光刻机的技术原理和发展趋势
王平0930*******
摘要：
本文首先简要介绍了光刻技术的基本原理。现代科技瞬息万变，传统的光刻技术已经无法满足集成电路生产的要求。本文又介绍了提高光刻机性能的关键技术和下一代光刻技术的研究进展情况。
关键字：光刻；原理；提高性能；浸没式光刻；下一代光刻
引言：
光刻工艺直接决定了大规模集成电路的特征尺寸，是大规模集成电路制造的关键工艺。作为光刻工艺中最重要设备之一，光刻机一次次革命性的突破，使大模集成电路制造技术飞速向前发展。因此，了解光刻技术的基本原理，了解提高光刻机性能的关键技术以及了解下一代光刻技术的发展情况是十分重要的。本文就以上几点进行了简要的介绍。
光刻技术的基本原理：
光刻工艺通过曝光的方法将掩模上的图形转移到涂覆于硅片表面的光刻胶上，然后通过显影、刻蚀等工艺将图形转移到硅片上。
1、涂胶
要制备光刻图形，首先就得在芯片表面制备一层均匀的光刻胶。截止至2000年5月23日，已经申请的涂胶方面的美国专利就达118项。在涂胶之前，对芯片表面进行清洗和干燥是必不可少的。目前涂胶的主要方法有：甩胶、喷胶和气相沉积，但应用最广泛的还是甩胶。甩胶是利用芯片的高速旋转，将多余的胶甩出去，而在芯片上留下一层均匀的胶层，通常这种方法可以获得优于+2%的均匀性（边缘除外）。胶层的厚度由下式决定：
式中：F T为胶层厚度，ω为角速度，η为平衡时的粘度，ρ为胶的密度，t为时间。由该式可见，胶层厚度和转速、时间、胶的特性都有关系，此外旋转时产生的气流也会有一定的影响。甩胶的主要缺陷有：气泡、彗星（胶层上存在的一些颗粒）、条纹、边缘效应等，其中边缘效应对于小片和不规则片尤为明显。
2、紫外光刻
目前占光刻技术主导地位的仍然是紫外光刻。按波长可分为紫外、深紫外和极紫外光刻。按曝光方式可分为接触/接近式光刻和投影式光刻。接触/接近式光刻通常采用汞灯产生的
365~436nm的紫外波段，而投影式光刻通常采用准分子激光器产生的深紫外（248nm）和极紫外光（193nm和157nm）。
2.1 接触/接近式光刻
接触/接近式光刻是发展最早，也是最常见的曝光方式。它采用1：1方式复印掩膜版上的图形，这类光刻机结构简单，价格便宜，发展也较成熟，缺点是分辨率不高，通常最高可达1um左右。此外由于掩膜版直接和光刻胶接触，会造成掩膜版的沾污。
接触% 接近式光刻机的分辨率由下式决定：
式中：λ为曝光的波长，F T为光刻胶的厚度，G为曝光时的接近距离。目前常用的光源为汞% 氙灯所产生的紫外光，常用的三个波段为436nm（g线）、405nm（h线）和365nm（i线）。由下图可看出这三个波段的强度最高，且紫外光成本低，比较容易获得，是接触/接近式光刻的主要光源。
图
2.2投影式光刻
投影式光刻机在现代光刻中占主要地位，据调查显示，投影式光刻机约占整个光刻设备市场份额的70%以上。其主要优点是分辨率高，不沾污掩膜版，重复性好，但结构复杂，价格昂贵。投影式光刻机又分为扫描式和步进式，扫描式采用1：1光学镜头，由于扫描投影分辨率不高，约1um左右，加之1*掩膜制备困难，因此80年代中期后就逐步被步进投影光刻机所取代。步进投影光刻机采用缩小投影镜头，一般有4：1.5,1.10:1等。
3、粒子束光刻
由于光学光刻受分辨率限制，要得到分辨率更高的图形只能求助于粒子束光刻，因此有人预言21世纪将是粒子束光刻的世纪。常见的粒子束光刻主要有X射线、电子束和离子束光刻。
3.1 X射线光刻
X射线光刻技术是目前国外研究比较热门的一种粒子束光刻技术，同光学曝光相比，X射线有着更短的波长，因此有可能获得分辨率更高的图形，目前被认为是100nm线条以下半导体器
件制造的主要工具。它具有以下优点：（1）景深容易控制；（2）视场大（可达
50mm*50mm）；（3）: 射线对光刻工艺中的尘埃不敏感，因此成品率较高。
由于X射线的波长很短（通常为0.1~30nm），曝光时的衍射和散射几乎可以忽略不计，因此可得到较高分辨率的图形。X射线穿透力很强，目前多数的光学系统不能对它进行反射或折射，因此多采用接近式曝光。
3.2电子束光刻
电子束曝光技术是迄今为止分辨率最高的一种曝光手段。电子束光刻的优点是（1）分辨率高；（2）不需要掩膜；（3）不受像场尺寸限制；（4）真空内曝光，无污染；（5）由计算机控制，自动化程度高。
目前已研制出多种电子束纳米曝光技术，如扫描透射电子显微镜（STEM）、扫描隧道显微镜（STM）、圆形束、成形束、投影曝光、微电子光柱等。其中STM的空间分辨率最高，横向可达0.1nm，纵向优于0.01nm，但由于电子束入射光刻胶和衬底后会产生散射，因而限制了实际的分辨率（即邻近效应）。目前电子束曝光技术中的主导加工技术为圆形电子束和成形电子束曝光，成形电子束目前最小分辨率一般大于100nm，圆形电子束的最高分辨率可达几个纳米。
电子束光刻采用直接写的技术，在掩膜版的制备过程中占主要地位。但也正是因为电子束采用直接写的技术，因此曝光的速度很慢，不实用于大硅片的生产，此外电子束轰击衬底也会产生缺陷。
3.3离子束光刻
离子束光刻和电子束光刻较类似，也是采用直接写的技术，由于离子的质量比电子重得多，因此只在很窄的范围内产生很慢的二次电子，邻近效应可以忽略，可以得到更高分辨率的图形（可达20nm）。同样能量下，光刻胶对离子的灵敏度也要比电子高数百倍，因此比电子束更实用于作光刻工具。但离子束也有一些缺点，如不能聚焦得像电子束一样细，此外，由于质量较重，使得曝光深度有限，一般不超过0.5um。
离子束光刻目前主要应用于版的修复，光学掩膜在制作过程中难免会产生一些缺陷，特别是现在的线条越来越细，这些缺陷就更是不可避免。利用聚焦离子束的溅射功能可将版上多余的铬斑去掉，也可在离子束扫描过程中，通入一定的化学气体，将碳或钨沉积在版上，修补版上不必要的透光斑，提高版的成品率。此外离子束光刻引入的离子注入效应又带来一些新的未知因数，离子束光刻目前还处于研究当中。
4、光刻胶
光刻胶呈现多面化发展的趋势，以适应不同应用的需要，如常规的UV光刻胶、深紫外光刻
胶、X射线光刻胶、电子束光刻胶及用于深度光刻的光刻胶等。但有一个共同的趋势就是分辨率和灵敏度越来越高。
光刻胶分为正胶和负胶，一般认为负胶的分辨率较差，但现在有一些负胶采用碱性显影液也可复印出与正胶有相似精度的亚微米图形而不产生胶的膨胀。而通常正胶比负胶的灵敏度低，所需的曝光量是负胶的若干倍。预计光刻胶的灵敏度极限约为10uJ/cm2，极限分辨率可达10nm。
光刻胶的发展趋势主要是提高分辨率、灵敏度和抗蚀性能。现在新的光刻工具提供的辐照密度都比传统的光刻工具低，因此对胶的灵敏度提出了更高的要求，化学放大光刻胶系统可能是解决该问题的关键。此外一些新的技术如图形反转、多层胶技术、表面硅烷化技术、干法显影技术等也在研究之中。
光刻机的技术改进与发展趋势：
随着时代的进步，集成电路科技的进步与发展，对光刻工艺的精度提出了更高的要求。传统的光刻工艺难以满足如此的精度要求。光刻机性能的提高势在必行。
1、提高光刻机性能的关键技术
光刻机将图形从掩模上复制到硅片上的若干参数决定了其主要性能。目前行业内被普遍接受的光刻机三大性能参数是光刻分辨率、套刻精度和产率。近年来，提高光刻机性能的新技术不断涌现，光刻分辨率和套刻精度的提高推动光刻技术步入更小的节点，产率的提高为集成电路制造厂商带来更高的经济利益。下面主要讨论提高光刻机性能的4种国际主流技术。
