华南理工大学2020年硕士研究生入学《半导体物理（923）》考试大纲及参考书目
2012年硕士研究生招生复试内容及评分方案 复试程序： 1.考生凭复试通知书报到，领取复试流程表； 2.进行复试资格审查：应届生须持学生证、身份证、准考证、本科阶段成绩单的原件及所有复印件；往届考生须持毕业证、学位证、身份证、准考证原件及复印件接受审查，并收取所有复印件； 3.通过复试的考生发放《体检表》并通知考生体检地点：校医院； 4.双向选择，确定导师； 5.对通过体检拟录取的考生发放以下材料： （1）政审表 （2）考生人事档案调档函（不含委培和定向考生） （3）协议书 6.各专业复试时间及地点： 0832食品科学与工程一级学科（含食品科学，粮食、油脂及植物蛋白工程，食品质量与安全，农产品、水产品加工与贮藏工程，食品工程专业共6个专业）：3月26日上午8:00到院办报到，8：30到13号楼东糖厅进行笔试； 0822轻工技术与工程一级学科（含制糖工程，淀粉资源科学与工程，制糖工程专业学位共3
个专业）：3月27日上午8：00到院办报到，8：30到13号楼东糖厅进行笔试； 0822轻工技术与工程一级学科（含制浆造纸工程专业）：3月28日上午8;00到院办13号楼111室报到，9:00到造纸楼7楼会议室进行笔试。 复试方式： 1.专业课笔试（按2012硕士招生专业目录公布的考核科目执行）； 2.进行英语听力和口语面试（10％）； 3.进行专业知识与综合素质面试； 录取原则： 1.本着公平、公开、公正的原则进行研究生录取工作，并严格遵守学校招生办公室制定的硕士研究生录取的原则和要求。 2.对通过全国统一考试考入我院的研究生，严格按各专业学生的初试和复试加权总成绩排名顺序从高分到低分确定全日制硕士研究生录取名单以及奖学金资助名额。 3.复试不及格（小于60分）者，不录取。 4.录取总成绩＝初试总分×50％＋复试成绩×50％×5。 5.按照食品科学与工程一级学科（含食品科学，粮食、油脂及植物蛋白工程，食品质量与安全，农产品、水产品加工与贮藏工程专业共5个专业）、轻工技术与工程一级学科（含制糖工程，淀粉资源科学与工程共2个专业）组织面试，按录取总成绩从高到低分一级学科录取考生，确定拟录取名单后，“双向选择”导师。 6.实施差额复试，食品科学与工程一级学科（含食品科学，粮食、油脂及植物蛋白工程，食品质量与安全，农产品、水产品加工与贮藏工程，食品工程专业共6个专业）比例为130%（不含推免生）；轻工技术与工程一级学科（含制糖工程，淀粉资源科学与工程，制糖工程专业学位共3个专业）比例为110%（不含推免生）。
一、p-n结 1.PN结的杂质分布、空间电荷区，电场分布 （1）按照杂质浓度分布，PN 结分为突变结和线性缓变结 突变结--- P区与N区的杂质浓度都是均匀的，杂质浓度在冶金结面处（x = 0）发生突变。 单边突变结---一侧的浓度远大于另一侧，分别记为PN+ 单边突变结和P+N 单边突变结。后面的分析主要是建立在突变结（单边突变结）的基础上 突变结近似的杂质分布。
线性缓变结--- 冶金结面两侧的杂质浓度均随距离作线性变化，杂质浓度梯 a 为常数。在线性区 () N x ax =- () 常数 = - = dx N N d a a d 线性缓变结近似的杂质分布。
空间电荷区：PN结中，电子由N区转移至P区，空穴由P区转移至N区。电子和空穴的转移分别在N区和P区留下了未被补偿的施主离子和受主离子。它们是荷电的、固定不动的，称为空间电荷。空间电荷存在的区域称为空间电荷区。 （2）电场分布 2.平衡载流子和非平衡载流子 （1）平衡载流子--处于非平衡状态的半导体,其载流子浓度为n0和p0。 （2）非平衡载流子--处于非平衡状态的半导体，其载流子浓度也不再是n0和p0（此处0是下标），可以比他们多出一部分。比平衡状态多出来的这部分载流子称为非平衡载流子 3. Fermi 能级，准Fermi 能级，平衡PN结能带图，非平衡PN结能带图 (1)Fermi 能级:平衡PN结有统一的费米能级。 （2）当pn结加上外加电压V后，在扩散区和势垒区范围内，电子和空穴没有统一的费米能级，分别用准费米能级。 （3）平衡PN结能带图
（4）非平衡PN结能带图
1.布喇格定律（相长干涉）：点阵周期性导致布喇格定律。 2.晶体性质的周期性：电子数密度n(r)是r的周期性函数，存在 3.2πp/a被称为晶体的倒易点阵中或傅立叶空间中的一个点，倒易点中垂线做直线可得布里渊区。 3.倒易点阵： 4.衍射条件：当散射波矢等于一个倒易点阵矢量G时，散射振幅 达到最大 波矢为k的电子波的布喇格衍射条件是： 一维情况（布里渊区边界满足布拉格）简化为： 当电子波矢为±π/a时，描述电子的波函数不 再是行波，而是驻波（反复布喇格反射的结果） 5.布里渊区： 6.布里渊区的体积应等于倒易点阵初基晶胞的体积。 7.简单立方点阵的倒易点阵，仍是一个简立方点阵，点阵常数为2π/a，第一布里渊区是个以原点为体心，边长为2π/a的立方体。 体心立方点阵的倒易点阵是个面心立方点阵，第一布里渊区是正菱形十二面体。面心立方点阵的倒易点阵是个体心立方点阵，第一布里渊区是截角八面体。 8.能隙（禁带）的起因：晶体中电子波的布喇格反射－周期性势场的作用。（边界处布拉格反射形成驻波，造成能量差）
