模电题目
一、填空题
1.为使BJT发射区发射电子，集电区收集电子，必须具备的条件是（发射极正偏，集电极反偏）。
2.N型半导体是在纯硅或锗中加入（磷（+5））元素物质后形成的杂质半导体。
3.差分放大电路对（差模）信号有放大作用，对（共模）信号起到抑制作用。
3.在电容滤波和电感滤波中，（电感）滤波适用于大电流负载，（电容）滤波的直流输出电压高。
5．集成运放主要包括输入级、(中间放大级)、(输出级)和 (偏置)电路。其中输入级一般采用(差模)电路。
6.为稳定放大器的静态工作点，应在放大电路中引入（直流负）反馈，为稳定放大器的输出电压应引入（电压负）反馈。
7．与甲类功放电路相比，乙类互补对称功率放大电路的优点是（管耗小），其最高效率可达到（78.5%），但容易产生（交越）失真。
8．集成运算放大器是一种采用（直接）耦合方式的多级放大电路，它的输入级常采用差分电路形式，其作用主要是为了克服（共模干扰）。
9．若放大器输入信号电压为1mV,输出电压为1V，加入负反馈后，为达到同样输出需要的输入信号为10mV，该电路的反馈深度为（10）。
10．产生1Hz～1MHz范围内的低频信号一般采用（RC）振荡器，而产生1MHz以上的高频信号一般采用（LC）振荡器
11．半导体二极管具有（单向导电）作用，稳压二极管用作稳压元件时工作在（反向击穿）状态。
12．晶体三极管是一种（电流）控制型器件，当工作在饱和区时应使其发射结（正偏）集电结（正偏），而场效应管是一种( 电压) 控制型器件。
13．集成电路运算放大器是一种高电压增益、高输入电阻、（低）输出电阻的（直接）耦合方式的多级放大电路。
14．差分放大电路有四种输入－输出方式，其差模电压增益大小与输（出）有关而与输（入）方式无关。
15．在放大电路中引入（直流负）反馈可以稳定放大电路的静态工作点，。
16．三种组态的放大电路中（共发射极组态、共基极组态、共集电极组态）输入电阻最小的是（共集电极放大）电路。
17．在一个交流放大电路中，测出某晶体管三个管脚对地电位为：（1）端为1.5V，（2）端为4V，（3）端为2.1V，则（1）端为（发射）极；（2）端为（集电）极；（3）端为（基）极；该管子为（NPN）型晶体管。
18．若要设计一个输出功率为10W的乙类功率放大器，则应选择PCM至少为（4 ）W的功率管两只。
19．电流串联负反馈放大器是一种输出端取样量为（电流），输入端比较量为（串联）的负反馈放大器，它使输入电阻（增大），输出电阻（增大）。
20．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（增大）。
21. 当信号频率等于石英晶体的串联谐振频率或并联谐振频率时，石英晶体呈（阳性）；当信号频率在石英晶体的串联谐振频率和并联谐振频率之间时，石英晶体呈（感性）；其余情况下石英晶体呈（容性）。
二、选择题
1．OTL互补对称功率放大电路如图，静态时电容C2两端的电压UC2等于（B ）
A、UCC
B、1／2UCC
C、1／4UCC
D、1／6UCC
2.在共射、共集、共基三种基本放大电路组态中，电压放大倍数小于1的是( 2 )；输入电阻最大的是（2 ）；输出电阻最大的是（4 ）。
①共射②共集③共基④不定
3．要求某放大器的输出电阻小，且输入电阻大，应引入（1 ）负反馈。
①电压串联②电流串联③电压并联④电流并联
4.多级直接耦合放大器中，零点漂移影响最严重的一级是（ 1 ）；零点漂移最大的一级是（ 4 ）。
①输入级②中间级③输出级④增益最高的一级
5.如图所示电路的极间交流反馈为（3 ）。
①电压并联正反馈；②电流串联负反馈
③电流并联正反馈；④电压串联负反馈
6．用示波器观察NPN管共射极单管放大器输出电压波形，若输入信号为正弦波，发现输出信号正负波峰均出现削波失真，则该失真是（B )
A. 截止失真
B.输入信号过大引起的削波失真
C.饱和失真
D. 交越失真
7．已知交流负反馈有四种组态：
A．电流并联负反馈B．电流串联负反馈
C．电压并联负反馈D．电压串联负反馈
（1）欲得到电流－电压转换电路，应在放大电路中引入（C ）；
（2）欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入（B ）；
（3）欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入（D ）；
（4）欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入（A ）。8．在输入量不变的情况下，若引入反馈后（D ），则说明引入的反馈是负反馈。
A．输入电阻增大B．输出量增大
C．净输入量增大D．净输入量减小
9．在P型半导体中，少数载流子是（ 3 ）
①正离子②负离子③自由电子④空穴
10．在放大电路中引入电压串联负反馈对放大器的输入电阻、输出电阻的影响为（ 2 ）。
①增大输入电阻，增大输出电阻
②增大输入电阻，减小输出电阻
③减小输入电阻，增大输出电阻
④减小输入电阻，减小输出电阻
11．共模抑制比Kcmr越大，表明电路的（ 3 ）
①放大倍数越稳定③抑制温漂和干扰信号的能力越强
②交流放大倍数越大④输入信号中差模成份越大
12．放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（B ），而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是( A )。
A.耦合电容和旁路电容的存在
B.半导体管极间电容和分布电容的存在
C.半导体管的非线性特性
D.放大电路的静态工作点不合适
13.为了把一个正方波波形变为一个正三角波波形，可以采用运放构成的信号运算电路是：（A ）
A、积分电路
B、微分电路
C、对数运算电路
D、反对数运算电路
14．互补输出级采用共集形式是为了使( C )。
A.电压放大倍数大
B.不失真输出电压大
C.带负载能力强D．提高电路稳定性
