第六章常用电子元器件参考资料第一节部分电气图形符号
一．电阻器、电容器、电感器和变压器
二．半导体管
三．其它电气图形符号
第二节常用电子元器件型号命名法及主要技术参数
一．电阻器和电位器
1．电阻器和电位器的型号命名方法
表1电阻器型号命名方法
第一部分：主称第二部分：材料第三部分：特征分类
意义
符号意义符号意义符号电阻器电位器第四部分：序号
R 电阻器T 碳膜1普通普通W 电位器H 合成膜2普通普通
S 有机实芯3超高频――N 无机实芯4高阻――J 金属膜5高温――Y 氧化膜6――――C 沉积膜7精密精密I 玻璃釉膜8高压特殊函数P 硼碳膜9特殊特殊U 硅碳膜G 高功率――X 线绕T 可调――M 压敏W ――微调G 光敏D ――多圈R 热敏B 温度补偿用――
C 温度测量用――P 旁热式――W 稳压式――Z 正温度系数――
对主称、材料相同，仅性能指标、尺寸大小有差别，但基本不影响互换使用的产品，给予同一序号；若性能指标、尺寸大小明显影响互换时，则在序号后面用大写字母作为区别代号。
示例：
(1)精密金属膜电阻器
R J 73
第四部分：序号
第三部分：类别（精密）第二部分：材料（金属膜）第一部分：主称（电阻器）
(2)多圈线绕电位器
W X D 3
第四部分：序号
第三部分：类别（多圈）第二部分：材料（线绕）第一部分：主称（电位器）
2．电阻器的主要技术指标
(1)额定功率
电阻器在电路中长时间连续工作不损坏，或不显著改变其性能所允许消耗的最大功率称为电阻器的额定功率。电阻器的额定功率并不是电阻器在电路中工作时一定要消耗的功率，而是电阻器在电路工作中所允许消耗的最大功率。不同类型的电阻具有不同系列的额定功率，如表2所示。
表2电阻器的功率等级
名称额定功率（W）
实芯电阻器0.250.5125－
线绕电阻器0.5
25
1
35
2
50
6
75
10
100
15
150
薄膜电阻器0.025
2
0.05
5
0.125
10
0.25
25
0.5
50
1
100
(2)标称阻值
阻值是电阻的主要参数之一，不同类型的电阻，阻值范围不同，不同精度的电阻其阻值系列亦不同。根据国家标准，常用的标称电阻值系列如表3所示。E24、E12和E6系列也适用于电位器和电容器。
表3标称值系列
标称值系列精度电阻器（ ）、电位器（ ）、电容器标称值（PF）
E24±5%1.0
2.2
4.7
1.1
2.4
5.1
1.2
2.7
5.6
1.3
3.0
6.2
1.5
3.3
6.8
1.6
3.6
7.5
1.8
3.9
8.2
2.0
4.3
9.1
E12±10%1.0
3.3
1.2
3.9
1.5
4.7
1.8
5.6
2.2
6.8
2.7
8.2－－
E6±20% 1.0 1.5 2.2 3.3 4.7 6.88.2－表中数值再乘以10n，其中n为正整数或负整数。
(3)允许误差等级
表4电阻的精度等级
允许误差(%)±0.001±0.002±0.005±0.01±0.02±0.05±0.1等级符号E X Y H U W B 允许误差(%)±0.2±0.5±1±2±5±10±20等级符号C D F G J（I）K（II）M（III）
3．电阻器的标志内容及方法
(1)文字符号直标法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，额定功率、允许误差等级等。符号前面的数字表示整数阻值，后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值，其文字符号所表示的单位如表5所示。如1R5表示1.5Ω，2K7表示2.7kΩ，
表５
文字符号R K M G T
表示单位欧姆(Ω)千欧姆(103Ω)兆欧姆(106Ω)千兆欧姆(109Ω)兆兆欧姆(1012Ω)
例如：
RJ71－0.125－5k1－II
允许误差±10%
标称阻值(5.1kΩ)
额定功率1/8W
型号
由标号可知，它是精密金属膜电阻器，额定功率为1/8W，标称阻值为5.1kΩ，允许误差为±10%。
(2)色标法：色标法是将电阻器的类别及主要技术参数的数值用颜色（色环或色点）标注在它的外表面上。色标电阻（色环电阻）器可分为三环、四环、五环三种标法。其含义如图1和图2所示。
标称值第一位有效数字
标称值第二位有效数字
标称值有效数字后0的个数
允许误差
三色环电阻器的色环表示标称电阻值（允许误差均为±20%）。例如，色环为棕黑红，表示10?102＝1.0kΩ±20%的电阻器。
四色环电阻器的色环表示标称值（二位有效数字）及精度。例如，色环为棕绿橙金表示15?103＝15kΩ±5%的电阻器。
五色环电阻器的色环表示标称值（三位有效数字）及精度。例如，色环为红紫绿黄棕表示275?104＝2.75MΩ±1%的电阻器。
一般四色环和五色环电阻器表示允许误差的色环的特点是该环离其它环的距离较远。较标准的表示应是表示允许误差的色环的宽度是其它色环的（1.5~2）倍。
有些色环电阻器由于厂家生产不规范，无法用上面的特征判断，这时只能借助万用表判断。
标称值第一位有效数字
标称值第二位有效数字
标称值第三位有效数字
标称值有效数字后0的个数
允许误差
图2三位有效数字阻值的色环表示法
4．电位器的主要技术指标
(1)额定功率
电位器的两个固定端上允许耗散的最大功率为电位器的额定功率。使用中应注意额定功率不等于中心抽头与固定端的功率。
(2)标称阻值
标在产品上的名义阻值，其系列与电阻的系列类似。
(3)允许误差等级
实测阻值与标称阻值误差范围根据不同精度等级可允许±20%、±10%、±5%、±2%、±1%的误差。精密电位器的精度可达±0.1%。
(4)阻值变化规律
指阻值随滑动片触点旋转角度（或滑动行程）之间的变化关系，这种变化关系可以是任何函数形式，常用的有直线式、对数式和反转对数式（指数式）。
在使用中，直线式电位器适合于作分压器；反转对数式（指数式）电位器适合于作收音机、录音机、电唱机、电视机中的音量控制器。维修时若找不到同类品，可用直线式代替，但不宜用对数式代替。对数式电位器只适合于作音调控制等。
5．电位器的一般标志方法
WT－2 3.3k±10%
允许误差±10%
标称阻值3.3kΩ
额定功率2W
碳膜电位器
WX－1510ΩJ
允许误差±5%
标称阻值510Ω
额定功率1W
线绕电位器
二．电容器
1．电容器型号命名法
表6电容器型号命名法
第一部分：主称第二部分：
材料
第三部分：
特征、分类
意义
符号意
义符
号意义
符
号瓷介云母玻璃电解其他
第四部分：
序号
C瓷介1圆片非密封－箔式非密封
Y云母2管形非密封－箔式非密封
I玻璃釉3迭片密封－烧结粉固体密封
O玻璃膜4独石密封－烧结粉固体密封
Z纸介5穿心－－－穿心
J金属化纸6支柱－－－－
B聚苯乙烯7－－－无极性－
L涤纶8高压高压－－高压
Q漆膜9－－－特殊特殊
S聚碳酸脂J金属膜
H复合介质W微调
D铝
A钽
N铌
G合金
T钛
电
容
器
E其他对主称、材料相同，仅尺寸、性能指标略有不同，但基本不影响互使用的产品，给予同一序号；若尺寸性能指标的差别明显；影响互换使用时，则在序号后面用大写字母作为区别代号。
示例：
(1)铝电解电容器
C D11
第四部分：序号
第三部分：特征分类（箔式）
第二部分：材料（铝）
第一部分：主称（电容器）
(2)圆片形瓷介电容器
C C1－1
第四部分：序号
第三部分：特征分类（圆片）
第二部分：材料（瓷介质）
第一部分：主称（电容器）
(3)纸介金属膜电容器
C Z J X
第四部分：序号
第三部分：特征分类（金属膜）
第二部分：材料（纸介）
