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PVD真空镀膜简介

PVD真空镀膜简介
PVD真空镀膜简介

PVD真空镀膜简介

一、PVD的含义

PVD是英文Physical Vapor Deposition的缩写,中文意思是“物理气相沉积”,是指在真空条件下,用物理的方法使材料沉积在被镀工件上的薄膜制备技术。

二、PVD镀膜和PVD镀膜机

PVD(物理气相沉积)镀膜技术主要分为三类,真空蒸发镀膜、真空溅射镀和真空离子镀膜。对应于PVD技术的三个分类,相应的真空镀膜设备也就有真空蒸发镀膜机、真空溅射镀膜机和真空离子镀膜机这三种。近十多年来,真空离子镀膜技术的发展是最快的,它已经成为当今最先进的表面处理方式之一。我们通常所说的PVD镀膜,指的就是真空离子镀膜;通常所说的PVD镀膜机,指的也就是真空离子镀膜机。

三、PVD镀膜技术的原理

PVD镀膜(离子镀膜)技术,其具体原理是在真空条件下,采用低电压、大电流的电弧放电技术,利用气体放电使靶材蒸发并使被蒸发物质与气体都发生电离,利用电场的加速作用,使被蒸发物质及其反应产物沉积在工件上。

四、PVD镀膜膜层的特点

采用PVD镀膜技术镀出的膜层,具有高硬度、高耐磨性(低摩擦系数)、很好的耐腐蚀性和化学稳定性等特点,膜层的寿命更长;同时膜层能够大幅度提高工件的外观装饰性能。

五、PVD镀膜能够镀出的膜层种类

PVD镀膜技术是一种能够真正获得微米级镀层且无污染的环保型表面处理方法,它能够制备各种单一金属膜(如铝、钛、锆、铬等),氮化物膜(TiN、ZrN、CrN、TiAlN)和碳化物膜(TiC、TiCN),以及氧化物膜(如TiO等)。

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真空镀膜的现状与发展趋势

真空镀膜的现状与发展趋势 发布日期:2010-07-17 <<返回前一页 -------------------------------------------------------------------------------- 薄膜是一种物质形态,它所使用的膜材料非常广泛,可以是单质元素或化合物,也可以是无机材料或有机材料。薄膜与块状物质一样,可以是单晶态的,多晶态的或非晶态的。近年来功能材料薄膜和复合薄膜也有很大发展。镀膜技术及薄膜产品在工业上的应用非常广泛,尤其是在电子材料与元器件工业领域中占有及其重要的地位。 镀膜方法可以分为气相生成法,氧化法,离子注入法,扩散法,电镀法,涂布法,液相生长法等。气相生成法又可分为物理气相沉积法,化学气相沉积法和放电聚合法等。 真空蒸发,溅射镀膜和离子镀等通常称为物理气相沉积法,是基本的薄膜制备技术。它们都要求淀积薄膜的空间要有一定的真空度。所以,真空技术是薄膜制作技术的基础,获得并保持所需的真空环境,是镀膜的必要条件。 真空系统的种类繁多。在实际工作中,必须根据自己的工作重点进行选择。典型的真空系统包括:获得真空的设备(真空泵),待抽空的容器(真空室),测量真空的器具(真空计)以及必要的管道,阀门和其它附属设备。 1.真空蒸发镀膜法 真空蒸发镀膜法是在真空室中,加热蒸发容器中待形成薄膜的原材料,使其原子或分子从表面气化逸出,形成蒸汽流,入射到固体(称为衬底或基片)表面,凝结形成固态薄膜的方法。真空蒸发镀膜又可以分为下列几种: 1.1 电阻蒸发源蒸镀法 采用钽,钼,钨等高熔点金属,做成适当形状的蒸发源,其上装入待蒸发材料,让气流通过,对蒸发材料进行直接加热蒸发,或者把待蒸发材料放入氧化铝,氧化铍等坩锅中进行间接加热蒸发,这就是电阻加热蒸发法。 利用电阻加热器加热蒸发的镀膜机结构简单,造价便宜,使用可靠,可用于熔点不太高的材料的蒸发镀膜,尤其适用于对镀膜质量要求不太高的大批量的生产中,迄今为止,在镀铝制镜的生产中仍然大量使用着电阻加热蒸发的工艺。 电阻加热方式的缺点是:加热所能达到的最高温度有限,加热器的寿命液较短。近年来,为了提高加热器的寿命,国内外已采用寿命较长的氮化硼合成的导电陶瓷材料作为加热器。据日本专利报道,可采用20%~30%的氮化硼和能与其相熔的耐火材料所组成的材料来制作坩锅,并在表面涂上一层含62%~82%的锆,其余为锆硅合金材料。 1.2 电子束蒸发源蒸镀法 将蒸发材料放入水冷钢坩锅中,直接利用电子束加热,使蒸发材料气化蒸发后凝结在基板表面成膜,是真空蒸发镀膜技术中的一种重要的加热方法和发展方向。电子束蒸发克服了一般电阻加热蒸发的许多缺点,特别适合制作熔点薄膜材料和高纯薄膜材料。 依靠电子束轰击蒸发的真空蒸镀技术,根据电子束蒸发源的形式不同,又可分为环形枪,直枪,e型枪和空心阴极电子枪等几种。 环形枪是由环形的阴极来发射电子束,经聚焦和偏转后打在坩锅内使金属材料蒸发。它的结构较简单,但是功率和效率都不高,基本上只是一种实验室用的设备,目前在生产型的装置中已经不再使用。 直枪是一种轴对称的直线加速枪,电子从灯丝阴极发射,聚成细束,经阳极加速后打在坩锅中使镀膜材料融化和蒸

