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基于有源箝位的IGBT过电压抑制技术介绍

基于有源箝位的IGBT过电压抑制技术介绍
基于有源箝位的IGBT过电压抑制技术介绍

有源箝位反激变换器分析与设计

有源箝位反激变换器分析与设计 时间:2012-01-10 18:30:38 来源:作者: 1. 引言 反激(Flyback)变换器由于具有电路拓扑简洁、输入输出电气隔离、电压升/降范围宽、易于多路输出等优点,因而广泛用于中小功率变换场合。但是,反激变换器功率开关电压、电流应力大,漏感引起的功率开关电压尖峰必须用箝位电路来限制。作者在文献[1]中对RCD箝位、LCD箝位、有源箝位反激变换器进行了比较研究,得出有源箝位技术使反激变换器获得最优综合性能的结论。 图1 有源箝位反激变换器电路拓扑 图2 有源箝位反激变换器原理波形 2. 有源箝位反激变换器稳态原理分析 有源箝位反激变换器电路拓扑及原理波形,分别如图1、图2所示[2]。变压器用磁化电感Lm、谐振电感Lr(包括变压器漏感和外加小电感)和只有变比关系的理想变压器T表示,Cr为等效电容,包括两个开关S和SC的输出电容。稳态工作时,每个开关周期分为七个开关状态阶段,各开关状态等值电路如图3所示。七个开关状态为: ①t=t0~t1:t0时刻,功率开关S开通,箝位开关SC及其寄生二极管Dc与整流二极管D均截止,Lm与Lr线性充电; ②t=t1~t2:t1时刻,S关断,磁化电感电流即谐振电感电流以谐振方式对Cr充电,开关管S漏源电压uDS近似线性上升; ③t=t2~t3:t2时刻,uDS上升到Ui+uC,DC开通,将Lr和Lm串联支路端电压箝位在 uC≈Uo(N1/N2),磁化电流通过箝位支路对CC充电(CC>Cr),u1下降规律为u1=-uCLm/(Lr+Lm); ④t=t3~t4:t3时刻,u1已经下降到使D正偏导通,随后u1箝位在-Uo(N1/N2),Lr和CC开始谐振,Lr上的电压为uC-Uo(N1/N2),iC下降速率为[uC-Uo(N1/N2)]/Lr,在iC开始反向之前开通SC,SC 便获得了零电压开通(ZVS);

32位汇编语言程序设计上机指导

《32位汇编语言程序设计》上机指导 《32位汇编语言程序设计》上机指导 (1) 实验一建立windows环境下32位汇编语言开发环境 (2) 实验2 指令格式与寻址方式 (4) 实验3 数据操作编程 (5) 实验4 分支和循环程序设计 (6) 实验5 子程序设计 (8) 实验6 输入输出程序设计 (9) 实验7:字符串操作 (10) 实验8:宏结构设计 (11) 实验9:混合编程 (12) Windows环境下32位汇编语言开发环境的建立 (13) 调试程序Windbg (19) 宏汇编命令ML和连接命令LINK常用参数速查 (22) 输入输出宏命令 (23)

实验1 建立windows环境下32位汇编语言开发环境 实验目的:建立windows环境下32位汇编语言开发环境,并熟悉它的使用方法。 实验要求:(1)建立windows环境下32位汇编语言开发环境; (2)熟悉自己建立的开发环境的使用方法; (3)熟悉调试工具的使用 实验内容:(1)定制masm32集成开发环境,使之符合教学要求。 (2)分别建立汇编,连接,和汇编&连接批处理命令,能够生成包含调试信息的目标文件,列表文件,以及能够进行调试的可执行WIN32控制台程序。 (3)建立16位和32位汇编语言框架程序。 (4)在自己建立的开发环境下汇编,连接,运行教材中的例3-1和例3-2。 实验步骤: 1、安装开发环境 运行《32位汇编语言程序设计》教材配套开发环境软件“开发工具.exe”,将MASM32安装在根目录下(例如:c:\masm32)。接着运行Exmasm32.exe,将其它软件安装在masm32的目录下(例如:c:\masm32)。建立masm32文件夹中的qEditor.exe和Windbg.exe桌面快捷方式。 2、定制开发环境 修改文件msm32\bin\buildc.bat中的内容,使得执行Project\Console Assemble & Link后能够汇编连接可调试的32位控制台应用程序,同时生成列表文件。 汇编命令改为: \masm32\bin\ml /c /coff /Fl /Zi “%1.asm” 连接命令改为: \masm32\bin\link /debug “%1.obj” 1、建立汇编连接16位应用程序的批处理文件make16.bat 建立汇编连接16位应用程序的批处理文件make16.bat,可以用于汇编连接可调试的实模式应用程序,同时生成列表文件。 make16.bat的主要内容: \masm32\bin\ml /c /Fl /Zi "%1.asm" \masm32\bin\Link16 /debug "%1.obj" 4、建立适合在定制开发环境下使用的32位应用程序框架 .386 ;必须是第一条非注释语句,说明这是一个32位应用程序 .model flat, stdcall ;定义程序的存储模式(32位应用程序中必须采用flat) include \masm32\include\io32.inc ;可选,如果在程序中使用作者自定义的宏命 令需要这一句 .stack 4096 ;定义堆栈段 .data ;定义数据段 ……;数据定义 .code ;定义代码段 start: ;程序起始点 ……;程序代码 ret ;程序结束点,返回WINDOWS ……;子程序代码 end start ;汇编结束

