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NOR FLASH:大容量存储芯片的原理及应用解析

NOR FLASH:大容量存储芯片的原理及应用解析

NOR FLASH:大容量存储芯片的原理及应用解析

VDRF256M16 是珠海欧比特公司自主研发的一种高速、大容量的NOR FLASH,可利用其对大容量数据进行高速缓存。文中介绍了该芯片的结构和

原理,并同时给出了一个系统中大容量、高速数据传输要求的设计方案。

1 引言

NOR FLASH 是很常见的一种存储芯片,数据掉电不会丢失。NOR FLASH 支持Execute On Chip,即程序可以直接在FLASH 片内执行。这点和NAND FLASH 不一样。因此,在嵌入是系统中,NOR FLAS H 很适合作为启动程序的存储介质。NOR FLAS H 的读取和RAM 很类似,但不可以直接进行写操作。对NOR FLAS H 的写操作需要遵循特定的命令序列,最终由芯片内部的控制单元完成写操作。所以,NOR FLASH 一般是作为用于程序的存储与运行的工具。

NOR 的特点是芯片内执行(XIP,Execute In Place),这样应用程序可以直接在FLASH 闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM 中。NOR FLASH 的传输效率很高,在1~4MB 的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写

入和擦除速度大大影响了它的性能。

NorFlash测试方法介绍

NOR Flash 存储器测试方法介绍 一、NOR FLASH简介 NOR FLASH 是很常见的一种存储芯片,数据掉电不会丢失。NOR FLASH支持Execute ON Chip,即程序可以直接在FLASH片内执行。这点和NAND FLASH不一样。因此,在嵌入是系统中,NOR FLASH很适合作为启动程序的存储介质。 NOR FLASH的读取和RAM很类似,但不可以直接进行写操作。对NOR FLASH的写操作需要遵循特定的命令序列,最终由芯片内部的控制单元完成写操作。从支持的最小访问单元来看,NOR FLASH一般分为8 位的和16位的(当然,也有很多NOR FLASH芯片同时支持8位模式和是16 位模式,具体的工作模式通过特定的管脚进行选择) 。对8位的NOR FLASH芯片,或是工作在8-BIT模式的芯片来说,一个地址对应一个BYTE(8-BIT)的数据。 在对FLASH进行写操作的时候,每个BIT可以通过编程由1变为0,但不可以有0修改为1。为了保证写操作的正确性,在执行写操作前,都要执行擦除操作。擦除操作会把FLASH 的一个SECTOR,一个BANK或是整片FLASH 的值全修改为0xFF。这样,写操作就可以正确完成了。 1. 8-BIT的NOR FLASH 例如一块8-BIT的NOR FLASH,假设容量为4个BYTE。那芯片应该有8个数据信号D7-D0 和2个地址信号,A1-A0。地址0x0对应第0个BYTE,地址0x1对应于第1BYTE,地址0x2对应于第2个BYTE,而地址0x3则对应于第3 个BYTE 2. 16-BIT的NOR FLASH 对16位的NOR FLASH芯片,或是工作在16-BIT模式的芯片来说,一个地址对应于一个HALF-WORD(16-BIT)的数据。例如,一块16-BIT的NOR FLASH,假设其容量为4个BYTE。那芯片应该有16 个数据信号线D15-D0 和1个地址信号A0。地址0x0对应于芯片内部的第0个HALF-WORD,地址0x1对应于芯片内部的第1个HALF-WORD。 3. NOR Flash结构 FLASH一般都分为很多个SECTOR,每个SECTOR包括一定数量的存储单元。对有些大容量的FLASH,还分为不同的BANK,每个BANK包括一定数目的SECTOR。FLASH的擦除操作一般都是以SECTOR,BANK或是整片FLASH为单位的。

《网络存储技术》课程标准

网络存储技术》课程标准 《网络存储技术》 是高等职业院校计算机网络技术专业均开设的 一门专业技术课程, 是高职素质教育中的重要组成部分, 本课程注重 培养高职学生的计算机应用能力, 是操作性和实践性很强的课程。 通 过学习,使学生掌握必要的网络存储技术基础知识,具备调试技能, 提高网络存储各部件的组装、设置、日常维护、维修及管理系统安装 等使用技术能力,重点培养学生的综合处理能力。 2.设计思路 本课程以构建学生信息化基础核心能力、 为职业能力提供信息化 工具为出发点、打破传统的学科知识体系, 重构教学做一体式的课程, 以情境式案例为载体,逐步推进学生计算机基本能力的培养。 3.课程目标 通过本课程的学习, 使学生能够掌握网络存储和虚拟化技术的基 础知识。 通过实际项目及任务,典型案例分析与实战操作为手段,培养学 课程名称: 网络存储技术 课程类别:专业必修课 授课单位: 术专业 信息与软件工程系 适用专业:高职高专网络技 时: 40 学时 分:4 1. 写 人:盛建军 2014年 8 月 审 定 人:尹光辉 课程性质

