SDRAM内存使用3.3V供电，DDR内存使用2.5V供电。使用SDRAM内存的主板，常见的都是直接由ATX电源供电，只有少数高档主板上才采用独立供电。如图5-1所示，用万用表测量电源插座的第1脚与SDRAM内存插槽3.3V电源输入脚，它们之间是直通的。
而使用DDR内存的主板，都设计有独立的内存供电电路。
内存供电电路工作原理
内存供电电路人多采用集成运算放大器驱动场效应管的方式，其供电原理如图5-2所示，内存供电实际电路如图5-3所示。
图5-2内存供电电路的原理是这样的：从A点取得2.5V的基准电压进入到运算放大器的同相输入端IN+，运算放大器将IN+与IN-的电压相比较，如果IN+的电压大于IN-的电压，那么OUT的电压上升，OUT的电压上升使得Q1场效应管进一步导通，漏极（D）与源极（S）之间的管压降下降，使得B点的电压上升。通过反馈，IN-的电压也上升，直到IN+=IN-，也就是IN+=B 。这个过程可以简单地描述为：
（IN+>IN-）→（OUT ↑）→（DS ↓）→（B ↑）→（IN-↑），直到IN+=IN-。
同理，当IN+ （IN+ 这个电路通过反馈比较，间接地控制B点的电压与基准电压相等，因此有时也称运算放大器为比较放大器。 要使B点的电压稳定，必须保证A点的电压稳定，也就是要求基准电压要稳定。在图5-2的电路中，根据串联电路分压的原理，电阻两端的电压与其阻值的大小成正比，可以算出A点对地的电压为： 3.3V×（3.24K/（IK+3.24K》≈2.5V这是使用最简单的串联分压方法取得2.5V的基准电压。这种串联分压电路的缺点是当3.3V的电压波动时，基准电压也会跟着波动，所以有的内存供电电路使用TL431（三端可调分流式电压基准源）来提供基准电压，如图5-4所示。 那么TL431是如何提供2.5V稳定电压的？请看TL431的典型接法，如图5-5左边电路所示。 按照典型接法，根据TL431内部电路设计，输出电压与R2、R3有关，由下面的公式得出： Vout=（R2+R3）×2.5V/R3当R2=0时，上面的公式则变成： Vout = （O+R3） x 2.5V/R3=2.5V 也就是说当R2=0时，R3可以忽略。 当R2=0（相当于将R2两端短接），且忽略R3时，就可以由典型接法演变出直接输出2.5V 的接法，如图5-5右边电路所示。 还有另一种内存供电电路，它是使用W83301DR或W83301R系列芯片驱动场效应管给内存供电，这种芯片同时还能组成内存总线终结电路。图5-6所示为由W83301DR-O组成的内存供电电路及内存总线终结上拉电路。图5-7为由W83301DR-O组成的内存供电实际电路。 Q1漏极的3.3V电压由芯片控制Q6、 Q7供给，Q2漏极的电压从Q1源极取得。内存供电Vstr1与内存总线终结控制Vstr2的电压由Vset2和Vset3设置，它们之间的关系如表5-1所示。 由表5-1 对于内存无供电或供电不正常的故障，下面以图5-8所示的原理图来进行讲解 首先观察C2电解电容有无爆浆的现象，如有则应更换电容。 观察Q1场效应管有无烧焦痕迹，如有则更换场效应管。还可以用手触摸场效应管，感觉一下是不是特别烫手，如是则应更换之。 测量B点（Q1源极）有2.5V电压输出（SDRAM内存供电为3.3V），如果电压正常，但内存检测不通过，通常是C2电解电容失效或内存插槽接触不良所致，此时应更换C2或内存插槽。 如果B点无电压，检测Q1的漏极是否有供给电压以及栅极是否有控制电压，如漏极、栅极电压正常，通常为Q1损坏，应更换之。如漏极无电压，则应检查3.3V供电线路。 如栅极无电压，则是LM324芯片部分电路有问题。检测LM324的第12脚（IN+）是否有2.5V电压输入（SDRAM内存供电为3.3V），如无，则应检查提供基准电压的电路。如有基准电压，检测LM324的第4脚是否有12V电压，如有，则是LM324已损坏，如无，则应检查12 V供电线路。 检测流程图如图5-9所示。 为了保证所保存的数据不丢失，DRAM必须定时进行刷新，DDR3也不例外。 为了最大的节省电力，DDR3采用了一种新型的自动自刷新设计（ASR，Automatic Self-Refresh）。当开始ASR之后，将通过一个内置于DRAM芯片的温度传感器来控制刷新的频率，因为刷新频率高的话，消电就大，温度也随之升高。而温度传感器则在保证数据不丢失的情况下，尽量减少刷新频率，降低工作温度。不过DDR3的ASR是可选设计，并不见得市场上的DDR3内存都支持这一功能，因此还有一个附加的功能就是自刷新温度范围（SRT，Self-Refresh Temperature）。通过模式寄存器，可以选择两个温度范围，一个是普通的的温度范围（例如0℃至85℃），另一个是扩展温度范围，比如最高到95℃。对于DRAM内部设定的这两种温度范围，DRAM将以恒定的频率和电流进行刷新操作。 局部自刷新（RASR，Partial Array Self-Refresh）这是DDR3的一个可选项，通过这一功能，DDR3内存芯片可以只刷新部分逻辑Bank，而不是全部刷新，从而最大限度的减少因自刷新产生的电力消耗。这一点与移动型内存（Mobile DRAM）的设计很相似 FBD、XDR、XDR2内存概述 来自(https://www.doczj.com/doc/c19769720.html,/) 2009-07-14 1．FBD内存 FBD即Fully-buffer DIMM（全缓存模组技术），它是一种串行传输技术，可以提升内存的容量和传输带宽.是Intel在DDR2、DDR3的基础上发展出来的一种新型内存模组与互联架构，既可以搭配现在的DDR2内存芯片，也可以搭配未来的DDR3内存芯片。