围 1.5 研究结论 1.6 存在的主要问题和建议 第二章建设规模 2.1设计原则 2.2市场分析
2.2.1原料成本分析 2.2.2 产品市场分析 2.3下游产品分析 2.4生产规模的确定 第三章丙烯腈合成工艺技术 3.1 总论 第四章集成方案 4.1 集成依据 4.2 与企业系统集成 4.3 项目集成 4.3.1 物料集成 4.3.2 能量集成 4.4 总结 第五章厂址选择 5.1 厂址选择原则 5.2 厂址简介 5.2.1 南京化学工业园区 5.2.2 南京科学文化底蕴深厚 5.3 区位优势
5.3.1 自然环境 5.3.2 自然资源 5.3.3 交通运输 5.3.4 基础设施 5.3.5 经济环境 5.3.6 科研力量 第六章经济与社会效益 6.1工程概况 6.2编制依据 6.3编制方法 6.4 项目总投资估算 6.4.1 固定资产投资 6.4.2 无形资产投资 6.4.3 递延资产费用 6.4.4 预备费 6.4.5 流动资金 6.4.6 建设期贷款利息 6.4.7 固定资产投资方向调节税 6.4.8 项目总投资汇总 6.5资金统筹 6.5.1 资金来源 6.5.2 还款计划
半导体材料的应用及产业现状 摘要：超晶格概念的提出及其半导体超晶格的研制成功，彻底改变了光电器件的设计思想。本文将讲述半导体的特征及地位和作用，国内外产业化现状和进展情况等。 关键词：半导体材料，电阻率，多晶硅，单晶硅，砷化镓，氮化镓 1半导体材料的应用 1.1半导体材料的特征：半导体材料是指电阻率在107Ω?cm~10-3Ω?cm，界于金属和绝缘体之间的材料。半导体材料虽然种类繁多但有一些固有的特性，称为半导体材料的特性参数。这些特性参数不仅能反映半导体材料与其他非半导体材料之间的差别，而且更重要的是能反映各种半导体材料之间甚至同一种材料在不同情况下特性上的量的差别。常用的半导体材料的特性参数有：禁带宽度、电阻率、载流子迁移率(载流子即半导体中参加导电的电子和空穴)、非平衡载流子寿命、位错密度。禁带宽度由半导体的电子态、原子组态决定，反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量。电阻率、载流子迁移率反映材料的导电能力。非平衡载流子寿命反映半导体材料在外界作用（如光或电场）下内部的载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性。位错是晶体中最常见的一类晶体缺陷。位错密度可以用来衡量半导体单晶材料晶格完整性的程度。当然，对于非晶态半导体是没有这一反映晶格完整性的特性参数的。 半导体材料的特性参数对于材料应用甚为重要。因为不同的特性决定不同的用途。晶体管对材料特性的要求：根据晶体管的工作原理，要求材料有较大的非平衡载流子寿命和载流子迁移率。用载流子迁移率大的材料制成的晶体管可以工作于更高的频率（有较好的频率响应）。晶体缺陷会影响晶体管的特性甚至使其失效。晶体管的工作温度高温限决定于禁带宽度的大小。禁带宽度越大，晶体管正常工作的高温限也越高。 光电器件对材料特性的要求：利用半导体的光电导（光照后增加的电导）性能的辐射探测器所适用的辐射频率范围与材料的禁带宽度有关。材料的非平衡载流子寿命越大，则探测器的灵敏度越高，而从光作用于探测器到产生响应所需的时间(即探测器的弛豫时间)也越长。因此，高的灵敏度和短的弛豫
