电路习题
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1-1 根据图示参考方向，判断各元件是吸收还是发出功率，其功率各为多少？
图题1-1
1-2 各元件的条件如图所示。
图题1-2
(1)若元件A 吸收功率为10 W ，求I a ； (2)若元件B 产生功率为(－10 W)，求U b ； (3)若元件C 吸收功率为(－10 W)，求I c ；(4)求元件D 吸收的功率。 1-3 电路如图所示，求各电路中所标出的未知量u 、i 、R 或p 的值。
图题1-3
1-13 图示各电路中的电源对外部是提供功率还是吸收功率?其功率为多少
?
图题1-13
1-15 求图示各电路中电压源流过的电流和它发出的功率。
图题1-15
1-18 (1)求图题1-18(a)电路中受控电压源的端电压和它的功率； (2)求图题1-18(b)电路中受控电流源的电流和它的功率；
(3)试问(1)、(2)中的受控源是否可以用电阻或独立电源来替代?若能，所替代元件的参
数值为多少?并说明如何联接。
图题1-18 1-22 求图示各电路中的U ab，设端口a、b均为开路。
图题1-22 1-24 电路如图示，求m、n两点间的电压U mn。
图题1-24
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2-1 求各电路的等效电阻R ab 。
图题2-1
2-4 有一滑线电阻器作分压器使用[见图(a)]，其电阻R 为500 Ω，额定电流为1.8 A 。若已知外加电压u ＝500 V ，R 1＝100 Ω。求：
(1)输出电压u 2；
(2)用内阻为800 Ω的电压表去测量输出电压，如图(b)所示，问电压表的读数为多大? (3)若误将内阻为0.5 Ω，量程为2 A 的电流表看成是电压表去测量输出电压，如图(c)所示，将发生什么后果
?
图题2-4
2-8 利用电源等效变换化简各二端网络。
图题2-8
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2-10 应用电源等效变换的方法求电路中的电流i 。
图题2-10
2-11 求各电路的入端电阻R i 。
图题2-11
2-12 求各电路的入端电阻R i (提示：设控制量等于1)。
图题2-12
2-14 用支路电流法求各电路的电流i 1，并求出图(b)电路中电流源的功率。
图题
2-14
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2-17电路如图示，求电流源的端电压u
。
图题2-17
2-21网孔分析法求图示电路的网孔电流。
图题2-21
2-22仅列一个方程，求图示电路中的电流i 。
图题2-22
2-23 用节点分析法求图示电路中的u 和i 。
图题2-23
2-24 用节点分析法求电路中的u a、u b、u c。
图题2-24
2-26 求图示电路中电流源两端的电压u。
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(1)用节点分析法； (2)
2-28试求电路中的u 1。
3-1 电路如图示，当2 A 电流源未接入时，3 A 电流源向网络提供的功率为54 W ，u 2＝12 V ；当3 A 电流源未接入时，2 A 电流源向网络提供的功率为28 W ，u 3＝8 V 。求两电源同时接入时，各电流源的功率。
3-2 试用戴维南定理求图示各电路的电流i 。 （1
）
（2）
3-3 在图(a)电路中，测得U 2＝12.5 V ，若将A 、B 两点短路，如图(b)所示，短路线电流为I ＝10 mA ，试求网络N 的戴维宁等效电路。
3-4电路如图示，问：R x为何值时，R x可获得最大功率?此最大功率为何值? Array
3-5 用诺顿定理求图示各电路中的电流i。
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4-38 串联谐振电路实验中，电源电压U S =1 V 保持不变。当调节电源频率达到谐振时，f 0=100 kHz ，回路电流I 0=100 mA ；当电源频率变到f 1=99 kHz 时，回路电流I 1=70.7 mA 。试求：(1)R 、L 和C 之值；(2)回路的品质因数Q 。
4-40 R 、L 、C 串联电路的端电压V )152500cos(210?+=t u ，当电容C =8 μF 时，电路中吸收的功率为最大，且为100 W 。
(1)求电感L 和电路的Q 值； (2)作电路的相量图。
4-43 在图示电路中，试问C 1和C 2为何值才能使电源频率为100 kHz 时电流不能流过负载R L ，而在频率为50 kHz 时，流过R L 的电流最大。
4-44 图示电路中，正弦电压u 的有效值U =200 V ，电流表A 3的读数为零。求电流表A 1的读数。
图题4-43 图题4-44
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4-45 已知对称三相电路的星形负载Z =165+j 84Ω，端线阻抗Z t =2+j 1Ω，中线阻抗Z N =1+j 1Ω，电源线电压U t =380 V 。求负载的电流和线电压，并作电路的相量图。
4-46 已知对称三相电路的线电压U t =380 V(电源端)，三角形负载Z =4.5+j 14Ω，端线阻抗Z t =1.5+j 2Ω。求线电流和负载的相电流，并作相量图。
4-47 图示三相对称电路，电源频率为50 Hz ，Z =6+j 8Ω。在负载端接入三相电容器组
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后，使功率因数提高到0.9，试求每相电容器的电容值。
图题4-47
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4-49 图示三角形连接的负载为Z AB =6+j 8Ω，Z BC =6－j 8Ω，Z CA =8+j 8Ω，试求负载接于线电压为380 V 的三相电源时，各相电流及线电流的值，并画出相量图。
4-50 图示对称三相电路。已右
?=0
380
AB U V ，?-=601A
I A ，则功率表读数各为多少？
图题4-49 图题4-50
4-52 三相对称感性负载接到三相对称电源上，在两线间接一功率表如图所示。若线电压U AB =380 V ，负载功率因数,6.0cos =?功率表读数P =275.3 W 。求线电流I A 。 4-53 图示为星形连接的三相对称负载，电源线电压为380 V ，电路中接有两只功率表W 1和W 2，R g 等于W 1的电压线圈及其附加电阻的总电阻。已知R =60Ω，ωL =80Ω。
求：(1)负载所吸收的有功功率及无功功率； (2)W 1和W 2的读数。
图题4-52
