GM,代表LGS产品.
72,代表SDRAM.
66,代表64M
8,代表8bit位宽
4,代表4个芯片
T,代表TSOP2封装
75,代表133MHZ
内存条一般都有标注大小，如果没有就要看颗粒的编号了，给个你看看：
samsung内存
例：samsungk4h280838b-tcb0
第1位——芯片功能k，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表dram。
第3位——芯片的更进一步的类型说明，s代表sdram、h代表ddr、g代表sgram。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6a代表64mbit的容量；28、27、2a代表128mbit的容量；
56、55、57、5a代表256mbit的容量；51代表512mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7b为7.5ns(cl=3)；7c为7.5ns(cl=2)；80为8ns；10为10ns(66mhz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星ddr内存，使用18片samsungk4h280838b-tcb0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128mbits（兆数位）×16片/8bits=256mb（兆字节）。
注：“bit”为“数位”，“b”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ecc内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ecc内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ecc校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ecc功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ecc内存。
hynix(hyundai)现代
现代内存的含义：
hy5dv641622at-36
hyxxxxxxxxxxxxxxxx
123456789101112
1、hy代表是现代的产品
2、内存芯片类型：(57=sdram，5d=ddrsdram)；
3、工作电压：空白=5v，v=3.3v,u=2.5v
4、芯片容量和刷新速率：16=16mbits、4kref；64=64mbits、8kref；65=64mbits、4kref；128=128mbits、8kref；129=128mbits、4kref；256=256mbits、16kref；257=256mbits、8kref
5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、1
6、32分别代表4位、8位、16位和32位
6、bank数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个bank，是2的幂次关系
7、i/o界面：1:sstl_3、2:sstl_2
8、芯片内核版本：可以为空白或a、b、c、d等字母，越往后代表内核越新
9、代表功耗：l=低功耗芯片，空白=普通芯片
10、内存芯片封装形式：jc=400milsoj，tc=400miltsop-ⅱ，td=13mmtsop-ⅱ，tg=16mmtsop-ⅱ
11、工作速度：55:183mhz、5:200mhz、45:222mhz、43:233mhz、4:250mhz、33:300nhz、l:ddr200、h:ddr266b、k:ddr266a
现代的mbga封装的颗粒
infineon（英飞凌）
infineon是德国西门子的一个分公司，目前国内市场上西门子的子公司infineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128mbits的颗粒和容量为256mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个bank组成。所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。
hyb39s128400即128mb/4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此，如：hyb39s128800即128mb/8bits；hyb39s128160即128mb/16bits；hyb39s256800即256mb/8bits。
infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。
-7.5——表示该内存的工作频率是133mhz；
-8——表示该内存的工作频率是100mhz。
例如：
1条kingston的内存条，采用16片infineon的hyb39s128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为：128mbits（兆数位）×16片/8=256mb（兆字节）。
1条ramaxel的内存条，采用8片infineon的hyb39s128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为：128mbits（兆数位）×8片/8=128mb（兆字节）。
kingmax、kti
kingmax内存的说明
kingmax内存都是采用tinybga封装（tinyballgridarray）。并且该封装模式是专利产品，所以我们看到采用kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。kingmax内存颗粒有两种容量：64mbits和128mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。
容量备注：
ksva44t4a0a——64mbits，16m地址空间×4位数据宽度；
ksv884t4a0a——64mbits，8m地址空间×8位数据宽度；
ksv244t4xxx——128mbits，32m地址空间×4位数据宽度；
