电力电子技术试题库
一、填空题（每空格1分，共110分）
1．晶闸管是硅晶体闸流管的简称，常用的有螺栓式与＿＿＿＿＿＿＿。
2．晶闸管象二极管一样，具有可控＿＿＿＿＿＿＿特性。
3．为了保证晶闸管可靠与迅速地关断，通常在管子阳极电压下降为零之后，加一段时间的＿＿＿＿电压。
4．选用晶闸管的额定电压值应比实际工作时的最大电压大＿＿＿＿＿＿＿倍，使其有一定的电压裕量。
5．选用晶闸管的额定电流时，根据实际最大电流计算后至少还要乘以＿＿＿＿＿＿＿。
6．在螺栓式晶闸管上有螺栓的一端是＿＿＿＿＿＿＿极。
7．单相半波可控整流电路，当电感性负载接续流二极管时，控制角的移相范围为＿＿＿＿＿＿＿。
8．在反电动势负载时，只有＿＿＿＿＿＿＿的瞬时值大于负载的反电动势，整流桥路中的晶闸管才能随受正压而触发导通。
9．把晶闸管承受正压起到触发导通之间的电角度称为＿＿＿＿＿＿＿。
10．＿＿＿＿＿＿＿可控整流电路，是三相可控整流电路最基本的组成形式。11．三相半波可控整流电路，带大电感负载时的移相范围为＿＿＿＿＿＿＿。12．采用晶闸管共阳极接法的缺点是：要求三个触发电路的输出线圈＿＿＿＿＿。13．触发脉冲可采取宽脉冲触发与双窄脉冲冲触发两种方法，目前采用较多的是＿＿＿＿＿触发方法。
14．由于电路中共阴极与共阳极组换流点相隔60o，所以每隔60o有一次＿＿＿＿。
15．三相桥式整流电路控制角α的起算点，如α＝30o，在对应的线电压波形上脉冲距波形原点为＿＿＿＿＿＿＿。
16．双窄脉冲触发是在触发某一号晶闸管时，触发电路同时给＿＿＿＿＿＿＿一号晶闸管补表一个脉冲。
17．在三相可控整流电路中，α＝0o的地方（自然换相点）为相邻线电压的交点，它距对应线电压波形的原点为＿＿＿＿＿＿＿。
18．在三相半波可控整流电路中，电阻性负载，当控制角＿＿＿＿＿＿＿时，电流连续。
19．在三相半波可控整流电路中，电感性负载，当控制角＿＿＿＿＿＿＿时，输出电压波形出现负值，因而常加续流二级管。
20．三相桥式全控整流电路，电阻性负载，当控制角＿＿＿＿＿＿＿时，电流连续。
21．三相桥式可控整流电路适宜在＿＿＿＿＿＿＿电压而电流不太大的场合22．带平衡电抗器的双反星形可控整流电路是由两组三相半波可控整流电路＿＿＿＿＿＿＿组成。
23．考虑变压器漏抗的可控整流电路中，在换相过程期间，两个相邻的晶闸管同时导通，对应的电角度称为＿＿＿＿＿＿＿。
24．考虑变压器漏抗的可控整流电路中，如与不考虑漏坑的相比，则使输出电压平均值＿＿＿＿＿＿＿。
25．设计选用整流变压器的基本技术参数为变压器容量与＿＿＿＿＿＿＿。26．快速熔断器接法有多种，从要求过电流保护可靠性好来说，合适的快熔接法是＿＿＿＿＿＿＿。
27．晶闸管元件并联时，要保证每一路元件所分担的电流＿＿＿＿＿＿＿。28．将直流电逆变为某一频率或可变频率的交流电直接＿＿＿＿＿＿＿的过程称为无源逆变。
29．在晶闸管有源逆变电路中，绝对不允许两个电源势＿＿＿＿＿＿＿相连。30．双向晶闸管，其核心部分是＿＿＿＿＿＿＿的半导体结构。
31．在无源逆变与直接斩波电路中，都必须设置换流＿＿＿＿＿＿＿，强迫导通的晶闸管可靠关断。
32.在三相全控桥式变流电路中，控制角α与逆变角β之间的关系为___________。
33.三相桥式不控整流电路中，整流二极管在每个输入电压基波周期内的换流次数为___________。
34.在三相全控桥式有源逆变电路中，直流侧输出电流电压U d=___________cosβ。（电路中电感L足够大且电流连续，设变压器二次侧相电压有效值为U2）35.在多数工程应用实践中，一般取最小逆变角βmin=___________。
36.在桥式全控有源逆变电路中，理论上逆变角β的范围是___________。
37.对同一只晶闸管，断态不重复电压U DSM与转折电压U BO数值大小上有U DSM______U BO。
38.对同一只晶闸管，维持电流I
H 与擎住电流I
L
在数值大小上有I
L
___________I
H
。
39.在三相全控桥式整流电路单脉冲触发方式中，要求脉冲宽度___________。
40.三相全控桥式整流电路中晶闸管电流的有效值I VI=___________I d。
41.在桥式全控电路中，设触发角等于α，则逆变角β=___________。
42.单相全控桥式整流电路能否用于有源逆变电路中？___________
43.改变SPWM逆变器中的调制比，可以改变___________的幅值。
44.电流型逆变器中间直流环节贮能元件是___________。
45.三相半波可控整流电路能否用于有源逆变电路中？___________。
46.在三相全控桥式变流电路中，交流非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方
式有_________二种方式。
47.抑制过电压的方法之一是用___________吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。
48.为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是一个___________。
49.180?导电型电压源型三相桥式逆变电路，其换相是在___________的上、下二个开关元件之间进行。
50.改变SPWM逆变器中的调制波频率，可以改变___________的频率。
51.恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是___________。
52．同步相控触发电路垂直控制双脉冲触发方式电路中的触发脉冲宽度小于_________度。
53．三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位依次互差_________度。
54．在单相全控桥式整流电阻性负载电路中，输出直流平均电压Ud=_________，设U
2
为整流变压器二次侧电压有效值，控制触发角为α。
55．在单相半波可控整流带电阻性负载电路中，输出直流平均电压U
d
=_________,
设U
2
为整流变压器二次侧电压有效值，控制触发角为α。
56．在单相半波可控整流带电阻性负载电路中，输出直流平均电压U
d
=_________,
设U
2
为整流变压器二次侧电压有效值，控制触发角为α。
57．功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是_________。58．晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值电阻R是_________措施。
59．在三相不控整流电路中，设交流侧相电压为U
2，则整流输出电压U
d
为
_________。
60．三相全控桥式整流电路中流过晶闸管的电流平均值I
VIAR =_________I
d
。
61．将直流电能转换为交流电能且直接供给交流用电负载的逆变电路称为_________。
62．单相半控桥式整流电路能否用于有源逆变电路中？_________。
63．电力晶体管的安全工作区由_________条曲线限定。
64．电压源180°导电型三相桥式逆变电路，其换相是在_________的上、下两个开关元件之间进行的。
65．抑制晶闸管过电压的方法之一是用_________吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。
66．在三相全控桥式变流电路中，交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有_________二种方式。
67．在单相全控桥式整流电路中，上、下桥臂的两个晶闸管的触发脉冲相位互差_________度。
68．三相桥式全控整流电路能否用于有源逆变电路中？_________。
69．改变SPWM逆变器中的调制比，可以改变逆变器_________的幅值。
70．晶闸管的开通时间
ton
=_________。
71.晶闸管的动态参数有断态电压临界上升率du/dt和通态电流临界上升率等，若du/dt过大，就会使晶闸管出现________，若di/dt过大，会导致晶闸管________。
72.单相全控桥可控整流电路中功率因数cos 比单相半波可控整流电路的功率因数提高了________倍。各管上承受的最大反向电压为________。
73.三相零式可控整流电路带电阻性负载工作时，在控制角α>30°时，负载电流出现________。晶闸管所承受的最大反向电压为________。
74.在单相全控桥整流电路带反电势负载时，若交流电源有效值为U2，反电势为E时，不导电角δ=________，若晶闸管不导通时，输出电压应为______。
75.三相零式可控整流电路，在电阻性负载时，当控制角α≤30°，每个晶闸管的导通角θ=________。此电路的移相范围为________。
76.三相全控桥可控整流，其输出电压的脉动频率为________，十二相可控整流，其输出电压的脉动频率为________。
77.在晶闸管触发脉冲产生电路中，常用的同步电压有________和________两种。
78.单结晶体管又称为________，利用它伏安特性的________，可作成弛张振荡器。
79.在晶闸管触发脉冲产生的电路中，为满足不会产生逆变失败所需的最小逆变角βmin值，常将________和________相叠加，从而有效地限制了逆变角β的大小。
80.在逆变器中，晶闸管的自然关断法，是利用负载回路中的电感L和________在产生振荡时，电路中的电流具有________的特点，从而使晶闸管发生自然关断。
81.晶闸管门极触发刚从断态转入通态即移去触发信号，能维持通态所需要的最小阳极电流,
称为______。
82.晶闸管的额定电压为断态重复峰值电压UDRm和反向重复峰值电压URRm中较______的规化值。
83.普通晶闸管的额定电流用通态平均电流值标定，双向晶闸管的额定电流用_____标定。
84.有源逆变电路中，晶闸管大部分时间承受______电压.
