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模拟电路试题库

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1.PN结反向电压时,其空间电荷区将,使运动占优。

2.PN结内电场的方向由区指向区。

3.P型半导体中掺入的杂质是价元素,多数载流子是 ,少数载流子

是 .

4.本征半导体中加入微量五价元素的杂质,构成的是型半导体,起多数载流子

是 ,少数载流子是 .

5.二极管的单向导电性是加正向电压 ,加反相电压 .

6.PN结具有单向导电性是指 .

7.PN 结处于正向偏置是指 .

8.由理想二极管组成的电路如图1所示,则该电路的输出电压U AB= .

9.由理想二极管组成的电路如图2所示,则该电路的输出电压U AB= .

10.半导体二极管在整流电路中,主要是利用其特性.

11.所谓PN结的正偏偏置,是将电源的正极与区相接,负极与区相接,在正向

偏置电压大于死区电压的条件下,PN结将 .

12.半导体三极管结构上的特点为基区、,发射

区、,集电区、.

13.半导体三极管工作在放大区时,发射结应加电压,集电结应加电压; 工作

在饱和区时,U CES≈ ;I CS≈ ; 工作在截止区时, U CE≈ ;I C≈ .

14.在三极管放大电路中,测得静态U CE=0V,说明三极管处于工作状态.

15.晶体三极管是型控制器件.场效应管是型控制器件.

16.已知晶体三极管的发射极电流I E=2mA,集电极电流I C=1.98mA,若忽略穿透电流I CEO的影

响时,则该管的β= .

17.半导体三极管通常可能处于、、 3种工作状态.

18.半导体三极管又称双极型三极,因为 ;场效应管又称单极型三极,因

为 .

19.已知晶体管各管脚电位如图所示,则该管子的材料是 ,型号是 ,工作状态

是 .

20.半导体三极管的穿透电流I CEO随温度的升高而,β随温度的升高而, U BE

随温度的升高而, I C随温度的升高而

21.PNP型三极管处于放大状态时,3个电极电位以极电位最高, 极电位最低.

22.在三极管组成的放大电路输入回路中,耦合电容的作用是。

23.在单级共射放大电路的输入端加一微小的正弦波电压信号,而在输出端的电压信号出现

正半周削顶现象,这是属于失真。

24.共集电极放大电路带负载能力强是由于的原因。

25.三极管放大电路的电压放大倍数是与之比。

26.射极输出器的主要特点是、、。

27.共射、共集基本放大电路中,带负载能力最强的是电路。

28.将放大器的全部或部分通过某种方式回送到输入端,这部分信号叫做

信号,使放大器净输入信号减小,放大倍数也减小的反馈,称为反馈。使放大器净输入信号增加,放大倍数也增加的这种反馈,称为反馈。

29.为稳定静态工作点引入反馈,为稳定输出电压引入反馈,为稳定

输出电流引入反馈,为提高输入电阻可引入反馈,为提高输入电阻可引入反馈。为降低输出电阻可引入反馈。

30.在放大电路的通路中存在反馈通路,则电路必引入直流反馈,在放大电路的

通路中存在反馈通路,则电路必引入交流反馈;反馈结果使净输入量增大,则说明引入了反馈,反之,则引入了反馈。

31.

32.如果反馈信号和输出电压成正比,这就是反馈,如果反馈信号和输出电流成正

比,这就是反馈。

33.放大电路处于深度负反馈时,其实际闭环电压放大倍数主要取决于,此时

AF=。

34.负反馈的4种组是:;;;。

35.在差动放大电路的输入信号中,信号是有用的信号,信号则是要设

法抑制的信号。

36.长尾式差放电路中Re对信号有负反馈作用,Re愈大负反馈作用愈,

而对信号无反馈作用。

37.集成运放电路是耦合放大电路,为了有效克服零漂现象,输入级一

般采用放大电路,为使其有足够的带负载能力,输出级应采用放大电路。

38.若要集成运放工作在线性区,则必须在电路中引入反馈,若要集成运放工作

在非线性区,则必须在电路中引入反馈或反馈。集成运放工作在线性区的特点是和;工作在非线性区的特点是和;在运算电路中,集成运放工作在区;在电压比较电路中,集成运放工作在区。

39.某集成运放的差模电压放大倍数Aud=2×105 ,共模电压放大倍数Au2=2,则该运放的共

模抑制比K CMR= = 。

40.实现Uo=5(Ui1-Ui2)应选用运算电路,实现Uo=-10Ui1-Ui2应选用

运算电路,将幅值为±Uim的三角波转换成矩形波应选用电路。

41.集成运放的种类很多,但在结构上大都由、、和偏

置电路组成,此外还有一些辅助电路。

42.反馈型振荡电路产生自激振荡的2个基本条件:;。

43.抑制自激振荡的措施,主要是在电路中加装。

44.常用的整流电路有、、。

常用的滤波电路有、、。

整流是指将变换为的过程,按被整流的交流电的相数,可分为整流和整流,按流过负载电流的波形可分为整流和整流。当负载电流较小时,可以由220V电网电压通过、、和电路得

到比较平滑的直流电压,为使负载两端电压不随电网电压的波动或负载电阻的变化而变化,则还应采用电路。

直流稳压电源通常由、、、等部分组成。

稳压管正常工作须在区,在此区内,当电流在较大范围内变化时,电压,在实际电路中,一般都将稳压管联接在电路中。

在输出电压平均值相等的情况下,单相桥式整流电路中二极管所承受的最高反向电压是单相全波的倍,是单相半波的倍。

电容滤波可使整流电路的输出电压;使二极管单相导电时间。

所谓滤波,就是将脉动直流电中的成分去掉,使波形变得的过程。2.在构成电压比较器时,集成运放工作在开环或状态。

3.当f=1/2πRC时,RC串并联选频网络的反馈网络的相位角为。

4.文氏电桥振荡器中,Rf与R1之间应满足的关系。

5.乙类功放的效率比甲类功放的效率。甲类功放的效率最大不超过,乙类功放的效率最高为。

6.自激振荡电路主要由和两部分组成,前者要求有足够大的放大倍数,后者要求反馈信号与输入信号。

7.放大器的直流负载线与晶体管的某条输出特性曲线的交点,称为放大器的。8.已知一晶体管工作在放大区,并测得三个电极的电位分别为-9V、-3。2V、-3V,则此管为型管子。

10.衡量一个差动放大器抑制零漂能力的最主要指标是。

11.在用万用表测二极管正向电阻时,常发现不同的欧姆档测出的电阻值不同,用R×1K 档测出的值大,而用R×100欧档测出的值小。这说明二极管属于器件。12.串联负反馈使放大器的输入电阻,电压负反馈能稳定放大器的输出。13.单想桥式整流电路,负载电阻为100Ω,输出电压平均值为10V,则流过每个整流二极管的平均电流为A。

14.某放大器为了减轻信号源的负担并增强带负载能力,应采用的负反馈类型是。15.在晶体管串联型稳压电源中,若提供基准电压的稳压管的稳压值升高,则输出电压将会(填“升高”或“降低”)。

16.射极输出器常用在多级放大器的第一级和输出级是利用它的特点。17.电路产生自激振荡必须满足条件和条件。即反馈信号与输入信号的相位必须,反馈信号的振幅应输入信号的振幅。

