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电子技术复习题及答案

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一、填空题

1、右图中二极管为理想器件,

V1工作在_导通__ 状态;V2工作在__截止___状态。

2、差分放大器对差模信号有较强的放大能力,对共模信号有较强的__抑制__能力。

3、三级管工作在放大区时,发射结__正向__偏置,集电结__反向__偏置,

工作在饱和区时,发射结__正向_偏置,集电结_正向__偏置。

4、根据反馈的分类方式,负反馈电路有4种组合形式,即_串联负反馈、_并联负反馈__、_电流负反馈_、电压负反馈。

5、理想集成运算放大器有两个重要特性对分析线性运用电路非常有用,他们分别是虚短、虚断。

6、逻辑函数的表示形式有四种:逻辑函数式、______真值表____、卡诺图和逻辑图。

7、将十六进制(0BF)转换成十进制= __191________。

8、计数器、寄存器、编码器、译码器中,属于组合逻辑电路的是___译码器编码器___,属于时序逻辑电路的是_____计数器、寄存器_________ 。

9、共阳接法的发光二极管数码显示器,应采用___低_______电平驱动的七段显示译码器。

1、数字信号只有 0 和 1 两种取值。

2、十进制123的二进制数是 1111011 ;八进制数是 173 ;十六进制数是

7B 。

3、一位十进制计数器至少需要 4 个触发器。

4、有一A/D转换器,其输入和输出有理想的线性关系。当分别输入0V和5V电压时,输出的数字量为00H

和FFH,可求得当输入2V电压时,电路输出的数字量为:

66H 。

5、设ROM容量为256字×8位,则它应设置地址线 8 条,输出线 8 条。

6、用256字×4位RAM,扩展容量为1024字×8位RAM,则需要 8 片

1、在常温下,锗二极管的门槛电压约为 0.1 V,导通后在较大电流下的正向压降约为 0.2 V。

2、三极管须使发射结正向偏置,集电结反向偏置才能工作在放大区。

3、一般直流稳压电源由电源变压器、整流电路、滤波电路

和稳压电路四个部分组成。

4、按移位方向,移位寄存器可分为单向移动寄存器和双向移动寄存器。

5、三态门的“三态”指输出高电平,输出低电平和输出高阻态。

6、(101111)(2)=47(10),(87)(10)=1010111(2)

7、用一个称为时钟的特殊定时控制信号去限制存储单元状态的改变时间,具有这种特点的存储单元电路称为触发器。

8、时序电路分为组合电路和存储电路两种。

二、选择题

1、离散的,不连续的信号,称为(B )

A、模拟信号

B、数字信号

2、在下列逻辑部件中,不属于组合逻辑部件的是( D )。

A.译码器B.编码器

C.全加器D.寄存器

3、十六路数据选择器的地址输入(选择控制)端有( C )个

A 、16

B 、2

C 、4

D 、8

4、某逻辑门的输入端A 、B 和输出端F 的波形如下图所示,F 与A 、B 的逻辑关系是:B A 、与非 B 、 同或 C 、异或 D 、或

A B F

6、8线—3线优先编码器的输入为70

I I - ,当优先级别最高的7I 有效时,其输出012Y Y Y 的值是

( C )

A 、111

B 、010

C 、000

D 、101

7、JK 触发器在CP 作用下,若状态必须发生翻转,则应使( B )

A 、J=K=0

B 、J=K=1

C 、J=O ,K=1

D 、J=1,K=0 1、在本征半导体中加入( C )元素可形成P 型半导体。 A 、五价 B 、四价 C 、三价 D 、无法确定 2、逻辑函数F=AB+AC 的最小项表达式为( )。

A 、F=m 2+m 5+m 6

B 、F=m 2+m 6+m 7

C 、F=m 5+m 6+m 7

D 、F=m 3+m 6+m 7 3、下式中与非门表达式为( )。 A 、Y=A+B ;B 、Y=AB ;C 、Y=B A +

;D 、Y=AB

4、三极管放大电路中,测得晶体管三个引脚对地电位分别为:U A = 3.3V 、U B = 4V 、U C =6 V ,A 、B 、C

对应的电极是( D )。

A 、C ,

B ,E B 、B ,

C ,E C 、E ,C ,B

D 、

E ,B ,C

5、在甲类放大电路中,放大管的导通角为(D )度。

A 、90

B 、180

C 、270

D 、360

6、理想运放的开环差模电压增益, 共模电压增益应分别为( B )。 A 、∞ ,∞ B 、∞ ,0 C 、0, ∞ D 、0,0

7、TTL 与非门的输入端在哪种接法下属于逻辑1?( )。

A 、 输入端接地;

B 、输入端接同类与非门的输出高电压3.6V ;

C 、输入端接低于0 .8V 的电源;

D 、输入端接500欧姆电阻到地。 8、下面逻辑关系不正确的是:(A )。

A 、若AB=AC ,则B=C

B 、若AB=1+B ,则A=1,B=1

C 、若A+B=0B ,则A=0,B=0

D 、A+BC=(A+B )(A+C )

9、逻辑电路如右图,函数式为( A )。 A 、F=AB +C

; B 、F=

AB +C ;

C 、F=

C AB +;

D 、F=A+BC

10、下面数据中最大的数是( A )。

A 、[269]10;

B 、[107]16;

C 、[10010100]2;

D 、[226]8

三、判断题

1、放大电路的静态分析常采用图解法和小信号模型法。﹙X ﹚

2、负反馈使放大电路的增益下降,但能改善放大电路的性能。﹙ V ﹚

3、稳压管的工作区是反向击穿区。﹙ V ﹚

4、对放大电路影响最大的是环境温度的变化。﹙﹚

5、根据反馈信号与放大电路输入信号的叠加关系可分为电压反馈和电流反馈。

﹙ X ﹚

二、分析简答题1、说明一下直流稳压电源的四大组成部分及每个部分的功能,并画出交流到直流的4个过程图。

1、用逻辑代数定律证明下式

()

A ABC ACD C D E A CD E

++++=++

2、用代数法化简下式

()

ABC B C

+

3、画出实现下列逻辑表达式的逻辑电路图,限使用非门和二输入与非门

L AB AC

=+

(1)用公式法化简下列逻辑函数(5分)

1 )用公式法化简下列逻辑函数(5分)

2)用卡诺图法化简:(6分)

L(A,B,C,D)=∑m(0,2,3,4,6,7,10,11,13,14,15)3、判断51K电阻的反馈类型(3分)

3、判断2K电阻的反馈类型(3分)B

A

C

B

C

B

B

A

L+

+

+

=

EF

B

EF

B

A

BD

C

A

AB

D

A

AD

L+

+

+

+

+

+

=

B

2、用卡诺图法化简下列逻辑函数

F(A、B、C、D)=Σm(0,1,5,7,8,14,15)+Σd(3,9,12)

3、D触发器(如图(a)所示)输入波形如图(b)所示,设初始状态Q=0。试写出D触发器的状态方程和输出方程,并画出1

Q

和2

Q

端的波形。

4、求图示电路中uo与u i1、u i2的关系,并指出电路的功能。

2 运算电路如下图所示,试推导其输出电压表达式,设R1=R2 , R3=R f

2、组合逻辑电路如图所示,分析该电路逻辑功能(10分)

1、维持阻塞D触发器的CP脉冲和输入信号D的波形如图所示,画出Q端的波形。

说出触发器的功能

R p2

R P1

+

Δ

+

u o

u i1R

F

+

Δ

+

u o1

R

R

R1

R2

u i2

&&

G1

&

D

R

Q3

CP

Q5

A

u i

o

三、计算题

1、如图所示为固定偏置共射放大电路,已知U CC =20V ,R B =510k Ω,,R C =6.8k Ω,R L =6.8k Ω,β=50。试求:1、画出放大电路的直流通路,并求出静态工作点;

2、画出放大电路的交流通路及微变等效电路,并求电压放大倍数Au 、输入电阻Ri 和输出电阻R O 。

题3-1图

2、用与非门设计一多数表决电路。要求A 、B 、C 三人中只要半数人同意,则决议就能通过,但A 还具有否

决权,即只要A 不同意,即使多数人同意也不能通过。要求列出真值表、化简逻辑函数,并画出电路图。

一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分)

