半导体毕业论文
半导体毕业论文
近年来，随着科技的飞速发展，半导体技术逐渐成为现代社会的核心。作为半
导体专业的毕业生，我在我的毕业论文中深入研究了半导体技术的应用和未来
发展趋势。在这篇文章中，我将分享一些我在研究过程中的发现和思考。
首先，我对半导体技术的历史进行了回顾。从最早的晶体管到如今的集成电路，半导体技术经历了长足的发展。我通过对历史文献的研究，了解到半导体技术
的进步是众多科学家和工程师共同努力的结果。他们通过不断的实验和创新，
逐渐突破了技术的瓶颈，使半导体技术能够应用于各个领域。
在我的研究中，我还关注了半导体技术在电子设备中的应用。半导体器件的小
尺寸和高效能使其成为现代电子设备中不可或缺的组成部分。从智能手机到电脑，从家用电器到汽车，半导体技术的应用无处不在。我通过对市场数据和行
业报告的分析，发现半导体技术在电子设备领域的市场潜力巨大。然而，随着
技术的不断进步，半导体器件的发展也面临着一些挑战，如能耗、散热等问题。因此，我提出了一些改进和优化的建议，以进一步提高半导体器件的性能和可
靠性。
除了电子设备领域，半导体技术在能源领域也有着广阔的应用前景。在我的研
究中，我关注了太阳能电池和LED照明等领域。太阳能电池是利用半导体材料
将太阳能转化为电能的装置，具有清洁、可再生的特点。我通过对太阳能电池
的工作原理和效率进行研究，发现虽然太阳能电池的效率已经有了显著的提升，但仍存在一些技术难题，如成本高、稳定性差等。因此，我提出了一些改进和
创新的方向，以进一步推动太阳能电池的发展。
LED照明是另一个半导体技术在能源领域的应用。相比传统的白炽灯和荧光灯，LED照明具有更高的能效和更长的使用寿命。在我的研究中，我探讨了LED照
明的工作原理和优势，并对其在室内照明和汽车照明等领域的应用进行了分析。我发现虽然LED照明已经取得了巨大的成功，但仍面临一些挑战，如照明效果
和颜色温度的调控等。因此，我提出了一些改进和创新的建议，以进一步提高LED照明的性能和应用范围。
最后，我对半导体技术的未来发展趋势进行了展望。随着人工智能、物联网和
5G等新兴技术的兴起，半导体技术将迎来更广阔的应用空间。我相信，半导体技术的不断创新和突破将推动社会进步和经济发展。然而，我们也需要注意半
导体技术可能带来的一些问题，如数据隐私和环境污染等。因此，我呼吁相关
部门和企业在发展半导体技术的同时，也要注重技术的伦理和社会责任。
总结起来，我的半导体毕业论文涵盖了半导体技术的历史、应用和未来发展趋势。通过对各个领域的研究和分析，我对半导体技术的发展和应用提出了一些
改进和创新的建议。我相信，半导体技术将继续在现代社会中发挥重要作用，
并为人类创造更美好的未来。
上海交通职业技术学院 学生毕业论文 毕业论文题目晶闸管的基础知识和在可控整流技术方 面的应用 专业港口物流设备与自动控制 学号0910032 姓名 指导老师
目录 目录 (1) 摘要 (2) 1 绪论 (3) 1.1 课题背景及发展方向 (3) 1.2 本文主要工作 (3) 2 晶闸管元件 (4) 2.1晶闸管元件简介 (4) 2.1.1.单向晶闸管的工作原理和主要参数 (4) 2.1.2 双向晶闸管的工作原理和主要参数 (7) 3.晶闸管的应用 (10) 3.1 单相半波可控整流电路 (11) 3.1.1电阻性负载 (11) 3.1.2电感性负载及续流二极管 (13) 3.1.3反电动势负载 (17) 结束语 (19) 参考文献 (20) 致谢 (21)
晶闸管的基础知识和在可控整流技术 方面的应用 李坤清 摘要：晶闸管是晶体闸流管的简称，俗称可控硅整流器（SCR ,Silicon Controlled Rectifier）,简称可控硅，其规范术语是反向阻断三端晶闸管。晶闸管是一种既具有开关作用，又具有整流作用的大功率半导体器件，应用于可控整流变频、逆变及无触点开关等多种电路。对它只要提供一个弱点触发信号，就能控制强电输出。所以说它是半导体器件从弱电领域进入强电领域的桥梁。目前为止，晶闸管是电子工业中应用最广泛的半导体器件，尽管有各种不同的新型半导体材料不断出现，但半导体材料中98%仍是硅材料，硅材料仍是集成电路产业的基础，其中晶闸管具有体积小、重量轻、功率高、寿命长等优点而得到广泛应用。晶闸管的作用主要有以下几种，1.变流整流，2.调压，3. 变频，4.开关（无触点开关）。普通晶闸管最基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二极管整流电路属于不可控整流电路。如果把二极管换成晶闸管，就可以构成可控整流电路、逆变、电机调速、电机励磁、无触点开关及自动控制等方面。在电工技术中，常把交流电的半个周期定为180°，称为电角度。这样，在U2的每个正半周，从零值开始到触发脉冲到来瞬间所经历的电角度称为控制角α；在每个正半周内晶闸管导通的电角度叫导通角θ。很明显，α和θ都是用来表示晶闸管在承受正向电压的半个周期的导通或阻断范围的。通过改变控制角α或导通角θ，改变负载上脉冲直流电压的平均值UL，实现了可控整流。晶闸管的功用不仅是整流，它还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路，实现将直流电变成交流电的逆变，将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电，等等。本文主要论述晶闸管的基本原理、主要参数以及在可控整流技术方面的应用。 关键词：晶闸管可控硅半导体可控整流技术