18.放大电路输出端开路时的电压放大倍数比带上负载时的电压放大倍数(“大”或“小”)。

19.放大电路的非线性失真,是由于晶体管工作时进入引起的。

20.在晶体管三种基本组态放大电路中,带负载能力最强的是组态。

21.互补对称功率放大电路采用不同类型的两个晶体管组成推挽输出器,在输入交流信号的作用下,两管工作。

22.当二极管两端加上反向电压时,半导体材料中的载流子在反向电压作用下,形成很小的反向电流。在同样温度下,硅管的反向电流比锗管。

23.用万用表测得某放大电路中三极管在两个不同静态工作点下的两组数据:I E1=1.02mA,I C1=1mA; I E2=2.04mA,I C2=2mA,则该三极管的交流放大倍数β=。24.电路产生自激振荡必须满足条件和条件。

25.对于一个晶体管放大器来说,一般希望输入电阻要些,以减轻信号源的负担,输出电阻要些,以增大带负载的能力。

26.2CZ系列晶体二极管是半导体材料制成的。

27.影响放大器工作点稳定的主要因素是的变化,稳定工作点常用的措施是在电路中引入。

28.射极输出器属于共极放大电路,主要特点是电压放大倍数约为,输入电阻高,输出电阻低。

29.集成运算放大器的输入级常采用电路,主要是为了。

30.模拟电路中晶体管一般工作在状态,数字电路中的晶体管一般工作在或状态。31.若桥式整流电路中,负载上的输出电压为9V,电流为800mA,则二极管的最高反向工作电压应大于V,流过每只二极管的电流平均值为mA。

32.稳压二极管正常工作时,工作在区,它是利用它的特性起稳压作用的,为了保证它的正常工作,一般要适当限制通过管子的。

33.乙类功放的静态工作点I C为,具有效率高的特点,但存在着。

34.在半导体三极管放大器中,穿透电流I CEO随温度升高而,β随温度的升高而。35.三极管处于放大状态的外部条件是:发射结偏,集电结偏。

36.多级低频小信号放大器的常用级间耦合方式为。主要特点为级间各自独立。

37.由于晶体管的工作特性,使得振荡器起振后,输出电压不断加大,最终能达到稳定状态。

38.已知某反馈放大器的A vf=9.09,F=0.1,则它的开环电压放大倍数A V=。39.差动放大电路的共模抑制比K CMR= ,共模抑制比越小,抑制零漂的能力越。40.二极管的伏安特性反映了与之间的关系。

41.射极输出器是一个深度负反馈。因此其输入电阻,输出电阻。42.为了产生单一频率的正弦波振荡,振荡器中必须有。

43.带有放大环节的串联型稳压电源主要有以下四部分组成:、、、。

44. 杂质半导体中的多数载流子是由产生,少数载流子是由产生的。45.反向电压引起反向电流剧增时的PN结所处的状态是二极管的工作状态,当然也是二极管的故障状态。

46.用万用表R×100Ω或R×1KΩ档测试一个正常的二极管时指针偏转角度小,这时可判断黑表笔接的是二极管的极。

47.晶体三极管的最基本最重要的特性是。

48.晶体管的集电极最大允许电流I CM是指值随集电极电流I C的而下降到正常值时所对应的集电极电流。

发光二极管是将信号转换成信号,光敏二极管是将信号转换成信号。完成整流这一任务只要靠二极管的特性。

整流电路接入滤波电路后,二极管的导通角将。

右图稳压电路,当U I=12V时,I3= mA,

当U I=36V时,I3= mA。

多级放大器中,后级的就是的负载,前级的是的信

号源内阻。

判断反馈极性的方法是,判断电路是电压反馈还是电流反馈的方法是 .

假想将放大电路输入回路的反馈结点对地短路,若输入信号被短路,无法加到放大电路中去,则该反馈是 .

甲类放大电路是指放大管的导通角等于 ,乙类放大电路则其导通角等于 ,在甲乙类放大电路中,放大管导通角为 .

在线性运用时,集成运放的输入端的“虚断”和“虚短”这两个结论主要是根据集成运放的理想条件的和。

电路如图所示,这是一个电压放大倍数可调的电路,当电阻器的滑动端处于最上端时,电路的名称是,当电阻器的滑动端处于最下端时,电路的名称是。

判断题

1.晶体管由两个PN结组成,所以可以用两个二极管构成三极管。()

2.P型半导体中,多数载流子是带正电的空穴,故P型半导体带正电。()

3.二极管的反向漏电流越小,其单向导电性能越好。()

4.三极管的放大作用实质就是把小电压放大成大电压。()

5.负反馈能提高放大器的稳定性,提高电压放大倍数。()

6.低频电压放大器空载时电压放大倍数最大,带负载后其电压放大倍数将降低。()7.多级放大器中,输入级常常接有去耦滤波电路,用于防止电源内阻的耦合作用引起的自激振荡。()

8.直流负载电压相同时,变压器中心抽头单相全波整流电路中二极管所承受的反向电压比单相半波整流和桥式整流二极管所承受的反向电压高一倍。()

9.直流放大器级与级之间的耦合采用电容耦合。()

10.直流放大器只能放大变化缓慢的直流信号。()

11.放大电路中,晶体二极管各极的实际电流方向始终不随输入信号极性的变化而变化。()

12.

13.放大器带上负载RL后,电压放大倍数将比空载时高。()

14.放大器带上负载R L后,电压放大倍数将比空载时高,且R L愈小,放大倍数愈大。

()

15.多级放大器的通频带比其中每个单级放大器的通频带都宽。()

16.硅稳压二极管的稳压电路中,限流电阻一般可不要。()

17.晶体管放大电路中三极管的β值越大越好。()

18.半导体的导电能力随外界温度、光照、或掺入杂质不同而不同。()19.画放大器的直流通路时,电容器做开路处理。()

10.画放大器的直流通路时,电容器做开路处理,画交流通路时,电容器和电源作断路处理。()

11.引起直流放大器零点漂移的主要原因是环境温度的变化。()

12.电容(或电感)三点式振荡电路能否满足起振条件,只要看等效电路中两串联电容(或

电感)的中点是否接三极管的发射极,另两个端点是否接在基极和集电极上,是,则满足,否则不起振。()

13.差动放大电路的共模抑制比K CMR越大,则电路放大差模信号的能力越强。()

14.射极输出器的电压放大倍数总是小于1,因此不能进行功率放大。()

15.推挽功率放大器输入交流信号时,由于总有一只功放三极管是截止的,所以产生了输出波形的交越失真。()

16.正弦波振荡器中,选频网络能使电路产生一单一频率的正弦波。()

17.两个单级放大器单独工作时,其电压放大倍数分别是A V1、A V2,当连成一个两级放大器时,其总的电压放大倍数A V为原来单级电压放大倍数A V1、A V2的乘积。即A V=A V1·A V2。()18.放大器出现饱和失真,是由于放大器的静态工作点设置过高。()

19.有公共发射极电阻R E的差动放大电路中,该电阻的作用是对共模信号构成负反馈以提高抑制零漂的能力。()

20.两只放大倍数分别为β1和β2的晶体三极管组成复合管,复合管的极性取决于第一只管,复合管的放大倍数β=β1+β2。()

21.放大器采用负反馈能提高增益的稳定性,减小非线性失真。()

22.用万用表欧姆档测出的正反向电阻是二极管的直流电阻。()

23.共射放大电路的电压放大倍数随负载电阻的增大而增大。()

24.流过整流二极管的电流一定大于负载电流。()

25.电容三点式振荡器的输出波形中含有高次谐波,波形较差。()

26.在负反馈放大电路中,如果引入电压串连负反馈,则能使放大电路的输入电阻减小、输出电压稳定。()

27.多级放大电路的输入电阻主要取决于第一级的输入电阻。()

28.串联型稳压电路中的调整管相当于可调电阻的作用。()

