分析计算题
1、组合电路如图所示，分析该电路的逻辑功能。真值表
解：P=(ABC)’ L=(A=B=C)P
=(ABC+(A+B+C)’)’
=(ABC+A’B’C’)’
L’=ABC+A’B’C’
2、分析如图所示的组合逻辑电路的功能。
3、设计一个楼上、楼下开关的控制逻辑电路来控制楼梯上的路灯，要求：使之
在上楼前，用楼下开关打开电灯，上楼后，用楼上开关关灭电灯；或者在下楼前，
用楼上开关打开电灯，下楼后，用楼下开关关灭电灯。
4、用与非门设计一个举重裁判表决电路，要求：
（1）设举重比赛有3个裁判，一个主裁判和两个副裁判。
（2）杠铃完全举上的裁决由每一个裁判按一下自己面前的按钮来确定。
（3）只有当两个或两个以上裁判判明成功，并且其中有一个为主裁判时，表明
成功的灯才亮。
5、某设备有开关A 、B 、C ，要求：只有开关A 接通的条件下，开关B 才能接通；开关C 只有在开关B 接通的条件下才能接通。违反这一规程，则发出报警信号。设计一个由与非门组成的能实现这一功能的报警控制电路。
7、试用译码器74LS138和门电路实现逻辑函数：AC BC AB L ++=
8、用74LS138实现逻辑函数F=∑(m1，m2，m4，m7)。
9、用全译码器74LS138实现逻辑函数ABC C B A C B A C B A f +++=
10、用八选一数据选择器74LS151实现下列逻辑函数：ABC C AB C B A BC A L +++=
11、试用八选一数据选择器74LS151实现逻辑函数:F(A,B,C)=∑(m1,m2,m4,m7)。
12、试用四选一数据选择器74LS153实现逻辑函数:F(A,B,C)=∑(m1,m2,m4,m7)。
13、试用四选一数据选择器74LS153实现逻辑函数：C A BC AB L ++=
第四章组合逻辑电路 1. 解： (a)(b)是相同的电路，均为同或电路。 2. 解：分析结果表明图(a)、(b)是相同的电路，均为同或电路。同或电路的功能：输入相同输出为“1”；输入相异输出为“0”。因此，输出为“0”(低电平)时，输入状态为AB＝01或10 3. 由真值表可看出，该电路是一位二进制数的全加电路，A为被加数，B为加数，C为低位向本位的进位，F1为本位向高位的进位，F2为本位的和位。 4. 解：函数关系如下： AB S F+ ⊕ = + + A BS S S A B B 将具体的S值代入，求得F 3 1 2 值，填入表中。
A A F B A B A B A A F B A B A A F A A F AB AB F B B A AB F AB B A B A B A AB F B A A AB F B A B A B A F B A AB AB B A B A F B B A B A B A B A B A B A F AB BA A A B A A B A F F B A B A F B A B A F A A F S S S S =⊕==+==+⊕===+⊕===⊕===⊕===+⊕===+=+⊕===⊕==+==⊕==Θ=+=+⊕===+++=+⊕===+=⊕===⊕==+=+⊕==+=+⊕===⊕==01111 1110 1101 01100 01011 1010 1001 1000 00111 0110 )(0101 0100 1010011 10010 10001 10000 0123
5. （1）用异或门实现，电路图如图(a)所示。 (2) 用与或门实现，电路图如图(b)所示。 6. 解因为一天24小时，所以需要5个变量。P变量表示上午或下午，P＝0为上午，P=1为下午；ABCD表示时间数值。真值表如表所示。 利用卡诺图化简如图(a)所示。 化简后的函数表达式为
第七章半导体存储器 一、选择题 1．一个容量为1K ×8的存储器有个存储单元。 A.8 B.8K C.8000 D.8192 2．要构成容量为4K ×8的R AM ，需要片容量为256×4的R AM 。 A.2 B.4 C.8 D. 32 3．寻址容量为16K ×8的RAM 需要根地址线。 A.4 B. 8 C.14 D. 16 E.16K 4．若R AM 的地址码有8位，行、列地址译码器的输入端都为4个，则它们的 输出线（即字线加位线）共有条。 A.8 B.16 C.32 D.256 5．某存储器具有8根地址线和8根双向数据线，则该存储器的容量为。 A.8×3 B.8K ×8 C. 256×8 D. 256×256 6. 采用对称双地址结构寻址的1024×1的存储矩阵有。 A.10行10列 B.5行5列 C.32行32列 D. 1024行1024列 7．随机存取存储器具有功能。 A. 读/写 B. 无读/写 C. 只读 D. 只写 8．欲将容量为128×1的R AM 扩展为1024×8，则需要控制各片选端的辅助译
码器的输出端数为。 A.1 B.2 C.3 D. 8 9．欲将容量为256×1的R AM 扩展为1024×8，则需要控制各片选端的辅助译 码器的输入端数为。 A.4 B.2 C.3 D. 8 10．只读存储器ROM 在运行时具有功能。 A. 读/无写 B. 无读/写 C. 读/写 D. 无读/无写 11．只读存储器R OM 中的内容，当电源断掉后又接通，存储器中的内容。 A. 全部改变 B. 全部为0 C. 不可预料 D. 保持不变 12．随机存取存储器RAM 中的内容，当电源断掉后又接通，存储器中的内容。 A. 全部改变 B. 全部为1 C. 不确定 D. 保持不变 13．一个容量为512×1的静态RAM 具有。 A. 地址线9根，数据线1根 B. 地址线1根，数据线9根 C. 地址线512根，数据线9根 D. 地址线9根，数据线512根 14．用若干R AM 实现位扩展时，其方法是将相应地并联在一起。 A. 地址线 B. 数据线 C. 片选信号线 D. 读/写线 15．PROM 的与陈列（地址译码器）是。 A. 全译码可编程阵列 B. 全译码不可编程阵列