有源钳位正激电路的分析设计

有源箝位正激变换器电路分析设计 1.引言 有隔离变换器的DC/DC变换器按照铁芯磁化方式,可分为双端变换器和单端变换器。和双端变换器比较,单端变换器线路简单、无功率管共导通问题、也不存在高频变换器单向偏磁和瞬间饱和问题,但由于高频变换器工作在磁滞回线一侧,利用率低。因此,它只适用于中小功率输出场合。单端正激变换器是一个隔离开关变换器,隔离型变换器的一个根本特点是有一个用于隔离的高频变压器,所以可以用于高电压的场合。由于引入了高频变压器极大的增加了变换器的种类,丰富了变换器的功能,也有效的扩大了变换器的使用范围。 单端正激变换器拓扑以其结构简单、工作可靠、成本低廉而被广泛应用于独立的离线式中小功率电源设计中。在计算机、通讯、工业控制、仪器仪表、医疗设备等领域,这类电源具有广阔的市场需求。当今,节能和环保已成为全球对耗能设备的基本要求。所以,供电单元的效率和电磁兼容性自然成为开关电源的两项重要指标。而传统的单端正激拓扑,由于其磁特性工作在第一象限,并且是硬开关工作模式,决定了该电路存在一些固有的缺陷:变压器体积大,损耗大;开关器件电压应力高,开关损耗大;dv/dt和di/dt 大等。 为了克服这些缺陷,提出了有源钳位正激变换器拓扑,从根本上变 了单端正激变换器的运行特性,并且能够实现零电压软开关工作模式,从而大量地减少了开关器件和变压器的功耗,降低了dv/dt和di/dt,改善了电磁兼容性。因此,有源钳位正激变换器拓扑迅速获得了广泛的应用。 本文主要介绍Flyback 型有源箝位正激变换器的稳态工作原理与电 路设计。

2. 有源箝位正激变换器电路的介绍 有源箝位正激变换器由有源箝位支路和功率输出电路组成。有源箝位支路由箝位开关和箝位电容串联组成,并联在主开关或变压器原边绕组两端。利用箝位电容及开关管的输出电容与变压器绕组的激磁电感谐振创造主开关和箝位开关的Z VS工作条件,并在主开关关断期间,利用箝位电容的电压限制主开关两端的电压基本保持不变,从而避免了主开关过大的电压应力;另一方面,在正激变换器中采用有源箝位技术还可实现变压器铁芯的自动磁复位,并可以使激磁电流沿正负两个方向流动,使其工作在双向对称磁化状态,提高了铁芯的利用率。 有源钳位正激电路的原理图如下所示: 下面分七个阶段分析其工作过程: (1)t0~t1:向负边传输能量阶段 t=t0时刻使T1导通,T2处于关断阶段,则D1导通,变压器原边向副边传输能量,同时激磁电感L m上的电流以斜率U i/L m线性上升。 (2)t1~t2:C ds充电阶段 t=t1时,T1被关断,激磁电流i L m与变压器原边电流I c/N同时对C ds 充电。由于变压器原边电流远远大于激磁电流,电容C ds主要由原边电流I o/N充电,可近似认为其端电压u d 漏源。

汇编语言程序设计(钱晓捷)课后答案

汇编语言程序设计(第二版) 钱晓捷习题答案 第二章(01) 2.1 (1)AX=1200h (2)AX=0100h (3)AX=4C2Ah (4)AX=3412h (5)AX=4C2Ah (6)AX=7856h (7)AX=65B7h 2.2(1) 两操作数类型不匹配 (2) IP指令指针禁止用户访问 (3) 立即数不允许传给段寄存器 (4) 段寄存器之间不允许传送 (5) 两操作数类型不匹配 (6) 目的操作数应为[ BP ] (7) 源操作数应为[BX+DI] (8) 立即数不能作目的操作数 2.3 lea bx,table ;获取table的首地址,BX=200H mov al,8 ;传送欲转换的数字,AL=8 xlat ;转换为格雷码,AL=12H 2.4 堆栈是一种按“先进后出”原则存取数据的存储区域。 堆栈的两种基本操作是压栈和出栈,对应的指令是PUSH和POP。 2.5 mov ax,8057h push ax mov ax,0f79h push ax pop bx ;bx=0f79h pop [bx] ;DS:[0f79h]=8057h 2.6 AL=89h CF ZF SF OF PF AL=12h 1 0 0 1 1 AL=0afh 0 0 1 0 1 AL=0afh 1 0 1 0 1 AL=00h 0 1 0 0 1 AL=0ffh 0 0 1 0 1 AL=00h 0 1 0 0 1 2.7 W=X+Y+24-Z

