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各种电平标准

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各种电平标准

在通用的电子器件设备中,TTL和CMOS电路的应用非常广泛。但是面对现在系统日益复杂,传输的数据量越来越大,实时性要求越来越高,传输距离越来越长的发展趋势,掌握高速数据传输的逻辑电平知识和设计能力就显得更加迫切了。

5V TTL和5V CMOS逻辑电平是通用的逻辑电平。 ·3.3V及以下的逻辑电平被称为低电压逻辑电平,常用的为LVTTL电平。 ·低电压的逻辑电平还有2.5V和1.8V两种。 ·ECL/PECL和LVDS是差分输入输出。 ·RS-422/485和RS-232是串口的接口标准,RS-422/485是差分输入

常用电平标准

现在常用的电平标准有TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232、RS485等,还有一些速度比较高的LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL等。下面简单介绍一下各自的供电电源、电平标准以及使用注意事项。

TTL:Transistor-Transistor Logic 三极管结构。

Vcc:5V;VOH>=2.4V;VOL<=0.5V;VIH>=2V;VIL<=0.8V。

因为2.4V与5V之间还有很大空闲,对改善噪声容限并没什么好处,又会白白增大系统功耗,还会影响速度。所以后来就把一部分“砍”掉了。也就是后面的LVTTL。

LVTTL又分3.3V、2.5V以及更低电压的LVTTL(Low Voltage TTL)。

3.3V LVTTL:

Vcc:3.3V;VOH>=2.4V;VOL<=0.4V;VIH>=2V;VIL<=0.8V。

2.5V LVTTL:

Vcc:2.5V;VOH>=2.0V;VOL<=0.2V;VIH>=1.7V;VIL<=0.7V。

更低的LVTTL不常用。多用在处理器等高速芯片,使用时查看芯片手册就OK了。

TTL使用注意:TTL电平一般过冲都会比较严重,可能在始端串22欧或33欧电阻;

TTL电平输入脚悬空时是内部认为是高电平。要下拉的话应用1k以下电阻下拉。TTL输出不能驱动CMOS 输入。

CMOS:Complementary Metal Oxide Semiconductor PMOS+NMOS。

Vcc:5V;VOH>=4.45V;VOL<=0.5V;VIH>=3.5V;VIL<=1.5V。

相对TTL有了更大的噪声容限,输入阻抗远大于TTL输入阻抗。对应3.3V LVTTL,出现了LVCMOS,可以与3.3V的LVTTL直接相互驱动。

3.3V LVCMOS:

Vcc:3.3V;VOH>=3.2V;VOL<=0.1V;VIH>=2.0V;VIL<=0.7V。

2.5V LVCMOS:

Vcc:2.5V;VOH>=2V;VOL<=0.1V;VIH>=1.7V;VIL<=0.7V。

CMOS使用注意:CMOS结构内部寄生有可控硅结构,当输入或输入管脚高于VCC一定值(比如一些芯片是0.7V)时,电流足够大的话,可能引起闩锁效应,导致芯片的烧毁。

ECL:Emitter Coupled Logic 发射极耦合逻辑电路(差分结构)

Vcc=0V;Vee:-5.2V;VOH=-0.88V;VOL=-1.72V;VIH=-1.24V;VIL=-1.36V。

速度快,驱动能力强,噪声小,很容易达到几百M的应用。但是功耗大,需要负电源。为简化电源,出现了PECL(ECL结构,改用正电压供电)和LVPECL。

PECL:Pseudo/Positive ECL

Vcc=5V;VOH=4.12V;VOL=3.28V;VIH=3.78V;VIL=3.64V

LVPELC:Low Voltage PECL

Vcc=3.3V;VOH=2.42V;VOL=1.58V;VIH=2.06V;VIL=1.94V

ECL、PECL、LVPECL使用注意:不同电平不能直接驱动。中间可用交流耦合、电阻网络或专用芯片

进行转换。以上三种均为射随输出结构,必须有电阻拉到一个直流偏置电压。(如多用于时钟的LVPECL:直

流匹配时用130欧上拉,同时用82欧下拉;交流匹配时用82欧上拉,同时用130欧下拉。但两种方式工

作后直流电平都在1.95V左右。)

前面的电平标准摆幅都比较大,为降低电磁辐射,同时提高开关速度又推出LVDS电平标准。

LVDS:Low V oltage Differential Signaling

差分对输入输出,内部有一个恒流源3.5-4mA,在差分线上改变方向来表示0和1。通过外部的100欧匹配电阻(并在差分线上靠近接收端)转换为±350mV的差分电平。

LVDS使用注意:可以达到600M以上,PCB要求较高,差分线要求严格等长,差最好不超过10mil(0.25mm)。100欧电阻离接收端距离不能超过500mil,最好控制在300mil以内。

其他的一些:

CML:是内部做好匹配的一种电路,不需再进行匹配。三极管结构,也是差分线,速度能达到3G 以上。只能点对点传输。

GTL:类似CMOS的一种结构,输入为比较器结构,比较器一端接参考电平,另一端接输入信号。

1.2V电源供电。

Vcc=1.2V;VOH>=1.1V;VOL<=0.4V;VIH>=0.85V;VIL<=0.75V

PGTL/GTL+:

Vcc=1.5V;VOH>=1.4V;VOL<=0.46V;VIH>=1.2V;VIL<=0.8V

HSTL是主要用于QDR存储器的一种电平标准:一般有V?CCIO=1.8V和V??CCIO=1.5V。和上面的GTL相似,输入为输入为比较器结构,比较器一端接参考电平(VCCIO/2),另一端接输入信号。对参考电平要求比较高(1%精度)。

SSTL主要用于DDR存储器。和HSTL基本相同。V??CCIO=2.5V,输入为输入为比较器结构,比较器一端接参考电平1.25V,另一端接输入信号。对参考电平要求比较高(1%精度)。

HSTL和SSTL大多用在300M以下。

RS232采用±12-15V供电,我们电脑后面的串口即为RS232标准。+12V表示0,-12V表示1。可以用MAX3232等专用芯片转换,也可以用两个三极管加一些外围电路进行反相和电压匹配。

RS485是一种差分结构,相对RS232有更高的抗干扰能力。传输距离可以达到上千米。

差分信号 LVDS

1 差分信号

差分信号用一个数值来表示两个物理量之间的差异。从严格意义上讲,所有电压信号都是差分的,因为一个电压只能相对于另一个电压而言。在某些系统里,系统‘地’被用作电压基准点。当‘地’作为电压测量基准时,这种信号规划被称为单端的。使用该术语是因信号采用单个导体上的电压来表示的;另一方面,一个差分信号作用在两个导体上。信号值是两个导体间的电压差。尽管不是非常必要,这两个电压的平均值还是会经常保持一致。

差分信号具有如下优点:

(1)因为可以控制“基准”电压,所以很容易识别小信号。从差分信号恢复的信号值在很大程度上与‘地’的精确值无关,而在某一范围内。

(2)它对外部电磁干扰(EMI)是高度免疫的。一个干扰源几乎相同程度地影响差分信号对的每一端。既然电压差异决定信号值,这样将忽视在两个导体上出现的任何同样干扰。

(3)在一个单电源系统,能够从容精确地处理‘双极’信号。为了处理单端、单电源系统的双极信号,必须在地与电源干线之间任意电压处(通常是中点)建立一个虚地。用高于虚地的电压表示正极信号,低于虚地的电压表示负极信号。必须把虚地正确分布到整个系统里。而对于差分信号,不需要这样一个虚地,这就使处理和传播双极信号有一个高逼真度,而无须依赖虚地的稳定性。

LVDS、PECL、RS-422等标准都采取差分传输方式。

2 LVDS总线

LVDS(Low Voltage Differential Signaling)是一种小振幅差分信号技术。LVDS在两个标准中定义:1996年3月通过的IEEE P1596.3主要面向SCI(Scalable Coherent Interface),定义了LVDS的电特性,还定义了SCI协议中包交换时的编码;1995年11月通过的ANSI/EIA/EIA-644主要定义了LVDS的电特性,并建议655Mbps的最大速率和1.923Gbps的小失真理论极限速率。在两个标准中都指定了与传输介质无关的特性。只要传输介质在指定的噪声容限和可允许时钟偏斜的范围内发送信号到接收器,接口都能正常工作。可用于服务器、可堆垒集线器、无线基站、ATM交换机及高分辨率显示等,也可用于通信系统的设计。