半导体毕业论文 半导体：探索未来科技的基石 引言： 在当今科技发展迅猛的时代，半导体作为一种关键材料，已经成为现代生活和 工业生产的基石。它的应用范围广泛，从电子设备到通讯技术，从能源领域到 医疗科学，无不离开半导体的支持。本文将探讨半导体的基本原理、应用领域 以及未来的发展趋势，旨在展示半导体技术对于人类社会的巨大影响和潜力。一、半导体的基本原理 半导体是一种介于导体和绝缘体之间的材料，其电导率介于两者之间。这种特 性源于半导体晶体中的电子能级结构。通过控制材料中的杂质浓度和制造工艺，可以调节半导体的电导率，从而实现对电流的控制。半导体的基本原理为现代 电子学的发展提供了坚实的基础。 二、半导体的应用领域 1. 电子设备 半导体是电子设备中最重要的组成部分。从智能手机到电脑、电视，几乎所有 现代电子产品都离不开半导体芯片。半导体的微小尺寸和高度集成的特点，使 得电子设备越来越小型化、高效化和功能强大化。 2. 通讯技术 半导体在通讯技术中扮演着重要角色。无线通信、光纤通信、卫星通信等都依 赖于半导体器件。半导体的高速开关特性和信号放大能力，使得信息传输更加 快速和稳定。 3. 能源领域
半导体技术在能源领域的应用也日益重要。太阳能电池板、LED灯、电动汽车 等都离不开半导体器件。半导体的光电转换效率高和能量损耗小的特点，为可 再生能源的发展提供了强有力的支持。 4. 医疗科学 半导体技术在医疗科学中的应用也日益广泛。例如，生物芯片可以用于基因检 测和疾病诊断，人工智能和机器学习可以应用于医学影像处理和疾病预测。这 些应用将大大提高医疗水平和人类生活质量。 三、半导体的未来发展趋势 1. 三维集成电路 随着电子设备的不断发展，对于更高性能和更小尺寸的需求也越来越迫切。三 维集成电路技术可以将多个晶体管层叠在一起，大大提高芯片的集成度和性能。这一技术的发展将推动电子设备的进一步革新。 2. 新型材料 除了传统的硅材料，新型半导体材料也在不断涌现。例如，石墨烯、氮化镓等 材料具有优异的电子特性，有望在未来取代硅材料，推动半导体技术的进一步 发展。 3. 量子计算 量子计算是当前科技界的热门领域之一。半导体技术在量子计算中具有重要地位，可以用于制造量子比特和量子门等关键器件。随着量子计算技术的突破， 我们有望实现超高速计算和解决传统计算机难以处理的问题。 结语： 半导体作为现代科技的基石，其重要性不言而喻。从基本原理到应用领域，我
摘要 由于晶闸管具有体积小，重量轻，效率高，寿命长，使用方便。可以方便的进行整流和逆变且可以不改变电路结构的前提下改变整流或逆变电流的大小的特点。 关于晶闸管和触发电路部分的内容是基础部分，主要介绍了晶闸管的基本原理，主要介绍了晶闸管的特点，各自的优缺点及伏安特性的原则等，根据任务书要求最终选择满足设计任务的设计方案。触发电路是非常重要的部分，从单结晶体管和同步信号为锯齿波的触发电路来研究，并使用SIMULINK仿真软件为设计中需要的仿真程序来进行处理以及结果的体现。 晶闸管的基本原理主要是以工作原理以及伏安特性来进行介绍和了解，为了下文的触发电路的设计做基础。本设计主要是以单结晶体管构成的触发电路和同步信号为锯齿波的触发电路为主要研究方向，从简到繁。逐步了解和接触触发电路。在仿真的部分，由于要使用没有接触过的SIMULINK仿真软件，为了更好的完成仿真目的，本设计之中也主要的突出仿真软件的介绍，全面完成先设计再仿真的工作。 由于现在对于晶闸管的使用越来越频繁，在各个领域内都需要从晶闸管的使用和研究。通过本次的毕业设计的研究，可以使在今后的工作中得到一定的帮助。 关键词：晶闸管；晶闸管触发电路；单结晶体管构成触发电路；同步信号锯齿波触发电路
Abstract As a result of crystal brake tube has the advantages of small volume, light weight, high efficiency, long life, easy to use. To facilitate the conduct of rectifier and inverter and can not change the circuit structure of changing the rectifier or inverter current size characteristics, but it is precisely because of such advantages. The thyristor and a trigger circuit part of the contents of infrastructure, mainly introduces the basic principle of thyristor, mainly introduced the characteristics of the thyristor, their respective advantages and disadvantages and volt-ampere characteristic principles, under the mandate calls for a final choice on the design task design. A trigger circuit is a very important part, from single junction transistor and a synchronization signal for the sawtooth wave trigger circuit to study, and the use of SIMULINK simulation software for the design of the simulation program for processing needs as well as the results