在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。

1.P 型半导体中多数载流子是( B ) A .自由电子 B .空穴 C .负离子 D .正离子

2. 理想二极管构成的电路如题2图所示,则输出电压U0为(C ) A .-10V B .-6V C .-4V D .+4V

3. 半导体三极管处在放大状态时是( D ) A .C 结反偏e 结反偏 B .C 结正偏e 结正偏 C .C 结正偏e 结反偏 D .C 结反偏e 结正偏

4. 测得某电路中半导体三极管各管脚的电位如题4图所示,则该管是处在( C ) A .放大状态 B .饱和状态 C .截止状态 D .不确定状态

5. 下述基本放大电路相比较,输入电阻高输出电阻低的是( B ) A .共射极放大电路 B .共基极放大电路 C .共集电极放大电路 D .共源极放大电路

6.场效应管与半导体三极管比较,场效应管是( C ) A .输入电阻低,输出电阻低 B .电压控制器件

C .输入电阻低,热稳定性能好

D .输入电阻低,输入电流小 7. 为使输入电阻提高,在放大电路中应引入交流( A ) A .电压负反馈 B .电流负反馈 C .并联负反馈 D .串联负反馈

8. 下述放大电路中低频特性最好的是( A ) A .阻容耦合电路 B .变压器耦合电路 CP D

Q

C.直接耦合电路 D.OTL电路

9. 在双端输入的差动放大电路中,知ui1=10mv,ui2=-6mv,则共模输入信号为( C )

A.4mv B.8mv

C.10mv D.2mv

11. 逻辑函数F=AB+ C的最小项表达式为( C )

A.F(ABC)=∑m(1.3.6.7) B.F(ABC)=∑m(2.3.6.7)

C.F(ABC)=∑m(1.2.6.7) D.F(ABC)=∑m(1.3.5.6)

12. 逻辑函数F(ABC)=A+ C+ C的最简与或表达式为( D )

A.F=A+C B.F=A+

C.F= +B D.F= +

15. 要使边沿触发型JK触发器具有Qn+1= 的功能,其输入信号必须满足( A )

A.J=K=0 B.J=K=1

C.J=1,K=0 D.J=0,K=1

二、填空题(本大题共10小题,每空1分,共10分)

请在每小题的空格中填上正确答案。错填、不填均无分。

16.二极管的反向电流IRM越小,说明二极管的_________性能越好。

17.在共射、共基、共集三种组态的基本放大电路中,输入电阻最低的是_________放大电路。

18.交流负反馈有4种组态,若要求输入电阻高,输出电阻高,在放大电路中应引入_________负反馈组态。

19.要稳定静态工作点,在放大电路中应引入_________负反馈。

20.单相桥式整流电容滤波电路接正常负载,知变压器次级电压有效值U2=15V,则输出电压平均值U0为_________V。

21.十进制数(36.9)10的8421BCD数是(_________)8421BCD。

22.已知函数F的最小项表达式为F(ABC)= m(1.3.4.5),其最简与非表达式为F=_________。

23.由五级触发器组成的计数器,其最大进制(模)数N=_________。

24.集成双向移位寄存器74LS194应用电路如题24图,设电路初始状态为Q0Q1Q2Q3=1000,经过两个CP 脉冲作用后,电路状态为Q0Q1Q2Q3=_________。

一、单项选择题:在下列各题中,将唯一正确的答案代码填入括号内

(本大题共13小题,总计34分)

1、(本小题2分)

由开关组成的逻辑电路如图所示,设开关接通为“1”,断开为“0”,电灯亮为“1”,电灯暗为“0”,则该电路为 ( B )。

(a)“与”门(b)“或”门(c) “非”门

A

2、(本小题2分)

若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏,好的管子应为( C )。

(a) 正、反向电阻相等

(b) 正向电阻大,反向电阻小

(c) 反向电阻比正向电阻大很多倍

(d) 正、反向电阻都等于无穷大

3、(本小题2分)

运算放大器电路如图所示,RF1和RF2均为反馈电阻,其反馈极性为 ( D ) 。

(a) RF1引入的为正反馈,RF2引入的为负反馈

(b) RF1和RF2引入的均为负反馈

(c) RF1和RF2引入的均为正反馈

(d) RF1引入的为负反馈,RF2引入的为正反馈

-∞+

R

6、(本小题2分)

整流电路如图所示, 直流电压表V (内阻设为无穷大)的读数均为90 V ,二极

管承受的最高反向电压为141 V 的电路是下列图中( C )。

D ()

a

7、(本小题2分)

若晶闸管的控制电流由小变大, 则正向转折电压 ( A )。

(a) 由大变小 (b) 由小变大 (c) 保持不变 8、(本小题2分)

某数/模转换器的输入为8 位二进制数字信号(D7 ~ D0),输出为 0~25.5V 的模拟电压。若数字信号的最低位是“1” 其余各位是“0”, 则输出的模拟电压为(A )。

(a) 0.1V (b) 0.01V (c) 0.001V 9、(本小题3分)

电路如图所示,已知U CC =12V ,RC =3k Ω,β=40且忽略U BE ,若要使静态时U C E =9V ,则R B 应取( C )。

(a ) 60

0 k Ω (b ) 240 k Ω (c ) 480 k Ω (d ) 360 k Ω

CC

10、(本小题3分)

逻辑电路如图所示,输入为 X ,Y ,同它功能相同的是( B )。

(a) 可控RS 触发器 (b) JK 触发器 (c) 基本RS 触发器 (d) T 触发器

Y

X

Q

11、(本小题4分)

图示逻辑电路的逻辑式为( C )。 (a) F =A B +A B

(b) F =AB AB +

(c) F =AB +A B

=1

A

B

1

F

12、(本小题4分)

电路如图所示, D 1,D 2 均为理想二极管, 设 U 1 =10 V ,u i = 40 sin ωt V, 则输出电压 u O 应为 ( D )。

(a) 最大值为 40V ,最小值为 0V (b) 最大值为 40V ,最小值为 +10V (c) 最大值为 10V ,最小值为 -40V (d) 最大值为 10V ,最小值为 0V

D

13、(本小题4分)

电路如图所示负载电流iL 与输入电压ui 的关系为 ( C )。

(a) -ui / (RL+Ro) (b) ui / RL (c) ui / Ro (d) ui / (RL+Ro)

-∞+

R o

u

二、非客观题:( 本大题8分 )

整流电路如图所示 , 二极管为理想元件, 变压器原边电压有效值U 1为220V , 负载电 阻

R L =750Ω。 变压器变比

102

1

==

N N k .试 求:

(1) 变压器副边电压有效值U 2; (2) 负载电阻R L 上电流平均值 I 0;

(3) 在下表列出的常用二极管中选出哪种型号的二极管合适。

(1) U 2

22=V (

2) U U I U R O O O L V mA ==?==

==0450********

750

1322.....

(3)

I I D O mA ==132. U U DRM V ==?=22223111

2. 选 24AP

i O

u 1u O 最 大 整 流 电 流 平 均 值

最 高 反 向 峰 值 电 压

21AP 210AP 24

AP 16mA 16mA

100mA 20V 25V 50V

N 1-

+

三、非客观题:( 本大题8分 )

试证明逻辑等式: A B +B C +C A =A B+B C+C A

A B +B C +C A =AB C C BC A A CA B B ()()()+++++

=

ABC ABC ABC ABC ABC ABC +++++

=AB C C BC A A CA B B ()()()+++++ =A B+B C+C A

四、非客观题:( 本大题8分 )

电路如图 1 所示, 交流电压的波形如图 2 所示 ,画出当控制角α= 90? 时,负载电阻R L 两端电压 U O 的波形。

D 2

D 4

ωt

R L

图 2

图 1

解:u O 的 波 形 如 下 图 所 示。

t

五、非客观题:( 本大题10分 )

比较器电路如图所示,U R V =3,运放输出的饱和电压为±U OM , 要求: (1) 画出传输特性;

(2) 若u

t I V =6s i n ω, 画出u O 的波形 。

-∞

u I u O

U

U

-U

+

t

t

u

I

V

/

六、非客观题:(本大题10分)

逻辑电路如图所示,各D 触发器的初始状态均为“0”,已知C 脉冲的波形,分别画出各触发器输出Q0,Q1,Q2的波形。

C

Q

Q

1

Q

2

Q

Q

1

C

Q

2

"0"

七、非客观题:(本大题11分 )

放大电路如图所示,晶体管T1的r be1 k

=6Ω,T

2的

r

be2

k

=12

.Ω,两管的

ββ

12

100

==,要求 (1) 计算该多级放大电路的输入电阻r

i和输出电阻

r

o; (2) 计算

R

S

=0和R

S

k

=20Ω时的U U

o S

/各是多少。

解:(1 r r i o k k k k ===+=9130647361212180101

012////..//

(.//)

.ΩΩΩΩ

(2)

A u 1=-+?≈-100

121801210136366177

////[.(.//.)]