大学物理实验报告霍尔效应 一、实验名称：霍尔效应原理及其应用二、实验目的：1、了解霍尔效应产生原理；2、测量霍尔元件的、曲线，了解霍尔电压与霍尔元件工作电流、直螺线管的励磁电流间的关系；3、学习用霍尔元件测量磁感应强度的原理和方法，测量长直螺旋管轴向磁感应强度及分布；4、学习用对称交换测量法(异号法)消除负效应产生的系统误差。 三、仪器用具：YX-04 型霍尔效应实验仪(仪器资产编号)四、实验原理：1、霍尔效应现象及物理解释霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。当带电粒子(电子或空穴)被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直于电流和磁场的方向上产生正负电荷的聚积，从而形成附加的横向电场。对于图1 所示。半导体样品，若在x 方向通以电流，在z 方向加磁场，则在y 方向即样品A、A′电极两侧就开始聚积异号电荷而产生相应的电场，电场的指向取决于样品的导电类型。显然，当载流子所受的横向电场力时电荷不断聚积，电场不断加强，直到样品两侧电荷的积累就达到平衡，即样品A、A′间形成了稳定的电势差(霍尔电压)。设为霍尔电场，是载流子在电流方向上的平均漂移速度；样品的宽度为，厚度为，载流子浓度为，则有：(1-1) 因为，，又根据，则(1-2)其中称为霍尔系数，是反映材料霍尔效应强弱的重要参数。只要测出、以及知道和，可按下式计算：(1-3)(1-4)为霍尔元件灵敏度。 根据RH 可进一步确定以下参数。(1)由的符号(霍尔电压的正负)判断样品的导电类型。判别的方法是按图1 所示的和的方向(即测量中的+，+)，若测得的 <0(即A′的电位低于A 的电位)，则样品属N 型，反之为P 型。(2)由求载流子浓度，即。应该指出，这个关系式是假定所有载流子都具有相同的漂移速度得到的。严格一点，考虑载流子的速度统计分布，需引入的修正因子(可参阅黄昆、谢希德著《半导体物理学》)。(3)结合电导率的测量，求载流子的迁移率。电导率与载流子浓度以及迁移率之间有如下关系：(1-5)2、霍尔效应中的副效应及其消除方法上述推导是从理想情况出发的，实际情况要复杂得多。产生上述霍尔效应的同时还伴随产生四种副效应，使的测量产生系统误差，如图 2 所示。 (1)厄廷好森效应引起的电势差。由于电子实际上并非以同一速度v 沿y 轴负向运动，速度大的电子回转半径大，能较快地到达接点3 的侧面，从而导致3 侧面较4 侧面集中较多能量高的电子，结果3、4 侧面出现温差，产生温差电动势。 可以证明。的正负与和的方向有关。(2)能斯特效应引起的电势差。焊点1、2 间接触电阻可能不同，通电发热程度不同，故1、2 两点间温度可能不同，于是引起热扩散电流。与霍尔效应类似，该热扩散电流也会在 3、4 点间形成电势差。 若只考虑接触电阻的差异，则的方向仅与磁场的方向有关。(3)里纪-勒杜克效应产生的电势差。上述热扩散电流的载流子由于速度不同，根据厄廷好森效应同样的理由，又会在3、4 点间形成温差电动势。的正负仅与的方向有关，而与的方向无关。(4)不等电势效应引起的电势差。由于制造上的困难及材料的不均匀性，3、4 两点实际上不可能在同一等势面上，只要有电流沿x 方向流过，即使没有磁场，3、4 两点间也会出现电势差。的正负只与电流的方向有关，而与的方向无关。综上所述，在确定的磁场和电流下，实际测出的电压是霍尔
第一章习题 1．设晶格常数为a 的一维晶格，导带极小值附近能量E c (k)和价带极大值附近 能量E V (k)分别为： E c =0 2 20122021202236)(,)(3m k h m k h k E m k k h m k h V - =-+ 0m 。试求： 为电子惯性质量，nm a a k 314.0,1== π （1）禁带宽度; （2） 导带底电子有效质量; （3）价带顶电子有效质量; （4）价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化 解：（1） eV m k E k E E E k m dk E d k m k dk dE Ec k k m m m dk E d k k m k k m k V C g V V V c 64.012)0()43 (0,060064 3 382324 3 0)(2320 2121022 20 202 02022210 1202== -==<-===-==>=+===-+ 因此：取极大值 处，所以又因为得价带： 取极小值处，所以：在又因为：得：由导带： 04 32 2 2*8 3)2(1 m dk E d m k k C nC ===