生进行网络存储与虚拟化实现方案系统分析与实践实施的能力,实现高职院校学生的自主学习、工作以及完成综合任务的能力,对职业素质养成起非常重要的作用。 4.教学内容组织和编排 通过对企业调研,了解到企业中与信息化相关的职业岗位,结合工作实际,根据需要掌握的基本技能,形成8个学习案例和3个综合实训项目,针对网络技术专业学生设计选修内容。 《网络存储技术》学习案例及课时分配表

5.课程内容与教学要求 在教学过程中,教师根据每个案例中的典型任务给学生布置任务,明确要达到的能力目标,进行知识点的引导,通过学生自己对任务的实施和讨论,教师对任务的评价,强化训练学生的操作能力,沟通能力,团队协作能力。 课程案例与工作任务和知识点之间的对应关系: 任务 任务一:掌 握理论基 础知识

一片Norflash上建立bootrom和TFFS文件系统

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一片Norflash上建立bootrom和TFFS文件系统
开发环境:2410+AM29LV160DB(前 0.5m 存放 bootrom,后 1.5m 建立 TFFS) NorFLash 挂接 bank0 由网络上 sst39vf160 源代码修改而来 主要修改了文件名、命令字序列、加入屏蔽中断、mmu 映射,其他部分改动很少 ①关键问题描述与解决措施 问题描述:在 wshell 中调用 tffsDevFormat -> tffsDevFormat Identify AM29LV160 media.0x2249 shine**********identify ok shine**********lv160MTDErase routine(进入擦除命令后停止) shine**********ret is 100000,call by lv160MTDMap0(此处是我在 map 函数中 增加的打印) Exception number 12: Task: 0x33e18b98 (t17) Instruction prefetch abort Program Counter: 0x200000 Status Register: 0x20000097 value = 0 = 0x0 结果系统进入异常 解 决措施:需要在擦除和写操作中屏蔽中断,因为 Flash 在擦除、写和读 ID 状态时,不能正常读取 Flash 中数据。而 VxWorks 的异常入口位于 Flash 存储 器的开始处,异常发生时不能得到正常的入口指令,会导致系统跑飞。解决这个 问题的最好方法是添加第 2 片 Flash 存储器, 专门用于文件系 统。 (摘自 Amine 的 44B0 调试笔记) ②在 lv160mtd.c 中(把文件名 sst39vf160 改为 lv160mtd.c) 增加如下头文件 # include "intLib.h" /* include intLock() and intUnlock() */ 屏蔽中断函数使用示例: 代码: int Eint_lock_key; int_lock_key = intLock (); /* disable interrupts*/ intUnlock (int_lock_key); /* restore interrupt enable setting*/ 代码:

存储技术的应用和发展《储存技术基础》课程论文

存储技术的应用和发展 学生姓名:指导老师:刘青 【摘要】文章介绍了存储技术中的几种架构方式,以及它们在不同环境下的应用与区别,ISCSL 的概念工作流程标准的制定情况,ISCSL 与FC 的比较与局限性,介绍了ISCSL-SAN 技术以及其应用的发展趋势,ISCSL-SAS 在未来的发展潜力。 【关键词】网络存储;磁盘阵列;光纤通信;SAN;IP-SAN ;ISCSL-SAS 随着信息化建设的迅猛发展,计算机系统已经成为企业事业单位的基础设施,数据成为关系到企业生存的主要资源,数据存储以及安全成为信息化进一步的重要基础人们对数据的依赖性越来越高,特别是企业单位的业务运行越来越依赖于所存储的数据信息,而企业单位中关键业务数据量的迅速增长,更加使得存储系统成为企业信息系统中最重要的组成部门。存储在于终于从过去的隐藏在计算机和传输背后的技术走到了前台。由于网络的快速发展,在线数据存储的快速增长,生物技术科学技术数字影像电子商务远程医疗数据仓库等导致了对存储容量的极大需求,传统的以服务器为中心的存储技术以及不适合今天的存储要求。在过去,数据存储过多的集中在如何存储数据本身,包括安全性可靠性备份可管理性可扩展性等,无论是DAS SAN NAS ,这些技术都是基于这样角度考虑的。目前以太网络存储'为中心的存储技术得到了进一步的发展,各种存储技术设备和技术正趋于融合。不久的将来光纤网络SCSI磁盘阵列NAS文件服务器,SAS 磁盘阵列磁盘库等设备都可以运行在一个统一标准的架构中。网络存储技术沿着几个主要的方向发展:DAS NAS SAN IP-SAN 。 (一)存储方式分为以下几种架构 1 .1DSA (直接附加存储)通过SCSI,(小型计算机系统接口)直接到服务器,I/O总线连接存储设备和应用服务器的存储架构,存储设备由应用服务器独享,这种方式是连接单独的或两台小型集群的服务器。 1.2NAS (网络附加存储)一种文件共享服务,由专用的服务器通过专有文件系统管理存储空间,连接到TCP/IP网络上(通过LAN或WAN),对外通过NFS (网络文件系统)或者CIFS(通用网际文件系统)等协议提供文件级的访问功能。NAS支持不同的操作系统共享一个文件。NAS 系统采用了信息技术中的流行的嵌入技术,具有高度智能性能稳定功能专一的特点。