第一部分：主称（电容器）
2．电容器的主要技术指标
(1)电容器的耐压：常用固定式电容的直流工作电压系列为：6.3V，10V，16V，25V，40V，63V，100V，160V，250V，400V。
(2)电容器容许误差等级：常见的有七个等级如表7所示。
表7
容许误差±2%±5%±10%±20%+20%
-30%
+50%
-20%
+100%
-10%
级别0.2I II III IV V VI
(3)标称电容量：
表8固定式电容器标称容量系列和容许误差
系列代号E24E12E6
容许误差±5%（I）或（J）±10%（II）或（K）±20%（III）或（m）
标称容量对应值10,11,12,13,15,16,18,20,22,24,27,30,
33,36,39,43,47,51,56,62,68,75,82,90
10,12,15,18,22,27,3
3,39,47,56,68,82
10,15,22,23,47,68
注：标称电容量为表中数值或表中数值再乘以n
10，其中n为正整数或负整数，单位为pF。
3．电容器的标志方法
(1)直标法容量单位：F（法拉）、μF（微法）、nF（纳法）、pF（皮法或微微法）。
1法拉=6
10微法=12
10微微法，1微法=3
10纳法=6
10微微法
1纳法=3
10微微法
例如：4n7表示4.7nF或4700pF，0.22表示0.22μF，51表示51pF。
有时用大于1的两位以上的数字表示单位为pF的电容，例如101表示100pF；用小于1的数字表示单位为μF的电容，例如0.1表示0.1μF。
(2)数码表示法一般用三位数字来表示容量的大小，单位为pF 。前两位为有效数字，后一位表示位率。即乘以10i ，i 为第三位数字，若第三位数字9，则乘10-1。如223J 代表22?103pF ＝22000pF ＝0.22μF ，允许误差为±5%；又如479K 代表47?10-1pF ，允许误差为±5%的电容。这种表示方法最为常见。
（3）色码表示法这种表示法与电阻器的色环表示法类似，颜色涂于电容器的一端或从顶端向引线排列。色码一般只有三种颜色，前两环为有效数字，第三环为位率，单位为pF 。有时色环较宽，如红红橙，两个红色环涂成一个宽的，表示22000pF 。
三．电感器
1．电感器的分类
常用的电感器有固定电感器、微调电感器、色码电感器等。变压器、阻流圈、振荡线圈、偏转线圈、天线线圈、中周、继电器以及延迟线和磁头等，都属电感器种类。
2．电感器的主要技术指标(1)电感量:
在没有非线性导磁物质存在的条件下，一个载流线圈的磁通量与线圈中的电流成正比其比例常数称为自感系数，用L 表示，简称为电感。即：
I
L ?=
式中：?＝磁通量I ＝电流强度
(2)固有电容：线圈各层、各匝之间、绕组与底板之间都存在着分布电容。统称为电感
器的固有电容。
(3)品质因数：
电感线圈的品质因数定义为：
R
L Q ω=
式中：ω－工作角频率，L －线圈电感量，R －线圈的总损耗电阻(4)额定电流：线圈中允许通过的最大电流。(5)线圈的损耗电阻：线圈的直流损耗电阻。2．电感器电感量的标志方法
(1)直标法。单位H （亨利）、mH （毫亨）、μH （微亨）、(2)数码表示法。方法与电容器的表示方法相同。
(3)色码表示法。这种表示法也与电阻器的色标法相似，色码一般有四种颜色，前两种颜色为有效数字，第三种颜色为倍率，单位为μH ，第四种颜色是误差位。
四．半导体分立器件
1．半导体分立器件的命名方法
（1）我国半导体分立器件的命名法
表9国产半导体分立器件型号命名法
第一部分第二部分第三部分
第四部分第五部分
用数字表示器件电极的数目用汉语拼音字母表示器
件的材料和极性
用汉语拼音字母
表示器件的类型
符号意义符
号
意义符
号
意义符
号
意义
2 3
二极管
三极管
A
B
C
D
A
B
C
D
E
N型，锗材料
P型，锗材料
N型，硅材料
P型，硅材料
PNP型，锗材料
NPN型，锗材料
PNP型，硅材料
NPN型，硅材料
化合物材料
P
V
W
C
Z
L
S
N
U
K
X
G
普通管
微波管
稳压管
参量管
整流管
整流堆
隧道管
阻尼管
光电器件
开关管
低频小功率管
（αf＜3MHz,
P C<1W）
高频小功率管
（αf≥3MHz
P C<1W）
D
A
T
Y
B
J
CS
BT
FH
PIN
JG
低频大功率管
（αf＜3MHz,
P C≥1W)
高频大功率管
（αf≥3MHz
P C≥1W）
半导体闸流管
(可控硅整流器)
体效应器件
雪崩管
阶跃恢复管
场效应器件
半导体特殊器件
复合管
PIN型管
激光器件
用数字
表示器件
序号
用汉语拼
音表示规
格的区别
代号
例：
1)锗材料PNP型低频大功率三极管：2)硅材料NPN型高频小功率三极管：3A D50C3D G201B
规格号规格号
序号序号
低频大功率低频大功率
PNP型、锗材料PNP型、锗材料
三极管三极管
3)N型硅材料稳压二极管：4)单结晶体管：
2C W51B T33E
序号规格号
稳压管耗散功率
N型、硅材料三个电极
二极管特种管
半导体
（2）国际电子联合会半导体器件命名法
表10国际电子联合会半导体器件型号命名法
第一部分第二部分第三部分第四部分
用字母表示使
用的材料用字母表示类型及主要特性用数字或字母加
数字表示登记号
用字母对同一
型号者分档
符号意义符号意义符号意义符号意义符号意义
A 检波、开关和
混频二极管
M封闭磁路中的
霍尔元件
A锗材料
B变容二极管P光敏元件
C 低频小功率三
极管Q发光器件
B硅材料
D 低频大功率三
极管R小功率可控硅
E隧道二极管S小功率开关管三
位
数
字
通用半
导体器件
的登记序
号（同一
类型器件
使用同一
登记号）
C砷化镓
F 高频小功率三
极管T大功率可控硅
G
复合器件
及其它器件U大功率开关管
D锑化铟
H磁敏二极管X倍增二极管
K 开放磁路中的
霍尔元件Y整流二极管
R
复合材
料
L
高频大功率三
极管Z
稳压二极管即
齐纳二极管
一
个
字
母
加
两
位
数
字
专用半
导体器件
的登记序
号（同一
类型器件
使用同一
登记号）
A
B
C
D
E
同一
型号器
件按某
一参数
进行分
档的标
志
示例（命名）：
A F239S
AF239型某一参数的S档
普通用登记序号
高频小功率三极管
锗材料
国际电子联合会晶体管型号命名法的特点：
1)这种命名法被欧洲许多国家采用。因此，凡型号以两个字母开头，并且第一个字母
是A，B，C，D或R的晶体管，大都是欧洲制造的产品，或是按欧洲某一厂家专利生产的产品。
2)第一个字母表示材料（A表示锗管，B表示硅管），但不表示极性（NPN型或PNP 型）。
3)第二个字母表示器件的类别和主要特点。如C表示低频小功率管，D表示低频大功率管，F表示高频小功率管，L表示高频大功率管等等。若记住了这些字母的意义，不查手册也可以判断出类别。例如，BL49型，一见便知是硅大功率专用三极管。
4)第三部分表示登记顺序号。三位数字者为通用品；一个字母加两位数字者为专用品，顺序号相邻的两个型号的特性可能相差很大。例如，AC184为PNP型，而AC185则为NPN 型。
5)第四部分字母表示同一型号的某一参数（如h FE或N F）进行分档。
6)型号中的符号均不反映器件的极性（指NPN或PNP）。极性的确定需查阅手册或测量。
(3)美国半导体器件型号命名法
美国晶体管或其它半导体器件的型号命名法较混乱。这里介绍的是美国晶体管标准型号命名法，即美国电子工业协会（EIA）规定的晶体管分立器件型号的命名法。如表11所示。
