硅片的化学清洗总结
硅片清洗的一般原则是首先去除表面的有机沾污；然后溶解氧化层(因为氧化层是“沾污陷阱”，也会引入外延缺陷)；最后再去除颗粒、金属沾污，同时使表面钝化。
清洗硅片的清洗溶液必须具备以下两种功能:(1)去除硅片表面的污染物。溶液应具有高氧化能力，可将金属氧化后溶解于清洗液中，同时可将有机物氧化为CO2和H2O；(2)防止被除去的污染物再向硅片表面吸附。这就要求硅片表面和颗粒之间的Z电势具有相同的极性，使二者存在相斥的作用。在碱性溶液中，硅片表面和多数的微粒子是以负的Z电势存在，有利于去除颗粒；在酸性溶液中，硅片表面以负的Z电势存在，而多数的微粒子是以正的Z电势存在，不利于颗粒的去除。
1 传统的RCA清洗法
1.1 主要清洗液
1.1.1 SPM（三号液）（H2SO4∶H2O2∶H2O）
在120～150℃清洗10min左右，SPM具有很高的氧化能力，可将金属氧化后溶于清洗液中，并能把有机物氧化生成CO2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的重有机沾污和部分金属，但是当有机物沾污特别严重时会使有机物碳化而难以去除。经SPM清洗后，硅片表面会残留有硫化物，这些硫化物很难用去粒子水冲洗掉。由Ohnishi提出的SPFM(H2SO4/H2O2/HF)溶液，可使表面的硫化物转化为氟化物而有效地冲洗掉。由于臭氧的氧化性比H2O2的氧化性强，可用臭氧来取代H2O2(H2SO4/O3/H2O称为SOM溶液)，以降低H2SO4的用量和反应温度。H2SO4(98%):H2O2(30%)=4:1
1.1.2 DHF（HF(H2O2)∶H2O）
在20～25℃清洗30s 腐蚀表面氧化层，去除金属沾污，DHF清洗可去除表面氧化层，使其上附着的金属连同氧化层一起落入清洗液中，可以很容易地去除硅片表面的Al，Fe，Zn，Ni等金属，但不能充分地去除Cu。HF：H2O2=1：50。
1.1.3 APM(SC-1)（一号液）（NH4OH∶H2O2∶H2O）
在65～80℃清洗约10min 主要去除粒子、部分有机物及部分金属。由于H2O2的作用，硅片表面有一层自然氧化膜(Si02)，呈亲水性，硅片表面和粒子之间可被清洗液浸透。由于硅片表面的自然氧化层与硅片表面的Si被NH4OH腐蚀，因此附着在硅片表面的颗粒便落入清洗液中，从而达到去除粒子的目的。此溶液会增加硅片表面的粗糙度。Fe，Zn，Ni等金属会以离子性和非离子性的金属氢氧化物的形式附着在硅片表面，能降低硅片表面的Cu的附着。体积比为(1∶1∶5)~(1∶2∶7)的NH4OH (27 %)、H2O2(30%)和H2O组成的热溶液。稀释化学试剂中把水所占的比例由1∶5增至1∶50，配合超声清洗，可在更短时间内达到相当或更好的清洗效果。
SC-1清洗后再用很稀的酸(HCl∶H2O为1∶104)处理，在去除金属杂质和颗粒上可收到良好的效果，也可以用稀释的HF溶液短时间浸渍，以去除在SC-1形成的水合氧化物膜。最后，常常用SC-1原始溶液浓度1/10的稀释溶液清洗，以避免表面粗糙，降低产品成本，以及减少对环境的影响。
1.1.4 HPM(SC-2)（二号液）（HCl∶H2O2∶H2O）
在65～85℃清洗约10min用于去除硅片表面的钠、铁、镁等金属沾污，。在室温下HPM就能除去Fe和Zn。H2O2会使硅片表面氧化，但是HCl不会腐蚀硅片表面，所以不会使硅片表面的微粗糙度发生变化。(1∶1∶6)~ (2∶1∶8)的H2O2(30%)、HCl(37%)和水组成的热混合溶液。对含有可见残渣的严重沾污的晶片，可用热H2SO4-H2O(2∶1)混合物进行预清洗。
1.2 传统的RCA清洗流程
1.3 各洗液的清洗说明
1.3.1 SC-1洗液
1.3.1.1 去除颗粒
硅片表面由于H2O2氧化作用生成氧化膜(约6mm呈亲水性)，该氧化膜又被NH4OH腐蚀，腐蚀后立即又发生氧化，氧化和腐蚀反复进行，因此附着在硅片表面的颗粒也随腐蚀层而落入清洗液内。
①自然氧化膜约0.6nm厚，其与NH4OH、H2O2浓度及清洗液温度无关。
②SiO2的腐蚀速度随NH4OH的浓度升高而加快，其与H2O2的浓度无关。
③Si的腐蚀速度，随NH4OH的浓度升高而快当，到达某一浓度后为一定值，H202浓度越高这一值越小。
④NH4OH促进腐蚀，H2O2阻碍腐蚀。
⑤若H2O2的浓度一定，NH4OH浓度越低，颗粒去除率也越低，如果同时降低H2O2浓度可抑制颗粒的去除率的下降。
⑥随着清洗液温度升高，颗粒去除率也提高在一定温度下可达最大值。
⑦颗粒去除率与硅片表面腐蚀量有关为确保颗粒的去除要有一定量以上的腐蚀。
⑧超声波清洗时由于空化现象只能去除≥0.4μm颗粒。兆声清洗时由于0.8Mhz的加速度作用能去除≥0.2μm颗粒，即使液温下降到40℃也能得到与80℃超声清洗去除颗粒的效果，而且又可避免超声清洗对晶片产生损伤。
⑨在清洗液中硅表面为负电位有些颗粒也为负电位，由于两者的电的排斥力作用可防止粒子向晶片表面吸附，但也有部分粒子表面是正电位，由于两者电的吸引力作用，粒子易向晶片表面吸附。
1.3.1.2 去除金属杂质
①由于硅表面氧化和腐蚀，硅片表面的金属杂质，随腐蚀层而进入清洗液中。
②由于清洗液中存在氧化膜或清洗时发生氧化反应，生成氧化物的自由能的绝对值大的金属容易附着在氧化膜上。如:Al、Fe、Zn等便易附着在自然氧化膜上而Ni、Cu则不易附着。
③Fe、Zn、Ni、Cu的氢氧化物在高pH值清洗液中是不可溶的有时会附着在自然氧化膜上。
④清洗后硅表面的金属浓度取决于清洗液中的金属浓度。其吸附速度与清洗液中的金属络合离子的形态无关。
⑤清洗时，硅表面的金属的脱附速度与吸附速度因各金属元素的不同而不同。特别是对Al、Fe、Zn。若清洗液中这些元素浓度不是非常低的话清洗后的硅片表面的金属浓度便不能下降。对此在选用化学试剂时按要求特别要选用金属浓度低的超纯化学试剂。
⑥清洗液温度越高，晶片表面的金属浓度就越高。若使用兆声波清洗可使温度下降有利去除金属沾污。
⑦去除有机物
由于H2O2的氧化作用，晶片表面的有机物被分解成CO2、H2O而被去除。
⑧微粗糙度Ra
晶片表面Ra与清洗液的NH4OH组成比有关，组成比例越大，其Ra变大。Ra为0.2nm的晶片在NH4OH：H202：H2O=1:1:5的SC-1清洗后Ra可增大至0.5nm。为控制晶片表面Ra有必要降低NH4OH的组成比例如0.5:1:5。
⑨COP(晶体的原生粒子缺陷)
对于CZ(直拉)硅单晶片经反复清洗后经测定每次清洗后硅片表面的颗粒≥2μm的颗粒会增加，但对外延晶片，即使反复清洗也不会使≥0.2μm的颗粒增加。
1.3.2 DHF
在DHF清洗时将用SC-1清洗时表面生成的自然氧化膜腐蚀掉，Si几乎不被腐蚀；硅片最外层
的Si几乎是以H键为终端结构.表面呈疏水性；在酸性溶液中硅表面呈负电位，颗粒表面为正电位，由于两者之间的吸引力粒子容易附着在晶片表面。
①用HF清洗去除表面的自然氧化膜，因此附着在自然氧化膜上的金属再一次溶解到清洗液中，同时DHF清洗可抑制自然氧化膜的形成故可容易去除表面的Al、Fe、Zn、Ni等金属。但随自然氧化膜溶解到清洗液中一部分Cu等贵金属(氧化还原电位比氢高)，会附着在硅表面，DHF 清洗也能去除附在自然氧化膜上的金属氢氧化物。
②如硅表面外层的Si以H键结构，硅表面在化学上是稳定的，即使清洗液中存在Cu等贵金属离子也很难发生Si的电子交换，因Cu等贵金属也不会附着在裸硅表面。但是如液中存在Cl-、Br-等阴离子，它们会附着于Si表面的终端氢键不完全地方，附着的Cl-、Br-阴离子会帮助Cu 离子与Si电子交换，使Cu离子成为金属Cu而附着在晶片表面。