FB-DIMM可以极大地提升系统内存带宽并且极大地增加内存最大容量。 FB-DIMM与XDR相比较，虽然性能不及全新架构的XDR，但成本却比XDR要低廉得多。与现有的普通DDR2内存相比，FB-DIMM技术具有极大的优势:在内存频率相同的情况下目前能提供四倍于普通内存的带宽，并且能支持的最大内存容量也达到了普通内存的24倍，系统最大能支持192GB内存。FB-DIMM最大的特点就是采用已有的DDR2内存芯片(以后还将采用DDR3内存芯片)，但它借助内存PCB上的一个缓冲芯片AMB(Advanced Memory Buffer，高级内存缓冲)将并行数据转换为串行数据流，并经由类似PCI Express 的点对点高速串行总线将数据传输给处理器。 与普通的DIMM模块技术相比，FB-DIMM与内存控制器之间的数据与命令传输不再是传统设计的并行线路，而采用了类似于PCI-Express的串行接口多路并联的设计，以串行的方式进行数据传输。在这种新型架构中，每个DIMM上的缓冲区是互相串联的，之间是点对点的连接方式，数据会在经过第一个缓冲区后传向下一个缓冲区，这样，第一个缓冲区和内存控制器之间的连接阻抗就能始终保持稳定，从而有助于容量与频率的提升。 2．XDR内存 XDR就是“eXtreme Data Rate”的缩写，这是Rambus的黄石的最终名称。XDR将Rambus之前公布了一系列新技术集中到了一起，新技术不仅带来了新的内存控制器设计和DRAM模块设计，同时可以工作在相当高的频率，带来让人难以置信的带宽。 XDR内存比较有意思，这次架构同目前实际使用的DDR、DDR II并没有太大的差别，但XDR却依旧拥有自己的知识产权。XDR在今年年内会有样品出现，明年中后期正式推广，同原来一样三星依旧是RAMBUS 2018年5大可视化BI工具选型对比分析 2018年5大可视化BI工具选型对比分析 如今，有大量功能强大的可视化工具和BI工具能快速的实现数据可视化，帮助业务分析推动决策。 在本文中，5类BI可视化工具（QlikView、Tableau、Power BI、帆软FineBI 和Google Data Studio）的特性、优点和缺点。主要比较它们的关键参数，包括可用性、设置、价格、支持、维护、自助服务功能、不同数据类型的支持等。 一、QlikView QlikView是一种将用户作为数据接收者的解决方案。它允许用户在工作流程中探索和发现数据，这与开发人员在处理数据时的工作方式类似。为了保持数据探索和可视化方法的灵活性，该软件致力于维护数据之间的关联。这可以帮助最终用户发现您的数据，即使这些搜索项目的来源是令人难以置信的，这些数据也会提醒您检索相关项目。 QlikView比较灵活，展示样式多样。它允许设置和调整每个对象的每个小方面，并自定义可视化和仪表板的外观。QlikView数据文件(QVD文件)概念的引入，一定程度上取代了ETL工具的功能，拥有可集成的ETL（提取，转换，加载）引擎，能够执行普通的数据清理操作，但是这可能会很昂贵。 1.产品差异化 Qlikview的设计是在avant-garde预构建的仪表板应用程序和联想仪表板的基础上开发的，这些应用程序既创新又直观易用。由于具有先进的搜索功能，它还提供了避免使用数据仓库和使用关联仪表板在内存中提取数据的功能。 2.特征 Qlikview的独特性和灵活性的完美结合使其在其他BI供应商中占有一席之地，并为各行各业处理了大量不同规模的业务提供各种有用的应用程序。 其中一个特点是QlikView能够自动关联数据：识别集合中各种数据项之间的关系，无需手动建模。 另一个特性，Qlikview处理数据输入，是将其保存在多个用户的内存中，即保存在服务器的RAM中。这样可以加快查询速度，从而加快数据探索速度，并改 笔记本电脑供电电路故障的诊断方法 笔记本电脑的主板供电电路是笔记本电脑不可或缺的一部分，其出现问题通常会导致不能开机、自动重启以及死机等种种故障现象的产生。 学习笔记本电脑主板供电电路故障的诊断与排除，首先应掌握其基本工作原理，其次要对主板供电电路出现问题后导致的常见故障现象进行了解，最后要不断总结和学习主板供电电路的检修经验和方法。 1 笔记本电脑主板供电电路基本知识 笔记本电脑主板的供电方式有两种，一种是笔记本电脑采用的专用可充电电池供电，另一种是能够将220V市电转换为十几伏或二十几伏供电的电源适配器供电。笔记本电脑的专用可充电池提供的供电电压通常要低于电源适配器的输入供电电压。 无论是笔记本电脑的专用可充电电池还是电源适配器，其输入笔记本电脑主板上的供电并不能被所有芯片、电路以及硬件设备等直接采用，这是因为笔记本电脑主板上的各部分功能模块和硬件设备对电流和电压的要求不同，其必须经过相应的供电转换后才能被采用。所以，笔记本电脑主板上的各种供电转换电路，成为了笔记本电脑不可或缺的一部分。同时，笔记本电脑的主板供电电路出现问题后，就会导致不能开机、自动重启以及死机等种种故障现象的产生。 学习笔记本电脑主板供电电路故障的诊断与排除方法，必须首先掌握其工作原理和常见故障现象，这样才能够在笔记本电脑的检修过程中做到故障分析合理、故障排除迅速且准确。 1.1笔记本电脑主板供电机制 笔记本电脑主板上的供电转换电路主要采用开关稳压电源和线性稳压电源两种。 开关稳压电源是笔记本电脑主板中应用最为广泛的一种供电转换电路。笔记本电脑主板上的系统供电电路、CPU供电电路、芯片组供电电路以及内存和显卡供电电路中，都广泛采用了开关稳压电源。 开关稳压电源利用现代电子技术，通过电源控制芯片发送控制信号控制电子开关器件（如场效应管）的“导通”和“截止”，对输入供电进行脉冲调制，从而实现供电转换以及自动稳压和输出可调电压的功能。 