of embodiment. The basic principle of thyristor is based on the working principle and characteristic are introduced and understanding, in order to below the trigger circuit design foundation. This design is mainly based on single junction transistor constituting the trigger circuit and a synchronization signal as a sawtooth wave trigger circuit as the main research directions, from simple to complex. Gradually understand and contact trigger circuit. In the simulation part, due to the use of no contact with the SIMULINK simulation software, in order to better accomplish the simulation object, the design is also the major outstanding simulation software, complete the design and Simulation of work Now due to thyristor is used more and more frequently, in various areas are required from the thyristor use and research. Through this graduation design research, can make the work in the future to get some help. Keywords: thyristor; thyristor trigger circuit; the representative transistor；
半导体毕业论文 随着现代科技的不断发展，半导体技术的应用越来越广泛，半导体材料的研究也变得越来越重要。本文主要探讨半导体材料的结构、性质及其应用。 一、半导体材料的结构 半导体材料的晶体结构分为两种：一种是离子晶体结构，另一种是共价晶体结构。离子晶体是由离子组成的，离子之间的键是离子键。共价晶体是由原子或离子组成的，原子或离子之间的键是共价键。在离子晶体结构中，空穴和电子被离子束缚在原子轨道中，所以离子晶体的导电性很差。而在共价晶体结构中，空穴和电子通过共价键结合，容易激发电子运动，因此具有很强的导电性。 二、半导体材料的性质 半导体的电导率随温度变化而变化，当温度升高时，电导率增加。半导体会在一定温度下发生费米能级跃迁，产生大量的电子空穴对。这些电子空穴对的数量与温度成指数关系。当半导体的温度超过某一温度时，电子空穴对的数量趋近于无限大，形成电子气，半导体材料会变成金属材料。 半导体材料的导电性还与材料的掺杂类型有关。掺杂是通过引入杂质元素来改变半导体材料的导电性。掺杂分为n型掺杂和p型掺杂。n型掺杂在半导体中引入电子，p型掺杂在半
导体中引入空穴。对于n型半导体，电子数量多于空穴，所以电流是由电子传导的；而对于p型半导体，空穴数量多于电子，所以电流是由空穴传导的。 三、半导体材料的应用 半导体材料广泛应用于电子工业、信息通信、光电子学、生物医药等领域。以下是几个重要的应用： 1. 半导体芯片 电子器件的制造离不开半导体芯片，在半导体材料内部加入不同的掺杂物，可以制成具有特殊功能的半导体芯片。半导体芯片广泛应用于计算机、智能手机、游戏控制台等电子产品。 2. 太阳能电池 半导体材料也可以用于太阳能电池的制造。太阳能电池的主结构是p-n结，也就是p型半导体与n型半导体的结合体，通过光线激发半导体内电子的移动，形成电流，实现太阳能转化为电能。 3. 发光二极管 半导体材料通过控制不同的掺杂物，可以制成具有不同颜色的发光二极管（LED）。发光二极管广泛应用于照明、显示、机载仪表、交通信号灯等领域。 4. 半导体激光器
毕业论文 题目：本征层厚度及掺杂对a-Si：H 太阳电池性能影响的模拟研究学院(直属系)：材料科学与工程学院 年级、专业：2006级材料科学与工程 学生姓名： 学号： 指导教师： 完成时间：2010年6月7日
本征层厚度及掺杂对a-Si太阳电池性能影响的模拟研究 材料科学与工程学院 学生：指导老师： 摘要 本文通过使用一维微光电子分析工具AMPS-1D重点分析了本征层掺杂和厚度对太阳能电池性能的影响。在掺杂方面研究了施主型杂质和受主型杂质的浓度分别在5×1015cm-3到5×1020cm-3之间时对太阳能电池产生的不同的影响。在厚度方面，考虑到了非晶硅的晶格结构，研究了本征层从20nm到700nm时太阳能的短路电流、开路电压、转换效率、填充因子各自不同的变化，从而得出了各个因素对非晶硅太阳能电池的影响，对于提高太阳能电池转换效率具有实际的指导意义。 关键词：非晶硅；太阳能；掺杂；本征层
