EDOWF-500KV无局部放电高压电容分压器（兼做耦合电容器）1、产品介绍
2、技术参数
节长1300mm 主体重23Kg
一个顶环
电容量：500-1000PF
局放量≤5PC
耦合指信号由第一级向第二级传递的过程，一般不加注明时往往是指交流耦合。 退耦是指对电源采取进一步的滤波措施，去除两级间信号通过电源互相干扰的 影响。耦合常数是指耦合电容值与第二级输入阻抗值乘积对应的时间常数。 退耦有三个目的：1.将电源中的高频纹波去除，将多级放大器的高频信号通过 电源相互串扰的通路切断；2.大信号工作时，电路对电源需求加大，引起电源 波动，通过退耦降低大信号时电源波动对输入级/高电压增益级的影响；3.形成 悬浮地或是悬浮电源，在复杂的系统中完成各部分地线或是电源的协调匹配。 1，耦合，有联系的意思。 2，耦合元件，尤其是指使输入输出产生联系的元件。 3，去耦合元件，指消除信号联系的元件。 4，去耦合电容简称去耦电容。 5，例如，晶体管放大器发射极有一个自给偏压电阻，它同时又使信号产生压降 反馈到输入端形成了输入输出信号耦合，这个电阻就是产生了耦合的元件，如 果在这个电阻两端并联一个电容，由于适当容量的电容器对交流信号较小的阻 抗（这需要计算）这样就减小了电阻产生的耦合效应，故称此电容为去耦电容。 有源器件在开关时产生的高频开关噪声将沿着电源线传播。去耦电容的主要功 能就是提供一个局部的直流电源给有源器件，以减少开关噪声在板上的传播和 将噪声引导到地。 摘引自伦德全《电路板级的电磁兼容设计》一文，该论文对噪声耦和路径、去 耦电容和旁路电容的使用都讲得不错。请参阅。 ~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~ 、管路敷设技术通过管线不仅可以解决吊顶层配置不规范高中资料试卷问题，而且可保障各类管路习题到位。在管路敷设过程中，要加强看护关于管路高中资料试卷连接管口处理高中资料试卷弯扁度固定盒位置保护层防腐跨接地线弯曲半径标等，要求技术交底。管线敷设技术中包含线槽、管架等多项方式，为解决高中语文电气课件中管壁薄、接口不严等问题，合理利用管线敷设技术。线缆敷设原则：在分线盒处，当不同电压回路交叉时，应采用金属隔板进行隔开处理；同一线槽内强电回路须同时切断习题电源，线缆敷设完毕，要进行检查和检测处理。、电气课件中调试对全部高中资料试卷电气设备，在安装过程中以及安装结束后进行 高中资料试卷调整试验；通电检查所有设备高中资料试卷相互作用与相互关系，根据生产工艺高中资料试卷要求，对电气设备进行空载与带负荷下高中资料试卷调控试验；对设备进行调整使其在正常工况下与过度工作下都可以正常工作；对于继电保护进行整核对定值，审核与校对图纸，编写复杂设备与装置高中资料试卷调试方案，编写重要设备高中资料试卷试验方案以及系统启动方案；对整套启动过程中高中资料试卷电气设备进行调试工作并且进行过关运行高中资料试卷技术指导。对于调试过程中高中资料试卷技术问题，作为调试人员，需要在事前掌握图纸资料、设备制造厂家出具高中资料试卷试验报告与相关技术资料，并且了解现场设备高中资料试卷布置情况与有关高中资料试卷电气系统接线等情况 ，然后根据规范与规程规定，制定设备调试高中资料试卷方案。 、电气设备调试高中资料试卷技术电力保护装置调试技术，电力保护高中资料试卷配置技术是指机组在进行继电保护高中资料试卷总体配置时，需要在最大限度内来确保机组高中资料试卷安全，并且尽可能地缩小故障高中资料试卷破坏范围，或者对某些异常高中资料试卷工况进行自动处理，尤其要避免错误高中资料试卷保护装置动作，并且拒绝动作，来避免不必要高中资料试卷突然停机。因此，电力高中资料试卷保护装置调试技术，要求电力保护装置做到准确灵活。对于差动保护装置高中资料试卷调试技术是指发电机一变压器组在发生内部故障时，需要进行外部电源高中资料试卷切除从而采用高中资料试卷主要保护装置。
耦合电容器全解 类别：电力设备 规格：OWF 介绍：一、关于型号定义的举例来说 OWF-35/√3-0.0035HT O-------------耦合电容器 W-------------烷基苯浸渍 F-------------纸膜复合介质 35√3-------额定工作电压（KV） 0.0035----------标称电容量（uf） H-----------------防污型 T------------------座阻型 Z-----------------接线板型 二、概述： OWF系列耦合电容器主要用于工频交流输电线路的高频载波通信、测量、控制、保护以及抽取电能等装置中。 结构性能 OWF系列耦合电容器由芯组、瓷套、膨胀器等部件组成。芯组由若干个聚丙烯薄膜、电容器纸、铝箔卷制而成的芯子串联组成；外壳由瓷套及钢板制成的大盖、板底、密封耐油胶圈组成。 频率50Hz，电容器在1.2倍额定电压同时附加30～5000KHz通讯波条件下长期运行，并且在用于星形点有效接地系统时，可以在1.5Un下连续运行30S；用于带有自动切除对地故障的星形点非有效接地系统时，可在1.9Un下连续运行30S；用于无自动切除对地故障的星形点非有效接地系统时，可在1.9Un 下连续运行8h。 工作环境 （1）电容器为户外装置，使用于周围环境温度-50oC～+50oC。 （2）安装运行地区海拔高度不超过1000m。（高原地区可特殊设计） （3）安装运行地区风速不超过150km/h，地震裂度不超过8度。 安装说明 悬挂使用≤35kv普通型电容器。用于悬挂使用时，应利用上盖吊环螺钉进行悬挂，上盖为高压端，底板为低压端。 座立使用≤35kv普通型电容器。用于座立使用时，底部应配接合格的OZ－35绝缘支架；上盖为高压端，电容器底板为低压端。支架下铁板的四角圆孔为安装固定螺杆用。 220kv各型号电容器，均为两节110kv电容器串联而成，带铸铁底座一节为下节。将上节底板与下节上盖用螺栓紧固成一体即可。底座四角圆孔为固定用螺孔。多台使用时，应按本厂编号配对使用，不得混淆，以免影响电容器的技术指标。