真空镀膜试验

真空镀膜实验 一、 实验目的 真空镀膜技术广泛地应用在现代工业和科学技术中,光学仪器的反射镜,增透镜,激光器谐振腔的高反射膜,计算机上存储和记忆用的磁性薄膜,以及材料表面的超硬薄膜。此外在电子学、半导体等其它各尖端学科也都采用了真空技术。 本实验的目的是学习真空蒸发镀膜技术。通过本门实验,要求学生掌握如下几点:①较系统了解真空镀膜仪器的结构;②了解真空系统各组件的功能;③了解石英晶体振荡器测厚原理;④掌握真空蒸镀的基本原理;⑤了解真空镀膜仪器的基本操作。 二、预习要求 要求学生在实验之前对真空系统有一定了解,可以通过以下几本相关书籍获得相关信息。《薄膜材料制备原理、技术及应用》—— 唐伟忠著,冶金工艺出版社出版社;《薄膜物理与技术》—— 杨邦朝,王文生编著,电子科学出版社;《薄膜技术》—— 王力衡,清华大学出版社;《薄膜技术》—— 顾培夫,浙江大学出版社;《真空技术物理基础》—— 张树林,东北工学院出版社;《真空技术》—— 戴荣道,电子工业出版社。 三、实验所需仪器设备 实验过程需要的主要设备为DMDE 450型光学多层镀膜机。 真空镀膜机:本实验使用DMDE-450光学多层镀膜机,其装置结构如图3所示。它主要由真空系统、蒸发设备及膜厚监控系统组成。真空系统由各种真空器件组成,主要包括:真空室;真空泵(机械泵、和分子泵);真空导管;各种真空阀门和测量真空度的真空计等。高真空阀门为碟式,机械泵与分子泵的连通阀门为三同式,将阀门拉出时,机械泵可以直接对镀膜室抽气,推入时机械泵与分子泵连通,同时也切断了机械泵与镀膜室的连接。 蒸发系统由真空钟罩,蒸发电极(共有二对), 活动挡板,蒸发源,底盘等组成。蒸发源安装在电 图3镀膜机装置图 1电离管 2高真空碟阀 3分子泵 4机械泵 5低真空磁力阀 6储气桶 7低真空三同阀 8磁力充气阀 9热偶规 10钟罩 11针型阀