目录 第1章绪论................................................................................................................- 1 -1.1引言. (1) 1.2太阳电池技术的发展历史[2] (2) 1.3太阳电池的发展方向及应用 (4) 1.4本章小结 (5) 第2章A-SI太阳电池结构及原理分析 ..................................................................- 6 -2.1结构分析.. (6) 2.2原理分析··············································································错误！未定义书签。 2.3本章小结··············································································错误！未定义书签。第3章A-SI太阳电池性能模拟研究 ·········································错误！未定义书签。 3.1软件介绍··············································································错误！未定义书签。 3.2模型结构··············································································错误！未定义书签。 3.3掺杂模拟及结果··································································错误！未定义书签。 3.4厚度模拟及结果··································································错误！未定义书签。 3.5本章小结··············································································错误！未定义书签。第4章模拟结果分析 ··································································错误！未定义书签。 4.1受主型掺杂对太阳能电池性能影响的分析······················错误！未定义书签。 4.2施主型掺杂对太阳能电池性能影响的分析······················错误！未定义书签。 4.3两种掺杂浓度对太阳能电池性能影响的对比分析··········错误！未定义书签。 4.4本征层厚度对太阳能电池性能影响的分析······················错误！未定义书签。 4.5本章小结··············································································错误！未定义书签。第5章结论···················································································错误！未定义书签。第6章总结与体会·······································································错误！未定义书签。致谢·································································································错误！未定义书签。参考文献·························································································错误！未定义书签。
本科毕业论文 题目：半导体激光器的原理及应用院（部）：理学院 专业：光信息科学与技术 班级：光信071 姓名：张士奎 学号：2007121115 指导教师：张宁玉 完成日期：2010年10月21日
目录 摘要·II ABSTRACT··IV 1前言·1 1.1光纤传感器技术及发展·1 2光纤传感器的发展历程·3 2.1光纤传感器的发展简史·3 2.2光纤传感器的原理及组成·4 2.2.1基本原理·4 2.2.2光纤传感器的基本组成·5 2.2.3光纤传感器的特点··6 2.3光纤传感器的研究领域·7 3光纤传感器的分类及研究方向·14 3.1荧光光纤传感器·14 3.2分布式光纤监测技术·15 3.3光纤传感器在未来的新趋势·15 4光纤传感器的应用··8 4.1半导体激光器在激光光谱学中的应用·8 4.2半导体激光器在光固化快速成型中的应用·8 4.3大功率半导体激光器的军事应用·9
4.4半导体激光器在医疗上的应用·10 4.5半导体激光器在数字通信中的应用··12 4.6半导体激光器在激光打印及印刷市场中的应用··13 结论·17 致谢·18 参考文献·19
摘要 激光技术自1960年面世以来得到了飞速发展，作为激光技术中最关键的器件激光器的种类层出不穷，这其中发展最为迅速，应用作为广泛的便是半导体激光器。 半导体激光器的发展迅速,以其独特的性能及优点获得了广泛的应用. 本文介绍了半导体激光器的原理、结构、进展。还介绍了半导体激光器在激光测距、激光引信、激光制导跟踪、激光瞄准和告警、激光通信、光纤陀螺以及国民经济等各个领域中的应用。大功率半导体激光器在军事领域和工业领域有着广泛的应用。本文还介绍了大功率半导体激光器最新研究进展,着重于在提高可靠性、提高功率转换效率、波长稳定、拓展波长范围等方面所取得的进步,目前,高功率半导体激光器的主要市场是泵浦固体激光器、材料加工、印刷业和医学应用等领域。在需求牵引下,高功率半导体激光正在向高平均功率、高功率密度、高光束质量、高效率、低成本和长寿命方向发展。半导体激光器的研究和开发始终与军用和民用市场紧密相联,本文对目前大功率半导体激光器在材料加工领域中的直接应用进行了介绍,并展望了其发展趋势。 半导体激光器是以一定的半导体材料做工作物质而产生受激发射作用的器件.基于半导体激光器体积小、寿命长，并可采用简单的注入电流的方式来泵浦其工作电压和电流与集成电路兼容。通过采用先进的工艺和技术,新型高功率半导体激光器将层出不穷。 关键词：激光技术；半导体激光器；军事应用；医学应用；半导体激光器特点；发展新趋势