15．测试放大电路输出电压幅值与频率的变化，可以得到它的幅频响应，条件是（A ）。
A.输入电压幅值不变，改变频率
B.输入电压频率不变，改变幅值
C.输入电压的幅值与频率同时变化
D.输入电压的幅值与频率都不变化
16．交流负反馈是指 C 。
A．阻容耦合放大电路中所引入的负反馈
B．只有放大交流信号时才有的负反馈
C．在交流通路中的负反馈
Ｄ．在交直流通路中的负反馈
17．PN结加正向电压时，空间电荷区将( A ) 。
A. 变窄
B. 基本不变
C. 变宽
18．在OCL乙类功放电路中，若最大输出功率为1W，则电路中功放管的集电极最大功耗约为 C 。
A．1W B．0.5W C．0.2W
19．互补输出级采用共集形式是为了使C。
A.电压放大倍数大
B.不失真输出电压大
C.带负载能力强
三、问答题
1.在放大电路中引入负反馈对放大器性能有什么影响？
1提高增益的稳定性；
2减小非线性失真；
3抑制反馈环内噪声。
2．小功率的直流稳压电源由那几部分组成?各部分的作用是什么？
3．晶体三极管具有放大作用必须具备的内部条件和外部条件分别是什么？
4.在甲类、乙类和甲乙类放大电路中，放大管的导通角分别等于多少？它们中哪一类放大电路效率最高？
四、计算题
1.电路如下图所示，变压器副边电压有效值为2u2。
（1）画出u2、uD1和uO的波形；
（2）求出输出电压平均值uO（A V）和输出电流平均值IL（AV）的表达式；
（3）二极管的平均电流ID（A V）和所承受的最大反向电压URmax的表达式。
2. 指出以下两种说法对哪种（甲类、乙类）功率放大器是正确的。
（1）收音机末级功率放大器在没有信号输入时，喇叭不发声，管子功耗也最小；
（2）收音机音量开得越大，电源消耗越大。
3．根据单相桥式整流电路的工作原理，分析下图所示电路在出现下述故障时会产生什么现象？
（1）D1的正负极接反（2）D1短路（3）D1开路
4. 电路如图所示，已知β＝50。
1）.估算电路的静态工作点；
2）.画出电路的微变等效电路；
3）.估算BJT的输入电阻rbe，
4）.若输出端接入4kΩ的负载，计算AV＝VO／Vi、A VS＝VO／VS
5.电路如下。A1、A2、A3均为理想运放。
（1）A1、A2、A3分别组成何种基本运算电路；
（2）列出V01、V02、V03的表达式；
6.工作在乙类的OCL电路如图，已知VCC＝12V，RL＝8Ω，Vi为正弦电压。1）、求在VCES≈0时，电路的最大输出功率POM、效率η和管耗PT。2）、求每个功放管的最大允许管耗PCM至少应为多少？
8.设RS1＝1kΩ，试设计一电路完成VO=6VS1+3VS2的运算
9.设计一个集成稳压电源，要求输入为交流50Hz、220V，输出电压为±12V直流电压（画出设计电路图，电容和二极管可不标明参数，集成电路须标明型号和管脚）。
10.电路如下图所示。
（1）分别标出uO1和uO2对地的极性；
（2）uO1、uO2分别是半波整流还是全波整流？
（3）当u21＝u22＝20V时，uO1（A V）和uO2（A V）各为多少？（4）当u21＝18V，u22＝22V时，画出uO1、uO2的波形；并求出uO1（A V）和uO2（A V）各为多少？
11.电路如图所示，已知β＝60。
（1）估算静态工作点；
（2）画出小信号模型等效电路；
（3）计算电压增益；
（4）计算输入电阻和输出电阻
12.电路如图所示，求uo
13.试说明图所示各电路属于哪种类型的滤波电路，是几阶滤波电路。
14.如图所示的放大电路，设三极管的β＝20，Rb＝200Ω，VBE＝0.7V。DZ为理想稳压二极管，其稳压值VZ＝6V。
⑴求静态工作点的IC和VCE
⑵求电压放大倍数A V和输入电阻Ri
⑶若DZ极性接反，电路能否正常放大？试计算此时的静态工作点
15.共集电极放大电路如图所示，试用小信号模型分析法计算电路中的输入电阻Ri及电压增益A VS。设电路中的三极管的β＝100，VBE＝0.6V；C1容抗足够大。
16.在信号源电压为正弦波时，由于电路参数不同，测得共射极放大器输出波形如图（a）、（b）、（c）所示，试说明电路分别产生了什么失真，如何消除。
17.已知下图所示电路中的集成运放为理想运放，试求解电路的运算关系式。
18.电路如图所示，已知ui＝5sinωt (V)，二极管导通电压UD＝0.7V。试画出ui与uO的波形，并标出幅值。
为正弦电压，振幅足够大，求Pom和η，并检验BJT能否安全工作。
第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V阳 2) 等效电路法 ?直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V阳 《模拟电子技术》课程设计报告 系别：电气工程系 专业班级：09电科（一）班 学生姓名：曹海锋 指导教师：赵剑锷 2011年09月25 日 郑州科技学院 目录 1 课程设计的目的 (1) 2课程设计的题目要求 (1) 3课程设计报告内容 (1) 3.1实验设计的意义 (2) 3.2半双工对讲机实现方法 (2) 3.3 电路原理分析 (2) 3.4电子元件清单及选择 (3) 4总结 (3) 参考文献 (4) 摘要 无线对讲机是移动通信中一个重要的分支,应用非常广泛,无线电对讲机和其它无线通信工具(如手机)其市场定位各不相同,难以互相取代,还将长期使用下去。本论文研究设计了一款调频无线对讲机。首先介绍了调频无线对讲机的功能、性能指标和工作原理。从工作原理出发,通过现代电子系统设计方法,深入行业现状寻找到低成本的器件MC3363、MC2833、LM386等,确立了完整具体的方案。在具体的硬件设计实现上,分成发射和接收两部分,分别对各个功能模块以信号、控制为联系进行设计。在硬件设计上,通过主要芯片将各功能模块有机地组织起来协 同完成系统需要的功能。 1课程设计目的 对讲机在现实生活中应用广泛。这次设计制作的对讲机简单实用可以满足日常生活使用。