ksv684t4xxx——128mbits，16m地址空间×8位数据宽度；
ksv864t4xxx——128mbits，8m地址空间×16位数据宽度。
kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率：
-7a——pc133/cl=2；
-7——pc133/cl=3；
-8a——pc100/cl=2；
-8——pc100/cl=3。
例如一条kingmax内存条，采用16片ksv884t4a0a-7a的内存颗粒制造，其容量计算为：64mbits （兆数位）×16片/8=128mb（兆字节）。
micron（美光）
以mt48lc16m8a2tg-75这个编号来说明美光内存的编码规则。
含义：
mt——micron的厂商名称。
48——内存的类型。48代表sdram；46代表ddr。
lc——供电电压。lc代表3v；c代表5v；v代表2.5v。
16m8——内存颗粒容量为128mbits，计算方法是：16m（地址）×8位数据宽度。
a2——内存内核版本号。
tg——封装方式，tg即tsop封装。
-75——内存工作速率，-75即133mhz；-65即150mhz。
实例：一条micronddr内存条，采用18片编号为mt46v32m4-75的颗粒制造。该内存支持ecc 功能。所以每个bank是奇数片内存颗粒。
其容量计算为：容量32m×4bit×16片/8=256mb（兆字节）。
winbond（华邦）
含义说明：
wxxxxxxxx
12345
1、w代表内存颗粒是由winbond生产
2、代表显存类型：98为sdram，94为ddrram
3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为b和h；
4、代表封装，h为tsop封装，b为bga封装，d为lqfp封装
5、工作频率:0：10ns、100mhz；8：8ns、125mhz；z：7.5ns、133mhz；y：6.7ns、150mhz；6：6ns、166mhz；5：5ns、200mhz
mosel（台湾茂矽）
台湾茂矽科技是台湾一家较大的内存芯片厂商，对大陆供货不多，因此我们熟悉度不够。这颗粒编号为v54c365164vdt45，从编号的6、7为65表示单颗粒为64/8＝8mb，从编号的8、9位16可知单颗粒位宽16bit，从编号的最后3位t45可知颗粒速度为4.5ns
nanya（南亚）、elixir、pqi、pluss、atl、eudar
南亚科技是全球第六大内存芯片厂商，也是去年台湾内存芯片商中唯一盈利的公司，它在全球排名第五位。这颗显存编号为nt5sv8m16ct-7k，其中第4位字母“s”表示是sdram显存，6、7位8m表示单颗粒容量8m，8、9位16表示单颗粒位宽16bit，-7k表示速度为7ns。
v-data（香港威刚）、a-data（台湾威刚）、vt
内存颗粒编号为vdd8608a8a-6b h0327，是6纳秒的颗粒，单面8片颗粒共256m容量，0327代表它的生产日期为2003年第27周
Cisco网络设备命名规则 CISCO 开头的产品都是路由器； 2. RSP 开头的都是CISCO7500 系列产品的引擎； 3. VIP 开头的产品都是CISCO 7500系列产品的多功能接口处理器模块； 4. PA 开头的产品都是CISCO 7500/7200系列产品的模块； 5. NPE 开头的都是CISCO7200 系列产品的引擎； 6. NM 开头的都是CISCO低端路由器模块； 7. WIC 开头的都是CISCO低端路由器的广域网接口模块； 8. VWIC 开头的都是CISCO低端路由器的语音接口模块； 9. WS-C 开头的产品都是交换机； 10. WS-X 开头的产品是交换机的引擎或模块； 11. WS-G 开头的产品是交换机的千兆光纤模块。 关键字： TT:适用2960 CE500交换机，表示电口 TC:适用2960 CE500交换机,表示电口＋双介质口 LC:适用CE500,包括POE＋电口＋2SFP TS：适用3560，3750 表示电口＋SFP PS：适用3560,3750 表示POE＋SPF T：适用3750，仅电口 TD：适用3750，表示电口＋10GBE cisco路由的命名规则都是以CISCO开头比如：cisco1721，cisco2621，ci sco3662，cisco3745。这些都是路由器。 比如：cisco2621 其中cisco：是品牌,前两位数字是系列号，这款产品属于2600系列， 后两位是具体的型号。 其中cisco 路由器有以下几个系列： cisco2500系列：cisco2501、cisco2502、一直到cisco2514，这些都是国 内能见到的设备，再往上就是国外的了，国内很少见到。 cisco1700：1720、1721、1751、1760 cisco1800：1821、1841 cisco2600系列：2610、2611、2620、2621、2651 cisco2600XM 系列：2610XM、2611XM、2620XM、2621XM cisco3600：3620、3640、3660 cisco3700：3725、3745 cisco3800：3825、3845 cisco7200：7204、7206、7204VXR、7206VXR这些都是机箱，使用当中 需要引擎的支持（NPE-225、NPE-300、NPE-400、NPE-G1、最新的是NP E-G2）和业务模块的支持东西很多了，这就不写了。 cisco7500：7507、7513 同样也需要引擎的支持（RSP2、RSP4、RSP8、 RSP16）和业务模块的支持，7200上的业务模块都能在75上使用，需要一块VIP 卡的支持。 在上面就是12000 系列：12008，12016这些是目前最高端的。同样也需要