1.1双工件台技术
随着特征尺寸的减小且投影物镜数值孔径的增大，光刻面临焦深不断减小的挑战。为了满足越来越苛刻的成像质量要求，对光刻机的调焦调平和对准精度将提出更高的要求。与此同时，集成电路制造厂商希望光刻机的产率不断提高。然而，调焦调平和对准精度的提高是以花费更多的测量时间为代价的。在单工件台系统中，硅片的上片、对准、调焦调平、曝光、下片是依次进行的，增加测量时间必然会降低光刻产率。为此，人们提出了双工件台技术，一个工件台上的硅片进行曝光的同时，另一个工件台上的硅片可以进行上片、对准、调焦调平、下片等操作。
两个工件台分别处于测量位置和曝光位置，同时独立工作，每个硅片在一个工件台上完成所有的操作。当两个工件台上的硅片分别完成了测量和曝光，将两个工件台交换位置和任务。
1.2偏振照明技术
分析大数值孔径光刻系统的成像质量问题时，照明光的偏振态不可忽视。离轴照明方式结
合偏振光照明设置可以对各种不同的图形实现高对比度成像。在数值孔径大于0．8的光刻机中，应该使用成像对比度较高的偏振光照。另外，使用偏振光照明可以获得更好的光刻工艺窗口和更低的掩模误差增强因子。
当使用偏振光照明时，光刻机的照明系统中存在诸多机制如光学材料的本征双折射及应力双折射、光学薄膜的偏振特性等影响着光的偏振态。为了保持成像光束较高的偏振度，需要整个照明系统进行偏振控制。
1.3大数值孔径投影物镜
投影物镜是光刻机中最昂贵最复杂的部件之一，提高光刻机分辨率的关键是增大投影物镜的数值孔径。随着光刻分辨率和套刻精度的提高，投影物镜的像差和杂散光对成像质量的影响越来越突出。浸没式物镜的轴向像差，如球差和场曲较干式物镜增大了n倍（n为浸没液体的折射率)。在引入偏振光照明后，投影物镜的偏振控制性能变得更加重要。在数值孔径不断增大的情况，如何保持视场大小及偏振控制性的能，并严格控制像差和杂散光，是设计投影物镜面临的难题。
传统光刻机的投影物镜多采用全折射式设计方案，即物镜全部由旋转对准装校的透射光学元件组成。其优点是结构相对简单，易于加工与装校，局部杂散光较少。然而，大数值孔径全折射式物镜的设计非常困难。为了校正场曲，必须使用大尺寸的正透镜和小尺寸的负透镜以满足佩茨瓦尔条件，即投影物镜各光学表面的佩茨瓦尔数为零。透镜尺寸的增加将消耗更多的透镜材料，大大提高物镜的成本；而小尺寸的负透镜使控制像差困难重重。
为了实现更大的数值孔径，近年来设计者普遍采用折反式设计方案。折反式投影物镜由透镜和反射镜组成。反射镜的佩茨瓦尔数为负，不再依靠增加正透镜的尺寸来满足佩茨瓦尔条件，使投影物镜在一定尺寸范围内获得更大的数值孔径成为可能。折反式投影物镜主要有多轴和单轴两种设计方案。
1.4浸没式光刻技术
浸没式光刻技术是近年来提出的延伸193nm光刻的关键技术。浸没式光刻技术需要在投影物镜最后一个透镜的下表面与硅片上的光刻胶之间充满高折射率的液体（一般为水）。根据瑞利判据，浸没式光刻机的分辨率R和焦深DOF由以下两式定义：
其中，k1，k2为工艺因子，n为浸没液体的折射率，θ为光线最大入射角，λeff=λ/n为有效曝光波长，NA为数值孔径。可以看出，浸没式光刻的分辨率较传统光刻缩小至l/n，相当于有效曝光波长缩小至1／n；相对于传统光刻技术，在0相同的情况下，引入浸没光刻技术可以使焦深增大n倍。液体浸没技术实现了大于l的数值孔径，使ArF光刻机进一步向45nm甚至更小
节点延伸成为可能。
目前的浸没式光刻机主要采用局部浸没装置，仅仅在投影物镜最后一个透镜的下表面和硅片光刻胶之间的空间内注入或排出浸没液体。在扫描、曝光、液体的供给及回收等过程中，浸没液体中可能产生气泡，溶解在水中的光刻胶物质以及曝光后硅片上的残留液体都有可能导致污染。为了排除气泡和污染物对光刻的影响，目前的解决方案是在局部浸没装置中保持浸没液体稳定流动。如前所述，在浸没式光刻机中运用双工件台技术，可l以沿用现有的对准和调焦调平系统，避开了浸没状态下的检测难题。
2、下一代光刻技术的研究进展
目前用于大规模集成电路生产的主流光刻技术仍是光学光刻技术。光学光刻技术的高速发展，尤其是浸没式光刻技术的发展，使光学光刻技术延伸到45nm甚至更小节点成为可能，使下一代光刻技术的应用一再推迟。针对32 nm以下节点，下一代光刻技术的主要候选者是极紫外光刻技术、纳米压印技术和无掩模光刻技术。
2.1极紫外光刻技术
极紫外光刻技术一直是最受关注且最有可能达到量产化要求的光刻技术。极紫外光刻技术使用波长为13．5 nm的极紫外光，几乎所有的材料对这个波段的光都是强吸收的，因此极紫外光刻技术只能采用反射投影光学系统。极紫外光线经过由80层Mo—Si结构多层膜反射镜组成的聚光系统聚光后，照明反射式掩模，经缩小反射投影光学系统，将反射掩模上的图形投影成像在硅片表面的光刻胶上。目前，极紫外光刻技术研究面临的主要难题包括低缺陷密度掩模的制备，高输出功率、长寿命极紫外光源的研发，反射式投影光学系统中污染的有效控制，适用于量产的反射式投影光学系统的制造，低线条粗糙度和低曝光剂量极紫外光刻胶的研发，保护反
射式掩模免受微粒污染等。
2.2纳米压印光刻技术
纳米压印光刻技术是华裔科学家周郁在1995年首先提出的。首先采用高分辨率电子束等方法将纳米尺寸的图形制作在“印章”上，然后在硅片上涂上一层聚合物f如聚甲基丙烯酸甲脂，PMMA)，在一定的温度r高于聚合物的玻璃转化温度1和压力下，用已刻有纳米图形的硬“印章”“压印”聚甲基丙烯酸甲酯涂层使其发生变形，从而实现图形的复制。纳米压印光刻技术主要包括热压印、紫外压印和微接触压印，三种技术。在热压印工艺中，将硅片上的光刻胶加热到玻璃转化温度以上，利用机械力将印章压入高温软化的光刻胶层内，光刻胶冷却后固化成形，完成图形转移。紫外压印是通过紫外光使光刻胶发生聚合反应实现固化成形。微接触压印将“墨材料”r通常为含硫醇的试剂1转移到图案化的金属基表面上，再进行刻蚀工艺。该技术的优点是分辨率高、成本低、工艺环节少、速度快，已成为下一代光刻技术中的有力竞争者。基于紫外压印技术新发展的步进闪光压印技术(Step and Flash Imprint Lithography，SFIL)，可达10 nm的分辨率，最有可能达到集成电路量产的要求。
2.3无掩模光刻技术
随着光刻分辨率的不断提高，掩模的成本呈直线上升的态势，因此无掩模光刻技术成为研究的又一热点。无掩模光刻技术的种类较多，主要分为基于光学的无掩模光刻技术和非光学无掩模光刻技术（如电子束无掩模光刻技术和离子束无掩模光刻技术）两大类。
总结：
综上所述，我们可以知道光刻技术的主要技术原理以及光刻技术的可能发展趋势。科技发展瞬息万变，只有技术的不断发展，才能满足现实社会的生产需求。我们由以上介绍可以知道，提高光刻机的性能可以从双工件台技术，偏振照明技术，大数值孔径投影物镜和浸没式光刻技术入手。而且我们也了解了浸没式光刻技术先进的技术瓶颈。
极紫外光刻、纳米压印光刻、无掩模光刻等下一代光刻技术的研究也取得了较大的进步。在193nm浸没式光刻技术达到极限后，极紫外光刻将最有可能成为主流的光刻技术，纳米压印光刻和无掩模光刻也将是极有竞争力的下一代光刻技术。
参考文献：
