如何检测集成电路的好坏

如何检测集成电路的好坏

摘要: 现在的电子产品往往由于一块集成电路损坏，导致一部分或几个部分不能正常工作，影响设备的正常使用。那幺如何检测集成电路的好坏呢?

现在的电子产品往往由于一块集成电路损坏，导致一部分或几个部分不能正常工作，影响设备的正常使用。那幺如何检测集成电路的好坏呢?

通常一台设备里面有许多个集成电路，当拿到一部有故障的集成电路的设备时，首先要根据故障现象，判断出故障的大体部位，然后通过测量，把故障的可能部位逐步缩小，最后找到故障所在。

要找到故障所在必须通过检测，通常修理人员都采用测引脚电压方法来判断，但这只能判断出故障的大致部位，而且有的引脚反应不灵敏，甚至有的没有什幺反应。就是在电压偏离的情况下，也包含外围元件损坏的因素，还必须将集成块内部故障与外围故障严格区别开来，因此单靠某一种方法对集成电路是很难检测的，必须依赖综合的检测手段。

一、常用的集成电路检测方法

1．不在路检测

在IC 未焊入电路时进行的，一般情况下可用万用表测量各引脚对应于接地引脚之间的正、反向电阻值，并和完好的IC 进行比较。

2．在路检测

在路检测这是一种通过万用表检测IC 各引脚在路(IC 在电路中)直流电阻、对地交直流电压以及总工作电流的检测方法。这种方法克服了代换试验法需要有可代换IC 的局限性和拆卸IC 的麻烦，是检测IC 最常用和实用的方法。

IC芯片的检测方法大全

芯片的检测方法 一、查板方法： 1．观察法：有无烧糊、烧断、起泡、板面断线、插口锈蚀。 2．表测法：＋5V、GND电阻是否是太小（在50欧姆以下）。 3．通电检查：对明确已坏板，可略调高电压0．5－1V，开机后用手搓板上的IC，让有问题的芯片发热，从而感知出来。 4．逻辑笔检查：对重点怀疑的IC输入、输出、控制极各端检查信号有无、强弱。5．辨别各大工作区：大部分板都有区域上的明确分工，如：控制区（CPU）、时钟区（晶振）（分频）、背景画面区、动作区（人物、飞机）、声音产生合成区等。这对电脑板的深入维修十分重要。 二、排错方法： 1.将怀疑的芯片，根据手册的指示，首先检查输入、输出端是否有信号（波型）， 如有入无出，再查IC的控制信号（时钟）等的有无，如有则此IC坏的可能性极大，无控制信号，追查到它的前一极，直到找到损坏的IC为止。 2．找到的暂时不要从极上取下可选用同一型号。或程序内容相同的IC背在上面，开机观察是否好转，以确认该IC是否损坏。

3.用切线、借跳线法寻找短路线：发现有的信线和地线、＋5V或其它多个IC不应 相连的脚短路，可切断该线再测量，判断是IC问题还是板面走线问题，或从其它IC上借用信号焊接到波型不对的IC上看现象画面是否变好，判断该IC的好坏。 4.对照法：找一块相同内容的好电脑板对照测量相应IC的引脚波型和其数来确认的 IC是否损坏。 5.用微机万用编程器（ALL－03／07）（EXPRO－80／100等）中的ICTEST软件测试 IC。 三、电脑芯片拆卸方法： 1．剪脚法：不伤板，不能再生利用。 2．拖锡法：在IC脚两边上焊满锡，利用高温烙铁来回拖动，同时起出IC（易伤板，但可保全测试IC）。 3．烧烤法：在酒精灯、煤气灶、电炉上烧烤，等板上锡溶化后起出IC（不易掌握）。4．锡锅法：在电炉上作专用锡锅，待锡溶化后，将板上要卸的IC浸入锡锅内，即可起出IC又不伤板，但设备不易制作。 5．电热风枪：用专用电热风枪卸片，吹要卸的IC引脚部分，即可将化锡后的IC起出（注意吹板时要晃动风枪否则也会将电脑板吹起泡，但风枪成本高，一般约2000元左右）作为专业硬件维修，板卡维修是非常重要的项目之一。拿过来一块有故障的主板，如何判断具体哪个元器件出问题呢？