85.在单相反并联(双重)全控桥式整流电路中，在环路中加接电抗器，可限制______。
86.晶闸管串联时，给每只晶闸管并联RC电路是______措施。
87.当采用金属氧化物压敏电阻对三相全控桥式整流电路的交流侧进行过电压保护时，可以将压敏电阻接成______。
88.在过电流保护中可用作最终保护手段的电器是______。
89.当电网质量不好时，为防止晶闸管的误触发，可采用______为同步信号的触发电路。
90.脉冲宽度调制逆变电路可以实现调压和______。
91.当要求大幅度改变斩波电路的输出电压时，可采用______控制方式。
92.对功率晶体管设置______，可防止过电压和减小功率晶体管两端的du/dt。
93.普通晶闸管属于______器件，在整流电路中，门极的触发信号控制晶闸管的开通，晶闸管的关断由交流电源电压实现。
94.IGBT的功率模块由IGBT和______芯片集成而成。
95.换相重叠角γ与控制角α、变压器漏抗和______有关。
96.晶闸管反向重复峰值电压等于反向不重复峰值电压的___________。
97.普通逆阻型晶闸管的管芯是一种大功率___________层结构的半导体元件。
98.可关断晶闸管（GTO）的电流关断增益β
off 的定义式为β
off
=___________。
99.单相全控桥式整流大电感负载电路中，晶闸管的导通角θ=___________。100.将直流电能转换为交流电能，并把交流电能直接提供给交流用电负载的逆变电路称为___________逆变器。
101.有源逆变产生的条件之一是：变流电路输出的直流平均电压Ud的极性必须与整流时输出的极性___________，且满足|Ud|<|Ed|。
102.在单相全控桥式变流器控制直流电动机卷扬机拖动系统中，若使变流器工作于整流状态时，需使控制角α___________。
103.确定最小逆变角βmin要考虑的三个因素是晶闸管关断时间toff所对应的电角度δ，换相重叠角γ和___________。
104.接有续流二极管的单相半波可控变流电路，可在第___________象限工作。105.大型同步发电机励磁系统处于励磁运行状态时，系统母线提供的交流电能经变流器变换为___________，供给发电机励磁绕组。
106.斩波电路的直流调压和直流调功原理，均可通过调节___________实现。107.同步相控横向控制触发电路由同步变压器，同步信号发生器，移相控制电路，6倍频脉冲信号发生器、___________、脉冲整形与功放电路构成。
108.DC/DC变换的两种主要形式为逆变整流型和___________。
109.固定脉宽的晶闸管斩波电路一般采用___________换流。
110.在大电感负载三相全控桥式整流电路中，当α>60°时，在自然换相点之前整流输出u
d
为正值，交流电源___________，电感储能。
二、单项选择题（在每小题的四个备选答案中，选出一个正确的答案，并将其号码填在题干后的括号内，每小题1分，共60分）
1．在型号KP10－12G 中，数字10表示（ ）
A.额定电压10V
B.额定电流10A
C.额定电压1000V
D.额定电流100A
2．在晶闸管整流电路中，变压器二次侧所供给的有功功率P ＝（ ）。
A.I 2d R d
B.I 2R d
C.UI d
D.U 2I d
3．在单相桥式半控整流电路中，电阻性负载，流过每个晶闸管的有效电流I T ＝（ ）
A ．I B. 0.5I C.
I 2
1 D.
I 2
4．三相半波可控整流电路，电阻性负载，当控制角α为（ ）时，整流输出电压与电流波形断续。
A ．0o <α≤30 o
B ．30 o <α≤150 o
C ．60 o <α<180 o
D ．90 o <α<180 o
5．三相桥式全控整流电路，大电感负载，当α＝（ ）时整流平均电压U d =0。
A ．30 o
B ．60 o
C ．90 o
D ．120 o
6．三相桥式全控整流电路，电阻性负载时的移相范围为（ ）度。
A.0～180
B.0～150
C.0～120
D.0～90
7．在晶闸管可控整流电路电流断续时的机械特性中，当α（ ）时，所有不同控制角的特性曲线实际空载转速均相同。
A ．≤30 o
B ．≤60 o
C ．≤90 o
D ．≤120 o 8．快速熔断器熔体额定电流的选择是电流的（ ）。
A.平均值
B.有效值
C.最大值
D.瞬时值
9．在输出电流连续的临界电感时的计算公式L 1=K 1*（Ｕ2／Ｉdmin ）中，如可控整流电路为三相桥式，则电路系数K 1为（ ）。
A ．0.577
B ．0.693
C ．0.816
D ．1.46
10．当正弦波同步触发电路采用NPN 晶体管时，要求同步电压比被触发晶闸管的阳极电压滞后（ ）。
A．30 o B．60 o C．90 o D．120 o
11．为了防止逆变失败，最小逆变角限制为（）。
A.10 o～15 o
B.20 o～25 o
C.30 o～35 o
D.40 o～45 o
12．双向晶闸的额定通态电流是用（）表示。
A.流过晶闸管的平均电流
B.直流输出平均电流
C.整流输出电流有效值
D.交流有效值
13.晶闸管导通的条件是（）。
A.阳极加正向电压，门极有正向脉冲
B.阳极加正向电压，门极有负向脉冲
C.阳极加反向电压，门极有正向脉冲
D.阳极加反向电压，门极有负向脉冲
14.单相半波可控整流电路，阻性负载，控制角α的最大移相范围是0°～（）。
A.90°
B.120°
C.150°
D.180°
15.单相桥式整流电路，电阻性负载，控制角α为（）时，整流输出电压为0。
A.0°
B.90°
C.120°
D.180°
16.三相全控桥式整流电路，控制角α为（）时，整流输出电压为最大值。
A.0°
B.90°
C.120 °
D.180
17.单相半波整流电路中，晶闸管可能承受的反向峰值电压为（）。
A.U2
B.U2
C.U2
D.U2
18.三相半波可控整流电路，电阻性负载，控制角α≤30°，每个周期内输出电压的平均值为
（）。
A.U d=0.45U2COSα
B.U d=0.9Ｕ2COSα
C.U d=1.17Ｕ2COSα
D.U d=2.34Ｕ2COSα
19.三相全控桥式整流电路，晶闸管可能承受的最大反向电压为（）。
A.U2
B.U2
C.U2
D.U2
20.三相桥式全控整流电路，在交流电源一个周期里，输出电压脉动（）次。
A.2
B.3
C.4
D.6
21.三相半波可控整流电路中三个晶闸管的触发脉冲相位互差（）。
A.60°
B.90°
C.120°
D.180°
22.串联谐振式逆变电路晶闸管的换流方式为（）。
A.器件换流
B.电网换流
C.负载换流
D.脉冲换流
23.集成触发电路中KC04集成电路芯片被称为（）。
A.集成移相触发器
B.六路双脉形成器
C.脉冲同步器
D.双路脉冲相控触发器
脉冲信号发生器
24.在线式不停电电源的供电质量（）后备式不停电电源的供电质量。
A.优于
B.不如
C.相当于
D.不一定优于