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4-20 图示电路。已知Ω=-=Ω=Ω=3,1,121C L X X R R ，电源电压
?=0
20
AB
U V 。
(1)求I 、AB
U 及电路的有功功率和功率因数？ (2)当电源改为20 V 直流电源时，I 和U AB 为何值？
(3)当有一内阻为0.5Ω的电流表跨接在A 、B 两端时，求通过电流表的电流（电源电压仍为20 0°V ）。
4-28 图示电路中，已知R 1=1 k Ω，R 2=10 k Ω，L =10 mH,C =0.1 μF ，
,rad/s 10,V cos 2)(,994S ===ωωμt t u 试确定a 、
b 端的戴维南等效电路的OC
U 和Z i 。
*4-36 某有源网络如图4-36所示，接有阻抗Z 支路，当Z =0时，测得支路B 中电流
为S I ；当Z =∞时，测得B 支路中I =0I ，设对于支路Z 端口的入端阻抗为Z A 。试证：当Z 为任意值时，有Z Z Z I I I I A
S 0S +-+
= 。
图题4-36 图题4-55
4-55 图示电路中，C B A E E E 、、是一组星形连接的对称三相电源。试求N
N 1'U I 及。图题4-53
图题4-20
图题4-28
可否应用戴维南定理使求解过程变得简单一些？
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5-1 求图示各电路中的u1(t)及u2(t)，已知：L1=1 H，L2=0.25 H，M=0.25 H。
图题5-1
5-2 耦合电感如图(a)所示，已知L1=4 H，L2=2 H，M=1 H，若电流i1和i2的波形如图(b)所示，试绘出u1及u2的波形。
图题5-2
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5-3 图示电路中，已知A 2cos 25S t i =，试求稳态开路电压u oc 。
5-5 把耦合的两个线圈串联起来接到50 Hz 、220 V 的正弦电源上，顺接时测得电流I =2.7 A ，吸收的功率为218.7 W ，反接时电流为7 A 。求互感M 。
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5-8 图题5-8是一个空心自耦变压器电路。已知：R 1=R 2=3 Ω，ωL 1=ωL 2=4 Ω，
ωM =2 Ω，输入端电压101=U V 。试求：(1)输出端的开路电压0
U ；(2)若在输出端a 、b 间接入一个阻抗Z =0.52－j 0.36Ω，再求输出电压ab
U 。
图题5-8 图题5-13
5-13 图示电路中，R 1=3Ω，ωL 1=4Ω，R 2=10Ω，ωL 2=17.3Ω，ωM =2Ω，
?=3020S U V 。试求I I I 及、2
1。
5-14 图示电路，求5 Ω电阻的功率及电源发出的功率。
5-22 全耦合变压器如图题5-22所示，各阻抗值的单位为Ω。
(1)求ab 端的戴维南等效电路；(2)若ab 端短路，求短路电流。
图题5-14 图题5-22
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5-18 图示正弦电路。已知：i S (t )=1.414cos100t A ，T 为理想变压器。试求负载阻抗Z L
为何值时，其获得的功率最大，并求此最大功率P max 。
图题5-18
5-19 一个正弦稳态网络如图所示，已知R 1=20 Ω，ωL 1=80 Ω，R 2=30 Ω，ωL 2=50 Ω，
ωM =40 Ω，20120j U
+= V 。试求三个功率表测得的功率值。并根据所得结果说明网络中
的能量传递过程。
5-21 图题5-21电路，求u 1(t )及u 2(t )。
图题5-21
6-3 已知两个非线性电阻的VCR 为：(a)23)b (3
12u i i i u =+=，，试求：(1)非线性电阻
(a)在i =1 A 和i =3 A 时的动态电阻；(2)非线性电阻(b)在u =1 V 和u =2 V 时的动态电阻。 6-5 图示电路中，D 为理想二极管，试绘出各电路的U —I 关系曲线。
6-6 两个非线性电阻的伏安特性曲线如图(a)、(b)所示，图解绘出两个电阻按图(c)顺向
串联和图(d)逆向串联后的伏安特性。
图题6-6
6-9 图(a)电路中，非线性电阻的伏安特性如图(b)所示，求工作点以及流过两线性电阻的电流。
图题6-9
6-11 图示电路中，非线性电阻的伏安特性为u=i2(i＞0)。试求u、i和i1。
6-13 图示电路中，非线性电阻的特性为i=2u2(u＞0)，已知I s=10 A，i s1(t)=cos t A，R1=1 Ω。试用小信号分析法求非线性电阻的端电压u。
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图题6-11 图题6-13
6-14 图示电路，已知，，Wb Wb 322311i i ==ψψu C =e q 伏，R =4 Ω。
(1) 当U s =2 V 和4 V 时，求动态电感和动态电容的值。并作出小信号等效电路图；
(2) 若u 1(t )=10―
3cos ωt V 时，求在直流电压源U s =2 V 和4 V 情况下u C (t )的表达式(设ω=1 rad/s)。
图题6-14 图题6-15
6-15 图示电路中，已知：R 1=R 2=2 Ω，非线性电阻的伏安特性为32
33(u u i =＞0)，U s1=1
V ，U s2=3 V ，u 1(t )=2×10－
3cos628t V 。求i 3(t )。
7-3 图示矩形脉冲电压，其振幅为U m ，脉宽时间为Δt ，求其有效值U 和平均值U av 。 7-4 已知一无源二端网络端口电压和电流分别为
A
)603sin(3)30sin(64.510V
)903sin(4.562sin 6.84)90sin(141?++?-+=?+++?-=t t i t t t u ωωωωω
试求：(1)电压、电流的有效值；(2)网络消耗的平均功率。
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7-5 图示电路,已知u (t )=15+100sin314t －40cos628t V , i (t )=0.8+1.414sin(314t +19.3°)+0.94sin(628t －35.4°)A 。求功率表的读数。
图题7-5 图题7-7
7-7 在图示电路中，已知电源电压u (t )=50+100cos1000t +15cos2000t V ，L =40 mH ，C =25 μF ，R =30 Ω。试求电压表V 及电流表A 1和A 2的读数(电表指示为有效值)。
7-11 图示电路，已知t t t u ωω3cos 210cos 21010)(1++=V ，ωL =1 Ω，1/(ωC )=9 Ω。
求u 2(t
)=?