我们关注哪些厂商 在本站前不久的内存评测与优化专题中，经常会提到一些内存芯片编号， 最近在一些论坛中也发现了类似的话题，因此就有了写一篇这方面文章的想法。在下文中，我们将介绍世界主流内存芯片厂商的芯片识别与编号的定义。所有 相关资料截止至2004年4月6日，由于内存产品肯定存在着新旧交替与更新 换代，厂商也因此会不定期的更新编码规则以为新的产品服务，所以若发现新 产品的编号与我介绍的有所不同，请以当时的新规则为准。 这里要强调的是，所谓的主流厂商，就是指DRAM销售额世界排名前十位 的厂商，有不少模组厂商也会自己生产内存芯片。但请注意，他们并不是真正 的生产，而只是封装！像胜创（KingMax）、金士顿（Kingston）、威刚（ADATA、VDATA）、宇瞻（Apacer）、勤茂（TwinMOS）等都出过打着自 己品牌的芯片，不过它们自己并不生产内存晶圆，而是从那些大厂购买晶圆再 自己或找代工厂封装。这类的芯片并不是主流（除了自己，其他模组厂商不可 能用），厂商也没从公布完整详细的编号规则，有时不是厂商某一级别的技术 人员都不会说清自己封装芯片的编号规则。因此，本文所介绍的内容不包括它们，请读者见谅。 那么，现在常见的内存芯片都是哪些厂商生产的呢？我们可以先看看下面 这个2003年世界最大十家DRAM厂商排名。 从中可以看出，排名前十的厂商是三星（SAMSUNG，韩国）、美光（Micron，美国）、英飞凌（Infineon，德国）、Hynix（韩国）、南亚（Nanya，中国台湾）、尔必达（ELPIDA，日本）、茂矽（Mosel Vitelic，中 国台湾），力晶（Powerchip，中国台湾）、华邦（Winbond，中国台湾）、 冲电气（Oki，日本）。
现代(Hynix)内存编号示含义 (2010-01-21 17:04:43) 转载▼ 标签： 分类：电脑知识 电脑 ddr400 hynix ddr内存 it HY5DU56822AT-H 现代内存编号示意图 A部分标明的是生产此颗粒企业的名称——Hynix。 B部分标明的是该内存模组的生产日期，以三个阿拉伯数字的形式表现。第一个阿拉伯数字表示生产的年份，后面两位数字表明是在该年的第XX周生产出来的。如上图中的517表示该模组是在05年的第17周生产的 C部分表示该内存颗粒的频率、延迟参数。由1-3位字母和数字共同组成。其根据频率、延迟参数不同，分别可以用“D5、D43、D4、J、M、K、H、L”8个字母/数字组合来表示。其含义分别为D5代表DDR500（250MHz），延迟为3-4-4；D43代表DDR433（216MHz），延迟为3-3-3；D4代表DDR400（200MHz），延迟为3-4-4；J代表DDR333（166MHz），延迟为2.5-3-3；M代表DDR266（133MHz），延迟为2-2-2；K代表DDR266A（133MHz），延迟为2-3-3；H代表DDR266B（133MHz），延迟为2.5-3-3；L代表DDR200（100MHz），延迟为2-2-2。 D部分编号实际上是由12个小部分组成，分别表示内存模组的容量、颗粒的位宽、工作电压等信息。具体详细内容如图二
所示D部分编号12个小部分分解示意图采用现代颗粒的内存颗粒特写 第1部分代表该颗粒的生产企业。“HY”是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代生产制造。第2部分代表产品家族，由两位数字或字母组成，“5D”表示为DDR内存，“57”表示为SDRAM内存第3部分代表工作电压，由一个字母组成。其中含义为V代表VDD=3.3V & VDDQ=2.5V； U代表VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W代表VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S代表VDD=1.8V & VDDQ=1.8V 来分别代表不同的工作电压 第4部分代表内存模组的容量和刷新设置，由两位数字或字母组成。对于DDR 内存，分别由“64、66、28、56、57、12、1G”来代表不同的容量和刷新设置。其中含义为：64代表64MB容量，4K刷新；66代表64MB容量，2K刷新； 28代表128MB容量，4K刷新；56代表256MB容量，8K刷新；57代表256MB容量，4K 刷新；12代表512MB容量，8K刷新；1G代表1GB容量，8K刷新 第5部分代表该内存颗粒的位宽，由1个或2个数字组成。分为4种情况，分别用“4、8、16、32”来分别代表4bit、8bit、16bit和32bit 第6部分表示的是Bank数，由1个数字组成。有三种情况，分别是“1”代表2 bank，“2”代表4 bank，“4”代表8 bank 第7部分代表接口类型，由一个数字组成。分为三种情况，分别是“1”代表SSTL_3，“2”代表SSTL_2；“3”代表SSTL_18 第8部分代表该颗粒的版本，由一个字母组成，这部分的字母在26个字母中的位置越*后，说明该内存颗粒的版本越新，目前为止HY内存共有5个版本，表现在编号上，空白表示第一版，“A”表示第二版，依次类推，到第5版则有“D”来代表。购买内存的时候版本越说明新电器性能越好 第9部分代表的是功耗，如果该部分是空白，则说明该颗粒的功耗为普通，如果该部分出现了“L”字母，则代表该内存颗粒为低功耗 第10部分代表内存的封装类型，由一个或两个字母组成。由“T”代表TOSP 封装，“Q”代表LOFP封装，“F”代表FBGA封装，“FC”代表FBGA（UTC：8 x 13mm）封装 第11部分代表堆叠封装，由一个或两个字母组成。空白代表普通；S代表
常用【变量命名法则】总结 1、匈牙利命名法 计算机程序设计中的一种命名规则，用这种方法命名的变量显示了其数据类型。 匈牙利命名法有两种：系统匈牙利命名法和匈牙利应用命名法。 匈牙利命名法被设计成语言独立的，并且首次在BCPL语言中被大量使用。由于BCPL 只有机器字这一种数据类型，因此这种语言本身无法帮助程序员来记住变量的类型。匈牙利命名法通过明确每个变量的数据类型来解决这个问题。 在匈牙利命名法中，一个变量名由一个或多个小写字母开始，这些字母有助于记忆变量的类型和用处，紧跟着的就是程序员选择的任何名称。这个后半部分的首字母可以大写以区别前面的类型指示字母（参见駝峰式大小寫）。 系统命名法与应用命名法的区别在于前缀的目的。 在系统匈牙利命名法中，前缀代表了变量的实际数据类型。例如： lAccountNum : 变量是一个长整型("l"); arru8NumberList : 变量是一个无符号8位整型数组("arru8"); szName : 变量是一个零结束字符串("sz")，这是西蒙尼最开始建议的前缀之一。 匈牙利应用命名法不表示实际数据类型，而是给出了变量目的的提示，或者说它代表了什么。rwPosition : 变量代表一个行("rw")。 usName : 变量代表一个非安全字符串("us")，需要在使用前处理。 strName : 变量代表一个包含名字的字符串("str")但是没有指明这个字符串是如何实现的。 