表11美国电子工业协会半导体器件型号命名法
第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分
用符号表示用途的类型
用数字表示
PN结的数目
美国电子工业协会
(EIA)注册标志
美国电子工业协会
(EIA)登记顺序号
用字母表示
器件分档
符号意义符号意义符号意义符号意义符号意义1二极管
JAN
或J军用品2三极管
3三个PN
结器件无非军用品n n个PN
结器件N
该器件
已在美国
电子工业
协会注册
登记
多
位
数
字
该器件在
美国电子工
业协会登记
的顺序号
A
B
C
D
同一
型号的
不同档
别
例：
1)JAN2N29042)1N4001
JAN2N29041N4001
EIA登记序号EIA登记序号
EIA注册标志EIA注册标志
三极管二极管
军用品
美国晶体管型号命名法的特点：
1)型号命名法规定较早，又未作过改进，型号内容很不完备。例如，对于材料、极性、主要特性和类型，在型号中不能反映出来。例如，2N开头的既可能是一般晶体管，也可能是场效应管。因此，仍有一些厂家按自己规定的型号命名法命名。
2)组成型号的第一部分是前缀，第五部分是后缀，中间的三部分为型号的基本部分。
3)除去前缀以外，凡型号以1N、2N或3N 开头的晶体管分立器件，大都是美国制造的，或按美国专利在其它国家制造的产品。
4)第四部分数字只表示登记序号，而不含其它意义。因此，序号相邻的两器件可能特性相差很大。例如，2N3464为硅NPN，高频大功率管，而2N3465为N沟道场效应管。
5)不同厂家生产的性能基本一致的器件，都使用同一个登记号。同一型号中某些参数的差异常用后缀字母表示。因此，型号相同的器件可以通用。
6)登记序号数大的通常是近期产品。
(4)日本半导体器件型号命名法
日本半导体分立器件（包括晶体管）或其它国家按日本专利生产的这类器件，都是按日本工业标准（JIS）规定的命名法（JIS－C－702）命名的。
日本半导体分立器件的型号，由五至七部分组成。通常只用到前五部分。前五部分符号及意义如表12所示。第六、七部分的符号及意义通常是各公司自行规定的。第六部分的符号表示特殊的用途及特性，其常用的符号有：
M－松下公司用来表示该器件符合日本防卫厅海上自卫队参谋部有关标准登记的产品。
N－松下公司用来表示该器件符合日本广播协会（NHK）有关标准的登记产品。
Z－松下公司用来表示专用通信用的可靠性高的器件。
H －日立公司用来表示专为通信用的可靠性高的器件。
K －日立公司用来表示专为通信用的塑料外壳的可靠性高的器件。T －日立公司用来表示收发报机用的推荐产品。
G －东芝公司用来表示专为通信用的设备制造的器件。S －三洋公司用来表示专为通信设备制造的器件。
第七部分的符号，常被用来作为器件某个参数的分档标志。例如，三菱公司常用R ，G ，Y 等字母；日立公司常用A ，B ，C ，D 等字母，作为直流放大系数h FE 的分档标志。
表12日本半导体器件型号命名法
第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用数字表示类型或有效电极数S 表示日本电子工业协会（EIAJ ）的
注册产品用字母表示器件的极性及类型用数字表示在日本电子工业协会登记的顺序号用字母表示对原来型号的改进产品符号
意义符
号
意义符号意义
符
号
意义符
号
意义A PNP 型高频管B PNP 型低频管C NPN 型高频管0光电(即光敏)二极管、晶体管及其组合管
D NPN 型低频管1
二极管
F P 控制极可控硅
G N 控制极可控硅
H N 基极单结晶体管J P 沟道场效应管2
三极管、具有两个以上PN 结的其他晶体管K N 沟道场效应管M
双向可控硅
3
具有四个有效电极或具有三个PN 结的晶体管n-1
具有n 个有效电极或具有n-1个PN 结的晶体管
S 表示已在日本电子工业协会(EIAJ)注册
登记的半导体分立器件
四位以上的数字从11开始，表示在日本电子工业协会注册登记的顺序号，不同公司性能相同的器件可以使用同一顺
序号，其数字越大越是近期产品
A B C D
E F
用字母表示对原来型号的改进产品示例：
1）2SC502A （日本收音机中常用的中频放大管）
2S C 502A
2SC502型的改进产品
日本电子工业协会登记顺序号NPN 型高频三极管
日本电子工业协会注册产品三极管（两个PN 结）2）2SA495（日本夏普公司GF －9494收录机用小功率管）
2S A 495
日本电子工业协会登记顺序号
PNP高频管
日本电子工业协会注册产品
三极管（两个PN结）
日本半导体器件型号命名法有如下特点：
1)型号中的第一部分是数字，表示器件的类型和有效电极数。例如，用“1”表示二极管，用“2”表示三极管。而屏蔽用的接地电极不是有效电极。
2)第二部分均为字母S，表示日本电子工业协会注册产品，而不表示材料和极性。
3)第三部分表示极性和类型。例如用A表示PNP型高频管，用J表示P沟道场效应三极管。但是，第三部分既不表示材料，也不表示功率的大小。
4)第四部分只表示在日本工业协会（EIAJ）注册登记的顺序号，并不反映器件的性能，顺序号相邻的两个器件的某一性能可能相差很远。例如，2SC2680型的最大额定耗散功率为200mW，而2SC2681的最大额定耗散功率为100W。但是，登记顺序号能反映产品时间的先后。登记顺序号的数字越大，越是近期产品。
5)第六、七两部分的符号和意义各公司不完全相同。
6)日本有些半导体分立器件的外壳上标记的型号，常采用简化标记的方法，即把2S省略。例如，2SD764，简化为D764，2SC502A简化为C502A。
7)在低频管（2SB和2SD型）中，也有工作频率很高的管子。例如，2SD355的特征频率f T为100MHz，所以，它们也可当高频管用。
8)日本通常把P cm≥1W的管子，称做大功率管。
2．常用半导体二极管的主要参数
表13部分半导体二极管的参数
2CZ52B H 20.1≤125 600同2A P 普通二极管
2CZ53B M 60.3≤150 10002CZ54B M 100.5≤150 10002CZ55B M 201≤150 10002CZ56B B 65
3
≤0.8
25 10001N4001 4007301 1.1
50 10005
1N5391 539950 1.5
1.4
50 100010
整流二极管
1N5400 5408
2003 1.2
50 1000
10
3.常用整流桥的主要参数
表15部分稳压二极管的主要参数
5.常用半导体三极管的主要参数
(1)3AX51(3AX31)型PNP型锗低频小功率三极管
（2）3AX81型PNP型锗低频小功率三极管
（3）3BX31型NPN型锗低频小功率三极管
表183BX31型NPN型锗低频小功率三极管的参数
(4)3DG100(3DG6)型NPN型硅高频小功率三极管
(5)3DG130(3DG12)型NPN型硅高频小功率三极管
(5)9011~9018塑封硅三极管
6．常用场效应管主要参数
五．模拟集成电路
1.模拟集成电路命名方法（国产）
表23器件型号的组成
第0部分第一部分第二部分第三部分第四部分
用字母表示器件符合国家标准用字母表示器件的类型用字母表示器件
的工作温度范围
用字母表示器件的封装
符号意义符
号
意义
用阿拉伯数
字表示器件
的系列和品
种代号
符
号
意义符
号
意义T TTL C0~70o C W陶瓷扁平
H HTL E-40~85o C B塑料扁平
E ECL R-55~85o C F全封闭扁平
C CMOS D陶瓷直插