25.可关断晶闸管（GTO）是一种（）结构的半导体器件。
A.四层三端
B.五层三端
C.三层二端
D.三层三端
26.零开关PWM变换电路利用改变变换电路的（）来调控输出电压和输出功率。
A.开关频率
B.占空比
C.电压
D.电流
27.将直流电能转换为交流电能馈送给交流电网的变流器是（）
A.有源逆变器
B.A/D变换器
C.D/A变换器
D.无源逆变器
28.三相全控桥式整流电路中，共阳极组的三只晶闸管的触发脉冲相位互差（）
A.60o
B.90 o
C.120 o
D.150 o
29.晶闸管的三个引出电极分别是（）
A.阳极、阴极、门极
B.阳极、阴极、栅极
C.栅极、漏极、源极
D.发射极、基极、集电极
30.单相半波可控整流带电阻性负载R电路，设变压器二次侧相电压有效值为U2，则直流电流平均值为（）
31.三相全控桥式整流电路中同一相上、下两只晶闸管触发脉冲相位差（）度。
A.60
B.90
C.120
D.180
32.单相半控桥式无续流二极管整流电路输出电压平均值为（），设变压器二次侧相电压有效值为U2。
33.三相半控桥式整流电路（共阴极组）要求触发脉冲发（）度间隔触发。
A.60
B.90
C.120
D.180
34.当晶闸管承受反向阳极电压且门极施加正向脉冲时，正常情况下晶闸管都将工作在（）
A.导通状态
B.关断状态
C.饱和状态
D.不定
35.在直流降压斩波电路中，电源电压U d与负载电压平均值U O之间的关系是（），设开关周期和开关导通时间分别为T、TON
36.三相半波可控电阻性负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为（），设U2为变压器二次侧相电压有效值。
37.已经导通了的晶闸管可被关断的条件是流过晶闸管的电流（）
A.减小至维持电流I H以下
B.减小至擎住电流I L以下
C.减小至门极触发电流I G以下
D.减小至5A以下
38.功率晶体管的安全工作区由以下四条曲线限定:集电极-发射级允许最高击穿电压线,集电极最大允许直流功率线,集电极最大允许电流线和( )
A.基极最大允许直流功率线
B.基极最大允许电压线
C.临界饱和线
D.二次击穿触发功率线
39.对于同一晶闸管,维持电流I H与擎住电流I L的关系是( )
A.I H≈(2~4)I L
B.I L≈(2~4) I H
C.I H=I L
D.I H≥I L
19.可关断晶闸管，（GTO）的电流关断增益βaff的定义式为（）
A. B.
C. D.
40. 单相半波可控整流电路中，晶闸管可能承受的反向峰值电压为（）
A.U2
B.
C.
D.
41. 单相半控桥式整流电阻性负载电路中，在负载两端并联一个续流二极管的目的是（）
A.90°
B.120°
C. 150°
D.180°
42. 单相半控桥电感性负载电路中，在负载两端并联一个续流二极管的目的是（）
A.增加晶闸管的导电能力
B.抑制温漂
C.增加输出电压稳定性
D.防止失控现象的产生
43. 电阻性负载二相半波可控整流电路，控制角a的范围是（）
A.30°~150°
B.0°~120°
C.15°~125°
D.0°~150°
44. 三相全控桥式变流电路工作于有源逆变状态，处于关断状态的晶闸管承受的的反向电压的期间角为（）
A.120°
B.120°—β
C.180°—β
D.β
45. 在三相全控式变流电路直流电动机托动系统中，当a> 时，网侧功率因数为（）
A. B. C. D.正负不定
46. 三相全控桥式变流电路工作于有源逆变状态，输出电压平均值U d的表达式是（）
A.U d=- 2.34U2cosβ
B.U d=1.17U2cosβ
C.U d= 2.34U2cosβ
D.U d=-0.9U2cosβ
47.可在第二象限工作交流电路是（）
A.单相全控桥
B.单相半控桥
C.单相反并联(双重)全控桥
D.三相半波可控变流电路
48. 在高压直流输电系统中,变流器1和变流器2中间的直流环节起着功率传输作用,控制率流向的方法是( )
A.调节变流1侧变压器
B.调节变流器2侧变压器
C.同时调节两侧变压器
D.调节变流器1和变流器2的U d1、U d2的极性和大小
49. 若减小SPWM逆变器输出电压基波幅值，可采用的控制方法是（）
A.减小三角波频率
B.减小三角波幅度
C.减小输入正弦控制电压幅值
D.减小输入正弦控制电压频率
50. SPWM逆变器有两种调制方式：双极性和（）
A.单极性
B.多极性
C.三极性
D.四极性
51. 以下各种过流保护方法，动作速度排在第二位的是（）
A.快速熔断器过流保护
B.过流继电器保护
C.快速开关过流保护
D.反馈控制过流保护
52. 三相桥式全控变流电路的同步相控触发电路，分为垂直控制和（）
A.时间比控制
B.横向控制
C.定频调宽
D.瞬时值控制
53. 对于移相控制电路，为了限制最小移相控制角和设置移相范围，可在输入控制信号的输入控制信号的输入端再叠加一个（）
A.交流电压
B.偏移电压
C.同步信号
D.触发信号
54. KC04型集成触发电路的引脚1和15输出的触发脉冲是两个相位互差180°（）
A.负脉冲
B.正脉冲
C.双脉冲
D.尖峰脉冲
55. 电流源型逆变器，在每一个周期的0~600期间，晶闸管T6，T1导通，输出电流为i a=+I d , i b=-I-d, i c=0,则在2400~3000期间（）
A.i a=-I d , i b=I d, i c=0,
B.i a=I d , i b=0, i c=- I d,
C.i a=-I d , i b=0, i c=+I d,
D.i a= 0 i b=-L d , i c=+I d,
56.定宽调频控制方式中，导通比K t的改变会导致改变斩波器的（）
A.输出电压频率
B.输出电压最大值
C.电源电压
D.输出电流幅值
57. 降压斩波电路中，已知电源电压U d=16V,负载电压U0=12V,斩波周期T=4ms，则开通时间T ab=（）
A.1ms
B.2ms
C.3ms
D.4ms
58. 恒流驱动电路中，加速电容C的作用是（）
A.加快功率晶体管开通
B.延缓功率晶体管关断
C.加深功率晶体管的饱和深度
D.保护器件
59. 恒流驱动电路中截上反偏驱动电路的主要作用是（）
A.加速功率管关断
B.加速功率晶体管开通
C.过电流保护
D.减小延迟时间
60. 为限制功率晶体管的饱和深度，减小存储时间，恒流驱动电路经常采用（）
A.抑制电路
B.抗饱和电路
C.抑制电路
D.吸收电路
三、名词解释（每小题3分，共39分）
1.晶闸管的维持导通电流I H
2.晶闸管的换相重叠角γ
3.三相桥式电压型逆变电路120°导电型工作方式
4.有源逆变
5.后备式不停电电源
6.Buck-Boost电路（库克变换电路）
7.电流型无源逆变电路
8.反励变换器
9.自然换相点
10.GTR
11.换相重叠角γ
12.同步
13.脉宽调制法
四、简答题（每小题6分，共240分）
1.常用电力电子器件有哪些？
2.电力电子器件有哪四种工作状态?