A A A A u u u u 212≈=?≈-1

177

若R S =0 则177/S O -≈=u

A U U && 若R S

k =20Ω

347.247

.4177i S i S

O s -≈-≈+?==r R r A U U A u u &&

一、单项选择题:在下列各题中,将唯一正确的答案代码填入括号内 (本大题共13小题,总计31分) 1、(本小题2分)

由 开 关 组 成 的 逻 辑 电 路 如 图 所 示, 设 开 关 A 、B 分 别 有 如 图 所 示 为 “0”和 “1”两 个 状 态,则 电 灯HL 亮 的 逻 辑

式 为( c )。

(a) F = AB +AB (b) F =AB +AB (c) F =

AB +AB

2、(本小题2分)

电 路 如 图 所 示,设 电 压 表 V 的 内 阻 为 无 穷 大,R =10k Ω,二 极 管 D 的 型 号 为 2CP10, 则 V 的 读 数 约 为( a )。

(a)

0.7V

(b) 0.3V

(c) 1V

R

3 运算放大器电路如图所示,该电路中反馈极性和类型为 ( a )。 (a ) 串联电压负反馈 (b ) 串联电流负反馈 (c ) 并联电压负反馈 (d ) 并联电流负反馈

4、(本小题2分)

单 相 桥 式 整 流 电 路 如 图1所 示, 变 压 器 副 边 电 压u 2的 波 形 如 图2 所 示, 设 四 个 二

极 管 均 为 理 想 元 件,则 二 极 管D 1 两 端 的 电 压u D1的 波 形 为 图3中( b )。

U U -

U 2m

图2

U -U U -图3

(c)

()

b (d)

()

a O

5、(本小题2分)

若 晶 闸 管 的 控 制 电 流 由 小 变 大, 则 正 向 转 折 电 压 ( a )。 (a) 由 大 变 小 (b) 由 小 变 大 (c) 保 持 不 变 6、(本小题2分)

逻 辑 图 和 输 入 A ,B 的 波 形 如 图 所 示, 分 析 在 t 1 时 刻 输 出 F 为( b )。

(a) “1” (b) “0” (c) 任 意

1

=1

A

F

B

A B

7、(本小题2分)

模/数 转 换 器 的 分 辨 率 取 决 于( b )。

(a) 输 入 模 拟 电 压 的 大 小,电 压 越 高,分 辨 率 越 高

(b) 输 出 二 进 制 数 字 信 号 的 位 数,位 数 越 多 分 辨 率 越 高 (c) 运 算 放 大 器 的 放 大 倍 数,放 大 倍 数 越 大 分 辨 率 越 高 8、(本小题2分)

数/模 转 换 器 的 分 辨 率 取 决 于 (a )

(a) 输 入 的 二 进 制 数 字 信 号 的 位 数, 位 数 越 多 分 辨 率 越 高

(b) 输 出 的 模 拟 电 压 的 大 小, 输 出 的 模 拟 电 压 越 高, 分 辨 率 越 高 (c) 参 考 电 压 U R 的 大 小,U R 越 大, 分 辨 率 越 高 9、(本小题3分)

电 路 如 图 所 示,晶体管β=50,U BE =0.6 V ,R B =72 k Ω,R C =1.5 k Ω, U CC =9V ,当R W =0时,晶体管处于临界饱和状态,正常工作时静态集电极电流 I C Q 应等于3 m A ,此时应把R W 调整为( c )。

(a) 100 k Ω

(b) 72 k Ω

(c) 68 k Ω

(d) 86 k Ω

CC

10、(本小题3分)

逻 辑 电 路 如 图 所 示, 当 A=“0”,B=“1” 时,C 脉 冲 来 到 后 D 触 发 器

( a )。

(a) 具 有 计 数 功 能 (b) 保 持 原 状 态 (c) 置“0” (d) 置“1”

B

11、(本小题3分)

已 知 某 晶 体 管 的 穿 透 电 流 I CEO = 0.32mA , 集 基 反 向 饱 和 电 流 I CBO = 4μA , 如 要 获 得 2.69 mA 的 集 电 极 电 流, 则 基 极 电 流 I B 应 为( c )。

(a) 0.3mA (b) 2.4mA (c) 0.03mA

二、非客观题: ( 本 大 题8分 )

整 流 滤 波 电 路 如 图 所 示, 二 极 管 为 理 想 元 件, 电 容 C =1000uF ,

负 载 两 端 直 流 电 压 U O

V =20粒 载 电 阻 R L =250Ω, 试 求 : 变 压 器 副

边 电 压 有 效 值 U 2 并 在 下 表 中 选 出 合 适 型 号 的 二 极 管。 u 1

u 2 最 大整 流 电流 平 均 值

最 高 反向 峰 值电 压

/mA

/V

210CP 211CP 212

CP 25

100100

100100

50O R L

型 号C

D

O +-

+-

解:U U 2

20==O V

I I D O A A mA ====20

250

00880.

U U DRM V V ==?=22222056562.

三、非客观题: ( 本 大 题8分 )

试 证 明 逻 辑 等 式:()()ED ABC ED A B C ED +

+++=

解; ()()ED ABC ED A B C +

+++

=+++++++ED ED A B C ABC ED ABC A B C ()()()

=+++++++++ED A B C ABC A B C A B C [()]1e jd i

=ED

四、非客观题: ( 本 大 题10分 )

比 较 器 电 路 如 图 所 示,U R V =3,运 放 输 出 的 饱 和 电 压 为±U OM , 要 求:

(1) 画 出 传 输 特 性;

(2) 若u t I V =6sin ω, 画 出 u O 的 波 形 。

-∞

++

u I

u O

R

R

U

U

-U

+

t

t

u

I

V

/

五、非客观题:

( 本大题10分)

电路如图所示,求输出电压u O与输入电压u I之间关系的表式

-∞

解u RC u t C C u

O12I12I

d

=--

[/()](/)

1要点:u

C

i t

C

O

2

2

d

=-z1

i i i

u

R

C

u

t

C C

21

I

1

I

d

d

=+=+

11

u

C

u

R

c

u

t

t

O

I

1

I

d

d

d

=-+

z1

2

1

()=--

z1

2

1

2

R C

u t

C

C

u

1

I I

d

=--z

C

C

u

R C

u t

1

22

1

I

1

I

d

六、非客观题:

( 本大题10分)

逻辑电路畋及A,B,D 和C 脉冲的波形如图所示,试写出J,K 的逻辑式,并列出Q的状态表。

D

C

B

A

解:逻辑J K AD BD ==+

状 态 表

七、非客观题: ( 本 大 题10分 )

电 路 如 图 所 示,晶 体 管 T 为 硅 管,β=40,

U BE =0.6 V , 要 求:(1) 估 算I B ,I C ,

U CE ; (2) 若TTL 集 成 门 的 电 源 电 压 为5 V , 则F 端 的 电 压U F 约 为 多

少?

-∞+

八、非客观题: ( 本 大 题13分 )

放 大 电 路 如 图 所 示,晶 体 管 T 1 的 r

be 1 k =6Ω,T 2的r be 2 k =12.Ω,两 管 的 ββ12100==, 要求 (1) 计 算 该 多 级 放 大 电 路 的 输 入 电 阻 r i 和 输 出 电

阻 r o ; (2) 计 算R S =0和R S k =20

Ω时 的U U o S /各 是 多 少。

解1) r r i o k k k k ===+=9130647361212180101

012////..//

(.//)

.ΩΩΩΩ

(2)

A u 1=-+?≈-100

121801210136366

177

////[.(.//.)]