附录 附录A:外文资料翻译—原文部分 Semiconductor A semiconductor is a solid material that has electrical conductivity between those of a conductor and an insulator; it can vary over that wide range either permanently or dynamically.[1] Semiconductors are important in electronic technology. Semiconductor devices, electronic components made of semiconductor materials, are essential in modern consumer electronics, including computers, mobile phones, and digital audio players. Silicon is used to create most semiconductors commercially, but dozens of other materials are used. Bragg reflection in a diffuse lattice A second way starts with free electrons waves. When fading in an electrostatic potential due to the cores, due to Bragg reflection some waves are reflected and cannot penetrate the bulk, that is a band gap opens. In this description it is not clear, while the number of electrons fills up exactly all states below the gap. Energy level splitting due to spin state Pauli exclusion A third description starts with two atoms. The split states form a covalent bond where two electrons with spin up and spin down are mostly in between the two atoms. Adding more atoms now is supposed not to lead to splitting, but to more bonds. This is the way silicon is typically drawn. The band gap is now formed by lifting one electron from the lower electron level into the upper level. This level is known to be anti-bonding, but bulk silicon has not been seen to lose atoms as easy as electrons are wandering through it. Also this model is most unsuitable to explain how in graded hetero-junction the band gap can vary smoothly. Energy bands and electrical conduction Like in other solids, the electrons in semiconductors can have energies only within certain bands (ie. ranges of levels of energy) between the energy of the ground state, corresponding to electrons tightly bound to the atomic nuclei of the material, and the free electron energy, which is the energy required for an electron to escape entirely from the material. The energy bands each correspond to a large number of discrete quantum states of the electrons, and most of the states with low energy (closer to the nucleus) are full, up to a particular band called the valence band. Semiconductors and insulators are distinguished from metals because the valence band in the semiconductor materials is very nearly full under usual operating conditions, thus causing more electrons to be available in the conduction band. The ease with which electrons in a semiconductor can be excited from the valence band to the conduction band depends on the band gap between the bands, and it is the size of this energy
---文档均为word文档，下载后可直接编辑使用亦可打印--- 摘要 本文的重点是大功率LED测试及分析。大功率LED的电参数和光参数，是通过测其光谱图和相应参数随电流的变化曲线图，然后再对其相关特性进行分析的。从分析中进一步加深对LED电参数和光参数等方面知识了解和认识。进而了解这些参数随电流的变化情况，如正向电压（VF）、光通量（Φ）、色温（Tc）等一系列参数的相应变化过程。测量和掌握LED的光电特性及外界因素对光电特性的影响，是正确使用大功率LED的基础将有助于更好大功率LED在照明方面合理应用，提高大功率LED的效率。 关键词：LED结构，发光原理，电参数，光参数，VF，功率，光通量，色温，应用领域
Abstract The focus of this paper is high power LED testing and analysis. The electrical and optical parameters of high-power leds are analyzed by measuring their spectra and the curves of the corresponding parameters changing with the current. From the analysis to further deepen the LED electrical parameters and optical parameters and other aspects of knowledge and understanding. To understand these parameters with the change of electric current, such as forward voltage (VF), luminous flux (Φ), color temperature (Tc) and a series of process parameters to the corresponding change. Measuring and mastering the photoelectric characteristics of LED and the influence of external factors on the photoelectric characteristics are the basis for the correct use of high-power LED, which will contribute to the rational application of high-power LED in lighting and improve the efficiency of high-power LED. Keywords:LED structure, luminescence principle, electrical parameters, optical parameters, VF, power, luminous flux, color temperature, application field
本科毕业设计（论文）I 本科毕业设计(论文) 论文题目：半导体材料砷化镓的结构与性能
摘要 由于砷化镓具有禁带宽度较宽，载流子迁移率较高等优良的特性。它己经成为用途最广泛、生产量最大的化合物半导体材料。本论文基于密度泛函理论的支撑下的第一性原理的方法，采用广义梯度近似的方法，materials studio软件中的CASTEP仿真分析模块，来计算分析砷化镓的结构和特性:包括晶体结构禁带宽度，态密度，分波密度，介电函数，能量损失谱，折射率，吸收系数。计算结果表明砷化镓是直接带隙半导体材料，导带底和价带顶位于布里渊区G点，禁带宽度为0.572eV，与查找文献数据(禁带宽度为1.424eV)，可以发现该计算值偏小，误差为59.8%。这是由于我们采用的是密度泛函理论。在光学性质计算分析中，它的理论结果基本和实验值一致。这些计算结果为后续实验提供理论依据。 关键词：GaAs；第一性原理；晶体结构；电子结构；光学特性