西蒙尼建议的大多数前缀都是自然语义的，但不是所有。下面几个是来自原始论文的： p X是指向另一个X类型的指针，这包含非常少的语义信息。 d是一个前缀表示两个值的区别，例如，dY可能代表一个图形沿Y轴的距离，而一个仅仅叫做y的变量可能是一个绝对坐标。这完全是自然语义的。 sz是一个无结束或零结束的字符串。在C中，这包含一些语义信息，因为它不是很明确一个char*类型的变量是一个指向单个字符的指针，还是一个字符数组，亦或是一个零结束字符串。 w标记一个变量是一个字。这基本上没有包含什么语义信息，因此大概会被当成是系统命名法。 b标记了一个字节，和w对比可能有一些语义信息，因为C语言中，只有字节大小的数据是char型的，因此这些有时候被用来保存数值。这个前缀也许可以明确某个变量保存的是应该被看作是字母（或更一般的字符）的数值还是一个数字。 由于这种命名法通常使用小写字母开头用来助记，但是并没有对助记符本身作规定。有几种被广泛使用的习惯（见下面的示例），但是任意字母组合都可以被使用，只要它们在代码主体中保持一致就可以了。 在使用匈牙利系统命名法的代码中有时候也可能包含系统匈牙利命名法，即在描述被单独以类型方式定义的变量时使用。
华立仪表集团股份XX企业标准受控号：版本号：A/0 Q/HL202.15-2009 B1 原理图电气图形符号与PCB封装命名规则2014-12- 发布2014-01-01实施
华立仪表集团股份X X发布 前言 本标准规定了制造电子式电能表及系统常用电子元器件电气图形符号与PCB封装命名规X。 本标准由华立仪表集团股份XX国内研发提出 本标准由华立仪表集团股份XX国内研发起草并负责解释。
1X围 本标准规定了制造电子式电能表及系统常用电子元器件电气图形符号与PCB封装命名规X 本标准适用于电能表计及系统在硬件设计过程中所需的电子元器件电气图形符号与PCB封装的命名规X 5原理图电气图形符号命名规则及制作注意点： 原理图电气图形符号命名规则： 1.原理图电气图形符号命名规则采用“字母”+“-”+“后缀”进行。 1.1字母与元器件大类规则相对应，见表1 1.2后缀根据每个类别图形符号的多少来分别定义，图形符号少的一般根据加入的前后按序列号排列，图形符号多的按器件型号来命名。同时为了便于查找，对于常用器件可在后缀后的括号内，对一些物料进行备注说明。 表1 器件大类与编码对照表 以下命名规则中的n和xxx个数不同，在本标准中不代表具体的位数，只是起图示说明的作用。(XXX)内的不是所有有备注，无备注可不写。 电阻器命名规则 R －n(xxx) 器件大类 备注
序列号 R—1 第一个电阻原理图符号 R—2（MY）第二个电阻原理图符号，并说明是个压敏电阻符号 R—3（MZ）第三个电阻原理图符号，并说明是个热敏电阻符号 R—4（ADJ）第四个电阻原理图符号，并且是个可调电阻符号 电容器命名规则 C 备注 序列号 C—1 第一个电容原理图符号 C—2（+）第二个电容原理图符号，并说明是有极性电容符号 电感命名规则 L D 备注 引脚数序列号 L—2D1 引脚数为2的第一个电感原理图符号 二极管与三极管命名规则 D －x D 器件大类 备注 引脚数序列号 D—2D1 引脚数为2的第一个二三极管原理图符号 D—2D2（Zener）引脚数为2的第二个二三极管原理图符号，并说明是个稳压管D—3D1 (PNP) 引脚数为3的第一个二三极管原理图符号，并说明是个PNP三极管 集成块命名规则 U －nnnnnn(xx) 器件大类 备注引脚数 器件型号 U—ADE7755(24)
I n t e l处理器命名规则是怎样的 相信我们大多数人电脑都是使用I n t e l的处理器，处理器有很多种，官方都是怎么进行命名的呢?在I n t e l C P U型号中，都有哪些C P U是带后缀的呢?请看下文解析。 I n t e l处理器命名规则是怎样的? M：笔记本专用C P U，一般为双核，M前面一位数字是0，意味着是标准电压处理器，如果是7，则是低电 压处理器。 U：笔记本专用低电压C P U，一般为双核，U前面一位数字为8，则是28W功耗的低压处理器(标准电压双核处理器功耗为35W)，若前一位数字为7，则是17W功耗的低压处理器，若为0，则是15W功耗的低压处理器。 H：是高电压的，是焊接的，不能拆卸。 X：代表高性能，可拆卸的。 Q：代表至高性能级别。 Y：代表超低电压的，除了省电，没别的优点的了，是不能拆卸的。 T：是涡轮增压技术，能增加C P U的转速，比如5400转的，可以提升到7200转，用来增加C P U性能。 K：可以超频的版本。
无后缀的是标准版。 Q M(第四代开始改为M Q)：笔记本专用C P U，Q是Q u a d 的缩写，即四核C P U。若Q M前一位数字是0，则表示此产品为功耗45W的标准电压四核处理器，若为2，则表示此产品为35W功耗的低电压四核处理器，若为5，与对应为0的C P U主要规格相同，但集成的核芯显卡频率更高(如3630Q M和3635Q M，后者核显最大频率 1.2G H z，前者则是 1.15G H z)。 H Q：第四代C P U新出现的系列，主要参数和标准的四核C P U一致，但集成了性能空前强大的核芯显卡I r i s P r o5200系列，这种核显的性能可以直接媲美中端独立显卡。目前有i74750H Q，4850H Q和4950H Q三款C P U，后来出了一款i7 4702H Q，并没有集成高性能核芯显卡，是定位较为模糊的一款产品。 X M：最强大的笔记本C P U，功耗一般为55W。X意为E x t r e m e，此类型C P U完全不锁频，在散热和供电允许 的情况下可以无限制超频，而即便是默认频率下，也比同一时代的其它产品强大得多。这类C P U都是工厂生产后精心挑选出来得极品，质量极佳，性能完美，但价格非常昂贵。一块X M系列的C P U批发价可达1000美金以
封装库的管理规范 修订履历表 版本号变更日期变更内容简述修订者审核人V1.00 初次制定杨春萍 一。元件库的组成 1.1 原理图Symbol库 原理图Symbol库分为STANDARD_LIB.OLB和TEMPORARY_LIB.OLB，用于标准库和临时库的区分； 1.2 PCB的Footprint库 PCB封装库只有一个文件夹，里面包括所有的封装和焊盘。 二、元件Ref缩写列表 常用器件的名称缩写作如下规定： 集成芯片 U 电阻 R 排阻 RN 电位器 RP 压敏电阻 RV 热敏电阻RT 无极性电容、大片容C 铝电解CD