9.第一布里渊区内允许的波矢总数=晶体中的初基晶胞数N －每个初基晶胞恰好给每个能带贡献一个独立的k值； －直接推广到三维情况考虑到同一能量下电子可以有两个相反的自旋取向，于是每个能带中存在2N个独立轨道。 －若每个初基晶胞中含有一个一价原子，那么能带可被电子填满一半； －若每个原子能贡献两个价电子，那么能带刚好填满；初基晶胞中若含有两个一价原子，能带也刚好填满。 绝缘体：至一个全满，其余全满或空（初基晶胞内的价电子数目为偶数,能带不 交叠）2N. 金属：半空半满 半导体或半金属：一个或两个能带是几乎空着或几乎充满以外，其余全满 （半金属能带交叠） 10.自由电子： 11.半导体的E-k关系： 导带底：E(k)>E(0)，电子有效质量为正值； 价带顶：E(k) 复试程序： 2014年3月29日 上午8:30凭复试通知书报到，进行复试资格审查，报到地点： 化学考生：逸夫工程馆108室； 化工及专硕考生：逸夫工程馆105室； 请考生报到时携带以下材料： 应届生：学生证、二代身份证、大学成绩单的原件及所有复印件 往届考生：毕业证、学位证、二代身份证、大学成绩单的原件（或加盖档案单位红章的成绩单复印件）及所有复印件 （报到时间地点若有更改，以招办系统打印的复试通知书为准） 下午2:30-4:30笔试，报到地点如下： 复试笔试科目为《基础化学》的考生：34号楼340501 复试笔试科目为《化工原理》的考生：34号楼340502、340503 复试笔试科目为《物理化学（二）》的考生：34号楼340504 2014年3月30日 上午8：00面试 按照考生初试成绩正态分布，将化工学科、化学学科考生分成若干组，同时进行外语口语听力和专业知识综合面试，地点：学院各办公室，届时具体通知。 晚上7：30左右 一、公布录取排名表，按照录取总成绩排名确定录取名单，同时确定获各等次奖学金及全日制专业学位考生名单。地点：学院工程馆大厅布告栏。 二、拟录取考生持学院“录取成绩小条”，根据张贴的导师招生信息，直接去各位导师办公室进行双向选择，确定导师和专业。材料分发地点：学院工程馆105室。 三、确定好导师、专业的考生请立即返回学院工程馆105室登记并领取《体检表》（体检表上需一张照片及加盖学院公章）。 四、成绩小条收取截止时间：晚上10点。未找到导师签名录取的考生，请第二天上午找好导师签名后将成绩单小条交至逸夫工程馆108室。 2014年3月31日 上午8:00-10:30体检，需携带《复试流程表》、《体检表》及时参加校医院体检。 下午3:00体检通过的拟录取考生至学院工程馆105室交回《复试流程表》，并领取以下材料： 1、《调档函》、（委培与强军计划、少高计划考生除外） 2、《政审表》 复试方式： 1. 专业课笔试 2014年招生专业目录公布的复试笔试科目：《化工原理》、《物理化学（二）》、《基础化学》，时间2小时，满分100分，占复试成绩30%，闭卷考试。 2. 外语口语和听力测试 口语与听力相结合，时间约5分钟，满分100分，占复试成绩10%。 3. 专业知识与综合素质面试 专业知识与综合素质面试时间约15分钟，满分100分，占复试成绩60%。 每位考生面试结束后，由复试小组教师独立为考生当场打分，并填写《华南理工大学硕士研究生复试情况登记表》。 录取原则： 1、本着公平、公开、公正的原则进行研究生录取工作，并严格遵守学校招生办公室制定的硕士研究生录取的原则和要求。 2、复试不及格（小于60分）者，不予录取；体检不合格者不予录取。 3、录取总成绩＝初试总分×50％＋复试成绩×50％×5。 4、按照“化学工程与技术”、“化学”一级学科组织面试，按录取总成绩从高到低按一级学科录取考生，确定拟录取名单后，“双向选择”导师。 5、实施差额复试，比例约为140%（不含推免生）。 华南理工大学2012年硕士研究生复试基本分数线 来源：考试大 2012年3月8日【考试大：中国教育考试第一门户】 华南理工大学2012年硕士研究生最低复试分数线 (一)参加全国统考及联考的考生 类型报考学科门类（专业）政治外语业务一业务二总分 学术型01哲学50 45 90 90 320 02经济学55 55 90 90 350 03法学（不含马克思主义理论）50 50 90 90 335 0305马克思主义理论50 45 90 90 320 04教育学（不含体育学）60 60 180 —315 0403体育学50 45 200 315 05文学60 60 90 90 355 07理学50 50 85 85 315 08工学50 50 85 85 330 12管理学55 55 90 90 350 13艺术学40 30 85 85 295 专业学位0251金融硕士55 55 90 90 350 0351法律硕士50 50 80 80 315 0551艺术硕士40 30 85 85 295 0552翻译硕士60 60 90 90 355 0851建筑学硕士50 50 90 90 330 0852工程硕士（不含软件工程）50 50 85 85 330 085212软件工程采用教育部一区工程硕士线 0953风景园林硕士50 50 90 90 330 1253会计硕士—50 105 —190 1251工商管理硕士 1252公共管理硕士 1256工程管理硕士 —50 105 —178 (二)参加全国统考、面向行业委托培养的考生 030105民商法学(知识产权方向)：总分310，单科不限。 (三)参加单独考试的考生 08工学：总分290，单科不限; 12管理学：总分300，单科不限; (四)强军计划考生：总分240，单科不限。 (五)参加全国统考，满足以下条件之一，一门单科成绩低于所在类型要求5分以内者可参加复试： 1.数学一、二、三成绩在135分以上; 2.我校自命题专业科目成绩在135分以上，且在该科目排名前10%(或排名第一); 3.报考07理学、08工学，总分370分以上且业务课一、业务课二均在120分以上。 (六)参加全国统考，报考0301法学专业，成绩满足法律硕士(法学)要求，报考07理学、08工学专业，成绩满足软件硕士要求，可申请参加相关专业学位复试。 第一章习题 1．设晶格常数为a 的一维晶格，导带极小值附近能量E c (k)和价带极大值附近 能量E V (k)分别为： E c =0 2 20122021202236)(,)(3m k h m k h k E m k k h m k h V - =-+ 0m 。试求： 为电子惯性质量，nm a a k 314.0,1== π （1）禁带宽度; （2）导带底电子有效质量; （3）价带顶电子有效质量; （4）价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化 解：（1） eV m k E k E E E k m dk E d k m k dk dE Ec k k m m m dk E d k k m k k m k V C g V V V c 64.012)0()43 (0,060064 3 382324 3 0)(2320 212102220 202 02022210 1202==-==<-===-==>=+===-+ 因此：取极大值 处，所以又因为得价带： 取极小值处，所以：在又因为：得：由导带： 04 32 2 2*8 3)2(1 m dk E d m k k C nC === s N k k k p k p m dk E d m k k k k V nV /1095.704 3 )() ()4(6 )3(25104 3002 2 2*1 1 -===?=-=-=?=- == 所以：准动量的定义： 2. 晶格常数为0.25nm 的一维晶格，当外加102V/m ，107 V/m 的电场时，试分别计 算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。 解：根据：t k h qE f ??== 得qE k t -?=? s a t s a t 137 19 282 1911027.810 10 6.1)0(102 7.810106.1) 0(----?=??-- =??=??-- = ?π π 补充题1 分别计算Si （100），（110），（111）面每平方厘米内的原子个数，即原子面密度（提 示：先画出各晶面内原子的位置和分布图） Si 在（100），（110）和（111）面上的原子分布如图1所示： （a ）(100)晶面 （b ）(110)晶面 物理化学复习提纲 （华南理工大学物理化学教研室葛华才） 第一章气体 一．重要概念 理想气体，分压，分体积，临界参数，压缩因子，对比状态 二．重要关系式 (1) 理想气体：pV=nRT , n = m/M (2) 分压或分体积：p B=c B RT＝p y B (3) 压缩因子：Z = pV/RT 第二章热力学第一定律与热化学 一、重要概念 系统与环境，隔离系统，封闭系统，(敞开系统)，广延量(加和性：V，U，H，S，A，G)，强度量(摩尔量，T，p)，功，热，内能，焓，热容，状态与状态函数，平衡态，过程函数(Q，W)，可逆过程，节流过程，真空膨胀过程，标准态，标准反应焓，标准生成焓，标准燃烧焓 二、重要公式与定义式 1. 体积功：W= -p外dV 2. 热力学第一定律：U = Q+W，d U =Q +W 3．焓的定义：H=U + pV 4．热容：定容摩尔热容 C v ，m = Q V /dT = (U m/T )V 定压摩尔热容 C p ，m = Q p /dT = (H m/T )P 理性气体：C p，m- C v，m=R；凝聚态：C p，m- C v，m≈0 理想单原子气体C v，m =3R/2，C p，m= C v，m+R=5R/2 5. 标准摩尔反应焓：由标准生成焓 f H B (T)或标准燃烧焓 c H B (T)计算 r H m = v B f H B (T) = -v B c H B (T) 6. 基希霍夫公式(适用于相变和化学反应过程) ?r r r=?r r r r(r1)+∫?r r r,r r2 r1 rr 7. 恒压摩尔反应热与恒容摩尔反应热的关系式 Q p -Q v = r H m(T) -r U m(T) =v B(g)RT 8. 理想气体的可逆绝热过程方程： p 1V 1 ?= p 2 V 2 ?，p 1 V 1 /T1 = p2V2/T2，?=C p，m/C v，m 三、各种过程Q、W、U、H的计算1．解题时可能要用到的内容 (1) 对于气体，题目没有特别声明，一般可认为是理想气体，如N 2，O 2 ，H 2 等。 恒温过程d T=0，U=H=0，Q=W 非恒温过程，U = n C v，m T，H = n C p，m T 单原子气体C v ，m =3R/2，C p，m = C v，m+R = 5R/2 (2) 对于凝聚相，状态函数通常近似认为只与温度有关，而与压力或体积无关，即 U≈H= n C p，m T 第一章、 半导体中的电子状态习题 1-1、 什么叫本征激发？