2.1 LVDS工作原理

图1为LVDS的原理简图,其驱动器由一个恒流源(通常为3.5mA)驱动一对差分信号线组成。在接收端有

一个高的直流输入阻抗(几乎不会消耗电流),几乎全部的驱动电流将流经100Ω的接收端电阻在接收器输入端产生约350mV的电压。当驱动状态反转时,流经电阻的电流方向改变,于是在接收端产生有效的“0”或“1”逻辑状态。

2.2 LVDS技术优势

(1)高速度:LVDS技术的恒流源模式低摆幅输出意味着LVDS能高速切换数据。例如,对于点到点的连接,传输速率可达数百Mbps。

(2)高抗噪性能:噪声以共模方式在一对差分线上耦合出现,并在接收器中相减从而可消除噪声。这也是差分传输技术的共同特点。

(3)低电压摆幅:使用非常低的幅度信号(约350mV)通过一对差分PCB走线或平衡电缆传输数据。LVDS 的电压摆幅是PECL的一半,是RS-422的1/10;由于是低摆幅差分信号技术,其驱动和接收不依赖于供电电压,因此,LVDS可应用于低电压系统中,如5V、3.3V甚至2.5V。

(4)低功耗:接收器端的100Ω阻抗功率仅仅为1.2mV。RS-422接收器端的100Ω阻抗功率为90mV,是LVDS 的75倍!LVDS器件采用CMOS工艺制造,CMOS工艺的静态功耗极小。LVDS驱动器和接收器所需的静态电流大约是PECL/ECL器件的1/10。LVDS驱动器采用恒流源驱动模式,这种设计可以减少1cc中的频率成分。从1cc与频率关系曲线图上可以看到在10MHz~100MHz之间,曲线比较平坦;而TTL/CMOS以及GTL接收器件的动态电流则随着频率地增加呈指数增长,因为功率是电流的二次函数,所以动态功耗将随着频率的提高而大幅度提高(见图2)。

(5)低成本:LVDS芯片是标准CMOS工艺实现技术,集成度高;接收端阻抗小,连线简单,节省了电阻电容等外围元件;低能耗;LVDS总线串行传输数据,LVDS芯片内部集成了串化器或解串器,与并行数据互联相比,节省了约50%的电缆、接口及PCB制作成本。此外,由于连接关系大大简化,也节省了空间。

(6)低噪声:由于两条信号线周围的电磁场相互抵消,故比单线信号传输电磁辐射小得多。恒流源驱动模式不易产生振铃和切换尖锋信号,进一步降低了噪声。

1 几种常用高速逻辑电平

1.1LVDS电平

LVDS(Low Voltage Differential Signal)即低电压差分信号,LVDS接口又称RS644芟呓涌冢 ?0世纪90年代才出现的一种数据传输和接口_技术。

LVDS的典型工作原理如图1所示。最基本的LVDS器件就是LVDS驱动器和接收器。LVDS的驱动器由驱动差分线对的电流源组成,电流通常为3.5 mA。LVDS接收器具有很高的输入阻抗,因此驱动器输出的大部分电流都流过100 Ω的匹配电阻,并在接收器的输入端产生大约350 mV的电压。当驱动器翻转时,它改变流经电阻的电流方向,因此产生有效的逻辑“1”和逻辑“0”状态。

LVDS技术在两个标准中被定义:ANSI/TIA/EIA644 (1995年11月通过)和IEEE P1596.3 (1996年3月通过)。这两个标准中都着重定义了LVDS的电特性,包括:

①低摆幅(约为350 mV)。低电流驱动模式意味着可实现高速传输。ANSI/TIA/EIA644建议了655 Mb/s

的最大速率和1.923 Gb/s的无失真通道上的理论极限速率。

②低压摆幅。恒流源电流驱动,把输出电流限制到约为3.5 mA左右,使跳变期间的尖峰干扰最小,因而产生的功耗非常小。这允许集成电路密度的进一步提高,即提高了PCB板的效能,减少了成本。

③具有相对较慢的边缘速率(dV/dt约为0.300 V/0.3 ns,即为1 V/ns),同时采用差分传输形式,使其信号噪声和EMI都大为减少,同时也具有较强的抗干扰能力。

所以,LVDS具有高速、超低功耗、低噪声和低成本的优良特性。

LVDS的应用模式可以有四种形式:

①单向点对点(point to point),这是典型的应用模式。

②双向点对点(point to point),能通过一对双绞线实现双向的半双工通信。可以由标准的LVDS的驱动器和接收器构成;但更好的办法是采用总线LVDS驱动器,即BLVDS,这是为总线两端都接负载而设计的。

③多分支形式(multidrop),即一个驱动器连接多个接收器。当有相同的数据要传给多个负载时,可以采用这种应用形式。④多点结构(multipoint)。此时多点总线支持多个驱动器,也可以采用BLVDS驱动器。它可以提供双向的半双工通信,但是在任一时刻,只能有一个驱动器工作。因而发送的优先权和总线的仲裁协议都需要依据不同的应用场合,选用不同的软件协议和硬件方案。

为了支持LVDS的多点应用,即多分支结构投嗟憬峁梗?001年新推出的多点低压差分信号(MLVDS)国际标准ANSI/TIA/EIA 8992001,规定了用于多分支结构和多点结构的MLVDS器件的标准,目前已有一些MLVDS器件面世。

LVDS技术的应用领域也日渐普遍。在高速系统内部、系统背板互连和电缆传输应用中,驱动器、接收器、收发器、并串转换器/串并转换器以及其他LVDS器件的应用正日益广泛。接口芯片供应商正推进LVDS 作为下一代基础设施的基本构造模块,以支持手机基站、中心局交换设备以及网络主机和计算机、工作站之间的互连。

1.2ECL电平

ECL(EmitterCoupled Logic)即射极耦合逻辑,是带有射随输出结构的典型输入输出接口电路,如图2所示。

ECL电路的最大特点是其基本门电路工作在非饱和状态,因此ECL又称为非饱和性逻辑。也正因为如此,ECL 电路的最大优点是具有相当高的速度。这种电路的平均延迟时间可达几个ns数量级甚至更少。传统的ECL 以VCC为零电压,VEE为-5.2 V电源,VOH=VCC-0.9 V=-0.9 V,VOL=VCC-1.7 V=-1.7 V,所以ECL电路的逻辑摆幅较小(仅约0.8 V)。当电路从一种状态过渡到另一种状态时,对寄生电容的充放电时间将减少,这也是ECL电路具有高开关速度的重要原因。另外,ECL电路是由一个差分对管和一对射随器组成的,所以输入阻抗大,输出阻抗小,驱动能力强,信号检测能力高,差分输出,抗共模干扰能力强;但是由于单元门的开关管对是轮流导通的,对整个电路来讲没有“截止”状态,所以电路的功耗较大。

如果省掉ECL电路中的负电源,采用正电源的系统(+5 V),可将VCC接到正电源而VEE接到零点。这样的电平通常被称为PECL(Positive Emitter Coupled Logic)。如果采用+3.3 V供电,则称为LVPECL。当然,此时高低电平的定义也是不同的。它的电路如图3、4所示。其中,输出射随器工作在正电源范围内,其电流始终存在。这样有利于提高开关速度,而且标准的输出负载是接50Ω至VCC-2 V的电平上。

在使用PECL 电路时要注意加电源去耦电路,以免受噪声的干扰。输出采用交流耦合还是直流耦合,对负载网络的形式将会提出不同的需求。直流耦合的接口电路有两种工作模式:其一,对应于近距离传送的情况,采用发送端加到地偏置电阻,接收端加端接电阻模式;其二,对应于较远距离传送的情况,采用接收端通过电阻对提供截止电平VTT 和50 Ω的匹配负载的模式。以上都有标准的工作模式可供参考,不必赘述。对于交流耦合的接口电路,也有一种标准工作模式,即发送端加到地偏置电阻,耦合电容靠近发送端放置,接收端通过电阻对提供共模电平VBB 和50 Ω的匹配负载的模式。