我们学习模拟电子技术重要的在于应用，通过这次实践，可以让我们将理论与实践结合，是对我们已经学习知识的一次实际应用与巩固，更是一次升华！这对于以后学习其他知识奠定基础，我们知道学习模电就要将元件的特点,功能，使用方法等熟练掌握，组成一个合理，经济，实用的系统。总而言之，这次实践是我受益匪浅。 2 课程设计的题目要求 本对讲机成本低廉，电路简单，可用于办公室不同房间对讲、婴儿室监听等。通话距离可达2Km。 a.采用集成运放和集成功放及阻容元件等构成对讲机，实现甲、乙双方异地通话。 b.用扬声器用作话筒和喇叭，双方对讲、互不影响。 c.电源电压4.5～9.0v. 3.课程设计报告内容 3.1半双工对讲机实验设计的意义 有线对讲机在日常生活中应用广泛。有线对讲机原理简单，设计方便，制作简易，成本低。广泛用于医院病员呼叫机、门铃、室内电话等。所以有线对讲机日益成为日常生活中不可缺少的部分。我们了解了它的原理过程，正确使用操作它，可以提高我们知识的应用性。本次试验既增长了我们的知识，又让磨砺了我们的意志以及团队意识。更让我们对电子模拟更加感兴趣，为以后的研究道路 华科模电实验报告 篇一：模电实验报告 国家电工电子实验教学中心 模拟电子技术实验报告 实验题目：放大电路的失真研究 学院：专业： 电子信息工程轨道交通信号与控制 韩佳伟 学生姓名： 合作者：蒋明宇李祥学号：任课教师： 13212065 白双 XX年6月16日 目录 实验报告 ................................................ ....................... 1 实验题目：放大电路的失真研究 ....................................... 1 1 实验题目及要 求 ................................................ ................. 2 2 实验目的与知识背景 ................................................ ......... 3 2.1 实验目的 ................................................ ....................... 3 2.2 知识点 ................................................ ......................... 3 2.3 非线性失真原理介绍 ................................................. 3 3 实验过程 ................................................ ............................. 4 3.1 选取的实验电路及输入输出波形................................ 4 1截止失真、饱和失真、双向失真.............................. 4 2交越失真 ................................................ ...................... 6 3非对称失真 ................................................ .................. 8 4增益带宽积 ................................................ .................. 9 5语音放大电路 ................................................ 模拟电路课程设计 题目：OCL功率放大器 学院：信息学院 专业：自动化 班级学号： 学生姓名： 指导教师; 目录 一、课程设计任务及要求 1、设计目的 ①学习OCL功率放大器的设计方法 ②了解集成功率放大器内部电路工作原理 根据设计要求,完成对OCL功率放大器的设计,进一步加强对模拟电子技术的了解 ④采用集成运放与晶体管原件设计OCL功率放大器 ⑤培养实践技能,提高分析和解决实际问题的能力 2、设计指标 ①频率响应:50Hz≤f≤20KHz ②额定输出功率:P o=8W ③负载电阻:R L=8Ω ④非线性失真尽量小 ⑤输入信号:U i<=100mv 3、设计要求 （1）进行方案论证及方案比较 （2）分析电路的组成及工作原理 （3）进行单元电路设计计算 （4）画整机电路图 （5）写出元件明细表 （6）小结和讨论 （7）写出对本设计的心得体会 分析设计要求，明确性能指标；查阅资料、设计方案分析对比。 4、制作要求 论证并确定合理的总体设计方案，绘制结构框图。 5、OCL功率放大器各单元具体电路设计。 总体方案分解成若干子系统或单元电路，逐个设计，计算电路元件参数；分析工作性能。 6、完成整体电路设计及论证。 7、编写设计报告 写出设计与制作的全过程，附上有关资料和图纸，有心得体会。 二、总体方案设计 1、设计思路 功率放大器的作用是给负载R l提供一定的输出功率，当R I一定时，希望输出功率尽可能大，输出信号的非线性失真尽可能小，且效率尽可能高。放大电路实质上都是能量转换电路。从能量控制的观点来看，功率放大电路和电压放大电路没有本质的区别。但是，功率放大电路和电压放大电路所要完成的任务是不同的。对电压放大电路的主要要求是使其输出端得到不失真的电压信号，讨论的主要指标是电压增益，输入和输出阻抗等，输出的功率并不一定大。而功率放大电路则不同，它主要要求获得一定的不失真（或失真 模电实验总结报告 Prepared on 22 November 2020 模电实验总结报告 在本学期的模电实验中一共学习并实践了六个实验项目，分别是：①器件特性仿真；②共射电路仿真；③常用仪器与元件；④三极管共射级放大电路；⑤基本运算电路；⑥音频功率放大电路。 