温度越高，本征激发的载流子越多，为什么？试定性说 明之。 1-2、 试定性说明Ge 、Si 的禁带宽度具有负温度系数的原因。 1-3、试指出空穴的主要特征。 1-4、简述Ge 、Si 和GaAS 的能带结构的主要特征。 1-5、某一维晶体的电子能带为 [])sin(3.0)cos(1.01)(0ka ka E k E --= 其中E 0=3eV ，晶格常数a=5х10-11m 。求： （1） 能带宽度； （2） 能带底和能带顶的有效质量。 题解： 1-1、 解：在一定温度下，价带电子获得足够的能量（≥E g ）被激发到导带成 为导电电子的过程就是本征激发。其结果是在半导体中出现成对的电子-空穴对。如果温度升高，则禁带宽度变窄，跃迁所需的能量变小，将会有更多的电子被激发到导带中。 1-2、 解：电子的共有化运动导致孤立原子的能级形成能带，即允带和禁带。温 度升高，则电子的共有化运动加剧，导致允带进一步分裂、变宽；允带变宽，则导致允带与允带之间的禁带相对变窄。反之，温度降低，将导致禁带变宽。因此，Ge 、Si 的禁带宽度具有负温度系数。 1-3、 解：空穴是价带中未被电子占据的空量子态，被用来描述半满带中的大量 电子的集体运动状态，是准粒子。主要特征如下： A 、荷正电：+q ； B 、空穴浓度表示为p （电子浓度表示为n ）； C 、E P =-E n D 、m P *=-m n *。 1-4、 解： （1） Ge 、Si: a ）Eg (Si ：0K) = 1.21eV ；Eg (Ge ：0K) = 1.170eV ； b ）间接能隙结构 c ）禁带宽度E g 随温度增加而减小； （2） GaAs ： a ）E g （300K ）= 1.428eV ，Eg (0K) = 1.522eV ； b ）直接能隙结构； c ）Eg 负温度系数特性： dE g /dT = -3.95×10-4eV/K ； 1-5、 解： （1） 由题意得： [][] )sin(3)cos(1.0)cos(3)sin(1.002 22 0ka ka E a k d dE ka ka aE dk dE +=-= 华南理工大学半导体物理试题 2006年华南理工大学半导体物理试题 一、解释下列概念：（20分） 1、霍尔效应： 2、共有化运动 3、杂质补偿 4、肖特基势垒 5、非平衡载流子寿命 二、简述硅和砷化镓能带结构的异同。（10分） 三、简述产生半导体激光的基本条件。（10分） 四、简述半导体光吸收的主要物理过程，并在能带示意图上定性表示之。（10分） 五、试述什么是简并、非简并半导体；给出非简并、弱简并及简并半导体的区分标准，并说明其含义。（15分） 六、请解释迁移率概念，并说明对于半导体硅而言影响其迁移率的主要因素。（15分） 七、请定性画出n-n型异质结平衡时能带图，并给予简要解释。（15分） 八、用n型Si衬底制成MOS电容，解释该结构在积累、耗尽、弱反型、强反型下的电容值变化规律，并画出高频、低频的C-V曲线。（15分） 九、在半导体硅材料中掺入施主杂质浓度ND = 1015/cm3，受主杂质浓度NA = p =μn = 1350cm2/(V.S), μ.cm，假设电子和空穴的迁移率分别为Ωi=2.2×105ρ4×1014/cm3；设室温下本征硅材料的电阻率 500cm2/(V.S)，不考虑杂质浓度对迁移率的影响，求掺杂样品的电导率。（20分） 十、施主浓度ND = 1016/cm3的n型单晶硅片，求室温下功函数是多少？若忽略表面态的影响，当它同金属Al、Au、Mo接触时，分别形成何种接触？并定性画出该n型硅与金属Al接触前后的能带示意图。已知硅的电子亲和能Xs =4.0eV，NC = 1019/cm3，设金属的功函数分别为Wal = 4.05 eV, WAu = 5.20eV, WMo = 4.21 eV。（20 西安电子科技大学2018考研大纲：半导体 物理与器件物 出国留学考研网为大家提供西安电子科技大学2018考研大纲：801半导体物理与器件物理基础，更多考研资讯请关注我们网站的更新! 西安电子科技大学2018考研大纲：801半导体物理与器件物理基础 “半导体物理与器件物理”(801) 一、 总体要求 “半导体物理与器件物理”(801)由半导体物理、半导体器件物理二部分组成，半导体物理占60%(90分)、器件物理占40%(60分)。 “半导体物理”要求学生熟练掌握半导体的相关基础理论，了解半导体性质以及受外界因素的影响及其变化规律。重点掌握半导体中的电子状态和带、半导体中的杂质和缺陷能级、半导体中载流子的统计分布、半导体的导电性、半导体中的非平衡载流子等相关知识、基本概念及相关理论，掌握半导体中载流子浓度计算、电阻(导)率计算以及运用连续性方程解决载流子浓度随时间或位置的变化及其分布规律等。 “器件物理”要求学生掌握MOSFET器件物理的基本理 论和基本的分析方法，使学生具备基本的器件分析、求解、应用能力。要求掌握MOS基本结构和电容电压特性;MESFET器件的基本工作原理;MOSFET器件的频率特性;MOSFET器件中的非理想效应;MOSFET器件按比例缩小理论;阈值电压的影响因素;MOSFET的击穿特性;掌握器件特性的基本分析方法。 “半导体物理与器件物理”(801)研究生入学考试是所学知识的总结性考试，考试水平应达到或超过本科专业相应的课程要求水平。 二、 各部分复习要点 ●“半导体物理”部分各章复习要点 (一)半导体中的电子状态 1.复习内容 半导体晶体结构与化学键性质，半导体中电子状态与能带，电子的运动与有效质量，空穴，回旋共振，元素半导体和典型化合物半导体的能带结构。 2.具体要求 半导体中的电子状态和能带 半导体中电子的运动和有效质量 本征半导体的导电机构 半导体物理学 刘恩科第七版习题答案 ---------课后习题解答一些有错误的地方经过了改正和修订！ 第一章 半导体中的电子状态 1．设晶格常数为a 的一维晶格，导带极小值附近能量E c (k)和价带极大值附近能量E V (k)分别 为： 2 20122021202236)(,)(3Ec m k m k k E m k k m k V - =-+= 0m 。试求：为电子惯性质量，nm a a k 314.0,1==π （1）禁带宽度; （2）导带底电子有效质量; （3）价带顶电子有效质量; （4）价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化 解：10 9 11010 314.0＝-?= =π π a k （1） J m k m k m k E k E E m k k E E k m dk E d k m k dk dE J m k Ec k k m m m dk E d k k m k k m k dk dE V C g V V V V c C 17 31 210340212012202 1210 12202220 21731 2 103402 12102 02022210120210*02.110 108.912)1010054.1(1264)0()43(6)(0,0600610*05.310108.94)1010054.1(4Ec 430 382324 3 0) (232------=????==-=-== =<-===-==????===>=+== =-+= 因此：取极大值处，所以又因为得价带： 取极小值处，所以：在又因为：得：由导带： 04 32 2 2*8 3)2(1 m dk E d m k k C nC === s N k k k p k p m dk E d m k k k k V nV /1095.71010054.143 10314.0210625.643043)() ()4(6 )3(2510349 3410 4 3 002 2 2*1 1 ----===?=???=?? ??=-=-=?=- ==ππ 所以：准动量的定义： 2. 晶格常数为0.25nm 的一维晶格，当外加102V/m ，107 V/m 的电场时，试分别计算电子自能 带底运动到能带顶所需的时间。 解：根据：t k qE f ??== 得qE k t -?=? s a t s a t 137 19282 199 3421911028.810106.1) 0(1028.810106.11025.0210625.610106.1)0(-------?=??--=??=??-?-??=??--=?π π ππ 第二章 半导体中杂质和缺陷能级 7. 锑化铟的禁带宽度Eg=0.18eV ，相对介电常数εr =17，电子的有效质量 *n m =0.015m 0, m 0为电子的惯性质量，求①施主杂质的电离能，②施主的弱束缚电子基态轨道半径。 华南理工大学分析化学试题A卷 A. 30.44 B. 30.52 C. 30.48 D. 30.12 4．滴定度是标准溶液浓度的表示方式之一，其表达式为(A为被测 组分，B为标准溶液)： A. T A/B = m A/V B B. T B/A = m B/V A C. T A/B = V B / m A D. T B/A = V B / m A 5．.在下列各组酸碱组分中，不属于共轭酸碱对的是： A．HCN-NaCN，B．H3PO4- Na3PO4 C．H2CO3 - NaHCO3D．NH4+ - NH3 6．下列物质中，可以直接配成标准溶液的物质是： A．NaOH，B．KMnO4 C．ZnO D．AgNO3 7．有A、B两份不同浓度的有色溶液，A溶液用1.0cm吸收池， B溶液用2.0cm吸收池，在同一波长下测得的吸光度的值相等， 则它们的浓度关系为： A．A是B的1/2； B. A等于B； C．B是A的4倍； D. B是A的1/2 8．液液萃取分离中，同一物质的分配系数K D与分配比D的数值不同，这是因为该物质在两相中的 A．浓度不同； B. 溶解度不同； C．化合能力不同； D. 存在形式不同 9．离子选择性电极的电位选择性系数可用于： A. 估计电极的检测限 B. 估计共存离子的干扰程度 C. 校正方法误差 D. 计算电极的响应斜率 10．电位滴定是以测量电位的变化情况为基础，下列因素影响最大的是： A. 参比电极； B. 液接电位； C. 不对称电位； D. 被测离子活度 11. 若分光光度计的仪器测量误差ΔT＝0.5％，在T＝50％时，由测量引起 的浓度相对误差为： A．1.0％B． 1.4％C． 1.8％ D．2.2％ 我是2013届考生，现在已经满心喜悦的到我心目中理想的大学——华南理工大学电路与系统专业读研。