NAND与NOR FLASH的原理及异同

NAND与NOR FLASH的原理与异同! 一、存储数据的原理 两种闪存都是用三端器件作为存储单元,分别为源极、漏极和栅极,与场效应管的工作原理相同,主要是利用电场的效应来控制源极与漏极之间的通断,栅极的电流消耗极小,不同的是场效应管为单栅极结构,而FLASH为双栅极结构,在栅极与硅衬底之间增加了一个浮置栅极。[attach]158 [/attach] 浮置栅极是由氮化物夹在两层二氧化硅材料之间构成的,中间的氮化物就是可以存储电荷的电荷势阱。上下两层氧化物的厚度大于50埃,以避免发生击穿。 二、浮栅的重放电 向数据单元内写入数据的过程就是向电荷势阱注入电荷的过程,写入数据有两种技术,热电子注入(hot electron injection)和F-N隧道效应(Fowler Nordheim tunneling),前一种是通过源极给浮栅充电,后一种是通过硅基层给浮栅充电。NOR型FLASH通过热电子注入方式给浮栅充电,而NAND则通过 F-N隧道效应给浮栅充电。 在写入新数据之前,必须先将原来的数据擦除,这点跟硬盘不同,也就是将浮栅的电荷放掉,两种FLASH都是通过F-N隧道效应放电。 三、0和1 这方面两种FLASH一样,向浮栅中注入电荷表示写入了'0',没有注入电荷表示'1',所以对FLASH清除数据是写1的,这与硬盘正好相反; 对于浮栅中有电荷的单元来说,由于浮栅的感应作用,在源极和漏极之间将形成带正电的空间电荷区,这时无论控制极上有没有施加偏置电压,晶体管都将处于导通状态。而对于浮栅中没有电荷的晶体管来说只有当控制极上施加有适当的偏置电压,在硅基层上感应出电荷,源极和漏极才能导通,也就是说在没有给控制极施加偏置电压时,晶体管是截止的。如果晶体管的源极接地而漏极接位线,在无偏置电压的情况下,检测晶体管的导通状态就可以获得存储单元中的数据,如果位线上的电平为低,说明晶体管处于导通状态,读取的数据为0,如果位线上为高电平,则说明晶体管处于截止状态,读取的数据为1。由于控制栅极在读取数据的过程中施加的电压较小或根本不施加电压,不足以改变浮置栅极中原有的电荷量,所以读取操作不会改变FLASH中原有的数据。 四、连接和编址方式 两种FLASH具有相同的存储单元,工作原理也一样,为了缩短存取时间并不是对每个单元进行单独的存取操作,而是对一定数量的存取单元进行集体操作, NAND型FLASH各存储单元之间是串联的,而NOR型FLASH各单元之间是并联的;为了对全部的存储单元有效管理,必须对存储单元进行统一编址。 NAND的全部存储单元分为若干个块,每个块又分为若干个页,每个页是512byte,就是512个8位数,就是说每个页有512条位线,每条位线下有8个存储单元;那么每页存储的数据正好跟硬盘的一个扇区存储的数据相同,这是设计时为了方便与磁盘进行数据交换而特意安排的,那么块就类似硬盘的簇;容量不同,块的数量不同,组成块的页的数量也不同。在读取数据时,当字线和位线锁定某个晶体管时,该晶体管的控制极不加偏置电压,其它的7个都加上偏置电压而导通,如果这个晶体管的浮栅中有电荷就会导通使位线为低电平,读出的数就是0,反之就是1。 NOR的每个存储单元以并联的方式连接到位线,方便对每一位进行随机存取;具有专用的地址线,可以实现一次性的直接寻址;缩短了FLASH对处理器指令的执行时间。 五、性能

