1.什么是差动放大电路？什么是差模信号？什么是共模信号？差动放大器对差模信号和共模信
号分别起什么作用？
差动放大电路是把两个输入信号分别输入到运算放大器的同相和反相输入端，然后在输出端取出两个信号的差模成分，而尽量抑制两个信号的共模成分的电路。
共模信号：双端输入时，两个大小相同，极性相同的信号。
差模信号：双端输入时，两个大小相等，极性相反的信号。
对差模输入信号的放大作用、对共模输入信号的抑制作用
2.集成运放有哪几部分组成？各部分的典型电路分别是什么？
输入级、中间级、输出级、偏置电路四大部分组成
输入级的典型电路是差动放大电路, 利用它的电路对称性可提高整个电路的性能，减小温漂；
中间级的典型电路是电平位移电路, 将电平移动到地电平，满足零输入时零输出的要求；
输出级的典型电路是互补推挽输出放大电路，使输出级输出以零电平为中心，并能与中间电压放大级和负载进行匹配；
偏置电路典型电路是电流源电路，给各级电路提供合适的静态工作点、所需的电压
3.共模抑制比的定义？
集成运放工作于线性区时，其差模电压增益Aud与共模电压增益Auc之比
4.集成运放的主要直流参数：
输入失调电压Uos、输入失调电压的温度系数△Uos/△T、输入偏置电流、输入失调电流、差模开环直流电压增益、共模抑制比、电源电压抑制比、输出峰--峰电压、最大共模输入电压、最大差模输入电压
5.集成运放主要交流参数：
开环带宽、单位增益带宽、转换速率、全功率带宽、建立时间、等效输入噪声电压、差模
输入阻抗、共模输入阻抗、输出阻抗。
6.理想集成运放的基本条件。
1.差模电压增益为无穷大
2.输入电阻为无穷大
3.输出电阻为0
4.共模抑制比CMRR为无穷
大5.转换速率为无穷大即Sr=00 6.具有无限宽的频带7.失调电压·失调电流极其温漂均为
0 8.干扰和噪声均为0
7.理想集成运放的两个基本特性：虚短和虚断。代表的实际物理意义。
其实，虚短和虚断的原因只有一个，那就是：输入端输入电阻无穷大。
虚短：集成运放两输入端的电位相等。
集成运放的两个输入端好像短路，但不是真正的短路，所以成为虚短，只有集成运放工作于线性状态时，才存在虚短
虚断：集成运放两输入端的输入电流为零。
由于集成运放输入电阻为无穷大，不可能吸收任何电流，就像输入端被剪断了，跟断路了一样。但是绝对不是真的断路，这大概就是虚断的由来。
1. 集成运放的线性电路包含哪些？非线性电路又包含哪些？
线性电路包括：模拟集成电路的基本放大电路（反相放大器，同相放大器，差动放大器）积分电路，微分电路。
非线性电路包括：对数器和指数器，乘法器，二极管检波器和绝对值变换器，限幅器，二极管函数变换器，电压比较器
1. 什么是反相放大器？如何计算其输入电阻？放大比例？以及其电路图？ 输入电压和输出电压的相位相反。
2. 什么是同相放大器？如何计算其输入电阻？放大比例？以及其电路图？ 输入电压与输出电压极性相同。
3. 什么是反相加法器？放大比例？以及其电路图？ 输出电压与输入电压的极性相反。
试分析图1所示电路是什么电路，有何特点？图中设
3
4
21R R R R =
。
（图1）
解：第一级运放为同相放大器。对A 1：由“虚断”和“虚短”得 i 1=i 2，v -1=v +1=u 1i ，
则u 1i =
1211R R R u o +，即11
21)1(i o u R R
u +=，
对A 2：由“虚断”和“虚短”得 i 3=i 4，v -2=v +2=u 2i ， 则
4
2321R u u R u u o
i i o -=-，即1342
34)1(o i o u R R u R R u -+= 代入u 1o 得))(1(
123
4
i i o u u R R u -+=， 因两个输入信号均从同相端输入，所以输入阻抗比较高。该电路为高输入阻抗的差动放大器。 电压比较的原理及其分类?
两个模拟电压比较，一个是待比较的模拟信号，另一个是门限电压或参考电压，他的比较结果是高低电平，即数字信号p92 单限电压比较器 迟滞电压比较器 窗口电压比较器 4. 单电压比较器的优缺点？
电路简单，灵敏度高。但是抗干扰性差，如果Ui 的值恰好在门限电平附近的话，输出电压Uo 会由于温漂或外界的干扰而不断在高低电平间跳跃，对于系统极其不利
5. 迟滞电压比较器原理及其分析方法。如何计算支持电压比较器的门限宽度？p95
具有正反馈电路，从而获得迟滞性，同时也加速了比较器的转换过程。上门限电位和下门限电位，两者之差为门限宽度。 迟滞电压比较器也可理解为加正反馈的单限电压比较器 6. 什么是上行特性？什么是下行特性？
输入信号从反相端输入的为下行特性，输入信号从同相端输入的为上行特性 7. 什么是窗口电压比较器？p97
有上下两个门限电位，二者之差为门限宽度，门限宽度为一种逻辑电平，门限宽度外又为另一种逻辑电平
求图3所示电路的增益A f ，并说明该电路完成什么功能。
解：该电路由两个集成运放构成，A1为主放大器接成反相运算放大器，A2为辅助放大器，A2也接成反相放大器，利用A2对A1构成正反馈，是整个电路向信号源索取的电流极少。 主放大器A 1：由“虚断”和“虚短”得
2
1R u R u o i -=
,则A f =121o o i i u u R
u u R ===-
辅助放大器A2的电压放大倍数：221222
2o o VF i o
u u R
A u u R =
==- 该电路为自举电路，目的是提高电路的输入电阻。 由1i i
i i U U R I I I
==- 由
12i o U U R R =-和321
2o U U
R R =-得32i U U = 所以 1i i
i U U I R R
=- 因此1
1
i i i U RR R I R R =
=- 当1R R =时，i R →∞，1I I =
求图4所示电路输出电压与输入电压的表达式，并说明该电路完成什么功能。
解：对A 1：由“虚断”和“虚短”得
R
u R u o i 1
1-=，即u 1o =-u 1i 。A 1为倒相器 对A 2：由“虚断”和“虚短”得
f o
i o R u R u R u -=+2211则u o =)(2211i f o f u R R u R R +-，A 2为反相放大器
将u 1o =-u 1i 代入上式得u o =22
11
i f i f u R R u R R -
故该电路为减法电路。 1. 什么是函数发生器？