在整个考研过程中，可谓有苦有乐、有酸有甜、感慨万千、感触颇深。为了感谢众多师姐师哥们的帮助，当然也要感谢文思华工考研网的老师的帮助，本人在此写下自己考研路上的心得体会，有利于即将面临考研的学弟学妹们参考采纳。一、作息时间我在考研之前常听人说：要考研就必须早晨5点半起，晚上十二点以后睡。你们听听，多恐怖啊！要杀人哪？虽然本人睡觉比一般人多点，但也不是随主观思想来否定这种说法，我是站在科学的立场上来说理的。大家都知道考研复习可不是平常的过家家，睁一只眼闭一只眼就搞定了的。复习是在精神饱满的前提下才可以达到perfect状态的。所以，我个人认为睡到感觉精神饱满时再起为妙，因为我当时每天都是睡到自然醒的。呵呵！二、考研辅导班随着考研大军数量的猛增，考研辅导班也可谓是五花八门，百家争鸣叫什么的都有。但我们怎么选择呢？有些同学也会问到：报考研班到底有没有用呢？依我看，用处肯定是有，但一定不要盲目崇拜。考研班的主要作用是给考生充当一个领路标。可以让你知道往什么方向努力，从什么角度思考，怎样去学习复习，也可以把各知识点串成一条主线让你有从下手。我认为这就已经足够了，达到报班的目的了。顺便说一下，我当时报的是文思华工考研网的VIP高辅计划班，数、英、政三科，对一个跨考的我而言，正如前面所说效果还是很明显的，帮我节约了很多时间，提高了我的效率。三、考研辅导书这可是考生花消的一个重头戏。有些考生买的书不少，看的不多，有什么用？白扔钱！浪费！所以买书也有技巧，不能看见什么就买什么。而是应该选择确实适合自己的书去买。比如针对自己的弱项，听周围的“战友”推进，还有辅导班的老师推荐。虽说大都以赢利为、目的的吧，但这些书毕竟是老师凭多年经验编写出来的。有一定的权威，值得一读！我当时专业课复习资料是用文思华工考研网的《华南理工大学信号与系统考研复习精编》的全套用书，这里面包含了历年真题，感觉不错！四、放松发泄考研复习过程中，难免会遇到心烦意乱，脑子不富裕，甚至抓狂的时候。怎么办？继续强压情绪学习？完了！要是继续学习那不但学不好，而且面临精神崩溃的危机！不是吓唬人的！实话！这时候可以选择几种方法调节：1、发愣。2、户外瞎溜达。3、找人胡侃。4、玩电脑游戏。因为在玩的同时还会欣赏音乐放松。复习郁闷了怎么办？发泄呗！有助于保持心情舒畅，有利于身心健康！发泄的方式有多种，大家自己选择吧！不过千万不要干违法的事情啊！推荐我当时的发泄方法。很绿色环保还健康：每次下了自习把水壶里的水全部洒向天空，尽全力向最高处抛！然后看到一大片地面下一场暴雨！爽啊！！不要在乎周围的人怎么评价你，总之自己心里爽快是最好的！哈哈……五、幸运女神有人说考研成功：七分在个人，三分靠运气。这话太真了！因为我在考研路上长途跋涉时遇见了“幸运女神”一位长的很漂亮，身材极好，而且她的笑容是如此阳光，能让人化解一切烦恼和忧郁！也许是天意，我们认识了！然后就不约而同的去一个自习室学习，有时和她搭话，她很爱笑。每次看到她阳光般的笑容就瞬间有了动力，感觉很好玩像童话一样。最神的要数考研的第一天晚上，那天考完政治和英语感觉很疲惫了，我躺在宿舍的床上饭也懒的吃，而且感觉考的不那么理想，心理很难受，更别说复习了。这时，我宿舍的几个哥们儿买饭回来了，一进门就告诉我那个女生去上自习了，让我赶快去找她。我一听赶快从床上蹦下来，收拾书包去自习室找她，因为很想和她说机几句话！结果真的就找到了她！我又恢复了精神，终于拿起书本能够看下去了。结果第二天考试一道专业课的工程数学题正是与我这天晚上看的题非常的类似！12大分呢！丢了这12分，我就不用说结果了吧！这不是我的幸运女神吗！不过可惜的是，考完研以后就再也没有见到过她了。唉！不管怎样，我从内心里感谢她祝她永远健康快乐吧！好了！写了这么多，希望能对即将考研的学弟学妹们有所启发！现在回忆起起来，这些难忘的经历真是一笔无形的财富啊！总之，考研是一场马拉松比赛，谁坚持到最后谁就会笑的最灿烂！ 祝：所有考研的战友们考研成功！ 第五章习题 1. 在一个n 型半导体样品中，过剩空穴浓度为1013cm -3, 空穴的寿命为100us 。计算空穴的复合率。 2. 用强光照射n 型样品，假定光被均匀地吸收，产生过剩载流子，产生率为, 空穴寿命为τ。 （1）写出光照下过剩载流子所满足的方程； （2）求出光照下达到稳定状态时的过载流子浓度。 3. 有一块n 型硅样品，寿命是1us ，无光照时电阻率是10Ω?cm 。今用光照射该样品，光被半导体均匀的吸收，电子-空穴对的产生率是1022cm -3?s-1,试计算光照下样品的电阻率，并求电导中少数在流子的贡献占多大比例？ s cm p U s cm p U p 31710 10010 313/10U 100,/10613 ==?= ====?-??-τ τμτ得：解：根据？求：已知：τ τ τ ττ g p g p dt p d g Ae t p g p dt p d L L t L =?∴=+?-∴=?+=?+?-=?∴-. 00 )2()(达到稳定状态时，方程的通解：梯度，无飘移。 解：均匀吸收，无浓度cm s pq nq q p q n pq np cm q p q n cm g n p g p p n p n p n p n L /06.396.21.0500106.1101350106.11010.0:101 :1010100 .19 16191600'000316622=+=???