A A A A u u u u 212≈=?≈-1177

若R S =0 则&/&O S U U A u

=≈-177 若R S k =20ΩA U U A r R r u u s O

S i S i

&&..==?+≈-≈-1774724734

(完整版)电子技术复习题(答案)

电子技术复习题 一、填空 1.二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2.当电源电压升高时,电抗原件将能量存储起来,而当电源电压降低时,又将能量释放出来,从而使输出电压比较平滑,这就是滤波 3.双极性晶体管按结构可分为NPN 型和PNP 型。 4.晶体管是有三个电极的电流放大器,任选其中一个电极为公共电极时,可组成三种不同的四端网络,分别成为共基极、共发射极、共集电极。 5.构成放大电路的条件有两个:一是发射结正偏,集电结反偏;二是放大电路要有完善的直流通路和交流通路。 6、当温度升高时,会引起放大电路的静态工作点向上偏移,造成饱和失真 7、半导体的导电性能具有光敏性、热敏性和 掺杂性 特点。 8.半导体载流子的运动有扩散运动和 漂移 运动。 9.硅二极管的正向导通压降约为 0.6~0.7 V 10.二极管的反向电压在一定范围时,电流基本上是 恒定(或不变) 的。 11.稳压管工作在 反向击穿 区。 12.NPN 型硅三极管的发射结电压U BE 约这 0.6~0.7 V 。 13.PNP 型锗三极管的发射结电压U BE 约为 -0.2~ -0.3 V 。 14.非线性失真包括截止失真和 饱和 失真。 15.为不产生非线性失真,放大电路的静态工作点Q 大致选在交流负载线的 中点 ,输入信号的幅值不能太大。 16.在外部因素(如温度变化、三极管老化、电源电压波动等)的影响下,会引起放大电路 静态工作点 的偏移。 17.外部因素中,对放大电路静态工作点影响最大的是 温度 变化。 18.三极管级间耦合的方式主要有:阻容耦合、变压器耦合和 直接耦合 。 19.三极管阻容耦合电路的频率特性包括幅频特性和 相频特性 。 20.三极管阻容耦合电路的 电压放大倍数 与频率的关系称为幅频特性。 21.三极管阻容耦合电路的输出电压相对于输入电压的 相位移 与频率的关系称为相频特性。 22.场效应管是一种 电压 控制的单极型半导体器件。 23.场效应管有两种类型:结型场效应管、 绝缘栅 场效应管。 24.最常用的绝缘栅场效应管为 金属—氧化物—半导体(或MOS ) 场效应管 25.绝缘栅场效应管按工作状态可分为增强型和 耗尽 型两类。 26.在多级直接耦合放大电路中,即使把输入端短路,在输出端也会出现电压波动,使输出电压偏离零值,这种现象称为 零点漂移(或零漂) 。 27. 温度 对晶体管参数的影响是产生零漂的主要因素。 28.差动放大电路有两个输入端,在有信号输入时,其输入类型有:共模输入、差模输入和 两个任意信号 的输入。 29.通常采用 共模抑制 比来描述差动放大电路放大差模信号和抑制共模信号的能力。 30.集成运算放大电路通常由输入级、中间级和 输出级 三部分组成。 31.理想运放的两个重要特性为: 输入电流为零 和两个输入端子间的电压为零。 32.带负反馈的放大电路的输入电阻取决于反馈网络与基本放大电路输入端的 连接方式 ,与取样对象无关。 33.自激振荡的起振时应满足 AF>1 33.交流电源变换成直流电源的电路一般由电源变压器、整流电路、滤波电路和稳压电路等四部分组成。 34.晶体管作为开关使用,是指它的工作状态处于饱和导通状态和截止状态。 35.TTL 逻辑门电路的典型高电平值是3.6V ,典型低电平值是0.3V 。 36.逻辑代数中的基本运算关系是与、或、非 37.十进制数513对应的二进制数1000000001,对应的十六进制数是201。 38.CMOS 门电路的闲置输入端不能悬空,对于与门应当接到高电平,对于或门应当接到低电平。 39.JK 触发器的特性方程为n n n Q K Q J Q +=+1 40.根据用途分,存储器分为两大类。一类是RAM 另一类是ROM 。

电子技术复习题(1)。

电子技术总复习 一、填空 1.P型半导体中的多数载流子是(空穴);N型半导体中的多数载流子是(自由电子)。 2.半导体二极管有硅管和锗管之分。硅二极管的正向导通电压为(0.6)~(0.8)V,死区电压为(0.5 )V;锗二极管的正向导通电压为(0.2)~(0.3)V,死区电压为(0.1 )V。 3.半导体二极管具有单向导电性。加(正)向电压时导通;加(反)向电压时截至。硅二极管的正向导通电压为(0.6)~(0.8)V;锗二极管的正向导通电压为(0.2)~(0.3)V。 4.某稳压管的稳定电压U Z=5V,最大耗散功率P ZM=100mW,则其最大稳电流I ZM=(20)mA。 5.某稳压管的稳定电压U Z=6V,最大稳定电流I ZM=20mA,则其最大耗散功率P ZM=(120)mW。 6.晶体管有(集电)极、(基)极和(发射)极三个电极,分别用字母( C )、( B )和(E )表示。 7.晶体管的输出特性曲线可分为(放大)区、(截止)区和(饱和)区。晶体管处于放大区的条件是发射结(正)向偏置,集电结(反)向偏置。 8.电子电路中的晶体管有放大、饱和截至三种工作状态。测得某电子电路中﹝a﹞、﹝b﹞、﹝c﹞三个晶体管各极的电位如图所示。则晶体管﹝a﹞工作于(饱和)状态,晶体管﹝b﹞工作于(截止)状态,晶体管﹝c﹞工作于(放大)状态。 9.放大电路如图﹝a﹞所示,其晶体管的输出特性及放大电路的交、直流负载线如图﹝b﹞所示,图中Q为静态工作点。则晶体管β=(50),静态I C=(2mA),U CE=5V,电阻R B≈(250kΩ),R C=(2.5kΩ),最大不失真输出电压U om=(3V)。

数字电子技术试题及答案(题库)

《数字电子技术》试卷 姓名:__ _______ 班级:__________ 考号:___________ 成绩:____________ 1. 有一数码10010011,作为自然二进制数时,它相当于十进制数( ),作为8421BCD 码时,它相当于 十进制数( )。 2.三态门电路的输出有高电平、低电平和( )3种状态。 3.TTL 与非门多余的输入端应接( )。 4.TTL 集成JK 触发器正常工作时,其d R 和d S 端应接( )电平。 5. 已知某函数??? ??+??? ??++=D C AB D C A B F ,该函数的反函数F =( ) 。 6. 如果对键盘上108个符号进行二进制编码,则至少要( )位二进制数码。 7. 典型的TTL 与非门电路使用的电路为电源电压为( )V ,其输出高电平为( )V ,输出低电平为( )V , CMOS 电路的电源电压为( ) V 。 8.74LS138是3线—8线译码器,译码为输出低电平有效,若输入为A 2A 1A 0=110时,输出 01234567Y Y Y Y Y Y Y Y 应为( )。 9.将一个包含有32768个基本存储单元的存储电路设计16位为一个字节的ROM 。该ROM 有( )根地址线,有( )根数据读出线。 10. 两片中规模集成电路10进制计数器串联后,最大计数容量为( )位。 11. );Y 3 =( )。

12. 某计数器的输出波形如图1所示,该计数器是( )进制计数器。 13.驱动共阳极七段数码管的译码器的输出电平为( )有效。 二、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) (在每小题列出的四个备选项中只有一个是最符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。) 1. 函数F(A,B,C)=AB+BC+AC 的最小项表达式为( ) 。 A .F(A,B,C)=∑m (0,2,4) B. (A,B,C)=∑m (3,5,6,7) C .F(A,B,C)=∑m (0,2,3,4) D. F(A,B,C)=∑m (2,4,6,7) 2.8线—3线优先编码器的输入为I 0—I 7 ,当优先级别最高的I 7有效时,其输出012Y Y Y ??的值是( )。 A .111 B. 010 C. 000 D. 101 3.十六路数据选择器的地址输入(选择控制)端有( )个。 A .16 B.2 C.4 D.8 4. 有一个左移移位寄存器,当预先置入1011后,其串行输入固定接0,在4个移位脉冲CP 作用下,四位数据的移位过程是( )。 A. 1011--0110--1100--1000--0000 B. 1011--0101--0010--0001--0000 C. 1011--1100--1101--1110--1111 D. 1011--1010--1001--1000--0111 5.已知74LS138译码器的输入三个使能端(E 1=1, E 2A = E 2B =0)时,地址码A 2A 1A 0=011,则输出 Y 7 ~Y 0是( ) 。 A. 11111101 B. 10111111 C. 11110111 D. 11111111 6. 一只四输入端或非门,使其输出为1的输入变量取值组合有( )种。 A .15 B .8 C .7 D .1 7. 随机存取存储器具有( )功能。 A.读/写 B.无读/写 C.只读 D.只写 8.N 个触发器可以构成最大计数长度(进制数)为( )的计数器。