函数发生器是一种多波形的信号源。它可以产生正弦波、方波、三角波、锯齿波，甚至任意波形。有的函数发生器还具有调制的功能，可以进行调幅、调频、调相、脉宽调制和VCO 控制。 1. 滤波器的分类。按元件分：有源，无源，瓷，晶体，机械，锁相环，开关电容 按信号处理方式：模拟、数字 按通频带分：低通、高通、带通、带阻 2. 集成有源滤波器的特点？
1．在制作截止频率或中心频率低的滤波器时，可做到体积小重量轻成本低 2.无须阻抗匹配 3.可方便制作截止频率或中心频率连续可调的滤波器 4.采用集成电路，受环境因素的影响小 5.受电磁干扰影响小
6．实现滤波的同时，可得到一定的增益
7.若使用电位器，可变电容器等，可使滤波器的精度达到百分之0.5
8.采用集成电路，可避免个滤波节之间的负载效应而使滤波器的设计和计算大大简化，且易于
进行电路调试
3. 高通/低通/带通/带阻滤波器的定义？传输函数?幅频特性？ 高通：滤除低频信号，使高频成分通过 低通：滤除高频信号，使低频成分通过
带阻：阻滤波器是指能通过大多数频率分量、但将某些围的频率
分量衰减到极低水平的滤波器
如图6所示电路为积分反馈式微分电路，试分析此电路的工作原理，并写出传递函数的表达式。
解：对A 1：由“虚断”得 v -1=v +1
由“虚短”得
2
111R u v R v u o i -=
---，4
1234o R v u R R +=+ 又R 3=R 1，R 4=R 2 整理得2
21
()(()())o o i R u s u s u s R =
- 对A 2：由“虚断”和“虚短”得
2()
1()o o u s u s SC R
=-
代入上式得
()2
12()A s ()o i u s R u s R R SCR
=
=-+ A 1为差动放大器，A 2以A 1的输出
为反相输入，经过积分放大后的输出电压在电阻R 4 上的分压作为A 1放大器的同相输入。
试分析如图3所示电路输出电压与输入电压之间的关系，并说明此电路在什么条件下能完成全波整流功能，此电路有什么特点？
(习题3.7图)
解：对A 1：u i ≥0时，u -=u +=u i , VD 2导通，VD 1截止 , u 1o =u i
对A 2：u -=u +=u i 故流过R 2f 的电流为零，故u o =u i
当u
i <0时，VD
2
截止,VD
1
导通,
对A
1：u
1o
=(1+
1
1
R
R
f
)u
i
, 对A
2
：u
-
=u
+
=u
i
，
2
2
1
f
i
o
o
i
R
u
u
R
u
u-
=
-
此时u
o
=
2
1
R
（R
2
+R
2f
-
-
1
1
R
R
f1）u
i
当
2
1
R
（R
2
+R
2f2
2
1
1
f
f
f R
R
R
R
-
-）=-1时，完成全波整流功能；由于为同相输入，故该电路输入电阻较高。
3.8 设计一个能实现图4所示曲线的二极管函数变换器。
（习题3.8图）
解：设计图为：（可参考课本P
88
页）
1、讨论集成运放稳定性与闭环增益的关系，并简述相位补偿的方法。 由于运放电路是一个多极点高增益放大器，且一般都工作在闭环状态，所以在实际应用中有时会出现自激振荡，而使运放电路不能正常工作。 产生自激振荡的条件：A(j ω)F(j ω)=－1 其中幅值条件： A(j ω)F(j ω)=1 相位条件：()()0F 2n φωφωππ +=±± 只有同时满足幅值条件和相位条件，运放才会产生自激振荡，只满足其中条件之一，运放不会产生自激振荡。要使集成运放在闭环下能稳定地工作，就必须破坏产生自激振荡的两个条件或两个条件之一。所以运放电路闭环稳定工作的条件应为 ()()A .F 1ωω≥时，相移φπ<± 相移φπ=±时，()()A .F 1 ωω< 单极点集成运放最大相移为0 90-，所以单极点运放电路在任何反馈深度下都不会产生自激振荡。对于两个极点的集成运放，只有在频率f →∞时，相移才能达到0180-，而此时增益d A 0→，也不会满足自激振荡的振幅条件，所以也不会产生自激振荡，但由于集成运放中分布电容的影响，对于两个极点的运放电路也有可能产生自激振荡。对于三个极点的 运放电路，其最大相移为0 270-，其幅频特性和相频特性曲线如图1所示。 图1 三极点放大器频率特性
假设环路增益是与频率无关的常数，则环路增一为d A F ，取对数后为 d 120lg A 20lg F ?? - ? ?? 其中，d 20lg A 是开环增益频率特性曲线，120lg F ?? ??? 是反馈曲线。 当负反馈系数m F F =时，反馈曲线为M ，当环路增益为0dB 时，开环频率特性曲线与反馈曲线M 相交于m 点。在m 点，环路增益为1，满足自激振荡的幅度条件，m 点对应的频率为如为m f ，相应的相移为0 m 180φ<，不满足自激振荡的相位条件，既当反馈系数m F F =时，满足闭环稳定条件，所以运放电路工作是稳定的。 当增加负反馈深度时，反馈系数s F F =时，这时120lg F ?? ??? 将减小，反馈曲线M 变为曲线S ，曲线S 与开环频率特性曲线相交于s 点，设s 点对应的频率为s f ，如果当s f f =时， 相移0 180φ=，这时就同时满足了自激振荡的两个条件，运放电路在闭环时工作是不稳定的。 当在增加负反馈深度时，反馈系数n F F =时，这时120lg F ?? ??? 将会更小，反馈曲线S 变为N ，在反馈曲线N 上，总可以找到相移0 180φ=时的频率s f ，当s f f =时，这时既满足 自激振荡的幅度条件，又满足自激振荡的相位条件，所以当反馈系数n F F =时，运放电路闭环更不稳定。 由以上分析可知，集成运放反馈越深，既闭环增益越小，越容易产生自激振荡。 相位补偿的作用是用补偿网络来改变集成运放开环的频响特性，以增加负反馈放大器的相位余量。相位补偿的方法有滞后相位补偿、超前相位补偿。滞后相位补偿是通过相位补偿网络使放大器开环增益的附加相移进一步滞后。常用的滞后相位补偿的方法有：简单电容补偿、电阻电容串联补偿、密勒电容补偿等。它们的共同点是压低第一个转折频率，结果使反馈放大器的上限频率受影响，这是用牺牲带宽换取放大器闭环工作的稳定性。超前补偿则是在不压低第一转折频率的前提下，设法引入一个超前相移的零点频率，这样既扩大了 20dB/10oct -的范围，又有效地扩展了反馈放大器的上限频率，也就扩大了反馈放大区的 稳定工作范围。因为补偿后，第二个转折频率推迟出现，所以比未补偿时相位超前，故称为