2.8 (1)ADD DX,BX (2)ADD AL,[BX+SI] (3)ADD [BX+0B2H],CX (4)ADD WORD PTR [0520H],3412H (5)ADD AL,0A0H 2.9;为了避免与操作数地址混淆,将题中X,Y,Z,V 字操作数改为A,B,C,D mov ax,X ;ax=A imul Y ;dx,ax = A*B (将操作数看作符号数,以下同) mov cx,ax mov bx,dx ;bx,ax <-- dx,ax =A*B mov ax,Z ;ax = C cwd ;dx,ax =C (扩展符号后为双字) add cx,ax adc bx,dx ;bx,cx <-- bx,cx+dx,ax=A*B+C sub cx,540 sbb bx,0 ;bx,cx<-- A*B+C-540 mov ax, V ;ax= D cwd ;dx,ax= D (扩展符号后为双字) sub ax, cx sbb dx, bx ;dx,ax = dx,ax - bx,cx = D-(A*B+C-540) idiv X ;运算结果:[D-(A*B+C-540h)]/A ;ax存商,dx存余数 2.10;(1)xchg的操作数不能是立即数 (2不能对CS直接赋值 (3)两个操作数不能都是存储单元 (4)堆栈的操作数不能是字节量 (5)adc的操作数不能是段寄存器 (6)没有确定是字节还是字操作 (7)in不支持超过FFH的直接寻址 (8)out只能以AL/AX为源操作数 第二章(02) 2.11; 指令AX的值CF OF SF ZF PF Mov ax,1407h1470h----- And ax,ax1470h00000 Or ax,ax1470h00000 Xor ax,ax000011 Not ax0ffffh----- Test ax,0f0f0h0ffffh00101 注意: 1. mov, not指令不影响标志位 2. 其他逻辑指令使CF=OF=0, 根据结果影响其他标志位。

有源钳位

有源钳位-正反激电路分析 参考样机:LAMBDA 全砖,500W ,36~75V 输入,28V/18A 输出; 电路拓扑结构:有源钳位-正反激; 测试条件:48V 输入,9A 输出; 电路模型: I Vin L 术语: Vin: 输入直流电压;V o: 输出电压;n: 变压器匝比; I L :变压器T1和T2的漏感; Lm1,Lm2:T1和T2的激磁电感; Im1,Im2:T1和T2的激磁电流; Ip1,Ip2:负载折算到原边的电流;Ip: 原边电流; Id1,Id2:变压器次级电流。 t4 t1 Vs2 t2 Vs1Vgs_Q2 Id1t3 t6 Ip t5 Vgs_Q1 Id2

电路工作原理与过程: 状态1:(t1~t2) Q1导通,Q2截止。 +Vin I L 变压器T1原边电感储能,漏感储能,T2向负载传送能量。Im1=Im2+Ip2=I L 状态2:(t2~t3) Q1由导通变为截止,Q2仍截止。 +L - Vin Id1 I 当Q1截止瞬间,所有的直流电流通路被断开,Lk 和Lm1为了阻止电流减小的趋势而产生反向电动势。Lm1与Lm2上的电压幅值相等(等于Vo*n ),方向相反。Im1提供T2的激磁

电流Im2以及负载电流Ip2和Ip1,并同I L 一起对C2充电。Ic2- I L = Im1-Ip1=Im2+Ip2。Ip1从零电流开始上升,Ip2从最大电流开始下降。当Ip2下降到零时,Ip1=Im1-Im2,Lm2上的电压反相。 Id1 Vin L I C2上电压很快被充至Vc1,Q2的体二极管D4导通,C1被充电。充电电流Ic1=Im2= I L +Im1-Ip1 (Ic1忽略),Ic1由最大充电电流开始下降,Ip1则继续上升。 状态3:(t3~t5) Q1仍截止,Q2由截止变为导通。 Id1 Vin Q2开通时,C1仍然还在充电,直到C1上的电压充到最高值,C1开始放电。Ip1=Ic1-I L ,