笔记本电脑主板上应用的开关稳压电源电路通常由电源控制芯片、场效应管、滤波电容器、储能电感器以及电阻器等电子元器件组成。 电力电子电路分析与仿真 实验报告 学院：哈尔滨理工大学荣成学院 专业： 班级： 姓名： 学号： 年月日 实验1降压变换器 一、实验目的： 设计一个降压变换器，输入电压为220V，输出电压为50V，纹波电压为输出电压的0.2%，负载电阻为20欧，工作频率分别为220kHz。 二、实验内容： 1、设计参数。 2、建立仿真模型。 3、仿真结果与分析。 三、实验用设备仪器及材料： MATLAB仿真软件 四、实验原理图： 五、实验方法及步骤： 1．建立一个仿真模型的新文件。在MATLAB的菜单栏上点击File，选择New，再在弹出菜单中选择Model，这时出现一个空白的仿真平台，在这个平台上可以绘制电路的仿真模型。 2．提取电路元器件模块。在仿真模型窗口的菜单上点击Simulink调出模型库浏览器，在模型库中提取所需的模块放到仿真窗口。 3．仿真模型如图所示。 六、参数设置 七、仿真结果分析 实验2升压变换器 一、实验目的： 将一个输入电压在3~6V的不稳定电源升压到稳定的15V，纹波电压低于0.2%，负载电阻10欧，开关管选择MOSFET，开关频率为40kHz,要求电感电流连续。 二、实验内容： 1、设计参数。 2、建立仿真模型。 3、仿真结果与分析。 三、实验用设备仪器及材料： MATLAB仿真软件 五、实验原理图： 五、实验方法及步骤： 1．建立一个仿真模型的新文件。在MATLAB的菜单栏上点击File，选择New，再在弹出菜单中选择Model，这时出现一个空白的仿真平台，在这个平台上可以绘制电路的仿真模型。 2．提取电路元器件模块。在仿真模型窗口的菜单上点击Simulink调出模型库浏览器，在模型库中提取所需的模块放到仿真窗口。 笔记本内存安装详细图解 笔记本内存安装之所以显得那么神秘，主要是因为大家接触得太少的缘故。相信只要装过一次，大家就会熟悉起来。 安装笔记本的内存，请在断电情况下进行，并先拆掉电池，如果在冬天，手摸水管或洗手放掉静电。因各笔记本构造不尽相同，本文仅供参考，请根据自己笔记本情况判断是否适合，因安装不当，造成的一切后果，与本人无关。 温馨小贴士：内存现有SDR,DDR,DDR2,DDR3之分，各种内存不能混用，购买前请确定自己的机器是用的什么类型内存，如果不能确定，可以用CPU-Z这个软件检测一下,如果你没有这软件,可以上百度搜一下后自行下载。 内存条 内存条小常识： PC 2100是DDR 266内存 PC 2700是DDR 333内存 PC 3200是DDR 400内存 PC2 4200是DDR2 533内存 PC2 4300是DDR2 533内存 PC2 5300是DDR2 667内存 PC3 6400是DDR2 800内存 PC3 8500是DDR3 1066内存 PC3 10700是DDR3 1333内存 PC3 12800是DDR3 1600内存 一代DDR、二代DR2、三代DDR3内存互不通用，插槽插不进去内存就是型号不对，切忌霸王硬上弓！拔插内存请一定要先切断电源，释放静电，稍等几分钟，开机前确认已经插好内存。 目前笔记本内存安装位置主要有两个地方，主要在机身底部或者键盘下方，其中又以底部最为常见，笔者的本本正好是前面一种。位于机身底部的内存插槽一般都用一个小盖子保护着，只要拧开这个内存仓盖上面的螺丝，就可以方便地安装内存；而位于键盘下方的内存插槽，在安装内存时需要先把键盘拆下来，虽然复杂一些，但只要耐心把固定机构找出来，也可以很快完成添加内存操作。下面将以机身底部的安装方式为例加以说明。 1、准备一支大小合适的十字螺丝刀，假如是键盘下面的安装方式还可能用到一字螺丝刀。 简单的工具与内存 SDRAM内存详解（经典） 我们从内存颗粒、内存槽位接口、主板和内存之间的信号、接口几个方面来详细阐述SDRAM内存条和主板内存系统的设计思路... 虽然目前SDRAM内存条价格已经接底线，内存开始向DDR和Rambus内存过渡。但是由于DDR内存是在SDRAM基础上发展起来的，所以详细了解SDRAM内存的接口和主板设计方法对于设计基于DDR内存的主板不无裨益。下面我们就从内存颗粒、内存槽位接口、主板和内存之间的信号接口几个方面来详细阐述SDRAM内存条和主板内存系统的设计思路。 内存颗粒介绍 对于DRAM（Dynamic Random Access Memory）内存我想凡是对于计算机有所了解的读者都不会陌生。这种类型的内存都是以一个电容是否充有电荷来作为存储状态的标志，电容冲有电荷为状态1，电容没有电荷为状态0。其最大优点是集成度高，容量大，但是其速度相对于SRAM (Static Random Access Memory) 内存来说慢了许多。目前的内存颗粒封装方式有许多种，本文仅仅以大家常见的TSSOP封装的内存颗粒为例子。 其各个管脚的信号定义和我们所使用的DIMM插槽的定义是相同的，对于不同容量的内存，地址信号的位数有所不同。另外一个需要注意的地方就是其供电电路。Vcc和Vss是为内存颗粒中的存储队列供电，而VccQ和VssQ是为内存颗粒中的地址和数据缓冲区供电。两者的作用不同。 我们对内存颗粒关心的问题主要是其颗粒的数据宽度（数据位数）和容量（寻址空间大小）。而对于颗粒自检、颗粒自刷新等等逻辑并不需要特别深入的研究，所以对此我仅仅是一笔带过，如果读者有兴趣的读者可以详细研究内存颗粒的数据手册。虽然内存颗粒有这么多的逻辑命令方式，但是由于目前北桥芯片和内存颗粒的集成度非常高，只要在布线和元器件的选择上严格按照内存规范来设计和制造，需要使用逻辑分析仪来调试电路上的差错的情况比较少，并且在设计过程中尽量避免出现这种情况。 