电子技术复习题

13电子技术复习题 一、选择题 1、半导体中的空穴和自由电子数相等,这样的半导体称为( C ) A. P型半导体; B. N型半导体; C. 本征半导体。 2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的(A)元素构成的。 A、三价; B、四价; C、五价; D、六价。 3、P型半导体中的多数载流子是( B )。 A.电子 B.空穴 C.电子和空穴 4、N型半导体中的多数载流子是( A )。 A. 电子 B.空穴 C.电子和空穴 5. 整流电路加滤波电路的主要作用是( B ) A. 提高输出电压; B. 减少输出电压的脉动程度; C. 降低输出电压; D. 限制输出电流。 6. 三端稳压电源输出负电压并可调的是( B ) A. CW79XX系列; B. CW337系列; C. CW317系列 D. CW78XX 系列 7、基本放大电路中,经过晶体管的信号电流有( C )。 A、直流成分; B、交流成分; C、交直流成分均有。 8、基本放大电路中的主要放大对象是( B )。 A、直流信号; B、交流信号; C、交直流信号均有。 9、分压式偏置的NPN型晶体管共发射极放大电路中,U B 点电位过高,晶体管易出现( A )。 A、饱和状态 B、截止状态 C、放大状态 10、晶体管放大电路中,基极电流i B 的数值较大时,易引起静态工作点Q接近( B )。 A、截止区; B、饱和区; C、死区。 11. NPN型晶体放大电路中,晶体管各级电位最高的是:(C) A. 基极; B. 发射极; C. 集电极 12、射极输出器的输出电阻小,说明该电路的( A ) A、带负载能力强; B、带负载能力差; C、减轻前级或信号源负荷。 13、在三极管的输出特性曲线中,每一条曲线与( C )对应。 A、集电极电流 B、发射极电流 C、基极电流 14、为了增大放大电路的动态范围,其静态工作点应选择( D )。 A、截止点; B、饱和点; C、交流负载线的中点; D、直流负载线的中点。 15. 在晶体管放大电路中,当集电极电流增大时,将使晶体管( B ) A. 电压U CE 增大; B. 电压U CE 减小; C. 基极电流减小。 16.已知某晶体管为硅管,则该管饱和时的饱和压降U CES 为( C ) A. 0.7V ; B. 0.1V ; C. 0.3V ; D. 1.0V 。

(完整版)电子技术基础复习题及答案

电子技术基础 一、选择题: 1.在杂质半导体中,少子浓度主要取决于( ) (A) 掺入杂质的浓度、 (B) 材料、 (C) 温度 2.测得某PNP型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V,则该管工作于( ) (A) 放大状态、 (B) 饱和状态、 (C) 截止状态 3.在基本共射放大电路中,若更换晶体管使β值由50变为100,则电路的放大倍数( ) (A) 约为原来的1/2倍 (B) 约为原来的2倍 (C) 基本不变 4.在OCL电路中,引起交越失真的原因是( ) (A) 输入信号过大 (B) 晶体管输入特性的非线性 (C) 电路中有电容 5.差动放大器中,用恒流源代替长尾R e是为了( ) (A) 提高差模电压增益 (B) 提高共模输入电压范围 (C) 提高共模抑制比 6.若A+B=A+C,则() (A) B=C; (B) B=C;(C)在A=0的条件下,B=C 7.同步计数器中的同步是指() (A)各触发器同时输入信号;(B)各触发器状态同时改变; (C)各触发器受同一时钟脉冲的控制 8.由NPN管组成的单管基本共射放大电路,输入信号为正弦波,输出电压出现顶部被削平的失真,这种失真是() (A)饱和失真(B)截止失真(C)频率失真 9.对PN结施加反向电压时,参与导电的是() (A)多数载流子(B)少数载流子(C)既有多数载流子又有少数载流子 10.当温度增加时,本征半导体中的自由电子和空穴的数量() (A)增加(B)减少(C)不变 11.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的() A、输入电阻高 B、输出电阻低

C 、共模抑制比大 D 、电压放大倍数大 12.对于桥式整流电路,正确的接法是( ) 13.将代码(10000011)8421BCD 转换成二进制数为( ) A 、(01000011)2 B 、(01010011)2 13.将代码(10000011)8421BCD 转换成二进制数为( ) A 、(01000011)2 B 、(01010011)2 C 、(10000011)2 D 、(000100110001)2 14.N 个变量的逻辑函数应该有最小项( ) A 、2n 个 B 、n2个 C 、2n 个 D.、(2n-1)个 15.函数F=B A +AB 转换成或非-或非式为( ) A 、 B A B A +++ B 、B A B A +++ C 、B A B A + D 、B A B A +++ 16.图示触发器电路的特征方程Qn+1 =( ) A. n n Q T Q T + B. Q T +TQn C. n Q D. T 17.多谐振荡器有( ) A 、两个稳定状态 B 、一个稳定状态,一个暂稳态 C 、两个暂稳态 D 、记忆二进制数的功能 18.本征半导体电子浓度______空穴浓度,N 型半导体的电子浓度______空穴浓度,P 型半导体的电子浓度 ______空穴浓度 ( ) A 、等于、大于、小于 B 、小于、等于、大于 C 、等于、小于、大于 19.稳压管构成的稳压电路,其接法是( )

电工电子技术试题及答案..

电工电子技术试题 一、填空题(共133题,每空一分) 1、电力系统中一般以大地为参考点,参考点的电位为 0伏 2、欧姆定律一般可分为部分电路的欧姆定律和全电路欧姆定律。 3、部分电路的欧姆定律是用来说明电路中电压、电流和电阻三个物理量之间关系的定律。 4、全电路欧姆定律,说明了回路中电流Ⅰ与电源电动势的代数和成比,而与回路中的 及之和成反比。 5、导体电阻的单位是欧姆,简称欧,用符号表示,而电阻率则用符号表示。 6、已知电源电动势为E,电源的内阻压降为U0,则电源的端电压U= E-U O。 7、有一照明线路,电源端电压为220伏,负载电流为10安,线路的总阻抗为0.2欧姆,那么负载端电 压为 218 伏。 8、串联电路中的处处相等,总电压等于各电阻上之和。 9、一只220伏15瓦的灯泡与一只220伏100瓦的灯泡串联后,接到220伏电源上,则 15 瓦灯 泡较亮,而 100 瓦灯泡较暗。 10、1度电就是1千瓦的功率做功1小时所消耗的电量,所以它的单位又叫千瓦时。 11、频率是单位时间内交流电重复变化的次数。 12、某正弦交流电流,频率为50赫,最大值为20安,初相位为-40°,此正弦交流电的瞬时值表达式 为 u=20sin(314t- 40°) ,相量式为。 13、如果用交流电压表测量某交流电压,其读数为380伏,此交流电压的最大值为 537 伏。 14、把一个100欧的电阻元件接到频率为50赫、电压为10伏的正弦交流电源上,其电流为 0.1A 安。 15、有一电感L为0.08亨的纯电感线圈,通过频率为50赫的交流电流,其感抗X L= 25.12 欧。如 通过电流的频率为10000赫,其感抗X L= 5024 欧。 16、一个10微法的电容接在50赫的交流电源上,其容抗X C= 318 欧,如接在2000赫的交流电源上, 它的容抗X C= 7.95 欧。 17、某正弦交流电流为i=100sin(6280t- π/4)毫安,它的频率f= 1000Hz ,周期T= 0.001 秒, 角频率ω= 6280 ,最大值Im= 100mA ,有效值I= 100/1.414 mA ,初相位φ=π/4 。 18、已知两交流电流分别为i1=15sin(314t+45°)安,i2=10sin(314t-30°)安,它们的相位差为75 °。 19、在纯电感交流电路中,电感元件两端的电压相位超前电流 90 度。 20、在纯电容交流电路中,电容元件两端的电压相位滞后电流 90 度。 21、在纯电阻交流电路中,电阻元件通过的电流与它两端的电压相位同相。 22、交流电路中的有功功率用符号 P 表示,其单位是 W 。 23、交流电路中的无功功率用符号 Q 表示,其单位是 VAR 。 24、交流电路中的视在功率用符号 S 表示,其单位是 VA 。 25、三相正弦交流电的相序,就是三相交流电到达最大值的顺序。 26、如三相对称负载采用星形接法时,则负载的相电压等于电源的相电压,线电流等于相电流的 1 倍。 27、如三相对称负载采用三角形接法时,则负载的相电压等于电源的线电压, 倍。 28、在三相对称电路中,已知线电压U、线电流I及功率因数角φ,则有功功率P=UICOSφ,无功功率 Q=UISINφ,视在功率S=UI 29伏。 30、当三相发电机的三相绕组联成星形时,其线电压为380伏,它的相电压为 220 伏。 31、有一台三相异步电动机,额定电压为380伏,三角形联接,若测出线电流为30安,那么通过每相绕

