1、PR前清洗ITOGLASS清洗指用物理的方法（磨刷喷洗）和化学的方法（去离子水DI 水和KOH）将玻璃表面的脏污和油污、杂质除去并干燥的过程
2、PR涂佈指在玻璃的导电层表面均匀涂上一层光刻胶
3. 前烘指在一定温度下将涂有光刻胶的玻璃烘一段时间、使光刻胶的溶剂挥发，形行成固体的PR层
4. 曝光指用紫外线通过预先设置好的菲林垂直照射光刻胶表面，使被照射部分的光刻胶发生反应
5、显影指用弱KOH溶液去离玻璃表面将径光照射部分的光刻胶除去，保留未照射部分的光刻胶
6、坚膜指将玻璃在径一次高温处理，使光刻胶膜更加坚固。
7、蚀刻指用适当的酸液将无光刻胶覆盖的ITO层除去，这样就得到了我们所需要的ITO 电极图形。
8、脱膜指用较强的KOH剥膜液将残留光刻胶除去，将玻璃表面清洗干燥
1. PR前清洗
A.清洗：
指清除吸附在玻璃表面的各种有害杂质或油污。清洗方法是利用各种化学浓剂（KOH）和有机浓剂与吸附在玻璃表面上的杂质及油污发生化学反应和浓解作用，或以磨刷喷洗等物理措施，使杂质从玻璃表面脱落，然后用大量的去离子水（DI水）冲洗，从而获得洁净的玻璃表面。（风切是关键）
B.干燥：
因经过清洗后的玻璃，表面沾有水或有机浓剂等清洗液。这样会对后续工序造成不良影响，特别是对后续光刻工艺会产生浮胶、钻蚀、图形不清晰等不良现象。因此，清洗后的玻璃必须经过干燥处理。目前常采用的方法是烘干法，而是利用高温烘烤，使玻璃表面的水分气化变为水蒸气而除去的过程，此方法省时又省力。但是如果水的纯度不变，空气净化等不多或干燥机温度不够，玻璃表面残存的水分虽经气化为蒸气，但在玻璃表面还会留下水珠，这种水珠将直接影响后续工序的产品质量
C. 十槽清洗机PR清洗机制程参数设定
1---3槽KOH溶液为0.4~0.7N，温度为60±5℃，浸泡时间为2~3min／槽纯水溢流量为0.5±0.2㎡／n. KOH溶度为1.0N~1.6N,温度为40±5℃,喷洗压为0.2~1.0kgf/c㎡,传动速度为3.0~4.5m/min,磨刷转速为85~95rpm,压力为0.2~1.0kg/c㎡，纯水温度为40±5℃，干燥机1.2.3段温度为110℃±10℃。注：玻璃清洗洁净度不够之改改善对策，适当加入少许KOH溶液，改变KOH，溶液，经常擦拭风切口，喷洗等处，亦可调态清洗机传动速度，将传速度减慢
2.PR涂佈
光刻是一种图像复印和化学腐蚀相结合的，综合性的精密表面加工技术。
光刻的目的就是按照产品的设计要求，在导电玻璃上覆盖感光胶。
A.光刻胶的配制
光刻胶的性能与光刻胶的配比有关。配比的选择原则是即要光刻胶是有良好的抗蚀能力，又要有较高的分辨率。但两者往往是相互矛盾的，不能同时达到。因此，必须根据不同的光刻对象和要求，选取不同的配比。光刻胶的配制应在暗室（洁净度较高的房间）中进行。用量筒按配方比例将原胶及溶剂分别量好，再将溶剂倒入原胶，用玻璃棒充分搅拌使之均匀混合，通常刚配制好的光刻胶中必然还存在少量因态物质微粒未能完全溶解，为把这部分未能
溶解的固态物质微粒滤除，我们一般采用自然沉淀法进行过滤。
B.涂层
为保证ITO层与光刻胶之间有良好的接触和粘附，清洗后的玻璃应立即送光刻工序进行涂胶。如果玻璃搁置较久或者光刻返工，必须重洗在涂胶。涂胶要求，粘附良好，均匀厚薄适当。若胶膜太薄，针孔较多，则抗蚀能力差，胶膜太厚，则分辨率低。涂胶方法采用旋转及车混涂法。为保证胶膜质量，涂胶应在洁净无尘操作箱内进行。涂胶机内温度应保持在20℃~25℃范围内，相对温度低于60%，涂胶要在黄灯照射条件下进行，以防止光刻胶露光失效
C．前烘
前烘的方法是在恒温的干燥箱中烘烤，具体情况视胶的种类和性质而定。
影响前烘质量的主要因素是温度和时间，烘烤不足（温度过低或时间太短），在胶膜与ITO交界面处，胶中的溶剂未充分挥发，曝光后形成浮胶或使图形变形。烘烤过头（温度太高或时间太长），会导致胶膜翘曲硬化，形成不易溶于显影液中的薄膜而留下来，显影不干净或胶面发皱，发黑，失去抗蚀能力。
D．PR涂胶机机台参数设定
滚轮传速与涂布轮传速为218±5转1分，干燥机传速为4.0±2m/min
光刻胶米方度为30±2mpa.s,光刻胶压入量为0.5±0.1mm.（光刻胶只能四收5次使用）光阻剂：稀释剂=10:1（依粘度测试情况而定）.注：涂布不良(涂布气泡、涂布不均匀)之改善对策，调态涂胶滴管内光刻胶滴入量。
3.曝光
目前曝光方法采用接触式曝光，因此方法所用设备简单，操作方便，它包括“定位”和“曝光两个步聚。定位对光刻精度影响很大，是光刻中十分重要的一环，要认真对准。
一般操作程序是：光预热紫外光（UV）灯，待光源稳定后，把菲林安装在支架上；将涂有光刻胶的ITO玻璃放在平台上，胶面朝上，将光刻菲林支架放下，仔细调态平台微动装置，使菲林上定位标志与平台上玻璃的定位准确套合。定位完成即可曝光，曝光后经过显影并检查定位是否正确