一级视频云存储技术方案

1一级视频云存储系统设计 1.1一级网络视频云存储概述 本项目采用华为网络视频云存储VCN3000设计一级视频云存储子系统.采取分布式直接存储,集中管理的方式,针对摄像头视频存储硬件采用针对视频存储优化的网络视频存储和磁盘阵列,所有的存储设备部署在各辖区运营商机房(六个),前端摄像头采用标准的H.264编码RTP流,直写到网络视频存储中。 华为网络视频云存储VCN3000采用由管理平台、IP网络,通过虚拟化、云结构化和高精确视频直接存储模式。运用负载均衡、对象存储等技术,结合视频、图片数据特点,面向应用,满足视频监控业务高可靠性、不间断的海量存储需求。采用分散存储技术加速大数据智能分析快速提取和分析效率。 华为网络视频云存储VCN3000系统使用存储虚拟化技术针对海量存储应用需求,为用户提供透明存储构架、高可扩展性的云管理存储服务。在云管理存储系统中将信令与业务承载码流相分离,云管理服务器只处理控制信令而不处理视频数据,实时视频数据直接写入到云管理存储物理存储节点,无需中间环节。 视频云管理存储管理软件在市局监控中心以集群方式进行部署,实现全市所有监控点和所有云管理存储物理设备的统一管理。 视频云管理存储系统中,IPC直写存储设备,采用云管理方案解决云管理存储管理单节点失效问题,利用负载均衡技术充分利用各存储节点的性能。云管理存储系统采用统一接口与视频管理平台对接,降低平台维护和用户管理复杂度。 华为网络视频云存储VCN3000支持基于GB/T28181标准实现与各级标准平台(符合GB/T28181规范的标准平台)间的互联互通,平台之间通过信令安全路由网关进行信令对接,在信令的控制下媒体通过媒体服务器互联。该体系构架可以支持上下级级联、平级级联以及监控报警专网与公安网的互联。

浅谈NorFlash的原理及其应用

浅谈NorFlash的原理及其应用 NOR Flash NOR Flash是现在市场上两种主要的非易失闪存技术之一。Intel 于1988年首先开发出NOR Flash 技术,彻底改变了原先由EPROM(Erasable Programmable Read-Only-Memory电可编程序只读存储器)和EEPROM(电可擦只读存储器Electrically Erasable Programmable Read - Only Memory)一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND Flash 结构,强调降低每比特的成本,有更高的性能,并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。NOR Flash 的特点是芯片内执行(XIP ,eXecute In Place),这样应用程序可以直接在Flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。NOR 的传输效率很高,在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影响到它的性能。NAND的结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于Flash的管理需要特殊的系统接口。性能比较 flash闪存是非易失存储器,可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash 器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行,所以大多数情况下,在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的,而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。由于擦除NOR器件时是以64~128KB的块进行的,执行一个写入/擦除操作的时间为5s,与此相反,擦除NAND器件是以8~32KB的块进行的,执行相同的操作最多只需要4ms。执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NAND之间的性能差距,统计表明,对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时),更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样,当选择存储解决方案时,设计师必须权衡以下的各项因素。 l 、NOR的读速度比NAND稍快一些。 2、NAND的写入速度比NOR快很多。 3 、NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。 4 、大多数写入操作需要先进行擦除操作。 5 、NAND的擦除单元更小,相应的擦除电路更少。此外,NAND 的实际应用方式要比NOR复杂的多。NOR可以直接使用,并可在上面直接运行代码;而NAND需要I/O接口,因此使用时需要驱动程序。不过当今流行的操作系统对NAND结构的Flash都有支持。此外,Linux内核也提供了对NAND结构的Flash的支持。详解 NOR

各种存储器的区别

RAM / ROM 存储器 ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写。ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存。 RAM 有两大类: 1) 静态RAM(Static RAM / SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲。 2) 动态RAM(Dynamic RAM / DRAM),DRAM保留数据的时间很短,速度也比SRAM慢,不过它还是比任何的ROM都要快,但从价格上来说DRA M相比SRAM要便宜很多,计算机内存就是DRAM的。 DRAM分为很多种,常见的主要有FPRAM / FastPage、EDORAM、SD RAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等,这里介绍其中的一种DDR RAM。 DDR RAM(Double-Date-Rate RAM)也称作DDR SDRAM,这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的,不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据,这样就使得数据传输速度加倍了。 这是目前电脑中用得最多的内存,而且它有着成本优势,事实上击败了Int el的另外一种内存标准~Rambus DRAM。 在很多高端的显卡上,也配备了高速DDR RAM来提高带宽,这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。 ROM也有很多种: 1) PROM(可编程ROM),是一次性的,也就是软件灌入后,就无法修改了,这种是早期的产品,现在已经不可能使用了; 2) EPROM (可擦除可编程ROM),是通过紫外光的照射擦出原先的程序,是一种通用的存储器。 3) EEPROM,是通过电子擦除,价格很高,写入时间很长,写入很慢。 举个例子,手机软件一般放在EEPROM中,我们打电话,有些最后拨打的号码,暂时是存在SRAM中的,不是马上写入通话记录(通话记录保存在EEP ROM中),因为当时有很重要工作(通话)要做,如果写入,漫长的等待是让用户忍无可忍的。 内存工作原理 内存是用来存放当前正在使用的(即执行中)的数据和程序,我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存(即DRAM)。 动态内存中所谓的“动态”,指的是当我们将数据写入DRAM后,经过一段时间,数据会丢失,因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。 具体的工作过程是这样的: 一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷,有电荷代表1,无电荷代表0。 但时间一长,代表1的电容会放电,代表0的电容会吸收电荷,这就是数据丢失的原因。 刷新操作定期对电容进行检查,若电量大于满电量的1/2,则认为其代表1,并把电容充满电;若电量小于1/2,则认为其代表0,并把电容放电,藉此