电容在各种常见电路中作用汇总 （1）电压源正负端接了一个电容(与电路并联)，用于整流电路时，具有很好的滤波作用，当电压交变时，由于电容的充电作用，两端的电压不能突变，就保证了电压的平稳。 当用于电池电源时，具有交流通路的作用，这样就等于把电池的交流信号短路，避免了由于电池电压下降，电池内阻变大，电路产生寄生震荡。 （2）比如说什么样的电路中串或者并个电容可以达到耦合的作用,不放电容和放电容有什么区别？ 在交流多级放大电路中,因个级增益及功率不同.各级的直流工作偏值就不同!若级间直接藕合则会使各级工作偏值通混无法正常工作!利用电容的通交隔直特性既解决了级间交流的藕合,又隔绝了级间偏值通混,一举两得! （3）基本放大电路中的两个耦合电容，电容+极和直流+极相接，起到通交隔直的作用，接反的话会怎么样，会不会也起到通交隔直的作用，为什么要那接呀！ 接反的话电解电容会漏电，改变了电路的直流工作点，使放大电路异常或不能工作 （4）阻容耦合放大电路中，电容的作用是什么？？ 隔离直流信号，使得相邻放大电路的静态工作点相互独立，互不影响。 （5）模拟电路放大器不用耦合电容行么，照样可以放大啊? 书上放大器在变压器副线圈和三极管之间加个耦合电容，解释是通交流阻直流，将前一级输出变成下一级输入，使前后级不影响，前一级是交流电，后一级也是交流电，怎么会相互影响啊，我实在想不通加个电容不是多此一举啊 你犯了个错误。前一级确实是交流电，但后一级是交流叠加直流。三极管是需要直流偏置的。如果没有电容隔直，则变压器的线圈会把三极管的直流偏置给旁路掉（因为电感是通直流的） （6）基本放大电路耦合电容，其中耦合电容可以用无极性的吗 在基本放大电路中，耦合电容要视频率而定，当频率较高时，需用无极电容，特点是比较稳定，耐压可以做得比较高，体积相对小，但容量做不大。其最大的用途是可以通过交流电，隔断直流电，广泛用于高频交流通路、旁路、谐振等电路。（简单理解为高频通路） 当频率较低时，无极电容因为容量较低，容抗相对增大，就要用有极性的电解电容了，由于其内部加有电解液，可以把容量做得很大，让低频交流电通过，隔断直流电。但由于内部两极中间是有机介质的，所以耐压受限，多用于低频交流通路、滤波、退耦、旁路等电路。（简单理解为低频通路） （7）请电路高手告知耦合电容起什么作用 在放大电路中,利用耦合电容通交隔直的作用,使高频交流信号可以顺利通过电路,被一级一级地放大,而直流量被阻断在每一级的内部. （8）请问用电池供电的电路中,电容为什么会充放电,起到延时的作用?
请注意在开关电源的设计中，输入电容和输出电容常常包括两类电容，分别起不同的作用。一类起减小输入输出纹波的作用，一般容值较大，容值的选取与纹波的要求以及电源的开关频率和设计有关。另一类电容是高频耦和电容，一般容值较小，要求尽可能靠近芯片。其容值的选取与要滤除的可能干扰信号的频率和幅度有关。 去耦电容在集成电路电源和地之间的有两个作用：一方面是本集成电路的蓄能电容，另一方面旁路掉该器件的高频噪声。数字电路中典型的去耦电容值是0.1μF。这个电容的分布电感的典型值是5μH。0.1μF的去耦电容有5μH 的分布电感，它的并行共振频率大约在7MHz左右，也就是说，对于10MHz以下的噪声有较好的去耦效果，对40MHz以上的噪声几乎不起作用。1μF、10μF的电容，并行共振频率在20MHz以上，去除高频噪声的效果要好一些。每10片左右集成电路要加一片充放电电容，或1个蓄能电容，可选10μF左右。最好不用电解电容，电解电容是两层薄膜卷起来的，这种卷起来的结构在高频时表现为电感。要使用钽电容或聚碳酸酯电容。去耦电容的选用并不严格，可按C=1/F，即10MHz取0 .1μF，100MHz取0.01μF。 去耦和旁路都可以看作滤波。正如ppxp所说，去耦电容相当于电池，避免由于电流的突变而使电压下降，相当于滤纹波。具体容值可以根据电流的大小、期望的纹波大小、作用时间的大小来计算。去耦电容一般都很大，对更高频率的噪声，基本无效。旁路电容就是针对高频来的，也就是利用了电容的频率阻抗特性。电容一般都可以看成一个RLC串联模型。在某个频率，会发生谐振，此时电容的阻抗就等于其ESR。如果看电容的频率阻抗曲线图，就会发现一般都是一个V形的曲线。具体曲线与电容的介质有关，所以选择旁路电容还要考虑电容的介质，一个比较保险的方法就是多并几个电容。 从电路来说，总是存在驱动的源和被驱动的负载。如果负载电容比较大，驱动电路要把电容充电、放电，才能完成信号的跳变，在上升沿比较陡峭的时候，电流比较大，这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流，由于电路中的电感，电阻（特别是芯片管脚上的电感，会产生反弹），这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声，会影响前级的正常工作。这就是耦合。 去藕电容就是起到一个电池的作用，满足驱动电路电流的变化，避免相互间的耦合干扰。 旁路电容实际也是去藕合的，只是旁路电容一般是指高频旁路，也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径。高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般是0.1u，0.01u等，而去耦合电容" style="color: blue; text-decoration: underline" href="https://www.doczj.com/doc/f6351138.html,/word/112155.aspx">耦合电容一般比较大，是10u或者更大，依据电路中分布参数，以及驱动电流的变化大小来确定。