29.在外电场作用下,半导体中同时出现电子电流和空穴电流。()

30.单相全波整流电路,实际上就是两个单相半波整流电路的组合。()

电容滤波适合用于大电流场合,二电感滤波适合用于高电压场合。()

单相桥式整流电容滤波电路中与单相半波整流电容滤波电路中,每个二极管承受的反向电压相同。()

硅稳压管并联型稳压电路的负载任意变化,稳压管都能起稳压作用。()

两个单级放大电路空载的放大倍数均为-50,将它们构成两级阻容耦合放大电路后,总的放大倍数就可达到2500。()

分压式放大电路,稳定静态工作点的实质是通过I C的变化引起R E上的电压降变化来实现的。()

在正弦波振荡电路中,只允许存在正反馈,不允许有负反馈.( )

当甲类功放电路的输出功率为零时,管子消耗的功率最大.( )

当集成运放工作在非线性区,

单项选择题

1.在本征半导体中掺入()就成为P型半导体。

A.3价元素

B.4价元素

C.5价元素

D.6价元素

2.带射极电阻Re的共射放大电路,并上旁路电容Ce后,。其交流电压放大倍数将()

A.减小

B.增大

C.不变

D.降为零

3.反相比例运算电路的一个重要特点是()

A.反相输入端为虚地

B. 输入电阻大

C.电流并联负反馈

D.电压串联负反馈4.文氏电桥振荡器中的放大电路放大倍数()才能满足起振条件。

A.为1/3时

B.为3时

C.大于3时

D.大于1/3时

5.当温度增加时,本征半导体中的自由电子和空穴的数量会()

A.同时增加

B.同时减少

C.增减难以确定

D.不变

6.面接触型二极管适用于()

A.高频检波电路

B.工频整流电路

C.脉冲电路

D.小电流开关

7.滤波电路中整流二极管的导通角较大,峰值电流较小,输出特性较好,适用于低电压、大电流巡场合的滤波电路是()

A.电感

B.电容

C. 复式

D.有源

8.在单相桥式整流电路中,设变压器副边电压有效值为U2,若副边开路,则每只整流二极管承受的最高反向电压是()

A.2U2

B.1.4U2

C.2.8U2

D.U2

9.单管基本放大电路中,V CE≈V CC,可能是因为()

A.R B短路

B.R B开路

C.β过大

D.R C开路

10.用示波器观察单管基本共射放大电路的输出电压U O和三极管的集电极电压U C的波形,两者应该()

A.同相

B.反相

C.相差90度

D.相差135度

11.希望向起前级或信号源索取的电流小,可选用()

A.共射接法

B.共集电极接法

C.共基接法

D.任何接法

12.基本放大电路中RB=100KΩ,RC=1.5KΩ, 三极管的β=80,在静态时,该三极管处于()

A.放大状态

B.饱和状态

C.截止状态

D.状态不定

13.反馈放大电路的含义是( )

A.输出与输入之间有信号通路

B.电路中存在反向传输的信号通路

C.放大倍数一定会减小的电路

D.除放大电路以外还有正向传送的信号通路

14.在OCL功率放大电路中,若出现交越失真,为了改善这种失真,应( )

A.进行相位补偿

B.适当减小功放管的静态电压︱U BE︱

C.适当增加功放管的静态电压︱U BE︱

D.适当增加负载电阻RL的阻值

15.将水库中水位的变化经传感器变化为连续变化的电信号,需要用( )

A.阻容耦合放大器

B.变压器耦合放大器

C.直接耦合放大器

D.以上三种都可以

16.差模信号是差动放大电路两个输入端对地的信号之( )

A.和

B. 差

C.比

D.平均值

17.实用型差动放大器由双端输入变为单端输入,其差模放大倍数()

A.增大一倍

B.减小一半

C.不变

D.减少到原来的3/4

18.如图所示电路的输出电压U0=12V Ui>2V,则()

A. Ui>2V

B. Ui<2V

C. Ui=12V

D. Ui<12V

19.

A. B. C. D.

A. B. C. D.

A. B. C. D.

A. B. C. D.

A. B. C. D.

A. B. C. D.

A. B. C. D.

A. B. C. D.

A. B. C. D.

A. B. C. D.

分析题

1.某只整流二极管的反向击穿电压为100V,额定功耗为250Mw,其线路;其限流电阻R为10K,反偏时电源电压为130V,问该管是否会损坏?并说明理由。

2.用万用表R×1KΩ档测某三极管时,黑表笔接基极,红表笔接发射极,测得阻值为无穷大。交换后测得阻值为15KΩ,若按50V电压刻度读数指针在29.8V处(该表R×1KΩ档用电池的电动势E=1.5V).

(1).试问该管为PNP型还是NPN型?

(2).用读取电压法确定该管是硅管还是锗管?

计算题

在晶体三极管放大电路中,当I B=10μA,测得I C=1.1mA;当I B=20μA ,测得I C=2mA;1.

试求该晶体管的电流放大系数β、穿透电流I CEO及集电结反向电流I CBO。

2.(缺图76)如图,已知晶体管的β=50,U BEQ=0.7V,R B=300KΩ,R E=R C=R L=3KΩ, rbe=1K Ω,并知当开关S都打开时两个电路的输出电压均为U O=5V,求:

(1)当S闭合时,两个电路的输出电压各为多少?

(2)两图哪个电路的输出电压稳定性好?

3.某理想运放电路如图所示,设RF=R1=R,电位器RW滑动端对地的电阻为KR W,0≤K≤1.求下列情况下U0/UI的表达式:

(1)RW滑动端位于最上端时;

(2)RW滑动端位于最下端时;

(3)RW滑动端位于任意位置时;