云计算技术与应用教程文件

2016年安徽省高等职业院校技能大赛(高职组) “云计算技术与应用”项目赛项规程 一、赛项名称 云计算技术与应用 二、竞赛目的 “云计算技术与应用”赛项紧密结合我国云计算产业发展战略规划和云计算技术发展方向,贯彻国务院《关于促进云计算创新发展培育信息产业新业态的意见》中人才措施要求,通过引入云计算平台、云存储和大数据挖掘分析等云应用场景,全面考察高职学生云计算技术基础、云计算平台规划设计、云平台搭建、虚拟桌面、大数据挖掘分析和云存储等多种云应用部署、运维和开发方面的前沿知识、技能、职业素养和团队协作能力。促进职业院校信息类相关专业课程改革,推动院校、科研院所与企业联合培养云计算人才,加强学校教育与产业发展的有效衔接。 三、竞赛方式与内容 (一)竞赛方式 1.比赛以团队方式进行,每校限报一支参赛队,每个参赛队由3名选手组成,其中队长1名,选手须为同校在籍高职高专学生,性别和年级不限,每个参赛队可配指导教师2名。参赛选手在报名获得确认后,原则上不再更换,允许队员缺席比赛。不允许更换新的指导教师。 2.比赛时间为4个小时,参赛队员必须在规定时间内完成比赛内容并提交相关文档。 3.裁判组对参赛队的操作规范、现场表现和提交的竞赛成果依据赛项评分标准进行评价评分。

(二)竞赛内容 根据业务需求和实际的工程应用环境,实现云计算平台架构的规划设计,完成云计算网络、服务器、存储服务器的互联和配置,完成云计算基础架构平台、云计算开发服务平台、云计算软件服务等平台软件的部署、配置和管理,通过云平台实现虚拟桌面、大数据分析、云存储等各类云应用部署、运维和开发,撰写开发与工程文档。 考核内容包括: 1.在理解命题给出的云计算应用系统需求的基础上,设计、构建并维护一个安全、可靠的云计算服务平台。 2.根据云平台设计方案来配置、调试云平台网络,确保网络能正常运行。 3.根据云平台设计方案配置、调试云计算管理服务器和节点服务器的CentOS Linux(或REDHAT EL)操作系统。 4.在安装了CentOS Linux(或REDHAT EL)系统的云计算服务器上配置ftp、http、samba等服务。 5.基于yum、rpm,构建云平台软件安装包本地资源仓库。 6.安装配置数据库mysql服务端、客户端。 7.安装安全框架组件身份认证系统。 8.云平台用户账号、各类服务密码、网络地址、iptables安全配置管理。 9.安装配置基础架构云服务平台。 10.安装配置云存储、模板、监控等基础架构平台的扩展服务。 11安装配置大数据Hadoop平台。 12.安装配置开发服务云平台。 13.基于开发服务云平台,安装配置常用企业云应用。 14.基于云存储服务,开发云存储Web应用和Android移动客户端。 15.提交符合规范的工程技术文档,如:系统结构图、系统设计文档、功能

关于NOR Flash擦写和原理分析

关于NOR Flash擦写和原理分析 NOR Flash NOR Flash是现在市场上两种主要的非易失闪存技术之一。Intel 于1988年首先开发出NOR Flash 技术,彻底改变了原先由EPROM(Erasable Programmable Read-Only-Memory电可编程序只读存储器)和EEPROM(电可擦只读存储器Electrically Erasable Programmable Read - Only Memory)一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND Flash 结构,强调降低每比特的成本,有更高的性能,并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。NOR Flash 的特点是芯片内执行(XIP ,eXecute In Place),这样应用程序可以直接在Flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。NOR 的传输效率很高,在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影响到它的性能。NAND的结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于Flash的管理需要特殊的系统接口。性能比较 flash闪存是非易失存储器,可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash 器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行,所以大多数情况下,在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的,而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。由于擦除NOR器件时是以64~128KB的块进行的,执行一个写入/擦除操作的时间为5s,与此相反,擦除NAND器件是以8~32KB的块进行的,执行相同的操作最多只需要4ms。执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NAND之间的性能差距,统计表明,对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时),更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样,当选择存储解决方案时,设计师必须权衡以下的各项因素。 l 、NOR的读速度比NAND稍快一些。 2、NAND的写入速度比NOR快很多。 3 、NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。 4 、大多数写入操作需要先进行擦除操作。 5 、NAND的擦除单元更小,相应的擦除电路更少。此外,NAND 的实际应用方式要比NOR复杂的多。NOR可以直接使用,并可在上面直接运行代码;而NAND需要I/O接口,因此使用时需要驱动程序。不过当今流行的操作系统对NAND结构的Flash都有支持。此外,Linux内核也提供了对NAND结构的Flash的支持。详解 NOR