+???+=?+?++=+=Ω=+==?==?=?=+?-----μμμμμμσμμρττ光照后光照前光照达到稳定态后 4. 一块半导体材料的寿命τ=10us ，光照在材料中会产生非平衡载流子，试求光照突然停止20us 后，其中非平衡载流子将衰减到原来的百分之几？ 5. n 型硅中，掺杂浓度N D =1016cm -3, 光注入的非平衡载流子浓度?n=?p=1014cm -3。计算无光照和有光照的电导率。 % 2606.38.006.3500106.1109. ,.. 32.0119 161 0' '==???=?∴?>?Ω==-σσ ρp u p p p p cm 的贡献主要是所以少子对电导的贡献献 少数载流子对电导的贡 。 后，减为原来的光照停止%5.1320%5.13) 0() 20()0()(1020 s e p p e p t p t μτ ==???=?--cm s q n qu p q n p p p n n n cm p cm n cm p n cm n K T n p n i /16.21350106.110:,/1025.2,10/10.105.1,30019160000003403160314310=???=≈+=?+=?+=?===?=??==---μμσ无光照则设半导体的迁移率） 本征空穴的迁移率近似等于的半导体中电子、注：掺杂有光照131619140010(/19.20296.016.2)5001350(106.11016.2) (: --=+=+???+≈+?++=+=cm cm s nq q p q n pq nq p n p n p n μμμμμμσ 一、单项选择题（按题目中给出的字母A、B、C、D，您认为哪一个是正确的，请写在指定的表格内）（每题1.5分，共30分） 题号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 答案 题号11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 答案 1．用来表示核外某电子运动状态的下列各组量子数（n, l i,m i , s i ）中，哪一组 是合理的？ （A） 2， 1， -1， -1/2；（B） 0， 0， 0，1/2 （C） 3， 1， 2， 1/2；（D）2， 1， 0， 0 2．若将N原子的基电子组态写成1s22s22p x 2p y 1违背了下列的哪一条？ （A） Pauli 原理；（B） Hund规则；（C）能量最低原理；（D） Bohr理论。 3．在以下四种电子组态的原子中，第一电离能最大的是哪一个？（A） ns2np6；（B） ns2np5； （C） ns2np4；（D） ns2np3。 4. 下列哪种晶体熔化时,需要破坏共价键的作用? （A）HF; （B）Al; （C）KF; （D）SiO 2 ; 5. 石墨中,下列哪种结合力是层与层之间的结合力? （A）共价键; （B）范德华力 （C）离子键; （D）金属键; 6.下列哪一种物质中存在氢键作用? （A）H 2Se; （B）C 2 H 5 OH （C）HCl; （D） C 6H 6 ; 7．当0.20mol·L-1HA（K=1.0×10-5）处于平衡状态时，其溶液中物质的量浓 度最小的是 （A） H+（B）OH- （C） A-（D）HA 8．反应：NO(g)+CO(g)1 2 N2(g)+CO2(g)的 r H= -374kJ·mol-1，为提高NO 和CO转化率，常采取的措施是 https://www.doczj.com/doc/455923415.html,/?fromcode=9822 2020年华南理工大学电气工程考研经验分享 相信每一个考研的同学都准备好了悬梁刺股的拼搏劲儿，然而每一件事都是起步最难，考研亦是如此，所以考研该从那开始呢？ ?关于信息的收集（极为重要的一步） 关于院校的选择，首先要知道的就是报考院校的相关消息，比如招多少人，专业课用什么参考书，分数线是多少，报录比，专业课大纲等这些都是必须要搞清楚的。考研是一场信息战，在确定好了专业和院校之后，能否搜集到更多的信息，成为了一个关键。 首先，报考院校官网。这上面会发布大纲、往年报录比、参考书目等一系列重要官方公告。而且每一年或多或少都会有变动，一定要参照最新年份。 其次，相关网站，如研途宝考研网。 ?专业课复习 许多同学也关注一个问题，到底什么时候开始复习专业课？可能因为考的三门课，所以害怕时间太紧不够复习，专业课的最佳复习时间是八月左右，因为数学和专业课都是150分，比重很大，前期重点一直是数学，如果专业课提前的话很可能会影响到数学的复习(当然基础不同的同学还是酌情调整最佳)。 接下来，谈一下电路的复习: 学习电路要踏实的掌握每个知识点，学习指导书的例题、自测题要多看多思考多总结，很有可能第一遍不会做看了答案的题第二次再看的时候会有新的收获，我把电路复习分为三步走： a.基础复习:笔记本中知识点总结，有笔记本的好处是在做题的时候查找翻看熟悉的笔记很有效率，不会出现把课本翻来翻去浪费时间又着急的情况，再一个就是有助于查漏补缺，系统、有条理的梳理与掌握知识点。 b.有自己的错题集，无论什么形式都可以，在你复习第二次的时候就会发现这里几乎涵盖你所有的盲点，不成熟的解题思路，基础不踏实的地方以及第一次复习时遗漏的知识点。 