③因溶液中的Cu2+离子的氧化还原电位(E0=0.337V)比Si的氧化还原电位(E0=-0.857V)高得多，因此Cu2+离子从硅表面的Si得到电子进行还原，变成金属Cu从晶片表面析出；另一方面被金属Cu附着的Si释放与Cu的附着相平衡的电子，自身被氧化成SiO2。
④从晶片表面析出的金属Cu形成Cu粒子的核。这个Cu粒子核比Si的负电性大，从Si吸引电子而带负电位，后来Cu离子从带负电位的Cu粒子核得到电子析出金属Cu，Cu粒子就这样生长起来。Cu下面的断一面供给与Cu的附着相平衡的电子一面生成Si02。
⑤在硅片表面形成的SiO2，在DHF清洗后被腐蚀成小坑，其腐蚀小坑数量与去除Cu粒子前的Cu粒子量相当腐蚀小坑直径为0.01～0.1cm，与Cu粒子大小也相当，由此可知这是由结晶引起的粒子，常称为Mip(金属致拉子)。
1.3.3 SC-2洗液
(1)清洗液中的金属附着现象在碱性清洗液中易发生，在酸性溶液中不易发生，并具有较强的去除晶片表面金属的能力，但经SC-1洗后虽能去除Cu等金属，但晶片表面形成的自然氧化膜的附着(特别是Al)问题还未解决。
(2)硅片表面经SC-2清洗后，表面Si大部分以O键为终端结构，形成成一层自然氧化膜，呈亲水性。
(3)由于晶片表面的SiO2和Si不能被腐蚀，因此不能达到去除粒子的效果。
如在SC-1和SC-2的前、中、后加入98%的H2SO4、30%的H2O2和HF。HF终结中可得到高纯化表面，阻止离子的重新沾污。在稀HCl溶液中加氯乙酸，可极好地除去金属沾污。表面活性剂的加入，可降低硅表面的自由能，增强其表面纯化。它在HF中使用时，可增加疏水面的浸润性，以减少表面对杂质粒子的吸附。
2 清洗技术的改进
2.1 SC-1液的改进
a.为抑制SC-1时表面Ra变大，应降低NH4OH组成比即NH4OH:H202：H20=0.05:1:1，当Ra=0.2nm的硅片清洗后其值不变在APM洗后的DIW漂洗应在低温下进行。
b.可使用兆声波清洗去除超微粒子，同时可降低清洗液温度，减少金属附着。
c.SC-1液中添加表面活性剂、可使清洗液的表面张力从6.3dyn/cm下降到19dyn/cm。选用低表面张力的清洗液可使颗粒去除率稳定维持较高的去除效率。使用SC-1液洗，其Ra变大，约是清洗前的2倍。用低表面张力的清洗液，其Ra变化不大(基本不变)。
d.SC-1液中加入HF，控制其pH值，可控制清洗液中金属络合离子的状态抑制金属的再附着，也可抑制Ra的增大和COP的发生。
e.SC-1加入鳌合剂可使洗液中的金属不断形成赘合物有利于抑制金属的表面的附着。
2.2 有机物的去除
(1)如硅片表面附着有机物，就不能完全去除表面的自然氧化层和金属杂质，因此清洗时首先应去除有机物。
(2)添加2~10ppmO3超净水清洗对去除有机物很有效，可在室温进行清洗而不必进行废液处理，比SC-1清洗的效果更好。
2.3 DHF的改进
2.3.1 HF+H202清洗
(1)HF 0.5%+H2O2 10%可在室温下清洗可防止DHF清洗中的Cu等贵金属附着。
(2)由于H202氧化作用可在硅表面形成自然氧化膜，同时又因HF的作用将自然氧化层腐蚀掉，附着在氧化膜上的金属被溶解到清洗液中。在APM清洗时附着在晶片表面的金属氢氧化物也可被去除。晶片表面的自然氧化膜不会再生长。
(3)Al、Fe、Ni等金属同DHF清洗一样，不会附着在晶片表面。
(4)对n+、P+型硅表面的腐蚀速度比n、p型硅表面大得多，可导致表面粗糙因而不能使用于n+、p+型硅片清洗。
(5)添加强氧化剂H202(E。=1.776V)，比Cu2+离子优先从5i中夺取电子，因此硅表面由于H202被氧化，Cu以Cu2+离子状态存在于清洗液中。即使硅表面附着金属Cu也会从氧化剂H202夺取电子呈离子化。硅表面被氧化形成一层自然氧化膜。因此Cu2+离子和5i电子交换很难发生，并越来越不易附着。
2.3.2 DHF+表面活性剂清洗
在HF 0.5%的DHF液中加入表面活性剂，其清洗效果与HF+H202清洗相同。
2.3.3 DHF+阴离子表面活性剂清洗
在DHF液中，硅表面为负电位，粒子表面为正电位，当加入阴离子表面活性剂，可使得硅表面和粒子表面的电位为同符号，即粒子表面电位由正变为负，与硅片表面正电位同符号，使硅片表面和粒子表面之间产生电的排斥力，可以防止粒子的再附着。
2.4 ACD清洗
2.4.1 AC清洗
在标准的AC清洗中，将同时使用纯水、HF，03，表面活性剂与兆声波。由于03具有非常强的氧化性，可以将硅片表面的有机沾污氧化为CO2和H2O，达到去除表面有机物的目的，同时可以迅速在硅片表面形成一层致密的氧化膜；HF可以有效的去除硅片表面的金属沾污，同时将03氧化形成的氧化膜腐蚀掉，在腐蚀掉氧化膜的同时，可以将附着在氧化膜上的颗粒去除掉，兆声波的使用将使颗粒去除的效率更高，而表面活性剂的使用，可以防止已经清洗掉的颗粒重新吸附在硅片表面。
2.4.2 AD清洗
在AD干燥法中，同样使用HF与03。整个工艺过程可以分为液体中反应与气相处理两部分。首先将硅片放入充满HF/03的干燥槽中，经过一定时间的反应后，硅片将被慢慢地抬出液面；由于HF酸的作用，硅片表面将呈疏水性，因此，在硅片被抬出液面的同时，将自动达到干燥的效果。
在干燥槽的上方安装有一组03的喷嘴，使得硅片被抬出水面后就与高浓度的03直接接触，进而在硅片表面形成一层致密的氧化膜。
在采用AD干燥法的同时，可以有效地去除金属沾污。该干燥法可以配合其他清洗工艺来共同使用，干燥过程本身不会带来颗粒沾污。
2.5酸系统溶液
2.5.1 SE洗液
HNO3（60%）：HF(0.025%一0.1%)，SE能使硅片表面的铁沾污降至常规清洗工艺的十分之一，各种金属沾污均小于1010原子/cm2，不增加微粗糙度。这种洗液对硅的腐蚀速率比对二氧化硅快10倍，且与HF含量成正比，清洗后硅片表面有1nm的自然氧化层。
2.5.2 CSE洗液
HNO3：HF：H2O2=50：（0.5~0.9）：（49.5~49.1），35℃，3~5min。用CSE清洗的硅片表面没有自然氧化层，微粗糙度较SE清洗的降低；对硅的腐蚀速率不依赖于HF的浓度，这样有利于工艺控制。当HF浓度控制在0.1%时效果较好。
3 几种的清洗方案
3.1 硅片衬底的常规清洗方法
①三氯乙烯（除脂）80℃，15分钟；
②丙酮、甲醇20℃，依次2分钟；
③去离子水流洗2分钟；
④2号液(4∶1∶1) 90℃，10分钟；
⑤去离子水流洗2分钟；
⑥擦片(用擦片机)；
⑦去离子水冲5分钟；
⑧1号液(4∶1∶1) 90~95℃，10分钟；
⑨去离子水流洗5分钟；
⑩稀盐酸(50∶1)， 2.5分钟；
11 去离子水流洗5分钟；
12 甩干(硅片)。
该方案的清洗步骤为:先去油，接着去除杂质，其中10步用于进一步去除残余的杂质(主要是碱金属离子)。
3.2 DZ-1、DZ-2清洗半导体衬底的方法
①去离子水冲洗；
②DZ-1 (95∶5)，50~60℃超声10分钟；
③去离子水冲洗(5分钟)；
④DZ-2 (95∶5)，50~60℃超声10分钟；
⑤去离子水冲洗(5分钟)；
⑥甩干或氮气吹干。
该方案中用电子清洗剂代替方案一中的酸碱及双氧水等化学试剂，清洗效果大致与方案一相当。
3.3 硅抛光片的一般清洗方法
①无钠清洗剂加热煮三次；
②热去离子水冲洗；
③3号液；
④热去离子水冲洗；
⑤去离子水冲洗；
⑥稀氢氟酸漂洗；
⑦去离子水冲洗；
⑧1号液；
⑨去离子水冲洗；
⑩甩干。
对于用不同的抛光方式(有蜡或无蜡)得到的抛光片，其被各种类型的污染杂质沾污的情况各不相同，清洗的侧重点也就各不相同，因此上述各清洗步骤的采用与否及清洗次数的多少也就各不相同。
3.4某一化学清洗流程
以下所有试剂配比均为体积比。所用有机试剂均是分析级试剂。部分试剂的浓度如下:w(H2O2)≥20%；w(HF)≥40%；w(H2SO4):95~98%.