电子技术复习题及答案

一、填空题 1、右图中二极管为理想器件, V1工作在_导通__ 状态;V2工作在__截止___状态。 2、差分放大器对差模信号有较强的放大能力,对共模信号有较强的__抑制__能力。 3、三级管工作在放大区时,发射结__正向__偏置,集电结__反向__偏置, 工作在饱和区时,发射结__正向_偏置,集电结_正向__偏置。 4、根据反馈的分类方式,负反馈电路有4种组合形式,即_串联负反馈、_并联负反馈__、_电流负反馈_、电压负反馈。 5、理想集成运算放大器有两个重要特性对分析线性运用电路非常有用,他们分别是虚短、虚断。 6、逻辑函数的表示形式有四种:逻辑函数式、______真值表____、卡诺图和逻辑图。 7、将十六进制(0BF)转换成十进制= __191________。 8、计数器、寄存器、编码器、译码器中,属于组合逻辑电路的是___译码器编码器___,属于时序逻辑电路的是_____计数器、寄存器_________ 。 9、共阳接法的发光二极管数码显示器,应采用___低_______电平驱动的七段显示译码器。 1、数字信号只有 0 和 1 两种取值。 2、十进制123的二进制数是 1111011 ;八进制数是 173 ;十六进制数是 7B 。 3、一位十进制计数器至少需要 4 个触发器。 4、有一A/D转换器,其输入和输出有理想的线性关系。当分别输入0V和5V电压时,输出的数字量为00H 和FFH,可求得当输入2V电压时,电路输出的数字量为: 66H 。 5、设ROM容量为256字×8位,则它应设置地址线 8 条,输出线 8 条。 6、用256字×4位RAM,扩展容量为1024字×8位RAM,则需要 8 片 1、在常温下,锗二极管的门槛电压约为 0.1 V,导通后在较大电流下的正向压降约为 0.2 V。 2、三极管须使发射结正向偏置,集电结反向偏置才能工作在放大区。 3、一般直流稳压电源由电源变压器、整流电路、滤波电路 和稳压电路四个部分组成。 4、按移位方向,移位寄存器可分为单向移动寄存器和双向移动寄存器。 5、三态门的“三态”指输出高电平,输出低电平和输出高阻态。 6、(101111)(2)=47(10),(87)(10)=1010111(2) 7、用一个称为时钟的特殊定时控制信号去限制存储单元状态的改变时间,具有这种特点的存储单元电路称为触发器。 8、时序电路分为组合电路和存储电路两种。 二、选择题 1、离散的,不连续的信号,称为(B ) A、模拟信号 B、数字信号 2、在下列逻辑部件中,不属于组合逻辑部件的是( D )。 A.译码器B.编码器 C.全加器D.寄存器

《模拟电子技术》复习题10套及答案

《模拟电子技术》复习题一 一、填空题 1、在N型半导体中,多数载流子是;在P型半导体中,多数载流子是。 2、场效应管从结构上分为结型和两大类,它属于控制性器件。 3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与负载之间接入(共射、共集、共基)组态放大电路。 4、在多级放大器中,中间某一级的电阻是上一级的负载。 5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态,一般要引入____________。 6、根据下图中各三极管的电位,判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。 7、正弦波振荡电路通常由,,和 四部分组成。 二、选择题 1、利用二极管的()组成整流电路。 A 正向特性 B 单向导电性C反向击穿特性 2、P型半导体是在本征半导体中加入()后形成的杂质半导体。 A空穴B三价元素硼C五价元素锑 3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为( )场效应管。 A P沟道增强型MOS型 B P沟道耗尽型MOS型 C N沟道增强型MOS型 D N沟道耗尽型MOS型 E N沟道结型 F P沟道结型

+ + +++ + ------Rb1 Rb2Re1Re2 Rc RL C1Ce C1C2L 15V 8V Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1-2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1 +2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3 图2-6 图2-4 图2-5图3-1 + + ++++ ------D2R Rb1 Rb2Re1 Re2 Rc RL C1 Ce C1 C2 L 15V 8V B=50 Ui Rf Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1 -2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1+2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3图2-6 图2-4图2-5图3-1 图2-10 4、有一晶体管接在放大电路中,今测得它的各极对地电位分别为V 1=-4V,V 2=-1.2V,V 3=-1.4V,试判别管子的三个管脚分别是( )。 A 1:e、2:b、3:c B 1:c、2:e 、3:b C 1:c、2:b、3:e D 其它情况 5、集成运放中间级的作用是( )。 A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件,判断图2-6所示振荡电路中( )发生振荡。 A 可能 B 不能 7、差模信号电压是两个输入信号电压( )的值。 A 差 B 和 C 算术平均 8、在单相桥式整流电容滤波电路中,已知变压器二次电压有效值U 2=24V ,设二极管为理想二极管,用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ,问电路的现象是( )。 A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况 9、某仪表放大电路,要求输入电阻大,输出电流稳定,应选( )负反馈。 A 电压串联 B 电压并联 C 电流串联 D 电流并联 10、设图2-10所示电路中二极管D1、D2为理想二极管,判断它们是导通还是截止?( ) A D1导通,D2导通 B D1导通,D2截止 C D1截止,D2导通 D D1截止,D2截止 三、判断题 ( )1、温度升高后,本征半导体中自由电子和空穴数目都增多,且增量相同。 ( )2、结型场效应管通常采用两种偏置方式,即(源极)自给偏压式和栅极分压与源极自偏相结合的偏置方式。 ( )3、共集电极电路没有电压和电流放大作用。 ( )4、用电流源代替R e 后电路的差模倍数增加。 ( )5、集成运放内部第一级是差分放大电路,因此它有两个输入端。 ( )6、只有两个晶体管的类型相同(都为NPN 管或都为PNP 管时)才能组成复合管。 ( )7、RC 桥式振荡电路只要R f≤2R 1就能产生自激振荡。 ( )8、一个理想的差分放大电路,只能放大差模信号,不能放大共模信号。 ( )9、电压负反馈可以稳定输出电压。 ( )10、直流电源是一种电能形式转换电路,将交流电变为直流电。 四、分析题 电路如图所示:

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习题 【2-1】填空、选择正确答案 1.对于阻容耦合放大电路,耦合电容器的作用是 A.将输入交流信号耦合到晶体管的输入端; √B.将输入交流信号耦合到晶体管的输入端;同时防止偏置电流被信号源旁路; C.将输入交流信号加到晶体管的基极。 2.在基本放大电路中,如果集电极的负载电阻是R c,那么R c中: A.只有直流; B.只有交流; √ C.既有直流,又有交流。 3.基本放大电路在静态时,它的集电极电流的平均值是();动态时,在不失真的条件下,它的集电极电流的平均值是()。(I CQ;I CQ) 4.下列说法哪个正确: A.基本放大电路,是将信号源的功率加以放大; √B.在基本放大电路中,晶体管受信号的控制,将直流电源的功率转换为输出的信号功率; C.基本放大电路中,输出功率是由晶体管提供的。 5.放大电路如图2.1.7所示,试选择以下三种情形之一填空。 a:增大、b:减少、c:不变(包括基本不变) (1) 要使静态工作电流I c减少,则R b1应。(a) (2) R b1在适当范围内增大,则电压放大倍数,输入电阻,输出电阻 。(b;a;c) (3) R e在适当范围内增大,则电压放大倍数,输入电阻,输出电阻 。(b;a;c) (4) 从输出端开路到接上R L,静态工作点将,交流输出电压幅度要。 (c;b) (5) V cc减少时,直流负载线的斜率。(c) 6.放大电路的输出电阻越小,放大电路输出电压的稳定性()。(越好) 7.放大电路的饱和失真是由于放大电路的工作点达到了晶体管特性曲线的()而引起的非线性失真。(饱和区) 8.在共射基本放大电路中,若适当增加 ,放大电路的电压增益将()。(基本不增加) 9.在共射基本放大电路中,若适当增加I E,电压放大倍数将如何变化()。(增加) 10.在共射基本放大电路中,适当增大R c,电压放大倍数和输出电阻将有何变化。 √ A.放大倍数变大,输出电阻变大 B.放大倍数变大,输出电阻不变 C.放大倍数变小,输出电阻变大 D.放大倍数变小,输出电阻变小 11.有两个电压放大电路甲和乙,它们的电压放大倍数相同,但它们的输入输出电阻不同。对同一个具有一定内阻的信号源进行电压放大,在负载开路的条件下测得甲的输出电压小。哪个电路的输入电阻大。(对放大电路输出电压大小的影响,一是放大电路本身的输入电阻,输入电阻越大,加到放大电路输入端的信号就越大;二是输出电阻,输出电阻越小,被放大了的信号在输出电阻上的压降就越小,输出信号就越大。在负载

