第3章 多级放大电路
自测题
一、现有基本放大电路：
A.共射电路
B.共集电路
C.共基电路
D.共源电路
E.共漏电路 根据要求选择合适电路组成两级放大电路。
(1)要求输入电阻为1kΩ至2kΩ，电压放大倍数大于3000 ，第一级应采用( A )，第二级应采用( A )。
(2)要求输入电阻大于10MΩ，电压放大倍数大于300 ，第一级应采用( D )，第二级应采用( A )。 (3)要求输入电阻为100kΩ~200kΩ，电压放大倍数数值大于100 , 第一级应采用( B )，第二级应采用( A )。
(4)要求电压放大倍数的数值大于10 ，输入电阻大于10MΩ，输出电阻小于100Ω，第一级应采用( D )，第二级应采用( B )。
(5)设信号源为内阻很大的电压源，要求将输入电流转换成输出电压，且1000o
ui i
U A I =>，输出电阻R o ＜100 ，第一级应采用采用( C )，第二级应( B )。
二、选择合适答案填入空内。
(1)直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( C 、D )。
A ．电阻阻值有误差
B ．晶体管参数的分散性
C ．晶体管参数受温度影响
D ．电源电压不稳 (2)集成放大电路采用直接耦合方式的原因是( C )。
A ．便于设计
B ．放大交流信号
C ．不易制作大容量电容 (3)选用差动放大电路的原因是( A )。
A ．克服温漂
B ．提高输入电阻
C ．稳定放大倍数
(4)差动放大电路的差模信号是两个输入端信号的( A )，共模信号是两个输入端信号的( C )。
A.差
B.和
C.平均值
(5)用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻，将使单端电路的( B )。
A ．差模放大倍数数值增大
B ．抑制共模信号能力增强
C ．差模输入电阻增大 (6)互补输出级采用共集形式是为了使( C )。
A.放大倍数的数值大
B.最大不失真输出电压大
C.带负载能力强
三、电路如图T3·3所示，所有晶体管均为硅管，β均为200，'200bb r =Ω，静态时0.7BEQ U V ≈。试求：
(1)静态时T l 管和T 2管的发射极电流。
(2)若静态时0O u >，则应如何调节R c2的值才能使0O u =？ 若静态0O u =V ，则R c2 =？，电压放大倍数为多少？
解：(1)T 3管的集电极电流333()/0.3C Z BEQ E I U U R mA =-= 静态时T l 管和T 2管的发射极电流120.15E E I I mA ==
(2)若静态时0O u >，则应减小R c2。
当0I u = 时0O u =, T 4管的集电极电流44/0.6CQ EE c I V R mA ==。 R c2的电流及其阻值分别为：
24
2420.147c CQ R C B C I I I I I mA β
=-=-
=，
2
444
2 6.8c E E BEQ c R I R U R k I +=
≈Ω
电压放大倍数求解过程如下： '22
26(1)
35be bb EQ mV
r r k I β=++≈Ω 图T3·
3 '44
26(1)
8.9be bb EQ mV
r r k I β=++≈Ω []{}
244
12
//(1)
18.3
2c b e e u be R r R A r ββ++=
≈ 4
244
18.3(1)c u be e R A r R ββ=-
≈-++
12335u u u A A A =≈-
习题
3.1判断图P3.1所示各两级放大电路中T 1和T 2管分别组成哪种基本接法的放大电路。设图中所有电容对于交流信号均可视为短路。
(a)
(b)
(c) (d)
(e) (f)
图P3.1
解：(a)共射，共基 (b)共射,共射 (c)共射,共射
(d)共集，共基 (e)共源，共集 (f)共基，共集
3.2 设图P3.2所示各电路的静态工作点均合适，分别画出它们的交流等效电路，并写出u A 、i R 和o R 的表达式。
(a) (b)
(c) (d)
图P3.2
解：(1)图示各电路的交流等效电路如解图P3.2所示。
(2)各电路的u A 、i R 和o R 的表达式分别为： (a)：[]{}
1222323
11
223
//(1)(1)(1)be u be be R r R R A R r r R ββββ+++=-
?
+++；
11i be R R r =+； 22
32
//
1be o r R R R β+=+
(b)：123224112322
(1)(////)()(1)(////)be u be be be R R r R
A r R R r r βββ+=+
?-++
111
23
2
//[(1)(////
)]i b e b e R R r R R r β=++； 4o R R =
(c)：122223
11
22{//[(1)]}
[](1)be d u be be d
R r r R A r R r r ββββ++=-
?-
+++
11i be R R r =+； 3o R R = (d)：28
4672
2
[(//////)]()u m be be R A g R R R r r β=-?-
123//i R R R R =+； 8o R R =
(a)
(b)
(c)
(d)
解图P3.2
3.3基本放大电路如图P3.3(a)、(b)所示，图(a)虚线框内为电路Ⅰ，图(b)虚线框内为电路Ⅱ。由电路Ⅰ、Ⅱ组成的多级放大电路如图(c)、(d)、(e)所示，它们均正常工作。试说明图(c)、(d)、(e)所示电路中
(1)哪些电路的输入电阻较大；
(2)哪些电路的输出电阻较小；
(3)哪个电路的电压放大倍数最大。
(a) (b)
(c) (d)
(e)
图P3.3
解：(1)图(d)、(e)所示电路的输入电阻比较大； (2)图(c)、(e)所示电路的输出电阻比较小； (3)图(e)所示电路的电压放大倍数最大。
3.4电路如图P3.l (a) (b)所示，晶体管的β均为150 , be r 均为2k Ω，Q 点合适。求解u A 、
i R 和o R 。
解：在图(a)所示电路中
∵2
12
11
11be u be r A r ββ?