F线性放大器P塑料直插
D音响、电视电路J黑陶瓷直插
W稳压器K金属菱形
C中国制造
J接口电路M
-55~125o C
T金属圆形
例：
C F741C T
金属圆形封装
0o~70o C
器件代号
线性放大器
中国国家标准
2．国外部分公司及产品代号
表24国外部分公司及产品代号
公司名称代号公司名称代号美国无线电公司(BCA)CA美国悉克尼特公司(SIC)NE
美国国家半导体公司(NSC)LM日本电气工业公司(NEC)μPC 美国莫托洛拉公司(MOTA)MC日本日立公司(HIT)RA 美国仙童公司(PSC)μA日本东芝公司(TOS)TA 美国德克萨斯公司(TII)TL日本三洋公司(SANYO)LA，LB 美国模拟器件公司(ANA)AD日本松下公司AN 美国英特西尔公司(INL)IC日本三菱公司M
3．部分模拟集成电路引脚排列
(1)运算放大器，如图3所示：(2)音频功率放大器，如图所示：
抑抑
正输调电自制制输
电出零源举纹空纹入空
源端端端端波脚波端脚
调负正负输电衬补补负空
零输输电出源底偿偿反脚
端入入源端地地端端馈
端端端端
图3图4
(3)集成稳压器，如图所示：
123
输出
图5
常用电子元件型号与封装 名称型号及规格名称型号及规格稳压管BZ84C2V7LT1 Z12 SOT23电源座DC head D5.5*11mm 稳压管BZX84-C5V6/ 电源座DC head D3.5*10mm 稳压管BZX84-C2V7/ 电源座DC head D6*14.5mm 稳压管R1114-3.3 SOT-25A电源座3PIN(诺基亚电源座）稳压管AMS1117-3.3 SOT223石英晶振8.0M 5032 稳压管AMS1117-5.0 SOT223石英晶振16.0M 5032 晶体管TRANSISTOR UM6K1石英晶振16.0M 11*4mm 三级管2SD1664 SC-62石英晶振29.491MHZ HC-49SMD 三级管2SK3018 UMT3石英晶振12MHz 5*3.5 SMT 三级管2SK208-Y UMT3电阻22R ±1% 0402 三级管MMBT2301LT1 SOT-23可调电阻2K±1% EVM3Y 三级管2N7002LT1 SOT-23电阻 1.5M±1% 0402 二极管RB751V-40 TE-17 0805电阻1M±1% 0402 稳压管BZ84C2V7LT1 Z12 SOT23电阻768K±1% 0402 下接8P插座BOX0512Y08RLETND-A电容3300PF±5% 0402蜂鸣器HXD（R）12*9mm电阻300K±1% 0402 蜂鸣器RD（+）9*6mm电阻270K ±1% 0402 蜂鸣器ADK-2808AB-13C电阻240K±1% 0402 蜂鸣器扁嘴 12*7mm电阻150K±1% 0402 电感33nH 0603电阻120K±1% 0402 电感150nH 0603电阻100K±1% 0402 电感270nH 0603电阻68K±1% 0402 电感 6.8nH 0603电阻51K±1% 0402 电感4D18-100N SMD 10uH电阻47K±1% 0402 电感SDR32-100MNP/SR0302电阻33K±1% 0402 电感4D18-470N 47uH电阻20K±1% 0402 电感PI-CDE4532 SMD10uH电阻15K±1% 0402 电感PI-CDE4532 SMD 47uH电阻10K±1% 0402 电感4D18-100N SMD 22uH磁珠HB-1M2012-260J 0805线圈XL-L1010062晶振垫片11*4*1mm 共模电感CM-2012-121T 2012天线430MHz 黑色直头线绕电感33nH 0603 天线430MHz 黑色弯头线绕电感150nH 0603 天线ANT-433-3E(长） 线绕电感270nH 0603 天线ANT-433-2.5J(短) 线绕电感39nH 0603 天线ANT-2.4-2.5J弯帽(短) 线绕电感12nH 0603 天线ANT-2.4-2.5灰白弯帽(长)发光二极管Blue 1206上接8P插座BOX0512Y08RUETND-A 透镜D8.4*4.5IC TLC2272 SSOP-8透镜D5.5*2.5IC MCP602T-1/ST SSOP-8 IC TLC2272 SOP-8IC MCP604T-1/ST SSOP-14 IC TLC274 SOP-14IC LM324 SSOP-14 IC LM324 SOP-14IC MAX3221CAE TSSOP-16 IC74HC27 SOP-14IC74HCT125PW TSSOP-14 IC74HC08 SOP-14IC TLC2274 SSOP-14
电子元器件选型 目录 一、集成电路 (1) 二、二极管 (2) 三、功率MOS (2) 四，三极管 (3) 五，电解电容 (3) 六，瓷片电容 (4) 七，薄膜电容 (4) 八，电阻 (5) 九，磁性元件 (6) 十，金属氧化物压敏电阻MOV (7) 十一，印刷电路板 (7) 十二，保险丝 (8) 十三，光耦 (8) 电子元器件选型主要注意的几个参数和标准，大家可以参考一下，这些都是比较保守的值，在实际使用中还可以根据需要适当提高。 一、集成电路 因为集成电路的复杂性和保密性，一般我们只能根据半导体结温来推断集成电路的可靠性了。 我们通常规定： 1，最大工作电压，不超过额定电压80% 2，最大输出电流，不超过额定电流75% 3，结温，最大85摄氏度，或不超过额定最高结温的80%
二、二极管 二极管种类繁多，特性不一。故而，有通用要求，也有特别要求： 通用要求： 长期反向电压<70%～90%×VRRM（最大可重复反向电压） 最大峰值反向电压<90%×VRRM 正向平均电流<70%～90%×额定值 正向峰值电流<75%～85%×IFRM正向可重复峰值电流 对于工作结温，不同的二极管要求略有区别： 信号二极管< 85～150℃ 玻璃钝化二极管< 85～150℃ 整流二极管和快恢复、超快恢复二极管（<1000V）<85～125℃ 整流二极管和快恢复、超快恢复二极管（≥1000V）<85～115℃ 肖特基二极管< 85～115℃ 稳压二极管（<0.5W）<85～125℃ 稳压二极管（≥0.5W）<85～100℃ Tcase(外壳温度)≤0.8×Tjmax-2×θjc×P，2×θjc×P<15℃，θjc是从结到壳的热阻，P是功率损耗。这是一个可供参考的经验值。 这里很多指标给的是个范围，因为不同的可靠性要求和成本之间有矛盾。所以给出一个相对比较注重可靠性的和一个比较注重成本的两个值供参考。下面同理。 三、功率MOS VGS<85%×VGSmax(最大栅极驱动电压) ID_peak<80%×ID_M(最大漏极脉冲电流)
1目录 2总则 (3) 2.1目的 (3) 2.2适用范围 (3) 2.3电子元器件选型基本原则 (3) 2.4其他具体选型原则： (3) 3各类电子元器件选型原则 (4) 3.1电阻选型 (5) 3.2电容选型 (6) 3.2.1铝电解电容 (6) 3.2.2钽电解电容 (7) 3.2.3片状多层陶瓷电容 (7) 3.3电感选型 (7) 3.4二极管选型 (8) 3.4.1发光二极管： (8) 3.4.2快恢复二极管： (8) 3.4.3整流二极管： (8) 3.4.4肖特基二极管： (9) 3.4.5稳压二极管： (9) 3.4.6瞬态抑制二极管： (9) 3.5三极管选型 (9) 3.6晶体和晶振选型 (10) 3.7继电器选型 (10) 3.8电源选型 (11) 3.8.1AC/DC电源选型规则 (11) 3.8.2隔离DC/DC电源选型规则 (11) 3.9运放选型 (11) 3.10A/D和D/A芯片选型 (12) 3.11处理器选型 (13) 3.12FLASH选型 (14) 3.13SRAM选型 (14) 3.14EEPROM选型 (14) 3.15开关选型 (14) 3.16接插件选型 (15) 3.16.1选型时考虑的电气参数： (15) 3.16.2选型时考虑的机械参数： (15) 3.16.3欧式连接器选型规则 (15) 3.16.4白色端子选型规则 (16) 3.16.5其它矩形连接器选型规则 (16) 3.17电子线缆选型 (16) 4附则 (17)