①除脂
三氯乙烯溶液中旋转清洗3次，每次3 min；异丙醇中旋转清洗3次，每次3 min；去离子水漂洗3次；高纯氮气吹干；
②氧化
在新配的H2SO4∶H2O2(1∶1)溶液中氧化3 min；在70℃温水中漂洗3 min(避免Si表面因骤冷出现裂纹)；去离子水中漂洗2次，每次3 min；
③刻蚀
HF∶C2H5OH(1∶10)溶液中刻蚀3 min；C2H5OH中漂洗3次，每次3 min；高纯氮气吹干。
化学清洗后，把样品快速传入真空系统，这是因为H钝化的硅表面在空气中只能维持几分钟内不被重新氧化。若清洗后的Si片不能及时进入超高真空系统，可将清洗后的Si片放入无水C2H5OH中，这既可以延缓表面被氧化的速度，又可以避免清洗后的表面被空气中的杂质所污染。
1 传统的RCA清洗法
1.1 主要清洗液
1.1.1 SPM（三号液）（H2SO4∶H2O2∶H2O）
在120～150℃清洗10min左右，SPM具有很高的氧化能力，可将金属氧化后溶于清洗液中，并能把有机物氧化生成CO2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的重有机沾污和部分金属，但是当有机物沾污特别严重时会使有机物碳化而难以去除。经SPM清洗后，硅片表面会残留有硫化物，这些硫化物很难用去粒子水冲洗掉。由Ohnishi提出的SPFM(H2SO4/H2O2/HF)溶液，可使表面的硫化物转化为氟化物而有效地冲洗掉。由于臭氧的氧化性比H2O2的氧化性强，可用臭氧来取代H2O2(H2SO4/O3/H2O称为SOM溶液)，以降低H2SO4的用量和反应温度。H2SO4(98%):H2O2(30%)=4:1
1.1.2 DHF（HF(H2O2)∶H2O）
在20～25℃清洗30s 腐蚀表面氧化层，去除金属沾污，DHF清洗可去除表面氧化层，使其上附着的金属连同氧化层一起落入清洗液中，可以很容易地去除硅片表面的Al，Fe，Zn，Ni等金属，但不能充分地去除Cu。HF：H2O2=1：50。
1.1.3 APM(SC-1)（一号液）（NH4OH∶H2O2∶H2O）
在65～80℃清洗约10min 主要去除粒子、部分有机物及部分金属。由于H2O2的作用，硅片表面有一层自然氧化膜(Si02)，呈亲水性，硅片表面和粒子之间可被清洗液浸透。由于硅片表面的自然氧化层与硅片表面的Si被NH4OH腐蚀，因此附着在硅片表面的颗粒便落入清洗液中，从而达到去除粒子的目的。此溶液会增加硅片表面的粗糙度。Fe，Zn，Ni等金属会以离子性和非离子性的金属氢氧化物的形式附着在硅片表面，能降低硅片表面的Cu的附着。体积比为(1∶1∶5)~(1∶2∶7)的NH4OH (27 %)、H2O2(30%)和H2O组成的热溶液。稀释化学试剂中把水所占的比例由1∶5增至1∶50，配合超声清洗，可在更短时间内达到相当或更好的清洗效果。
SC-1清洗后再用很稀的酸(HCl∶H2O为1∶104)处理，在去除金属杂质和颗粒上可收到良好的效果，也可以用稀释的HF溶液短时间浸渍，以去除在SC-1形成的水合氧化物膜。最后，常常用SC-1原始溶液浓度1/10的稀释溶液清洗，以避免表面粗糙，降低产品成本，以及减少对环境的影响。
1.1.4 HPM(SC-2)（二号液）（HCl∶H2O2∶H2O）
在65～85℃清洗约10min用于去除硅片表面的钠、铁、镁等金属沾污，。在室温下HPM就能除去Fe和Zn。H2O2会使硅片表面氧化，但是HCl不会腐蚀硅片表面，所以不会使硅片表面
的微粗糙度发生变化。(1∶1∶6)~ (2∶1∶8)的H2O2(30%)、HCl(37%)和水组成的热混合溶液。对含有可见残渣的严重沾污的晶片，可用热H2SO4-H2O(2∶1)混合物进行预清洗。
1.2 传统的RCA清洗流程
1.3 各洗液的清洗说明
1.3.1 SC-1洗液
1.3.1.1 去除颗粒
硅片表面由于H2O2氧化作用生成氧化膜(约6mm呈亲水性)，该氧化膜又被NH4OH腐蚀，腐蚀后立即又发生氧化，氧化和腐蚀反复进行，因此附着在硅片表面的颗粒也随腐蚀层而落入清洗液内。
①自然氧化膜约0.6nm厚，其与NH4OH、H2O2浓度及清洗液温度无关。
②SiO2的腐蚀速度随NH4OH的浓度升高而加快，其与H2O2的浓度无关。
③Si的腐蚀速度，随NH4OH的浓度升高而快当，到达某一浓度后为一定值，H202浓度越高这一值越小。
④NH4OH促进腐蚀，H2O2阻碍腐蚀。
⑤若H2O2的浓度一定，NH4OH浓度越低，颗粒去除率也越低，如果同时降低H2O2浓度可抑制颗粒的去除率的下降。
⑥随着清洗液温度升高，颗粒去除率也提高在一定温度下可达最大值。
⑦颗粒去除率与硅片表面腐蚀量有关为确保颗粒的去除要有一定量以上的腐蚀。
⑧超声波清洗时由于空化现象只能去除≥0.4μm颗粒。兆声清洗时由于0.8Mhz的加速度作用能去除≥0.2μm颗粒，即使液温下降到40℃也能得到与80℃超声清洗去除颗粒的效果，而且又可避免超声清洗对晶片产生损伤。
⑨在清洗液中硅表面为负电位有些颗粒也为负电位，由于两者的电的排斥力作用可防止粒子向晶片表面吸附，但也有部分粒子表面是正电位，由于两者电的吸引力作用，粒子易向晶片表面吸附。
1.3.1.2 去除金属杂质
①由于硅表面氧化和腐蚀，硅片表面的金属杂质，随腐蚀层而进入清洗液中。
②由于清洗液中存在氧化膜或清洗时发生氧化反应，生成氧化物的自由能的绝对值大的金属容易附着在氧化膜上。如:Al、Fe、Zn等便易附着在自然氧化膜上而Ni、Cu则不易附着。
③Fe、Zn、Ni、Cu的氢氧化物在高pH值清洗液中是不可溶的有时会附着在自然氧化膜上。
④清洗后硅表面的金属浓度取决于清洗液中的金属浓度。其吸附速度与清洗液中的金属络合离子的形态无关。
⑤清洗时，硅表面的金属的脱附速度与吸附速度因各金属元素的不同而不同。特别是对Al、Fe、Zn。若清洗液中这些元素浓度不是非常低的话清洗后的硅片表面的金属浓度便不能下降。对此在选用化学试剂时按要求特别要选用金属浓度低的超纯化学试剂。
⑥清洗液温度越高，晶片表面的金属浓度就越高。若使用兆声波清洗可使温度下降有利去除金属沾污。
⑦去除有机物
由于H2O2的氧化作用，晶片表面的有机物被分解成CO2、H2O而被去除。
⑧微粗糙度Ra
晶片表面Ra与清洗液的NH4OH组成比有关，组成比例越大，其Ra变大。Ra为0.2nm的晶片在NH4OH：H202：H2O=1:1:5的SC-1清洗后Ra可增大至0.5nm。为控制晶片表面Ra有必要降低NH4OH的组成比例如0.5:1:5。
⑨COP(晶体的原生粒子缺陷)
对于CZ(直拉)硅单晶片经反复清洗后经测定每次清洗后硅片表面的颗粒≥2μm的颗粒会增加，但对外延晶片，即使反复清洗也不会使≥0.2μm的颗粒增加。
1.3.2 DHF
在DHF清洗时将用SC-1清洗时表面生成的自然氧化膜腐蚀掉，Si几乎不被腐蚀；硅片最外层的Si几乎是以H键为终端结构.表面呈疏水性；在酸性溶液中硅表面呈负电位，颗粒表面为正电位，由于两者之间的吸引力粒子容易附着在晶片表面。
①用HF清洗去除表面的自然氧化膜，因此附着在自然氧化膜上的金属再一次溶解到清洗液中，同时DHF清洗可抑制自然氧化膜的形成故可容易去除表面的Al、Fe、Zn、Ni等金属。但随自然氧化膜溶解到清洗液中一部分Cu等贵金属(氧化还原电位比氢高)，会附着在硅表面，DHF 清洗也能去除附在自然氧化膜上的金属氢氧化物。
②如硅表面外层的Si以H键结构，硅表面在化学上是稳定的，即使清洗液中存在Cu等贵金属离子也很难发生Si的电子交换，因Cu等贵金属也不会附着在裸硅表面。但是如液中存在Cl-、Br-等阴离子，它们会附着于Si表面的终端氢键不完全地方，附着的Cl-、Br-阴离子会帮助Cu 离子与Si电子交换，使Cu离子成为金属Cu而附着在晶片表面。
③因溶液中的Cu2+离子的氧化还原电位(E0=0.337V)比Si的氧化还原电位(E0=-0.857V)高得多，因此Cu2+离子从硅表面的Si得到电子进行还原，变成金属Cu从晶片表面析出；另一方面被金属Cu附着的Si释放与Cu的附着相平衡的电子，自身被氧化成SiO2。
④从晶片表面析出的金属Cu形成Cu粒子的核。这个Cu粒子核比Si的负电性大，从Si吸引电子而带负电位，后来Cu离子从带负电位的Cu粒子核得到电子析出金属Cu，Cu粒子就这样生长起来。Cu下面的断一面供给与Cu的附着相平衡的电子一面生成Si02。
⑤在硅片表面形成的SiO2，在DHF清洗后被腐蚀成小坑，其腐蚀小坑数量与去除Cu粒子前的Cu粒子量相当腐蚀小坑直径为0.01～0.1cm，与Cu粒子大小也相当，由此可知这是由结晶引起的粒子，常称为Mip(金属致拉子)。
1.3.3 SC-2洗液
(1)清洗液中的金属附着现象在碱性清洗液中易发生，在酸性溶液中不易发生，并具有较强的去除晶片表面金属的能力，但经SC-1洗后虽能去除Cu等金属，但晶片表面形成的自然氧化膜的附着(特别是Al)问题还未解决。
(2)硅片表面经SC-2清洗后，表面Si大部分以O键为终端结构，形成成一层自然氧化膜，呈亲水性。
(3)由于晶片表面的SiO2和Si不能被腐蚀，因此不能达到去除粒子的效果。
如在SC-1和SC-2的前、中、后加入98%的H2SO4、30%的H2O2和HF。HF终结中可得到高纯化表面，阻止离子的重新沾污。在稀HCl溶液中加氯乙酸，可极好地除去金属沾污。表面活性剂的加入，可降低硅表面的自由能，增强其表面纯化。它在HF中使用时，可增加疏水面的浸润性，以减少表面对杂质粒子的吸附。
2 清洗技术的改进
2.1 SC-1液的改进
a.为抑制SC-1时表面Ra变大，应降低NH4OH组成比即NH4OH:H202：H20=0.05:1:1，当Ra=0.2nm的硅片清洗后其值不变在APM洗后的DIW漂洗应在低温下进行。
b.可使用兆声波清洗去除超微粒子，同时可降低清洗液温度，减少金属附着。
