第九章：门电路 第十章：触发器
一、单项选择题：
1．若逻辑表达式F=1CD B A =++，则A 、B 、C 、D 分别为（ D ）
A.1000
B.0100
C.0110
D.1011 *2．由开关组成的逻辑电路如题2图所示，设开关A 、B 接通为“1”，断开为“0”，电灯亮为“1”，电灯暗为“0”，则该电路为（ B ）
A.“与”门
B.“或”门
C.“非”门
D.“与非”门
*3．题3图所示逻辑状态表对应的逻辑表达式为（ B ） A.F=A+B+C B.F=A·B·C C.F=A+B+C D.F=A·B·
C 4．题4图示电路中，V A ＝3V ，V B ＝0V ，若二极管的正向压降忽略不计，则V F 为（
D ）
A ．－12V
B ．－9V
C ．0V
D ．3V
*5．逻辑电路如题5图所示，其对应的逻辑表达式为（ B ） A ．F ＝B A ? B ．F ＝A·B C ．F ＝A ＋B D ．F ＝B A +
*6．一门电路的输入端A 、B 和输出端F 的波形如题6图所示，则该门电路为 （ C ）
A ．与门
B ．或门
C ．或非门
D ．与非门
*7．逻辑电路如题7图所示，已知输入波形A 为脉冲信号，则输出F 的波形为（ A ）
A.高电平1
B.与A 反相的脉冲信号
C.低电平0
D.与A 相同的脉冲信号 8．逻辑电路如题8图所示，已知F=1，则ABCD 的值为（ C ）
题2图
题3图
题4图
题5图
题6图
A ．0101
B ．1110
C ．1010
D ．1101
9．题9图所示电路中，忽略二极管的正向压降，F 点电位为（ A ）
A ．3V
B ．0V
C ．9V
D ．12V
*10．题10图所示三态门电路对应的逻辑关系为（ A ）
A ．F=
B A ? B ．F=B A +
C ．F=A·B
D ．F=A+B
*11．当边沿JK 触发器的J=K=1时，触发器的次态是（ B ） A..n
Q B.n Q C.0 D.1
*12．题12图示逻辑门电路所对应的逻辑关系式为（ C ） A ．F=A+B B ．F=A·B C ．F=B A + D ．F=B A ? 13．题13图示三态门电路对应的逻辑关系为（ A ）
A ．F=
B A ? B ．F=B A +
C ．F=A·B
D ．高阻
14．题14图示逻辑状态表对应的逻辑表达式为（ D ）
A ．F=A+B+C
B ．F=A·B·C
C ．F=C B A ++
D ．F=C B A ??
15．题15图（a ）所示J —K 触发器，其时钟脉冲CP 及J 、K 输入波形如题15图（b ）所示，其Q 端的输出波形为（ D ）
题7图
题8图
题9图
题10图
16．逻辑电路如题16图所示，已知Q 2端输出脉冲的频率为f 2，则输入时钟脉冲CP 的频率为 ( D )
A.
14f 2 B. 1
2
f 2 C. 2f 2 D. 4f 2 17．设题17图示触发器当前的状态为Q n ，则时钟脉冲到来后，触发器的状态
Q n+1将为 ( C )
A. 0
B. 1
C. Q n
D.Q n
18．题18图示逻辑电路的输出状态为 ( C )
A. 1
B. 0
C. 高阻
D. 不能确定 19．逻辑电路如题19图所示，当R D =S D =“1”，S=“0”，R=“1”时，C 脉冲来到后可控RS 触发器的新状态为 ( A )。
A.“0”
B.“1”
C.不定
D.与原状态相反
*20．有三输入端的与非门当输出端状态为0时，三个输入端状态应为 ( B )
A.000
B.111
C.010
D.100
题17图 题18图
题19图 题16图
21．题21图(a)所示触发器的时钟脉冲CP 及F 端输入波形如图(b)示，则Q 端的输出波形是 ( A )
22．某J-K 触发器，每来一个时钟脉冲就翻转一次，则其J 、K 端的状态应为 ( D )