2总则 2.1目的 为本公司研发电子产品时物料选型提供指导性规范文件。 2.2适用范围 适用于公司研发部门开发过程中元器件选型使用。 2.3电子元器件选型基本原则 1)普遍性原则：所选的元器件要是被广泛使用验证过的，尽量少使用冷门、偏 门芯片，减少开发风险。 2)高性价比原则：在功能、性能、使用率都相近的情况下，尽量选择价格比较 好的元器件，降低成本。 3)采购方便原则：尽量选择容易买到、供货周期短的元器件。 4)持续发展原则：尽量选择在可预见的时间内不会停产的元器件,禁止选用停 产的器件,优选生命周期处于成长期、成熟期的器件。 5)可替代原则：尽量选择pin to pin兼容芯片品牌比较多的元器件。 6)向上兼容原则：尽量选择以前老产品用过的元器件。 7)资源节约原则：尽量用上元器件的全部功能和管脚。 8)降额设计原则：对于需要降额设计的部件，尽量进行降额选型，参考标准参 见GJB/Z 35 《元器件降额准则》。 9)便于生产原则：在满足产品功能和性能的条件下，元器件封装尽量选择表贴 型，间距宽的型号，封装复杂度低的型号，降低生产难度，提高生产效率。 2.4其他具体选型原则： 除满足上述基本原则之外,选型时还因遵循以下具体原则: 1)所选器件遵循公司的归一化原则，在不影响功能、可靠性的前提下，尽可能 少选择物料的种类。 2)功率器件优先选用RjA热阻小,Tj结温更大的封装型号。 3)禁止选用封装尺寸小于0402（含）的器件。
常用电子元器件参考资料第一节部分电气图形符号 一．电阻器、电容器、电感器和变压器
二．半导体管 三．其它电气图形符号
第二节常用电子元器件型号命名法及主要技术参数一．电阻器和电位器 1．电阻器和电位器的型号命名方法 示例： (1)精密金属膜电阻器 R J 7 3 第四部分：序号 第三部分：类别（精密） 第二部分：材料（金属膜） 第一部分：主称（电阻器） (2) 多圈线绕电位器 W X D 3 第四部分：序号 第三部分：类别（多圈） 第二部分：材料（线绕） 第一部分：主称（电位器）
2．电阻器的主要技术指标 (1) 额定功率 电阻器在电路中长时间连续工作不损坏，或不显著改变其性能所允许消耗的最大功率称为电阻器的额定功率。电阻器的额定功率并不是电阻器在电路中工作时一定要消耗的功率，而是电阻器在电路工作中所允许消耗的最大功率。不同类型的电阻具有不同系列的额定功率，如表2所示。 (2) 标称阻值 阻值是电阻的主要参数之一，不同类型的电阻，阻值范围不同，不同精度的电阻其阻值系列亦不同。根据国家标准，常用的标称电阻值系列如表3所示。E24、E12和E6系列也适用于电位器和电容器。 (3) 允许误差等级 3．电阻器的标志内容及方法 (1)文字符号直标法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，额定功率、允许误差等级等。符号前面的数字表示整数阻值，后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值，其文字符号所表示的单位如表5所示。如1R5表示1.5Ω，2K7表示2.7kΩ， 表５
例如： RJ71－0.125－5k1－II 允许误差±10% 标称阻值(5.1kΩ) 额定功率1/8W 型号 由标号可知，它是精密金属膜电阻器，额定功率为1/8W，标称阻值为5.1kΩ，允许误差为±10%。 (2)色标法：色标法是将电阻器的类别及主要技术参数的数值用颜色（色环或色点）标注在它的外表面上。色标电阻（色环电阻）器可分为三环、四环、五环三种标法。其含义如图1和图2所示。 标称值第一位有效数字 标称值第二位有效数字 标称值有效数字后0的个数 允许误差 图1 两位有效数字阻值的色环表示法 三色环电阻器的色环表示标称电阻值（允许误差均为±20%）。例如，色环为棕黑红，表示10?102＝1.0kΩ±20%的电阻器。 四色环电阻器的色环表示标称值（二位有效数字）及精度。例如，色环为棕绿橙金表示15?103＝15kΩ±5%的电阻器。 五色环电阻器的色环表示标称值（三位有效数字）及精度。例如，色环为红紫绿黄棕表示275?104＝2.75MΩ±1%的电阻器。
电子元器件基础知识（1）——电阻 导电体对电流的阻碍作用称为电阻，用符号R表示，单位为欧姆、千欧、兆欧，分别用Q、K Q、MQ表示。一、电阻的型号命名方法： 国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻）第一部分：主称，用字母表示，表示产品的名字。如R表示电阻，W表示电位器。第二部分：材料，用字母表示，表示电阻体用什么材料组成，T-碳膜、H-合成碳膜、S-有机实心、 N-无机实心、J-金属膜、丫-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕。第三部分：分类，一般用数字表示，个别类型用字母表示，表示产品属于什么类型。1-普通、2-普通、3-超高频、4-高阻、5-高温、6-精密、7-精密、8-高压、9-特殊、G-高功率、T-可调。第四部分：序号，用数字表示，表示同类产品中不同品种，以区分产品的外型尺寸和性能指标等例如：R T 1 1型普通碳膜电阻 电子元器件基础知识（2）――电容 电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于隔直，耦合，旁路，滤波，调谐回路，能量转换，控制电路等方面。用C表示电容，电容单位有法拉（F）、微法拉（uF）、皮法拉（pF）,1F=10A6uF=10A12pF 电容器的型号命名方法国产电容器的型号一般由四部分组成（不适用于压敏、可变、真空电容器）。依次分别代表名称、材料、分类和序号。第一部分：名称，用字母表示，电容器用C。第二部分：材料，用字母表示。第三部分：分类，一般用数字表示，个别用字母表示。第四部分：序号，用数字表示。用 字母表示产品的材料：A-钽电解、B-聚苯乙烯等非极性薄膜、C-高频陶瓷、D- 铝电解、E-其它材料电解、G-合金电解、H-复合介质、I-玻璃釉、J-金属化纸、L-涤纶等极性有机薄膜、N-铌电解、0-玻璃膜、Q-漆膜、T-低频陶瓷、V-云母纸、丫-云母、Z-纸介 电子元器件基础知识（3）――电感线圈 电感线圈是由导线一圈*一圈地绕在绝缘管上，导线彼此互相绝缘，而绝缘管可以是空心的，也可以包含铁芯或磁粉芯，简称电感。用L表示，单位有亨利（H）、毫亨利（mH）、微亨利（uH），1H=10A3mH=10A6uH。 电感的分类按电感形式分类：固定电感、可变电感。按导磁体性质分类：空芯线圈、铁氧体线圈、铁芯线圈、铜芯线圈。按工作性质分类：天线线圈、振荡线圈、扼流线圈、陷波线圈、偏转线圈。按绕线结构分类：单层线圈、多层线圈、蜂房式线圈。 电感线圈的主要特性参数1、电感量L电感量L表示线圈本身固有特性，与电流大小无关。除专门的电感线圈（色码电感）外，电感量一般不专门标注在线圈上，而以特定的名称标注。2、感抗XL电感线圈对交流电流阻碍作用的大小称感抗XL，单位是欧姆。它与电感量L和交流电频率f的关系为XL=2冗fL 3、