c.SC-1液中添加表面活性剂、可使清洗液的表面张力从6.3dyn/cm下降到19dyn/cm。选用低表面张力的清洗液可使颗粒去除率稳定维持较高的去除效率。使用SC-1液洗，其Ra变大，约是清洗前的2倍。用低表面张力的清洗液，其Ra变化不大(基本不变)。
d.SC-1液中加入HF，控制其pH值，可控制清洗液中金属络合离子的状态抑制金属的再附着，也可抑制Ra的增大和COP的发生。
e.SC-1加入鳌合剂可使洗液中的金属不断形成赘合物有利于抑制金属的表面的附着。
2.2 有机物的去除
(1)如硅片表面附着有机物，就不能完全去除表面的自然氧化层和金属杂质，因此清洗时首先应去除有机物。
(2)添加2~10ppmO3超净水清洗对去除有机物很有效，可在室温进行清洗而不必进行废液处理，比SC-1清洗的效果更好。
2.3 DHF的改进
2.3.1 HF+H202清洗
(1)HF 0.5%+H2O2 10%可在室温下清洗可防止DHF清洗中的Cu等贵金属附着。
(2)由于H202氧化作用可在硅表面形成自然氧化膜，同时又因HF的作用将自然氧化层腐蚀掉，附着在氧化膜上的金属被溶解到清洗液中。在APM清洗时附着在晶片表面的金属氢氧化物也可被去除。晶片表面的自然氧化膜不会再生长。
(3)Al、Fe、Ni等金属同DHF清洗一样，不会附着在晶片表面。
(4)对n+、P+型硅表面的腐蚀速度比n、p型硅表面大得多，可导致表面粗糙因而不能使用于n+、p+型硅片清洗。
(5)添加强氧化剂H202(E。=1.776V)，比Cu2+离子优先从5i中夺取电子，因此硅表面由于H202被氧化，Cu以Cu2+离子状态存在于清洗液中。即使硅表面附着金属Cu也会从氧化剂H202夺取电子呈离子化。硅表面被氧化形成一层自然氧化膜。因此Cu2+离子和5i电子交换很难发生，并越来越不易附着。
2.3.2 DHF+表面活性剂清洗
在HF 0.5%的DHF液中加入表面活性剂，其清洗效果与HF+H202清洗相同。
2.3.3 DHF+阴离子表面活性剂清洗
在DHF液中，硅表面为负电位，粒子表面为正电位，当加入阴离子表面活性剂，可使得硅表面和粒子表面的电位为同符号，即粒子表面电位由正变为负，与硅片表面正电位同符号，使硅片表面和粒子表面之间产生电的排斥力，可以防止粒子的再附着。
2.4 ACD清洗
2.4.1 AC清洗
在标准的AC清洗中，将同时使用纯水、HF，03，表面活性剂与兆声波。由于03具有非常强的氧化性，可以将硅片表面的有机沾污氧化为CO2和H2O，达到去除表面有机物的目的，同时可以迅速在硅片表面形成一层致密的氧化膜；HF可以有效的去除硅片表面的金属沾污，同时将03氧化形成的氧化膜腐蚀掉，在腐蚀掉氧化膜的同时，可以将附着在氧化膜上的颗粒去除掉，兆声波的使用将使颗粒去除的效率更高，而表面活性剂的使用，可以防止已经清洗掉的颗粒重新吸附在硅片表面。
2.4.2 AD清洗
在AD干燥法中，同样使用HF与03。整个工艺过程可以分为液体中反应与气相处理两部分。首先将硅片放入充满HF/03的干燥槽中，经过一定时间的反应后，硅片将被慢慢地抬出液面；由于HF酸的作用，硅片表面将呈疏水性，因此，在硅片被抬出液面的同时，将自动达到干燥的效果。
在干燥槽的上方安装有一组03的喷嘴，使得硅片被抬出水面后就与高浓度的03直接接触，进而在硅片表面形成一层致密的氧化膜。
在采用AD干燥法的同时，可以有效地去除金属沾污。该干燥法可以配合其他清洗工艺来共同使用，干燥过程本身不会带来颗粒沾污。
2.5酸系统溶液
2.5.1 SE洗液
HNO3（60%）：HF(0.025%一0.1%)，SE能使硅片表面的铁沾污降至常规清洗工艺的十分之一，各种金属沾污均小于1010原子/cm2，不增加微粗糙度。这种洗液对硅的腐蚀速率比对二氧化硅快10倍，且与HF含量成正比，清洗后硅片表面有1nm的自然氧化层。
2.5.2 CSE洗液
HNO3：HF：H2O2=50：（0.5~0.9）：（49.5~49.1），35℃，3~5min。用CSE清洗的硅片表面没有自然氧化层，微粗糙度较SE清洗的降低；对硅的腐蚀速率不依赖于HF的浓度，这样有利于工艺控制。当HF浓度控制在0.1%时效果较好。
3 几种的清洗方案
3.1 硅片衬底的常规清洗方法
①三氯乙烯（除脂）80℃，15分钟；
②丙酮、甲醇20℃，依次2分钟；
③去离子水流洗2分钟；
④2号液(4∶1∶1) 90℃，10分钟；
⑤去离子水流洗2分钟；
⑥擦片(用擦片机)；
⑦去离子水冲5分钟；
⑧1号液(4∶1∶1) 90~95℃，10分钟；
⑨去离子水流洗5分钟；
⑩稀盐酸(50∶1)， 2.5分钟；
11 去离子水流洗5分钟；
12 甩干(硅片)。
该方案的清洗步骤为:先去油，接着去除杂质，其中10步用于进一步去除残余的杂质(主要是碱金属离子)。
3.2 DZ-1、DZ-2清洗半导体衬底的方法
①去离子水冲洗；
②DZ-1 (95∶5)，50~60℃超声10分钟；
③去离子水冲洗(5分钟)；
④DZ-2 (95∶5)，50~60℃超声10分钟；
⑤去离子水冲洗(5分钟)；
⑥甩干或氮气吹干。
该方案中用电子清洗剂代替方案一中的酸碱及双氧水等化学试剂，清洗效果大致与方案一相当。
3.3 硅抛光片的一般清洗方法
①无钠清洗剂加热煮三次；
②热去离子水冲洗；
③3号液；
④热去离子水冲洗；
⑤去离子水冲洗；
⑥稀氢氟酸漂洗；
⑦去离子水冲洗；
⑧1号液；
⑨去离子水冲洗；
⑩甩干。
对于用不同的抛光方式(有蜡或无蜡)得到的抛光片，其被各种类型的污染杂质沾污的情况各不相同，清洗的侧重点也就各不相同，因此上述各清洗步骤的采用与否及清洗次数的多少也就各不相
同。
3.4某一化学清洗流程
以下所有试剂配比均为体积比。所用有机试剂均是分析级试剂。部分试剂的浓度如下:w(H2O2)≥20%；w(HF)≥40%；w(H2SO4):95~98%.
①除脂
三氯乙烯溶液中旋转清洗3次，每次3 min；异丙醇中旋转清洗3次，每次3 min；去离子水漂洗3次；高纯氮气吹干；
②氧化
在新配的H2SO4∶H2O2(1∶1)溶液中氧化3 min；在70℃温水中漂洗3 min(避免Si表面因骤冷出现裂纹)；去离子水中漂洗2次，每次3 min；
③刻蚀
HF∶C2H5OH(1∶10)溶液中刻蚀3 min；C2H5OH中漂洗3次，每次3 min；高纯氮气吹干。
化学清洗后，把样品快速传入真空系统，这是因为H钝化的硅表面在空气中只能维持几分钟内不被重新氧化。若清洗后的Si片不能及时进入超高真空系统，可将清洗后的Si片放入无水C2H5OH中，这既可以延缓表面被氧化的速度，又可以避免清洗后的表面被空气中的杂质所污染。
硅片生产工艺流程及注意要点 简介 硅片的准备过程从硅单晶棒开始，到清洁的抛光片结束，以能够在绝好的环境中使用。期间，从一单晶硅棒到加工成数片能满足特殊要求的硅片要经过很多流程和清洗步骤。除了有许多工艺步骤之外，整个过程几乎都要在无尘的环境中进行。硅片的加工从一相对较脏的环境开始，最终在10级净空房内完成。 工艺过程综述 硅片加工过程包括许多步骤。所有的步骤概括为三个主要种类：能修正物理性能如尺寸、形状、平整度、或一些体材料的性能；能减少不期望的表面损伤的数量；或能消除表面沾污和颗粒。硅片加工的主要的步骤如表1.1的典型流程所示。工艺步骤的顺序是很重要的，因为这些步骤的决定能使硅片受到尽可能少的损伤并且可以减少硅片的沾污。在以下的章节中，每一步骤都会得到详细介绍。 表1.1 硅片加工过程步骤 1.切片 2.激光标识 3.倒角 4.磨片 5.腐蚀 6.背损伤 7.边缘镜面抛光 8.预热清洗 9.抵抗稳定——退火 10.背封 11.粘片 12.抛光 13.检查前清洗 14.外观检查
15.金属清洗 16.擦片 17.激光检查 18.包装/货运 切片（class 500k） 硅片加工的介绍中，从单晶硅棒开始的第一个步骤就是切片。这一步骤的关键是如何在将单晶硅棒加工成硅片时尽可能地降低损耗，也就是要求将单晶棒尽可能多地加工成有用的硅片。为了尽量得到最好的硅片，硅片要求有最小量的翘曲和最少量的刀缝损耗。切片过程定义了平整度可以基本上适合器件的制备。 切片过程中有两种主要方式——内圆切割和线切割。这两种形式的切割方式被应用的原因是它们能将材料损失减少到最小，对硅片的损伤也最小，并且允许硅片的翘曲也是最小。 切片是一个相对较脏的过程，可以描述为一个研磨的过程，这一过程会产生大量的颗粒和大量的很浅表面损伤。 硅片切割完成后，所粘的碳板和用来粘碳板的粘结剂必须从硅片上清除。在这清除和清洗过程中，很重要的一点就是保持硅片的顺序，因为这时它们还没有被标识区分。 激光标识(Class 500k) 在晶棒被切割成一片片硅片之后，硅片会被用激光刻上标识。一台高功率的激光打印机用来在硅片表面刻上标识。硅片按从晶棒切割下的相同顺序进行编码，因而能知道硅片的正确位置。这一编码应是统一的，用来识别硅片并知道它的来源。编码能表明该硅片从哪一单晶棒的什么位置切割下来的。保持这样的追溯是很重要的，因为单晶的整体特性会随着晶棒的一头到另一头而变化。编号需刻的足够深，从而到最终硅片抛光完毕后仍能保持。在硅片上刻下编码后，即使硅片有遗漏，也能追溯到原来位置，而且如果趋向明了，那么就可以采取正确的措施。激光标识可以在硅片的正面也可在背面，尽管正面通常会被用到。
施工方案 一、施工准备 1、技术准备 1.1由我们的技术工程师和有关技术人员首先熟悉工作内容和设计要求。 1.2 设计单位，应提出明确的施工技术说明。对原材料、半成品、成品，应提出明确的技术规范和标准。 1.3我们的专业工程师会对贵方提供的资料进行自审、综合会审等工序，并及时对所提出的问题给予解答。结合工程情况，提出施工方案和技术交底，并应具有书面资料。 1.4施工所用原材料应具有出厂合格证和检验资料。 1.5准备齐全各种施工记录，应将自检记录、气象记录、施工日记与施工同步完成。 2、人员组织： 我公司各部门选派有组织能力，有施工管理经验，熟练本工程的技术员、质检员、安全员、预算员、材料员等有关人员组成项目部，并组织熟练掌握本工程施工的技术工人，参加本项工程施工。施工人员应在指定开工时间前七天到达施工现场，搭设组建临时设施，接受管理人员及技术人员对施工现场勘查情况的讲解，并虚心接受本项工