模拟电路考试试题10套和答案

坑爹的模电 试卷编号01 ……………………………………………………………………………………………………………… 一、填空(本题共20分,每空1分): 1.整流电路的任务是__________;滤波电路的任务是__________。 2.在PN结的形成过程中,载流子的扩散运动是由于__________而产生的,漂移运动是__________作用下产生的。 3.放大器有两种不同性质的失真,分别是__________失真和__________失真。 4.在共射阻容耦合放大电路中,使低频区电压增益下降的主要原因是__________的影响;使高频区电压增益下降的主要原因是__________的影响。 5.在交流放大电路中,引入直流负反馈的作用是__________;引入交流负反馈的作用是___________。 6.正弦波振荡电路一般由__________、__________、__________、__________这四个部分组成。 7.某多级放大器中各级电压增益为:第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ,放大器的总增益为__________,总的放大倍数为__________。 8.在双端输入、单端输出的差动放大电路中,发射极公共电阻R e对__________信号的放大无影响,对__________信号的放大具有很强的抑制作用。共模抑制比K CMR为__________之比。 9.某放大电路的对数幅频特性如图1(在第三页上)所示,当信号频率恰好为上限频率时,实际的电压增益为__________dB。 二、判断(本题共10分,每小题1分,正确的打√,错误的打×): 1、()构成各种半导体器件的基础是PN结,它具有单向导电和反向击穿特性。 2、()稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。 3、()在三极管的三种基本组态中,只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。 4、()若放大电路的放大倍数为负值,则引入的一定是负反馈。 5、()通常,甲类功放电路的效率最大只有40%,而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。 6、()一般情况下,差动电路的共模电压放大倍数越大越好,而差模电压放大倍数越小越好。 7、()根据负反馈自动调节原理,交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。 8、()要使放大电路的输出电流稳定并使输入电阻增大,则应引入电流串联负反馈。 9、()在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小,在放大电路中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。 10、()在正弦波振荡电路的应用中,通常,当要求振荡工作频率大于1MHz时,应选用RC正弦波振荡电路。 三、选择(本题共20分,每个选择2分): 1.在放大电路中,测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V,-10V,-9.3V,则此三极管是() A. NPN型硅管; B. NPN型锗管; C. PNP型硅管; D. PNP型锗管; 2.为了使放大电路Q点上移,应使基本放大电路中偏置电阻R b的值()。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 3.典型的差分放大电路中Re()。 A. 对差模信号起抑制作用 B. 对共模信号起抑制作用 C. 对差模信号和共模信号均无作用 4.在差动电路中,若单端输入的差模输入电压为20V,则其共模输入电压为()。 A. 40V B. 20V C. 10V D. 5V 5.电流源的特点是()。 A . 交流电阻大,直流电阻小; B . 交流电阻小,直流电阻大; C. 交流电阻大,直流电阻大; D. 交流电阻小,直流电阻小。 6.影响放大电路高频特性的主要因素是()。 A. 耦合电容和旁路电容的存在; B. 放大电路的静态工作点不合适; C. 半导体管的非线性特性; D. 半导体管极间电容和分布电容的存在; 7.关于理想运算放大器的错误叙述是()。 A.输入阻抗为零,输出阻抗也为零;B.输入信号为零时,输出处于零电位; C.频带宽度从零到无穷大;D.开环电压放大倍数无穷大 8.有T1 、T2和T3三只晶体管,T1的β=200,I CEO=200μA;T2的β=100,I CEO=10μA;T3的β=10,I CEO=100μA,其它参数基本相同,则实用中应选() A. T1管; B. T2管; C. T3管 9.交流反馈是指() A.只存在于阻容耦合电路中的负反馈;B.变压器耦合电路中的负反馈; C.交流通路中的负反馈;D.放大正弦信号时才有的负反馈; 10.RC桥式正弦波振荡电路是由两部分组成,即RC串并联选频网络和() A. 基本共射放大电路; B. 基本共集放大电路; C. 反相比例运算电路; D. 同相比例运算电路; 四、分析与计算(本题共50分): 1.(本小题10分) 电路如图2所示,通过分析判断反馈组态,并近似计算其闭环电压增益A usf。

模拟电子技术题库 答案

模拟电子技术 试题汇编 成都理工大学工程技术学院 电子技术基础教研室 2010-9

第一章 半导体器件 一、填空题 1、本征硅中若掺入5价元素的原子,则多数载流子应是 电子 ,少数载流子应是 空穴 。 2、 在N 型半导体中,电子浓度 大于 空穴浓度,而在P 型半导体中,电子浓度 小于 空穴浓度。 3、PN 结反向偏置时,空间电荷区将变 宽 。 4、双极型三极管输出特性的三个区域分别是_____饱和_____区、______放大___区、__截止________区。 5、场效应管分为两大类:一类称为_结型场效应管___________,另一类称为__ 绝缘栅场效应管_______。 6、PN 结外加反向电压,即电源的正极接N 区,电源的负极接P 区,这种接法称为___反向接法_______或_反向偏置_________。 7、半导体二极管的基本特性是 单向导电性 ____,在电路中可以起___整流____和___检波____等作用。 8、双极型半导体三极管按结构可分为__NPN_____型和__PNP_____型两种,它们的符号分别为_______和________。 9、PN 结中进行着两种载流子的运动:多数载流子的 扩散 运动和少数载流子的___漂移_____运动。 10、硅二极管的死区电压约为__0.5____V ,锗二极管的死区电压约为__0.1____V 。 11、晶体管穿透电流CEO I 是反向饱和电流CBO I 的___1+β_______倍,在选用晶体管的时候,一般希望CBO I 尽量___小_______。 12、场效应管实现放大作用的重要参数是___跨导_m g ______。 13、PN 结具有__单向导电_______特性。 14、双极型三极管有两个PN 结,分别是___集电结____和_发射结______。

数字电路期末模拟考试试题及答案

数字电路期末模拟考试 试题及答案 内部编号:(YUUT-TBBY-MMUT-URRUY-UOOY-DBUYI-0128)

数字电子电路模拟试题-2 一、填空题(共30分) 1. 三极管有NPN和PNP两种类型,当它工作在放大状态时,发射结___ _,集电结______;NPN型三极管的基区是______型半导体,集电区和发射区是______型半导体。 2. 把高电压作为逻辑1,低电平作为逻辑0的赋值方法称作_______ 逻辑赋值。一种电路若在正逻辑赋值时为与非门,则在负逻辑赋值时为________。 3. 四位二进制编码器有____个输入端;____个输出端。 4. 将十进制数287转换成二进制数是________;十六进制数是__ _____。 5. 根据触发器功能的不同,可将触发器分成四种,分别是____触发器、 6. 下图所示电路中, 7. Y 2 二、选择题(共 20分) 1. 当晶体三极管____时处于饱和状态。 A. 发射结和集电结均处于反向偏置 B. 发射结正向偏置,集电结反向偏置 C. 发射结和集电结均处于正向偏置

2. 在下列三个逻辑函数表达式中,____是最小项表达式。 A . B A B A )B ,A (Y += B. C B C B A BC A )C ,B ,A (Y ++= C. C AB ABC B C A C B A ) D ,C ,B ,A (Y +++??= 3.用8421码表示的十进制数45,可以写成__________ A .45 B. [101101]BCD C. [01000101]BCD D. [101101]2 4.采用OC 门主要解决了_____ A .TTL 与非门不能相与的问题 B. TTL 与非门不能线与的问题 C. TTL 与非门不能相或的问题 5.已知某触发的特性表如下(A 、B 为触发器的输入)其输出信号的逻辑表达式为___ A . Q n+1 =A B. n n 1n Q A Q A Q +=+ C. n n 1n Q B Q A Q +=+ 三、化简下列逻辑函数,写出最简与或表达式:(共20分) 1. BC A C B A C B B A Y 1+?++= 2. Y 2=Σm (0,1,8,9,10,11) 3. Y 3见如下卡诺图

模拟电子技术练习题(专升本)

《模拟电子技术》练习题 一、填空题 1. 在N 型半导体中, 是多数载流子, 是少数载流子。 2. 电路如图1-1所示,设二极管的导通电压U D =,则图1-1(a )中U O = V ,图1-1(b )中U O = V 。 (a ) (b ) 图1-1 3.图1-2中二极管为理想器件,则VD 1工作在 状态;VD 2工作在 状态;电流 O I mA 。 4.PN 结具有 特性;稳压二极管的稳压区在其伏安特性曲线的 区内。 5.在晶体管放大电路中,测得一晶体管三个管脚1、2和3 对地的直流电位分别为U 1 = -5 V ,U 2 = -8 V ,U 3 = V ,则与该晶体管对应的电极是:管脚1为 极,2为 极,3为 极,晶体管为 型(PNP 或NPN ),所用材料为 (硅或锗)。 6. 电压放大电路要求是要有较 的输入电阻和较 的输出电阻。 7. 在由NPN 管构成的基本共射放大电路中,若静态工作点设置得过高,则将产生 失真;乙类功率放大电路的缺点是存在 失真;直接耦合放大电路的最大问题是存在 现象。 8.共射放大电路的输出电压与输入电压的相位 (填“相同”或“相反” );共集放大电路的输出电压与输入电压的相位 。 9.射极输出器具有输入电阻 和输出电阻 的特点。。 10.为稳定输出电压,应引入 负反馈;为提高输入电阻,应引入 负反馈;当信号源的内阻较大时,为增强负反馈的效果,应引入 负反馈;由集成运 I O