A.J=1,K=0
B.J=0,K=1
C.J=0,K=0
D.J=1,K=1 23．题23图所示逻辑电路的输出状态为（ C ）
A.高电平（1）
B.低电平（0）
C.高阻
D.不能确定
24．无论J －K 触发器原来状态如何，当输入端J ＝1、K ＝0时，在时钟脉冲作用下，其输出端Q 的状态为（ B ）
A.0
B.1
C.保持不变 D 不能确定
25．题25图中实现的逻辑关系式是【 D 】
A.F=AB
B.F=A+B
C.F=AB
D.F=B A
26．基本RS 触发器，S D =R D =0时，输出Q 为【 D 】
A.0
B.1
C.不变
D.不定 27．为使D 触发器的输出随时钟脉冲而变化的条件【 C 】
A.R D =0、S D =0
B.R D =1、S D =0
C.R D =1、S D =1
D.R D =0、S D =1 *28．TTL 集成门电路是指（ B ）
A.二极管——三极管集成门电路
B.晶体管——晶体管集成门电路
C.N 沟道场效应管集成门电路
D.P 沟道场效应管集成门电路
题21图
题23图 题25图
29．三态输出与非门电路如题29图所示，已知其输出端F=0，则其输入端A 、B 、E N 的状态分别为（ D ）
A.0、0、0
B.0、1、0
C.1、0、1
D.1、1、1 30．设逻辑表达式F=B +A +C=0，则A 、B 、C 分别为（ B ）
A.0、0、0
B.1、0、0
C.0、1、1
D.1、0、1
31．如题31图所示，设触发器的初始状态为0，当时钟脉冲C 到来后，触发器的状态将为（ B ）
A.0
B.1
C.高阻
D.时钟脉冲C 32．题32图的逻辑符号中，能实现F=AB 逻辑功能的是（ C ）
A. B.
C. D.
33．逻辑“与”的运算是（ B ）
A.逻辑和
B.逻辑乘
C.逻辑除
D.逻辑加 34．题34图示逻辑电路的逻辑式为（ C ）
A.F=C B A ++
B.F=C B A ++
C.F=C B A
D.F=ABC
35．逻辑电路如题35图所示，A=“0”时，C
脉冲来到后D 触发器（ B ）
A.具有计数器功能
B.置“0”
C.置“1”
D.不一定
36．某计数器最大输入脉冲数为15，组成该计数器所需最少的触发器个数为（ C ）
A.2
B.3
C.4
D.15
37．题37图示逻辑电路中， F 的逻辑表达式是（ A ）
题29图
题31图
题34图 题32图
题35图 题37图
38．设题38图触发器的初始状态为0，已知时钟脉冲CP 波形如图所示，则Q 端的波形为（ C ）
A.①
B.②
C.③
D.④
39．下列逻辑状态表对应的逻辑表达式为（ C ）
40．在题40图中，能使F 恒为逻辑1的逻辑门是（ A ）
41．题41
图所示各触发器的初态为逻辑0，在C 脉冲到来后，Q 的状态仍保持不变的是（ C ）
二、填空题（每空2分）
请在每小题的空格中填上正确答案。错填、不填均无分。
*1．组合逻辑电路当前的输出变量状态仅由输入变量的组合状态来决 定，与原来状态 无关 。
*2．一个“与非”门电路，当其输入全为“1”时，输出为__0___，当输入中有一个为“0”时，输出为___1___。
*3．触发器两个输出端的逻辑状态在正常情况下总是 相反 。 *4．基本R —S 触发器的两个输入端都接高电平时, 触发器的状态为 保持 。
5．三极管非门电路如题5图所示，图中二极管V 的作用是 钳位 。 *6．如题6图所示电路中，输入A 与输出F 的逻辑关系式为 非门 。
题38图 题41图 题40图
7．逻辑图和输入A ，B 的波形如题7图所示，分析在t 1时刻输出F=__1__，在t 2时刻F=__0__。
8．三态门的三个状态分别为高电平、低电平和 高阻态 。
9．已知逻辑门电路的输入端A 、B 、C 及输出端F 的波形如题9图所示，F 的
逻辑函数表达式应为F ABC 。
10．题10图所示逻辑电路，当A 端加一正脉冲时，触发器状态为 1 。
*11．电路如题11图示，其输出端F 的逻辑状态为__1__。
12．逻辑图和输入A 、B 的波形如题12图所示，分析在t 1瞬间输出F=__1__,在t 2瞬间输出F=__0__。
13．由N
沟道场效应管和P 沟
道场效应管互补构成的集成门电路称为__互补MOS （简称CMOS ）门电路。
*14．或非门电路输入都为逻辑1时，输出为逻辑__0__。 15．MOS 管是用__栅极电压__ 控制漏极电流的器件。 16．标准CMOS 门电路的工作电源电压一般为__3~18V _。
题5图 题6图 题7图 题12图 题11图
17．题16图示门电路当输入端A=1、B=0、C=0时，输出端F的逻辑状态为0。
*18．门电路如题17图所示，当输入端A＝1、B＝1、C＝0时，输出端F=__1__。
题17图题18图
*19．已知逻辑门电路的输入端A、B及输出端F的波形如题18图所示，F的逻辑表达式应为AB。
*20．三极管非门电路如题19图所示，设D为理想二极管，则当三极管T截止时，输出端F的电压为__3 _V。
题18图题19图
三、简析题或画图题
*1．设触发器的初始状态为0，已知时钟脉冲CP及A、B端的波形如题1图所示，画出J端、Q端及Q端的波形。
1解：画出J端、Q端及Q端的波形如下图所示：
*2．某逻辑门电路的逻辑表达式为F=ABC，试写出该门电路的逻辑状态表。
2解：该门电路的逻辑状态表如下：
A B C F
0 0 0 0
0 0 1 0
0 1 0 0
0 1 1 0
1 0 0 0
1 0 1 0
1 1 0 0
1 1 1 1
*3．逻辑电路如题3图所示，触发器的初始状态为零，已知D，C的波形，试画出与输入对应的输出端Q的波形。
3解：画出与输入对应的输出端Q的波形如下图所示：
4．题4图（a ）所示门电路输入端A 、B 、C 的波形如题4图（b ）所 示，试画出M 端和输出端F 的波形。
4解：M A B =+，
F A B C ABC =++=
画出M 端和输出端F 的波形 如右图所示：
5．已知逻辑电路和输入波形如题5图所示，试画出当控制端C ＝0和C ＝1时的输出端的波形。
5解：
∵F AC BC =+
∴C ＝0，F ＝B ；C ＝1，F ＝A ∴画出当控制端C ＝0和C ＝1时的输出端的波形如右图所示：
6．逻辑门电路及输入端A 、
B 、
C 的波形如图所示，请画出相应的输出端G 、H 及F 的波形。
6解：G A B =+，H C =，
()F GH A B C ==+，画出相
应的输出端G 、H 及F 的波形如下图所示：
7．.某逻辑门电路的逻辑表达式为F=A+B+C,试写出该门电路的逻辑状态表。
7解：该门电路的逻辑状态表如下表所示：
8．J-K 触发器及输入时钟脉冲C 的波形如题8图所示，J-K 触发器的初态为零，试画出输出端Q 的波形。
8解：画出输出端Q 的波形如题8解题图所示
9．逻辑门电路输入信号波形如题9图所示，画出
G
、H 、F 的波形。 9解：画出G 、H 、F 的波形如右图所示
题8图
题9图
题8解题图
解题6图
10.题10图示理想运算电路，已知u i =1V ，试分别求出在开关S 断开与闭合时的输出电压u 0=?
10解：（1）S 断开时：
5050
(1)2020
o i i U U U =+
- (3.5 2.5)1i i U U V =-==
（2）S 闭合时：
505050(1)()20502020
o i i U U U =+
-+ (2.5 2.5)0i U V =-=
*11．题11图中图(a)所示门电路输入端A 、B 、C 的波形如图（b ）所示，试画出G 端与F 端的波形。
11解：
画出G 端与F 端的波形
如图
所示：
12．逻辑电路如题12图所示，试写出函数F 的逻辑式。
12解：
()()A B A B AA AB
AB BB
++=+++00AB AB A B =+++=⊕
13．题13图(a)门电路输入端A 、B 的波形如图(b)所示，试画出C 、D 、E 端波形。
题11图 题12图
题10图
解题11图
：
13解：画出C 、D 、E 端波形如题13解题图所示：
14．门电路及输入信号A 、B 、C 的波形如题14图所示，请画出输出端F 的波形。
14解：()F A B BC =++
(1)A B C =++ A B =+
画出输出端F 的波形如题14解题图所示。
四、分析计算题
*1．逻辑门电路如题1图所示，试写出F 的逻辑式。 1解：F AB AB A B =+=⊕
*2．写出题2图主从型J-K 触发器的逻辑状态表。
2解：1D D S R ==
*3．题3图所示逻辑电路的A 、B 端输入波形如题3
图(b)所示，画出此电路在S=1
和S=0时输出端F 的波形。
题1图
题2图
题14图
题13解题图
题14解题图
3解：∵F AS BS =+,
∴0,S F A ==；
1,S F B ==。
画出此电路在S=1和S=0时 输出端F 的波形如解题3图所示：
一、填空题:（每空2分，共30分）
1.晶体三极管工作在放大状态时，其发射结处于 正向 偏置，集电结处于 反向 偏置。
2.放大电路中，若想要减小输入电阻，应引入 并联 负反馈；若想要增加输出电阻，应引入 电流 负反馈。
3.理想运算放大电路工作在线性区时，有 虚断 和 虚短 两个重要概念。
4.已知变压器二次侧电压U =10V ，采用单相半波整流电路，二极管承受的最高反向压降RM U ＝ 14.1 V ；若采用单相桥式整流电路，则二极管承受的最高反向压降RM U ＝ 14.1 V 。
5.(57.5)10=( 111001.1 )2=( 39.8 )16。
6.三变量的逻辑函数共有 8 个最小项。其全部最小项之和为 1 。
7.TTL 三态门的输出包括 高电平 、低电平和 高阻态 等三种工作状态。
二、选择题: （每题2分，共12分）
1.某硅三极管三个电极的电位V e 、V b 和V c 分别为3V 、3.7V 和6V ，则该管工作在（ A ）状态。 A 、饱和
B 、截止
C 、放大
D 、
题3图
解题
3图
2.工作在甲乙类状态的互补对称功率放大电路，通常提供一个偏置电路以克服（ D ）失真。 A 、截止 B 、饱和
C 、截止和饱
和
D 、交越
3.电路如图1所示，引入的反馈为（ C ）负反馈。 A 、电压并联 B 、电流并联 C 、电压串联 D 、电流串联
4.下列电路中属于时序逻辑电路的是（ D ）电路。
A 、加法器
B 、编码器
C 、译码器
D 、计数器
5.构成一个十二进制的计数器，需要（ B ）个触发器。
A 、2
B 、4
C 、6
D 、12 6.摩根定律的正确表达式是：（ B ） A 、B A B A +=? B 、B A B A +=? C 、B A B A ?=?
D 、B A B A ?=?