十四、综合练习(设计题，易，10分) [题目] 在三个输入信号中，A的优先权最高，B次之，C最低，、它们的输出分别为，Y A、Y B、Y C，要求同一时间内只有一个信号输出。如有两个及两个以上的信号同时输入时，则只有优先权最高的有输出，试设计一个能实现此要求的逻辑电路。 [参考答案] （1）列真值表： 对于输入，设有信号为逻辑“1”；没信号为逻辑“0”。 对于输出，设允许通过为逻辑“1”；不设允许通过为逻辑“0”。 （2）由真值表写出各输出的逻辑表达式
八、数模与模数转换器(单项选择题，易，1分) [题目] 下列A/D转换器速度最慢的是（）。 A．逐次逼近型A/D转换器B．双积分型A/D转换器C．并行比较型A/D转换器 [参考答案] B 九脉冲产生与整形电路(填空题，易，1分) [题目] 数字电路按照是否有记忆功能通常可分为两类：（）、（）。 [参考答案] 组合逻辑电路时序逻辑电路 七、脉冲产生与整形电路(判断题，易，1分) [题目] 施密特触发器有两个稳态。（） [参考答案] 对 六、时序逻辑电路(填空题，易，1.5分) [题目] 消除竟争冒险的方法有（）、（）、（）等。 [参考答案] 修改逻辑设计接入滤波电容加选通脉冲 二、逻辑代数基础(解答题，易，30分) [题目] 用卡诺图化简下列函数，并写出最简与或表达式 (1)F(A.B.C.D)= + (2)F(A.B.C)=AC+ (3)F(A.B.C.D)= (0，2，3，7) (4)F(A.B.C.D)= (1，2，4，6，10，12，13，14)
(5)F(A.B.C.D)= (0，1，4，5，6，7，9，10，13，14，15) (6)F(A.B.C.D)= (0，2，4，7，8，10，12，13) (7)F(A.B.C.D)= (1，3，4，7，13，14)+ (2，5，12，15) (8)F(A.B.C.D)= (0，1，12，13，14)+ (6，7，15) (9)F(A.B.C.D)= (0，1，4，7，9，10，13)+ (2，5，8，12，15) (10)F(A.B.C.D)= (0，2，7，13，15)且 [参考答案] 卡诺图如下
第四章 习题 4.4 由两个与非门构成的基本RS 触发器的输入如图P4.4所示，画出Q 和Q 端的波形。 图 P4.4 4.5 由两个或非门构成的基本RS 触发器的输入波形如图P4.5所示，画出输出Q 和Q 的波形。 图 P4.5 4.6 图P4.6是一个防抖动输出的开关电路。当拨动开关S 时，由于开关触点接通瞬间发生振颤。 D S 和D R 的电压波形如图中所示，试画出Q 、Q 端对应的电压波形。
图P4.6 4.7 在同步RS触发器中，若CP、S、R的电压波形如图P4.7所示。画出Q和Q端的波形。设触发器的初始状态为Q=0。 图 P4.7 4.10 主从型JK触发器输入波形如图P4.10所示，画出输出端Q和Q的波形。设触发器初始状态Q=0。
4.11 主从型JK 触发器组成图P4.11（a ）所示电路，输入波形如图P4.11（b ）所示，画出各触 发器Q 端的波形。 （a ） 解：AB J 1 ，先画出J 的波形，然后画Q.。 4.12 主从型RS 触发器的CP 、S 、R 、D R 各输入的电压波形如图P4.12所示，画出端Q 和Q 端
对应的电压波形。 图 P4.12 4.14 维持阻塞D触发器构成图P4.14所示的电路，输入波形如图P4.14（b）所示。画出各触发器Q段的波形。触发器的初态均为0。 （b） 图 P4.14
4.16 上升沿触发的维持阻塞型D触发器74LS74组成图（a）所示电路，输入波形如图（b）所示，画出Q1和Q2的波形，设Q初态为0。 4.20 画出图P4.20电路在图中所示CP、 R信号作用下Q1、Q2、Q3的输出电压波形，并说明 D Q1、Q2、Q3输出信号的频率与CP信号频率之间的关系。 CP 1/2 1/4 Q Q Q 频率的 、1/8 。 、 和 的频率分别是 、 1 3 2
第一、二章数制转换及逻辑代数 一、完成下列数制转换 （11001）2=（）10；（32）10=（）2；（110101.01）2=（）10 （132.6）10=（）8421BCD； 二、试分别用反演规则和对偶规则写出下列逻辑函数的反函数式和对偶式。 1、Y=错误！未找到引用源。+CD 2、Y=错误！未找到引用源。C 3、Y=错误！未找到引用源。D 4、Y= A错误！未找到引用源。B 5、Y=A+错误！未找到引用源。 6、Y=ABC+错误！未找到引用源。错误！未找到引用源。 三、用公式法化简为最简与或式: 1、Y=错误！未找到引用源。C+错误！未找到引用源。A 2、Y=错误！未找到引用源。错误！未找到引用源。C+错误！未找到引用源。BC+A 错误！未找到引用源。C+ABC 3、Y=错误！未找到引用源。(A+B) 4、Y=A错误！未找到引用源。(C+D)+D+错误！未找到引用源。 