程施工的技术安全交底，同业主管理人员、技术人员分析施工时可能出现的技术难点和作业时存在的安全隐患，让每一个施工人员对本项工程施工技术要求、安全生产做到心中有数，不打盲目仗。另外还要做到材料及施工对象的各项防护措施。 3、施工组织准备 本工程施工的组织工作要非常严密，这是提高工作效率、施工质量和施工安全的必要措施；施工组织应分两个层次：一为管理层（领导层），管理层要提前7天进入施工现场了解现场情况，二为劳务层（作业班组）劳务层要提前5天进入现场了解现场情况，以便施工时及早的进入施工状态，有效的缩短施工工期。力争提前竣工。 3.1 开工前必须结合工程特点，对本工程的全体人员培训，从理论到实践进行全员考核，让每位作业人员完全领会作业指导书内容，并签字确认。由安全员结合工程特点出题考核作业人员，合格者方可上岗工作。 3.2 组织专业施工队（有五年以上施工经验的作业人员不得少于总人数的三分之二），以施工队长为主体，由队长、质量检查员、安全检查员、工作技术人员、材料员组成管理层，应少而精且要持证上岗。 3.3 对施工人员执行作业责任制，基本固定施工作业区，按区明确作业责任，坚持每日作业质量检查，不合格者当日返修完。并由施工队
个人对工作的自我总结 一、把工作当成事业来经营。 严格要求自己对工作认真负责，无论发生任何事情，都必须不影响工作。把工作看成事业来经营，当作激烈前进的动力，脚踏实地用行动做好身边的每一件事情。 二、加强学习，拓宽兴趣爱好。 学习能充实自己的知识，提高自身修养，塑造良好的个性。为了在以后的工个中跟上前进的步伐，我要多利用工作之余多多学习，扯一些管理、策划、为人处世之类的书籍，提高自己的思想高度和工作效率，处自己不断进步。 三、善于调节情绪。 我是一个感情用事的人，很容易被思绪左右自己的思想。因而，我要求自己：面对挫折能够虚怀若谷，大智若遇，保持一种必淡平和的心境。只有保持健康的心境，才能升华精神，修练道德，使自己从“山穷水尽疑无路”的困境中走出来，进入“柳暗花明又一村”的境界。正如马克思所言：“一种美好的心情，比十副良药更能解除生理上的疲惫和痛楚。” 四、正确处理人际关系。 要求自己与同事和睦相处：1、切忌斤斤计较，苛求于人。2、不要飞短流长，搬弄是非，制造矛盾，挑拔离间。3、礼尚往来，主动帮别人，以诚待人、以情动人、以诚感人，加强与同事之间的交流沟通。 五、学会微笑。 微笑的威力无穷。一个真诚的、甜甜的微笑，会给失败者以安尉，给陌生者以亲切，给成功者以勉励。在以后的工作中，我要让自己保持轻松愉悦的心情，养成微笑的习愦，寻找适合自己的微笑方式。 六、善于总结自己。 每个人都喜欢听好话，当别人赞美自己时，特别的开心;当别人说自己有某方面做得不够时，心里就的不服。谷话说“孰能无过”，最重要的是如何正视自己的不足或过失。其实别人所提的意见是提升自我能力的一个途径。在以后的工作中我要学会谦虚地分析和接受别人的意见，不断反省自己的言行举止。 七、从现在起加倍努力。 1、成功要靠三件事才能赢得：努力、努力、再努力。
导体：导体是很容易导电的物质，电阻率约为10-6-10-8Ωcm, 绝缘体：极不容易或根本不导电的一类物质。 半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的一类物质，目前已知的半导体材料有几百种，适合工业化的重要半导体材料有：硅、锗、砷化镓、硫化镉，电阻率介于10-5-1010Ω（少量固体物质如砷、锑、铋，不具备半导体基本特性，叫做半金属。 冶金级硅（工业硅）：将自然级自然界的SI02矿石冶炼成元素硅的第一步，冶金级硅分为两类：1、供钢铁工业用的工业硅，硅含量约为75%。2、供制备半导体硅用，硅含量在99.7%-99.9%，它常用作制备半导体级多晶硅的原料。 多晶硅：1、改良西门子法，2、硅烷法，3、粒状硅法。 改良西门子法：多晶硅生产的西门子工艺，在11000C左右德高纯度硅芯上还原高纯三氯氢硅，生成多晶硅沉积在硅芯上。过程：1、原料硅破碎；2、筛分（80目）——沸腾氯化制成液态的SIHCL3——粗馏提纯——精馏提纯——氢还原——棒状多晶硅——破碎——洁净分装。 硅烷法：原料破碎——筛分——硅烷生成——沉积多晶硅——棒状多晶——破碎、包装。单晶硅：硅的单晶体，具有基本完整的点阵结构的晶体，不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导体，纯度要求达到99.9999%甚至达到99.9999999%用于制造半导体器件、太阳能电池等。 区域熔炼法：制备高纯度、高阻单晶的方法。 切克劳斯基法（直拉法）：制作大规模集成电路、普通二极管和太阳能电池单晶的使用方法。硅棒外径滚磨：将单晶滚磨陈完全等径的单晶锭。 硅切片：硅切片是将单晶硅原锭加工成硅圆片的过程（内圆切片机刀口厚度在300-350um，片厚300-400um。线切机刀口厚度不大于200u，片最薄可达200-250u.）. 硅磨片：一般是双面磨，用金刚砂作原料，去除厚度在50-100u，用磨片的方法去除硅片表面的划痕，污渍和图形，提高硅片表面平整度。用内圆切片机加工的硅片一般都需要进行研磨。 倒角：将硅切片的边沿毛刺、崩边等倒掉。 抛光片：大规模集成电路使用的硅片。 硅材料电性能的三个显著特点： 1、对温度的变化十分灵敏，当温度提高时，电阻率将大幅度下降。 2、微量杂志的存在对电子的影响十分显著，纯硅中加入百万分之一的硼，电阻率就会 从2.14*103下降至4*10-3Ω。 3、半导体材料的电阻率在受到光照时会改变其数值大小。 本征硅：绝对纯净没有缺陷的硅晶体称作本征硅，本征硅中导电的电子和空穴都会由于其价键破裂而产生。体内电子和空穴浓度相等。 N型硅：在纯硅中掺入V族元素（如、磷、砷等），能够提供自由电子的杂质统称为施主杂质，掺入施主杂质的硅叫N型硅。以电子为多数载流子的半导体。 P型硅：在纯硅中掺入III型元素（如硼）以后，具有接受电子的杂质成为受主杂质，掺入受阻杂质的硅叫做P型硅。以空穴为多数载流子的半导体。 单晶：一块晶体如果从头到尾按照同一种排列重复下去叫做单晶体， 多晶：许多微小单晶颗粒杂乱的排列在一起称为多晶体。 晶体中的缺陷：点缺陷、线缺陷、面缺陷、孪晶、旋涡、杂质条纹、堆垛层错、氧化层错、滑移线等 电阻率： 高能粒子探测器：要求几千乃至上万Ω的FZ单晶。
化学清洗总结的范本 1.编写目的 为了改善机组运行的水汽品质，缩短试运周期，确保机组的安全运行，遵照《火力发电厂锅炉化学清洗导则》和规范，在锅炉点火前，必须对锅炉本体进行化学清洗。清除锅炉设备、系统管道内表面在制造、运输、储存、安装和水压过程中形成的氧化扎皮、锈蚀产物、焊渣、灰尘等杂物，以及出厂前的防腐涂层或漆膜。根据《火力发电厂锅炉化学清洗导则》中的有关规定，以及机组特点和工程实际情况,特制定本清洗措施。2.编制依据 2.1《火力发电厂基本建设工程启动及竣工验收规程（xx年版）》 2.2《电力建设施工及验收技术规范》锅炉篇（xx年版）、管道篇（xx年版）、化学篇（xx年版） 2.3《火电工程调整试运质量检验及评定标准》（1996年版）2.4《火电工程启动调试工作规定》（1996年版） 2.5《电力建设安全工作规程（火力发电厂部分）》 DL5009.1-xx2.6《火力发电厂锅炉化学清洗导则》（DL/T794—xx）2.7《工作场所安全使用化学品规定》劳部发[1996]423号 2.8《电力建设安全健康与环境管理工作规定》国电电源[xx]49号2.9《污水综合排放标准汇编》GB8978-19962.10《工业设备化学清洗质量标准》(xx.4.1)2.11设备制造厂图纸和说明书。2.12设计院图纸和设计说明书。 3.清洗质量目标
符合部颁《火电工程调整试运质量检验及评定标准（1996年版）》中有关清洗系统及设备的各项质量标准要求，全部检验项目合格率100%，优良率90%以上，满足机组整套启动要求；符合《火力发电厂锅炉化学清洗导则》（DL/T794—xx）中有关清洗质量评定的优良规定。4.系统简介 新疆嘉润资源控股有限公司动力站2×350MW一期工程为 DG1205/17.4-Ⅱ22亚临界参数，四角切圆燃烧方式，自然循环汽包炉，单炉膛、一次中间再热、平衡通风、固态除渣、紧身封闭、п型布置，全钢架、全悬吊结构的燃煤锅炉。锅炉采用风冷干式钢带除渣装置。 锅炉主要技术参数： 5.1锅炉本体化学清洗的范围 化学清洗范围:省煤器，水冷壁，下降管和汽包(水侧)进行化学清洗。5.2锅炉本体清洗系统参数如下: 5.3锅炉本体清洗回路划分及特性 为保证化学清洗范围内清洗效果尽可能一致，清洗流速控制在0.2m/s左右，清洗系统采用以下四个循环回路：1）省煤器—汽包—四周水冷壁 2）1#+2#集中下降管和1／2水冷壁—汽包—3#+4#集中下降管和另1／2水冷壁3）省煤器+1#+2#集中下降管和1／2水冷壁—汽包—3#+4#集中下降管和另1／2水冷壁4）省煤器+3#+4#集中下降管和
员工年度个人工作总结与自我 评价(标准版) The work summary can correctly understand the advantages and disadvantages of the past work; it can clarify the direction and improve the work efficiency. ( 工作总结) 部门：_______________________ 姓名：_______________________ 日期：_______________________ 本文档文字可以自由修改