（一）电容： 1.一般是过滤作用，比如比如电解电容可以过滤低频，陶瓷电容可过滤高频。,原理就是电容的通交隔直特性，电容对交流信号通路，信号频率越高，阻抗越小，电容容量越大，阻抗越小，而对直流信号断路。比如直流电源正负极接一个电容，对交流信号来说相当于短路，于是波动信号就会通过这个电容而消耗掉，于是电压就更稳定，同理，如果在数字地接一电容，那么波动信号就会通过它与地短接，流入地端，而不流入下一级电路。 2.由于正常情况下，并联补偿电容是带电的，并用来补偿线路中的无功功率，提高功率因数，减少电的浪费。当设备或者线路需要维修时，虽然电线或者设备已经断电了，但是这时候的补偿电容由于是两端还有一定的电压，如果这时候人一旦碰到电容或者和电容相连的线路时，人就会有触电危险。但是如果我们在断电后，利用接地线把存储在补偿电容两端的电经过地线直接引入大地，这样使得电容不带电，从而保证维修人员的安全。 3.电容会充电放电的，接地也可以是放电过程，使电容器保持在一端了零电位。从而使电容容量达到最优。 4.耦合电容，又称电场耦合或静电耦合。耦合电容器是使得强电和弱电两个系统通过电容器耦合并隔离，提供高频信号通路，阻止工频电流进入弱电系统，保证人身安全。 电容耦合的作用是将交流信号从前一级传到下一级。耦合的方法还有直接耦合和变压器耦合的方法。直接耦合效率最高，信号又不失真，但是，前后两级工作点的调整比较复杂，相互牵连。为了使后一级的工作点不受前一级的影响，就需要在直流方面把前一级和后一级分开，同时，又能使交流信号从前一级顺利的传递到后一级，同时能完成这一任务的方法就是采用电容传输或者变压器传输来实现。他们都能传递交流信号和隔断直流，使前后级的工作点互不牵连。但不同的是，用电容传输时，信号的相位要延迟一些，用变压器传输时，信号的高频成分要损失一些。一般情况下，小信号传输时，常用电容作为耦合元件，大信号或者强信号传输时，常用变压器作为耦合元件。 5.电容能抑制器件两端电压变化率，起缓冲作用。同理电感抑制器件两端电流变化率，如整流电路中电感使导通角增大，续流二极管使输出电压平均值增大。 （二）电阻： 上拉电阻、下拉电阻的作用 所谓上，就是指高电平；所谓下，是指低电平。上拉，就是通过一个电阻将信号接电源，一般用于时钟信号数据信号等。下拉，就是通过一个电阻将信号接地，一般用于保护信号。这是根据电路需要设计的，主要目的是为了防止干扰，增加电路的稳定性。一般就是刚上电的时候，端口电压不稳定，为了让他稳定为高或低，就会用到上拉或下拉电阻。有些芯片内部集成了上拉电阻，所以外部就不用上拉电阻了。但是有一些开漏的，外部必须加上拉电阻。假如没有上拉，时钟和数据信号容易出错，毕竟，CPU的功率有限，带很多BUS线的时候，提供高电平信号有些吃力。而一旦这些信号被负载或者干扰拉下到某个电压下，CPU无法正确地接收信息和发出指令，只能不断地复位重启。 假如没有下拉，保护电路极易受到外界干扰，使CPU误以为被保护对象出问题而采取保护动作，导致误保护。 1.TTL驱动CMOS时,如果TTL输出最低高电平低于CMOS最低高电平时,提高输出高电平 2 .OC门必须加上拉,提高电平值
耦合电容器主要的作用是隔离直流信号。电容的阻抗和信号的频率成反比，信号的频率越高，衰减越小。理论上，对于直流信号的阻抗是无穷大。很多场合需要放大的是交流信号，所以，会用耦合电容去掉信号中的直流部分。 滤波电容用在电源整流电路中，用来滤除交流成分。使输出的直流更平滑。 去耦电容用在放大电路中不需要交流的地方，用来消除自激，使放大器稳定工作。 旁路电容用在有电阻连接时，接在电阻两端使交流信号顺利通过。 1.关于去耦电容蓄能作用的理解 1）去耦电容主要是去除高频如RF信号的干扰，干扰的进入方式是通过电磁辐射。 而实际上，芯片附近的电容还有蓄能的作用，这是第二位的。你可以把总电源看作密云水库，我们大楼内的家家户户都需要供水， 这时候，水不是直接来自于水库，那样距离太远了，等水过来，我们已经渴的不行了。 实际水是来自于大楼顶上的水塔,水塔其实是一个buffer的作用。如果微观来看，高频器件在工作的时候，其电流是不连续的，而且频率很高，而器件VCC到总电源有一段距离，即便距离不长，在频率很高的情况下， 阻抗Z＝i*wL+R，线路的电感影响也会非常大，会导致器件在需要电流的时候，不能被及时供给。 而去耦电容可以弥补此不足。这也是为什么很多电路板在高频器件VCC管脚处放置小电容的原因之一 （在vcc引脚上通常并联一个去藕电容，这样交流分量就从这个电容接地。） 2）有源器件在开关时产生的高频开关噪声将沿着电源线传播。去耦电容的主要功能就是提供一个局部的直流电源给有源器件，以减少开关噪声在板上的传播和将噪声引导到地 2.旁路电容和去耦电容的区别 去耦：去除在器件切换时从高频器件进入到配电网络中的RF能量 。去耦电容还可以为器件提供局部化的DC电压源，它在减少跨板浪涌电流方面特别有用。旁路：从元件或电缆中转移出不想要的共模RF能量。这主要是通过产生AC旁路消除无意的能量进入敏感的部分，另外还可以提供基带滤波功能（带宽受限）。 我们经常可以看到，在电源和地之间连接着去耦电容，它有三个方面的作用： 一是作为本集成电路的蓄能电容； 二是滤除该器件产生的高频噪声，切断其通过供电回路进行传播的通路； 三是防止电源携带的噪声对电路构成干扰。 在电子电路中，去耦电容和旁路电容都是起到抗干扰的作用，电容所处的位置不同，称呼就不一样了。对于同一个电路来说，旁路（bypass）电容是把输入信号中的高频噪声作为滤除对象，把前级携带的高频杂波滤除，而去耦（decoupling）电容也称退耦电容，是把输出信号的干扰作为滤除对象。 去耦 在直流电源回路中，负载的变化会引起电源噪声。例如在数字电路中，当电路从一个状态转换为另一种状态时，就会在电源线上产生一个很大的尖峰电流，形成瞬变的噪声电压。