s N k k k p k p m dk E d m k k k k V nV /1095.704 3 )() ()4(6 )3(25104 3002 2 2*1 1 -===?=-=-=?=- == 所以：准动量的定义： 2. 晶格常数为0.25nm 的一维晶格，当外加102V/m ，107 V/m 的电场时，试分别 计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。 解：根据：t k h qE f ??== 得qE k t -?=? s a t s a t 137 19 282 1911027.810 10 6.1)0(102 7.810106.1) 0(----?=??-- =??=??-- = ?π π 补充题1 分别计算Si （100），（110），（111）面每平方厘米内的原子个数，即原子面密度 （提示：先画出各晶面内原子的位置和分布图） Si 在（100），（110）和（111）面上的原子分布如图1所示： （a ）(100)晶面 （b ）(110)晶面
课程实习报告 HUNAN UNIVERSITY 题目：半导体物理与器件 学生姓名：周强强 学生学号：20100820225 专业班级：通信二班 完成日期：2012.12.22
运行结果截图： 2.2 函数(),cos(2/)V x t x t πλω=-也是经典波动方程的解。令03x λ≤≤，请在同一坐标中 绘出x 的函数(),V x t 在不同情况下的图形。 (1)0;(2)0.25;(3)0.5;(4)0.75;(5)t t t t t ωωπωπωπωπ =====。 3.27根据式（3.79），绘制出0.2()0.2F E E eV -≤-≤范围内，不同温度条件下的费米-狄拉克概率函数：()200,()300,()400a T K b T K c T K ===。
4.3 画出a （）硅，b （）锗，c （）砷化镓在温度范围200600K T K ≤≤内的本征载流子浓度曲线 （采用对数坐标）。
4.46 已知锗的掺杂浓度为15 3a =310 cm N -?，d =0N 。画出费米能级相对于本征费米能级的位 置随温度变化 200600)K T K ≤≤（的曲线。
5.20硅中有效状态密度为 19 3/2c 2.8 10()300T N =? 193/2 1..0410() 300 T N ν=? 设迁移率为 3/2 n =1350300T μ-?? ? ?? 3/2 =480300T ρμ-?? ? ?? 设禁带宽带为g =1.12V E e ，且不随温度变化。画出200600K T K ≤≤范围内，本征电导率随绝对温度T 变化的关系曲线。
半导体物理学第七版完 整答案修订版 IBMT standardization office【IBMT5AB-IBMT08-IBMT2C-ZZT18】
第一章习题 1．设晶格常数为a 的一维晶格，导带极小值附近能量E c (k)和价带极大值附近能量E V (k) 分别为： E C （K ）=0 2 20122021202236)(,)(3m k h m k h k E m k k h m k h V - =-+ （1）禁带宽度; （2）导带底电子有效质量; （3）价带顶电子有效质量; （4）价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化 解：（1） 2. 晶格常数为0.25nm 的一维晶格，当外加102V/m ，107 V/m 的电场时，试分别计算电子 自能带底运动到能带顶所需的时间。 解：根据：t k h qE f ??== 得qE k t -?=? 补充题1 分别计算Si （100），（110），（111）面每平方厘米内的原子个数，即原子面密度（提 示：先画出各晶面内原子的位置和分布图） Si 在（100），（110）和（111）面上的原子分布如图1所示：