3.三相桥式电压型逆变电路，采用180°导电方式，输出相电压基波分量的幅值与直流电压U d的关系。
4.单相交流调压电路，控制角α的最大移相范围。
5.并联谐振型逆变电路利用负载电压进行换流，为了保证换流成功，应满足什么条件？
6.简述有源功率因数校正技术的控制思想。
7.软开关的分类。
8.开关电源的主要优点。
9．在晶闸管为开关的有源逆变器中两种换流方式是什么？
10．直流斩波电路三种控制形式是什么？
11．画出GTR开关响应特性曲线。
12．使晶闸管正常导通的条件是什么？
13．画出功率晶体管由截止到开通的开关损耗图。
14．有源逆变电路中选取最小逆变角βmin需要考虑的三个因素是什么？15．画出由IGBT组成的单相桥式带阻感性负载的变流电路图。
16．画出晶闸管在门极电流足够大时的伏安特性曲线。
17．什么是晶闸管的额定通态平均电流？
18．什么是整流？它是利用二极管和晶闸管的哪些特性来实现的？
19．斩波器的时间比控制方式有几种？分别是什么？
20.对整流电路的输出电压进行谐波分析后，能得出什么结论?
21.在分析了晶闸管的主要参数后，在使用晶闸管时，应注意什么?
22. 在单项半波可控整流大电感负载有续流二极管的电路中，晶闸管的控制角a 的最大移相范围是多少？晶闸管的导通角、续流二极管的导通与a关系如何？
为例，23. 在三相全控桥式有源逆变电路中，以连接于A相的共阴极组晶闸管V
11
说明其在一个周期中，导通及关断期两端承受电压波形的规律。
24. 什么是时间比控制方式和瞬时值控制方式？时间比控制方式又有哪三种控
制模式？
25.驱动电路为什么采取隔离措施？常用的驱动电路隔离方法有哪些？
26.基于定频调宽控制模式的直流脉宽调制（PWM）技术中，调制信号和载波信号各为什么信号？如何调节输出脉冲宽度？
27.指出造成逆变失败的几种主要原因。
28.简述有源逆变产生的条件。
29.驱动电路应具有哪些基本的特征?
31. 简述高压直流输电的功率传输过程.
32. 三相半波电路，若α>π/2，试说明连接于A相的V11管一周期两端受电压的情况。
33.简述同步发电机励磁系统变流器运行时的工作状态和能量流向。
34. 带电阻性负载的三相半波全控桥，试写出α≤30°时整流输出电压平均值U d的表达式和晶闸管的移相范围。
35．在晶闸管可控整流电路的直流拖动中，当电流断续时电动机的机械特性有哪些特点？
36．在三相全控桥式整流电路中，如共阴极组的一只晶闸管短路，则电路会发生什么现象？应如何保护晶闸管？
37．已知三相半波可控整流电路，采用PNP管的正弦波同步角发电路，整流变压器为Y／Y－12接法，试求同步变压器接法与其矢量图。 [注]适合本题的同步变压器一次绕组为Y接法。
38.双向晶闸管额定电流的定义和普通晶闸管额定电流的定义有什么不同？额定电流为100A的两只普通晶闸管反并联可用额定电流多大的双向晶闸管代替？39. 三相全控桥式有源逆变电路中，每个晶闸管导通角是多少？每隔多少角度换相一次？换相按什么顺序依次进行？
40. 若电源电压U
d 已知，开关元件S接通时间T
on
与周期T的比值
T
T
on
=
1
α
已知，试写出输出电压平均值U0的表达式，并画出S接通与关断时的等效电路图
五、计算题(每题10分,共200分)
1．单相半波可控整流电路，电阻性负载，要求输出直流平均电压Ud=75V，平均电流Id=40A，直接由220V电网供电，试选择晶闸管规格型号并计算电路的功率因数。
2．三相半波可控整流电路对直流电动机供电，当α＝60时理想空载转速n。=1000rpm，试求α＝30与120时的理想空载转速各为多少？
3．串联Ld的带电动机负载的三相全控桥整流电路，已知：电动机额定电压、电流、转速分别为220V，150A，1000rpm；变压器二次相电压为100V；变压器每相绕组漏感和电阻折合到二次侧分别为100μH和0.02Ω；负载电流为150A，电动机电枢电阻为0.03Ω。试求：
（A）由于漏抗引起的换相压降；
（B）该压降所对应的整流器等效内阻；
（C）写出α＝0。负载电流连续时的n=f(Id)。
4．单相桥式全控电路，已知：U2＝150V，EM＝110V，电动机额定电流IN＝25A，Ld足够大，RΣ＝1Ω，Idmin＝1.5A时电流仍连续，最大制动电流Idmin＝2IN。试求逆变角β变化范围。
5.单相半波可控整流电路中，试分析下述三种情况负载两端电压U d和晶闸管两端电压U T的波形：
（1）晶闸管门极不加触发脉冲。
（2）晶闸管内部短路。
（3）晶闸管内部断开。
6.现有单相半波、单相桥式、三相半波三种整流电路带电阻性负载，负载电流I d 都是40A，问流过与晶闸管串联的熔断器电流的平均值、有效值各为多大？
7.一个电炉由单相交流调压电路供电，α=0°时输出功率为最大值，试求输出功率为最大值的50%的控制角α和输出功率为零时的控制角α。
8.某电阻性负载，R d=60Ω，要求U d在0~600V范围内可调，试用单相全控桥整流电路来供电，分别计算：
（1）晶闸管额定电压、电流值（考虑2倍裕量）。
（2）负载电阻上消耗的最大功率。
9.三相桥式电压型逆变电路采用180°导电方式，当其直流侧电压U d=100V 时。
（1）求输出相电压基波幅值和有效值
（2）求输出线电压基波幅值和有效值
10.单相全控桥式整流电路接大电感负载。已知：U2=220V，R=10Ω，α
=60。
（1）计算整流输出电压U d、整流输出电流的平均值I d。
（2）计算流过晶闸管电流的有效值。
（3）画出输出电压u d的波形和流过晶闸管V11的电流波形。
11．如图所示电路，要使晶闸管VT导通，门极触发电流脉冲的宽度最小应为多少？图中E=50V，R=0.5Ω，L=0.5H，晶闸管擎住电流IL=15mA.
12．如图所示降压斩波电路，已知E=200V，R=10Ω，L值极大。采用脉宽调制控制方式，当控制周期T=50μs，全控开关VT的导通时间ton=20μs，试完成下列各项要求。.