正激有源钳位分析

有源钳位正激变换器的理论分析和设计方法 2009年07月14日 17:48 深圳华德电子有限公司作者:刘耀平用户评论(0)关键字: 有源钳位正激变换器的理论分析和设计方法 摘要:零电压软开关有源钳位正激变换器拓扑非常适合中小功率开关电源的设计。增加变压器励磁电流或应用磁饱和电感均能实现零电压软开关工作模式。基于对零电压软开关有源钳位正激变换器拓扑的理论分析,提出了一套实用的优化设计方法。实验结果验证了理论分析和设计方法。 关键词:有源钳位;正激变换器;零电压软开关 1 引言 单端正激变换器拓扑以其结构简单、工作可靠、成本低廉而被广泛应用于独立的离线式中小功率电源设计中。在计算机、通讯、工业控制、仪器仪表、医疗设备等领域,这类电源具有广阔的市场需求。当今,节能和环保已成为全球对耗能设备的基本要求。所以,供电单元的效率和电磁兼容性自然成为开关电源的两项重要指标。而传统的单端正激拓扑,由于其磁特性工作在第一象限,并且是硬开关工作模式,决定了该电路存在一些固有的缺陷:变压器体积大,损耗大;开关器件电压应力高,开关损耗大; d v/d t和d i/d t大,EMI问题难以处理。 为了克服这些缺陷,文献[1][2][3]提出了有源钳位正激变换器拓扑,从根本上改变了单端正激变换器的运行特性,并且能够实现零电压软开关工作模式,从而大量地减少了开关器件和变压器的功耗,降低了d v/d t和d i/d t,改善了电磁兼容性。因此,有源钳位正激变换器拓扑迅速获得了广泛的应用。 * 然而,有源钳位正激变换器并非完美无缺,零电压软开关特性也并非总能实现。因而,在工业应用中,对该电路进行优化设计显得尤为重要。本文针对有源钳位正激变换器拓扑,进行了详细的理论分析,指出了该电路的局限性,并给出了一种优化设计方法。 2 正激有源钳位变换器的工作原理 如图1所示,有源钳位正激变换器拓扑与传统的单端正激变换器拓扑基本相同,只是增加了辅助开关S a(带反并二极管)和储能电容C s,以及谐振电容C ds1、C ds2,且略去了传统正激变换器的磁恢复电路。磁饱和电感L s 用来实现零电压软开关,硬开关模式用短路线替代。开关S和S a工作在互

有源钳位正激变化器的工作原理

第2章有源箝位正激变换器的工作原理 2.1 有源箝位正激变换器拓扑的选择 单端正激变换器具有结构简单、工作可靠、成本低廉、输入输出电气隔离、易于多路输出等优点,因而被广泛应用在中小功率变换场合。但是它有一个固有缺点:在主开关管关断期间,必须附加一个复位电路,以实现高频变压器的磁复位,防止变压器磁芯饱和[36]。传统的磁复位技术包括采用第三个复位绕组技术、无损的LCD箝位技术以及RCD箝位技术。这三种复位技术虽然都有一定的优点,但是同时也存在一些缺陷[37-39]。 (1)第三复位绕组技术采用第三个复位绕组技术正激变换器的优点是技术比较成熟,变压器能量能够回馈给电网。 它存在的缺点是:第三复位绕组使得变压器的设计和制作比较复杂;变压器磁芯不是双向对称磁化,因而利用率较低;原边主开关管承受的电压应力很大。 (2)RCD箝位技术采用RCD箝位技术正激变换器的优点是电路结构比较简单,成本低廉。 它存在的缺点是:在磁复位过程中,磁化能量大部分都消耗在箝位网络中,因而效率较低;磁芯不是双向对称磁化,磁芯利用率较低。 (3) LCD箝位技术采用无损的LCD箝位技术正激变换器的优点是磁场能量能够全部回馈给电网,效率较高。 它存在的缺点是:在磁复位过程中,箝位网络的谐振电流峰值较大,增加了开关管的电流应力和通态损耗,因而效率较低;磁芯不是双向对称磁化,磁芯利用率较低。 而有源箝位正激变换器是在传统的正激式变换器的基础上,增加了由箝位电容和箝位开关管串联构成的有源箝位支路,虽然与传统的磁复位技术相比,有源箝位磁复位技术增加了一个箝位开关管,提高了变换器的成本,但 .

是有源箝位磁复位技术有以下几个优点: (1)有源箝位正激变换器的占空比可以大于0.5,使得变压器的原副边匝比变大,从而可以有效地减少原边的导通损耗; (2)在变压器磁复位过程中,寄生元件中存储的能量可以回馈到电网,有利于变换器效率的提高; (3)变压器磁芯双向对称磁化,工作在B-H回线的第一、三象限,因而有利于提高了磁芯的利用率; (4)有源箝位正激变换器的变压器原边上的电压是是有规律的方波,能够为副边同步整流管提供有效、简单的自驱动电压信号,因而大大降低了同步整流电路的复杂度。 图2-1 低边有源箝位电路 Fig. 2-1 Low-Side a ctive c lamp c ircuit r