+=-
≈-；2322225u be R A r β==；
∴12225u u u A A A =?≈-
121//// 1.35i be R R R r k =≈Ω； 33o R R k ==Ω。
在图(b)所示电路中 ∵11211
(//)
136be u be R r A r β?=-
≈-；24
22
75u be R A r β=-
=-
∴1210200u u u A A A =?≈
5231(//)//2i be R R R R r k =+≈Ω； 41o R R k ==Ω
3.5电路如图P3.l (c)、(e)所示，晶体管的β均为200 , be r 均为3k Ω。场效应管的g m 为15mS ; Q 点合适。求解u A 、i R 和o R 。
解：在图(c)所示电路中 132
11
(//)125be
u be R r A r β?=-
≈
-；2422
133.3u be R
A r β=-=-
1216666.7u u u A A A =?≈；11//3i be R R r k =≈Ω； 42o R R k ==Ω 在图(e)所示电路中
1242{//[(1)]}30u m be m A g R r R g R β=-++≈-≈-4
24
(1)1(1)u be R A r R ββ+=-
≈++
1230u u u A A A =?≈-； 110M i R R ==Ω； 2
4//
251be o r R R R β+=≈Ω+
3.6图P3.6所示电路参数理想对称，晶体管的β均为100，'100bb r =Ω， 0.7BEQ U V ≈。
试求R w 的滑动端在中点时T 1管和T 2管的发射极静态电流EQ I 以及动态参数A d 和R i 。
图P3.6 图P3.7
解：R w 滑动端在中点时T 1管和T 2管的发射极静态电流EQ I 分析如下：
∵22
W
BEQ EQ EQ e EE R U I I R V +?+= ∴0.51722
EE BEQ EQ
W
e V U I mA R R -=≈+ 动态参数A d 和R i 分析如下： '26(1)
5.18be bb EQ
mV
r r k I β=++≈Ω 98(1)/2
c
d b
e W R A r R ββ=-
≈-++
2(1)20.5i be W R r R k β=++≈Ω
3.7电路如图P3.7所示，T 1和T 2两管的β均为140，be r 均为4kΩ。试问：若输入直流信号mV u I 201=，mV u I 102=，则电路的共模输入电压?=Ic u 差模输入电压?=Id u 输出动态电压?
=?o u
解：电路的共模输入电压IC u 、差模输入电压Id u 、差模放大倍数d A 和动态电压O u ? 分别为：12
152
I I IC u u u mV +=
=； 1210Id I I u u u mV =-= 1752c
d be
R A r β=-
≈-； 1.75O d Id u A u V ?==-
3.8 电路如图P3.8所示，T l 和T 2的低频跨导g m 均为10mS 。试求解差模放大倍数和输入电阻。
图P3.8 图P3.9
解：差模放大倍数和输入电阻分别为：
200d m d A g R =-=-； i R =∞。
3.9试写出图P3.9 所示电路A d 和R i 的近似表达式。设T l 和T 2的电流放大系数分别为β1
和β2，b-e 间动态电阻分别为1be r 和2be r 。
解：A d 和R i 的近似表达式分别为
12112
(//
)2(1)L
c d be be R R A r r βββ≈-++； 1122[(1)]i be be R r r β=++
3.10电路如图P3.10 所示，T l ~T 5的电流放大系数分别为β1~β5 , b-e 间动态电阻分别为r be1~r be5，写出A u 、R i 和R o 的表达式。
图P3.10 图P3.11
解：A u 、R i 和R o 的表达式分析如下： 11244511{//[(1)]}
2O be u I be u R r R A u r ββ?++=
=
? 2465
5722445{//[(1)]}
(1)O be u I be u R r R A u r R βββ?++=
=-?++ 357
33557
(1)(1)O u I be u R A u r R ββ?+=
=
?++ ∴123O u u u u I u A A A A u ?=
=???; 12i be be R r r =+; 5
6
75
//1be o r R R R β+=+ 3.11 电路如图P3.11 所示。已知电压放大倍数为-100 ，输入电压u I 为正弦波，T 2和
T 3管的饱和压降U CES =1V 。试问：
(1)在不失真的情况下，输入电压最大有效值U imax 为多少伏？ (2)若U i = 10mV （有效值），则U o ＝？若此时R 3开路，则U o ＝？若R 3短路，则U o ＝？ 解：(1)最大不失真输出电压有效值为
:7.78om U V =
≈
故在不失真的情况下，输入电压最大有效值： max 77.8om
i u
U U mV A =
≈ (2)U i = 10mV ，则U o ＝1V （有效值）。
若R 3开路，则T l 和T 3组成复合管，等效13βββ=, T 3可能饱和，使得11O U V =-（直流）;若R 3短路，则
11.3O U V =（直流）。
第三章多级放大电路总结 一、多级放大电路的耦合方式 1、直接耦合（多用于直流信号的放大及集成电路中） 优点：可以放大变化缓慢的信号；便于集成化； 缺点：存在零漂现象； 2、阻容耦合（通常在信号频率很高、输出功率很大的特殊情况下采用）如图所示： 优点：各级放大器Q点独立；输出零漂较小； 缺点：不能放大变化缓慢的信号；不便于集成化； 3、变压器耦合（需要输出特大功率、或实现高频功率放大时采用） 优点：各级放大器Q点独立；可以实现阻抗变换； 缺点：不能放大变化缓慢的信号；笨重；不能集成化； 4、光电耦合（了解）：放大能力较强 二、多级放大电路的动态分析 1、电压放大倍数A u=A u1A u2A u3…A u N
2、输入电阻和输出电阻：R i=R i1 ;R o=R oN （用射级输出器作为输入级，构成两级放大器，可大大提高输入电阻；用射极输出器作为输出级，可以减小放大器的输出电阻，提高带负载能力） （1）要把后级的输入阻抗作为前级的负载电阻； （2）前级的开路电压作为后级的信号源电压，前级的输出阻抗作为后级的信号源阻抗。 对电压放大电路的要求：R i大，R o小，Au的数值大，最大不失真输出电压大。 三、直接耦合放大电路 ?零漂（温漂）：输入电压为零而输出电压的变化不为零的现象； 抑制温度漂移的方法： 1在电路中引入直流负反馈； 2采用温度补偿的方法，利用热敏元件来抵消放大管的变换； 3采用特性相同的管子（即对管），使它们的温漂相互抵消，构成“差分放大电路”； ?差分放大电路： 图1 基本形式如右图1，对电路的要求:两个电路的参数完全对称，两个管子的温度特性也完全对称； 共模信号：大小相等、极性相同的输入信号；（如右 图） 差放对共模信号有很强的抑制作用，在参数；理想的情况下， 共模输出为零。 A uc=0； 差模信号：大小相等、极性相反的输入信号； (如右图) U od=U c1-U c2=2U c1;