集成电路的检测方法

集成电路的检测方法 现在的电子产品往往由于一块集成电路损坏，导致一部分或几个部分不能常工作，影响设备的正常使用。那么如何检测集成电路的好坏呢?通常一台设备里面有许多个集成电路，当拿到一部有故障的集成电路的设备时，首先要根据故障现象，判断出故障的大体部位，然后通过测量，把故障的可能部位逐步缩小，最后找到故障所在。 要找到故障所在必须通过检测，通常修理人员都采用测引脚电压方法来判断，但这只能判断出故障的大致部位，而且有的引脚反应不灵敏，甚至有的没有什么反应。就是在电压偏离的情况下，也包含外围元件损坏的因素，还必须将集成块内部故障与外围故障严格区别开来，因此单靠某一种方法对集成电路是很难检测的，必须依赖综合的检测手段。现以万用表检测为例，介绍其具体方法。 我们知道，集成块使用时，总有一个引脚与印制电路板上的“地”线是焊通的，在电路中称之为接地脚。由于集成电路内部都采用直接耦合，因此，集成块的其它引脚与接地脚之间都存在着确定的直流电阻，这种确定的直流电阻称为该脚内部等效直流电阻，简称R内。当我们拿到一块新的集成块时，可通过用万用表测量各引脚的内部等效直流电阻来判断其好坏，若各引脚的内部等效电阻R内与标准值相符，说明这块集成块是好的，反之若与标准值相差过大，说明集成块内部损坏。测量时有一点必须注意，由于集成块内部有大量的三极管，二极管等非线性元件，在测量中单测得一个阻值还不能判断其好坏，必须互换表笔再测一次，获得正反向两个阻值。只有当R内正反向阻值都符合标准，才能断定该集成块完好。 在实际修理中，通常采用在路测量。先测量其引脚电压，如果电压异常，可断开引脚连线测接线端电压，以判断电压变化是外围元件引起，还是集成块内部引起。也可以采用测外部电路到地之间的直流等效电阻(称R外)来判断，通常在电路中测得的集成块某引脚与接地脚之间的直流电阻(在路电阻)，实际是R内与R外并联的总直流等效电阻。在修理中常将在路电压与在路电阻的测量方法结合使用。有时在路电压和在路电阻偏离标准值，并不一定是集成块损坏，而是有关外围元件损坏，使R外不正常，从而造成在路电压和在路电阻的异常。这时便只能测量集成块内部直流等效电阻，才能判定集成块是否损坏。根据实际检修经验，在路检测集成电路内部直流等效电阻时可不必把集成块从电路上焊下来，只需将电压或在路电阻异常的脚与电路断开，同时将接地脚也与电路板断开，其它脚维持原状，测量出测试脚与接地脚之间的R内正反向电阻值便可判断其好坏。 例如，电视机内集成块TA7609P瑢脚在路电压或电阻异常，可切断瑢脚和⑤脚(接地脚)然后用万用表内电阻挡测瑢脚与⑤脚之间电阻，测得一个数值后，互换表笔再测一次。若集成块正常应测得红表笔接地时为8.2kΩ，黑表笔接地时为272kΩ的R内直流等效电阻，否则集成块已损坏。在测量中多数引脚，万用表用R×1k挡，当个别引脚R内很大时，换用R ×10k挡，这是因为R×1k挡其表内电池电压只有1.5V，当集成块内部晶体管串联较多时，电表内电压太低，不能供集成块内晶体管进入正常工作状态，数值无法显现或不准确。 总之，在检测时要认真分析，灵活运用各种方法，摸索规律，做到快速、准确找出故障 摘要：判断常用集成电路的质量及好坏 一看: 封装考究,型号标记清晰,字迹,商标及出厂编号,产地俱全且印刷质量较好,(有的 为烤漆,激光蚀刻等) 这样的厂家在生产加工过程中,质量控制的比较严格。 二检: 引脚光滑亮泽,无腐蚀插拔痕迹, 生产日期较短,正规商店经营。 三测: 对常用数字集成电路, 为保护输入端及工厂生产需要,每一个输入端分别对VDD

芯片可靠性测试d

芯片可靠性检测 2011-08-08 11:00 电子元器件可靠度评估分析 可靠性评估分析的意义 可靠性（Reliability）则是对产品耐久力的测量, 我们主要典型的IC产品的生命周期可以用一条浴缸曲线（Bathtub Curve）来表示。 如上图示意,集成电路得失效原因大致分为三个阶段: Region (I) 被称为早夭期（Infancy period）, 这个阶段产品的失效率快速下降，造成失效的原因在于IC设计和生产过程中的缺陷； Region (II) 被称为使用期（Useful life period）, 这个阶段产品的失效率保持稳定，失效的原因往往是随机的，比如温度变化等等； Region (III) 被称为磨耗期（Wear-Out period）这个阶段产品的失效率会快速升高，失效的原因就是产品的长期使用所造成的老化等。 ·军工级器件老化筛选 ·元器件寿命试验 ·ESD等级、Latch_up测试评价 ·高低温性能分析试验 ·集成电路微缺陷分析 ·封装缺陷无损检测及分析 ·电迁移、热载流子评价分析 根据试验等级分为如下几类: 一、使用寿命测试项目（Life test items）：EFR, OLT (HTOL), LTOL ①EFR:早期失效等级测试（ Early fail Rate Test ） 目的: 评估工艺的稳定性，加速缺陷失效率，去除由于天生原因失效的产品。 测试条件: 在特定时间内动态提升温度和电压对产品进行测试 失效机制：材料或工艺的缺陷，包括诸如氧化层缺陷，金属刻镀，离子玷污等由于生产造成的失效。 参考标准： JESD22-A108-A EIAJED- 4701-D101 ②HTOL/ LTOL：高/低温操作生命期试验（High/ Low Temperature Operating Life ） 目的: 评估器件在超热和超电压情况下一段时间的耐久力 测试条件: 125℃，1.1VCC, 动态测试 失效机制：电子迁移，氧化层破裂，相互扩散，不稳定性，离子玷污等 参考数据：

模拟集成电路设计期末试卷

《模拟集成电路设计原理》期末考试 一．填空题（每空1分，共14分） 1、与其它类型的晶体管相比，MOS器件的尺寸很容易按____比例____缩小，CMOS电路被证明具有_ 较低__的制造成本。 2、放大应用时，通常使MOS管工作在_ 饱和_区，电流受栅源过驱动电压控制，我们定义_跨导_来 表示电压转换电流的能力。 3、λ为沟长调制效应系数，对于较长的沟道，λ值____较小___（较大、较小）。 4、源跟随器主要应用是起到___电压缓冲器___的作用。 5、共源共栅放大器结构的一个重要特性就是_输出阻抗_很高，因此可以做成___恒定电流源_。 6、由于_尾电流源输出阻抗为有限值_或_电路不完全对称_等因素，共模输入电平的变化会引起差动输 出的改变。 7、理想情况下，_电流镜_结构可以精确地复制电流而不受工艺和温度的影响，实际应用中，为了抑制 沟长调制效应带来的误差，可以进一步将其改进为__共源共栅电流镜__结构。 8、为方便求解，在一定条件下可用___极点—结点关联_法估算系统的极点频率。 9、与差动对结合使用的有源电流镜结构如下图所示，电路的输入电容C in为__ C F（1－A）__。 10、λ为沟长调制效应系数，λ值与沟道长度成___反比__（正比、反比）。 二．名词解释（每题3分，共15分） 1、阱 解：在CMOS工艺中，PMOS管与NMOS管必须做在同一衬底上，其中某一类器件要做在一个“局部衬底”上，这块与衬底掺杂类型相反的“局部衬底”叫做阱。 2、亚阈值导电效应 解：实际上，V GS=V TH时，一个“弱”的反型层仍然存在，并有一些源漏电流，甚至当V GS