三、用代数法化简如下逻辑函数为最简与或式。（6分）
=Y A B +A C D +C D +AB C +B C D
解：=Y )()(BD AD D C C A A B ++++ =)()(B A D C C A B ++++ =C A D C C B B A +++
=C A D C B A ++
图
图
四、图2所示放大电路中，已知V CC =12V ，R B1=90kΩ，R B2=30kΩ，R C =2.5kΩ，R e =1.5kΩ，R L =10kΩ，β=80，V U BE 7.0=。试求：（16分) ⑴静态工作点I B ，I C 和U CE ； ⑵画出微变等效电路；
⑶电路的电压放大倍数A u 、输入电阻R i 和输出电阻R O ；
解：⑴V U R R R U CC B B B B 32
12
=+=
U EQ =U B －U BEQ =2.3V
mA R U I I e
E
EQ CQ 53.1==
≈ A I I CQ
BQ μβ
19==
V R R I U U e C C CC CEQ 9.5)(=+-=
Ω=++=167626
)
1(300EQ
be I r β ⑵微变等效电路如下图所示：
⑶2.95'
-=-≈be
L u r R
A β
图
Ω=≈1676be i r R
Ω=≈k R R C o 5.2
五、电路如图3所示，设运放是理想的，试求出输出电压u o 的表达式。（12分）
解：V U U P N 0==
111f O i R U R U -= 2231f O O R U
R U -= i f f O O O U R R R R U U U 1
1
321
2)1(+=-=
六、已知逻辑电路如图4所示，试写出逻辑函数表达式，列出真值表，并分析其逻辑功能。 （12分） 解：AB Y =1，12Y A Y ?=
13Y B Y ?=， 32Y Y Y ?= 11BY AY ?= B A B A += 真值表如右表所示。
该电路为异或门电路，当输入信号相异时，输出为1，反之为0。
七、分析如图5所示电路，写出电路激励方程，状态转移方程,画出在5
个CP 脉冲作用下Q 0、Q 1和Z 的时序图。 （12分） 解：根据电路图列出激励方程和状态转移方程： J 1=K 1=Q 0，J 0=K 0=1，
n n n n n Q Q Q Q Q 010111+=+，n
n Q Q 0
10=+， 输出方程： Z =Q 1n Q 0n 。
再列出状态转移表，根据状态表画出时序图。
状态转移表
该电
路
功能为同步两位二进制计数器，计数模M =4，
在状态为Q 1Q 0=11时进位输出为1。
时序图：
一、填空题：（27分）
1、 电压负反馈 减小 输出电阻；电流负反馈 增大 输出电阻；
串联负反馈 增大 输入电阻；并联负反馈 减小 输入电阻。（填增大、减小）
2、 PN 结构的一个重要特征是___单向导电性____ ____，利用它的这
一特性，可用来进行整流、检波、限幅等。
3、 三极管有________型和________型两种组合形式，其正常的电流放大条件
是：发电结____偏、集电结____偏。
4、 数字电路通常用_逻辑状态表____________、__函数表达式_____________
和__逻辑电路图_____________等方法分析。
5、 在直接耦合的多级放大电路中，由于温度的影响将产生____零点漂移
________现象，可采用__差动放大__________电路来克服这种现象。
6、 三极管如图，判断工作状态。A 图_截止_____B 图__放大_____
7、 多级放大器有三种耦合形式：直接耦合、变压器耦合________、_阻容耦合_______和________。
8、 根据逻辑函数表达式，F=A+AB 可以表达为 。
9、分析集成运放器时，通常把它看成是一个理想元件，即开环电压放大倍数________，差模输入电阻________，共模抑制比________及开环输出电阻为________。
10、场效应管是一种________控制器件。它可分为________型和________型两大类。
二、选择题：（20分）
1、欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流Iz ，动态内阻rz 及温度系数α等各项参数，大一些好还是小一些好（ ） A ：Iz 小一些，rz 、αz 大一些； B ：Iz 大一些，rz 、αz 小一些； C ：Iz 、rz 大一些，、αz 小一些； D ；Iz 、αz 大一些，rz 、小一些；
2、单相桥式整流加电容滤波，直流输出电压为30V ,则交流输入电压有效值为（ ）
A.30V
B.33V
C.25V
D.27V
3、分压式偏置电路稳定静态工作点的原理是利用了( )
A ：交流电流负反馈
B ：交流电压负反馈
C ：直流电流负反馈
D ：直流电
-1V -1.7V -5V
(B)
(A)
3V 2V 6V
压负反馈
4、D触发器在D=1时，输入一个CP脉冲，其逻辑功能是（）。
A．置1 B．清0 C．保持D．翻转
5、射极输出器属_______放大电路（）
A：电流串联负反馈B：电压串联负反馈
C：电压并联负反馈D：电流并联负反馈
6、典型差动放大电路的公共射极电阻R，对（）有抑制作用。
A：差模信号有B：共模信号有
C：差模与共模信号均有D：差模与共模信号均没有
7、理想运放的“虚短”特性指的是（）
A：i+= i- B: i+= i-=0 C: U+= U-=0 D：U+= U-
8、若三级放大电路中的各级电压增益Au1=40dB、Au2= Au3=20dB，则该放大
电路的电压放大倍数为（）
A：100 B：80 C：1000 D：10000
9、在某晶体管放大电路中测得某晶体管的各个电极的电位分别为v1=2.2v 、
v2=5.3v 、v3=6v，则该管是（）
A：PNP型硅管B：PNP型锗管
C：NPN型硅管D：NPN型锗管
10、在互补对称功率放大电路中，为提高效率和克服失真，一般器件的工作状态应选在（）。
A：甲类B：甲乙类C：乙类D：丁类
三、综合题：（23分）
1、试画出用与非门来实现函数Y=AB+BC+AC的逻辑图。（6分）
2、分析下图电路的逻辑功能，要求：写出输出Y的逻辑函数式，列出真值表，
并说明电路逻辑功能的特点。（9
3、主从JK触发器（下降沿触发），J、K端和CP端的输入信号波形如图所示，
分别画出触发器初态Q=0和Q=1的输出波形。（8分）
13电子技术复习题 一、选择题 1、半导体中的空穴和自由电子数相等，这样的半导体称为（ C ） A. P型半导体； B. N型半导体； C. 本征半导体。 2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（A）元素构成的。 A、三价； B、四价； C、五价； D、六价。 3、P型半导体中的多数载流子是（ B ）。 A.电子 B.空穴 C.电子和空穴 4、N型半导体中的多数载流子是（ A ）。 A. 电子 B.空穴 C.电子和空穴 5. 整流电路加滤波电路的主要作用是（ B ） A. 提高输出电压； B. 减少输出电压的脉动程度； C. 降低输出电压； D. 限制输出电流。 6. 三端稳压电源输出负电压并可调的是（ B ） A. CW79XX系列； B. CW337系列； C. CW317系列 D. CW78XX 系列 7、基本放大电路中，经过晶体管的信号电流有（ C ）。 A、直流成分； B、交流成分； C、交直流成分均有。 8、基本放大电路中的主要放大对象是（ B ）。 A、直流信号； B、交流信号； C、交直流信号均有。 9、分压式偏置的NPN型晶体管共发射极放大电路中，U B 点电位过高，晶体管易出现（ A ）。 A、饱和状态 B、截止状态 C、放大状态 10、晶体管放大电路中，基极电流i B 的数值较大时，易引起静态工作点Q接近（ B ）。 A、截止区； B、饱和区； C、死区。 11. NPN型晶体放大电路中，晶体管各级电位最高的是：（C） A. 基极； B. 发射极； C. 集电极 12、射极输出器的输出电阻小，说明该电路的（ A ） A、带负载能力强； B、带负载能力差； C、减轻前级或信号源负荷。 13、在三极管的输出特性曲线中，每一条曲线与（ C ）对应。 A、集电极电流 B、发射极电流 C、基极电流 14、为了增大放大电路的动态范围，其静态工作点应选择（ D ）。 A、截止点; B、饱和点; C、交流负载线的中点； D、直流负载线的中点。 15. 在晶体管放大电路中，当集电极电流增大时，将使晶体管（ B ） A. 电压U CE 增大； B. 电压U CE 减小； C. 基极电流减小。 16.已知某晶体管为硅管，则该管饱和时的饱和压降U CES 为（ C ） A. 0.7V ； B. 0.1V ； C. 0.3V ； D. 1.0V 。
