电子元器件的基本知识——三极管
晶体三极管的结构和类型
晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种，如图从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。
发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电极。基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。
三极管的封装形式和管脚识别
常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类，引脚的排列方式具有一定的规律，如图对于小功率金属封装三极管，按图示底视图位置放置，使三个引脚构成等腰三角形的顶点上，从左向右依次为e b c；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c。
目前，国内各种类型的晶体三极管有许多种，管脚的排列不尽相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置，或查找晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。晶体三极管的电流放大作用
晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数，用符号“β”表示。电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值，但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。
晶体三极管的三种工作状态
截止状态：当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。
放大状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并处于某一恰当的值时，三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基极电流对集电极电流起着控制作用，使三极管具有电流放大作用，其电流放大倍数β＝ΔIc/ΔIb，这时三极管处放大状态。
饱和导通状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。
根据三极管工作时各个电极的电位高低，就能判别三极管的工作状态，因此，电子维修人员在维修过程中，经常要拿多用电表测量三极管各脚的电压，从而判别三极管的工作情况和工作状态。
使用多用电表检测三极管
三极管基极的判别：根据三极管的结构示意图，我们知道三极管的基极是三极管中两个PN结的公共极，因此，在判别三极管的基极时，只要找出两个PN结的公共极，即为三极管的基极。具体方法是将多用电表调至电阻挡的R×1k挡，先用红表笔放在三极管的一只脚上，用黑表笔去碰三极管的另两只脚，如果两次全通，则红
表笔所放的脚就是三极管的基极。如果一次没找到，则红表笔换到三极管的另一个脚，再测两次；如还没找到，则红表笔再换一下，再测两次。如果还没找到，则改用黑表笔放在三极管的一个脚上，用红表笔去测两次看是否全通，若一次没成功再换。这样最多没量12次，总可以找到基极。
三极管类型的判别：三极管只有两种类型，即ＰＮＰ型和ＮＰＮ型。判别时只要知道基极是Ｐ型材料还Ｎ型材料即可。当用多用电表R×1k挡时，黑表笔代表电源正极，如果黑表笔接基极时导通，则说明三极管的基极为Ｐ型材料，三极管即为ＮＰＮ型。如果红表笔接基极导通，则说明三极管基极为Ｎ型材料，三极管即为ＰＮＰ型。
电子三极管
在弗莱明为改进无线电检波器而发明二极管的同时，美国物理学博士弗雷斯特也在潜心研究检波器。正当他的研究步步深入时，传来了英国的弗莱明发明成功真空二极管的消息，使他大受震动。是改弦易辙还是继续下去呢？他想到弗莱明的二极管可用于整流和检波，但还不能放大电信号。于是，德弗雷斯特又经过两年的研制，终于改进了弗莱明的二极管，作出了新的发明。在二极管的阴极和阳极中间插入第三个具有控制电子运动功能的电极（棚极）。棚极上电压的微弱信号变化，可以调制从阴极流向阳极的电流，因此可以得到与输入信号变化相同，但强度大大增加的电流。这就是德弗雷斯特发明的三极管的“放大”作用。
1912年，德弗雷斯特又成功地做了几个三极管的连接实验，得到了比单个三极管大得多的放大能力。很快，德弗雷斯特研制出第一个电子放大器用于电话中继器，放大微弱的电话信号，他是在电话中使用电子产品的第一人。此外，三极管还可振荡产生电磁波，也就是说，所以，国外许多人都将三极管的发明看作是电子工业真正的诞生。
MOS场效应管
即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor
Field-Effect-Transistor），属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最高可达1015Ω）。它也分N沟道管和P沟道管，符号如图1所示。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。耗尽型则是指，当VGS=0时即形成沟道，加上正确的VGS时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。
以N沟道为例，它是在P型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区N+和漏扩散区N+，再分别引出源极S和漏极D。源极与衬底在内部连通，二者总保持等电位。图1（a）符号中的前头方向是从外向电，表示从P
型材料（衬底）指身N型沟道。当漏接电源正极，源极接电源负极并使VGS=0时，沟道电流（即漏极电流）ID=0。随着VGS逐渐升高，受栅极正电压的吸引，在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子，形成从漏极到源极的N型沟道，当VGS大于管子的开启电压VTN（一般约为+2V）时，N沟道管开始导通，形成漏极电流ID。
国产N沟道MOSFET的典型产品有3DO1、3DO2、3DO4（以上均为单栅管），4DO1（双栅管）。它们的管脚排列（底视图）见图2。
MOS场效应管比较“娇气”。这是由于它的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（U=Q/C），将管子损坏。因此了厂时各管脚都绞合在一起，或装在金属箔内，使G极与S极呈等电位，防止积累静电荷。管子不用时，全部引线也应短接。在测量时应格外小心，并采取相应的防静电感措施。下面介绍检测方法。
1．准备工作
测量之前，先把人体对地短路后，才能摸触MOSFET的管脚。最好在手腕上接一条导线与大地连通，使人体与大地保持等电位。再把管脚分开，然后拆掉导线。
2．判定电极
将万用表拨于R×100档，首先确定栅极。若某脚与其它脚的电阻都是无穷大，证明此脚就是栅极G 。交换表笔重测量，S-D 之间的电阻值应为几百欧至几千欧，其中阻值较小的那一次，黑表笔接的为D 极，红表笔接的是S 极。日本生产的3SK 系列产品，S 极与管壳接通，据此很容易确定S 极。
3．检查放大能力（跨导）
将G 极悬空，黑表笔接D 极，红表笔接S 极，然后用手指触摸G 极，表针应有较大的偏转。双栅MOS 场效应管有两个栅极G1、G2。为区分之，可用手分别触摸G1、G2极，其中表针向左侧偏转幅度较大的为G2极。 目前有的MOSFET 管在G-S 极间增加了保护二极管，平时就不需要把各管脚短路了。