第1章 常用半导体器件 1.1选择合适答案填入空内。 (l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。 A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。 A.增大 B.不变 C.减小 (3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。 A.83 B.91 C.100 (4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。 A.增大； B.不变； C.减小 1.3电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。设二极管导通电 压可忽略不计。 图P1.2 解图P1.2 解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。 1.4电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。试画出i u 与o u 的 波形图，并标出幅值。 图P1.3 解图P1.3
1.6电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈，电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波，有效值为10mV 。试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？ 解：二极管的直流电流 ()/ 2.6D D I V U R mA =-= 其动态电阻: /10D T D r U I ≈=Ω 故动态电流的有效值：/1d i D I U r mA =≈ 1.7现有两只稳压管，稳压值分别是6V 和8V ，正向导通电压为0.7V 。试问： (1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？ 解：(1)串联相接可得4种：1.4V ；14V ；6.7V ；8.7V 。 1、两个管子都正接。（1.4V ） 2、6V 的管子反接，8V 的正接。(6.7V) 3、8V 的反接， 6V 的管子正接。(8.7V) 4、两个管子都反接。（14V ） (2)并联相接可得2种：0.7V ；6V 。 1、 两个管子都反接，电压小的先导通。(6V) 2.、一个正接，一个反接，电压小的先导通。（0.7V ） 1.8 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。试求图P1.8所示电路中电阻R 的取值范围。 解：稳压管的最大稳定电流： I ZM ＝P ZM / U Z ＝25mA 电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin 所以其取值范围为 Ω=-= k 8.136.0Z Z I ～I U U R
模拟电子技术作业答案 班级_________ _ 学号_____ __ 姓名_____________ 第2章半导体三极管及其放大电路1．简答题： （1）放大电路中为何设立静态工作点？静态工作点的高、低对电路有何影响？ 答：设立静态工作点的目的是使放大信号能全部通过放大器。Q点过高易使传输信号部分进入饱和区；Q点过低易使传输信号部分进入截止区，其结果都是信号发生失真。 （2）说明利用三极管组成放大电路的基本原则。 答：不论那种组态的放大电路，如果希望能够正常放大信号，必须遵守以下原则。 ①有极性连接正确的直流电源、合理的元件参数，以保证三极管发射结正偏、集电结反偏和合适的静态工作点，使三极管工作在放大区。 ②信号能够从放大电路的输入端加到三极管上，经过三极管放大后，又能传给放大电路的下一级或负载。 (3) 分析放大电路有哪几种方法？几种方法分别有什么特点？ 答：分析放大电路有近似法、微变等效法和图解法。近似法简洁、精确，工程上常用来分析放大电路的静态工作点；微变等效法方便分析放大电路的动态；图解法直观，可同时用于分析放大电路的静态和动态。 （4）共射、共集和共基表示BJT的三种电路接法，而反相电压放大器，电压跟随器和电流跟随器则相应地表达了输出量与输入量之间的大小与相位关系，如何从物理概念上来理解？ 答：共射电路有电压放大作用，且输出电压与输入电压相位相反。为此，称这种放大电
路为反相电压放大器。共集电路没有电压放大作用且输出电压与输入电压同相位。因此，可将这种放大电路称为电压跟随器。共基电路有输出电流与输入电流接近相等。为此，可将它称为电流跟随器。 2．图1所示电路中，已知硅型晶体三极管发射结正向导通电压为0.7V， =100，临界放大饱和时三极管压降（集电极-发射极之间）为0.3V。判断电路中各晶体管的工作状态。 (a) (b) (c) 图1 解：分析：判断晶体三极管的工作状态并计算各级电流问题的分析方法如下。 方法一： 1．对于NPN管，若U BE<0.7V，则管子截止；对于PNP管，若U BE>-0.7V，或U EB<0.7V 则管子截止； 2．若NPN管，U BE>0.7V，PNP管U EB>0.7V，则说明三极管处于放大状态或饱和状态。 对于NPN管，如果假设三极管工作在放大区，计算结果得管子压降U CE>0.3V（设小功率三极管饱和压降为0.3V），说明管子确实工作在放大状态。如果计算结果得管子压降U CE<0.3V，说明管子工作在饱和区。 对于PNP管，如果假设三极管工作在放大区，计算结果得管子压降U EC>0.3V，说明管子确实工作在放大状态。如果计算结果得管子压降U EC<0.3V，说明管子工作在饱和区。方法二： 当确定三极管处于非截止状态时，计算三极管的基极电流I B及饱和电流集电极电流I CS （U EC=0.3V），如果βI B I CS，说明电路处于饱和状态。 方法二似乎更为简单。 解：
4.1 已知某放大器的幅频特性如题图4.1所示。 (1) 试说明该放大器的中频增益、上限频率f H 和下限频率f L 、通频带BW 。 (2) 当()()() ()mV t sin mV t sin u i 4 61022010410?+?=ππ和 ()()() ()mV t sin mV t sin u i 4102205210?+?=ππ时，输出信号有无失真？是何种性质 的失真？分别说明之。 解：(1)由题图4.1可得：中频增益为40dB ，即100倍，f H =106Hz, f L =10Hz （在f H 和f L 处，增益比中频增益下降30dB ），Hz BW 66101010≈-=。 (2)当()()() ()mV t sin mV t sin u i 4 61022010410?+?=ππ时，其中f =104Hz 的频率在中频 段，而Hz f 6102?=的频率在高频段，可见输出信号要产生失真，即高频失真。 当()()() ()mV t sin mV t sin u i 4 102205210?+?=ππ时，f =5Hz 的频率在低频段，f =104Hz 的 频率在中频段，所以输出要产生失真，即低频失真。 4.2 某放大电路电压增益的渐近波特图如题图4.2所示。设中频相移为零。 (1)写出A u (jf)频率特性的表达式。 (2)求f=107Hz 处的相移值。 (3)求下限频率f L 的值。 (4)求f=100Hz 处实际的dB 值。 (5)求f=10Hz 和f=105Hz 的相移值。 题图4.1
