电子电路基础习题册参考答案（第三版）全国中等职业技术
第一章常用半导体器件
§1-1 晶体二极管
一、填空题
1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三大类，最常用的半导体材料是硅和锗。
2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同，可形成N 型半导体和P 型半导体。
3、纯净半导体又称本征半导体，其内部空穴和自由电子数相等。N型半导体又称电子型半导体，其内部少数载流子是空穴；P型半导体又称空穴型半导体，其内部少数载流子是电子。
4、晶体二极管具有单向导电性，即加正向电压时，二极管导通，加反向电压时，二极管截止。一般硅二极管的开启电压约为0.5 V，锗二极管的开启电压约为0.1 V；二极管导通后，一般硅二极管的正向压降约为0.7 V,锗二极管的正向压降约为0.3 V。
5.锗二极管开启电压小，通常用于检波电路，硅二极管反向电流小，在整流电路
及电工设备中常使用硅二极管。
6.稳压二极管工作于反向击穿区，稳压二极管的动态电阻越小，其稳压性能好。
7在稳压电路中，必须串接限流电阻，防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。
8二极管按制造工艺不同，分为点接触型、面接触型和平面型。
9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、
开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。
10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流和最高工作频率。
11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。
12、图1-1-1所示电路中，二极管V1、V2均为硅管，当开关S与M 相接时，A点的电位为
无法确定V,当开关S与N相接时，A点的电位为0 V.
13图1-1-2所示电路中，二极管均为理想二极管，当开关S打开时，A点的电位为10V 、
流过电阻的电流是4mA ；当开关S闭合时，A点的电位为0 V，流过电阻的电流为2mA 。
14、图1-1-3所示电路中，二极管是理想器件，则流过二极管V1的电流为0.25mA ，流过V2的电流为0.25mA ,输出电压U0为+5V。
15、光电二极管的功能是将光脉冲信号转换为电信号，发光二极管的功能是将
电信号转换为光信号。
16、用数字式万用表测量二极管，应将功能开关置于二极管挡，将黑表笔插入com
插孔，接二极管的负极；红表笔插入V,Ω插孔，接二极管的正极，其显示的读数为二极管的正向压降。
一、判断题
1、在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。
（√）
2、P型半导体中，多数载流子是电子，少数载流子是空穴。（×）
3、晶体二极管有一个PN结，所以有单向导电性。（√）
4、晶体二极管的正向特性也有稳压作用。（√）
5、硅稳压管的动态电阻小，则稳压管的稳压性能愈好。（√）
6、将P型半导体和N型半导体用一定的工艺制作在一起，其交界处形成PN结。（√）
7、稳压二极管按材料分有硅管和锗管。（×）
8、用万用表欧姆挡的不同量程去测二极管的正向电阻，其数值是相同的。（×）
9、二极管两端的反向电压一旦超过最高反向电压，PN结就会击穿。（）
10、二极管的反向电阻越大，其单向导电性能越好。（×）
11、用500型万用表测试发光二极管，应选R×10K挡。（√）
三、选择题
1、当环境温度升高时，晶体二极管的反向电流将（A ）。
A．增大 B .减小 C. 不变
2、测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把万用表欧姆档拨到
（A ）。
A .R×100或R×1K B. R ×1 C. R×
10K
3、半导体中的空穴和自由电子数目相等，这样的半导体称为
（B ）。
A. P型半导体
B. 本征半导体C、N型半导体
4、稳压管的稳压性能是利用（B ）实现的。
A．PN结的单向导电性 B .PN结的反向击穿特性
C．PN结的正向导通特性
5、电路如图1-1-4所示，已知两个稳压管的UZ1=7V，UZ2=5V 它们的正向压降均为0.7V，则输出电压U0为（C ）
A. 12V
B. 5.7V
C. 7.7V
D.7V
6、在图1-1-5所示的电路中，流过二极管的电流I1、I2分别是（D ）。
A.I1=8mA , I2=0
B. I1=2mA
C. I1=0, I2=6mA
D. I1=0, I2=8mA
7、二极管的正向电阻（B ）反向电阻。
A.大于
B. 小于
C.等于
D.不确定
8、电路如图1-1-6所示，V为理想二极管，则二极管的状态为（A ）。
A.导通
B.截止
C.击穿
9、上题中，A、B两端的电压为（C ）。
A.3V
B. -3V
C.6V
D.-6V
10、某二极管反向击穿电压为140V，则它的最高反向工作电压为（C ）。
A. 280V
B. 140V
C. 70V
D. 40V
11、二极管电路如图1-1-7所示，（1）处于导通状态的二极管是（A ）。
A．只有V1导通B．只有V2导通C．V1、V2均导通D．V1、V2均不导通
（2）考虑二极管正向压降为0.7V时，输出电压U0为（B ）。
A．-14.3V B．-0.7V C．-12V D．-15V
12、P型半导体中多数载流子是（D ），N型半导体中多数载
流子是（C ）。
A．正离子B．负离子C．自由电子 D.空穴
13、用万用表R×10和R×1K挡分别测量二极管的正向电阻，
测量结果是（C ）。
A．相同B．R×10挡的测试值较小C．R×1K挡的测试值较小
14、用万用表不同欧姆档测量二极管的正向电阻值时，测得的
阻值不相同，其原因是（c ）。
A．二极管的质量差B．万用表不同欧姆档有不同的内阻C．二极管有非线性的伏安特性
二、简答题
1、什么是本征半导体？N型半导体？PN结？
答：本征半导体即纯净的单晶半导体，其内部存在数量相等的两种载流子，一种是负电的自由电子，另一种是带正电空穴。
N型半导体又称电子型半导体其内部自由电子数多于空穴数量，P型半导体又称空穴型半导体其内部空穴多数载流子自由电子少数载流子。
PN结是采用掺杂工艺便硅和锗晶体的一边形成P型区，一边形成N型半导体。
五．分析、计算、作图题
1、判断图1-1-8中，理想二极管导通还是截止，若导通，则流
过二极管的电流是多少？
解：图a) V导通，I=5mA
图b) V截止,I=0
图c) V导通，I=10mA
2、在图1-1-9所示电路中，二极管为理想二极管，ui=10sinωtV,
试画出输出电压波形。
3、在图1-1-10 所示电路中，二极管为硅管，求A点电位和流过二极管的电流。
4、在图1-1-11所示电路中，二极管是导通还是截止，输出电压
U0是多少？
图1-1-11
解：
a)V导通，U0=11.3V
b)V导通，I0=15-12/3=2mA
U R=1×3=3V U O=U R-15=-12V
c)V导通，U O=0.7V
§1-2 晶体三极管
一、填空题
1、三极管有两个PN 结，分别为发射结、集电结，三个电极分别为发射极、
基极和基极，三极管按内部结构不同可分为NPN 和PNP 型。
2、晶体三极管实现电流放大作用的偏置条件是发射结正偏和集电结反偏，
电流分配关系是I E=I C+I B。