图题7-11 图题7-13
7-13 图示电路中，V )303cos(1.14cos 141s ?++=t t u ωω，基波频率f =500 Hz ，
C 1=C 2=3.18 μF ，R =10 Ω，电压表内阻视为无限大，电流表内阻视为零。已知基波电压单独作用时，电流表读数为零；三次谐波电压单独作用时，电压表读数为零。求电感L 1、L 2和电容C 2两端的电压u 0。
7-15 图示电路中，u (t )=U 0+U 1m cos ωt +U 3m cos3ωt V ，已知ωL 1=ωL 2=1/(ωC 2)=20 Ω，1/(ωC 1)=180 Ω，R 1=30 Ω，R 2=10 Ω，电流表A 1、A 2的读数均为4 A ，电压表读数为225 V ，求U 0、U 1m 、U 3m (电表指示为有效值)。
图题7-15 图题7-16
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*7-16 对称三相发电机的A 相电势为
e A =141cos ωt +42.5cos3ωt +5cos5ωt V
供给三相四线制的负载如图所示。基波阻抗为Z =4+j 4.8Ω，Z N =j 1Ω，Z l =0.5+j 0.5Ω。求负载的相电流及中线电流的瞬时表达式。
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8-1 (1)电路如图(a)所示，试列出求u C (t )的微分方程；
(2)电路如图(b)所示，试列出求u L (t )的微分方程。
图题8-1
8-3 电路如图所示，换路前电路已达稳态。试求+
+
++00d d d d )0()0(t u t
i
u i C L
C L ，，，。
图题8-3
8-5 (1)求图(a)电路中的i (0+)；
(2)求图(b)电路中的u (0+)；
(3)求图(c)电路中的+
+0d d )0(t
u
u C
C 、。
图题8-5
8-6 如图电路，原已达稳态，t=0时，将开关S换路，试求t≥0时的u(t)及i(t)。
图题8-6
8-8 电路如图所示，i L(0)=2 A，求i L(t)及u(t)，t≥0。
图题8-8
8-9 换路前图示电路已达稳态。试求i(t)，t≥0。
图题8-9
8-11 试求图示各电路的零状态响应u C(t)，t≥0。
图题8-11
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模拟电子技术 试题汇编 成都理工大学工程技术学院 电子技术基础教研室 2010-9
第一章 半导体器件 一、填空题 1、本征硅中若掺入5价元素的原子，则多数载流子应是 电子 ，少数载流子应是 空穴 。 2、 在N 型半导体中，电子浓度 大于 空穴浓度，而在P 型半导体中，电子浓度 小于 空穴浓度。 3、PN 结反向偏置时，空间电荷区将变 宽 。 4、双极型三极管输出特性的三个区域分别是_____饱和_____区、______放大___区、__截止________区。 5、场效应管分为两大类：一类称为_结型场效应管___________，另一类称为__ 绝缘栅场效应管_______。 6、PN 结外加反向电压，即电源的正极接N 区，电源的负极接P 区,这种接法称为___反向接法_______或_反向偏置_________。 7、半导体二极管的基本特性是 单向导电性 ____，在电路中可以起___整流____和___检波____等作用。 8、双极型半导体三极管按结构可分为__NPN_____型和__PNP_____型两种，它们的符号分别为_______和________。 9、PN 结中进行着两种载流子的运动：多数载流子的 扩散 运动和少数载流子的___漂移_____运动。 10、硅二极管的死区电压约为__0.5____V ，锗二极管的死区电压约为__0.1____V 。 11、晶体管穿透电流CEO I 是反向饱和电流CBO I 的___1+β_______倍，在选用晶体管的时候，一般希望CBO I 尽量___小_______。 12、场效应管实现放大作用的重要参数是___跨导_m g ______。 13、PN 结具有__单向导电_______特性。 14、双极型三极管有两个PN 结，分别是___集电结____和_发射结______。
《模拟电子技术》练习题 一、填空题 1． 在N 型半导体中， 是多数载流子， 是少数载流子。 2． 电路如图1-1所示，设二极管的导通电压U D ＝，则图1-1（a ）中U O ＝ V ，图1-1（b ）中U O ＝ V 。 （a ） （b ） 图1-1 3．图1-2中二极管为理想器件，则VD 1工作在 状态；VD 2工作在 状态；电流 O I mA 。 4．PN 结具有 特性；稳压二极管的稳压区在其伏安特性曲线的 区内。 5．在晶体管放大电路中，测得一晶体管三个管脚1、2和3 对地的直流电位分别为U 1 = -5 V ，U 2 = -8 V ，U 3 = V ，则与该晶体管对应的电极是：管脚1为 极，2为 极，3为 极，晶体管为 型（PNP 或NPN ），所用材料为 （硅或锗）。 6. 电压放大电路要求是要有较 的输入电阻和较 的输出电阻。 7． 在由NPN 管构成的基本共射放大电路中，若静态工作点设置得过高，则将产生 失真；乙类功率放大电路的缺点是存在 失真；直接耦合放大电路的最大问题是存在 现象。 8．共射放大电路的输出电压与输入电压的相位 （填“相同”或“相反” ）；共集放大电路的输出电压与输入电压的相位 。 9．射极输出器具有输入电阻 和输出电阻 的特点。。 10．为稳定输出电压，应引入 负反馈；为提高输入电阻，应引入 负反馈；当信号源的内阻较大时，为增强负反馈的效果，应引入 负反馈；由集成运 I O
放构成线性放大电路时，应引入 反馈（填“正反馈”或“负反馈” ）。 11．集成运放有两个工作区，即线性区和非线性区，则图1-3（a ）所示的集成运放工作于 区，图（b ）所示的集成运放工作于 区。 图1-3 二、单项选择题（每小题3分，共15分） 1．如图2-1所示电路，二极管D 1和D 2的工作状态为（ ）。 A ．D 1截止，D 2导通 B ．D 1导通，D 2截止 C ．D 1和D 2均导通 D ．D 1和D 2均截止 2．在放大电路中，若测得某晶体管三个极的电位分别为9V ，，，则这三个极分别为（ ）。 A ．C ， B ，E B ． C ，E ，B C ．E ，C ，B D ．B ， E ，C 3．在图2-2中，V CC =12V ，R C =3kΩ，β=50，U BEQ 可忽略不计，若使U CEQ =6V ，则R B 应为（ ）。 A ．360 kΩ B ．300 kΩ C ．300 Ω D ．400 kΩ 4．工作在放大区的某晶体管当i B 从20μA 增大到30μA 时，i C 从2mA 增大到4mA ，那么它的 值约为（ ）。 A. 50 B. 200 C. 20 D ．100 5．射极输出器（ ）。 A ．有电流放大作用，没有电压放大作用 B ．有电压放大作用，没有电流放大作用 图2-1 4V 0V +V CC 图2-2 R B
第 页 共 页 1 《模拟电路》课程试题 一、电路如图1所示,已知u i =3sin ωt,二极管导通压降U D =0.6V,画出u i 对应的u O 波形.(u i 波形自绘,简要写明解题过程)(8分). + _+_u i u O D 1D 22V 2V 图1 R 二、用万用表电压档测电路中三极管各电极对地电位如图2所示,判断三极管处于哪种工作情况.说明原因.(9分) +4V 0V +12V ?6V +4V +3.5V ?6V ?18V ?12V ?12.3V 图2Re (a)(b) (c) 三、电路如图3所示，T 1～T 5的电流放大系数分别为β1～β5，b-e 间动态电阻分别为r b e 1～r b e 5，解答下列问题(15分). 1.画出电路的交流通路. 2.简述图中虚线所示电路名称与作用. 3.写出u A 、R i 和R o 的表达式。