集成电路测试原理及方法资料

H a r b i n I n s t i t u t e o f T e c h n o l o g y 集成电路测试原理及方法简介 院系：电气工程及自动化学院 姓名： XXXXXX 学号： XXXXXXXXX 指导教师： XXXXXX 设计时间： XXXXXXXXXX

摘要 随着经济发展和技术的进步，集成电路产业取得了突飞猛进的发展。集成电路测试是集成电路产业链中的一个重要环节，是保证集成电路性能、质量的关键环节之一。集成电路基础设计是集成电路产业的一门支撑技术，而集成电路是实现集成电路测试必不可少的工具。 本文首先介绍了集成电路自动测试系统的国内外研究现状，接着介绍了数字集成电路的测试技术，包括逻辑功能测试技术和直流参数测试技术。逻辑功能测试技术介绍了测试向量的格式化作为输入激励和对输出结果的采样，最后讨论了集成电路测试面临的技术难题。 关键词：集成电路；研究现状；测试原理；测试方法

目录 一、引言 (4) 二、集成电路测试重要性 (4) 三、集成电路测试分类 (5) 四、集成电路测试原理和方法 (6) 4.1.数字器件的逻辑功能测试 (6) 4.1.1测试周期及输入数据 (8) 4.1.2输出数据 (10) 4.2 集成电路生产测试的流程 (12) 五、集成电路自动测试面临的挑战 (13) 参考文献 (14)

一、引言 随着经济的发展，人们生活质量的提高，生活中遍布着各类电子消费产品。电脑﹑手机和mp3播放器等电子产品和人们的生活息息相关，这些都为集成电路产业的发展带来了巨大的市场空间。2007年世界半导体营业额高达2.740亿美元，2008世界半导体产业营业额增至2.850亿美元，专家预测今后的几年随着消费的增长，对集成电路的需求必然强劲。因此，世界集成电路产业正在处于高速发展的阶段。 集成电路产业是衡量一个国家综合实力的重要重要指标。而这个庞大的产业主要由集成电路的设计、芯片、封装和测试构成。在这个集成电路生产的整个过程中，集成电路测试是惟一一个贯穿集成电路生产和应用全过程的产业。如：集成电路设计原型的验证测试、晶圆片测试、封装成品测试，只有通过了全部测试合格的集成电路才可能作为合格产品出厂，测试是保证产品质量的重要环节。 集成电路测试是伴随着集成电路的发展而发展的，它为集成电路的进步做出了巨大贡献。我国的集成电路自动测试系统起步较晚，虽有一定的发展，但与国外的同类产品相比技术水平上还有很大的差距，特别是在一些关键技术上难以实现突破。国内使用的高端大型自动测试系统，几乎是被国外产品垄断。市场上各种型号国产集成电路测试，中小规模占到80%。大规模集成电路测试系统由于稳定性、实用性、价格等因素导致没有实用化。大规模/超大规模集成电路测试系统主要依靠进口满足国内的科研、生产与应用测试，我国急需自主创新的大规模集成电路测试技术，因此，本文对集成电路测试技术进行了总结和分析。 二、集成电路测试重要性 随着集成电路应用领域扩大，大量用于各种整机系统中。在系统中集成电路往往作为关键器件使用，其质量和性能的好坏直接影响到了系统稳定性和可靠性。 如何检测故障剔除次品是芯片生产厂商不得不面对的一个问题，良好的测试流程，可以使不良品在投放市场之前就已经被淘汰，这对于提高产品质量，建立生产销售的良性循环，树立企业的良好形象都是至关重要的。次品的损失成本可以在合格产品的售价里得到相应的补偿，所以应寻求的是质量和经济的相互制衡，以最小的成本满足用户的需要。 作为一种电子产品，所有的芯片不可避免的出现各类故障，可能包括：1.固定型故障；2.跳变故障；3.时延故障；4.开路短路故障；5桥接故障，等等。测试的作用是检验芯片是否存在问题，测试工程师进行失效分析，提出修改建议，从工程角度来讲，测试包括了验证测试和生产测试两个主要的阶段。

基于LED芯片封装缺陷检测方法研究

基于LED芯片封装缺陷检测方法研究 LED(Light-emitting diode)由于寿命长、能耗低等优点被广泛地应用于指示、显示等领域。可靠性、稳定性及高出光率是LED取代现有照明光源必须考虑的因素。封装工艺是影响LED功能作用的主要因素之一，封装工艺关键工序有装架、压焊、封装。由于封装工艺本身的原因，导致LED封装过程中存在诸多缺陷(如重复焊接、芯片电极氧化等)，统计数据显示[1-2]：焊接系 统的失效占整个半导体失效模式的比例是25%～30%，在国内[3]，由于受到 设备和产量的双重限制，多数生产厂家采用人工焊接的方法，焊接系统不合 格占不合格总数的40%以上。从使用角度分析，LED封装过程中产生的缺陷，虽然使用初期并不影响其光电性能，但在以后的使用过程中会逐渐暴露出来 并导致器件失效。在LED的某些应用领域，如高精密航天器材，其潜在的缺陷比那些立即出现致命性失效的缺陷危害更大。因此，如何在封装过程中实 现对LED芯片的检测、阻断存在缺陷的LED进入后序封装工序，从而降低 生产成本、提高产品的质量、避免使用存在缺陷的LED造成重大损失就成为LED封装行业急需解决的难题。 ? ?目前，LED产业的检测技术主要集中于封装前晶片级的检测[4-5]及封装完成后的成品级检测[6-7]，而国内针对封装过程中LED的检测技术尚不成熟。本文在LED芯片非接触检测方法的基础上[8-9]，在LED引脚式封装过程中，利用p-n结光生伏特效应，分析了封装缺陷对光照射LED芯片在引线支架中产生的回路光电流的影响，采用电磁感应定律测量该回路光电流，实现LED 封装过程中芯片质量及封装缺陷的检测。 ?