3、在模拟电子电路中，晶体管通常被用作电流控制元件，工作在输出特性曲线上的放大区；在数字电子电路中，晶体三极管通常被用作开关元件，工作在输出特性曲线上区或饱和区或截止区。
4、在一块正常放大电路板上，测得三极管1、2、3脚对地电压分别为-10V、-10.2V、-14V，则该管为PNP 型锗材料三极管，1脚是发射极，2脚是基极，3脚是集电极。
5、NPN型三极管，挡U BE＞0.5V，U BE＞U CE时，工作在饱和状态；当U BE＞0.5V，
U BE＜U CE时，工作在放大状态；当U BE＜0时，工作在截止状态。
6、当温度升高时，三极管的电流放大系数β将升高，穿透电流I CEO将增加，
发射结电压U BE将增大。
7、衡量晶体三极管放大能力的参数是共射电流放大系数，三极管的主要极限参数有
集电极最大允许电流、集-发反向击穿电压、集电极最大允许耗散功率。
8、因为晶体三极管的穿透电流随温度的升高增大，而锗管的穿透电流比硅管大，
所以硅三极管的热稳定性好。
9、三极管的输出特性可分为三个区域，即截止区和放大区，当三极管工作在
饱和区时，I C=βI B才成立；当三极管工作在包河区时UCE= U CES；
当三极管工作在截止区时，I C= O(I CEO) 。
10、I CEO称为三极管的穿透电流，它反映三极管的温度稳定性，I CEO是I CBO的1+β倍，先选用管子时，希望I CEO尽量小。
11、测量晶体三极管3AX31的电流，当I B=20uA时，I C=2mA；当I B=60uA时，I C=5.4mA，则该管的β为85 ，I CEO= 0.3mA ,I CBO= 3.5uA 。
12、设三极管的P CM=150mW, I CM=100 mA, U(BR)CEO=30V,若U CE=10V,I C允许的最大值为
15mA ；若U CE=1V, I C允许的最大值为100mA ；若
I C=3A,U CE允许的最大值为30v 。
13、复合管是由两个以上的三极管按一定方式连接而成，用复合管提高输出级的
电流放大倍数。
14、有二只三极管构成的复合管的类型，取决于输入管三极管的类型，其电流
放大系数β= β1×β2 。
二、判断题
1、晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体（N型或P型）构成的，所以发射极
和集电极可以相互调换使用。（×）
2、晶体三极管的放大作用具体体现在△I C=β△I B。（√）
3、晶体三极管具有能量放大作用。（×）
4、硅三极管的I CBO值要比锗三极管的小。（√）
5、如果集电极电流IC大于集电极最大允许电流ICM时，晶体三极管肯定损坏。（√）
6、晶体二极管和晶体三极管都是非线性器件。（√）
7、3CG21管工作在饱和状态时，一定是UBE＜UCE。（×）
8、某晶体三极管的I B=10uA时，I C=0.44mA;I B=20u时，I C=0.89mA,则它的电流放大系数β=45。（√）
9、因为三极管有两个PN结，二极管有一个PN结，所以用两个二极管可以连接成
一个三极管。（×）
10、判断图1-2-1所示各三极管的工作状态（NPN型为硅管，PNP 型为锗管）。
11、复合管的共发射极电流放大倍数β等于两管的β1、β2之和。（×）
12、晶体三极管的主要性能是具有电压和电流放大作用。（√）
三、选择题
1、三极管的发射结正偏，集电结反偏时，三极管处于（A ）
A.放大状态
B.饱和状态
C.截止状态
2、三极管在饱和状态时，它的IC将（C ）。
A.随I B的增加而增加
B.随I B的增加而减小
C.与I B无关
3、三极管的特性曲线是指它的（C ）。
A.输入特性曲线
B.输出特性曲线
C.输入特性和输出特性曲线
4、在三极管的输出特性曲线中，每一条曲线与（C ）对应。
A.输入电压
B.基极电压
C.基极电流
5、当温度升高时，晶体三极管的参数将发生（C ）变化。
A. U BE增大，β增大，I CBO增大
B.U BE减小，β增大，I CBO增大
C.UBE增大，β减小，I CBO增大
6、用万用表测得电子线路中的晶体管U E=-3V,U CE=6V,U BC=-5.4V,则该晶体管是（C ）。
A.PNP型，处于放大状态
B.PNP型，处于截止状态
C.NPN型，处于放大状态
D.NPN型，处于截止状态
7、已知某晶体管的P CM=100mW I CM=20mA U(BR)=15V在下列工作条件下，正常工作的是（B ）。
A.U CE=2V,I C=40mA
B.U CE=3V,I C=10mA
C.U CE=4V,I C=30mA
D.U CE=6V,I C=20mA
8、3DG6型晶体管是（A ）。
A.高频小功率硅NPN型三极管
B.高频小功率锗NPN型三极管
C.高频小功率锗PNP型三极管
9、在三极管的输出特性曲线中，当IB=0时，IC是( C )。
A. I CM
B.I CBO
C.I CEO
10、某晶体三极管的发射极电流等于1ma,基极电流等于20uA,正
常工作时它的集电极
电流等于（A ）。
A.0.98mA
B.1.02mA
C.0.8mA
11、图1-2-2所示电路中，三极管处于（A ）状态（V为硅管）。
A. 截止
B.饱和
C.放大
12、在图1-2-3所示各复合管中，连接不正确的是（C ）。
四、简答题
1、什么是三极管的输出特性？画出硅三极管在共发射极组态时的输出特性曲线，
并标出它的三个工作区。
答：它是指三极管基极电流I B一定时，三极管的集电极电流I C与集电极和发射极之间
的电压U CE之间的关系曲线。
2、三极管有哪三种连接方式？画出示意图。
答：共发射极接法，共集电极接法，共基极接法。
3、三极管有哪三种工作状态？其外部条件（偏执条件）是什么？答：放大状态、截止状态、饱和状态。其外部条件
（1）放大状态时，三极管发射结正偏，集电结反偏时，ic受ib 控制，具有电流放大作用。同时ic的大小和uce基本无关。记住三极管放大状态时的硅管U BE约为0.7V，锗管的U BE约为0.3V。（2）截止状态时:一般把I B=0时，这时的三极管发射结和集电结均反偏，三极管处于截止状态，相当于开关断开。这时只有很小的集电极电流穿透电流存在。
（3）饱和状态时:三极管的Uce＜Ube时，在发射结和集电结均正偏时，此时ic不受ib控制，却随着U CE的增大而增大，这时处于饱和状态，相当于开关闭合。这时的只剩下三极管的饱和压降存在。
5、标出下列复合管的等效管型和管脚。
6、三极管的集电极最大允许电流是怎样定义的？
答：三极管集电极最大允许电流Icm，集电极电流过大时，三极管的β值要降低，
一般规定β下降到其正常值的三分之二时的集电极电流。
五、分析、计算、画图题
1、一个晶体三极管在工作时，测得其发射极电流I E=10mA，基极电流I B=400uA，
求其基极电流I C和直流电流放大系数β。
2、用万用表测量三极管各级间电压得到下列三组数值：
（1）UBE=0.7V, UCE=0.3V; (2)UBE=0.7V,UCE=4V;
(3)UBE=-0.2V,UCE=-0.3V。试分析每只管子的类型，是硅管还是锗管，并说明
工作状态。
答：(1) UBE=0.7V是硅管，UCE=0.3V工作在饱和状态。
（2）UBE=0.7V是硅管，UCE=4V工作在放大状态。
（3）UBE=-0.2V是锗管，UCE=-0.3V工作在饱和状态。3、画出PNP管和NPN管的符号，并标出放大状态时各极电流方向和各极间电压的极性。
§1-3 场效应管
一、填空题
1、晶体三极管是电流控制器件，是通过较小的基极电流
变化去控制较大的集电极电流的变化。
2、场效应管是一种电压控制器件，是用栅源电压控制
漏极电流，具有转移特性和输出特性特点。