曝光时间由光源到ITO玻璃的距离，光源强弱，光刻胶的感光性能及菲林、玻璃厚薄等因素决定如曝光时间过短，光刻胶感光不足，则其光化学反应不充分，光刻胶的抗蚀性能就会降低，显影时部分溶解，此时在投影机下可观察到胶膜发黑；若曝光时间太长，会使光刻胶本不该感光部分的边缘被微弱感光，即产生“晕光”现象，蚀刻后边原模糊或发现皱纹，使分辨率降低。
为了保证曝光质量，在操作中要注意以下几点；
（1）定位必须严格套准
（2）菲林必须平整地贴在玻璃上，不能有空隙。若存在空隙，则不该曝光的地方会受到光的照射，使图形产生畸变；
（3）曝光操作中，应注意动作要轻，保护好菲林不致划伤；
（4）曝光时间必须准确控制。曝光治具有菲林、干版、絡版
曝光工艺参数之设定：
(1) 光量为100-140mj/c㎡,曝光时间为6.8-8.5s,曝光柄位之标准公差±0.2mm,曝光机内紫外光被为380-780纳米
4.显影
显影的目的是将未感光部分的光刻胶出所需要的图行。
显影必须彻底，以使图形边缘整齐。
显影需严格控制好显影时间。
若显影时间不足，则在未感光处留下一层不易察觉的光刻胶层，在蚀刻ITO层之间，它起了祖蚀作用，而随意蚀刻液对这一博层胶膜的穿透和破坏，使这一博层的ITO层蚀刻不彻底，形成斑纹或小岛。
此外，显影不足还会使胶膜边缘出现厚度不均的过夜区，造成边缘毛刺，图形模糊，影响光刻质量。
若显影时间过长，由于显影时光刻胶发生软化、膨胀，显影液从ITO层表面向图形边缘渗入，发生粘溶，使图形边缘变形。
有的甚至会出现浮胶现象，ITO表面的胶膜皱起呈橘皮状，严重的甚至大片剥落形成脱胶。
为了保证显影质量，必须严格控制显影显影时间并及时更换显影液。显影后玻璃一般应检查一下几个方面：
（1）图形定位是否准确；
（2）图形边缘是否整齐；
（3）有无皱胶和胶发黑；
（4）有无浮胶；
（5）有无胶面及ITO层的划伤；
(6)显影漂洗是否干净等；显影机工艺参数之设定：
KOH溶度为0.1-0.18N，温度为30±2℃，压力为≦0.2kg/c㎡,传速为4.5±1.5m/min，喷洗压力为0.1-0.5 kg/c㎡。
5.坚膜
由于显影时胶膜发生软化、膨胀，影响胶膜抗蚀能力，，因此在显影后必须以适当温度烘干玻璃，以去除显影夜和水份，使胶膜坚固。坚膜可以使胶膜与ITO层之间贴得更牢，同时也增强了胶膜本身的抗蚀能力。
坚膜的温度和时间要适当选择，若坚膜不足，则因胶膜没有烘透，不够坚固，在蚀刻时发生浮胶或严重测蚀等。若坚膜过度，则使胶膜因热膨胀会产生翘曲和剥落，当蚀刻时会发生钻蚀或浮胶。
坚膜最好采用缓慢升温和自然冷却法，这样可使胶膜更坚固，防止因胶的细小裂纹而出现毛刺现象。
6. 蚀刻
蚀刻所选用的酸夜必须能腐蚀掉裸露的ITO层，又不损伤玻璃表面的光刻胶层。另外，还要求酸夜毒性小，使用方便。（酸夜为HCL+HNO3的混合物）。
蚀刻温度对蚀刻效果影响很大，温度太低，则蚀刻时间要长，易产生浮胶；温度太高，则蚀刻酸夜太活泼，也较易产生脱胶或钻蚀现象。
光刻质量要求和分析
（1）光刻质量要求
因光刻质量的好坏直接影响到产品性能，成品率和可靠性，所以把好光刻工艺的质量关是十分重要的。
蚀刻的图形完整，尺寸准确，边缘整齐，线条陡直；
图形内无小岛、针孔、毛刺等，蚀刻干净；
蚀刻后的玻璃表面清洁，不发光，没有残留的被蚀刻夜；
图形定位准确；
（2）光刻指令分析
要达到好上所示的质量，必须对光刻过程中存在的各种缺陷和弊病进行分析和研究，找出原因，才有可能克服这些缺陷和弊病。
A.显影时产生浮胶的原因有
涂胶前玻璃表面不洁净，表面有油污，水汽等，或玻璃清洗后在空气中放置时间过长，空气中的水汽附在玻璃表面上；或者涂胶膜操作环境湿度太大，使胶与玻璃表面粘附不良。因此，必须注意做好玻璃表面洁净处理和操作环境的温湿度及清洁工作。
光刻胶配制有误胶陈旧不纯，胶的光化学反映性能不好，使胶与ITO层结合能力差；或者胶膜不均匀和过厚，引起粘附不良。
前烘时间不足或过液。烘烤时间不足，胶膜内溶剂不能及时挥发，显影时部分胶膜被溶除；烘烤时间过长，胶膜翘曲硬化，胶的感光特性会发生变化。所以前烘必须恰当。
曝光不足，光硬化反映不彻底，胶膜溶于显影液中，引起浮胶。因此，在保证分辨率的前提下，曝光要充分。
显影时间太长，显影液从胶膜底部不断渗入，引起浮胶。因此必须控制好显影时间。
B.蚀刻IT0层时产生浮胶的原因有
蚀刻是产生的浮胶，除了与显影时产生的浮胶有相同原因外，还有以下几个原因；坚膜不足，胶膜烘烤热固化不够。所以坚膜要充分，但也不能太高。蚀刻液温度太低或太高。温度太低，蚀刻缓慢，则蚀刻时间太长，蚀刻液穿透或从底部渗入胶膜，引起浮胶；温度太高，蚀刻液活泼性强，也可能产生浮胶。因此蚀刻温度要选择适当。蚀刻液配制失误，蚀刻液的活泼性太强。
a．产生毛刺和钻蚀的原因有：
涂胶前玻璃表面洁净度不够，存在污物，油污、小颗粒吸附水汽，使光刻胶与ITO层粘附不良，引起毛刺或局部钻蚀。光刻底板不好，图形边缘有毛刺状缺陷。光刻胶过滤不好或太陈旧，存在颗粒状物质，造成粘附不良。显影时间过长，图形边缘发生钻溶，蚀刻时就要造成钻蚀。曝光不足，光硬化反映不彻底，显影后在胶膜上产生溶坑或图形边缘引起钻溶，蚀刻时造成毛刺或钻蚀.