集成电路原理及应用（第2版）谭博学苗汇静主编 课后习题答案 第二章 模拟集成电路的线性应用 对 A 2 :由"虚断”和"虚短”得 i 3=i 4， v 2_=v 2 - =u i2， 代入 U o1 得U 。哙呱…）， 2.11 求图3所示电路的增益A f ，并说明该电路完成什么功能 则 u i1 = U 01 R 1 R 2 R 2 R 1 ，即 u o-(1 K )u i1 ， 则 U 。1 -U i2 R 3 U i2 -U o R 4 R 3 因两个输入信号均从同相端输入, 所以输入阻抗比较高。该电路为高输入阻抗的差动放 2.9 试分析图1所示电路是什么电路，有何特点？图中设 解：第一级运放为同相放大器。对 A 1 :由"虚断”和"虚短”得 i 1 =i 2， v^=v 1. =u ， 1)U i2 - U o1
解：该电路由两个集成运放构成， A1为主放大器接成反相运算放大器， A2为辅助放大器, A2也接成反相放大器，利用 A2对A1构成正反馈，是整个电路向信号源索取的电流极少。 主放大器A 1 :由“虚断”和“虚短”得 R i U i I i u i 01 u 。 R 2 R i R 2 u i u i 辅助放大器A2的电压放大倍数: o2 u o2 2R 1 该电路为自举电路, U i U i U i R i I i I i - I R 2 R 2 U i U i u i2 u 。 R 2 目的是提高电路的输入电阻。 2R 得 U^2U i RR
当 R = R 1 时，R t 2.12 求图4所示电路输出电压与输入电压的表达式，并说明该电路完成什么 功能 i1 -u o1 ，即u o1 =-u i1 。A 1为倒相器 解：对A 1 :由
实验报告 课程名称：集成电路原理 实验名称： CMOS模拟集成电路设计与仿真 小组成员： 实验地点：科技实验大楼606 实验时间： 2017年6月12日 2017年6月12日 微电子与固体电子学院
一、实验名称：CMOS模拟集成电路设计与仿真 二、实验学时：4 三、实验原理 1、转换速率（SR）：也称压摆率，单位是V/μs。运放接成闭环条件下，将一个阶跃信号输入到运放的输入端，从运放的输出端测得运放的输出上升速率。 2、开环增益：当放大器中没有加入负反馈电路时的放大增益称为开环增益。 3、增益带宽积：放大器带宽和带宽增益的乘积，即运放增益下降为1时所对应的频率。 4、相位裕度：使得增益降为1时对应的频率点的相位与-180相位的差值。 5、输入共模范围：在差分放大电路中，二个输入端所加的是大小相等，极性相同的输入信号叫共模信号，此信号的范围叫共模输入信号范围。 6、输出电压摆幅：一般指输出电压最大值和最小值的差。 图 1两级共源CMOS运放电路图 实验所用原理图如图1所示。图中有多个电流镜结构，M1、M2构成源耦合对，做差分输入；M3、M4构成电流镜做M1、M2的有源负载；M5、M8构成电流镜提供恒流源；M8、M9为偏置电路提供偏置。M6、M7为二级放大电路，Cc为引入的米勒补偿电容。 其中主要技术指标与电路的电气参数及几何尺寸的关系：
转换速率：SR=I5 I I 第一级增益：I I1=?I I2 I II2+I II4=?2I I1 I5(I2+I3) 第二级增益：I I2=?I I6 I II6+I II7=?2I I6 I6(I6+I7) 单位增益带宽：GB=I I2 I I 输出级极点：I2=?I I6 I I 零点：I1=I I6 I I 正CMR：I II,III=I II?√5 I3 ?|I II3|(III)+I II1,III 负CMR：I II,III=√I5 I1+I II5,饱和 +I II1,III+I II 饱和电压：I II,饱和=√2I II I 功耗：I IIII=(I8+I5+I7)(I II+I II) 四、实验目的 本实验是基于微电子技术应用背景和《集成电路原理与设计》课程设置及其特点而设置，为IC设计性实验。其目的在于： 根据实验任务要求，综合运用课程所学知识自主完成相应的模拟集成电路设计，掌握基本的IC设计技巧。 学习并掌握国际流行的EDA仿真软件Cadence的使用方法，并进行电路的模拟仿真。 五、实验内容 1、根据设计指标要求，针对CMOS两级共源运放结构，分析计算各器件尺寸。 2、电路的仿真与分析，重点进行直流工作点、交流AC和瞬态Trans分析，能熟练掌握各种分析的参数设置方法与仿真结果的查看方法。 3、电路性能的优化与器件参数调试，要求达到预定的技术指标。
电子科技大学成都学院二零一零至二零一一学年第二学期 集成电路工艺原理课程考试题A卷（120分钟）一张A4纸开卷教师：邓小川 一二三四五六七八九十总分评卷教师 1、名词解释：(7分) 答：Moore law：芯片上所集成的晶体管的数目，每隔18个月翻一番。 特征尺寸：集成电路中半导体器件能够加工的最小尺寸。 Fabless：IC 设计公司，只设计不生产。 SOI：绝缘体上硅。 RTA：快速热退火。 微电子：微型电子电路。 IDM：集成器件制造商。 Chipless：既不生产也不设计芯片，设计IP内核，授权给半导体公司使用。 LOCOS：局部氧化工艺。 STI：浅槽隔离工艺。 2、现在国际上批量生产IC所用的最小线宽大致是多少，是何家企业生产？请 举出三个以上在这种工艺中所采用的新技术（与亚微米工艺相比）？(7分) 答：国际上批量生产IC所用的最小线宽是Intel公司的32nm。 在这种工艺中所采用的新技术有：铜互联；Low-K材料；金属栅；High-K材料；应变硅技术。 3、集成电路制造工艺中，主要有哪两种隔离工艺？目前的主流深亚微米隔离工 艺是哪种器件隔离工艺，为什么？(7分) 答：集成电路制造工艺中，主要有局部氧化工艺－LOCOS；浅槽隔离技术－STI两种隔离工艺。 主流深亚微米隔离工艺是：STI。STI与LOCOS工艺相比，具有以下优点：更有效的器件隔离；显著减小器件表面积；超强的闩锁保护能力；对沟道无 侵蚀；与CMP兼容。 4、在集成电路制造工艺中，轻掺杂漏（LDD）注入工艺是如何减少结和沟道区间的电场，从而防止热载流子的产生？(7分) 答：如果没有LDD形成，在晶体管正常工作时会在结和沟道区之间形成高
家电检修技术<资料版>2007第7期总页(?? 初 学者天地 压从0V 逐渐升高,刚开始可看到两个万用表的数 值都上升,当电压增高到某一值时,可以看到表1的电压值在增大,而表2的电流值却在减小,当电压继续增大到另一个值时,这时又可以看到两个表的电压、电流值都开始增大。如果测试过程与上述的一样,说明该管是好的。如果不一样或变化很不明显,表明该管是坏的。 (完 TD 表1 5V 表2 10mA 20k 图11(b 判断隧道二极管测试电路 功率放大集成电路原理及应用 !丁朋 要点提示: ▲功率放大集成电路的功能是对音频信号进行功率放大,其最大特点是具有较大的输出功率,能够推动扬声器等负载。