RC及RCD电路举例分析 耦合电路 1．直接耦合 直接耦合：将前一级的输出端直接连接到后一级的输入端。 直接耦合方式的缺点：采用直接耦合方式使各级之间的直流通路相连，因而静态工作点相互影响。有零点漂移现象。 直接耦合方式的优点：具有良好的低频特性，可以放大变化缓慢的信号；由于电路中没有大容量电容，易于将全部电路集成在一片硅片上，构成集成电路。2．阻容耦合 阻容耦合：将放大电路的前级输出端通过电容接到后级输入端。 直流分析：由于电容对直流量的电抗为无穷大，因而阻容耦合放大电路各级之间的直流通路不相通，各级的静态工作点相互独立。 交流分析：只要输入信号频率较高，耦合电容容量较大，前级的输出信号可几乎没有衰减地传递到后级的输入端。因此，在分立元件电路中阻容耦合方式得到非常广泛的应用。 阻容耦合电路的缺点：首先，不适合传送缓慢变化的信号，当缓慢变化的信号通过电容时，将严重被衰减，由于电容有“隔直”作用，因此直流成分的变化不能通过电容。更重要的是，由于集成电路工艺很难制造大容量的电容，因此，阻容耦合方式在集成放大电路中无法采用。 3．变压器耦合 变压器耦合：将放大电路前级的输出端通过变压器接到后级的输入端或负载电阻上。 电路缺点：它的低频特性差，不能放大变化缓慢的信号，且非常笨重，不能集成化。 电路优点：可以实现阻抗变换，因而在分立元件功率放大电路中得到广泛应用。变压器耦合电路的前后级靠磁路耦合，它的各级放大电路的静态工作点相互独立。 4．光电耦合 光电耦合器：是实现光电耦合的基本器件，它将发光元件（发光二极管）与
光敏元件（光电三极管）相互绝缘地组合在一起。 工作原理：发光元件为输入回路，它将电能转换成光能；光敏元件为输出回路，它将光能再转换成电能，实现了两部分电路的电气隔离，从而可有效地抑制电干扰。 RC电路 1．RC微分电路 如图所示，电阻R和电容C串联后接入输入信号VI，由电阻R输出信号VO，当RC数值与输入方波宽度t W之间满足：τ(RC)《《t W，这种电路就称为微分电路。在R两端(输出端)得到正、负相间的尖脉冲，而且发生在方波的上升沿和下降沿。
关于旁路电容和耦合电容精讲从电路来说,总是存在驱动的源和被驱动的负载.如果负载电容比较大,驱动电路要把电容充电、放电,才能完成信号的跳变,在上升沿比较陡峭的时候,电流比较大,这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流,由于电路中的电感,电阻(特别是芯片管脚上的电感,会产生反弹),这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声,会影响前级的正常工作.这就是耦合. 去藕电容就是起到一个电池的作用,满足驱动电路电流的变化,避免相互间的耦合干扰. 旁路电容实际也是去藕合的,只是旁路电容一般是指高频旁路,也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径.高频旁路电容一般比较小,根据谐振频率一般是0.1u,0.01u等,而去耦合电容一般比较大,是10u或者更大,依据电路中分布参数,以及驱动电流的变化大小来确定. 旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象,而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象,防止干扰信号返回电源.这应该是他们的本质区别. 去耦电容在集成电路电源和地之间的有两个作用:一方面是本集成电路的蓄能电容,另一方面旁路掉该器件的高频噪声.数字电路中典型的去耦电容值是0.1μF.这个电容的分布电感的典型值是5μH.0.1μF的去耦电容有5μH的分布电感,它的并行共振频率大约在7MHz左右,也就是说,对于10MHz以下的噪声有较好的去耦效果,对40MHz以上的噪声几乎不起作用.1μF、10μF的电容,并行共振频率在20MHz以上,去除高频噪声的效果要好一些.每10片左右集成电路要加一片充放电电容,或1个蓄能电容,可选10μF左右.最好不用电解电容,电解电容是两层薄膜卷起来的,这种卷起来的结构在高频时表现为电感.要使用钽电容或聚碳酸酯电容.去耦电容的选用并不严格,可按C=1/F,即10MHz取0.1μF,100MHz 取0.01μF. 分布电容是指由非形态电容形成的一种分布参数.一般是指在印制板或其他形态的电路形式,在线与线之间、印制板的上下层之间形成的电容.这种电容的容量很小,但可能对电路形成一定的影响.在对印制板进行设计时一定要充分考虑这种影响,尤其是在工作频率很高的时候.也成为寄生电容,制造时一定会产生,只是大小的问题.布高速PCB时,过孔可以减少板层电容,但会增加电感. 分布电感是指在频率提高时,因导体自感而造成的阻抗增加.