第 页 共 页 2 四、电路如图4所示,解答下列问题(18分) 1.合理接上信号源与反馈电阻R f ,并使电路输入电阻增大, 输出电阻减小. 2.若R f =190K Ω,计算合理连线后电路的增益A u . 3.简述D 1,D 2在电路中的作用.如果V CC =12V,R L =8Ω,T 1,T 2 管子饱和压降可以忽略不计,估算负载RL 所能获得的最大功率P Lmax =? 五、如图5为一运算放大器应用电路A 1、A 2、A 3为理想运放。电路参数如图。1.写出v o1~v i 之间函数关系式和v o ~v o2之间函数关系式。2.图中v i (t)波形已图6中试在坐标平面中画出与v i (t)所对应v o2 与v o 信号波形。(20分)
试卷编号01 ……………………………………………………………………………………………………………… 一、填空（本题共20分，每空1分）： 1．整流电路的任务是__将交流电变成脉动直流电________；滤波电路的任务是_滤除脉动直流电中的交流成分_________。 2．在PN结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于__载流子的浓度差________而产生的，漂移运动是_______内电场的电场力___作用下产生的。 3．放大器有两种不同性质的失真，分别是____线性______失真和非线性__________失真。 4．在共射阻容耦合放大电路中，使低频区电压增益下降的主要原因是_耦合电容__和旁路电容_______的影响；使高频区电压增益下降的主要原因是__三极管的级间电容________的影响。 5．在交流放大电路中，引入直流负反馈的作用是_稳定静态工作点_________；引入交流负反馈的作用是___稳定增益、抑制非线性失真、___改变输入输出电阻、展宽频带、抑制干扰和噪声__。 6．正弦波振荡电路一般由选频网络__________、__放大电路________、正反馈网络__________、__稳幅电路________这四个部分组成。 7．某多级放大器中各级电压增益为：第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ，放大器的总增益为__100________，总的放大倍数为__________。 8．在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极公共电阻R e对__差模输入________信号的放大无影响，对_共模输入_________信号的放大具有很强的抑制作用。共模抑制比K CMR为_差模增益与共模增益_________之比。 9．某放大电路的对数幅频特性如图1（在第三页上）所示，当信号频率恰好为上限频率时，实际的电压增益为____37______dB。 二、判断（本题共10分,每小题1分，正确的打√，错误的打×）： 1、（y ）构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。 2、（y ）稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。 3、（y ）在三极管的三种基本组态中，只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。 4、（n ）若放大电路的放大倍数为负值，则引入的一定是负反馈。 5、（yn ）通常，甲类功放电路的效率最大只有40%，而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。 6、（n ）一般情况下，差动电路的共模电压放大倍数越大越好，而差模电压放大倍数越小越好。 7、（y n）根据负反馈自动调节原理，交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。 8、（y）要使放大电路的输出电流稳定并使输入电阻增大，则应引入电流串联负反馈。 9、（y）在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小，在放大电路中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。 10、（y n）在正弦波振荡电路的应用中，通常，当要求振荡工作频率大于1MHz时，应选用RC正弦波振荡电路。 三、选择（本题共20分,每个选择2分）： 1．在放大电路中，测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V，－10V，－9.3V，则此三极管是（ A ） A. NPN型硅管； B. NPN型锗管； C. PNP型硅管； D. PNP型锗管； 2．为了使放大电路Q点上移，应使基本放大电路中偏置电阻R b的值（C ）。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 3．典型的差分放大电路中Re（ B ）。 A. 对差模信号起抑制作用 B. 对共模信号起抑制作用 C. 对差模信号和共模信号均无作用 4．在差动电路中，若单端输入的差模输入电压为20V，则其共模输入电压为（C ）。 A. 40V B. 20V C. 10V D. 5V 5．电流源的特点是（ A ）。 A . 交流电阻大，直流电阻小； B . 交流电阻小，直流电阻大； C. 交流电阻大，直流电阻大； D. 交流电阻小，直流电阻小。 6．影响放大电路高频特性的主要因素是（ D ）。 A. 耦合电容和旁路电容的存在； B. 放大电路的静态工作点不合适； C. 半导体管的非线性特性； D. 半导体管极间电容和分布电容的存在； 7．关于理想运算放大器的错误叙述是（ A ）。 A．输入阻抗为零，输出阻抗也为零；B．输入信号为零时，输出处于零电位； C．频带宽度从零到无穷大；D．开环电压放大倍数无穷大 8．有T1 、T2和T3三只晶体管，T1的β＝200，I CEO＝200μA；T2的β＝100，I CEO＝10μA；T3的β＝10，I CEO＝100μA，其它参数基本相同，则实用中应选（ B ） A. T1管； B. T2管； C. T3管 9．交流反馈是指（ C ） A．只存在于阻容耦合电路中的负反馈；B．变压器耦合电路中的负反馈； C．交流通路中的负反馈；D．放大正弦信号时才有的负反馈； 10．RC桥式正弦波振荡电路是由两部分组成，即RC串并联选频网络和（ D ） A. 基本共射放大电路； B. 基本共集放大电路； C. 反相比例运算电路； D. 同相比例运算电路； 四、分析与计算（本题共50分）： 1．(本小题10分) 电路如图2所示，通过分析判断反馈组态，并近似计算其闭环电压增益A usf。 2．(本小题10分) 电路如图3所示，u2=10V，在下列情况下，测得输出电压平均值U o的数值各为多少？（1）正常情况时；（2）电容虚焊时；（3）R L开路时；（4）一只整流管和电容C同时开路时。 3．(本小题12分) 如图4所示电路中，A为理想运放，Vcc＝16V，R L＝8Ω，R1＝10kΩ，R2＝100kΩ，三极管的饱和管压降U CES＝0V，