(P)ECL是高速领域内一种十分重要的逻辑电路,它的优良特性使它广泛应用于高速计算机、高速计数

器、数字通信系统、雷达、测量仪器和频率合成器等方面。 1.3CML电平

CML电平是所有高速数据接口中最简单的一种。其输入和输出是匹配好的,减少了外围器件,适合于更高频段工作。它的输出结构如图5所示。

CML 接口典型的输出电路是一个差分对形式。该差分对的集电极电阻为50 Ω,输出信号的高低电平切换是靠共发射极差分对的开关控制的。差分对的发射极到地的恒流源典型值为16 mA。假定CML的输出负载为一个50 Ω上拉电阻,则单端CML输出信号的摆幅为VCC~VCC-0.4 V。在这种情况下,差分输出信号摆幅为800 mV。信号摆幅较小,所以功耗很低,CML接口电平功耗低于ECL的1/2,而且它的差分信号接口和 ECL、LVDS电平具有类似的特点。

CML到CML之间的连接分两种情况:当收发两端的器件使用相同的电源时,CML到CML可以采用直流耦合方式,不用加任何器件;当收发两端器件采用不同电源时,一般要考虑交流耦合,中间加耦合电容(注意这时选用的耦合电容要足够大,以避免在较长连0 或连1 情况出现时,接收端差分电压变小)。

但它也有些不足,即由于自身驱动能力有限,CML更适于芯片间较短距离的连接,而且CML接口实现方式不同用户间差异较大,所以现有器件提供CML接口的数目还不是非常多。

2 各种逻辑电平之间的比较和互连转化

2.1各种逻辑电平之间的比较

这几种高速逻辑电平在目前都有应用,但它们在总线结构、功率消耗、传输速率、耦合方式等方面都各有特点。为了便于应用比较,现归纳以上三类电平各方面的特点,如表1所列。

2.2各种逻辑电平之间的互连

这三类电平在互连时,首先要考虑的就是它们的电平大小和电平摆幅各不一样,必须使输出电平经过中间的电阻转换网络后落在输入电平的有效范围内。各种电平的摆幅比较如图6所示。

其次,电阻网络要考虑到匹配问题。例如我们知道,当负载是50 Ω接到VCC-2 V 时,LVPECL 的输出性能是最优的,因此考虑的电阻网络应该与最优负载等效;LVDS 的输入差分阻抗为100 Ω,或者每个单端到虚拟地为50 Ω,该阻抗不提供直流通路,这里意味着LVDS输入交流阻抗与直流阻抗不等,电阻值的选取还必须根据直流或交流耦合的不同情况作不同的选取。另外,电阻网络还必须与传输线匹配。

另一个问题是电阻网络需要在功耗和速度方面折中考虑:既允许电路在较高的速度下工作,又尽量不出现功耗过大。

下面以图7所示的LVPECL到LVDS的直流耦合连接为例,来说明以上所讨论的原则。

传输线阻抗匹配原则:

Z≈R1//(R2+R3)

根据LVPCEL输出最优性能:

降低LVPECL摆幅以适应LVDS的输入范围:Gain=R3/(R2+R3)

根据实际情况,选择满足以上约束条件的电阻值,例如当传输线特征阻抗为50 Ω时,可取R1=120 Ω,R2=58 Ω,R3=20 Ω即能完成互连。

由于LVDS 通常用作并联数据的传输,数据速率为155 Mbps、622 Mbps或1.25 Gbps;而CML 常用来做串行数据的传输,数据速率为2.5 Gbps或10 Gbps。一般情况下,在传输系统中没有CML和LVDS 的互连问题。

结语

本文粗浅地讨论了几种目前应用较多的高速电平技术。复杂高速的通信系统背板,大屏幕平板显示系统,海量数据的实时传输等等都需要采用新高速电平技术。随着社会的发展,新高速电平技术必将得到越来越广泛的应用

常用电平及接口电平

常用电平及接口电平

目录 一.常用逻辑电平标准 (3) 1.1 COMS电平 (4) 1.2 LVCOMS电平 (5) 2.1 TTL电平 (5) 2.2 LVTTL电平 (5) 3.1 LVDS电平 (6) 4.1 PECL(VCC=5V)/LVPECL(VCC=3.3V)电平 (7) 5.1 CML电平 (7) 6.1 VML电平 (7) 7.1 HSTL电平 (8) 7.2 SSTL电平 (8) 二.常用接口电平标准 (9) 1. RS232、RS485、 RS422 (9) 2 DDR1 ,DDR2,DDR3 (10) 3 PCIE2. 0、PCIE3.0 (11) 4 USB2.0, USB3.0 (13) 5 SATA2.0, SATA3.0 (14) 6 GTX高速接口 (14)

一.常用逻辑电平标准 附图1: 附图2:

附图3: 附图4: 1.1 COMS电平 电平参数条件最大值典型值最小值单位备注电源电压(VCC) 5.5 5 4.5 V 输入高压(VIH) 3.5 V 输入低压(VIL) 1.5 V 输出高压(VOH) 4.44 V 输出低压(VOL)0.5 V 共模电压(VT) 2.5 V

传输延迟时间(25-50ns) 最高速率 耦合方式 1.2 LVCOMS电平 LVCOMS电平参数条件最大值典型值最小值单位备注电源电压(VCC) 3.6 3.3 2.7 V 输入高压(VIH)0.7VCC V 输入低压(VIL) 0.2VCC V 输出高压(VOH) VCC-0.1 V 输出低压(VOL)0.1 V 共模电压(VT)0.5VCC V 最高速率 耦合方式 2.1 TTL电平 电平参数条件最大值典型值最小值单位备注电源电压(VCC) 5.5 5 4.5 V 输入高压(VIH) 2 V 输入低压(VIL) 0.8 V 输出高压(VOH) 2.4 V 输出低压(VOL)0.5 V 共模电压(VT) 1.5 V 传输延迟时间(5-10ns), 最高速率 耦合方式 2.2 LVTTL电平 电平参数条件最大值典型值最小值单位备注

电平标准

一些电平标准 下面总结一下各电平标准,和新手以及有需要的人共享一下^_^. 现在常用的电平标准有TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232、RS485等,还有一些速度比较高的LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL等。下面简单介绍一下各自的供电电源、电平标准以及使用注意事项。 TTL:Transistor-Transistor Logic 三极管结构。 Vcc:5V;VOH>=2.4V;VOL<=0.5V;VIH>=2V;VIL<=0.8V。 因为2.4V与5V之间还有很大空闲,对改善噪声容限并没什么好处,又会白白增大系统功耗,还会影响速度。所以后来就把一部分“砍”掉了。也就是后面的LVTTL。 LVTTL又分3.3V、2.5V以及更低电压的LVTTL(Low Voltage TTL)。 3.3V LVTTL: Vcc:3.3V;VOH>=2.4V;VOL<=0.4V;VIH>=2V;VIL<=0.8V。 2.5V LVTTL: Vcc:2.5V;VOH>=2.0V;VOL<=0.2V;VIH>=1.7V;VIL<=0.7V。 更低的LVTTL不常用就先不讲了。多用在处理器等高速芯片,使用时查看芯片手册就OK了。 TTL使用注意:TTL电平一般过冲都会比较严重,可能在始端串22欧或33欧电阻; TTL电平输入脚悬空时是内部认为是高电平。要下拉的话应用1k以下电阻下拉。TTL输出不能驱动CMOS输入。 CMOS:Complementary Metal Oxide Semiconductor PMOS+NMOS。 Vcc:5V;VOH>=4.45V;VOL<=0.5V;VIH>=3.5V;VIL<=1.5V。 相对TTL有了更大的噪声容限,输入阻抗远大于TTL输入阻抗。对应3.3V LVTTL,出现了LVCMOS,可以与3.3V的LVTTL直接相互驱动。 3.3V LVCMOS: Vcc:3.3V;VOH>=3.2V;VOL<=0.1V;VIH>=2.0V;VIL<=0.7V。 2.5V LVCMOS: Vcc:2.5V;VOH>=2V;VOL<=0.1V;VIH>=1.7V;VIL<=0.7V。 CMOS使用注意:CMOS结构内部寄生有可控硅结构,当输入或输入管脚高于VCC一定值(比如一些芯片是0.7V)时,电流足够大的话,可能引起闩锁效应,导致芯片的烧毁。 ECL:Emitter Coupled Logic 发射极耦合逻辑电路(差分结构) Vcc=0V;Vee:-5.2V;VOH=-0.88V;VOL=-1.72V;VIH=-1.24V;VIL=-1.36V。 速度快,驱动能力强,噪声小,很容易达到几百M的应用。但是功耗大,需要负电源。为简化电源,出现了PECL(ECL结构,改用正电压供电)和LVPECL。 PECL:Pseudo/Positive ECL Vcc=5V;VOH=4.12V;VOL=3.28V;VIH=3.78V;VIL=3.64V LVPELC:Low Voltage PECL