168线DIMM内存插槽的信号定义 我们目前PC和Server使用的内存大都是168 Pins的SDRAM，区别只是其工作频率有的可能是100MHz频率，有的可能是133MHz频率的。但是只要是SDRAM，其DIMM插槽的信号定义是一样的。而这些引脚得定义就是设计内存条和主板所必须遵从的规范。 内存引脚主要分为如下几类：地址引脚、数据引脚（包含校验位引脚）、片选等控制信号、时钟信号。整个内存时序系统就是这些引脚上的信号配合产生。下面的表中就是内存插槽的引脚数量和引脚定义，对于一些没有定义或者是保留以后使用的信号就没有列出来。 符号功能详细描述 DQ [0-63] I/O 数据输入/输出 CB [0-7] I/O ECC内存的ECC校验输入/输出 A [0-13] I/O 地址选择 BA [0-1] Control Bank选择 CS [0-3] Control 片选信号 RAS Control 行地址选择信号 CAS Control 列地址选择信号 DQMB [0-7] Control 数据掩码控制（DQ Mask）高有效* WE Control 写允许信号 CK [0-3] Clock 时钟信号 CKE [0-1] Clock 时钟允许信号** REGE Control 寄存器 (Registered) 允许信号 电脑主板供电电路图分 析 集团档案编码：[YTTR-YTPT28-YTNTL98-UYTYNN08] 1、结合m s i-7144主板电路图分析主板四大供电的产生 一、四大供电的产生 1、CPU供电： 电源管理芯片： 场馆为6个N沟道的Mos管，型号为06N03LA，此管极性与一般N沟道Mos管不同，从左向右分别是SDG，两相供电，每相供电，一个上管，两个下管。 CPU供电核心电压在上管的S极或者电感上测量。 2、内存供电： DDR400内存供电的测量点： (1)、VCCDDR(7脚位)：VDD25SUS MS-6控制两个场管Q17，Q18产生VDD25SUS电压，如图： VDD25SUS测量点在Q18的S极。 （2）、总线终结电压的产生 （3）参考电压的产生 VDD25SUS经电阻分压得到的。 3、总线供电：通过场管Q15产生VDD_12_A. 4、桥供电：VCC2_5通过LT1087S降压产生，LT1087S1脚输入，2脚输出，3脚调整，与常见的1117稳压管功能相同。 5、其他供电 （1）AGP供电：A1脚12V供电，A64脚：VDDQ 2、结合跑线分析intel865pcd主板电路 因找不到intel865pcd电路图，只能参考865pe电路图，结合跑线路完成分析主板的电路。 一、Cpu主供电（Vcore） cpu主供电为2相供电，一个电源管理芯片控制连个驱动芯片，共8个场管，每相4个场管，上管、下管各两个,cpu主供电在测量点在电感或者场管上管的S极测量。 二、内存供电 1、内存第7脚，场管Q6H1S脚测量2.5v电压 参考电路图： 在这个电路图中，Q42D极输出2.5V内存主供电，一个场管的分压基本上在 0.4-0.5V，两个场管分压0.8V，3.3-0.8=2.5V 电路分析基础 1.（1）实际正方向：规定为从高电位指向低电位。 （2）参考正方向：任意假定的方向。 注意：必须指定电压参考方向，这样电压的正值或负值才有意义。 电压和电位的关系：U ab=V a－V b 2.电动势和电位一样属于一种势能，它能够将低电位的正电荷推向高电位，如同水路中的水泵能够把低处的水抽到高处的作用一样。电动势在电路分析中也是一个有方向的物理量，其方向规定由电源负极指向电源正极，即电位升高的方向。 电压、电位和电动势的区别：电压和电位是衡量电场力作功本领的物理量，电动势则是衡量电源力作功本领的物理量；电路中两点间电压的大小只取决于两点间电位的差值，是绝对的量；电位是相对的量，其高低正负取决于参考点；电动势只存在于电源内部。 3. 参考方向 (1)分析电路前应选定电压电流的参考方向，并标在图中； (2)参考方向一经选定，在计算过程中不得任意改变。参考方向是列写方程式的需要，是待求值的假定方向而不是真实方向，因此不必追求它们的物理实质是否合理。 (3)电阻（或阻抗）一般选取关联参考方向，独立源上一般选取非关联参考方向。 (4) 参考方向也称为假定正方向，以后讨论均在参考方向下进行，实际方向由计算结果确定。 (5)在分析、计算电路的过程中，出现“正、负”、“加、减”及“相同、相反”这几个名词概念时，切不可把它们混为一谈。 4. 电路分析中引入参考方向的目的是为分析和计算电路提供方便和依据。应用参考方向时，“正、负”是指在参考方向下，电压和电流的数值前面的正、负号，若参考方向下一个电流为“－2A”，说明它的实际方向与参考方向相反，参考方向下一个电压为“＋20V”，说明其实际方向与参考方向一致；“加、减”指参考方向下列写电路方程式时，各项前面的正、负符号；“相同、相反”则是指电压、电流是否为关联参考方向，“相同”是指电压、电流参考方向关联，“相反”指的是电压、电流参考方向非关联。 5.基尔霍夫定律 基尔霍夫定律包括结点电流定律（KCL）和回路电压（KVL）两个定律，是集总电路必须遵循的普遍规律。 中学阶段我们学习过欧姆定律（VAR），它阐明了线性电阻元件上电压、电流之间的相互约束关系，明确了元件特性只取决于元件本身而与电路的连接方式无关这一基本规律。 基尔霍夫将物理学中的“液体流动的连续性”和“能量守恒定律”用于电路中，总结出了他的第一定律（KCL）；根据“电位的单值性原理”又创建了他的第二定律（KVL），从而解决了电路结构上整体的规律，具有普遍性。基尔霍夫两定律和欧姆定律合称为电路的三大基本定律。 6.几个常用的电路名词 1.