电子技术总复习 一、填空 1．P型半导体中的多数载流子是（空穴）；N型半导体中的多数载流子是（自由电子）。 2．半导体二极管有硅管和锗管之分。硅二极管的正向导通电压为（0.6）~（0.8）V，死区电压为（0.5 ）V；锗二极管的正向导通电压为（0.2）~（0.3）V，死区电压为（0.1 ）V。 3．半导体二极管具有单向导电性。加（正）向电压时导通；加（反）向电压时截至。硅二极管的正向导通电压为（0.6）~（0.8）V；锗二极管的正向导通电压为（0.2）~（0.3）V。 4．某稳压管的稳定电压U Z=5V，最大耗散功率P ZM=100mW，则其最大稳电流I ZM=（20）mA。 5．某稳压管的稳定电压U Z=6V，最大稳定电流I ZM=20mA，则其最大耗散功率P ZM=（120）mW。 6．晶体管有（集电）极、（基）极和（发射）极三个电极，分别用字母（ C ）、（ B ）和（E ）表示。 7．晶体管的输出特性曲线可分为（放大）区、（截止）区和（饱和）区。晶体管处于放大区的条件是发射结（正）向偏置，集电结（反）向偏置。 8．电子电路中的晶体管有放大、饱和截至三种工作状态。测得某电子电路中﹝a﹞、﹝b﹞、﹝c﹞三个晶体管各极的电位如图所示。则晶体管﹝a﹞工作于（饱和）状态，晶体管﹝b﹞工作于（截止）状态，晶体管﹝c﹞工作于（放大）状态。 9．放大电路如图﹝a﹞所示，其晶体管的输出特性及放大电路的交、直流负载线如图﹝b﹞所示，图中Q为静态工作点。则晶体管β=（50），静态I C=（2mA），U CE=5V，电阻R B≈（250kΩ），R C=（2.5kΩ），最大不失真输出电压U om=（3V）。
电子技术复习题 一、填空 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2.当电源电压升高时，电抗原件将能量存储起来，而当电源电压降低时，又将能量释放出来，从而使输出电压比较平滑，这就是滤波 3.双极性晶体管按结构可分为NPN 型和PNP 型。 4.晶体管是有三个电极的电流放大器，任选其中一个电极为公共电极时，可组成三种不同的四端网络，分别成为共基极、共发射极、共集电极。 5．构成放大电路的条件有两个：一是发射结正偏，集电结反偏；二是放大电路要有完善的直流通路和交流通路。 6、当温度升高时，会引起放大电路的静态工作点向上偏移，造成饱和失真 7、半导体的导电性能具有光敏性、热敏性和 掺杂性 特点。 8．半导体载流子的运动有扩散运动和 漂移 运动。 9．硅二极管的正向导通压降约为 0.6~0.7 V 10．二极管的反向电压在一定范围时，电流基本上是 恒定（或不变） 的。 11．稳压管工作在 反向击穿 区。 12．NPN 型硅三极管的发射结电压U BE 约这 0.6~0.7 V 。 13．PNP 型锗三极管的发射结电压U BE 约为 -0.2~ -0.3 V 。 14．非线性失真包括截止失真和 饱和 失真。 15．为不产生非线性失真，放大电路的静态工作点Q 大致选在交流负载线的 中点 ，输入信号的幅值不能太大。 16．在外部因素（如温度变化、三极管老化、电源电压波动等）的影响下，会引起放大电路 静态工作点 的偏移。 17．外部因素中，对放大电路静态工作点影响最大的是 温度 变化。 18．三极管级间耦合的方式主要有：阻容耦合、变压器耦合和 直接耦合 。 19．三极管阻容耦合电路的频率特性包括幅频特性和 相频特性 。 20．三极管阻容耦合电路的 电压放大倍数 与频率的关系称为幅频特性。 21．三极管阻容耦合电路的输出电压相对于输入电压的 相位移 与频率的关系称为相频特性。 22．场效应管是一种 电压 控制的单极型半导体器件。 23．场效应管有两种类型：结型场效应管、 绝缘栅 场效应管。 24．最常用的绝缘栅场效应管为 金属—氧化物—半导体（或MOS ） 场效应管 25．绝缘栅场效应管按工作状态可分为增强型和 耗尽 型两类。 26．在多级直接耦合放大电路中，即使把输入端短路，在输出端也会出现电压波动，使输出电压偏离零值，这种现象称为 零点漂移（或零漂） 。 27． 温度 对晶体管参数的影响是产生零漂的主要因素。 28．差动放大电路有两个输入端，在有信号输入时，其输入类型有：共模输入、差模输入和 两个任意信号 的输入。 29．通常采用 共模抑制 比来描述差动放大电路放大差模信号和抑制共模信号的能力。 30．集成运算放大电路通常由输入级、中间级和 输出级 三部分组成。 31．理想运放的两个重要特性为： 输入电流为零 和两个输入端子间的电压为零。 32．带负反馈的放大电路的输入电阻取决于反馈网络与基本放大电路输入端的 连接方式 ，与取样对象无关。 33．自激振荡的起振时应满足 AF>1 33．交流电源变换成直流电源的电路一般由电源变压器、整流电路、滤波电路和稳压电路等四部分组成。 34．晶体管作为开关使用，是指它的工作状态处于饱和导通状态和截止状态。 35.TTL 逻辑门电路的典型高电平值是3.6V ，典型低电平值是0.3V 。 36.逻辑代数中的基本运算关系是与、或、非 37.十进制数513对应的二进制数1000000001，对应的十六进制数是201。 38.CMOS 门电路的闲置输入端不能悬空，对于与门应当接到高电平，对于或门应当接到低电平。 39.JK 触发器的特性方程为n n n Q K Q J Q +=+1 40.根据用途分，存储器分为两大类。一类是RAM 另一类是ROM 。
《数字电子技术》试卷 姓名：__ _______ 班级：__________ 考号：___________ 成绩：____________ 1. 有一数码10010011，作为自然二进制数时，它相当于十进制数（ ），作为8421BCD 码时，它相当于 十进制数（ ）。 2.三态门电路的输出有高电平、低电平和（ ）3种状态。 3．TTL 与非门多余的输入端应接（ ）。 4．TTL 集成JK 触发器正常工作时，其d R 和d S 端应接（ ）电平。 5. 已知某函数??? ??+??? ??++=D C AB D C A B F ，该函数的反函数F =（ ） 。 6. 如果对键盘上108个符号进行二进制编码，则至少要（ ）位二进制数码。 7. 典型的TTL 与非门电路使用的电路为电源电压为（ ）V ，其输出高电平为（ ）V ，输出低电平为（ ）V ， CMOS 电路的电源电压为（ ） V 。 8．74LS138是3线—8线译码器，译码为输出低电平有效，若输入为A 2A 1A 0=110时，输出 01234567Y Y Y Y Y Y Y Y 应为（ ）。 9．将一个包含有32768个基本存储单元的存储电路设计16位为一个字节的ROM 。该ROM 有（ ）根地址线，有（ ）根数据读出线。 10. 两片中规模集成电路10进制计数器串联后，最大计数容量为（ ）位。 11. ）；Y 3 ＝（ ）。
12. 某计数器的输出波形如图1所示，该计数器是（ ）进制计数器。 13．驱动共阳极七段数码管的译码器的输出电平为（ ）有效。 二、单项选择题（本大题共15小题，每小题2分，共30分） （在每小题列出的四个备选项中只有一个是最符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。） 1. 函数F(A,B,C)=AB+BC+AC 的最小项表达式为( ) 。 A ．F(A,B,C)=∑m （0，2，4） B. (A,B,C)=∑m （3，5，6，7） C ．F(A,B,C)=∑m （0，2，3，4） D. F(A,B,C)=∑m （2，4，6，7） 2．8线—3线优先编码器的输入为I 0—I 7 ，当优先级别最高的I 7有效时，其输出012Y Y Y ??的值是（ ）。 A ．111 B. 010 C. 000 D. 101 3．十六路数据选择器的地址输入（选择控制）端有（ ）个。 A ．16 B.2 C.4 D.8 4. 有一个左移移位寄存器，当预先置入1011后，其串行输入固定接0，在4个移位脉冲CP 作用下，四位数据的移位过程是（ ）。 A. 1011--0110--1100--1000--0000 B. 1011--0101--0010--0001--0000 C. 1011--1100--1101--1110--1111 D. 1011--1010--1001--1000--0111 5．已知74LS138译码器的输入三个使能端（E 1=1， E 2A = E 2B =0）时，地址码A 2A 1A 0=011，则输出 Y 7 ～Y 0是( ) 。 A. 11111101 B. 10111111 C. 11110111 D. 11111111 6. 一只四输入端或非门，使其输出为1的输入变量取值组合有( )种。 A ．15 B ．8 C ．7 D ．1 7. 随机存取存储器具有( )功能。 A.读/写 B.无读/写 C.只读 D.只写 8．N 个触发器可以构成最大计数长度（进制数）为( )的计数器。