模拟集成电路复习

1、 研究模拟集成电路的重要性：（1）首先，MOSFET 的特征尺寸越来越小，本征速度越来 越快；（2）SOC 芯片发展的需求。 2、 模拟设计困难的原因：（1）模拟设计涉及到在速度、功耗、增益、精度、电源电压等多 种因素间进行折衷，而数字电路只需在速度和功耗之间折衷；（2）模拟电路对噪声、串扰和其它干扰比数字电路要敏感得多；（3）器件的二级效应对模拟电路的影响比数字电路要严重得多；（4）高性能模拟电路的设计很少能自动完成，而许多数字电路都是自动综合和布局的。 3、 鲁棒性就是系统的健壮性。它是在异常和危险情况下系统生存的关键。所谓“鲁棒性”， 是指控制系统在一定的参数摄动下，维持某些性能的特性。 4、 版图设计过程：设计规则检查（DRC ）、电气规则检查（ERC ）、一致性校验（LVS ）、RC 分布参数提取 5、 MOS 管正常工作的基本条件是:所有衬源（B 、S ）、衬漏（B 、D ）pn 结必须反偏 6、 沟道为夹断条件： ?GD GS DS T DS GS TH H V =V -≤V V V -V ≥V 7、 （1）截止区：Id=0；Vgs

集成电路测试

第一章 集成电路的测试 1.集成电路测试的定义 集成电路测试是对集成电路或模块进行检测，通过测量对于集成电路的输出回应和预期输出比较，以确定或评估集成电路元器件功能和性能的过程，是验证设计、监控生产、保证质量、分析失效以及指导应用的重要手段。 .2.集成电路测试的基本原理 输入Y 被测电路DUT（Device Under Test）可作为一个已知功能的实体，测试依据原始输入x 和网络功能集F（x），确定原始输出回应y，并分析y是否表达了电路网络的实际输出。因此，测试的基本任务是生成测试输入，而测试系统的基本任务则是将测试输人应用于被测器件，并分析其输出的正确性。测试过程中，测试系统首先生成输入定时波形信号施加到被测器件的原始输入管脚，第二步是从被测器件的原始输出管脚采样输出回应，最后经过分析处理得到测试结果。 3.集成电路故障与测试 集成电路的不正常状态有缺陷（defect）、故障（fault）和失效（failure）等。由于设计考虑不周全或制造过程中的一些物理、化学因素，使集成电路不符合技术条件而不能正常工作，称为集成电路存在缺陷。集成电路的缺陷导致它的功能发生变化，称为故障。故障可能使集成电路失效，也可能不失效，集成电路丧失了实施其特定规范要求的功能，称为集成电路失效。故障和缺陷等效，但两者有一定区别，缺陷会引发故障，故障是表象，相对稳定，并且易于测试；缺陷相对隐蔽和微观，缺陷的查找与定位较难。 4.集成电路测试的过程 1.测试设备 测试仪：通常被叫做自动测试设备，是用来向被测试器件施加输入，并观察输出。测试是要考虑DUT的技术指标和规范，包括：器件最高时钟频率、定时精度要求、输入\输出引脚的数目等。要考虑的因素：费用、可靠性、服务能力、软件编程难易程度等。 1.测试界面 测试界面主要根据DUT的封装形式、最高时钟频率、ATE的资源配置和界面板卡形等合理地选择测试插座和设计制作测试负载板。

集成电路板维修方法

我们从事电路板维修事业算算也有十几年了，在过年的工作中，有遇到过技术非常了得经验丰富的老技术人员，也有爱好电子维修技术，没日没夜钻研的年轻后背。个人觉得学习好电路板维修技术，经验的积累固然重要，当掌握正确的维修方法和灵活的维修思路，才能够成为已经技术一流的电路板维修技术人员。 本章节主要介绍了一些集成电路板的检查方法，为基础知识供大家藏考。 一集成电路的检测方法 现在的电子产品往往由于一块集成电路损坏，导致一部分或几个部分不能正常工作，影响设备的正常使用。那么如何检测集成电路的好坏呢?通常一台设备里面有许多个集成电路，当拿到一部有故障的集成电路的设备时，首先要根据故障现象，判断出故障的大体部位，然后通过测量，把故障的可能部位逐步缩小，最后找到故障所在。要找到故障所在必须通过检测，通常修理人员都采用测引脚电压方法来判断，但这只能判断出故障的大致部位，而且有的引脚反应不灵