3、场效应管按其结构不同分为结型和绝缘栅型两大类，每类有P 沟道和N 沟道两种，绝缘栅场效应管按其工作状态又可分为增强型和耗尽型两种。
4、场效应管的三个电极分别是栅极、源极、和漏极。
5、场效应管的输出特性曲线是UGS为定值时漏极电流iD
与漏源电压UDS 的关系曲线，输出特性曲线分为可变电阻区、放大饱和区和击穿区。
6、某耗尽型MOS管的转移特性曲线如图1-3-1所示由图可知IDSS= 3.8mA ，UP= -4V 。
7、图1-3-2是增强型MOS的一条输出特性曲线，当UDS=10V时，该管的ID= 2.6mA 。
8、用N沟道增强型和P沟道增强型MOS管组成互补电路，称COMS 管，该管输入电流小、功耗小和工作电源范围宽，目前广泛应用于集成电路中。
9、VMOS管和UMOS管的最大特点是耗散功率大、工作速度快、
耐压高和转移特性的线性度好，是理想的大功率器件。
10、场效应管用于放大时，工作在放大区，三极管用于放大时，工作在放大区。
11、场效应管的主要参数有开启电压UT 、夹断电压UP 、饱和漏极电流IDSS 、跨导gm 和漏极击穿电压U(BR)DS 。
电子电路基础知识 电路基础知识(一) 电路基础知识（1）——电阻 导电体对电流的阻碍作用称着电阻，用符号R表示，单位为欧姆、千欧、兆欧，分别用Ω、KΩ、MΩ表示。 一、电阻的型号命名方法： 国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻） 第一部分：主称，用字母表示，表示产品的名字。如R表示电阻，W表示电位器。 第二部分：材料，用字母表示，表示电阻体用什么材料组成，T-碳膜、H-合成碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕。 第三部分：分类，一般用数字表示，个别类型用字母表示，表示产品属于什么类型。1-普通、2-普通、3-超高频、4-高阻、5-高温、6-精密、7-精密、8-高压、9-特殊、G-高功率、T-可调。 第四部分:序号，用数字表示，表示同类产品中不同品种，以区分产品的外型尺寸和性能指标等例如：R T 1 1型普通碳膜电阻a1} 二、电阻器的分类 1、线绕电阻器：通用线绕电阻器、精密线绕电阻器、大功率线绕电阻器、高频线绕电阻器。 2、薄膜电阻器：碳膜电阻器、合成碳膜电阻器、金属膜电阻器、金属氧化膜电阻器、化学沉积膜电阻器、玻璃釉膜电阻器、金属氮化膜电阻器。 3、实心电阻器：无机合成实心碳质电阻器、有机合成实心碳质电阻器。
4、敏感电阻器：压敏电阻器、热敏电阻器、光敏电阻器、力敏电阻器、气敏电阻器、湿敏电阻器。 三、主要特性参数 1、标称阻值：电阻器上面所标示的阻值。 2、允许误差：标称阻值与实际阻值的差值跟标称阻值之比的百分数称阻值偏差，它表示电阻器的精度。 允许误差与精度等级对应关系如下：±0.5%-0.05、±1%-0.1(或00)、±2%-0.2(或0)、±5%-Ⅰ级、±10%-Ⅱ级、±20%-Ⅲ级 3、额定功率：在正常的大气压力90-106.6KPa及环境温度为－55℃～＋70℃的条件下，电阻器长期工作所允许耗散的最大功率。 线绕电阻器额定功率系列为（W）：、、、、1、2、4、8、10、16、25、40、50、75、100、150、250、500 非线绕电阻器额定功率系列为（W）：、、、、1、2、5、10、25、50、1004、额定电压：由阻值和额定功率换算出的电压。 5、最高工作电压：允许的最大连续工作电压。在低气压工作时，最高工作电压较低。 6、温度系数：温度每变化1℃所引起的电阻值的相对变化。温度系数越小，电阻的稳定性越好。 阻值随温度升高而增大的为正温度系数，反之为负温度系数。 7、老化系数：电阻器在额定功率长期负荷下，阻值相对变化的百分数，它是表示电阻器寿命长短的参数。 8、电压系数：在规定的电压范围内，电压每变化1伏，电阻器的相对变化量。
专业姓名学号成绩 1-1 、写出如图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝。 1-2 、在单相桥式整流电路中，已知输出电压平均值U O（AV）＝15V，负载电流平均值 I L（AV）＝100mA。 （1）变压器副边电压有效值U2≈ （2）设电网电压波动范围为±10％。在选择二极管的参数时，其最大整流平均电流 I F和最高反向电压 U R的下限值约为多少 1-3 、电路如图所示，变压器副边电压有效值为 2U2。 （1）画出u2、u D 1和u O的波形； （2）求出输出电压平均值U O（AV）和输出电流平均值I L（（3）二极管的平均电流I D（AV）和所承受的最大反向电压AV）的表达式；U Rmax 的表达式。
1-4 、电路如图所示，变压器副边电压有效值U21＝50V，U22＝20V。试问： （1）输出电压平均值U O1（AV）和U O2（AV）各为多少 （2）各二极管承受的最大反向电压为多少 1-5 、试在如图所示电路中，标出各电容两端电压的极性和数值，并分析负载电阻上能够获得几倍压的输出。 1-6 、已知稳压管的稳压值U＝6V，稳定电流的最小值I Zmin ＝ 5mA。求图所示电路中U和 U Z O1O2各为多少伏。
专业姓名学号成绩 I Zmin＝5mA，最大稳定电流1-7 、已知图所示电路中稳压管的稳定电压U Z＝6V，最小稳定电流 I Zmax＝25mA。 （1）分别计算U I为10V、15V、35V三种情况下输出电压U O的值； （2）若U I＝ 35V 时负载开路，则会出现什么现象为什么 1-8 、电路如图所示。 （1）分别标出u O1和u O2对地的极性； （2）u O1、u O2分别是半波整流还是全波整流 （3）当U21＝U22＝ 20V 时，U O1（AV）和U O2（AV）各为多少 （4 ）当U2 1＝ 18V ，U2 2＝ 22V 时，画出u O1、u O2的波形；并求出U O1（AV）和U O2（AV）各为多少
《电路与电子技术基础》参考解答 习题七 7-1 什么是静态工作点如何设置静态工作点若静态工作点设置不当会出现什么问题估算静态工作点时，应根据放大电路的直流通路还是交流通路 答：所谓静态工作点就是输入信号为零时，电路处于直流工作状态，这些直流电流、电压的数值在三极管特性曲线上表示为一个确定的点，设置静态工作点的目的就是要保证在被被放大的交流信号加入电路时，不论是正半周还是负半周都能满足发射结正向偏置，集电结反向偏置的三极管放大状态。 可以通过改变电路参数来改变静态工作点，这就可以设置静态工作点。 若静态工作点设置的不合适，在对交流信号放大时就可能会出现饱和失真（静态工作点偏高）或截止失真（静态工作点偏低）。 估算静态工作点是根据放大电路的直流通路。 7-2 试求题图7-1各电路的静态工作点。设图中的所有三极管都是硅管。 解：图(a)静态工作点 V R I U U mA I I A mA I c c cc ce b c b 3.14101107.9247.9194.050194194.010 1207 .024333 =???-=-==?===≈?-=-βμ 图(b)和图(c)的发射结反向偏置，三极管截止，所以I b =0，I c =βI b ≈0，三极管工作在截止区，U ce ≈U cc 。 图(d)的静态工作点 c R e R b 3V 6V R e R b 1 R e