电子技术基础 一、选择题： 1．在杂质半导体中,少子浓度主要取决于( ) (A) 掺入杂质的浓度、(B) 材料、(C) 温度 2．测得某PNP型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V,则该管工作于( ) (A) 放大状态、(B) 饱和状态、(C) 截止状态 3．在基本共射放大电路中，若更换晶体管使β值由50变为100,则电路的放大倍数( ) (A) 约为原来的1/2倍(B) 约为原来的2倍(C) 基本不变 4．在OCL电路中，引起交越失真的原因是( ) (A) 输入信号过大(B) 晶体管输入特性的非线性(C) 电路中有电容 5．差动放大器中,用恒流源代替长尾R e是为了( ) (A) 提高差模电压增益(B) 提高共模输入电压范围 (C) 提高共模抑制比 6．若A+B=A+C，则（） (A) B=C；(B) B=C；(C)在A=0的条件下，B=C 7．同步计数器中的同步是指（） （A）各触发器同时输入信号；（B）各触发器状态同时改变； （C）各触发器受同一时钟脉冲的控制 8．由NPN管组成的单管基本共射放大电路，输入信号为正弦波，输出电压出现顶部被削平的失真，这种失真是（） （A）饱和失真（B）截止失真（C）频率失真 9．对PN结施加反向电压时，参与导电的是（） （A）多数载流子（B）少数载流子（C）既有多数载流子又有少数载流子 10．当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量（） （A）增加（B）减少（C）不变 11．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（） A、输入电阻高 B、输出电阻低 C、共模抑制比大 D、电压放大倍数大 12．对于桥式整流电路，正确的接法是( ) 13．将代码(10000011)8421BCD转换成二进制数为（）
电工电子技术试题 一、填空题(共133题，每空一分) 1、电力系统中一般以大地为参考点，参考点的电位为 0伏 2、欧姆定律一般可分为部分电路的欧姆定律和全电路欧姆定律。 3、部分电路的欧姆定律是用来说明电路中电压、电流和电阻三个物理量之间关系的定律。 4、全电路欧姆定律，说明了回路中电流Ⅰ与电源电动势的代数和成比，而与回路中的 及之和成反比。 5、导体电阻的单位是欧姆，简称欧，用符号表示，而电阻率则用符号表示。 6、已知电源电动势为E，电源的内阻压降为U0，则电源的端电压U= E-U O。 7、有一照明线路，电源端电压为２２０伏，负载电流为１０安，线路的总阻抗为０.2欧姆，那么负载端电 压为 218 伏。 8、串联电路中的处处相等，总电压等于各电阻上之和。 9、一只２２０伏１５瓦的灯泡与一只２２０伏１００瓦的灯泡串联后，接到２２０伏电源上，则 15 瓦灯 泡较亮，而 100 瓦灯泡较暗。 10、１度电就是１千瓦的功率做功１小时所消耗的电量，所以它的单位又叫千瓦时。 11、频率是单位时间内交流电重复变化的次数。 12、某正弦交流电流，频率为５０赫，最大值为２０安，初相位为－４０°，此正弦交流电的瞬时值表达式 为 u=20sin(314t- ４０°) ，相量式为。 13、如果用交流电压表测量某交流电压，其读数为３８０伏，此交流电压的最大值为 537 伏。 14、把一个１００欧的电阻元件接到频率为５０赫、电压为１０伏的正弦交流电源上，其电流为 0.1A 安。 15、有一电感Ｌ为０．０８亨的纯电感线圈，通过频率为５０赫的交流电流，其感抗X L＝ 25.12 欧。如 通过电流的频率为10000赫，其感抗X L＝ 5024 欧。 16、一个１０微法的电容接在５０赫的交流电源上，其容抗X C＝ 318 欧，如接在2000赫的交流电源上， 它的容抗X C＝ 7.95 欧。 17、某正弦交流电流为ｉ＝100sin（6280t- π／4）毫安，它的频率ｆ＝ 1000Hz ，周期Ｔ＝ 0.001 秒， 角频率ω＝ 6280 ，最大值Im= 100mA ，有效值Ｉ＝ 100/1.414 mA ，初相位φ＝π／4 。 18、已知两交流电流分别为i１＝15sin(314t＋45°)安，i２＝10sin(314t－３0°）安，它们的相位差为75 °。 19、在纯电感交流电路中，电感元件两端的电压相位超前电流 90 度。 20、在纯电容交流电路中，电容元件两端的电压相位滞后电流 90 度。 21、在纯电阻交流电路中，电阻元件通过的电流与它两端的电压相位同相。 22、交流电路中的有功功率用符号 P 表示，其单位是 W 。 23、交流电路中的无功功率用符号 Q 表示，其单位是 VAR 。 24、交流电路中的视在功率用符号 S 表示，其单位是 VA 。 25、三相正弦交流电的相序，就是三相交流电到达最大值的顺序。 26、如三相对称负载采用星形接法时，则负载的相电压等于电源的相电压，线电流等于相电流的 1 倍。 27、如三相对称负载采用三角形接法时，则负载的相电压等于电源的线电压， 倍。 28、在三相对称电路中，已知线电压Ｕ、线电流Ｉ及功率因数角φ，则有功功率Ｐ＝ＵＩCOSφ，无功功率 Ｑ＝ＵＩSINφ，视在功率Ｓ＝ＵＩ 29伏。 30、当三相发电机的三相绕组联成星形时，其线电压为３８０伏，它的相电压为 220 伏。 31、有一台三相异步电动机，额定电压为３８０伏，三角形联接，若测出线电流为３０安，那么通过每相绕
中南大学网络教育课程考试复习题及参考答案 电子技术基础(专科) 一、单项选择题： 1.在杂质半导体中,少子浓度主要取决于 [ ] A.掺入杂质的浓度 B.材料 C.温度 2.测得某PNP型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V,则该管工作于 [ ] A.放大状态 B.饱和状态 C.截止状态 3.在基本共射放大电路中，若更换晶体管使β值由 50变为100,则电路的放大倍数 [ ] A.约为原来的1/2倍 B.约为原来的2倍 C.基本不变 4.在OCL电路中，引起交越失真的原因是 [ ] A.输入信号过大 B.晶体管输入特性的非线性 C.电路中有电容 5.差动放大器中,用恒流源代替长尾R e是为了 [ ] A.提高差模电压增益 B.提高共模输入电压范围 C.提高共模抑制比 6.若 A+B=A+C，则 [ ] A.B=C B.B=C C.在A=0的条件下，B=C 7.同步计数器中的同步是指 [ ] A.各触发器同时输入信号 B.各触发器状态同时改变 C.各触发器受同一时钟脉冲的控制 8.由NPN管组成的单管基本共射放大电路，输入信号为正弦波，输出电压出现顶部被削平的失 真，这种失真是 [ ] A.饱和失真 B.截止失真 C.频率失真 9.对PN结施加反向电压时，参与导电的是 [ ] A.多数载流子 B.少数载流子 C.既有多数载流子又有少数载流子 10.当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量 [ ] A.增加 B.减少 C.不变 11.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的 [ ] A.输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 12.对于桥式整流电路，正确的接法是 [ ] 13.将代码(10000011)8421BCD转换成二进制数为 [ ] A.(01000011)2 B.(01010011)2 C.(10000011)2 D.1)2 14.N个变量的逻辑函数应该有最小项 [ ] A.2n个 B.n2个 C.2n个 D.(2n-1)个 A +AB转换成或非－或非式为 [ ] 15.函数F=B
《模拟电子技术》复习题一 一、填空题 1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。 2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。 3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。 4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。 5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。 6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。 7、正弦波振荡电路通常由，，和 四部分组成。 二、选择题 1、利用二极管的（）组成整流电路。 A 正向特性 B 单向导电性C反向击穿特性 2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。 A空穴B三价元素硼C五价元素锑 3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。 A P沟道增强型MOS型 B P沟道耗尽型MOS型 C N沟道增强型MOS型 D N沟道耗尽型MOS型 E N沟道结型 F P沟道结型