c.做真题:重要的事说三遍：真题务必做！推荐研途宝的《华南理工大学电气工程综合2007-2015考研真题及答案解析》。虽然最近两年开始跟数模电一起考了，但是电路的重点依然不变，只是每个知识点考的概率发生了改变，所以真题非常有参考价值!而且要反复做，反复总结，这个时候就可以完善自己的笔记和错题集，到最后考前冲刺带着这两本就可以了。 电路每个知识点的考察相对偏深，很少会有特别轻易就拿到分数的情况，所以就需要我们更加踏实的复习。而数模电的考察相对较浅，从今年的考试来看，数模电的考察范围比较宽，分数的分布也比较分散，小的填空有很多，分值也很少，但加起来就是大半部分的分值了，所以数模电复习不全面的话后果可想而知了，很多题很简单却不会做就挺惨了，那么要想拿到数模电的分数，就需要大家全面的复习了。 送一句话与大家共勉：“如果不知道自己的选择是否正确，那么你现在唯一能做的就是让你的选择成为正确的！”在此也祝大家取得优异的成绩！ 根据教育部《华南理工大学关于选拔普通高校优秀考生进入研究生阶段学习的通知》文件精神，结合学校实际，对普通高校毕业生进入硕士阶段学习提出如下要求。 一、报考事项安排 1.每年报考我校的考生很多，要早复习，早准备。按照考试范围复习。 2.我校考生，到学校考试中心，办理内部试卷。 3.每年有很多考生，不知道考试重点范围，不知道考试大纲要求，盲目复习，浪费时间和精力，复习效果很差，影响考试。 4.每年有很多考生，选择错误的复习资料，解题思路及讲解答案都是错误的，具有误导性，不利于复习。 5.学校为考生正确复习，印刷内部试卷。 6.内部试卷：包含考试范围、历年真题、考试题库、内部复习资料。 7.专业课，学校出题。一定要按照内部试卷复习，每年都有原题出现。 8.内部试卷联系QQ363.916.816张老师。学校安排邮寄，具体事项联系张老师。 二、选拔对象条件 1.普通高校本科毕业生，主干课程成绩合格，在校学习期间未受到任何纪律处分。 2.身体健康状况符合国家和学校规定的体检要求。 三、招生专业计划 1.招生要求和专业，详见《教育部选拔普通高等学校本科毕业生进入硕士阶段学习招生及专业总表》。 2.学校计划招收全日制硕士研究生和非全日制硕士研究生，《硕士学位研究生招生专业目录》公布的拟招生人数（含推免生），实际招生人数将根据国家下达我校招生计划、各专业生源情况进行适当调整。我校部分专业将另设计划用于接收调剂生，具体专业及拟招生人数将在初试成绩公布后另行公布。 四、报名资格审核 1.报考考生按照《教育部选拔普通高等学校优秀毕业生进入研究生阶段学习专业对照及考试课程一览表》以下简称《专业对照及考试课程一览表》选择报考专业，并填写《教育部普通高等学校毕业生进入研究生阶段 华南理工大学化学与化工学院分析化学专业硕士研究生考试科目为政治、英语、629物理化学(一)和880分析化学，复试是基础化学。专业研究方向包括化学动力学、催化作用与催化剂、应用量子化学、电化学及燃料电池、材料化学、纳米化学及技术等。先说一些数据，每年华工化学与华工学院的考研人数超过1200人，招生约240，其中保研人数约1/3，所以考研成功的概率约15%，竞争压力是挺大的。尤其是热门专业的竞争更剧烈，录取率更低。好了，看到这可能很多人已经犹豫要不要放弃或者转考其他学校了。其实不必紧张，热门学校必然有值得你去拼搏的地方。考研决心很重要，尽管很多人考研，但是真正认真备考坚持下来的并不多。如果没有理由和动力去支撑自己的考研之路，是很难坚持走下去的。我的理由之一就是实现我高考遗落的目标——华南理工大学。我本科是普通二本学校，初试总分389(政治75/英语63/分析125/物化126)，排名第6位，处于中间偏上。复试比较顺利，英语口语发挥得不是很好，分数比较低，我得了二等奖学金，不用交学费，挺爽的。回想当时考研复习的时光，我经历了很多，其中有苦有乐，也有很多经验想和大家分享。近来有师弟师妹问我复习经验，于是写下这篇心得，仅供各位参考。之前看过别人写的经验，讲自己考研挺轻松，没花多少时间，那大多数是假的，当然我也不否定有些天才的存在。若还有其他问题家抠衣舞铃陆舞衣贰舞漆叁跟我探讨探讨，相互学习，共同进步（但是不要骚扰哦，呵呵）。 一、考试大纲和参考书目 629分析化学：《分析化学》（第五版）华东理工大学化学院与四川大学化工学院合编，高等教育出版社；629物理化学(一)：《物理化学》（第五版）傅献彩等编著，高等教育出版社 心得：其实这些书都就是自己本科学的专业教材或者相似教材。很多人都会问，有没有复习重点呀？事实上，看过历年真题就知道，考的多数是很基础的内容，但是想考高分还是得把书本好好复习，争取把课本上的每个知识点都看一遍。另外，可以购买一些考研资料，配合书本复习，吸取前人经验，复习起来也没那么枯燥，效率也比较高。 629物理化学(一)考试大纲 一. 绪论与气体性质：1. 了解物理化学的研究对象、方法和学习目的。2. 掌握理想气体状态方程和混合气体的性质（分压和道尔顿定律、分容和阿马格定律）。3. 了解实际气体的状态方程（范德华方程）。4. 了解实际气体的液化和临界性质。 二. 热力学第一定律：1. 理解下列热力学基本概念：平衡状态，状态函数，可逆过程，热力学2014华南理工大学化学与化工学院研究生复试细则及分数线
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