1.PN结反向电压时，其空间电荷区将，使运动占优。 2.PN结内电场的方向由区指向区。 3.P型半导体中掺入的杂质是价元素,多数载流子是 ,少数载流子 是 . 4.本征半导体中加入微量五价元素的杂质,构成的是型半导体,起多数载流子 是 ,少数载流子是 . 5.二极管的单向导电性是加正向电压 ,加反相电压 . 6.PN结具有单向导电性是指 . 7.PN 结处于正向偏置是指 . 8.由理想二极管组成的电路如图1所示,则该电路的输出电压U AB= . 9.由理想二极管组成的电路如图2所示,则该电路的输出电压U AB= . 10.半导体二极管在整流电路中,主要是利用其特性. 11.所谓PN结的正偏偏置,是将电源的正极与区相接,负极与区相接,在正向 偏置电压大于死区电压的条件下,PN结将 . 12.半导体三极管结构上的特点为基区、,发射 区、,集电区、. 13.半导体三极管工作在放大区时,发射结应加电压,集电结应加电压; 工作 在饱和区时,U CES≈ ;I CS≈ ; 工作在截止区时, U CE≈ ;I C≈ . 14.在三极管放大电路中,测得静态U CE=0V,说明三极管处于工作状态. 15.晶体三极管是型控制器件.场效应管是型控制器件. 16.已知晶体三极管的发射极电流I E=2mA,集电极电流I C=1.98mA,若忽略穿透电流I CEO的影 响时,则该管的β= . 17.半导体三极管通常可能处于、、 3种工作状态. 18.半导体三极管又称双极型三极,因为 ;场效应管又称单极型三极,因 为 . 19.已知晶体管各管脚电位如图所示,则该管子的材料是 ,型号是 ,工作状态 是 . 20.半导体三极管的穿透电流I CEO随温度的升高而,β随温度的升高而, U BE 随温度的升高而, I C随温度的升高而 21.PNP型三极管处于放大状态时,3个电极电位以极电位最高, 极电位最低. 22.在三极管组成的放大电路输入回路中，耦合电容的作用是。 23.在单级共射放大电路的输入端加一微小的正弦波电压信号，而在输出端的电压信号出现 正半周削顶现象，这是属于失真。
电子技术基础（模拟部分）综合练习题 2010-12-12 一．填空题：（将正确答案填入空白中） 1．N型半导体是在本征半导体中掺入3价元素，其多数载流子是电子，少数载流子是空穴。P型半导体是在本征半导体中掺入5价元素，其多数载流子是空穴，少数载流子是电子。 2．为使三极管能有效地有放大作用，要求三极管的发射区掺杂浓度最高；基区宽度最薄；集电结结面积最大。 3．三极管工作在放大区时，发射结要正向偏置，集电结反向偏置，工作在饱和区时，发射结要正向偏置，集电结正向偏置，工作在截止区时，发射结要反向偏置，集电结反向偏置。 4．工作在放大状态的三极管，流过发射结的电流主要是扩散电流，流过集电结的电流主要是漂移电流。 5．某三极管，其α=0.98，当发射极电流为2mA，其基极电流为0.04mA，该管的β值为49。 6．某三极管，其β=100，当集电极极电流为5mA，其基极电流为0.05mA，该管的α值为0.99。 7．某三极管工作在放大区时，当I B从20μA增大到40μA，I C从1mA变成2mA。则该管的β约为 50。 8.半导体三极管通过基极电流控制输出电流，所以它属于电流控制器件。其输入电阻较低；场效应管通过栅极电压控制输出电流，所以它属于 电压控制器件。其输入电阻很高。 9.晶体管的三个工作区是放大区，截止区，饱和区。场效应的三个工作区是可变电阻区，饱和区，截止区。 10．场效应管又称单极型管，是因为只有一种载流子参与导电；半导体三极管又称双极型管，是因为有两种载流子参与导电。 11．串联式直流稳压电源是由组成取样电路；比较放大器；基准电压和调整管。 12．集成运算放大器的内部电路是由偏置电路, 中间放大器, 输入级和 输出级四部分组成。 13．在一个三级放大电路中，已知A v1=20；A v2=-100；Av3=1，则可知这三级放大电路中A1是共基极组态；A2是共射极组态；A3是共集电极组态。14．正弦波振荡电路一般是由如下四部分组成放大器；反馈网络；稳幅电路和选频网络。 15．为稳定放大电路的输出电流和提高输出电阻，在放大电路中应引入电流串联负反馈。 16．PNP三极管基区中的多数载流子是电子。少数载流子是空穴。17．对于放大电路，所谓开环是指放大电路没有反馈支路。18．为稳定放大电路的输出电压和增大输入电阻，应引入电压串联负反馈。19．单相桥式整流电路中，设变压器的副边电压为V2，则输出直流电压的平均值为0.9V2。 20K CMR是指差模电压放大倍数与共模电压放大倍数之比的绝对值。
模拟电路部分习题答案 第二章晶体二极管及应用电路 2-1．填空 （1）N型半导体是在本征半导体中掺入五价元素；P型半导体是在本征半导体中掺入三价元素。 （2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流会增大。 （3）PN结的结电容包括势垒电容和扩散电容。 （4）晶体管的三个工作区分别是放大区、截止区和饱和区。在放大电路中，晶体管通常工作在放大区区。 （5）结型场效应管工作在恒流区时，其栅-源间所加电压应该反偏。（正偏、反偏）2-2．判断下列说法正确与否。 （1）本征半导体温度升高后，两种载流子浓度仍然相等。（） （2）P型半导体带正电，N型半导体带负电。（） （3）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R GS大的特点。（） （4）只要在稳压管两端加反向电压就能起稳压作用。（） （5）晶体管工作在饱和状态时发射极没有电流流过。（） （6）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（）（7）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（） （8）若耗尽型N沟道MOS场效应管的U GS大于零，则其输入电阻会明显减小。（） 答案：（1）对；温度升高后，载流子浓度会增加，但是对于本征半导体来讲，电子和空穴的数量始终是相等的。 （2）错；对于P型半导体或N型半导体在没有形成PN结时，处于电中性的状态。 （3）对；结型场效应管在栅源之间没有绝缘层，所以外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R GS大的特点。 （4）错；稳压管要进入稳压工作状态两端加反向电压必须达到稳压值。 （5）错；晶体管工作在饱和状态和放大状态时发射极有电流流过，只有在截止状态时没有电流流过。 （6）对； N型半导体中掺入足够量的三价元素，不但可复合原先掺入的五价元素，而且可使空穴成为多数载流子，从而形成P型半导体。 （7）对；PN结在无光照、无外加电压时，处于动态平衡状态，扩散电流和漂移电流相等。 （8）错。绝缘栅场效应管因为栅源间和栅漏之间有SiO2绝缘层而使栅源间电阻非常大。因此耗尽型N沟道MOS场效应管的U GS大于零，有绝缘层故而不影响输入电阻。 2-3．怎样用万用表判断二极管的正、负极性及好坏？ 答：可以利用万用表的电阻挡测量二极管两端电阻，正向时电阻很小，反向时电阻很大。 2-4．二极管电路如题2-4图所示，试判断图中的二极管是导通还是截止？输出电压为多少？
自测题一 一、判断题 1.因为P 型半导体的多数载流子就是空穴,所以它带正电。( F ) 2.在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。( T ) 3.处于放大状态的三极管,集电极电流就是多数载流子漂移所形成的。( F ) 二、单选题 1.半导体中的少数载流子产生的原因就是( D )。 A.外电场 B.内电场 C.掺杂 D.热激发 2.用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏,好的管子应为( C )。 A.正、反向电阻相等 B.正向电阻大,反向电阻小 C.反向电阻比正向电阻大很多倍 D.正、反向电阻都等于无穷大 3.二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将( B )。(X 轴为电压) A.右移 B.左移 C.上移 D.下移 4.当外加偏置电压不变时,若工作温度升高,二极管的正向导通电流将( A )。 A.增大 B.减小 C.不变 D.不确定 5.三极管β值就是反映( B )能力的参数。(三极管可改为电流控制电流源) A.电压控制电压 B.电流控制电流 C.电压控制电流 D.电流控制电压 6.温度升高时,三极管的β值将( A )。 A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定 7.