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谐振振铃的原因和危害及解决方法

电子设计工程

Electronic Design Engineering

第26卷Vol.26第17期No.172018年9月Sep.2018

收稿日期:2017-12-04

稿件编号:201712008

作者简介:邹传彬(1980—),男,江西龙南人,工程师。研究方向:消费类电子新技术、新产品的开发。

决定电磁辐射影响程度的有几个因素:场强,场强越大,影响越大;频率,在谐振吸收频率处,影响最大,一般是频率升高,影响增大,微波段影响最大;作用时间,电磁辐射对生物体的影响具有积累作用,作用时间越长,影响越大。

而随着技术的发展,电子设备的工作频率也越来越高,功率也越来越大的同时更多有采用数码调制技术,这就导致了振铃的出现越来越常见。而振铃,有着频率高、幅度大的特点,往往也是导致电磁干扰及电磁辐射的关键因素,另外随着振铃的出现,对高速信号的完整性产生严重影响,干扰了信号,产生逻辑错误,导致设备工作不正常,因此必须对振铃加与研究并进行处理。目前对谐振振铃的研究较少,而且都不全面,本文详细的介绍了谐振振铃产生原理,分析了它的相关参数,提出了解决方案,可以有效的抑制谐振振铃。1振铃的产生原因

文中所讲的振铃,指是的一种阻尼振荡,以前骑老式自行车的时候,碰到前面有人大老远就按铃,然后铃声逐渐变小,在这里把声波换成电波就是振铃效应!产生振铃的原因有多种,本文主要分析了由于电路存在寄生电感及电容

开关电源和Class D 功放,因为电路工作在开关状态,大大降低了电路的功率损耗,在当今的电子产品中得到了广泛的应用。由于寄生电感和寄生电容的存在,电路的PWM 开关波形在跳变时,常常伴随着振铃现象。

在开关电源和Class D 功放电路中,芯片退耦电容到芯片电源引脚之间的PCB 走线,芯片电源引脚到内部硅片之间的邦定线可以等效成一个寄生电感。在功率MOSFET 截止时,功率MOSFET 电极之

谐振振铃的原因和危害及解决方法

邹传彬,唐波,杨美军,钟志群

(深圳三诺数字科技有限公司广东深圳518105)

摘要:开关电源及D 类功放中,因寄生电容和寄生电感的存在,导致电路产生谐振振铃,而振铃有着频率高、幅度大的特点,是导致EMC 的关键因素,也是导致电路工作不正常的关键点之一。为解决这个问题,本文分析了振铃的产生原理,并用仿真电路验证,最后采用了缓冲电路(Snubber )的方法来消除谐振振铃,通过计算及实验,Snubber 电路可以有效的抑制谐振振铃的产生,从而达到了消除谐振振铃的目的。

关键词:振铃;谐振;寄生电容;寄生电感;缓冲电路中图分类号:TN702

文献标识码:A

文章编号:1674-6236(2018)17-0126-05

The reason ,risk and solution for resonant ringing

ZOU Chuan-bin ,TANG Bo ,YANG Mei-jun ,ZHONG Zhi-qun

(Shen Zhen 3nod Digital Technology CO.,LTD ,Shenzhen 518105,China )

Abstract:Because of the parasitic capacitance and inductance ,there could be a resonant ringing in switching power and Class D amplifier circuit.the resonant ringing has the characteristics of high frequency and wide range ,should be the key factor of EMC and one of the main points of circuit abnormal work as well.In order to solve this issue ,this paper try to analysis the root cause of ringing with simulation circuit verifying ,and find the way of Snubber Circuit to eliminate the resonant ringing ,and it works by experiment data validation.

Key words:ringing ;resonant ;parasitic capacitance ;parasitic inductance ;snubber circuit -

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