支路：电路中流过同一电流的几个元件串联的分支。（m） 2.结点：三条或三条以上支路的汇集点（连接点）。（n） 3.回路：由支路构成的、电路中的任意闭合路径。(l） 4.网孔：指不包含任何支路的单一回路。网孔是回路，回路不一定是网孔。平面电路的每个网眼都是一个网孔。 5.3.1 笔记本电脑内存的故障表现 内存是笔记本电脑中常用的存储设备之…，其最大的特点就是“暂时”存储数据。由于内存的数据存储量和传输量很大，因此难免会发生一些故障，通常是由软件设置不当、增加／更换内存和内存芯片损坏引起的故障。 1．软件设置不当引起的笔记本电脑内存故障表现 在内存故障检修过程中，首先确定笔记本电脑是否能开机，开机后能否正常进入操作系统。如果都可以，就检查与内存相关的软件设置，如BIOS和虚拟内存。 (1)笔记本电脑关于内存的BIoS设置不合理 ①笔记本电脑开机后，多次对内存进行自检。 @笔记本电脑运行某～程序时提示“内存分配错误”、系统运行缓慢或突然死机。 (2)笔记本电脑虚拟内存设置不合理 ①笔记本电脑开机工作一段时间后提示“内存资源不足”。 ②笔记本电脑运行某一程序时提示“没有足够的可用内存运行此程序”。 2．增加，更换内存引起的笔记本电脑内存故障表现 如果笔记本电脑是在增加／更换内存之后出现故障，则主要原因为内存与插槽之间接触不良、多条内存之间不兼容或主板不支持新内存。。 (1)内存与插槽接触不良 在安装内存时，没有安装到位或无意间的碰触会使内存脱离插槽，或使内存与插槽之间接触不良，笔记本电脑开机后就会有报警声、无法开机或开机后死机。 (2)内存之间不兼容 增加／更换内存时一定要选择同品牌的产品，因为不同的内存芯片或不同的内存频率会使内存出现兼容性问题。笔记本电脑内存不兼窖时会出现以下故障。 ①内存容量显示不正确。 ②无法启动笔记本电脑。 @运行一段时间后出现死机。 (3)主板不支持内存 内存与主板之间也有兼容性问题，主要表现为主板不支持增加，更换的内存的频率和主板展大支持的内存容量不匹配。如果主板与内存不兼容，会经常出现以下故障。 ①内存容量显示不正确。 ②无法启动笔记本电脑。 ③开机报警。 ④运行一段时间后出现死机。 常见BI工具对比分析 现代社会，随着数据时代的发展，大量的BI工具涌现，主要原因是企业越来越重视对于数据的有效利用，需要通过BI工具，辅助分析业务数据，从而实现业务推动决策。 本文，主要对比了QlikView与DataFocus。这也是近两年在市场比较火热的，也相对比较成熟的BI工具，通过对比一些主要功能，为企业或者个人选型提供一个参考。 QlikView QlikView采用拖拽的狡猾方式，比较灵活，展示的样式也比较多样，可以自定义可视化大屏等，其可以对数据进行清洗操作，QlikView的一个特性，就是将数据输入保存在多个用户的内存中，这样可以加快查询速度，但是这个速度很大程度上依赖于内存大小，所以对硬件的要求很高，一般的企业配置，数据处理起来速度会比较慢，而且对于一些复杂的业务需要，需要高水平的开发人员参与，通过写脚本的方式实现。QlikView被誉为最昂贵的BI工具之一，定价高，性价比一般。 DataFocus DataFocus是国内首个采用中文自然语言搜索的BI工具，其使用的交互方式不是传统的拖拽式，而是搜索式，类似于谷歌搜索的方式，这个功能非常智能，可以降低数据分析的难度，而且不需要任何代码，只需要搜索，就能进行简单的或者复杂的分析，图表样式也比较丰富，有30多种，而且图表制作也很简单，支持个性化设置大屏以及单个图表。DataFocus可以根据数据自动适配图表。 DataFocus性价比更高，功能齐全，图表丰富，但是价格却不高。而且其新颖的搜索式分析，吸引了很多关注。 最后我想说，所有的BI平台都有自己的优点和缺点，适合业务的才是最好的，希望这上述的功能对比对大家有帮助！ 电压源与电流源的等效变换 一、实验目的 1、加深理解电压源、电流源的概念。 2、掌握电源外特性的测试方法。 二、原理及说明 1、电压源是有源元件，可分为理想电压源与实际电压源。理想电压源在一定的电流 范围内，具有很小的电阻，它的输出电压不因负载而改变。而实际电压源的端电压随着电流变化而变化，即它具有一定的内阻值。理想电压源与实际电压源以及它们的伏安特性如图4-1所示(参阅实验一内容)。 2、电流源也分为理想电流源和实际电流源。 理想电流源的电流是恒定的，不因外电路不同而改变。实际电流源的电流与所联接的电路有关。当其端电压增高时，通过外电路的电流要降低，端压越低通过外电路的电 并联来表示。图4-2为两种电流越大。实际电流源可以用一个理想电流源和一个内阻R S 流源的伏安特性。 3、电源的等效变换 一个实际电源，尤其外部特性来讲，可以看成为一个电压源，也可看成为一个电流源。两者是等效的，其中I S=U S/R S或 U S=I S R S 图4-3为等效变换电路，由式中可以看出它可以很方便地把一个参数为U s 和R s 的 电压源变换为一个参数为I s 和R S 的等效电流源。同时可知理想电压源与理想电流源两者 之间不存在等效变换的条件。 三、仪器设备 电工实验装置： DG011、 DG053 、 DY04 、 DYO31 四、实验内容 1、理想电流源的伏安特性 1)按图4-4(a)接线，毫安表接线使用电流插孔，R L 使用1KΩ电位器。 2)调节恒流源输出，使I S 为10mA。， 3)按表4-1调整R L 值,观察并记录电流表、电压表读数变化。将测试结果填入表4-1中。 2、实际电流源的伏安特性 按照图4-4(b)接线，按表4-1调整R L 值，将测试的结果填入表4-1中。 苹果笔记本升级内存 我的苹果“小白”买的时间比较久了，内存还是512M ×2，感觉有些不给力，在网上看4G的内存才一百多，按耐不住内心的“骚动”，准备给“小白”升级一下。 