b．产生针孔的原因
光刻掩模版质量不好，本身有针孔；
涂光刻胶时，操作环境被灰尘沾污；
光刻胶涂得太薄，或光刻胶本身抗蚀性能太差；
曝光时间控制不好；蚀刻液配比不当；
玻璃表面本身缺陷也可能造成针孔
c．产生“小道”的原因及其处理方法
由于菲林不好，图案区有针孔或损伤，曝光是光透过这些针孔，使这些地方的胶膜局部感光，成为不溶于显影液的胶膜“小岛”，蚀刻后成为ITO层的“小岛”，出现这种情况应及时发现并更换或处理菲林。
若显影不彻底，则在光刻窗口内留下一层不易察觉的胶膜，这层胶膜在蚀刻ITO层的过程中起阻蚀作用，从而造成ITO层蚀刻不彻底，残留下ITO层“小岛”。出现这种情况在胶膜抗蚀能力允许的条件下，应适当延长蚀刻时间。蚀刻液不纯，特别是沾有灰尘等异物，往往对ITO层有腐蚀作用，形成ITO层“小岛”。因此，保持玻璃表面清洁，无灰尘污染，保持蚀刻液清洁并定期更换蚀刻液，可以减少由此产生的“小岛”。
蚀刻时间与蚀刻速度有关，而蚀刻速度又与酸液和温度有关，若蚀刻时间太短，ITO层未蚀刻干净，会导致短路而蚀刻时间也不宜太长，因为胶膜抗蚀能力有限，时间长了蚀刻酸液会穿透蚀胶膜产生浮胶或使分辨率降低，图形变坏等。
蚀刻后玻璃应检查项目有：
蚀刻不足、蚀刻过度、无卜、短路等。
蚀刻工艺参数之设定：
酸液溶度为（一般玻璃）6.0-6.5N,（特殊玻璃）为6.4-6.8N,温度为45±2℃蚀刻速度：TN为3.6±0.1min,STN为3.2±0.1 min，喷洗压力为0.1-0.3kg/c㎡. 蚀刻应注意之项，在加酸时停止放玻璃，待酸打满后在打开循环加热器开关，等温度恒定在蚀刻玻璃。
7. 剥膜
所谓剥膜，就是将经过蚀刻的玻璃表面残留的光刻胶去除干净。
剥膜液溶度（KOH）需控制在0.8-1.6N范围内。
8.DI水清洗
用纯水清洗玻璃表面，完全去除KOH残夜和表面沾污
将ITO图案出来的玻璃暂存净化区，为下一道工序作准备
触控面板制造工艺之黄光工艺流程全解 发布时间：2014-8-22 作为目前电容式触摸屏最为主流的制造工艺，黄光制程一直备受关注。技术发展到今天，已经拥有非常完善的工艺。本文将从黄光制程的步骤入手，全面介绍制程中每个步骤及所需注意的事项。 1. PR前清洗 A.清洗： 指清除吸附在玻璃表面的各种有害杂质或油污。清洗方法是利用各种化学浓剂（KOH）和有机浓剂与吸附在玻璃表面上的杂质及油污发 生化学反应和浓解作用，或以磨刷喷洗等物理措施，使杂质从玻璃表面脱落，然后用大量的去离子水（DI水）冲洗，从而获得洁净的玻 璃表面。（风切是关键） B.干燥： 因经过清洗后的玻璃，表面沾有水或有机浓剂等清洗液。这样会对后续工序造成不良影响，特别是对后续光刻工艺会产生浮胶、钻蚀、图形不清晰等不良现象。因此，清洗后的玻璃必须经过干燥处理。目 前常采用的方法是烘干法，而是利用高温烘烤，使玻璃表面的水分气化变为水蒸气而除去的过程，此方法省时又省力。但是如果水的纯度不变，空气净化等不多或干燥机温度不够，玻璃表面残存的水分虽 经气化为蒸气，但在玻璃表面还会留下水珠，这种水珠将直接影响后
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抽样检验——制程检验程序(doc 6页)
中山桑芭丝服装有限公 司 程序文件制程检验程序 编号：S-QP- 版本/修改状态：A/0 生效日期：2002年月 日 页码：第1页，共4 页 拟制：审核：批准：
1.目的 明确制程检验作业程序，对产品进行首件检验，首三件检验以及巡回检验，以确保生产过程中产品质量得到严格监控。 2.适用范围 适用于首件、首三件以及巡回检验各过程。 3.职责 3.1工厂部：负责制程定点检验区域的检验和记录，以及品质不良 的改善与纠正措施的执行。 3.2质检科：负责产品制程中首件、首三件、巡回检验的执行和记 录。 4.工作程序 4.1制程检验流程图（附表） 4.2首件检验 4.2.1车缝、大烫、手工组长按样衣及“车缝工艺单”制作首 件样版。 4.2.2首件生产完成后，车缝组长自检后，本组组检员依：“车 缝工艺单”、“后整工艺单”、《服装检验手册》及样衣对 首件进行全面检查、测量，将检验结果详细记录在“首 件检验记录表”上，然后由组检将首件样衣及“首件检 验记录表”送交后整QA进行复检，复检意见记录在“首 件检验记录表”相应栏内，并依顺序转交车缝主管、车 缝QA、业务员、质检主管进行复查及批示。 4.2.3首件查核后，由工艺员组织相关车缝组长、专检组长、组 检员、跟单QA开产前生产会，由工艺员主持讲解工艺要 求，质检科将检验中发现的质量问题予以提出，共商改善 对策。只有首件审核完成后，车缝组才可正式生产大货。
编号：S-QP- 版/修：A/0 页码：第2页，共4页
编号：S-QP- 版/修：A/0 页码：第3页，共4页