（a ）(100)晶面 （b ）(110)晶面 （c ）(111)晶面 补充题2 一维晶体的电子能带可写为)2cos 81 cos 8 7()22ka ka ma k E +-= （， 式中a 为 晶格常数，试求 （1）布里渊区边界； （2）能带宽度； （3）电子在波矢k 状态时的速度； （4）能带底部电子的有效质量* n m ； （5）能带顶部空穴的有效质量*p m 解：（1）由 0)(=dk k dE 得 a n k π = （n=0，?1，?2…） 进一步分析a n k π ) 12(+= ，E （k ）有极大值， a n k π 2=时，E （k ）有极小值
丙烯腈下游产品主要是ABS、腈纶、丙烯酰胺等产品，随着国内经济的发展，丙烯腈进口量是不断加大，近几年产需情况如下表： 表五2001-2009年国内丙烯腈供需情况万吨/年 由表中数据可见，近三年平均进口量在40万吨左右，尽管丙烯腈国内将不断有新装置投产，但下游产品ABS及丙烯酰胺的新建装置更多，所以未来几年国内进口量估计仍会来断增加。 国内主要是从韩国（所占比例54.4%）与台湾（所占比例29.2%）进口丙烯腈，由南京海关（所占比例50.6%）与宁波海关（所占比例40.7%）入境。 表八2001-2008年我国丙烯腈进口省市状况万吨，% 河北省 4.0 15.3 2.9 9.0 0.01 0.02 吉林省 2.1 8.0 0.2 0.5 0 0 江苏省 5.3 20.5 11.6 35.7 12.81 44.92 山东省 4.0 15.5 0.7 2.3 0.004 0.01 上海市 3.7 14.4 1.9 5.9 4.75 16.64 浙江省 6.3 24.3 14.7 45.4 10.67 37.41 合计26.01 100.0 32.4 100.0 28.5 100.0 国内丙烯腈的下游应用领域相对集中、下游用户相对集中，因此国内丙烯腈的进口省市也相对集中，主要集中在江苏及浙江省，2008年上述两省进口的丙烯腈占总进口量的比例分别为44.92%及37.41%，另外，河北省、山东省、上海市等省市也有部分进口，所占比例略有变化。
消费结构分析 2009年，国内丙烯腈消费量达141.8万吨，主要用于以下领域：腈纶及ABS/SAN、丙烯酰胺、聚醚多元醇、丁腈橡胶和一些精细化工产品中间体等。 2009年，国内腈纶消耗丙烯腈75.4万吨，占总消费量的50.5%；ABS及SAN树脂产量约消耗丙烯腈47.0万吨，占总消费量的31.5%；丙烯酰胺产量超过20万吨，约消耗丙烯腈17.3万吨，占总消费量的11.6%；聚醚多元醇的产量估计达92万吨，约消耗丙烯腈1.5万吨，占总消费量的1.0%；丁腈橡胶产量约4万吨，消费丙烯腈1.4万吨，占总消费量的1%；其它化工产品约消耗丙烯腈6.6万吨，占总消费量的4.4%。 表十2007年我国丙烯腈消费状况万吨，% ABS/SAN 47.0 31.5 丙烯酰胺17.3 11.6 聚醚多元醇 1.5 1.0 丁腈橡胶 1.4 1.0 其它 6.8 4.4 合计149.3 100.0 在以上消费领域中，腈纶及ABS/SAN是丙烯腈最主要的消费领域，近年来一直占丙烯腈消费总量的80%以上。但随着聚丙烯酰胺在石油开采、造纸、水处理、采矿等方面应用越来越广，其需求量快速增加，对丙烯酰胺的需求相应增加较多，国内的聚丙烯酰胺装置一般多配有丙烯酰胺生产装置，因此在此方面的消费量不断增长，在丙烯腈的消费结构中所占比例也有所提高。 因此随着国内丙烯腈下游消费增长，主要来自ABS/SAN树脂及新建聚丙烯酰胺装置的陆续投产，丙烯腈的需求也将进入一个较快发展的阶段。 表十一2007-2015年国内丙烯腈消费结构预测万吨，% ABS/SAN 47.0 31.5 56.61 30.6 68.64 31.2 丙烯酰胺17.3 11.6 24.79 13.4 38.28 17.4 丁腈橡胶 1.5 1.0 1.67 0.9 3.3 1.5 聚醚多元醇 1.4 1.0 7.77 4.2 9.68 4.4 其它 6.8 4.4 3.7 2.0 5.5 2.5 合计149.3 100.0 185 100.0 220 100.0