) 1.3712(]10)212(1065.212[)]()6(6[65.226026.01 65.21027 .06333 --=?+??--=+----≈=≈=≈+= =?-= -e c c ce e c e b e R R I U mA I I A mA I I mA I μβ 依此I c 电流，在电阻上的压降高于电源电压，这是不可能的，由此可知电流要小于此值，即三极管工作在饱和状态。 图(e)的静态工作点 V R I U U mA I I I I mA I V U e e cc ce e b e c e B 3.161021085.3240475.01 8085.3185.310 27.08810310)6030(24333 3 3=???-=-==+=+=≈=?-==???+= -β 7-3 放大电路的输入电阻与输出电阻的含义是什么为什么说放大电路的输入电阻可以用来表示放大电路对信号源电压的衰减程度放大电路的输出电阻可以用来表示放大电路带负载的能力 答：输入电阻就是将放大电路看为一个四端元件，从输入端看入的等效电阻。即输入端的电压与输入端的电流之比。输出电阻也是将放大电路看作一个四端元件，从输出端看的等效电阻。即戴维南等效电路的内阻。 因为信号源为放大电路提供输入信号，由于信号源内阻的存在，因此当提供给放大电路的信号源是电压源串电阻的形式时，输入电阻越大，则放大电路对信号源的衰减越小；若信号源是电流源与电阻并联，则输入电阻越小，放大电路对信号源的衰减越小。 放大电路我们可以根据戴维南等效电路将其化简为一个电压源与电阻的串联形式，输出电阻可以看作一个电源的内阻，因此，输出电阻越小，放大电路的带负载能力越强。 请参看下图，可以增强对上面文字描述的理解。
电子电路基础知识点总结 1、 纯净的单晶半导体又称本征半导体，其内部载流子自由电子空 穴的数量相等的。 2、 射极输出器属共集电极放大电路，由于其电压放大位数约等于 1，且输出电压与输入电压同相位，故又称为电压跟随器 （ 射极跟随器 ）。 3、理想差动放大器其共模电压放大倍数为 0,其共模抑制比为乂。 般情况下，在模拟电器中，晶体三极管工作在放大状态，在 数字电器中晶体三极管工作在饱和、截止状态。 限幅电路是一种波形整形电路， 因它削去波形的部位不同分为 4、 5、 上限幅、 下限幅和双向限幅电路。 6、 主从 JK 触发器的功能有保持、计数、置 0、置 1 。 7、 多级放大器的级间耦合有阻容耦合、直接耦合、变压器耦合。 8、 带有放大环节串联稳压电路由调整电路、基准电路、取样电路 和比较放大电路分组成。 9、 时序逻辑电路的特点是输出状态不仅取决于当时输入状态，还 与输出端的原状态有关。 10、 当PN 结外加反向电压时，空间电荷区将变宽。反向电流是由 少数载流子形成的。
11、 半导体具有热敏性、光敏性、力敏性和掺杂性等独特的导电 特性。 12、 利用二极管的单向导电性，可将交流电变成脉动的直流电。 13、 硅稳压管正常工作在反向击穿区。在此区内，当流过硅稳压 管的电流在较大范围变化时，硅稳压管两端的电压基本不变。 电容滤波只适用于电压较大，电流较小的情况，对半波整流 电路来说，电容滤波后，负载两端的直流电压为变压级次级电压的 倍，对全波整流电路而言较为倍。 15、处于放大状态的NPN 管，三个电极上的电位的分布必须符合 UC>UB>UE 而PNP 管处于放大状态时，三个电极上的电位分布须符合 UE>UE>UC 总之，使三极管起放大作用的条件是：集电结反偏，发射 结正偏。 16、 在 P 型半导体中，多数载流子是空穴，而 N 型半导体中，多 数载流子是自由电子。 晶体管放大器设置合适的静态工作点，以保证放大信号时， 三极管应始终工作在放大区。 般来说，硅晶体二极管的死区电压大于锗管的死区电压。 14、 17、 二极管在反向截止区的反向电流基本保持不变。 18、 当环境温度升高时，二极管的反向电流将增大。 19、 20、
第1章检测题（共100分，120分钟） 一、填空题：（每空0.5分，共25分） 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。 2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。 3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的 扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。 4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN结形成。 7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。 三、选择题：（每小题2分，共20分） 2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（A）元素构成的。 A、三价； B、四价； C、五价； D、六价。 3、稳压二极管的正常工作状态是（C）。 A、导通状态； B、截止状态； C、反向击穿状态； D、任意状态。 5、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（A）而成。 A、多子扩散； B、少子扩散； C、少子漂移； D、多子漂移。 6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为V E＝2.1V，V B＝2.8V，V C＝4.4V，说明此三极管处在（A）。 A、放大区； B、饱和区； C、截止区； D、反向击穿区。 10、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（C） A、发射结正偏、集电结正偏； B、发射结反偏、集电结反偏； C、发射结正偏、集电结反偏； D、发射结反偏、集电结正偏。 四、简述题：（每小题4分，共28分） 2、某人用测电位的方法测出晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚①12V、管脚②3V、管脚③ 3.7V，试判断管子的类型以及各管脚所属电极。
第一章 思考题与习题 1.1. 半导体材料都有哪些特性？为什么电子有源器件都是由半导体材料制成 的？ 1.2. 为什么二极管具有单向导电特性？如何用万用表判断二极管的好坏？ 1.3. 为什么不能将两个二极管背靠背地连接起来构成一个三极管？ 1.4. 二极管的交、直流等效电阻有何区别？它们与通常电阻有什么不同？ 1.5. 三极管的放大原理是什么？三极管为什么存在不同的工作状态？ 1.6. 如图P1-1(a)所示的三极管电路，它与图P1-1(b)所示的 二极管有何异同？ 1.7.稳压二极管为何能够稳定电压？ 1.8.三极管的交、直流放大倍数有何区别？共射和共基电 流放大倍数的关系是什么？ 1.9.三极管的输入特性和输出特性各是什么？ 1.10. 如图P1-2所示，设I S ＝10－11A ，U T ＝26mV ，试计算 u i =0，0.3V ，0.5V ，0.7V 时电流I 的值，以及u i =0.7V 时二极管的直流和交流等效电阻。 解： 由I= I S *(exp(U i / U T )-1) 当U i =0时，I=0； 当U i =0.3V 时，I=1.026×10－6A ； 当U i =0.5V 时，I=2.248×10－3A ； 当U i =0.7V 时，I=4.927A ； 直流等效电阻R= U i /I = 0.7V/4.927A = 0.142 Ω ∵exp(U i / U T )>>1 ∴交流等效电阻R d = 26/I = 26/4927 = 5.277×10－3 Ω (a) (b) 图 P1-1 图P1-2 ＋ － u i D i
1.11. 电路如图P1-3所示，二极管导通电压U D ＝0.7V ， U T ＝26mV ，电源U ＝3.3V ，电阻R ＝1k Ω，电容C 对交流信号可视为短路；输入电压u i 为正弦波，有效值为10mV 。试问二极管中流过的交流电流有效值为多少？ 解：U ＝3.3V>>100mV ， I ＝（U －U D ）/R ＝ (3.3－0. 7)/1k = 2.6 mA 交流等效电阻：R d = 26/I = 10 Ω 交流电流有效值：Id = Ui/Rd = 1 mA 1.1 2. 图P1-4(a)是由二极管D 1、D 2组成的电路，二极管的导通电压U D ＝0.3V 、 反向击穿电压足够大，设电路的输入电压u 1和u 1如图P1-4(b)所示，试画出输出u o 的波形。 解： 1.13. 如图P1-5所示电路，设二极管为理 想二极管(导通电压U D =0，击穿电压U BR =∞ )，试画出输出u o 的波形。 解： 5V u 1 t u 2 t 5V 图P1-4(a) 图P1-4(b) ＋ D1 u 1 u o R u 2 D2 P1-5 R ＋ － u o D 2 D 1 D 3 D 4 图P1-3 ＋ － u i D R C U 4.7V u 0 t u o t
电子电路基础知识 () 电平标准 下面总结一下各电平标准。和新手以及有需要的人共享一下^_^. 现在常用的电平标准有TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232、RS485等，还有一些速度比较高的LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL 等。下面简单介绍一下各自的供电电源、电平标准以及使用注意事项。 TTL：Transistor-Transistor Logic 三极管结构。 VCC：5V；VOH>=2.4V；VOL<=0.5V；VIH>=2V；VIL<=0.8V。 因为2.4V与5V之间还有很大空闲，对改善噪声容限并没什么好处，又会白白增大系 统功耗，还会影响速度。所以后来就把一部分“砍”掉了。也就是后面的LVTTL。 LVTTL又分3.3V、2.5V以及更低电压的LVTTL(Low Voltage TTL)。 3.3V LVTTL： VCC：3.3V；VOH>=2.4V；VOL<=0.4V；VIH>=2V；VIL<=0.8V。 2.5V LVTTL： VCC：2.5V；VOH>=2.0V；VOL<=0.2V；VIH>=1.7V；VIL<=0.7V。 更低的LVTTL不常用就先不讲了。多用在处理器等高速芯片，使用时查看芯片手册就 OK了。 TTL使用注意：TTL电平一般过冲都会比较严重，可能在始端串22欧或33欧电阻；
TTL电平输入脚悬空时是内部认为是高电平。要下拉的话应用1k以下电阻下拉。TTL输出不能驱动CMOS输入。 CMOS：Complementary Metal Oxide Semiconductor PMOS+NMOS。 VCC：5V；VOH>=4.45V；VOL<=0.5V；VIH>=3.5V；VIL<=1.5V。 相对TTL有了更大的噪声容限，输入阻抗远大于TTL输入阻抗。对应3.3V LVTTL，出现了LVCMOS，可以与3.3V的LVTTL直接相互驱动。 3.3V LVCMOS： VCC：3.3V；VOH>=3.2V；VOL<=0.1V；VIH>=2.0V；VIL<=0.7V。 2.5V LVCMOS： VCC：2.5V；VOH>=2V；VOL<=0.1V；VIH>=1.7V；VIL<=0.7V。 CMOS使用注意：CMOS结构内部寄生有可控硅结构，当输入或输入管脚高于VCC 一定值(比如一些芯片是0.7V)时，电流足够大的话，可能引起闩锁效应，导致芯片的烧毁。 ECL：Emitter Coupled Logic 发射极耦合逻辑电路(差分结构) VCC=0V；Vee：-5.2V；VOH=-0.88V；VOL=-1.72V；VIH=-1.24V；VIL=-1.36V。 速度快，驱动能力强，噪声小，很容易达到几百M的应用。但是功耗大，需要负电源。 为简化电源，出现了PECL(ECL结构，改用正电压供电)和LVPECL。 PECL：Pseudo/Positive ECL VCC=5V；VOH=4.12V；VOL=3.28V；VIH=3.78V；VIL=3.64V LVPELC：Low Voltage PECL VCC=3.3V；VOH=2.42V；VOL=1.58V；VIH=2.06V；VIL=1.94V ECL、PECL、LVPECL使用注意：不同电平不能直接驱动。中间可用交流耦合、电阻网
电子电路基础知识点总结 1、纯净的单晶半导体又称本征半导体，其内部载流子自由电子空穴的数量相等的。 2、射极输出器属共集电极放大电路，由于其电压放大位数约等于1，且输出电压与输入电压同相位，故又称为电压跟随器（射极跟随 器）。 3、理想差动放大器其共模电压放大倍数为0,其共模抑制比为 4、一般情况下，在模拟电器中，晶体三极管工作在放大状态，在数字电器中晶体三极管工作在饱和、截止状态。 5、限幅电路是一种波形整形电路，因它削去波形的部位不同分为上限幅、下限幅和双向限幅电路。 6、主从JK 触发器的功能有保持、计数、置0、置 1 。 7、多级放大器的级间耦合有阻容耦合、直接耦合、变压器耦合。 8、带有放大环节串联稳压电路由调整电路、基准电路、取样电路和比较放大电路分组成。 9、时序逻辑电路的特点是输出状态不仅取决于当时输入状态，还与输出端的原状态有关。 10、当PN结外加反向电压时，空间电荷区将变宽。反向电流是由 少数载流子形成的
11、半导体具有热敏性、光敏性、力敏性和掺杂性等独特的导电 特性。 12、利用二极管的单向导电性，可将交流电变成脉动的直流电。 13、硅稳压管正常工作在反向击穿区。在此区内，当流过硅稳压管的电流在较大范围变化时，硅稳压管两端的电压基本不变。 14、电容滤波只适用于电压较大，电流较小的情况，对半波整流电路来说，电容滤波后，负载两端的直流电压为变压级次级电压的 1 倍，对全波整流电路而言较为 1.2 倍。 15、处于放大状态的NPN管，三个电极上的电位的分布必须符合UC>UB>UE而PNP管处于放大状态时，三个电极上的电位分布须符合 UE>UE>UC总之，使三极管起放大作用的条件是：集电结反偏，发射结正偏。 16、在P型半导体中，多数载流子是空穴，而N型半导体中，多数载流子是自由电子。 17、二极管在反向截止区的反向电流基本保持不变。 18、当环境温度升高时，二极管的反向电流将增大。 19、晶体管放大器设置合适的静态工作点，以保证放大信号时，三极管应始终工作在放大区。 20、一般来说，硅晶体二极管的死区电压大于锗管的死区电压。
第三章放大器的负反馈 §3-1反馈的基本概念 一、填空题 1、放大器的反馈，就是将输出量（电压或电流）的一部分或全部，通过的电路形式送回到输入回路，并与输入量进行叠加 过程。 2、反馈放大器由基本放大和反馈电路两部分组成，能否从电路中找到是判断有无反馈的依据。 3、按反馈的极性分，有正反馈和负反馈，判断方法可采用瞬时极性法，反馈结果使净输入量减小的是负反馈，使净输入量增大的是正反馈。 4、按反馈信号从输出端的取样方式分，有电压反馈与电流反馈；按反馈信号与输入信号的连接方式分，有串联反馈和并联反馈。采用输出短路法，可判断是电压反馈还是电流反馈；采用输入短路法，可判断是串联反馈还是 并联反馈，对常用的共发射极放大器，若反馈信号加到三极管基极为并联反馈，加到三极管发射极为串联反馈。 5、按反馈的信号分，有直流反馈和交流反馈。直流负反馈主要用于稳定放大器的静态工作点，交流负反馈可以改善放大器的动态特性。 二、判断题 1、瞬时极性法既能判断反馈的对象，也能判断反馈的极性。（对） 2、串联负反馈都是电流负反馈，并联负反馈都是电压反馈。（错） 3、将负反馈放大器的输出端短路，则反馈信号也随之消失。（错） 4、在瞬时极性法判断中，+表示对地电压为正，—表示对地电压为负。（错） 5、在串联反馈中，反馈信号在输入端是以电压形式出现，在并联反馈中，反馈信号在输入端是以电流形式出现。（对） 三、选择题 1、反馈放大短路的含义是（C ）。 A．输入与输出之间有信号通路 B.电路中存在反向传输的信号通路 C．除放大电路外，还有反向传输的信号通路 2.图3-1-1所示为某负反馈放大电路的一部分，Re1引入（C ），Re2引入（B ）。
知识| 电子电路基础知识点总结 1、纯净的单晶半导体又称本征半导体，其内部载流子自由电子空穴的数量相等的。 2、射极输出器属共集电极放大电路，由于其电压放大位数约等于1，且输出电压与输入电压同相位，故又称为电压跟随器(射极跟随器)。 3、理想差动放大器其共模电压放大倍数为0，其共模抑制比为∞。 4、一般情况下，在模拟电器中，晶体三极管工作在放大状态，在数字电器中晶体三极管工作在饱和、截止状态。 5、限幅电路是一种波形整形电路，因它削去波形的部位不同分为上限幅、下限幅和双向限幅电路。 6、主从JK触发器的功能有保持、计数、置0、置1 。 7、多级放大器的级间耦合有阻容耦合、直接耦合、变压器耦合。 8、带有放大环节串联稳压电路由调整电路、基准电路、取样电路和比较放大电路分组成。 9、时序逻辑电路的特点是输出状态不仅取决于当时输入状态，还与输出端的原状态有关。 10、当PN结外加反向电压时，空间电荷区将变宽。反向电流是由少数载流子形成的。 11、半导体具有热敏性、光敏性、力敏性和掺杂性等独特的导电特性。 12、利用二极管的单向导电性，可将交流电变成脉动的直流电。 13、硅稳压管正常工作在反向击穿区。在此区内，当流过硅稳压管的电流在较大范围变化时，硅稳压管两端的电压基本不变。 14、电容滤波只适用于电压较大，电流较小的情况，对半波整流电路来说，电容滤波后，负载两端的直流电压为变压级次级电压的1倍，对全波整流电路而言较为1.2倍。15、处于放大状态的NPN管，三个电极上的电位的分布必须符合UC>UB>UE，而PNP 管处于放大状态时，三个电极上的电位分布须符合UE>UE>UC。 总之，使三极管起放大作用的条件是：集电结反偏，发射结正偏。
习题答案 2-2 电路如题图2-2所示，已知30Ω电阻中的电流I 4=0.2A ，试求此电路的总电压U 及总电流I 。 解： 如上图所示，可得 V 901009.010090A 9.03010A 6.02A 3.02060 306030A 1.05.0323254345=?==Ω =+==+=Ω =+====+=Ω=+?= ==IR U R R I I I R R I I I I I R I I ac bc ac bc 2-6 六个相等电阻R ，各等于20Ω，构成一个闭合回路（题图2-6所示）。若将一外电源依次作用a 和b ，a 和c ，a 和d 之间，求在各种情况下的等效电阻。 Ω 题图2-2 习题2-2电路图 Ω 习题2-2电路图
解： 如上图所示，若将电源作用于a 和b ，则有 Ω =====350 65//52 2121R R R R R R R R R ab 同理，若将电源作用于a 和c ，则有 Ω =====380 68//422 2121R R R R R R R R R ac 若将电源作用于a 和d ，则有 Ω =====3069//332 2121R R R R R R R R R ad 题图2-6 习题2-6电路
2-11 试为题图2-11所示的电路，写出 （1） 基尔霍夫电流定律独立方程（支路电流为未知量）； （2） 基尔霍夫电压定律独立方程（支路电流为未知量）； （3） 网孔方程； （4） 节点方程（参考节点任选）。 解： 如上图所示。 （1） 由KCL ，有 00 524321164=--=--=--I I I I I I I I I （2） 由KVL ，有 I I 5
电子电路基础习题册参考答案（第三版）全国中等职业技术 第一章常用半导体器件 §1-1 晶体二极管 一、填空题 1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体 三大类，最常用的半导体材料是硅和锗。 2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同，可形成 N 型半导体和 P 型半导体。 3、纯净半导体又称本征半导体，其内部空穴和自由电子数 相等。N型半导体又称电子型半导体，其内部少数载流子是 空穴；P型半导体又称空穴型半导体，其内部少数载流子是 电子。 4、晶体二极管具有单向导电性，即加正向电压时，二极管导通，加反向电压时，二极管截止。一般硅二极管的开启电 压约为 0.5 V，锗二极管的开启电压约为 0.1 V；二极管导通后， 一般硅二极管的正向压降约为 0.7 V,锗二极管的正向压降约为 0.3 V。 5.锗二极管开启电压小，通常用于检波电路，硅二极管反向电 流小，在整流电路 及电工设备中常使用硅二极管。 6.稳压二极管工作于反向击穿区，稳压二极管的动态电阻越小，其稳压性能好。
7在稳压电路中，必须串接限流电阻，防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。 8二极管按制造工艺不同，分为点接触型、面接触型和平面型。 9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、 开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。 10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流和最高工作频率。 11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。 12、图1-1-1所示电路中，二极管V1、V2均为硅管，当开关S与M 相接时，A点的电位为 无法确定 V,当开关S与N相接时，A点的电位为 0 V. 13图1-1-2所示电路中，二极管均为理想二极管，当开关S打开时，A点的电位为 10V 、 流过电阻的电流是 4mA ；当开关S闭合时，A点的电位为 0 V，流过电阻的电流为 2mA 。 14、图1-1-3所示电路中，二极管是理想器件，则流过二极管V1的电流为 0.25mA ，流过V2的电流为 0.25mA ,输出电压U0为+5V。
北京交通大学远程与继续教育学院2016——2017学年第一学期网络教育期末考试年级2015专业层次 《数字电子电路基础》答案（闭卷）C卷姓名学号 一、填空题（每空2分，共20分） 1.45、8FA.C6 2.10000111、000100110101 3.基本触发器、同步触发器、边沿触发器 4.2n>N 5. F = A · B、F = A ＋B 二、判断题（每题2分，共10分） 1.（√） 2.（×） 3.（×） 4.（×） 5.（√） 三、选择题（每空2分，共10分） A C C B C 四、名词解释（每题4分，共20分）
1.门电路 实现基本和常用逻辑运算的电子电路，成为逻辑门电路。 2.D/A转换器 将数字量转换成模拟量的电路成为数/模转换器，简称D/A转换器。 3.BCD码 把十进制数的十个数码0~9用二进制数码来表示，称为BCD码，即二—十进制编码。 4.逻辑与 只有决定事物的所有条件都具备时，结果才发生，这种逻辑关系成为逻辑与。 5.同步触发器 输入信号经过控制门输入，管理控制们的信号为时钟脉冲信号CP，只有在CP信号到来时，输入信号才能进入触发器，否则就会被拒之门外，对电路不起作用。 五、简答题（每题10分，共40分） 1.试用公式法证明逻辑代数基本定律中的分配率A +B· C=(A+B) ·(A +C) 证明：(A+B) ·(A +C)=A· A+A· B+A· C+B· C =A+AB+ AC+BC =A(1+B+C)+BC =A +BC 2.在数字电路中，基本的工作信号是二进制数字信号和两种状态逻辑信号， 而触发器就是存放这些信号的单元电路，那么触发器需要满足哪些基本要求？何为触发器的现态和次态？ 答：触发器需要满足：
电子技术基础试题(八) 一、填空题(每题3分，共30分) 1、PN结具有单向导电特性性能。 2、一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而_增大_。 3、射极输出器放在中间级是兼用它的输入电阻大和输出电阻小的特点，起阻抗变换作用。 4、只有当负载电阻R L和信号源的内阻r s 相等时，负载获得的功率最大，这种现象称为阻抗匹配。 5、运算放大器的输出是一种具有深度负反馈高增益的多级直流放大器。 6、功率放大器按工作点在交流负载线上的位置分类有：甲类功放，乙类功放和甲乙类功放电路。 7、甲乙推挽功放电路与乙类功放电路比较，前者加了偏置电路向功放管提供少量偏流I BQ，以减少交越失真。 带有放大环节的串联型晶体管稳压电路一般由采样电路、基准电源、比较放大电路和_调整元件_四个部分组成。 9、逻辑代数的三种基本运算是逻辑乘、_逻辑加和_逻辑非_。 10、主从触发器是一种能防止空翻现象的实用触发器。 二、选择题(每题3分，共30分) 1．晶体管二极管的正极的电位是－10V，负极电位是－5V，则该晶体二极管处于：( C)。 A.零偏 B.反偏 C.正偏 2．若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流减小时，使该三极管：( A)。 A.集电极电流减小 B.集电极与发射极电压V CE上升 C.集电极电流增大3．某三级放大器中，每级电压放大倍数为Av，则总的电压放大倍数：( B )。 A.3A V B.A3V C.A V3/3 D.A V 4．正弦波振荡器中正反馈网络的作用是：( A)。 A.保证电路满足振幅平衡条件 B.提高放大器的放大倍数，使输出信号足够大 C.使某一频率的信号在放大器工作时满足相位平衡条件而产生自激振荡 5．甲类单管功率放大电路中结构简单，但最大的缺点是：( C)。 A.有交越失真 B.易产生自激 C.效率低 6．有两个2CW15稳压二极管，其中一个稳压值是8V，另一个稳压值为7.5V，若把两管的正极并接，再将负极并接，组合成一个稳压管接入电路，这时组合管的稳压值是：( B)。 A.8V B.7.5V C.15.5V 7．为了减小开关时间，常在晶体管的基极回路中引入加速电容，它的主要作用是：( A )。 A.在开启时提供很大的正向基极电流，并在关闭时提供很大的反向基极电流 B.在开启时提供很大的反向基极电流 C.隔开直流电压 8．逻辑函数式E F+E F+EF，化简后答案是：( C)。 A.EF B.F E+E F C.E+F
电子电路基础知识--测试 第一篇电子电路基础知识 一、判断题（正确的打√，错误的打×） 1、射极输出器不具有电压放大作用。（√） 2、普通二极管反向击穿后立即损坏，因为击穿是不可逆的。（√） 3、在三种功率放大电路中，效率最高是的甲类功放。（×） 说明：效率最高是的乙类功放. 4、逻辑电路中“1”比“0”大。（×） 说明：逻辑电路中“1”与“0”不存在大小之分。 5、石英晶体振荡器的主要优点是振荡频率稳定性高。（√） 6、直流放大器只能放大直流信号。（√） 7、在基本放大电路中，若静态工作点选择过高，容易出现饱和失真。（√） 8、振荡器的负载变动将影响振荡频率稳定性（×） 9、直流放大器是放大直流信号的，它不能放大交流信号（√） 10、差动放大器如果注意选择元件，使电路尽可能对称，可以减小零点漂移（√） 11、放大器具有正反馈特性时，电路必然产生自激振荡（×） 12、多级放大器的通频带比组成它的各级放大器的通频带窄，级数愈少，通频带愈窄（×）说明：级数愈少，通频带愈宽。 13、晶体三极管的发射区和集电区是由同一类型半导体构成的，所以e极和c极可以互换使用（×） 14、在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。（×） 15、少数载流子是自由电子的半导体称为P型半导体。（×） 16、晶体二极管击穿后立即烧毁。（×） 17、用万用表测二极管正向电阻，插在万用表标“+”号插孔的测试棒（通常是红色棒）所连接的二极管的管脚是二极管正极，另一为负极。（×） 18、晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体（P型或N型）构成的，所以极e和c极可以互换使用。（×） 19、PNP三极管处于截止状态时，发射结正偏（×） 20、晶体三极管具有能量放大功能。（×） 21、当集电极电流值大于集电极最大允许时，晶体三极管一定损坏。（√） 22、一个完全对称的差分式放大器，其共模放大倍数为零。（×） 23、一个理想的差分放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。（√） 24、Ｎ型半导体是在本征半导体中加入少量的三价元素构成的杂质半导体。（×） 25、在Ｎ型半导体中，自由电子的数目比空穴数目多得多。故自由电子称为多数载流子，空穴称为少数载流子。（√） 26、运算放大器的输入电流接近于零，因此，将输入端断开，运算放大器仍可以正常工作。（×） 27、运算放大器的输入失调电压Ui0是它的两个输入端电压之差。（×） 28、Ｐ型半导体是在本征半导体中加入少量的五价元素构成的杂质半导体。（×） 29、运算放大器的输入电压接近于零，因此，将输入端短路，运算放大器仍可以正常工作。（×）
电子电路基础习题册参考答案(第三版)全国中等职业技术 第一章常用半导体器件 §1-1 晶体二极管 一、填空题 1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体与半导体三大类,最常用的半导体材料就是硅与锗。 2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同,可形成N 型半导体与P 型半导体。 3、纯净半导体又称本征半导体,其内部空穴与自由电子数相等。N型半导体又称电子型半导体,其内部少数载流子就是空穴;P型半导体又称空穴型半导体,其内部少数载流子就是电子。 4、晶体二极管具有单向导电性,即加正向电压时,二极管导通,加反向电压时,二极管截止。一般硅二极管的开启电压约为0、5 V,锗二极管的开启电压约为0、1 V;二极管导通后,一般硅二极管的正向压降约为0、7 V,锗二极管的正向压降约为 0、3 V。 5、锗二极管开启电压小,通常用于检波电路,硅二极管反向电流小,在整流电路 及电工设备中常使用硅二极管。 6、稳压二极管工作于反向击穿区,稳压二极管的动态电阻越小,其稳压性能好。
7在稳压电路中,必须串接限流电阻,防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。 8二极管按制造工艺不同,分为点接触型、面接触型与平面型。 9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、 开关、热敏、发光与光电二极管等二极管。 10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱与电流与最高工作频率。 11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流与动态电阻。 12、图1-1-1所示电路中,二极管V1、V2均为硅管,当开关S与M相接时,A点的电位为 无法确定V,当开关S与N相接时,A点的电位为0 V、 13图1-1-2所示电路中,二极管均为理想二极管,当开关S打开时,A点的电位为10V 、 流过电阻的电流就是4mA ;当开关S闭合时,A点的电位为0 V,流过电阻的电流为2mA 。 14、图1-1-3所示电路中,二极管就是理想器件,则流过二极管V1的电流为0、25mA ,流过V2的电流为0、25mA ,输出电压U0为+5V。
电子电路单元分布一般规律 电源电路在图右下方，信号源电路在电路图左侧，负载电路在右侧。 各级放大器电路从左向右排列，双声道电路中的左右声道是上下排列的 产生电流的两个条件 1.闭合回路 2.电源 电平概念解说 其是表示电功率、电压和电流相对大小的量 电平用分贝(dB) 分贝=10lgP2/P1=20lgU2/U1=20lgI2/I1 其中： P2为放大器输出功率，P1为放大器输入功率 U2为放大器输出信号电压，U1为放大器输入信号电压 I2为放大器输出信号电流，I1为放大器输入信号电流 电阻在电路中的作用 1.给电路中某点加上电压 2.降低电路中某点电压 3.将电路中的两点隔离 4.将电流转换成电压 5.分压 6.分流 7.阻尼 8.限流保护 电位器参数标注解说 某电位器外壳上标出：51K-0.25/X 其中， 51K是标称阻值51k欧姆，0.25表示额定功率为0.25瓦。X表示X型电位器电位器共分三种： X型-----线性变化，可以用于音响电路，构成立体声平衡控制器 Z型-----指数特性变化，可用来构成音响控制其电路 D型-----对数特性变化，用于一些音调控制器电路，作为音调电位器 电容电路解说 1.耦合电容 2.滤波电容 3.退耦电容 4.高频削震电容
5.谐振电容 6.旁路电容 7.积分电容8.微分电容9小火花电容10.分频电容 电解电容故障 击穿、漏电大故障、容量减小故障、开路故障、爆炸故障 需要注意的是： 爆炸故障：此种情况只出现在有极性电解电容器在跟换新电容器之后，由于正负脚接反而发生爆炸 电容并联解析 1.一大一小电容并联 主要出现在电源滤波电路中，并且在大电容的容量很大很大时才出现这种情况 如果容量不是很大，感抗不明显，则没有必要再接一个小电容 作用： 大电容为电源滤波电容 小电容为高频滤波电容 2.两个大电容并联 用于电源滤波电路或者是OTL功放电路输出回路作为输出端耦合电容 作用：高频滤波电容 3.两个等容量小电容并联 这是彩色电视机行震荡器电路中的行定时电容电路 其中： 一个为聚酯电容，是正温度系数电容 一个为聚丙烯电容，师负温度系数电容主要是为了实现温度的互补！！ RC电路分析 1.RC串联 RC串联电路总的阻抗是随频率变化而变化的 总的阻抗=电阻+C容抗 转折频率公式: f=1/2∏RC 2.RC并联 转折频率公式: f=1/2∏RC 3.RC串并联
第二章整流与滤波电路 一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 （1）电容滤波适用于大电流场合，而电感滤波适用于高电压场合。（） （2）全波整流电路中，流过每个整流管的平均电流只有负载电流的一半。（） （3）单相桥式整流电容滤波电路中与单相半波整流电容滤波电路中，每个二极管承受的反向电压相同。（） （4）半波整流电路中，流过二极管的平均电流只有负载电流的一半。（） （5）硅稳压管并联型稳压电路的负载任意变化，稳压管都能起稳压作用。（） （6）电解电容的电极有正、负之分，使用时正极接高电位，负极接低电位。（） （7）任何电子电路都需要直流电源供电，因此需要直流稳压电源。（） （8）在整流电路后仅用电阻就构成滤波电路。（） （9）整流电路能将交流电压转换成单向脉动电压，是利用了二极管的单向导电性。（（） （10）全波整流电路中，其中一个整流管短路时对整流电路不影响，输出仍为全波整流。（） 二、选择正确答案填入空内。 1、滤波电路中整流二极管的导通角较大，峰值电流很小，输出特性较好，适用于低电压、大电流场合的滤波电路是（） A、电感 B、电容 C、复式 D、有源 分析如下图，选择正确答案填在括号内（第2题～第5题），已知U2=10V。 2、接入滤波电容后，输出直流电压为（） A、升高 B、降低 C、不变 D、为零 3、接入滤波电容后，二极管的导通角为（） A、加大 B、减小 C、不变 D、为零
4、输出电压的平均值U O约为（） A、10V B、14V C、16V D、12V 5、若D1短路，则（） A、U0减小一半 B、U O不变 C、D3、D4发热 D、D2或变压器烧坏 分析如下图，选择正确答案填写在括号内（第6题～第11题）。 6、设U2有效值为10V，则电容两端电压为（） A、 B、9V C、12V D、14V 7、若电容C脱焊，则Ui为（） A、 B、9V C、12V D、14V 8、若二极管D4接反，则（） A、变压器被短路，D1、D2或变压器被烧坏 B、变为半波整流 C、电容C将过压而击穿 D、稳压管过流而烧坏 9、若电阻R短路，则（） A、U O将下降 B、变为半波整流 C、电容C将过压而击穿 D、稳定管过流而损坏 10、设电路正常工作，当电网电压波动而使U i增大时（负载不变），I R将增大，则I W将（） A、增大 B、减小 C、基本不变 D、为零 11、设电路正常工作，当负载电流I O增大时（电网电压不变），I R将基本不变，则I W将（） A、增大 B、减小 C、基本不变 D、为零
XX 中学XX 年XX 学期期末考试 电子电路基础试卷（XX 班） （试卷满分100分 考试时间120分钟） 班级 姓名 学号 得分 一、填空题（每空1分，共20分） 1.在时间上和数值上均作连续变化的电信号称为 模拟 信号；在时间上和数值上离散的信号叫做 数字 信号。 2.在正逻辑的约定下，“1”表示 高 电平，“0”表示 低 电平。 3.数字电路中，输入信号和输出信号之间的关系是 逻辑 关系，所以数字电路也称为 逻辑 电路。 4.在逻辑关系中，最基本的关系是 与逻辑 、 或逻辑 和 非逻辑 。 5.十进制数转换为八进制和十六进制时，应先转换成 二进 制。 6.最简与或表达式是指在表达式中 或项 最少，且 与项 也最少。 7.具有基本逻辑关系的电路称为 门电路 ，其中最基本的有 与门 、 或门 和非门。 8.两个与非门构成的基本RS 触发器的功能有 清零 、 置1 和 保持 。 9.组合逻辑电路的基本单元是 门电路 ，时序逻辑电路的基本单元是 触发器 。 二、选择题（每题2分，共30分） 1.逻辑函数中的逻辑“与”和它对应的逻辑代数运算关系为（ B ）。 A 、逻辑加 B 、逻辑乘 C 、逻辑非 2.十进制数100对应的二进制数为（ C ）。 A 、1011110 B 、1100010 C 、1100100 D 、11000100 3.和逻辑式AB 表示不同逻辑关系的逻辑式是（ B ）。 A 、 B A + B 、B A ? C 、B B A +? D 、A B A + 4.数字电路中机器识别和常用的数制是（ A ）。 A 、二进制 B 、八进制 C 、十进制 D 、十六进制 5.所谓机器码是指（ B ）。 A 、计算机内采用的十六进制码 B 、符号位数码化了的二进制数码 C 、带有正负号的二进制数码 D 、八进制数 6.具有“有1出0、全0出1”功能的逻辑门是（ B ）。 A 、与非门 B 、或非门 C 、异或门 D 、同或门 7.下列各型号中属于优先编译码器是（ C ）。