云计算云存储技术论文云存储技术及其应用

云计算云存储技术论文-云存储技术及其 应用 摘要:云存储将大量不同类型的存储设备通过软件集合起来协同工作,共同对外提供数据存储服务。云存储服务对传统存储技术在数据安全性、可靠性、易管理性等方面提出新的挑战。文章基于云存储平台架构的4个层次:将多存储设备互连起来的数据存储层、为多服务提供公共支撑技术的数据管理层、支持多存储应用的数据服务层以及面向多用户的访问层展开研究,并以一种云存储典型应用——云备份(B-Cloud)为例,探讨云备份的软件架构、应用特点及研究要点。 关键字:云存储;服务;云备份 英文摘要:In order to provide data storage services, cloud storage employs software to interconnect and facilitate collaboration between different types of storage devices. Compared to traditional storage methods, cloud storage poses new challenges in data security,

reliability, and management. This paper introduces four layers of cloud storage architecture: data storage layer connecting multiple storage components, data management layer providing common supporting technology for multiple services, data service layer sustaining multiple storage applications, and user access layer. It then examines a typical cloud storage application—backup cloud (B-Cloud)—and discusses its software architecture, characteristics, and main research questions. 英文关键字:cloud storage; service; backup cloud 基金项目:国家高技术研究发展(“863”)计划(2009AA01A402) 近年来,随着云计算[1-2]和软件即服务(SaaS)[3-5]的兴起,云存储成为信息存储领域的一个研究热点。与传统的存储设备相比,云存储不仅仅是一个硬件,而是一个网络设备、存储设备、服务器、应用软件、

《存储技术基础》课程论文

长沙理工大学 《存储技术基础》课程论文 备份技术应用现状调查 张逸凡 学院计算机与通信工程专业通信工程 班级通信班学号2012 学生姓名指导教师 课程成绩完成日期 2015年6月5日

备份技术应用现状调查 学生姓名:指导老师: 摘要随着信息技术的飞速发展,人们对计算机信息系统的依赖程度越来越强,如何安全有效地进行信息的备份,已成为人们非常关注的问题。备份技术又分为系统备份和数据备份,其中系统备份主要用于系统出现故障后的后备支援,本文主要介绍的是数据备份技术,首先介绍数据备份的发展历程,然后论述数据备份的发展现状以及备份所用到的技术。最后提出了数据备份技术的发展趋势。 关键词信息技术;备份技术;数据备份 1引言 近年来随着计算机存储信息量的增长数据存储数据备份和灾难恢复日益成为引人关注的重要研究课题尤其是数据备份占有重要地位它已经成为计算机存储领域里一个相对独立的分支让用户始料未及的是信息的及时可用性导致数据或文件不能被删除大型的电子商务和存储在关系数据库中的数据也驱使数据存储的增长对更大的数据库更大的文件系统更长的文件名以及更长的路径名的需要也在成比例地增长着为保护不断增长的数据防止数据丢失数据备份技术作为数据保护的重要方式也得到了长足的发展更加受到人们的重视。 2 数据备份的发展历程 数据备份的发展过程可以概括为一句话:备份的发展贯穿了计算机的发展史,它是计算机发展史的缩影,并且经历了三个阶段: 第一个阶段是计算机网络出现以前的单机备份。在此阶段是“单机处理,软盘交

流”的个人行为想起来时才去备份,是典型的拍脑袋的举动,具有较大的不确定性,没有得到重视;其备份的形式通常就是对要备份的文件复制到硬盘的另一个位置或者软盘上,数据得不到安全有效的保护。 第二个阶段是局域网环境的备份。由于网络的出现,数据共享在这个阶段显得日益重要,数据备份得到了应有的重视,成为了系统管理员或应用操作员日常工作的一部分;备份的数据是网络中整个企业的数据,介质以磁带为主,不再是以前磁盘对磁盘的备份,但依然是系统管理员的手工作业,通常是通过备份工具或是备份命令,脚本进行人机交互执行,效率不高,逐渐成为系统管理员工作领域中繁重的负担,还没有出现商业化备份软件,研究性备份系统开始诞生。 最后一个阶段是基于的应用环境下的备份。这期间的典型表现是企业的整个业务流程依赖于Internet/Intranet网络环境;网络应用更加复杂化,计算模式由C/S、B/S 到P2P复杂多变,数据种类增加,异种数据库,多种文件系统和操作平台呈现在异构的企业计算机网络中;数据量剧增,存储空间增大,数据存储位置变得分散;出现NAS和SAN存储机制,备份技术在结构上也得到了长久的发展,基本工作机制也逐步得到更新。 3 数据备份技术的发展现状分析 3.1数据备份的概念 数据备份虽然出现了相当长的时间,到目前为止,仍然没有完全统一的定义。不同的研究者给数据备份提出了不同的定义,在此简单列举有代表性的定义,分别从不同的角度对数据备份概念进行了描述,。有助于对数据备份的一些基本特征有一定的理解。 在单机备份时期,数据备份就是指数据的复制,进行数据拷贝,另外多存放一份副本。随着计算机的发展,数据备份的内涵变得更得丰富起来。Lyons 和Alan 在1996年给出的定义为:数据备份就是仅仅对数据所作的副本存储,以便公司员工能够去灾难发生地点用曾经备份过的数据还原文件和应用软件能够如什么也没发生过一样继续企业活动;ORACLE公司给出的定义为:备份就是数据的一份复制,这份复制可