实验中，我学到了PISPICE等仿真软件的使用与应用，示波器、信号发生器、毫伏表等仪器的使用方法，也见到了理论课上学过的三极管、运放等元件的实际模样，结合不同的电路图进行了实验。当学过的理论知识付诸实践的时候，对理论本身会有更具体的了解，各种实验方法也为日后更复杂的实验打下了良好的基础。 几次的实验让我发现，预习实验担当了不可或缺的作用，一旦对整个实验有了概括的了解，对理论也有了掌握，那实验做起来就会轻车熟路，而如果没有做好预习工作，对该次实验的内容没有进行详细的了解，就会在那里问东问西不知所措，以致效率较低，完成的时间较晚。由于我个人对模电理论的不甚了解，所以在实验原理方面理解起来可能会比较吃力，但半学期下来发现理论知识并没有占过多的比例，而主要是实验方法与解决问题的方法。比如实验前先要检查仪器和各元件（尤其如二极管等已损坏元件）是否损坏；各仪器的地线要注意接好；若稳压源的电流示数过大，证明电路存在问题，要及时切断电路以免元件的损坏，再调试电路；使用示波器前先检查仪器是否故障，一台有问题的示波器会给实验带来很多麻烦。 做音频放大实验时，焊接电路板是我新接触的一个实验项目，虽然第一次焊的不是很好，也出现了虚焊的情况，但技术都是在实践中成熟，相信下次会做的更好些。而这种与实际相结合的电路，在最后试听的环节中，也给我一种成就感，想来我们的实验并非只为证实理论，也可以在实际应用上小试身手。 C C TG 1 D TG & G 1 TG 3 TG & G 3 1 Q C C 1 Q C TG 2 TG 4 CP 1 C TG C C C TG C & S D & G 2 G 4 R D 第五章作业答案 5.2.1 分析图题 5.2.1 所示电路的逻辑功能，列出功能表。 S Q Q R 图题5.2.1 解：方法（1） 将图题 5.2.1 所示电路与由与非门构成的基本 RS 锁存器比较，发现该电路与后者仅在信号输入端分别多了一个非门，而后者为低电平有效的基本 RS 锁存器，因此该电路为高电平有效的 RS 锁存器，功能表如下： S R Q Q 锁存器状态 0 0 不变 不变 保持 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 1 1 不确定 方法（2） 由逻辑电路图可以得到 Q 端和Q 端的逻辑表达式 Q S Q n Q R Q 根据上面的逻辑表达式，可以得到该锁存器的功能表如下所示： （略，同上表） 5.3.1 触发器的逻辑电路如图题 5.3.1 所示，确定其属于何种电路结构的触发器，并分析工作原理。 中 TG 1、TG 2 和 G 1、G 2 构成主锁存器，TG 3、TG 4 和 G 3、G 4 构成从锁存器， S D 和 R D 分别 1 & & 1 CP J K Q 为直接置 1 端和直接置 0 端。当触发器处于工作状态时，应将他们置于高电平。 工作原理分析： （1） 当 CP=0 时，C=0， C =1，TG 1、TG 4 导通，TG 2、TG 3 断开。此时 D 信号进入锁 存器，G 1 输出 D ，并随 D 变化。由于 TG 3 断开、TG 4 导通，主从锁存器相互隔离，从锁存 器构成双稳态存储单元，使触发器的输出维持原来的状态不变。 （2） 当 CP 由 0 跳变到 1 后，C=1， C =0，TG 1、TG 4 断开，TG 2、TG 3 导通。此时 D 信号与主锁存器之间的联系被切断，TG 2 的导通使主锁存器维持在 CP 上升沿到来之前瞬间的状态。同时由于 TG 3 导通，G 1 输出信号送到 Q 端，得到Q n 1 D ，并且在 CP=1 期间保 持不变。 （3） 当 CP 由 1 跳变到 0 后，再次重复（1）的过程。 5.4.1 上升沿和下降沿触发的 D 触发器的逻辑符号及时钟信号 CP( CP )的波形如图题 5.4.1 所示，分别画出他们 Q 端的波形。设触发器的初始状态为 0。 解：上升沿和下降沿触发的 D 触发器 Q 端的输出分别为 Q 1 和 Q 2，输出波形如下： CP(CP) D Q 1 Q 2 5.4.3 设下降沿触发的 JK 触发器的初始状态为 0， CP 、J 、K 信号如图题 5.4.3 所示，试画 出触发器 Q 端的输出波形。 解：触发器 Q 端的输出波形如下： 5.4.8 两相脉冲产生电路电路如图题 5.4.8 所示，试画出在CP 作用下Φ1 和Φ2 的波形，并说 明Φ1 和Φ2 的时间关系。各触发器的初始状态为 0。 《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向） 导电性。 2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温 度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其 反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集） 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳 定交流输出电流采用（串联）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=（1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（）， （）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号， 而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互 补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻 （）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（） 模电课程设计报告 It was last revised on