①计算稳态时输出电压的平均值UO、输出电流的平均值IO
②给出VT导通、关断时的两种工作模式的等效电路。
13．单相全控桥式变流器工作于有源逆变状态β=60?，变压器二次电压有效值U2=220V，电动机负载处于发电制动运行状态，其反电动势Ed=-150V，直流电阻R=2Ω，平波电抗器Ld足够大。
①画出Ud的波形；
②计算输出电压的平均值Ud;
③计算负载电流的平均值Id。
14．如图所示全控桥式变流电路工作于有源逆变状态L=∞，主电路总电阻R=1Ω变压器二次电压U2=200V，电动机负载处于发电制动运行状态，其反电动势为Ed=-300V，若要求电机全制动过程中的负载电流为66A。
①求出此时的逆变控制角β；
②求变压器二次侧A相电流有效值I2；
③画出此时输出电压Ud的波形。
15. 下图所示三相全控桥式整流电路中，相电压有效值U2=220V，α=75°，R=2Ω，且满足ωL〉〉R，试按要求完成下列各项。
；
①计算输出电压的平均值U
d
②计算直流输出平均电流I
；
d
③计算变压器二次相电流的有效值I
；
2
④计算晶闸管的电流有效值Iv1。
=220V，直流电阻16. 三相全控桥变流电路如图所示。变压器二次电压有效值U
2
R=0.5Ω，平波电抗器L满足ωL〉〉R，控制角α=120°，E
=-280V。试按要求
d
回答下列问题。
①画出晶闸管V
两端电压的波形；
2
；
②计算变流电路输出电压平均值U
d
③按裕量系数2选择晶闸管的额定电压；
。
④计算直流平均电流I
d
17.试画出三相全控桥变流装置电路，要求电源变压器采用Y/Y-12，同时若同步变压器分别采用Y/Y-12和Y/Y-6，来满足同步电压UT的相量滞后于晶闸管上所加主电压120°，需分别标明同步电压，电源主电压和晶闸管之间的对应关系。
18.单相全控桥带大电感负载，要求输出电压在20～80V内连续可调，最大负载电流I d=20A，限制控制角αmin=30°,则
(1) 计算晶闸管的电流有效值I V1;
(2) 计算变压器二次容量S2。
19.三相半波可控整流电路，电感负载L=0.3H，电阻R=5Ω，二次相电压为200V，控制角α=45°，试回答
(1)计算负载的平均整流电压U d和二次相电流的有效值I2；
(2)按裕量系数2确定晶闸管的额定电压。
20.三相全控桥整流电路，大电感负载，电阻R=4Ω，变压器二次相电压为100V，控制角
=60°，试回答:
(1)画出整流输出电压ud的波形，画出晶闸管v11的电压u v11的波形;
(2)计算整流输出平均电压U d;
(3)计算变压器二次电流的有效值I2.
电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高 时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成， 由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _ 双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基 二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 | 9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系， 其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以 上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属 于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双 极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET，属于电压驱动 的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 . 第2章整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续 流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ，其承受的最大正反向电压均为___，续流二极管承受的最大反向电压为___（设U2为相电压有效值）。 3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管 所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 和_；带阻感负载时，α角移相范围为_0-90O _， 单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为___和___；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 4.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角时，晶闸管的导通角=_π-α-_; 当控制角小于不导电角时，晶闸管的导通角=_π-2_。
南通大学电气工程学院电力电子技术 题 库
第二章电力电子器件 一、填空题 1、若晶闸管电流有效值是157A，则其额定电流为100A。若该晶闸管阳、阴间电压为60sinwtV，则其额定电压应为60V。（不考虑晶闸管的电流、电压安全裕量。） 2、功率开关管的损耗包括两方面，一方面是导通损耗；另一方是开关损耗。 3、在电力电子电路中，常设置缓冲电路，其作用是抑制电力电子器件的内因过电压、du/dt或者过电流和di/dt，减小器件的开关损耗。 4、缓冲电路可分为关断缓冲电路和开通缓冲电路。 5、电力开关管由于承受过电流，过电压的能力太差。所以其控制电路必须设有过流和过压保护电路。 二、判断题 1、“电力电子技术”的特点之一是以小信息输入驱动控制大功率输出。（√） 2、某晶闸管，若其断态重复峰值电压为500V，反向重复峰值电压为700V，则该晶闸管的额定电压是700V。（×） 3、晶闸管导通后，流过晶闸管的电流大小由管子本身电特性决定。（×） 4、尖脉冲、矩形脉冲、强触发脉冲等都可以作为晶闸管的门极控制信号。（√） 5、在晶闸管的电流上升至其维护电流后，去掉门极触发信号，晶闸管级能维护导通。（×） 6、在GTR 的驱动电路设计中，为了使GTR 快速导通，应尽可能使其基极极驱动电流大些。（×） 7、达林顿复合管和电力晶体管属电流驱动型开关管；而电力场效应晶体管和绝缘栅极双极型晶体管则属电压驱动型开关管。（√） 8、IGBT 相比MOSFET，其通态电阻较大，因而导通损耗也较大。（×） 9、整流二级管、晶闸管、双向晶闸管及可关断晶闸管均属半控型器件。（×） 10、导致开关管损坏的原因可能有过流、过压、过热或驱动电路故障等。（√） 三、选择题 1、下列元器件中，（ BH ）属于不控型，（ DEFIJKLM）属于全控型,（ ACG ）属于半控型。 A、普通晶闸管 B、整流二极管 C、逆导晶闸管 D、大功率晶体管 E、绝缘栅场效应晶体管 F、达林顿复合管 G、双向晶闸管 H、肖特基二极管 I、可关断晶闸管 J、绝缘栅极双极型晶体管 K、MOS 控制晶闸管 L、静电感应晶闸管 M、静电感应晶体管 2、下列器件中，（ c ）最适合用在小功率，高开关频率的变换器中。 A、GTR B、IGBT C、MOSFET D、GTO 3、开关管的驱动电路采用的隔离技术有（ ad ） A、磁隔离 B、电容隔离 C、电感隔离 D、光耦隔离 四、问答题 1、使晶闸管导通的条件是什么？ 答：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流或脉冲（uak＞0且ugk＞0）。
电力电子技术试题
第 1 章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力 MOSFET）、绝缘 栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力 MOSFET 、 IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力 MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力 MOSFET，属于电压驱动的是电力 MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、
GTO 、GTR _。2、可关断晶闸管的图形符号是 ；电力场效应晶体管的图形符号是
绝缘栅双极晶体管的图形符号是
；电力晶体管的图形符号是
；
第 2 章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角 α 的最大移相范围是__0-180O
_ ，其承受的最大正反向电压均为_ 2U2 __，续流二极管承受的最大反向电压为__ 2U2 _（设 U2 为相电压有效值）。
3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α 角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 2 和_ 2U2 ；
带阻感负载时，α 角移相范围为_0-90O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 _和__ 2U2 _；带反电动势负载时，欲使电阻上的电
流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。
5.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压 UFm 等于__ 2U2 _，晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-150o_，使负载电流连
续的条件为__ 30o __(U2 为相电压有效值)。
6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _，当它带阻感负载时， 的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_
的相电压；这种电路
角的移相范围是_0-120o _，ud 波形连续的条件是_ 60o _。
8.对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使用输出电压平均值__下降_。
11.实际工作中，整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数，当
从 0°～90°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而 _增大_，
当
从 90°～180°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而_减小_。