向黎洪-19209307-云存储的核心技术及发展状况

云存储的核心技术及发展状况 姓名:向黎洪学号:19209307联系方式:在现在这个信息科学技术飞速发展得时代,无论是企业还是个人,都无时无刻不在享受着先进信息技术的成果。存储技术作为人们信息数据处理领域的一项重要技术,也时刻受到人们的关注。但随着社会的发展,人们所需求的数据量的不断增长,数据信息的处理技术也要随之不断提高。而在数据信息处理领域中的存储技术更是需要不断满足人们的需求。当今世界是已经来到了一个信息大爆炸的时代,至少在未来几年里,数据将以每年50%到60%的速度爆炸式增长,人们对数据的存储量及其存活期有了更高的要求。另外,企业的业务发展和合规性要求也要求企业延长数据的保留期。此外,现在的商业环境出现了越来越多的诉讼因素,这些都要求企业寻找一种全新的辅助存储方案。 新建数据越来越多,而且企业有很多的原因必须保留数据,不管是为了满足合规性要求,还是IP的需要,或是为了重复使用它们或其他原因。总体上企业在长期保留数据方面通常有如下五个方面: 1、归档 2、本地数据保护(备份) 3、远程数据保护(灾难恢复) 4、合规性/诉讼 5、一般长期数据保留 这些方案虽然基本上能解决企业在长期保留数据方面的问题,但

这些方案并不满足企业的经济效益,而且考虑到方案优化方面,这些方案对数据存储带来了极大的不便。 随之我们发现了一种新的趋势,可以解决企业的存储之痛,那就是与数据存储有关的各种云服务。云存储作为一项大型数据存储服务,便是在企业业务发展和合规性要求下发展起来的。目前基于云存储概念的网盘市场已经具体了诸如网易、腾讯、Google、DBank(华为背景)、金山等诸多的知名企业。云存储成为网络经济下一个新的增长点似乎已经成为一种共识,知名企业的扎堆也使整个行业从一开始就面临着激烈的竞争。 与传统的存储设备相比,云存储不仅仅是一个硬件,而是一个网络设备、存储设备、服务器、应用软件、公用访问接口、接入网、和客户端程序等多个部分组成的复杂系统。各部分以存储设备为核心,通过应用软件来对外提供数据存储和业务访问服务。可以说,云存储除在数据存储方面比较有竞争力外,还更加强调它本身的服务特性。 云存储是在云计算(cloud computing)概念上延伸和发展出来的一个新的概念,是指通过集群应用、网格技术或分布式文件系统等功能,将网络中大量各种不同类型的存储设备通过应用软件集合起来协同工作,共同对外提供数据存储和业务访问功能的一个系统。当云计算系统运算和处理的核心是大量数据的存储和管理时,云计算系统中就需要配置大量的存储设备,那么云计算系统就转变成为一个云存储系统,所以云存储是一个以数据存储和管理为核心的云计算系统。云存储系统的结构模型由四个模块组成,其分别是:存储层、基

NOR-Flash存储器介绍及编程

NOR-Flash存储器介绍及编程 NOR-Flash存储器 1概述 ADSP-BF532自身不具有ROM,因此必须外接ROM器件来存储放电后仍需要保存的代码和数据。 NOR Flash具有非易失性,并且可轻易擦写。Flash技术结合了OTP存储器的成本优势和EEPROM的可再编程性能,因此得到了越来越广泛的使用。在本实验中将主要介绍NOR Flash器件——Am29LV160D在Blackfin处理器系统中的应用。 NOR Flash采用标准总线接口与处理器交互,对它的读取不需要任何特殊的代码。 作为代码存储器,NOR Flash映射在处理器的异步存储区的0x2000,0000到 0x201F,FFFF地址上。若设定系统从Flash启动,则系统上电复位时,处理器就自动从Flash中取得指令运行。因此NOR Flash中要存放系统启动代码,这些代码必须在系统上电时完成一系列初始化的工作。经过了这些初始化,系统才得以正确启动并开始工作。 2 实验内容和目标 本实验要实现的内容和目标 读出FLASH的manufacturer ID和device ID。 对FLASH芯片进行整片擦出,并验证擦除是否成功(读出数据是否为为全 0xFFFF)。往FLASH起始地址写入0x5555,并读出,验证写入是否正确。 3实验分析 1(Am29LV160D介绍