January 2, 2021 模拟电路课程设计 题目：OCL功率放大器 学院：信息学院 专业：自动化 班级学号： 学生姓名： 指导教师; 目录 一、课程设计任务及要求 1、设计目的 ①学习OCL功率放大器的设计方法 ②了解集成功率放大器内部电路工作原理 根据设计要求,完成对OCL功率放大器的设计,进一步加强对模拟电子技术的了解 ④采用集成运放与晶体管原件设计OCL功率放大器 ⑤培养实践技能,提高分析和解决实际问题的能力 2、设计指标 ①频率响应:50Hz≤f≤20KHz ②额定输出功率:P o=8W ③负载电阻:R L=8Ω ④非线性失真尽量小 ⑤输入信号:U i<=100mv 3、设计要求 （1）进行方案论证及方案比较 （2）分析电路的组成及工作原理 （3）进行单元电路设计计算 （4）画整机电路图 （5）写出元件明细表 （6）小结和讨论 （7）写出对本设计的心得体会 分析设计要求，明确性能指标；查阅资料、设计方案分析对比。 4、制作要求 论证并确定合理的总体设计方案，绘制结构框图。 5、OCL功率放大器各单元具体电路设计。 总体方案分解成若干子系统或单元电路，逐个设计，计算电路元件参数；分析工作性能。 6、完成整体电路设计及论证。 7、编写设计报告 写出设计与制作的全过程，附上有关资料和图纸，有心得体会。 二、总体方案设计 1、设计思路 功率放大器的作用是给负载R l提供一定的输出功率，当R I一定时，希望输出功率尽可能大，输出信号的非线性失真尽可能小，且效率尽可能高。放大电路实质上都是能量转换电路。从能量控制的观点来看，功率放大电路和电压放大电路没有本质的区别。但是，功率放大电路和电压放大电路所要完成的任务是不同的。对电压放大电路的主要要求是使其输出端得到不失真的电压信号，讨论的主要指标是电压增益，输入和输出阻抗等，输出的功率并不一定大。而功率放大电路则不同，它主要要求获得一定的不失真（或 模电知识要点总结_期末复习用_较全面【适合考前时间充分的全面复习】 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V阳 《模拟电子技术》 一、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。（10分） 1只要满足相位平衡条件，电路就会产生正弦波振荡。 （×）2引入直流负反馈可以稳定静态工作点。 （√）3负反馈越深，电路的性能越稳定。 （×）4零点漂移就是静态工作点的漂移。 （√）5放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。 （√）6镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。 （√）7半导体中的空穴带正电。 （√）8 P型半导体带正电，N型半导体带负电。 （×）9实现运算电路不一定非引入负反馈。 （×）10凡是引入正反馈的集成运放，一定工作在非线性区。 （×）二、选择填空（10分） （1）为了增大输出电阻，应在放大电路中引入 A ；为了展宽频带，应在放大电路中引入 D 。 （A）电流负反馈（B）电压负反馈（C）直流负反馈（D）交流负反馈（2）在桥式（文氏桥）RC正弦波振荡电路中， C 。 （A）φA=-1800，φF=+1800 （B）φA=+1800，φF=+1800 （C）φA=00，φF=00 （3）集成运放的互补输出级采用 B 。 （A）共基接法（B）共集接法（C）共射接法（D）差分接法 （4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 B 。 （A）β（B）β2 （C）2β（D）1+β （5）在（A）、（B）、（C）三种电路中输入电阻最大的电路是 B ； 既能放大电流，又能放大电压的电路是 C 。 （A）共基放大电路（B）共集放大电路（C）共射放大电路（6）当PNP型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C B u B B u E。 （A）> （B）< （C）= （D）≤ （7）硅二极管的正向导通压降比锗二极管的 A 。 （A）大（B）小（C）相等 三、（5分）图示电路中二极管为理想二极管，请判断它是否导通，并求出u0。解：二极管D截止，u0=-6V 四、（10分）在一个放大电路中，三只三极管三个管脚①、②、③的电位分别如表所示，将每只管子所用材料（Si或Ge）、类型（NPN或PNP）及管脚为哪个极（e、b或c）填入表内。 管号T1 T2T3 管 号 T1T2T3 管脚电位（V）①0.7 6.2 3 电 极 名 称 ① ②0 6 10 ② ③ 5 3 3.7 ③ 材料类型 五、（10分）在图示电路中，已知晶体管静态时U BEQ=0.7V，电流放大系数为β=80，r be=1.2 kΩ，R B=500 kΩ，R C=R L=5 kΩ，V CC=12V。 模电课设报告 Document serial number【UU89WT-UU98YT-UU8CB-UUUT-UUT108】 南京航空航天大学模拟电子技术课程设计报告 （频率-电压变换器） 学生姓名：田恬 学号： 班级： 0315203 电工电子实验中心 2017年6月 目录 第一章：设计指标 第二章：系统概述 第三章：单元电路设计与分析 第四章：电路调试过程 第五章：结束语 附件1：器件表 附件2：参考文献 附件3：总图 第一章设计指标 试设计一个频率-电压变换器，要求： （1）当正弦波信号的频率f i在200Hz-2kHz范围内变化时，对应输出的直流电压Vo在2-10V范围内线性变化，误差在5％左右。 （2）正弦波信号源采用函数波形发生器。 （3）采用±12V电源供电。 第二章系统概述 一、设计思想 函数波形发生器输出的正弦波经比较器变换成方波。方波经频率变换 通过反成直流电压。直流正电压经反相器变成负电压，再与参考电压V R 相加法器得到符合技术要求的Vo。 