Abstract Since gallium arsenide has a wide bandgap width,carrier mobility is higher and so excellent. It has become the most versatile,most productive compound semiconductor material. Because of the first-principles method under the support of density functional theory,this paper uses the method of Generalized gradient approximation，the CASTEP simulation analysis module in materials studio software to calculate and analyze the structure and characteristics of gallium arsenide: Including the crystal structure forbidden band width,state density,sub-wave density,dielectric function,energy loss spectrum,refractive index,absorption coefficient.The results indicate that gallium arsenide is a direct bandgap semiconductor material.The conduction band bottom and the valence band are located at the G point of the Brillouin zone. The forbidden band width is 0.572,and the literature data (forbidden band width is 1.424eV) can be found. The calculated value is too small and the error is 59.8%. This is because we are using density functional theory. In the calculation and analysis of optical properties,its theory results are similar with the experimental values. These calculations provide a theory basis for subsequent experiments. Keywords：GaAs;first - principle;Crystal structure;electronic structure;optical properties
学生毕业设计（论文）报告 系别：电子与电气工程学院 专业：微电子技术 班号：微电081 学生姓名： 学生学号： 设计（论文）题目：半导体封装技术分析与研究指导教师： 设计地点： 起迄日期：
毕业设计（论文）任务书专业微电子技术班级微电081 姓名 一、课题名称：半导体封装技术分析与研究 二、主要技术指标： 1．封装的工艺流程； 2．封装的技术分类； 3．封装的形式、材料、设备； 4．封装过程中的缺陷分析； 5．封装技术发展及未来的前景。 . 三、工作内容和要求： 1．查阅相关书籍明确半导体封装的概念、作用及性能； 2．认真阅读半导体封装技术的资料了解具体封装工艺流程； 3．接着围绕封装所实现的性能、封装的技术要素和层次进行有关知识的搜集； 4．根据查找的封装技术知识对其进行详细分类； 5．然后深入理解有关封装的书籍资料对封装的质量要求与缺陷作进一步分析； 6．完成论文初稿； 7．经多次修改，完成论文。 四、主要参考文献： [1]李可为．集成电路芯片封装技术[M]．北京：电子工业出版社，2007．19-68 [2]周良知．微电子器件封装—封装材料与封装技[M]．北京：化学工业出版社，2006．57-64 [3]邱碧秀．微系统封装原理与技术[M]．北京：电子工业出版社，2006．113-124 [4]姜岩峰，张常年译．电子制造技术[M]．北京：化学工业出版社，2005．102-108 学生（签名）年月日 指导教师（签名）年月日 教研室主任（签名）年月日 系主任（签名）年月日
毕业设计（论文）开题报告
目录 摘要 Abstract 第1章前言 (1) 第 2 章半导体封装工艺 (2) 2.1 工艺流程 (2) 第3章半导体封装技术 (6) 3.1 封装实现的性能 (6) 3.2 确定IC的封装要求应注意的因素 (6) 3.3 封装工程的技术层次 (7) 3.4 封装材料与结构 (7) 3.5 封装设备 (9) 3.6 封装形式 (9) 3.6.1按外形、尺寸、结构分类的半导体封装形式 (9) 3.6.2按材料分类的半导体封装形式 (11) 3.6.3按密封性分类的半导体封装形式 (12) 第4章封装过程的质量要求与缺陷分析 (13) 4.1 质量要求与分析 (13) 4.2 缺陷分析与改进措施 (13) 4.2.1 金线偏移 (13) 4.2.2 再流焊中的主要缺陷问题 (14) 第5章封装技术的发展 (17) 5.1 高级封装形式 (17) 5.1.1 芯片级封装CSP (17) 5.1.2 多芯片模块MCM (17) 5.1.3 WLCSP封装 (17) 5.2 先进的封装技术简介 (17) 5.2.1 叠层式3D封装的结构与工艺 (17) 5.2.2 裸芯片叠层的工艺流程 (18) 5.2.3 MCM叠层的工艺流程 (18) 5.2.4 叠层3D封装方式的技术优势 (18) 5.2.5 裸片堆叠和封装堆叠各自的性能特点 (18) 5.3 半导体产业面临的趋势及发展 (19) 第6章结束语 (20) 答谢辞 参考文献