解: (1)中频放大倍数为103，高频有一个极点频率为105Hz ，一个零点频率为106Hz ，低频有两个极点频率均为102Hz ，两个零点频率均为10Hz 。所以 ) 101()101()10 1()101(10)(522623 f j f j f j f j jf A v +-+-= (2)f=107Hz 处的相移为零 o Hz f o Hz f Hz f v L dB A Hz f 45|,90|)5(54lg 20)4(15512/10)3(510101002 1 2 -====-≈===?? 4.3 已知某晶体管电流放大倍数的频率特性波特图如题图4.3所示，试写出β的频率特性表 达式，分别指出该管的ωβ、ωT 各为多少？并画出其相频特性的近似波特图。 (b) 题图4.2
E ） I R ：I R =100S 2 L ： |.：（1 ? ：） R R 四、电路如图T4.4所示。 第4章集成运算放大电路 自测题 一、选择合适答案填入空内。 (1) 集成运放电路采用直接耦合方式是因为 (c )。 A ?可获得很大的放大倍数 B ?可使温漂小 C.集成工艺难于制造大容量电容 (2) 通用型集成运放适用于放大 (B )。 A.高频信号 B.低频信号 C.任何频率信号 (3) 集成运放制造工艺使得同类半导体管的 (C )。 A.指标参数准确 B.参数不受温度影响 C.参数一直性好 (4) 集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以 (A )。 A.减小温漂 B.增大放大倍数 C.提高输入电阻 (5) 为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用(A )。 A.共射放大电路 B.共集放大电路 C.共基放大电路 二、判断下列说法是否正确，用 “用“X 表示判断结果。 (1) 运放的输入失调电压 U IO 是两输入端电位之差。(X (2) 运放的输入失调电流I IO 是两输入端电流之差。(V ) ⑶运放的共模抑制比 K CMR = 仝。(V) A c (4)有源负载可以增大放大电路的输出电流。 (V ) (5)在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。 (X 三、电路如图T4.3所示，已知31 = 分析估算如下： 二 V cc -U BE 2 —U BE1 =IOO 」A R 解: 1 B2 2I B0 ■ - I B0 1 ： I R = ' I B0 I B2 C2的 值。 图 T4.3 1 C2 八B2"2— I B0。比较上两式，得 1 C2
模拟电子线路随堂练习 第一章半导体器件 作业1-1 一、习题（满分100分） 1.N型半导体带负电，P型半导体带正电。（） 2.以空穴为主要导电方式的半导体称为P型半导体。（） 3.PN结处于正向偏置时，正向电流小，电阻大，处于导通状态。（） 4.晶体二极管的反向电压上升到一定值时，反向电流剧增，二极管被击穿，就不能再使用了。（） 5.硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。（） 6.在本征半导体中，空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。（） 7.晶体三极管的基极，集电极，发射极都不可互换使用。（） 8.晶体三极管工作在饱和状态的条件是：发射结正偏，集电结正偏。（） 9.晶体三极管有三种工作状态，即：放大状态，饱和状态，导通状态。（） 10.三极管是一种电压控制器件，场效应管是一种电流控制器件。（） 11.温度升高后，在纯净的半导体中（）。 A.自由电子和空穴数目都增多，且增量相同 B.空穴增多，自由电子数目不变 C.自由电子增多，空穴不变 D.自由电子和空穴数目都不变 12.如果PN结反向电压的数值增大（小于击穿电压），则（）。 A.阻当层不变，反向电流基本不变 B.阻当层变厚，反向电流基本不变 C.阻当层变窄，反向电流增大 D.阻当层变厚，反向电流减小
一、习题（满分100分） 1.N型半导体（）。 A.带正电 B.带负电Ｃ.呈中性Ｄ.不确定 2.如果二极管的正反向电阻都很大，则该二极管（）。 A.正常 B.断路Ｃ.被击穿Ｄ.短路 3.对于晶体二极管，下列说法正确的是（）。 A.正向偏置时导通，反向偏置时截止 B.反向偏置时无电流流过二极管 C.反向击穿后立即烧毁 D.导通时可等效为一线性电阻 4.工作在放大状态的三极管两个电极电流如图，那么，第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别为（）。 A.0.03mA 流出三极管e、c、b B.0.03mA 流进三极管e、c、b C.0.03mA 流出三极管c、e、b D.0.03mA 流进三极管c、e、b 5.测得电路中晶体三极管各电极相对于地的电位如图，从而可判断该晶体管工作在（）。 A.饱和状态 B.放大状态 C.倒置状态Ｄ.截止状态 6.PNP型晶体管工作在放大状态，三个极电位的关系是（）。 A.V C>V B>V E B. V C> V E > V BＣ.V E >V B> V CＤ.V E >V C>V B 7.PNP型硅管工作在放大状态，各极对地电位分别是V1=6V，V2=2.7V，V3=2V，则1，2，3分别为（）。 A.发射极、基极、集电极 B.集电极、基极、发射极 C.集电极、发射极、基极 D.基极、集电极、发射极 8.测得三极管i b=30μA时i c=2.4mA，而i b=40μA时i c=3mA，则该管的交流电流放大系数β为（）。 A.60 B.75 C.80 Ｄ.100 9.NPN型硅管各极对地电位分别是V1=6V，V2=2.7V，V3=2V，则1，2，3分别为（）。 A.基极、集电极、发射极 B.发射极、基极、集电极 C.集电极、发射极、基极 D.集电极、基极、发射极 10.三极管输出特性曲线可分为三个区，下列不属于工作区的是（）。 A.截止区 B.放大区 C.饱和区Ｄ.击穿区 11.在放大电压信号时，通常希望放大电路的输入电阻和输出电阻分别为（） A.输入电阻小，输出电阻大 B.输入电阻小，输出电阻小 C.输入电阻大，输出电阻小 D.输入电阻大，输出电阻大