二、各功能的组成 （1）本次使用741运放设计三角波发生器作为设计函数波形发生器。调节范围为200Hz-2000Hz,在调试过程中，挑选中间的几个值进行测试。（2）电压比较器采用LM311。 （3）F/V变换采用集成块LM331构成的典型电路。通过参考书和报告上的指导书确定相关参数，测定输出的电压范围在。 （4）反相器采用比例为-1，通过集成芯片OP07实现。 的大小。使输出的（5）反相加法器同样用芯片OP07实现，通过调节V R 电压在2-10V。 三、总体工作过程 第三章 单元电路设计与分析 一、三角波发生器 电路如图所示，它由运放A1、A2，电阻R1、R2组成的同相迟滞比较器，运放A2以及R 、C 构成的反相有源积分电路组成。其输出信号周期为 二、电压比较器 LM311是一种电压比较器，它能将一个模拟电压信号和一个参考固定电压相比较，在二者幅度相等的附近，输出电压将产生跃变，相应输出高电平或低电平。 三、频率电压变换器 直接应用F/V 变换器LM331,其输出与输入的脉冲信号重复频率成正比. （1）LM331内部原理图 此时,○1脚是输出端(恒流源输出),○6脚为输入端(输入脉冲链),○7脚接比较电平. （2）工作波形图及工作过程 当输入负脉冲到达时,由于○6脚电平低于○7脚电平,所以S=1(高电平)，Q =0（低电平）。此时放电管T 截止，于是Ct 由Vcc 经Rt 充电，其上电压Vct 按指数规律增大。与此同时，电流开关S 使恒流源I 与○1 Vo=2- 参考电 -2V Vo3直流 Vo2 方 f i =200- 正弦 函数波 比较 F/V/变反相反相 μF 模电总结复习资料-免费-模拟电子技术基础(总22页) 本页仅作为文档页封面，使用时可以删除 This document is for reference only-rar21year.March 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V阳 模电题目 一、填空题 1.为使BJT发射区发射电子，集电区收集电子，必须具备的条件是（发射极正偏，集电极反偏）。 2.N型半导体是在纯硅或锗中加入（磷（+5））元素物质后形成的杂质半导体。 3.差分放大电路对（差模）信号有放大作用，对（共模）信号起到抑制作用。 3.在电容滤波和电感滤波中，（电感）滤波适用于大电流负载，（电容）滤波的直流输出电压高。 5．集成运放主要包括输入级、(中间放大级)、(输出级)和 (偏置)电路。其中输入级一般采用(差模)电路。 6.为稳定放大器的静态工作点，应在放大电路中引入（直流负）反馈，为稳定放大器的输出电压应引入（电压负）反馈。 7．与甲类功放电路相比，乙类互补对称功率放大电路的优点是（管耗小），其最高效率可达到（78.5%），但容易产生（交越）失真。 8．集成运算放大器是一种采用（直接）耦合方式的多级放大电路，它的输入级常采用差分电路形式，其作用主要是为了克服（共模干扰）。 9．若放大器输入信号电压为1mV,输出电压为1V，加入负反馈后，为达到同样输出需要的输入信号为10mV，该电路的反馈深度为（10）。 10．产生1Hz～1MHz范围内的低频信号一般采用（RC）振荡器，而产生1MHz以上的高频信号一般采用（LC）振荡器 11．半导体二极管具有（单向导电）作用，稳压二极管用作稳压元件时工作在（反向击穿）状态。 12．晶体三极管是一种（电流）控制型器件，当工作在饱和区时应使其发射结（正偏）集电结（正偏），而场效应管是一种( 电压) 控制型器件。 13．集成电路运算放大器是一种高电压增益、高输入电阻、（低）输出电阻的（直接）耦合方式的多级放大电路。 14．差分放大电路有四种输入－输出方式，其差模电压增益大小与输（出）有关而与输（入）方式无关。 15．在放大电路中引入（直流负）反馈可以稳定放大电路的静态工作点，。 16．三种组态的放大电路中（共发射极组态、共基极组态、共集电极组态）输入电阻最小的是（共集电极放大）电路。 17．在一个交流放大电路中，测出某晶体管三个管脚对地电位为：（1）端为1.5V，（2）端为4V，（3）端为2.1V，则（1）端为（发射）极；（2）端为（集电）极；（3）端为（基）极；该管子为（NPN）型晶体管。 18．若要设计一个输出功率为10W的乙类功率放大器，则应选择PCM至少为（4 ）W的功率管两只。 19．电流串联负反馈放大器是一种输出端取样量为（电流），输入端比较量为（串联）的负反馈放大器，它使输入电阻（增大），输出电阻（增大）。 20．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（增大）。 21. 当信号频率等于石英晶体的串联谐振频率或并联谐振频率时，石英晶体呈（阳性）；当信号频率在石英晶体的串联谐振频率和并联谐振频率之间时，石英晶体呈（感性）；其余情况下石英晶体呈（容性）。 模电课程设计实验报告 实验内容：一、设计并制作一个能输出+5V 电压的直流稳压电源，输入电压为直流9V。二、利用课程设计（一）制作的电源、电压比较器、电压跟随器设计，驱动三 极管，通过可调电阻，控制LED灯的点亮和熄灭。 实验要求：（1）设计出+5V 直流稳压电源的电路原理图； （2）在万用板上焊接组装给定的元器件并进行调试，输入电压没有极性之分， 输出电压+5V，并点亮电源指示灯（红色）； （3）设计一款电压比较器A，参考电压2.5V； （4）设计一款电压跟随器B，跟随电压比较器A 的电压； （5）驱动三极管，通过可调电阻，实现对LED（绿色）灯的控制； （6）完成课程设计报告的撰写。 实验原理： 一、制作稳定电压源 采用二极管、集成运放、电阻、稳压管、电容、二极管、LED发光二极管等元件器件。 输入电压为9V 的直流电源经桥式整流电路和滤波电路形成稳定的直流电源，稳压部分采用 串联型稳压电路。比例运算电路的输入电压为稳定电压；同时，为了扩大输出大电流，集 成运放输出端加晶体管，并保持射极输出形式，就构成了具有放大环节的串联型稳压电路。