绝密★考试结束前
全国2014年4月高等教育自学考试
电子技术基础(三)试题
课程代码：04730
请考生按规定用笔将所有试题的答案涂、写在答题纸上。
选择题部分
注意事项：
1.答题前，考生务必将自己的姓名、准考证号用黑色字迹的签字笔或钢笔填写在答题纸
规定的位置上。
2.每小题选出答案后，用2B铅笔把答题纸上对应题目的答案标号涂黑。如需改动，用橡皮擦干净后，再选涂其他答案标号。不能答在试题卷上。
一、单项选择题(本大题共15小题，每小题1分，共15分)
在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其选出并将“答题纸”的相应代码涂黑。未涂、错涂或多涂均无分。
1、以下关于无源元件的描述中，错误
．．的是
A、电阻是无源元件
B、电感是无源元件
C、电容是无源元件
D、集成运放是无源元件
2、以下关于电流源的描述中，错误
．．的是
A、电流源两端的电压大小由负载决定
B、理想电流源的内阻趋于无穷大
C、两个输出电流值不同的直流电流源可以串联在一起
D、理想电流源作用为零时，可等效为开路状态
3、电路如题3图所示，则可求得电路中的端电压U的值是
A、0.25V
B、0.5V
C、1V
D、2V
4、若测得某晶体管放大电路中，晶体管的三个电极电位分别为8V、4V、3.4V，则可判断
该晶体管属于
A、npn硅管
B、npn锗管
C、pnp硅管
D、pnp锗管
5、在多级放大电路中，以下关于输入电阻和输出电阻的描述中，正确的是
A、输入电阻只取决于最后一级，输出电阻只取决于第一级放大电路的结构和参数
B、输入电阻只取决于第一级，输出电阻只取决于最后一级放大电路的结构和参数
C、输入电阻和输出电阻都只取决于第一级放大电路的结构和参数
D、输入电阻和输出电阻都只取决于最后一级放大电路的结构和参数
6、理想运算放大器虚短与虚断的具体含义是
A、虚短：i-=i+，虚断：u-=u+
B、虚短：u-=u+=0，虚断：i-=i+
C、虚短：i-=i+，虚断：u-=u+=0
D、虚短：u-=u+，虚断：i-=i+=0
7、反相比例运算电路的负反馈类型是
A、电压串联负反馈
B、电压并联负反馈
C、电流串联负反馈
D、电流并联负反馈
8、三端集成稳压器CW78M12输出的直流电流是
A、0.5A
B、1A
C、1.5A
D、2A
9、稳压二极管正常工作时的状态是
A、正向导通状态
B、反向截止状态
C、反向击穿状态
D、正向击穿状态
10、题10图所示逻辑符号表示的是
A、与门
B、与非门
C、异或门
D、或非门
11、以下关于CMOS系列集成门电路说法中，正确的是
A、主要由场效应管构成，它的特点是集成度低、功耗低、速度快
B、主要由场效应管构成，它的特点是集成度高、功耗低、速度慢
C、主要由双极型晶体三极管构成，它的特点是集成度低、功耗低、速度快
D、主要由双极型晶体三极管构成，它的特点是集成度高、功耗低、速度慢
12、在决定一个事件的所有条件中，只要有一个或一个以上的条件具备时，这个事件就发生，则该逻辑是
A、逻辑与
B、逻辑乘
C、逻辑或
D、逻辑非
13、题13图所示逻辑电路的逻辑表达式为
电子技术基础考试试题及参考答案 试题 一、填空题（每空1分，共30分） 1．硅二极管的死区电压为_____V，锗二极管的死区电压为_____V。 2．常用的滤波电路主要有_____、_____和_____三种。 3．晶体三极管的三个极限参数为_____、_____和_____。 4．差模信号是指两输入端所施加的是对地大小_____，相位_____的信号电压。 5．互补对称推挽功率放大电路可分成两类：第一类是单电源供电的，称为_____电路，并有_____通过负载输出；第二类是双电源供电的，称为_____电路，输出直接连接负载，而不需要_____。 6．功率放大器主要用作_____，以供给负载_____。 7．集成稳压电源W7905的输出电压为_____伏。 8．异或门的逻辑功能是：当两个输入端一个为0，另一个为1时，输出为_____；而两个输入端均为0或均为1时，输出为_____。 9．(1111)2+(1001)2=( _____ )2(35)10=( _____ )2 (1010)2–(111)2=( _____ )2(11010)2=( _____ )10 (1110)2×(101)2=( _____ )2 10．逻辑函数可以用_____、_____、_____等形式来表示。 11．组合逻辑电路包括_____、_____、_____和加法器等。 二、判断题（下列各题中你认为正确的，请在题干后的括号内打“√”，错误的打“×”。全打“√”或全打“×”不给分。每小题1分，共10分） 1．放大器采用分压式偏置电路，主要目的是为了提高输入电阻。（） 2．小信号交流放大器造成截止失直的原因是工作点选得太高，可以增大R B使I B减小，从而使工作点下降到所需要的位置。（） 3．对共集电极电路而言，输出信号和输入信号同相。（） 4．交流放大器也存在零点漂移，但它被限制在本级内部。（） 5．同相运算放大器是一种电压串联负反馈放大器。（） 6．只要有正反馈，电路就一定能产生正弦波振荡。（） 7．多级放大器采用正反馈来提高电压放大倍数。（） 8．TTL集成电路的电源电压一般为12伏。（） 9．流过电感中的电流能够突变。（） 10．将模拟信号转换成数字信号用A/D转换器，将数字信号转换成模拟信号用D/A转换器。（） 三、单选题（在本题的每小题备选答案中，只有一个答案是正确的，请把你认为正确答案的代号填入题干后的括号内，多选不给分。每小题2分，共26分） 1．用万用表测得某电路中的硅二极管2CP的正极电压为2V，负极电压为1.3V，则此二极管所处的状态是（） A．正偏B．反偏C．开路D．击穿 2．放大器的三种组态都具有（） A．电流放大作用B．电压放大作用 C．功率放大作用D．储存能量作用 3．下列各图中，三极管处于饱和导通状态的是（）
1 电子技术基础试题（八） 一．填空题：（每题 3 分，共 30 分） 1、 PN 结具有 __单向导电特性____ 性能。 2、一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而___ 增大__ 。 3、射极输出器放在中间级是兼用它的______输入电阻_____ 大和___ 输出电阻小_____ 小的特点，起阻抗变换作用。 4、只有当负载电阻 RL 和信号源的内阻 rs__相等 __时，负载获得的功率最大，这种现象称为__ 阻抗匹配 ___。 5、运算放大器的输出是一种具有__深度负反馈高增益 ___的多级直流放大器。 6、功率放大器按工作点在交流负载线上的位置分类有：________ 甲__类功放， ___乙 ___类功放和___ 甲乙___类功放电路。 7、甲乙推挽功放电路与乙类功放电路比较，前者加了偏置电路向功放管提供少量__偏流IBQ _____ ，以减少 __交越__失真。 8、带有放大环节的串联型晶体管稳压电路一般由__采样电路 _ 、基准电源，比较放大电路和__调整元件 __四个部分组成。 9．逻辑代数的三种基本运算是_逻辑乘 __ 、 __逻辑加 _和 ___逻辑非 __。 10．主从触发器是一种能防止 __空翻 _现象的实用触发器。 二．选择题（每题 3 分，共 30 分） 1．晶体管二极管的正极的电位是－ 10V ，负极电位是－ 5V ，则该晶体二极管处于：（ C ）。A. 零偏 B.反偏 C.正偏 2．若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流减小时，使该三极管：（ A）。A.集电极电流减小 B.集电极与发射极电压 VCE上升 C.集电极电流增大
电子技术基础（三）试题答案及评分参考 第 1 页 （共 5 页） 绝密★启用前 2020 8 04730 一、单项选择题：本大题共15小题，每小题1分，共15分。 1．B 2．C 3．D 4．A 5．D 6．A 7．B 8．A 9．B 10．D 11．D 12．A 13．B 14．B 15．D 二、填空题：本大题共15小题，每小题1分，共15分。 16．0 17．?∠1.5310 18．0 19．单向导电性 20．截止 21．电压串联 22．反 23．同 24．增大 25．1A 26．1 27．32 28．4 29．2kHz 30．可编程 三、分析题：本大题共8小题，每小题5分，共40分。 31．（1）5 '31010V 105U =??=+,（1分） 10 ''1510V 105U =?=+,（1分） 101020V U =+=（1分） （2）2 2 2040W 10U P R ===（2分) 32．（1）1 o i u u dt t RC =-=?（3分） （2）t=3s 时，3V o u =；而t=6s 时，输出电压饱和，所以5V o u =（2分） 33．（1）U O(A V) =0.9U 2=18V （1分） （2）U O(A V) =1.2U 2=24V （1分） （3）U O(A V) =0.45U 2=9V （1分） （4）I D(A V) =0.5*18V/1 k Ω=9mA （2分） 34．（01000111）2=（71）10 （2分） （01000111）2=（47）16 （2分） （01000111）2=（01110001）8421BCD （1分）
电子技术基础期末考试考试题及答 案 部门： xxx 时间： xxx 整理范文，仅供参考，可下载自行编辑
触发器，输入信号=0,A.Q=0 B.Q=0C.=0 D.=1脉冲作用下， A.1 B.D C.0 D. 9.下图所示可能是鈡控同步RS 触发器真值表的是<） 10.电路如下图所示，若初态都为0，则的是<） 11.五位二进制数能表示十进制数的最大值是<） A.31B.32C.10 D.5 12.n 个触发器可以构成最大计数长度为的计数器<） A.n B.2n C.n2 D.2n 13.一个4位二进制加法计数器起始状态为0010，当最低位接收到10个脉冲时，触发器状态为<） A.0010 B.0100 C.1100 D.1111 14.下图所示的电路中，正确的并联型稳压电路为<） 15.在有电容滤波的单相桥式整流电路中，若要使输出电压为60V ，则变压器的次级电压应为<） A.50VB.60VC.72VD.27V 二、判断题<本大题共5小题，每小题3分，共15分）<对打√，错打×） 16.P 型半导体中，多数载流子是空穴< ） 17.环境温度升高时，半导体的导电能力将显著下降< ） 18.二极管正偏时，电阻较小，可等效开关断开<） 19.稳压二极管工作在反向击穿区域<） 20.光电二极管是一种把电能转变为光能的半导体器件<）
注：将 选择题 和判断 题答案 填写在 上面 的表 格 里， 否则 该题不得分 三、填空题<本大题共5小题，每小题4分，共20分） 21.JK触发器可避免RS触发器状态出现。与RS触发器比较，JK触发器增加了功能； 22.寄存器存放数码的方式有和两种方式； 23.二极管的伏安特性曲线反映的是二极管的关系曲线； 24.常见的滤波器有、和； 25.现有稳压值为5V的锗稳压管两只，按右图所示方法接入电路，则 V0=。 四、应用题<本大题共3小题，共35分，要求写出演算过程） 26.<10分）某JK触发器的初态Q=1，CP的下降沿触发，试根据下图所示的CP、J、K的波形，画出输出Q 和的波形。RTCrpUDGiT 27.<9分）如下图所示电路，测得输出电压只有0.7V，原因可能是： <1）R开路；<2）RL开路；<3）稳压二极管V接反； <4）稳压二极管V短路。应该是那种原因，为什么？ 28.<16分）分析下图所示电路的工作原理，要求： <1）列出状态表，状态转换图； <2）说明计数器类型。 参考答案及评分标准 一、单项选择题<本大题共15小题，每小题2分，共30分） 二、判断题<本大题共5小题，每小题3分，共15分） 三、填空题<本大题共5小题，每小题4分，共20分） 21.不确定，翻转22.并行和串行 23.VD-ID24.电容、电感、复式25.5.3V 四、应用题<本大题共3小题，共30分，要求写出演算过程） 26. 27.解：稳压二极管V接反，变成正向偏置，稳压二极管正向导通时，压降是0.7V 28.解：计数前，各触发器置0，使Q2Q1Q0=000
2008年4月高等教育自学考试全国统一命题考试 电子技术基础（三） 试卷 课程代码 4730 一、单项选择题（本大题共15小题，每小题1分，共15分） 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1．电路如图所示,能正确反映电压1U 和U 之间关系的表达式是（ ） A ．U R R R U 2 12 1+= B ．U R R R U 22 11+= C ．U R R R U 2 11 1+= D ．U R R R U 12 11+= 2．正弦电压u(t)=t)sin( ?m U (V),则正弦电压的有效值等于（ ） A ．m U 21 B ． m U 2 2 C ．m U D ．m U 2 3．电路如图所示,已知V U ,R R R s 21K Ω321====。则电流I 等于（ ） A ．0.5mA B ．1mA C ．2mA D ．3mA 4．图示电路中二极管21D D 和的导通电压均为0.7V ,当V U ,V U 51021==时,可以判断出（ ）
A ．截止导通21D ,D B ．导通截止21D ,D C ．导通导通21 D ,D D ．截止截止21D ,D 5．为使放大电路的输出电压稳定、输入电阻增大，需引入的交流负反馈是（ ） A ．电压串联 B ．电压并联 C ．电流串联 D ．电流并联 6．其特征是是理想运放的输出电阻,R o （ ） A ．0R o = B ．较大o R C ．∞趋于o R D ．与信号有关o R 7．集成运放作为线性应用时，电路形式一般是（ ） A ．开环 B ．正反馈 C ．开环或正反馈 D ．深度负反馈 8．单相桥式整流电路，2U 为变压器副边电压有效值，则二极管承受的最高反压RM U 为（ ） A ．222U B ．22U C ．2U 2 D ．2U 9．开关型集成稳压器与普通线性集成稳压器相比较，前者的突出特点是（ ） A ．稳压效果好 B ．效率高 C ．滤波电容大 D ．输出纹波小 10．某逻辑电路真值表如下表所示，其函数F 的表达式是（ ） A ． B F = B ．A F = C ．A F = D ．B F =
。电子技术基础试题库（第四版） 第一章:半导体二极管 一、填空题 1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为______________、__________和__________三类。 导体、绝缘体、半导体 2、PN节具有__________特性，即加正向压时__________，加反向压时__________。 单向导电特性、导通、截止 3、硅二极管导通时的正向管压降约__________V，锗二极管导通时的正向管压降约__________V。 、 4、使用二极管时，应考虑的主要参数是__________、__________。 最大整流电流、最高反向工作电压 5、在相同的反向电压作用下，硅二极管的反向饱和电流常__________于锗二极管的反向饱和电流，所以硅二极管的热稳定性较__________ 小、好 6、根据导电能力来衡量，自然界的物质可分为_______ 、_________和__________三类。导体， 绝缘体，半导体 7、PN结具有_____________性能，即加正向电压时PN结________，加反向电压时的PN结 _________。单向导电性，导通，截止 二，判断题 １、半导体随温度的升高，电阻会增大。（）N ２、二极管是线性元件。（）N ３、不论是哪种类型的半导体二极管，其正向电压都为０.３Ｖ左右。（）N ４、二极管具有单向导电性。（）Y ５、二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。（）N ６、二极管加正向压时一定导通（）N 7、晶体二极管是线性元件。（）N 8、一般来说，硅晶体二极管的死区电压小于锗晶体二极管的死区电压。（）Y 三、选择题 １、ＰＮ结的最大特点是具有（）C Ａ、导电性Ｂ、绝缘性Ｃ、单相导电性 ２、当加在硅二极管两端的正向电压从０开始逐渐增加时，硅二极管（）C Ａ、立即导通Ｂ、到０.３Ｖ才开始导通Ｃ、超过死区压才开始导通Ｄ、不导通 ３、当环境温度升高时，二极管的反向电流将（）A Ａ、增大Ｂ、减少Ｃ、不变Ｄ、先变大后变小 4、半导体中传导电流的载流子是（）。C A、电子 B、空穴 C、电子和空穴 5、P型半导体是（）B A、纯净半导体 B、掺杂半导体 C、带正电的 四、综合题
电子技术基础（三）试题 一、单项选择题(本大题共15小题，每小题1分，共15分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个选项是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1．以下关于脉动直流电压的描述中，正确的是（） A．电压的大小和方向均不随时间变化 B．电压的大小随时间变化，但方向不随时间变化 C．电压的大小不随时间变化，但方向随时间变化 D．电压的大小和方向均随时间变化 2．以下关于理想电流源特性的描述中，正确的是（） A．理想电流源的信号源内阻接近于零 B．理想电流源任何时候都可以串联在一起 C．理想电流源的输出电流与负载无关 D．理想电流源两端的电压与负载无关 3．电路如题3图所示，已知相量电流则向量电流I为（） A．10∠90° (A) B．10∠-90° (A) C．2∠45° (A) D．2∠-45° (A) 4．N型半导体中的多数载流子是（） A．自由电子B．空穴 C．五价杂质原子D．五价杂质离子 5．已知工作在放大区的某硅晶体三极管的三个电极电位 如题5图所示，则a、b、c三个电极分别为（） A．发射极、基极、集电极 B．发射极、集电极、基极 C．基极、发射极、集电极 D．基极、集电极、发射极 6．理想运放的差模输入电阻R id和输出电阻R O分别为（） A．R id=0，R O=0 B．R id=0，R O=∞ C．R id=∞，R O=0 D．R id=∞，R O=∞ 7．为避免集成运放因输入电压过高造成输入级损坏，在两输入端间应采取的措施是（） A．串联两个同向的二极管B．串联两个反向的二极管 C．并联两个同向的二极管D．并联两个反向的二极管 8．在单相半波整流电路中，如变压器副方电压的有效值为U2，则二极管所承受的最高反向电压为（）
2009年7月高等教育自学考试全国统一命题考试 电子技术基础（三）试题 课程代码：04730 一、单项选择题（本大题共15小题，每小题1分，共15分） 1.某元件A 上的电压与电流参考方向如题1图所示，已知 U =5V ，I=2mA ，则（ ） A.元件吸收的功率为10W B.元件产生的功率为10W C.元件吸收的功率为10mW D.元件产生的功率为10mW 题1图 2.若令理想电压源和理想电流源等于零，则下列表述正确的是（ ） A.电压源短路，电流源开路 B.电压源开路，电流源开路 C.电压源短路，电流源短路 D.电压源开路，电流源短路 3.若正弦电流i 1(t )=I 1m sin(2πt )A,i 2(t )=I 2m sin(4πt -2π)A ，则i 1相位（ ） A.超前i 2相位2π B.滞后i 2相位2π C.滞后i 2相位4π D.不能与i 2相位作比较 4.在由双极型晶体管构成的单级放大电路中，输出电压与输入电压相位相反的是（ ） A.共集电极放大电路 B.共发射极放大电路 C.共基极放大电路 D.任何一种放大电路 5.放大电路如题5图所示，假设电容C 1，C 2，C s 容量足够大，对交流信号可视作短路， L L R R ='∥R D ，则输入电阻R i 的表达式是（ ） A.R G 1 B.R G 2 C.R G 1∥R G 2 D.R G 1+R G 2
题5图 6.在同相比例运算电路中，其输入电阻R if 为（ ） A.R if =∞ B.R if 很小 C.R if =0 D.R if 与信号有关 7.理想运放作放大信号使用时，其放大倍数A uf （ ） A.与信号大小有关 B.与信号极性有关 C.仅与外接电阻有关 D.与运放型号有关 8.单相桥式整流电路流过每个二极管的电流平均值I D(A V)与输出电流平均值I O(A V)的关系为 （ ） A.I D(A V)=2I O(A V) B.I D(A V)=I O(A V) C.I D(A V)= 21I O(A V) D.I D(A V)= 41I O(A V) 9.如输出电压为5V ，最大输出电流为1.5A ，则可选用的集成稳压器是（ ） A.7805 B.78M05 C.78L05 D.7905 10.十六进制数(7D)16对应的十进制数为（ ） A.(123)10 B.(125)10 C.(127)10 D.(256)10 11.有三个输入端的或非门电路，要求输出高电平，则其输入端应（ ） A.全部都要为高电平 B.至少一个端为低电平 C.全部都要为低电平 D.至少一个端为高电平 12.下列各图中，使输出F=1的电路是（ ） 13.在半加器 中，AB 分别为被加数与加数，则半加器和S 为（ ） A.S =B A B.S =B A +AB C.S =B A B A + D.S =AB 14.在下列各图中，能实 行
中南大学网络教育课程考试（专科）复习题及参考答案 电子技术基础 一、选择题： 1．在杂质半导体中,少子浓度主要取决于( ) (A) 掺入杂质的浓度、 (B) 材料、 (C) 温度 2．测得某PNP型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V,则该管工作于( ) (A) 放大状态、 (B) 饱和状态、 (C) 截止状态 3．在基本共射放大电路中，若更换晶体管使β值由50变为100,则电路的放大倍数( ) (A) 约为原来的1/2倍 (B) 约为原来的2倍 (C) 基本不变 4．在OCL电路中，引起交越失真的原因是( ) (A) 输入信号过大 (B) 晶体管输入特性的非线性 (C) 电路中有电容 5．差动放大器中,用恒流源代替长尾R e是为了( ) (A) 提高差模电压增益 (B) 提高共模输入电压围 (C) 提高共模抑制比 6．若A+B=A+C，则（） (A) B=C； (B) B=C；(C)在A=0的条件下，B=C 7．同步计数器中的同步是指（） （A）各触发器同时输入信号；（B）各触发器状态同时改变； （C）各触发器受同一时钟脉冲的控制 8．由NPN管组成的单管基本共射放大电路，输入信号为正弦波，输出电压出现顶部被削平的失真，这种失真是（） （A）饱和失真（B）截止失真（C）频率失真 9．对PN结施加反向电压时，参与导电的是（） （A）多数载流子（B）少数载流子（C）既有多数载流子又有少数载流子 10．当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量（） （A）增加（B）减少（C）不变 11．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（） A、输入电阻高 B、输出电阻低 C、共模抑制比大 D、电压放大倍数大 12．对于桥式整流电路，正确的接法是( )
电子技术基础试题（八） 一、填空题（每题3分，共30分） 1、P N结具有—单向导电特性—性能。 2、一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而增大_。 3、射极输出器放在中间级是兼用它的—输入电阻—大和—输出电殂—小的特点，起阻抗变换作用。 4、只有当负载电阻R和信号源的内阻r s一相等—时，负载获得的功率最大，这种现象称为—阻抗匹配_。 一5、运算放大器的输出是一种具有—深度负反馈高增益_的多级直流放大器。 6、功率放大器按工作点在交流负载线上的位置分类有：_甲_类功放，_乙_类功放和—甲 乙_类功放电路。 7、甲乙推挽功放电路与乙类功放电路比较，前者加了偏置电路向功放管提供少量—偏流 I B^，以减少_交越—失真。 8带有放大环节的串联型晶体管稳压电路一般由—采样电路、基准电源、比较放大电路和—调整元件_四个部分组成。 9、逻辑代数的三种基本运算是逻辑乘、逻辑加和逻辑非。 10、主从触发器是一种能防止_空翻一现象的实用触发器。 二、选择题（每题3分，共30分） 1 ?晶体管二极管的正极的电位是一10V,负极电位是一5V,则该晶体二极管处于：（C ）。 A.零偏 B. 反偏 C. 正偏 2?若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流减小时，使该三极管：（A ）。 A.集电极电流减小 B.集电极与发射极电压V CE上升 C.集电极电流增大 3.某三级放大器中，每级电压放大倍数为Av，则总的电压放大倍数：（B ）。 A.3A V B.A 3V C.A V3/3 D.A V 4.正弦波振荡器中正反馈网络的作用是：（A ）。 A.保证电路满足振幅平衡条件 B.提高放大器的放大倍数，使输出信号足够大 C.使某一频率的信号在放大器工作时满足相位平衡条件而产生自激振荡 5.甲类单管功率放大电路中结构简单，但最大的缺点是：（C）。 A.有交越失真 B. 易产生自激 C. 效率低 6.有两个2CW15急压二极管，其中一个稳压值是8V,另一个稳压值为 7.5V，若把两管的正极 并接，再将负极并接，组合成一个稳压管接入电路，这时组合管的稳压值是： （B ）。 A.8V 7?为了减小开关时间，常在晶体管的基极回路中引入加速电容，它的主要作用是：（A ）。 A.在开启时提供很大的正向基极电流，并在关闭时提供很大的反向基极电流 B.在开启时提供很大的反向基极电流 C.隔开直流电压 8.逻辑函数式E F+E F+EF,化简后答案是：（C ）。 A.EF B. F E+E F C.E+F 9.基本RS触发器电路中，触发脉冲消失后，其输出状态：（B ）。A.
2010年4月高等教育自学考试全国统一命题考试 电子技术基础（三）试题 课程代码：04730 一、单项选择题（本大题共15小题，每小题1分，共15分） 1．加在某电容C=1F μ上的电压为u C (t)=10cos (10t+45°) (V)，则流过该电容的电流i C (t)的相位与u C (t)相位之间的关系为（ ） A ．电流超前电压45° B ．电流滞后电压45° C ．电流超前电压90° D ．电流滞后电压90° 2．题2图所示电路的等效电阻R 等于（ ） A ．13Ω B ．14Ω C ．15Ω D ．16Ω 3．并联RLC 电路谐振时，其输入端的电压和电流相位之间的关系是（ ） A ．电压相位超前电流相位2/π B ．电压相位滞后电流相位2/π C ．电压与电流同相 D ．电压与电流反相 4．已知某晶体管的三个电极电位如题4图所示，则该晶体管工作在（ ） A ．饱和区 B ．截止区 C ．放大区 D ．反向放大区 5．电路如题5图所示，则二极管D 1、D 2的 状态为（ ） A ．D 1导通，D 2截止 B ．D 1截止，D 2导通 C ．D 1、D 2均截止 D ．D 1、D 2均导通 6．集成运放内部电路的输入级电路一般采用（ ） A ．共射放大电路 B ．差动放大电路 C ．互补对称功率放大电路 D ．微分电路 7．集成运放接成电压跟随器时，电路反馈形式应为（ ） A ．电压串联负反馈 B ．电压并联负反馈 C ．电流串联负反馈 D ．电流并联负反馈
8．单相桥式整流滤波电路中，若变压器副方电压的有效值为20V，那么当电容断开时，电阻负载两端的直流电压为（） A．28V B．24V C．18V D．9V 9．若要求集成稳压器输出电压为-5V，最大输出电流为1.5A，则可选用的集成稳压器是 （）A．7805 B．78M05 C．78L05 D．7905 10．数字电路中基本逻辑运算关系有（） A．2种B．3种 C．4种D．5种 11．十进制数（27）10转换为十六进制数为（） A．（17）16B．（1B）16 C．（21）16D．（1D）16 12．若逻辑表达式F=B A ，则下列表达式中与F相同的是（） A．F=A B B．F=AB C．F=A+B D．F=AB 13．对于共阳极七段显示数码管，若要显示数字“5”，则七段显示译码器输出abcdefg应该为（） A．0100100 B．0000101 C．1011011 D．1111010 14．设计一个能存放8位二进制代码的寄存器需要触发器（） A．8个B．4个 C．3个D．2个 15．可编程器件FPGA也称为（） A．可编程逻辑阵列B．通用阵列逻辑 C．复杂可编程逻辑器件D．现场可编程门阵列 二、填空题（本大题共15小题，每小题1分，共15分） 请在每小题的空格中填上正确答案。错填、不填均无分。 16．电路如题16图所示，欲使电路中的电流I=2A，则电阻R的值应为__________Ω。
电子技术基础试卷 一、填空题（20分） 1、______电路和_______电路是两种最基本的线性应用电路。 2、晶体二极管具有_______特性。 3、放大电路的分析方法有______和小信号模型分析法。 4、BJT的主要参数是__________。 5、带宽和________是放大电路的重要指标之一。 6、处理模拟信号的电子电路称为_______。 7、把整个电路中的元器件制作在一块硅基片上，构成特定功能的电子电路称为_____电路。 8、在电子电路中反馈按极性不同可分为______和_______两种。 9、判断一个放大电路中是否存在反馈，只要看该电路的输出回路与输入回路之间是否存在反馈网络，即________。 10、负反馈放大电路有四种类型：___________、 ___________、___________以及___________放大电路。 11、放大电路的实质都是_______电路。 12、放大电路可分为四种类型：_______、_______、_______和_______。 二、判断题（1—5题每题2分，6—15题每题1分，共20分） 1、图示中 R引人电压并联负反 2 图题1 2、图示中 R电流串联正反馈 e1 图题2
3、图示电路不能振荡 图题3 4、图示电路不能振荡 图题4 5、图示电路中T 1为共基极组态，T 2 为共集电极组态 图题5 6、PN结的单向导电性关键在于它的耗尽区的存在，且其宽度随外加电压而变化。 7、齐纳二极管是一种特殊二极管。 8、BJT有NPN和PNP两种类型。 9、图解法能分析信号幅值太小或工作频率较高湿的电路工作状态。 10、MOS器件主要用于制成集成电路。 11、差分放大电路中共模电压增益越小，说明放大电路的性能越好。 12、放大电路中的内部噪声与放大电路中个元器件内部载流子运动的不规则无关。 13、放大电路中直流反馈不影响静态工作点。 14、负反馈能够改善放大电路的多方面性能是由于将电路的输出量引回到输入端与输入量进行比较，从而随时对输出量进行调整。 15、在实际应用的放大电路中很少引人负反馈。 三、计算题（1题12分，2题13分，3题15分，共40分） 1、设计一反相加法器，使其输出电压V0= -7V i1+14V i2+3.5V i3+10V i4），允许使用的最大电阻为280kΩ，求各支路电阻。
2009年4月高等教育自学考试全国统一命题考试 电子技术基础(三)试题 课程代码：04730 一、单项选择题(本大题共15小题，每小题1分，共15分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个选项是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.两个串联元件A 、B 上的电压与电流参考方向如题1图所示，已知U 1=2V ，I=5A ，U 2=-4V ，则( ) A.元件A 吸收功率10W ，元件B 吸收功率20W B.元件A 产生功率10W ，元件B 产生功率20W C.元件A 产生功率10W ，元件B 吸收功率20W D.元件A 吸收功率l0W ，元件B 产生功率20W 2.实际电压源和电流源模型中，其内阻与理想电压源和电流源之间的正确连接关系是 ( ) A.理想电压源与内阻串联，理想电流源与内阻串联 B.理想电压源与内阻并联，理想电流源与内阻串联 C.理想电压源与内阻串联，理想电流源与内阻并联 D.理想电压源与内阻并联，理想电流源与内阻并联 3.若正弦电压)6 2sin()(11π-π=t U t u m （V ），)32s i n ()(22π-π=t U t u m (V)，则u 2相位( ) A.超前u 1相位3 π B.滞后u 1相位3π C.超前u 1相位6π D.滞后u 1相位6 π 4.某场效应管的转移特性曲线如题4图所示，则可以判断该管为( ) A.P 沟道增强型MOS 管 B.P 沟道耗尽型MOS 管 C.N 沟道增强型MOS 管 D.N 沟道耗尽型MOS 管 5.某放大器在1K Ω负载电阻上测得输出电压为1V ，在4.7K Ω负载电阻上测得输出电压为 1.65V ，则该放大器的输出电阻等于( )
数字电子技术基础1 一．1．（1５分） 试根据图示输入信号波形分别画出各电路相应的输出信号波形L1、L2、L3、L4、和L5。设各触发器初态为“0”。 A B 二．（15分） 已知由八选一数据选择器组成的逻辑电路如下所示。试按步骤分析该电路在M1、M2取不同值时（M1、M2取值情况如下表所示）输出F的逻辑表达式。 八选一数据选择器输出端逻辑表达式为：Y=Σm i D i,其中m i是S2S1S0最小项。 F M2M1 F 0 0 0 1 1 1 1 三．（8分） 试按步骤设计一个组合逻辑电路，实现语句“A>B”，A、B均为两位二进制数，即A（A1、A0），B（B1、B0）。要求用三个3输入端与门和一个或门实现。 四．（12分） 试按步骤用74LS138和门电路产生如下多输出逻辑函数。
123Y AC Y ABC ABC BC Y BC ABC =?? =++?? =+? 74LS138逻辑表达式和逻辑符号如下所示。 五．（15分） 已知同步计数器的时序波形如下图所示。试用维持-阻塞型D 触发器实现该计数器。要求按步骤设计。 六．（18分） 按步骤完成下列两题 1．分析图5-1所示电路的逻辑功能：写出驱动方程，列出状态转换表，画出完全状态转换图和时序波形，说明电路能否自启动。 2．分析图5-2所示的计数器在M=0和M=1时各为几进制计数器，并画出状态转换图。 图5-1
B C CP A Ep E T LD D Q0 Q1 Q3Q2 74LS163 Rd 1 M & 1 计数脉冲 00 1 图5-2 七． 八．（10分）电路下如图所示，按要求完成下列问题。 1．指出虚线框T1中所示电路名称. 2．对应画出V C、V01、A、B、C的波形。并计算出V01波形的周期T=？。 15 7 6 84 2 R1 NE555 3 R2 C1 Vc + 0.01u J K 1 Q Q & & V CC V01 A B C C 10K 10K T1T2
2011年4月高等教育自学考试全国统一命题考试 电子技术基础（三）试题 课程代码:04730 一、单项选择题(本大题共15小题，每小题1分，共15分） 在每小题列出的四个备选项中只有一个选项是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1、题1图所示波形中，表示恒定直流电压信号的是( ) 2、下列关于电抗元件上电压和电流的描述中，正确的是( ) A、仅电感上流过的电流不能突变 B、仅电容两端的电压不能突变 C、电感上流过的电流和电容两端的电压都不能突变 D、电感上流过的电流和电容两端的电压都能突变 3、设流过1kΩ电阻的电流为i(t)=2cos2t(mA)，则该电阻消耗的平均功率为 A、P=2cos22t(mW) B、P=4cos22t(mW) C.P=2(mW) D、P=4(mW) 4、晶体三极管用于放大时，其发射结和集电结的正确偏置状态是( ) A、发射结正偏，集电结正偏 B、发射结正偏，集电结反偏 C、发射结反偏，集电结正偏 D、发射结反偏，集电结反偏 5、已知工作在放大区的某硅晶体三极管的三个电极电位如题5图所示，则a、b、c三个电极分别为( ) A、集电极、发射极、基极 B、集电极、基极、发射极 C、发射极、集电极、基极 D、基极、集电极、发射极
6、理想集成运算放大器工作在线性区时的两个重要结论是( ) A、有虚短，无虚断 B、有虚短，有虚断 C、无虚短，无虚断 D、无虚短，有虚断 7、在反相比例运算电路中，正确的是( ) A、u+=u－=0，共模输入信号u ic=0 B、u+=u－=0，共模输入信号u ic=u i C、u+=u－=u i，共模输入信号u ic=u i D、u+=u－=u i，共模输入信号u ic=0 8、在电阻性负载单相半波整流电路中，如果输出电流平均值是I O(A V)，则二极管中的电流平均值为( ) A、0.25I O(A V) B、0.5I O(A V) C、I O(A V) D、2I O(A V) 9、如输出电压为5V，最大输出电流为0.5A，则可选用的集成稳压器是( ) A.7805 B、78L12 C、7905 D、78M05 10、与A+错误！未找到引用源。B相等的函数式是( ) A、AB B、A+B C、A D、B 1l、将二进制数(11001)2转换成十进制数为( ) A、(20)10 B、(37)10 C、(25)10 D、(21)10 12、与非门的逻辑功能为( ) A、输入有0，输出为0；输入全1，输出为1 B、输入有0，输出为1；输入全1，输出为0 C、输入全0，输出为1；输入有1，输出为0 D、输入全0，输出为0；输入有1，输出为1 13、一个十六选一的数据选择器，其地址输入端有( ) A、2个 B、4个
电子技术期中考试试题卷 姓名________ 班级_________学号___________ 时间：90分钟 满分：100分 一、 选择题 1．在杂质半导体中,少子浓度主要取决于( ) (A): 掺入杂质的浓度、 (B): 材料、 (C): 温度 2．测得某PNP 型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V ,则该管工作于( ) (A): 放大状态 、 (B): 饱和状态、 (C): 截止状态 3．在基本共射放大电路中，若更换晶体管使β值由50变为100,则电路的放大倍数( ) (A): 约为原来的1/2倍 、 (B): 约为原来的2倍、 (C): 基本不变 4．由NPN 管组成的单管基本共射放大电路，输入信号为正弦波，输出电压出现顶部被削平的失真，这种失真是 （ ） （A ）饱和失真 （B ） 截止失真 （C ） 频率失真 5．当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量 （ ） （A ）增加 （B ）减少 （C ）不变 6．对于桥式整流电路，正确的接法是( ) 7．晶体三极管工作在饱和状态时，满足（ ） A. 发射结、集电结均正偏 B. 发射结、集电结均反偏 C. 发射结正偏、集电结反偏 D. 发射结反偏、集电结正偏 8．稳压二极管正常工作时应工作在（ ）区。 A. 死区 B. 正向导通 C. 反向截止 D. 反向击穿 9、某负反馈放大电路框图如下所示，则电路的增益i o F X X A 为（ ）。 A 、100 B 、10 C 、90 D 、0.09 10．图示电路中，AB 之间电压V 对应的方程式为（ ）。 A.V=IR+E B.V=IR-E C.V=-IR-E D. -V=IR+E 二、填空题： 1．N 型半导体中多数载流子是_______少数载流子是______。 2．PN 结具有_________特性。 3．利用半导体材料的某种敏感特性，如_______ 特性和_______ 特性，可以制成热敏电阻和光敏元件。 4．画放大器直流通路时，_______视为开路，画交流通路时，藕合电容、旁路电容和直流电压视为_______。 5．理想运放的输出电阻是________，输入电阻是________。 6、理想的二极管,其正向电阻约为 ,反向电阻约为 。 7、 晶体三极管工作在 区时,关系式I C =βI B 才成立,而工作在 区时,I C =0。 8、单相桥式整流电路，若其输入交流电压有效值为10V ，则整流后的输出电压平均值等于______。 X o
电子技术基础试题（八） 一．填空题：（每题3分，共30分） 1、PN结具有__________性能。 2、一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而_______。 3、射极输出器放在中间级是兼用它的____________大和____________ 小的特点，起阻抗变换作用。 4、只有当负载电阻R L和信号源的内阻r s______时，负载获得的功率最 大，这种现象称为______________。 5、运算放大器的输出是一种具有__________________的多级直流放大器。 6、功率放大器按工作点在交流负载线上的位置分类有：______类功放， ______类功放和_______类功放电路。 7、甲乙推挽功放电路与乙类功放电路比较，前者加了偏置电路向功放 管提供少量__________，以减少__________失真。 8、带有放大环节的串联型晶体管稳压电路一般由__________ 、 和___________四个部分组成。 9．逻辑代数的三种基本运算是_________ 、___________和___________。 10．主从触发器是一种能防止__________现象的实用触发器。 二．选择题（每题3分，共30分） 1．晶体管二极管的正极的电位是－10V，负极电位是－5V，则该晶体二极管处于：( )。
A.零偏 B.反偏 C.正偏2．若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流减小时，使该三极管：（）。 A.集电极电流减小 B.集电极与发射极电压V CE上升 C.集电极电流增大 3．某三级放大器中，每级电压放大倍数为Av，则总的电压放大倍数：（）。 A.3A V B.A3V C.A V3/3 D.A V 4．正弦波振荡器中正反馈网络的作用是：（）。 A.保证电路满足振幅平衡条件 B.提高放大器的放大倍数，使输出信号足够大 C.使某一频率的信号在放大器工作时满足相位平衡条件而产生自激 振荡 5．甲类单管功率放大电路中结构简单，但最大的缺点是：（）。 A.有交越失真 B.易产生自激 C.效率低6．有两个2CW15稳压二极管，其中一个稳压值是8V，另一个稳压值为7.5V，若把两管的正极并接，再将负极并接，组合成一个稳压管接入电路，这时组合管的稳压值是：( )。 A.8V B.7.5V C.15.5V 7．为了减小开关时间，常在晶体管的基极回路中引入加速电容，它的主要作用是：（）。
电子技术基础试题（八）一．填空题：（每题3分，共30分） 1、PN结具有__________性能。 2、一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而_______。 3、射极输出器放在中间级是兼用它的____________大和____________ 小的特点，起阻抗变换作用。 4、只有当负载电阻R L和信号源的内阻r s______时，负载获得的功率最 大，这种现象称为______________。 5、运算放大器的输出是一种具有__________________的多级直流放大器。 6、功率放大器按工作点在交流负载线上的位置分类有：______类功放， ______类功放和_______类功放电路。 7、甲乙推挽功放电路与乙类功放电路比较，前者加了偏置电路向功放 管提供少量__________，以减少__________失真。 8、带有放大环节的串联型晶体管稳压电路一般由__________ 、 和___________四个部分组成。 9．逻辑代数的三种基本运算是 _________ 、___________和___________。 10．主从触发器是一种能防止__________现象的实用触发器。 二．选择题（每题3分，共30分） 1．晶体管二极管的正极的电位是－10V，负极电位是－5V，则该晶体
二极管处于：( )。 A.零偏 B.反偏 C.正偏 2．若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流减小时，使该三极管：（）。 A.集电极电流减小 B.集电极与发射极电压V CE上升 C.集电极电流增大 3．某三级放大器中，每级电压放大倍数为Av，则总的电压放大倍数：（）。 A.3A V B.A3V C.A V3/3 D.A V 4．正弦波振荡器中正反馈网络的作用是：（）。 A.保证电路满足振幅平衡条件 B.提高放大器的放大倍数，使输出信号足够大 C.使某一频率的信号在放大器工作时满足相位平衡条件而产生自激 振荡 5．甲类单管功率放大电路中结构简单，但最大的缺点是：（）。 A.有交越失真 B.易产生自激 C.效率低6．有两个2CW15稳压二极管，其中一个稳压值是8V，另一个稳压值为 7.5V，若把两管的正极并接，再将负极并接，组合成一个稳压管接 入电路，这时组合管的稳压值是：( )。 A.8V B.7.5V C.15.5V 7．为了减小开关时间，常在晶体管的基极回路中引入加速电容，它的
2016年4月高等教育自学考试全国统一命题考试 电子技术基础(三) 试卷 (课程代码 04730) 本试卷共8页，满分l00分，考试时间l50分钟。 考生答题注意事项： 1．本卷所有试题必须在答题卡上作答。答在试卷上无效，试卷空白处和背面均可作草稿纸。2．第一部分为选择题。必须对应试卷上的题号使用2B铅笔将“答题卡”的相应代码涂黑。3．第二部分为非选择题。必须注明大、小题号，使用0．5毫米黑色字迹签字笔作答。4．合理安排答题空间，超出答题区域无效。 第一部分选择题(共l 5分) 一、单项选择题(本大题共l5小题，每小题l分，共l5分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其选出并将“答题卡” 的相应代码涂黑。错涂、多涂或来涂均无分。 1、理想电流源的外接负载电阻越大，它的端电压 A、越高 B、越低 C、不变 D、不能确定 2、EN电在电容c两端产生电流，则电流的相位 A、超前电压)的相位180 O。 B、滞后电压的相位180 O C、NN电压的相位90 O D、滞后电压电的相位90 O 3、己知正弦交流电压在t=锄时为220V，其初相位为45O，则它的有效值为 4、以下关于本征半导体特性的描述中，正确的是 A、本征半导体中的载流子只有自由电子 B、本征半导体中的载流子只有空穴 C、本征半导体中的载流子既有自由电子，也有空穴，且浓度相等 D、本征半导体中的载流子浓度与温度无关 5、为使放大器输出电压稳定，输入电阻增大，则需引入酶交流负反馈类型是 A、电压串联负反馈 B、电压并联负反馈 C、电流串联负反馈 D、电流并联负反馈 6、运算放大器输入级通常采用的电路结构是 A、单管共发射极电路 B、恒流源电路 C、射极跟随器电路 D、差动放大电路 7、回相比倒运算电路如题7图所示，设输入电压梯=20cosl000t(mV)，若要实现输出 电压为，则电阻和，的正确关系是