有源钳位的发展

有源箝位技术的发展及应用 有源箝位正激电路技术虽然已经历十余载,且发展到二次侧新的有源箝位专利第二代及第三代,然而最具有创造力,最有应用价值的仍为第一代初级侧的有源箝位技术。自从八十年代末以来,VICOR产品的有源箝位ZVS软开关正激拓扑,现在仍旧广泛应用,而且仍旧具有极其旺盛的生命力。但到二十一世纪,其应用的着眼点不仅在于软开关,而且更着重在磁芯的复位上,以及如何进一步扩展占空比,提高磁心的利用率。这里将两个典型的P沟MOSFET箝位及N沟MOSFET箝位电路列出,见图1,图2。 图1 P沟MOSFET有源箝位正激DC/DC变换器参考电路 图2 N沟MOSFET有源箝位正激DC/DC变换器参考电路 其控制IC典型都采用UCC3580这是一个Bi CMOS的电压型有源箝位控制IC。也是一颗专利IC,盛行于上个世纪九十年代,此外也可以采用UC3843+UC3714来低成本地组合一个有源箝位正激拓朴的控制系统。此为电流型控制。 然而,今年美国三家公司又都先后推出了新的控制IC。这就是TI公司的UCC2891~2894,ONSEMI公司的NCP1560以及国家半导体公司的LM5025。此外,ONSEMI公司还设计了一颗高压有源箝位控制IC,型号为NCP1280。TI公司又新给出了UCC2897, 这几款有源箝位主控制IC的主要改进之处在于因采用DMOS技术,都可直接接高压(100V )启动,而NCP1280可以直接接到425V 高压。此外,还都同时给出控制好二次侧同步整流的控制信号。以大幅度提高DC/DC的转换效率。有源箝位的着眼点不仅为了实现软开关,减少开关损耗。而且还为了减少磁能损失,更好地实现磁芯复位,使软磁材料的磁滞性能造成的能量损失减到最小,并进一步扩展可用占空比。 我们首先讨论LM5025,这是2003年12月才正式面市的产品,它的原理方框图如下,技术上主要进步点在于: 图1 LM5025原理方框图 ① DMOS组成高压恒流源,给出Vcc,继而给出5V基准电压,同时控制逻辑 给出过压,欠压锁定,用以保护IC 。外部Vcc处接足够电容,启动以后再由辅助绕组供给Vcc足够能量。 ② 两输出的死区间隔(或重叠间隔)时间用一外接电阻调整,若用N MOSFET 复位则将电阻接至Vref。用P MOSFET箝位则接至GND。 ③ 因其采用电压型控制,所以伏秒积箝制采用R.C元件从Vin接R至RAMP 再接C至GND。 ④ 其过流保护采用了新方式,从电流互感器取样以后,CS1电平永远高于CS2 电平。CS1电平达到0.25V进入逐个电流限制的工作方式,而CS2电平达到 0.25V时,将会关闭输出驱动,并重新启动IC的软启动功能。 ⑤ 两输出驱动同时可以通过小变压器或高速光耦去驱动二次侧的同步整流,以 便实现大于5V的输出,而3.3V以下输出为简单方便则仍采用自驱动式同步整流。图2给出一典型LM5025的应用电路。

有源钳位正激

有源钳位正激的复位:高侧与低侧 简介 关于有源钳位技术的所有论文均显示钳位电路应用于直接跨过变压器初级侧的高端,或直接跨过主MOSFET开关的漏极至源极的低端。更有趣的是,作者似乎在哪方面最好,哪一方面最好,而为什么却很少或根本没有解释的问题上各占一半。 将有源钳位变压器复位技术应用于高端与将其应用于高端之间存在细微但值得注意的区别。每种应用都会产生不同的传递函数,进而导致在复位期间向钳位电路施加不同的电压。钳位电容器的值和电压额定值以及每种情况下栅极驱动电路之间的不同考虑因素都将受到直接影响。 Low-Side Clamp(低端钳位) 图1显示了应用于基本单端正激转换器的低端钳位电路,该转换器具有标准的全波整流输出和LC滤波器 只要主MOSFET Q1导通,就会在变压器的励磁电感上施加全部输入

电压,这称为功率传输模式。 相反,每当辅助(AUX)MOSFET Q2导通时,钳位电压和输入电压之间的差就会施加到变压器的励磁电感上,这称为变压器复位周期。低端钳位的一个特定事实是,由于体二极管的方向,辅助MOSFET Q2必须是P沟道器件。还值得注意的是,Q2仅载有变压器励磁电流,与反射的负载电流相比,平均值很小。因此,选择低栅极电荷MOSFET应该是主要考虑因素,而低RDS(on)只是次要考虑因素。 在Q1关闭和Q2打开之间还引入了一个附加的死区时间。在死区时间期间,初级电流保持连续流过P沟道AUX MOSFET Q2或主MOSFET Q1的体二极管。这通常被称为谐振周期,其中为零电压开关(ZVS)设置条件。这是有源钳位拓扑结构的重要且独特的特性,但是对于此比较而言,它几乎没有什么意义,除了简要提到有源钳位应用于低端还是高端始终存在。 忽略漏感的影响,可以通过在变压器励磁电感两端应用伏秒平衡原理来推导低端钳位的传递函数 (1)给出钳位电压VC(LS)的简化式(1) (2)有趣的是,对于非隔离式升压转换器,(2)中给出的传递函数也是相同的传递函数,这就是为什么低侧钳位通常被称为升压型钳位的原因。

汇编语言程序设计A卷

2011级 汇编语言程序设计 课程试题(A卷) 1.用汇编语言书写的程序叫做,MASM要求该文件的扩展名是,编写32位Windows应用程序应选择存储模型。2.汇编语言语句有两种,分别是和。3.除外设数据外的数据寻址方式有3类,分别称为、 和寻址。 4.进行Windows应用程序开发时,需要库文件,执行该应用程序时,则需要对应的库文件。 5.汇编语言与C和C++语言有两种混合编程方法,分别是和 。 6.IA-32处理器有个32位通用寄存器,有个段寄存器,段寄存器都是位的。 分数评卷人 二、判断题(每题1分,共10分) 1.Windows的模拟DOS环境与控制台环境是一样的。() 2.“TYPE DX”的结果是一个常量,等于2。()3.数据扩展的基本原则是位数加长,数值大小不变。() 4.指令的相对寻址都是近转移。()5.JA和JG指令的条件都是“大于”,所以是同一个指令的两个助记符。() 6.CALL指令的执行必然影响堆栈指针ESP。()