整体功能结构如图 直流9V 1、单相桥式整流电路 直流5V 为了将电压转换为单一方向的电压，通过整流电路实现。查阅资料可知单相整流电路有单相桥式整流电路（全波整流电路）。桥式整流电路巧妙地利用了二极管的单向导电性，将四个二极管分为两组，根据变压器次级电压的极性分别导通，将变压器次级电压的正极性端与负载电阻的上端相连，负极性端与负载电阻的下端相连，使负载上始终可以得到一个单方向的脉动电压。单相桥式整流电路，具有输出电压高，变压器利用率高、脉动系数小等优点。所以在电路中采用单相桥式整流电路。 2、滤波电路 整流电路滤波电路稳压电路 《模电》复习题库 1.某放大电路输入端测量到输入正弦信号电流和电压的峰—峰值分别为5μA和5 mV，输出端接2kΩ电阻负载，测量到正弦电压信号峰—峰值1V，则Av( )A I( )Ap( )； 2.一电压放大电路输出端接1kΩ负载电阻时，输出电压为1V，负载电阻断开时，输出电压上升到1.1V。则该放大电路的输出电阻R。为（）； 答案：1. 46dB 40dB 43dB ；2. R。=100Ω 一、选择判断题 1、在绝对零度（0K）时，本征半导体中_______B__ 载流子。 A. 有 B. 没有 C. 少数 D. 多数 2、在热激发条件下，少数价电子获得足够激发能，进入导带，产生_____D____。 A. 负离子 B. 空穴 C. 正离子 D. 电子-空穴对 3、半导体中的载流子为___D______。 A. 电子 B. 空穴 C. 正离子 D. 电子和空穴 4、N型半导体中的多子是______A___。 A. 电子 B. 空穴 C. 正离子 D. 负离子 5、P型半导体中的多子是______B___。 A. 电子 B. 空穴 C. 正离子 D. 负离子 6、当PN结外加正向电压时，扩散电流_______A_漂移电流。 A. 大于 B. 小于 C. 等与 7、当PN结外加反向电压时，扩散电流___B_____漂移电流。 A. 大于 B. 小于 C. 等于 8、二极管加正向电压时，其正向电流是由（ A ）。 a：:多数载流子扩散形成 b：多数载流子漂移形成 c：少数载流子漂移形成9、PN结反向电压的数值增加，小于击穿电压时，（C ）。 a：其反向电流增大 b：其反向电流减小 c：其反向电流基本不变 10、稳压二极管是利用PN结的（ B ）。 a：单向导电性 b：反向击穿特性 c：电容特性 11、二极管的反向饱和电流在20℃时是5μA，温度每升高10℃，其反向饱和电流增大一倍， 当温度为40℃时，反向饱和电流值为（C ）。 a：10μA b：15μA c：20μA d：40μA 12、变容二极管在电路中使用时，其PN结是BB ）。 a：正向运用 b：反向运用 答案：1B 2D 3D 4A 5B 6A 7B 8（a）； 9（c）； 10（b）；11（c）； 12（b）一、选择填空 1、在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则v o和v i的相位__B_______。 A. 同相 B. 反相 C. 相差90度 D. 不确定 2、在单级共基放大电路中，若输入电压为正弦波形，则v o和v i的相位_A________。 A. 同相 B. 反相 C. 相差90度 D. 不确定 3、既能放大电压，也能放大电流的是__A_______组态放大电路。 A. 共射 B. 共集 C. 共基 D. 不确定 4、在单极共集放大电路中，若输入电压为正弦波形，则v o和v i的相位____A_____。 A. 同相 B. 反相 C. 相差90度 D. 不确定 5、在单极共基放大电路中，若输入电压为正弦波形，则v o和v i的相位____A_____。 A. 同相 B. 反相 C. 相差90度 D. 不确定 6、可以放大电压，但不能放大电流的是_____C____组态放大电路。 A. 共射 B. 共集 C. 共基 D. 不确定 7、可以放大电流，但不能放大电压的是_____B____ 组态放大电路。 A. 共射 B. 共集 C. 共基 D. 不确定 8、在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，电压放大倍数小于1的是B_________组态。 太原理工大学现代科技学院 模拟电子技术基础课程设计 设计名称信号发生器 专业班级自动化11—4 学号2011101202 姓名许海龙 指导教师秦建中 课程设计任务书 一、设计题目： 信号发生器设计 二、设计目的： 掌握方波-三角波-正弦波的设计方法和调试技术。 三、设计内容与要求： 信号发生器是常用的测试仪器，常用的信号源有正弦波、方波、三角波、锯齿波、阶梯波等。 ①RC桥式正弦波产生电路，频率分别为300Hz、1KHz、10KHz，输出幅值300mV~5V可调、负载1KΩ。 ②矩形波电路，频率3KHz，占空比可调范围10%~90%，输出幅值3V、负载1KΩ。 ③三角波电路，频率1KHz，占空比可调范围10%~90%，输出幅值3V、负载1KΩ。 ④多用信号源产生电路，分别产生正弦波、方波、三角波，频率范围100Hz~3KHz、输出幅值≥5V、负载电阻1KΩ。 四、设计思路及实验原理： 1、正弦波产生电路（由放大电路、选频网络和反馈网络组成） 从结构上看，RC正弦波振荡电路就是一个没有输入信号的带选频网络的正反馈放大电路。振幅平衡和相位平衡是正弦波振荡电路产生持续振荡的两个条件。其中，振荡频率是由相位平衡条件所决定的。刚开始时，Rf略大于R1的两倍，这样放大倍数才会略大于3，电路才 能够起振。一段时间后，可以利用非线性元件来自动调整反馈的强弱以维持输出电压恒定，也可以将Rf 用滑动变阻器代替，人为调节放大倍数，从而使电路能够产生幅度稳定、几乎不失真的正弦波。 其选频网络的频率特性如下： 121 1,; 11r j cr r j c Z r Z j c j c j c r j c ωωωωωω+=+===++ 反馈网络的反馈系数为 2212(); 13()v Z j cR F s Z Z j cR j cR ωωω= =+++ 由此可得RC 串并联选频网络的幅频响应及相频响应 v F = 0( )arctan ; 3 f ωωωω ?