一、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。 （10分） （1）在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。 （ ） （2）电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。 （ ） （3）使输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。 （ ） （4）产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。 （ ） （5）利用两只NPN 型管构成的复合管只能等效为NPN 型管。 （ ） （6）本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。 （ ） （7）未加外部电压时，PN 结中电流从P 区流向N 区。 （ ） （8）集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。 （ ） （9）只要引入正反馈，电路就会产生正弦波振荡。 （ ） （10）直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。 （ ） 二、选择填空 （10分） （1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入； 为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入。 （A ）电流负反馈 （B ）电压负反馈 （C ）直流负反馈 （D ）交流负反馈 （2）RC 串并联网络在RC f f π21 0= =时呈。 （A ）感性 （B ）阻性 （C ）容性 （3）通用型集成运放的输入级多采用。 （A ）共基接法 （B ）共集接法 （C ）共射接法 （D ）差分接法 （4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为。 （A ）β（B ）β2 （C ）2β（D ）1+β （5）在（A ）、（B ）、（C ）三种电路中输出电阻最小的电路是； 既能放大电流，又能放大电压的电路是 。 （A ）共基放大电路 （B ）共集放大电路 （C ）共射放大电路 （6）当NPN 型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C u B u E 。 （A ） > （B ） < （C ） = （D ）≤ （7）硅二极管的正向导通压降比锗二极管的。 （A ） 大 （B ） 小 （C ） 相等 三、（5分）图示电路中二极管为理想二极管，请判断它是否导通，并求出 u 0。
第四章功放 一．判断题： （1）功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。（√） （2）乙类推挽电路只可能存在交越失真，而不可能产生饱和或截止失真。（×） （3）功率放大电路，除要求其输出功率要大外，还要求功率损耗小，电源利用率高。（√） （4）在功率放大电路中，电路的输出功率要大和非线性失真要小是对矛盾。（√）（5）教材第173页习题4-8 二、选择题 1、功率放大电路的效率是指（ B ） A．不失真输出功率与输入功率之比 B．不失真输出功率与电源供给功率之比 C．不失真输出功率与管耗功率之比 D．管耗功率与电源供给功率之比 3、甲类功率放大电路比乙类功率放大电路（ D ） A．失真小、效率高 B．失真大、效率低 C．管耗大、效率高 D．失真小，效率低 4．已知电路如图所示，T1和T2管的饱和管压降│U CES│＝3V，U CC＝15V，R L＝8Ω，。选择正确答案填入空内。 （1）电路中D1和D2管的作用是消除_________ 。 A．饱和失真B．截止失真C．交越失真 （2）静态时，晶体管发射极电位U EQ。 A．大于0V B．等于0V C．小于0V （3）最大输出功率P OM。 A．约等于28W B．等于18W C．等于9W 解： （1）C 乙类功率放大电路存在交越失真，通过D1,D2克服交越失真。
（2）B 静态时，由于电路对称，0=EQ U (3)C W R U U P L CES cc OM 98 *2)315(2)(22=-=-= 5、选择合适的答案，填入空内。只需填入A 、B 或C 。 （1）功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时，输出基 本不失真情况下，负载上可能获得的最大 。 A ．交流功率 B ．直流功率 C ．平均功率 （2）功率放大电路的转换效率是指 。 A ．输出功率与晶体管所消耗的功率之比 B ．最大输出功率与电源提供的平均功率之比 C ．晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比 （3）在OCL 乙类功放电路中，若最大输出功率为1W ，则电路中功放管的集电极最大功耗约为 。 A ．1W B ．0.5W C ．0.2W （4）在选择功放电路中的晶体管时，应当特别注意的参数有 。 A ．β B ．I C M C ．I C B O D ．B U C E O E ．P C M F ．f T （5）若图T1所示电路中晶体管饱和管压降的数值为│U C E S │，则最大输出功率P O M ＝ 。 A ．L 2 CES CC 2) (R U V - B ．L 2CES CC )21(R U V - C ．L 2 CES CC 2)2 1(R U V - 图T1 解：（1）A （2）B （3）C （4）B D E （5）C 6、 已知电路如图T2所示，T 1和T 2管的饱和管压降│U C E S │＝3V ，V C C ＝ 15V ， R L ＝8Ω，。选择正确答案填入空内。
第一章常用半导体器件 自测题 一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 （1）在P型半导体中如果掺入足够量的五价元素，可将其改型为N型半导体。（√） （2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（×） （3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（√） （4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。 （×）（5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R G S大的特点。（√） （6）若耗尽型N沟道MOS管的U G S大于零，则其输入电阻会明显变小。（×） 解： 二、选择正确答案填入空内。 （1）PN结加正向电压时，空间电荷区将。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）稳压管的稳压区是其工作在。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 （3）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 （4）U G S＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。 A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管 解：（1）A （2）C （3）B （4）A C 第一章题解－1