7.在宏定义中,LOCAL伪指令声明标识符;而在过程定义中,LOCAL 伪指令用于分配局部变量。()8.指令“OUT DX,AX”的两个操作数均采用寄存器寻址方式。() 9.MASM32软件包既支持32位图形界面应用程序的开发,也支持控制 台应用程序开发。()10.程序终止执行也就意味着汇编结束,所以两者含义相同。 () 分数评卷人 三、按下面要求写出相应的数据定义语句或汇 编指令(变量名可任意指定)(每小题2分, 共12分) 1.定义字符串变量:assembly language 2.定义20个未赋值的字变量 3.定义符号常量str,表示字符串assembly language 4.定义用十六进制数表示的双字变量:20 5.用寄存器EBX和ESI的基址变址寻址方式把存储器的一个双字与EAX寄存器的内容相加,并把结果送回存储器中。用一条汇编指 令完成该功能。 6.用一条汇编指令实现将寄存器EAX和标志位CF、OF同时清零。 分数评卷人 四、程序分析与阅读题(共 28分) 1.根据数据段定义的变量,分析下列指令的运行结果并填在空格里

反激钳位电路设计方法

一种有效的反激钳位电路设计方法 0 引言 单端反激式开关电源具有结构简单、输入输出电气隔离、电压升/降范围宽、易于多路输出、可靠性高、造价低等优点,广泛应用于小功率场合。然而,由于漏感影响,反激变换器功率开关管关断时将引起电压尖峰,必须用钳位电路加以抑制。由于RCD钳位电路比有源钳位电路更简洁且易实现,因而在小功率变换场合RCD钳位更有实用价值。 1 漏感抑制 变压器的漏感是不可消除的,但可以通过合理的电路设计和绕制使之减小。设计和绕制是否合理,对漏感的影响是很明显的。采用合理的方法,可将漏感控制在初级电感的2%左右。 设计时应综合变压器磁芯的选择和初级匝数的确定,尽量使初级绕组可紧密绕满磁芯骨架一层或多层。绕制时绕线要尽量分布得紧凑、均匀,这样线圈和磁路空间上更接近垂直关系,耦合效果更好。初级和次级绕线也要尽量靠得紧密。 2 RCD钳位电路参数设计 2.1 变压器等效模型 图1为实际变压器的等效电路,励磁电感同理想变压器并联,漏感同励磁电感串联。励磁电感能量可通过理想变压器耦合到副边,而漏感因为不耦合,能量不能传递到副边,如果不采取措施,漏感将通过寄生电容释放能量,引起电路电压过冲和振荡,影响电路工作性能,还会引起EMI问题,严重时会烧毁器件,为抑制其影响,可在变压器初级并联无源RCD钳位电路,其拓扑如图2所示。

2.2 钳位电路工作原理 引入RCD钳位电路,目的是消耗漏感能量,但不能消耗主励磁电感能量,否则会降低电路效率。要做到这点必须对RC参数进行优化设计,下面分析其工作原理:当S1关断时,漏感Lk释能,D导通,C上电压瞬间充上去,然后D截止,C通过R放电。