-=- 可以计算，当 00112f f rc rc ωωπ== ==或 时，幅频响应的幅值为最大，即 max 1 ; 3F = 相应的相频响应的相位 大学信息工程学院 题目：函数发生器的设计 课程：《模拟电子技术基础》 专业：电信工程 班级：电信0401 学号：041104101 姓名：鸿彬 完成日期：2006年11月 16 日 目录 1 函数发生器的总方案及原理框图 (1) 1.1 电路设计原理框图 (1) 1.2 电路设计方案设计 (1) 2设计的目的及任务 (2) 2.1 课程设计的目的 (2) 2.2 课程设计的任务与要求 (2) 2.3 课程设计的技术指标 (2) 3 各部分电路设计 (3) 3.1 方波发生电路的工作原理 (3) 3.2 方波---三角波转换电路的工作原理 (3) 3.3 三角波---正弦波转换电路的工作原理 (6) 3.4电路的参数选择及计算 (8) 3.5 总电路图 (10) 4 电路仿真 (11) 4.1 方波---三角波发生电路的仿真 (11) 4.2 三角波---正弦波转换电路的仿真 (12) 5电路的安装与调试 (13) 5.1 方波---三角波发生电路的安装与调试 (13) 5.2 三角波---正弦波转换电路的安装与调试 (13) 5.3 总电路的安装与调试 (13) 5.4 电路安装与调试中遇到的问题及分析解决方法 (13) 6电路的实验结果 (14) 6.1 方波---三角波发生电路的实验结果 (14) 6.2 三角波---正弦波转换电路的实验结果 (14) 6.3 实测电路波形、误差分析及改进方法 (15) 7 实验总结 (17) 8 仪器仪表明细清单 (18) 9 参考文献 (19) 1．函数发生器总方案及原理框图 1.1 原理框图 1.2 函数发生器的总方案 函数发生器一般是指能自动产生正弦波、三角波、方波及锯齿波、阶梯波等电压波形的电路或仪器。根据用途不同，有产生三种或多种波形的函数发生器，使用的器件可以是分立器件 (如低频信号函数发生器S101全部采用晶体管)，也可以采用集成电路(如单片函数发生器模块8038)。为进一步掌握电路的基本理论及实验调试技术，本课题采用由集成运算放大器与晶体管差分放大器共同组成的方波—三角波—正弦波函数发生器的设计方法。 产生正弦波、方波、三角波的方案有多种，如首先产生正弦波，然后通过整形电路将正弦波变换成方波，再由积分电路将方波变成三角波；也可以首先产生三角波—方波，再将三角波变成正弦波或将方波变成正弦波等等。本课题采用先产生方波—三角波，再将三角波变换成正弦波的电路设计方法，本课题中函数发生器电路组成框图如下所示： 课程设计 重庆科技学院 模拟电子技术课程设计成果 院（系）：_电子信息工程学院_班级:自普本2008— 01 学生姓名：_袁小敏___________ 学号:_2008440910 _________ 设计地点（单位）1404 _________________ 设计题目: ___________________________________________ 完成日期：2010 年7月9 日 指导教师评语：__________________________________________ 成绩（五级记分制）: _______________ 教师签名: __________________________ 一、........................................................................ 设计任务和指标要求. (3) 二、............................................................ 设计框图及整机概述3 三、................................................ 各单元电路的设计方案及原理说明4 四、........................................................ 仿真调试过程及结果分析7 五、.................................................... 设计、安装及调试中的体会8 六、.................................................... 对本次课程设计的意见及建议9 七、...................................................................... 参考资料10 八、.......................................................................... 附录11 附件1 整机逻辑电路图 (11) 附件2 元器件清单 (12) 最新模电复习要点详解 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7.PN结 *PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 *PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8.PN结的伏安特性 二.半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴(正偏)，二极管导通(短路); 若V阳 2)等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴(正偏)，二极管导通(短路); 若V阳模电课程设计报告(10)
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