第三部分 习题与解答
习题1
客观检测题
一、填空题
1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。
3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。
二．判断题
1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。（ × ）
2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。（ √ ）
3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。（× ）
4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。（ × ）
5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。（ √ ）
6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。（ × ）
7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。（× ）
三．简答题
1、PN 结的伏安特性有何特点？
答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V V
s D -?=表示。 式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=?23
13810
，电子电量
)(C 1060217731.1q 19库伦-?=，则)V (2
.11594T
V T =
，在常温（T=300K ）下，
V T =25.875mV=26mV 。当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1e T
V V >>，于
是T
V V s e
I I ?=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状
态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1e
T
V V <<，于是s I I -≈，这时PN 结
只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。PN 结的伏安特性也可用特性曲线表示，如图 1.1.1所示.从式(1.1.1)伏安特性方程的分析和图1.1.1特性曲线（实线部分）可见：PN 结真有单向导电性和非线性的伏安特性。
2、什么是PN 结的反向击穿？PN 结的反向击穿有哪几种类型？各有何特点？
答：“PN”结的反向击穿特性：当加在“PN”结上的反向偏压超过其设计的击穿电压后，PN 结发生击穿。
PN 结的击穿主要有两类，齐纳击穿和雪崩击穿。齐纳击穿主要发生在两侧杂质浓度都较高的PN 结，一般反向击穿电压小于4Eg/q （E g —PN 结量子阱禁带能量，用电子伏特衡量，Eg/q 指PN 结量子阱外加电压值，单位为伏特）的PN 的击穿模式就是齐纳击穿，击穿机理就是强电场把共价键中的电子拉出来参与导电，使的少子浓度增加，反向电流上升。
雪崩击穿主要发生在“PN”结一侧或两侧的杂质浓度较低“PN”结，一般反向击穿电压高于6 Eg/q 的“PN”结的击穿模式为雪崩击穿。击穿机理就是强电场使载流子的运动速度加快，动能增大，撞击中型原子时把外层电子撞击出来，继而产生连锁反应，导致少数载流子浓度升高，反向电流剧增。
3、PN 结电容是怎样形成的？和普通电容相比有什么区别？
图1.1.1 PN 伏安特性
PN结电容由势垒电容C b和扩散电容C d组成。
势垒电容C b是由空间电荷区引起的。空间电荷区内有不能移动的正负离子，各具有一定的电量。当外加反向电压变大时，空间电荷区变宽，存储的电荷量增加；当外加反向电压变小时，空间电荷区变窄，存储的电荷量减小，这样就形成了电容效应。“垫垒电容”大小随外加电压改变而变化，是一种非线性电容，而普通电容为线性电容。在实际应用中，常用微变电容作为参数，变容二极管就是势垒电容随外加电压变化比较显著的二极管。
扩散电容C d是载流子在扩散过程
中的积累而引起的。PN结加正向电压
时，N区的电子向P区扩散，在P区形
成一定的电子浓度(N p)分布，PN结边缘
处浓度大，离结远的地方浓度小，电子
浓度按指数规律变化。当正向电压增加
时，载流子积累增加了△Q；反之，则
图1.3.3 P区中电子浓度的分布曲线及电荷的积累减小，如图1.3.3所示。同理，在N区
内空穴浓度随外加电压变化而变化的关系与P区电子浓度的变化相同。因此，外加电压增加△V时所出现的正负电荷积累变化△Q，可用扩散电容C d来模拟。C d也是一种非线性的分布电容。
综上可知，势垒电容和扩散电容是同时存在的。PN结正偏时，扩散电容远大于势垒电容；PN结反偏时，扩散电容远小于势垒电容。势垒电容和扩散电容的大小都与PN结面积成正比。与普通电容相比，PN结电容是非线性的分布电容，而普通电容为线性电容。
习题2
客观检测题
一、填空题
1、半导体二极管当正偏时，势垒区变窄，扩散电流大于漂移电流。
2、在常温下，硅二极管的门限电压约0.6 V，导通后在较大电流下的正向压降约0.7 V；锗二极管的门限电压约0.1 V，导通后在较大电流下的正向压降约0.2 V。
3、在常温下，发光二极管的正向导通电压约 1.2~2V ，高于硅二极管的门限电压；
考虑发光二极管的发光亮度和寿命，其工作电流一般控制在 5~10 mA 。
4、利用硅PN 结在某种掺杂条件下反向击穿特性陡直的特点而制成的二极管，称为 普通（稳压）二极管。请写出这种管子四种主要参数，分别是 最大整流电流 、 反向击穿电压 、 反向电流 和 极间电容 。
二、判断题
1、二极管加正向电压时，其正向电流是由（ a ）。
a. 多数载流子扩散形成
b. 多数载流子漂移形成
c. 少数载流子漂移形成
d. 少数载流子扩散形成 2、PN 结反向偏置电压的数值增大，但小于击穿电压，（ c ）。 a. 其反向电流增大 b. 其反向电流减小 c. 其反向电流基本不变 d. 其正向电流增大 3、稳压二极管是利用PN 结的（ d ）。
a. 单向导电性
b. 反偏截止特性
c. 电容特性
d. 反向击穿特性
4、二极管的反向饱和电流在20℃时是5μA ，温度每升高10℃，其反向饱和电流增大一倍，
当温度为40℃时，反向饱和电流值为（ c ）。
a. 10μA
b. 15μA
c. 20μA
d. 40μA 5、变容二极管在电路中使用时，其PN 结是（ b ）。 a. 正向运用 b. 反向运用
三、问答题
1、温度对二极管的正向特性影响小，对其反向特性影响大，这是为什么？
答：正向偏置时，正向电流是多子扩散电流，温度对多子浓度几乎没有影响，因此温度对二极管的正向特性影响小。但是反向偏置时，反向电流是少子漂移电流，温度升高少数载流子数量将明显增加，反向电流急剧随之增加，因此温度对二极管的反向特性影响大。 2、能否将1.5V 的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？
答：根据二极管电流的方程式
()qV /KT S I I e =-1
将V=1.5V 代入方程式可得：
()//I e e lg I lg lg e .--=?-≈??=-+=12150026121500262010120101500
20121434
26
故()I .A =?14
21810
虽然二极管的内部体电阻、引线电阻及电池内阻都能起限流作用，但过大的电流定会烧
坏二极管或是电池发热失效，因此应另外添加限流电阻。
3、有A 、B 两个二极管。它们的反向饱和电流分别为5mA 和A .μ20，在外加相同的正向电压时的电流分别为20mA 和8mA ，你认为哪一个管的性能较好？
答：B 好，因为B 的单向导电性好；当反向偏置时，反向饱和电流很小，二极管相当于断路，其反向偏置电阻无穷大。
4、利用硅二极管较陡峭的正向特性，能否实现稳压？若能，则二极管应如何偏置？
答：能实现稳压，二极管应该正向偏置，硅二极管的正偏导通电压为0.7V ；因此硅二极管的正向特性，可以实现稳压，其稳压值为0.7V 。 5、什么是齐纳击穿？击穿后是否意味着PN 结损坏？
答：齐纳击穿主要发生在两侧杂质浓度都较高的PN 结，其空间电荷区较窄，击穿电压较低（如5V 以下），一般反向击穿电压小于4Eg/q （E g —PN 结量子阱禁带能量，用电子伏特衡量，Eg/q 指PN 结量子阱外加电压值，单位为伏特）的PN 的击穿模式就是齐纳击穿，击穿机理就是强电场把共价键中的电子拉出来参与导电，使的少子浓度增加，反向电流上升。
发生齐纳击穿需要的电场强度很大，只有在杂质浓度特别大的PN 结才能达到。击穿后并不意味着PN 结损坏，当加在稳压管上的反向电压降低以后，管子仍然可以恢复原来的状态。但是反向电流和反向电压的乘积超过PN 结容许的耗散功率时，就可能由电击穿变为热击穿，而造成永久性的破坏。电击穿PN 结未被损坏，但是热击穿PN 结将永久损坏。
主观检测题
2.1.1试用电流方程式计算室温下正向电压为0.26V 和反向电压为1V 时的二极管电流。（设
A I S μ10= ）
解：由公式 (
)
(
)
D
D T q V /K T
V /
V
D S
S
I I e
I e
=-=-1
1
由于A I S μ10=， V T =0.026V 正向偏置V D =0.26V 时 (
)
()()()D T
V /V ./.D S I I e
e e A .A μ=-=-=-==0260026101101101220264022 当反向偏置D V V =-1时 D S I I A μ≈-=-10
2.1.2 写出题图2.1.2所示各电路的输出电压值，设二极管均为理想二极管。
解：V O1≈2V （二极管正向导通），V O2＝0（二极管反向截止），V O3≈－2V （二极管正向导通），V O4≈2V （二极管反向截止），V O5≈2V （二极管正向导通），V O6≈－2V （二极管反向截止）。
2.1.3 重复题2.1.2，设二极管均为恒压降模型，且导通电压V D ＝0.7V 。
解：U O1≈1.3V （二极管正向导通），U O2＝0（二极管反向截止），U O3≈－1.3V （二极管
正向导通），U O4≈2V （二极管反向截止），U O5≈1.3V （二极管正向导通）， U O6≈－2V （二极管反向截止）。 2.1.4 设题图2.1.4中的二极管均为理想的（正向可视为短路，反向可视为开路），试判断其中的二极管是导通还是截止，并求出A 、Q 两端电压AO U 。
解：题图2.1.4所示的电路图中，图（a ）所示电路，二极管D 导通，V AO =－6V ， 图（b ）所示电路，二极管D 1导通，D 2截止，V AO =－0V ， 图（c ）所示电路，二极管D 1导通，D 2截止，V AO =－0V 。
2.1.5 在用万用表的Ω?Ω?Ω?k R R R 1100,10和三个欧姆档测量某二极管的正向电阻时，共测得三个数据；ΩΩΩ68085,4和k ，试判断它们各是哪一档测出的。
解：万用表测量电阻时，对应的测量电路和伏安特性如图2.1.5所示，实际上是将流过电表的电流换算为电阻值，用指针的偏转表示在表盘上。当流过的电流大时，指示的电阻小。测量时，流过电表的电流由万用表的内阻和二极管的等效直流电阻值和联合决定。
通常万用表欧姆档的电池电压为E i = 1.5V ，R Ω?10档时，表头指针的满量程为100μA
题图2.1.2 (a)
(c)
(b)
题图2.1.4
（测量电阻为0，流经电阻R i 的电流为10mA ），万用表的内阻为i R Ω=10150；R Ω?100档时，万用表的内阻为i i R R Ω==10010101500（测量电阻为0，表头满量程时，流经R i 的电流为1mA ）；R k Ω?1档时（测量电阻为0，表头满量程时，流经R i 的电流为0.1mA ），万用表的内阻为i i R R k Ω==1001010015；
由图可得管子两端的电压V 和电流I 之间有如下关系：
R Ω?10档时，内阻i R Ω=10150； i V .I R .I =-=-111011515150 R Ω?100档时，内阻i R Ω=1001500；i V .I R .I =-=-22100215151500 R k Ω?1档时，内阻i R k Ω=10015；i k V .I R .I =-=-3313151515000
从伏安特性图上可以看出，用R Ω?10档测量时，万用表的直流负载线方程与二极管的特性曲线的交点为A ，万用表的读数为V 1/I 1。
用R Ω?100档测量时，万用表的直流负载线方程与二极管的特性曲线的交点为B ，万用表的读数为V 2/I 2。
用R k Ω?1档测量时，万用表的直流负载线方程与二极管的特性曲线的交点为C ，万用表的读数为V 3/I 3。
由图中可以得出
V V V I I I <<3
12123
所以，Ω85为万用表Ω?10R 档测出的；Ω680为万用表Ω?100R 档测出的；Ωk 4为万用表Ω?k R 1档测出的。
2.1.6 电路如题图2.1.6所示，已知v i ＝6sinωt(v)，试画出v i 与v o 的波形，并标出幅值。分别
67.0
使用二极管理想模型和恒压降模型（V D ＝0.7V ）。
解：由题意可知：v i ＝6sinωt(v) 在v i 的正半周，二极管导通，电路的输出电压波形如图2.1.6(a)、(b)所示。
2.1.7 电路如题图2.1.7所示，已知v i ＝6sin ωt (V)，二极管导通电压V D ＝0.7V 。试画出v i 与v O 的波形，并标出幅值。
解：由题意
v i ＝6sinωt(V) 波形如图2.1.7所示：
当i v .V >37时，二极管D 1导通，v o ＝3.7V ， 当i v .V <-37时，二极管D 2导通，v o ＝?3.7V ，
当i .V v .V -<<3737时，二极管D 1、D 2截止，v o ＝v i 。
2.2.1 现有两只稳压管，它们的稳定电压分别为5V 和8V ，正向导通电压为0.7V 。试问：
（1）若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ （2）若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？
解：（1）两只稳压管串联时可得1.4V 、5.7V 、8.7V 和13V 等四种稳压值。 （2）两只稳压管并联时可得0.7V 、5V 和8V 等三种稳压值。
2.2.2 已知稳压管的稳压值V Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA 。求题图2.2.2所示电路中V O1和V O2各为多少伏。
题图
2.1.7
题图 2.2.2
图2.1.7
题图2.1.6
解：（1）当V I ＝10V 时，若V O1＝V Z ＝6V ，则稳压管的电流为
()I Z Z1Z min V V I .A mA I mA R --=
===>=1106
000885500
， 大于其最小稳定电流，所以稳压管击穿。故 o V V =16。 （2）当V I ＝10V 时，若V O2＝V Z ＝6V ，则稳压管的电流为
()I Z Z2Z min V V I .A mA I mA R --=
===<=2106
0002252000
， 小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 L O 2I I L V R V V V R R =?=?=++22000
520002000
。
2.2.3 电路如题图2.2.3（a ）（b ）所示，稳压管的稳定电压V Z ＝3V ，R 的取值合适，v i 的波形如图（c ）所示。试分别画出v O1和v O2的波形。
解：波形如图2.2.3所示。
题图2.2.3所示的电路中，对于图（a ）所示的电路，当i v V >3时，稳压管D Z 反向击穿，v o ＝v i ?3V ，当i v V <3时，稳压管D Z 未击穿，v o ＝0V 。
对于图b 所示的电路，当i v V >3时，稳压管D Z 反向击穿，v o ＝V Z ，当i v V <3时，稳压管D Z 未击穿，v o ＝v i 。
图2.2.3
题图2.2.3
题图2.2.4
2.2.4 已知题图2.2.4所示电路中稳压管的稳定电压V Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。
（1）分别计算v i 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压v O 的值； （2）若v i ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？
解：（1）当v i ＝10V 时，若v O ＝V Z ＝6V ，则稳压管的电流为4mA ，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 L
o L V i
R v v .R R =
?≈+333
当v i ＝15V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以
v O ＝V Z ＝6V 同理，当v i ＝35V 时，v O ＝V Z ＝6V 。
（2）DZ i Z I (v V )R =-=29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 2.2.5 电路如题图2.2.5所示，设所有稳压管均为硅管（正向导通电压为V D ＝0.7V ），且稳定电压V Z ＝8V ，已知v i ＝15sin ωt (V)，试画出v O1和v O2的波形。
解：题图2.2.5
所示的电路图中，对于图（
a ），当i Z v V V ≥=8时，稳压管D Z 反向击穿，v o ＝8V ； 当i D v V .V <-=-07时，稳压管D Z 正向导通，v o ＝?0.7V ；
当D i Z .V V v V V -=-<<+=078时，稳压管D Z1 和D Z2未击穿，v o ＝v i 。 对应题图2.2.5(a)电路的输出电压的波形如图2.2.5(a)所示。
对于图（b ），当i Z D v V V .V ≥+=87时，稳压管D Z1正向导通、D Z2反向击穿，v o ＝8V ； 当i Z D v V V .V <--=-87时，稳压管D Z1反向击穿、D Z2正向导通，v o ＝?8V ； 当Z D i Z D .V V V v V V .V -=--<<++=8787时，稳压管D Z1 和D Z2未击穿，v o ＝v i 。 对应题图2.2.5(b)电路的输出电压的波形如图2.2.5(b)所示。
题图2.2.5
(b)
(a)
2.3.1 在题图2.3.1所示电路中，发光二极管导通电压V D ＝1.5V ，正向电流在5～15mA 时才能正常工作。试问：
（1）开关S 在什么位置时发光二极管才能发光？ （2）R 的取值范围是多少？
解：（1）当开关S 闭合时发光二极管才能发光。 （2）为了让二极管正常发光，I D ＝5～15mA ， R 的范围为
D D m a x D D m i n m i n m a x R (V V )I R (V V )I Ω
Ω=-≈=-=233700。
可以计算得到R= 233～700Ω
习题3
客观检测题
一、填空题
1. 三极管处在放大区时，其 集电结 电压小于零， 发射结 电压大于零。
2. 三极管的发射区 杂质 浓度很高，而基区很薄。
3. 在半导体中，温度变化时 少 数载流子的数量变化较大，而 多 数载流子的数量变化较小。
4. 三极管实现放大作用的内部条件是： 发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小 ；外部条件是： 发射结要正向偏置、集电结要反向偏置 。
5. 处于放大状态的晶体管，集电极电流是 少数载流 子漂移运动形成的。
6. 工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那
题图2.3.1
么它的β约为 100 。
7. 三极管的三个工作区域分别是 饱和区 、 放大区 和 截止区 。 8. 双极型三极管是指它内部的 参与导电载流子 有两种。
9. 三极管工作在放大区时，它的发射结保持 正向 偏置，集电结保持 反向 偏置。 10. 某放大电路在负载开路时的输出电压为5V ，接入12k Ω的负载电阻后，输出电压降为
2.5V ，这说明放大电路的输出电阻为 12 k Ω。
11. 为了使高内阻信号源与低电阻负载能很好的配合，可以在信号源与低电阻负载间接入
共集电极 组态的放大电路。
12. 题图3.0.1所示的图解，画出了某单管共射放大电路中晶体管的输出特性和直流、交流负载线。由此可以得出：
（1）电源电压CC V = 6V ；
（2）静态集电极电流CQ I = 1mA ；集电极电压CEQ U = 3V ； （3）集电极电阻C R = 3kΩ ；负载电阻L R = 3kΩ ；
（4）晶体管的电流放大系数β= 50 ，进一步计算可得电压放大倍数v A = －50 ；（'bb r 取200Ω）；
（5）放大电路最大不失真输出正弦电压有效值约为 1.06V ；
（6）要使放大电路不失真，基极正弦电流的振幅度应小于 20μA 。
13. 稳定静态工作点的常用方法有 射极偏置电路 和 集电极－基极偏置电路 。 14. 有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A 和B ，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下，测得A 放大器的输出电压小，这说明A 的输入电阻 小 。
15. 三极管的交流等效输入电阻随 静态工作点 变化。
16. 共集电极放大电路的输入电阻很 大 ，输出电阻很 小 。 17. 放大电路必须加上合适的直流 偏置 才能正常工作。
18. 共射极、共基极、共集电极 放大电路有功率放大作用； 19. 共射极、共基极 放大电路有电压放大作用；
20. 共射极、共集电极 放大电路有电流放大作用； 21. 射极输出器的输入电阻较 大 ，输出电阻较 小 。
22. 射极输出器的三个主要特点是 输出电压与输入电压近似相同 、 输入电阻大 、 输
出电阻小 。
23.“小信号等效电路”中的“小信号”是指 “小信号等效电路”适合于微小的变化信号的分析，不适合静态工作点和电流电压的总值的求解 ，不适合大信号的工作情况分析。 24. 放大器的静态工作点由它的 直流通路 决定，而放大器的增益、输入电阻、输出电阻等由它的 交流通路 决定。
25. 图解法适合于 求静态工作Q 点；小、大信号工作情况分析 ，而小信号模型电路分析法则适合于 求交变小信号的工作情况分析 。
题图3.0.1
26. 放大器的放大倍数反映放大器 放大信号的 能力；输入电阻反映放大器 索取信号源信号大小的能力 ；而输出电阻则反映出放大器 带负载 能力。
27. 对放大器的分析存在 静态 和 动态 两种状态，静态值在特性曲线上所对应的点称为 Q 点 。
28. 在单级共射放大电路中，如果输入为正弦波形，用示波器观察V O 和V I 的波形，则V O
和V I 的相位关系为 反相 ；当为共集电极电路时，则V O 和V I 的相位关系为 同相 。 29. 在由NPN 管组成的单管共射放大电路中，当Q 点 太高 （太高或太低）时，将产生饱和失真，其输出电压的波形被削掉 波谷 ；当Q 点 太低 （太高或太低）时，将产生截止失真，其输出电压的波形被削掉 波峰 。
30. 单级共射放大电路产生截止失真的原因是 放大器的动态工作轨迹进入截止区 ，产生饱和失真的原因是 放大器的动态工作轨迹进入饱和区 。 31. NPN 三极管输出电压的底部失真都是 饱和 失真。 32. PNP 三极管输出电压的 顶部 部失真都是饱和失真。 33. 多级放大器各级之间的耦合连接方式一般情况下有RC 耦合， 直接耦合， 变压器耦合。 34. BJT 三极管放大电路有 共发射极 、 共集电极 、 共基极 三种组态。 35. 不论何种组态的放大电路，作放大用的三极管都工作于其输出特性曲线的放大区。因此，这种BJT 接入电路时，总要使它的发射结保持 正向 偏置，它的集电结保持 反向 偏置。 36. 某三极管处于放大状态，三个电极A 、B 、C 的电位分别为-9V 、-6V 和-6.2V ，则三极管的集电极是 A ，基极是 C ，发射极是 B 。该三极管属于 PNP 型，由 锗 半导体材料制成。
37. 电压跟随器指共 集电 极电路，其 电压 的放大倍数为1； 电流跟随器指共 基 极电路，指 电流 的放大倍数为1。
38. 温度对三极管的参数影响较大，当温度升高时，CBO I 增加 ，β 增加 ，正向发射结电压BE U 减小 ，CM P 减小 。
39. 当温度升高时，共发射极输入特性曲线将 左移 ，输出特性曲线将 上移 ，而且输出
特性曲线之间的间隔将 增大 。
40. 放大器产生非线性失真的原因是 三极管或场效应管工作在非放大区 。
41. 在题图3.0.2电路中，某一参数变化时，CEQ V 的变化情况（a. 增加，b ，减小，c. 不变，将答案填入相应的空格内）。 （1）b R 增加时，CEQ V 将 增大 。 （2）c R 减小时，CEQ V 将 增大 。 （3）C R 增加时，CEQ V 将 减小 。 （4）s R 增加时，CEQ V 将 不变 。 （5）β减小时（换管子），CEQ V 将 增大 。 （6）环境温度升高时，CEQ V 将 减小 。
42. 在题图3.0.3电路中，当放大器处于放大状态下调整电路参数，试分析电路状态和性能的变化。（在相应的空格内填“增大”、“减小”或“基本不变”。） （1）若b R 阻值减小，则静态电流I B 将 增大 ，CE V 将 减小 ，电压放大倍数v A 将 增大。
题图3.0.2
（2）若换一个β值较小的晶体管，则静态的B I 将 不变 ，CE V 将 增大，电压放大倍数v
A 将 减小。
（3）若C R 阻值增大，则静态电流B I 将 不变 ， CE V 将 减小 ，电压放大倍数v A 将 增大 。
43. 放大器的频率特性表明放大器对 不同频率信号 适应程度。表征频率特性的主要指标是 中频电压放大倍数 ， 上限截止频率 和 下限截止频率 。 44. 放大器的频率特性包括 幅频响应 和 相频响应 两个方面，产生频率失真的原因是 放大器对不同频率的信号放大倍数不同 。
45. 频率响应是指在输入正弦信号的情况下， 放大器对不同频率的正弦信号的稳态响应。 46. 放大器有两种不同性质的失真，分别是 线性 失真和 非线性 失真。 47. 幅频响应的通带和阻带的界限频率被称为 截止频率 。
48. 阻容耦合放大电路加入不同频率的输入信号时，低频区电压增益下降的原因是由于存在 耦合电容和旁路电容的影响 ；高频区电压增益下降的原因是由于存在 放大器件内部的极间电容的影响 。
49. 单级阻容耦合放大电路加入频率为L H f f 和的输入信号时，电压增益的幅值比中频时下降了 3 dB ，高、低频输出电压与中频时相比有附加相移，分别为 -45o 和+45o 。
50. 在单级阻容耦合放大电路的波特图中，幅频响应高频区的斜率为 -20dB/十倍频 ，幅频
响应低频区的斜率为-20dB/十倍频 ；附加相移高频区的斜率为 -45o/十倍频 ，附加相移低频区的斜率为 +45o/十倍频 。
51. 一个单级放大器的下限频率为100Hz =L f ，上限频率为30kHz =H f ，40dB VM
=A ，如果输入一个)t 00015sin(100,πmV 的正弦波信号，该输入信号频率为 50kHz ，该电路 不会 产生波形失真。
52. 多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比，其通频带变 窄 ，电压增益 增
大 ，高频区附加相移 增大 。
二、判断题
1. 下列三极管均处于放大状态，试识别其管脚、判断其类型及材料，并简要说明理由。 （1）3.2V ，5V ，3V ；
解：锗NPN 型BJT 管 V BE =0.2 V 所以为锗管；5V 为集电极，3.2V 为基极，3V 为发射极，
（2）－9V ，－5V ，－5.7V
解：硅PNP 型BJT 管；－9V 为集电极，－5.7V 为基极，－5V 为发射极 （3）2V ，2.7V ，6V ；
解：硅NPN 型BJT 管；6V 为集电极，2.7V 为基极，2V 为发射极 （4）5V ，1.2V ，0.5V ；
解：硅NPN 型BJT 管；5V 为集电极，1.2V 为基极，0.5V 为发射极
题图3.0.3
（5）9V ，8.3V ，4V
解：硅PNP 型BJT 管 9V 为发射极，8.3V 为基极，4V 为集电极 （6）10V ，9.3V ，0V
解：硅PNP 型BJT 管， 10V 为发射极，9.3V 为基极，0V 为集电极 （7）5.6V ，4.9V ，12V ；
解：硅NPN 型BJT 管，12V 为集电极，5.6V 为基极，4.9V 为发射极， （8）13V ，12.8V ， 17V ；
解：锗NPN 型BJT 管，17V 为集电极，13V 为基极，12.8V 为发射极， （9）6.7V ，6V ，9V ；
解：硅NPN 型BJT 管，9V 为集电极，6.7V 为基极，6V 为发射极， 2. 判断三极管的工作状态和三极管的类型。
1管：;4,7.2,2V V V V V V C E B =-=-= 答：NPN 管，工作在放大状态。 2管：;5.5,3.5,6V V V V V V C E B === 答：NPN 管，工作在饱和状态。 3管：;V V ,V .V ,V V C E B 7301=-=-=
答：NPN 管，工作在截止状态。
3. 题图3.0.4所列三极管中哪些一定处在放大区？
答：题图3.0.4
4. 放大电路故障时，用万用表测得各点电位如题图3.0.5，三极管可能发生的故障是什么？
答：题图3.0.5所示的三极管，B 、E 极之间短路，发射结可能烧穿。
5. 测得晶体管3个电极的静态电流分别为0.06mA ，3.66mA 和3.6mA ，则该管的β 为①。
①为60。 ②为61。 ③0.98。 ④无法确定。 6. 只用万用表判别晶体管3个电极，最先判别出的应是 ②b 极 。
①e 极 ②b 极 ③c 极
7. 共发射极接法的晶体管，工作在放大状态下，对直流而言其 ① 。
题图3.0.5
①输入具有近似的恒压特性，而输出具有恒流特性。 ②输入和输出均具近似的恒流特性。 ③输入和输出均具有近似的恒压特性。
④输入具有近似的恒流特性，而输出具有恒压特性。
8. 共发射极接法的晶体管，当基极与发射极间为开路、短路、接电阻R 时的c ，e 间的击穿电压分别用V （BR ）CEO ，V （BR ）CES 和V （BR ）CER 表示，则它们之间的大小关系是 ② 。
①V （BR ）CEO ＞V （BR ）CES ＞V （BR ）CER 。 ②V （BR ）CES ＞V （BR ）CER ＞V （BR ）CEO 。 ③V （BR ）CER ＞V （BR ）CES ＞V （BR ）CEO 。 ④V （BR ）CES ＞V （BR ）CEO ＞V （BR ）CER 。 9．题图3.0.6所示电路中，用 直流电压表测出V CE ≈0V ，有 可能是因为 C 或D 。
A R b 开路
B R c 短路
C R b 过小
D 过大
10. 测得电路中几个三极管的各极对地电压如题图3.0.7所示。试判断各三极管的工作状态。
答：题图3.07所示的各个三极管的工作状态，图（a ）为放大， 图（b ）为放大 ，图（c ）为饱和， 图（d ）为C 、E 极间击穿。
11. 用万用表直流电压档测得电路中晶体管各电极的对地电位，如题图3.0.8示，试判断这些晶体管分别处于哪种工作状态（饱和、放大、截止或已损坏）？
题图3.0.6
题图3.0.7
(b)
(c)
(d)
(a)
答：题图3.07所示的各个三极管的工作状态，图（a ）为损坏， 图（b ）为放大， 图（c ）为放大， 图（d ）为截止， 图（e ）为损坏，图（f ）为饱和（或B 、C 极间击穿）。 12. 放大电路如题 图3.0.9所示，对于射极电阻e R 的变化是否会影响电压放大倍数v A 和输入电阻i R 的问题，有三种不同看法，指出哪一种是正确的？
甲：当e R 增大时，负反馈增强，因此↓v A 、↑i R 。（ ） 乙：当e R 增大时，静态电流C I 减小，因此↓v A 、↑i R 。（ ）
丙：因电容e C ，对交流有旁路作用，所以e R 的变化对交流量不会有丝毫影响，因此，当e R 增大时，v A 和i R 均无变化。
解：本题意在我们要搞清e R ，在分压式电流负反馈偏置电路中的作用，从表面看，e
R 被e C 交流旁路了，对交流量无影响（即不产生交流负反馈），所以e R 的变化不影响u A 和i R ，这是本题容易使我们产生错觉的地方。但我们还必须进一步考虑，尽管e R 不产生交流负反馈，但它对放大器的静态工作点的影响是很大的，既然影响到CQ I ，就影响到be r 进而影响u A 和i R 。
题图3.0.9
甲的说法是错误的，原因：因e C 的旁路作用，所以e R 不产生交流负反馈，所以甲的观点前提就是错的。
乙的说法是正确的。原因：;)(↓↑→↓→↑→u be EQ CQ e A r I I R
↑∴=↑i be b i be R r R R r ,//,
丙的说法是错误的，原因：正如解题分析中所说，尽管e R 不产生负反馈，但e R 增大使
EQ
EQ ，I
I 减小的减小必然引起u A 减小和i R 的增加。
主观检测题
3.1.1 把一个晶体管接到电路中进行测量，当测量时A I B μ6=，则mA I C
4.0=，当测得
mA ，I
A I C
B 12.118==时μ，问这个晶体管的β值是多少？CEO CBO I I 和各是多少？
解：根据电流关系式：C B CBO I I ()I ,ββ=++1可得 C B O I )1(mA 006.0mA 4.0β++?β= （1） CBO I )1(mA 018.0mA 12.1β++?β= （2） 将（1）、（2）两式联立，解其联立方程得：
CBO I .A βμ=≈60
066
进而可得：
CEO CBO I ()I .A A βμμ=+=?=10666140
3.1.2根据题图3.1.2所示晶体三极管3BX31A 和输出特性曲线，试求Q 点处V V CE 3=，
值和值和的ααββμ，A I ,mA I B C 1504==。
题图3.1.2
解：C B I mA
I .mA
β=
==42002， .βαβ=
=+0951 C B I mA
I .mA
?β?=
==22001 .βαβ=
=+0951 3.1.3硅三极管的CBO
，I
50=β可以忽略，若接为题图3.1.3（a ），要求mA I C 2=，问E R 应
为多大？现改接为图(b)，仍要求B C R mA I 问,2=应为多大？
解：（a ）()C
B I mA
I A μβ
=
=
=24050
()()E B BE
E E
BE E E I I .mA V I R V .R .k I .βΩ=+=-=--=
==120466607
26204
（b ）()C
B
I mA
I A μβ
==
=24050
C C B E
B B
V V
.R k I .Ω--=
=
=607
132004
3.3.1 在晶体管放大电路中，测得三个晶体管的各个电极的电位如题图3.3.1所示，试判断各晶体管的类型（PNP 管还是NPN 管，硅管还是锗管），并区分e 、b 、c 三个电极。
题图3.1.3
(a)
(b)
题图3.3.1
(a)
(b) (c)
解：题图3.3.1（a ）所示的晶体管为锗NPN 管 ，三个引脚分别为①e 极、 ②b 极、 ③c 极。 题图3.3.1 (b) 所示的晶体管为硅PNP 管，三个引脚分别为①c 极、 ②b 极、 ③e 极。 题图3.3.1(c)所示的晶体管为锗 PNP 管，三个引脚分别为①b 极、 ②e 极， ③c 极。 3.3.2在某放大电路中，晶体管三个电极的电流如题图3.3.2所示，已测出mA .I 211-=，
mA .I 0302=，mA .I 2313=，试判断e 、b 、c 三个电极，该晶体管的类型（NPN 型还是
PNP 型）以及该晶体管的电流放大系数β。
解：题图3.3.2所示的晶体管为PNP 管，三个电极分别为②b 极、 ①c 极、 ③e 极，晶体管的直流电流放大倍数为 β=1.2/0.03=40。
3.3.3共发射极电路如题图3.3.3所示，晶体管A I CBO μβ4,50==，导通时V .V BE 20-=，问当开关分别接在A 、B 、C 三处时，晶体管处于何种工作状态？集电极电流C I 为多少？设二极管D 具有理想特性。
解：题图3.3.3所示的电路，当开关置于A 位置时，I b =（2-0.2）/10=0.18 mA I cbo =12/（1×50）=0.24 mA 故工作在放大区，I c =I b ×50=9 mA 。
当开关置于B 位置时，晶体管工作在截止区， I c =0。 当开关至于C 位置时，晶体管工作在饱和区。
3.3.
4. 题图3.3.4电路中，分别画出其直流通路和交流通路，试说明哪些能实现正常放大？哪些不能？为什么？（图中电容的容抗可忽略不计）。
题图 3.3.2
题图 3.3.3
(b)
(a)
N7习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？ 答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。 习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。 解：在20℃时的反向电流约为：3 210 1.25 A A μμ -?= 在80℃时的反向电流约为：321080 A A μμ ?=
习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？ 答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。 一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。 温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
100B i A μ=80A μ60A μ40A μ20A μ0A μ0.9933.22 安全工作区
习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ，β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。解：20℃时，()131CEO CBO I I A βμ=+=50℃时，8CBO I A μ≈() () ()0 5020 011%3011%301301%39 t t ββ--=+=?+≈?+?=()13200.32CEO CBO I I A mA βμ=+==
习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正 向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？ 答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。理想二极管的 正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。 习题1-2 假设一个二极管在50C时的反向电流为10卩A，试问它在 20C和80C时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10C， 反向电流大致增加一倍。 解：在20C时的反向电流约为：2°汉10卩A= 1.254 A 3 在80C时的反向电流约为： 2 10」A二80」A N7 习题1-3某二极管的伏安特性如图(a)所示: ①如在二极管两端通过1k?的电阻加上1.5V的电压，如图 (b)，此时二极管的电流I和电压U各为多少? ②如将图(b)中的1.5V电压改为3V，贝V二极管的电流和电 压各为多少？ 解：根据图解法求解 ①电源电压为1.5V时 1.5 二U I I 0.8A, U 0.7V ②电源电压为3V时 U I (b) I 2.2A, U 0.8V 可见，当二极管正向导通后，如电源电压增大，贝匸 极管的电流随之增大，但管子两端的电压变化不大。 1.5V 1k?
习题1-4 已知在下图中，U| = 10sin? t (V), R L=1k?，试对应地画出二极管的电流i D、电压u D以及输出电压u O的波 形，并在波形图上标出幅值。设二极管的正向压降和反向 习题1-5 欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电 流I Z、动态电阻X Z以及温度系数a u，是大一些好还是小一一些好？答：动态电阻r Z愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。 一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z愈大, 则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。 温度系数a u的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
第1章 常用半导体器件 1.1选择合适答案填入空内。 (l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。 A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。 A.增大 B.不变 C.减小 (3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。 A.83 B.91 C.100 (4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。 A.增大； B.不变； C.减小 1.3电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。设二极管导通电 压可忽略不计。 图P1.2 解图P1.2 解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。 1.4电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。试画出i u 与o u 的 波形图，并标出幅值。 图P1.3 解图P1.3
1.6电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈，电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波，有效值为10mV 。试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？ 解：二极管的直流电流 ()/ 2.6D D I V U R mA =-= 其动态电阻: /10D T D r U I ≈=Ω 故动态电流的有效值：/1d i D I U r mA =≈ 1.7现有两只稳压管，稳压值分别是6V 和8V ，正向导通电压为0.7V 。试问： (1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？ 解：(1)串联相接可得4种：1.4V ；14V ；6.7V ；8.7V 。 1、两个管子都正接。（1.4V ） 2、6V 的管子反接，8V 的正接。(6.7V) 3、8V 的反接， 6V 的管子正接。(8.7V) 4、两个管子都反接。（14V ） (2)并联相接可得2种：0.7V ；6V 。 1、 两个管子都反接，电压小的先导通。(6V) 2.、一个正接，一个反接，电压小的先导通。（0.7V ） 1.8 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。试求图P1.8所示电路中电阻R 的取值范围。 解：稳压管的最大稳定电流： I ZM ＝P ZM / U Z ＝25mA 电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin 所以其取值范围为 Ω=-= k 8.136.0Z Z I ～I U U R
第二章 正弦交流电路 2.1 基本要求 (1) 深入理解正弦量的特征，特别是有效值、初相位和相位差。 (2) 掌握正弦量的各种表示方法及相互关系。 (3) 掌握正弦交流电路的电压电流关系及复数形式。 (4) 掌握三种单一参数（R ，L ，C ）的电压、电流及功率关系。 (5) 能够分析计算一般的单相交流电路，熟练运用相量图和复数法。 (6) 深刻认识提高功率因数的重要性。 (7) 了解交流电路的频率特性和谐振电路。 2.2 基本内容 2.2.1 基本概念 1. 正弦量的三要素 (1) 幅值（U m ，E m ，I m ）、瞬时值（u, e, i ）、有效值（U ，E ，I ）。 注：有效值与幅值的关系为：有效值2 幅值= 。 (2) 频率（f ）、角频率（ω）、周期（T ）。 注：三者的关系是 T f π πω22= =。 (3) 相位（?ω+t ）、初相角（?）、相位差（21??-）。 注：相位差是同频率正弦量的相位之差。 2. 正弦量的表示方法 (1) 函数式表示法： 。 )sin();sin();sin(i m e m u m t I i t E e t U u ?ω?ω?ω-=+=+= (2) 波形表示法：例如u 的波形如图2-1-1(a)所示。 (3) 相量（图）表示法： 使相量的长度等于正弦量的幅值（或有效值）； 使相量和横轴正方向的夹角等于正弦量的初相角； 使相量旋转的角速度等于正弦量的角速度。 注： U &U
例 。 )60sin(24, )30sin(2621V t u V t u o o +=+=ωω 求?2 1=+u u 解：因为同频率同性质的正弦量相加后仍为正弦量，故 )sin(221?ω+==+t U u u u , 只要求出U 及?问题就解决了。 解1：相量图法求解如下：具体步骤为三步法（如图2-1-2所示）： 第一步：画出正弦量u 1 、u 2 的相量1 2 U U &&、（U 1=6，U 2 =4）。 第二步：在相量图上进行相量的加法，得到一个新相量U &。 利用?ABC 求出AC 的长度为9.68，即新相量U &的长度。 利用?ABC 求出α的数值为11.9o ，则3041.9?α=+=o o 。 第三步：把新相量U &还原为正弦量u ： U &→ u=9.6841.9)()t V ω+o 以上三步总结如下： 443 4421? ? ? =+↑↓↓=+U U U u u u 2121 30 60 B C 1 U 2 U 0 图2-1-2 (4) 相量式（复数）表示法： 使复数的模等于正弦量的幅值（或有效值）； 使复数的复角等于正弦量的初相角。 注：① 实际表示时多用有效值。 ② 复数运算时，加减常用复数的代数型，乘除常用复数的极坐标型。 ③ 利用复数，可以求解同频率正弦量之间的有关加减乘除．．．．问题。 解2： 复数法求解如下：具体步骤为三步法： 第一步：正弦量表示为复数（极坐标形式）： 32.53061 1j U u +=∠=→ο& 47.326042 2 j U u +=∠=→ο& 第二步：复数运算，产生一个新复数U &。
模电典型例题分析 第二章 题2.1 如图所示电路，已知集成运放开环差模电压增益为∞，其电源电压±VCC=±14V ，Ui=1V ；R1＝10k,Rw=100k 。请问：当Rw 滑动端分别在最下端、最上端和中点时时，输出Uo ＝？V ； 解： 14V ,1V,6V 题2.2 在题图所示的放大电路中，已知Ω=====k R R R R R 1087521，Ω===k R R R 201096∶ ① 列出1O u 、2O u 和O u 的表达式； ② 设V u I 3.01=，V u I 1.02=，则输出电压?=O u 注：此图A 1的同相端、反相端标反。 解 分析：本题中，运放A 1构成反相比例运用电路，A 2构成同相比例运用。而A 3则构成了一个减法电路，由于可将运放当作理想器件，又在线线场合下使用，所以可使用“虚短”及“虚断”的两个基本概念来对电路进行分析。 （1） 21111152221 610 10 10311202O I I I O I I I R u u u u R R u u u u R =- =-?=-???? =+=+?= ? ????? 对A 3，1032222 810202 10203O O O I R u u u u u R R +=?===++ 因为0133079u u u u R R ---=－ 332011I I u u u u u -+===-
()()90313212712 20 10 23O I I I I I R u u u u u u u R u u -=- -=---=+ （2）120.3,0.120.330.10.9I I O u V u V u V ===?+?= 题2.3 加减运算电路如图所示，求输出电压O u 的值。 R u 分析：本题中运放A 构成了差分减法电路，由于运放可作理想器件，且工作在线性区，可用“虚短”和“虚断”的基本概念来分析电路。此电路的同相和反相端分别有两个输入信号，因此可用叠加原理来分析。 1s u 单独作用：2s u 、 3s u 、4s u 接地，此时输出为O1u F O11 1s R u u R =- 2s u 单独作用：1s u 、 3s u 、4s u 接地，此时输出为O2u F O222 s R u u R =- 3s u 单独作用：1s u 、 2s u 、4s u 接地，此时输出为O3u 45 p 3 453////s R R u u R R R =+ N P N O3N 12F //u u u u u R R R =-∴=Q F O3N 12 (1)//R u u R R =+ 45F 3 12453//(1)////s R R R u R R R R R =++ 4s u 单独作用：1s u 、 2s u 、3s u 接地，此时输出为O4u 35F O44 12354 //(1)////s R R R u u R R R R R =+ +
第五章 放大电路的频率响应 自 测 题 一、选择正确答案填入空内。 （1）测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是 。 A.输入电压幅值不变，改变频率 B.输入电压频率不变，改变幅值 C.输入电压的幅值与频率同时变化 （2）放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 ，而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 。 A.耦合电容和旁路电容的存在 B.半导体管极间电容和分布电容的存在。 C.半导体管的非线性特性 D.放大电路的静态工作点不合适 （3）当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时，放大倍数的值约下降到中频时的 。 倍 倍 倍 即增益下降 。 （4）对于单管共射放大电路，当f ＝ f L 时，o U 与i U 相位关系是 。
A.＋45? B.－90? C.－135? U 与i U 的相位关系是。 当f ＝f H时， o A.－45? B.－135? C.－225? 解：（1）A （2）B，A （3）B A （4）C C 二、电路如图所示。已知：V C C＝12V；晶体管的Cμ＝4pF，f T= 50MHz， r＝100Ω, 0＝80。试求解： ' bb A ； （1）中频电压放大倍数 u sm C； （2）' （3）f H和f L； （4）画出波特图。 图
解：（1）静态及动态的分析估算： ∥178 )(mA/V 2.69k 27.1k 27.1k 17.1mV 26) 1(V 3mA 8.1)1(A μ 6.22c m be e b'i s i sm T EQ m b be i e b'bb'be EQ e b'c CQ CC CEQ BQ EQ b BEQ CC BQ R g r r R R R A U I g R r R r r r I r R I V U I I R U V I u （2）估算' C ： pF 1602)1(pF 214π2) (π2μc m ' μT e b'0 μπe b'0 T C R g C C C f r C C C r f （3）求解上限、下限截止频率： Hz 14)π(21 kHz 175π21 567)()(i s L ' πH s b b'e b'b s b b'e b' C R R f RC f R r r R R r r R ∥∥∥ （4）在中频段的增益为 dB 45lg 20sm u A
模拟电子技术基础 第四版 清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答
目录 第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3 第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126
第1章常用半导体器件 自测题 一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。 (1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。( √ ) (2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( ×) (3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( √ ) (4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( ×) (5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证 R大的特点。( √) 其 GS U大于零，则其输入电阻会明显变小。( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的 GS 二、选择正确答案填入空内。 (l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A.变窄 B.基本不变 C.变宽 (2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 A.前者反偏、后者也反偏 B.前者正偏、后者反偏 C.前者正偏、后者也正偏 (4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。 A.结型管 B.增强型MOS 管 C.耗尽型MOS 管 三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。 图T1.3 解：U O1=1.3V, U O2=0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5=1.3V, U O6=-2V。 四、已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA。求图Tl.4所示电路
第二章 2-1 解：i=10sin(314t+60°) mA t =1ms, )3 1 001.0100sin(10ππ+?=s i 2-3解：(1) 452003010021∠=-∠=? ? U U (2)u 1滞后u 2 75°. 2-4 解： ) 1.53sin(25)1.53sin(2521 -=+=t i t i ωω 2-5 解： ) 30sin 30(cos 50)150sin 150(cos 2 7 .7021 j U j U +=+= ?? 2-6 解： ) 60sin 60(cos 2 10)30sin 30(cos 2 10 21 -+-=+= ?? j I j I 2-8 解：电流与电压表的读数为有效值。 2-9 解：X L =ωL ? ? =I jX U L 2-15 解：Z=R1+R2+j(X L -X C )
C j I U L j I U R I U C L R ωω1 ? ? ? ?? ?-=== 2-28 解: 220 605.022040 1cos 1 cos 22111= =?= ==U P I U P I UI P ?? S P P P P UI S I I I I I I I = +==+=∠=+=?? ? ?? ???cos 0)1sin 1(cos 212 12211 2-30解: 2 2)sin (cos 31 cos )1sin 1(cos 01211 111?? ? ? ? ??? = -=+== +=∠=I U Z I I I I I U P I I I U U ?????
2-32: 未接电容时 接电容后： 有功功率不变，电压不变，功率因数提高到0.9。 R u L u C i 1 cos 1?UI P =
《自测题、思考题与习题》参考答案 第1章 自测题 一、1.杂质浓度；温度。2.减小；增大。3.单向导电；最大整流电流I F；最大反向工作电压U RM。4.0.5；；；。5. 15V；；；；6V；。6.大；整流。 二、1.①；⑤；②；④。2. ②；①。3.①。4.③。5.③。6.③。 三、1、2、5、6对； 3、4错。 思考题与习题 1.3.1 由直流通路(图略)得I D=/×103≈；则有r d≈26(mV)/I D(mA)=Ω。再由微变等效电路(图略)可得输出电压交流分量u o≈[+25)]u i≈ωt(mV)。 1.3.2(a)U D=-3V，VD截止，U AB=-12V。(b) U D1=10V，U D2=25V，VD2优先导通，VD1截止，U AB=-15V。 1.3.3 当u i≥时VD1导通，VD2截止，u o=；当u i≤时VD2导通，VD1截止，u o=；当≤u i≤时VD1、VD2均截止，u o=u i。故u o为上削顶下削底，且幅值为±的波形(图略)。 1.3.4 在等效电路中，两二极管可由图(c)来表示。当< u i<时，VD1、VD2均截止，u o=u i。当u i≥时VD1导通，VD2截止，u o=[(u i-U th)/(R+r D)]r D+U th，其最大值为U om≈。同理，当u i≤时，U om≈。图略。 1.3.5 由分压公式分别求得U A=5V，U B=8V，U BC=5V。因U CA=U C-U A=U CB+U B-U A= -2V。截止。1.4.1 当u i>8V时，稳压管起稳压作用，u o=8V；U Z，稳压管起稳压作用，U O=U Z=12V，I L=U O/R L=6mA，I R=(U I-U O)/R=12mA，I Z=I R-I O=6mA。(2)当负载开路时，I Z=I R=12mA。(3) I L=6mA，I R=(U I-U O)/R=14mA，I Z=I R-I L=8mA。 第2章 自测题 一、1. 15；100；30。2.(从左到右)饱和；锗管放大；截止；锗管放大；饱和；锗管放大；硅管放大；截止。3. (1)6V；(2) 1mA，3V；(3)3kΩ，3kΩ；(4) 50，-50；(5) 1V；(6)20μA； (7)30mV。4.(1) 1mA，6V；(2)Ω，Ω；(3) 。5.削底，削底，削底。6.共集；共集；共集和共基；共集；共射。 二、1.②。2.④。3. ③。4.②；①；④。5.②④。6.④。 三、1、5对；2、3、4、6错。 思考题与习题 2.1.1 (a)NPN硅管，1-e、2-b、3-c。(b)PNP硅管，1-c、2-b、3-e。(c)PNP锗管，1-c、2-e、3-b。
练习题解答 [解］ S 闭合时, V V V a b c 6V,3V,0V. ==-= S 断开时 V V V a b c 6V,(63)V 9V. ===+= 下一题 返回练习题集 幻灯片2 1、3、1 求图示电路中开关S 闭合与断开两种情况下 a 、b 、c 三点得电位。 R S 3 V 6 V a b c 1、3、2 求图示电路中开关 S 闭合与断开两种情况下a 、b 、c 三点得电位。 S 2 k a b c ＋12 V 4 k －6 V 4 k 2 k 解:S 闭合时 V V V b 3 a 33 3 c 33 0V 410(12)V 8V 210410410(6)V 4V 210410=?=?=?+????=?-=-???+???
下一题 上一题 返回练习题集 幻灯片3 1、5、1 试根据理想电压源与理想电流源得特点分析图示得两电路：当 Ｒ 变化时，对其余电路（虚线方框内得电路)得电压与电流有无影响?R 变化时所造成得影响就是什么? [解] S 断开时, V V V 3 a 3 3 b 3 3 c 3 21012(126)V 9V (2442)10(24)1012(126)V 3V (2442)102106(126)V 3V (2442)10???=-?+=??+++??? ??+?=-?+=??+++??? ???=-+?+=-??+++???
（a) （b) 下一题 上一题 返回练习题集 幻灯片4 1、6、１ 图示电路中，已知 U Ｓ＝6 Ｖ,IS ＝２ A ，R1＝2 ,R ２＝1 。求开关 S 断开时开关两端得电压 Ｕ 与开关 S 闭合时通过开关得电流 I （不必用支路电流法）. US + _ R 任 何 电 路 IS R 任 何 电 路 解:对电路(a),因为凡与理想电压源并联得元件其两端电压均等于理想电压源得电压,故改变R 不会影响虚线部分电路得电压,而虚线部分电路结构一定,故亦不会影响其电流。R 得变化仅影响其本身得电流及理想电压源得电流。 US + _ R 任 何 电 路 US + _ IS R1 R2 U + _ I S
习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。 解：在20℃时的反向电流约为：3 210 1.25A A μμ-?=在80℃时的反向电流约为：321080A A μμ?=
习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？ 答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。 一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。 温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
100B i A μ=80A μ60A μ40A μ20A μ0A μ0.9933.22 安全工作区
习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ，β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。解：20℃时，()131CEO CBO I I A βμ=+=50℃时，8CBO I A μ≈() () ()0 5020 011%3011%301301%39 t t ββ--=+=?+≈?+?=()13200.32CEO CBO I I A mA βμ=+==
习题八 8.1选择正确的答案填入空内。 （1）场效应管的漏极电流是由( )的漂移运动形成的。 A.少子 B.多子 C.两种载流子 （2）场效应管是一种( )控制型的电子器件。 A.电流 B.光 C.电压 （3）场效应管是利用外加电压产生的( )来控制漏极电流的大小的。 A.电流 B.电场 C.电压 （4）与双极型晶体管比较，场效应管( )。 A.输入电阻小 B.制作工艺复杂 C.放大能力弱 (5)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为3mA 时，它的低频跨导将( )。 A.增大 B.减小 C.不变 (6)某场效应管的转移特性如由题8.1图所示，则该管是( )场效应管 。 A.增强型NMOS B.耗尽型NMOS C.耗尽型PMOS (7)当耗尽型场效应管工作于放大区时， 场效应管I D 的数学表达式为( )。 A.GS v D SS D e I i = B.2)(D S G S D SS D v v I i -= C.2) ()1(off GS GS DSS D v v I i - = （8）当栅源电压V GS ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有( )。 A. 结型管 B. 增强型MOS 管 C. 耗尽型MOS 管 答案（1）B （2）C （3）B （4）C (5) A (6) B (7) C （8）A C 8.2 已知场效应管的输出特性曲线如题8.2图(a)所示，画出它在恒流区的转移特性曲线。 题8.2图 v DS /V i D /mA i D /mA v GS /V (a) 输出特性曲线 (b) 转移特性曲线 题8.1图 P v GS /V
一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V 五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 μA 26V C C CC CE B C b BE BB B =-=== =-= R I U I I R U I β U O ＝U CE ＝2V 。 2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。 1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 t t
1.5 u o 的波形如图所示。 1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝ 2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。 1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 （2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。 1.9 （1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流为4mA ，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I ＝15V 时，由于上述同样的原因，U O ＝5V 。 当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝5V 。 （2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 （1）S 闭合。 （2）。 ，Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R 1.11 波形如图所示。 1.12 60℃时I CBO ≈32μA 。 1.13 选用β＝100、I CBO ＝10μA 的管子，其温度稳定性好。 1.14
填空 1. 和开路PN结的结区宽度相比较，当PN结加正偏电压时，其结区宽度将变 窄；当PN结加反偏电压时，其结区宽度将变宽。 2. 整流二极管的整流作用是利用PN结的单向导电特性,稳压管的稳压作用是利用PN结的反向击穿特性。 3. 三极管工作在放大状态时，发射结应正偏置，集电结应反偏置。若工 作在饱和状态时，发射结应正偏置，集电结应正偏置。若工作在截 止状态时，发射结应反偏置，集电结应反偏置。 4. 三极管电流放大系数B = 50，J则a = 0.98 ;若a = 0.99, J则B - 99 。 5. 当环境温度升高时，三极管的下列参数变化的趋势是：电流放大系数 大，穿透电流I CEO增加，当I B不变时，发射结正向压降|U BE|减小。 6. 共射极放大电路中三极管集电极静态电流增大时，其电压增益将变大 ; 若负载电阻R L变小时，其电压增益将变小。 7. 单级共射极放大电路产生截止失真的原因是静态lc偏小;产生饱和失真 的原因是lc偏大：若两种失真同时产生，其原因是输入信号太大。 8. 试比较共射、共集和共基三种组态的放大电路，其中输入电阻较大的是 共集电路；通频带较宽的是共基电路；输入电阻较小的是 共基电路；输出电阻较小的是共集电路；输出信号与输入信号同相位的是共集和共基电路;电压增益小于1的是共集电路;带负载能 力较强的是共集电路；既有电流放大能力又有电压放大能力的是共射电路。 9. 单级阻容耦合共射极放大电路的中频电压增益为-100,当信号频率为上限频率f H 时，这时电路的实际增益为-77.7，其输出与输入信号的相位相差 -225 度。 10. 某放大电路的对数幅频特性如图所示，由图可知，该电路的中频电压放大倍
电工学第三版答案
苏州大学 电工学 课程 （08）卷参考答案 共3页 5.7R X 5.72 15 2X R R 2X R 20I R 2 I )R R (I )X R (X 10 1510 150 X ,150X I 150V 510-200IR 002 U 10(A).I . 010101010I I I 45210I ,9010I :.12L C 22 C 2222222L 2C C C 1AB 2 1 21Ω==Ω====∴=?=+=?+=Ω===?=?=-==∴?∠=-+=+=? -∠=?∠=j j j j Θ&&&&&又解 2. 解 ： （12分） (2 (4 (3 (3
: ,15 U 65I ,10U I ,5U I ,10U U I ,5U 15I : 0I I I 0I I I :B A :.3B 5B 4A 3A B 2A 1425321将各电流代入前方程应用电路元件特性方程列方程和结点对结点应用基尔霍夫电流定律解-===-=-= =--=-+ 0V 1U U U 130U 83U - 0V 1 U 0V,1 U 30U 5U 0 10U 10U U 15U -65 0 5U 10U U 5U -15 B A AB B A B A B A B A B B A A B A -=-==+===-=---=--+ (3) )(W 19722 1303803 cos I U 3P )(W 6574 1103803 cos I U 3P (2) A)(30I 3I A)(27.1722 380 I : )(2210 220 I U R ) V (2203 U U :Y )1(:.4Y P P P P P =???=?==???=?=====?Ω=====???l l l l l l 接法改接成接法解 (3 (4 (4 (2 (3 (3 (3 (2 (2
+℃℃1-1℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃ ℃℃1-2℃℃℃℃℃℃℃℃50℃℃℃℃℃℃℃℃10μA℃℃℃℃℃20℃℃80℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃10℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃ ℃℃℃20℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃3 210 1.25 A A μμ -?= ℃80℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃321080 A A μμ ?=
℃℃1-5℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃I Z℃℃℃℃℃r Z℃℃℃℃℃℃αU℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃ ℃℃℃℃℃℃r Z℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃ ℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃I Z℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃ ℃℃℃℃αU℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃
100B i A μ=80A μ60A μ40A μ20A μ0A μ0.9933.22 ℃℃℃℃℃
℃℃1-11℃℃℃℃℃℃20℃℃℃℃℃℃℃℃℃I CBO =1μA ℃β=30℃℃℃℃℃℃℃50℃℃I CBO ℃℃℃℃℃I CE O ℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃10℃℃℃I CBO ℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃1℃℃℃β℃℃℃℃1% ℃ ℃℃ 20℃℃℃()131CEO CBO I I A βμ=+=50℃℃℃ 8CBO I A μ≈() () ()0 5020 011%3011%301301%39 t t ββ--=+=?+≈?+?=()13200.32CEO CBO I I A mA βμ=+==
第一章习题答案 1.1 写出题1.1图中有源支路的电压，电流关系式。 (c) (d) 题1.1图 1.2在题1.2图中已知U 2=2V , (1) 求 I,U 1,U 3,U 4,U ac ,(2) 比较a,b,c,d,e 各点电位的高低。 题1.2图 1.3在题1.3图所示电路中U ab 题1.3图 1.4 ab U 1.5及0-3各端点的等效电阻，即各挡的电 流表内阻，已知表头等效电阻R A =15k Ω,各分流电阻R 1=100Ω，R 2=400Ω，R 3=500Ω。 + a 2V Ω a 2U 2Ω 2Ω 2Ω 2Ω a 1U 3U 4 U 3V 2 2V 2 4V Ω Ω 1 2 3
题1.5图 1.6两个额定值是110V,40W 的灯泡能否串联后接到220V 的电源上使用？如果两个灯泡的额定电压相同，都是110V ，而额定功率一个是40W ，另一个是100W,问能否把这两个灯泡串联后接在200V 电源上使用,为什么? 1.7电路如题1.7图所示.试问ab 支路是否有电压和电流? 题1.7图 1.8题1.8图中若(1)U=10V , I=2A, (2)U=10V ,I=-2A 。试问哪个元件是吸收功率?哪个元件是输出功率?为什么? 题1.8图 1. 1.9计算题1.9图所示各电路的等效电阻. 1. 1.10电路如题1.10图所示,试求以下电路的电压U 和电流I 。 U U U U + － － (c) (a) (b) (d) 1A 20Ω 1A 20Ω
1.11在指定的电压u 和电流i 参考方向下,写出1.11图所示各元件u 和 i 的约束方程. (a) (b) (c) (d) (e) 1.12求题1.12图所示电路中的U 1和U 2. 题1.12图 1.13求题1.13图中所示电路化成等值电流源电路。 (a) (b) (c) 题1.13图 1.14求题1.14图中所示电路化成等值电压源电路。 + U － U + － 10K Ω u + 20mH － u 10μF u － + U 5V + － i I 2A U + － 4V 1A 2V 1A 2Ω 6V 6V
+习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？ 答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。 习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。 解：在20℃时的反向电流约为：3 210 1.25 A A μμ -?= 在80℃时的反向电流约为：321080 A A μμ ?=
习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？ 答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。 一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。 温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
100B i A μ=80A μ60A μ40A μ20A μ0A μ0.9933.22 安全工作区
习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ，β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。解：20℃时，()131CEO CBO I I A βμ=+=50℃时，8CBO I A μ≈() () ()0 5020 011%3011%301301%39 t t ββ--=+=?+≈?+?=()13200.32CEO CBO I I A mA βμ=+==
; 第一章习题答案 1.1 写出题图中有源支路的电压，电流关系式。 [ ^ (a) (b) (c) (d) 题图 在题图中已知U 2=2V , (1) 求 I,U 1,U 3,U 4,U ac ,(2) 比较a,b,c,d,e 各点电位的高低。 < 题图 在题图所示电路中U ab ； | 题图 ？ % 0-3各端点的等效电阻，即各挡的电流表内 阻，已知表头等效电阻R A =15k Ω,各分流电阻R 1=100Ω，R 2=400Ω，R 3=500Ω。 . + a 2V Ω + a 2Ω 2Ω 2Ω 2Ω a 3V ？ 2V 2 4V Ω
题图 两个额定值是110V,40W 的灯泡能否串联后接到220V 的电源上使用如果两个灯泡的额定电压相同，都是110V ，而额定功率一个是40W ，另一个是100W,问能否把这两个灯泡串联后接在200V 电源上使用,为什么 } 电路如题图所示.试问ab 支路是否有电压和电流 - 题图 题图中若(1)U=10V, I=2A, (2)U=10V,I=-2A 。试问哪个元件是吸收功率哪个元件是输出功率为什么 《 题图 1. 计算题图所示各电路的等效电阻. ： ] 1. 电路如题图所示,试求以下电路的电压U 和电流I 。 U U — U + － － (c) (a) ] (d)
】 在指定的电压u和电流i参考方向下,写出图所示各元件u和 i的约束方程. (a) (b) (c) $ ` (d) (e) 求题图所示电路中的U1和U2. … 题图 求题图中所示电路化成等值电流源电路。 ？ (a) (b) (c) 】 题图 1A 20Ω + 30V ! U － U 30V + － — u@ 20mH －| 10μF u？ － + U 5V + － i ` I2A U ' + － ' 4V 1A2V 1A ； 6V6V '
第一章 半导体基础知识 自测题 一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈1.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V 五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 μA 26V C C CC CE B C b BE BB B =-====-= R I U I I R U I β U O ＝U CE ＝2V 。 2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。 习题 1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 t t
1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 1.5 u o 的波形如图所示。 1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝ 2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。 1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 （2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。 1.9 （1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流为4mA ，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I ＝15V 时，由于上述同样的原因，U O ＝5V 。 当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝5V 。 （2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 （1）S 闭合。 （2）。，Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R t t