钽电容CT 可变电容 CP 二极管 D 三极管 Q ESD器件(单通道)D MOS管 MQ 滤波器 Z 电感L 磁珠 FB 霍尔传感器 SH 温度传感器 ST 晶体Y 晶振 X 连接器J 接插件 JP 变压器 T 继电器 K 保险丝 F 过压保护器 FV 电池 GB 蜂鸣器 B 开关 S 散热架 HS 生产测试点：TP/TP_WX1 信号测试点：TS 螺丝孔 HOLE 定位孔：H 基标：BASE 三、元件属性说明 为了能够将元件信息完全可以录入ORCAD的元件信息系统（CIS）中，根据器件的特性，建库申请人还应将相应的信息（但不仅限于以下信息）提供给库管理员。 元件属性如下： Value：器件的值，主要是电阻、电容、电感； Tolerance：公差，主要指电阻、电容的精度等级；晶体、钟振的频偏范围； C_Voltage：电压，主要指电容的额定电压，晶体、钟振的供电电压； Wattage：功率，主要是电阻的额定功率； Dielectric：电容介质种类，如NPO、X7R、Y5V等等 Temperature：使用温度 Life：使用寿命 CL：容性负载，主要针对晶体来说 Current：电流，电感、磁珠的额定电流 Resonace frequency：电感的谐振频率
C语言变量名命名规则 一、程序风格： 1、严格采用阶梯层次组织程序代码： 各层次缩进的分格采用VC的缺省风格，即每层次缩进为4格，括号位于下一行。 要求相匹配的大括号在同一列，对继行则要求再缩进4格。例如： 2、提示信息字符串的位置 在程序中需要给出的提示字符串，为了支持多种语言的开发，除了一些给调试用的临时信息外，其他所有的提示信息必须定义在资源中。 3、对变量的定义，尽量位于函数的开始位置。 二、命名规则： 1、变量名的命名规则 ①、变量的命名规则要求用“匈牙利法则”。即开头字母用变量的类型，其余部分用变量的英文意思或其英文意思的缩写,尽量避免用中文的拼音,要求单词的第一个字母应大写。 即：变量名=变量类型+变量的英文意思（或缩写） 对非通用的变量，在定义时加入注释说明，变量定义尽量可能放在函数的开始处。 见下表：
对未给出的变量类型要求提出并给出命名建议给技术委员会。 ②、指针变量命名的基本原则为： 对一重指针变量的基本原则为： “p”+变量类型前缀+命名 如一个float*型应该表示为pfStat 对多重指针变量的基本规则为： 二重指针：“pp”+变量类型前缀+命名 三重指针：“ppp”+变量类型前缀+命名 ...... ③、全局变量用g_开头,如一个全局的长型变量定义为g_lFailCount,即：变量名=g_+变量类型+变量的英文意思（或缩写） ④、静态变量用s_开头,如一个静态的指针变量定义为s_plPerv_Inst,即：变量名=s_+变量类型+变量的英文意思（或缩写） ⑤、成员变量用m_开头,如一个长型成员变量定义为m_lCount;即：变量名=m_+变量类型+变量的英文意思（或缩写） ⑥、对枚举类型（enum）中的变量，要求用枚举变量或其缩写做前缀。并且要求用大写。 如：enum cmEMDAYS { EMDAYS_MONDAY; EMDAYS_TUESDAY; …… }; ⑦、对struct、union、class变量的命名要求定义的类型用大写。并要加
pcb封装库命名规则 PCB封装库命名规则 1、集成电路(直插) 用DIP-引脚数量+尾缀来表示双列直插封装 尾缀有N和W两种,用来表示器件的体宽 N为体窄的封装，体宽300mil,引脚间距2.54mm W为体宽的封装, 体宽600mil,引脚间距2.54mm 如:DIP-16N表示的是体宽300mil,引脚间距2.54mm的16引脚窄体双列直插封装 2 、集成电路(贴片) 用SO-引脚数量+尾缀表示小外形贴片封装 尾缀有N、M和W三种,用来表示器件的体宽 N为体窄的封装，体宽150mil,引脚间距1.27mm M为介于N和W之间的封装，体宽208mil,引脚间距1.27mm W为体宽的封装, 体宽300mil,引脚间距1.27mm 如:SO-16N表示的是体宽150mil，引脚间距1.27mm的16引脚的小外形贴片封装 若SO前面跟M则表示为微形封装，体宽118mil,引脚间距0.65mm 3、电阻 3.1 SMD贴片电阻命名方法为:封装+R 如:1812R表示封装大小为1812的电阻封装 3.2 碳膜电阻命名方法为:R-封装 如:R-AXIAL0.6表示焊盘间距为0.6英寸的电阻封装 3.3 水泥电阻命名方法为:R-型号
如:R-SQP5W表示功率为5W的水泥电阻封装 4、电容 4.1 无极性电容和钽电容命名方法为:封装+C 如:6032C表示封装为6032的电容封装 4.2 SMT独石电容命名方法为:RAD+引脚间距 如:RAD0.2表示的是引脚间距为200mil的SMT独石电容封装 4.3 电解电容命名方法为:RB+引脚间距/外径 如:RB.2/.4表示引脚间距为200mil, 外径为400mil的电解电容封装 5、二极管整流器件 命名方法按照元件实际封装，其中BAT54和1N4148封装为1N4148 6 、晶体管命名方法按照元件实际封装，其中SOT-23Q封装的加了Q以区别集成电路的SOT-23封装，另外几个场效应管为了调用元件不致出错用元件名作为封装名 7、晶振 HC-49S,HC-49U为表贴封装，AT26,AT38为圆柱封装，数字表规格尺寸 如:AT26表示外径为2mm，长度为8mm的圆柱封装 8、电感、变压器件 电感封封装采用TDK公司封装 9、光电器件 9.1 贴片发光二极管命名方法为封装+D来表示 如:0805D表示封装为0805的发光二极管 9.2 直插发光二极管表示为LED-外径 如LED-5表示外径为5mm的直插发光二极管 9.3 数码管使用器件自有名称命名 10、接插 10.1 SIP+针脚数目+针脚间距来表示单排插针，引脚间距为两种:2mm，2.54mm