敏，甚至有的没有什么反应。就是在电压偏离的情况下，也包含外围元件损坏的因素，还必须将集成块内部故障与外围故障严格 区别开来，因此单靠某一种方法对集成电路是很难检测的，必须依赖综合的检测手段。 现以万用表检测为例，介绍其具体方法。我们知道集成块使用时，总有一个引脚与印制电路板上的“地”线是焊通的，在电路中称之为接地脚。由于集成电路内部都采用直接耦合，因此，集成块的其它引脚与接地脚之间都存在着确定的直流电阻，这种确定的直流电阻称为该脚内部等效直流电阻，简称R 内。当我们拿到一块新的集成块时，可通过用万用表测量各引脚的内部等效直流电阻 来判断其好坏，若各引脚的内部等效电阻R 内与标准值相符，说明这块集成块是好的，反之若与标准值相差过大，说明集成块内部损坏。 测量时有一点必须注意，由于集成块内部有大量的三极管，二极管等非线性元件，在测量中单测得一个阻值还不能判断其好坏，必须互换表笔再测一次，获得正反向两

LED芯片封装缺陷检测方法研究

LED芯片封装缺陷检测方法研究

LED(Light-emitting diode)由于寿命长、能耗低等优点被广泛地应用于指示、显示等领域。可靠性、稳定性及高出光率是LED 取代现有照明光源必须考虑的因素。封装工艺是影响LED功能作用的主要因素之一, 封装工艺关键工序有装架、压焊、封装。由于封装工艺本身的原因, 导致LED封装过程中存在诸多缺陷(如重复焊接、芯片电极氧化等), 统计数据显示[1-2]: 焊接系统的失效占整个半导体失效模式的比例是25%～30%, 在国内[3], 由于受到设备和产量的双重限制, 多数生产厂家采用人工焊接的方法, 焊接系统不合格占不合格总数的40%以上。从使用角度分析, LED 封装过程中产生的缺陷, 虽然使用初期并不影响其光电性能, 但在以后的使用过程中会逐渐暴露出来并导致器件失效。在LED的某些应用领域, 如高精密航天器材, 其潜在的缺陷比那些立即出现致命性失效的缺陷危害更大。因此, 如何在封装过程中实现对LED 芯片的检测、阻断存在缺陷的LED进入后序封装工序, 从而降低生产成本、提高产品的质量、避免使用存在缺陷的LED造成重大损失就成为LED封装行业急需解决的难题。 当前, LED产业的检测技术主要集中于封装前晶片级的检测[4-5]及封装完成后的成品级检测[6-7], 而国内针对封装过程中LED的检测技术尚不成熟。本文在LED芯片非接触检测方法的基础上[8-9], 在LED引脚式封装过程中, 利用p-n结光生伏特效应, 分析了封装缺陷对光照射LED芯片在引线支架中产生的回路光

电流的影响, 采用电磁感应定律测量该回路光电流, 实现LED封装过程中芯片质量及封装缺陷的检测。 1理论分析 1.1 p-n结的光生伏特效应[m]根据p-n结光生伏特效应, 光生电流IL表示为: 式中, A为p-n结面积, q是电子电量, Ln、 Lp分别为电子和空穴的扩散长度, J表示以光子数计算的平均光强, α为p-n结材料的吸收系数, β是量子产额, 即每吸收一个光子产生的电子一空穴对数。 在LED引脚式封装过程中, 每个LED芯片是被固定在引线支架上的, LED芯片经过压焊金丝(铝丝)与引线支架形成了闭合回路, 如图1。若忽略引线支架电阻, LED支架回路光电流等于芯片光 生电流IL。可见, 当p-n结材料和掺杂浓度一定时, 支架回路光电流与光照强度I成正比。

《模拟集成电路设计原理》期末考试

1 《模拟集成电路设计原理》期末考试 一．填空题（每空1分，共14分） 1、与其它类型的晶体管相比，MOS器件的尺寸很容易按____比例____缩小，CMOS电路被证明具有_较低__的制造成本。 2、放大应用时，通常使MOS管工作在_ 饱和_区，电流受栅源过驱动电压控制，我们定义_跨导_来表示电压转换电流的能力。 3、λ为沟长调制效应系数，对于较长的沟道，λ值____较小___（较大、较小）。 4、源跟随器主要应用是起到___电压缓冲器___的作用。 5、共源共栅放大器结构的一个重要特性就是_输出阻抗_很高，因此可以做成___恒定电流源_。 6、 6、由于_尾电流源输出阻抗为有限值_或_电路不完全对称_等因素，共模输入电平的变化会引起差动输出的改变。 7、理想情况下，_电流镜_结构可以精确地复制电流而不受工艺和温度的影响，实际应用中，为了抑制沟长调制效应带来的误差，可以进一步将其改进为__共源共栅电流镜__结构。 8、为方便求解，在一定条件下可用___极点—结点关联_法估算系统的极点频率。 9、与差动对结合使用的有源电流镜结构如下图所示，电路的输入电容Cin为__ CF（1－A） __。 10、λ为沟长调制效应系数，λ值与沟道长度成___反比__（正比、反比）。 二．名词解释（每题3分，共15分） 11、1、阱 解：在CMOS工艺中，PMOS管与NMOS管必须做在同一衬底上，其中某一类器件要做在一个“局部衬底”上，这块与衬底掺杂类型相反的“局部衬底”叫做阱。 2、亚阈值导电效应 解：实际上，VGS=VTH时，一个“弱”的反型层仍然存在，并有一些源漏电流，甚至当VGS