+ + +++ + ------Rb1 Rb2Re1Re2 Rc RL C1Ce C1C2L 15V 8V Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1-2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1 +2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3 图2-6 图2-4 图2-5图3-1 + + ++++ ------D2R Rb1 Rb2Re1 Re2 Rc RL C1 Ce C1 C2 L 15V 8V B=50 Ui Rf Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1 -2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1+2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3图2-6 图2-4图2-5图3-1 图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。 A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃ B 1：ｃ、2：e 、3：ｂ C 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅ D 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。 A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。 A 可能 B 不能 7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。 A 差 B 和 C 算术平均 8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。 A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况 9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。 A 电压串联 B 电压并联 C 电流串联 D 电流并联 10、设图2-10所示电路中二极管D1、D2为理想二极管，判断它们是导通还是截止？（ ） A D1导通，D2导通 B D1导通，D2截止 C D1截止，D2导通 D D1截止，D2截止 三、判断题 （ ）1、温度升高后，本征半导体中自由电子和空穴数目都增多，且增量相同。 （ ）2、结型场效应管通常采用两种偏置方式，即（源极）自给偏压式和栅极分压与源极自偏相结合的偏置方式。 （ ）3、共集电极电路没有电压和电流放大作用。 （ ）4、用电流源代替R e 后电路的差模倍数增加。 （ ）5、集成运放内部第一级是差分放大电路，因此它有两个输入端。 （ ）6、只有两个晶体管的类型相同（都为NPN 管或都为PNP 管时）才能组成复合管。 （ ）7、RC 桥式振荡电路只要R ｆ≤2R １就能产生自激振荡。 （ ）8、一个理想的差分放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。 （ ）9、电压负反馈可以稳定输出电压。 （ ）10、直流电源是一种电能形式转换电路，将交流电变为直流电。 四、分析题 电路如图所示：
一、填空题 1、右图中二极管为理想器件， V1工作在_导通__ 状态；V2工作在__截止___状态。 2、差分放大器对差模信号有较强的放大能力，对共模信号有较强的__抑制__能力。 3、三级管工作在放大区时，发射结__正向__偏置，集电结__反向__偏置， 工作在饱和区时，发射结__正向_偏置，集电结_正向__偏置。 4、根据反馈的分类方式，负反馈电路有4种组合形式，即_串联负反馈、_并联负反馈__、_电流负反馈_、电压负反馈。 5、理想集成运算放大器有两个重要特性对分析线性运用电路非常有用，他们分别是虚短、虚断。 6、逻辑函数的表示形式有四种：逻辑函数式、______真值表____、卡诺图和逻辑图。 7、将十六进制（0BF）转换成十进制= __191________。 8、计数器、寄存器、编码器、译码器中，属于组合逻辑电路的是___译码器编码器___，属于时序逻辑电路的是_____计数器、寄存器_________ 。 9、共阳接法的发光二极管数码显示器，应采用___低_______电平驱动的七段显示译码器。 1、数字信号只有 0 和 1 两种取值。 2、十进制123的二进制数是 1111011 ；八进制数是 173 ；十六进制数是 7B 。 3、一位十进制计数器至少需要 4 个触发器。 4、有一A/D转换器，其输入和输出有理想的线性关系。当分别输入0V和5V电压时，输出的数字量为00H 和FFH，可求得当输入2V电压时，电路输出的数字量为： 66H 。 5、设ROM容量为256字×8位，则它应设置地址线 8 条，输出线 8 条。 6、用256字×4位RAM，扩展容量为1024字×8位RAM，则需要 8 片 1、在常温下，锗二极管的门槛电压约为 0.1 V，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.2 V。 2、三极管须使发射结正向偏置，集电结反向偏置才能工作在放大区。 3、一般直流稳压电源由电源变压器、整流电路、滤波电路 和稳压电路四个部分组成。 4、按移位方向，移位寄存器可分为单向移动寄存器和双向移动寄存器。 5、三态门的“三态”指输出高电平，输出低电平和输出高阻态。 6、（101111）(2)=47(10),(87)(10)=1010111(2) 7、用一个称为时钟的特殊定时控制信号去限制存储单元状态的改变时间，具有这种特点的存储单元电路称为触发器。 8、时序电路分为组合电路和存储电路两种。 二、选择题 1、离散的，不连续的信号，称为（B ） A、模拟信号 B、数字信号 2、在下列逻辑部件中，不属于组合逻辑部件的是（ D ）。 A．译码器B．编码器 C．全加器D．寄存器
习题 【2-1】填空、选择正确答案 1．对于阻容耦合放大电路，耦合电容器的作用是 A．将输入交流信号耦合到晶体管的输入端； √B．将输入交流信号耦合到晶体管的输入端；同时防止偏置电流被信号源旁路； C．将输入交流信号加到晶体管的基极。 2．在基本放大电路中，如果集电极的负载电阻是R c，那么R c中： A．只有直流； B．只有交流； √ C．既有直流，又有交流。 3．基本放大电路在静态时，它的集电极电流的平均值是（）；动态时，在不失真的条件下，它的集电极电流的平均值是（）。（I CQ；I CQ） 4．下列说法哪个正确： A．基本放大电路，是将信号源的功率加以放大； √B．在基本放大电路中，晶体管受信号的控制，将直流电源的功率转换为输出的信号功率； C．基本放大电路中，输出功率是由晶体管提供的。 5．放大电路如图2.1.7所示，试选择以下三种情形之一填空。 a:增大、b:减少、c:不变（包括基本不变） (1) 要使静态工作电流I c减少，则R b1应。（a） (2) R b1在适当范围内增大，则电压放大倍数，输入电阻，输出电阻 。（b；a；c） (3) R e在适当范围内增大，则电压放大倍数，输入电阻，输出电阻 。（b；a；c） (4) 从输出端开路到接上R L，静态工作点将，交流输出电压幅度要。 （c；b） (5) V cc减少时，直流负载线的斜率。（c） 6．放大电路的输出电阻越小，放大电路输出电压的稳定性（）。（越好） 7．放大电路的饱和失真是由于放大电路的工作点达到了晶体管特性曲线的（）而引起的非线性失真。（饱和区） 8．在共射基本放大电路中，若适当增加 ，放大电路的电压增益将（）。（基本不增加） 9．在共射基本放大电路中，若适当增加I E，电压放大倍数将如何变化（）。（增加） 10．在共射基本放大电路中，适当增大R c，电压放大倍数和输出电阻将有何变化。 √ A．放大倍数变大，输出电阻变大 B．放大倍数变大，输出电阻不变 C．放大倍数变小，输出电阻变大 D．放大倍数变小，输出电阻变小 11．有两个电压放大电路甲和乙，它们的电压放大倍数相同，但它们的输入输出电阻不同。对同一个具有一定内阻的信号源进行电压放大，在负载开路的条件下测得甲的输出电压小。哪个电路的输入电阻大。（对放大电路输出电压大小的影响，一是放大电路本身的输入电阻，输入电阻越大，加到放大电路输入端的信号就越大；二是输出电阻，输出电阻越小，被放大了的信号在输出电阻上的压降就越小，输出信号就越大。在负载
数字电子技术复习题及答案 一、填空题 1、(238)10＝( )2 ＝( EE )16。2＝( )16＝( )10。 2、德?摩根定理表示为 B A +＝( B A ? ) , B A ?＝( B A + )。 3、数字信号只有（ 两 ）种取值，分别表示为（ 0 ）和（ 1 ）。 4、异或门电路的表达式是( B A B A B A +=⊕ )；同或门的表达式是( B A AB B A ?+=⊙ ) 。 5、组成逻辑函数的基本单元是（ 最小项 ）。 6、与最小项C AB 相邻的最小项有( C B A )、( C B A ? ) 和 ( ABC ) 。 7、基本逻辑门有（ 与门 ）、（ 或门 ）和（ 非门 ）三种。复合门有（ 与非门 ）、（ 或非门 ）、（ 与或非门 ） 和（ 异或门 ）等。 8、 9、 10、最简与或式的定义是乘积项的（ 个数最少 ），每个乘积项中相乘的（ 变量个数也最少）的与或表达式。 11、在正逻辑的约定下，“1”表示（ 高电平 ），“0”表示（ 低电平 ）。在负逻辑的约定下，“1”表示（ 低电 平 ），“0”表示（ 高电平 ）。 12、一般TTL 门电路输出端( 不能 )直接相连，实现线与。(填写“能”或“不能”) 13、三态门的三种可能的输出状态是( 高电平 )、( 低电平 )和( 高阻态 )。 14、实现基本和常用逻辑运算的(电子电路)，称为逻辑门电路，简称门电路。 15、在TTL 三态门、OC 门、与非门、异或门和或非门电路中，能实现“线与”逻辑功能的门为（OC 门），能实 现总线连接方式的的门为（三态门）。 16、T TL 与非门的多余输入端不能接（ 低 ）电平。 17、 18、真值表是将输入逻辑变量的（ 所有可能取值 ）与相应的（ 输出变量函数值 ）排列在一起而组成的表格。 19、组合逻辑电路是指任何时刻电路的稳定输出，仅仅只决定于（该时刻各个输入变量的取值）。 20、用文字、符号或者数码表示特定对象的过程叫做（ 编码 ）。把代码的特定含义翻译出来的过程叫（ 译码 ）。 在几个信号同时输入时，只对优先级别最高的进行编码叫做（ 优先编码 ）。 21、两个1位二进制数相加，叫做（半加器）。两个同位的加数和来自低位的进位三者相加，叫做（全加器）。 22、比较两个多位二进制数大小是否相等的逻辑电路，称为(数值比较器)。 23、半导体数码显示器的内部接法有两种形式：共(阳)极接法和共(阴)极接法。对于共阳接法的发光二极管数