一种在全负载范围内实现ZVS的有源箝位反激变换器

一种在全负载范围内实现ZVS的有源箝位反激变换器 一种在全负载范围内实现ZVS的有源箝位反激变换器 0引言 传统的反激变换器反激变换器,因其相对简单的电路结构以及能实现升降压功能而在DC/DC场合中得到了广泛使用.但是,由于反激变换器的变压器同时还兼作为电路中的电感使用,所以气隙较大,不可避免的漏感也较大。在电路原边开关管关断时,该漏感会和原边开关管上的 结电容产生寄生振荡,从而在原边丌关管上产生电压尖剌,使之承受高的电压应力,同时,该振 荡还是一个EMD源,给电路带来EMI方面的问题。传统的RCD箝位电路将存储在变压器漏感 中的能量,全都消耗在箝位电阻上,在一定程度卜缓解了这个压力,但是,降低了电路的效率。 如果采用一个有源箝位有源箝位的电路来取代传统的RCD箝位电路的话,就能很好地解决这个 问题。 1有源箝位电路 典型的有源箝位电路。 有源箝位的反激变换器除了能将漏感上的能量反馈到输出,提高电路效率外,还具有以下几 个优点:首先,电压箝位效果良好,能减少开关管上的电压应力;其次,电路原边的主管和辅管 都可实现ZVS,从而减少电路的开关损耗。这个特性对于高压输入的场合特别重要。由于开关 管上的电压是谐振到零的,这样既限制了电压关断时的dv/dt,同时箝位电容和变压器原边谐 振电感的谐振还限制了副边整流管关断时的di/dt;通过恰当地设计箝位电容的值,还可以实 现副边整流二极管的ZCS,从而减少或消除了整流管的开关损耗和由于二极管反向恢复引起的 开关噪声,从而有效地减少了电路的EMI。 正是由于这些优点,有源箝位反激变换器受到厂业界的重视。该电路不但可以作为普通的DC/DC变换器使用,而且还可以用作一个性能优良的PFC电路。 传统的反激变换器中存在着“电感电流连续(CCM)”和“电感电流断续(DCM)”两种不同的工作状态。这两种不同的工作状态在有源箝位反激变换器当小也分别体现不同的工作特点。CCM的有源箝位反激变换器和传统的反激变换器一样,在一个开关周期 内,变压器原边的激磁电流始终大于零;而DCM的有源箝位反激变换器中变压器原边的激磁电 流却会出现断续的状态,当激磁电 流到零的时候,在箝位电容的作用下,变压器原边的激磁电流将反向流动,从而在一个开关 周期内体现为一个正负交变的量。文献[4]详细地分析了CCM状态下的有源箝位反激变换器的工 作过程以及设计中的注意事项。从中可知,CCM状态下的有源箝位反激变换器同传统的反激变 换器一样,具有电流纹波小,电路导通损耗小,适合于功率大的输出场合等优点。但该工作状态 需要一个外加谐振电感来实现原边开关管的ZVS(如图1中的Lr),而且软开关软开关的实现和负 载有关.只能在一定的负载范围内实现。 但是,保证电路在全范围内实现软开关有着重大的现实意义,因为,全范围软开关能保证整 个电路的工作状态一致,特别是保证电路的EMl的性能一致,从而减小了整个电路的EMI滤波 器。为此,本文对有源箝位反激变换器进行了优化设计,以保证整个电路从空载到满载范围内都 能实现软开关。 文章首先对电路的工作状态进行了详细的分析,而后给出了电路当中关键元器件的设汁依据, 最后,用一个100W/100kHz的样机验证了该电路的高效率和优良的全负载范围内的软开关 特性。 2电路的工作原理

有源钳位推挽变换器原理

有源钳位推挽变换器原理 导读:本文从原理出发分析了在推挽逆变器中两开关管漏极产生尖峰的原因,提出了改进方法,并在实际应用中得到验证是可行的,相比于传统推挽逆变器,极大地提升了了性能,提高了效率和稳定性。 一推挽逆变器的原理分析 主电路如图1所示: Q1,Q2理想的栅极(UG1,UG2)漏极(UD1,UD2)波形如图2所示: 实际输出的漏极波形:

从实际波形中可以看出,漏极波形和理想波形存在不同:在Q1,Q2两管同时截止的死区处都长了一个长长的尖峰,这个尖峰对逆变器/UPS性能的影响和开关管Q1,Q2的威胁是不言而喻的,这里就不多说了。 二Q1,Q2两管漏极产生尖峰的成因分析 从图1中可以看出,主电路功率元件是开关管Q1,Q2和变压器T1。Q1,Q2的漏极引脚到TI初级两边走线存在分布电感,T1初级存在漏感,当然T1存在漏感是主要的。考虑到漏感这个因素我们画出推挽电路主电路等效的原理图如图4所示:

从图4中可以看出L1,L2就等效于变压器初级两边的漏感,我们来分析一下Q1导通时的情形:当Q1的栅极加上足够的驱动电压后饱和导通,电池电压加到漏感L1和变压器T1初级上半部分,当然绝大部分是加到T1初级上半部分,因为L1比T1初级上半部分电感小得多。此时Q2是截止的,主电路电流方向为从电池正极到T1初级上半部分到L1到Q1的DS再回到电池的负极;L1上电压的极性为左负右正,T1初级上半部分电压的极性为上负下正,如图5所示: 当Q1栅极信号由高电平变为低电平时,此时Q2也还截止,即死区处Q1,Q2都不导通,T1初级上半部分由于和次级耦合的原因,能量仅在Q1导通时向次级传递能量,到Q1截止时T1初级上半部分上端的电位已恢复到电池电压,而L1可以看做是是一个独立的电感,它储存的能量耦合不到变压器T1的次级。但是,随着Q1由导通转向截止,L1上的电流迅速减小,大家知道电感两端的电流是不能突变的,根据自感的原理L1必然要产生很高的反向感生电动势来阻碍它电流的减小,所以此时电感电压的极性和图5相反,T1初级上半部分的电压为0,两端点的电压都等于电池电压,此时Q1漏极的电压就等于L1两端的电压和电池电压之和,这就是Q1,Q2两管漏极产生尖峰的原因,如图6所示。