12. 逆 变 电 路 中 ， 当 交 流 侧 和 电 网 连 结 时 ， 这 种 电 路 称 为 _ 有 源 逆 变 _ ， 欲 实 现 有 源 逆 变 ， 只 能 采 用 __ 全 控 _ 电 路 ； 对 于 单 相 全 波 电 路 ， 当 控制 角
0<
<
时，电路工作在__整流_状态；
时，电路工作在__逆变_状态。
13.在整流电路中，能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等（可控整流电路均可），其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势，
其极性和晶闸管导通方向一致，其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角 a > 90O，使输出平均电压 Ud 为负值_。 第 3 章 直流斩波电路
1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。
2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路 和_升压斩波电路_。
3.斩波电路有三种控制方式：_脉冲宽度调制（PWM）_、_频率调制_和_（ton 和 T 都可调，改变占空比）混合型。
6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。
7.Sepic 斩波电路和 Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系，所不同的是：_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续，_ Zeta 斩波电路_的输入、输
出电流均是断续的，但两种电路输出的电压都为__正_极性的 。
8.斩波电路用于拖动直流电动机时，降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限，升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限，_电流可逆斩波电路能
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电力电子技术期末考试 试题及答案 Coca-cola standardization office【ZZ5AB-ZZSYT-ZZ2C-ZZ682T-ZZT18】
电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。 7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。 9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_GTO 、GTR 、电力
一、填空题(每空1分，共５０分) 1、对同一晶闸管，维持电流I H与擎住电流I L在数值大小上有I L _________ I H。 2、功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是________________________________。 3、晶闸管断态不重复电压U DSM与转折电压U BO数值大小上应为，U DSM ________ U BO。 4、电阻负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压U Fm等于_____，设U2为相电压有效值。 5、三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差___________________________。 6、对于三相半波可控整流电路，换相重叠角的影响，将使用输出电压平均值_______________________。 7、晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是______________________________________措施。 8、三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有______________二种方式。 9、抑制过电压的方法之一是用_____________________吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。 10、180°导电型电压源式三相桥式逆变电路，其换相是在___________的上、下二个开关元件之间进行。 11、改变SPWM逆变器中的调制比，可以改变_____________________________________________的幅值。 12、为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是___________________________________________。 13、恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是__________________________________________________。 14、功率晶体管缓冲保护电路中二极管要求采用________型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合。 15、晶闸管门极触发刚从断态转入通态即移去触发信号，能维持通态所需要的最小阳极电流，称为：___________________________________________________________________________________________。 16、晶闸管的额定电压为断态重复峰值电压U DRm和反向重复峰值电压U RRm中较________________的规化值。 17、普通晶闸管的额定电流用通态平均电流值标定，双向晶闸管的额定电流用___________________标定。 18、晶闸管的导通条件是：晶闸管_________________和阴极间施加正向电压，并在______________和阴极间施加正向触发电压和电流（或脉冲）。 19、温度升高时，晶闸管的触发电流随温度升高而__________，正反向漏电流随温度升高而__________，维持电流I H会____________________，正向转折电压和反向击穿电压随温度升高而_________________。 导通后流过晶闸管的电流由_____________________决定，负载上电压由______________________决定。 20、晶闸管的派生器件有： ____________ 、 ____________ 、 ____________ 、 ____________等。 21、功率场效应管在应用中的注意事项有： （1）_________________________________________，（2）______________________________________，（3）_________________________________________，（4）_____________________________________。22、整流就是把交流电能转换成直流电能，而将直流转换为交流电能称为__________________________，它是对应于整流的逆向过程。 23、____________________________________________与开关的频率和变换电路的形态性能等因素有关。
电力电子技术试题 1、请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR；可关断晶闸管GTO ；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET 和GTR 的复合管。 2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。 3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是串专用均流电抗器。。 4、在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦波波，输出电流波形为方波波。 5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为800V伏、额定有效电流为100A安。 6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_同一桥臂上的上、下二个元件之间进行；而120o导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_不同桥臂上的元件之间进行的。 9、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移 相使输出电压下降。（写出四种即可） 10、逆变器按直流侧提供的电源的性质来分，可分为电压型型逆变器和电流型型逆变器，电压 型逆变器直流侧是电压源，通常由可控整流输出在最靠近逆变桥侧用电容器进行滤波，电压型三相桥式逆变电路的换流是在桥路的本桥元件之间元件之间换流，每只晶闸管导电的角度是180o 度；而电流型逆变器直流侧是电流源，通常由可控整流输出在最靠近逆变桥侧是用电感滤波，电流型三相桥式逆变电路换流是在异桥元件之间元件之间换流，每只晶闸管导电的角度是120o 度。 11、直流斩波电路按照输入电压与输出电压的高低变化来分类有降压斩波电路；升压斩波电路；升降压斩波电路。 12、由晶闸管构成的逆变器换流方式有负载换流和强迫换流。 13、按逆变后能量馈送去向不同来分类，电力电子元件构成的逆变器可分为有源、逆变器与无源逆变器两大类。 14、有一晶闸管的型号为KK200－9，请说明KK快速晶闸管；200表示表示200A，9表 示900V。 15、单结晶体管产生的触发脉冲是尖脉冲脉冲；主要用于驱动小功率的晶闸管；锯齿波同 步触发电路产生的脉冲为强触发脉冲脉冲；可以触发大功率的晶闸管。 19、由波形系数可知，晶闸管在额定情况下的有效值电流为I Tn等于 1.57倍I T（AV），如果I T（AV）=100安培， 则它允许的有效电流为157安培。通常在选择晶闸管时还要留出 1.5—2倍的裕量。 20、通常变流电路实现换流的方式有器件换流，电网换流，负载换流，强迫换流四种。 21、在单相交流调压电路中，负载为电阻性时移相范围是0，负载是阻感性时移相范围是 。 22、在电力晶闸管电路中，常用的过电压保护有避雷器；阻容吸收；硒堆；压敏电阻；整流式阻容吸收等几种。 23、。晶闸管的维持电流I H是指在温度40度以下温度条件下，门极断开时，晶闸管从较大通态电流下降到 刚好能保持导通所必须的最小阳极电流。 25、普通晶闸管的图形符号是，三个电极分别是阳极A，阴极K和门极G晶闸管的导通条件是阳极加正电压，阴极接负电压，门极接正向电压形成了足够门极电流时晶闸管导通；关断条件是当晶闸管阳极电流小于维持电流I H时，导通的晶闸管关断。.。 27、绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极；作为栅极，以以电力晶体管集电极和发射极复合而成。 29、晶闸管的换相重叠角与电路的触发角α；变压器漏抗X B；平均电流I d；电源相电压U2。等到参数有关。