资料收集于网络，如有侵权请联系网站删除 《电子技术基础》题库 适用班级：2012级电钳3、4、5、6班 备注：本学期进行到第七章；第一、二、三章是重点内容，要求掌握；第四、八章没有涉及。 一、填空题： 第一章半导体二极管 Q、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为导体，半导体和绝缘体三类。 A2、导电性能介于导体和绝缘体之间物质是半导体。 Q3、半导体具有热敏特性、光敏特性、参杂的特性。 虫、PN结正偏时，P区接电源的正极，N极接电源的负极。 ?、PN结具有单向导电特性。 @、二极管的P区引出端叫正极或阳极,N区的引出端叫负极或阴极。 △7、按二极管所用的材料不同，可分为硅二极管和锗二极管两类; 食、按二极管用途不同，可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极 管、发光二极管、光电二极管和变容二极管。 ★9、二极管的正向接法是二极管正极接电源的正极，负极接电源的负极：反响接法相反。Q0、硅二极管导通时的正向管压降约0.7V，锗二极管导通时的管压降约0.3V。 △11、使用二极管时，应考虑的主要参数是最大整流电流、最高反向电压和反向电流。 ★12、发光二极管将电信号转换为光信号。 ★13、变容二极管在高频收音机的自动频率控制电路中，通过改变其反向偏置电压来自动 调节本机震荡频率。 只供学习与交流 资料收集于网络，如有侵权请联系网站删除
★14、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为零。 第二章半导体三极管及其放大电路 05、三极管是电流控制元件。 06、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏丿电结反偏。 ★17、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic变大，发射结压降变小。 △18、三极管处在放大区时，其集电结电压小于零，发射结电压大于零。★19、三极管的发射区杂质浓度很高，而基区很薄。 △20、三极管实现放大作用的内部条件是：发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小. △21、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12讥增大到22讥时，I c从1mA变为2mA，那么它的B约为100 。 OL2、三极管的三个工作区域分别是饱和区、放大区和截止区。 ★23、发射结…正向…偏置，集电结正向偏置，贝U三极管处于饱和状态。 ★24、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙类）类互补功率放大器。 ★25、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路； ★26、0TL电路是（单）电源互补功率放大电路。 ★27、共集电极电路电压放大倍数（1），输入电阻（大），输出电阻（小），常用在 输入级，输出级或缓冲级。 第三章集成运算放大器及其应用 &8、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为____ 。△29、差分放大电路能够抑制零点漂移。 只供学习与交流
一、填空题（每空1分，共22分） 1、二极管具有最显著的特点是单向导电性。 2、三极管处于放大状态时，发射结正偏，集电结反偏。 3、在直接耦合放大电路中，抑制零点漂移最有效的电路结构是差分放大电路。 4、场效应管只有一种极性的载流子参与导电，固又称为单极型晶体管。 5、互补对称功率放大电路主要是要求输出大功率。 6、集成运算放大器的电路，可分为输入级、中间级、输出级和偏置电路四个基本组成部 分。 7、放大电路中负反馈的四种类型为：串联电压负反馈、并联电压负反馈、 串联电流负反馈、和并联电流负反馈。 8、逻辑函数的基本运算有与运算、或运算和非运算。 9、时序逻辑电路由门电路和触发器两部分组成。 10、用二进制代码表示有限对象（信号）的过程称为编码。 11、共阴LED数码管应与输出高电平有效的译码器匹配。 12、计数器按计数增减趋势分，有加法、减法和可逆计数器。 13、能将数字量转换为模拟量的装置称为 D/A转换器。 14、二进制数101011转换为十进制数为 43 。 二、选择题（每小题2分，共18分） 1、在放大电路中，若测得某晶体管三个电极的电位分别为10V,,,则这三 个极分别为：（C）。 A． C, B, A B． E, C, B C． C, E, B D．不确定 2、在下图所示的电路中，U 为（ B ）。
3、射极输出器（ A ）。 A．有电流放大作用，没有电压放大作用。 B．有电流放大作用，也有电压放大作用。 C．没有电流放大作用，也没有电压放大作用。 D．没有电流放大作用，有电压放大作用。 4、集成运算放大器实现信号运算关系时，其电路的特点是：（ A ） A．电路引入负反馈 B．电路引入正反馈C．电路可以引入正反馈，也可以引入负反馈 D．不需要引入反馈 5、在下图所示的稳压电路中，已知U Z =6V，则U O 为（ D ）。 6、下图所示电路中，Y恒为0的图是（ B ）。
一．单项选择题 1. 图示电路中,电流I＝（A ）。 A.–3 A B. 2 A C. 3 A D. 5 A 2. 图示电路中, 电压U＝（D ）。 A. 2 V B. 4 V C. 6 V D. 8 V 3. 图示电路中, 电流I＝（A ）。 A. 1 A B. 2 A C. 3 A D. 1/2 A 4. 图示电路中, 实际发出功率的元件是（D )。 A. U S 。 B. R C. U S和I S D. I S 5. 图示电路中, 电压U＝（A ）。 A. 8 V B. －8 V C. 16 V D. －16 V 6. 图示无源单口网络电路中, ab间等效电阻R ab =（B ）。 A. R1//R2//R3 B. R1//R3 C. (R1+R2)//R3
D. (R1+R3)//R2 7. 图示电路中, 电流I＝（B ）。 A. 5 A B. －5 A C. 1 A D. 2 A 8 . 图示一阶电路中,开关在t＝0时闭合，电容初始电压u C（0+）= ( C )。 A. -5 V B. 10 V C. 5 V D. 20 V 9. 图示电路中, 电压源单独作用时，电流I＝（B ）。 A. 0 A B. 1 A C. －1 A D. 1.5 A 10. 图示电路中, ab短路线中电流I ab = ( A ）。 A. 1 A B. 2 A C. 3 A D. -1 A 11. 图示电路中, 电流I＝（A ）。 A. –4A B. 4A C. –2A D. –3A 12. 图示电路中, 电压U＝（C ）。 A. 3 V B. -3 V C. -6 V 。。
《电子技术基础》题库 适用班级：2012级电钳3、4、5、6班 备注：本学期进行到第七章；第一、二、三章是重点内容，要求掌握；第四、八章没有涉及。一、填空题： 第一章半导体二极管 ○1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为导体，半导体和绝缘体三类。 Δ2、导电性能介于导体和绝缘体之间物质是半导体。 ○3、半导体具有热敏特性、光敏特性、参杂的特性。 Δ4、PN结正偏时，P区接电源的正极，N极接电源的负极。 ○5、PN结具有单向导电特性。 ○6、二极管的P区引出端叫正极或阳极，N区的引出端叫负极或阴极。 Δ7、按二极管所用的材料不同，可分为硅二极管和锗二极管两类； ○8、按二极管用途不同，可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、发光二极管、光电二极管和变容二极管。 ★9、二极管的正向接法是二极管正极接电源的正极，负极接电源的负极；反响接法相反。 ○10、硅二极管导通时的正向管压降约0.7V ，锗二极管导通时的管压降约0.3V。 Δ11、使用二极管时，应考虑的主要参数是最大整流电流，最高反向电压和反向电流。★12、发光二极管将电信号转换为光信号。 ★13、变容二极管在高频收音机的自动频率控制电路中，通过改变其反向偏置电压来自动调节本机震荡频率。