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光电技术应用及发展前景 43年前，世界上第一台红宝石激光器诞生。那是的人们可能还没有意识到，由这台激光器引发、孕育出的光电技术将会给人类的生活带来翻天覆地的变化。随着光电子技术的发展，当今社会正在从工业社会向信息社会过渡，国民经济和人们生活对信息的需求和依赖急剧增长，不仅要求信息的时效好、数量大，并且要求质量高、成本低。在这个社会大变革时期，光电子技术已经渗透到国民经济的每个方面，成为信息社会的支柱技术之一。总之，光电子技术具有许多优异的性能特征，这使得它具有很大的实用价值。而今天，光电子产业已经成为了21世纪的主导产业之一，光电子产业的参天大树上也结出了丰富的果实，它们包括但不限于光通信、光显示、光存储、影像、光信号、太阳能电池等，也可以简单地把现在的光电子产业分为信息光电子（光纤光缆、光通讯设备等）、能量光电子（激光器、激光加工成套设备、测控仪表、激光医疗设备等）和娱乐光电子（VCD、DVD等）等方面。而本文将介绍光电子技术在以下几个领域的应用前景： 光通信： 目前，光通信网络行业进入高速发展期，以光纤为技术基础的网络通信现在已经覆盖了许多地区，我国的光通信技术也走在世界前沿。2011年，武汉邮科院在北京宣布完成“单光源1-Tbit/s LDPC 码相干光OFDM 1040公里传输技术与系统实验”，这一传输速率是目前国内商用最快速率（40Gb/s）的25倍。十年发展，光通信商用水平的最高单通道速率增长16倍，最大传输容量增长160倍。2005年，邮科院实现了全球率先实现在一对光纤上4000万对人同时双向通话。2011年7月29日，该院在全球率先实现一根光纤承载30.7Tb/s信号的传输，可供5亿人同时在一根光纤上通话，再次刷新了世界纪录。而正在研制中的科技开发项目，有望在2014年实现12.5亿对人同时通话。这一技术打破了美国在该领域保持的单光源传输世界纪录。在2012年的中国光博会上，新技术新产品层出不穷。随着“宽带中国”上升为国家战略，中国得天独厚的优势将使光通信制造企业信心十足。通过对各技术分支专利的分析看出，光传输物理层PHY和光核心网OCN已相对成熟和大规模商用，PHY作为各类网络传输技术的基础，既有相对成熟、淡出主流研究视野的部分，也有业界正致力于寻求最佳方案的技术点；无光源网络PON技术作为世界普遍应用的接入网技术，在“光纤到户”、“三网融合”等概念家喻户晓的今天，已成为各国基础设施建设投资中不可或缺的一部分；分组传输网PTN既是新兴技术，又得到了相对广泛的商用，其在移动回传中的应用使其成为下一代移动通信网络建设中的一种较优的可选方案，同时相应技术标准正在争议中发展，其技术发展将带来难以估量的商机；智能交换光网络ASON技术和全光网AON技术是光通信网络技术中的前沿技术，目前处于研发的活跃期。 此外，复旦大学近期研发的可见光通讯技术也是光通信的发展前景之一，通过给普通的LED 灯泡加装微芯片，使灯泡以极快的速度闪烁，就可以利用灯泡发送数据。而灯泡的闪烁频率达到每秒数百万次。通过这种方式，LED灯泡可以快速传输二进制编码。但对裸眼来说，这样的闪烁是不可见的，只有光敏接收器才能探测。这类似于通过火炬发送莫尔斯码，但速度更快，并使用了计算机能理解的字母表。使用标准的LED照明灯，哈斯与他的同事戈登·波维创建的研究小组已经达到了两米距离的130兆比特每秒的传输速度。随着白炽灯、荧光灯逐渐退出市场并被LED取代，未来任何有光的地方都可以成为潜在的LiFi数据传输源。想象一下这样的场景：在街头，利用路灯就可以下载电影；在家里，打开台灯就可以下载歌曲；在餐厅，坐在有[4]灯光的地方就可以发微博；即便是在水下，只要有灯光照射就可以上网。LiFi另一个巨大的好处是在任何对无线电敏感的场合都可以使用，比如飞机上、手术室里等。光显示：
移动通信技术的现状与发展-标准化文件发布号：（9456-EUATWK-MWUB-WUNN-INNUL-DDQTY-KII
下一代互联网技术大作业 题目移动通信技术的现状与发展 姓名 专业网络工程 班级 1402班 学号
1. 移动通信技术的概念及相关知识 1.1 移动通信的基本概念 移动通信是指通信中的移动一方通过无线的方式在移动状态下进行的通信，这种通信方式可以借助于有线通信网，通过通信网实现与世界上任何国家任何地方任何人进行通信，因此，从某种程度上说，移动通信是无线通信和有线通信的结合。移动通信的发展先后经历了第一代蜂窝模拟通信，第二代蜂窝数字通信，以及未来的第三代多媒体传输、无线Internet等宽带通信，它的最终目标是实现任何人在任何时间任何地点以任何方式与任何人进行信息传输的个人通信。 1.2移动通信的发展 目前，移动通信已从模拟通信发展到了数字移动通信阶段，并且正朝着个人通信这一更高级阶段发展。未来移动通信的目标是，能在任何时间、任何地点、向任何人提供快速可靠的通信服务。1978年底，美国贝尔实验室研制成功先进移动电话系统（AMPS），建成了蜂窝状模拟移动通信网，大大提高了系统容量。与此同时，其它发达国家也相继开发出蜂窝式公共移动通信网。这一阶段的特点是蜂窝移动通信网成为实用系统，并在世界各地迅速发展,这个系统一般被当作是第一代移动通信系统。 从20世纪80年代中期开始，数字移动通信系统进入发展和成熟时期。蜂窝模拟网的容量已不能满足日益增长的移动用户的需求。80年代中期，欧洲首先推出了全球移动通信系统（GSM：Global System for Mobile）。随后美国和日本也相继指定了各自的数字移动通信体制。20世纪90年代初，美国Qualcomm 公司推出了窄带码分多址（CDMA：Code-Division Multiple Access）蜂窝移动通信系统，这是移动通信系统中具有重要意义的事件。从此，码分多址这种新的无线接入技术在移动通信领域占有了越来越重要的地位。些目前正在广泛使用的数字移动通信系统是第二代移动通信系统。
麻醉机的发展趋势 现代麻醉学经过150余年的发展，目前已成为临床医学的重要组成部分。麻醉机也随着麻醉学和电子技术的发展而不断发展，现今已成为麻醉医师施行麻醉的必备工具。 自1901年，德国人Johann-Heinrichger及他的儿子制成世界上第一台简单的麻醉机,以后经科技和医务人员的共同努力,麻醉机的功能不断完善,技术含量不断提高,从较简单的麻醉机到现代麻醉机,直至目前的麻醉工作站。 麻醉机的基本组成包括：气体流量计，吸入和呼出阀门，报警装置以及麻醉残气清除系统等。其中麻醉呼吸机，挥发罐，呼吸功能监测装置为其核心组成部分，在任何一种麻醉机上都是必不可少的，本文就此介绍一下它们的发展及趋势。 一、麻醉呼吸机从手动到电动电控活塞，涡轮式呼吸机的发展 麻醉呼吸机俗称“麻醉机的心脏”，由此可见它在麻醉机中的重要性。但是之前进行吸入麻醉时都是通过减压阀对高压气体（氧气）进行减压以后直接输送给患者的，当时只是考虑将氧气简单地提供给患者以便维持其生命，后来发现利用这种方法给患者输送气体一方面输送量控制不准确，另一方面还存在压力不够的情况。所以在第一台麻醉机上采用了手动皮囊的方法，就是通过医生用手在麻醉过程中挤压皮囊来输送气体给患者，这就是最初意义上的“麻醉呼吸机”，准确的说法应该是“人力麻醉呼吸机”。 随着麻醉机在临床上的应用的不断推广，医生们发现通过手动皮囊给患者输送气体虽然通过不断的使用和经验的积累，医生能通过手动挤压给患者输送较准确的潮气量，但同时也发现由于需要在麻醉过程中不停地挤压，所以不能很好地观察患者的情况或者需要多位医生同时工作才能保证麻醉的实施，这样的效率实在太低。1911年出现了世界上第一台具有机械通气功能的麻醉机，随着它的问世，医生们就可以从单调乏力的劳动中解脱出来，有更多时间关注患者。尽管这样，但此时的机械通气功能在准确度和使用的简便方面还是不够的，因此在1946年研发出了Model“D”麻醉机，它带有控制面板，可用以控制所有功能部件，这样大大提高了麻醉机的操作方便程度；之后在1952发布了全球第一台自动控制，容量控制的呼吸机“Pulmomat”并在1959年生产出了第一台电动压缩机驱动的呼吸机Spiromat5000实现了对潮气量，呼吸频率以及吸呼比的准确自动控制，初步完成了麻醉呼吸机的自动化，大大提高了医生的工作效率和患者的安全性。 随着麻醉学的不断发展，麻醉呼吸机也不断发展成熟，逐渐形成了有气动、气动电控和电动电控三种类型，当前主要以气动电控和电动电控为主导。气动电控麻醉呼吸机是最传统的，常使用密闭室中的风箱作为呼吸机的储气部件，呼吸风箱有上升型和下降型。由于下降型风箱在管道脱开时，风箱的上下活动无异常表现，甚至容量监测装置亦无异常表现，因此目前已较少使用；而上升型风箱在管道发生脱开时，将不再充盈并容易被发现，所以目前得到了广泛的应用。
万方科技学院 毕业论文（设计） 题目：软件技术的现状和发展趋势 专业：计算机科学与技术 年(班)级：15计科升-1班 学号：1516353029 姓名：闫建勋 指导教师：马永强 完成日期：2015-12-1
摘要 计算机软件是计算机系统执行某项任务所需的程序、数据及文档的集合，它是计算机系统的灵魂。从功能上看，计算机软件可以分为系统软件、支撑软件和应用软件。系统软件和支撑软件也称为基础软件，它是具有公共服务平台或应用开发平台功能的软件系统，其目的是为用户提供符合应用需求的计算服务。因此，应用需求和硬件技术发展是推动软件技术发展的动力。 软件产业和软件服务业因其具有知识密集、低能耗、无污染、高成长性、高附加值，高带动性、应用广泛与市场广阔的特点，而成为知识生产型、先导性、战略性的新兴产业，成为信息技术产业的核心和国民经济新的增长点，也成为世 界各国竞争的焦点之一。 当前，我国进入了后PC 时代，人们对计算需求更为广泛，软件应用“无处不在”，市场前景广阔；不久我国将成为全球最大的软件应用市场，足见我国发展软件技术的迫切性和重要性。 【关键词】现状、趋势、意见
Abstract Computer software is a computer system to perform a certain task required procedures, data and document collection, it is the soul of computer system. Look from the function, the computer software can be divided into the system software, support software and application software. System software and support software basic software, it is a public service platform and application development platform software system, its purpose is to provide users with the application demand of computing services. Therefore, applications and hardware technology development is to promote the driving force for the development of software technology. Software industry and software service industry because of its advantages of knowledge intensive, low energy consumption, no pollution, high growth, high added value, high acceleration, wide application and broad market characteristics, and become the knowledge production, forerunner sex, strategical burgeoning industry, become the core of information technology industry and the growth of the national economy
光 刻 工 艺 一、目的： 按照平面晶体管和集成电路的设计要求，在SiO 2或金属蒸发层上面刻蚀出与掩模板完全相对应的几何图形，以实现选择性扩散和金属膜布线的目的。 二、原理： 光刻是一种复印图象与化学腐蚀相结合的综合性技术，它先采用照像复印的方法，将光刻掩模板上的图形精确地复制在涂有光致抗蚀剂的SiO 2层或金属蒸发层上，在适当波长光的照射下，光致抗证剂发生变化，从而提高了强度，不溶于某些有机溶剂中，未受光照射的部分光致抗蚀剂不发生变化，很容易被某些有机溶剂溶解。然后利用光致抗蚀剂的保护作用，对SiO 2层或金属蒸发层进行选择性化学腐蚀，从而在SiO 2层或金属层上得到与光刻掩模板相对应的图形。 （一）光刻原理图 （一）光刻胶的特性： 1．性能，光致抗蚀剂是一种对光敏感的高分子化合物。当它受适当波长的光照射后就能吸收一定波长的光能量，使其发生交联、聚合或分解等光化学反应。由原来的线状结构变成三维的网状结构，从而提高了抗蚀能力，不再溶于有机溶剂，也不再受一般腐蚀剂的腐蚀． 2．组成：以KPR 光刻胶为例： 感光剂－－聚乙烯醇肉桂酸酯。 溶 剂－－环己酮。 增感剂－－5·硝基苊， 3．配制过程： 将一定重量的感光剂溶解于环己酮里搅拌均匀，然后加入一定量的硝基苊,再继续揖拌均匀，静置于暗室中待用。 感光剂聚乙烯醇肉桂酸酯的感光波长为3800?以内，加入5·硝基苊后感光波长范围发生了变化从2600—4700 ?。 （二）光刻设备及工具： 在SiO 2层上涂复光刻胶膜 将掩模板覆盖 在光刻胶膜上 在紫外灯下曝光 显影后经过腐蚀得到光刻窗口
1．曝光机－－光刻专用设备。 2．操作箱甩胶盘－－涂复光刻胶。 3．烘箱――烤硅片。 4．超级恒温水浴锅－－腐蚀SiO2片恒温用。 5．检查显为镜――检查SiO2片质量。 6．镊子――夹持SiO2片。 7．定时钟――定时。 8．培养皿及铝盒――装Si片用。 9．温度计――测量温度。 图（二）受光照时感光树脂分子结构的变化 三、光刻步骤及操作原理 1．涂胶：利用旋转法在SiO2片和金属蒸发层上，涂上一层粘附性好、厚度适当、均匀的光刻胶。 将清洁的SiO2片或金属蒸发片整齐的排列在甩胶盘的边缘上，然后用滴管滴上数滴光刻胶于片子上，利用转动时产生的离心力，将片子上多余的胶液甩掉，在光刻胶表面粘附能力和离心力的共同作用下形成厚度均匀的胶膜。 涂胶时间约为1分钟。 要求：厚度适当（观看胶膜条纹估计厚薄），胶膜层均匀，粘附良好，表面无颗粒无划痕。 图（三）光刻工艺流程示意图
1.简要概述现代通信技术的发展现状及发展方向； 光纤通信技术（现阶段主流）： 光纤通信技术是以光信号作为信息载体、以光纤作为传输介质的通信技术。在光纤通信系统中，因光波频率极高以及光纤介质损耗极低，故而光纤通信的容量极大，要比微波等通信方式带宽大上几十倍。光纤主要由纤芯、包层和涂敷层构成。纤芯由高度透明的材料制成，一般为几十微米或几微米，比一根头发丝还细；外面层称为包层，它的折射率略小于纤芯，包层的作用就是确保光纤它是电气绝缘体，因而不需要担心接地回路问题；涂敷层的作用是保护光线不受水气侵蚀及机械擦伤，同时增加光线的柔韧性；在涂敷层外，往往加有塑料外套。光纤的内芯非常细小，由多根纤芯组成光缆的直径也非常小，用光缆作为传输通道，可以使传输系统占极小空间，解决目前地下管道空间不够的问题。 我国从１９７４年开始研究光纤通信技术，因光纤体积小、重量轻、传输频带极宽、传输距离远、电磁干扰抗性强以及不易串音等优点，发展十分迅速。目前，光纤通信在邮电通信系统等诸多领域发展迅猛，光纤通信优越的性能及强大的竞争力，很快代替了电缆通信，成为电信网中重要的传输手段。从总体趋势看，光纤通信必将成为未来通信发展的主要方式。 量子通信技术（特殊需求必须）： 在量子通信网络中，主要有量子空分交换技术、量子时分交换技术、量子波分交换技术等。量子空分交换是通过改变光量子信号的物理传输通道来实现光量子信号的交换；量子时分交换是在时间同步的基础上对光量子信号进行时分复用而进行的交换；量子波分交换是将光量子信号经过波分解复用器、波长变换器、波长滤波器、波分复用器而进行的交换。量子通信网络有三个功能层面：量子通信网络管理层、量子通信控制层和传输信道层。由量子通信控制层进行呼叫连接处理、信道资源管理和建立路由，进而控制光纤通道建立端到端量子信道，管理层负责资源和链路等的管理，控制层和管理层的功能由经典通信链路完2016 年底，北京和上海之间将建成一条全长2000 余公里的量子保密通信骨干线路“京沪干线”，它是连接北京、上海的高可信、可扩展、军民融合的广域光纤量子通信网络，主要开展远距离、大尺度量子保密通信关键验证、应用和示范。此干线可以实现远程高清量子保密视频会议系统和其他多媒体跨越互联应用，也可以实现金融、政务领域的远程或同城数据灾备系统，金融机构数据采集系统等应用。2016 年7 月份中国将发射全球首颗量子科学实验通讯卫星，这标志着我国通信技术的突破性发展，标志着中国同时在军用通信领域站在了世界的最前列，之后会陆续发射的更多量子通讯卫星，就可以建成全球性的量子通信网络。正如潘建伟院士所说量子科学实验卫星的发射，将表明中国正从经典信息技术的跟随者，转变成未来信息技术的并跑者、领跑者，量子通信将会尽快走进每个人的生活，就像计算机曾经做到的一样，改变世界。量子通讯卫星和“京沪干线”的成功将意味着一个天地一体化的量子通信网络的形成。 量子通信与传统的经典通信相比，具有极高的安全性和保密性，且时效性高传输速度快，没有电磁辐射，它的这些优点决定了其无法估量的应用前景。通过光纤可以实现城域量子通信网络，通过中继器连接实现城际量子网络，通过卫星中转实现远距离量子通信，最终构成广域量子通信网络。未来数年内，量子通信将会实现大规模应用，经典通信的硬件设施并不会被完全取代，而是在现有设施的基础上进行融合。在通信发送端和接收端安装单光子探测器、量子网关等量子加密设备，即可在电话、传真、光纤网络等原有的通信网络中实现量子通信，这将大大地提升通信的安全性。量子通信有望在10 到15 年之后成为继电子和光电子之后的新一代通信技术，这种“无条件安全”的通信方式，将从根本上解决国防、金融、政务、商业等领域的信息安全问题。
光刻技术及其应用的状况和未来发展 光刻技术及其应用的状况和未来发展1 引言 光刻技术作为半导体及其相关产业发展和进步的关键技术之一，一方面在过去的几十年中发挥了重大作用；另一方面，随着光刻技术在应用中技术问题的增多、用户对应用本身需求的提高和光刻技术进步滞后于其他技术的进步凸显等等，寻找解决技术障碍的新方案、寻找COO更加低的技术和找到下一俩代可行的技术路径，去支持产业的进步也显得非常紧迫，备受人们的关注。就像ITRS对未来技术路径的修订一样，上世纪基本上3～5年修正一次，而进入本世纪后，基本上每年都有修正和新的版本出现，这充分说明了光刻技术的重要性和对产业进步的影响。如图1所示，是基于2005年ITRS对未来几种可能光刻技术方案的预测。也正是基于这一点，新一轮技术和市场的竞争正在如火如荼的展开，大量的研发和开发资金投入到了这场竞赛中。因此，正确把握光刻技术发展的主流十分重要，不仅可以节省时间和金钱，同时可以缩短和用户使用之间的周期、缩短开发投入的回报时间，因为光刻技术开发的投入比较庞大。 2 光刻技术的纷争及其应用状况 众说周知，电子产业发展的主流和不可阻挡的趋势是"轻、薄、短、小"，这给光刻技术提出的技术方向是不断提高其分辨率，即提高可以完成转印图形或者加工图形的最小间距或者宽度，以满足产业发展的需求；另一方面，光刻工艺在整个工艺过程中的多次性使得光刻技术的稳定性、可靠性和工艺成品率对产品的质量、良率和成本有着重要的影响，这也要求光刻技术在满足技术需求的前提下，具有较低的COO和COC。因此，光刻技术的纷争主要是厂家可以提供给用户什么样分辨率和产能的设备及其相关的技术。 以Photons为光源的光刻技术 2.1 以Photons为光源的光刻技术 在光刻技术的研究和开发中，以光子为基础的光刻技术种类很多，但产业化前景较好的主要是紫外(UV)光刻技术、深紫外(DUV)光刻技术、极紫外(EUV)光刻技术和X射线(X-ray)光刻技术。不但取得了很大成就，而且是目前产业中使用最多的技术，特别是前两种技术，在半导体工业的进步中，起到了重要作用。 紫外光刻技术是以高压和超高压汞(Hg)或者汞-氙(Hg-Xe)弧灯在近紫外(350～450nm)的3条光强很强的光谱(g、h、i线)线，特别是波长为365nm的i线为光源，配合使用像离轴照明技术(OAI)、移相掩模技术(PSM)、光学接近矫正技术(OPC)等等，可为0.35～0.25μm的大生产提供成熟的技术支持和设备保障，在目前任何一家FAB中，此类设备和技术会占整个光刻技术至少50％的份额；同时，还覆盖了低端和特殊领域对光刻技术的要求。光学系统的结构方面，有全反射式(Catoptrics)投影光学系统、折反射式(Catadioptrics)系统和折射式(Dioptrics)系统等，如图2所示。主要供应商是众所周知的ASML、NIKON、CANON、ULTRATECH 和SUSS MICROTECH等等。系统的类型方面，ASML以提供前工程的l:4步进扫描系统为主，分辨率覆盖0.5～0.25μm：NIKON以提供前工程的1：5步进重复系统和LCD的1：1步进重复系统为主，分辨率覆盖0.8～0.35μm和2～0.8μm；CANON以提供前工程的1：4步进重复系统和LCD的1：1步进重复系统为主，分辨率也覆盖0.8～0.35μm和1～0.8μm；ULTRATECH以提供低端前工程的1：5步进重复系统和特殊用途(先进封装／MEMS／，薄膜磁头等等)的1：1步进重复系统为主；而SUSS MICTOTECH以提供低端前工程的l：1接触／接近式系统和特殊用途(先进封装／MEMS／HDI等等)的1：1接触／接近式系为主。另外，在这个领域的系统供应商还有USHlO、TAMARACK和EV Group等。 深紫外技术