▲功率放大集成电路的主要参数有:电源电压、静态电流、输出功率、电压增益、频响范围和谐波失真等。▲O TL 电路的优点是可以使用单电源,缺点是由于输出电容的存在,低频响应较差。 一、功能与参数 1.功能与特点 功率放大集成电路的功能是对音频信号进行功率放大。其最大特点是:具有较大的输出功率,能够推动扬声器等负载。 功率放大集成电路品种规格众多。按声道数可分为单声道音频功放和双声道音频功放;按电路形式可分为O TL 功率放大器、O CL 功率放大器和BTL 功率放大器等。其输出功率从数十毫瓦到数百瓦,具有很多规格,并具有多种封装形式。许多功率放大集成电路自带散热板,但由于自带的散热板一般较小,因此功率较大的功率放大集成电路在应用时仍应按要求安装散热器。功率放大集成电路自带的散热板有的与内部电路绝缘,有的与内部电路的接地点连通,有的与内部输出功放管集电极连通,安装散热器时应区别对待。对于自带散热板与内部电路不绝缘的功率放大集成电路,应在集成电路与散热器之间放置耐热绝缘垫片,如图1所示。 2.参数 功率放大集成电路的主要参数有:电源电压V CC 、静态电流I O 、输出功率P O 、电压增益、频响范围和谐波失真THD 等。 (1电源电压V CC ,包括最高电源电压和额定电源 电压,对于O TL 功率放大器一般为单电源(+V CC ,对于 O CL 功率放大器一般为双电源(±V CC 。最高电源电压是极限参数,使用中不得超过,推荐使用额定电源电压。
H a r b i n I n s t i t u t e o f T e c h n o l o g y 集成电路测试原理及方法简介 院系：电气工程及自动化学院 姓名： XXXXXX 学号： XXXXXXXXX 指导教师： XXXXXX 设计时间： XXXXXXXXXX
摘要 随着经济发展和技术的进步，集成电路产业取得了突飞猛进的发展。集成电路测试是集成电路产业链中的一个重要环节，是保证集成电路性能、质量的关键环节之一。集成电路基础设计是集成电路产业的一门支撑技术，而集成电路是实现集成电路测试必不可少的工具。 本文首先介绍了集成电路自动测试系统的国内外研究现状，接着介绍了数字集成电路的测试技术，包括逻辑功能测试技术和直流参数测试技术。逻辑功能测试技术介绍了测试向量的格式化作为输入激励和对输出结果的采样，最后讨论了集成电路测试面临的技术难题。 关键词：集成电路；研究现状；测试原理；测试方法
目录 一、引言 (4) 二、集成电路测试重要性 (4) 三、集成电路测试分类 (5) 四、集成电路测试原理和方法 (6) 4.1.数字器件的逻辑功能测试 (6) 4.1.1测试周期及输入数据 (8) 4.1.2输出数据 (10) 4.2 集成电路生产测试的流程 (12) 五、集成电路自动测试面临的挑战 (13) 参考文献 (14)
一、引言 随着经济的发展，人们生活质量的提高，生活中遍布着各类电子消费产品。电脑﹑手机和mp3播放器等电子产品和人们的生活息息相关，这些都为集成电路产业的发展带来了巨大的市场空间。2007年世界半导体营业额高达2.740亿美元，2008世界半导体产业营业额增至2.850亿美元，专家预测今后的几年随着消费的增长，对集成电路的需求必然强劲。因此，世界集成电路产业正在处于高速发展的阶段。 集成电路产业是衡量一个国家综合实力的重要重要指标。而这个庞大的产业主要由集成电路的设计、芯片、封装和测试构成。在这个集成电路生产的整个过程中，集成电路测试是惟一一个贯穿集成电路生产和应用全过程的产业。如：集成电路设计原型的验证测试、晶圆片测试、封装成品测试，只有通过了全部测试合格的集成电路才可能作为合格产品出厂，测试是保证产品质量的重要环节。 集成电路测试是伴随着集成电路的发展而发展的，它为集成电路的进步做出了巨大贡献。我国的集成电路自动测试系统起步较晚，虽有一定的发展，但与国外的同类产品相比技术水平上还有很大的差距，特别是在一些关键技术上难以实现突破。国内使用的高端大型自动测试系统，几乎是被国外产品垄断。市场上各种型号国产集成电路测试，中小规模占到80%。大规模集成电路测试系统由于稳定性、实用性、价格等因素导致没有实用化。大规模/超大规模集成电路测试系统主要依靠进口满足国内的科研、生产与应用测试，我国急需自主创新的大规模集成电路测试技术，因此，本文对集成电路测试技术进行了总结和分析。 二、集成电路测试重要性 随着集成电路应用领域扩大，大量用于各种整机系统中。在系统中集成电路往往作为关键器件使用，其质量和性能的好坏直接影响到了系统稳定性和可靠性。 如何检测故障剔除次品是芯片生产厂商不得不面对的一个问题，良好的测试流程，可以使不良品在投放市场之前就已经被淘汰，这对于提高产品质量，建立生产销售的良性循环，树立企业的良好形象都是至关重要的。次品的损失成本可以在合格产品的售价里得到相应的补偿，所以应寻求的是质量和经济的相互制衡，以最小的成本满足用户的需要。 作为一种电子产品，所有的芯片不可避免的出现各类故障，可能包括：1.固定型故障；2.跳变故障；3.时延故障；4.开路短路故障；5桥接故障，等等。测试的作用是检验芯片是否存在问题，测试工程师进行失效分析，提出修改建议，从工程角度来讲，测试包括了验证测试和生产测试两个主要的阶段。
集成电路原理及应用(第3版) 谭博学 苗汇静 主编 课后习题答案 第二章 模拟集成电路的线性应用 2.9 试分析图1所示电路是什么电路，有何特点？图中设 3 4 21R R R R =。 （图1） 解：第一级运放为同相放大器。对A 1：由“虚断”和“虚短”得 i 1=i 2，v -1=v +1=u 1i ， 则u 1i = 1211R R R u o +，即11 21)1(i o u R R u +=， 对A 2：由“虚断”和“虚短”得 i 3=i 4，v -2=v +2=u 2i ， 则 4 2321R u u R u u o i i o -=-，即1342 34)1(o i o u R R u R R u -+= 代入u 1o 得))(1( 123 4 i i o u u R R u -+=， 因两个输入信号均从同相端输入，所以输入阻抗比较高。该电路为高输入阻抗的差动放大器。 2.11 求图3所示电路的增益A f ，并说明该电路完成什么功能。