电容在电路中各种作用 A、电压源正负端接了一个电容(与电路并联)，用于整流电路时，具有很好的滤波作用，当电压交变时，由于电容的充电作用，两端的电压不能突变，就保证了电压的平稳。 当用于电池电源时，具有交流通路的作用，这样就等于把电池的交流信号短路，避免了由于电池电压下降，电池内阻变大，电路产生寄生震荡。 B、比如说什么样的电路中串或者并个电容可以达到耦合的作用,不放电容和放电容有什么区别？ 在交流多级放大电路中,因个级增益及功率不同.各级的直流工作偏 值就不同!若级间直接藕合则会使各级工作偏值通混无法正常工作! 利用电容的通交隔直特性既解决了级间交流的藕合,又隔绝了级间偏值通混,一举两得! C、基本放大电路中的两个耦合电容，电容+极和直流+极相接，起到通交隔直的作用，接反的话会怎么样，会不会也起到通交隔直的作用，为什么要那接呀！ 接反的话电解电容会漏电，改变了电路的直流工作点，使放大电路异常或不能工作 D、阻容耦合放大电路中，电容的作用是什么？？ 隔离直流信号，使得相邻放大电路的静态工作点相互独立，互不影响。
E、模拟电路放大器不用耦合电容行么，照样可以放大啊? 书上放大器在变压器副线圈和三极管之间加个耦合电容，解释是通交流阻直流，将前一级输出变成下一级输入，使前后级不影响，前一级是交流电，后一级也是交流电，怎么会相互影响啊，我实在想不通加个电容不是多此一举啊 你犯了个错误。前一级确实是交流电，但后一级是交流叠加直流。三极管是需要直流偏置的。如果没有电容隔直，则变压器的线圈会把三极管的直流偏置给旁路掉（因为电感是通直流的） F、基本放大电路耦合电容，其中耦合电容可以用无极性的吗 在基本放大电路中，耦合电容要视频率而定，当频率较高时，需用无极电容，特点是比较稳定，耐压可以做得比较高，体积相对小，但容量做不大。其最大的用途是可以通过交流电，隔断直流电，广泛用于高频交流通路、旁路、谐振等电路。（简单理解为高频通路） 当频率较低时，无极电容因为容量较低，容抗相对增大，就要用有极性的电解电容了，由于其内部加有电解液，可以把容量做得很大，让低频交流电通过，隔断直流电。但由于内部两极中间是有机介质的，所以耐压受限，多用于低频交流通路、滤波、退耦、旁路等电路。（简单理解为低频通路） G、请电路高手告知耦合电容起什么作用 在放大电路中,利用耦合电容通交隔直的作用,使高频交流信号可以顺利通过电路,被一级一级地放大,而直流量被阻断在每一级的内部.
电容耦合的作用是将交流信号从前一级传到下一级。当然，耦合的方法还有直接耦合和变压器耦合的方法。直接耦合效率最高，信号又不失真，但是，前后两级的工作点的调整复杂，相互牵连。为了不使后一级的工作点不受前一级的影响，就必须在直流方面把前一级和后一级分开。同时，又能使交流信号顺利的从前一级传给后一级，同时能完成这一任务的方法就是采用电容传输或变压器传输来实现。它们都能传递交流信号和隔断直流，使前后级的工作点互不牵连。但不同的是，用电容传输时，信号的相位要延迟一些，用变压器传输时，信号的高频成份要损失一些。一般情况下，小信号传输时，常用电容作为耦合元件，大信号或强信号的传输，常用变压器作耦合元件。 滤波电容、去耦电容、旁路电容作用 滤波电容用在电源整流电路中，用来滤除交流成分。使输出的直流更平滑。 去耦电容用在放大电路中不需要交流的地方，用来消除自激，使放大器稳定工作。 旁路电容用在有电阻连接时，接在电阻两端使交流信号顺利通过。 1.关于去耦电容蓄能作用的理解 1）去耦电容主要是去除高频如RF信号的干扰，干扰的进入方式是通过电磁辐射。 而实际上，芯片附近的电容还有蓄能的作用，这是第二位的。 你可以把总电源看作密云水库，我们大楼内的家家户户都需要供水， 这时候，水不是直接来自于水库，那样距离太远了， 等水过来，我们已经渴的不行了。 实际水是来自于大楼顶上的水塔,水塔其实是一个buffer的作用。 如果微观来看，高频器件在工作的时候，其电流是不连续的，而且频率很高， 而器件VCC到总电源有一段距离，即便距离不长，在频率很高的情况下， 阻抗Z＝i*wL+R，线路的电感影响也会非常大， 会导致器件在需要电流的时候，不能被及时供给。 而去耦电容可以弥补此不足。 这也是为什么很多电路板在高频器件VCC管脚处放置小电容的原因之一 （在vcc引脚上通常并联一个去藕电容，这样交流分量就从这个电容接地。） 2）有源器件在开关时产生的高频开关噪声将沿着电源线传播。去耦电容的主要功能就是提供一个局部的直流电源给有源器件，以减少开关噪声在板上的传播和将噪声引导到地
上拉电阻下拉电阻,耦合电容和退耦电容的总结 上拉电阻： 1、当TTL电路驱动COMS电路时，如果TTL电路输出的高电平低于COMS电路的最低高电平（一般为3.5V），这时就需要在TTL的输出端接上拉电阻，以提高输出高电平的值。 2、OC门电路必须加上拉电阻，才能使用。 3、为加大输出引脚的驱动能力，有的单片机管脚上也常使用上拉电阻。 4、在COMS芯片上，为了防止静电造成损坏，不用的管脚不能悬空，一般接上拉电阻产生降低输入阻抗，提供泄荷通路。 5、芯片的管脚加上拉电阻来提高输出电平，从而提高芯片输入信号的噪声容限增强抗干扰能力。 6、提高总线的抗电磁干扰能力。管脚悬空就比较容易接受外界的电磁干扰。 7、长线传输中电阻不匹配容易引起反射波干扰，加上下拉电阻是电阻匹配，有效的抑制反射波干扰。 