首先，要确定原来内存的型号，360安全卫士自带的硬件检测（原鲁大师）一查，内存是南亚易胜的，DDR2 667，512M×2。接着，先上京东商城看看，毕竟京东的名声强过淘宝太多太多。一查没有，金士顿的倒是有，不过价格很高（4G 的DDR3 1333内存条价格也没它高）。其实，金士顿的品质和兼容性也还可以，但是“小白”的兼容性总是让大家不放心，还是尽量用同牌子，同型号的内存条吧！最后，只有上淘宝了，很快就找到心仪的内存了，商家信誓旦旦的保证绝对原厂正品，试试运气吧！ 快递还是很给力的，第二天中午刚下班，快递就到了，迫不及待的打开盒子。 旁边的螺丝刀是买内存的时候加一块钱拍的，钱虽然不多，但是后来“杯具”了。 内存条上标识清楚，金手指闪闪发亮，感觉很不错，应该不是翻新的。下面该我的“小白”出场了。07年买的，一直是媳妇在用，保护的很好。 电池在保修期内坏了一次，售后免费给换了一个新 的，吸入式光驱后来也坏了，但出保修期了，换一个原厂的太贵，一直没管它。 用硬币、钥匙都可以轻松的打开电池盒。 这是打开电池仓盒后盒内的情况，从做工可以看出绝对是大厂的风范。 其实，在盒内有详细的内存升级的图文过程，即使看不懂英文，看图也能明白，人性化啊！国内厂商多学习。 刚才在前面提到的小螺丝刀之所以“杯具”是因为螺丝刀还是大了，根本没法用。心情很急切，骑着自行车就去了玉泉东市场，在市场上花三块钱买了一套小工具，价格虽然便宜，但做工极差！凑合着用吧！ 很轻松的就把里面的挡板卸下来了，在这里提醒大家 D D R 系列系列内存内存内存详解及硬件详解及硬件 设计规范 By: Michael Oct 12, 2010 haolei@https://www.doczj.com/doc/c19769720.html, 目录 1.概述 (3) 2.DDR的基本原理 (3) 3.DDR SDRAM与SDRAM的不同 (5) 3.1差分时钟 (6) 3.2数据选取脉冲（DQS） (7) 3.3写入延迟 (9) 3.4突发长度与写入掩码 (10) 3.5延迟锁定回路（DLL） (10) 4.DDR-Ⅱ (12) 4.1DDR-Ⅱ内存结构 (13) 4.2DDR-Ⅱ的操作与时序设计 (15) 4.3DDR-Ⅱ封装技术 (19) 5.DDR-Ⅲ (21) 5.1DDR-Ⅲ技术概论 (21) 5.2DDR-Ⅲ内存的技术改进 (23) 6.内存模组 (26) 6.1内存模组的分类 (26) 6.2内存模组的技术分析 (28) 7.DDR 硬件设计规范 (34) 7.1电源设计 (34) 7.2时钟 (37) 7.3数据和DQS (38) 7.4地址和控制 (39) 7.5PCB布局注意事项 (40) 7.6PCB布线注意事项 (41) 7.7EMI问题 (42) 7.8测试方法 (42) 摘要： 本文介绍了DDR 系列SDRAM 的一些概念和难点，并分别对DDR-I/Ⅱ/Ⅲ的技术特点进行了论述，最后结合硬件设计提出一些参考设计规范。 关键字关键字：：DDR, DDR, SDRAM SDRAM SDRAM, , , 内存模组内存模组内存模组, , , DQS DQS DQS, DLL, MRS, ODT , DLL, MRS, ODT , DLL, MRS, ODT Notes : Aug 30, 2010 – Added DDR III and the PCB layout specification - by Michael.Hao 内存分析工具MAT的使用 一、MAT插件安装 MAT(Memory Analyzer Tool) 是基于heap dumps来进行分析的，它的分析速度比jhat快，分析结果是图形界面显示，比java内置jhat的可读性更高,通过Eclipse市场安装方法/步骤1 打开Eclipse - >help - > Eclipse Marketplace 2 点击install，等待下面的进度条加载完毕后，勾选全部，点击Next 3 同意协议后，点击Finish就开始安装MAT了 直接输入URL安装方法/步骤2 1.打开Eclipse - >help - > Install New Software 2.在work with输入图中下载地址，勾选Memory Analyzer for Eclipse IDE选项 3.若没有勾选Memory Analyzer for Eclipse IDE选项，点击地址栏 旁边的Add，在location里输入以上地址，点击OK即可。 4.安装完成后提示重启Eclipse，重启后打开window - > open perspective，看到Memory Analysis证明安装成功。 二、MAT的使用 案例一 问题 线上某一台机器出现异常.接口调用的rt达到了万级别..基本可以判断这个机器已经挂了.进而分析该机器一直在fgc.然后马上dump内存,进而进行分析(中间一些异常的gc日志没有截图).之前学习的jvm知识都是纯理论的,这次是实打实线上出现的问题.所以记录一下. 步骤 1 、先dump对应的堆,然后从线上发到自己本机 dump的命令是 jmap -dump:format=b, 现代电力电子技术报告 SEPIC 电路分析 一、 电路结构图： 图1为SEPIC 电路拓扑图 V R 图1 SEPIC 电路拓扑图 二、 电路分析 SEPIC 变换器原理电路如图1所示。1L i 、2L i 分别为电感1L 、2L 上的电流，D 表示占空比，T 表示开关周期，on T 、off T 分别表示开关导通和关断的时间。由于SEPIC 电路中存在两个电感，一般定义电路连续或不连续导电模式以整流二极管D 的导电模式为准。