产品质量检验流程图 1. 产品质量检验流程与风险控制图 产品质量检验流程与风险控制 不相容责任部门/责任人的职责分工与审批权限划分阶业务风险 总经理技术总监质量管理部各生产单位段如果没有规范的产品开始 质量检验标准和操作 审批规范，企业生产的产 品质量就得不到有效 保障 如果对产品质量检验 的每个环节把关不 严，产品质量就会受 到影响，企业形象和 消费者利益也会受到 损害 如果不对产品存在的 审批质量缺陷和问题进行 反思总结，产品的质量 就得不到有效改善， 最终将不利于企业的 长远发展 1 审核制定质量检验标准 2 制定《质量检验 操作规范》 执行质量检验标准 3 原材料检验 4 在制品检验 5 产成品检验 6 编写《年度质检 审核 总结报告》 修订质量检验标准 及操作规范 结束 D1 进行生产 配合工作 D2
D3 2. 产品质量检验流程控制表 产品质量检验流程控制 控制事项详细描述及说明
1. 质量管理部会同相关部门及专业人员参考国家标准、行业标准、国外标准、客户需求 及本身制造能力等，严格制定产品质量检验标准，并报技术总监审核、总经理审批D1 2. 质量管理部应制定《质量检验操作规范》，对原材料、在制品、产成品的检查项目、质 量标准、检验频率、检验方法及使用仪器设备等进行详细说明 3. 原材料购入时，仓库管理部门应依据相关规定办理收料，并通知质量管理部人员进行 阶 检验，质量管理部检验人员应依照原材料质量标准及检验规范的规定完成检验，对不段 符合质检要求的原材料进行相应的退换货处理 控 D2 4．质量管理部检验人员对制造过程的在制品均应依照在制品质量标准及检验规范实施质制 量检验，以提早发现问题并迅速处理，确保在制品质量 5．质量管理部检验人员应依照产成品质量标准及检验规范实施质量检验，以提早发现问 题并迅速处理，以确保产成品质量 6．质量管理部应每年提交《年度质检总结报告》，对本年度产品质量检验的标准、规范及D3 执行情况进行总结，并提出产品质量检验标准及检验规范的修订意见相应建《产品质量管理制度》 关规范《产品质量检验操作规范》 规参照《企业内部控制应用指引》 范规范《中华人民共和国产品质量法》 《产品质量操作规范》 文件资料 《年度质检总结报告》 责任部门及责任人质量管理部、相关部门 总经理、技术总监、质量管理部经理
李经理: 请查看附件.环评要求你们的工艺流程及说明也要像附件中我们的芯片流程这样描述详细.(流程右边的代号是表示废水或废气,你可以用文字表述. 另外你们的原材料中有一种含氰的化学品,请你们说明其无害特点.如确实有害,则要说明处理方案. 上面的事很急,请你帮忙这两天就给出来. 芯片工艺流程图及说明 工艺流程图 红黄光芯片生产工艺流程及产污环节点见图4-2、
W 废水产出点 注：G 废气产出点 S 固废产出点 氢氟酸、S2-9、S2-7 、G 2-9 硫酸红、黄光外延片 金钛铝图4－2 红黄光芯片生产工艺流程及产污环节点
工艺流程说明 （1）外延片检测：用荧光测试仪快速测量外延片的光电参数。 （2）清洗：将外延生长好的外延片依次放入硫酸与双氧水的混合溶液、氨水与双氧水的混合溶液、异丙醇中对外延片表面进行清洗，每次清洗后使用纯水进行冲洗。此过程在通风柜里密闭进行，冲洗使用通风柜内的专用清洗槽，使用纯水进行漂洗直至槽中纯水达到工艺要求的较低离子浓度。 （3）蒸镀：清洗后的外延片放入密封蒸镀设备中，根据产品品种要求，蒸发上钛金或钛铝电极薄膜。 （4）光刻：将镀好金属的外延片在涂胶机上涂上光刻胶后，在曝光机上曝光，将光刻版上的图形转移到光刻胶上，再放入显影液中，溶解去曝过光的光刻胶，未经曝光的光刻胶保留下来，得到所需的电极图形。 （5）腐蚀：将光刻后的外延片依次采用磷酸、氢氟酸与硝酸的混合液来腐蚀钛、金和铝等金属，腐蚀后用纯水冲洗外延片携带的酸液、再用去胶液去除光刻胶，得到所需的金属电极。用纯水冲去外延片携带的去胶液。 （6）高温合金：腐蚀后的外延片放在合金炉中进行热处理，使金属层与外延层形成良好的欧姆接触，减低芯片正向电压。 （7）研磨：通过蜡将外延片粘接在研磨盘上，放入研磨机内，采用三氧化二铝研磨粉，通过机械研磨的方式，减薄衬底，使外延片易于切割，并降低芯片的热阻，提高器件的可靠性。 （8）研磨后清洗：研磨后的外延片先用去蜡液、丙酮和异丙醇去除蜡，再依次放入硫酸与双氧水的混合溶液、氨水与双氧水的混合溶液进行清洗、去蜡以及每次清洗后使用纯水进行冲洗。 （9）清洗干净后的外延片，放入密闭的蒸镀机内，根据产品需要蒸发上金、镍。 （10）高温合金：蒸镀后的外延片放在合金炉中再次进行热处理，使金属层与衬底形成良好的欧姆接触，减低芯片正向电压。 （11）半切：用切割机将制作好电极的外延片切至衬底，但不把整个衬底切穿。 （12）点测：将半切好的外延片放在芯片测试机上，测试每个芯片的光电参数，并对不符合要求的芯片点墨水做出标记。 （13）切穿：用切割机将测试过的外延片切穿，切成一个个芯片。 （14）目检：在显微镜下用真空吸笔将外观不合格和点墨水的芯片剔除掉。废芯片统一保存并交由固体废物处置公司处置。 （15）包装入库：将目检过的芯片用包装膜包装后，计数并贴上有光电参数、产品规格等的标签，再交由生管成品库入库。
制程检验作业流程
流程图 1．0目的 为保证产品在生产制程中得到有效检验作业,控制制程品质,降低制程返工、报废,提升产品合格率,提高不良出来的时效性，特制定本作业流程。2．0 范围 适用于（备料车间、白身车间、油漆车间、包装车间）生产过程中的检验与控制及不良品处理。 3．0 职责 3.1 PMC部：计划课负责生产指令的下达,参与生产异常处理；仓务课负责完成 不良品的回仓分类保管、标识确认及不良品退料的督促工作。 3.2 各生产车间：负责制程产品材料确认,首件产品品质确认及生产过程中的自 检、互检工作。反馈、参与生产异常处理； 3.3品管部：首件产品确认及生产过程中的巡检、完工后检验,反馈、主导或参 与品质异常处理工作，并对数据记录保存、统计、分析、改善，持续改善； 3.4 相关部门：主导或参与品质异常处理及异常分析工作。 4．0 作业程序 4.1 PMC部下发《生产日计划》给各生产车间主管，各生产车间主管根据《生产日 计划》，组织安排操作工做好生产前的准备工作； 4.2 各车间组长、技术员准备工装夹具、测量量具、签样等，按样品或
产品工程作业标准书等准备物料进行生产。 备料、白身、总装车间：工装夹具、测量量具、签样、作业指导书、图纸、模具等。 油漆车间：色板、签样、作业指导书、图纸等。 包装车间: 签样、作业指导书、图纸、产品包装示意图、模具等。 4.3组长、技术员对首件先自检，合格报制程检验员对首件进行检验，详细参考 《首件检验控制卡》。 4.4制程检验员全检或按规定频次(正常情况下每天不少于6次)及工艺图纸等要 求巡检各工序制程品质状况，巡检要有相关侧重点，填写巡检记录，若不符 图纸和工艺要求，则知会操作员异常状况；当生产操作工自检发现不良现象 时及时隔离和标识；当产生不良品超标时，发现人即时通知本组组长 到现场确认，组长到现场确认后，按《生产异常提报控制卡》进行操 作，必要时组长填写《品质异常报告和处理单》交责任单位处理（来 料引起的不良交品管部处理；制程引起的不良交本部车间主管处 理）。现场品质组长监督执行情况和跟进结果。 4.5操作工确认品质没有异常的，通知制程检验员进行全检或抽检.制程检验员 按照图纸上要求及抽样标准进行全检或抽检，检验合格正常转入下一工序,并贴上合格标贴同时在交接单上签名承认.若不符规格要求，则要求生产操作者返工，暂停转序，即时通知本组组长到现场确认，组长到现场确认后，按《生产异常提报控制卡》进行操作，必要时组长填写《品质异常报告和处理单》交责任单位处理（来料引起的不良交品管部处理；制程引起的不良交本部车间主管处理）。现场品质组长监督执行情况和跟进结果。 4.6相关人员收到异常提报的通知后10分钟内赶到现场处理，收到现场组长或 品管填写的《品质异常报告和处理单》后需在规定时间内完成（来料引起的不良交品管部处理；制程引起的不良交本部车间主管处理）。现场品质组长和生产主管监督执行情况并结果跟进。
制程检验作业流程 流程图
1．0目的 为保证产品在生产制程中得到有效检验作业,控制制程品质,降低制程返工、报废,提升产品合格率,提高不良出来的时效性，特制定本作业流程。2．0 范围 适用于（备料车间、白身车间、油漆车间、包装车间）生产过程中的检验与控制及不良品处理。 3．0职责 3.1 PMC部：计划课负责生产指令的下达,参与生产异常处理；仓务课负责完成 不良品的回仓分类保管、标识确认及不良品退料的督促工作。 3.2 各生产车间：负责制程产品材料确认,首件产品品质确认及生产过程中的自 检、互检工作。反馈、参与生产异常处理； 3.3品管部：首件产品确认及生产过程中的巡检、完工后检验,反馈、主导或参 与品质异常处理工作，并对数据记录保存、统计、分析、改善，持续改善； 3.4 相关部门：主导或参与品质异常处理及异常分析工作。 4．0作业程序 4.1 PMC部下发《生产日计划》给各生产车间主管，各生产车间主管根据《生产 日计划》，组织安排操作工做好生产前的准备工作； 4.2 各车间组长、技术员准备工装夹具、测量量具、签样等，按样品或 产品工程作业标准书等准备物料进行生产。 备料、白身、总装车间：工装夹具、测量量具、签样、作业指导书、图纸、模具等。 油漆车间：色板、签样、作业指导书、图纸等。 包装车间: 签样、作业指导书、图纸、产品包装示意图、模具等。 4.3组长、技术员对首件先自检，合格报制程检验员对首件进行检验，详细参考 《首件检验控制卡》。 4.4制程检验员全检或按规定频次(正常情况下每天不少于6次)及工艺图纸等要 求巡检各工序制程品质状况，巡检要有相关侧重点，填写巡检记录，若不符 图纸和工艺要求，则知会操作员异常状况；当生产操作工自检发现不良现象
XXX有限公司 黄光制程废水处理工程 技 术 方 案 招标人：XXX有限公司 投标人：深圳市*****水处理技术有限公司二〇一三年三月十二日
XXX有限公司 黄光废水处理工程方案 审定：何琼 审核：邹峰 设计负责人：邹峰 参加编制人：邹峰、彭件华 资质证书号 深圳市环境保护工程技术资格证书：
目录 一、项目概况 (4) 二、设计依据及设计原则 (4) 2.1、设计依据 (4) 2.2、设计原则 (5) 三、废水的水质、水量 (5) 四、废水的排放标准 (6) 五、废水处理工艺 (6) 5.1、废水处理工艺流程选择 (13) 5.2、废水处理流程图及平面布置图 (13) 5.3、工艺流程说明 (13) 六、废水处理系统主要构筑物及设备 (14) 6.1、主要构筑物 (20) 6.2、主要设备 (21) 七、工程布局 (24) 八、处理系统水、电及总装机容量 (24) 九、管路设计 (24) 十、电气控制系统设计 (25) 十一、劳动定员 (25) 十二、运行费用估算(仅供参考) (25) 十三、工程工期 (26) 附图：工艺流程图 平面布置图
*****有限公司黄光废水处理工程方案 一、项目概况 *****有限公司，是一家新型的高科技企业。该企业在生产过程中每天需排放一定量的污染废水。针对生产产生废水情况的预计，并考虑到生产废水如不达标处理而直接排入水体给环境带来的严重危害，*****有限公司准备新建一套日废水排放总量为500吨的黄光废水处理系统。 由于该项目为新建项目，为保护好环境，按照国家环保法规，必须实行“三同时”制度，落实好环保措施，针对此情况，*****有限公司委托深圳市*****水处理技术有限公司对该工程进行整体规划与设计。 二、设计依据及设计原则 2.1、设计依据 1．生产厂家的生产工艺废水种类、数量及浓度范围等资料； 2．废水设计处理能力为：500m3/d，设计每小时处理25m3； 3．废水中需要处理的污染物为：PH、COD、酸碱、重金属以及悬浮物等； 4．废水经处理后达到《污水综合排放标准》（GB8978-1996）一级标准； 5．给水排水工程建设有关规范； 6．根据我们所完成的同类型废水工程实际参数和经验； 7．《给排水设计手册》；
黄光PHOTO制程问答 2009-11-27 17:11 PHOTO 流程? 答：上光阻→曝光→显影→显影后检查→CD量测→Overlay量测 何为光阻？其功能为何？其分为哪两种？ 答：Photoresist(光阻).是一种感光的物质，其作用是将Pattern从光罩(Reticle)上传递到Wafer上的一种介质。其分为正光阻和负光阻。 何为正光阻? 答：正光阻，是光阻的一种，这种光阻的特性是将其曝光之后，感光部分的性质会改变，并在之后的显影过程中被曝光的部分被去除。 何为负光阻? 答：负光阻也是光阻的一种类型，将其曝光之后，感光部分的性质被改变，但是这种光阻的特性与正光阻的特性刚好相反，其感光部分在将来的显影过程中会被留下，而没有被感光的部分则被显影过程去除。 什幺是曝光？什幺是显影？ 答：曝光就是通过光照射光阻，使其感光；显影就是将曝光完成后的图形处理，以将图形清晰的显现出来的过程。 何谓 Photo? 答：Photo=Photolithgraphy,光刻，将图形从光罩上成象到光阻上的过程。Photo主要流程为何? 答：Photo的流程分为前处理，上光阻，Soft Bake, 曝光，PEB，显影，Hard Bake 等。 何谓PHOTO区之前处理? 答：在Wafer上涂布光阻之前，需要先对Wafer表面进行一系列的处理工作，以使光阻能在后面的涂布过程中能够被更可靠的涂布。前处理主要包括Bake，HDMS 等过程。其中通过Bake将Wafer表面吸收的水分去除，然后进行HDMS工作，以使Wafer表面更容易与光阻结合。 何谓上光阻? 答：上光阻是为了在Wafer表面得到厚度均匀的光阻薄膜。光阻通过喷嘴（Nozzle）被喷涂在高速旋转的Wafer表面，并在离心力的作用下被均匀的涂布在Wafer的表面。 何谓Soft Bake? 答：上完光阻之后，要进行Soft Bake，其主要目的是通过Soft Bake将光阻中的溶剂蒸发，并控制光阻的敏感度和将来的线宽，同时也将光阻中的残余内应力释放。 何谓曝光? 答：曝光是将涂布在Wafer表面的光阻感光的过程，同时将光罩上的图形传递到Wafer上的过程。 何谓PEB(Post Exposure Bake)? 答：PEB是在曝光结束后对光阻进行控制精密的Bake的过程。其目的在于使被曝光的光阻进行充分的化学反应，以使被曝光的图形均匀化。 何谓显影? 答：显影类似于洗照片，是将曝光完成的Wafer进行成象的过程，通过这个过程，成象在光阻上的图形被显现出来。
精选文档 工 艺 文 件 编制：制剂研发部日期：批准：日期： .
. 生产工艺流程： 生产任务单 开具生产配方单 系统检查 转入包装岗位 报检 质量控制点 25克/升高效氯氟氰菊酯乳油质量控制点操作控制程序及操作步骤 溶剂 助溶剂 乳化剂 抽入配制釜 打开人孔盖投固体原料 搅拌混合 静置分离 质检 冲洗管道 合格包装 操作步骤：1、按产品配方比例将定量的溶剂、助溶剂、乳化剂通过计量，用真空泵抽入配置釜中。 2、打开人孔盖投合格的固体原料。 2、将剩余量的溶剂通过计量，抽入配制釜中，以冲洗管道。 3、开启搅拌器，进行搅拌混合，至混合均匀。
5、进行排底分离。。 6、取样报检，若所测控制指标合格，转入包装程序。 250克/升氟磺胺草醚水剂质量控制点操作控制程序及操作步骤： 氟磺胺草醚原粉 配制釜搅拌混合静置分离排底 剩余水质检 合格包装 操作步骤：1、按产品配方比例将定量的水、助剂、氢氧化钠通过计量，用真空泵抽入配置釜中。 2、将剩余量的水通过计量，抽入配制釜中，以冲洗管道。 3、将定量的乙烯利原粉投入配制釜中。 4、开启搅拌器，进行搅拌混合，至混合均匀。 .
. 6、进行排底。将排底的物料用真空泵再次抽入配制釜中。 7、取样报检，若所测控制指标合格，转入包装程序。 15%噻吩磺隆可湿性粉剂质量控制点操作控制程序及操作步骤： 噻吩磺隆原粉 计量 分散剂载体 预混合 气流粉碎 磨细 填料 润湿剂 后混合 质检 合格包装 操作步骤：1、按产品配方比例将定量噻吩磺隆原粉、载体、填料通过计量，投入混合器中进行预混合。 2、将分散剂、润湿剂投入混合器中进行再混合。
对生产过程中影响产品质量的各个因素进行控制，确保产品质量满足规定要求，特制订
本流程。 2.0适用范围 本流程适用于生产过程中对产品质量有影响的各因素的控制。 3.0职责 3.1生产部负责产品生产过程中各环节的全面质量控制及设备、工装的总体控制，品质异常责 任部门负责在一个工作日内处理完毕，否则部门负责人承担同等质量损失责任。 3.2销售部负责客户对质量要求的沟通并及时将客户对质量的要求书面通知生产部、品质部。 3.3技术部负责生产所需的各类工艺技术文件（产品规格书、作业指导书等）和资料的编制及 提供； 3.4品质部负责生产过程中各环节产品质量的检验、试验和检验标准（包装检验标准、注塑检验标 准等）的编制。 3.5相关采购人员负责生产所需的各类物资的采购质量。 3.6副总经理负责生产过程中各项质量活动的组织、计划、协调和管理。 3.7总经理负责生产过程中影响生产质量的各项资源的配置。 3.8各车间、仓库负责各项生产过程中质量控制活动的具体实施。 4.0制程检验流程 4.1制程检验流程图
4.2.1生产计划的制订 4.2.1.1销售部应根据已接受的合同或订单中的各项内容和要求，及时编制《生产任务单》， 在明确产品名称、规格、数量、交付时间的同时，应将顾客对产品特性、质量、工艺 等方面的要求及时通知技术开发部、品质部会审，报生产副总经理审批后，发放给 PMC部。 4.2.1.2PMC部根据《生产任务单》中的要求并确认客户要求和产品库存情况，以及各车间的 实际生产状况，及时编制《车间周生产计划》，在明确各车间所应生产的产品名称、规格、数量、完成时间的同时，各车间应着重注意产品特性、质量、工艺等方面的要求。 4.2.1.4《车间周生产计划》经审批后，应及时发放到各车间、技术部、品质部、PMC部、采 购部。 4.2.1.5出现下列情况时，可对产品生产计划进行相应调整： 4.2.1. 5.1由于原材料或设备等原因，确属无法按生产计划进行生产的； 4.2.1. 5.2合同或订单的更改； 4.2.1. 5.3其它特殊情况。
1、PR前清洗ITOGLASS清洗指用物理的方法（磨刷喷洗）和化学的方法（去离子水DI 水和KOH）将玻璃表面的脏污和油污、杂质除去并干燥的过程 2、PR涂佈指在玻璃的导电层表面均匀涂上一层光刻胶 3. 前烘指在一定温度下将涂有光刻胶的玻璃烘一段时间、使光刻胶的溶剂挥发，形行成固体的PR层 4. 曝光指用紫外线通过预先设置好的菲林垂直照射光刻胶表面，使被照射部分的光刻胶发生反应 5、显影指用弱KOH溶液去离玻璃表面将径光照射部分的光刻胶除去，保留未照射部分的光刻胶 6、坚膜指将玻璃在径一次高温处理，使光刻胶膜更加坚固。 7、蚀刻指用适当的酸液将无光刻胶覆盖的ITO层除去，这样就得到了我们所需要的ITO 电极图形。 8、脱膜指用较强的KOH剥膜液将残留光刻胶除去，将玻璃表面清洗干燥 1. PR前清洗 A.清洗： 指清除吸附在玻璃表面的各种有害杂质或油污。清洗方法是利用各种化学浓剂（KOH）和有机浓剂与吸附在玻璃表面上的杂质及油污发生化学反应和浓解作用，或以磨刷喷洗等物理措施，使杂质从玻璃表面脱落，然后用大量的去离子水（DI水）冲洗，从而获得洁净的玻璃表面。（风切是关键） B.干燥： 因经过清洗后的玻璃，表面沾有水或有机浓剂等清洗液。这样会对后续工序造成不良影响，特别是对后续光刻工艺会产生浮胶、钻蚀、图形不清晰等不良现象。因此，清洗后的玻璃必须经过干燥处理。目前常采用的方法是烘干法，而是利用高温烘烤，使玻璃表面的水分气化变为水蒸气而除去的过程，此方法省时又省力。但是如果水的纯度不变，空气净化等不多或干燥机温度不够，玻璃表面残存的水分虽经气化为蒸气，但在玻璃表面还会留下水珠，这种水珠将直接影响后续工序的产品质量 C. 十槽清洗机PR清洗机制程参数设定 1---3槽KOH溶液为0.4~0.7N，温度为60±5℃，浸泡时间为2~3min／槽纯水溢流量为0.5±0.2㎡／n. KOH溶度为1.0N~1.6N,温度为40±5℃,喷洗压为0.2~1.0kgf/c㎡,传动速度为3.0~4.5m/min,磨刷转速为85~95rpm,压力为0.2~1.0kg/c㎡，纯水温度为40±5℃，干燥机1.2.3段温度为110℃±10℃。注：玻璃清洗洁净度不够之改改善对策，适当加入少许KOH溶液，改变KOH，溶液，经常擦拭风切口，喷洗等处，亦可调态清洗机传动速度，将传速度减慢 2.PR涂佈 光刻是一种图像复印和化学腐蚀相结合的，综合性的精密表面加工技术。 光刻的目的就是按照产品的设计要求，在导电玻璃上覆盖感光胶。 A.光刻胶的配制 光刻胶的性能与光刻胶的配比有关。配比的选择原则是即要光刻胶是有良好的抗蚀能力，又要有较高的分辨率。但两者往往是相互矛盾的，不能同时达到。因此，必须根据不同的光刻对象和要求，选取不同的配比。光刻胶的配制应在暗室（洁净度较高的房间）中进行。用量筒按配方比例将原胶及溶剂分别量好，再将溶剂倒入原胶，用玻璃棒充分搅拌使之均匀混合，通常刚配制好的光刻胶中必然还存在少量因态物质微粒未能完全溶解，为把这部分未能
1.0 对生产过程中影响产品质量的各个因素进行控制，确保产品质量满足规定要求，特制
订本流程。 2.0适用范围 本流程适用于生产过程中对产品质量有影响的各因素的控制。 3.0职责 3.1生产部负责产品生产过程中各环节的全面质量控制及设备、工装的总体控制，品质异常责任部门负责在 一个工作日内处理完毕，否则部门负责人承担同等质量损失责任。 3.2销售部负责客户对质量要求的沟通并及时将客户对质量的要求书面通知生产部、品质部 3.3技术部负责生产所需的各类工艺技术文件（产品规格书、作业指导书等）和资料的编制 及提供； 3.4品质部负责生产过程中各环节产品质量的检验、试验和检验标准（包装检验标准、注塑检验标准等）的 编制。 3.5相关采购人员负责生产所需的各类物资的采购质量。 3.6副总经理负责生产过程中各项质量活动的组织、计划、协调和管理。 3.7总经理负责生产过程中影响生产质量的各项资源的配置。 3.8各车间、仓库负责各项生产过程中质量控制活动的具体实施。 4.0制程检验流程 4.1制程检验流程图
4.2 4.2.1生产计划的制订 4.2.1.1销售部应根据已接受的合同或订单中的各项内容和要求，及时编制《生产任务单》，在明确产品名 称、规格、数量、交付时间的同时，应将顾客对产品特性、质量、工艺等方面的要求及时通知技 术开发部、品质部会审，报生产副总经理审批后，发放给PMC?。 4.2.1.2PMC部根据《生产任务单》中的要求并确认客户要求和产品库存情况，以及各车间的实际生产状况， 及时编制《车间周生产计划》，在明确各车间所应生产的产品名称、规格、数量、完成时间的同 时，各车间应着重注意产品特性、质量、工艺等方面的要求。 4.2.1.4《车间周生产计划》经审批后，应及时发放到各车间、技术部、品质部、PM（部、采 购部 4.2.1.5出现下列情况时，可对产品生产计划进行相应调整： 4.2.1. 5.1由于原材料或设备等原因，确属无法按生产计划进行生产的; 4.2.1. 5.2合同或订单的更改；
黄光PHOTO制程问答 PHOTO 流程? 答：上光阻→曝光→顯影→顯影後檢查→CD量測→Overlay量測 何为光阻？其功能为何？其分为哪两种？ 答：Photoresist(光阻).是一种感光的物质，其作用是将Pattern从光罩(Reticle)上传递到Wafer上的一种介质。其分为正光阻和负光阻。 何为正光阻? 答：正光阻，是光阻的一种，这种光阻的特性是将其曝光之后，感光部分的性质会改变，并在之后的显影过程中被曝光的部分被去除。 何为负光阻? 答：负光阻也是光阻的一种类型，将其曝光之后，感光部分的性质被改变，但是这种光阻的特性与正光阻的特性刚好相反，其感光部分在将来的显影过程中会被留下，而没有被感光的部分则被显影过程去除。 什幺是曝光？什幺是显影？ 答：曝光就是通过光照射光阻，使其感光；显影就是将曝光完成后的图形处理，以将图形清晰的显现出来的过程。 何谓 Photo? 答：Photo=Photolithgraphy,光刻，将图形从光罩上成象到光阻上的过程。Photo主要流程为何? 答：Photo的流程分为前处理，上光阻，Soft Bake, 曝光，PEB，显影，Hard Bake 等。 何谓PHOTO区之前处理? 答：在Wafer上涂布光阻之前，需要先对Wafer表面进行一系列的处理工作，以使光阻能在后面的涂布过程中能够被更可靠的涂布。前处理主要包括Bake，HDMS 等过程。其中通过Bake将Wafer表面吸收的水分去除，然后进行HDMS工作，以使Wafer表面更容易与光阻结合。 何谓上光阻? 答：上光阻是为了在Wafer表面得到厚度均匀的光阻薄膜。光阻通过喷嘴（Nozzle）被喷涂在高速旋转的Wafer表面，并在离心力的作用下被均匀的涂布在Wafer的表面。 何谓Soft Bake? 答：上完光阻之后，要进行Soft Bake，其主要目的是通过Soft Bake将光阻中的溶剂蒸发，并控制光阻的敏感度和将来的线宽，同时也将光阻中的残余内应力释放。 何谓曝光? 答：曝光是将涂布在Wafer表面的光阻感光的过程，同时将光罩上的图形传递到Wafer上的过程。 何谓PEB(Post Exposure Bake)? 答：PEB是在曝光结束后对光阻进行控制精密的Bake的过程。其目的在于使被曝光的光阻进行充分的化学反应，以使被曝光的图形均匀化。 何谓显影? 答：显影类似于洗照片，是将曝光完成的Wafer进行成象的过程，通过这个过程，