第一章题解－2 三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D ＝0.7V 。 图T1.3 解：U O 1≈1.3V ，U O 2＝0，U O 3≈－1.3V ，U O 4≈2V ，U O 5≈1.3V ， U O 6≈－2V 。 四、已知稳压管的稳压值U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Z mi n ＝5mA 。求图T1.4所示电路中U O 1和U O 2各为多少伏。 图T1.4 解：(a)图能击穿稳压，U O 1＝6V ；(b)图不能击穿，靠电阻分压，U O 2＝5V 。
第一章 电路的基本概念和基本定律 1.1 在题1.1图中，各元件电压为 U 1=-5V ，U 2=2V ，U 3=U 4=-3V ，指出哪些元件是电源，哪些元件是负载？ 解：元件上电压和电流为关联参考方向时，P=UI ；电压和电流为非关联参考方向时，P=UI 。P>0时元件吸收功率是负载，P<0时，元件释放功率，是电源。 P 1=-P 2P 3=U P 4=-元件2、4 1.2 3t C e (u -=i =-R u =L u = 1.3 在题1.3图中，已知I=2A ，求U ab 和P ab 。 解：U ab =IR+2-4=2×4+2-4=6V ， 电流I 与U ab 为关联参考方向，因此 P ab =U ab I=6×2=12W 1.4 在题1.4图中，已知 I S =2A ，U S =4V ，求流过恒压源的电流I 、恒流源上的电压U 及它们的功率，验证电路的功率平衡。 +U 4 -b a 题1.3图
解：I=I S =2A ， U=IR+U S =2×1+4=6V P I =I 2R=22×1=4W ， U S 与I 为关联参考方向，电压源功率：P U =IU S =2×4=8W ， U 与I 为非关联参考方向，电流源功率：P I =-I S U=-2×6=-12W ， 验算：P U +P I +P R =8-12+4=0 U U 1.7 求题1.7图中的I x 和U x 。 a b 10Ω题1.4图 +6V - (a) 3Ω (b) 题1.7图 2
解：（a ）以c 为电位参考点，则V a =2×50=100V I 3×100=V a =100，I 3=1A ， I 2=I 3+2=3A ， U X =50I 2=150V V b =U X +V a =150+100=250V I 1×25=V b =250, I 1=10A ， I X =I 1+I 2=10+3=13A （ 6×由 1.8 20 1a V I =，5502 +=a V I ， 10503-=a V I 由KCL 得： I 1+I 2+I 3=0 即 010 50 55020=-+++a a a V V V 解得 V V a 7 100 -= 1.9 在题1.9图中，设t S m S e I i t U u α-==0,ωsin ,求u L 、i C 、i 和u 。
绪论 一. 符号约定 大写字母、大写下标表示直流量。如: V CE、I C等。 小写字母、大写下标表示总量( 含交、直流) 。如: v CE、i B 等。 小写字母、小写下标表示纯交流量。如: v ce、i b等。 上方有圆点的大写字母、小写下标表示相量。如: 等。二．信号 ( 1) 模型的转换 ( 2) 分类 ( 3) 频谱
二.放大电路( 1) 模型 ( 2) 增益
如何确定电路的输出电阻r o ? 三．频率响应以及带宽 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称
为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素( 多子是空穴, 少子是电子) 。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素( 多子是电子, 少子是空穴) 。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度, 少子浓度与温度有关。 *体电阻---一般把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---经过改变掺杂浓度, 一种杂质半导体能够改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V, 锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通, 反偏截止。 8. PN结的伏安特性
模电题库及答案
模拟电子线路随堂练习 第一章半导体器件 作业1-1 一、习题（满分100分） 1.N型半导体带负电，P型半导体带正电。（） 2.以空穴为主要导电方式的半导体称为P型半导体。（） 3.PN结处于正向偏置时，正向电流小，电阻大，处于导通状态。（） 4.晶体二极管的反向电压上升到一定值时，反向电流剧增，二极管被击穿，就不能再使用了。（） 5.硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。（） 6.在本征半导体中，空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。（） 7.晶体三极管的基极，集电极，发射极都不可互换使用。（） 8.晶体三极管工作在饱和状态的条件是：发射结正偏，集电结正偏。（） 9.晶体三极管有三种工作状态，即：放大状态，饱和状态，导通状态。（） 10.三极管是一种电压控制器件，场效应管是一种电流控制器件。（） 11.温度升高后，在纯净的半导体中（）。 A.自由电子和空穴数目都增多，且增量相同 B.空穴增多，自由电子数目不变 C.自由电子增多，空穴不变 D.自由电子和空穴数目都不变 12.如果PN结反向电压的数值增大（小于击穿电压），则（）。 A.阻当层不变，反向电流基本不变 B.阻当层变厚，反向电流基本不变 C.阻当层变窄，反向电流增大 D.阻当层变厚，反向电流减小