员工年度个人工作总结与自我评价(标准 版) 篇一： xx年中，在领导及同事们的帮助指导下，通过自身的努力，我个人无论是在敬业精神、思想境界，还是在业务素质、工作能力上都得到进一步提高，并取得了一定的工作成绩，现将本人一年以来的工作、学习情况汇报如下： 一、加强学习，注重提升个人修养 一是通过杂志报刊、电脑网络和电视新闻等媒体，认真学习贯彻党的路线、方针、政策，深入学习领会党的十六大、十六届三中、四中全会精神，努力践行“三个代表”重要思想，不断提高了政治理论水平。加强政治思想和品德修养。
二是认真学习财经、廉政方面的各项规定，自觉按照国家的财经政策和程序办事，三是努力钻研业务知识，积极参加相关部门组织的各种业务技能的培训，严格按照胡*同志提出的“勤于学习、善于创造、乐于奉献”的要求，坚持“讲学习、讲政治、讲正气”，始终把耐得平淡、舍得付出、默默无闻作为自己的准则;始终把增强服务意识作为一切工作的基础;始终把工作放在严谨、细致、扎实、求实上，脚踏实地工作;四是不断改进学习方法，讲求学习效果，“在工作中学习，在学习中工作”，坚持学以致用，注重融会贯通，理论联系实际，用新的知识、新的思维和新的启示，巩固和丰富综合知识、让知识伴随年龄增长，使自身综合能力不断得到提高。 二、严格履行岗位职责，扎实做好本职工作 一年来，本人以高度的责任感和事业心，自觉服从组织和领导的安排，努力做好各项工作，较好地完成了各项工作任务。由于财会工作繁事、杂事多，其工作都具有事务性和突发性的特点，因此结合具体情况，按时间性，全年的工作如下：一季度，完成
半导体IC清洗技术 李仁 （中国电子科技集团公司第四十五研究所，北京 101601） 摘要：介绍了半导体IC制程中存在的各种污染物类型及其对IC制程的影响和各种污染物的去除方法, 并对湿法和干法清洗的特点及去除效果进行了分析比较。 关键词：湿法清洗；RCA清洗；稀释化学法；IMEC清洗法；单晶片清洗；干法清洗 中图分类号：TN305.97 文献标识码：B 文章编号：1003-353X(2003)09-0044-04 1前言 半导体IC制程主要以20世纪50年代以后发明的四项基础工艺（离子注入、扩散、外延生长及光刻）为基础逐渐发展起来，由于集成电路内各元件及连线相当微细，因此制造过程中，如果遭到尘粒、金属的污染，很容易造成晶片内电路功能的损坏，形成短路或断路等，导致集成电路的失效以及影响几何特征的形成。因此在制作过程中除了要排除外界的污染源外，集成电路制造步骤如高温扩散、离子植入前等均需要进行湿法清洗或干法清洗工作。干、湿法清洗工作是在不破坏晶圆表面特性及电特性的前提下，有效地使用化学溶液或气体清除残留在晶圆上之微尘、金属离子及有机物之杂质。 2污染物杂质的分类 IC制程中需要一些有机物和无机物参与完成，另外，制作过程总是在人的参与下在净化室中进行，这样就不可避免的产生各种环境对硅片污染的情况发生。根据污染物发生的情况，大致可将污染物分为颗粒、有机物、金属污染物及氧化物。 2.1 颗粒 颗粒主要是一些聚合物、光致抗蚀剂和蚀刻杂质等。通常颗粒粘附在硅表面，影响下一工序几何特征的形成及电特性。根据颗粒与表面的粘附情况分析，其粘附力虽然表现出多样化，但主要是范德瓦尔斯吸引力，所以对颗粒的去除方法主要以物理或化学的方法对颗粒进行底切，逐渐减小颗粒与硅表面的接触面积，最终将其去除。
7 甲乙丁辛醇管线 化学清洗施工方案编制 审批 批准 淄博华实清洗有限公司 2015年03月 目录
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球罐25 异丁烷管线清洗流程图 (26)
1 工程概况 工程简介 本次清洗范围，包含甲乙丁辛醇管线。 编制依据 SH/T3547-2011《石油化工设备和管道化学清洗施工及验收规范》HG/20202-2000《脱脂工程施工及验收规范》 HG/T2387-2007《工业设备化学清洗质量标准》 GB/T 25146-2010《工业设备化学清洗质量验收规范》 GB16912-2008《深度冷冻法生产氧气及相关气体安全技术规程》GB8978-1996《污水综合排放标准》 烟台万华相关技术文件 清洗目的 防止铁锈对原料的污染，造成不合格原料的增加
化学清洗范围 甲乙丁辛醇管线循环清洗 施工前的准备 所有施工人员都必须经过业主入厂安全培训，并取得进门卡后方得入厂； 所有施工机具、材料都必须进行报验，合格后方可投入使用。 所有施工技术方案和措施均必须报审通过后，方可遵照执行 2 清洗施工程序及进度计划 清洗方法 化学清洗前的准备 清洗系统 在系统化学清洗前，将被清洗系统中不允许参与化学清洗的部件，如流量计（孔板）、调节阀、压力表、温度计等测试、测量仪表、过滤网、过滤器芯及单向阀芯等在经过业主的同意后拆除，并采取临时短管、临时旁路及盲板等措施对拆除部件的位置进行处理。关闭并隔离与化学清洗系统无关的阀门，以防清洗液的外泄。拆装部位均应进行挂牌，标明位置，对拆下的设备附件按要求单独处理，以备清洗后安装复位。 化学清洗的方式管线采用强制循环，充满清洗。
微秒是10-6秒）。所谓非平衡载流子是指当半导体中载流子的产生与复合处于平衡状态时，由于受某种外界条件的作用，如受到光线照射时而新增加的电子——空穴对，这部分新增加的载流子叫作非平衡载流子。 对于P型硅而言：新增加的电子叫作非平衡少数载流子；而新增加的空穴叫作非平衡 多数载流子。 对于N型硅而言：新增加的空穴叫作非平衡少数载流子；而新增加的电子叫作非平衡 多数载流子。 当光照停止后，这些非平衡载流子并不是立即全部消失，而是逐渐被复合而消失，它们存在的平均时间就叫作非平衡载流子的寿命。 非平衡载流子的寿命长短反映了半导体材料的内在质量，如晶体结构的完整性、所含杂质以及缺陷的多少，因为硅晶体的缺陷和杂质往往是非平衡载流子的复合中心。 少子寿命是一个重要的参数，用于高能粒子探测器的FZ硅的电阻率高达上万Ωcm，少子寿命上千微秒；用于IC工业的CZ硅的电阻率一般在5—30Ωcm 范围内，少子寿命值多要求在100μs以上；用于晶体管的CZ硅的电阻率一般 在30—100Ωcm，少子寿命也在100μs以上；而用于太阳能电池CZ硅片的电 阻率在0.5—6Ωcm，少子寿命应≥10μs。 5. 氧化量：指硅材料中氧原子的浓度。 太阳能电池要求硅中氧含量＜5×1018原子个数/cm3。 6. 碳含量：指硅材料中碳原子的浓度。 太阳能电池要求硅中碳含量＜5×1017原子个数/cm3。 7、晶体缺陷 另外：对于IC用硅片而言还要求检测： 微缺陷种类及其均匀性； 电阻率均匀性； 氧、碳含量的均匀性； 硅片的总厚度变化TTV； 硅片的局部平整度LTV等等参数。 一、我公司在采购中常见的几种硅材料 1.Cell：称为电池片，常常是电池片厂家外销的产品，它实际是一个单元电池。 2.Wafer：这通常指的是硅片，可能是圆片，也可能是方片。 圆片包括：硅切片，硅磨片、硅抛光片、图形片、污渍片、缺损片。 3.Ingot：常常指的是单晶硅锭，且是圆柱形的硅锭，也有用指多晶硅铸锭的。 4.Polysilicon：通常是指多晶硅料，它又分为棒料、块料、碎料。 5.碳头料(goods with carbon)：通常指多晶硅棒的下部接近石墨头的部分 6.横梁料(beam)：通常是指多晶硅棒最上部的横梁，由于其处在硅棒上部，靠近炉 顶部，且过热（生成温度超过1100℃），也常是金属杂质较多的部分，常不 适合于IC工业，而作为太阳电池材料。 7.头尾料（top and tail）：这是指拉制单晶锭的头部和尾部的部分，它由于电阻率 范围不在IC适用范围内，杂质浓度高（如尾料），或缺陷密度大（如头部料） 而被切下报废，但可作太阳电池的原料。 8.埚底料（Pot scrap）：这是指CZ单晶拉制结束后残留于石英埚底部的余料，常用 作太阳电池片的原料。
一、硅片生产主要制造流程如下： 切片→倒角→磨片→磨检→CP→CVD→ML→最终洗净→终检→仓入 二、硅片生产制造流程作业 1.硅棒粘接：用粘接剂对硅棒和碳板进行粘接，以利于牢固的 固定在切割机上和方位角的确定。 2.切片(Slice)：主要利用内圆切割机或线切割机进行切割，以 获得达到其加工要求的厚度，X、Y方向角，曲翘度的薄硅片。 3.面方位测定：利用X射线光机对所加工出的硅片或线切割前 要加工的硅棒测定其X、Y方位角，以保证所加工的硅片的X、 Y方位角符合产品加工要求。 4.倒角前清洗：主要利用热碱溶液和超声波对已切成的硅片进 行表面清洗，以去除硅片表面的粘接剂、有机物和硅粉等。 5.倒角(BV)：利用不同的砥石形状和粒度来加工出符合加工要 求的倒角幅值、倒角角度等，以减少后续加工过程中可能产 生的崩边、晶格缺陷、处延生长和涂胶工艺中所造成的表面 层的厚度不均匀分布。 6.厚度分类：为后续的磨片加工工艺提供厚度相对均匀的硅片 分类，防止磨片中的厚度不均匀所造成的碎片等。 7.磨片(Lapping):去除切片过程中所产生的切痕和表面损伤
层，同时获得厚度均匀一致的硅片。 8.磨片清洗：去除磨片过程中硅片表面的研磨剂等。 9.磨片检查：钠光灯下检查由于前段工艺所造成的各类失效模 式，如裂纹、划伤、倒角不良等。 10.ADE测量：测量硅片的厚度、曲翘度、TTV、TIR、FPD等。 11.激光刻字：按照客户要求对硅片进行刻字。 12.研磨最终清洗：去除硅片表面的有机物和颗粒。 13.扩大镜检查：查看倒角有无不良和其它不良模式。 14.CP前洗：去除硅片表面的有机物和颗粒。 15.CP(Chemical Polishing):采用HNO3+HF+CH3COOH溶液腐蚀去 除31um厚度，可有效去除表面损伤层和提高表面光泽度。 16.CP后洗：用碱和酸分别去除有机物和金属离子。 17.CP检查：在荧光灯和聚光灯下检查表面有无缺陷和洗污，以 及电阻率、PN判定和厚度的测量分类。 18.DK(Donar Killer)：利用退火处理使氧原子聚为基团，以稳 定电阻率。 19.IG(Intrinsic Gettering):利用退火处理使氧原子形成二次 缺陷以吸附表面金属杂质。 20.BSD(Back Side Damage):利用背部损伤层来吸附金属杂质。 21.CVD前洗：去除有机物和颗粒。 22.LP-CVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition):高温分 解SiH4外延出多晶硅达到增强型的外吸杂。