放构成线性放大电路时,应引入 反馈(填“正反馈”或“负反馈” )。 11.集成运放有两个工作区,即线性区和非线性区,则图1-3(a )所示的集成运放工作于 区,图(b )所示的集成运放工作于 区。 图1-3 二、单项选择题(每小题3分,共15分) 1.如图2-1所示电路,二极管D 1和D 2的工作状态为( )。 A .D 1截止,D 2导通 B .D 1导通,D 2截止 C .D 1和D 2均导通 D .D 1和D 2均截止 2.在放大电路中,若测得某晶体管三个极的电位分别为9V ,,,则这三个极分别为( )。 A .C , B ,E B . C ,E ,B C .E ,C ,B D .B , E ,C 3.在图2-2中,V CC =12V ,R C =3kΩ,β=50,U BEQ 可忽略不计,若使U CEQ =6V ,则R B 应为( )。 A .360 kΩ B .300 kΩ C .300 Ω D .400 kΩ 4.工作在放大区的某晶体管当i B 从20μA 增大到30μA 时,i C 从2mA 增大到4mA ,那么它的 值约为( )。 A. 50 B. 200 C. 20 D .100 5.射极输出器( )。 A .有电流放大作用,没有电压放大作用 B .有电压放大作用,没有电流放大作用 图2-1 4V 0V +V CC 图2-2 R B

模拟电路试题库

1.PN结反向电压时,其空间电荷区将,使运动占优。 2.PN结内电场的方向由区指向区。 3.P型半导体中掺入的杂质是价元素,多数载流子是 ,少数载流子 是 . 4.本征半导体中加入微量五价元素的杂质,构成的是型半导体,起多数载流子 是 ,少数载流子是 . 5.二极管的单向导电性是加正向电压 ,加反相电压 . 6.PN结具有单向导电性是指 . 7.PN 结处于正向偏置是指 . 8.由理想二极管组成的电路如图1所示,则该电路的输出电压U AB= . 9.由理想二极管组成的电路如图2所示,则该电路的输出电压U AB= . 10.半导体二极管在整流电路中,主要是利用其特性. 11.所谓PN结的正偏偏置,是将电源的正极与区相接,负极与区相接,在正向 偏置电压大于死区电压的条件下,PN结将 . 12.半导体三极管结构上的特点为基区、,发射 区、,集电区、. 13.半导体三极管工作在放大区时,发射结应加电压,集电结应加电压; 工作 在饱和区时,U CES≈ ;I CS≈ ; 工作在截止区时, U CE≈ ;I C≈ . 14.在三极管放大电路中,测得静态U CE=0V,说明三极管处于工作状态. 15.晶体三极管是型控制器件.场效应管是型控制器件. 16.已知晶体三极管的发射极电流I E=2mA,集电极电流I C=1.98mA,若忽略穿透电流I CEO的影 响时,则该管的β= . 17.半导体三极管通常可能处于、、 3种工作状态. 18.半导体三极管又称双极型三极,因为 ;场效应管又称单极型三极,因 为 . 19.已知晶体管各管脚电位如图所示,则该管子的材料是 ,型号是 ,工作状态 是 . 20.半导体三极管的穿透电流I CEO随温度的升高而,β随温度的升高而, U BE 随温度的升高而, I C随温度的升高而 21.PNP型三极管处于放大状态时,3个电极电位以极电位最高, 极电位最低. 22.在三极管组成的放大电路输入回路中,耦合电容的作用是。 23.在单级共射放大电路的输入端加一微小的正弦波电压信号,而在输出端的电压信号出现 正半周削顶现象,这是属于失真。

模拟电子技术试卷五套 含答案

模拟试卷一 一、填空(16分) 1.半导体二极管的主要特性是___________ 。 2.三极管工作在放大区时,发射结为____ 偏置,集电结为_____偏置;工作在饱和区时发射结为___偏置,集电结为____偏置。 3.当输入信号频率为fL和fH时,放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍,或者是下降了__dB,此时与中频时相比,放大倍数的附加相移约为_____ 。 4.为提高放大电路输入电阻应引入___反馈;为降低放大电路输出电阻,应引入_____反馈。 5.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到_____,但这种功放有______失真。 6.在串联型稳压电路中,引入了——负反馈;为了正常稳压,调整管必须工作在____区域。 二、选择正确答案填空(24分) 1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V, V,则这只三极管是( )。 A.NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2.某场效应管的转移特性如图1所示,该管为( )。 A.P沟道增强型MOS管 B.P沟道结型场效应管 C.N沟道增强型MOS管 D.N沟道耗尽型MOS管 3.在图示2差分放大电路中,若uI = 20 mV,则电路的( )。

A.差模输入电压为10 mV,共模输入电压为10 mV。 B.差模输入电压为10 mV,共模输入电压为20 mV。 C.差模输入电压为20 mV,共模输入电压为10 mV。 D.差模输入电压为20 mV,共模输入电压为20 mV。 4.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( )。 A.输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 5.在图示电路中,Ri为其输入电阻,RS为常数,为使下限频率fL降低,应( )。A.减小C,减小Ri B.减小C,增大Ri C.增大C,减小Ri D.增大C,增大 Ri 6.如图所示复合管,已知V1的 b1 = 30,V2的 b2 = 50,则 复合后的 b 约为( )。 A.1500 B.80 C.50 D.30 7.RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选 频网络和( )。 A.基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 8.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是( )。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 三、两级放大电路如图所示,已知三极管的参数:V1的 b1 、rbe1,V2的 b2 、rbe2,电容C1、C2、CE在交流通路中可视为短路。

模拟电路模拟试题库与答案

第 页 共 页 1 《模拟电路》课程试题 一、电路如图1所示,已知u i =3sin ωt,二极管导通压降U D =0.6V,画出u i 对应的u O 波形.(u i 波形自绘,简要写明解题过程)(8分). + _+_u i u O D 1D 22V 2V 图1 R 二、用万用表电压档测电路中三极管各电极对地电位如图2所示,判断三极管处于哪种工作情况.说明原因.(9分) +4V 0V +12V ?6V +4V +3.5V ?6V ?18V ?12V ?12.3V 图2Re (a)(b) (c) 三、电路如图3所示,T 1~T 5的电流放大系数分别为β1~β5,b-e 间动态电阻分别为r b e 1~r b e 5,解答下列问题(15分). 1.画出电路的交流通路. 2.简述图中虚线所示电路名称与作用. 3.写出u A 、R i 和R o 的表达式。

第 页 共 页 2 四、电路如图4所示,解答下列问题(18分) 1.合理接上信号源与反馈电阻R f ,并使电路输入电阻增大, 输出电阻减小. 2.若R f =190K Ω,计算合理连线后电路的增益A u . 3.简述D 1,D 2在电路中的作用.如果V CC =12V,R L =8Ω,T 1,T 2 管子饱和压降可以忽略不计,估算负载RL 所能获得的最大功率P Lmax =? 五、如图5为一运算放大器应用电路A 1、A 2、A 3为理想运放。电路参数如图。1.写出v o1~v i 之间函数关系式和v o ~v o2之间函数关系式。2.图中v i (t)波形已图6中试在坐标平面中画出与v i (t)所对应v o2 与v o 信号波形。(20分)

《模拟电子技术基础》典型习题解答

半导体器件的基础知识 1.1 电路如图P1.1所示,已知u i=5sinωt (V),二极管导通电压U D=0.7V。试画出u 与u O的波形,并标出幅值。 i 图P1.1 解图P1.1 解:波形如解图P1.1所示。 1.2 电路如图P1.2(a)所示,其输入电压u I1和u I2的波形如图(b)所示,二极管导通电压U D=0.7V。试画出输出电压u O的波形,并标出幅值。 图P1.2 解:u O的波形如解图P1.2所示。