在一个开关周期中开关管1Q 的截止时间()1-D T 内，若二极管电流总是大于零，则为电流连续;若二极管电流在一段时间内为零，则为电流断续工作。若二极管电流在T 时刚好降为零，则为临界连续工作方式。假设1C 很大，变换器在稳态工作时，1C 的电压基本保持不变 （1）连续状态 连续导电模式时电路工作可以分为1Q 导通和1Q 关断两个模态： 工作模态1：（0，on T ）模态 V R 图2 1Q 导通时SEPIC 电路等效电路图（连续） 在这个模态中，开关管1Q 导通，二极管D 截止，如图2所示。变换器有三个回路： 第一个回路：电源、1L 和1Q 回路，在g V 的作用下，电感电流1L i 线性增长; 第二个回路：1C ，1Q 和2L 回路，1C 通过1Q 和进行放电，电感电流2L i 线性增长; 第三个回路是2C 向负载供电回路，2C 电压下降，因2C 较大，故2C 上电压下降很少，可以近似地认为2C O U U =,流过1Q 的电流112=+Q L L i i i 1 1=L g di L V dt (1) 2 2 =L o di L U dt (2) 当t=on T 时，1L i 和2L i 达到最大值1max L i 和2max L i 。 工作模态2：（on T ，T ）模态 V R 图3 1Q 关断时SEPIC 电路等效电路图（连续） 在t=on T 时刻，1Q 关断，此时形成两个回路，如图3所示： 第一个回路：电源、1L 、1C 经二极管D 至负载回路，电源和电感1L 储能同时向1C 和负载馈送，1C 储能增加，而1L i 减小; 第二个回路是2L 和D 至负载的续流回路，2L 储能释放到负载，故2L i 下降。因此二极管的电流D i 是1L i 、2L i 的电流之和，且 2 2=L o di L U dt (3) 1 1 1=-L g c o di L V U U dt - (4) 根据1L 上的伏秒原理： ()()1=+g on O C g on V T U U V T T ?-?- (5) 根据2L 上的伏秒原理： 10=C on off U T U T (6) 由上面两式可得: =1o i U D U D - (7) 1==c i g U U V (8) 由输入输出功率平衡有: 1=i L o o U I U I ?? (9) 即： 关于笔记本选购的相关知识 1.什么是处理器？处理器的性能指标有哪些？选购笔记本是需考虑处理器的哪些因素？ 处理器就是通常说的CPU。处理器现在主要有2大厂商，intel和AMD，其中在台式机领域AMD的处理器性价比较高，笔记本方面，INTEL的处理器占据75%左右的市场份额，在功耗，性能方面intel的移动处理器占有很大的优势。由于处理器性能的提升使得现在处理器不再是电脑运行的瓶颈，所以选择INTEL和AMD的处理器其实也没有太大的差别，只要价格合适都是挺不错的。 CPU的主要性能指标有主频，二级缓存，前端总线频率，架构，核心数，制程，功耗等。主频是指每秒钟处理器能运行的指令数，越高越好。二级缓存和CPU设计的架构有关，一般是越高越好，但是AMD和INTEL的处理器二级缓存大小不能直接比较。因为intel的处理器是非直连架构，里面未集成内存控制器，核心不能直接读取内存中的内容，而AMD的处理器由于采用直连架构集成了内存控制器可以直接读取内存内容，所以通常情况下AMD的处理器二级缓存都要比INTEL的处理器二级缓存要小。前端总线是指处理器与主板芯片组之间交换数据的频率，越大越好。一般不需要比较AMD的处理器和INTEL 的处理器这个性能指标。核心数是指处理器中可以进行计算任务的物理内核个数，现在流行的是双核处理器，就是将2个核心封装到一个处理器中，工作的时候相当于2颗处理器的性能。制程和功耗有很大的关系。现在常见的处理器制程有65nm 和45nm之分，45nm的处理器在相同面积下可以集成更多的晶体管，这样处理器的性能就更高。相同性能的处理器，制程越小越好。功耗需要根据自己需要来选择，一般商务用的笔记本都是35W的移动系列处理器，能保持良好的性能前提下降低发热量。对于笔记本电脑来说，功耗越低越好。 2、如何对处理器的性能进行比较？ 通常对于同一个品牌的处理器，可以按照其发布的型号进行比较。比如，intel的移动系列处理器（专用于笔记本的，不同于台式机处理器）可以分为赛扬celeon，酷睿奔腾core-pentium,酷睿2 core2系列。其中命名方法是以字母T开头表示移动系列处理器，后面的四位数字表示型号，通常是数字越大，代表发布的时候定位月高，但是由于不断发布新处理器型号，也不能就完全说数字越大越好。具体还需要参考主频，二级缓存，内核平台等其他参数。字母P代表低功耗版处理器，就是相同性能下处理器的功耗更小，可以减少发热量，一般P系列现在都是45nm的处理器，定位比较高端。比如celeon M440 , core-pentium T2330,core 2 T5600,core 2 T7100,core 2 T9100,core 2 P8700，其中性能就是依次递增的。 AMD的处理器与此类似，相同系列的数字越大愈好。AMD的处理器专为笔记本设计的是炫龙系列Tuiron ，也有速龙Althon 系列的，但是这个系列不是专门为笔记本设计的，一般性能比较低，定位也低。不推荐选这个系列的。 3、什么是内存条？一般电脑有几根内存条？内存条有哪些参数，型号？如何为笔记本添加内存条？ 内存条是指电脑中用于临时存储运行程序和数据的存储器，是一种断电后保存的内容就消失的存储器。不同于硬盘，内存条断电后其内部保存的所有资料都会丢失，硬盘断电后会保存所有已经写入的数据。