芯片测试规范

测试规范 1.适用范围 1.1本规范为导入DDR芯片的测试方法和标准，，以验证和确认新物料是否适合批量生产；. 2.目的 2.1使开发部门导入新的关键器件过程中有章可循，有据可依。 3.可靠性测试 ? 6.1：如果替代料是FLASH的话，我们一般需要做10个循环的拷贝校验（我们测试工具APK设置：500M/拷贝次数/重启10次） ? 6.2：如果替代料是DDR的话，我们也需要验证DDR的运行稳定性，那么也需要做循环拷贝校验（测试工具APK设置：500M/拷贝次数/重启5次） ? PS：1.拷贝次数=（FLASH可用容量*1024M/500M）-1 ??? ? 2.DDR验证只需要验证运行稳定性，所以一般做3-5个循环就OK了，FLASH 要求比较严格，一般需要做10个循环以上； ???? ? 3.考虑到FLASH压力测试超过20次以上可能会对MLC造成影响，故对于验证次数太多的机器出货前需要更换。 7.常温老化：PND我们一般跑模拟导航持续运行12H，安卓我们一般运行MP4-1080P持续老化12H，老化后需要评估休眠唤醒是否正常； 8.高低温老化：环境（60度，-10度） ?? ? 基于高低温下DDR运行稳定性或存在一定的影响，DDR替代需要进行高低温老化，我们PND一般运行模拟导航、安卓因为运行模导不太方便，就运行MP4各持续老化12H。 ?? ? 从多年的经验来看，FLASH对于温度要求没有这么敏感。 9.自动重启测试：一般做50次/PCS，需要每次启动系统都能正常启动；--一般是前面 恢复出厂设置有问题，异常的机器排查才会用到； 10.复位、通断电测试：这个测试属于系统破坏性测试，测试非正常操作是否存在掉程序 的现象，一般做20次/PCS，要求系统能够正常启动。 1.焊接效果，如果是内部焊接的话，需要采用X-RAY评估，LGA封装的话就需要SMT 制程工艺规避空洞率； 2.功能测试； 3.休眠电流、休眠唤醒测试：DDR必测项目，反复休眠唤醒最好3-5次/PCS，休眠电流大小自行定义；FLASH测不测影响不大； 4.容量检查，容量标准你们根据客户需求自行定义，当然是越大越好；--大货时这一点 最好提供工具给到阿杜随线筛选； 5.恢复出厂设置：我们一般做50次/PCS，运行正常的话界面会显示50次测试完成， 如果出现中途不进主界面、死机等异常现象就需要分析问题根源； 6.FLASH压力测试：这部分需要分开来说明 4.测试环境 ◆温度：25±2℃ ◆湿度：60%~70%； ◆大气压强：86kPa ~106kPa。 5.测试工具 ◆可调电源（最好能显示对应输出电流） ◆可调电子负载

【CN110082357A】集成电路引线框架缺陷检测装置【专利】

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910367524.7 (22)申请日 2019.05.05 (71)申请人 苏州艾科瑞思智能装备股份有限公 司 地址 215513 江苏省苏州市常熟经济技术 开发区四海路11号科创园5-102 (72)发明人 王敕　李锡凡　陆城燕　 (74)专利代理机构 苏州国诚专利代理有限公司 32293 代理人 杨淑霞 (51)Int.Cl. G01N 21/88(2006.01) G01N 21/13(2006.01) (54)发明名称 集成电路引线框架缺陷检测装置 (57)摘要 本发明提供一种集成电路引线框架缺陷检 测装置，其包括：两个视觉检测工位，其中任一视 觉检测工位包括：上料机构、推料机构、下料机 构、检测机构。本发明的集成电路引线框架缺陷 检测装置能够实现线框的自动上料、检测、下料 以及分拣，其有利于线框的快速、精确检测，充分 满足了现代化工业生产的实际需求，有利于保障 后续与集成电路芯片的良好配合。权利要求书2页 说明书5页 附图1页CN 110082357 A 2019.08.02 C N 110082357 A

权　利　要　求　书1/2页CN 110082357 A 1.一种集成电路引线框架缺陷检测装置，其特征在于，所述集成电路引线框架缺陷检测装置包括：两个视觉检测工位，其中任一视觉检测工位包括：上料机构、推料机构、下料机构、检测机构； 所述上料机构位于所述检测机构的上料端，其包括：来料盒、隔纸盒、上料机械手，所述隔纸盒位于所述来料盒的一侧，所述上料机械手包括：上料机械臂以及设置于所述上料机械臂上的若干上料头，所述上料机械臂带动其上的若干上料头进行X方向以及Z方向的往复运动； 所述推料机构位于所述检测机构的上料端，并位于所述上料机构的一侧，其包括：推料杆、推料平台，所述推料杆设置于所述推料平台的一侧，并推动所述推料平台自所述上料端至所述检测机构上； 所述检测机构包括：沿Y方向布置的直线电机以及设置于所述直线电机上方的多个检测相机，所述多个检测相机按照所述Y方向间隔设置； 所述下料机构位于所述检测机构的下料端，其包括：良品盒、隔纸盒、不良品盒、下料机械手，所述良品盒、隔纸盒、不良品盒沿X方向并排设置，所述下料机械手包括：下料机械臂以及设置于所述下料机械臂上的若干下料头，所述下料机械臂带动其上的若干下料头进行X方向以及Z方向的往复运动。 2.根据权利要求1所述的集成电路引线框架缺陷检测装置，其特征在于，两个视觉检测工位集成设置于一个机台上，且两个视觉检测工位中心对称设置。 3.根据权利要求1所述的集成电路引线框架缺陷检测装置，其特征在于，所述上料机构还包括：上料输送线，所述上料输送线一端延伸至上料位，所述来料盒由所述上料传输线输送至所述上料端。 4.根据权利要求1所述的集成电路引线框架缺陷检测装置，其特征在于，所述上料机械臂由一X方向布置的第一丝杆驱动进行X方向的往复运动，所述第一丝杆的丝杆座与Z方向布置的第一气缸传动连接进行Z方向的往复运动。 5.根据权利要求1所述的集成电路引线框架缺陷检测装置，其特征在于，所述上料头为两个，两个上料头按照所述来料盒与隔纸盒之间的中心间距间隔排布于所述上料机械臂上。 6.根据权利要求1所述的集成电路引线框架缺陷检测装置，其特征在于，所述推料杆与第三气缸传动连接，由第三气缸驱动沿Y方向进行推料动作，所述推料平台下方设置有辅助其滑动至检测机构上的轨道。 7.根据权利要求1所述的集成电路引线框架缺陷检测装置，其特征在于，所述检测机构还包括设置于所述直线电机一侧的辅助所述推料平台运动的线轨。 8.根据权利要求1所述的集成电路引线框架缺陷检测装置，其特征在于，所述良品盒分布于所述隔纸盒的一侧，所述不良品盒分布于所述隔纸盒的另一侧，所述良品盒与所述隔纸盒的中心间距与所述不良品盒与隔纸盒的中心间距保持一致，所述下料头为两个，两个下料头按照所述中心间距间隔排布于所述下料机械臂上。 9.根据权利要求1所述的集成电路引线框架缺陷检测装置，其特征在于，所述下料机械臂由一X方向布置的第二丝杆驱动进行X方向的往复运动，所述第二丝杆的丝杆座与Z方向布置的第二气缸传动连接进行Z方向的往复运动。 2