上拉电阻阻值的选择原则包括: 1、从节约功耗及芯片的灌电流能力考虑应当足够大；电阻大，电流小。 2、从确保足够的驱动电流考虑应当足够小；电阻小，电流大。 3、对于高速电路，过大的上拉电阻可能边沿变平缓。综合考虑 以上三点,通常在1k到10k之间选取。对下拉电阻也有类似道理 对上拉电阻和下拉电阻的选择应结合开关管特性和下级电路的输入特性进行设定，主要需要考虑以下几个因素： 1．驱动能力与功耗的平衡。以上拉电阻为例，一般地说，上拉电阻越小，驱动能力越强，但功耗越大，设计是应注意两者之间的均衡。 2．下级电路的驱动需求。同样以上拉电阻为例，当输出高电平时，开关管断开，上拉电阻应适当选择以能够向下级电路提供足够的电流。 3．高低电平的设定。不同电路的高低电平的门槛电平会有不同，电阻应适当设定以确保能输出正确的电平。以上拉电阻为例，当输出低电平时，开关管导通，上拉电阻和开关管导通电阻分压值应确保在零电平门槛之下。 4．频率特性。以上拉电阻为例，上拉电阻和开关管漏源级之间的电容和下级电路之间的输入电容会形成RC延迟，电阻越大，延迟越大。上拉电阻的设定应考虑电路在这方面的需求。下拉电阻的设定的原则和上拉电阻是一样的。 OC门输出高电平时是一个高阻态，其上拉电流要由上拉电阻来提供，设输入端每端口不大于100uA,设输出口驱动电流约500uA，标准工作电压是5V，输入口的高低电平门限为0.8V(低于此值为低电平)；2V(高电平门限值)。 选上拉电阻时： 500uA x 8.4K= 4.2即选大于8.4K时输出端能下拉至0.8V以下，此为最小阻值，再小就拉不下来了。如果输出口驱动电流较大，则阻值可减小，保证下拉时能低于0.8V即可。 当输出高电平时，忽略管子的漏电流，两输入口需200uA 200uA x15K=3V即上拉电阻压降为3V，输出口可达到2V，此阻值为最大阻值，再大就拉不到2V了。选10K可用。COMS门的可参考74HC系列 设计时管子的漏电流不可忽略，IO口实际电流在不同电平下也是不同的，上述仅仅是原理，一句话概括为：输出高电平时要喂饱后面的输入口，输出低电平不要把输出口喂撑了（否则多余的电流喂给了级联的输入口，高于低电平门限值就不可靠了）
耦合电容的选择 笔者在制作电路时，使用耦合电容发现很多问题，下面跟大家分享我的经验，由于实际电路拍照比较困难，所以这里只能贴仿真图了，不过它跟实际差不多（在真实硬件上测过）。电路中常常要用到耦合电容，那么耦合电容应该选多大呢？？ 耦合电容的选择必须电路中的输入信号电压大小、频率及负载电阻来选择，比如电压为5V 那么电容耐压就不能小于5V了，不过本文的重点是讨论容量大小的选择。 那么耦合电容的容量大小应如何选择呢？？？ 本质：耦合电容与下一级的输入电阻构成了RC高通滤波器，为了保成输入信号下限频率能通过这一“RC高通滤波器”，RC高通滤波器的下限频率不能高于输入信号的频率。 相当于选择适当的电容来设计一个高通滤波器，以保证输入信号通不衰减通过，所以电容C可用公式计算出来，下面会给出公式。 我们来看下面一个实验，电路图如下所示，输入信号为频率为1Hz，大小为10mv. 可见此输入信号有两个特点，频率很低，幅度又很小。 按照常识，电容容量越大，信号的频率就可以越低，现在的输入信号频率为1Hz，那么耦合电容的容量越大越好吗？？？请看下面的实验。 实验结果： 1.输入信号频率为1Hz，幅度10mV，负载电阻300K，耦合电容先0.4uF 测得输入输出波形如下图所示，黄色为输入，绿色为输出。 可见输入信号经过耦合电容后，幅度被严重衰减，由此可知耦合电容选择过小。 耦合电容选择0.1uF-0.5uF期间，输入信号衰减比较严重。 结论：如果电路要求信号耦合之后不能衰减，那么耦合电容就不能小于0.5uF
2.输入信号频率为1Hz，幅度10mV，负载电阻300K，耦合电容大于等于0.5uF 输出波形如下图所示，可见只要电容大于0.5uF，信号耦合之后就不会有幅度衰减。 那么是不是选择越大越好呢？？？请看实验3 3.输入信号频率为1Hz，幅度10mV，负载电阻300K，耦合电容为100uF 幅度不出现衰减，但电路反应变得非常缓慢，输入信号后等待10多秒才有输出信号。 刚输入信号的前段时间，电路竟然不工作了，这是为什么呢？？？ 主要是因为电容太大充电时间过长，至使输出信号出现延迟，特别是输入信号幅度很小的时个就要特别注意这个问题，否则电路会变得非常缓慢。 总结： 把耦合电容加到电路中之后，耦合电容与负载电阻构成了RC高通滤波器，所以我们可根据公式来计算出耦合电容的大小即： f=1/2πRC 式中π=3.14
类别：电力设备 规格：OWF 介绍：三、型号定义举例 OWF-35/√3-0.0035HT O-------------耦合电容器 W ------------烷基苯浸渍 F ------------纸膜复合介质 35/√3 -----额定工作电压（KV） 0.0035-------标称电容量（uf） H-------------防污型 T--------------座阻型 Z--------------接线板型 一、概述 （1）用途 OWF系列耦合电容器用于高压输电线路载波通讯系统中的耦合设备，也用于电力系统测量控制、高频保护及抽取电能装置上作部件。 （2）结构组成和性能简介 OWF系列耦合电容器由芯组、瓷套、膨胀器等部件组成。芯组由若干个聚丙烯薄膜、电容器纸、铝箔卷制而成的芯子串联组成；外壳由瓷套及钢板制成的大盖、底板、密封耐油胶圈组成。 OWF系列耦合电容器在1.2倍额定电压（频率50Hz）同时附加30~500KHz载波条件下长期运行；并且在用于星形点有效接地系统时，可以在1.5Un下连续运行30S； 在用于带有自动切除对地故障的星形点非有效接地系统时，可以在1.9Un下连续运行30S；在用于带无自动切除对地故障的星形点非有效接地系统时，可以在1.9Un
下连续运行8H。 二、执行标准 （1）GB/T4705-92《耦合电容器及电容分压器》标准。 （2）IEC-385-90《耦合电容器及电容分压器》标准。 （3）GB4703-84《电容式电压互感器》标准。 四、工作条件 A．环境条件温度 最高气温：＋50℃最低气温：－40℃最高日平均气温：＋30℃最高年平均气温：＋20℃ B．海拔高度：≤1500米 C．相对湿度：≤90％ D．使用条件：户外式 E．风速：小于35m/s F．地震烈度：不超过8度 G．覆冰：重冰区，覆冰厚度10mm H．污秽等级为Ⅲ级 五、技术参数 （1）技术参数表 表1：OWF系列耦合电容器技术参数表1 序号型号规格额定电压（KV）标称电容量（uf）结构 特征 1 OWF-10-0.0045~0.01 10 0.0045~0.01 普通型 2 OWF-35/√3-0.0035 35/√ 3 0.0035 3 OWF-35/√3-0.005 35/√3 0.005 4 OWF-110/√3-0.0066 110/√3 0.0066
耦合电容的选取 耦合与隔直电容串联在电路中，耦合电容选择适当能将保证射频能量得到最大限度的传输。 一个实际电容能否满足电路耦合要求，取决于随频率变化的电容相关参数：串联谐振频率FSR 、并联谐振频率FPR 、纯阻抗、等效串联电阻ESR 、插入损耗IL 和品质因数Q 。 上图50Ω线路中的两个射频放大器由耦合电容Co 连接，Rs 为ESR ，Ls 为ESL ，Cp 为寄生并联电容，与并联谐振频率FPR 有关。 阻抗幅值：2C L 2)X -(X ESR Z +=，很大一部分取决于其纯电抗)X -(X L C ，设计者需要知道电容在整个频带上的阻抗幅值。 串联谐振频率：LsCo 21FSR π=，即自谐振频率，与本征容值Co 有关；此频率时，耦合电容阻抗的实部为ESR ，虚部为零。 ATC 耦合电容有关参数如下： 其中，瓷介质电容ATC100A101（100pF ）的FSR=1GHz ，ESR=0.072Ω，其Z-F 曲线如下图所示：
频率低于FSR 时，电容纯阻抗表现为容性，阻抗幅值为C 1ω，为双曲线； 频率高于FSR 时，电容纯阻抗表现为感性，阻抗幅值为L ω，为直线； 测量电容的S21可发现： 在FSR 时，电容提供最低阻抗通道； 在FPR 时，电容阻抗猛然升高，引起极大损耗。 在耦合线路中，工作频率比FSR 稍高。只要此时电容的纯阻抗（感性）不高，就不影响电路性能。 并联谐振频率FPR ，决定电容的带内插损。在电容的FPR 处有明显衰减槽口，若FPR 落在工作频带内，则要考察衰减槽口深度，线路能否承受该损耗。通常十分之几dB 的插损是可接受的。 ATC100A101（100pF 片式电容，水平安装，电容极板平行于线路板）插损与频率关系如下图： 由上图可知，在200MHz~1.5GHz 之间，电容插损＜0.1dB ；若将电容垂直安装，即电容极板垂直于线路板，就能压制1.6GHz 处的并联谐振窗口，电容的可用范围扩展到2.4GHz 左右。所以改变安装取向可扩展电容的适用频率范围，用于宽带耦合电路。 等效串联电阻ESR 和品质因数Q ： ESR 是电容内所有串联损耗的总和，由介质损耗SD R 和金属损耗SM R 组成，一般为mΩ级。SM SD R R ESR += 介质损耗SD R ，由介质材料特性决定，每种介质材料都有自己的损耗系数，通常称损耗正切或耗散系数（DF ）。损耗造成介质发热，极端情况下使元件失效。耗散系数（DF ）是介质损耗很好的指示，通常在低频（1MHz ）时测得，因为该损耗在低频时起主导作用。 金属损耗SM R ，由电容中所用金属材料的导电性决定，包括电极板、终端和阻挡层等，SM R 造成电容发热，极端情况下使元件失效。高频时，这些损耗包括“趋肤效应”，损耗程度和频率关系为f 。
辣么纠结，你的AC耦合电容放驱动端好还是接收端好呢？ 经常有设计工程师纠结着，串行链路中的外接AC耦合电容放驱动端还是接收端好？接2个会有什么影响啊？ 我们首先从ac耦合电容的作用切入。一般使用AC耦合电容是为了提供直流偏压。直流偏压就是滤除信号的直流分量，使信号关于0轴对称。 从这个作用看，其实理想电容应该可以放在通道的任何一个地方。做过仿真的工程师也发现仿真结果确实如此。 可是实际电路中的电容并非理想的，有寄生电感的存在，而且焊盘和换层过孔都是阻抗不连续点。那么非理想电容带到仿真里，电容的位置也没有影响吗？我们用2.5G信号来仿真，全通道长度5500mil，ac耦合电容分别距离驱动端和接收端500mil。 上图是电容靠近接收端，下图是靠近发送端，显然电容靠近接收端眼图质量更好。为什么呢？个人认为可以将非理想电容看成一个阻抗不连续点，如果靠近接收端放，相同的反射系数下，信号经过通道衰减之后再反射会比一开始就反射的能量小。所以大多数的串行链路都要求靠接收端放。
有人又问了，可是为什么PCIE是要求放发送端啊？其实仔细看PCIE规范是说如果是两块板连接时，要发在发送的那块板上。如果发送接收在同一块板上，那么就随意吧。 AC耦合电容还有另外一个作用，就是提供过电压保护。所以更多的要求是靠近连接器放置，USB, SATA都是这么要求的。 如果通道中接2个AC耦合电容又会怎样呢？ 上图是一个电容，而下图接了两个。明显眼图margin变小了，这也是由于多了一个阻抗不连续点，引起了不必要的反射。 最后，总结一下ac耦合电容摆放注意事项： 1，按照design guideline要求放置 2，没有guideline，如果是IC到IC，请靠近接收端放置 3，如果是IC到连接器，请靠近连接器放置 4，尽可能选择小的封装尺寸，减小阻抗不连续 无法任性的AC耦合电容，选值要考量这么多因素…… 刚刚纠结完AC耦合电容的摆放位置，接着我们又遇到了选值的问题！显然，在选值问题上，AC耦合电容无论如何是任性不起来的。 我们知道，在串行信号中串个AC耦合电容，这个电容可以提供直流偏压和过电流保护，但也会给链路带了另一个问题PDJ(pattern-dependent jitter)。顾名思义，这和码型有关。我们的链路可以等效成高通RC电路，当出现连续的“1”或“0”时，会出现下图的直流压降，这不仅会影响眼高，还会造成PDJ。
音频耦合电容对音质影响的定量分析 丁丁硬件视点 2009-04-23 11:11:41 作者:SystemMaster 来源: 文字大 小:[大][中][小] 为这次测试，收集了如下电容样本，标称容量都是0.1uF的。 图中1号是个陶瓷介质电容；2-6号是各种类型的薄膜电容，其中6号是西门子的，其余是杂牌，有国内也有国外的；7号是陶瓷密封油浸薄膜电容，耐压最高，是1000V。 有人会问，这么小容量的电容几乎不用到音频耦合回路里面呢！呵呵，这个问题当然是和后级电路的输入阻抗有关联。当后级输入阻抗大于47k欧时，0.1uF电容耦合对低频损失是可以接受的。测试电路很简单，如下图。
大家知道，很多音频的指标对音质有直接影响。不如说信噪比、动态、输出功率、谐波失真。。。等等，大家尽量发挥自己的想象力，这么简单的一个电路里面，电容究竟会对那个重要的指标有影响而改变音质呢？ 当然，最容易影响的是频响。但是前面提到了，只要RC时间常数足够大，低频下降就可以忽略，所以这里不予以考察。这次重点放在THD即全谐波失真指标的测量和分析。 下面这个图标是R=2K时，7个电容对应的THD+噪声和信号频率的关系。 图中线是耦合电容短路（即信号直通）时的失真曲线，也是这个测量系统在这个条件下的测量极限。 实际上，看到这张曲线图是，我心里是吓了一跳的。特别是1#样本，在500Hz以下频率，失真居然会达到0.2%以上！这个量级对训练有素的耳朵来说是能够听出来的了。 眼尖的同学或者会看出来，由于电阻取的是2K，而电容只有区区0.1uF，所以这个电路是个
一阶高通滤波器。当频率很低时输出会衰减很多，而我们测的是（THD+噪声）/（信号＋噪声），即这是信号变小了，比值自然会增大。也就是说，这个结果未必是真的谐波引起的。所以，我们有必要还是定量的看一下到底高通曲线是啥样子。如下图。 哈哈，500Hz对于平顶部分只下降了4dB。所以上面的担忧可以排除了。看来真的是有谐波失真发生哦，真郁闷！ 不到黄河心不死！我要看谐波成分是啥样子。对了，做快速傅立叶分析。 做了1号和7号两个样本分别在1kHz和400Hz输入时的谐波成分分析，如下图。 1kHz输入时
电路设计中耦合电容的作用是什么以及滤波、旁路电容的作用 电容耦合的作用是将交流信号从前一级传到下一级。当然，耦合的方法还有直接耦合和变压器耦合的方法。直接耦合效率最高，信号又不失真，但是，前后两级的工作点的调整复杂，相互牵连。为了不使后一级的工作点不受前一级的影响，就必须在直流方面把前一级和后一级分开。同时，又能使交流信号顺利的从前一级传给后一级，同时能完成这一任务的方法就是采用电容传输或变压器传输来实现。它们都能传递交流信号和隔断直流，使前后级的工作点互不牵连。但不同的是，用电容传输时，信号的相位要延迟一些，用变压器传输时，信号的高频成份要损失一些。一般情况下，小信号传输时，常用电容作为耦合元件，大信号或强信号的传输，常用变压器作耦合元件。 滤波电容、去耦电容、旁路电容作用 滤波电容用在电源整流电路中，用来滤除交流成分。使输出的直流更平滑。 去耦电容用在放大电路中不需要交流的地方，用来消除自激，使放大器稳定工作。旁路电容用在有电阻连接时，接在电阻两端使交流信号顺利通过。 1.关于去耦电容蓄能作用的理解 1）去耦电容主要是去除高频如RF信号的干扰，干扰的进入方式是通过电磁辐射。 而实际上，芯片附近的电容还有蓄能的作用，这是第二位的。 你可以把总电源看作密云水库，我们大楼内的家家户户都需要供水， 这时候，水不是直接来自于水库，那样距离太远了， 等水过来，我们已经渴的不行了。 实际水是来自于大楼顶上的水塔,水塔其实是一个buffer的作用。 如果微观来看，高频器件在工作的时候，其电流是不连续的，而且频率很高， 而器件VCC到总电源有一段距离，即便距离不长，在频率很高的情况下， 阻抗Z＝i*wL+R，线路的电感影响也会非常大， 会导致器件在需要电流的时候，不能被及时供给。 而去耦电容可以弥补此不足。 这也是为什么很多电路板在高频器件VCC管脚处放置小电容的原因之一 （在vcc引脚上通常并联一个去藕电容，这样交流分量就从这个电容接