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资料收集于网络,如有侵权请联系网站删除 《电子技术基础》题库 适用班级:2012级电钳3、4、5、6班 备注:本学期进行到第七章;第一、二、三章是重点内容,要求掌握;第四、八章没有涉及。 一、填空题: 第一章半导体二极管 Q、根据导电能力来衡量,自然界的物质可以分为导体,半导体和绝缘体三类。 A2、导电性能介于导体和绝缘体之间物质是半导体。 Q3、半导体具有热敏特性、光敏特性、参杂的特性。 虫、PN结正偏时,P区接电源的正极,N极接电源的负极。 ?、PN结具有单向导电特性。 @、二极管的P区引出端叫正极或阳极,N区的引出端叫负极或阴极。 △7、按二极管所用的材料不同,可分为硅二极管和锗二极管两类; 食、按二极管用途不同,可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极 管、发光二极管、光电二极管和变容二极管。 ★9、二极管的正向接法是二极管正极接电源的正极,负极接电源的负极:反响接法相反。Q0、硅二极管导通时的正向管压降约0.7V,锗二极管导通时的管压降约0.3V。 △11、使用二极管时,应考虑的主要参数是最大整流电流、最高反向电压和反向电流。 ★12、发光二极管将电信号转换为光信号。 ★13、变容二极管在高频收音机的自动频率控制电路中,通过改变其反向偏置电压来自动 调节本机震荡频率。 只供学习与交流 资料收集于网络,如有侵权请联系网站删除

★14、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为零。 第二章半导体三极管及其放大电路 05、三极管是电流控制元件。 06、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏丿电结反偏。 ★17、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic变大,发射结压降变小。 △18、三极管处在放大区时,其集电结电压小于零,发射结电压大于零。★19、三极管的发射区杂质浓度很高,而基区很薄。 △20、三极管实现放大作用的内部条件是:发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度,同时基区厚度要很小. △21、工作在放大区的某三极管,如果当I B从12讥增大到22讥时,I c从1mA变为2mA,那么它的B约为100 。 OL2、三极管的三个工作区域分别是饱和区、放大区和截止区。 ★23、发射结…正向…偏置,集电结正向偏置,贝U三极管处于饱和状态。 ★24、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙类)类互补功率放大器。 ★25、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路; ★26、0TL电路是(单)电源互补功率放大电路。 ★27、共集电极电路电压放大倍数(1),输入电阻(大),输出电阻(小),常用在 输入级,输出级或缓冲级。 第三章集成运算放大器及其应用 &8、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为____ 。△29、差分放大电路能够抑制零点漂移。 只供学习与交流

电子技术复习题

一、填空题(每空1分,共22分) 1、二极管具有最显著的特点是单向导电性。 2、三极管处于放大状态时,发射结正偏,集电结反偏。 3、在直接耦合放大电路中,抑制零点漂移最有效的电路结构是差分放大电路。 4、场效应管只有一种极性的载流子参与导电,固又称为单极型晶体管。 5、互补对称功率放大电路主要是要求输出大功率。 6、集成运算放大器的电路,可分为输入级、中间级、输出级和偏置电路四个基本组成部 分。 7、放大电路中负反馈的四种类型为:串联电压负反馈、并联电压负反馈、 串联电流负反馈、和并联电流负反馈。 8、逻辑函数的基本运算有与运算、或运算和非运算。 9、时序逻辑电路由门电路和触发器两部分组成。 10、用二进制代码表示有限对象(信号)的过程称为编码。 11、共阴LED数码管应与输出高电平有效的译码器匹配。 12、计数器按计数增减趋势分,有加法、减法和可逆计数器。 13、能将数字量转换为模拟量的装置称为 D/A转换器。 14、二进制数101011转换为十进制数为 43 。 二、选择题(每小题2分,共18分) 1、在放大电路中,若测得某晶体管三个电极的电位分别为10V,,,则这三 个极分别为:(C)。 A. C, B, A B. E, C, B C. C, E, B D.不确定 2、在下图所示的电路中,U 为( B )。

3、射极输出器( A )。 A.有电流放大作用,没有电压放大作用。 B.有电流放大作用,也有电压放大作用。 C.没有电流放大作用,也没有电压放大作用。 D.没有电流放大作用,有电压放大作用。 4、集成运算放大器实现信号运算关系时,其电路的特点是:( A ) A.电路引入负反馈 B.电路引入正反馈C.电路可以引入正反馈,也可以引入负反馈 D.不需要引入反馈 5、在下图所示的稳压电路中,已知U Z =6V,则U O 为( D )。 6、下图所示电路中,Y恒为0的图是( B )。

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《电子技术基础》题库 适用班级:2012级电钳3、4、5、6班 备注:本学期进行到第七章;第一、二、三章是重点内容,要求掌握;第四、八章没有涉及。一、填空题: 第一章半导体二极管 ○1、根据导电能力来衡量,自然界的物质可以分为导体,半导体和绝缘体三类。 Δ2、导电性能介于导体和绝缘体之间物质是半导体。 ○3、半导体具有热敏特性、光敏特性、参杂的特性。 Δ4、PN结正偏时,P区接电源的正极,N极接电源的负极。 ○5、PN结具有单向导电特性。 ○6、二极管的P区引出端叫正极或阳极,N区的引出端叫负极或阴极。 Δ7、按二极管所用的材料不同,可分为硅二极管和锗二极管两类; ○8、按二极管用途不同,可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、发光二极管、光电二极管和变容二极管。 ★9、二极管的正向接法是二极管正极接电源的正极,负极接电源的负极;反响接法相反。 ○10、硅二极管导通时的正向管压降约0.7V ,锗二极管导通时的管压降约0.3V。 Δ11、使用二极管时,应考虑的主要参数是最大整流电流,最高反向电压和反向电流。★12、发光二极管将电信号转换为光信号。 ★13、变容二极管在高频收音机的自动频率控制电路中,通过改变其反向偏置电压来自动调节本机震荡频率。

★14、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为零。 第二章半导体三极管及其放大电路 ○15、三极管是电流控制元件。 ○16、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏,集电结反偏。 ★17、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic变大,发射结压降变小。 Δ18、三极管处在放大区时,其集电结电压小于零,发射结电压大于零。★19、三极管的发射区杂质浓度很高,而基区很薄。 Δ20、三极管实现放大作用的内部条件是:发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度,同时基区厚度要很小. Δ21、工作在放大区的某三极管,如果当I B从12μA增大到22μA时,I C从1mA变为2mA,那么它的β约为100 。 ○22、三极管的三个工作区域分别是饱和区、放大区和截止区。 ★23、发射结﹍正向﹍偏置,集电结正向偏置,则三极管处于饱和状态。 ★24、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙类)类互补功率放大器。 ★25、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路; ★26、OTL电路是(单)电源互补功率放大电路。 ★27、共集电极电路电压放大倍数(1),输入电阻(大),输出电阻(小),常用在输入级,输出级或缓冲级。 第三章集成运算放大器及其应用 ○28、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为共模信号。.Δ29、差分放大电路能够抑制零点漂移。

电子技术试题及答案

电子技术基础 参考答案 1、电子电路中的信号可以分为两类,一类是在时间和幅度上都是连续的信号,称为模拟信号;另一类在时间和幅度上都是离散的信号,称为_数字信号(脉冲信号)_______。 2、晶体二极管具有单向导电特性。 3、半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质,它具有_热敏性,杂敏性,光敏性等特殊性质,利用这些性质可以制造出各种具有不同性能的半导体器件。 4、共集电极放大电路又称射极输出器,它的电压放大倍数接近于1,输出信号与输入信号同相,输入电阻大,输出电阻小。 5、若在放大电路中引入电压串联负反馈,则可以稳定输出电压,并使输入电阻增大。 6、单管共射极放大器,当工作点Q选择较低时,易出现截止失真。 7、8421BCD码10000111.0011对应的十进制数为__87.3____。 8、逻辑函数的表示方法通常有四种,分别为真值表、_逻辑函数表达式(表达式)_、逻 辑电路图(逻辑图)和卡诺图。