作业1-2 一、习题（满分100分） 1.N型半导体（）。 A.带正电 B.带负电Ｃ.呈中性Ｄ.不确定 2.如果二极管的正反向电阻都很大，则该二极管（）。 A.正常 B.断路Ｃ.被击穿Ｄ.短路 3.对于晶体二极管，下列说法正确的是（）。 A.正向偏置时导通，反向偏置时截止 B.反向偏置时无电流流过二极管 C.反向击穿后立即烧毁 D.导通时可等效为一线性电阻 4.工作在放大状态的三极管两个电极电流如图，那么，第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别为（）。 A.0.03mA 流出三极管 e、c、b B.0.03mA 流进三极管 e、c、b C.0.03mA 流出三极管 c、e、b D.0.03mA 流进三极管 c、e、b 5.测得电路中晶体三极管各电极相对于地的电位如图，从而可判断该晶体管工作在（）。 A.饱和状态 B.放大状态 C.倒置状态Ｄ.截止状态 6.PNP型晶体管工作在放大状态，三个极电位的关系是（）。 A.V C>V B>V E B. V C> V E > V BＣ.V E >V B> V CＤ.V E >V C>V B 7.PNP型硅管工作在放大状态，各极对地电位分别是V1=6V，V2=2.7V，V3=2V，则1，2，3分别为（）。 A.发射极、基极、集电极 B.集电极、基极、发射极 C.集电极、发射极、基极 D.基极、集电极、发射极 8.测得三极管i b=30μA时i c=2.4mA，而i b=40μA时i c=3mA，则该管的交流电流放大系数β为（）。 A.60 B.75 C.80 Ｄ.100 9.NPN型硅管各极对地电位分别是V1=6V，V2=2.7V，V3=2V，则1，2，3分别为（）。 A.基极、集电极、发射极 B.发射极、基极、集电极 C.集电极、发射极、基极 D.集电极、基极、发射极 10.三极管输出特性曲线可分为三个区，下列不属于工作区的是（）。 A.截止区 B.放大区 C.饱和区Ｄ.击穿区 11.在放大电压信号时，通常希望放大电路的输入电阻和输出电阻分别为（） A.输入电阻小，输出电阻大 B.输入电阻小，输出电阻小 C.输入电阻大，输出电阻小 D.输入电阻大，输出电阻大
第4章 集成运算放大电路 自测题 一、选择合适答案填入空内。 (1)集成运放电路采用直接耦合方式是因为( C )。 A.可获得很大的放大倍数 B.可使温漂小 C.集成工艺难于制造大容量电容 (2)通用型集成运放适用于放大( B )。 A.高频信号 B.低频信号 C.任何频率信号 (3)集成运放制造工艺使得同类半导体管的( C )。 A.指标参数准确 B.参数不受温度影响 C.参数一直性好 (4)集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以( A )。 A.减小温漂 B.增大放大倍数 C.提高输入电阻 (5)为增大电压放大倍数,集成运放的中间级多采用( A )。 A.共射放大电路 B.共集放大电路 C.共基放大电路 二、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果。 (1)运放的输入失调电压U IO 是两输入端电位之差。( × ) (2)运放的输入失调电流I IO 是两输入端电流之差。( √ ) (3)运放的共模抑制比c d CMR A A K = 。( √ ) (4)有源负载可以增大放大电路的输出电流。( √ ) (5)在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。( × ) 三、电路如图 所示，已知β1＝β2＝β3= 100 。各管的U BE 均为 , 试求I C 2的值。 解：分析估算如下： 21 100CC BE BE R V U U I A R μ--= = 00202211B B B B I I I I ββ ββ ++= =++； 020 2( )1R B B B I I I I β βββ+=+=++ 图 22021C B B I I I β ββ β +==?+。比较上两式，得 2(2) 1002(1) C R R I I I A ββμβββ+= ?≈=+++ 四、电路如图所示。
1、在双端输入、输出的理想差分放大电路中，若两输入电压V i1=V i2，则输出电压V o= ，若V i1=+1500μV，V i2=+500μV，则可知差动放大电路的输入差值电压V id= 。 解: 0 1000μV 2、改进差动放大电路时： （1）用电流源电路取代R e的目的是; （2）用电流源电路取代R c的目的是; （3）用共集-共基组合型差动电路的目的是; （4）用复合管或超β管作差动管的目的是。 解：（1）用三极管代替大电阻，三极管相当于一个阻值很大的抑制零漂电阻R e； （2）采用有源负载可以得到很高的电压放大倍数； （3）有较高差模输入电阻和电压放大倍数，频率响应较好； （4）降低输入偏置电流提高输入阻抗。 3、在实际应用的差分放大电路中，为了提高共模抑制比，通常用代替R e，这种电路采用 电源供电方式。 解: 恒流源双 4、电路如图所示，两管的β= 60 电路的输入电阻为 A. 2.5kΩ B. 7 kΩ C. 10 kΩ D. 30 kΩ （ B ） 电路的输出阻抗为 A. 150Ω B. 2.5 kΩ C. 5 kΩ D. 8kΩ（A ） 第一级静态工作电流I CQ1大致为 A. 0.8A B. 1mA C. 1.2mA D. 2mA （ B ） 第二级静态电压V CEQ2大致为 A. 7.3V B. 8.7V C. 9.3V D. 10.7V （ B ） 电路的电压的放大倍数为 A. –1 B. –2 C. –200 D. –450 （B ）
5、图示单端输出差分放大电路中，若输入电压△v S1 = 80mV ，△v S2 = 60mV ，则差模输入电压│△v Id │为 A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV （B ） 6、集成放大电路采用直接耦合方式的原因是 A. 便于设计 B. 放大交流信号 C. 不易制作大容量电容 D. 以上各项都不是 （ C ） 7、由于场效应管的栅极几乎不取电流，所以场效应管与双极型晶体 管也不能组成复合管。（× ） 8、差动放大电路输入信号为v i1 = 1mV ，v i2 = －1mV ，是差模输入。（√ ） 差动放大电路输入信号为v i1 = 1mV ，v i2 = 1mV ，是共模输入。（√ ） 差动放大电路输入信号为v i1 = 3mV ，v i2 = －2mV ，是差模输入。（ × ） 差动放大电路输入信号为单端输入时即v i1 = 2mV ，v i2 = 0，是差模输入伴随有共模输入。（ √ ） 9、在下图所示电路中设R L ′=R L //R c =5k Ω，R e = 14.3k Ω，R b =5.1k Ω，V CC =V EE = 15V,β= 50，r bb ′= 200Ω，V BE = 0.7 V 。当v s1 = 5mV ，v s2 = 1mV 时，求电路的主要指标A vd1、A dc1、K CMR 和v o1的值。 解：设V B = 0 V 则V E = 0.7 V 即 mA 13 .14157.0)(e EE E E =+-=--=R V V I I C1= I E / 2 = 0.5mA r be = r be1= r be2 = r bb ′+（1 +β）26 / I C1= 2.85k Ω 单端输出差模电压放大倍数 A vd1 7.15) 85.21.5(2550)(2'-=+?-=+-=be b L r R R β 单端输出共模电压放大倍数 A dc117.03 .1425185.21.55502)1('-=??++?