解图P1.2 1.3 已知稳压管的稳定电压U Z =6V ,稳定电流的最小值I Zmin =5mA ,最大功耗P ZM =150mW 。试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值围。 图P1.3 解:稳压管的最大稳定电流 I ZM =P ZM /U Z =25mA 电阻R 的电流为I ZM ~I Zmin ,所以其取值围为 Ω =-=k 8.136.0Z Z I ~I U U R 1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z =6V ,最小稳定电流I Zmin =5mA ,最大稳定电流I Zmax =25mA 。 (1) 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值; (2) 若U I =35V 时负载开路,则会出现什么现象?为什么? 图P1.4 解:(1)当U I =10V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故

V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I =15V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故 L O I L 5V R U U R R =?≈+ 当U I =35V 时,稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ,所以U O =U Z =6V 。 (2)=-=R U U I )(Z I D Z 29mA >I ZM =25mA ,稳压管将因功耗过大而损坏。 1.5 电路如图P1.5(a )、(b )所示,稳压管的稳定电压U Z =3V ,R 的取值合适,u I 的波形如图(c )所示。试分别画出u O1和u O2的波形。 图P1.5 解图P1.5 解:波形如解图P 1.5所示 1.6测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.6所示。在圆圈中画出管子,并分别说明它们是硅管还是锗管。

模拟电路期末考试题A卷

模拟电路试题B卷 一.(24分) 1)射极输出器的特性归纳为:电压增益,电压跟随性好,输入阻抗,输出阻抗,而且具有一定的放大能力和功率放大能力,射极输出器的反馈类型是。 2)电压负反馈可以使放大器的输出稳定,电流负反馈可以使放大器的输出稳定。 3)在差分放大电路中,大小相等、极性或相位一致的两个输入信号称为信号;大小相等,极性 或相位相反的两个输入信号称为信号。 4)在导体中导电的是,在半导体中导电的不仅有,而且有,这是半导体区别于导 体导电的重要特征。 5)PN结正向偏置时,反向偏置时,这种特性称为PN结的。 6)晶体三极管有两个PN结,即结和结,在放大电路中结必须正偏, 结必须反偏。 7)晶体三极管有型和型两种类型。 8)画放大器的直流通路时,将视为开路,画交流通路时,将和视为短;.

路。 二.(1.9分,2.9分,3.6分,共24分) 1.放大电路如图所示,T为锗NPN管. (1)设V cc=12V,R c=3kΩ,β=70,如果要将静态工作点电流I c调至1.5mA,问R b要取多大? (2)电路参数同上,如果要将静态工作点的电压V CE调至3.3V,问R b应多大? (3)在调整静态工作点时,如稍不小心把R b调至零,这时三极管是否会损坏,为什么?为避免损坏,电路上可 采取什么措施? 得分 ;.

2.已知电路参数如图所示,R g1=300kΩ,R g2=100kΩ,R g3=2MΩ,R d=10kΩ,R2=10kΩ,+V DD=+20V,场效应 管工作点的互导g m=1ms,设r d>>R d (1)画出小信号等效电路; (2)求电压增益A v; (3)求放大器的输入电阻R i 3.下面电路其输入,输出波形如图所示 试问: a)此电路产生何种类型失真? (饱和?截止?) b)为消除此失真,应如何调节电阻R b? ;.

模拟电路试卷(总集)

苏州大学模拟电路课程试卷(1 卷)共4页 一. 填空题:(20分) 1. PN 结伏安特性方程为I=_____________________。 2. 高频时二极管的单向导电性变差,原因是PN 结存在___________ (A. 结电容 B. 反向击穿 C. 单向导电性)。 3. 温度升高时,二极管的正向导通压降将 。 (A. 增大 B. 减小 C. 不变) 4. 单管共射电路当输入正弦波信号幅度很大时,输出信号波形可能产生_______和_________失真(A 饱和 B 截止C 交越 D 频响)。 5. 放大器为了稳定放大倍数,可以引入______(A.交流 B.直流)。 6. 100μV ~10V 范围内的音频信号, 经过_____(A.对数 B.指数 C.乘法)运算电路处理后,可以用0V ~ 10V 范围的电压表反映。 7. 已知 则此电路为_________(A. HPF B. LPF C. BPF D. BEF)滤波电路。 8. ___________(A 简单 B 滞回 C 窗口 D 三态)比较器在输入电压足够高和足够低的时候,输出电 平是相同的。 9. 正弦波振荡器按照选频网络的元件类型可分为三类:_____________、_______________和 _________________。 10. 滤波电路的主要目的是____________________________________。 二.分析计算题: 1.(16分) 图示单管共射电路中,已知晶体管β=100, r bb'=200, (1)求I CQ ,U CEQ (2)求r be (3) 画出微变等效电路 (4) 求Au ,Ri ,Ro 2.(12分) 图示差动放大电路中,两个三极管的β=60,r bb'=200, (1)试求I CQ1 ,U C1 (2) 求Aud ,Rid ,Ro (3) 求Auc 1110 200)(++=f f Q j f f j f f Q j Aup Au

模拟电路测验试题套和答案

模拟电路测验试题套和答案 1 / 29

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坑爹的模电 试卷编号01 ……………………………………………………………………………………………………………… 一、填空(本题共20分,每空1分): 1.整流电路的任务是__________;滤波电路的任务是__________。 2.在PN结的形成过程中,载流子的扩散运动是由于__________而产生的,漂移运动是__________作用下产生的。 3.放大器有两种不同性质的失真,分别是__________失真和__________失真。 4.在共射阻容耦合放大电路中,使低频区电压增益下降的主要原因是__________的影响;使高频区电压增益下降的主要原因是__________的影响。 5.在交流放大电路中,引入直流负反馈的作用是__________;引入交流负反馈的作用是___________。 6.正弦波振荡电路一般由__________、__________、__________、__________这四个部分组成。 7.某多级放大器中各级电压增益为:第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ,放大器的总增益为__________,总的放大倍数为__________。 8.在双端输入、单端输出的差动放大电路中,发射极公共电阻R e对__________信号的放大无影响,对__________信号的放大具有很强的抑制作用。共模抑制比K CMR为__________之比。 9.某放大电路的对数幅频特性如图1(在第三页上)所示,当信号频率恰好为上限频率时,实际的电压增益为__________dB。 二、判断(本题共10分,每小题1分,正确的打√,错误的打×): 1、()构成各种半导体器件的基础是PN结,它具有单向导电和反向击穿特性。 2、()稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。 3、()在三极管的三种基本组态中,只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。 4、()若放大电路的放大倍数为负值,则引入的一定是负反馈。 5、()通常,甲类功放电路的效率最大只有40%,而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。 6、()一般情况下,差动电路的共模电压放大倍数越大越好,而差模电压放大倍数越小越好。 7、()根据负反馈自动调节原理,交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。 8、()要使放大电路的输出电流稳定并使输入电阻增大,则应引入电流串联负反馈。 9、()在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小,在放大电路中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。 10、()在正弦波振荡电路的应用中,通常,当要求振荡工作频率大于1MHz时,应选用RC正弦波振荡电路。 三、选择(本题共20分,每个选择2分): 1.在放大电路中,测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V,-10V,-9.3V,则此三极管是() A. NPN型硅管; B. NPN型锗管; C. PNP型硅管; D. PNP型锗管; 2.为了使放大电路Q点上移,应使基本放大电路中偏置电阻R b的值()。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 3.典型的差分放大电路中Re()。 A. 对差模信号起抑制作用 B. 对共模信号起抑制作用 C. 对差模信号和共模信号均无作用 4.在差动电路中,若单端输入的差模输入电压为20V,则其共模输入电压为()。 A. 40V B. 20V C. 10V D. 5V 5.电流源的特点是()。 A . 交流电阻大,直流电阻小; B . 交流电阻小,直流电阻大; C. 交流电阻大,直流电阻大; D. 交流电阻小,直流电阻小。 6.影响放大电路高频特性的主要因素是()。 A. 耦合电容和旁路电容的存在; B. 放大电路的静态工作点不合适; C. 半导体管的非线性特性; D. 半导体管极间电容和分布电容的存在; 7.关于理想运算放大器的错误叙述是()。 A.输入阻抗为零,输出阻抗也为零;B.输入信号为零时,输出处于零电位; C.频带宽度从零到无穷大;D.开环电压放大倍数无穷大 8.有T1 、T2和T3三只晶体管,T1的β=200,I CEO=200μA;T2的β=100,I CEO=10μA;T3的β=10,I CEO=100μA,其它参数基本相同,则实用中应选() A. T1管; B. T2管; C. T3管 9.交流反馈是指() A.只存在于阻容耦合电路中的负反馈;B.变压器耦合电路中的负反馈; C.交流通路中的负反馈;D.放大正弦信号时才有的负反馈; 10.RC桥式正弦波振荡电路是由两部分组成,即RC串并联选频网络和() A. 基本共射放大电路; B. 基本共集放大电路; C. 反相比例运算电路; D. 同相比例运算电路; 四、分析与计算(本题共50分): 1.(本小题10分) 电路如图2所示,通过分析判断反馈组态,并近似计算其闭环电压增益A usf。 2.(本小题10分) 电路如图3所示,u2=10V,在下列情况下,测得输出电压平均值U o的数值各为多少?(1)正常情况时;(2)电容虚焊时;(3)R L开路时;(4)一只整流管和电容C同时开路时。 1 / 29

模拟电子技术基础考试试题答案

一、填空(共20空,每空 1 分,共 20 分,所有答案均填写在答题纸上) 1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域,只有当三极管工作在 区时,关系式b I Ic β=才成立。 3、场效应管可分为结型场效应管和 型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中,共 基本放大电路既能放大电流又能放大电压。 5、在绘制放大电路的交流通路时, 视为短路, 视为短路,但若有内阻则应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有 、 、变压器耦合和光电耦合等。 7、场效应管是利用 极和 极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的直流通路用于研究 。 9、理想运放的两个输入端虚短是指 。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈,通常令输出电压为零,看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈仍然存在则为 。 11、仅存在于放大电路的直流通路中的反馈称为 。 12、通用集成运放电路由输入级、中间级、 和 四部分组成。 13、集成运放的同相输入端和反相输入端中的“同相”和“反相”是指运放的 和 的相位关系。 14、在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解,三极管的放大工作区可与场效应管的 区相类比,而场效应管的可变电阻区则可以和三极管的 相类比。 二、单项选择题(共10题,每题 2 分,共 20分;将正确选项的标号填在答题纸上) 1、稳压二极管的反向电流小于min z I 时,稳压二极管 。 A :稳压效果变差 B :仍能较好稳压,但稳定电压变大 C :反向截止 D :仍能较好稳压,但稳定电压变小 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置,集电结反向偏置,则此管的工作状态为 。 A :饱和状态 B :截止状态 C :放大状态 D :不能确定 3、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100,现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图1所示。关于这两只三极管,正确的说法是 。

模拟电路期末试卷及答案

《模拟电子技术基础(1)》期末试题 (A 卷)参考答案及评分标准 一、填空(每空1分,共20分) 1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结 正偏 、集电结 反偏 。 2. 放大器级间耦合方式有三种: 直接 耦合; 阻容 耦合; 变压器 耦合;在集成电路中通常采用 直接 耦合。 3. 差分放大器的基本特点是放大 差模信号 、抑制 共模信号 。 4. 乙类推挽放大器的主要失真是 交越失真 ,要消除此失真,应改用 甲乙 类推挽放大器。 5. 图1所示两级放大电路,图中级间采用 阻容 耦合方式,1T 接成 共基 组态,2T 接成 共集 组态,1R 和2R 的作用是 为T1管提供基极偏置 。 6. 在阻容耦合放大器中,若要降低下限频率,应将耦合电容的值 增大 。 7. 共射-共基组合电路中,由于共射电路的上限频率 小于 共基电路的上限频率,故此组合电路的上限频率主要取决于 共射 电路。 8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ,相应的振幅条件是1)(=ωj T ,相位条件是()πω?±=T 。

二、简答(共3小题,每小题5分,共15分) 1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示 (1)判断它们各是NPN 管还是PNP 管,在图中标出e ,b ,c 极; 答:见图中标识(判断NPN 管还是PNP 管各1分,标出e ,b ,c 极1分, 共3分) (2)估算(b)图晶体管的β和α值。 601 .06 === B C I I β, 985.01≈+= ββα (各1分,共2分)

2.电路如图3所示,试回答下列问题 (1)要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻,应接入何种负反馈? R f 应如何接入?(在图中连接) 答:应接入电压串联负反馈(1分) R接法如图(1分) f (2)根据前一问的反馈组态确定运放输入端的极性(在图中“□”处标出),并根据已给定的电路输入端极性在图中各“○”处标注极性。 答:见图中标识(3分)(共6空,两个1分) 3.简述直流电源的主要组成部分及各部分功能。 答:直流电源主要由整流电路、滤波滤波、稳压电路组成,其中整流电路的作用是将交流电压转换为直流电压,滤波电路的作用是减小电压的脉动,稳压电路的作用是使输出直流电压基本不受电网电压波动和负载电阻变化的影响,从而获得足够高的稳定性。(组成部分3分,功能2分)