内存条容量的大小与系统运行速度很大关系，一般越大越好，现在2GB的对于日常的应用来说就够了，不需要太大的，否则浪费，以后需要更大的添加一根就可以了。 内存条的个数与主板的设计有关，一般笔记本都是有2个插槽，通常厂家出厂的时候会预装一根内存条，还有一个插槽留给用户自行添加。 常用的内存条主要分为二代和三代产品，即DDR2和DDR3。DDR3的性能要高于DDR2的内存条。现在的主流产品是DDR2，但是DDR3现在价格已经降到与DDR2没什么差别了，所以在价格差别不大的情况下推荐购买DDR3的内存条。内存条有个最重要的参数是工作频率，这个与电脑的运行速度有很大的关系，一般的笔记本有DDR2 533,DDR2 667,DDR2 800,DDR3 1066. DDR3 1333,其中后面的数字就表示频率，越高越好。选择内存条时候尽量让内存条的频率与处理器的前端总线一致，这样不至于造成处理器或者是内存条的工作瓶颈。 内存条的添加首先需要确定机器所支持的内存参数，主要是内存条代数，DDR2还是DDR3，DDR2和DDR3是完全不能通用的，否则会烧毁机器。然后是确定频率，就是看自己已经用的内存条频率，买个和这个频率一样的就行了。按照的时候要断开所有电源，包括交流电和电池，然后释放掉手上的静电（将手触地）后将内存条与水平面成45度角对准卡口插入然后按下，听的咔嚓的声音，看到锁扣自动锁上就成功了。 4、什么是显卡？其工作原理是什么？基本结构是什么？（适用于台式机） 显示接口卡（Video card，Graphics card），又称为显示适配器（Video adapter），台湾与香港简称为显卡，是个人电脑最基本组成部分之一。显卡的用途是将计算机系统所需要的显示信息进行转换驱动显示器，并向显示器提供行扫描信号，控制显示器的正确显示，是连接显示器和个人电脑主板的重要元件，是“人机对话”的重要设备之一。显卡作为电脑主机里的一个重要组成部分，承担输出显示图形的任务，对于喜欢玩游戏和从事专业图形设计的人来说显卡非常重要。目前民用显卡图形芯片供应商主要包括AMD(ATi)和Nvidia两家。 【工作原理】 数据(data) 一旦离开CPU，必须通过 4 个步骤，最后才会到达显示屏： 1、从总线(bus) 进入GPU （图形处理器）－将CPU 送来的数据送到GPU（图形处理器）里面进行处理。 2、从video chipset（显卡芯片组）进入video RAM（显存）－将芯片处理完的数据送到显存。 3、从显存进入Digital Analog Converter (= RAM DAC)，由显示显存读取出数据再送到RAM DAC 进行数据转换的工作(数码 信号转模拟信号)。 内存时序设置详解 内容概要 关键词：内存时序参数设置 导言：是否正确地设置了内存时序参数，在很大程度上决定了系统的基本性能。本文详细介绍了内存时序相关参数的基本涵义及设置要点。 与传统的SDRAM相比，DDR（Dual date rate SDRSM：双倍速率SDRAM），最重要的改变是在界面数据传输上，其在时钟信号上升缘与下降缘时各传输一次数据，这使得DDR 的数据传输速率为传统SDRAM的两倍。同样地，对于其标称的如DDR400，DDR333，DDR266数值，代表其工作频率其实仅为那些数值的一半，也就是说DDR400 工作频率为200MHz。 FSB与内存频率的关系 首先请大家看看FSB(Front Side Bus：前端总线)和内存比率与内存实际运行频率的关系。 FSB/MEM比率实际运行频率 1/1 200MHz 1/2 100MHz 2/3 133MHz 3/4 150MHz 3/05 120MHz 5/6 166MHz 7/10 140MHz 9/10 180MHz 对于大多数玩家来说，FSB和内存同步，即1:1是使性能最佳的选择。而其他的设置都是异步的。同步后，内存的实际运行频率是FSBx2，所以，DDR400的内存和200MHz的FSB正好同步。如果你的FSB为240MHz，则同步后，内存的实际运行频率为240MHz x 2 = 480MHz。 FSB与不同速度的DDR内存之间正确的设置关系 强烈建议采用1：1的FSB与内存同步的设置，这样可以完全发挥内存带宽的优势。内存时序设置 内存参数的设置正确与否，将极大地影响系统的整体性能。下面我们将针对内存关于时序设置参数逐一解释，以求能让大家在内存参数设置中能有清晰的思路，提高电脑系统的性能。 涉及到的参数分别为： ?CPC : Command Per Clock ?tCL : CAS Latency Control ?tRCD : RAS to CAS Delay ?tRAS : Min RAS Active Timing ?tRP : Row Precharge Timing ?tRC : Row Cycle Time ?tRFC : Row Refresh Cycle Time ?tRRD : Row to Row Delay(RAS to RAS delay) ?tWR : Write Recovery Time ?……及其他参数的设置 CPC : Command Per Clock 可选的设置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。 Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻译为：首命令延迟)，一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。内存硬件知识汇总
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