-=+++-=e be b L R r R R ββ 共模抑制比K CMR = │A vd1 / A dc1│= 92.35 求v o1的值，由两管输入的差模信号 v id = v s1－v s2= 5mV －1mV= 4 mV 两管输入的共模信号 v ic =（v s1+v s2）/ 2= 3 mV 则 v o1 = v od1 + v oc1 = v id A vd1+ v ic A dc1= －63.31 mV 10、在下图所示电路中，设T 1~T 4的β= 120，r bb ′= 200Ω，R c = 10k Ω，R e3= R e4=100Ω，R = 4.3k Ω，R b =1k Ω，V CC =12V ，V EE = 6V ，V BE = 0.7 V 。试计算电路的静态工作点及A vd1。 解：具有电流源的差分放大电路，计算电路的静态工作点应从电流源 入手。图中，T 3、T 4管组成比例电流源电路。R 、T 4、R e4、V EE 构成基 准电流源。则有 mA 2.11.03.47.064e BE EE REF ≈+-=+-= R R V V I mA 2.1REF 3 e 4e 3C =?=I R R I I C1 = I C2 = I C3 / 2 = 0.6 mA V C1 = V CC －I C1 R c = 6V
第一章 半导体基础知识 自测题 一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈1.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V 五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 μA 26V C C CC CE B C b BE BB B =-====-= R I U I I R U I β U O ＝U CE ＝2V 。 2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。 习题 1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 t t
1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 1.5 u o 的波形如图所示。 1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝ 2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。 1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 （2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。 1.9 （1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流为4mA ，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I ＝15V 时，由于上述同样的原因，U O ＝5V 。 当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝5V 。 （2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 （1）S 闭合。 （2）。，Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R t t
第四章参考答案 4.1 根据图4.39所示的场效应管转移特性曲线，判断场效应管的类型，并标出夹断电压G S(off)U 或开启电压G S(th)U 和漏极饱和电流D SS I 的位置。 D i GS v 0 D i GS v 0 D i GS v （a ） （b ） （c ） 图4.39 习题4.1的图 解： D i GS v 0 D i GS v 0 D i GS v GS(off) U GS(off) U GS(off) U （a ） （b ） （c ） 图题4.1 答案 （a ）P 沟道耗尽型MOS 管；（b ）N 沟道耗尽型MOS 管；（c ）P 沟道结型FET 。 4.2 根据图4.40所示的场效应管输出特性曲线，判断场效应管的类型，并确定夹断电压G S(off)U 或开启电压G S(th)U 的大小。 i D /mA u DS /V 0 u GS = 3V u GS = 2V u GS = 4V u GS =5V i D /mA u DS /V u GS = -2V u GS = -3V u GS = -1V u GS =0V i D /mA u DS /V 0u GS = -5V u GS = -6V u GS = -4V u GS =-3V （a ） （b ） （c ） 图4.40 习题4.2的图 解：（a ）N 沟道增强型MOS 管，GS(th)2V U =；（b ）P 沟道增强型MOS 管，GS(th)3V U =-；（c ）N 沟道结型FET ，GS(off)3V U =-。
4.3 在场效应管组成的电路中，其各极的电位如图4.41所示，已知G S(off)G S(th)3V U U ==，确定管子的工作状态。 3V 1V 8V 1V 1V 8V -5V 0V -1V 0V 4V 4V （a ） （b ） （c ） （d ） 图4.41 习题4.3的图 解：（a ）截止区；（b ）饱和区；（c ）可变电阻区；（d ）饱和区。 4.4 已知N 沟道增强型MOS 管的参数为G S (t h ) 1V U =，100m W =μ，5m L =μ，2 n 650cm /V s μ= ，9 2 ox 76.710F /cm C -=?。当GS GS(th)2U U =，管子工作在饱和区，试计算此 时的漏极电流D I 。 解： 22 n ox D n GS GS(th)GS(th)()(2)1mA 2μC W I K u U U L =-= ?≈ 4.5判断图4.42中的各电路能否放大交流信号，并说明理由。 D R + - i u + -o u G R R 1 C S C 2C + + + DD V -G1R G2 R D R + - i u + - o u G R R 1 C S C 2 C + + + DD V （a ） （b ）（b ）不能，GS 0 U =没 有形成导电沟道，所以不能正常放大； D R + - i u + -o u G R R 1 C S C 2C + + + DD V + - i u + - o u G R R 1 C S C 2 C + + + DD V （c ） c ）不能，因为GS 0U >；（ ）不能，因为缺少漏极电阻D R 图4.42 习题4.5电路图 解：（a ）能；（d 。 4.6 电路如图 4.43所示，已知DSS 4mA I =，GS(off)4V U =-，G 1M R =Ω，1K R =Ω， D 2K R =Ω， DD 12V V =。电容的容量足够大，求静态工作点 Q （GSQ U 、DSQ U 、D Q I ）。