5、C B C B B A B A Y+ + + = 四、证明利用公式法证明下列等式 1、错误！未找到引用源。错误！未找到引用源。+错误！未找到引用源。错误！未找到引用源。+BC+错误！未找到引用源。错误！未找到引用源。错误！未找到引用源。=错误！未找到引用源。+ BC 2、AB+BCD+错误！未找到引用源。C+错误！未找到引用源。C=AB+C 3、A错误！未找到引用源。+BD+CBE+错误！未找到引用源。A错误！未找到引用源。+D 4、AB+错误！未找到引用源。错误！未找到引用源。+ A错误！未找到引用源。+错误！未找到引用源。B=错误！未找到引用源。) 5、AB(C+D)+D+错误！未找到引用源。(A+B)(错误！未找到引用源。+错误！未找到引用源。)=A+B错误！未找到引用源。+D 五、用卡诺图化简函数为最简与-或表达式 1、Y（A，B，C，D）=错误！未找到引用源。B+错误！未找到引用源。C+错误！未找到引用源。错误！未找到引用源。+AD 2、Y（A，B，C，D）=错误！未找到引用源。错误！未找到引用源。C+AD+错误！未找到引用源。（B+C）+A错误！未找到引用源。+错误！未找到引用源。错误！未找到引用源。 3、Y（A，B，C，D）=错误！未找到引用源。 4、Y（A，B，C，D）=错误！未找到引用源。 六、选择题 1. 在N进制中，字符N的取值范围为：（） A．0 ~ N B．1 ~ N C．1 ~ N -1 D．0 ~ N-1 3. 二进制数1110111.11转换成十进制数是（） A．119. 125 B．119. 3 C．119 . 375 D．119.75 4、数字信号的特点是（） A．在时间上和幅值上都是连续的。B．在时间上是离散的，在幅值上是连续的。 C．在时间上是连续的，在幅值上是离散的。D．在时间上和幅值上都是不连续的。 5、下列各门电路符号中，不属于基本门电路的是（）
可编程逻辑器件数字电子技术第章存储器与可编程逻辑器件习题及答 案
第8章 存储器与可编程逻辑器件 8.1存储器概述 自测练习 1．存储器中可以保存的最小数据单位是（）。 2．（a）位（b）字节（c）字 3．指出下列存储器各有多少个基本存储单元？多少存储单元？多少字？字长多少？ （a）2K×8位（）（）（）（） （b）256×2位（）（）（）（） （c）1M×4位（）（）（）（） 3．ROM是（）存储器。 （a）非易失性（b）易失性 （c）读/写（d）以字节组织的 4．数据通过（）存储在存储器中。 （a）读操作（b）启动操作 （c）写操作（d）寻址操作 5．RAM给定地址中存储的数据在（）情况下会丢失。 （a）电源关闭（b）数据从该地址读出 2
（c）在该地址写入数据（d）答案（a）和（c） 6．具有256个地址的存储器有（）地址线。 （a）２５６条（b）６条（c）8条（d）16条 7．可以存储２５６字节数据的存储容量是（）。 （a）２５６×１位（b）２５６×８位 （c）１Ｋ×４位（d）２Ｋ×１位 答案： 1．a 2．（a）2048×8；2048；2048；8 （b）512；256；256；2 （c）1024×1024×4；1024×1024；1024×1024；4 3．a 4．c 5．d 6．c 7．b 8.2随机存取存储器（RAM） 自测练习 1.动态存储器（DRAM）存储单元是利用（）存储信息的，静态存储器（SRAM）存 储单元是利用（）存储信息的。
2.为了不丢失信息，DRAM必须定期进行（）操作。 3.半导体存储器按读、写功能可分成（）和（）两大类。 4.RAM电路通常由（）、（）和（）三部分组成。 5.6116RAM有（）根地址线，（）根数据线，其存储容量为（）位。 答案： 1．栅极电容，触发器 2．刷新 3．只读存储器，读/写存储器 4．地址译码，存储矩阵，读/写控制电路 5．11，8，2K×8位 8.3只读存储器（ROM） 自测练习 1．ROM可分为（）、（）、（）和（）几种类型。 2．ROM只读存储器的电路结构中包含（）、（）和（）共三个组成部分。 3．若将存储器的地址输入作为（），将数据输出作为（），则存储器可实现组合逻辑电路的功能。 4．掩膜ROM可实现的逻辑函数表达式形式是（）。 5．28256型EEPROM有（）根地址线，（）根数据线，其存储容量为（）位，是以字节数据存储信息的。 6．EPROM是利用（）擦除数据的，EEPROM是利用（）擦除数据的。 4
纵联保护依据的最基本原理是什么？ 答：纵联保护包括纵联比较式保护和纵联差动保护两大类，它是利用线路两端电气量在故障与非故障时、区内故障与区外故障时的特征差异构成保护的。纵联保护的基本原理是通过通信设施将两侧的保护装置联系起来，使每一侧的保护装置不仅反应其安装点的电气量，而且哈反应线路对侧另一保护安装处的电气量。通过对线路两侧电气量的比较和判断，可以快速、可靠地区分本线路内部任意点的短路与外部短路，达到有选择、快速切除全线路短路的目的。 纵联比较式保护通过比较线路两端故障功率方向或故障距离来区分区内故障与区外故障，当线路两侧的正方向元件或距离元件都动作时，判断为区内故障，保护立即动作跳闸；当任意一侧的正方向元件或距离元件不动作时，就判断为区外故障，两侧的保护都不跳闸。 纵联差动保护通过直接比较线路两端的电流或电流相位来判断是区内故障还是区外故障，在线路两侧均选定电流参考方向由母线指向被保护线路的情况下，区外故障时线路两侧电流大小相等，相位相反，其相量和或瞬时值之和都等于零；而在区内故障时，两侧电流相位基本一致，其相量和或瞬时值之和都等于故障点的故障电流，量值很大。