半导体电子元器件的有哪些以及命名方式 半导体器件(semiconductor device)通常，这些半导体材料是硅、锗或砷化镓，可用作整流器、振荡器、发光器、放大器、测光器等器材。为了与集成电路相区别，有时也称为分立器件。绝大部分二端器件(即晶体二极管)的基本结构是一个PN 结。利用不同的半导体材料、采用不同的工艺和几何结构，已研制出种类繁多、功能用途各异的多种晶体二极，可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换。晶体二极管的频率覆盖范围可从低频、高频、微波、毫米波、红外直至光波。三端器件一般是有源器件，典型代表是各种晶体管(又称晶体三极管)。晶体管又可以分为双极型晶体管和场效应晶体管两类。根据用途的不同，晶体管可分为功率晶体管微波晶体管和低噪声晶体管。除了作为放大、振荡、开关用的一般晶体管外，还有一些特殊用途的晶体管，如光晶体管、磁敏晶体管，场效应传感器等。这些器件既能把一些环境因素的信息转换为电信号，又有一般晶体管的放大作用得到较大的输出信号。此外，还有一些特殊器件，如单结晶体管可用于产生锯齿波，可控硅可用于各种大电流的控制电路，电荷耦合器件可用作摄橡器件或信息存储器件等。在通信和雷达等军事装备中，主要靠高灵敏度、低噪声的半导体接收器件接收微弱信号。随着微波通信技术的迅速发展，微波半导件低噪声器件发展很快，工作频率不断提高，而噪声系数不断下降。微波半导体器件由于性能优异、体积小、重量轻和功耗低等特性，在防空反导、电子战、C(U3)I等系统中已得到广泛的应用。 1、物质的分类 按照导电能力的大小可以分为导体、半导体和绝缘体。导电能力用电阻率衡量。 导体：具有良好导电性能的物质，如铜、铁、铝电阻率一般小于10-4Ω?cm 绝缘体：导电能力很差或不导电的物质，如玻璃、陶瓷、塑料。 电阻率在108Ω?cm以上 半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间的物质，如锗、硅。 纯净的半导体硅的电阻率约为241000Ω?cm 2、半导体的特性 与导体、绝缘体相比，半导体具有三个显著特点： (1)电阻率的大小受杂质含量多少的影响极大，如硅中只要掺入百万分之一的杂质硼，硅的电阻率就会从241000Ω?cm下降到0.4Ω?cm，变化了50多万倍; (2)电阻率受环境温度的影响很大。 例如：温度每升高8℃时，纯净硅的电阻率就会降低一半左右;金属每升高10℃时，电阻率只增加4%左右。
常用电子元件封装、尺寸、规格汇总 贴片电阻规格 贴片电阻常见封装有9种，用两种尺寸代码来表示。一种尺寸代码是由4位数字表示的EIA(美国电子工业协会)代码，前两位与后两位分别表示电阻的长与宽，以英寸为单位。我们常说的0603封装就是指英制代码。另一种是米制代码，也由4位数字表示，其单位为毫米。下表列出贴片电阻封装英制和公制的关系及详细的尺寸： 贴片元件的封装 一、零件规格: (a)、零件规格即零件的外形尺寸，SMT发展至今，业界为方便作业，已经形成了一个标准零件系列，各家零件供货商皆是按这一标准制造。标准零件之尺寸规格有英制与公制两种表示方法，如下表英制表示法1206 0805 0603 0402 公制表示法3216 2125 1608 1005含义L:1.2inch(3.2mm)W:0.6inch(1.6mm) L:0.8inch(2.0mm)W:0.5inch(1.25mm) L:0.6inch(1.6mm)W:0.3inch(0.8mm) L:0.4inch(1.0mm)W:0.2inch(0.5mm) 注： a、L（Length）：长度；W（Width）：宽度；inch：英寸 b、1inch=25.4mm（b）、在(1)中未提及零件的厚度，在这一点上因零件不同而有所差异，在生产时应以实际量测为准。（c）、以上所讲的主要是针对电子产品中用量最大的电阻（排阻）和电容（排容），其它如电感、二极管、晶体管等等因用量较小，且形状也多种多样，在此不作讨论。（d）、SMT发展至今，随着电子产品集成度的不断提高，标准零件逐步向微型化发展，如今最小的标准零件已经到了0201。二、常用元件封装1）电阻：最为常见的有0805、0603两类，不同的是，它可以以排阻的身份出现，四位、八位都有，具体封装样式可参照
电子元件分类与编码标准 为了方便电子元器件的购买及生产管理, 且为以后元器件的电脑化管理提供可能, 本说明对可能涉及到的电子元器件的编号进行规定。 1: 总体原则 1.1 总体规定: 电子元器件的编号统一设想采用字母与数字混合编号方 式且统一为9位. 具体以器件分类名称的字母缩写(2位)开始, 后续6 位数字或字母表示器件的具体规格或型号，第7位是附加的备注或特 殊的识别标记（除电容的命名方式外） 1.2 对于不同规格与不同厂家的元器件原则上采用不同的编号. 1.3 对于一些通用类电子元器件, 如: 电阻, 电容, 电感等如规格及外 形相同则不同厂家的产品也可采用统一编号. 1.4 对于元器件应有相非通用类电子应的图纸存档. 图纸中应包含器件 的外形尺寸, 主要规格参数, 产品型号, 生产厂家等. 1.5 电阻, 电容,电感的标称值原则上在具体规格上说明 1.6 对于一些开发项目专用或关联较大以及根据本说明无法明确归类的 电子元器件的编号如: PWB, PCB组装单元, 可以用项目编号取代编 号的前4位, 后6位表示某具体元器件. 若该器件也在别的项目中使 用, 采用同一编号, 保证编号的唯一性。 2.0、编码结构说明： ＸＸ－ＸＸ－ＸＸＸＸＸＸ－ＸＸＸ－Ｘ ｜ ｜ ｜ ｜ ｜ 空位（环保区分时备 用） ｜ ｜ ｜ ｜ 误差/封装信息/引脚 数/修正编号/空位 ｜ ｜ ｜ ｜ ｜ ｜ 元件种类/电气参数/型号 ｜ ｜ 供应商名代码 ｜ 物品代码 注：编码长度一至，编码中间的“—”不纳入ERP系统，例： RE0120000061280 2.1、电子元器件物品（电子元器件的命名字母缩写）: 器件名称字母缩写器件名称字母缩写器件名称字母缩写 电阻RE混合厚膜电路HB 导线WR 电阻阵列、 RA /RG传感器SN磁珠FR 可变 电容CP继电器RL 线圈CL
电子元器件符号 电气符号大全 电路图符号大全 导电体对电流的阻碍作用称为电阻，用符号R表示，单位为欧姆、千欧、兆欧，分别用?、K?、M?表示。 一、电阻的型号命名方法： 国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻）第一部分：主称，用字母表示，表示产品的名字。如R表示电阻，W表示电位器。第二部分：材料，用字母表示，表示电阻体用什么材料组成，T-碳膜、H-合成碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕。第三部分：分类，一般用数字表示，个别类型用字母表示，表示产品属于什么类型。1-普通、2-普通、3-超高频、4-高阻、5-高温、6-精密、7-精密、8-高压、9-特殊、G-高功率、T-可调。第四部分:序号，用数字表示，表示同类产品中不同品种，以区分产品的外型尺寸和性能指标等例如：R T 1 1 型普通碳膜电阻 电子元器件基础知识（2）——电容 电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于隔直，耦合，旁路，滤波，调谐回路，能量转换，控制电路等方面。