进行实际编程之前,首先应了解NOR Flash器件Am29LV160D的特性 和读写操作的要求。Am29LV160D是由AMD公司推出的1M×16bit的CMOS 多用途Flash。它的主要特性如下。存储空间组织1M×16bit。 读写操作采用单一电源 2.7,3.6V。 可靠性 , 可擦写100 000个周期(典型值); , 数据可保存100年。 低功耗 - 动态电流 15mA(典型值); , 静态电流 4?A(典型值); , 自动低功耗模式4?A(典型值)。 扇区擦除能力统一为2K×16b大小的扇区。 快速读操作时间 70ns和90ns。 具有锁地址和数据功能。 快速擦除和以字为单位编程。 扇区擦除时间 18ms(典型值); 快擦除时间 18ms(典型值); 片擦除时间 70ms(典型值); 字擦除时间 14?s(典型值); 片重写时间 15s(典型值). 自动写时序内部产生VPP 写结束的检测 , 翻转位; , 数据轮流检测。

大数据时代的云存储技术

大数据时代的云存储技术 【摘要】本文首先介绍了大数据时代介绍及云存储概念,其次探讨了云存储分类及优势,最后探究了云存储的结构模型及两大框架,并且提出了云存储发展需要注意的问题。 【关键词】大数据;时代;云存储;技术 一、前言 随着我国信息技术领域的不断发展,我国的网络行业的发展迅速,并且取得了相应的成就。云存储技术的发展,使大数据的存储成为可能,使人们的生活更加便捷,各行业得到更好的发展,我们应该更多地了解云存储,使云存储为人类做贡献。 二、大数据时代介绍及云存储概念 1、大数据时代介绍 大数据到底有多大?一组名为/互联网上一天的数据告诉我们,一天之中,互联网产生的全部内容可以刻满1.65亿张DVD;发出的邮件有2940亿封之多(相当于美国两年的纸质信件数量);发出的社区帖子达200万个(相当于5时代6杂志770年的文字量);卖的手机为37.8万台,高于全球每天出生的婴儿数量37.1万。 2、云存储概念 云存储是在云计算概念上延伸出来的一个新概念,它是指通过集群应用、网格技术或分布式文件系统或类似网格计算等功能联合起来协同工作,并通过一定的应用软件或应用接口,对用户提供一定类型的存储服务和访问服务。让云存储成为企业私有云,使得企业能够将资源切换到需要的应用上,根据需求访问备份的数据。它将备份服务器,备份软件、存储设备集合在一起,形成云存储。 三、云存储分类及优势 1、云存储分类 按照服务对象可以把云存储分类如下: (1) 公共云存储。公共云存储可以以低成本提供大量的文件存储。供应商可以保持每个客户的存储、应用都是独立的、私有的,公共云存储可以划出一部分来用作私有云存储。

NOR和NAND Flash存储器的区别

NOR和NAND Flash存储器的区别 NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。 相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处,因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码,这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。 NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place),这样应用程序可以直接在flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。 NOR的传输效率很高,在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。 NAND结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。 性能比较 flash闪存是非易失存储器,可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash 器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行,所以大多数情况下,在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的,而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。 由于擦除NOR器件时是以64~128KB的块进行的,执行一个写入/擦除操作的时间为5s,与此相反,擦除NAND器件是以8~32KB的块进行的,执行相同的操作最多只需要4ms。 执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距,统计表明,对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样,当选择存储解决方案时,设计师必须权衡以下的各项因素。 ●NOR的读速度比NAND稍快一些。 ●NAND的写入速度比NOR快很多。 ●NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。 ●大多数写入操作需要先进行擦除操作。

norflash存储器常见的8个特征是什么

norflash存储器常见的8个特征是什么 本文主要是关于norflash的相关介绍,并着重对norflash的特征进行了详尽的阐述。 norflash存储器常见的8个特征是什么NOR Flash NOR FLASH 是很常见的一种存储芯片,数据掉电不会丢失.NOR FLASH支持Execute On Chip,即程序可以直接在FLASH片内执行(这意味着存储在NOR FLASH上的程序不需要复制到RAM就可以直接运行)。这点和NAND FLASH不一样。因此,在嵌入式系统中,NOR FLASH很适合作为启动程序的存储介质.NOR FLASH的读取和RAM很类似(只要能够提供数据的地址,数据总线就能够正确的给出数据),但不可以直接进行写操作。对NOR FLASH的写操作需要遵循特定的命令序列,最终由芯片内部的控制单元完成写操作。NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。 像“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND 闪存技术相对于NOR技术的优越之处,因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码,这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。 NOR的特点是芯片内执行(XIP,eXecute In Place),这样应用程序可以直接在flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高,在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。 NAND结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理需要特殊的系统接口。 接口差别 NOR flash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内部的每一

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