所以通过检测两侧的电流的相量和或瞬时值之和，就可以区分区内故障与区外故障，区内故障时无需任何延时，立即跳闸；区外故障，可靠闭锁两侧保护，使之均不动作跳闸。 4.7 图4—30所示系统，线路全部配置闭锁式方向比较纵联保护，分析在K 点短 路时各端保护方向元件的动作情况，各线路保护的工作过程及结果。 A B C D 1E ?2E ? 123456k 答：当短路发生在B —C 线路的K 处时，保护2、5的功率方向为负，闭锁信号 持续存在，线路A —B 上保护1、2被保护2的闭锁信号闭锁，线路A —B 两侧 均不跳闸；保护5的闭锁信号将C —D 线路上保护5、6闭锁，非故障线路保护 不跳闸。故障线路B —C 上保护3、4功率方向全为正，均停发闭锁信号，它们 判定有正方向故障且没有收到闭锁信号，所以会立即动作跳闸，线路B —C 被切 除。 答：根据闭锁式方向纵联保护，功率方向为负的一侧发闭锁信号，跳闸条件是本 端保护元件动作，同时无闭锁信号。1保护本端元件动作，但有闭锁信号，故不 动作；2保护本端元件不动作，收到本端闭锁信号，故不动作；3保护本端元件 动作，无闭锁信号，故动作；4保护本端元件动作，无闭锁信号，故动作；5保 护本端元件不动作，收到本端闭锁信号，故不动作；6保护本端元件动作，但有 闭锁信号，故不动作。 4.10 图4—30所示系统，线路全部配置闭锁式方向比较纵联保护，在K 点短路 时，若A —B 和B —C 线路通道同时故障，保护将会出现何种情况？靠什么保护 动作切除故障？
1．二进制数（1011.1001）2转换为八进制数为 13.41 ，转换为十六进为 B9 。 2．数字电路按照是否具有记忆功能通常可分为两类：组合逻辑电路、时序逻辑电路。 3．已知逻辑函数F ＝A ⊕B ，它的与非-与非表达式为 A B A B ，或与非表达式 为 ()()A B A B ++ 。 4．5个变量可构成 32 个最小项，变量的每一种取值可使 1 个最小项的值为1。 5．555定时器构成的施密特触发器，若电源电压V CC ＝12V ，电压控制端经0.01μF 电容接地，则上触发电平U T+ ＝ 8 V ，下触发电平U T –＝ 4 V 。 6．逻辑函数的两种标准形式分别为 7．将2004个“1”异或起来得到的结果是 0 8．半导体存储器的结构主要包含三个部分，分别是地址译码器、存储矩阵、输出缓冲器 9．8位D/A 转换器当输入数字量10000000为5v 。若只有最低位为高电平，则输出电压为（ 0.039 ）v ；当输入为10001000，则输出电压为（ 5.31 ）v 。 10．就逐次逼近型和双积分型两种A/D 转换器而言，（双积分型）的抗干扰能力强，（逐次逼近型）的转换速度快。 11．由555定时器构成的三种电路中，（施密特触发器）和（单稳态触发器）是脉冲的整形电路。 12．与PAL 相比，GAL 器件有可编程的输出结构，它是通过对（结构控制字）进行编程设定其（输出逻辑宏单元）的工作模式来实现的，而且由于采用了（E 2CMOS ）的工艺结构，可以重复编程，使它的通用性很好，使用更为方便灵活。 13．逻辑函数有四种表示方法，它们分别是真值表、逻辑图、逻辑表达式、卡诺图。 14．将2004个“1”异或起来得到的结果是 0 。 15．目前我们所学的双极型集成电路和单极型集成电路的典型电路分别是（TTL ）电路和（CMOS ）电路。 16．施密特触发器有（两）个稳定状态.，多谐振荡器有（0）个稳定状态。 17．已知Intel2114是1K* 4位的RAM 集成电路芯片，它有地址线（10）条，数据线（4）条。 Y AB C =+)6,4,0()(,)7,5,3,2,1()(=∏===∑i M ABC Y i m ABC Y i i
第四章电气主接线最全答案 4-1 对电气主接线的基本要求是什么？ 答：对电气主接线的基本要求是：可靠性、灵活性和经济性。 其中保证供电可靠是电气主接线最基本的要求。灵活性包括：操作、调度、扩建的方便性。经济性包括：节省一次投资，占地面积小，电能损耗少。 4-2 隔离开关与断路器的区别何在？对它们的操作程序应遵循哪些重要原则？ 答：断路器具有专用灭弧装置，可以开断或闭合负荷电流和开断短路电流，故用来作为接通和切断电路的控制电器。而隔离开关没有灭弧装置，其开合电流极小，只能用来做设备停用后退出工作时断开电路。 4-3 防止隔离开关误操作通常采用哪些措施？ 答：为了防止隔离开关误操作，除严格按照规章实行操作票制度外，还应在隔离开关和相应的断路器之间加装电磁闭锁和机械闭锁装置或电脑钥匙。 4-4 主母线和旁路母线各起什么作用？设置专用旁路断路器和以母联断路器或者分段断路器兼作旁路断路器，各有什么特点？检修出线断路器时，如何操作？ 答：主母线主要用来汇集电能和分配电能。旁路母线主要用与配电装置检修短路器时不致中断回路而设计的。设置旁路短路器极大的提高了可靠性。而分段短路器兼旁路短路器的连接和母联短路器兼旁路断路器的接线，可以减少设备，节省投资。当出线和短路器需要检修时，先合上旁路短路器，检查旁路母线是否完好，如果旁路母线有故障，旁路断路器在合上后会自动断开，就不能使用旁路母线。如果旁路母线完好，旁路断路器在合上就不会断开，先合上出线的旁路隔离开关，然后断开出线的断路器，再断开两侧的隔离开关，有旁路短路器代替断路器工作，便可对短路器进行检修。 4-5 发电机-变压器单元接线中，在发电机和双绕作变压器之间通常不装设断路器，有何利弊？ 答：发电机和双绕组变压器之间通常不装设断路器，避免了由于额定电流或短路电流过大，使得在选择出口断路器时，受到制造条件或价格等原因造成的困难。但是，变压器或者厂用变压器发生故障时，除了跳主变压器高压侧出口断路器外，还需跳发电机磁场开关，若磁场开关拒跳，则会出现严重的后果，而当发电机定子绕组本身发生故障时，若变压吕高压侧失灵跳闸，则造成发电机和主变压器严重损坏。并且发电机一旦故障跳闸，机组将面临厂用电中断的威胁。