下列选项中,不属三极管的参数就是( B )。 A.电流放大系数 B.最大整流电流 C.集电极最大允许电流 D.集电极最大允许耗散功率 8.某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为 V U 61=,V U 4.52=,V U 123=,则对应该管的管脚排列依次就是( B ) 。 A.e, b, c B.b, e, c C.b, c, e D.c, b, e 9.晶体三极管的反向电流就是由( B )运动形成的。 A.多数载流子 B.少数载流子 C.扩散 D.少数载流子与多数载流子共同 10.三极管工作在放大区,三个电极的电位分别就是6V 、12V 与6、7V ,则此三极管就是( D )。(发正偏集反偏) A.PNP 型硅管 B.PNP 型锗管 C.NPN 型锗管 D.NPN 型硅管 11.场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的( B )。 A.非饱与区 B.饱与区 C.截止区 D.击穿区 12.增强型绝缘栅场效应管,当栅极g 与源极s 之间电压为零时( B )。 A.能够形成导电沟道 B.不能形成导电沟道 C.漏极电流不为零 D.漏极电压为零 三、填空题 1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 掺杂浓度 。 2.少数载流子在内电场力作用下有规则的运动称为 漂移 。 3.PN 结正偏导通,反偏截止,称为PN 结的 单向导电性 性能。 4.PN 结加正向电压时,空间电荷区将 变窄 。 5.PN 结正向偏置时,PN 结的内电场被 削弱 。 6.三极管最重要的特性就是 电流放大作用 。 7.温度升高时,晶体管的反向饱与电流将 增大 。 8.场效应晶体管属于 电压 控制器件。 10.GS 时,不能工作在恒流区的场效应管有 增强型MOS 管 。 11.开启电压0)(>th U GS 的就是 N 沟道增强型 场效应管。 12.开启电压0)(
一、填空题 1、P 型半导体又称为_____型半导体，它由本征半导体掺入_____价元素形成，其多数载流子是__________，少数载流子是__________。当PN 结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流，耗尽层 。 2、三种基本组态的放大电路中，输入和输出相位相反的是____________，输入和输出相位相同的是____________。 3、场效应管与双极晶体管比较，____________为电压控制器件，____________为电流控制器件，____________的输入电阻高。 4、在分析含有负反馈的集成运放电路时，常用的两个基本且重要的概念是： 和 。 5、放大电路中静态工作点的设置非常重要，如果Q 点设置过低，将会引起 失真，其输出电压的波形 半周被部分削平。 6、直流稳压电源由 、 、 及 组成。 7、并联稳压电路中，稳压二极管需要串入 才能正常进行工作。 二、选择题 1、杂质半导体的少数载流子浓度取决于（ ） A 、掺杂浓度 B 、工艺 C 、温度 D 、晶体缺陷 2、测得某放大电路中BJT 的三个电极A 、B 、C 的各级电位为 V V V V V V C B A 2.6,6,9-=-=-= 则可以判断出 （ ） A ．A 是基极， B 是发射极， C 是集电极，是NPN 管 B ．A 是集电极，B 是基极，C 是发射极，是PNP 管 C ．A 是集电极，B 是发射极，C 是基极，是PNP 管 D ．A 是发射极，B 是集电极，C 是基极，是NPN 管 3、P 沟道增强型场效应管处于放大状态时要求（ ） A 、UGS ＞0，UDS ＞0 B 、UGS ＜0，UDS ＜0 C 、UGS ＞0，UDS ＜0 D 、UGS ＜0，UDS ＞0 4、某仪表的放大电路，要求Ri 很大，输出电流稳定，则应采用（ ）形式来达到性能要求。 A 、电流串联负反馈 B 、电压并联负反馈 C 、电流并联负反馈 D 、电压串联负反馈 5、在长尾式差分放大电路中，电阻Re 的作用是：（ ） A 、提高Ri B 、提高Avd C 、提高K CMR D 、提高Avc 6、差分放大电路的输出由双端输出改为由单端输出时，其K CMR 将会（ ）。 A 、增大 B 、减小 C 、不变 D 、不能确定 7、乙类功率放大电路可以达到的最大效率是多少？（ ）
1、单管共射放大电路中，若静态工作点设置过低，将出现失真，若设 置过高，则将出现失真。 2、场效应管属于控制型器件，而晶体三极管属于控制型器件。 3、集成运放的输入级采用差分放大电路的目的是为了克服问题。 4、为了判断正、负反馈，可以采用法；负反馈对放大电路性能 的影响是：提高了；减小了；展宽了；改变了。 5、对功率放大电路的要求主要是能向负载提供较大的，同时应具 有较高的和较小的。 6、为了放大直流信号或变化缓慢的信号，多级放大电路之间应采用耦 合方式，为了实现阻抗变换，则应采用耦合方式。 7、一般直流电源的组成包括、、和四 个部分。 8、设计一个输出功率为20W的扩音机电路，若采用乙类OCL（即双电源）互补 对称功放电路，则应选P CM 至少为 W的功率管两个。 9、多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比，其通频带将变。1、放大电路中三极管工作在放大区时，发射结需加电压，集电结需 加电压。 2、分析基本放大电路的方法有和两种。 3、放大器的输入阻抗高，说明它对前级或信号源的影响；放大器输 出阻抗高，说明它的带负载能力。 4、在反馈电路中，若|1+F A |>1，则表示引入的是反馈，若|1+F A |<1， 则表示引入的是反馈，若|1+F A |=0，则表示产生了现象。 5、对功率放大电路的要求主要是能向负载提供较大的，同时应具 有较高的和较小的。 6、理想运放的理想化参数是：开环差模放大倍数A Od= ，R id= ， Ro= 。 7、在一个三极管放大电路中，测得三极管三个引脚对地的电位分别为：U 1 =12V、 U 2=3.7V、U 3 =3V，则三极管对应的电极是：1为极、2为极、3 为极，三极管属于型三极管。 8、输入与输出电压反相是单管组态放大电路的特点。 9、场效应管的工作原理是利用栅源之间的来控制漏极。 1、集成运放电路有以下四部分组成：，，，。 2、在本征半导体中掺入五价的磷元素，就形成型半导体，其中多数载流
. . . . 《模拟电子技术》练习题 一、填空题 1． 在N 型半导体中， 是多数载流子， 是少数载流子。 2． 电路如图1-1所示，设二极管的导通电压U D ＝0.7V ，则图1-1（a ）中U O ＝ V ，图1-1（b ）中U O ＝ V 。 （a ） （b ） 图1-1 3．图1-2中二极管为理想器件，则VD 1工作在 状态；VD 2工作在 状态；电流 O I mA 。 4．PN 结具有 特性；稳压二极管的稳压区在其伏安特性曲线的 区。 5．在晶体管放大电路中，测得一晶体管三个管脚1、2和3对地的直流电位分别为U 1 = -5 V ，U 2 = -8 V ，U 3 = -5.2 V ，则 与该晶体管对应的电极是：管脚1为 极，2为 极，3为 极，晶体管为 型（PNP 或NPN ），所用材料为 （硅或锗）。 6. 电压放大电路要要有较 的输入电阻和较 的输出电阻。 7． 在由NPN 管构成的基本共射放大电路中，若静态工作点设置得过高，则将产生 失真；乙类功率放大电路的缺点是存在 失真；直接耦合放大电路的最大问题是存在 现象。 8．共射放大电路的输出电压与输入电压的相位 （填“相同”或“相反” ）；共集放大电路的输出电压与输入电压的相位 。 9．射极输出器具有输入电阻 和输出电阻 的特点。。 10．为稳定输出电压，应引入 负反馈；为提高输入电阻，应引入 负反馈；当信号源的阻较大时，为增强负反馈的效果，应引入 负反馈；由集成运放构成线性放大电路时，应引入 反馈（填“正反馈”或“负反馈” ）。 I O