电 力 电 子 复 习 姓名：杨少航
电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。 7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。 9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流I L在数值大小上有I L__大于__IH。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 15.IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 17.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可
电力电子技术答案 2-1与信息电子电路中的二极管相比，电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高压和大电流的能力？ 答：1.电力二极管大都采用垂直导电结构，使得硅片中通过电流的有效面积增大，显著提高了二极管的通流能力。 2.电力二极管在P 区和N 区之间多了一层低掺杂N 区，也称漂移区。低掺杂N 区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体，由于掺杂浓度低，低掺杂N 区就可以承受很高的电压而不被击穿。 2-2. 使晶闸管导通的条件是什么？ 答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或：uAK>0且uGK>0。 2-3. 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？ 答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。 要使晶闸管由导通变为关断， 可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降 到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。 2-4图2-27中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为I m ，试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值I 、I 、I 。 πππ4 π4 π2 5π4a) b)c) 图1-43 图2-27 晶闸管导电波形 解：a) I d1= π21?π πωω4 )(sin t td I m =π2m I (122+)≈0.2717 I m I 1= ?π πωωπ 4 2 )()sin (21 t d t I m =2m I π 2143+≈0.4767 I m b) I d2 = π1?π πωω4)(sin t td I m =π m I ( 12 2 +)≈0.5434 I m I 2 = ? π π ωωπ 4 2) ()sin (1 t d t I m = 2 2m I π 21 43+ ≈0.6741I m c) I d3=π21?2 )(π ωt d I m =41 I m I 3 =? 2 2 ) (21π ωπt d I m = 2 1 I m 2-5上题中如果不考虑安全裕量,问100A 的晶阐管能送出的平均电流I d1、I d2、I d3各为多少?这时，相应的电流最大值I m1、I m2、 I m3各为多少? 解：额定电流I T(AV)=100A 的晶闸管，允许的电流有效值I=157A,由上题计算结果知 a) I m1≈4767.0I ≈329.35， I d1≈0.2717 I m1≈89.48 b) I m2≈ 6741 .0I ≈232.90, I d2≈0.5434 I m2≈126.56 c) I m3=2 I = 314, I d3= 4 1 I m3=78.5 2-6 GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构,为什么GTO 能够自关断,而普通晶闸管不能? 答：GTO 和普通晶阐管同为PNPN 结构，由P1N1P2和N1P2N2构成两个晶体管V1、V2，分别具有共基极电流增益 1α和2α， 由普通晶阐管的分析可得， 121=+αα是器件临界导通的条件。1 21＞αα+两个等效晶体管过饱和而导通；
电力电子技术总习题试题答案 一、简答题 1、晶闸管导通的条件是什么？ （1）晶闸管阳极和阴极之间施加正向阳极电压 （2）晶闸管门极和阴极之间必须施加适当的正向脉冲电压和电流 2、有源逆变实现的条件是什么？ （1）晶闸管的控制角大于90度，使整流器输出电压Ud为负 （2）整流器直流侧有直流电动势，其极性必须和晶闸管导通方向一致，其幅值应大于变流器直流侧的平均电压 3、电压源逆变电路与电流源逆变电路的区别？ （1）电压型无源逆变电路直流侧接大电容滤波，输出电压为方波交流，输出电流的波形与负载性质有关；电流型无源逆变电路直流侧接大电感滤波，输出电流为方波交流，输出电压的波形与负载性质有关 （2）电压型无源逆变电路各逆变开关管都必须反并联二极管，以提供之后的感性负载电流回路；电流型无源逆变电路各逆变开关管不需反并联二极管，但是应在负载两端并联电容，以吸收换流时负载电感中的储能 4、单极性调制与双极性调制的区别？ （1）单极性调制是指逆变器输出的半个周期中，被调制成的脉冲输出电压只有一种极性，正半周为+Ud和零，负半周为-Ud和零 （2）双极性调制是指逆变器输出的每半个周期中都被调制成+/-Ud之间变化的等幅不等宽的脉冲列 在近似相同的条件下，单极性调制比双极性调制具有更好的谐波抑制效果。 5、电力变换的基本类型包括哪些？ 包括四种变换类型：（１）整流ＡＣ－ＤＣ （２）逆变ＤＣ－ＡＣ （３）斩波ＤＣ－ＤＣ （４）交交电力变换ＡＣ－ＡＣ 6、半控桥能否用于有源逆变？为什么。 半控桥不能用于有源逆变，因为半控桥整流输出电压在移相范围内始终大于零。 7、直流斩波器的控制方式？ 时间比控制方式：定频调宽定宽调频调频调宽 瞬时值控制和平均值控制 8、电压型无源逆变的特点是什么？ 电压型无源逆变电路输入为恒定的直流电压，输出电压为方波交流电压，输出电流波形与负载的性质有关，阻感需要在功率电子器件旁边反并联二极管，以提供滞后电流的续流回路。 9、简述正弦脉宽调制技术的基本原理？ 正弦脉宽调制技术是把正弦波调制成一系列幅值相等，宽度按正弦规律变化的脉冲列，实现的方式有计算法和调制法两种，调制法分为单极型调制和双极型调制。 10、电力电子技术的定义和作用 电力电子技术是研究利用电力电子器件实现电能变换和控制的电路，内容涉及电力电子器件、功率变换技术和控制理论，作用是把粗电变成负载需要的精电。 11、电力电子系统的基本结构 电力电子系统包括功率变换主电路和控制电路，功率变换主电路是属于电路变换的强电电路，控制电路是弱电电路，两者在控制理论的支持下实现接口，从而获得期
电力电子技术试题 第1章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode ）、晶闸管（SCR ）、门极可关断晶闸管（GTO ）、电力晶体管（GTR ）、电力场效应管（电力MOSFET ）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET ，属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 2、可关断晶闸管的图形符号是 ；电力场效应晶体管的图形符号是 绝缘栅双极晶体管的图形符号是 ；电力晶体管的图形符号是 ； 第2章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O _。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ，其承受的最大正反向电压均为_22U __，续流二极管承受的最大反向电压为__22U _（设U 2为相电压有效值）。 3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__222U 和_22U ； 带阻感负载时，α角移相范围为_0-90O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__22U _和__22U _；带反电动势负载时，欲使电阻上的 电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 5.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFm 等于__22U _，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-150o _，使负载电流连 续的条件为__o 30≤α__(U2为相电压有效值)。 6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _，当它带阻感负载时，α的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_ 的相电压；这种电路 α 角的移相范围是_0-120o _，u d 波形连续的条件是_o 60≤α_。 8.对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使用输出电压平均值__下降_。 11.实际工作中，整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数，当 α 从0°～90°变化时，整流输出的电压ud 的谐波幅值随 α 的增大而 _增大_，当 α 从90°～180°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随 α 的增大而_减小_。 12.逆变电路中，当交流侧和电网连结时，这种电路称为_有源逆变_，欲实现有源逆变，只能采用__全控_电路；对于单相全波电路，当控制角 0< α < π /2 时，电路工作在__整流_状态； π /2< α < π 时，电路工作在__逆变_状态。 13.在整流电路中，能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等（可控整流电路均可），其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势，其极性和晶闸管导通方向一致，其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角α > 90O ，使输出平均电压U d 为负值_。 第3章 直流斩波电路 1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。 2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路 和_升压斩波电路_。 3.斩波电路有三种控制方式：_脉冲宽度调制（PWM ）_、_频率调制_和_（t on 和T 都可调，改变占空比）混合型。 6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。 7.Sepic 斩波电路和Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系，所不同的是：_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续，_ Zeta 斩波电路_的输入、输出电流均是断续的，但两种电路输出的电压都为__正_极性的 。 8.斩波电路用于拖动直流电动机时，降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限，升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限，_电流可逆斩波电路能使电动机工作于第1和第2象限。 10.复合斩波电路中，电流可逆斩波电路可看作一个_升压_斩波电路和一个__降压_斩波电路的组合；