1、现有EPROM芯片2732（4KX8位），以及3-8译码器74LS138，各种门电路若干，要求在8088CPU上扩展容量为16KX8 EPROM内存，要求采用部分译码， 不使用高位地址线A 19、A 18 、A 15 ，选取其中连续、好用又不冲突的一组地址，要 求首地址为20000H。请回答： 1）2732的芯片地址线、数据线位数是多少？（2分）2）组成16KX8需要2732芯片多少片？（1分） 3）写出各芯片的地址范围。（4分）
1）地址线12根，数据线8根； 2）4片； 3）1# 20000H~20FFFH 2# 21000H~21FFFH 3# 22000H~22FFFH 4# 23000H~23FFFH 2、有一个2732EPROM（4KX8）芯片的译码电路如下图所示,试求: ①计算2732芯片的存储容量； ②给出2732芯片的地址范围； ③是否存在地址重叠区? ① 4KB ②08000H---09FFFH ③存在重叠区08000H---08FFFH 09000H---09FFFH 3、某CPU有地址线16根（A0~A15）,数据线8根（D0~D7）及控制信号RD、WR、MERQ(存储器选通)、IORQ(接口选通)。如图所示，利用RAM芯片2114（1KX4）扩展成2KX8的内存，请写出芯片组1和芯片组2的地址范围。
1 G MERQ 11A 12A 13 A 14A 15A & A G 2 B G 21 Y C 13874LS B 0 Y 1#2114 CS 2#2114 CS 3#2114 CS 4#2114 CS 第1组 第2组 WR RD 47~D D 0 9~A A 03~D D A 10 A 答：第1组：C000H~C3FFH 第2组：C400H~C7FFH
第四章 习题与思考题 ◆◆ 习题 4-1 在图P4-1所示互补对称电路中，已知V CC 为6V ，R L 为8Ω，假设三极管的饱和管压降U CES ＝1V ， ① 试估算电路的最大输出功率P om ； ② 估算电路中直流电源消耗的功率P V 和效率η。 解：① W W R U V P L cem CC om 563.18 2)16(2)(2 2≈?-=-= 如忽略U CES ，则 W W R V P L CC om 25.28 2622 2=?=≈ ② W W R V P L CC V 865.28 6222 2≈??=≈ππ %55.54865 .2563.1≈==V om P P η 如忽略U CES ，则%53.78865.225.2≈== V om P P η 此题的意图是理解OCL 互补对称放大电路的P om 和P V 的估算方法。 ◆◆ 习题 4-2 在图P4-1所示的电路中： ① 三极管的最大功耗等于多少？ ② 流过三极管的最大集电极电流等于多少？ ③ 三极管集电极和发射极之间承受的最大电压等于多少? ④ 为了在负载上得到最大输出功率P om ，输入端应加上的正弦电压有效值大约等于多少？ 解：① W W P P om CM 45.025.22.02.0=?=> ② A A R V I L CC CM 75.08 6==> ③ V V V U CC CEO BR 12622)(=?=> ④ 因为互补对称电路中无论哪个三极管导电，电路均工作在射极跟随器状态，1≈u A ，而略小于1，故V V V U U CC cem i 24.426 22≈=≈≈。 本题的意图是了解OCL 互补对称电路中功率三极管极限参数的估算方法。
通信 071~5 班 20 08 ~20 09 学年 第 二 学期 《数字电子技术基 础》 课试卷 试卷类型： A 卷 一、 单项选择题（每小题2分，共24分） 1、8421BCD 码01101001.01110001转换为十进制数是：（ ） A ：78.16 B ：24.25 C ：69.71 D ：54.56 2、最简与或式的标准是：（ ） A ：表达式中乘积项最多，且每个乘积项的变量个数最多 B ：表达式中乘积项最少，且每个乘积项的变量个数最多 C ：表达式中乘积项最少，且每个乘积项的变量个数最少 D ：表达式中乘积项最多，且每个乘积项的变量个数最多 3、用逻辑函数卡诺图化简中，四个相邻项可合并为一项,它能：（ ） A ：消去1个表现形式不同的变量，保留相同变量 B ：消去2个表现形式不同的变量，保留相同变量 C ：消去3个表现形式不同的变量，保留相同变量 表1 D ：消去4个表现形式不同的变量，保留相同变量 4、已知真值表如表1所示，则其逻辑表达式为：（ ） A ：A ⊕B ⊕C B ：AB + BC C ：AB + BC D ：ABC （A+B+C ） 5、函数F(A ，B ，C)=AB+BC+AC 的最小项表达式为：（ ） A ：F(A,B,C)=∑m （0，2，4） B ：F(A,B,C)=∑m （3，5，6，7） C ：F(A,B,C)=∑m （0，2，3，4） D ：F(A,B,C)=∑m （2，4，6，7） 6、欲将一个移位寄存器中的二进制数乘以（32）10需要（ ）个移位脉冲。 A ：32 B ： 10 C ：5 D ： 6 7、已知74LS138译码器的输入三个使能端（E 1=1，E 2A =E 2B =0）时，地址码A 2A 1A 0=011，则输出Y 7 ～Y 0是：（ ） A ：11111101 B ：10111111 C ：11110111 D ：11111111 8、要实现n 1n Q Q =+，JK 触发器的J 、K 取值应是：（ ） A ：J=0，K=0 B ：J=0，K=1 C ：J=1，K=0 D ：J=1，K=1