1楼 在Nvidia的显卡中。GT表示的是加强版的意思。8800GT就是8800的加强版。不过GTS是加加强版，所以8800GTS是比8800GT强的。还有就是Ultra是加加加强版的意思。说白了就是文字游戏，Nvidia现在的显卡最低也是GT，全是加强版，没意思。 显卡后缀解释： 1、NVIDIA方面： Ultra：NV暂时的顶级型号，以前认为和GTX一个等级，自从8800U出来以后就不同啦，比GTX更强！！Ultra现在可以认为是GTX的官方超频板，Best！！ GTX：暂时比Ultra低端一些，以前的旗舰型号，但绝对是不容小时的... GTS：新兴的显卡型号，起初出现于G80系列，定位约等于ATI的XT，定位比T更高，代表作有8600GTS和8800GTS... GT：高级版，现在定位比GTS低一些，主要在于PCB、核心频率和显存规格，以前是中段产品的最高级版，代表作8600GT... GS：Nv系列中中段偏上的显卡型号，比GT还要低，但是在G80系列中已不见踪影，代表作7600GS和7300GS.. LE：最差的一种，缩水版，一般不推荐购买：7300LE最为经典... 2、ATI方面： XTX：最高的等级，只限于旗舰产品！如1900XTX和1950XTX... XT：频率比XTX稍低一点的型号，但也代表着中低端的最高型号，如1650XT、1950XT... GT/PRO：大概就是高级般的意思，“PRO”在英语中就是“高能”的意思，地位比XT稍低，最典型的就是1650GT和2600pro... 总结：还是ATI的型号简洁，不像Nvidia一样一个系列变一次。 2楼 ATi显卡命名规律 和nVIDIA一样，ATi显卡的命名也按照了一定的规律进行，对相同核心的不同型号显卡，以不同的命名规则区分开，以方便消费群体识别好显卡之间的级别，下面我们就说说ATi 常见的命名规律。 XTX > XT > XL/GTO > Pro/GT > SE XTX：ATI系列中最高端显卡型号的后缀，如：1800XTX，1900XTX。这个后缀编号都是当时最高端的ATi显卡所配有的。 XT：这个编号比较有意思，ATi和nVIDIA都采用这个编号，但两者表达的意义却不同，用户需要区分开。 在ATi方面，XT是代表了顶级显卡的型号，一般就运行频率稍低于XTX，XT与XTX的关系就像nVIDIA中GTX和Ultra的一样。我们知道的高端显卡就有Radeon X1950XT、 Radeon HD 2900XT，它们都采用了XT这个后缀。 而在nVIDIA方面，XT却是代表了简化版，比标准版更低，如GeForce 5600XT，消费者需要区分开来。但在以后的代数中，nVIDIA也很少用到XT这个后缀命名。 XL：用于ATi高端显卡系列的后缀，级别比顶级级别的XT低，主要表现在频率和管线上有所缩水。 GTO：是ATi较为特殊的命名后缀，也是用于中高端显卡系列，其意义就有点类似于nVIDIA 的“GS”一样，比XL级别稍低。
如何通过颗粒编号，识别当今现代（HYNIX）内存条规格 消费者通过查看颗粒编号的含义，以识别自己购买内存是否为正品的文章，已经很早就有人开始写了。但随着现代新品颗粒的推出，以及对颗粒编号的调整，早期那些文章已经不能再担任帮助消费者识别真伪的重任。而当今市场，不论是原厂还是兼容，使用现代HY内存颗粒的产品仍然十分常见，再加上消费者因新编号定义不明，而受骗上当的例子仍然存在，因此，我们将对现代颗粒的最新编号定义，对深圳市龙俊电子有限公司总代的现代SDRAM/DDR SDRAM/DDR2 SDRAM三种主流内存颗粒的编号一一进行说明。 一、DDR SDRAM： 现在正值DDR SDRAM内存销售的鼎盛时期，颗粒制造厂稍有个风吹草动，都会影响到整个零售市场的内存价格。现代的DDR SDRAM内存颗粒作为当今零售市场内存产品的主流选件，更是决定着整个内存市场走势的关键。虽然，它并不是利润最高的产品，但由于是主流规格的原因，仍然是内存经销商“走量”的首选产品。 我们以新近上市的现代DDR 500内存的颗粒编号为例。这种最新上市的DDR 500原厂现代内存，采用了编号为HY5DU56822CT-D5的内存颗粒。从这组编号，我们可以了解到如下一些信息：这是一款DDR SDRAM内存，容量256MB，使用了8颗粒结构，并占用2个bank数，封装方式则采用了TSOP II结构。 究竟这些含义是如何被分辨出来的呢？下面我们就对现代DDR SDRAM内存的颗粒编号进行一些说明。 HYNIX DDR SDRAM颗粒编号：
整个DDR SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。 颗粒编号解释如下： 1．HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。 2．内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM） 3．处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V） 4．芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新） 5．内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片） 6．内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank） 7．接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18） 8．内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代） 9．能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型） 10．封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm）） 11．封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC）） 12．封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素） 13．速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200） 14．工作温度：（I=工业常温（-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度））
封装命名规则
华立仪表集团股份有限公司企业标准 受控号：版本号：A/0 Q/HL202.15-2009 B1 原理图电气图形符号与PCB封装命名规则 2014-12- 发布 2014-01-01实施 华立仪表集团股份有限公司发布