VMOS 场效应管
VMOS 场效应管（VMOSFET ）简称VMOS 管或功率场效应管，其全称为V 型槽MOS 场效应管。它是继MOSFET 之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不仅继承了MOS 场效应管输入阻抗高（≥108W）、驱动电流小（左右0.1μA 左右），还具有耐压高（最高可耐压1200V ）、工作电流大（1.5A ～100A ）、输出功率高（1～250W ）、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。
众所周知，传统的MOS 场效应管的栅极、源极和漏极大大致处于同一水平面的芯片上，其工作电流基本上是沿水平方向流动。VMOS 管则不同，从图1上可以看出其两大结构特点:第一，金属栅极采用V 型槽结构；第二，具有垂直导电性。由于漏极是从芯片的背面引出，所以ID 不是沿芯片水平流动，而是自重掺杂N+区（源极S ）出发，经过P 沟道流入轻掺杂N-漂移区，最后垂直向下到达漏极D 。电流方向如图中箭头所示，因为流通截面积增大，所以能通过大电流。由于在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层，因此它仍属于绝缘栅型MOS 场效应管。
国内生产VMOS 场效应管的主要厂家有877厂、天津半导体器件四厂、杭州电子管厂等，典型产品有VN401、 VN672、VMPT2等。表1列出六种VMOS 管的主要参数。其中，IRFPC50的外型如图3所示。
下面介绍检测VMOS 管的方法。
1．判定栅极G
将万用表拨至R×1k 档分别测量三个管脚之间的电阻。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大，并且交换表笔后仍为无穷大，则证明此脚为G 极，因为它和另外两个管脚是绝缘的。
2．判定源极S 、漏极D
由图1可见，在源-漏之间有一个PN 结，因此根据PN 结正、反向电阻存在差异，可识别S 极与D 极。用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是S 极，红表笔接D 极。
3．测量漏-源通态电阻RDS （on ）
将G-S 极短路，选择万用表的R×1档，黑表笔接S 极，红表笔接D 极，阻值应为几欧至十几欧。
由于测试条件不同，测出的RDS （on ）值比手册中给出的典型值要高一些。例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS 管，RDS （on ）=3.2W ，大于0.58W （典型值）。
4．检查跨导
将万用表置于R×1k（或R×100）档，红表笔接S 极，黑表笔接D 极，手持螺丝刀去碰触栅极，表针应有明显偏转，偏转愈大，管子的跨导愈高。
注意事项：
（1）VMOS 管亦分N 沟道管与P 沟道管，但绝大多数产品属于N 沟道管。对于P
沟道管，测量时应交换表笔的图3
位置。
（2）有少数VMOS管在G-S之间并有保护二极管，本检测方法中的1、2项不再适用。
（3）目前市场上还有一种VMOS管功率模块，专供交流电机调速器、逆变器使用。例如美国IR公司生产的IRFT001型模块，内部有N沟道、P沟道管各三只，构成三相桥式结构。
（4）现在市售VNF系列（N沟道）产品，是美国Supertex公司生产的超高频功率场效应管，其最高工作频率fp=120MHz，IDSM=1A，PDM=30W，共源小信号低频跨导gm=2000μS。适用于高速开关电路和广播、通信设备中。
（5）使用VMOS管时必须加合适的散热器后。以VNF306为例，该管子加装140×140×4（mm）的散热器后，最大功率才能达到30W
场效应晶体管
场效应晶体管(FET)简称场效应管，它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管，简称MOS 管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，以及最近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。
按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P 沟耗尽型和增强型四大类。见附图1。
MOS场效应晶体管使用注意事项。
MOS场效应晶体管在使用时应注意分类，不能随意互换。MOS场效应晶体管由于输入阻抗高（包括MOS集成电路）极易被静电击穿，使用时应注意以下规则：
1. MOS器件出厂时通常装在黑色的导电泡沫塑料袋中，切勿自行随便拿个塑料袋装。也可用细铜线把各个引脚连接在一起，或用锡纸包装
2.取出的MOS器件不能在塑料板上滑动，应用金属盘来盛放待用器件。
3. 焊接用的电烙铁必须良好接地。
4. 在焊接前应把电路板的电源线与地线短接，再MOS器件焊接完成后在分开。
5. MOS器件各引脚的焊接顺序是漏极、源极、栅极。拆机时顺序相反。
6.电路板在装机之前，要用接地的线夹子去碰一下机器的各接线端子，再把电路板接上去。
7. MOS场效应晶体管的栅极在允许条件下，最好接入保护二极管。在检修电路时应注意查证原有的保护二极管是否损坏。
场效应管的测试。
下面以常用的3DJ型N沟道结型场效应管为例解释其测试方法：
3DJ型结型场效应管可看作一只NPN型的晶体三极管，栅极G对应基极b，漏极D对应集电极c，源极S对应发射极e。所以只要像测量晶体三极管那样测PN结的正、反向电阻既可。把万用表拨在R*100挡用黑表笔接场效应管其中一个电极，红表笔分别接另外两极，当出现两次低电阻时，黑表笔接的就是场效应管的栅极。红表笔接的就是漏极或源极。对结型场效应管而言，漏极和源极可以互换。对于有4个管脚的结型场效应管，另外一极是屏蔽极（使用中接地）。
目前常用的结型场效应管和MOS型绝缘栅场效应管的管脚顺序如图2所示。
场效应晶体管的好坏的判断。
先用MF10型万用表R*100KΩ挡（内置有15V电池），把负表笔（黑）接栅极（G），正表笔（红）接源极（S）。给栅、源极之间充电，此时万用表指针有轻微偏转。再该用万用表R*1Ω挡，将负表笔接漏极（D），正表笔接源极（S），万用表指示值若为几欧姆，则说明场效应管是好的。
硅管、锗管的判别
硅管和锗管在特性上有很大不同，使用时应加以区别。我们知道，硅管和锗管的PN结正向电阻是不一样的，即硅管的正向电阻大，锗管的小。利用这一特性就可以用万用表来判别一只晶体管是硅管还是锗管。
判别方法如下：
将万用表拨到R*100挡或R*1K挡。测量二极管时，万用表的正端接二极管的负极，负端接二极管的正极；测量NPN型的三极管时，万用表的负端接基极，正端接集电极或发射极；测量PNP型的三极管时，万用表的正端接基极，负端接集电极或发射极。
按上述方法接好后，如果万用表的表针指示在表盘的右端或靠近满刻度的位置上（即阻值较小），那么所测的管子是锗管；如果万用表的表针在表盘的中间或偏右一点的位置上（即阻值较大），那么所测的管子是硅管。测判三极管的口诀
三极管的管型及管脚的判别是电子技术初学者的一项基本功，为了帮助读者迅速掌握测判方法，笔者总结出四句口诀：“三颠倒，找基极；PN结，定管型；顺箭头，偏转大；测不准，动嘴巴。”下面让我们逐句进行解释吧。
一、三颠倒，找基极
大家知道，三极管是含有两个PN结的半导体器件。根据两个PN结连接方式不同，可以分为NPN型和PNP 型两种不同导电类型的三极管，图1是它们的电路符号和等效电路。
测试三极管要使用万用电表的欧姆挡，并选择R×100或R×1k挡位。图2绘出了万用电表欧姆挡的等效电路。由图可见，红表笔所连接的是表内电池的负极，黑表笔则连接着表内电池的正极。
假定我们并不知道被测三极管是NPN型还是PNP型，也分不清各管脚是什么电极。测试的第一步是判断哪个管脚是基极。这时，我们任取两个电极(如这两个电极为1、2)，用万用电表两支表笔颠倒测量它的正、反向电阻，观察表针的偏转角度；接着，再取1、3两个电极和2、3两个电极，分别颠倒测量它们的正、反向电阻，观察表针的偏转角度。在这三次颠倒测量中，必然有两次测量结果相近：即颠倒测量中表针一次偏转大，一次偏转小；剩下一次必然是颠倒测量前后指针偏转角度都很小，这一次未测的那只管脚就是我们要寻找的基极(参看图1、图2不难理解它的道理)。
二、 PN结，定管型
找出三极管的基极后，我们就可以根据基极与另外两个电极之间PN结的方向来确定管子的导电类型(图1)。将万用表的黑表笔接触基极，红表笔接触另外两个电极中的任一电极，若表头指针偏转角度很大，则说明被测三极管为NPN型管；若表头指针偏转角度很小，则被测管即为PNP型。
三、顺箭头，偏转大
找出了基极b，另外两个电极哪个是集电极c，哪个是发射极e呢?这时我们可以用测穿透电流ICEO的方法确定集电极c和发射极e。
(1) 对于NPN型三极管，穿透电流的测量电路如图3所示。根据这个原理，用万用电表的黑、红表笔颠倒测量两极间的正、反向电阻Rce和Rec，虽然两次测量中万用表指针偏转角度都很小，但仔细观察，总会有一次偏转角度稍大，此时电流的流向一定是：黑表笔→c极→b极→e极→红表笔，电流流向正好与三极管符号中的箭头方向一致(“顺箭头”)，所以此时黑表笔所接的一定是集电极c，红表笔所接的一定是发射极e。
(2) 对于PNP型的三极管，道理也类似于NPN型，其电流流向一定是：黑表笔→e极→b极→c极→红表笔，其电流流向也与三极管符号中的箭头方向一致，所以此时黑表笔所接的一定是发射极e，红表笔所接的一定是集电极c。
四、测不出，动嘴巴
若在“顺箭头，偏转大”的测量过程中，若由于颠倒前后的两次测量指针偏转均太小难以区分时，就要“动嘴巴”了。具体方法是：在“顺箭头，偏转大”的两次测量中，用两只手分别捏住两表笔与管脚的结合部，用嘴巴含住(或用舌头抵住)基电极b，仍用“顺箭头，偏转大”的判别方法即可区分开集电极c与发射极e。其中人体起到直流偏置电阻的作用，目的是使效果更加明显。
高频管和低频管的判别
高频管和低频管因其特性和用途不同而一般不能互相代用。
这里介绍如何用万用表来快速判别它高频管与低频管。判别方法为：
首先用万用表测量三极管发射极的反向电阻，如果是测量PNP型管，万用表的负端接基极，正端接发射极；如果是测量NPN型管，万用表的正端接基极，负端接发射极。然后用万用表的R*1KΩ挡测量，此时万用表的表针指示的阻值应当很大，一般不超过满刻度值的1/10。再将万用表转换到R*10KΩ挡，如果表针指示的阻值变化很大，超过满刻度值的1/3，则此管为高频管；反之，如果万用表转换到R*10KΩ挡后，表针指示的阻值变化不大，不超过满刻度值的1/3，则所测的管子为低频管。
电子元件基本基础知 识
第1章电子元件的基本知识 第一节电阻器 一、电阻器的种类 电阻器的种类很多，从构成材料来分，有碳膜电阻器、碳质电阻器、金属膜电阻器、绕线电阻器等多种。从结构形式来分，有固定电阻器、可变电阻器和电位器三种。国产电阻器和电位器的型号一般由四部分组成，各部分含义如下： 序号（用数字表示） 分类（用数字、字母表示） 材料（用字母表示） 主称（用字母Z或W表示）
电阻器的主要参数有两个： 1．标称阻值和允许误差。 在电阻上标注的电阻数值叫作标称阻值。如1.5K 、5.1Ω……。它的实际阻值允许有一定的误差，叫允许误差，分为Ⅰ级（±5％），Ⅱ级（±10％），Ⅲ级（±20％）。如电阻器上标“3KΩⅠ”，则表示这个电阻的阻值是3KΩ，误差为士5％。 电阻的标称值和误差也可以用色环来表示。在电阻上印有四条色彩鲜艳的园环，紧靠电阻左端的三条色环表示电阻值，最后一条色环表示允许误差。识别方法见表3一2。 微调电阻器和电位器的标称值是它的最大电阻值。如100K 电位器，表示它的阻值可在零至100千欧内连续变化。 电阻器的标称阻值和误差一般都标在电阻体上，其表示法有三种： 1）直标法：直标法是用阿拉伯数字和单位符号在电阻器表面直接标出标称阻值，如下图所示，其允许误差直接用百分数表示。 文字符号法是用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，其允许误差也用文字符号表示（如下表），符号前面的数字表示整数阻值，后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值，如下图表示的为金属膜电阻器，额定功率为0.5W ，阻值为5.1k Ω，误差为5％ 。 2）色标法：色标法是用不同颜色的带或点在电阻器的表面标出标称阻值和允许误差。普通电阻器四道色环，精密电阻五道色环。例如电阻器上的色环依次为绿、黑、橙、无色，则表示50×103＝50k Ω±20%。精密电阻的色环依次为棕、蓝、绿、黑、棕，则表示165Ω±1％。
电子元件及图形符号 电感L 电容C 电位E 电流I 电荷q 电阻R 晶体二极管D.如D5表示编号为5的二极管 稳压二极管ZD.如ZD5表示编号为5的稳压管 警惕三极管Q. 如Q17表示编号为17的三极管 集成快(IC) U 晶振Y 保险电阻F或PS https://www.doczj.com/doc/bc8413316.html,/phpbb2/viewforum.php?f=1&topicdays=0&start=1250&sid=c85d deeb22acc77cb1538565dd10f2e4 这个上面很齐全 做机器人要先了解电子元器件 这里有一些电子元件的知识给新手： 电子元件（1）<电阻> 电阻在电路中用“R”加数字表示，如：R1表示编号为1的电阻。电阻在电路中的主要作用为：分流、限流、分压、偏置等。＃1、参数识别：电阻的单位为欧姆（Ω），倍率单位有：千欧（KΩ），兆欧（MΩ）等。换算方法是：1兆欧=1000千欧=1000000欧电阻的参数标注方法有3种，即直标法、色标法和数标法。a、数标法主要用于贴片等小体积的电路，如：472 表示47×100Ω（即4.7K）；104则表示100K b、色环标注法使用最多，现举例如下：四色环电阻五色环电阻（精密电阻）＃2、电阻的色标位置和倍率关系如下表所示：颜色有效数字倍率允许偏差（%）银色/ x0.01 ±10 金色/ x0.1 ±5 黑色0 +0 / 棕色1 x10 ±1 红色2 x100 ±2 橙色3 x1000 / 黄色4 x10000 / 绿色5 x100000 ±0.5 蓝色6 x1000000 ±0.2 紫色7 x10000000 ±0.1 灰色8 x100000000 / 白色9 x1000000000 / 电子元件（2）<电容> ＃1、电容在电路中一般用“C”加数字表示（如C13表示编号为13的电容）。电容是由两片金属膜紧靠，中间用绝缘材料隔开而组成的元件。电容的特性主要是隔直流通交流。电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小，电容对交流信号的阻碍作用称为容抗，它与交流信号的频率和电容量有关。容抗XC=1/2πf c (f表示交流信号的频率，C表示电容容量)电话机中常用电容的种类有电解电容、瓷片电容、贴片电容、独石电容、钽电容和涤纶电容等。＃2、识别方法：电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。电容的基本单位用法拉（F）表示，其它单位还有：毫法（mF）、微法（uF）、纳法（nF）、皮法（pF）。其中：1法拉=103毫法=106微法=109纳法=1012皮法容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10 uF/16V 容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示字母表示法：1m=1000 uF 1P2=1.2PF 1n=1000PF 数字表示法：一般用三位数字表示容量大小，前两位表示有效数字，第三位数字是倍率。如：102表示 10×102PF=1000PF 224表示22×104PF=0.22 uF ＃3、电容容量误差表符号F G J K L M 允许误差±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20% 如：一瓷片电容为104J表示容量为0. 1 uF、误差为±5%。 电子元件（3）<晶体二极管>
电子元器件基础知识--电阻电容的品牌大全 2011-05-17 10:42 1、请列举您知道的电阻、电容、电感品牌（最好包括国内、国外品牌）。 电阻： 美国：AVX、VISHAY威世日本：KOA兴亚、Kyocera京瓷、muRata村田、Panasonic 松下、ROHM罗姆、susumu、TDK 台湾： LIZ丽智、PHYCOM飞元、RALEC旺诠、ROYALOHM厚生、SUPEROHM美隆、TA-I大毅、TMTEC泰铭、TOKEN德键、TYOHM幸亚、UniOhm厚声、VITROHM、VIKING 光颉、WALSIN华新科、YAGEO国巨新加坡：ASJ 中国：FH风华、捷比信 电容： 美国：AVX、KEMET基美、Skywell泽天、VISHAY威世英国：NOVER 诺华德国：EPCOS、WIMA威马丹麦：JENSEN战神日本：ELNA伊娜、FUJITSU 富士通、HITACHI日立、KOA兴亚、Kyocera京瓷、Matsushita松下、muRata村田、NEC、nichicon（蓝宝石）尼吉康、Nippon Chemi-Con（黑金刚、嘉美工）日本化工、Panasonic松下、Raycon威康、Rubycon（红宝石）、SANYO三洋、TAIYO YUDEN太诱、TDK、TK东信韩国：SAMSUNG三星、SAMWHA三和、SAMYOUNG 三莹台湾：CAPSUN、CAPXON（丰宾）凯普松、Chocon、Choyo、ELITE金山、EVERCON、EYANG宇阳、GEMCON至美、GSC杰商、G-Luxon世昕、HEC禾伸堂、HERMEI合美电机、JACKCON融欣、JPCON正邦、LELON立隆、LTEC辉城、OST奥斯特、SACON 士康、SUSCON 冠佐、TAICON台康、TEAPO智宝、WALSIN华新科、YAGEO国巨香港：FUJICON富之光、SAMXON万裕中国：AiSHi艾华科技、Chang常州华威电子、FCON深圳金富康、FH广东风华、HEC东阳光、JIANGHAI南通江海、JICON 吉光电子、LM佛山利明、R.M佛山三水日明电子、Rukycon海丰三力、Sancon 海门三鑫、SEACON深圳鑫龙茂电子、SHENGDA扬州升达、TAI-TECH台庆、TF南通同飞、TEAMYOUNG天扬、QIFA奇发电子 电感： 美国：AEM、AVX、Coilcraft线艺、Pulse普思、VISHAY威世德国：EPCOS、WE 日本：KOA兴亚、muRata村田、Panasonic松下、sumida胜美达、TAIYO YUDEN 太诱、TDK、TOKO、TOREX特瑞仕台湾：CHILISIN奇力新、https://www.doczj.com/doc/bc8413316.html,yers美磊、TAI-TECH台庆、TOKEN德键、VIKING光颉、WALSIN华新科、YAGEO国巨中国：Gausstek丰晶、GLE格莱尔、FH风华、CODACA科达嘉、Sunlord顺络、紫泰荆、肇庆英达 2、请解释电阻、电容、电感封装的含义：0402、060 3、0805。 表示的是尺寸参数。 0402:40*20mil；0603:60*30mil；0805:80*50mil。
识别晶体三极管（理实一体）---理论基础知识部分教学设计
三极管类型、三极管的三种工作状态及其条件 教学方法 情境引入法、启发式提问讲授法 教学准备 备学生、备课、备教材、备器材(万用表、三极管) 多媒体以及多媒体课件 课时分配 1课时 授课班级 12级汽修１、2、3、７班 授课时间 2013年5月 板书设计 教学任务内容及过程 【理论讲授】 一、情景导入（5分钟）： 图1 扩音器结构示意图 如图1所示扩音器：话筒是将声音信号转换为电信号，经放大电路放大后，变成大功率的电 晶体三极管 结构 类型 材料 特点 工作状态 （及条件） 三个电极基极b 、集电极c 、发射极e 2个PN 结：集电结、发射结，3个区：基区接b 极、集 电区接c 极、发射区接e 极。（绘图讲解） 1、按结构分PNP 、NPN 型； 2、按功率分大、中、小型； 3、按频率分低、中、高频；4按材料分硅、锗型等 三极管材料：硅、锗材料（加入微量杂质P 、Be 元素） 1、放大状态（Vc>Vb>Ve ）； 2、截止状态（Ve>Vb,Vc>Vb ）； 3、饱和导通状态,（Uce 近似为0v ）。
本次任务学习三极管的结构、类型及分类方法。 二、讲授新课内容（25分钟）： 半导体三极管也称晶体三极管，是汽车电子点火系统等电工电子电路中最重要的电子元器件之一。它主要的功能是电流放大和开关作用，配合其他元器件还可以构成振荡电路。 1、三极管外形，如图2所示。 特点：有三个电极，故称三极管。 2、三极管内部结构： 在一块极薄的硅或锗材料的半导体基片上，经过特殊的工艺加工，制造出两个PN结，这两块PN结将整个半导体基片分为3个区域：集电区，基区和发射区。如图3所示。 其中：基区相对很薄，集电区面积很大，发射区载流子的掺杂浓度很高。对应着三个区分别引出三个电极；即：基极，集电极和发射极。分别用英文字母b,c和e来表示,也可以用大写字母表示基极B、发射极C、集电极E。 三极管是由两个PN结组成的。我们把基极和发射极之间的PN结称作发射结，基极和集电极之间的PN结称作集电结。 NPN型符号 NPN结构简图 PNP符号 PNP结构简图 图4 三极管符号、结构简图 图3 三极管的结构图 图 2 三极管外形
二极管 表示符号:D 变容二极管 表示符号:D 双向触发二极管 表示符号:D 稳压二极管 表示符号:ZD,D 稳压二极管 表示符号:ZD,D 隧道二极管 隧道二极管光敏二极管或光电接收二极 管 发光二极管 表示符号：LED 双色发光二极管 表示符号：LED
光敏三极管或光电接收三极管表示符号：Q,VT 单结晶体管（双基极二极管） 表示符号：Q,VT 复合三极管 表示符号：Q,VT NPN型三极管 表示符号：Q,VT PNP型三极管表示符号：Q,VT PNP型三极管 表示符号：Q,VT NPN型三极管 表示符号：Q,VT 带阻尼二极管NPN型三极管 表示符号：Q,VT 带阻尼二极管及电阻NPN型 三极管 表示符号：Q,VT IGBT 场效应管 表示符号：Q,VT 带阻尼二极管IGBT 场效应 管 表示符号：Q,VT
接面型场效应管P-JFET 接面型场效应管N-JFET 场效应管增强型P-MOS 场效应管增强型N-MOS 场效应管耗尽型P-MOS 场效应管耗尽型N-MOS 电阻电阻器或固定电阻表 示符号：R 电阻电阻器或固定电阻表 示符号：R 电位器 表示符号:VR，RP,W 可调电阻 表示符号:VR，RP,W 电位器 表示符号:VR，RP,W 可调电阻 表示符号:VR，RP,W 三脚消磁电阻表示符号：RT 二脚消磁电阻 表示符号：RT 压敏电阻 表示符号：RZ,VAR 热敏电阻 表示符号：RT
光敏电阻CDS 电容（有极性电容） 表示符号： 电容（有极性电容） 表示符号：C 可调电容 表示符号：C 电容（无极性电容）表示符号：C 四端光电光电耦合器 表示符号：IC，N 六端光电光电耦合器 表示符号：IC，N 单向可控硅(晶闸管) 双向可控硅(晶闸管) 双向可控硅(晶闸管) 晶振石英晶体振荡器 表示符号：X
晶体三极管与单级低频小信号放大器 章节练习（2015.6） 一、判断题（对的打“√”，错的打“×” ） 1、为使三极管处于放大工作状态，其发射结应加反向电压，集电结应加正向电压；（ ） 2、无论是哪种三极管，当处于放大工作状态时，b 极电位总是高于e 极电位，c 极电位也总是高于b 极电位；（ ） 3、三极管的发射区和集电区是由同一种类半导体（N 型或P 型）构成的，所以e 极和c 极可以互换使用；（ ） 4、三极管的穿透电流I CEO 的大小不随温度而变化；（ ） 5、三极管的电流放大系数β随温度的变化而变化，温度升高，β减小；（ ） 6、对于NPN 型三极管，当V BE ﹥0时，V BE ﹥V CE ，则该管的工作状态是饱和状态；（ ） 7、已知某三极管的发射极电流I E ＝1.36mA ，集电极电流I C ＝1.33mA ，则基极电流I B ＝30μA ；（ ） 8、某三极管的I B ＝10μA 时，I C ＝0.44mA ；当I B ＝20μA 时，I C ＝0.89mA ，则它的电流放大系数β＝45； 9、三极管无论工作在何种工作状态，电流I E ＝I B ＋I C ＝（1＋β）I B 总是成立；（ ） 10、由于三极管的核心是两个互相联系的PN 结，因此可以用两个背靠背连接的二极管替换；（ ） 11、三极管是一种电流控制器件；（ ） 12、同一只三极管的β和β数值上很接近，在应用时可相互代替；（ ） 13、共发射极放大器的输出电压信号和输入电压信号反相；（ ） 14、交流放大电路之所以能实现小信号放大，是由于三极管提供了较大的输出信号能量；（ ） 15、放大器的静态工作点一经设定后，不会受外界因素的影响；（ ） 16、在单管放大电路中，若V G 不变，只要改变集电极电阻R C 的值就可改变集电极电流I C 的值；（ ） 17、三极管放大电路工作时，电路中同时存在直流分量和交流分量，直流分量用来表示静态工作点，交流分量用来表示信号的变化情况；（ ） 二、选择题 1、万用表测得一PNP 型三极管三极电位分别有V C =3.3V ，V E =3V ，V B =3.7V ，则该管工作在（ ） A ．饱和区 B ．截止区 C ．放大区 D ．击穿区 2、测得某三极管三个极在放大电路中的对地电压分别为6V 、4V 、3.3V ， 则该三极管是（ ） A ．硅材料的NPN 管 B ．硅材料的PNP 管 C ．锗材料的NPN 管 D ．锗材料的PNP 管 3、三极管放大器设置合适的静态工作点，以保证放大信号时，三极管（ ） A ．发射结为反向偏置 B ．集电结为正向偏置 C ．始终工作在放大区 4、在共发射极单管低频电压放大电路中，输出电压可表示为（ ） A ．0c c v i R = B ．0c c v i R =- C ．0c c v I R = D ．0c c v I R =-
三极管的基本知识讲解 三极管的初步认识 三极管是一种很常用的控制和驱动器件，在数字电路和模拟电路中都有大量的应用，常用的三极管根据材料分有硅管和锗管两种，原理相同，压降略有不同，硅管用的较普遍，而锗管应用较少，以下以硅管为例进行讲解。三极管有2 种类型，分别是PNP 型和NPN 型。先来认识一下，如下图所示。三极管一共有3 个极，横向左侧的引脚叫做基极(base)，中间有一个箭头，一头连接基极，另外一头连接的是发射极 e(emitter)，剩下的一个引脚就是集电极c(collector)。 三极管的原理 三极管有截止、放大、饱和三种工作状态。放大状态主要应用于模拟电路中，且用法和计算方法也比较复杂，我们暂时用不到。而数字电路主要使用的是三极管的开关特性，只用到了截止与饱和两种状态，所以我们也只来讲解这两种用法。三极管的类型和用法有个总结：箭头朝内PNP，箭头朝外NPN，导通电压顺箭头过，电压导通，
电流控制。三极管的用法特点，关键点在于b 极（基极）和e 级（发射极）之间的电压情况，对于PNP 而言，e 极电压只要高于b 级0.7V以上（硅三极管的PN 结道导通电压，如果是锗三极管，这个电压大概为0.3V），这个三极管e 级和c 级之间就可以顺利导通。也就是说，控制端在b 和e 之间，被控制端是e 和c 之间。同理，NPN 型三极管的导通电压是b 极比e 极高0.7V，总之是箭头的始端比末端高0.7V就可以导通三极管的e 极和c 极。这就是关于“导通电压顺箭头过，电压导通”的解释。 三极管的用法 以上图为例介绍一下三极管的用法。三极管基极通过一个10K 的电阻接到了单片机的一个IO口上，假定是P1.0，发射极直接接到5V 的电源上，集电极接了一个LED 小灯，并且串联了一个1K 的限流电阻最终接到了电源负极GND 上。如果P1.0 由我们的程序给一个高电平1，那么基极b 和发射极e 都是5V，也就是说e到b 不会产生一个0.7V 的压降，这个时候，发射极和集电极也就不会导通，那么竖着看这个电路在三极管处是断开的，没有电流通过，LED2 小灯也就不会亮。如果程序给
电子元器件基础知识常用电子元件入门知识 阅读：2280次?来源：网络媒体??我要评论? 摘要：电子元器件包括：电阻、电容器、电位器、电子管、散热器、机电元件、连接器、半导体分立器件、电声器件、激光器件、电子显示器件、光电器件、传感器、电源、开关、微特电机、电子变压器、继电器、印制电路板、集成电路、各类电路、压电、晶体、石英、陶瓷磁性材料、印刷电路用基材基板、电子功能工艺专用材料、电子胶（带）制品、电子化学材料及部品等。 电子元器件基础知识常用电子元件入门知识 1．电阻 （1）电阻的作用和外形 电阻在电路中的主要作用是降压、限流、分流、分压和作偏置元件使用。电阻在电路中对低频交流电和直流电的阻碍作用是一样的，用字母R来表示。 电阻的外形如下图所示（图3-1）。 （2）电阻的命名 电阻的型号由四部分组成，其命名方式如下（图3-2）表示:
例如：RH42为：R代表电阻器，H为合成碳膜，4为高电阻，2为序号，意义为高电阻合成碳膜电阻，编号为2。 （3）电阻的识别 电阻的常用单位有欧姆（Ω）、千欧（KΩ）、兆欧（MΩ）等。它们之间的关系是：1兆欧=1000千欧、一千欧=1000欧。电阻的标识方法有直标法和色环法。 ①在生产时直接将电阻阻值的大小印制在电阻器上，如图3-3：
②电阻阻值的大小通过色环来表示，一般有4道或5道色环。4道色环的含义，其中第一道和第二道色环表示2位有效数字，第三道色环表示倍数，第四道色环表示误差等级。5道色环的含义，其中第一道、第二道、第三道环表示3位有效数字，第四道环表示倍数，第五道环表示误差等级（如图3-4）。 色环一般采用棕、红、橙、黄、绿、蓝、紫、灰、白、黑、金、银色来表示，各颜色的含义如下表：
电子元器件 一、电阻器 电阻，用字母R表示，它是导体的一种基本性质，与导体的 尺寸、材料、温度有关。电阻的基本单位是欧姆，用希腊字母“Ω”表示，单位有：Ω、kΩ、MΩ。 电阻器的种类通常分为三大类：固定电阻，可变电阻，特种 电阻（光敏电阻、热敏电阻、压敏电阻、湿敏电阻等） 1、固定电阻器
电阻的标识： 标称值的表示方法：直标法、色标法、文字符号法、数码表示法。 （1）直标法： 直标法在电阻体上直接用数字标出标注阻值和允许的偏差 （2）色标法：
电阻有4环电阻和五环电阻。4环电阻，一般是碳膜电阻，
用３个色环来表示阻值，用１个色环表示误差。５环电阻一般是金属膜电阻，用４个色环表示阻值，另一个色环表示误差。对于四环电阻，前二环代表有效值，第三环代表乘上的次方数。列：一个色环电阻，找出金色或银色的一端，并将它朝下，从头开始读色环。例如第一环是棕色的，第二环是黑色的，第三环是红色的，第四环是金色的，那么它的电阻值是1、0，第三环是添零的个数，这个电阻添2个零，所以它的实际阻值是1000Ω，即1kΩ。 颜色有效数 字 乘数 允许偏 差 黑 色 010的0次方 棕 色 110的1次方+/-1% 红 色 210的2次方+/-2% 橙 色 310的3次方----- 黄 色 410的4次方----- 绿色510的5次方 +/- 0.5% 蓝色610的6次方 +/- 0.2% 紫色710的7次方 +/- 0.1%
灰 810的8次方-----色 白 910的9次方+5~-20%色 无 ----------+/-20%色 银 ----------+/-10%色 金 ----------+/-5%色 注意：在读色环时从电阻器引脚离色环最近的一端读起。 （3）文字符号法： 文字符号法是将元件的标称值和允许偏差用阿拉伯数字和文字符号组合起来标志在元器件上。注意常用电阻器的单位符号R作为小数点的位置标志。例如：R56=0.56.1R5=1.5 （4）数码表示法：
电子元件基础知识培训 一、电阻 1、电阻的外观、形状如下图示： 2、电阻在底板上用字母R （Ω）表示、图形如下表示： 从结构分有：固定电阻器和可变电阻器 3、电阻的分类： 从材料分有：碳膜电阻器、金属膜电阻器、线绕电阻器、热敏电阻等 从功率分有：1/16W 、1/8W 、1/4W(常用)、1/2W 、1W 、2W 、3W 等 4、电阻和单位及换算：1M Ω(兆欧姆)＝1000K Ω（千欧姆）＝1000'000Ω(欧姆) 一种用数字直接表示出来 5电阻阻值大小的标示 四道色环电阻 其中均有一 一种用颜色作代码间接表示 五道色环电阻 道色环为误 六道色环电阻 差值色环 四道色环电阻的识别方法如下图 五道色环电阻的识别方法如下图 常用四道色环电阻的误差值色环颜色 常用五道色环电阻的误差值色是 是金色或银色，即误差值色环为第四 棕色或红色，即第五道色环就是误 道色环，其反向的第一道色环为第一 差色环，第五道色环与其他色环相 道色环。 隔较疏，如上图，第五道色环的反 向第一道即为第一道色环。 四道色环电阻阻值的计算方法： 阻值＝第一、第二道色环颜色代表的数值×10 即上图电阻的阻值为：33×10＝33Ω（欧姆） 第三道色不订所代表的数值 0
五道色环电阻阻值的计算方法： 阻值＝第一、二、三道色环颜色所代表的数值×10 即上图电阻阻值为：440×10＝4.4Ω（欧姆） 7、电阻的方向性：在底板上插件时不用分方向。 二：电容 1、 电容的外观、形状如下图示： 2、 电容在底板上用字母C 表示，图形如下表示： 从结构上分有：固定电容和可调电容 3电容的分类 有极性电容：电解电容、钽电容 从构造上分有： 无极性电容：云母电容、纸质电容、瓷片电容 4、 电容的标称有容量和耐压之分 电容容量的单位及换算：1F ”(法拉)＝10 u F(微法)＝10 pF （皮法） 5、 电容容量标示如下图： 100uF ∕25V 47uF ∕25V 0.01 uF 0.01uF ∕1KV 0.022uF ∕50V 上图的瓷片电容标示是用103来表示的，其算法如下：10×10＝0.01 uF ＝10000 pF 另电容的耐压表示此电容只能在其标称的电压范围内使用，如超过使用电压范围则会损坏炸裂或失效。 6、 电容的方向性：在使用时有极性电容要分方向，无极性不用分方向。 三、晶体管 （一）晶体二极管 1、晶体二极管外形如下图： 第四道色不订所代表的数值 -2 6 12 3
电子元器件基础知识常用电子元件入门知识 Final revision on November 26, 2020
电子元器件基础知识常用电子元件入门知识 阅读：2280次来源：网络媒体 摘要：电子元器件包括：电阻、电容器、电位器、电子管、散热器、机电元件、连接器、半导体分立器件、电声器件、激光器件、电子显示器件、光电器件、传感器、电源、开关、微特电机、电子变压器、继电器、印制电路板、集成电路、各类电路、压电、晶体、石英、陶瓷磁性材料、印刷电路用基材基板、电子功能工艺专用材料、电子胶（带）制品、电子化学材料及部品等。 电子元器件基础知识常用电子元件入门知识 1．电阻 （1）电阻的作用和外形 电阻在电路中的主要作用是降压、限流、分流、分压和作偏置元件使用。电阻在电路中对低频交流电和直流电的阻碍作用是一样的，用字母R来表示。 电阻的外形如下图所示（图3-1）。 （2）电阻的命名 电阻的型号由四部分组成，其命名方式如下（图3-2）表示: 例如：RH42为：R代表电阻器，H为合成碳膜，4为高电阻，2为序号，意义为高电阻合成碳膜电阻，编号为2。 （3）电阻的识别 电阻的常用单位有欧姆（Ω）、千欧（KΩ）、兆欧（MΩ）等。它们之间的关系是：1兆欧=1000千欧、一千欧=1000欧。电阻的标识方法有直标法和色环法。 ①在生产时直接将电阻阻值的大小印制在电阻器上，如图3-3： ②电阻阻值的大小通过色环来表示，一般有4道或5道色环。4道色环的含义，其中第一道和第二道色环表示2位有效数字，第三道色环表示倍数，第四道色环表示误差等级。5道色环的含义，其中第一道、第二道、第三道环表示3位有效数字，第四道环表示倍数，第五道环表示误差等级（如图3-4）。 色环一般采用棕、红、橙、黄、绿、蓝、紫、灰、白、黑、金、银色来表示，各颜色的含义如下表：
三极管 半导体电子器件，有两个PN结组成，可以对电流起放大作用，有3个引脚，分别为集电极（c)，基极（b)，发射极（e）.有PNP和NPN型两种，以材料分有硅材料和锗材料两种。 编辑本段概念 半导体三极管也称双极型晶体管,晶体三极管,简称三极管,是一种电流控制电流的半导体器件. 作用:把微弱信号放大成辐值较大的电信号, 也用作无触点开关. 编辑本段三极管的分类: a.按材质分: 硅管、锗管 b.按结构分: NPN 、PNP c.按功能分: 开关管、功率管、达林顿管、光敏管等. 编辑本段三极管的主要参数 a. 特征频率fT:当f= fT时,三极管完全失去电流放大功能.如果工作频率大于fT,电路将不正常工作. b. 工作电压/电流:用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围. c. hFE:电流放大倍数. d. VCEO:集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压. e. PCM:最大允许耗散功率. f. 封装形式：指定该管的外观形状,如果其它参数都正确，封装不同将导致组件无法在. 编辑本段判断基极和三极管的类型 先假设三极管的某极为“基极”,将黑表笔接在假设基极上,再将红表笔依次接到其余两个电极上,若两 次测得的电阻都大(约几K到几十K),或者都小(几百至几K),对换表笔重复上述测量,若测得两个阻值相反(都很小或都很大),则可确定假设的基极是正确的,否则另假设一极为“基极”,重复上述测试,以确定基极. 当基极确定后,将黑表笔接基极,红表笔笔接基它两极若测得电阻值都很少,则该三极管为NPN,反之 为PNP. 判断集电极C和发射极E,以NPN为例: 把黑表笔接至假充的集电极C,红表笔接到假设的发射极E,并用手捏住B和C极,读出表头所示C,E 电阻值,然后将红,黑表笔反接重测.若第一次电阻比第二次小,说明原假设成立. 体三极管的结构和类型 晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种， 从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。 发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电极。基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。 三极管的封装形式和管脚识别 常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类，引脚的排列方式具有一定的规律， 底视图位置放置，使三个引脚构成等腰三角形的顶点上，从左向右依次为e b c；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c。
晶体三极管结构与作用 任务目标； 三极管的结构、参数、及作用。 学习目标； 了解三极管的结构、参数、及作用。 晶体管又称三极管或晶体三极管，它的应用十分广泛，是电了电路中应用最重要的主要元件之一。晶体三极管的主要作用是对信号进行放大或者工作在开关状态下对电路进行控制。 1、国产三极管型号的命名 国产三极管的命名及含义
2、日本晶体管型号命名及含义 3、欧洲晶体管型号命名
欧洲晶体管型号命名及含义 欧洲晶体管型号命名及含义 4、三极管的电路符号 三极管的电路符号 电路符号 a) PNP型b) NPN型 晶体三极管有三个电极，分别为;基极“B;，集电极“C"，和发射机“E"，在晶体管的电路符号中有一个带箭头的电极，分别表示三种意义: 1）表示该引脚是发射机; 2）表示该管的极性，箭头向外的表示是NPN管，箭头向里的表示是PNP管; 3）表示该管的电流方向。 5、三极管的种类 1）按材料和极性分:硅材料NPN型与PNP型晶体管和锗材料NPN型与PNP型晶体管。 2）按用途分:高频放大管和低频放大管。 3）按功率分:小功率(500MW}以下、中功率(500M4}3W}和大功率(3W)以上的晶体管。 4）按工作频率分:低频三极管(3MH}以下、高频三极管(3MH}以上和超高频三极管(儿白兆)。 5）按封装形式分:金属封装、玻璃封装和塑料封装的三极管。如图2-75所示。
三极管 6、三极管的结构 三极管的结构 三极管结构示意图 a） NPN型 b）PNP型 它有集电结、发射结和N型半导体，P型半导体构成也就是说它有三层半导体和两个PN结组成。 对于PNP晶体管来说，它是有两块P型半导体和一块N型半导体组成，对于NPN型三极管来说是有两块N型半导体和一块P型半导体组成。 基极与集电极之问的PN结成为集电结，基极与发射极的PN结称为发射结。 7、三极管的工作条件 三极管不是两个PN结简单组合，它表现出与两个单独的PN结绝然不同的特性，这就是三极管最主要的特性即放大作用。所谓放大，就是把微弱的电信号转换成一定强度的电信号。 无论是PNP型还是NPN型三极管，要使它具备放大作用发射结必须加正向电压Ube，集电结必须加高于
常用电子元件基础知识(图解) 一．电容篇 1.电容器俗称电容，我们常用“C”来表示。它是在两个金属电机之间夹了一层电介质构成。所以它具有了存储电荷的能力。所以在理论上，它对直流电流具有隔断的作用，而交流电流则可以通过，随着交流频率越高，它通过电流的能力也越强。一些常用电容器外观见图1。 图(1) 电容在电子线路中也是广泛应用的器件之一。我们多采用它来滤波、隔直、交流耦合、交流旁路等，也用它和电感元件一起组成振荡电路。 2.电容的分类： （1）瓷片电容：体积特别小，高频损耗少，耐高温，价格低廉，容量小普遍应用 （2）涤纶电容：体积小，容量大 （3）电解电容：容量特别大，有极性。 （4）铝电解电容：漏电大，容量不准确。钽电解电容性能好但价格高，耦合、滤波 （5）云母电容：性能稳定，耐高温、高压。高频性能好 （6）纸介电容：体积较小，容量较大、价格低高频性能较差 我们在大多数的电子制作中，经常应用的是瓷片电容和电解电容。 （7）按照结构的不同，我们将容量固定的电容称为固定电容，而可以调节的称为可调或半可调电容。普通收音机选台的就是使用可变电容。 用图2的符号来表示固定电容，用图3的符号来表示半可变电容，图4表示可变电容，图5表示
电解电容：一般容量比较大，从1UF到10000UF都比较常见，它是有正负极之份的电容元件，在使用中正极节高电位端，负极接低电位端，不能够反接。电解电容又分为铝电解、钽电解、铌电解，市面常见的是前两种，其中钽电解常被一些音响发烧友用于音响系统。电解电容我们常用图6的符号表示。 图6：电解电容的标示符号图片 3.电容的主要性能参数： 1、电容标称容量。描述电容容量大小的参数，单位为“法（F）”。在实际应用中，以“法”出现的电容很少见到，我们常用的、常见的是其他拓展单位：“微法”（μF）和“皮法”(pf)，“钠法”（nf）。其单位换算公式： 1F=1,000,000μF (106μF)=1,000,000,000,000pF (1012pF) 1uF=1000nF(103nF) 1nF=1000pF(103pF) 2、耐压。也叫额定工作电压。是指电容规定的温度范围内，它能够长期可靠工作承受的加在它两极的最高电压。又区分为直流工作电压和交流工作电压。这个指标当然是越高越好，在其他性能一样的情况下，高耐压的可以直接替代低耐压的，反之则不能。 3、漏电电阻。电容中的电介质不是绝对绝缘的，当通上直流电的时候，或多或少地会有电流的通过，我们称之为漏电。当漏电情况教大时，电容发热甚至会导致电容损坏。 4.电容的规格标注方法： 我们在实际应用过程中，常常需要对电容的容量和其它参数进行选择。电容的容量标注方法同电阻一样，也是采用直标法（数字直接表示）和色标法两种。但直标法需要注意的是有一些这样的差异：
三极管的初步认识 三极管是一种很常用的控制和驱动器件，在数字电路和模拟电路中都有大量的应用，常用的三极管根据材料分有硅管和锗管两种，原理相同，压降略有不同，硅管用的较普遍，而锗管应用较少，以下以硅管为例进行讲解。三极管有 2 种类型，分别是 PNP 型和 NPN 型。先来认识一下，如下图所示。三极管一共有 3 个极，横向左侧的引脚叫做基极(base)，中间有一个箭头，一头连接基极，另外一头连接的是发射极 e(emitter)，剩下的一个引脚就是集电极 c(collector)。 三极管的原理 三极管有截止、放大、饱和三种工作状态。放大状态主要应用于模拟电路中，且用法和计算方法也比较复杂，我们暂时用不到。而数字电路主要使用的是三极管的开关特性，只用到了截止与饱和两种状态，所以我们也只来讲解这两种用法。三极管的类型和用法有个总结：箭头朝内 PNP，箭头朝外NPN，导通电压顺箭头过，电压导通，电流控制。三极管的用法特点，关键点在于 b 极（基极）和 e 级（发射极）之间的电压情况，对于PNP 而言，e 极电压只要高于 b 级以上（硅三极管的PN结道导通电压，如果是锗三极管，这个电压大概为），这个三极管 e 级和 c 级之间就可以顺利导通。也就是说，控制端在 b 和 e 之间，被控制端是 e 和 c 之间。同理，NPN 型三极管的导通电压是 b 极比 e 极高，总之是箭头的始端比末端高就可以导通三极管的 e 极和 c 极。这就是关于“导通电压顺箭头过，电压导通”的解释。 三极管的用法 以上图为例介绍一下三极管的用法。三极管基极通过一个 10K 的电阻接到了单片机的一个 IO口上，假定是，发射极直接接到 5V 的电源上，集电极接了一个 LED 小灯，并且串联了一个 1K 的限流电阻最终接到了电源负极 GND 上。如果由我们的程序给一个高电平 1，那么基极 b 和发射极 e 都是 5V，也就是说 e到 b 不会产生一个的压降，这个时候，发射极和集电极也就不会导通，那么竖着看这个电路在
第六节常用的元器件半导体三极管 半导体三极管是电子设备的关键器件之一。它对信号具有放大及开关控制作用，也用于振荡、调制等，与电子管比较具有体积小、重量轻、坚固耐震、使用寿命长、耗电省等优点。 6.1 半导体三极管的分类 6.2 半导体三极管的极性判别 6.2.1 管型和管脚排列 6.2.2 管脚判别 （1）根据管脚排列及色点判别。有一种等腰三角形排列，其顶点是基极，有红色点的一边是集电极，另一极为发射极。另一种等腰三角形排列，顶点是基极，管帽边缘凸出的一边为发射极，另一极为集电极。还有一种等腰三角形排列，靠不同的色点来区分。顶点与管壳上的红点标记相对应的为集电极，与白点对应的为基极，与绿点对应的为发射极。有些管子管脚排成一条直线而距离相等，则管壳带红点的一边为发射极，中间为集电极，另一脚为基极，靠里的为基极，另一个为集电极。四个管脚的晶体管，若有四个点色，则红色点对应的是集电极，白色点对应的是基极，绿色点对应的是发射极，黑色点对应的是地线。有些四个管脚的晶体管，管壳带有凸缘，可将管脚朝向自己，则从管壳凸缘开始顺时针方向排列依次为发射极、基极、集电极、地线。对塑封晶体管，可将剖去一个平面或去掉一个角的标记朝向自己，则从
左至右依次依次为发射极、基极、集电极。超小型晶体管，其中一个管脚截去一角为标记，定位发射极，与其垂直的管脚为集电极。另一个管脚为基极。还有一种超小型三极管，将球面向上，管脚朝自己，则从左至右依次是基极、集电极、和发射极。以上均可参见图1-23。 （2）用万用表判别。目前晶体管的品种繁多，一般都可以用万用表判别管脚。其依据是：NPN型管子基极到发射极和基极到集电极均为PN结的正向，而PNP型管子基极到发射极和基极到集电极均为PN结反 向。 首先判别管子的基极。将万用表拨 在R*100或R*1k档上，用黑表棒 接触某一管脚，用红表棒分别接触 另两个管脚，如表头读数都很小 （约几千欧），则与黑表棒接触的那一管脚是基极，同时可知此管子为NPN型。若用红表棒接触某一管脚，而用黑表棒分别接触另两个管脚，表头读数同样都很小（约几百欧）时，则与红表棒接触的那一管脚是基极，同时可知此管子为PNP 型。用上述方法既判定了晶体管的基极，又判别了管子的类型。 接着判别发射极和集电极。以NPN型管子为例，确定基极后，假定其余的两只脚中的一只是集电极，将黑表棒接在此脚
电阻器和电容器 电阻器和电容器简称为阻容元件，在各类电子元器件中，它们是生产量最大，使用范围最广 的一类元件。 （一）电阻器（元件符号R） 我们平常在工作中所说的电阻其实是电阻器。 电阻器是一种具有一定阻值，一定几何形状，一定性能参数，在电路中起电阻作用的实体元件。在电路中，它的主要作用是稳定和调节电路中的电流和电压，作为分流器、分压器和消 耗电能的负载使用。 大部分电阻器的引出线为轴向引线，一小部分为径向引线，为了适应现代表面组装技术 （SMT ）的需要，还有“无引出线”的片状电阻器（或叫无脚零件），片状电阻器像米粒般 大小、扁平的，一般用自动贴片机摆放，我们公司的SMT机房里面就有。电阻器是非极性 元件，电阻器的阻值可在元件体通过色环或工程编码来鉴别。 种类： 我们常见的电阻器有下列几种： （1）金属膜电阻器（2）碳膜电阻器 （3）线绕电阻器（4）电位器 （5）电阻网络器（6）热敏电阻器 不同的电阻器，不仅其电阻值不同，功能也不一样，所以不同的电阻器是不可以随便替代的。 2.电阻的单位是欧姆（Q ）,千欧（K Q ）,兆欧（M Q）o 它们的换算公式为106Q =1M Q =103K Q 注意：若在元件体的一端有一宽的银色环，则此元件不是电阻，是电感器，如果这种银色环 与元件体上其它色环宽度相同，则还是电阻。 5 .电阻器的标识方法 （1 ）色环法：目前国标上普遍流行色环标识电阻，色环在电阻器上有不同的含义，它具有简单、直观、方便等特点。色环电阻中最常见的是四环电阻和五环电阻。 四环电阻（碳膜电阻） 第一道色环印在电阻的金属帽上，表示电阻有效数字的最高位，也表示电阻值色标法读数的 方向，第二道色环表示有效数字的次高位，第三道色环表示相乘的倍率，第四环表示误差。 金色为土5%,银色为土10%。 值得注意的是：第四环的位置国内外的标法有异，国外有此厂家把第四环也标在另一端的金属 帽上,遇此情况切记：金色或银色的一端不是第一环。第一环是离元件体端部最近的一环。 例：某电阻的色环依次为“黄、紫、红、银”，则该电阻的阻值为4700 Q =4.7K Q,误差为
电子元器件基础知识: 电子元器件基础知识、电子专业英语术语、模拟术语表 电子元器件基础知识 一、电阻 电阻在电路中用“R”加数字表示，如：R1表示编号为1的电阻。电阻在电路中的主要作用为：分流、限流、分压、偏置等。 1、参数识别：电阻的单位为欧姆（Ω），倍率单位有：千欧（KΩ），兆欧（MΩ）等。换算方法是：1兆欧=1000千欧=1000000欧 电阻的参数标注方法有3种，即直标法、色标法和数标法。 a、数标法主要用于贴片等小体积的电路，如：472 表示 47×100Ω（即4.7K）；104则表示100K b、色环标注法使用最多，现举例如下： 四色环电阻五色环电阻（精密电阻） 2、电阻的色标位置和倍率关系如下表所示： 颜色有效数字倍率允许偏差（%） 银色 / x0.01 ±10 金色 / x0.1 ±5 黑色 0 +0 / 棕色 1 x10 ±1 红色 2 x100 ±2 橙色 3 x1000 / 黄色 4 x10000 / 绿色 5 x100000 ±0.5 蓝色 6 x1000000 ±0.2 紫色 7 x10000000 ±0.1 灰色 / x100000000 / 白色 9 x1000000000 / 二、电容 1、电容在电路中一般用“C”加数字表示（如C13表示编号为13的电容）。电容是由两片金属膜紧靠，中间用绝缘材料隔开而组成的元件。电容的特性主要是隔直流通交流。 电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小，电容对交流信号的阻碍作用称为容抗，它与交流信号的频率和电容量有关。 容抗XC=1/2πf c (f表示交流信号的频率，C表示电容容量)电话机中常用电容的种类有电解电容、瓷片电容、贴片电容、独石电容、钽电容和涤纶电容等。 2、识别方法：电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。电容的基本单位用法拉（F）表示，其它单位 还有：毫法（mF）、微法（uF）、纳法（nF）、皮法（pF）。其中：1法拉=103毫法=106微法=109纳法=1012皮法 容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10 uF/16V 容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示 字母表示法：1m=1000 uF 1P2=1.2PF 1n=1000PF 数字表示法：一般用三位数字表示容量大小，前两位表示有效数字，第三位数字是倍率。如：102表示10×102PF=1000PF 224表示22×104PF=0.22 uF