化学清洗管理制度 第1章第3页共7页 标题 1.清洗岗位责任制 第A版第0次修改 化学清洗岗位责任制 1.1总则 1.1.1 本公司人员必须对各岗位职责、工作内容、工作范围，尽职尽责。 1.1.2 岗位设置 经理副经理工程部化验部检验部财务部办公室 1.2 经理岗位责任 1.2.1 全面管理本项目部共工作计划、财务、工程、安全与发展，组织执行的各种管理制度。 1.2.2 贯彻执行国家、主管部门颁发的有关法令、法规、方针、政策、条例和制度。 1.2.3 组织化学清洗的试验研究，全面负责化学清洗工程质量、人员调配、人员培训及考核。 1.2.4 制定年度工作计划，提出年度工作报告。 1.2.5 审查和签发管理制度文件、技术方案、技术报告。 1.2.6 负责安全教育与管理，检查安全措施执行情况，监督安全生产。 1.3 副经理岗位职责 1.3.1 协助经理管理行政及业务工作。 1.3.2 负责化学清洗项目部业务工作计划审批和具体实施的领导工作。 1.3.3 对化学清洗项目部重大问题，如机构协调、人员聘用、设备仪器购置、财务支出等有建议的责任。 1.3.4 定期向经理汇报业务工作。
1.3.5 对清洗事故负领导责任，对职责范围内的工作失误负领导职责。 1.3.6 有权对重大事故的有关人员提出处理意见。 1.3.7 有权对违反规章制度、劳动纪律的人员进行批评教育，按其情况酌情处理。 1.3.8 有权对工作优秀的人员提出奖励。 1.4 质保责任工程师职责(管理者代表) 1.4.1 在经理的领导下,负责化学清洗质量的监督保证工作，主抓化学清洗质量保证体系的正常运转。 1.4.2 切实贯彻执行，质技监锅发[1999]217号《锅炉水处理监督规则》及[1999]215号《锅炉化学清洗规则》和DL/T794-2001《火力发电厂锅炉化学导则》。 1.4.3 负责组织审定各项规章制度的制定和修订工作。 1.4.4 按化学清洗报告签发制度的有关规定，审核并签发化学清洗报告。 1.4.5 定期召开锅炉清洗人员学习锅炉清洗专业技术和锅炉清洗各项标准，总结经验教训，不断提高锅炉清洗技术和质量。 1.4.6 及时组织传达贯彻执行有关锅炉压力容器安全监察部门下达的锅炉化学清洗的安全指令性文件。 1.4.7 负责质保手册的定期修订工作。 1.4.8 组织召开质保体系责任人员会议。 1.4.9 组织内部审核工作。 1.4.10 经理不在时，负责代替行使经理的职责。 1.5 工艺责任工程师职责 1.5.1 负责组织制定锅炉化学清洗方案，清洗系统的设计和制定切实可行的清洗工艺，经质保工程师批准后，报锅炉所在地的锅炉压力容器检查机构备案。
个人年终总结自我评价 光阴荏苒，岁月如歌。20__年即将结束，20__年迈着崭新的步伐向我们走来。在过去的一年中，由于缺乏工作经验，我在实践的过程中遇到了很多困难也碰了不少壁，与此同时我也得到不少磨练的机会，这些机会对我来说受益匪浅，感受颇深，下面给大家整理了关于年终总结自我评价，方便大家学习。 年终总结自我评价1 _年即将过去，一年来，我们做为一名锅炉运行人员，以饱满的工作热情，努力学习专业技术知识，严格遵守各项运行规程，虚心求教，团结同事，不断提高工作能力，干好本职工作，现将一年来的工作加以总结： 一、工作认真负责，敬业爱岗 以公司理念要求自己，诚信待人，踏实做事，服从领导安排，克服各种困难，始终以积极认真的心态对待工作。特别是进入冬季供暖期，劳动强度增加，在各种艰难的工作态势中，尽我们所能完善各种运行参数，尽管设备比往年增多了，但巡检设备，保养设备的工作并没有放下，依然按时检查保养。有时因为锅炉运行中的种种因素而达不到公司的运行要求。我们却迎难而进，积极调整自己的工作思路，抓住重点，极及进行运行高运调整，取
得了可喜的成绩，在今年的锅炉运行中我们第一个将锅炉负荷提起到120t以上，并得到了公司领导的肯定和嘉奖。 二、 在技术上用心钻研，理论上熟记操作规程，在互联网及可得到学习资料的各种途径中寻找相关运行方面的资料;实践上严格遵守运行规程，培养个人独立操作能力，保证不发生误操事故，把工作中遇到的问题和取得的经验、注意的事项随时记下来，虚心向专工和领导请教，班员都能达到独立上岗了，但深知要想锅炉专业学透学精，还需要时间的磨练、知识的积累，循序渐进，一日才比一日强。即使休假期间，不忘看锅炉专业书籍，做到身不在岗心在岗，还充分利用家里网络资源，查看电厂锅炉文献，开阔视野，继续充电，希望在岗能以新的专业水准对待工作。 三、能力包括协调能力和处理事故能力 若说“技术”比作“智商”的话，那么“能力”就可比作“情商”，锅炉专业亦是如此，智商高就不见得情商高，因为技术是死的，能力是活的。在各种突发事故中，我们班组团结如一人，果断处理，将事故消灭在萌芽状态，使实发事件最小化。所以判断能力快速准确，活学活用，才能更好地干好工作。 四、积累工作经验，贯彻公司“节能降耗”。
硅片清洗原理与方法介绍 1引言 硅片经过切片、倒角、研磨、表面处理、抛光、外延等不同工序加工后，表面已经受到严重的沾污，清洗的目的就是为了去除硅片表面颗粒、金属离子以及有机物等污染。 2硅片清洗的常用方法与技术 在半导体器件生产中，大约有20％的工序和硅片清洗有关，而不同工序的清洗要求和目的也是各不相同的，这就必须采用各种不同的清洗方法和技术手段，以达到清洗的目的。 由于晶盟现有的清洗设备均为Wet-bench类型，因此本文重点对湿法化学清洗的基本原理、常用方法及其它与之密切相关的技术手段等进行论述 3．1湿法化学清洗 化学清洗是指利用各种化学试剂和有机溶剂与吸附在被清洗物体表面上的杂质及油污发生化学反应或溶解作用，或伴以超声、加热、抽真空等物理措施，使杂质从被清除物体的表面脱附（解吸），然后用大量高纯热、冷去离子水冲洗，从而获得洁净表面的过程。化学清洗又可分为湿法化学清洗和干法化学清洗，其中湿法化学清洗技术在硅片表面清洗中仍处于主导地位，因此有必要首先对湿法化学清洗及与之相关的技术进行全面的介绍。 3．1．1常用化学试剂、洗液的性质 常用化学试剂及洗液的去污能力，对于湿法化学清洗的清洗效率有决定性的影响，根据硅片清洗目的和要求选择适当的试剂和洗液是湿法化学清洗的首要步骤。
表一、用以清除particle、metal、organic、nature-oxide的适当化学液 3．1．2溶液浸泡法 溶液浸泡法就是通过将要清除的硅片放入溶液中浸泡来达到清除表面污染目的的一种方法，它是湿法化学清洗中最简单也是最常用的一种方法。它主要是通过溶液与硅片表面的污染杂质在浸泡过程中发生化学反应及溶解作用来达到清除硅片表面污染杂质的目的。 选用不同的溶液来浸泡硅片可以达到清除不同类型表面污染杂质的目的。如采用有机溶剂浸泡来达到去除有机污染的目的，采用1号液（即SC1，包含H2O2、NH3OH化学试剂以及H2O）浸泡来达到清除有机、无机和金属离子的目的，采用2号液（即SC2，包含HCL、H2O2化学试剂以及H2O）浸泡来达到清除AL、Fe、Na等金属离子的目的。 单纯的溶液浸泡法其效率往往不尽人意，所以在采用SC1浸泡的同时往往还辅以加热、超声或兆声波、摇摆等物理措施。
工作总结/计划 个人工作总结与自我评价 本人从入学第一天起，一直坚持遵守学校的各项规章制度，具有良好的思想道德素质和思想文化素质，各个方面表现优秀。有强烈的集体荣誉感和工作责任心，坚持实事求事的原则。 本人思想端正，能吃苦耐劳，有崇高的理想和伟大的目标，注重个人道德修养，养成良好的生活作风，乐于助人，关心国家大事。在校期间，本人一直勤奋学习，刻苦钻研，通过系统地学习掌握较为扎实的基础知识。由于有良好的学习作风和明确的学习目标，曾获得优秀团员、三好学生等荣誉，得到了老师及同学们的肯定，树立了良好的学习榜样。 在课余时间，本人积极参加体育锻炼，增强身体素质，也热爱劳动，积极参加校开展的各项文体活动，参加社会实践，继承和发扬了艰苦奋斗的精神，也参加了校文学社和书法协会，丰富了课余生活，使自己在各方面都得到了相应的提高。宝剑锋从磨砺出，梅花香自苦寒来，本人坚信通过不断地学习和努力，使自己成为一个有理想、有道德、有文化、有纪律的学生，以优异的成绩迎接挑战，为社会主义建设贡献我毕生的力量。我的自我评价可能还不完善，希望老师加以点评。 拥有丰富的的相关工作经验，很强的自学和适应能力，很强的可塑性，有非常强的责任心和协作精神。本人工作积极、认真、负责，有较强的进取精神，善于与人沟通!！若能得到贵公司录用，将会尽心尽职，努力做好上司所分配之工作。谢谢！ 我非常喜欢我所所学的专业，并且感谢父母和社会对我的培养和支持，我非常想得到一个能够发挥我专业特长和能力的工作，为社会和家庭的发展做出一份贡献。 本人诚肯好学、对工作充满热情、有亲和力、有团队精神等。并且灵活掌握所学专业知识，对工作十分认真负责，有一定的组织协调能力。 具有较强学习能力，工作认真负责、敬业，善与他人合作，做事善始善终。