11．集成运放有两个工作区，即线性区和非线性区，则图1-3（a ）所示的集成运放工作于 区，图（b ）所示的集成运放工作于 区。 图1-3 二、单项选择题（每小题3分，共15分） 1．如图2-1所示电路，二极管D 1和D 2的工作状态为（ ）。 A ．D 1截止，D 2导通 B ．D 1导通，D 2截止 C ．D 1和D 2均导通 D ．D 1和D 2均截止 2．在放大电路中，若测得某晶体管三个极的电位分别为9V ，2.5V ，3.2V ，则这三个极分别为（ ）。 A ．C ， B ，E B ． C ，E ，B C ．E ，C ，B D ．B ， E ，C 3．在图2-2中，V CC =12V ，R C =3kΩ，β=50，U BEQ 可忽略不计，若使U CEQ =6V ，则R B 应为（ ）。 A ．360 kΩ B ．300 kΩ C ．300 Ω D ．400 kΩ 4．工作在放大区的某晶体管当i B 从20μA 增大到30μA 时，i C 从2mA 增大到4mA ，那么它的 值约为（ ）。 A. 50 B. 200 C. 20 D ．100 5．射极输出器（ ）。 A ．有电流放大作用，没有电压放大作用 B ．有电压放大作用，没有电流放大作用 C ．既有电流放大作用，也有电压放大作用 6．某测量放大电路，要求输入电阻高，输出电流稳定，应引入（ ）。 A ．串联电流负反馈 B ．串联电压负反馈 图2-1 4V 0V +V CC 图2-2 R B
一、填空题： 1.周期函数的FFT展开是一系列不同频率的正弦波叠加，而非周期函数的FFT展开是含有__0~ ∞频率的所有正弦波成分。 2.高频小电流场合应采用__点接触_型结构的二极管,而低频大电流场合则应选用__面接触_型 结构的二极管。 3.选用二极管时最为关注的二个参数是最大正向工作电流I F__和最高反向工作电压V BRMAX 。 而硅肖特基二极管的饱和导通压降为___0.3____V。 图<1> 图<2> 3.在图<1>所表示的组合电流源电路中,T5、T6管输出的电流I5、I6称为_拉电流_或者称电流 源；而T2、T3管输入的电流I2、I3称为_灌电流__或者称为_电流阱__。 4.快速估算图<2>共射极放大电路的电压增益大小是___─10____。 5.线性放大电路常用的耦合方式有阻容耦合、_直接耦合_、__光电耦合__和变压器耦合等方式。 6.PN结形成的原因是由于P、N区内部载流子的_浓度_不同，而引起多数载流子的_扩散_运动 和少数载流子的_漂移_运动，从而形成内电场，又称_势垒_区、或者称为_空间电荷__区，当上述二种运动最终达到动态平衡时，形成PN结。 7.某BJT在放大状态时的3个电极电位分别为V1=2V、V2=1.7V、V3=-2.5V。可以判断该BJT的“1” 脚为___e______极、“2”脚为___b____极、“3”脚为___c____极。并且它是属于__锗____材料、____PNP____型的管子。 8.正弦振荡电路通常由直流电源、__放大器__、__负反馈网络__及__选频网络__四部分组成， 常用的几种类型是_RC振荡电路__、 LC振荡电路__、 _晶体振荡电路__等振荡器。 9.图示电路,判断二极管处在___导通____状态。
模拟电路复习题带答案
1、本征半导体：一种完全纯净的、结构完整的半导体晶体。其物理结构为单晶体结构。 2、负反馈：反馈信号送回输入回路与原输入信号共同作用，使净输入信号量比没有引入反馈时减少了，这种反馈称为负反馈。 3、共模抑制比：放大电路差模信号的电压增益A vd与共模信号的电压增益A vc之比的绝对值。它是说明差分式放大电路抑制共模信号的能力。 4、闭环放大倍数：在负反馈放大电路中，电路的输出的输出信号量与电路的输入信号量之比称为闭环放大倍数（闭环增益）。其表达式为A f=x o/x i。 4、静态工作点：在三极管放大电路中，当输入信号v i=0时，BJT各电极的直流电流及各电极间的直流电压分别用I B、I C、V BE、V CE 表示，这些电流、电压的数值可用BJT特性曲线上的一个确定的点表示，该点习惯上称为静态工作点Q。 5、甲类放大器：在电压放大电路中，输入信号在整个周期内都有电流流过放大器件，以这种工作方式工作的放大器均称为甲类放大器。 6、开环放大倍数：在负反馈放大电路中，电路的输出的输出信号量与电路的净输入信号量之比称为开环放大倍数（开环增益）。其表达式为A=x o/x id。其中x id=x i-x f。 7、通频带：用于衡量放大电路对不同频率信号的放大能力。由于放大电路中电容、电感及半导体器件结电容等电抗元件的存在，在输入信号频率较低或较高时，放大倍数的数值会下降并产生相移。通常情
况下，放大电路只适用于放大某一个特定频率范围内的信号。其中，下限截止频率f L：在信号频率下降到一定程度时，放大倍数的数值明显下降，使放大倍数的数值等于0.707倍（增益下降3dB的频率点，其输出功率约为等于中频段输出功率的一半，通常称为半功率点）的频率称为下限截止频率f L。上限截止频率f H：信号频率上升到一定程度时，放大倍数的数值也将下降，使放大倍数的数值等于0.707倍的频率称为上限截止频率f H。通频带BW：f L与f H之间形成的频带称中频段，带宽或通频带BW。其表达式为BW＝f H－f L 8．PN结的动态平衡：扩散运动和漂移运动是相互联系有互相对立的，扩散使空间电荷区加宽，电场增强，对多数载流子扩散的阻力增大，但使少数载流子的漂移增强；而漂移使空间电荷区变窄，电场减弱，又使扩散容易进行。当漂移运动和扩散运动相等时，空间电荷区便处于动态平衡状态。 9．PN结的雪崩击穿齐纳击穿：当PN结反向电压增大到某一数值后，载流子的倍增情况就像在陡峻的积雪上坡上发生雪崩一样，载流子增加得多而快，使反向电流急剧增大，于是PN结被击穿，这种击穿称为雪崩击穿。PN结在加有较高的反向电压下，PN结空间电荷区存在一个很强的电场，它能够破坏共价键的束缚，将电子分离出来产生电子—空穴对，在电场作用下，电子移向N区，空穴移向P区，从而形成较大的反向电流，这种击穿现象称为齐纳击穿。 10．零点漂移(零漂)，噪声：指当放大电路输入信号为零（即没有交流电输入）时，由于受温度变化，电源电压不稳等因素的影响，
《模拟电子技术基础》题库 一、填空题 1-12（第一章） 1、杂质半导体有型和型之分。 2、PN结最重要的特性是__________，它是一切半导体器件的基础。 3、PN结的空间电荷区变厚，是由于PN结加了__________电压，PN结的空间电荷区变窄，是由于PN 结加的是__________电压。 4、N型半导体中多数载流子是，P型半导体中多数载流子是，PN结具 有特性。 5、发射结偏置，集电结偏置，则三极管处于饱和状态。 6、P型半导体中空穴为载流子，自由电子为载流子。 7、PN结正偏时，反偏时，所以PN结具有导电性。 8、反向电流是由载流子形成，其大小与有关，而与外加电压。 9、三极管是控制元件，场效应管是控制元件。 10当温度升高时，三极管的等电极电流I，发射结压降UBE。 11、晶体三极管具有放大作用时，发射结，集电结。 12、漂移电流是电流，它由载流子形成，其大小与有关，而与 外加电压。 13-19（第二章） 13、放大电路中基极偏置电阻Rb的作用是__________。 14、两级放大电路的第一级电压放大倍数为100，即电压增益为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍dB，第二 级电压增益为26dB，则两级总电压增益为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍dB。 15、有偶数级共射电路组成的多级放大电路中，输入和输出电压的相位_________，有奇数级组成的多 级放大电路中，输入和输出电压的相位__________。 16、电压负反馈稳定的输出量是__________，使输出电阻__________，电流负反馈稳定的输出量_______， 使输出电阻__________。 17、稳压二极管是利用二极管的__________特性工作的。 18、晶闸管阳极和阴极间加__________，控制极加适当的__________，晶闸管才能导通。 19、在输入V2单相半波整流电路中，二极管承受的最大反向电压为V RM，负载电压为V O。 20-26（第三章） 20、甲类功放的最大缺点是_______； 21、双极型三极管是控制器件，场效应管是控制器件；结型场效应管的栅源极之间 必须加偏置电压，才能正常放大工作。