解：该电路由两个集成运放构成，A1为主放大器接成反相运算放大器，A2为辅助放大器，A2也接成反相放大器，利用A2对A1构成正反馈，是整个电路向信号源索取的电流极少。 主放大器A 1：由“虚断”和“虚短”得 2 1R u R u o i -= ,则A f =121o o i i u u R u u R ===- 辅助放大器A2的电压放大倍数：221222 2o o VF i o u u R A u u R = ==- 该电路为自举电路，目的是提高电路的输入电阻。 由1i i i i U U R I I I = = - 由 12i o U U R R =-和321 2o U U R R =-得32i U U = 所以 1i i i U U I R R = - 因此1 1 i i i U RR R I R R = = - 当1R R =时，i R →∞，1I I = 2.12 求图4所示电路输出电压与输入电压的表达式，并说明该电路完成什么功能。
1、课程代码 0700559 2、课程名称 集成电路原理及应用 Integrated Circuit Principle and Application 3、授课对象 电子科学与技术专业 4、学分 3 5、修读期 第七学期 6、课程组负责人 主讲教师：刘威、讲师、硕士 7、课程简介 《集成电路设计与应用》是电子科技的一门应用课程，也是进入物理学其它学科学习的先导课程。本课程内容包括集成电路发展历史、集成电路器件原理与模型、反相器的原理、反相器的功耗与延迟分析和模拟、集成电路的基本逻辑门原理、逻辑门的功耗和延迟分析及优化、集成电路的寄生效应、时序集成电路的分析和设计、加法器模块设计、移位器模块设计、存储器模块的设计和优化、模拟电路模块的设计和优化。除了课程讲授之外，还安排了上机时间进行集成电路的模拟实验。学习利用软件模拟合设计集成电路，以及对其进行分析。 通过对本课程的学习，使学生不仅掌握集成电路的设计原理，还能运用自己动手设计集成电路，并能对其性能进行分析和优化。为进行相关工作较好的基础。 8、实践环节学时与内容或辅助学习活动 上机时间课6 学时，利用软件Hspice 和Tannar pro 设计集成电路，并对其功耗、延迟进行分析。 9、课程考核 平时成绩、上机成绩、期末成绩、 10、指定教材 《半导体集成电路》朱正涌编著，张开华主审，清华大学出版杜2001年，高等学校工科电子类规划教材11、参考书目 11、参考书目 《数字集成电路》, 2ndEdition.Rabaey et. al. 2002 Berkeley 《数字集成电路分析与设计》,3rdEdition.David et.al.2005 Berkeley 《模拟CMOS集成电路设计》,Razavi. 2001 Stanford 12、网上资源
目录 一、填空题（每空1分，共24分） (1) 二、判断题（每小题1.5分，共9分） (1) 三、简答题（每小题4分，共28分） (2) 四、计算题（每小题5分，共10分） (4) 五、综合题（共9分） (5) 一、填空题（每空1分，共24分） 1.制作电阻分压器共需要三次光刻，分别是电阻薄膜层光刻、高层绝缘层光刻和互连金属层光刻。 2.集成电路制作工艺大体上可以分成三类，包括图形转化技术、薄膜制备技术、掺杂技术。 3.晶体中的缺陷包括点缺陷、线缺陷、面缺陷、体缺陷等四种。 4.高纯硅制备过程为氧化硅→粗硅→ 低纯四氯化硅→ 高纯四氯化硅→ 高纯硅。 5.直拉法单晶生长过程包括下种、收颈、放肩、等径生长、收尾等步骤。 6.提拉出合格的单晶硅棒后，还要经过切片、研磨、抛光等工序过程方可制备出符合集成电路制造要求的硅衬底 片。 7.常规的硅材料抛光方式有：机械抛光，化学抛光，机械化学抛光等。 8.热氧化制备SiO2的方法可分为四种，包括干氧氧化、水蒸汽氧化、湿氧氧化、氢氧合成氧化。 9.硅平面工艺中高温氧化生成的非本征无定性二氧化硅对硼、磷、砷（As）、锑（Sb）等元素具有掩蔽作用。 10.在SiO2内和Si- SiO2界面存在有可动离子电荷、氧化层固定电荷、界面陷阱电荷、氧化层陷阱等电荷。 11.制备SiO2的方法有溅射法、真空蒸发法、阳极氧化法、热氧化法、热分解淀积法等。 12.常规平面工艺扩散工序中的恒定表面源扩散过程中，杂质在体内满足余误差函数分布。常规平面工艺扩散工序中的有限表 面源扩散过程中，杂质在体内满足高斯分布函数分布。 13.离子注入在衬底中产生的损伤主要有点缺陷、非晶区、非晶层等三种。 14.离子注入系统结构一般包括离子源、磁分析器、加速管、聚焦和扫描系统、靶室等部分。 15.真空蒸发的蒸发源有电阻加热源、电子束加热源、激光加热源、高频感应加热蒸发源等。 16.真空蒸发设备由三大部分组成，分别是真空系统、蒸发系统、基板及加热系统。 17.自持放电的形式有辉光放电、弧光放电、电晕放电、火花放电。 18.离子对物体表面轰击时可能发生的物理过程有反射、产生二次电子、溅射、注入。 19.溅射镀膜方法有直流溅射、射频溅射、偏压溅射、磁控溅射（反应溅射、离子束溅射）等。 20.常用的溅射镀膜气体是氩气（Ar）,射频溅射镀膜的射频频率是13.56MHz。 21.CVD过程中化学反应所需的激活能来源有？热能、等离子体、光能等。 22.根据向衬底输送原子的方式可以把外延分为：气相外延、液相外延、固相外延。 23.硅气相外延的硅源有四氯化硅（SiCl4）、三氯硅烷（SiHCl3）、二氯硅烷（SiH2Cl2）、硅烷（SiH4）等。 24.特大规模集成电路（ULIC）对光刻的基本要求包括高分辨率、高灵敏度的光刻胶、低缺陷、精密的套刻对准、对大尺寸硅片 的加工等五个方面。 25.常规硅集成电路平面制造工艺中光刻工序包括的步骤有涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、腐蚀、 去胶等。 26.光刻中影响甩胶后光刻胶膜厚的因素有溶解度、温度、甩胶时间、转速。 27.控制湿法腐蚀的主要参数有腐蚀液浓度、腐蚀时间、腐蚀液温度、溶液的搅拌方式等。 28.湿法腐蚀Si所用溶液有硝酸-氢氟酸-醋酸（或水）混合液、KOH溶液等，腐蚀SiO2常用的腐蚀剂是HF溶液，腐蚀 Si3N4常用的腐蚀剂是磷酸。 29.湿法腐蚀的特点是选择比高、工艺简单、各向同性、线条宽度难以控制。 30.常规集成电路平面制造工艺主要由光刻、氧化、扩散、刻蚀、离子注入（外延、CVD、PVD）等工 艺手段组成。 31.设计与生产一种最简单的硅双极型PN结隔离结构的集成电路，需要埋层光刻、隔离光刻、基区光刻、发射区光刻、引线区 光刻、反刻铝电极等六次光刻。 32.集成电路中隔离技术有哪些类？ 二、判断题（每小题1.5分，共9分） 1.连续固溶体可以是替位式固溶体，也可以是间隙式固溶体（×） 2.管芯在芯片表面上的位置安排应考虑材料的解理方向，而解理向的确定应根据定向切割硅锭时制作出的定位面为依据。（√） 3.当位错线与滑移矢量垂直时，这样的位错称为刃位错，如果位错线与滑移矢量平行，称为螺位错（√） 4.热氧化过程中是硅向二氧化硅外表面运动，在二氧化硅表面与氧化剂反应生成二氧化硅。（×） 5.热氧化生长的SiO2都是四面体结构，有桥键氧、非桥键氧，桥键氧越多结构越致密，SiO2中有离子键成份，氧空位表现为带正
集成电路原理及应用(第2版) 谭博学 苗汇静 主编 课后习题答案 第二章 模拟集成电路的线性应用 2.9 试分析图1所示电路是什么电路，有何特点？图中设 3 4 21R R R R = 。 （图1） 解：第一级运放为同相放大器。对A 1：由“虚断”和“虚短”得 i 1=i 2，v -1=v +1=u 1i ， 则u 1i = 1211R R R u o +，即11 21)1(i o u R R u +=， 对A 2：由“虚断”和“虚短”得 i 3=i 4，v -2=v +2=u 2i ， 则 4 2321R u u R u u o i i o -= -，即134234)1(o i o u R R u R R u -+= 代入u 1o 得))(1( 123 4 i i o u u R R u -+=， 因两个输入信号均从同相端输入，所以输入阻抗比较高。该电路为高输入阻抗的差动放大器。 2.11 求图3所示电路的增益A f ，并说明该电路完成什么功能。
解：该电路由两个集成运放构成，A1为主放大器接成反相运算放大器，A2为辅助放大器，A2也接成反相放大器，利用A2对A1构成正反馈，是整个电路向信号源索取的电流极少。 主放大器A 1：由“虚断”和“虚短”得 2 1R u R u o i -= ,则A f = 121o o i i u u R u u R ===- 辅助放大器A2的电压放大倍数：221222 2o o VF i o u u R A u u R = ==- 该电路为自举电路，目的是提高电路的输入电阻。 由1i i i i U U R I I I = =- 由 12i o U U R R =-和321 2o U U R R =-得32i U U = 所以 1i i i U U I R R = - 因此1 1 i i i U RR R I R R = =- 当1R R =时，i R →∞，1I I = 2.12 求图4所示电路输出电压与输入电压的表达式，并说明该电路完成什么功能。 解：对A 1：由“虚断”和“虚短”得 R u R u o i 1 1-=，即u 1o =-u 1i 。A 1为倒相器 对A 2：由“虚断”和“虚短”得
1.什么是差动放大电路？什么是差模信号？什么是共模信号？差动放大器对差模信号和共模信 号分别起什么作用？ 差动放大电路是把两个输入信号分别输入到运算放大器的同相和反相输入端，然后在输出端取出两个信号的差模成分，而尽量抑制两个信号的共模成分的电路。 共模信号：双端输入时，两个大小相同，极性相同的信号。 差模信号：双端输入时，两个大小相等，极性相反的信号。 对差模输入信号的放大作用、对共模输入信号的抑制作用 2.集成运放有哪几部分组成？各部分的典型电路分别是什么？ 输入级、中间级、输出级、偏置电路四大部分组成 输入级的典型电路是差动放大电路, 利用它的电路对称性可提高整个电路的性能，减小温漂； 中间级的典型电路是电平位移电路, 将电平移动到地电平，满足零输入时零输出的要求； 输出级的典型电路是互补推挽输出放大电路，使输出级输出以零电平为中心，并能与中间电压放大级和负载进行匹配； 偏置电路典型电路是电流源电路，给各级电路提供合适的静态工作点、所需的电压 3.共模抑制比的定义？ 集成运放工作于线性区时，其差模电压增益Aud与共模电压增益Auc之比 4.集成运放的主要直流参数： 输入失调电压Uos、输入失调电压的温度系数△Uos/△T、输入偏置电流、输入失调电流、差模开环直流电压增益、共模抑制比、电源电压抑制比、输出峰--峰电压、最大共模输入电压、最大差模输入电压 5.集成运放主要交流参数： 开环带宽、单位增益带宽、转换速率、全功率带宽、建立时间、等效输入噪声电压、差模输入阻抗、共模输入阻抗、输出阻抗。 6.理想集成运放的基本条件。 1.差模电压增益为无穷大 2.输入电阻为无穷大 3.输出电阻为0 4.共模抑制比CMRR为无穷大 5.转换速率为无穷大即Sr=00 6.具有无限宽的频带 7.失调电压·失调电流极其温漂均为0 8. 干扰和噪声均为0 7.理想集成运放的两个基本特性：虚短和虚断。代表的实际物理意义。 其实，虚短和虚断的原因只有一个，那就是：输入端输入电阻无穷大。 虚短：集成运放两输入端的电位相等。 集成运放的两个输入端好像短路，但不是真正的短路，所以成为虚短，只有集成运放工作于线性状态时，才存在虚短 虚断：集成运放两输入端的输入电流为零。 由于集成运放输入电阻为无穷大，不可能吸收任何电流，就像输入端被剪断了，跟断路了一样。但是绝对不是真的断路，这大概就是虚断的由来。 1. 集成运放的线性电路包含哪些？非线性电路又包含哪些？ 线性电路包括：模拟集成电路的基本放大电路（反相放大器，同相放大器，差动放大器）积分电路，微分电路。 非线性电路包括：对数器和指数器，乘法器，二极管检波器和绝对值变换器，限幅器，二极管函数变换器，电压比较器
1 《模拟集成电路设计原理》期末考试 一．填空题（每空1分，共14分） 1、与其它类型的晶体管相比，MOS器件的尺寸很容易按____比例____缩小，CMOS电路被证明具有_较低__的制造成本。 2、放大应用时，通常使MOS管工作在_ 饱和_区，电流受栅源过驱动电压控制，我们定义_跨导_来表示电压转换电流的能力。 3、λ为沟长调制效应系数，对于较长的沟道，λ值____较小___（较大、较小）。 4、源跟随器主要应用是起到___电压缓冲器___的作用。 5、共源共栅放大器结构的一个重要特性就是_输出阻抗_很高，因此可以做成___恒定电流源_。 6、 6、由于_尾电流源输出阻抗为有限值_或_电路不完全对称_等因素，共模输入电平的变化会引起差动输出的改变。 7、理想情况下，_电流镜_结构可以精确地复制电流而不受工艺和温度的影响，实际应用中，为了抑制沟长调制效应带来的误差，可以进一步将其改进为__共源共栅电流镜__结构。 8、为方便求解，在一定条件下可用___极点—结点关联_法估算系统的极点频率。 9、与差动对结合使用的有源电流镜结构如下图所示，电路的输入电容Cin为__ CF（1－A） __。 10、λ为沟长调制效应系数，λ值与沟道长度成___反比__（正比、反比）。 二．名词解释（每题3分，共15分） 11、1、阱 解：在CMOS工艺中，PMOS管与NMOS管必须做在同一衬底上，其中某一类器件要做在一个“局部衬底”上，这块与衬底掺杂类型相反的“局部衬底”叫做阱。 2、亚阈值导电效应 解：实际上，VGS=VTH时，一个“弱”的反型层仍然存在，并有一些源漏电流，甚至当VGS 第六章集成电路原理及应用 一、选择填空(将正确答案的序号填入横线上) 1．电流源电路的特点是输出电流，直流等效电阻，交流等效电阻。 a．大b．小c恒定d不定 2．长尾型差分放大电路中，电阻Re的主要作用是。 a．提高输入电阻b．提高差模电压增益 c．提高共模抑制比d．提高共模电压增益 3．放大器产生零点漂移的主要原因是。 a．环境温度变化b．电压增益太大 c．采用直接耦合方式d．采用阻容耦合方式 4．多级直接耦合放大器中，影响零点漂移最严重的一级是，零点漂移最大的一级是。 a．输入级b．中间级c．输出级d．增益最高的一级5．差分放大器由双端输人变为单端输人，差模电压增益是。 a．增加一倍b．为双端输入时的1／2 c．不变d．不确定 6．基本差分放大电路中(无Rc电阻)、两个单边放大器的电压增益为100。已知差模输人信号V Sd1=10mv，V Sd2= 一10mv，则单端输出电压V o2= 。 a．—1V b．1V c．—1/2V d. 1/2V 7．差分放大电路中, 当V S1=300mV，V sd2＝200mv 时，分解为共模输人信号V SC= ，差模输入信号v sd＝，差模信号V sd1＝。 a．500mV b．100mV c．250mV d ．50mV 8．差分放大器由双端输出改为单端输出，共模抑制比K CMR减小的原因是。 a．A VD不变，A VC增大b．A VD减小，A VC不变 c．A VD减小，A VC增大d．A VD增大，A VC减小 9．在单端输出差分放大电路中，差模电压增益A VD＝50、共模电压增益A VC＝-0.5，若输入电压V S1＝80mv，V S2＝60mv，输出电压VO2＝。 a．—1.035V b．—0.965V c．0.965V d．1.035V 10．集成运放内部是由直接锅台方式的多级放大电路组成的，作为放大器应用，它。 a．能放大直流信号，不能放大交流信号 b．能放大交流信号，不能放大直流信号 c．既能放大交流信号，也能放大直流信号 二、填空题 1．三极管电流源电路与二极管基极分压式共射放大电路，在电路结构上的差别是：前者为网络，后者为网络。 2．电流源电路在集成运放中，常作为电路和电路；前者的作用是，后者的作用是。 3．用场效应管组成基本镜像电流源，其电路工作条件是：T1管和T2管，且基准电流I REF一侧的场效应管工作在区。 4 ．电流源作为放大电路的有源负载，主要是为了提高，因为电 流源的大。 集成电路芯片的原理及其应用 摘要： 基于分组网络的电路仿真服务在分组网络上提供了一种传输传统电路交换业务的方法，对于现代网络融合具有重要意义。为了实现分组网络中的E1信号传送，提出一种分组电路仿真处理芯片的实现方案，并完成了芯片设计及应用试验。芯片实施协议符合IETF(internet engineeringtask force)PWE3(pseudo wire emulation edge-to-edge)工作组的相关建议草案，芯片内部集成全数字自适应时钟提取算法和服务恢复策略。目前基于该芯片方案的验证系统已经通过了10～100Mb以太网和802．11a无线网络的环境测试。结果表明：该实现方案能够有效抑制分组网络传输抖动和传输误码导致的服务失效，可以应用于多种网络环境。 当前数据业务已经逐渐超过了传统的时分复用(time division multiplexing，TDM)业务，在网络中占据了主导地位；数据分组传送技术也已经取代电路交换技术成为建设下一代网络的主要技术方案。分组电路仿真提供了一种可行的网络融合和过渡方案，它可以在分组交换网上透明传输具有恒定速率的TDM数据流，利用分组交换网来提供传统的时分复用业务。 CESoP技术的标准化工作已经在多个标准化组织中进行。其中，IETF制定的边缘到边缘的伪线仿真技术得到了较为广泛的应用。目前，RAD公司已经开发出IPmux系列电路仿真设备；Zarlink公司已经开发出了分组电路仿真业务处理器芯片。 本文提出一种CESoP芯片实现方案，其处理协议符合IETF PWE3工作组关于CESoPSN(circuitemulation setvice overpacket：switched networks)的建议草案，相比其他芯片具有以下优点：内部集成自适应定时恢复算法，无须外部处理器干预；采用全数字的恢复算法，可以方便地实现系统集成；片内实现基于差错掩蔽的服务恢复策略，可以有效地抑制由于数据分组丢失造成的TDM设备故障;采用片外SDRAM(synchrono-us dynamic randomaccess memory)存储器可以实现最多256 ms的抖动抑制时间。 1. 芯片方案结构 芯片主要由以太网媒体访问控制单元、协议处理单元、队列管理单元、队列仲裁单元、时隙分配单元、时隙提取单元、共享存储管理单元、SDRAM控制单元、E1处理单元、E1接口单元以及微处理器接口单元等构成，1)上行TDM数据流。 由E1接口至MII(media independentinterface)接口，来自E1接口的TDM数据进行线路解码，通过E1处理单元完成数据定帧和时钟提取，再通过时隙提取单元取出需要传送的有效时隙和信令，并通过共享存储管理单元保存到外部存储器中，队列仲裁单元根据E1队列优先级通过共享存储管理单元从外部存储器中读出相应的E1数据并将其发送到协议处理单元，其根据设定的协议格式将TDM数据封装到以太网数据帧中，数据帧通过以太网媒体访问控制(media access control，MAC)处理单元最终被发送到以太网MII接口。 下行TDM数据流,由MII接口至E1接口，到达目的地的以太网数据帧经过MAC处理单元和协议处理单元处理，提取出有效的E1数据分组并将其通过共享存储管理单元保存到外部存储器中，队列管理单元对接收到的El数据分组进行缓存管理、重排序、抖动平滑、差错掩蔽等处理，时隙分配单元根据输出E1接口的情况，通过共享存储管理单元从外部存储器中读出相应的E1数据，重新生成E1数据帧，然后发送到E1处理单元进行时钟恢复和编码处理，最后形成标准格式的E1数据帧发送到E1接口。 上行MCU数据流,由MCU接口至MII接口，外部微处理器通过MCU接口将控制数据分组 电科《集成电路原理》期末考试试卷 一、填空题 1.（1分） 年，第一次观测到了具有放大作用的晶体管。 2 ． （ 2 分 ） 摩 尔 定 律 是 指 。 3. 集 成 电 路 按 工 作 原 理 来 分 可 分 为 、 、 。 4.（4分）光刻的工艺过程有底膜处理、涂胶、前烘、 、 、 、 和去胶。 5. （ 4 分 ） MOSFET 可 以 分 为 、 、 、 四种基本类型。 6.（3分）影响MOSFET 阈值电压的因素有： 、 以及 。 7.（2分）在CMOS 反相器中，V in ，V out 分别作为PMOS 和NMOS 的 和 ； 作为PMOS 的源极和体端， 作为NMOS 的源极和体端。 8．（2分）CMOS 逻辑电路的功耗可以分为 和 。 9.（3分）下图的传输门阵列中5DD V V =,各管的阈值电压1T V V =，电路中各节点的初始电压为0，如果不考虑衬偏效应，则各输出节点的输出电压Y 1= V ，Y 2= V ，Y 3= V 。 DD 1 3 2 10.（6分）写出下列电路输出信号的逻辑表达式：Y 1= ；Y 2= ；Y 3= 。 A B Y 1 A B 2 3 二、画图题：（共12分） =+的电路图，要求使用的1．（6分）画出由静态CMOS电路实现逻辑关系Y ABD CD MOS管最少。 2.（6分）用动态电路级联实现逻辑功能Y ABC =,画出其相应的电路图。 三、简答题：（每小题5分，共20分） 1.简单说明n阱CMOS的制作工艺流程，n阱的作用是什么？ 2.场区氧化的作用是什么，采用LOCOS工艺有什么缺点，更好的隔离方法是什么？ 555定时电路内部结构分析及应用 1 绪言 555定时器是电子工程领域中广泛使用的一种中规模集成电路，它将模拟与逻辑功能巧妙地组合在一起，具有结构简单、使用电压范围宽、工作速度快、定时精度高、驱动能力强等优点。555定时器配以外部元件，可以构成多种实际应用电路。广泛应用于产生多种波形的脉冲振荡器、检测电路、自动控制电路、家用电器以及通信产品等电子设备中。 2555定时器功能及结构分析 2.1 555定时器的分类及管脚作用 555定时器又称时基电路。555定时器按照内部元件分有双极型（又称TTL型）和单极型两种。双极型内部采用的是晶体管；单极型内部采用的则是场效应管，常见的555时基集成电路为塑料双列直插式封装（见图2-1），正面印有555字样，左下角为脚①，管脚号按逆时针方向排列。 2-1 555时基集成电路各管脚排布 555时基集成电路各管脚的作用：脚①是公共地端为负极；脚②为低触发端TR，低于1／3电源电压以下时即导通；脚③是输出端V，电流可达2000mA;脚④是强制复位端MR，不用可与电源正极相连或悬空;脚⑤是用来调节比较器的基准电压，简称控制端VC，不用时可悬空，或通过0.01μF电容器接地;脚⑥为高触发端TH，也称阈值端，高于2/3电源电压发上时即截止;脚⑦是放电端DIS;脚⑧是电源正极VC。 2.2 555定时器的电路组成 图2-2为555芯片的内部等效电路 2-2 555定时器电路组成 5G555定时器内部电路如图所示，一般由分压器、比较器、触发器和开关。及输出等四部分组成，这里我们主要介绍RS触发器和电压比较器。 2.2.1基本RS触发器原理 如图2-3是由两个“与非”门构成的基本R-S触发器, RD、SD是两个输入端，Q及是两个输出端。 2-3 RS触发器 正常工作时，触发器的Q和应保持相反，因而触发器具有两个稳定状态： 1）Q=1，=0。通常将Q端作为触发器的状态。若Q端处于高电平，就说触发器是1状态；2）Q=0，=1。Q端处于低电平，就说触发器是0状态；Q端称为触发器的原端或1端，端称为触发器的非端或0端。 由图可看出，如果Q端的初始状态设为1，RD、SD端都作用于高电平（逻辑1），则一定为0。如果RD、SD状态不变，则Q及的状态也不会改变。这是一个稳定状态；同理，若触发器的初始状态Q为0而为1，在RD、SD为1的情况下这种状态也不会改变。这又是一个稳定状态。可见，它具有两个稳定状态。 输入与输出之间的逻辑关系可以用真值表来描述。 首先对该RS触发器Q端状态仿真。如图2-4 2-4 RS触发器Q端仿真电路图 Q端状态变化规律如图2-5 2-5 Q端状态变化规律仿真 此图中A即SD，B即RD.，再对该R—S触发器Q非端状态仿真，如图2-6 2-6 RS触发器Q非端仿真图 Q非端状态变化规律如图2-7 2-7 Q非端状态变化规律 此图中A即SD，B即RD. R-S触发器的逻辑功能，可以用输入、输出之间的逻辑关系构成一个真值表(或叫功能表)来描述，由仿真可得以下结论。当RD =0，SD=1时，不论触发器的初始状态如何，一定为1,由于“与非”门的输入全是1，Q端应为0。称触发器为0状态，RD为置0端。 集成电路原理与设计重点容总结 第一章 绪论 摩尔定律：(P4) 集成度大约是每18个月翻一番或者集成度每三年4倍的增长规律就是世界上公认的摩尔定律。 集成度提高原因： 倍；二是芯片面积不断增大，大约每三年增大1.5倍；三是器件和电路结构的不断改进。 等比例缩小定律：(种类 优缺点)(P7-8) 1.恒定电场等比例缩小规律（简称CE 定律） a.器件的所有尺寸都等比例缩小K 倍，电源电压也要缩小K 倍，衬底掺杂浓度增大K 倍，保证器件部的电场不变。 b.集成度提高K 2倍，速度提高K 倍，功耗降低K 2倍。 c.改变电源电压标准，使用不方便。阈值电压降低，增加了泄漏功耗。 2.恒定电压等比例缩小规律（简称CV 定律） a.保持电源电压和阈值电压不变，器件的所有几何尺寸都缩小K 倍，衬底掺杂浓度增加K 2倍。 b.集成度提高K 2倍，速度提高K 2倍。 c.功耗增大K 倍。部电场强度增大，载流子漂移速度饱和，限制器件驱动电流的增加。 3.准恒定电场等比例缩小规则(QCE) 器件尺寸将缩小K 倍，衬底掺杂浓度增加lK （1第六章 集成电路原理及应用
集成电路芯片的原理及其应用
《集成电路设计原理》试卷及答案
芯片内部原理及经典应用
《集成电路原理与设计》重点内容总结
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