1. 什么是电力电子技术？ 答：应用于电力领域的、使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术。是一门与电子、控制和电力紧密相关的边缘学科。 2. 说“电力电子技术的核心技术是变流技术”对吗？ 答：对。 3. 模拟电子技术和数字电子技术也是电力电子技术吗？ 答：不是。 4. 举几例日常生活中应用电力电子技术的装置。 答：电动自行车的充电器，手机充电器，电警棍等。 5. 简答“开关电源”和“线性电源”的主要优缺点。 答： 开关电源： 优点：体积小、重量轻、效率高、自身抗干扰性强、输入和输出的电压范围宽、可模块化。 缺点：由于开关工作模式和高频工作状态，对周围设备有一定的干扰。需要良好的屏蔽及接地。 线性电源： 优点：电源技术很成熟，可以达到很高的稳定度，波纹也很小，而且没有开关电源具有的噪声干扰。 缺点：是需要庞大而笨重的变压器，所需的滤波电容的体积和重量也相当大，效率低。 将逐步被开关电源所取代。 6. 解释：不可控器件(说明导通和关断的条件)、半控型器件、全控型器件，并举出代表 性器件的名称。 答： 不可控器件：不用控制信号来控制其通、断。导通和关断取决于其在主电路中承受电压的方向和大小。典型器件：电力二极管 导通条件：正向偏置，即承受正向电压，且正向电压＞阀值电压。 关断条件：反向偏置，即承受反向电压。 半控型器件：用控制信号来控制其导通，一旦导通门极就失去控制作用。关断取决于其
在主电路中承受的电压、电流的方向和大小。典型器件：晶闸管 全控型器件：导通和关断均由电路的触发控制信号驱动（驱动状态需保持）。 典型器件：GTR、IGBT、POWER MOSFET。 7. 如图示的二极管伏安特性曲线，示意性地在坐标曲线上标注二极管的参数“反向击穿 电压UB”、“门槛电压UTO”、“正向导通电流IF”及其对应的“正向压降UF”、“反向 漏电流”。 答：
电力电子技术复习题答 案 Company number：【0089WT-8898YT-W8CCB-BUUT-202108】
第二章： 1.晶闸管的动态参数有断态电压临界上升率du/dt和通态电流临界上升率等， 若du/dt过大，就会使晶闸管出现_ 误导通_，若di/dt过大，会导致晶闸管_损坏__。 2.目前常用的具有自关断能力的电力电子元件有电力晶体管、可关断晶闸管、 功率场效应晶体管、绝缘栅双极型晶体管几种。简述晶闸管的正向伏安特性答: 晶闸管的伏安特性 正向特性当IG=0时，如果在器件两端施加正向电压，则晶闸管处于正向阻断状态，只有很小的正向漏电流流过。 如果正向电压超过临界极限即正向转折电压Ubo，则漏电流急剧增大，器件开通。 随着门极电流幅值的增大，正向转折电压降低，晶闸管本身的压降很小，在1V左右。 如果门极电流为零，并且阳极电流降至接近于零的某一数值IH以下，则晶闸管又回到正向阻断状态，IH称为维持电流。 3.使晶闸管导通的条件是什么 答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或：uAK>0且uGK>0。 4.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶 闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于半控型器件的是 SCR 。 5.晶闸管的擎住电流I L 答：晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后，能维持导通所需的最小电流。 6.晶闸管通态平均电流I T(AV)
答：晶闸管在环境温度为40C和规定的冷却状态下，稳定结温不超过额定结温时所允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。标称其额定电流的参数。 7.晶闸管的控制角α（移相角） 答：从晶闸管开始承受正向阳极电压起到施加触发脉冲止的电角度,用a表示,也称触发角或控制角。 8.常用电力电子器件有哪些 答：不可控器件：电力二极管。 半控型器件：晶闸管。 全控型器件：绝缘栅双极晶体管IGBT，电力场效应晶体管（电力MOSFET），门极可关断晶闸管（GTO），电力晶体管。 9.电力电子器件有几种工作状态（电力电子器件有哪四种工作状态） 答：四种，即开通、截止、反向击穿、正向击穿。 10.维持晶闸管导通的条件是什么怎样才能使晶闸管由导通变为关断 答：维持晶闸管导通的条件是晶闸管的电流大于使晶闸管维持导通所必需的最小电流。 晶闸管由导通变为关断：去掉正向电压，施加反压，使晶闸管的电流低于维持电流。 11.简述晶闸管的正常工作时的特性。 答: 当晶闸管承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通。 当晶闸管承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通。 晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用，不论门极触发电流是否还存在，晶闸管都保持导通。 若要使已导通的晶闸管关断，只能利用外加电压和外电路的作用使流过晶
电力电子技术复习2011 一、选择题（每小题10分,共20分） 1、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差A度。 A、180°， B、60°， c、360°， D、120° 2、α为C度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。 A，0度， B，60度， C，30度， D，120度， 3、晶闸管触发电路中，若改变 B 的大小，则输出脉冲产生相位移动，达到移相控制的目的。 A、同步电压， B、控制电压， C、脉冲变压器变比。 4、可实现有源逆变的电路为A。 A、三相半波可控整流电路， B、三相半控桥整流桥电路， C、单相全控桥接续流二极管电路， D、单相半控桥整流电路。 5、在一般可逆电路中，最小逆变角βmin选在下面那一种围合理A。 A、30o-35o， B、10o-15o， C、0o-10o， D、0o。 6、在下面几种电路中，不能实现有源逆变的电路有哪几种BCD。 A、三相半波可控整流电路。 B、三相半控整流桥电 路。 C、单相全控桥接续流二极管电路。 D、单相半控桥整流电路。 7、在有源逆变电路中，逆变角的移相围应选B为最好。 A、=90o∽180o， B、=35o∽90o， C、 =0o∽90o， 8、晶闸管整流装置在换相时刻（例如：从U相换到V相时）的输出电压等于C。
A、U相换相时刻电压u U ， B、V相换相时刻电 压u V ， C、等于u U +u V 的一半即： 9、三相全控整流桥电路，如采用双窄脉冲触发晶闸管时，下图中哪一种双窄脉 冲间距相隔角度符合要求。请选择B。 10、晶闸管触发电路中，若使控制电压U C =0，改变C的大小，可使 直流电动机负载电压U d =0，使触发角α=90o。达到调定移相控制围，实现整流、逆变的控制要求。 B、同步电压， B、控制电压， C、偏移 调正电压。 11、下面哪种功能不属于变流的功能（C） A、有源逆变 B、交流调压 C、变压器降压 D、直流斩波 12、三相半波可控整流电路的自然换相点是( B ) A、交流相电压的过零点； B、本相相电压与相邻相电压正、负半周的交点处； C、比三相不控整流电路的自然换相点超前30°； D、比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°。 13、如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V， 则该晶闸管的额定电压应为（B） A、700V B、750V C、800V D、850V 14、单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相围是( D )
《电力电子技术》复习题 一、是非题 1、表示各种电力半导体器件的额定电流，都是以平均电流表示的。（╳） 2、对于门极可关断晶闸管，当门极上加正触发脉冲时可使晶闸管导通，当门极加上足够的负触发脉冲时又可使导通着的晶闸管关断。 （） 3、晶闸管由正向阻断状态变为导通状态所需要的最小门极电流，称为该管的维持电流。（╳）
4、在规定条件下，不论流过晶闸管的电流波形如何，也不论晶闸管的导通角是多大，只要通过管子的电流的有效值不超过该管额定电流的有效值，管子的发热就是允许的。 （） 5、三相半波可控整流电路的最大移相范围是0°～180°。 （╳） 6、无源逆变是将直流电变换为某一频率或可变频率的交流电供给负载使用。（） 7、正弦波脉宽调制（SPWM）是指参考信号为正弦波的脉冲宽度调制方式。（）
8、直流斩波器可以把直流电源的固定电压变为可调的直流电压输出。（） 9、斩波器的定频调宽工作方式，是指保持斩波器通端频率不变，通过改变电压脉冲的宽度来使输出电压平均值改变。 （） 10、电流型逆变器抑制过电流能力比电压型逆变器强，适用于经常要求起动、制动与反转拖动装置。 （） 11、三相桥式全控整流大电感负载电路工作于整流状态时，其触发延迟角的最大移相范围为0°～90°。
（） 12、额定电流为100A的双向晶闸管与额定电流为50A两只反并联的普通晶闸管，两者的电流容量是相同的。（╳） 13晶闸管的正向阻断峰值电压，即在门极断开和正向阻断条件下，可以重复加于晶闸管的正向峰值电压，其值低于转折电压。 （） 14、在SPWM调制方式的逆变器中，只要改变参考信号正弦波的幅值，就可以调节逆变器输出交流电压的大