硅片清洗及原理 硅片的清洗很重要，它影响电池的转换效率，如器件的性能中反向电流迅速加大及器件失效等。因此硅片的清洗很重要，下面主要介绍清洗的作用和清洗的原理。 清洗的作用 1.在太阳能材料制备过程中，在硅表面涂有一层具有良好性能的减反射薄膜，有害的杂质离子进入二氧化硅层，会降低绝缘性能，清洗后绝缘性能会更好。 2.在等离子边缘腐蚀中，如果有油污、水气、灰尘和其它杂质存在，会影响器件的质量，清洗后质量大大提高。 3.硅片中杂质离子会影响P-N 结的性能，引起P-N 结的击穿电压降低和表面漏电，影响P-N 结的性能。 4.在硅片外延工艺中，杂质的存在会影响硅片的电阻率不稳定。 清洗的原理 要了解清洗的原理，首先必须了解杂质的类型，杂质分为三类：一类是分子型杂质，包括加工中的一些有机物；二类是离子型杂质，包括腐蚀过程中的钠离子、氯离子、氟离子等；三是原子型杂质，如金、铁、铜和铬等一些重金属杂质。目前最常用的清洗方法有：化学清洗法、超声清洗法和真空高温处理法。 1.目前的化学清洗步骤有两种： （1）有机溶剂（甲苯、丙酮、酒精等）→去离子水→无机酸（盐酸、硫酸、硝酸、王水）→氢氟酸→去离子水 （2）碱性过氧化氢溶液→去离子水→酸性过氧化氢溶液→去离子水 下面讨论各种步骤中试剂的作用。 a.有机溶剂在清洗中的作用 用于硅片清洗常用的有机溶剂有甲苯、丙酮、酒精等。在清洗过程中，甲苯、丙酮、酒精等有机溶剂的作用是除去硅片表面的油脂、松香、蜡等有机物杂质。所利用的原理是“相似相溶”。 b.无机酸在清洗中的作用 硅片中的杂质如镁、铝、铜、银、金、氧化铝、氧化镁、二氧化硅等杂质，只能用无机酸除去。有关的反应如下：
1618845313 一、硅片检测 硅片是太阳能电池片的载体，硅片质量的好坏直接决定了太阳能电池片转换效率的高低，因此需要对来料硅片进行检测。该工序主要用来对硅片的一些技术参数进行在线测量，这些参数主要包括硅片表面不平整度、少子寿命、电阻率、P/N型和微裂纹等。该组设备分自动上下料、硅片传输、系统整合部分和四个检测模块。其中，光伏硅片检测仪对硅片表面不平整度进行检测,同时检测硅片的尺寸和对角线等外观参数；微裂纹检测模块用来检测硅片的内部微裂纹；另外还有两个检测模组，其中一个在线测试[url=]模组[/url]主要测试硅片体电阻率和硅片类型，另一个模块用于检测硅片的少子寿命。在进行少子寿命和电阻率检测之前，需要先对硅片的对角线、微裂纹进行检测，并自动剔除破损硅片。硅片检测设备能够自动装片和卸片，并且能够将不合格品放到固定位置，从而提高检测精度和效率。 二、表面制绒 单晶硅绒面的制备是利用硅的各向异性腐蚀，在每平方厘米硅表面形成几百万个四面方锥体也即金字塔结构。由于入射光在表面的多次反射和折射，增加了光的吸收，提高了电池的短路电流和转换效率。硅的各向异性腐蚀液通常用热的碱性溶液，可用的碱有氢氧化钠，氢氧化钾、氢氧化锂和乙二胺等。大多使用廉价的浓度约为1%的氢氧化钠稀溶液来制备绒面硅，腐蚀温度为70-85℃。为了获得均匀的绒面，还应在溶液中酌量添加醇类如乙醇和异丙醇等作为络合剂，以加快硅的腐蚀。制备绒面前，硅片须先进行初步表面腐蚀，用碱性或酸性腐蚀液蚀去约20～25μm，在腐蚀绒面后，进行一般的化学清洗。经过表面准备的硅片都不宜在水中久存，以防沾污，应尽快扩散制结。 三、扩散制结 太阳能电池需要一个大面积的PN结以实现光能到电能的转换，而扩散炉即为制造太阳能电池PN结的专用设备。管式扩散炉主要由石英舟的上下载部分、废气室、炉体部分和气柜部分等四大部分组成。扩散一般用三氯氧磷液态源作为扩散源。把P型硅片放在管式扩散炉的石英容器内，在850---900摄氏度高温下使用氮气将三氯氧磷带入石英容器，通过三氯氧磷和硅片进行反应，得到磷原子。经过一定时间，磷原子从四周进入硅片的表面层，并且通过硅原子之间的空隙向硅片内部渗透扩散，形成了N型半导体和P型半导体的交界面，也就是PN结。这种方法制出的PN结均匀性好,方块电阻的不均匀性小于百分之十,少子寿命可大于10ms。制造PN结是太阳电池生产最基本也是最关键的工序。因为正是PN结的形成，才使电子和空穴在流动后不再回到原处，这样就形成了电流，用导线将电流引出，就是直流电。 四、去磷硅玻璃 该工艺用于太阳能电池片生产制造过程中，通过化学腐蚀法也即把硅片放在氢氟酸溶液中浸泡，使其产生化学反应生成可溶性的络和物六氟硅酸，以去除扩散制结后在硅片表面形成的一层磷硅玻璃。在扩散过程中，POCL3与O2反应生成P2O5淀积在硅片表面。P2O5与Si反应又生成SiO2和磷原子，这样就在硅片表面形成一层含有磷元素的SiO2，称之为磷硅玻璃。去磷硅玻璃的设备一般由本体、清洗槽、伺服驱动系统、机械臂、电气控制系统和自动配酸系统等部分组成，主要动力源有氢氟酸、氮气、压缩空气、纯水，热排风和废水。氢氟酸能够溶解二氧化硅是因为氢氟酸与二氧化硅反应生成易挥发的四氟化硅气体。若氢氟酸过量，反应生成的四氟化硅会进一步与氢氟酸反应生成可溶性的络和物六氟硅酸。 五、等离子刻蚀 由于在扩散过程中，即使采用背靠背扩散，硅片的所有表面包括边缘都将不可避免地扩散上磷。PN结的正面所收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到PN结的背面，而造成短路。因此，必须对太阳能电池周边的掺杂硅进行刻蚀，以去除电池边缘的PN结。通常采用等离子刻蚀技术完成这一工艺。等离子刻蚀是在低压状态下，反应气体CF4的母体分子在射频功率的激发下，产生电离并形成等离子体。等离子体是由带电的电子和离子组成，反应腔体中的气体在电子的撞击下，除了转变成离子外，还能吸收能量并形成大量的活性基团。活性反应基团由于扩散或者在电场作用下到达SiO2表面，在那里与被刻蚀材料表面发生化学反应，并形成挥发性的反应生成物脱离被刻蚀物质表面，被真空
编号：HSJ（FST）-10-03-20反渗透化学清洗现场作业指导书 编写：问志远 2010年 03月 10日 审核：陈秋宏 2010 年 03月 11日 批准：黄慈敬 2010 年 03月 12日 作业负责人：陈秋宏 作业日期：2010年03月20日至2010年03月23日 编制单位：新原热电化水车间
目录 一、使用说明 (3) 1、应用范围 (3) 2、使用方法 (3) 二、作业前准备 (2) 1、作业现场勘查表 (2) 2、作业工作形象进度表 (3) 3、作业工作安排表 (3) 4、作业人员要求表 (4) 5、作业工器具表 (4) 6、作业材料表 (5) 7、作业危险点分析表 (5) 8、作业安全措施表 (6) 9、作业人员分工表 (7) 三、作业程序和工艺标准 (8) 1、作业开工内容表 (8)
2、工作内容和工艺标准表 (8) 3、作业消缺记录 (11) 4、作业工器具回收表 (11) 5、作业材料回收表 (12) 6、竣工内容表 (12) 四、验收总结表 (13) 五、收工会记录表 (13) 六、作业指导书执行情况评估表 (13) 一、使用说明 1、应用范围 本作业指导书针对反渗透化学清洗工作，从全过程管理的角度，对影响检修质量和安全、文明生产等环节进行标准化规范，对人员、材料、工器具、安全教育等方面作了具体规定，仅适用于反渗透化学清洗工作。 2、使用方法 1、本作业指导书由工作负责人编写、单位安全部门审核、单位生产经理批准。
2、在执行标准化作业指导书过程中按照所编写的步骤由各项负责人逐项落实并打“√”、签字。 3、所有需要手工填写的内容必须使用钢笔（黑色）、圆珠笔、签字笔，字迹工整，不得随意涂改。 二、作业前准备
总结 通过自身的不断努力，无论是思想上、学习上还是工作上，都取得了长足的发展和巨大的收获。通过这一年的工作与学习，使我认识到一名合格技术员的成长是一个前景光明、充满希望同时又需要付出努力和心血的过程，也是一个需要不断完善不断发展的长期的过程。以下是我在这一年的工作总结及自我鉴定： 一、严于律己，自觉加强党性锻炼，政治思想觉悟得到提高 思想是行动的指南，一个人如果想把工作做好，就必须先树立自己的工作思维。作为一名非党员，我积极要求加入党组织，于2011年8月上交了入党申请书，现已是一名入党积极分子。日常工作中我严格要求自己，自觉接受党员和同事们的监督和帮助，坚持不懈地克服自身的缺点，弥补自己的不足。始终坚持运用马克思列宁主义的立场、观点和方法论，坚持正确的世界观、人生观、价值观，并用以指导自己的学习、工作和生活实践。同时积极主动的了解国家大事，认真学习党的各项新方针、新政策，不断的提升自己的党性修养，与党保持一致；作为公司的一员，我认真的学习和渗透公司的主流文化思想，并将其运用到实际工作中，与公司保持一致。 二、求知若渴，虚心向学 作为2011届的一名新员工，只有不断提升自己的知识水平和技术水平，才能更好的完成自己的工作。工作中遇到不懂的问题时，虚心向师傅和其他同事请教。日常工作中上午在作业区进行软件工作，下午扎入现场对设备多看多问，不断增加自己的现场经验。同时认真的学习公司的各类文件，对管理体制和规范有了一定的了解，在工作中以公司标准化管理的标准来严格要求自己。 三、努力工作，认真完成各项工作任务
我从做好本职工作和日常工作入手，从我做起，从现在做起，我一直相信一份耕耘，一份收获，所以我一直在努力，不断努力学习，不断努力工作。从身边小事做起并持之以恒，热爱自己本职工作能够正确认真对待每一项工作，工作投入，按时出勤，有效利用工作时间，坚守岗位。设备故障抢修时，无论何时都能够做到第一时间赶到现场跟班作业，并提出自己的方案参与抢修，保证设备尽快正常运行。在2012年2月我被作业区内聘为现场专业工程师，我紧跟公司的步伐，加强理论知识方面的学习，努力做到认识上有新提高、运用上有新收获，达到理论能指导实践、促进工作、提高工作水平的目的，不断的提高自己的技术水平来指导自己的工作。通过在本职工作中尽心尽力，孜孜不倦地作出成绩，我要不断的提高自己的岗位本领，努力精通本职的岗位知识，做本职工作的骨干和行家里手，脚踏实地的做好本职工作。 四、工作中发扬团队合作精神，克服了工作中一个又一个的难题 在平时的工作中，首先做好日常工作，我与作业区其他同事既有分工又有合作，坚持经常和其他技术人员进行工作交流，充分发扬民主，从不独断专行，从而较圆满完成维护部的各项工作任务。都有了很大的进步。当然成绩只代表过去，在以后的工作中我会加倍努力，争取做的更好。因为技术在不断进步更新，只有通过不断地学习，脚踏实地的作风，方能胜任自己的工作岗位。同时在日后工作经验的积累中，逐步培养自己的预见性，不断在现场检查、监督中随时发现问题，解决问题，使自己的现场综合处理能力不断的得到锻炼和提高。