★14、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为零。 第二章半导体三极管及其放大电路 ○15、三极管是电流控制元件。 ○16、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏，集电结反偏。 ★17、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic变大，发射结压降变小。 Δ18、三极管处在放大区时，其集电结电压小于零，发射结电压大于零。★19、三极管的发射区杂质浓度很高，而基区很薄。 Δ20、三极管实现放大作用的内部条件是：发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小. Δ21、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为100 。 ○22、三极管的三个工作区域分别是饱和区、放大区和截止区。 ★23、发射结﹍正向﹍偏置，集电结正向偏置，则三极管处于饱和状态。 ★24、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙类）类互补功率放大器。 ★25、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路； ★26、OTL电路是（单）电源互补功率放大电路。 ★27、共集电极电路电压放大倍数（1），输入电阻（大），输出电阻（小），常用在输入级，输出级或缓冲级。 第三章集成运算放大器及其应用 ○28、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为共模信号。.Δ29、差分放大电路能够抑制零点漂移。
一、单项选择题（26小题，每小题2分，共60分） 1、若把某一全加器的进位输出接至另一全加器的进位输入，则可构成(B)。 A 、二位并行进位的全加器 B 、二位串行进位的全加器 C 、一位串行进位的全加器 2、数字电路中的工作信号为(B)。 A 、随时间连续变化的电信号 B 、脉冲信号 C 、直流信号 3、与十进制数138相应的二进制数是(B)。A 、10001000 B 、10001010 C 、10000010 4、采用共阴极数码管的译码显示电路如图所示，若显示码数是8，译码器输出端应为(C)。A 、a =b =c =d =e=f=“1”，g= “0”B 、a =b =c =d=e =f=g=“0” C 、a =b =c =d =e =f=g=“1” A B C D 5、下列逻辑式中，正确的“或”逻辑公式是(A)。A 、A A +=1 B 、A A +=0 C 、A A + =A 6、下列逻辑式中，正确的逻辑公式是 (B)。 A 、A B +=AB B 、A B +=AB C 、A B +=A B + 7、逻辑代数是研究逻辑关系的主要数学工具，逻辑代数中变量的取值是(A)。 A 、“0”和“1”两个值 B 、0~9中的任意值 C 、普通代数中的任何值 8、模拟电路中的工作信号为(A)。 A 、随时间连续变化的电信号 B 、随时间不连续变化的电信号 C 、持续时间短暂的脉冲信号 9、逻辑图和输入A ，B 的波形如图所示，分析在t 1瞬间输出F 为(B)。 A 、“1” B 、 “0” C 、不 定 t 1 A B 图1 图2 10、逻辑图和输入A ，B 的波形如图所 示，分析在t 1瞬间输出F 为(A)。 A 、“1” B 、“0” C 、任 意 t 1 A B 图1 图2 11、逻辑图和输入A ，B 的波形如图所示，分析当输出F 为“0”的时刻，应是()。 A 、t 1 B 、t 2 C 、t 3 t 2 t 3 t 1 =1 A F B A B 12、图示逻辑电路的逻辑式为()。 A 、F =A B +B C CA + B 、 F =ABC C 、F =AB BCCA
电子技术基础(二)课程复习题及答案 一、填空 1、本征半导体中有空穴和两种载流子。自由电子 2、半导体有P型和两种类型。N型 3、PN结具有特性。单向导电 4、二极管按结构分有点接触型和接触型。面 5、差动放大电路的电路参数。对称 6、差动放大电路的目的是抑制。共模信号 7、反馈分有正反馈和反馈。负 8、功率放大器按晶体管的工作状态可分为甲类、乙类和功率放大器。甲乙类 9、复合管的类型与组成该复合管的三极管相同。第一只 10、集成功放的内部主要由前置级、中间级和组成。功率输出级 11、集成电路按功能分有数字集成电路和集成电路。模拟 12、过零电压比较器具有极高的。电压放大倍数 13、正弦波振荡器由基本放大电路、、反馈网络和稳幅电路四部分组成。选频网络 14、正弦波振荡器产生自己震荡的条件是有正反馈和。正反馈量要足够大 15、在开关稳压电源中调整管工作于状态。开关 16、逻辑代数又叫代数。二值布尔 17、基本的逻辑运算有逻辑加、逻辑乘、三种。逻辑非 18、卡诺图所有的最小项之和为。1 19、数字集成器件民用品标为系列。74 20、集成逻辑门是最基本的。数字集成器件 21、反相器就是实现的器件。逻辑非 22、编码是的逆过程。译码 23、组合逻辑电路的输出状态仅取决于。当前输入 24、最基本的时序逻辑电路有集成计数器、等。集成寄存器 25、计数器按计数步长分有二进制、十进制和。N进制 26、一个触发器可以存放位二进制数。1 27、多谐振荡器又称。方波发生器 28、555集成定时器基本应用有多谐振荡器、施密特触发器和。单稳态触发器 29、绝大多数的DAC、ADC均采用工艺。CMOS 30、读写存储简称。RAM 31、只读存储器简称。ROM 二、单选选择题 1、在本征半导体中掺入微量的（）价元素，形成N型半导体。D A、二 B、三 C、四 D、五 2、在本征半导体中掺入微量的（）价元素，形成P型半导体。B A、二 B、三 C、四 D、五 3、在P型半导体中，电子浓度（）空穴浓度。C A、大于 B、等于 C、小于 D、与温度有关 4、在本征半导体中，电子浓度（）空穴浓度。B A、大于 B、等于 C、小于 D、与温度有关 5、在N型半导体中，电子浓度（）空穴浓度。A A、大于 B、等于 C、小于 D、与温度有关 6、锗二极管正向导通的条件是( )。B A、U b= B、U b = C、U b = D、 U b = 7、硅二极管正向导通的条件是( )。A A、 U b= B、U b = C、 U b = D、U b = 8、二极管正向导通时的电阻R D ( )。A A、很小 B、很大 C、等于1k D、无法确认 9、二极管反向导通时的电阻R D ( )。B A、很小 B、很大 C、等于1k D、无法确认 10、晶体二极管最显著的特性是( )。C A、开关特性 B、信号放大特性 C、单向导通特性 D、稳压特性 11、稳压管的稳压区是其工作在（）。C A、正向导通 B、反向截止 C、反向击穿 D、反向截止或击穿 12、测量某放大电路中的一只NPN型晶体三极管，各电极对地的电位是：U1=2V，U2=6V，U3=，则该三极管各管脚的名称是( )。B A、1脚为c，2脚为b，3脚为e B、1脚为e，2脚为c，3脚为b C、1脚为b，2脚为e，3脚为c D、1脚为b，2脚为c，3脚为e 13、若晶体三极管工作在截止状态，则以下符合的条件为( )。C A、U CE < U BE B、U CE > U BE C、I B=0 D、I C=0 14、晶体三极管有( )种工作状态。C A、1种 B、2种 C、3种 D、4种 15、若测得U CE > U BE，则可以判断三极管处于（）状态。A A、放大 B、饱和 C、截止 D、短路 16、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（）。B A、前者反偏、后者也反偏 B、前者正偏、后者反偏 C、前者正偏、后者也正偏 D、前者反偏、后者正偏 17、晶体三极管的重要特性是( )。A A、电流放大作用 B、电压放大作用 C、功率放大作用 D、电能流放大作用 18、晶体三极管由（）构成。A A、三个半导体区和两个PN结 B、两个半导体区和三个PN结 C、四个半导体区和三个PN结 D、三个半导体区和三个PN结 19、在放大电路中，三极管静态工作点用（）表示。 B A、I B、I C、V CE B、 I B、I C、U CE C、 i B、i C、V CE D、 i b、i c、u ce 20、晶体管三个电极的电流关系为（）。B A、I C=I E+I B B、I E = I C +I B C、 I B =I E+ I C D、I E =I B 21、电力场效应晶体管中主要类型是（）。B A、P沟道增强型 B、N沟道增强型 C、P沟道耗尽型 D、N沟道耗尽型 22、场效应管三个电极中，用D表示的电极称为（）。D A、栅极 B、源极 C、基极 D、漏极 23、在放大电路中，场效应晶体管应工作在漏极特性的（）。C A、可变电阻区 B、截止区 C、饱和区 D、击穿区 24、集成放大器之间均采用（）耦合。A A、直接 B、电容 C、电阻 D、变压器