A 、正向导通 B 、反向截止区 C 、反向击穿区 D 、饱和区 A ． 变大 B. 基本不变 C. 变小 (10) 双极型NPN 三极管在截止状态工作时的外部条件是 。 C. 提高交流电流放大能力 D. 提高带负载能力 一、 选择题 （1）用直流电压表测得放大电路中三极管的三个电极的电压分别为2V 、6V 和2.7V ，该管为________； A 、NPN 型锗管 B 、PNP 型锗管 C 、NPN 型硅管 D 、PNP 型硅管 （2）当温度升高时，三极管的集电极电流C I ________，Q 点会发生变化，故常用________稳定Q 点。 A 、变小 B 、变大 C 、共基极电路 D 、射极分压式偏置电路 （3）晶体管在输入信号的整个周期内均导通叫做________工作状态，而晶体管的导通时间大于半个周期叫做________工作状态； A 、甲类 B 、乙类 C 、甲乙类 D 、丙类 （4）正弦振荡产生的条件是________； A 、01=+AF B 、1-=? ?F A C 、1=? ?F A D 、11>+AF （5）甲乙类互补功率放大器可以克服_______互补对称电路存在的________失真； A 、甲类 B 、乙类 C 、交越 D 、截止 （6）单相桥式整流电路中，整流电压的平均值Vo 为________ A 、0.45V2 B 、0.9V2 C 、1.2V2 D 、1.5V2 （7）稳压二极管稳压时，其工作在________； （8）在N 型半导体中，掺入的杂质是 ， 在P 型半导体中，多数载流子是 。 A. 电子 B. 空穴 C.离子 D. 杂质 E. 5价元素 F. 3价元素 （9）PN 结加反向电压时，反向电阻将 。 A 发射结正偏，集电结正偏 B 发射结正偏，集电结反偏 C 发射结反偏，集电结反偏 (11)FET 场效应管是单极性器件，属于 型控制型器件，有 种载流子参与导电，而BJT 晶体管是双极性器件，属于 型控制型器件，有 种载流子参与导电。 A. 电压 B. 电流 C. 电压电流 D. 1种 E. 2种 F. 3种 (12)在基极偏置共射极放大电路中，射极电阻R E 是电流串联负反馈电阻，R E 的作用是 。 A. 抑制温度漂移，稳定静态工作点 B. 提高交流电压放大能力
自测题一 一、判断题 1．因为P 型半导体的多数载流子是空穴，所以它带正电。（ F ） 2．在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。（ T ） 3．处于放大状态的三极管，集电极电流是多数载流子漂移所形成的。（ F ） 二、单选题 1．半导体中的少数载流子产生的原因是（ D ）。 A ．外电场 B ．内电场 C ．掺杂 D ．热激发 2．用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏，好的管子应为（ C ）。 A ．正、反向电阻相等 B ．正向电阻大，反向电阻小 C ．反向电阻比正向电阻大很多倍 D ．正、反向电阻都等于无穷大 3．二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将（ B ）。(X 轴为电压) A ．右移 B ．左移 C ．上移 D ．下移 4．当外加偏置电压不变时，若工作温度升高，二极管的正向导通电流将（ A ）。 A ．增大 B ．减小 C ．不变 D ．不确定 5．三极管β值是反映（ B ）能力的参数。（三极管可改为电流控制电流源） A ．电压控制电压 B ．电流控制电流 C ．电压控制电流 D ．电流控制电压 6．温度升高时，三极管的β值将（ A ）。 A ．增大 B ．减少 C ．不变 D ．不能确定 7．下列选项中，不属三极管的参数是（ B ）。 A ．电流放大系数 B ．最大整流电流 C ．集电极最大允许电流 D ．集电极最大允许耗散功率 8．某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为V U 61=，V U 4.52=，V U 123=，则对应该管的管脚排列依次是（ B ） 。 A ．e, b, c B ．b, e, c C ．b, c, e D ．c, b, e 9．晶体三极管的反向电流是由（ B ）运动形成的。 A ．多数载流子 B ．少数载流子 C ．扩散 D ．少数载流子和多数载流子共同 10．三极管工作在放大区，三个电极的电位分别是6V 、12V 和6.7V ，则此三极管是（ D ）。（发正偏集反偏） A ．PNP 型硅管 B ．PNP 型锗管 C ．NPN 型锗管 D ．NPN 型硅管 11．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（ B ）。 A ．非饱和区 B ．饱和区 C ．截止区 D ．击穿区 12．增强型绝缘栅场效应管，当栅极g 与源极s 之间电压为零时（ B ）。 A ．能够形成导电沟道 B ．不能形成导电沟道 C ．漏极电流不为零 D ．漏极电压为零 三、填空题 1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 掺杂浓度 。 2．少数载流子在内电场力作用下有规则的运动称为 漂移 。 3．PN 结正偏导通，反偏截止，称为PN 结的 单向导电性 性能。 4．PN 结加正向电压时，空间电荷区将 变窄 。 5．PN 结正向偏置时，PN 结的内电场被 削弱 。 6．三极管最重要的特性是 电流放大作用 。 7．温度升高时，晶体管的反向饱和电流将 增大 。
模拟电路复习 第一章半导体二极管及其基本电路 1、ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流_ 大于_ 漂移电流，耗尽层___变窄__ __。（大于、变窄） 2、（1）在图1所示的电路中，当电源V=5V时，测得I=1mA。若把电源电压调整到V=10V，则电流的大小将是_ C__。 （图1） A.I=2mA B.I<2mA C.I>2mA 3、设硅稳压管Dz1和Dz2的稳定电压分别为5V和10V，求图2中电路的输出电压Uo。已知稳压管的正向压降为0.7V。输出电压为0.7 V 。 （图2） 4、图3所示电路，设Ui=sinωt(V)，V=2V，二极管具有理想特性，则输出电压Uo的波形应为图示___A____图。
（图3） 5、试判断图4中二极管是导通还是截止？并求出AO两端电压ＶA0。设二极管为理想的。 D1二极管是截止，D2二极管是导通。VAO的电压为 -4V 。 （图4） 解：分析方法：（1）将D1、D2从电路中断开，分别出D1、D2两端的电压；（2）根据二极管的单向导电性，二极管承受正向电压则导通，反之则截止。若两管都承受正向电压，则正向电压大的管子优先导通，然后再按以上方法分析其它管子的工作情况。 本题中：Ｖ12=12V，Ｖ34=12+4=16V，所以D2优先导通，此时，Ｖ12=-4V，所以D1管子截止。ＶA0 = -4V。
第二章半导体三极管及放大电路 例1．半导体三极管为什么可以作为放大器件来使用，放大的原理是什么？试画出固定偏流式共发射极放大电路的电路图，并分析放大过程。 答：放大的原理是利用小信号对大信号的控制作用，利用ｖBE的微小变化可以导致ｉC的大变化。固定偏流式共发射极放大电路如图5，其放大过程为： （图5）