(校名) 毕业设计论文 作者学号 系部机电学院 专业 题目半导体产业的发展趋势指导教师 评阅教师 完成时间： 2012 年月日
目录 1 引言------------------------------------------------------------------------- 1 2 半导体产业概述--------------------------------------------------------------- 2 2.1 半导体材料----------------------------------------------------------------- 2 2.2 半导体技术----------------------------------------------------------------- 2 2.2.1 半导体技术概述----------------------------------------------------------- 2 2.2.2 半导体制程技术的挑战----------------------------------------------------- 4 3 半导体产业的发展现状--------------------------------------------------------- 5 3.1 全球半导体产业简况--------------------------------------------------------- 5 3.2 中国半导体产业简况--------------------------------------------------------- 5 3.3 我国在国际半导体产业中所处地位--------------------------------------------- 5 4 半导体产业的发展趋势--------------------------------------------------------- 6 4.1 半导体技术的发展趋势------------------------------------------------------- 6 4.2 半导体产业的市场趋势------------------------------------------------------- 8 4.2.1 经营模式的调整----------------------------------------------------------- 8 4.2.2 半导体产业市场重心的转移------------------------------------------------- 9 4.2.3 政策导向：我国政府对产业创新环境的全面部署------------------------------ 10 结论--------------------------------------------------------------------------- 10 致谢--------------------------------------------------------------------------- 11 参考文献----------------------------------------------------------------------- 11
半导体热电材料的应用及研究进展 物理与电子工程学院物理学（物理）专业 2009级袁仲富 指导教师田德祥 摘要：本文首先简单介绍了热电材料的三种效应以及半导体热电材料在热电发电和制冷方面的应用，然后重点介绍半导体热电材料国内外的研究进展及其方向。 关键词：半导体热电材料；塞贝克系数；电导率；热导率；热电优值 Abstract:This paper first introduces the three effect of thermoelectric materials and semiconductor thermoelectric materials on thermoelectric power generation and refrigeration applications，and then focuses on the semiconductor thermoelectric materials at home and abroad research progress and its direction.. Key word:Semiconductor thermoelectric materials；The seebeck coefficient；Electrical conductivity；Thermal conductivity；Thermal power optimal value 1 引言 从1823年，Thoums Seebeck 发现了热电效应(即塞贝克效应[1])，人们开始了解热电材料，经过一百多年的研究，人们对热点材料的研究已经取得了长足的进展。20世纪50—60年代，由于人们在热能电能相互转化特别是制冷方面的迫切要求，人们研究了很多有价值的热电材料，其中有很多热电材料得到了广泛的应用。70年代以来，由于氟利昂制冷技术的发展，热电材料的研究几乎处于停顿状态。近年来，氟利昂对环境尤其是对臭氧层的破坏被人们所认识，制造无污染，无噪声的制冷机成为了制冷技术的目标。同时，随着航天技术，计算机技术，医学技术和激光技术等的研究发展，迫切需要小型，稳定的制冷设备，而热电材料以其节能长寿，工作无噪声，无污染，安全性高等优点备受人们关注。但是较为