六安职业技术学院毕业设计（论文） 移动通信技术 姓名：姚彬 指导教师：项莉萍 专业名称：应用电子技术0802 所在系部：信息工程系 二○一一年六月
毕业论文（设计）开题报告
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摘要 在信息化时代移动通信已越来越为人们所关注,因此移动通信技术的发展及移动通信技术前景的发展越来越显得重要。本课题主要研究的是移动通信技术的发展及移动通信技术前景及相关知识，分析了其应用前景和我国目前的发展状况。 关键词：第三代移动通信系统，移动通信，个人通信网，发展历程 Abstract Mobile communications in the information age has become increasingly of concern to people, so the development of mobile communications technology and the development of future mobile communication technologies become increasingly more important. The main research topic is the development of mobile communications technology and the prospects for mobile communications technology and related knowledge, analysis of its prospects and our current state of development. Key Words:third-generation mobile communication systems, mobile communications, personal communications network, the development process.
医疗设备信息 综 合 麻醉机原理与发展趋势 傅守勇, 帅训军, 孙 丽, 万效梅 ( 青岛市市立医院, 山东 青岛 266011) [ 摘 要] 本文详细阐述了麻醉机的发展史、结构原理与以后的发展趋势。 [ 关键词] 麻醉; 麻醉气体; 麻醉蒸发器; 麻醉工作站; 麻醉信息管理 [ 中图分类号] R197. 39 [ 文献标识码] B [ 文章编号] 1007- 7510( 2003) 12- 0033- 03 Princi p le and develo p ment trend of anesthesia a aratus pp FU Shou- yong, SH U AI Xun- jun, S U N Li, WAN Xiao - m ei ( Qingdao M unicipal H ospit al , Qingdao S handong 266011, Ch in a) Abstract: T his p a p er m ainl y describes t he hist or y , st ru cture and p rinci le of th e modern anest hesia a pp aratus as w ell as p its developm en t t rend. Key words: anesth esia ; anesth esia g as; anesth esia canister; anest hesia w orkstation; in form ation m an ag em en t of anaest hetic 科学技术的不断发展, 使得麻醉机的发展不仅成为可能, 且计算机在麻醉机上的应用成为现实, 成为麻醉机是否现代化的一个显着特征。同时, 麻醉信息管理在临床上的重要性越来越受到医务人员的重视。本文结合麻醉机的原理结构、国内外现状、发展趋势及现代麻醉工作站的技术特点做一阐述。 1 历史回顾 1901 年, 德国人H ein nich Drag er 及他的儿子用氧气和氯气制成世界上第一台简单的麻醉机, 以后经过科技和医务人员的不断努力, 麻醉机的功能不断完善, 技术含量不断提高, 从较简单的麻醉机到普及性的麻醉机, 现代麻醉机, 直至麻醉工作站。今天, 麻醉机已发展成世界几大着名品牌。如德尔格( Drag er) 、 得恩- 欧美达 (Datex- Ohm eda) 、西门子 (Siem ens)、 英国的 T ontr on 等品牌的麻醉机。 2 麻醉机原理及结构 基本结构见图 1, 麻醉机的主要结构包括通气装置, 麻醉蒸发器, 麻醉呼吸机和麻醉环路等。 通气装置 通气装置包括气源、压力表、压力调节器、流量计、O 2 与 N 2O 比例调节装置、快速充氧开关等。氧气 ( O 2 ) 、氧化亚氮( N 2O ) 和空气通常为中央供气, 麻醉 [ 收稿日期] 2003- 05- 12 [ 修回日期] 2003- 08- 06 机也有贮气筒备用。中央供气压力约为 3. 5kg / cm 2 , N 2O 在贮气筒内被压缩为液态, 一直保持约 52. 5k g / cm 2 的压力, 直到氧化亚氮耗尽为止。贮气筒内氧气进入麻醉机流量计前, 由压力调节器将压力降为 1. 0 至 1. 75k g / cm 2。气体经流量计输送至标准 刻度、专用麻醉药物、温度补偿、双路可变的蒸发器,然后, 麻醉混合气体流出共同气体出口。而氧气快速充气开关使 O 2 不流经流量计, 直接流出气体出口。流量计可精确测量流向共同气体出口的气体流量。 图 1 麻醉机的基本结构图 18 卷 12 期 1 2003. 12 # 33 #
电子测量技术的现状及 发展趋势 Document number：PBGCG-0857-BTDO-0089-PTT1998
电子测量论文 题目：电子测量技术现状及发展趋势姓名： 班级： 学号：
摘要:本文综合论述了电子测量技术的现状和总体发展趋势,分析了电子测量仪器的研究开发，阐述了我国电子测量技术与国际先进技术水平的差距，进而提出了发展电子测量仪器技术的对策。特别是由于测试技术的突破带来的电子测量仪器的革命性变化.同时,针对业界自动测试系统的发展历史和现状提出了作者的一些看法,并介绍了业界的最新进展和最新标准.近年来，以信息技术为代表的新技术促进了电子行业的飞速增长，也极大地推动了测试测量仪器和设备的快速发展。鉴于中国在全球制造链和设计链的重要地位，使得这里成为全球各大测量仪器厂商的大战场，同时，也带动了中国本土测试测量技术研发与测试技术应用的迅速发展。 关键词: LXI ATE 自动测试系统智能化虚拟技术总线接口技术VXI
目录 摘要................................................................................................I 前言 (1) 第一章测试技术现状及其存在的问题 (2) 第二章电子测量技术的发展方向 (2) （一）总线接口技 术 (2) （二）软件平台技 术 (3) （三）专家系统技 术 (3) （四）虚拟测试技 术 (3) 第三章展望未来 (4) 参考文献 (5)