大学模电题库模拟电路考试试题10套和答案

试卷编号01 ……………………………………………………………………………………………………………… 一、填空(本题共20分,每空1分): 1.整流电路的任务是__将交流电变成脉动直流电________;滤波电路的任务是_滤除脉动直流电中的交流成分_________。 2.在PN结的形成过程中,载流子的扩散运动是由于__载流子的浓度差________而产生的,漂移运动是_______内电场的电场力___作用下产生的。 3.放大器有两种不同性质的失真,分别是____线性______失真和非线性__________失真。 4.在共射阻容耦合放大电路中,使低频区电压增益下降的主要原因是_耦合电容__和旁路电容_______的影响;使高频区电压增益下降的主要原因是__三极管的级间电容________的影响。 5.在交流放大电路中,引入直流负反馈的作用是_稳定静态工作点_________;引入交流负反馈的作用是___稳定增益、抑制非线性失真、___改变输入输出电阻、展宽频带、抑制干扰和噪声__。 6.正弦波振荡电路一般由选频网络__________、__放大电路________、正反馈网络__________、__稳幅电路________这四个部分组成。 7.某多级放大器中各级电压增益为:第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ,放大器的总增益为__100________,总的放大倍数为__________。 8.在双端输入、单端输出的差动放大电路中,发射极公共电阻R e对__差模输入________信号的放大无影响,对_共模输入_________信号的放大具有很强的抑制作用。共模抑制比K CMR为_差模增益与共模增益_________之比。 9.某放大电路的对数幅频特性如图1(在第三页上)所示,当信号频率恰好为上限频率时,实际的电压增益为____37______dB。 二、判断(本题共10分,每小题1分,正确的打√,错误的打×): 1、(y )构成各种半导体器件的基础是PN结,它具有单向导电和反向击穿特性。 2、(y )稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。 3、(y )在三极管的三种基本组态中,只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。 4、(n )若放大电路的放大倍数为负值,则引入的一定是负反馈。 5、(yn )通常,甲类功放电路的效率最大只有40%,而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。 6、(n )一般情况下,差动电路的共模电压放大倍数越大越好,而差模电压放大倍数越小越好。 7、(y n)根据负反馈自动调节原理,交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。 8、(y)要使放大电路的输出电流稳定并使输入电阻增大,则应引入电流串联负反馈。 9、(y)在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小,在放大电路中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。 10、(y n)在正弦波振荡电路的应用中,通常,当要求振荡工作频率大于1MHz时,应选用RC正弦波振荡电路。 三、选择(本题共20分,每个选择2分): 1.在放大电路中,测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V,-10V,-9.3V,则此三极管是( A ) A. NPN型硅管; B. NPN型锗管; C. PNP型硅管; D. PNP型锗管; 2.为了使放大电路Q点上移,应使基本放大电路中偏置电阻R b的值(C )。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 3.典型的差分放大电路中Re( B )。 A. 对差模信号起抑制作用 B. 对共模信号起抑制作用 C. 对差模信号和共模信号均无作用 4.在差动电路中,若单端输入的差模输入电压为20V,则其共模输入电压为(C )。 A. 40V B. 20V C. 10V D. 5V 5.电流源的特点是( A )。 A . 交流电阻大,直流电阻小; B . 交流电阻小,直流电阻大; C. 交流电阻大,直流电阻大; D. 交流电阻小,直流电阻小。 6.影响放大电路高频特性的主要因素是( D )。 A. 耦合电容和旁路电容的存在; B. 放大电路的静态工作点不合适; C. 半导体管的非线性特性; D. 半导体管极间电容和分布电容的存在; 7.关于理想运算放大器的错误叙述是( A )。 A.输入阻抗为零,输出阻抗也为零;B.输入信号为零时,输出处于零电位; C.频带宽度从零到无穷大;D.开环电压放大倍数无穷大 8.有T1 、T2和T3三只晶体管,T1的β=200,I CEO=200μA;T2的β=100,I CEO=10μA;T3的β=10,I CEO=100μA,其它参数基本相同,则实用中应选( B ) A. T1管; B. T2管; C. T3管 9.交流反馈是指( C ) A.只存在于阻容耦合电路中的负反馈;B.变压器耦合电路中的负反馈; C.交流通路中的负反馈;D.放大正弦信号时才有的负反馈; 10.RC桥式正弦波振荡电路是由两部分组成,即RC串并联选频网络和( D ) A. 基本共射放大电路; B. 基本共集放大电路; C. 反相比例运算电路; D. 同相比例运算电路; 四、分析与计算(本题共50分): 1.(本小题10分) 电路如图2所示,通过分析判断反馈组态,并近似计算其闭环电压增益A usf。 2.(本小题10分) 电路如图3所示,u2=10V,在下列情况下,测得输出电压平均值U o的数值各为多少?(1)正常情况时;(2)电容虚焊时;(3)R L开路时;(4)一只整流管和电容C同时开路时。 3.(本小题12分) 如图4所示电路中,A为理想运放,Vcc=16V,R L=8Ω,R1=10kΩ,R2=100kΩ,三极管的饱和管压降U CES=0V,

模拟电路典型例题讲解

3.3 频率响应典型习题详解 【3-1】已知某放大器的传递函数为 试画出相应的幅频特性与相频特性渐近波特图,并指出放大器的上限频率f H ,下限频率f L 及中频增益A I 各为多少? 【解】本题用来熟悉:(1)由传递函数画波特图的方法;(2)由波特图确定放大器频响参数的方法。 由传递函数可知,该放大器有两个极点:p 1=-102rad/s ,p 2=-105 rad/s 和一个零点z =0。 (1)将A (s )变换成以下标准形式: (2)将s =j ω代入上式得放大器的频率特性: 写出其幅频特性及相频特性表达式如下: 对A (ω)取对数得对数幅频特性: (3)在半对数坐标系中按20lg A (ω)及φ(ω)的关系作波特图,如题图3.1所示。

由题图3.1(a )可得,放大器的中频增益A I =60dB ,上限频率f H =105 /2π≈15.9kHz , 下限频率f L =102 /2π≈15.9Hz 。 【3-2】已知某放大器的频率特性表达式为 试问该放大器的中频增益、上限频率及增益带宽积各为多少? 【解】本题用来熟悉:由放大器的频率特性表达式确定其频率参数的方法。 将给出的频率特性表达试变换成标准形式: 则 当ω = 0时,A (0) =200,即为放大器的直流增益(或低频增益)。 当ω =ωH 求得:ωH =106 rad/s 相应的上限频率为 由增益带宽积的定义可求得:GBW=│A (0)·f H │≈31.84MHz 思考:此题是否可用波特图求解? 【3-3】已知某晶体管电流放大倍数β的频率特性波特图如题图3.2(a )所示,试写出β的频率特性表达式,分别指出该管的ωβ、ωT 各为多少?并画出其相频特性的渐近波特图。

《模电》经典题目,含答案

模拟电子技术基础试卷及参考答案 试卷三及其参考答案 试卷三 一、选择题(这是四选一的选择题,选择一个正确的答案填在括号内)(共16分) 1.有两个增益相同,输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B,对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下,测得A放大器的输出电压小,这说明A的() a. 输入电阻大 b. 输入电阻小 c. 输出电阻大 d. 输出电阻小 2.共模抑制比K CMR越大,表明电路()。 a. 放大倍数越稳定 b. 交流放大倍数越大 c. 抑制温漂能力越强 d. 输入信号中的差模成分越大 3.多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比,其通频带()。 a. 变宽 b. 变窄 c. 不变 d. 与各单级放大电路无关 4.一个放大电路的对数幅频特性如图1-4所示。当信号频率恰好为上限频率或下限频率时,实际的电压增益为()。 a. 43dB b. 40dB c. 37dB d. 3dB 图1-4 图1-5 5.LC正弦波振荡电路如图1-5所示,该电路()。 a. 满足振荡条件,能产生正弦波振荡 b. 由于无选频网络,不能产生正弦波振荡

c. 由于不满足相位平衡条件,不能产生正弦波振荡 d. 由于放大器不能正常工作,不能产生正弦波振荡 6.双端输入、双端输出差分放大电路如图1-6所示。已知静态时,V o =V c1-V c 2=0,设差 模电压增益100vd =A &,共模电压增益mV 5V mV,10,0i2i1c ===V A V ,则输出电压o V 为( )。 a. 125mV b. 1000 mV c. 250 mV d. 500 mV 图1-6 图1-7 7.对于图1-7所示的复合管,假设CEO1I 和CEO2I 分别表示T 1、T 2单管工作时的穿透电流,则复合管的穿透电流CEO I 为( )。 a. CEO2CEO I I = b. CEO2CEO1CEO I I I += c. CEO1CEO I I = d. CEO12CEO2CEO )1(I I I β++= 8.某仪表放大电路,要求R i 大,输出电流稳定,应选( )。 a. 电流串联负反馈 b. 电压并联负反馈 c. 电流并联负反馈 d. 电压串联负反馈 二、判断下列管子的工作状态(共10分) 1.测得各三极管静态时三个电极对地的电位如图2-1 a 、b 、c 所示,试判断它们分别工作在什么状态(饱和、放大、载止、倒置)。设所有的三极管和二极管均为硅管。 图2-1

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