CMOS TTL电平标准

TTL电平和CMOS电平总结 1,TTL电平: 输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。在室温下,一般输出高电平是3.5V,输出低电平是0.2V。最小输入高电平和低电平:输入高电平>=2.0V,输入低电平<=0.8V,噪声容限是0.4V。2,CMOS电平: 1逻辑电平电压接近于电源电压,0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。 3,电平转换电路: 因为TTL和COMS的高低电平的值不一样(ttl 5v<==>cmos 3.3v),所以互相连接时需要电平的转换 4,OC门,即集电极开路门电路,OD门,即漏极开路门电路,必须外界上拉电阻和电源才能将开关电平作为高低电平用。否则它一般只作为开关大电压和大电流负载,所以又叫做驱动门电路。 5,TTL和COMS电路比较: 1)TTL电路是电流控制器件,而coms电路是电压控制器件。 2)TTL电路的速度快,传输延迟时间短(5-10ns),但是功耗大。COMS电路的速度慢,传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关,频率越高,芯片集越热,这是正常现象。 3)COMS电路的锁定效应: COMS电路由于输入太大的电流,内部的电流急剧增大,除非切断电源,电流一直在增大。这种效应就是锁定效应。当产生锁定效应时,COMS的内部电流能达到40mA以上,很容易烧毁芯片。 防御措施: 1)在输入端和输出端加钳位电路,使输入和输出不超过规定电压。 2)芯片的电源输入端加去耦电路,防止VDD端出现瞬间的高压。 3)在VDD和外电源之间加限流电阻,即使有大的电流也不让它进去。 4)当系统由几个电源分别供电时,开关要按下列顺序:开启时,先开启COMS电路得电源,再开启输入信号和负载的电源;关闭时,先关闭输入信号和负载的电源,再关闭COMS 电路的电源。 6,COMS电路的使用注意事项 1)COMS电路时电压控制器件,它的输入总抗很大,对干扰信号的捕捉能力很强。所以,不用的管脚不要悬空,要接上拉电阻或者下拉电阻,给它一个恒定的电平。 2)输入端接低内阻的信号源时,要在输入端和信号源之间要串联限流电阻,使输入的电流限制在1mA之内。 3)当接长信号传输线时,在COMS电路端接匹配电阻。 4)当输入端接大电容时,应该在输入端和电容间接保护电阻。电阻值为R=V0/1mA.V0是外界电容上的电压。 5)COMS的输入电流超过1mA,就有可能烧坏COMS。 7,TTL门电路中输入端负载特性(输入端带电阻特殊情况的处理): 1)悬空时相当于输入端接高电平。因为这时可以看作是输入端接一个无穷大的电阻。 2)在门电路输入端串联10K电阻后再输入低电平,输入端出呈现的是高电平而不是低电平。因为由TTL门电路的输入端负载特性可知,只有在输入端接的串联电阻小于910欧时,它输入来的低电平信号才能被门电路识别出来,串联电阻再大的话输入端就一直呈现高电平。这个一定要注意。COMS门电路就不用考虑这些了。 8,TTL电路有集电极开路OC门,MOS管也有和集电极对应的漏极开路的OD门,它的输出

RS232、RS485、RS422电平-及常见逻辑电平标准

RS232、RS485、RS422电平,及常见逻辑电平标准 RS232电平或者说串口电平,有的甚至说计算机电平,所有的这些说法,指得都是计算机9针串口(RS232)的电平,采用负逻辑, -15v ~ -3v 代表1 +3v ~ +15v 代表0 RS485电平和RS422电平由于两者均采用差分传输(平衡传输)的方式,所以他们的电平方式,一般有两个引脚 A,B 发送端 AB间的电压差 +2 ~+6v 1 -2 ~-6v 0 接收端 AB间的电压差 大于+200mv 1 小于-200mv 0 定义逻辑1为B>A的状态 定义逻辑0为A>B的状态 AB之间的电压差不小于200mv 一对一的接头的情况下 RS232 可做到双向传输,全双工通讯最高传输速率 20kbps 422 只能做到单向传输,半双工通讯,最高传输速率10Mbps 485 双向传输,半双工通讯, 最高传输速率10Mbps

常见逻辑电平标准 下面总结一下各电平标准。和新手以及有需要的人共享一下^_^. 现在常用的电平标准有TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232、RS485等,还有一些速度比较高的 LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL等。下面简单介绍一下各自的供电电源、电平标准以及使用注意事项。 TTL:Transistor-Transistor Logic 三极管结构。 Vcc:5V;VOH>=2.4V;VOL<=0.5V;VIH>=2V;VIL<=0.8V。 因为2.4V与5V之间还有很大空闲,对改善噪声容限并没什么好处,又会白白增大系统功耗,还会影响速度。所以后来就把一部分“砍”掉了。也就是后面的LVTTL。 LVTTL又分3.3V、2.5V以及更低电压的LVTTL(Low Voltage TTL)。 3.3V LVTTL: Vcc:3.3V;VOH>=2.4V;VOL<=0.4V;VIH>=2V;VIL<=0.8V。 2.5V LVTTL: Vcc:2.5V;VOH>=2.0V;VOL<=0.2V;VIH>=1.7V;VIL<=0.7V。 更低的LVTTL不常用就先不讲了。多用在处理器等高速芯片,使用时查看芯片手册就OK了。 TTL使用注意:TTL电平一般过冲都会比较严重,可能在始端串22欧或33欧电阻;TTL电平输入脚悬空时是内部认为是高电平。要下拉的话应用1k以下电阻下拉。TTL输出不能驱动CMOS输入。 CMOS:Complementary Metal Oxide Semiconductor PMOS+NMOS。Vcc:5V;VOH>=4.45V;VOL<=0.5V;VIH>=3.5V;VIL<=1.5V。 相对TTL有了更大的噪声容限,输入阻抗远大于TTL输入阻抗。对应3.3V LVTTL,出现了LVCMOS,可以与3.3V的LVTTL直接相互驱动。 3.3V LVCMOS: Vcc:3.3V;VOH>=3.2V;VOL<=0.1V;VIH>=2.0V;VIL<=0.7V。 2.5V LVCMOS: Vcc:2.5V;VOH>=2V;VOL<=0.1V;VIH>=1.7V;VIL<=0.7V。 CMOS使用注意:CMOS结构内部寄生有可控硅结构,当输入或输入管脚高于VCC一定值(比如一些芯片是0.7V)时,电流足够大的话,可能引起闩锁效应,导致芯片的烧毁。

华为逻辑电平接口设计规范

Q/DKBA 深圳市华为技术有限公司技术规范 错误!未定义书签。Q/DKBA0.200.035-2000 逻辑电平接口设计规范

2000-06-20发布 2000-06-20实施深圳市华为技术有限公司发布

本规范起草单位:各业务部、研究技术管理处硬件工程室。 本规范主要起草人如下:赵光耀、钱民、蔡常天、容庆安、朱志明,方光祥、王云飞。 在规范的起草过程中,李东原、陈卫中、梅泽良、邢小昱、李德、梁军、何其慧、甘云慧等提出了很好的建议。在此,表示感谢! 本规范批准人:周代琪 本规范解释权属于华为技术有限公司研究技术管理处硬件工程室。 本规范修改记录:

目录 1、目的 5 2、范围 5 3、名词定义 5 4、引用标准和参考资料 6 5、TTL器件和CMOS器件的逻辑电平8 5.1:逻辑电平的一些概念8 5.2:常用的逻辑电平9 5.3:TTL和CMOS器件的原理和输入输出特 性9 5.4:TTL和CMOS的逻辑电平关系10 6、TTL和CMOS逻辑器件12 6.1:TTL和CMOS器件的功能分类12 6.2:TTL和MOS逻辑器件的工艺分类特点13 6.3:TTL和CMOS逻辑器件的电平分类特点13 6.4:包含特殊功能的逻辑器件14 6.5:TTL和CMOS逻辑器件的选择15 6.6:逻辑器件的使用指南15 7、TTL、CMOS器件的互连17 7.1:器件的互连总则17 7.2:5V TTL门作驱动源20 7.3:3.3V TTL/CMOS门作驱动源20 7.4:5V CMOS门作驱动源20 7.5:2.5V CMOS逻辑电平的互连20 8、EPLD和FPGA器件的逻辑电平21 8.1:概述21 8.2:各类可编程器件接口电平要求21 8.3:各类可编程器件接口电平要求21 8.3.1:EPLD/CPLD的接口电平21 8.3.2:FPGA接口电平25 9、ECL器件的原理和特点35 9.1:ECL器件的原理35 9.2:ECL电路的特性36 9.3:PECL/LVPECL器件的原理和特点37 9.4:ECL器件的互连38 9.4.1:ECL器件和TTL器件的互连38 9.4.2:ECL器件和其他器件的互连39 9.5:ECL器件的匹配方式39 9.6:ECL器件的使用举例41 9.6.1:SYS100E111的设计41 9.6.2:SY100E57的设计42 9.1:ECL电路的器件选择43 9.2:ECL器件的使用原则43

常用电平接口

我们知道,在电路系统的各个子模块进行数据交换时可能会存在一些问题导致信号无法正常、高质量地“流通”,例如有时电路子模块各自的工作时序有偏差(如CPU与外设)或者各自的信号类型不一致(如传感器检测光信号)等,这时我们应该考虑通过相应的接口方式来很好地处理这个问题。 下面就电路设计中7个常用的接口类型的关键点进行说明一下: (1)TTL电平接口:这个接口类型基本是老生常谈的吧,从上大学学习模拟电路、数字电路开始,对于一般的电路设计,TTL电平接口基本就脱不了“干系”!它的速度一般限制在30MHz以内,这是由于BJT的输入端存在几个pF的输入电容的缘故(构成一个LPF),输入信号超过一定频率的话,信号就将“丢失”。它的驱动能力一般最大为几十个毫安。正常工作的信号电压一般较高,要是把它和信号电压较低的ECL电路接近时会产生比较明显的串扰问题。 (2)CMOS电平接口:我们对它也不陌生,也是经常和它打交道了,一些关于CMOS 的半导体特性在这里就不必啰嗦了。许多人都知道的是,正常情况下CMOS的功耗和抗干扰能力远优于TTL。但是!鲜为人知的是,在高转换频率时,CMOS系列实际上却比TTL消耗更多的功率,至于为什么是这样,请去问半导体物理理论吧。由于CMOS的工作电压目前已经可以很小了,有的FPGA内核工作电压甚至接近1.5V,这样就使得电平之间的噪声容限比TTL小了很多,因此更加加重了由于电压波动而引发的信号判断错误。众所周知,CMOS电路的输入阻抗是很高的,因此,它的耦合电容容量可以很小,而不需要使用大的电解电容器了。由于CMOS 电路通常驱动能力较弱,所以必须先进行TTL转换后再驱动ECL电路。此外,设计CMOS接口电路时,要注意避免容性负载过重,否则的话会使得上升时间变慢,而且驱动器件的功耗也将增加(因为容性负载并不耗费功率)。 (3)ECL电平接口:这可是计算机系统内部的老朋友啊!因为它的速度“跑”得够快,甚至可以跑到几百MHz!这是由于ECL内部的BJT在导通时并没有处于饱和状态,这样就可以减少BJT的导通和截止时间,工作速度自然也就可以提上去了。But,这是要付出代价的!它的致命伤:功耗较大!它引发的EMI问题也就值得考虑了,抗干扰能力也就好不到哪去了,要是谁能够折中好这两点因素的话,那么他(她)就该发大财了。还有要注意的是,一般ECL集成电路是需要负电源供电的,也就是说它的输出电压为负值,这时就需要专门的电平移动电路了。 (4)RS-232电平接口:玩电子技术的基本没有谁不知道它的了(除非他或她只是电子技术专业的“门外汉”)。它是低速串行通信接口标准,要注意的是,它的电平标准有点“反常”:高电平为-12V,而低电平为+12V。So,当我们试图通过计算机与外设进行通信时,一个电平转换芯片MAX232自然是少不了的了。但是我们得清醒地意识到它的一些缺点,例如数据传输速度还是比较慢、传输距离也较短等。 (5)差分平衡电平接口:它是用一对接线端A和B的相对输出电压(uA-uB)来表示信号的,一般情况下,这个差分信号会在信号传输时经过一个复杂的噪声环境,导致两根线上都产生基本上相同数量的噪声,而在接收端将会把噪声的能量

汽车分类国家标准

道路上行驶的汽车造型和性能特征等千差万别,如何区别这些汽车?一般来讲,根据新的汽车分类国家标准(gb9417-89)就可方便地区分车型。中国汽车划分为8大类: 1.载货汽车:依公路运行时厂定最大总质量(ga)划分为:微型货车(ga≤1.8吨)轻型货车(1.8吨<ga≤6吨)中型货车(6.0吨<ga≤14吨)重型货车(ga>14吨) 2.越野汽车:依越野运行时厂定最大总质量(ga)划分为:轻型越野汽车(ga≤5吨)中型越野汽车(5.0吨<ga≤13吨)重型越野汽车(13<ga≤24吨)超重型越野汽车(ga>24吨) 3.自卸汽车:依公路运行时厂定最大总质量(ga)划分为:轻型自卸汽车(ga≤6吨)中型自卸汽车(6.0吨<ga≤14吨)重型自卸汽车(ga>14吨)矿山自卸汽车; 4.牵引车:半挂牵引车、全挂牵引车; 5.专用汽车:厢式汽车、罐式汽车、起重举升汽车、仓棚式汽车、特种结构式汽车、专用自卸汽车; 6.客车:依车长(l)划分为:微型(l≤3.5米)轻型(3.5米<l≤7米)中型(7米<l≤10米)大型客车(l>10米)和特大型客车;中大型客车又可分为城市、长途、旅游及团体客车,特大型客车指铰接和双层客车;

7.轿车:依发动机排量(v)划分为:微型轿车(v≤1升)普通轿车(1升<v≤1.6升)中级轿车(1.6升<v≤2.5 升)中高级轿车(2.5升<v≤4升)高级轿车(v>4升) 8.半挂车:依公路运行时厂定最大总质量(ga)划分为:轻型半挂车(ga≤7.1吨)中型半挂车(7.1吨<ga≤19.5吨)重型半挂车(19.5<ga≤34吨)超重型半挂车(ga>34吨)本站点车型定义与分类本网站主要收集小型客车, 如各种轿车, 轻型越野汽车, 微型 货车, 微型客车。在中国,根据公安部的车辆分类标准,小型客车的共分为四类, 即:·小轿车、越野车、旅行车、轻型小客车·本站点即主要采用这种分类办法。·本站点还同时收录适宜家庭使用的小型货车(皮卡, pickup), 归类为小货车每辆车属于哪一种车型,请参阅该车的行驶证(不是司机驾驶证)正页第5行均已标明。·小轿车举例:桑塔纳,宝马,奥迪等;夏利、奥拓属于小轿车。切诺基小客车在北京行驶按照小轿车进行管理, 但是这里归类为越野车·越野车包括国产吉普和进口吉普等型号, 以及其它品牌越野车·旅行车举例:松花江、昌河、长安、大发、柳州五菱、天津华利等属于7座以下旅行车·轻型小客车指凯特、海玉、中联等类型的小客车,中华子弹头也属于轻型小客车, 小客车的分类似有难以界定,主观上也归并到旅行车一类·小货车,如小轿车旅行轿车station wagon 小轿车厢式轿车旅行车吉普车jeep等越野汽车越野车厢式货车小货车轻型小货车pickup 小货 车国汽车分类标准中国汽车分类标准(gb9417-89)将汽车分类为8类:

几种常用逻辑电平电路的特点及应用

几种常用逻辑电平电路的特点及应用 2007-08-13 来源: 作者: LVDS(Low Voltage Differential Signal)低电压差分信号、ECL(EmitterCoupled Logic)即射极耦合逻辑、CML电平等各种逻辑电平的特点以及接口应用。 在通用的电子器件设备中,TTL和CMOS电路的应用非常广泛。但是面对现在系统日益复杂,传输的数据量越来越大,实时性要求越来越高,传输距离越来越长的发展趋势,掌握高速数据传输的逻辑电平知识和设计能力就显得更加迫切了。 1 几种常用高速逻辑电平 1.1LVDS电平 LVDS(Low V oltage Differential Signal)即低电压差分信号,LVDS接口又称RS644总线接口,是20世纪90年代才出现的一种数据传输和接口技术。 LVDS的典型工作原理如图1所示。最基本的LVDS器件就是LVDS驱动器和接收器。LVDS的驱动器由驱动差分线对的电流源组成,电流通常为3.5 mA。LVDS 接收器具有很高的输入阻抗,因此驱动器输出的大部分电流都流过100 Ω的匹配电阻,并在接收器的输入端产生大约350 mV的电压。当驱动器翻转时,它改变流经电阻的电流方向,因此产生有效的逻辑“1”和逻辑“0”状态。 图1LVDS驱动器与接收器互连示意 LVDS技术在两个标准中被定义:ANSI/TIA/EIA644 (1995年11月通过)和IEEE P1596.3 (1996年3月通过)。这两个标准中都着重定义了LVDS的电特性,包括:①低摆幅(约为350 mV)。低电流驱动模式意味着可实现高速传输。ANSI/TIA/EIA644建议了655 Mb/s的最大速率和1.923 Gb/s的无失真通道上的理论极限速率。 ②低压摆幅。恒流源电流驱动,把输出电流限制到约为3.5 mA左右,使跳变期间的尖峰干扰最小,因而产生的功耗非常小。这允许集成电路密度的进一步提高,即提高了PCB板的效能,减少了成本。 ③具有相对较慢的边缘速率(dV/dt约为0.300 V/0.3 ns,即为1 V/ns),同时采用差

各种逻辑电平标准

各种逻辑电平标准 在通用的电子器件设备中,TTL和CMOS电路的应用非常广泛。但是面对现在系统日益复杂,传输的数据量越来越大,实时性要求越来越高,传输距离越来越长的发展趋势,掌握高速数据传输的逻辑电平知识和设计能力就显得更加迫切了。 5V TTL和5V CMOS逻辑电平是通用的逻辑电平。·3.3V及以下的逻辑电平被称为低电压逻辑电平,常用的为LVTTL电平。·低电压的逻辑电平还有2.5V和1.8V两种。·ECL/PECL和LVDS是差分输入输出。·RS-422/485和RS-232是串口的接口标准,RS-422/485是差分输入 常用电平标准 现在常用的电平标准有TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232、RS485等,还有一些速度比较高的LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL 等。下面简单介绍一下各自的供电电源、电平标准以及使用注意事项。 TTL:Transistor-Transistor Logic 三极管结构。 Vcc:5V;VOH>=2.4V;VOL<=0.5V;VIH>=2V;VIL<=0.8V。 因为2.4V与5V之间还有很大空闲,对改善噪声容限并没什么好处,又会白白增大系统功耗,还会影响速度。所以后来就把一部分“砍”掉了。也就是后面的LVTTL。 LVTTL又分3.3V、2.5V以及更低电压的LVTTL(Low Voltage TTL)。 3.3V LVTTL: Vcc:3.3V;VOH>=2.4V;VOL<=0.4V;VIH>=2V;VIL<=0.8V。 2.5V LVTTL: Vcc:2.5V;VOH>=2.0V;VOL<=0.2V;VIH>=1.7V;VIL<=0.7V。 更低的LVTTL不常用。多用在处理器等高速芯片,使用时查看芯片手册就OK了。 TTL使用注意:TTL电平一般过冲都会比较严重,可能在始端串22欧或33欧电阻; TTL电平输入脚悬空时是内部认为是高电平。要下拉的话应用1k以下电阻下拉。TTL输出不能驱动CMOS输入。 CMOS:Complementary Metal Oxide Semiconductor PMOS+NMOS。 Vcc:5V;VOH>=4.45V;VOL<=0.5V;VIH>=3.5V;VIL<=1.5V。 相对TTL有了更大的噪声容限,输入阻抗远大于TTL输入阻抗。对应3.3V LVTTL,出现了LVCMOS,可以与3.3V的LVTTL直接相互驱动。

国家标准分类的基础知识

国家标准分类的基础知识 基础分类 国家标准分类按照标准化对象,通常把标准分为技术标准、管理标准和工作标准三大类。 技术标准——对标准化领域中需要协调统一的技术事项所制定的标准。包括基础标准、产品标准、工艺标准、检测试验方法标准,及安全、卫生、环保标准等。 管理标准——对标准化领域中需要协调统一的管理事项所制定的标准。 工作标准——对工作的责任、权利、范围、质量要求、程序、效果、检查方法、考核办法所制定的标准。 标准的分级 按照标准的适用范围,我国的标准分为国家标准、行业标准、地方标准和企业标准四个级别。 (1)国家标准 由国务院标准化行政主管部门国家质量技术监督总局与国家标准化管理委员会(属于国家质量技术监督检验检疫总局管理)指定(编制计划、组织起草、统一审批、编号、发布)。国

家标准在全国范围内适用,其他各级别标准不得与国家标准相抵触。 (2)行业标准 由国务院有关行政主管部门制定。如化工行业标准(代号为HG)、石油化工行业标准(代号为SH)由国家石油和化学工业局制定,建材行业标准(代号为JC)由国家建筑材料工业局制定。行业标准在全国某个行业范围内适用。 (3)地方标准 由省、自治区、直辖市标准化行政主管部门制定。在地方辖区范围内适用。 (4)企业标准 没有国家标准、行业标准和地方标准的产品,企业应当制定相应的企业标准,企业标准应报当地政府标准化行政主管部门和有关行政主管部门备案。企业标准在该企业内部适用。 此外,围绕当前国家技术创新体系的重要组成部分-------产业技术创新战略联盟,国标委目前还正在酝酿开展联盟标准试点工作。将通过试点的方式,支持有条件的国家级试点联盟,探索开展联盟标准化与当前标准体系并存互相补充的标准管理方式。

常用逻辑电平标准总结归纳

常见逻辑电平标准 下面总结一下各电平标准。和新手以及有需要的人共享一下^_^. 现在常用的电平标准有TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232、RS485等,还有一些速度比较高的 LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL等。下面简单介绍一下各自的供电电源、电平标准以及使用注意事项。 TTL:Transistor-Transistor Logic 三极管结构。 Vcc:5V;VOH>=2.4V;VOL<=0.5V;VIH>=2V;VIL<=0.8V。 因为2.4V与5V之间还有很大空闲,对改善噪声容限并没什么好处,又会白白增大系统功耗,还会影响速度。所以后来就把一部分“砍”掉了。也就是后面的LVTTL。 LVTTL又分3.3V、2.5V以及更低电压的LVTTL(Low Voltage TTL)。 3.3V LVTTL: Vcc:3.3V;VOH>=2.4V;VOL<=0.4V;VIH>=2V;VIL<=0.8V。 2.5V LVTTL: Vcc:2.5V;VOH>=2.0V;VOL<=0.2V;VIH>=1.7V;VIL<=0.7V。 更低的LVTTL不常用就先不讲了。多用在处理器等高速芯片,使用时查看芯片手册就OK了。TTL使用注意:TTL电平一般过冲都会比较严重,可能在始端串22欧或33欧电阻;TTL电平输入脚悬空时是内部认为是高电平。要下拉的话应用1k以下电阻下拉。TTL输出不能驱动CMOS输入。 CMOS:Complementary Metal Oxide Semiconductor PMOS+NMOS。 Vcc:5V;VOH>=4.45V;VOL<=0.5V;VIH>=3.5V;VIL<=1.5V。 相对TTL有了更大的噪声容限,输入阻抗远大于TTL输入阻抗。对应3.3V LVTTL,出现了LVCMOS,可以与3.3V的LVTTL直接相互驱动。 3.3V LVCMOS: Vcc:3.3V;VOH>=3.2V;VOL<=0.1V;VIH>=2.0V;VIL<=0.7V。 2.5V LVCMOS: Vcc:2.5V;VOH>=2V;VOL<=0.1V;VIH>=1.7V;VIL<=0.7V。 CMOS使用注意:CMOS结构内部寄生有可控硅结构,当输入或输入管脚高于VCC一定值(比如一些芯片是0.7V)时,电流足够大的话,可能引起闩锁效应,导致芯片的烧毁。 ECL:Emitter Coupled Logic 发射极耦合逻辑电路(差分结构) Vcc=0V;Vee:-5.2V;VOH=-0.88V;VOL=-1.72V;VIH=-1.24V;VIL=-1.36V。

中华人民共和国国家标准《全国主要产品分类与代码 第1部分可运输

《全国主要产品分类与代码》国家标准发布实施 ———粮食行业相关代码介绍 中华人民共和国国家标准《全国主要产品分类与代码第1部分:可运输产品》(GB/T 7635.1-2002)(以下简称“可运输产品代码”标准)经中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布,于2003年4月1日开始实施。 “可运输产品代码”标准是一项大型的基础性标准,是与国际通行产品目录协调一致的国家产品分类编码标准体系。规定了全国可运输产品的分类原则与方法、代码结构、编码方法、分类与代码。主要用于信息处理和信息交换。 一、《全国主要产品分类与代码》的组成 《全国主要产品分类与代码》由相对独立的两个部分组成,第一部分为可运输产品,第二部分为不可运输产品。第一部分由五大部类组成,与联合国统计委员会制定的《主要产品分类》(CPC)1998年10版的第1部分相对应,一致性程度为非等效。 “可运输产品代码”标准是对《全国工农业产品(商品、物资)分类与代码》(GB/T7635—1987)的修订。主要变化有: 1、对GB/T7635—1987标准名称进行了修改; 2、对代码结构和编码方法进行了修改。GB/T7635—1987代码结构是四层8位数字码,每层2位码,采用了平均分配代码的方法。“可运输产品代码”标准代码结构是六层8位数字码,前五 —1 —

层是一层1位码,第六层是3位码,采用了非平均分配代码方法; 3、产品分类和类目的设置进行了较大幅度的调整。 4、采用了GB/T10113-1988《分类编码通用术语》中确立的术语;产品类目采用了规范的产品名称。 二、我国主要粮食与机械产品分类代码介绍 在“可运输产品代码”标准中,与粮食行业相关的产品分类代码涉及我国原粮、米面油产品和粮油加工机械产品等三个方面。摘录如下: —2 —

常用逻辑电平简介讲解学习

常用逻辑电平简介(转载) 逻辑电平有:TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVDS、GTL、BTL、ETL、GTLP;RS232、RS422、RS485等。 图1-1:常用逻辑系列器件 TTL:Transistor-Transistor Logic CMOS:Complementary Metal Oxide Semicondutor LVTTL:Low Voltage TTL LVCMOS:Low Voltage CMOS ECL:Emitter Coupled Logic, PECL:Pseudo/Positive Emitter Coupled Logic LVDS:Low Voltage Differential Signaling GTL:Gunning Transceiver Logic BTL:Backplane Transceiver Logic ETL:enhanced transceiver logic GTLP:Gunning Transceiver Logic Plus TI的逻辑器件系列有:74、74HC、74AC、74LVC、74LVT等 S - Schottky Logic LS - Low-Power Schottky Logic CD4000 - CMOS Logic 4000 AS - Advanced Schottky Logic 74F - Fast Logic ALS - Advanced Low-Power Schottky Logic HC/HCT - High-Speed CMOS Logic BCT - BiCMOS Technology AC/ACT - Advanced CMOS Logic FCT - Fast CMOS Technology ABT - Advanced BiCMOS Technology LVT - Low-Voltage BiCMOS Technology LVC - Low Voltage CMOS Technology LV - Low-Voltage CBT - Crossbar Technology ALVC - Advanced Low-Voltage CMOS Technology AHC/AHCT - Advanced High-Speed CMOS CBTLV - Low-Voltage Crossbar Technology ALVT - Advanced Low-Voltage BiCMOS Technology AVC - Advanced Very-Low-Voltage CMOS Logic TTL器件和CMOS器件的逻辑电平 :逻辑电平的一些概念 要了解逻辑电平的内容,首先要知道以下几个概念的含义: 1:输入高电平(Vih):保证逻辑门的输入为高电平时所允许的最小输入高电平,当输入电平高于Vih时,则认为输入电平为高电平。 2:输入低电平(Vil):保证逻辑门的输入为低电平时所允许的最大输入低电平,

电平信号及接口电路

电平信号及接口电路 ——————————————————————————————————— 摘要:介绍了目前数字信号设计中,IC芯片常用电平的原理、应用及各种电平信号相互转换的实现方法,PCB布线技巧等。 关键词:TTL、CMOS、ECL、PECL、LVPECL、LVDS、CML 概述 随着数据传输业务需求的增加,如何高质量的解决高速IC 芯片间的互连变得越来越重要。从目前发展来看,芯片主要有以下几种接口电平:TTL(LVTTL)、CMOS、ECL、PECL、LVPECL、LVDS等,其中PECL、LVPECL、LVDS主要应用在高速芯片的接口,不同电平间是不能直接互连的,需要相应的电平转换电路和转换芯片,了解各种电平的结构及性能参数对分析电路是十分必要有益的,本文正是从各种电平信号的性能参数开始,结合参考资料对电平信号的互连进行介绍。 图1 常用电平信号 图1展示了各种电平信号的差异:方波的振幅表示逻辑高低电平值,括号中的电压值表示电源电压值。 下面先介绍一下电路的相关基本概念: (1)输出高电平(VOH):逻辑电平为1的输出电压,相应的输出电流用I OH表示。 (2)输出低电平(VOL):逻辑电平为0的输出电压,相应的输出电流用I OL表示。 (3)输入高电平(VIH):逻辑电平为1的输入电压,相应的输入电流用I IH表示。 (4)输入低电平(VIL):逻辑电平为0的输入电压,相应的输入电流用I IL表示。 (5)关门电平(V OFF):保证输出为标准高电平V SH(出厂时厂家给出)的条件下所允许的最大 输入低电平值。 (6)开门电平(V ON):保证输出为标准低电平V SL(出厂时厂家给出)的条件下所允许的最小输 入高电平值。 (7)低电平噪声容限(V NL):是保证输出高电平的前提下,允许叠加在输入低电平上的最大噪 声电压,其数值为关门电平V OFF与输入最小低电平的差值。 (8)高电平噪声容限(V NH):是保证输出低电平的前提下,允许叠加在输入高电平上的最大噪 声电压,其数值为输入最大低电平与开门电平V ON的差值。 (9) 输出差分信号

RSRSRS电平及常见逻辑电平标准

R S232、R S485、R S422电平,及常见逻辑电平标准 RS232电平或者说串口电平,有的甚至说计算机电平,所有的这些说法,指得都是计算机9针串口(RS232)的电平,采用负逻辑, -15v ~ -3v 代表1 +3v ~ +15v 代表0 RS485电平和RS422电平由于两者均采用差分传输(平衡传输)的方式,所以他们的电平方式,一般有两个引脚 A,B 发送端 AB间的电压差 +2 ~+6v 1 -2 ~-6v 0 接收端 AB间的电压差 大于+200mv 1 小于-200mv 0 定义逻辑1为B>A的状态 定义逻辑0为A>B的状态 AB之间的电压差不小于200mv 一对一的接头的情况下 RS232 可做到双向传输,全双工通讯最高传输速率 20kbps 422 只能做到单向传输,半双工通讯,最高传输速率10Mbps 485 双向传输,半双工通讯, 最高传输速率10Mbps

常见逻辑电平标准 下面总结一下各电平标准。和新手以及有需要的人共享一下^_^. 现在常用的电平标准有TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232、RS485等,还有一些速度比较高的 LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL等。下面简单介绍一下各自的供电电源、电平标准以及使用注意事项。 TTL:Transistor-Transistor Logic 三极管结构。 Vcc:5V;VOH>=2.4V;VOL<=0.5V;VIH>=2V;VIL<=0.8V。 因为2.4V与5V之间还有很大空闲,对改善噪声容限并没什么好处,又会白白增大系统功耗,还会影响速度。所以后来就把一部分“砍”掉了。也就是后面的LVTTL。 LVTTL又分3.3V、2.5V以及更低电压的LVTTL(Low Voltage TTL)。 3.3V LVTTL: Vcc:3.3V;VOH>=2.4V;VOL<=0.4V;VIH>=2V;VIL<=0.8V。 2.5V LVTTL: Vcc:2.5V;VOH>=2.0V;VOL<=0.2V;VIH>=1.7V;VIL<=0.7V。 更低的LVTTL不常用就先不讲了。多用在处理器等高速芯片,使用时查看芯片手册就OK了。 TTL使用注意:TTL电平一般过冲都会比较严重,可能在始端串22欧或33欧电 阻;TTL电平输入脚悬空时是内部认为是高电平。要下拉的话应用1k以下电阻下拉。TTL输出不能驱动CMOS输入。

常用电平标准的讨论(TTL,ECL,PECL,LVDS,CMOS,CML,GTL,HSTL,SSTL)

常用电平标准的讨论 (TTL,ECL,PECL,LVDS、CMOS、CML, GTL, HSTL, SSTL) 部分资料上说它们的逻辑标准,门限都是一样的,就是供电大小不同,这两种电平 的区别就是这些么? 是否LVTTL电平无法直接驱动TTL电路呢? 另外,"因为2.4V与5V之间还有很大空闲,对改善噪声容限并没什么好处,又会白白增大系统功耗,还会影响速度。" 中,关于改善噪声容限和系统功耗部分大家还有更深入的解释么? 简单列个表把 Voh Vol Vih Vil Vcc TTL 2.4 0.4 2.0 0.8 5 CMOS 4.44 0.5 3.5 1.5 5 LVTTL 2.4 0.4 2.0 0.8 3.3 LVCMOS 2.4 0.5 2.0 0.8 3.3 SSTL_2 1.82 0.68 1.43 1.07 2.5 根据上表所示,LVTTL可以驱动TTL,至于噪声,功耗问题小弟就不理解了,希望高手赐教! TTL 和LVTTL 的转换电平是相同的, TTL 产生于1970 年代初, 当时逻辑电路的电源电压标准只有5V 一种, TTL 的高电平干扰容限比低电平干扰容限大. CMOS 在晚十几年后才形成规模生产, 转换电平是电源电压的一半. 1990 年代才产生了3.3V/2.5V 等不同的电源标准, 于是重新设计了一部分TTL 电路成 为LVTTL. LVTTL TTL 和LVTTL 的转换电平是相同的, TTL 产生于1970 年代初, 当时逻辑电路的电源电压标准只有5V 一种, TTL 的高电平干扰容限比低电平干扰容限大. CMOS 在晚十几年后才形成规模生产, 转换电平是电源电压的一半. 1990 年代才产生了3.3V/2.5V 等不同的电源标准, 于是重新设计了一部分TTL 电路成 为LVTTL. ECL电路是射极耦合逻辑(Emitter Couple Logic)集成电路的简称与TTL电路不同,ECL电路的最大特点是其基本门电路工作在非饱和状态所以,ECL电路的最大优点是具有相当高的速度这种电路的平均延迟时间可达几个毫微秒甚至亚毫微秒数量级,这使得ECL集成电路在高速和超高速数字系统中充当无以匹敌的角色。 ECL电路的逻辑摆幅较小(仅约 0.8V ,而 TTL 的逻辑摆幅约为 2.0V ),当电路从一种状态过渡到另一种状态时,对寄生电容的充放电时间将减少,这也是 ECL电路具有高开关速度的重要原因。但逻辑摆幅小,对抗干扰能力不利。

串行通信接口标准详解

几种串行通信接口标准详解 在数据通信、计算机网络以及分布式工业控制系统中,经常采用串行通信来交换数据和信息。1969年,美国电子工业协会(EIA)公布了RS-232C作为串行通信接口的电气标准,该标准定义了数据终端设备(DTE)和数据通信设备(DCE)间按位串行传输的接口信息,合理安排了接口的电气信号和机械要求,在世界范围内得到了广泛的应用。但它采用单端驱动非差分接收电路,因而存在着传输距离不太远(最大传输距离15m)和传送速率不太高(最大位速率为20Kb/s)的问题。远距离串行通信必须使用Modem,增加了成本。在分布式控制系统和工业局部网络中,传输距离常介于近距离(<20m=和远距离(>2km)之间的情况,这时RS-232C(25脚连接器)不能采用,用Modem又不经济,因而需要制定新的串行通信接口标准。 1977年EIA制定了RS-449。它除了保留与RS-232C兼容的特点外,还在提高传输速率,增加传输距离及改进电气特性等方面作了很大努力,并增加了10个控制信号。与RS-449同时推出的还有RS-422和RS-423,它们是RS-449的标准子集。另外,还有RS-485,它是RS-422的变形。RS-422、RS-423是全双工的,而RS-485是半双工的。 RS-422标准规定采用平衡驱动差分接收电路,提高了数据传输速率(最大位速率为10Mb/s),增加了传输距离(最大传输距离1200m)。 RS-423标准规定采用单端驱动差分接收电路,其电气性能与RS-232C几乎相同,并设计成可连接RS-232C和RS-422。它一端可与RS-422连接,另一端则可与RS-232C连接,提供了一种从旧技术到新技术过渡的手段。同时又提高位速率(最大为300Kb/s)和传输距离(最大为600m)。 因RS-485为半双工的,当用于多站互连时可节省信号线,便于高速、远距离传送。许多智能仪器设备均配有RS-485总线接口,将它们联网也十分方便。 串行通信由于接线少、成本低,在数据采集和控制系统中得到了广泛的应用,产品也多种多样 一.RS-232-C详解 串行通信接口标准经过使用和发展,目前已经有几种。但都是在RS-232标准的基础上经过改进而形成的。所以,以RS-232C为主来讨论。RS-323C标准是美国EIA(电子工业联合会)与BELL等公司一起开发的1969年公布的通信协议。它适合于数据传输速率在0~20000b/s范围内的通信。这个标准对串行通信接口的有关问题,如信号线功能、电器特性都作了明确规定。由于通行设备厂商都生产与RS-232C制式兼容的通信设备,因此,它作为一种标准,目前已在微机通信接口中广泛采用。 在讨论RS-232C接口标准的内容之前,先说明两点: 首先,RS-232-C标准最初是远程通信连接数据终端设备DTE(Data Terminal Equipment)与数据通信设备DCE(Data Communication Equipment)而制定的。因此这个标准的制定,并未考虑计算机系统的应用要求。但目前它又广泛地被借来用于计算机(更准确的说,是计算机接口)与终端或外设之间的近端连接标准。显然,这个标准的有些规定及和计算机系统是不一致的,甚至是相矛盾的。有了对这种背景的了解,我们对RS-232C 标准与计算机不兼容的地方就不难理解了。 其次,RS-232C标准中所提到的“发送”和“接收”,都是站在DTE立场上,而不是站在DCE的立场来定义的。由于在计算机系统中,往往是CPU和I/O设备之间传送信息,两者都

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