9、常用的集成组合逻辑电路器件有编码器、译码器、__数据选择器_、数据分配器、加法器等。 10、当变量A、B、C分别为1、0、0时,(A+B+C)AB=O。 11、TTL或非门多余输入端的处理方法是接低平,接地,与其他引脚连在一起。 12、当多个三态门的输出端连在一条总线上时,应注意任何时刻只能有一个门电路处于工作态。 13、在组合逻辑电路中,当输入信号改变状态时,输出端可能出现虚假过渡干扰脉冲的现象称为竞争冒险。 14、将数字信号转换为模拟信号,应选用D/A转换器。 15、A/D转换的过程可分为采样、保持、量化、编码4个步骤。 16、A/D转换器两个最重要的指标是分辨率和转换速度。 17、能完成两个一位二进制数相加,并考虑到低位进位的器件称为全加器。 18、实现将公共数据上的数字信号按要求分配到不同电路中去的电路叫数据分配器 19、OC门在使用时输出端应接上拉电阻和电源。 20、TTL非门的灌电流负载发生在输出低电平情况下,负载电流越大,则输出电平越高。 二、选择题

电子技术复习题

模电复习题 一、概念、原理 1、N型半导体和P型半导体分别在4价的硅(或锗)晶体中掺入少量几价杂质元素构成的?N型 半导体和P型半导体中的多子和少子分别为?当两种半导体制作在一起时会产生什么现象? 2、PN结最主要的物理特性是什么? 3、漂移电流和扩散电流分别由什么引起?其大小分别与什么因素有关? 4、PN结正偏和反偏时外接电源极性怎样? 5、二极管的伏安特性包括正向特性和反向特性,正向特性和反向特性分别指什么? 6、稳压管是怎么实现稳压功能的? 7、双极结型三极管的三极三区两结分别指什么? 8、三极管的电流分配关系? 9、三极管的三种工作状态及其条件? 10、场效应管分为几类?场效应管与三极管对应的三个电极、三个工作区域分别为? 11、放大电路的组成原则是什么? 12、画直流通路和交流通路的原则分别是什么? 13、放大电路静态工作点包括哪几个参数? 14、放大电路的静态工作点过高会引起什么样的失真?工作点过低呢? 15、双极型三极管放大电路的三种基本组态为哪三种? 16、多级放大电路的一般有哪几种耦合方式? 17、什么是零漂现象? 18、功放电路的两个参数P om、η分别代表什么物理意义? 19、为什么功放电路的分析方法只能用图解法? 20、如何消除乙类功率放大器的交越失真? 21、集成运放的四个基本组成部分及各自作用? 22、偏置电路三种常用形式?各自电路结构有什么特点? 23、差放电路四种输入输出接法? 24、共模抑制比K CMR的物理含义? 25、什么是反馈? 26、直流和交流负反馈的作用分别是什么? 27、交流负反馈有哪四种组态?交流负反馈放大电路的一般表达式是什么? 28、产生自激振荡的条件是什么? 29、放大电路中引入电流串联负反馈后,将对性能产生什么样的影响? 30、放大电路中引入电压串联负反馈后,将对性能产生什么样的影响? 31、放大电路中引入电流并联负反馈后,将对性能产生什么样的影响? 32、放大电路中引入电压并联负反馈后,将对性能产生什么样的影响? 33、理想运放工作在线性区的特点? 34、直流电源的四个组成部分及各自作用? 35、单相半波整流电路和单相桥式整流电路的U O(A V)分别与U2的关系? 二、分析计算 1、电路如下图所示,已知u i = 5sinωt (V),R = 3 kΩ在以下两种情况下,试画出u i和u o的波形。 (1)设二极管正向导通电压可忽略不计; (2)二极管正向导通电压为0.7V。

电子技术基础复习题及参考答案

中南大学网络教育课程考试复习题及参考答案 电子技术基础(专科) 一、单项选择题: 1.在杂质半导体中,少子浓度主要取决于 [ ] A.掺入杂质的浓度 B.材料 C.温度 2.测得某PNP型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V,则该管工作于 [ ] A.放大状态 B.饱和状态 C.截止状态 3.在基本共射放大电路中,若更换晶体管使β值由 50变为100,则电路的放大倍数 [ ] A.约为原来的1/2倍 B.约为原来的2倍 C.基本不变 4.在OCL电路中,引起交越失真的原因是 [ ] A.输入信号过大 B.晶体管输入特性的非线性 C.电路中有电容 5.差动放大器中,用恒流源代替长尾R e是为了 [ ] A.提高差模电压增益 B.提高共模输入电压范围 C.提高共模抑制比 6.若 A+B=A+C,则 [ ] A.B=C B.B=C C.在A=0的条件下,B=C 7.同步计数器中的同步是指 [ ] A.各触发器同时输入信号 B.各触发器状态同时改变 C.各触发器受同一时钟脉冲的控制 8.由NPN管组成的单管基本共射放大电路,输入信号为正弦波,输出电压出现顶部被削平的失 真,这种失真是 [ ] A.饱和失真 B.截止失真 C.频率失真 9.对PN结施加反向电压时,参与导电的是 [ ] A.多数载流子 B.少数载流子 C.既有多数载流子又有少数载流子 10.当温度增加时,本征半导体中的自由电子和空穴的数量 [ ] A.增加 B.减少 C.不变 11.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的 [ ] A.输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 12.对于桥式整流电路,正确的接法是 [ ] 13.将代码(10000011)8421BCD转换成二进制数为 [ ] A.(01000011)2 B.(01010011)2 C.(10000011)2 D.1)2 14.N个变量的逻辑函数应该有最小项 [ ] A.2n个 B.n2个 C.2n个 D.(2n-1)个 A +AB转换成或非-或非式为 [ ] 15.函数F=B

电子技术基础考试试题及参考答案

电子技术基础考试试题及参考答案 试题 一、填空题(每空1分,共30分) 1.硅二极管的死区电压为_____V,锗二极管的死区电压为_____V。 2.常用的滤波电路主要有_____、_____和_____三种。 3.晶体三极管的三个极限参数为_____、_____和_____。 4.差模信号是指两输入端所施加的是对地大小_____,相位_____的信号电压。 5.互补对称推挽功率放大电路可分成两类:第一类是单电源供电的,称为_____电路,并有_____通过负载输出;第二类是双电源供电的,称为_____电路,输出直接连接负载,而不需要_____。 6.功率放大器主要用作_____,以供给负载_____。 7.集成稳压电源W7905的输出电压为_____伏。 8.异或门的逻辑功能是:当两个输入端一个为0,另一个为1时,输出为_____;而两个输入端均为0或均为1时,输出为_____。 9.(1111)2+(1001)2=( _____ )2(35)10=( _____ )2 (1010)2–(111)2=( _____ )2(11010)2=( _____ )10 (1110)2×(101)2=( _____ )2 10.逻辑函数可以用_____、_____、_____等形式来表示。 11.组合逻辑电路包括_____、_____、_____和加法器等。 二、判断题(下列各题中你认为正确的,请在题干后的括号内打“√”,错误的打“×”。全打“√”或全打“×”不给分。每小题1分,共10分) 1.放大器采用分压式偏置电路,主要目的是为了提高输入电阻。() 2.小信号交流放大器造成截止失直的原因是工作点选得太高,可以增大R B使I B减小,从而使工作点下降到所需要的位置。() 3.对共集电极电路而言,输出信号和输入信号同相。() 4.交流放大器也存在零点漂移,但它被限制在本级内部。() 5.同相运算放大器是一种电压串联负反馈放大器。() 6.只要有正反馈,电路就一定能产生正弦波振荡。() 7.多级放大器采用正反馈来提高电压放大倍数。() 8.TTL集成电路的电源电压一般为12伏。() 9.流过电感中的电流能够突变。() 10.将模拟信号转换成数字信号用A/D转换器,将数字信号转换成模拟信号用D/A转换器。() 三、单选题(在本题的每小题备选答案中,只有一个答案是正确的,请把你认为正确答案的代号填入题干后的括号内,多选不给分。每小题2分,共26分) 1.用万用表测得某电路中的硅二极管2CP的正极电压为2V,负极电压为1.3V,则此二极管所处的状态是() A.正偏B.反偏C.开路D.击穿 2.放大器的三种组态都具有() A.电流放大作用B.电压放大作用 C.功率放大作用D.储存能量作用 3.下列各图中,三极管处于饱和导通状态的是()

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