前言 本标准规定了制造电子式电能表及系统常用电子元器件电气图形符号与PCB封装命名规范。 本标准由华立仪表集团股份有限公司国内研发提出本标准由华立仪表集团股份有限公司国内研发起草并负责解释。
1范围 本标准规定了制造电子式电能表及系统常用电子元器件电气图形符号与PCB封装命名规范 本标准适用于电能表计及系统在硬件设计过程中所需的电子元器件电气图形符号与PCB封装的命名规范 5原理图电气图形符号命名规则及制作注意点： 原理图电气图形符号命名规则： 1.原理图电气图形符号命名规则采用“字母”+“-”+“后缀”进行。 1.1字母与元器件大类规则相对应，见表1 1.2后缀根据每个类别图形符号的多少来分别定义，图形符号少的一般根据加入的前后按序列号排列，图形符号多的按器件型号来命名。同时为了便于查找，对于常用器件可在后缀后的括号内，对一些物料进行备注说明。 表1 器件大类与编码对照表 类别编码类别编码类别编码
电阻器R 晶振G 导线组件X 电容 C 光耦 E 变压器T 电感L 开关K 互感器H 二极管和三极 D 电池（组件） B 稳压器、桥堆V 管 继电器（组件）、 J 集成块U 液晶Y 计度器 光电晶体管Q 背光组件P 接插件S 蜂鸣器 F 滤波谐振器Z 其它 A 其它变压器TT 以下命名规则中的n和xxx 个数不同，在本标准中不代表具体的位数，只是起图示说明的作用。 (XXX)内的不是所有有备注，无备注可不写。 电阻器命名规则 R －n (xxx) 器件大类 备注 序列号 R—1 第一个电阻原理图符号 R—2（MY）第二个电阻原理图符号，并说明是个压敏电阻符号 R—3（MZ）第三个电阻原理图符号，并说明是个热敏电阻符号 R—4（ADJ）第四个电阻原理图符号，并且是个可调电阻符号 电容器命名规则 C －n (xxx) 器件大类 备注
显卡命名规则 蓝宝石、华硕、迪兰恒进、丽台、XFX讯景、技嘉、映众、微星、艾尔莎、富士康、捷波、磐正、映泰、耕升、旌宇、影驰、铭瑄、翔升、盈通、祺祥、七彩虹、斯巴达克、索泰、双敏、精英、昂达 英伟达（nvidia）命名规则： 一般的版本有GTX 、GTS 、GT 、GS排序是GTX ＞GTS ＞GT ＞GS GS （入门级）普通版或GT的简化版。 GT （主流级）常见的游戏芯片。比GS高一个档次,因为GT没有缩减管线和顶点单元。 GTS（性能级）介于GT和GTX之间的版本GT的加强版 GTX (GT eXtreme 旗舰级)代表着最强的版本简化后成为成为GT 版本级别: 除了上述标准版本之外，还有些特殊版，特殊版一般会在标准版的型号后面加个后缀，常见的有： GE 也是简化版不过略微强于GS一点点,影驰显卡用来表示"骨灰玩家版"的东东 ZT 在XT基础上再次降频以降低价格。 XT 降频版，而在A Ti中表示最高端。 LE (Lower Edition 低端版) 和XT基本一样，A Ti也用过。 SE 和LE相似基本是GS的简化版最低端的几个型号 MX 平价版，大众类，如著名的MX440 Ultra 在GF8系列之前代表着最高端，但9系列最高端的命名就改为GTX 。 GT2 eXtreme 双GPU显卡。 TI (Titanium 钛)以前的用法一般就是代表了nVidia的高端版本。 Go 用于移动平台。 TC (Turbo Cache)可以占用内存的显卡 GX2（GT eXtreme２）指两块显卡以SLI并组的方式整合为一块显卡，不同于SLI的是只有一个接口。如9800GX2 7950GX2 自G100系列之后，NVIDIA重新命名显卡后缀版本，使产品线更加整齐 GTX高端/性能级显卡GTX295 GTX275 GTX285 GTX280 GTX260 GT代表主流产品线GT120 GT130 GT140 GTS250(9500GT 9600GT 9800GT 9800GTX+ ) G低端入门产品G100 G110 (9300GS 9400GT ) AMD（A TI）的命名规则： A TI显卡是按一定的规则命名的，对于相同核心不同型号的显卡，以不同的命名规则命名，
内存型号说明： Samsung 具体含义解释： 例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0 主要含义： 第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。 第2位——芯片类型4，代表DRAM。 第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。 第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量； 56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。 第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。 第11位——连线“-”。 第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为8ns；10 为10ns (66MHz)。 知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位）× 16片/8bits=256MB（兆字节）。 注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。 Hynix(Hyundai)现代 现代内存的含义： HY5DV641622AT-36
Matlab变量及命名规则 Matlab中所有的变量都是用矩阵形式来表示的，即所有的变量都表示一个矩阵或者一个向量。其命名规则如下： （1）变量名对大小写敏感； （2）变量名的第一个字符必须为英文字母，其长度不能超过31个字符； （3）变量名可以包含下连字符、数字，但不能包含空格符、标点。 Matlab系统预定义的变量： 表3-2 Matlab中预定义的变量 ans 预设的计算结果的变量名 eps Matlab定义的正的极小值=2.2204e-16 pi 内建的π值 inf ∞值，无限大 NaN 无法定义一个数目 i或j 虚数单位 nargin 函数输入参数个数 nargout 函数输出参数个数 realmax 最大的正实数 realmin 最小的正实数 flops 浮点运算次数 另外，键入clear是去除所有定义过的变量名称[]15。 3.2.2.2 赋值语句 Matlab中书写表达式的规则与手写算式差不多相同。如果一个指令过长可以在结尾加上“…”（代表此行指令与下一行连续）。 3.2.2.3 Matlab的矩阵计算功能 （1）Matlab中数值矩阵的生成Matlab中任何矩阵（向量），都可以直接按行方式输入每个元素，同一行中的元素用逗号或者用空格符来分隔，且空格个数不限；不同的行用分号分隔；所有元素处于一方括号内。 （2）Matlab中相关的矩阵运算 1）矩阵加、减运算 运算符：“＋”和“－”分别为加、减运算符。 2）乘法 运算符：“*”；可实现两个矩阵相乘及矩阵的数乘。 点乘：“A.*B”表示A与B对应元素相乘。