原副边谐振的有源箝位反激式电源研究

哈尔滨工业大学工学硕士学位论文 Abstract With the rapid development of consumer electronics, the demands of portable power conversion with high power density and high efficiency are ever increasing. In the field of low-power adaptor, the traditional quasi-resonant flyback converter cannot fully recover the energy stored in the leakage inductance of the transformer. Active clamp flyback converter can solve this problem and becomes a research hotspot. Therefore, this dissertation carries out the research on the application of active clamp flyback converter in the field of adaptor, and analyzes the operation of this topology under different resonant conditions. In view of the complex working process of active clamp flyback converter and the large influence of parasitic components, this dissertation analyzes the working process of this circuit in different operating modes, and the circuit equivalent model is established to conduct mathematical demonstration. This dissertation also focuses on the achieving process of primary side soft-switching and gives the corresponding realizing conditions. In order to solve the problem that the secondary side synchronous rectifier may malfunction with the traditional active clamp flyback converter, this dissertation studies the circuit working process under different resonant conditions and proposes a solution of primary-secondary side resonance. The causes of the malfunction of the synchronous rectifier under the traditional primary resonance conditions is analyzed, and the equivalent circuit model for the primary current drop phenomenon in this process is established. Under this premise, this dissertation studies the resonant characteristics of the circuit under the condition of the traditional primary resonance and the novel secondary resonance. Based on this, this dissertation proposes the working mode of the primary-secondary resonance. After theoretical analysis and experimental demonstration, it is proved that this method can effectively reduce the RMS of the secondary current and preserves the advantage of the secondary resonance in the same time. According to the background of portable adaptor applications, this dissertation presents the design of an active clamp flyback power supply system, which is verified by the simulation in Simplis. At the same time, the primary-secondary side resonant working mode is implemented on the hardware platform which proves the consistency of theory and experiment. Keywords: active clamp, soft-switching, flyback, primary-secondary side resonance

重庆邮电大学32位汇编语言程序设计-钱晓捷

1 汇编语言程序设计 随堂测试试题(一) 姓名: 学号: 班级:一、填空题(每空2分,共30分) 1.MASM 要求汇编语言源程序文件的扩展名是_ __文件被称为_ __文件,编写32位Windows 应用程序应选择__ _存储模型。 2寄存器EDX 是_ __位的,其中低16位的名称是_ ___,还可以分成两个8位的寄存器,其中D0~D7和D8~D15部分可以分别用名称_ ___和_ ___表示。 4.定义字节变量的伪指令助记符是______。 5.汇编语言代码中的.386的含义是: 一个32位的程序 。 6.A-32处理器有8个32位通用寄存器,其中EAX ,__ _,__ _和EDX ,可以分成16位和8位操作;还有另外4个是__ _,__ _,__ _,和__ _。 二、按下面要求写出相应的数据定义语句或汇编指令(变量名可任意指定)(每小题5分,共20分) 1.定义字符串变量:assembly language 2.定义20个未赋值的字变量

3.定义符号常量str,表示字符串assembly language 4.定义用十六进制数表示的双字变量:20 三、画出变量在内存中的存放示意图(共30分) 1.假设M1的地址为0x00001000(10分) D1 SEGMENT M1DB 1,2 M2DW 3456H,7 D1 ENDS 2.假设Value1的地址为0x00001000(10分) D1 SEGMENT Value1 DWORD 12345678h Value2 DD 3456H Value3 BYTE 10,11,12 D1 ENDS 2

有源钳位+单管正激的驱动

1/16 L6598 February 2002 s HIGH VOLTAGE RAIL UP TO 600V s dV/dt IMMUNITY ±50V/ns IN FULL TEMPERATURE RANGE s DRIVER CURRENT CAPABILITY:250mA SOURCE 450mA SINK s SWITCHING TIMES 80/40ns RISE/FALL WITH 1nF LOAD s CMOS SHUT DOWN INPUT s UNDER VOLTAGE LOCK OUT s SOFT START FREQUENCY SHIFTING TIMING s SENSE OP AMP FOR CLOSED LOOP CONTROL OR PROTECTION FEATURES s HIGH ACCURACY CURRENT CONTROLLED OSCILLATOR s INTEGRATED BOOTSTRAP DIODE s CLAMPING ON Vs s SO16, DIP16 PACKAGES DESCRIPTION The L6598 is manufactured with the BCD OFF LINE technology, able to ensure voltage ratings up to 600V, making it perfectly suited for AC/DC Adapters and wherever a Resonant Topology can be benefi-cial. The device is intended to drive two Power MOS,in the classical Half Bridge Topology. A dedicated Timing Section allows the designer to set Soft Start Time, Soft Start and Minimum Frequency. An Error Amplifier, together with the two Enable inputs, are made available. In addition, the integrated Bootstrap Diode and the Zener Clamping on low voltage sup-ply, reduces to a minimum the external parts needed in the applications. DIP16SO16N ORDERING NUMBERS:L6598 L6598D HIGH VOLTAGE RESONANT CONTROLLER BLOCK DIAGRAM GND V REF Ifmin Rfmin VCO EN1 Vthe1 Vthe2 EN2 V S V BOOT OUT C BOOT LOAD H.V. LVG UV DETECTION Vs HVG BOOTSTRAP DRIVER HVG DRIVER LVG DRIVER Css V REF Ifstart Rfstart Cf OP AMP +-OPOUT OPIN-OPIN+ DEAD TIME DRIVING LOGIC CONTROL LOGIC Iss + -+-LEVEL SHIFTER D98IN887A 12 567 4 2 3 19 8 10 11 14 1516

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