前言 中国电子测量技术经过40多年的发展，为我国国民经济、科学教育、特别是国防军事的发展做出了巨大贡献。随着世界高科技发展的潮流，中国电子测量仪器也步入了高科技发展的道路，特别是经过“九五”期间的发展，我国电子测量技术在若干重大科技领域取得了突破性进展，为我国电子测量仪器走向世界水平奠定了良好的基础。进入21世纪以来,科学技术的发展已难以用日新月异来描述。新工艺、新材料、新的制造技术催生了新的一代电子元器件,同时也促使电子测量技术和电子测量仪器产生了新概念和新发展趋势。本文拟从现代电子测量技术发展的三个明显特点入手,进而介绍下一代自动测试系统的概念和基本技术,引入合成仪器的概念，面向21世纪的我国电子测量技术的发展趋势和方向是：测量数据采集和处理的自动化、实时化、数字化；测量数据管理的科学化、标准化、规格化；测量数据传播与应用的网络化、多样化、社会化。GPS技术、RS技术、GIS技术、数字化测绘技术以及先进地面测量仪器等将广泛应用于工程测量中，并发挥其主导作用。
投影光刻机对准系统功能原理 投影光刻机对准系统功能原理 1 对准系统简介 对准系统的主要功能就是将工件台上硅片的标记与掩膜版上的标记对准，其标记的对准精度能达到±0.4μm（正态分布曲线的3σ值）。因为一片硅片在一个工艺流程中的曝光次数可能达到30次，而对准精度直接影响硅片的套刻精度，所以硅片的对准精度非常的关键。 由于对准系统对硅片标记的搜索扫描有一定的范围，它在X方向和Y方向都只能扫描 ±44μm，所以硅片被传送到工件台上进行对准之前，需要在预对准工件台上先后完成两次对准，即机械预对准和光学预对准，以便满足精细对准的捕捉范围。注意：本文所提到的对准都是所谓的精细对准。 PAS2500/10投影光刻机对准系统主要由三个单位部分构成：照明（对准光源）部分，双折射单元和对准单元。这三个单元与掩膜版、硅片、以及投影透镜的相对位置如图1所示，在图中可以看出，对准系统中用了两个完全相同的光路，这是为了满足对准功能的需要。 1.1 对准系统的光学结构和功能 由于对准系统中的两条完全相同，所以在下面的介绍中只详细地阐述了其中的一条光路。在对准系统中，照明部分的主要部件就是激光发射器，它产生波长为633nm的线性极化光，避免在硅片对准的过程中使硅片被曝光（硅片曝光用的光为紫外光）。然后对准激光将通过一系列的棱镜和透镜进入双折射单元，该激光将从双折射单元底部射出，通过曝光的投影透镜照到硅片的标记上；而经过硅片表面的反射后由原路返回，第二次经过双折射单元，由双折射单元的顶部射出，再经过聚焦后对准到掩膜版的标记上。 在对准单元内，硅片的标记图象和掩膜版标记的图象同时通过一个调制器后，将被聚焦到一个Q-CELL光电检测器上。此调制器是用来交替传送两个极化方向的硅片标记图象，Q-CELL 光电检测器将对硅片的标记的每个极化方向图象分别产生一个电信号，由此产生的电信号的振幅取决于该极化方向硅片标记的图象与掩膜版标记图象在Q-CELL的显示比例。 硅片上的对准标记如图2所示，标记分为四个象限，每个象限有8μm或8.8μm的对准条，其中有两个象限的对准条用来对准X向，另外两个象限用来对准Y向。而Q-CELL光电检测器的每一个单元对应标记的一个象限，当在Q-CELL检测器的每一个单元中，两个极化方向的标记图象的能量都相等的时候，就表明硅片与掩膜版的标记完全对准了。从图1中可以看到对准光束在经过对准单元的时候被分成了两束，一束激光将通过调制器到达Q-CELL 光电检测器，而另一束激光则以视频的形式反馈到操作台。通过操作台上的视频监视器可以直观的看到标记的移动和对准不同标记时位置的相对变化。虽然是两个不同极化方向的硅片标记与掩膜版标记同时对准，但是由于它们是同步的，彼此之间几乎看不到有何不同，所以只有一个极化图象被显示。 1.2 对准系统的电路部分 对准系统的电路部分主要的功能是： 1、产生一个信号去驱动光学调制器。 2、处理Q-CELL光电检测器产生的信号。 光学调制器的驱动：该调制器信号要求频率为50Hz的正弦信号，其振幅要求能满足对最大的Q-CELL检测信号起调制作用。 Q-CELL检测信号的处理：在对准的时候，工件台将首先沿X轴向缓慢地带动E-CHUCK上的硅片移动，进行X轴向对准，当硅片标记上X向光栅与对应的掩膜版上X向光栅对准时，
现代通信新技术发展现状及趋势现代通信的发展现状，所采用的最新技术及其发展趋势，主要为通信网中“三网”现状和趋势、宽带网核心技术（ATM与IP）、宽带接入技术、第三代移动通信、蓝牙、超宽带等。 1 引言 在NII（国家信息基础设施）的建设中，大容量、高速率的通信网是主干，NII的目标在很大程度上依*通信网实现，因此通信网的发展倍受瞩目。通信网技术的发展，制约着计算机网络的发展，制约着政治、经济、军事、文化等各行各业的发展，及时了解和掌握现代通信网新技术及发展趋势，并将之运用于军事装备的设计和规划中，对于提高军事发展水平有重要意义。 2 “三网”发展现状和趋势 通信网的发展趋势是宽带化、智能化、个人化和综合化，能够支持各类窄带和宽带、实时和非实时、恒定速率和可变速率，尤其是多媒体业务。目前规模最大的三大网是电话网、有线电视网（CATV）、计算机网，它们都各有自己的优点和不足。 计算机网络虽能很好地支持数据业务，但实时性（QoS，服务质量）差，宽带性不够，不支持电话和实时图像业务，网络管理的让费和安全性不够。 电话网虽可高质量地支持话音业务，但带宽不够，所有的程控交换机均按传输话音的带宽设计（64kbit/s）。同时智能不够，虽有部分智能网业务（如800），但目前还达不到计算机网络的智能。
有线电视网虽然实时性和宽带能力均很好，但不能双向通信、无交换和网络管理。 三种网都在逐步演变，使自己具备其他两网的优点，电信网通过采用光纤、xDSL、以太网和ATM，提供Internet的高速接入和交互多媒体业务；CATV铺设光缆，以更换同轴电缆，采用HFC技术进行双向化改造；网络公司围绕Internet技术建网，力争在同一个网上，支持全业务。目前*单一网络的发展，难以实现通信网的发展要求，因此提出“三网融合”的概念。 “三网融合”不是指三网在物理上的兼并合一，而是指高层业务应用的融合，即技术上互相渗透，网络层上实现互通，应用层上使用相同的协议，但运行和管理是分开的。三网将在GII（全球信息基础结构）概念下，共同存在，向互通融合的趋势发展。 “三网融合”有利于最大程度地共享现有资源，为推动“三网融合”，ITU提出了GII概念，其目标是通过三网资源的无缝融合，构成一个具有统一接入和应用界面的高效网络，满足用户在任何时间、任何地点，以可接收的质量和费用，安全地享受多种业务（声音、数据、图像、影像等）。 下一代网络中软交换、能动网和分布式面向对象的网络结构（DONA）将是新的发展思路。 在现代通信新技术中，主要为大家介绍宽带网核心技术（IP与ATM）、接入网技术、光纤接入技术、第三代移动通信技术及蓝牙、超宽带等无线通信技术。