2020年半导体行业分 析报告 2019年12月
目录 一、全球半导体呈现周期性，国产替代赋予成长性 (4) 1、全球半导体呈现周期性，新需求催生创新周期 (4) 2、国产替代赋予成长性，自主可控加速成长属性 (5) 3、国内半导体行业受到创新周期与国产替代双重影响 (6) 二、多重创新周期叠加，恰逢2020年 (7) 1、5G手机：2020年是5G换机周期年 (7) 2、TWS耳机：2020年是安卓TWS放量年 (9) 3、服务器：2020年是服务器重回增长年 (10) 4、游戏主机：2020年是主机换机周期年 (11) 三、上游产业链供不应求，景气度回升 (13) 1、代工：先进制程到成熟制程，景气度相继回暖 (13) （1）台积电：2019Q2起大反转 (13) （2）联电、中芯国际：2019Q3产能利用率提升 (14) （3）世界先进、华虹：预计2019Q4景气度回升 (15) 2、存储：NAND、DRAM价格已逐渐企稳，预计20Q2涨价 (16) 3、CIS：数量+像素双轮驱动，涨价开始积极扩产 (17) 4、封测：5G等需求拉动下19H2已回暖 (19)
全球半导体呈现周期性，国产替代赋予成长性。全球半导体行业因其下游需求的不断迭代，如大型机、家电到PC、笔记本到功能机、智能手机的迭代，而具有一定的周期属性。近年不断发生的中兴、华为事件、中美贸易摩擦等又加速促进了国产替代的进程。国内半导体行业受到下游需求创新周期和国产替代的双重影响。 多重创新周期叠加，恰逢2020年。半导体行业下游应用主要包括计算端（电脑、服务器）、通讯端（手机、有线通讯）和消费电子端（可穿戴、电视）等。（1）随着5G基站的进一步建设和配套应用的不断发展，2020年将迎来第一波5G换机潮；（2）受益于2019年Q3联发科、高通、华为等相继实现TWS蓝牙连接技术问题，打破苹果AirPods监听模式专利封锁，安卓TWS或将迎来行业拐点；（3）随着全球服务器库存逐渐消化完毕，企业持续进行的数字化转型和AI应用的推进，服务器在2020年将重回增长步伐；（4）游戏主机大厂索尼将在2020年推出新一代游戏机Playstation 5，也将对半导体产业链产生一定的拉动作用。5G手机、TWS耳机、服务器和游戏主机这四大创新周期将成为2020年半导体行业下游需求的主要增长点。此外，汽车、AIOT等也将驱动半导体行业复苏。 上游产业链供不应求，景气度回升。代工方面，第一梯队厂商台积电2019年Q2收入开始大反转，资本开支显著增加。第二梯队厂商联电、中芯国际2019年Q3产能利用率开始提升。第三梯队厂商世界先进、华虹2020年一季度产能已被订空；存储方面，NAND、DRAM 价格已逐渐企稳，2020年有反弹趋势；CIS方面，后置四摄手机时代
第五章习题 1. 在一个n 型半导体样品中，过剩空穴浓度为1013cm -3, 空穴的寿命为100us 。计算空穴的复合率。 2. 用强光照射n 型样品，假定光被均匀地吸收，产生过剩载流子，产生率为,空穴寿命为。 （1）写出光照下过剩载流子所满足的方程； （2）求出光照下达到稳定状态时的过载流子浓度。 3. 有一块n 型硅样品，寿命是1us ，无光照时电阻率是10cm 。今用光照射该样品，光被半导体均 匀的吸收，电子-空穴对的产生率是1022cm -3s-1 ,试计算光照下样品的电阻率，并求电导中少数在流子 的贡献占多大比例？ 4. 一块半导体材料的寿命=10us ，光照在材料中会产生非平衡载流子，试求光照突然停止20us 后， s cm p U s cm p U p 31710 10010 313/10U 100,/10613 ==?= ====?-??-τ τμτ得：解：根据？求：已知：τ τ τ ττ g p g p dt p d g Ae t p g p dt p d L L t L =?∴=+?-∴=?+=?+?-=?∴-. 00 )2()(达到稳定状态时，方程的通解：梯度，无飘移。 解：均匀吸收，无浓度cm s pq nq q p q n pq np cm q p q n cm g n p g p p n p n p n p n L /06.396.21.0500106.1101350106.11010.0:101 :1010100 .19 16191600'000316622=+=???+???+=?+?++=+=Ω=+==?==?=?=+?-----μμμμμμσμμρττ光照后光照前光照达到稳定态后% 2606.38.006.3500106.1109. ,.. 32.0119 161 0' '==???=?∴?>?Ω==-σσ ρp u p p p p cm 的贡献主要是所以少子对电导的贡献献 少数载流子对电导的贡
2015-2020年中国丙烯腈行业市场分析与投资战略研究报告 中国产业信息网
什么是行业研究报告 行业研究是通过深入研究某一行业发展动态、规模结构、竞争格局以及综合经济信息等，为企业自身发展或行业投资者等相关客户提供重要的参考依据。 企业通常通过自身的营销网络了解到所在行业的微观市场，但微观市场中的假象经常误导管理者对行业发展全局的判断和把握。一个全面竞争的时代，不但要了解自己现状，还要了解对手动向，更需要将整个行业系统的运行规律了然于胸。 行业研究报告的构成 一般来说，行业研究报告的核心内容包括以下五方面：
行业研究的目的及主要任务 行业研究是进行资源整合的前提和基础。 对企业而言，发展战略的制定通常由三部分构成：外部的行业研究、内部的企业资源评估以及基于两者之上的战略制定和设计。 行业与企业之间的关系是面和点的关系，行业的规模和发展趋势决定了企业的成长空间；企业的发展永远必须遵循行业的经营特征和规律。 行业研究的主要任务： 解释行业本身所处的发展阶段及其在国民经济中的地位 分析影响行业的各种因素以及判断对行业影响的力度 预测并引导行业的未来发展趋势 判断行业投资价值 揭示行业投资风险 为投资者提供依据
2015-2020年中国丙烯腈行业市场分析与投资战略研究报告 【出版日期】2015年 【交付方式】Email电子版/特快专递 【价格】纸介版：7000元电子版：7200元纸介+电子：7500元【报告编号】R325410 报告目录： 第一章2015年国际丙烯腈行业发展动态分析17 第一节2015年国际丙烯腈产业供给分析17 一、全球丙烯腈产能现状17 二、国际丙烯腈消费结构现状18 三、国外丙烯腈下游消费领域发展分析19 第二节2015年主要国家地区丙烯腈行业市场现状分析21 一、美国21 二、西欧21 三、日本22 四、韩国22 第三节2015-2020年世界丙烯腈产业市场发展潜力预测分析23 第二章2015年中国丙烯腈产业运行环境分析25 第一节2015年中国宏观经济环境分析25 一、国民经济运行情况GDP(季度更新) 25