用C表示电容，电容单位有法拉（F）、微法拉（uF）、皮法拉（pF）,1F=10^6uF=10^12pF 电容器的型号命名方法国产电容器的型号一般由四部分组成（不适用于压敏、可变、真空电容器）。依次分别代表名称、材料、分类和序号。第一部分：名称，用字母表示，电容器用C。第二部分：材料，用字母表示。第三部分：分类，一般用数字表示，个别用字母表示。第四部分：序号，用数字表示。用字母表示产品的材料：A-钽电解、B-聚苯乙烯等非极性薄膜、C-高频陶瓷、D-铝电解、E-其它材料电解、G-合金电解、H-复合介质、I-玻璃釉、J-金属化纸、L-涤纶等极性有机薄膜、N-铌电解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低频陶瓷、V-云母纸、Y-云母、Z-纸介 电子元器件基础知识（3）——电感线圈 电感线圈是由导线一圈*一圈地绕在绝缘管上，导线彼此互相绝缘，而绝缘管可以是空心的，也可以包含铁芯或磁粉芯，简称电感。用L表示，单位有亨利(H)、毫亨利(mH)、微亨利(uH)，1H=10^3mH=10^6uH。 电感的分类按电感形式分类：固定电感、可变电感。按导磁体性质分类：空芯线圈、铁氧体线圈、铁芯线圈、铜芯线圈。按工作性质分类：天线线圈、振荡线圈、扼流线圈、陷波线圈、偏转线圈。按绕线结构分类：单层线圈、多层线圈、蜂房式线圈。 电感线圈的主要特性参数1、电感量L 电感量L表示线圈本身固有特性，与电流大小无关。除专门的电感线圈（色码电感）外，电感量一般不专门标注在线圈上，而以特定的名称标注。2、感抗XL 电感线圈对交流电流阻碍作用的大小称感抗XL，单位是欧姆。它与电感量L和交流电频率f的关系为XL=2πfL 3、品质因素Q 品质因素Q是表示线圈质量的一个物理量，Q为感抗XL与其等效的电阻的比值，即：Q=XL/R 线圈的Q值愈高，回路的损耗愈小。线圈的Q值与导线的直流电阻，骨架的介质损耗，屏蔽罩或铁芯引起的损耗，高频趋肤效应的影响等因素有关。线圈的Q值通常为几十到几百。4、分布电容线圈的匝与匝间、线圈与屏蔽罩间、线圈与底版间存在的电容被称为分布电容。分布电容的存在使线圈的Q值减小，稳定性变差，因而线圈的分布电容越小越好。 电子元器件基础知识（4）——半导体器件 中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W）、D-低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W）、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W）、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-
电子元器件的规格参 数
123电子元器件的规格参数 描述电子元器件的特性参数的数量称为它们的规格参数。规格参数包括标称值、额定值和允许偏差等。电子元器件在整机中要占有一定的体积空间，所以其外形尺寸也是一种规格参数。 电子元器件的质量系数：用于度量电子元器件的质量水平，通常描述了元器件的特性参数、规格参数环境因素变化的规律，或者划定了他们不能完成功能的边界条件。 电子工艺的质量参数一般有：温度系数、噪声电动势、高频特性及可靠性等，从整机制造工艺方面考虑，主要有机械强度和可焊性。 通常，用信噪比来描述电阻、电容、电感一类无源元件的噪声指标，对于晶体管或集成电路一类有源器件的噪声，则用噪声系数来衡量。在设计制作接收微弱信号的高增益放大器时，应当尽量选用低噪声的电子元器件。使用专用的“噪声测试仪”可以方便的测量出元器件的噪声指标。 电子元器件的命名与标注 通常电子元器件的名称应该反映出它们的种类、材料、特征、型号、生产序号和区别代号，并且能够表示出主要的电器参数。电子元器件的名称由字母和数字组成。对于元件来说，一般用一个字母代表它的主称，如R表示电阻器，C代表电容，L表示电感，W表示电位器，等等；用数字或字母表示其他信息。型号及参数在电子元器件上的标注：直标法、文字符号法和色标法。 文字符号法：①用元件的形状及其表面的颜色区别元件的种类，如在表面安装的元件中，除了形状的区别外，黑色表示电阻，棕色表示电容，淡蓝色表示电感。②电阻的基本标注单位是欧姆，电容的基本标注单位是皮法，电感的
基本标注单位是微亨；用三位数字标注元件的数值。③对于十个基本标注单位以上的元件，前两位数字表示数值的有效数字，第三位数字表示数值的倍率。例如， 对于电阻器上的标注，100表示其阻值为10×10^0=10,223表示其阻值为22×10^3=22K 对于电容器上的标注，103表示其容量为10×10^3pf=0.01uf,475表示其容量为47×10^5=4.7uf 对于电感器上的标注，820表示82×10^0=82Uh ④对于十个基本标注单位以下的元件，第一位、第三位数字表示数值的有效数字，第二位用字母R表示小数点。例如， 对于电阻器上的标注，3R9表示其阻值为3.9 色表法：在圆柱形元件（主要是电阻）上印制色环，在球形元件（电容、电感）和异形器件（如三极管）体上印制色点，表示它们的主要参数和特点，称为色码标注法。 用背景颜色区别种类——用浅色表示碳膜电阻，用红色表示金属膜或金属氧化膜电阻，深绿色表示线绕电阻。在研制电子产品是，要仔细分析电路的具体要求。在那些稳定性、耐热性、可靠性要求比较高的电路中，应该选用金属膜或金属氧化膜电阻；如果要求功率大、耐热性好，工作频率又不高，则可选用线绕电阻；对于无特殊要求的一般电阻则可使用碳膜电阻，以便降低成本。 电阻器的质量判别方法 ①看电阻器引线有无折断及外壳烧焦现象。
电子元器件命名- - （资料是刚工作时前辈们留给我的，仅供参考。需要更多资料请咨询https://www.doczj.com/doc/fa15627133.html,掌柜） 电子元器件,又叫电子芯片,半导体集成电路,广泛应用于各种电子电器设备上. 封装形式: 封装形式是指安装半导体集成电路芯片用的外壳.它不仅起着安装,固定,密封,保护芯片及增强电热性能等方面的作用,而且还通过芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上,这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件相连接.衡量一个芯片封装技术先进与否的重要指标是芯片面积与封装面积之比,这个比值越接近1越好. 封装大致经过了如下发展进程: 结构方面:TO->DIP->LCC->QFP->BGA ->CSP; 材料方面:金属,陶瓷->陶瓷,塑料->塑料; 引脚形状:长引线直插->短引线或无引线贴装->球状凸点; 装配方式:通孔插装->表面组装->直接安装. DIP Double In-line Package 双列直插式封装.插装型封装之一,引脚从封装两侧引出,封装材料有塑料和陶瓷两种.DIP是最普及的插装型封装,应用范围包括标准逻辑IC,存贮器LSI,微机电路等. PLCC Plastic Leaded Chip Carrier PLCC封装方式,外形呈正方形,32脚封装,四周都有管脚,外形尺寸比DIP封装小得多.PLCC封装适合用SMT表面安装技术在PCB上安装布线,具有外形尺寸小,可靠性高的优点. PQFP Plastic Quad Flat Package PQFP封装的芯片引脚之间距离很小,管脚很细,一般大规模或超大规模集成电路采用这种封装形式,其引脚数一般都在100以上.