1．将二进制数化为等值的十进制和十六进制： (1100101)2=( 101 )10 =( 65 )16 2．写出下列二进制数的原码和补码： (-1011)2=( 11011 )原=( 10101 )补 Y的电平依次为3．输出低电平有效的3线– 8线译码器的输入为110时,其8个输出端0 7~Y 10111111 。 *； 4．写出J、K触发器的特性方程：Q Q+ = Q K J 5. TTL集电极开路门必须外接__上拉电阻______才能正常工作。 1．余3码10001000对应的8421码为（A ）。 A．01010101 B.10000101 C.10111011 D.11101011 2.使逻辑函数) B A B =为0的逻辑变量组合为( D ) C + + F+ (C A ' ' )( ' ' )( A. ABC=000 B. ABC=010 C. ABC=011 D. ABC=110 3．标准或-与式是由（ C ）构成的逻辑表达式。 A．与项相或 B. 最小项相或 C. 最大项相与 D.或项相与 4. 由或非门构成的基本R、Ｓ触发器，则其输入端R、S应满足的约束条件为（B）。 Ａ. R+S=０Ｂ. RS=０Ｃ. R+S=１Ｄ.RS=１ 5．一个8选一数据选择器的地址输入端有（C ）个。 A.1 B.2 C.3 D.8 6．RAM的地址线为16条，字长为32，则此RAM的容量为（ D ）。 A．16×32 位 B. 16K×32位 C. 32K×32位 D.64K×32位 7．要使JK触发器在时钟作用下的次态与现态相反，JK端取值应为（D ）。 A．JK=00 B. JK=01 C. JK=10 D. JK=11 8. 用８个触发器可以记忆（ D ）种不同状态． A．8 B．16 C．128 D．256 9. 多谐振荡器可以产生下列哪种波形( B ) A.正弦波 B.矩形脉冲 C.三角波 D.锯齿波 10．输出在每个时钟周期翻转一次的触发器是（ A ）。
第4章 集成运算放大电路 自测题 一、选择合适答案填入空内。 (1)集成运放电路采用直接耦合方式是因为( C )。 A.可获得很大的放大倍数 B.可使温漂小 C.集成工艺难于制造大容量电容 (2)通用型集成运放适用于放大( B )。 A.高频信号 B.低频信号 C.任何频率信号 (3)集成运放制造工艺使得同类半导体管的( C )。 A.指标参数准确 B.参数不受温度影响 C.参数一直性好 (4)集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以( A )。 A.减小温漂 B.增大放大倍数 C.提高输入电阻 (5)为增大电压放大倍数,集成运放的中间级多采用( A )。 A.共射放大电路 B.共集放大电路 C.共基放大电路 二、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果。 (1)运放的输入失调电压U IO 是两输入端电位之差。( × ) (2)运放的输入失调电流I IO 是两输入端电流之差。( √ ) (3)运放的共模抑制比c d CMR A A K = 。( √ ) (4)有源负载可以增大放大电路的输出电流。( √ ) (5)在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。( × ) 三、电路如图 所示，已知β1＝β2＝β3= 100 。各管的U BE 均为 , 试求I C 2的值。 解：分析估算如下： 21 100CC BE BE R V U U I A R μ--= = 00202211B B B B I I I I ββ ββ ++= =++； 020 2( )1R B B B I I I I β βββ+=+=++ 图 22021C B B I I I β ββ β +==?+。比较上两式，得 2(2) 1002(1) C R R I I I A ββμβββ+= ?≈=+++ 四、电路如图所示。
清华大学数字电路题库 一、填空题 : （每空1分，共10分） 1． (30.25) 10 = ( ) 2 = ( ) 16 。 2 . 逻辑函数L = + A+ B+ C +D = 。 3 . 三态门输出的三种状态分别为：、和。 4 . 主从型JK触发器的特性方程= 。 5 . 用4个触发器可以存储位二进制数。 6 . 存储容量为4K×8位的RAM存储器，其地址线为条、数据线为条。 二、选择题： (选择一个正确的答案填入括号内，每题3分，共30分 ) 1.设下图中所有触发器的初始状态皆为0，找出图中触发器在时钟信号作用下,输出电压波形恒为0的是：（）图。 2.下列几种TTL电路中，输出端可实现线与功能的电路是（）。 A、或非门 B、与非门 C、异或门 D、OC门 3.对CMOS与非门电路，其多余输入端正确的处理方法是（）。 A、通过大电阻接地（>1.5KΩ） B、悬空 C、通过小电阻接地（<1KΩ）
B、 D、通过电阻接V CC 4.图2所示电路为由555定时器构成的（）。 A、施密特触发器 B、多谐振荡器 C、单稳态触发器 D、T触发器 5.请判断以下哪个电路不是时序逻辑电路（）。 A、计数器 B、寄存器 C、译码器 D、触发器 6．下列几种A/D转换器中，转换速度最快的是（）。 A、并行A/D转换器 B、计数型A/D转换器 C、逐次渐进型A/D转换器 B、 D、双积分A/D转换器 7．某电路的输入波形 u I 和输出波形 u O 如下图所示，则该电路为（）。 A、施密特触发器 B、反相器 C、单稳态触发器 D、JK触发器 8．要将方波脉冲的周期扩展10倍，可采用（）。 A、10级施密特触发器 B、10位二进制计数器 C、十进制计数器 B、D、10位D/A转换器 9、已知逻辑函数与其相等的函数为（）。 A、 B、 C、 D、 10、一个数据选择器的地址输入端有3个时，最多可以有（）个数据信号输出。 A、4 B、6 C、8 D、16 三、逻辑函数化简（每题5分，共10分） 1、用代数法化简为最简与或式 Y= A +
自我检测题 1．在存储器结构中，什么是“字”什么是“字长”，如何表示存储器的容量 解：采用同一个地址存放的一组二进制数，称为字。字的位数称为字长。习惯上用总的位数来表示存储器的容量，一个具有n字、每字m位的存储器，其容量一般可表示为n ×m位。 2．试述RAM和ROM的区别。 解：RAM称为随机存储器，在工作中既允许随时从指定单元内读出信息，也可以随时将信息写入指定单元，最大的优点是读写方便。但是掉电后数据丢失。 ROM在正常工作状态下只能从中读取数据，不能快速、随时地修改或重新写入数据，内部信息通常在制造过程或使用前写入， 3．试述SRAM和DRAM的区别。 解：SRAM通常采用锁存器构成存储单元，利用锁存器的双稳态结构，数据一旦被写入就能够稳定地保持下去。动态存储器则是以电容为存储单元，利用对电容器的充放电来存储信息，例如电容器含有电荷表示状态1，无电荷表示状态0。根据DRAM的机理，电容内部的电荷需要维持在一定的水平才能保证内部信息的正确性。因此，DRAM在使用时需要定时地进行信息刷新，不允许由于电容漏电导致数据信息逐渐减弱或消失。 4．与SRAM相比，闪烁存储器有何主要优点 解：容量大，掉电后数据不会丢失。 5．用ROM实现两个4位二进制数相乘，试问：该ROM需要有多少根地址线多少根数据线其存储容量为多少 解：8根地址线，8根数据线。其容量为256×8。 6．简答以下问题： （1）CPLD和FPGA有什么不同 FPGA可以达到比 CPLD更高的集成度，同时也具有更复杂的布线结构和逻辑实现。FPGA 更适合于触发器丰富的结构，而 CPLD更适合于触发器有限而积项丰富的结构。 在编程上 FPGA比 CPLD具有更大的灵活性；CPLD功耗要比 FPGA大；且集成度越高越明显；CPLD比 FPGA有较高的速度和较大的时间可预测性，产品可以给出引脚到引脚的最大延迟时间。CPLD的编程工艺采用 E2 CPLD的编程工艺，无需外部存储器芯片，使用简单，保密性好。而基于 SRAM编程的FPGA,其编程信息需存放在外部存储器上，需外部存储器芯片 ,且使用方法复杂，保密性差。 （2）写出三家CPLD/FPGA生产商名字。 Altera，lattice，xilinx，actel 7．真值表如表所示，如从存储器的角度去理解，AB应看为地址，F0F1F2F3应看为数据。 表
4-2 试用外施电源法求图题4-2 所示含源单口网络VCR ，并绘出伏安特性曲线。 解：图中u 可认为是外加电压源的电压。 根据图中u 所示的参考方向。可列出 (3)(6)(5)20(9)50u i i A V A i V =Ω+Ω++=+ 4-5试设法利用置换定理求解图题4-5所示电路中的电压0u 。何处划分为好？置换时用电压源还是电流源为好？ 解：试从下图虚线处将电路划分成两部分，对网路N 1有（节点法） 111 1 9 67 (11)u u u u i ???+-=? ?+????-++=-? 整理得： 1511714u i =-
对网络2N 有 251133 u i i i =?+?= 解得3i A =，用3A 电流源置换N 1较为方便，置换后利用分流关系，可得： ()121031V 1V u +=??= 4-9 求图题4-7所示电路的输入电阻R i ，已知0.99α= 解： 施加电源t u 于输入端可列出网孔方程： 12335121(25100)100 (1) 100(100100101010)100.990(2) t i i u i i i +-=-++?+?-?= 将(2)代入(1)得135t i u R i = =Ω 4-14求图题4-10所示各电路的等效电路。 解
解： 图(a):因电压的计算与路径无关，所以 [5(1)]4(13)4ad ac cd ad ab bd u u u V V u u u V V =+=---=-=+=--=- 图(b): 流出a 点的电流(521)8a i A =++=，流入b 点多的电流(541)8b i A =+-=。所以ab 之间的等效电路为8A 的电流源，电流从b 端流出。 图(c):导线短接。 4-23 电路如图题4-15 所示，已知非线性元件A 的VCR 为2u i =。试求u ，i ，i 1.
考点 一 进制转换 1、（11101001）2=（ 233 ）10=（ E9 ）16 2、二进制码11100001表示的十进制数为 （ 225 ） ，相应的8421BCD 码为 （001000100101 ）。 3．（406）10= （ 010*********）8421BCD 十进制数(75)10的8421BCD 编码是 01110101 。 4．(00101101)2 = ( 45 )10 = ( 01000101 )8421BCD 。 5、(1001.0110)B=( 9.6 )H 6．（01101001）2=（ 105 ）10=（ 69 ）16 7、十六进制数（7E.5C ）16等值的二进制数为（01111110.01011100）2,等值的八 进制数为（176.270）8 8（37）10=（100101）2=（ 25 ）16 9.(B4)16 ，（178）10， (10110000)2中最大数为(B4)16，最小数为_(10110000)2 10将十进制数287转换成二进制数是100011111；十六进制数是11F 。、 11位十六进制数转化为二进制数有_20_位 12十进制数238转换成二进制数是_11101110_；十六进制数是_ EE _。 13．(33)10=( 21 )16=( 100001 )2 14. 将十进制数45转换成十六进制为 (2D)16 。 15二进制数A=1011010，B=10111，则A-B= 1000011 。 16十进制数228转换成二进制数是＿(11100100)2＿；十六进制数是＿(E4)16 ＿. 考点2 触发器的种类及特征方程 重点 1．根据触发器功能的不同，可将触发器分成四种，分别是 RS 触发器、 JK 触发器、 T 触发器和 D 触发器。对于上升沿触发的D 触发器，它的 次态仅取决于CP__上升_沿到达时___D___的状态。 2、D 触发器的特征方程为（ n n D Q =+1 ） ，JK 触发器的特征方程为 （n n n Q K Q J Q +=+1 ），T 触发器的特征方程为 RS 触发器的特性方程为Q n+1=n Q R S R S ?+；约束方程为_RS=0__。 若将D 触发器转换成T 触发器，则应令D= T Q n ⊕ 3、对边沿JK 触发器，若现态为0时，若要次态为1有K= 0 ，J= 1和 K= 1 ，J= 1 两种方法。 3．对边沿JK 触发器，若现态为1时，若要次态为1有K= 0 ，J= 1 和K= 0 ，
第四章电位分析法习 题解答
第四章电位分析法 1．M1| M1n+|| M2m+| M2在上述电池的图解表示式中，规定左边的电极为( ) (1) 正极 (2) 参比电极 (3) 阴极 (4) 阳极 解：(4) 2. 下列强电解质溶液在无限稀释时的摩尔电导λ∞/S·m2·mol-1分别为： λ∞(NH4Cl)=1.499×10-2，λ∞(NaOH)=2.487×10-2，λ∞(NaCl)=1.265×10-2。所以NH3·H2O 溶液的λ∞(NH4OH) /S·m2·mol-1为( ) (1) 2.721×10-2 (2) 2.253×10-2 (3) 9.88 ×10-2 (4) 1.243×10-2 解：(1) 3．钾离子选择电极的选择性系数为，当用该电极测浓度为 1.0×10-5mol/L K+，浓度为 1.0×10-2mol/L Mg溶液时，由 Mg引起的 K+测定误差为( ) (1) 0.00018% (2) 1.34% (3) 1.8% (4) 3.6% 解：(3) 4. 利用选择性系数可以估计干扰离子带来的误差，若,干扰离子的浓度为0.1mol/L，被测离子的浓度为 0.2mol/L，其百分误差为(i、j均为一价离子)( ) (1) 2.5 (2) 5 (3) 10 (4) 20 解：(1) 5．下列说法中正确的是:
晶体膜碘离子选择电极的电位( ) (1) 随试液中银离子浓度的增高向正方向变化 (2) 随试液中碘离子浓度的增高向正方向变化 (3) 与试液中银离子的浓度无关 (4) 与试液中氰离子的浓度无关 解：(1) 6．玻璃膜钠离子选择电极对氢离子的电位选择性系数为 100，当钠电极用于测定1×10-5mol/L Na+时，要满足测定的相对误差小于 1%，则试液的 pH 应当控制在大于 ( ) (1) 3 (2) 5 (3) 7 (4) 9 解：(4) 7．离子选择电极的电位选择性系数可用于( ) (1) 估计电极的检测限 (2) 估计共存离子的干扰程度 (3) 校正方法误差 (4) 计算电极的响应斜率 解：(2) 8．在电位滴定中，以?E/?V－V（?为电位，V为滴定剂体积）作图绘制滴定曲线, 滴定终点为：( ) (1) 曲线的最大斜率（最正值）点 (2) 曲线的最小斜率（最负值）点 (3) 曲线的斜率为零时的点
1 EEPROM是指（D ）。 A 读写存储器 B 只读存储器 C 闪速存储器 D 电擦除可编程只读存储器 2 常用的虚拟存储系统由（ B ）两级存储器组成，其中辅存是大容量的磁表面存储器。 A cache-主存 B 主存-辅存 C cache-辅存 D 通用寄存器 -cache 3 某计算机字长32位，其存储容量为256MB，若按单字编址，它的寻址范围是（ D ）。 A 64M B B 32MB C 32M D 64M 4 主存贮器和CPU之间增加cache的目的是（ A ）。 A 解决CPU和主存之间的速度匹配问题 B 扩大主存贮器容量 C 扩大CPU中通用寄存器的数量 D 既扩大主存贮器容量，又扩大CPU中通用寄存器的数量 5 某DRAM芯片，其存储容量为512K×8位，该芯片的地址线和数据线的数目是（ D ）。512 * 1024 B A 8，512 B 512，8 C 18，8 D 19，8 6 交叉存储器实质上是一种多模块存储器，它用（ A ）方式执行多个独立的读写操作。 A 流水 B 资源重复 C 顺序 D 资源共享 7某微型计算机系统，其操作系统保存在硬磁盘上，其内存储器应该采用（C ） A RAM B ROM C RAM和ROM D CCD 8 某SRAM芯片，其容量为1M×8位，除电源和接地端外，控制端有E和R/W#，该芯片的管脚引出线数目是（ D ）。 A 20 B 28 C 30 D 32 9 双端口存储器所以能进行高速读/写操作，是因为采用（ D ）。 A 高速芯片 B 新型器件 C 流水技术 D 两套相互独立的读写电路 10 存储单元是指（B ）。 A 存放1个二进制信息位的存储元 B 存放1个机器字的所有存储元集合 C 存放1个字节的所有存储元集合 D 存放2个字节的所有存储元集合