3）向量点积 函数：dot 格式：C=dot(A,B)；若A、B为长度相同的向量，则返回向量A与B的点积。 4）矩阵转置 运算符：“ '”； 运算规则：若矩阵A的元素为实数，则与线性代数中矩阵的转置相同。若A 为复数矩阵，则A转置后的元素由A对应元素的共轭复数构成。若仅希望转置，则用如下命令：“ A.'”。 5）方阵的行列式 函数：det 格式：d=det(X)，返回方阵X的多项式的值。 6）矩阵的逆 函数：inv 格式：Y=inv(X)，表示求方阵X的逆矩阵。若X为奇异阵或近似奇异阵，将给出警告信息。或者用“X^-1”计算，表示求方阵X的-1次方。 7）矩阵的秩 函数：rank 格式：k=rank(A)，表示求矩阵A的秩。 8）矩阵的长度 函数：size；length 格式：size(A)；length(A) n?的矩阵（行数和列数），而后者则返两者之间的区别在于前者返回一个m 回矩阵的长度（行数和列数的最大值）[]16。 3.2.2.4 关系和逻辑运算 作为所有关系和逻辑表达式的输出，Matlab把任何非零数值当作真，把零当作假。所有关系和表达式的输出，对于真，输出为1；对于假，输出为零。 Matlab关系操作符包括所有常用的比较： < ：小于；<= ：小于或等于； > ：大于；>= ：大于或等于； == ：等于；~= ：不等于 Matlab关系操作符能用来比较两个同样大小的数组，或用来比较一个数组和一个标量。在后一种情况，标量和数组中的每一个元素相比较，结果与数组大小一样。 Matlab逻辑操作符包括：& ——与；| ——或；~ ——非[]17。
印制板设计 元器件封装命名规则
目次 1 范围 (1) 2 规范性引用文件 (1) 3制订规则 (1) 3.1以B开头的封装 (1) 3.2以C开头的封装 (1) 3.3以D开头的封装 (2) 3.4以E开头的封装 (2) 3.5以F开头的封装 (2) 3.6以G开头的封装 (2) 3.7以H开头的封装 (2) 3.8以K开头的封装 (2) 3.9以L开头的封装 (2) 3.10以R开头的封装 (2) 3.11以S开头的封装 (3) 3.12以T开头的封装 (3) 3.13以U开头的封装 (3) 3.14以V开头的封装 (3) 3.15以X开头的封装 (3) 3.16以Z开头的封装 (4)
印制板设计 元器件封装命名规则 1 范围 本部分适用于印刷电路板元器件封装的命名。 2 规范性引用文件 3制订规则 按照《项目代号》的分类方法，对标准封装库中贴片及插装元器件的命名做了以下规定。 3.1以B开头的封装 3.1.1蜂鸣器 3.1.1.1用Ba/b/c表示。B: 蜂鸣器、驻极话筒；a：两脚间距（mm）；b：直径（mm）；c：管脚直径（mm）。一些特殊的蜂鸣器、驻极话筒封装用B加型号表示，例如：OBO-27CO的封装用B27CO 表示。 3.1.2气敏传感器 3.1.2.1用Ba表示。B：气敏传感器。a：元器件型号。例如：TGS822、TGS813的封装用BTGS822和BTGS813表示。 3.2以C开头的封装 3.2.1插装类电容器 3.2.1.1铝电解电容器用CEa/b/c表示。CE：铝电解电容器；a：两管脚间距（mm）；b：直径（mm）；c：管脚直径（mm）或管脚截面长×宽（mm）。 3.2.1.2钽电解电容器用CTa/b表示。CT：钽电解电容器；a：两管脚间距（mm）；b：管脚直径（mm）或管脚截面长×宽（mm）。 3.2.1.3其它类的电容器用Ca/b/c或Ca/c表示。C：电容器；a：两管脚间距（mm）；b：外型，长×宽（mm）；c：管脚直径（mm）或管脚截面长×宽（mm）。外型很薄的瓷介、瓷片、独石或钽电容器可不标注外型尺寸，用Ca/c表示。 注：对于一些两管脚间距、管脚直径或管脚截面长×宽均相同，只是外形尺寸不同的元器件，制作封装并命名时采取向下兼容的原则（却以最大的外形尺寸为制做封装的标准）。 3.2.2 贴片类电容器 3.2.2.1 贴片电容器0603、0805在前加C，用C0603、C0805表示，1206与Pertel98库相同。 3.2.2.2 贴片铝电解电容器用CESa表示。CES：贴片铝电解电容器；a：直径。 3.2.2.3 贴片钽电解电容器用CTS-a表示。CTS：贴片钽电解电容器；a：封装尺寸代码。
竭诚为您提供优质文档/双击可除 c语言函数命名规范 篇一：c语言命名规则 匈牙利命名法是微软推广的一种关于变量、函数、对象、前缀、宏定义等各种类型的符号的 命名规范。匈牙利命名法的主要思想是：在变量和函数名中加入前缀以增进人们对程序的理 解。它是由微软内部的一个匈牙利人发起使用的，结果它在微软内部逐渐流行起来，并且推 广给了全世界的windows开发人员。下面将介绍匈牙利命名法，后面的例子里也会尽量遵守 它和上面的代码风格。 aarray数组 bbool(int)布尔(整数) byunsignedchar(byte)无符号字符(字节) cchar字符(字节) cbcountofbytes字节数 crcolorreferencevalue颜色(参考)值 cxcountofx(short)x的集合(短整数)
dwdwoRd(unsignedlong)双字(无符号长整数) fFlags(usuallymultiplebitvalues)标志(一般是有多位的数值) fnFunction函数 g_global全局的 hhandle句柄 iinteger llong lplongpointer m_datamemberofaclass 成员 nshortint ppointer sstring szzeroterminatedstring 符串 tmtextmetric uunsignedint ulunsignedlong(ulong)整数长整数长指针一个类的数据短整数指针字符串以0结尾的字文本规则无符号整数无符号长整数 wwoRd(unsignedshort)无符号短整数