模拟集成电路设计原理_试题库1

《模拟集成电路设计原理》试卷(答题卷)（1） 一、填空题（共30分，每空格1分） 1. MOSFET 是一个四端器件，现在大多数的CMOS 工艺中，P 管做在_____中，并且，在大 多数电路中，P 管的衬底与______（高或低）电平相连接，这样连接的原因是使得_________________________________________________。 2. 对增强型NMOS 来说，让其处于饱和时的条件为_______________________________， 增强型PMOS 处于饱和时的条件为__________________________________________。 3. 在两级运放中，通常是用第一级运放实现_____________，用第二级运放实现 _____________。 4. 实际工艺中，本征阈值电压并不适用于电路设计，因此在器件制造过程中，通常通过 向沟道区注入__________来调整阈值电压，其实质是改变氧化层（栅氧）界面附近衬底的_______________。 5. 阈值电压为发生强反型时的栅压，对增强型NMOS 管来说，发生强反型时的条件为 __________________________________________________。 6. 折叠式共源共栅运放与套筒式共源共栅结构相比，输出电压摆幅_______,但这个优点 是以较大的________、较低的_______________、较低的_____________和较高的____________为代价得到的。 7. 对于一个负反馈系统来说，有前馈网络A 和反馈网络β，那么这个系统的开环增益为 _______，闭环增益为________________，环路增益为____________。 8. 对于一个单极点系统来说，单位增益带宽为80MHz ，若现在带宽变为16MHz ，则环路增 益为_________，闭环增益为_______。 9. 为了使系统稳定，零点应处于________平面,并且让极点尽量______。 10. 对单级共源、共漏和共栅放大器来说，dB f 3带宽最小的为__________,原因是由于 _______________的存在，dB f 3带宽最大的为__________。 11. MOSFET 的版图由电路中的器件所要求的_____________和工艺要求的 ________________共同决定。例如，选择适当的W/L 来确定跨导和其它电路参数，而L 的最小值由工艺决定。 12. 对于理想的差动电路来说，电路将只对_______________进行放大，而且完全抑制

集成电路测试技术四

集成电路测试技术 测试概论 可测性设计技术

DFT） 雷鑑铭RCVLSI&S 扫描前综合：主要在综合中介绍。在这一步中综合工具会

Multiplexed Flip-Flop 使用一个可选择的数据输入端来实现串行移位的能力。在功能模式时，扫描使能信号选择系统数据输入；在扫描模式时，扫描使能信号选择扫描数据输入。扫描输入的数据来自扫描输入端口或者扫描链中前一个单元的扫描输出端口。为测试使能端，控制数据的输入。 时选通测试模式，测试数据从端输入；时为功能模式，这时系统数据从端输入。 Multiplexed Flip-Flop 扫描形式为工艺库普遍支持的一种模式。 Multiplexed Flip-Flop 结构 扫描 扫描形式使用一个特定的边沿触发测试时钟来提供串行移位的能力。在功能模式时，系统时钟翻转，系统数据在系统时钟控制下输入到单元中；扫描移位时，测试时钟翻转，扫描数据在测试时钟控制下进入到单元中。 为系统时钟，翻转时系统数据从D 钟，翻转时扫描数据从端输入。 Clocked-Scan 雷鑑铭 编译器支持三种变化的扫描形式：单边锁存，双边锁存和时钟控制单边锁存和双边锁存变化都要用到典型的LSSD 扫描单元，如上图所示。该单元含有一对主从锁存器。 主锁存器有两个输入端，能够锁存功能数据或者扫描数据。在功能模式下，系统主时钟控制系统数据的输入；在扫描模式下，测试主时钟控制从数据输入端到主锁存器的数据传输。从时钟控制数据从主锁存器到从锁存器的传输。 典型的LSSD 、扫描测试的步骤 1 各步骤的功能如下： 扫描输入阶段：在这一阶段中，数据串行加入到扫描输入端；当时钟沿到来时，该扫描数据被移入到扫描链。同时，并行输出被屏蔽。 并行测试：这一周期的初始阶段并行输入测试数据，此周期的末段检测并行输出数据。在此周期中时钟信号保持无效，CUT 并行捕获：这一阶段时钟有一次脉冲，在该脉冲阶段从扫描链中捕获关键并行输出数据。CUT 态。捕获到的数据用于扫描输出。 第一次扫描输出：此阶段无时钟信号，出端对扫描链输出值采样，检测第一位扫描输出数据。扫描输出阶段：扫描寄存器捕获到的数据串行移出，在每一周期在扫描输出端检测扫描链输出值。扫描测试是基于阶段的测试过程，典型的测试时序分SI 交叠，待测芯片的测试状态控制信号于有效状态。第一次扫描输出阶段时钟信号保持无效，出端之后每一扫描移位阶段都有一时钟信号，测试机也会采样一次SO 的状态；在最后一个扫描移位阶段用于产生并行输出的有效数