试验一 单晶硅少子寿命测试 一．试验目的 1．了解半导体非平衡少子寿命的概念和重要性。 2．掌握高频光电导衰减法测量寿命的基本原理。 3．学会“DSY-Ⅱ硅单晶寿命仪”的使用。 二．实验原理 1．非平衡载流子的注入 我们知道，处于热平衡状态的半导体，在一定的温度下，载流子浓度使一定的。这种处于平衡状态下的载流子浓度，称为平衡载流子浓度。 对非简并半导体来说，有2 0exp()g o o c v i E n p N N n k T =- = 如果对半导体施加外界作用（光注入或者电注入），破坏热平衡条件，则半导体处于非平衡状态，其载流子浓度不再是o n 、o p ，而是存在过剩载流子n ?、p ?，称为非平衡载流子。 当外界作用消失后，注入的非平衡载流子不能一直存在下去，最后，载流子浓度恢复导平衡时的值，半导体又回到平衡态，这个过程即是非平衡载流子的复合。但非平衡载流子不是立刻全部消失，而有一个过程，即它们在导带和价带中有一定的生存时间，有的长，有的短。非平衡载流子的平均生存时间称为非平衡载流子的寿命，用τ表示。由于相对于非平衡多数载流子，非平衡少数载流子的更重要，因而非平衡载流子的寿命常称为少数载流子寿命。 假定一束光在n 型半导体内部均匀地产生非平衡载流子n ?、p ?，且n p ?=?。在t ＝0时，突然光照停止，p ?将随时间变化。单位时间内非平衡载流子浓度的减少应为()d p t dt ?，它 是由复合引起的，因此应当等于非平衡载流子的复合率。 即 ()() d p t p t dt τ ??=- 。 小住入时，τ为恒量，与()p t ?无关， ()t p t Ce τ -∴?=。 设t ＝0时，0(0)()p p ?=?，则0()C p =?， 0()()t p t p e τ -∴?=?。 这就是非平衡载流子浓度随渐渐按指数衰减的规律。利用上式可求出非平衡载流子平均生存时间t 就是τ。 ()/()/t t t td p t d p t te dt de dt τ τ τ- - ∞∞ ∞∞= ??= =? ?? ? 所以寿命标志着非平衡载流子浓度减少导原值1/e 所经历的时间。寿命不同，非平衡载流子衰减的快慢不同，寿命越短，衰减越快。 2．高频光电导衰减法
我国丙烯腈行业生产现状分析 中国报告网 出版时间：2014年
导读：我国丙烯腈行业生产现状分析，目前我国共有9家丙烯腈生产厂家，均采用丙烯氨氧化法生产工艺，主要分布在东北和华东地区，分别占全国总产能的49.6%和47.9%。 参考《中国丙烯腈市场供需态势与发展前景预测报告(2014-2019)》 1 丙烯腈行业生产企业现状 目前我国共有9家丙烯腈生产厂家，均采用丙烯氨氧化法生产工艺，主要分布在东北和华东地区，分别占全国总产能的49.6%和47.9%（见表1）。 2 新建与拟建情况 由于目前我国的丙烯腈生产能力和产量还不能满足实际生产的需求，有多家企业准备新建或扩建丙烯腈生产装置。据初步统计，目前在建或计划建设的丙烯腈装置生产能力达到1500 kt/a（见表2），但由于丙烯腈属于剧毒化学品，国家执行严格管制，再加上近年来丙烯腈装置效益下滑，因此新增装置的投产均存在不确定性。
从表2的丙烯腈产能增长情况分析：2013—2016年国内的丙烯腈产能将进入快速增长阶段，特别是从2014年开始，连续3年的增速分别为18.3%，38.7%，19.8%，远远大于前几年的增长率。如果上述产能计划均能建成，预计2015年丙烯腈产能将达到2330 kt/a，2016年则能达到2790 kt/a。
丙烯腈行业市场调研报告相关问题解答 1、什么是丙烯腈行业调研 丙烯腈行业调研是开展一切咨询业务的基石，通过对特定丙烯腈行业的长期跟踪监测，分析市场需求、供给、经营特性、获取能力、产业链和价值链等多方面的内容，整合丙烯腈行业、市场、企业、用户等多层面数据和信息资源，为客户提供深度的丙烯腈行业市场研究报告，以专业的研究方法帮助客户深入的了解丙烯腈行业，发现投资价值和投资机会，规避经营风险，提高管理和运营能力。 丙烯腈行业研究是对一个行业整体情况和发展趋势进行分析，包括行业生命周期、行业的市场容量、行业成长空间和盈利空间、行业演变趋势、行业的成功关键因素、进入退出壁垒、上下游关系等。 关于丙烯腈行业市场调研中主要包含以下几点核心内容 调研企业通过自身营销及庞大互联网市场，掌握市场宏观微观经济，为国内外的企业单位、