真空电镀工艺

真空电镀工艺 根据真空电镀气相金属产生和沉积的方式,塑料真空电镀的方法主要分为热蒸发镀膜法(Thermal Evaporation Deposition )和磁控溅射镀膜法(Sputtering )两种工艺。图1为这两种基本工艺的示意图。 (a )蒸发镀 (b )溅射镀 真空蒸发镀膜法就是在1.3×10-2~1.3×10-3Pa(10-4~10-5Torr)的真空中以电阻加热镀膜材料,使它在极短的时间内蒸发,蒸发了的镀膜材料分子沉积在基材表冇上形成镀膜层。真空镀膜室是使镀膜材料蒸发的蒸发源,还有支承基材的工作架或卷绕装置都是真空蒸发镀膜设备的主要部分。镀膜室的真空度,镀膜材料的蒸发熟练地,蒸发距离和蒸发源的间距,以及基材表面状态和温度都是影响镀膜质量的因素。磁控溅射法又称高速低温溅射法。目前磁控溅射法已在电学膜,光学膜和塑料金属化等领域得到广泛的应用。磁控溅射法是在1.3×10-1Pa(10-3Torr)左右的真空中充入惰性气体,并在塑料基材(阳极)和金属靶材(阴极)之间加上高压真流电,由于辉光放电产生的电子激发惰性气体,产生等离子体。等离子体将金属靶材的原子轰出,沉积在塑料基材上。磁控溅射法与蒸发法相比,具有镀膜层与基材层的结合力强,镀膜层致密,均匀等优点。真空蒸发镀膜法需要使金属或金属化合物蒸发气化,而加热温度又不能太高,否则气相蒸镀金属会烧坏被塑料基材,因此,真空蒸镀法一般仅适用于铝等熔点较低的金属源,是目前应用较为广泛的真空镀膜工艺。相反,喷溅镀膜法利用高压电场激发产生等离子体镀膜物质,适用于几乎所有高熔点金属,合金及金属化合物镀膜源物质,如铬,钼,钨,钛,银,金等。而且它是一种强制性的沉积过程,采用该法获得的镀膜层与基材附着力远高于真空蒸发镀法,镀膜层具有致密,均匀等优点,加工成本也相对较高。目前在塑料包装薄膜真空镀铝加工上普遍采用蒸发镀膜工艺。 真空蒸发镀膜法和磁控喷溅镀膜法的工艺,性能特点比较列于下表。 真空镀膜方式中,除上述方式常见热蒸镀法和磁控溅射法,还有电晕气相沉积(Arc Vapor Deposition )、化 学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition ,CVD )、离子镀(Ion Plating )等多种真空镀膜方式,后几个普及程度及与有机涂料的关系不大。 基材 窗 泵 蒸发源 靶 等离子体 电源 泵 气体 基材

真空镀膜技术

真空镀膜技术 磁控溅射膜即物理气相沉积(PVD) 金属镀膜不一定用磁控溅射,可以根据成本&工艺需求选择合理的沉积方法,具体有: 物理气相沉积(PVD)技术 第一节概述 物理气相沉积技术早在20世纪初已有些应用,但在最近30年迅速发展,成为一门极具广阔应用前景的新技术。,并向着环保型、清洁型趋势发展。20世纪90年代初至今,在钟表行业,尤其是高档手表金属外观件的表面处理方面达到越来越为广泛的应用。 物理气相沉积(Physical Vapor Deposition,PVD)技术表示在真空条件下,采用物理方法,将材料源——固体或液体表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子,并通过低压气体(或等离子体)过程,在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。物理气相沉积的主要方法有,真空蒸镀、溅射镀膜、电弧等离子体镀、离子镀膜,及分子束外延等。发展到目前,物理气相沉积技术不仅可沉积金属膜、合金膜、还可以沉积化合物、陶瓷、半导体、聚合物膜等。 真空蒸镀基本原理是在真空条件下,使金属、金属合金或化合物蒸发,然后沉积在基体表面上,蒸发的方法常用电阻加热,高频感应加热,电子柬、激光束、离子束高能轰击镀料,使蒸发成气相,然后沉积在基体表面,历史上,真空蒸镀是PVD法中使用最早的技术。 溅射镀膜基本原理是充氩(Ar)气的真空条件下,使氩气进行辉光放电,这时氩(Ar)原子电离成氩离子(Ar+),氩离子在电场力的作用下,加速轰击以镀料制作的阴极靶材,靶材会被溅射出来而沉积到工件表面。如果采用直流辉光放电,称直流(Qc)溅射,射频(RF)辉光放电引起的称射频溅射。磁控(M)辉光放电引起的称磁控溅射。电弧等离子体镀膜基本原理是在真空条件下,用引弧针引弧,使真空金壁(阳极)和镀材(阴极)之间进行弧光放电,阴极表面快速移动着多个阴极弧斑,不断迅速蒸发甚至“异华”镀料,使之电离成以镀料为主要成分的电弧等离子体,并能迅速将镀料沉积于基体。因为有多弧斑,所以也称多弧蒸发离化过程。 离子镀基本原理是在真空条件下,采用某种等离子体电离技术,使镀料原子部分电离成离子,同时产生许多高能量的中性原子,在被镀基体上加负偏压。这样在深度负偏压的作用下,离子沉积于基体表面形成薄膜。 物理气相沉积技术基本原理可分三个工艺步骤: (1)镀料的气化:即使镀料蒸发,异华或被溅射,也就是通过镀料的气化源。 (2)镀料原子、分子或离子的迁移:由气化源供出原子、分子或离子经过碰撞后,产生多种反应。 (3)镀料原子、分子或离子在基体上沉积。 物理气相沉积技术工艺过程简单,对环境改善,无污染,耗材少,成膜均匀致密,与基体的结合力强。该技术广泛应用于航空航天、电子、光学、机械、建筑、轻工、冶金、材料等领域,可制备具有耐磨、耐腐饰、装饰、导电、绝缘、光导、压电、磁性、润滑、超导等特性的膜层。

真空蒸发镀膜原理

A、真空电镀原理: 一般而言,镀膜在真空镀膜机内以真空度1~5 x 10 —4Torr程度进行(1Torr=1公厘水银柱高得压力,大气压为760Torr)。其镀膜膜厚约为0.1 ~0、2微米、颜如果镀膜在特定厚度以下时(即太薄),面油对底油将会产生侵蚀、引起化学变化(如表面雾化等)。如镀膜过厚时,会产生白化得状态。颜填料,助剂,树脂,乳液,分散Dr<!——[if !supportFoot<!--[en dif]——>l〈!--[if !supportFootnotes]-->[1]<!--[endif]—-〉v#W?n8D<!-—[if !supportFootnotes]——〉[1]烘烤面漆-—〉包装、 一般真空电镀得做法就是在素材上先喷一层底漆,再做电镀.由于素材就是塑料件,在注塑时会残留空气泡,有机气体,而在放置时会吸入空气中得水分.另外,由于塑

真空镀膜机构成

JN-CLD系列真空磁控溅射镀膜机型号及技术参数 性能型号JN-CLD-700 JN-CLD-900 JN-CLD-1000 JN-CLD-1250 JN-CLD-1400 JN-CLD-1600 镀膜室尺寸Ф700×H900 mm Ф900×H1100m m Ф1000×H1200 mm Ф1250×H1350 mm Ф1400×H1600 mm Ф1600×H1800m m 电源类型灯丝电源、脉冲偏压电源、直流磁控电源、中频磁控电源、射频磁控电源、线性离化源 真空室结构立式双开门、立式前开门结构、后置抽气系统 真空室材质优质不锈钢材质腔体 极限真空 6.0×10-4Pa 抽气时间 (空载) 从大气抽至8.0×10-3Pa≤15分钟 真空获得系 统 扩散泵或分子泵+罗茨泵+机械泵+维持泵(具体型号可根据客户的要求进行配置) 镀膜方式磁控溅射镀膜 制膜种类金属膜、反应膜、化合物膜、多层膜、半导体膜 磁控靶类型矩形磁控靶、圆柱形磁控靶、孪生磁控对靶 磁控电源功 率及磁控靶 数量 根据不同镀膜工艺和客户的需求进行选配 偏压电源10KW/1台20KW/1台20KW/1台30KW/1台40KW/1台50KW/1台工件转架 转动方式行星式公自转、变频调速(可控可调) 工艺气体3路或4路工艺气体流量控制及显示系统选配自动加气系统 冷却方式水循环冷却方式,另需配冷却水塔或工业冷水机或深冷系统。(客户提供) 控制方式手动/自动一体化方式、触摸屏操作、PLC或计算机控制 整机总功率30KW 35KW 40KW 50KW 65KW 80KW 报警及保护对泵和靶等缺水、过流过压、断路等异常情况进行报警,并执行相应保护措施及电气联锁功能。设备占地面 积 W2m×L3m W2.5m×L3.5m W3m×L4m W4m×L5m W4.5m×L6m W5m×L7m 其他技术参水压≥0.2MPa、水温≤25℃、气压0.5-0.8MPa

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