IC芯片的检测方法大全定稿版

I C芯片的检测方法大全 HUA system office room 【HUA16H-TTMS2A-HUAS8Q8-HUAH1688】

芯片的检测方法 一、查板方法： 1．观察法：有无烧糊、烧断、起泡、板面断线、插口锈蚀。 2．表测法：＋5V、GND电阻是否是太小（在50欧姆以下）。 3．通电检查：对明确已坏板，可略调高电压0．5－1V，开机后用手搓板上的IC，让有问题的芯片发热，从而感知出来。 4．逻辑笔检查：对重点怀疑的IC输入、输出、控制极各端检查信号有无、强弱。 5．辨别各大工作区：大部分板都有区域上的明确分工，如：控制区（CPU）、时钟区（晶振）（分频）、背景画面区、动作区（人物、飞机）、声音产生合成区等。这对电脑板的深入维修十分重要。 二、排错方法： 1.将怀疑的芯片，根据手册的指示，首先检查输入、输出端是否有信号（波型），如有入 无出，再查IC的控制信号（时钟）等的有无，如有则此IC坏的可能性极大，无控制信号，追查到它的前一极，直到找到损坏的IC为止。 2．找到的暂时不要从极上取下可选用同一型号。或程序内容相同的IC背在上面，开机观察是否好转，以确认该IC是否损坏。 3.用切线、借跳线法寻找短路线：发现有的信线和地线、＋5V或其它多个IC不应相连的 脚短路，可切断该线再测量，判断是IC问题还是板面走线问题，或从其它IC上借用信号焊接到波型不对的IC上看现象画面是否变好，判断该IC的好坏。 4.对照法：找一块相同内容的好电脑板对照测量相应IC的引脚波型和其数来确认的IC是 否损坏。

5.用微机万用编程器（ALL－03／07）（EXPRO－80／100等）中的ICTEST软件测试IC。 三、电脑芯片拆卸方法： 1．剪脚法：不伤板，不能再生利用。 2．拖锡法：在IC脚两边上焊满锡，利用高温烙铁来回拖动，同时起出IC（易伤板，但可保全测试IC）。 3．烧烤法：在酒精灯、煤气灶、电炉上烧烤，等板上锡溶化后起出IC（不易掌握）。 4．锡锅法：在电炉上作专用锡锅，待锡溶化后，将板上要卸的IC浸入锡锅内，即可起出IC又不伤板，但设备不易制作。 5．电热风枪：用专用电热风枪卸片，吹要卸的IC引脚部分，即可将化锡后的IC起出（注意吹板时要晃动风枪否则也会将电脑板吹起泡，但风枪成本高，一般约2000元左右）作为专业硬件维修，板卡维修是非常重要的项目之一。拿过来一块有故障的主板，如何判断具体哪个元器件出问题呢？ 引起主板故障的主要原因 1.人为故障： 带电插拨I/O卡，以及在装板卡及插头时用力不当造成对接口、芯片等的损害 2．环境不良： 静电常造成主板上芯片（特别是CMOS芯片）被击穿。另外，主板遇到电源损坏或电网电压瞬间产生的尖峰脉冲时，往往会损坏系统板供电插头附近的芯片。如果主板上布满了灰尘，也会造成信号短路等。 3．器件质量问题：

电子科大罗萍模拟集成电路期末试题3

………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 电子科技大学二零零 四 至二零零 五 学年第 二 学期期 中 《微电子电路设计》课程考试题（ 120 分钟） 考试形式： 闭卷 考试日期 2005年 5 月 日 1. Identify the source, drain, gate and bulk terminals, and find the current I in the transistors in the following Figure. Assume 2'/25V A K n μ=，V TN =0.75V . (16pts) (problem4.3) Solution: (a) V V V V V V V V V S D D S S G G S 2.0)2.0(0, 5=--=-==-= A V A V V V V L W K I I DS DS TN G n DS μμ2082.022.075.02.51102522' =??? ? ?--=??? ??--== (b) V V V V V V V V V S D D S S G G S 2.0)2.0(0, 2.5)2.0(5=--=-==--=-= A V A V V V V L W K I I DS DS TN G n DS μμ2182.022.075.02.51102522' -=??? ? ?--=??? ??---=-=

………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 2. Design the bias circuit in the following figure to give the Q-point of mA I C 10= and V V EC 3= if the transistor current gain is 75=F β and V V BE 7.0=.What is the Q-point if the current gain of the transistor is actually 40? (15 pts) ( problem 5.62 ) Solution: Ω →Ω=-==Ω→Ω=-===+= =-=+-=183.171333.0)7.03( ,68069110013)310( 13.101075 76 1 ,10)(10k mA V I -V V R mA V R mA mA I I I R I R I I V B EB EC B C C F F F C E C E C B C EC ββα 0)5()(6801800007.05=--+---B C B I I I mA I I A V I B F C B 108.8, 7.202)680(41180007.010===Ω +-= βμ V mA V V EC 35.4680)311.8(10=Ω-= )35.4,11.8(:int V mA po Q -? 3. Find V OH , V OL and the power dissipation (for v o =V OL ) for the logic inverter with the saturated load in the following figure. Assume 0=γ, and 2' /25V A K n μ=，V V TN 1=. (16 pts) (Problem7.12m) Solution: V V V V For TN D D O H 6.216.3,0=-=-==γ