摘要：本文叙述了模具技术在国民经济中的重要性，介绍了各行业模具的现状及发展方向；文中强调指出了两个关键问题——模具材料和模具标准——是持续发展 模具技术的重大策略。中国模具技术，则是依据着国际模具市场的发展趋势， 转变着模具品牌产品的发展规模，不断的提高着模具设计水平，迎合着模具企 业的经济发展需求，也会进一步的推动着模具技术发展。 关键词：发展趋势、现状、模具技术、塑料模具、模具CAD／CAM Abstract:This paper was narrated the importance of the mould technology in the national economy．It was introduced the present situation and development direction of all trade and professions on the mould and die．It was indicated emphatically two questions of the crux一一mould materials and mould standard——developing continuous ly the great tactics on the progress of the mould technology. China mold technology, according to the international mold is the development trend of the market, the brand product change mould the development scale, and constantly improve the level of the die design, catering to the needs of the mould enterprise economic development, will further promote the development of the mould technology. 一、引言 模具是工业生产的基础工艺装备，国民经济的五大支拄产业机械、电子、汽车、石化、建筑都要求模具工业发展与之相适应。目前，模具行业的生产性服务业发展迅速，模具标准件、软件、材料供应等服务模式更为人性化，为企业一揽子解决问题的服务模式开始出现，这无疑对模具行业的发展有着很大的推动作用，另外，我国的模具品种仍然不丰富，模具行业的平衡发展亟需重视。模具是制造业的重要基础工艺装备。模具在制造业产品生产、研发和创新中所具有的重要地位，使得模具制造能力和技术水平的高低已成为衡量国家制造业水平和创新能力的重要标志。近10年来，我国模具工业均以每年15％以上的增长速度快速发展。“十一五”期间，我国模具行业保持产销两旺、持续高速发展，模具产量、质量进一步得到提高。中国的模具市场十分广阔，特别是在汽车制造业和IT制造业发展的带动下，对模具的需求量和档次也越来越高，同时精良的模具制造装备为模具技术水平的提升提供了保障。2007年模具销售额870亿人民币，比上一年增长21％，模具出口亿美元，比上一年增长35．7％，模具进口仍保持在20亿美元。数据显示着我国模具整体实力进一步加强。
十三章 光刻II 光刻机和光掩膜版 前几章讲述了光刻胶材料的性质和工艺技术。在这一章里，我们介绍如何将图形转移到硅片表面上，包括以下内容：a)将图形投影到硅片表面的装置（即光刻对准仪或光刻翻版机），由此使得所需图形区域的光刻胶曝光。 b)将图形转移到涂有光刻胶的硅片上的工具（即光掩模版和中间掩模版）。在介绍光刻机或掩模版之前，把用以设计和描述操作光刻机的光学原理简要地说明一下。它们是讲明光掩模板和中间掩模版的基础。 在讨论光学原理之前，有必要介绍一下微光刻硬件的关键。那就是把图形投影到硅表面的机器和掩模版的最重要的特征：a)分辨率、b)图形套准精度、c)尺寸控制、d)产出率。 通常，分辨律是指一个光学系统精确区分目标的能力。特别的，我们所说的微图形加工的最小分辨率是指最小线宽尺寸或机器能充分打印出的区域。然而，和光刻机的分辨率一样，最小尺寸也依赖于光刻胶和刻蚀的技术。关于分辨率的问题将在微光刻光学一章中更彻底的讲解，但要重点强调的是高分辨率通常是光刻机最重要的特性。 图形套准精度是衡量被印刷的图形能“匹配”前面印刷图形的一种尺度。由于微光刻应用的特征尺寸非常小，且各层都需正确匹配，所以需要配合紧密。
微光刻尺寸控制的要求是以高准度和高精度在完整硅片表面产生器件特征尺寸。为此，首先要在图形转移工具〔光刻掩模版〕上正确地再造出特征图形，然后再准确地在硅片表面印刷出〔翻印或刻蚀〕。 加工产率是重要但 不是最重要加工特征。例 如，如果一个器件只能在 低生产率但高分辨率的 光刻机制版，这样也许仍 然是经济的。不过，在大 部分生产应用中，加工和 机器的产率是很重要的， 也许是选择机器的重要因素之一。 1.微光刻光学 在大规模集成电路的制造中。光刻系统的分辨率是相当重要的，因为它是微器件尺寸的主要限制。在现代化投影光刻机中光学配件的质量是相当高的，所以图形的特征尺寸因衍射的影响而受限制，而不会是因为镜头的原因(它们被叫做衍射限制系统)。因为分辨率是由衍射限度而决定的，那就必须弄明白围绕衍射限度光学的几个概念，包括一致性、衍射、数值孔径、调频和许多重要调节转换性能。下几节的目的就是要简要和基本地介绍这些内容。参考资料1·2讲得更详细。 衍射·一致性·数值孔径和分辨率 图（1）：一束空间连续光线经过直的边缘时的光强 a)依据几何光学b)散射
浅谈先进制造技术现状和发展趋势 xxxx xxx xxxxxxxxx 先进制造技术不仅是衡量一个国家科技发展水平的重要标志，也是国际间科技竞争的重点。我国正处于工业化经济发展的关键时期，制造技术是我们的薄弱环节。只有跟上发展先进制造技术的世界潮流，将其放在战略优先地位，并以足够的力度予以实施,，进一步推进国企改革，推动建立强大的企业集团。推进技术创新，推动大型企业尽快建立技术开发中心，广泛吸引人才，在重大技术创新项目中实行产学研结合，才能尽快缩小同发达国家的差距， 销售及售后服务等方面的应用。它要不断吸收各种高新技术成果与传统制造技术相结合，使制造技术成为能驾驭生产过程的物质流、能量流和信息流的系统工程。 3）是面向全球竞争的技术随着全球市场的形成，使得市场竞争变得越来越激烈，先进制造技术正是为适应这种激烈的市场竞争而出现的。因此，一个国家的先进制造技术，它的主体应该具有世界先进水平，应能支持该国制造业在全球市场的竞争力 2 先进制造技术的组成 先进制造技术是为了适应时代要求提高竞争能力，对制造技术不断优化和推陈出新而形
成的。它是一个相对的，动态的概念。在不同发展水平的国家和同一国家的不同发展阶段，有不同的技术内涵和构成。从目前各国掌握的制造技术来看可分为四个领域的研究，它们横跨多个学科，并组成了一个有机整体： 2.1 现代设计技术 1）计算机辅助设计技术包括：有限元法，优化设计，计算机辅助设计技术，模糊智能CAD等。 2）性能优良设计基础技术包括：可靠性设计；安全性设计；动态分析与设计；断裂设 7）过程设备工况监测与控制。 2.4 系统管理技术 1）先进制造生产模式； 2）集成管理技术；3）生产组织方法。 3先进制造技术的国内外现状 3.1国外先进制造技术现状 在制造业自动化发展方面, 发达国家机械制造技术已经达到相当水平, 实现了机械制