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集成电路|电子元器件型号及功能查询(常用部份二) 1710 视频信号处理集成电路 0206A 天线开关集成电路 03VFG9 发射压控振荡集成电路 1021AC 发射压控振荡集成电路 1097C 升压集成电路 140N 电源取样比较放大集成电路 14DN363 伺服控制集成电路 15105 充电控制集成电路 15551 管理卡升压集成电路 1N706 混响延时集成电路 20810-F6096 存储集成电路 2252B 微处理集成电路 2274 延迟集成电路 24C01ACEA 存储集成电路 24C026 存储集成电路 24C04 存储集成电路 24C64 码片集成电路 24LC16B 存储集成电路 24LC65 电可改写编程只读存储集成电路 27C1000PC-12 存储集成电路 27C2000QC-90 存储集成电路 27C20T 存储集成电路 27C512 电可改写编程只读存储集成电路 2800 红外遥控信号接收集成电路 28BV64 码片集成电路 28F004 版本集成电路 31085 射频电源集成电路
32D54 电源、音频信号处理集成电路 32D75 电源、音频信号处理集成电路 32D92 电源中频放大集成电路 4066B 电子开关切换集成电路 4094 移位寄存串入、并出集成电路424260SDJ 存储集成电路 4260 动态随机存储集成电路 4270351/91B9905 中频放大集成电路4370341/90M9919 中频处理集成电路4464 存储集成电路 4558 双运算放大集成电路 4580D 双运算放大集成电路 47C1638AN-U337 微处理集成电路 47C1638AU-353 微处理集成电路 47C432GP 微处理集成电路 47C433AN-3888 微处理集成电路 49/4CR1A 中频放大集成电路 5101 天线开关集成电路 5G052 发光二极管四位显示驱动集成电路5G24 运算放大集成电路 5W01 双运算放大集成电路 649/CRIA70612 中频放大集成电路 673/3CR2A 多模转换集成电路 74122 可重触发单稳态集成电路 74HC04 逻辑与非门集成电路 74HC04D 六反相集成电路 74HC123 单稳态集成电路 74HC125 端口功能扩展集成电路 74HC14N 六反相集成电路
精品文档 精品文档 目 次 1 范围 ................................................................................ 1 2 规范性引用文件 ...................................................................... 1 3制订规则 ............................................................................. 1 3.1以B 开头的封装 ..................................................................... 1 3.2以C 开头的封装 ..................................................................... 1 3.3以D 开头的封装 ..................................................................... 2 3.4以E 开头的封装 ..................................................................... 2 3.5以F 开头的封装 ..................................................................... 2 3.6以G 开头的封装 ..................................................................... 2 3.7以H 开头的封装 ..................................................................... 2 3.8以K 开头的封装 ..................................................................... 2 3.9以L 开头的封装 ..................................................................... 2 3.10以R 开头的封装 .................................................................... 2 3.11以S 开头的封装 .................................................................... 3 3.12以T 开头的封装 .................................................................... 3 3.13以U 开头的封装 .................................................................... 3 3.14以V 开头的封装 .................................................................... 3 3.15以X 开头的封装 .................................................................... 3 3.16以Z 开头的封装 .. (4) 印制板设计 元器件封装命名规则
超详细的电子元器件选型指南（电阻器） 电阻器，简称电阻（Resistor,通常用“R”表示）是电路元件中应用最广的一种，在电子设备中约占元件总数的30%以上，其性能好坏对电路工作的稳定性有极大影响。它的主要用途是稳定和调节电路中的电流和电压，其次还可作为消耗电能的负载、分流器、分压器、稳压电源中的取样电阻、晶体管电路中的偏置电阻等。 一、基础知识 1.电阻的分类 电阻器的种类有很多，通常分为三大类：固定电阻、可变电阻、特殊电阻。固定电阻按照制作材料和工艺的不同，主要分为以下四大类： 2.电阻的型号命名方法 电阻器、电位器的命名由四部分组成：主称、材料、特征和序号。
3.主要性能指标 （1）标称阻值 产品上标示的阻值，单位为欧，千欧，兆欧，标称阻值都应符合下表所列数值乘 以10n倍（n为整数）。
（2）允许误差 电阻和电位器实际阻值对于标称阻值的最大允许偏差范围，它表示产品的精度。允许误差的等级如下表所示。 （3）额定功率 在规定的环境温度和湿度下，假定周围的空气不流通，在长期连续负载而不损坏或基本不改变性能的情况下，电阻器上允许消耗的最大功率，一般选用其额定功率比它在电路中消耗的功率高1-2倍。额定功率分19个等级，常用的有0.05W、0.125W、0.25W、0.5W、1W、2W、3W、5W、7W、10W。 （4）最高工作电压 电阻在长期工作不发生过热或电击穿损坏时的电压。如果电压超过规定值，电阻器内部产生火花，引起噪声，甚至损坏。 （5）稳定性 稳定性是衡量电阻器在外界条件（温度、湿度、电压、时间、负荷性质等）作用下电阻变化的程度。
温度系数a，表示温度每变化1度时，电阻器阻值的相对变化量; 电压系数av，表示电压每变化1伏时，电阻器阻值的相对变化量。 二、电阻器选型与运用 在电子电路设计的时候，应根据电子设备的技术指标、电路的具体要求和电阻的特性参数“因地制宜”地来选用电阻的型号和误差等级；额定功率应大于实际消耗功率的1.5-2倍；电阻装接前要测量核对，尤其是要求较高时，还要人工老化处理，提高稳定性。下面是有关电阻的选型基本原则。 1.电阻器的归一化选型 归一化选型原则只是针对电阻选型的一个“轮廓”，根据以往工程师的选型经验总结出来的，具有大众化的选型意义，在要求严格的电路设计中，还需要根据具体电路设计中的电器要求对电阻选型进行进一步的考量。 （1）金属膜电阻器：1W以下功率优选金属膜电阻；1W及1W以上功率优选金属氧化膜电阻； （2）熔断电阻器：不推荐使用。反应速度慢，不可恢复。建议使用反应快速、可恢复的器件，以达到保护的效果，并减少维修成本。 （3）绕线电阻器：大功率电阻器。 （4）集成电阻器：贴片化。插装项目只保留并联式，插装的独立式项目将逐步淘汰，用同一分类的片状集成电阻器替代。 （5）片状厚膜电阻器：在逐步向小型化、大功率方向发展，优选库会随着适应发展方向的变化而动态调整。这类电阻器是小功率电阻的优选对象。 （6）片状薄膜电阻器：建议使用较高精度类别。
电子元器件型号命名规则
一、中国半导体器件型号命名方法 半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件得型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分得意义分别如下: 第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2二极管、3三极管 第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件得材料与极性。 表示二极管时:AN型锗材料、BP型锗材料、CN型硅材料、DP型硅材料。 表示三极管时:APNP型锗材料、BNPN型锗材料、 CPNP型硅材料、DNPN型硅材料。 第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件得内型。 P普通管、V微波管、W稳压管、C参量管、Z整流管、L整流堆、S隧道管、 N阻尼管、U光电器件、K开关管、X低频小功率管(f<3MHz,Pc<1W)、 G高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、 A高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T半导体晶闸管(可控整流器)、 Y体效应器件、B雪崩管、J阶跃恢复管、CS场效应管、 BT半导体特殊器件、FH复合管、PINPIN型管、JG激光器件。 第四部分:用数字表示序号 第五部分:用汉语拼音字母表示规格号例如:3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。 二、日本半导体分立器件型号命名方法 日本生产得半导体分立器件,由五至七部分组成。 通常只用到前五个部分,其各部分得符号意义如下: 第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。 0光电(即光敏)二极管三极管及上述器件得组合管、 1二极管、 2三极或具有两个pn结得其她器件、
3具有四个有效电极或具有三个pn结得其她器件、 ┄┄依此类推。 第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。 S表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记得半导体分立器件。 第三部分:用字母表示器件使用材料极性与类型。 APNP型高频管、 BPNP型低频管、 CNPN型高频管、 DNPN型低频管、 FP控制极可控硅、 GN控制极可控硅、 HN基极单结晶体管、 JP沟道场效应管,如2SJ KN沟道场效应管,如2SK M双向可控硅。 第四部分:用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记得顺序号。 两位以上得整数从“11”开始,表示在日本电子工业协会JEIA登记得顺序号; 不同公司得性能相同得器件可以使用同一顺序号;数字越大,越就是近期产品。 第五部分:用字母表示同一型号得改进型产品标志。 A、B、C、D、E、F表示这一器件就是原型号产品得改进产品。 三、美国半导体分立器件型号命名方法 美国晶体管或其她半导体器件得命名法较混乱。 美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下: 第一部分:用符号表示器件用途得类型。 JAN军级、 JANTX特军级、 JANTXV超特军级、 JANS宇航级、 无非军用品。 第二部分:用数字表示pn结数目。1二极管、2=三极管、3三个pn结器件、nn个pn结器件。 第三部分:美国电子工业协会(EIA)注册标志。 N该器件已在美国电子工业协会(EIA)注册登记。 第四部分:美国电子工业协会登记顺序号。 多位数字该器件在美国电子工业协会登记得顺序号。 第五部分:用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄同一型号器件得不同档别。如: JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管 JAN军级、 2三极管、 NEIA注册标志、 3251EIA登记顺序号、 A2N3251A档。 四、国际电子联合会半导体器件型号命名方法 德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家,大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成,各部分得符号及意义如下: